JP2008166721A - シリコンウエハ及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】BMDの形態が板状であるシリコンウエハであって、シリコンウエハの表面から深さ50μm以上の位置に存在しているBMDのうち、対角長が10nm以上120nm以下のBMDが1×1011/cm3以上であり、対角長が750nm以上のBMDが1×107/cm3以下であり、且つ、格子間酸素濃度が5×1017atoms/cm3以下である。
【選択図】図1
Description
(8)前記サブストレートの炭素濃度が、2×1015atoms/cm3以上3×1016atoms/cm3以下であることを特徴とする、(3)〜(7)のいずれかの製造方法。
本発明のシリコンウエハは、デバイス製造プロセスにおけるスリップや反りの発生を、共にごく小さく抑制することができることを特徴とするものである。
本発明に係るシリコンウエハは、上に説明した特徴を有する。したがって、かかる特徴を有するシリコンウエハを製造するための方法であれば特に制限はない。具体的には、単結晶育成条件(結晶引上速度、結晶冷却速度、坩堝回転、ガス流など)や熱処理条件(熱処理温度、時間、昇降温など)を適切に制御することで、上の特徴を有するシリコンウエハを作製することができる。
ここで、
D(cm2/秒)=0.17×exp(−2.53÷8.62×10−5÷温度(K))
このように、格子間酸素の拡散長を20μm以上となる熱処理は、5μm以上といった広いDZ層を形成するうえで好ましい。
この場合、アニールウエハのBMD密度が所定の密度(板状の場合は1×1011/cm3、八面体形状の場合は5×1011/cm3)以上にするためには、(B)において昇温速度を0.1〜1℃/分にするのは800℃まででよく、800℃以上の昇温速度はBMD密度に影響を及ぼさない。これは、分割熱処理の場合、(C)においてサブストレートを一度室温に冷却することで、(C)が終わった段階で形成されているBMDがその後の高温熱処理工程(D)においても収縮・消滅しないBMDに変容しているためと考えられる。そのため、連続熱処理の場合と異なり、0.1〜1℃/分の昇温を1000℃まで行う必要はない。さらに、(B)および(C)の工程を経た場合、(D)の工程で1000℃に昇温した段階での格子間酸素濃度は5×1017atoms/cm3以下となり、750nm以上のBMD密度が1×107/cm3以下になる。
単結晶インゴットを種々の条件(ウエハ径、伝導型、酸素、窒素、炭素濃度)で作製し、それぞれの単結晶インゴットの直胴部の同一部位を、ワイヤソーを用いて切り出し、ミラー加工して作成した厚さ725〜750μmの基板をサブストレートとした。得られたサブストレートをバッチ式の縦型熱処理炉内に投入し、同じ炉内で第一熱処理(AおよびB)、第二熱処理(C)をアルゴン雰囲気中にて行った。各熱処理の条件は、1)〜9)に示す通りである。このようにアニールウエハおよびエピタキシャルウエハを作製した。なお、本実施例中、以下の1)〜9)の条件に示す熱処理後のウエハを、「アニールウエハ」とし、また、2)、及び4)のエピタキシャル層が堆積されたウエハを、「エピタキシャルウエハ」とする。また、各熱処理の格子間酸素の拡散長は、第二熱処理の温度パターンに従って上記式(i)を温度および時間について積分することで得た。各実施例及び比較例の熱処理条件は、以下に示す通りである。また、エピタキシャル層堆積は、アニールウエハの表面に気相成長装置でエピタキシャル層を5μm堆積することで行った。
第一熱処理:700℃1時間を行った後、700℃から1000℃の間を1℃/分の昇温速度で昇温、
第二熱処理:1000℃から1100℃の間を5℃/分の昇温速度で昇温し、1100℃で4時間保持
降温工程:1200℃から700℃までを1℃/分〜5℃/分で降温
2)表2
表1の熱処理の後にエピタキシャル層堆積
3)表3
第一熱処理:700℃4時間を行った後、700℃から1000℃の間を1℃/分の昇温速度で昇温
第二熱処理:1000℃から1100℃の間を5℃/分の昇温速度で昇温し、1100℃から1200℃の間を1℃/分の昇温速度で昇温し、1200℃で1時間保持
降温工程:1200℃から700℃までを1℃/分〜5℃/分で降温
4)表4
表3の熱処理の後にエピタキシャル層堆積
5)表5
比較例1:第一熱処理として800℃で4時間を行った後、800℃から1000℃の間を0.1℃/分の昇温速度で昇温、第二熱処理・降温工程は表1の実施例と同じ。
比較例4:第一熱処理として800℃で4時間を行った後、800℃から1000℃の間を1℃/分の昇温速度で昇温、第二熱処理・降温工程は表3の実施例と同じ。
分割熱処理
第一熱処理:700℃1時間を行った後、700℃〜900℃を1℃/分の昇温速度で昇温、900〜700℃を2℃/分で降温、700℃で炉から取出し、室温まで冷却
第二熱処理:700℃で挿入、700〜1100℃の間を5℃/分で昇温、1100℃にて4時間保持
8)表8
分割熱処理
第一熱処理:700℃4時間を行った後、700℃〜800℃を0.5℃/分の昇温速度で昇温、800〜700℃を2℃/分で降温、700℃で炉から取出し、室温まで冷却
第二熱処理:700℃で挿入、700〜1100℃の間を5℃/分で昇温、1000〜1100℃の間を1℃/分で昇降温、1200℃にて1時間保持
9)表9
分割熱処理
比較例7:第一熱処理:700℃1時間を行った後、700℃〜750℃を0.5℃/分の昇温速度で昇温、750〜700℃を2℃/分で降温、700℃で炉から取出し、室温まで冷却
第二熱処理:表7の実施例と同じ
比較例8:
第一熱処理:700℃1時間を行った後、700℃〜800℃を2℃/分の昇温速度で昇温、800〜700℃を2℃/分で降温、700℃で炉から取出し、室温まで冷却
第二熱処理:表7の実施例と同じ
比較例9:
第一熱処理:700℃4時間を行った後、700℃〜750℃を0.5℃/分の昇温速度で昇温、750〜700℃を2℃/分で降温、700℃で炉から取出し、室温まで冷却
第二熱処理:表8の実施例と同じ
比較例10:
第一熱処理:700℃4時間を行った後、700℃〜800℃を2℃/分の昇温速度で昇温、800〜700℃を2℃/分で降温、700℃で炉から取出し、室温まで冷却
第二熱処理:表8の実施例と同じ
また、1000℃の段階でのBMD密度と格子間酸素濃度を調べるため、同条件で作製したサブストレートをバッチ式の縦型熱処理炉内に投入し、連続熱処理の場合は第一熱処理のみを行って、分割熱処理の場合は第二熱処理の1000℃まで昇温を行って、1000℃で炉から引き出したウエハも用意した。
上記作製条件で得られたそれぞれのアニールウエハ及びエピタキシャルウエハについて以下の(1)、(2)、(3)、(5)に関する測定及び評価を行った。また、窒素添加したウエハに関しては、(4)窒素濃度も測定した。また、第一熱処理のみを行ったウエハに関しては、(2)および(3)を行った(結果は、表10〜18に示した)。また、(1)及び(2)の測定に使用するサンプルのうちTEMサンプルは、各ウエハを所定深さ(50μm、100μm、300μm)まで、精密研磨機により削り、ウエハの中心部と、エッジから10mmの二箇所から採取した。OPPは、各ウエハの所定深さ(50μm、100μm、300μm)、所定位置(中心、エッジから10mm)にフォーカスを設定して測定を行った。
板状のBMD対角長(nm)=344×(OPPシグナル)0.52
予め、対角長がわかっているBMDをOPPで測定し、シグナル強度とBMDサイズの校正曲線を作成した。この校正曲線を使って、シグナル強度からBMDの対角長を求めた。なお、対角長を求める際は、ゴーストシグナル除去処理(K. Nakai Review of Scientific Instruments, vol. 69 (1998) pp. 3283)を行った。検出感度は、対角長80nm以上のBMDが測定できる感度に設定した。
アニールウエハ及びエピタキシャルウエハの格子間酸素濃度は赤外吸収法により測定し、換算係数としてJEITA(電子情報技術産業協会)の値を使用した。
アニールウエハ及びエピタキシャルウエハからサンプルを採取し、表面の窒素外方拡散層を除去するために20μmのポリッシュを行った後、SIMSを用いて窒素濃度を測定した。
アニールウエハ及びエピタキシャルウエハに対して、下記(5)−Aを行った後に、(5)−Bを10回繰り返す熱処理(以下、「疑似デバイスプロセス熱処理」とする。)を行った。そして、疑似デバイスプロセス熱処理前、および疑似デバイスプロセス熱処理後のアニールウエハ及びエピタキシャルウエハの反りをNIDEK社製FT−90Aで測定した。また、疑似デバイスプロセス熱処理後のアニールウエハをX線トポグラフで観察し、観察されたスリップの長さのうち最大の長さを代表値とした。
(I):780℃3時間
(II):さらに、1000℃8時間
なお、挿入、引出は全て700℃で行い、昇降温レートは全て5℃/分、雰囲気は全てアルゴン下で行った。
挿入 室温
昇温 50℃/分
保持 1100℃1分
降温 30℃/分
引出 室温
雰囲気 アルゴン
表10〜18には、実施例および比較例として、種々の作製条件により作製されたアニールウエハおよびエピタキシャルウエハについて、測定された所定対角長のBMDの密度および格子間酸素濃度と、疑似デバイスプロセス熱処理により発生したスリップと反り量をまとめた。
Claims (8)
- BMDの形態が板状であるシリコンウエハであって、
該シリコンウエハの表面から深さ50μm以上の位置に存在しているBMDのうち、
対角長が10nm以上120nm以下のBMDが1×1011/cm3以上であり、
対角長が750nm以上のBMDが1×107/cm3以下であり、
且つ、格子間酸素濃度が5×1017atoms/cm3以下であることを特徴とするシリコンウエハ。 - 板状、および八面体形状のBMDが混在しているシリコンウエハであって、
該シリコンウエハの表面から深さ50μm以上の位置に存在しているBMDのうち、
形態が八面体で対角長が10nm以上50nm以下であるBMDが5×1011/cm3以上であり、
形態が板状で対角長が750nm以上であるBMDが1×107/cm3以下であり、
且つ、格子間酸素濃度が5×1017atoms/cm3以下であることを特徴とするシリコンウエハ。 - 請求項1記載のシリコンウエハの製造方法であって、
サブストレートに、
(A)600℃以上750℃以下の温度範囲、10分以上10時間以下の所要時間で熱処理を行う低温熱処理工程と
(B)さらに、1000℃までの昇温処理を、0.1℃/分以上1℃/分以下の昇温速度、5時間以上50時間以下の所要時間で行う昇温工程と、
(C)さらに、1000℃以上1250℃以下の温度範囲で、かつ、格子間酸素の拡散長が20μm以上30μm未満となるように熱処理を行う高温熱処理工程と、
を含む熱処理を行うことを特徴とする、製造方法。 - 請求項1記載のシリコンウエハの製造方法であって、
サブストレートに、
(A)600℃以上750℃以下の温度範囲、10分以上10時間以下の所要時間で熱処理を行う低温熱処理工程と、
(B)さらに800℃までの昇温処理を、0.1℃/分以上1℃/分以下の昇温速度、1時間以上20時間以下の所要時間で行う昇温工程と、
(C)昇温工程の後、1℃/分以上10℃/分以下の降温速度で炉の温度を下げ、当該炉の温度が600℃以上800℃以下のときにサブストレートを炉外に取り出してサブストレートを室温まで冷却する降温・取出工程と、
(D)降温・取出工程の後、炉の温度を600℃以上800℃以下にして当該炉内にサブストレートを挿入して、当該炉の温度を1000℃まで1℃/分以上10℃/分以下の昇温速度で昇温させた後、1000℃以上1250℃以下の温度範囲で、かつ、格子間酸素の拡散長が20μm以上30μm未満となるように熱処理を行う高温熱処理工程と、
を含む熱処理を行うことを特徴とする、製造方法。 - 請求項2記載のシリコンウエハの製造方法であって、
サブストレートに、
(A)600℃以上750℃以下の温度範囲、30分以上10時間以下の所要時間で熱処理を行う低温熱処理工程と
(B)さらに、1000℃までの昇温処理を、0.1℃/分以上1℃/分以下の昇温速度、5時間以上50時間以下の所要時間で行う昇温工程と、
(C)さらに、1000℃以上1250℃以下の温度範囲で、かつ、格子間酸素の拡散長が30μm以上50μm以下となるように熱処理を行う高温熱処理工程と、
を含む熱処理を行うことを特徴とする、製造方法。 - 請求項2記載のシリコンウエハの製造方法であって、
サブストレートに、
(A)600℃以上750℃以下の温度範囲、30分以上10時間以下の所要時間で熱処理を行う低温熱処理工程と、
(B)さらに800℃までの昇温処理を、0.1℃/分以上1℃/分以下の昇温速度、1時間以上20時間以下の所要時間で行う昇温工程と、
(C)昇温工程の後、1℃/分以上10℃/分以下の降温速度で炉の温度を下げ、当該炉の温度が600℃以上800℃以下のときにサブストレートを炉外に取り出してサブストレートを室温まで冷却する降温・取出工程と、
(D)降温・取出工程の後、炉の温度を600℃以上800℃以下にして当該炉内にサブストレートを挿入して、当該炉の温度を1000℃まで1℃/分以上10℃/分以下の昇温速度で昇温させた後、1000℃以上1250℃以下の温度範囲で、かつ、格子間酸素の拡散長が30μm以上50μm以下となるように熱処理を行う高温熱処理工程と、
を含む熱処理を行うことを特徴とする、製造方法。 - 前記サブストレートの窒素濃度が、5×1014atoms/cm3以上1×1016atoms/cm3以下であることを特徴とする請求項3〜6のいずれか一項に記載のシリコンウエハの製造方法。
- 前記サブストレートの炭素濃度が、2×1015atoms/cm3以上3×1016atoms/cm3以下であることを特徴とする請求項3〜7のいずれか一項に記載のシリコンウエハの製造方法。
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