JP2008166769A - イメージセンサ及びイメージセンサの製造方法 - Google Patents

イメージセンサ及びイメージセンサの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2008166769A
JP2008166769A JP2007326818A JP2007326818A JP2008166769A JP 2008166769 A JP2008166769 A JP 2008166769A JP 2007326818 A JP2007326818 A JP 2007326818A JP 2007326818 A JP2007326818 A JP 2007326818A JP 2008166769 A JP2008166769 A JP 2008166769A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
color filter
region
image sensor
microlens
area
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2007326818A
Other languages
English (en)
Inventor
Seoung Hyun Kim
ヒョン キム、ソン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
DB HiTek Co Ltd
Original Assignee
Dongbu HitekCo Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dongbu HitekCo Ltd filed Critical Dongbu HitekCo Ltd
Publication of JP2008166769A publication Critical patent/JP2008166769A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B30/00—Optical systems or apparatus for producing three-dimensional [3D] effects, e.g. stereoscopic images
    • G02B30/20—Optical systems or apparatus for producing three-dimensional [3D] effects, e.g. stereoscopic images by providing first and second parallax images to an observer's left and right eyes
    • G02B30/26—Optical systems or apparatus for producing three-dimensional [3D] effects, e.g. stereoscopic images by providing first and second parallax images to an observer's left and right eyes of the autostereoscopic type
    • G02B30/27—Optical systems or apparatus for producing three-dimensional [3D] effects, e.g. stereoscopic images by providing first and second parallax images to an observer's left and right eyes of the autostereoscopic type involving lenticular arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462—Coatings
    • H01L27/14621—Colour filter arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L27/14627—Microlenses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14685—Process for coatings or optical elements

Abstract

【課題】イメージセンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】イメージセンサは、マトリックス形態で配置されたピクセル領域を有する第１領域と第１領域の周辺に配置された第２領と域を含む半導体基板と、各ピクセル領域に配置されたフォトダイオードを有するフォトダイオード構造物と、フォトダイオード構造物上に配置され、各ピクセル領域に対応して形成され、光の入射角に対応して相違する面積を有するカラーフィルタと、カラーフィルタ上に配置されたマイクロレンズと、を含むことを特徴とする。
【選択図】図２

Description

本発明は、イメージセンサ及びその製造方法に関する。
従来、イメージセンサは、各フォトダイオードに対応して配置されるカラーフィルタ及びマイクロレンズを含む。従来のイメージセンサのマイクロレンズの平面積は実質的にカラーフィルタの平面積と同一である。また、従来のイメージセンサのマイクロレンズは、入射した光を集光するために、凸レンズ形状を有する。
しかし、従来のイメージセンサのマイクロレンズとカラーフィルタの面積が同一であり、マイクロレンズが凸レンズ形状を有することから、マイクロレンズに入射した光は、マイクロレンズで屈折しカラーフィルタを通過して、隣接するフォトダイオードに入射してしまい、クロストークを発生する
クロストーク現象は、イメージセンサの中央部より、イメージセンサのピクセルエッジ側で頻繁に発生する。このようなクロストーク現象の原因は、ピクセルエッジ側に入射する光の傾斜が、イメージセンサの中央部に入射する光の傾斜より大きいからである。
本発明は、光干渉によるクロストーク現象を除去してイメージの品質を向上させるイメージセンサ及びその製造方法を提供する。
本発明の実施形態に係るイメージセンサは、マトリックス形態で配置されたピクセル領域を有する第１領域と前記第１領域の周辺に配置された第２領域とを含む半導体基板と、前記各ピクセル領域に配置されたフォトダイオードを有するフォトダイオード構造物と、前記フォトダイオード構造物上に配置され、前記各ピクセル領域に対応して形成され、光の入射角に対応して相違する面積を有するカラーフィルタと、前記カラーフィルタ上に配置されたマイクロレンズと、を含むことを特徴とする。
また、本発明の別の実施形態に係るイメージセンサの製造方法は、マトリックス形態で配置されたピクセル領域を有する第１領域と前記第１領域の周辺に配置された第２領域とを含む半導体基板を準備するステップと、前記各ピクセル領域にフォトダイオードを有するフォトダイオード構造物を形成するステップと、前記フォトダイオード構造物上に、前記各ピクセル領域に対応して形成され、光の入射角に対応して相違する面積を有するカラーフィルタを形成するステップと、前記カラーフィルタ上にマイクロレンズを形成するステップと、を含むことを特徴とする。
本発明のイメージセンサ及びその製造方法によれば、光干渉によるクロストークを除去して、イメージの品質を向上させることができる。
以下、実施形態に係るイメージセンサ及びその製造方法を、添付図面に基づき詳細に説明する。
図１は、実施形態に係るイメージセンサの平面図である。図２は、図１のＩ−Ｉ’断面図である。図３は、図２に示したフォトダイオード構造物のうち一つのフォトダイオード構造物を示す平面図である。
図１に示すように、イメージセンサ１００は、半導体基板を含む。半導体基板は、マトリックス形状に配置された複数のピクセル領域（Ｐｉｘｅｌ Ｒｅｇｉｏｎ）ＰＲを有する第１領域ＦＲと、第１領域ＦＲを取り囲む第２領域ＳＲとを含む。
図２に示すように、各ピクセル領域ＰＲには、第１〜第３フォトダイオード構造物２０、３０、４０からなるフォトダイオード構造物５０が配置される。フォトダイオード構造物５０の各々は、フォトダイオードＰＤ及びトランジスタ構造物ＴＳを含む。
図３に示すように、フォトダイオード構造物５０に含まれる各トランジスタ構造物ＴＳは、共通的にトランスファトランジスタＴｘ、リセットトランジスタＲｘ、セレクトトランジスタＳｘ及びアクセストランジスタＡｘを含む。トランスファトランジスタＴｘのドレインは、浮遊拡散層（Ｆｌｏａｔｉｎｇ Ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ）ＦＤの役割をする。
図２を参照すると、半導体基板上にフォトダイオード構造物５０が形成された後、フォトダイオード構造物５０を覆う絶縁膜構造物６０が形成される。絶縁膜構造物６０は、配線構造物６５を含むことができる。一実施例では、絶縁膜構造物６０は、フォトダイオード構造物５０に含まれ得る。
また図２を参照すると、フォトダイオード構造物５０の絶縁膜構造物６０上には、カラーフィルタが形成される。
一実施例では、カラーフィルタ７０は、第１カラーフィルタ７４、第２カラーフィルタ７６及び第３カラーフィルタ７８を含む。一実施例では、第１カラーフィルタ７４は、緑色波長を有する光を通過させる緑色フィルタであり、第２カラーフィルタ７６は、青色波長を有する光を通過させる青色フィルタであり、第３カラーフィルタ７８は、赤色波長を有する光を通過させる赤色フィルタである。
一実施例では、第１カラーフィルタ７４は、第１フォトダイオード構造物２０と対応して絶縁膜構造物６０上に配置され、第２カラーフィルタ７６は、第２フォトダイオード構造物３０と対応して絶縁膜構造物６０上に配置され、第３カラーフィルタ７８は、第３フォトダイオード構造物４０と対応して絶縁膜構造物６０上に配置される。
一実施例では、第１〜第３カラーフィルタ７４、７６、７８は、入射光７９の入射角度に対応して、相違する平面積を有する。例えば、カラーフィルタ７０各々の平面積は、図１に示された第１領域ＦＲと第２領域ＳＲの境界から、第１領域ＦＲの中央部に向かうほど次第に小さくなる。これは、第１領域ＦＲの中央部に入射する光の入射角が第１領域ＦＲと第２領域ＳＲの境界に入射する光の入射角と異なるからである。
一実施例では、第３カラーフィルタ７８は第１平面積を有し、第２カラーフィルタ７６は第１平面積より小さい第２平面積を有し、第１カラーフィルタ７４は第２平面積より小さい第３平面積を有する。
第１〜第３カラーフィルタ７４、７６、７８上には、々マイクロレンズ８０が配置される。
一実施例では、マイクロレンズ８０は、第１マイクロレンズ８２、第２マイクロレンズ８４及び第３マイクロレンズ８６を含む。一実施例では、第１マイクロレンズ８２は第１フォトダイオード構造物２０及び第１カラーフィルタ７４と対応し、第２マイクロレンズ８４は第２フォトダイオード構造物３０及び第２カラーフィルタ７６と対応し、第３マイクロレンズ８６は第３フォトダイオード構造物４０及び第３カラーフィルタ７８と対応する。一実施例では、第３マイクロレンズ８６の平面積は、第３カラーフィルタ７８より小さく形成される。
一実施例では、同一な面積を有する第１〜第３マイクロレンズ８２、８４、８６の下部に、相違する面積を有する第１〜第３カラーフィルタ７４、７６、７８を配置することで、第１〜第３マイクロレンズ８２、８４、８６及び第１〜第３カラーフィルタ７４、７６、７８を通過した光が該当フォトダイオード構造物に入射するようにして、クロストーク現象を防止することができる。
具体的には、例えば、第２マイクロレンズ８４を通過した光は、第２カラーフィルタ７６に入射する。第２マイクロレンズ８４に入射した白色光が第２カラーフィルタ７６を通過しながら、青色光だけが出力される。第２カラーフィルタ７６を通過した青色光の大部分は、第２フォトダイオード構造物３０に入射するが、青色光の一部は、第２フォトダイオード構造物３０と隣接する第３フォトダイオード構造物４０に入射する。ここで、第３フォトダイオード構造物４０に向かう青色光は、第３カラーフィルタ７８を通過し、青色光は第３カラーフィルタ７８で吸収されるので、第３フォトダイオード構造物４０には青色光が入射できなくなって、クロストークが防止される。
図４ないし図６は、実施形態に係るイメージセンサの製造方法を示す断面図である。
図４に示すように、マトリックス形状に配置された複数のピクセル領域ＰＲを有する第１領域ＦＲと第１領域ＦＲを取り囲む第２領域ＳＲとを含む半導体基板上に、第１〜第３フォトダイオード構造物２０、３０、４０からなるフォトダイオード構造物５０が形成される。フォトダイオード構造物５０の各々は、フォトダイオードＰＤ及びトランジスタ構造物ＴＳを含む。
半導体基板上に、フォトダイオードＰＤ及びトランジスタ構造物ＴＳを有するフォトダイオード構造物５０が形成された後、半導体基板上には、フォトダイオード構造物５０を覆う絶縁膜構造物６０が形成される。絶縁膜構造物６０は、配線構造物６５を含むことができる。
フォトダイオード構造物５０の絶縁膜構造物６０上には、カラーフィルタ７０が形成される。
一実施例では、カラーフィルタ７０は、第１カラーフィルタ７４、第２カラーフィルタ７６及び第３カラーフィルタ７８を含む。
一実施例では、緑色波長を有する緑色光を通過させる第１カラーフィルタ７４は、第１フォトダイオード構造物２０と対応して絶縁膜構造物６０上に形成され、青色波長を有する青色光を通過させる第２カラーフィルタ７６は、第２フォトダイオード構造物３０と対応して絶縁膜構造物６０上に形成され、第３カラーフィルタ７８は、第３フォトダイオード構造物４０と対応して絶縁膜構造物６０上に形成される。
一実施例では、第１〜第３カラーフィルタ７４、７６、７８は、入射光７９の入射角度に対応して、相違する平面積を有するように形成される。例えば、カラーフィルタ７０各々の平面積は、図１に示された第１領域ＦＲ及び第２領域ＳＲの境界から第１領域ＦＲの中央部に向かうほど、次第に小さくなるように形成される。
これは、第１領域ＦＲの中央部に入射する光の入射角が、第１領域ＦＲ及び第２領域ＳＲの境界に入射する光の入射角と異なるからである。
一実施例では、第３カラーフィルタ７８は第１平面積を有し、第２カラーフィルタ７６は第１平面積より小さい第２平面積を有し、第１カラーフィルタ７４は第２平面積より小さい第３平面積を有する。
図６に示すように、第１〜第３カラーフィルタ７４、７６、７８上には、各々マイクロレンズ８０が配置される。
一実施例では、マイクロレンズ８０は、第１マイクロレンズ８２、第２マイクロレンズ８４及び第３マイクロレンズ８６を含む。
一実施例では、第１マイクロレンズ８２は、第１フォトダイオード構造物２０及び第１カラーフィルタ７４と対応し、第２マイクロレンズ８４は、第２フォトダイオード構造物３０及び第２カラーフィルタ７６と対応し、第３マイクロレンズ８６は、第３フォトダイオード構造物４０及び第３カラーフィルタ７８と対応する。一実施例では、第３マイクロレンズ８６の平面積は、第３カラーフィルタ７８より小さく形成される。
一実施例では、同一な面積を有する第１〜第３マイクロレンズ８２、８４、８６の下部に、相違する面積で形成された第１〜第３カラーフィルタ７４、７６、７８を形成することで、第１〜第３マイクロレンズ８２、８４、８６及び第１〜第３カラーフィルタ７４、７６、７８を通過した光が該当フォトダイオード構造物に入射するようにして、クロストーク現象を防止することができる。
具体的には、例えば、第２マイクロレンズ８４を通過した光は、第２カラーフィルタ７６に入射する。第２マイクロレンズ８４に入射した白色光が第２カラーフィルタ７６を通過しながら、青色光だけが出力される。第２カラーフィルタ７６を通過した青色光の大部分は、第２フォトダイオード構造物３０に入射するが、青色光の一部は、第２フォトダイオード構造物３０と隣接する第３フォトダイオード構造物４０に入射する。ここで、第３フォトダイオード構造物４０に向かう青色光は、第３カラーフィルタ７８を通過し、青色光は第３カラーフィルタ７８で吸収されるので、第３フォトダイオード構造物４０には青色光が入射できなくなって、クロストークが防止される。
実施形態に係るイメージセンサの平面図である。 図１のＩ−Ｉ’断面図である。 図２に示されたフォトダイオード構造物のうち一つのフォトダイオード構造物を示す平面図である。 実施形態に係るイメージセンサの製造方法を示す工程断面図である。 実施形態に係るイメージセンサの製造方法を示す工程断面図である。 実施形態に係るイメージセンサの製造方法を示す工程断面図である。
符号の説明
２０、３０、４０：第１、第２、第３フォトダイオード構造物
５０：フォトダイオード構造物
６０：絶縁膜構造物
６５：配線構造物
７４、７６、７８：第１、第２、第３カラーフィルタ
７９：入射光
８０：マイクロレンズ
８２、８４、８６：第１、第２、第３マイクロレンズ
ＰＲ：ピクセル領域
ＰＤ：フォトダイオード
ＴＳ：トランジスタ

Claims (12)

  1. マトリックス形態で配置されたピクセル領域を有する第１領域と前記第１領域の周辺に配置された第２領域とを含む半導体基板と、
    前記各ピクセル領域に配置されたフォトダイオードを有するフォトダイオード構造物と、
    前記フォトダイオード構造物上に配置され、前記各ピクセル領域に対応して形成され、光の入射角に対応して相違する面積を有するカラーフィルタと、
    前記カラーフィルタ上に配置されたマイクロレンズと、
    を含むことを特徴とするイメージセンサ。
  2. 前記各カラーフィルタの面積は、前記第１領域の中央部から前記第１及び第２領域の境界に向かうほど増加することを特徴とする請求項１に記載のイメージセンサ。
  3. 前記第１及び第２領域の境界部分に配置されたカラーフィルタの平面積は、前記マイクロレンズの平面積より大きいことを特徴とする請求項１に記載のイメージセンサ。
  4. 前記第１及び第２領域の境界部分に配置されたカラーフィルタの平面積は、前記マイクロレンズの平面積より小さいことを特徴とする請求項２に記載のイメージセンサ。
  5. 前記マイクロレンズの平面積と前記各ピクセル領域の平面積は同一であることを特徴とする請求項１に記載のイメージセンサ。
  6. 前記マイクロレンズの平面積と前記各ピクセル領域の平面積は同一であることを特徴とする請求項４に記載のイメージセンサ。
  7. 前記各ピクセル領域と各マイクロレンズの形状及び大きさは同一であり、前記カラーフィルタの面積は、前記第１及び第２領域の境界から前記第１領域の中央に向かうほど減少することを特徴とする請求項１に記載のイメージセンサ。
  8. マトリックス形態で配置されたピクセル領域を有する第１領域と前記第１領域の周辺に配置された第２領域とを含む半導体基板を準備するステップと、
    前記各ピクセル領域に、フォトダイオードを有するフォトダイオード構造物を形成するステップと、
    前記フォトダイオード構造物上に、前記各ピクセル領域に対応して形成され、光の入射角に対応して相違する面積を有するカラーフィルタを形成するステップと、
    前記カラーフィルタ上に、マイクロレンズを形成するステップと、
    を含むことを特徴とするイメージセンサの製造方法。
  9. 前記カラーフィルタを形成するステップで、前記各カラーフィルタの面積は前記光の入射角と対応することを特徴とする請求項８に記載のイメージセンサの製造方法。
  10. 前記各カラーフィルタの面積は、前記第１領域の中央部から前記第１及び第２領域の境界に向かうほど増加することを特徴とする請求項８に記載のイメージセンサの製造方法。
  11. 前記各カラーフィルタの面積は、前記第１領域の中央部から前記第１及び第２領域の境界に向かうほど増加することを特徴とする請求項９に記載のイメージセンサの製造方法。
  12. 前記第１及び第２領域の境界に配置された前記カラーフィルタの平面積は、前記マイクロレンズの平面積より大きいことを特徴とする請求項８に記載のイメージセンサの製造方法。
JP2007326818A 2006-12-27 2007-12-19 イメージセンサ及びイメージセンサの製造方法 Pending JP2008166769A (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060134766A KR100829378B1 (ko) 2006-12-27 2006-12-27 이미지 센서 및 이의 제조 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2008166769A true JP2008166769A (ja) 2008-07-17

Family

ID=39465979

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007326818A Pending JP2008166769A (ja) 2006-12-27 2007-12-19 イメージセンサ及びイメージセンサの製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7989908B2 (ja)
JP (1) JP2008166769A (ja)
KR (1) KR100829378B1 (ja)
CN (1) CN101211948B (ja)
DE (1) DE102007060260A1 (ja)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5356872B2 (ja) 2009-03-18 2013-12-04 パナソニック株式会社 個体撮像装置の製造方法
JP2010282992A (ja) * 2009-06-02 2010-12-16 Sony Corp 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器
WO2012008209A1 (ja) * 2010-07-12 2012-01-19 富士フイルム株式会社 固体撮像装置
JP6269387B2 (ja) * 2014-08-21 2018-01-31 セイコーエプソン株式会社 表示装置及び電子機器
JP7336206B2 (ja) * 2019-02-27 2023-08-31 キヤノン株式会社 光電変換装置の製造方法
CN110164895B (zh) * 2019-05-31 2021-06-01 Oppo广东移动通信有限公司 互补金属氧化物图像传感器、图像处理方法及存储介质

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000349268A (ja) * 1999-06-02 2000-12-15 Sharp Corp 固体撮像装置およびその製造方法並びにマスク作製方法
JP2006086356A (ja) * 2004-09-16 2006-03-30 Nikon Corp 固体撮像素子
JP2006237361A (ja) * 2005-02-25 2006-09-07 Iwate Toshiba Electronics Co Ltd Ｃｍｏｓイメージセンサ
JP2007147738A (ja) * 2005-11-24 2007-06-14 Fujifilm Corp カラーフィルタ、その製造方法、これを用いた固体撮像素子、およびその製造方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60204170A (ja) * 1984-03-29 1985-10-15 Toshiba Corp 画像読取り装置
JPH1168076A (ja) 1997-08-14 1999-03-09 Sony Corp カラーフィルタアレイの製造方法
KR20010061078A (ko) * 1999-12-28 2001-07-07 박종섭 정확한 컬러이미지 구현을 위한 이미지센서 제조 방법
KR100746462B1 (ko) * 2001-06-30 2007-08-03 매그나칩 반도체 유한회사 칼라 필터 어레이용 단위 화소
JP2003209241A (ja) * 2002-01-15 2003-07-25 Fuji Film Microdevices Co Ltd 固体撮像素子
KR100541028B1 (ko) * 2003-07-21 2006-01-11 주식회사 옵토메카 이미지 센서 및 그 제조 방법
US7126099B2 (en) * 2003-08-26 2006-10-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Image sensor with improved uniformity of effective incident light
CN100449764C (zh) * 2003-11-18 2009-01-07 松下电器产业株式会社 光电探测器
EP1696249A1 (en) * 2003-12-18 2006-08-30 Matsushita Electric Industries Co., Ltd. Collective element and solid-state imaging device
US7205526B2 (en) * 2003-12-22 2007-04-17 Micron Technology, Inc. Methods of fabricating layered lens structures
KR100595901B1 (ko) * 2003-12-27 2006-06-30 동부일렉트로닉스 주식회사 이미지 센서 및 그 제조방법
US7158746B2 (en) * 2004-05-25 2007-01-02 Xerox Corporation Xerographic printer having a semiresistive rotatable brush in the transfer zone
KR20050122746A (ko) * 2004-06-25 2005-12-29 매그나칩 반도체 유한회사 청색광감도를 향상시킬 수 있는 이미지센서
EP1816677A1 (en) * 2004-09-09 2007-08-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Solid-state image pickup element
JP4546797B2 (ja) * 2004-09-24 2010-09-15 パナソニック株式会社 固体撮像装置、その製造方法およびカメラ
JP2009164385A (ja) * 2008-01-08 2009-07-23 Fujifilm Corp 裏面照射型撮像素子

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000349268A (ja) * 1999-06-02 2000-12-15 Sharp Corp 固体撮像装置およびその製造方法並びにマスク作製方法
JP2006086356A (ja) * 2004-09-16 2006-03-30 Nikon Corp 固体撮像素子
JP2006237361A (ja) * 2005-02-25 2006-09-07 Iwate Toshiba Electronics Co Ltd Ｃｍｏｓイメージセンサ
JP2007147738A (ja) * 2005-11-24 2007-06-14 Fujifilm Corp カラーフィルタ、その製造方法、これを用いた固体撮像素子、およびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20080157087A1 (en) 2008-07-03
DE102007060260A1 (de) 2008-07-03
CN101211948A (zh) 2008-07-02
KR100829378B1 (ko) 2008-05-13
US7989908B2 (en) 2011-08-02
CN101211948B (zh) 2012-06-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20200404203A1 (en) Image sensor for compensating for signal difference between pixels
US7656453B2 (en) Solid-state imaging device having characteristic color unit depending on color, manufacturing method thereof and camera
US7736939B2 (en) Method for forming microlenses of different curvatures and fabricating process of solid-state image sensor
US7333267B2 (en) Micro-lenses for CMOS imagers
US20070121212A1 (en) Controlling lens shape in a microlens array
US7358110B2 (en) Image sensor having inner lens
US10566377B2 (en) Self-aligned optical grid on image sensor
JP2012023137A (ja) 固体撮像装置およびその製造方法
US7352511B2 (en) Micro-lenses for imagers
JP2008166769A (ja) イメージセンサ及びイメージセンサの製造方法
US9305965B2 (en) Solid-state imaging apparatus and method of manufacturing the same
JP2006310343A (ja) カラー固体撮像装置
KR100868630B1 (ko) 마이크로 렌즈 형성용 패턴 마스크, 이미지 센서 및 이의제조 방법
US20120261731A1 (en) Image sensor
JP2009170562A (ja) 固体撮像装置及び固体撮像装置の製造方法
JP2006186203A (ja) 固体撮像装置とその製造方法およびカメラ
US20100159696A1 (en) Microlens mask of image sensor and method for forming microlens using the same
JP2008060571A (ja) イメージセンサ及びイメージセンサの製造方法
KR20080113489A (ko) 이미지센서 및 그 제조방법
JP2015138918A (ja) 固体撮像装置、その製造方法及びカメラ
JP5510053B2 (ja) リニアセンサ用カラーフィルタの製造方法
KR100881013B1 (ko) 이미지센서 및 그 제조방법
JP2005353799A (ja) リニアセンサー
KR20060078059A (ko) 이미지센서의 마이크로 렌즈 및 그 형성 방법
KR100672662B1 (ko) 시모스 이미지 센서 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110329

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110331

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20110623

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20110628

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110729

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20110816