JP2008166361A - 半導体素子及び固体撮像装置並びに撮像装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】MOSトランジスタ28のソース領域32を第1高濃度拡散層32aと第1低濃度拡散層32bとを有するLDD構造とするとともに、ドレイン領域33を第2低濃度拡散層33bと第2高濃度拡散層33aとを有するLDD構造とし、第2低濃度拡散層33bの面積を第1低濃度拡散層32bの面積より大きくして第2高濃度拡散層33aのゲート電極35からの距離を第1高濃度拡散層32aのゲート電極35からの距離より大きくした。
【選択図】図3
Description
このようなCCD型の固体撮像素子は、各単位画素に入射した光をフォトダイオードにより光電変換して信号電荷を生成し、この信号電荷を垂直CCD転送レジスタ及び水平CCD転送レジスタを介して出力部に設けたフローティングディフュージョン(FD)部に転送し、このFD部の電位変動をMOSトランジスタにより検出して、これを信号電圧に変換し増幅することにより、撮像信号として出力するように構成されている(特許文献1参照)。
一方、増幅型の固体撮像素子は、各単位画素内にフォトダイオード及びFD部や転送、増幅等の各種MOSトランジスタを設け、各単位画素に入射した光をフォトダイオードにより光電変換して信号電荷を生成し、この信号電荷を転送トランジスタによりFD部に転送し、このFD部の電位変動を増幅トランジスタにより検出して、これを信号電圧に変換し増幅することにより、各画素の信号を画素毎に信号線から撮像信号として出力するように構成されている(特許文献2参照)。
図18はCCD型固体撮像素子を構成するCCD転送レジスタ部、FD部及びFDアンプ部分の概略平面図であり、図19(A),(B)は図17におけるA−A線及びB−B線に沿う部分の断面図である。
この図18及び図19において、1は固体撮像素子のCCD転送レジスタ部、2はFD部、3はFD部2の電荷量を電圧値に変換して出力するFDアンプを構成する第1のMOSトランジスタである。
FD部2は、図19に示すように、P型半導体基板4に形成したN+拡散領域2aと、このN+拡散領域2aの上面に形成した多結晶シリコンからなる電極2bとを有する。また、第1のMOSトランジスタ3は、P型半導体基板4に所定の間隔をおいて形成したソース用のN+拡散領域3a及びドレイン用のN+拡散領域3bと、このN+拡散領域3aと3bとの間に位置するP型半導体基板4上に絶縁層を介して設けられた、多結晶シリコンからなるゲート電極3cとを有している。
一方、CCD型の固体撮像素子には光ショット・ノイズが存在する。この光ショット・ノイズを考えた場合、光ショット・ノイズは、FD部では電子数に対して平方根に比例するが、出力回路ではそのゲインに比例する。このため、変換効率を2として、出力回路のゲイン2とした場合、出力は2×2=4となるが、光ショット・ノイズは√2×2=2.4となる。仮に変換効率が1の場合、同じ出力を得るために、ゲインを4としなければならない。この際、ノイズは√1×4=4となってしまう。このため、ノイズを考えた場合、出来るだけ変換効率を上げて出力回路のゲインを下げることが有効である。
ここで、変換効率は、Q/C=V(Q:FD部にたまる電荷量、C:FD部から見える容量、V:電圧)という式できまる。このため、変換効率を上げるには、このFD部から見える容量を下げればよい。
FD部2のウエル間容量C1とFD部2の電極側面との容量C2は、FD部2の面積を減らすことによって小さくすることができる。しかしながら、FD部2の面積を小さくすると、ここで扱える電子数も減ってしまうため、画素で扱う電子数とのバランスを考える必要で起こり、簡単に変更することはできない。また、MOSトランジスタ3のゲート電極3cの側面とソース/ドレイン用のN+領域との間の容量C4,C5は、MOSトランジスタ3のサイズ(ゲート面積)とゲート酸化膜の厚さによって決まっており、MOSトランジスタ3のゲイン特性などの諸特性にも大きく影響するため、簡単に対応できない。
また、MOSトランジスタのゲート電極の側面とソース/ドレイン用のN+領域との間の容量C4,C5は、ゲート電極側面の面積と、このゲート電極側面からMOSトランジスタ3のソース/ドレイン用N+領域までの距離で決まってくる。
したがって、上記のようなMOSトランジスタからなる出力回路を用いた固体撮像装置では、FDの容量を低く抑えることができず、FDの変換効率を上げることができないという問題があった。
この図20において、4はN型のシリコン基板、5はシリコン基板4上に形成されたP型ウエルであり、このP型ウエル5の上層にはN型拡散領域6が設けられており、このN拡散領域6とP型ウエル5はフォトダイオードPDを構成する。また、P型ウエル5の上層には垂直CCDレジスタを構成するN型拡散領域7が形成され、さらに、このN型拡散領域6とN型拡散領域7との間には読み出しゲートを構成する領域8が設けられている。
また、N型拡散領域7と読み出しゲート領域8の上には絶縁膜9を介してゲート電極10が設けられており、さらに、このゲート電極10の上には、その上面及び側面を取り囲むように絶縁膜11を介して遮光膜12が設けられている。また、フォトダイオードPDの上面と対応する箇所には、入射光が導入される開口13が形成されている。
以下、本発明にかかる半導体素子及びこれを用いてなる固体撮像装置の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、本発明にかかる半導体素子及びこれを用いた固体撮像装置は、以下に説明する実施の形態に限定されるものではない。
図1は本発明によるCCD型固体撮像装置の一例を示す構成図である。
この図1において、CCD型の固体撮像装置20は、入射光を画素単位で信号電荷に変換して蓄積する二次元配列された複数の光電変換素子(フォトダイオード:PD)21と、これら光電変換素子21の垂直列毎に配され、かつ読み出しゲート22を介して読み出された信号電荷を垂直方向に転送する複数の垂直CCDレジスタ23と、この複数の垂直CCDレジスタ23から転送された1走査線分の信号電荷を水平方向に転送する水平CCDレジスタ24と、この水平CCDレジスタ24の出力端に接続され、水平CCDレジスタ24よって転送されてきた信号電荷を電気信号に変換して出力する出力回路(ソースフォロワ回路)25とから構成されている。
この図2及び図3において、24は水平CCDレジスタであり、この水平CCDレジスタ24の出力端にはFD部26が設けられ、このFD部26とMOSトランジスタ(特許請求の範囲に記載した絶縁ゲートトランジスタに相当する)28との間はアルミ等の金属配線27により接続されている。
FD部26は、図3(B)に示すように、P型(第1導電型)のシリコンからなる半導体基板29に形成したN+拡散領域から構成され、このN+拡散領域の上面には多結晶シリコンからなる電極30が形成されている。
前記ソース領域32は、図3(A)に示すように、ゲート電極35から離間して形成された不純物濃度の高い第1高濃度拡散層32aと、ゲート電極35に隣接して形成された、第1高濃度拡散層32aより不純物濃度の低い第1低濃度拡散層32bとから構成されている。また、前記ドレイン領域33は、図3(A)に示すように、ゲート電極35に隣接して形成された不純物濃度の低い第2低濃度拡散層33aと、この第2低濃度拡散層に隣接しかつゲート電極35から離間した箇所に形成された、第2低濃度拡散層33bより不純物濃度の高い第2高濃度拡散層33aとから構成されている。
したがって、上記のようなMOSトランジスタ28からなる出力回路を用いた固体撮像装置では、ゲート電極に起因する容量成分を簡便に低減することができるとともに、信号電荷の変換効率を向上することができる。
なお、第1の実施の形態におけるFD部26の容量は、図3(A)に示すように、FD部26でのウエル間容量C1と、FD部26の電極2b側面との容量C2と、MOSトランジスタ28のゲート電極35とウエル間容量C3、ゲート電極35の側面とソース/ドレイン用のN+領域との間の容量C6,C7との合計で表される。
まず、図4(a)に示すように、N+拡散層からなるFD部26を形成したP型の半導体基板29の上面にゲート絶縁膜41を形成し、このゲート絶縁膜41の上面に多結晶シリコン膜42を形成する。
次に、図4(b)に示すように、FD部26及びMOSトランジスタのゲートと対向する多結晶シリコン膜42の上面にフォトリゾグラフィにより電極用のレジストパターン43を形成する。次いで、図4(c)に示すように、レジストパターン43をマスクにして多結晶シリコン膜42をエッチングすることにより、FD部26用の電極30及びMOSトランジスタ用のゲート電極35を形成する。次に、図4(c)に示すレジストパターン43を除去した後、図4(d)に示すように、フォトリゾグラフィにより、ゲート電極35を含むMOSトランジスタの形成領域を除いた、電極30を含むゲート絶縁膜41の上面全域をフォトレジスト膜44により覆ってパターニングする。
次に、図5(d)に示すように、酸化膜46を含むソース領域32の上面領域と、ゲート電極35から離れたドレイン領域33の一部分を除いた他の全領域をフォトレジスト膜47により覆ってパターニングする。その後、フォトレジスト膜47をマスクにして、ゲート絶縁膜41の下のソース領域32とドレイン領域33に砒素などの高濃度不純物をイオン注入する。これにより、図6(a)に示すように、ソース領域32に第1高濃度拡散層32aと第1低濃度拡散層32bが形成され、また、ドレイン領域33に第2低濃度拡散層33bと第2高濃度拡散層33aが形成される。その後、図6(b)に示すように、図6(a)に示すフォトレジスト膜47を除去することにより、半導体基板29にFD部26及びMOSトランジスタ28を形成することができる。
本発明にかかる固体撮像装置の第2の実施の形態について図7を参照して説明する。
図7は第2の実施の形態における水平CCDレジスタの出力端に位置するFD部及びこれに接続されたMOSトランジスタの断面図である。
この図7に示す固体撮像装置は、FD部51と、このFD部51に図示省略の水平CCDレジスタから転送されてきた信号電荷を電気信号に変換する増幅用のMOSトランジスタ(特許請求の範囲に記載した絶縁ゲートトランジスタに相当する)52を備え、FD部51とMOSトランジスタ52との間はアルミ等の金属配線50により接続されている。
FD部51は、図7に示すように、P型(第1導電型)のシリコンからなる半導体基板53に形成したN+拡散領域から構成され、このN+拡散領域の上面には多結晶シリコンからなる電極54が形成されている。
また、前記ゲート電極59は、ソース用拡散層56とドレイン用拡散層57とが左右に並べられた方向において、ソース用拡散層56側に位置する端面59aと、ドレイン用拡散層57側に位置する端面59bとを有し、ソース用拡散層56側に位置する端面59aの表面積を、ゲート電極59とソース用拡散層56との間のゲート−ソース間容量C8を減少させる大きさで形成し、さらに、ドレイン用拡散層57側に位置する端面59bの表面積を、ゲート電極59とドレイン用拡散層57との間のゲート−ドレイン間容量C9を減少させる大きさで形成する。
したがって、上記のようなMOSトランジスタ52からなる出力回路を用いた固体撮像装置では、ゲート電極に起因する容量成分を簡便に低減することができるとともに、信号電荷の変換効率を向上することができる。
なお、第2の実施の形態におけるFD部51の容量は、図7に示すように、FD部51でのウエル間容量C1と、FD部51の電極54側面との容量C2と、MOSトランジスタ52のゲート電極59とウエル間容量C3、ゲート電極59の側面とソース/ドレイン用のN+領域との間の容量C8,C9との合計で表される。
まず、図8(a)に示すように、N+拡散層からなるFD部51及びN+型のソース用拡散層56とドレイン用拡散層57を形成したP型の半導体基板53の上面にゲート絶縁膜61を形成し、このゲート絶縁膜61の上面に多結晶シリコン膜62を形成する。
次に、図8(b)に示すように、FD部51及びMOSトランジスタのゲートと対向する多結晶シリコン膜62の上面にフォトリゾグラフィにより電極用のレジストパターン63を形成する。次いで、図8(c)に示すように、レジストパターン63をマスクにして多結晶シリコン膜62をエッチングすることにより、FD部51用の電極64及びMOSトランジスタ用のゲート電極59を形成する。
これにより、ソース用拡散層56側に位置する端面59aの表面積を、ゲート電極59とソース用拡散層56との間のゲート−ソース間容量を減少させる大きさで形成でき、また、ドレイン用拡散層57側に位置する端面59bの表面積を、ゲート電極59とドレイン用拡散層57との間のゲート−ドレイン間容量を減少させる大きさで形成できる。そして、図9(c)に示すように、図9(b)に示すフォトレジスト膜67を除去することにより、半導体基板53にFD部51及びMOSトランジスタ52を形成することができる。
本発明にかかる固体撮像装置の第3の実施の形態について図10を参照して説明する。
図10は第3の実施の形態における水平CCDレジスタの出力端に位置するFD部及びこれに接続されたMOSトランジスタの断面図である。
この図10に示す固体撮像装置は、FD部71と、このFD部71に図示省略の水平CCDレジスタから転送されてきた信号電荷を電気信号に変換する増幅用のMOSトランジスタ(特許請求の範囲に記載した絶縁ゲートトランジスタに相当する)72を備え、FD部71とMOSトランジスタ72との間はアルミ等の金属配線70により接続されている。
FD部71は、図10に示すように、P型(第1導電型)のシリコンからなる半導体基板73に形成したN+拡散領域から構成され、このN+拡散領域の上面には多結晶シリコンからなる電極74が形成されている。
また、前記ゲート電極79は、ソース用拡散層76とドレイン用拡散層77とが左右に並べられた方向において、ソース用拡散層76側に位置する端面79aと、ドレイン用拡散層77側に位置する端面79bとを有し、ソース用拡散層76側に位置する端面79aを2段階の段構造にして、その表面積を、ゲート電極79とソース用拡散層76との間のゲート−ソース間容量C10を減少させる大きさで形成し、さらに、ドレイン用拡散層77側に位置する端面79bを2段階の段構造にして、その表面積を、ゲート電極79とドレイン用拡散層77との間のゲート−ドレイン間容量C11を減少させる大きさで形成する。
したがって、上記のようなMOSトランジスタ72からなる出力回路を用いた固体撮像装置では、ゲート電極に起因する容量成分を簡便に低減することができるとともに、信号電荷の変換効率を向上することができる。
なお、第3の実施の形態におけるFD部71の容量は、図10に示すように、FD部71でのウエル間容量C1と、FD部71の電極74側面との容量C2と、MOSトランジスタ72のゲート電極79とウエル間容量C3、ゲート電極79の側面とソース/ドレイン用のN+領域との間の容量C10,C11との合計で表される。
まず、図11(a)に示すように、N+拡散層からなるFD部71及びN+型のソース用拡散層76とドレイン用拡散層77を形成したP型の半導体基板73の上面にゲート絶縁膜81を形成し、このゲート絶縁膜81の上面に多結晶シリコン膜82を形成する。
次に、図11(b)に示すように、FD部71及びMOSトランジスタのゲートと対向する多結晶シリコン膜82の上面にフォトリゾグラフィにより電極用の第1レジストパターン83を形成する。
次いで、図12(a)に示すように、第1レジストパターン83をマスクにして多結晶シリコン膜82を、全体の厚さの約1/2程度の厚さになるまでエッチングする。次に、図12(a)に示すレジストパターン83を除去した後のFD部71に対向する凸状部82aの上面にフォトリゾグラフィにより電極用の第2レジストパターン84aを形成するとともに、MOSトランジスタのゲートと対向する凸状部82bの上面にフォトリゾグラフィにより、凸状部82bより面積の小さい電極用の第2レジストパターン84bを形成する。
これにより、ソース用拡散層76側に位置する端面79aの表面積を、ゲート電極79とソース用拡散層76との間のゲート−ソース間容量を減少させる大きさにでき、また、ドレイン用拡散層77側に位置する端面79bの表面積を、ゲート電極79とドレイン用拡散層77との間のゲート−ドレイン間容量を減少させる大きさにできる。
本発明にかかる固体撮像装置の第4の実施の形態について図13及び図14を参照して説明する。
図13は、第4の実施の形態における固体撮像装置の水平CCDレジスタと、その出力端に接続されたMOSトランジスタの平面図であり、図14(A),(B)は図13のA−A線及びB−B線に沿う断面図である。
この図13及び図14において、91は水平CCDレジスタであり、この水平CCDレジスタ91の出力端にはFD部92が設けられ、このFD部92とMOSトランジスタ(特許請求の範囲に記載した絶縁ゲートトランジスタに相当する)93との間はアルミ等の金属配線94により接続されている。
FD部92は、図14(B)に示すように、P型(第1導電型)のシリコンからなる半導体基板95に形成したN+拡散領域から構成され、このN+拡散領域の上面には多結晶シリコンからなる電極96が形成されている。
また、ゲート電極100のゲートチャネル領域96の延在方向と直交する面で切った断面は、ゲートチャネル領域96に臨む第1の面100aと、この第1の面100aと反対に位置する第2の面100bとを含んで構成され、第2の面100aは、ゲートチャネル領域96から離れる方向に凸状の湾曲面で形成されている。
したがって、上記のようなMOSトランジスタ93からなる出力回路を用いた固体撮像装置では、ゲート電極に起因する容量成分を簡便に低減することができるとともに、信号電荷の変換効率を向上することができる。また、ゲート電極100の第2の面100bの凸状湾曲面の曲率を調整することで、変換効率値を調整することも可能である。
なお、第4の実施の形態におけるFD部92の容量は、図14に示すように、FD部92でのウエル間容量C1と、FD部92の電極96側面との容量C2と、MOSトランジスタ93のゲート電極100とウエル間容量C3、ゲート電極100の側面とソース/ドレイン用のN+領域との間の容量C12,C13との合計で表される。
本発明にかかる固体撮像装置の第5の実施の形態について図15を参照して説明する。
図15はCCD転送タイプの固体撮像装置を構成する垂直CCDレジスタ及びフォトダイオード部分の断面構造を示している。
この図15において、121はN型のシリコン基板、122はシリコン基板121上に形成されたP型ウエルであり、このP型ウエル122の上層にはN型拡散領域123が設けられており、このN拡散領域123とP型ウエル122はフォトダイオードPDを構成する。また、P型ウエル122の上層には垂直CCDレジスタを構成するN型拡散領域124が形成され、さらに、このN型拡散領域124とN型拡散領域123との間には読み出しゲートを構成する領域125が設けられている。
また、ゲート電極127の上には、その湾曲状上面及び側面を取り囲むように絶縁膜128を介して遮光膜129が設けられている。この遮光膜129はゲート電極127の第2の面127bと相似なアーチ形状を呈している。また、フォトダイオードPDの上面と対応する箇所には、入射光が導入される開口130が形成されている。
本発明にかかる固体撮像装置の第6の実施の形態について図16を参照して説明する。
図16は、本発明にかかる固体撮像装置のゲート電極の他の例を示す説明用断面図である。
図16において、131はN型のシリコン基板、132はシリコン基板131上に形成された絶縁膜であり、この絶縁膜132の上面には複数のゲート電極133が所定の間隔をおいて設けられ、これらゲート電極133は絶縁膜134により覆われている。
また、ゲート電極133の図16の左右方向と直交する面で切った断面は、絶縁膜132に臨む第1の面133aと、この第1の面133aと反対に位置する第2の面133bとを含んで構成され、第2の面133bは、絶縁膜132から離れる方向に凸状の湾曲面で形成されている。
また、エッチバックプロセスを用いてゲート電極の凸状湾曲面を形成する手順としては、シリコン基板上に形成したゲート酸化膜上に電極となる材料を形成し、続いてエッチバック用にレジストを塗布し、かつ露光を行い、その後エッチングを行うことで、図16に示すような所望の凸状湾曲面を形成することができる。
また、CCDイメージセンサにおいて、フローティングディフュージョン部のメタルと、水平CCDレジスタ、垂直CCDレジスタ上のゲート電極のメタルを同一の工程にて作成すれば、上述のフローティングディフュージョン部に関する効果、水平CCDレジスタ、垂直CCDレジスタに関する効果を、工程数を増やすことなく実現することができ、コストの面でも有利となる。
また、上記実施の形態では、主に水平CCDレジスタや垂直CCDレジスタを有するCCD転送タイプの固体撮像装置について説明したが、本発明はこれに限定されず、CMOS型の固体撮像装置にも適用できることは勿論である。
次に、上記第1〜第5の実施の形態に示した固体撮像装置を動画撮影可能なビデオカメラや携帯電話に内蔵されるカメラ等の撮像装置に適用した場合の例について図17を参照して説明する。
図17において、撮像装置200は、固体撮像装置201と、この固体撮像装置201に被写体からの撮像光を導く光学系202と、固体撮像装置201からの出力信号を処理する信号処理回路203と、固体撮像装置201を駆動する駆動回路204などを備える構成になっている。
この撮像装置200において、固体撮像装置201には、前記第1〜第5の実施の形態にかかる固体撮像装置が使用される。
Claims (11)
- 第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板上にゲートチャネル領域を挟んで形成された第2導電型のソース領域と第2導電型のドレイン領域と、
前記ゲートチャネル領域の上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極とを有し、
前記ソース領域は、前記ゲート電極から離間して形成された不純物濃度の高い第1高濃度拡散層と、前記ゲート電極に隣接して形成された前記第1高濃度拡散層より不純物濃度の低い第1低濃度拡散層とから構成され、
前記ドレイン領域は、前記ゲート電極に隣接して形成された不純物濃度の低い第2低濃度拡散層と、前記第2低濃度拡散層に隣接しかつ前記ゲート電極から離間した箇所に形成された前記第2低濃度拡散層より不純物濃度の高い第2高濃度拡散層とから構成され、
前記第2低濃度拡散層の面積を前記第1低濃度拡散層の面積より大きくして前記第2高濃度拡散層の前記ゲート電極からの距離を前記第1高濃度拡散層の前記ゲート電極からの距離より大きくした、
ことを特徴とする半導体素子。 - 第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板上にゲートチャネル領域を挟んで形成された第2導電型のソース用拡散層と第2導電型のドレイン用拡散層と、
前記ゲートチャネル領域の上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極とを有し、
前記ゲート電極は、前記ソース用拡散層と前記ドレイン用拡散層とが並べられた方向において前記ソース用拡散層側に位置する端面と、前記ドレイン用拡散層側に位置する端面とを有し、
前記ソース用拡散層側に位置する端面の表面積を、前記ゲート電極と前記ソース用拡散層との間のゲート−ソース間容量を減少させる大きさで形成し、
さらに、前記ドレイン用拡散層側に位置する端面の表面積を、前記ゲート電極と前記ドレイン用拡散層との間のゲート−ドレイン間容量を減少させる大きさで形成した、
ことを特徴とする半導体素子。 - 第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板上に延在するゲートチャネル領域を挟んで形成されたソース用拡散層と第2導電型のドレイン用拡散層と、
前記ゲートチャネル領域の上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極とを有し、
前記ゲート電極の前記ゲートチャネル領域の延在方向と直交する面で切った断面は、前記ゲートチャネル領域に臨む第1の面と、前記第1の面と反対に位置する第2の面とを含んで構成され、
前記第2の面は、前記ゲートチャネル領域から離れる方向に凸状の湾曲面で形成されている、
ことを特徴とする半導体素子。 - 第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板に形成された、入射光を信号電荷に変換して蓄える光電変換素子及び前記光電変換素子に蓄えられた信号電荷を電気信号に変換して出力する出力回路を有する単位画素を備え、
前記出力回路は、前記電気信号を出力する前に前記電気信号を増幅する絶縁ゲートトランジスタを有し、
前記絶縁ゲートトランジスタは、
前記半導体基板上にゲートチャネル領域を挟んで形成された第2導電型のソース領域と第2導電型のドレイン領域と、
前記ゲートチャネル領域の上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極とを有し、
前記ソース領域は、前記ゲート電極から離間して形成された不純物濃度の高い第1高濃度拡散層と、前記ゲート電極に隣接して形成された前記第1高濃度拡散層より不純物濃度の低い第1低濃度拡散層とから構成され、
前記ドレイン領域は、前記ゲート電極に隣接して形成された不純物濃度の低い第2低濃度拡散層と、前記第2低濃度拡散層に隣接しかつ前記ゲート電極から離間した箇所に形成された前記第2低濃度拡散層より不純物濃度の高い第2高濃度拡散層とから構成され、
前記第2低濃度拡散層の面積を前記第1低濃度拡散層の面積より大きくして前記第2高濃度拡散層の前記ゲート電極からの距離を前記第1高濃度拡散層の前記ゲート電極からの距離より大きくした、
ことを特徴とする固定撮像装置。 - 第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板に形成された、入射光を信号電荷に変換して蓄える光電変換素子及び前記光電変換素子に蓄えられた信号電荷を電気信号に変換して出力する出力回路を有する単位画素を備え、
前記出力回路は、前記電気信号を出力する前に前記電気信号を増幅する絶縁ゲートトランジスタを有し、
前記絶縁ゲートトランジスタは、
前記半導体基板上にゲートチャネル領域を挟んで形成された第2導電型のソース用拡散層と第2導電型のドレイン用拡散層と、
前記ゲートチャネル領域の上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極とを有し、
前記ゲート電極は、前記ソース用拡散層と前記ドレイン用拡散層とが並べられた方向において前記ソース用拡散層側に位置する端面と、前記ドレイン用拡散層側に位置する端面とを有し、
前記ソース用拡散層側に位置する端面の表面積を、前記ゲート電極と前記ソース用拡散層との間のゲート−ソース間容量を減少させる大きさで形成し、
さらに、前記ドレイン用拡散層側に位置する端面の表面積を、前記ゲート電極と前記ドレイン用拡散層との間のゲート−ドレイン間容量を減少させる大きさで形成した、
ことを特徴とする固定撮像装置。 - 半導体基板と、
前記半導体基板に形成された、入射光を信号電荷に変換して蓄える光電変換素子及び前記光電変換素子に蓄えられた信号電荷を電気信号に変換して出力する出力回路を有する単位画素を備え、
前記出力回路は、前記電気信号を出力する前に前記電気信号を増幅する絶縁ゲートトランジスタを有し、
前記絶縁ゲートトランジスタは、
前記半導体基板上に延在するゲートチャネル領域を挟んで形成されたソース用拡散層と第2導電型のドレイン用拡散層と、
前記ゲートチャネル領域の上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極とを有し、
前記ゲート電極の前記ゲートチャネル領域の延在方向と直交する面で切った断面は、前記ゲートチャネル領域に臨む第1の面と、前記第1の面と反対に位置する第2の面とを含んで構成され、
前記第2の面は、前記ゲートチャネル領域から離れる方向に凸状の湾曲面で形成されている、
ことを特徴とする固定撮像装置。 - 半導体基板と、
前記半導体基板に形成された、入射光を信号電荷に変換して蓄える複数の光電変換素子と前記光電変換素子に蓄えられた信号電荷を転送する電荷転送部及び前記電荷転送部から転送されてきた信号電荷を電気信号に変換して出力する出力部を備え、
前記電荷転送部は、前記半導体基板に形成された転送レジスタ領域に配列された複数の転送用ゲート電極を有し、
前記転送用ゲート電極の前記転送レジスタ領域の延在方向と直交する面で切った断面は、前記ゲートチャネル領域に臨む第1の面と、前記第1の面と反対に位置する第2の面とを含んで構成され、
前記第2の面は、前記ゲートチャネル領域から離れる方向に凸状の湾曲面で形成されている、
ことを特徴とする固定撮像装置。 - 固体撮像装置と、
前記固体撮像装置に被写体像を導く光学系と、
前記固体撮像装置からの出力信号を処理する信号処理回路とを備え、
前記固体撮像装置は、
第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板に形成された、入射光を信号電荷に変換して蓄える光電変換素子及び前記光電変換素子に蓄えられた信号電荷を電気信号に変換して出力する出力回路を有する単位画素を備え、
前記出力回路は、前記電気信号を出力する前に前記電気信号を増幅する絶縁ゲートトランジスタを有し、
前記絶縁ゲートトランジスタは、
前記半導体基板上にゲートチャネル領域を挟んで形成された第2導電型のソース領域と第2導電型のドレイン領域と、
前記ゲートチャネル領域の上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極とを有し、
前記ソース領域は、前記ゲート電極から離間して形成された不純物濃度の高い第1高濃度拡散層と、前記ゲート電極に隣接して形成された前記第1高濃度拡散層より不純物濃度の低い第1低濃度拡散層とから構成され、
前記ドレイン領域は、前記ゲート電極に隣接して形成された不純物濃度の低い第2低濃度拡散層と、前記第2低濃度拡散層に隣接しかつ前記ゲート電極から離間した箇所に形成された前記第2低濃度拡散層より不純物濃度の高い第2高濃度拡散層とから構成され、
前記第2低濃度拡散層の面積を前記第1低濃度拡散層の面積より大きくして前記第2高濃度拡散層の前記ゲート電極からの距離を前記第1高濃度拡散層の前記ゲート電極からの距離より大きくした、
ことを特徴とする撮像装置。 - 固体撮像装置と、
前記固体撮像装置に被写体像を導く光学系と、
前記固体撮像装置からの出力信号を処理する信号処理回路とを備え、
前記固体撮像装置は、
第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板に形成された、入射光を信号電荷に変換して蓄える光電変換素子及び前記光電変換素子に蓄えられた信号電荷を電気信号に変換して出力する出力回路を有する単位画素を備え、
前記出力回路は、前記電気信号を出力する前に前記電気信号を増幅する絶縁ゲートトランジスタを有し、
前記絶縁ゲートトランジスタは、
前記半導体基板上にゲートチャネル領域を挟んで形成された第2導電型のソース用拡散層と第2導電型のドレイン用拡散層と、
前記ゲートチャネル領域の上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極とを有し、
前記ゲート電極は、前記ソース用拡散層と前記ドレイン用拡散層とが並べられた方向において前記ソース用拡散層側に位置する端面と、前記ドレイン用拡散層側に位置する端面とを有し、
前記ソース用拡散層側に位置する端面の表面積を、前記ゲート電極と前記ソース用拡散層との間のゲート−ソース間容量を減少させる大きさで形成し、
さらに、前記ドレイン用拡散層側に位置する端面の表面積を、前記ゲート電極と前記ドレイン用拡散層との間のゲート−ドレイン間容量を減少させる大きさで形成した、
ことを特徴とする撮像装置。 - 固体撮像装置と、
前記固体撮像装置に被写体像を導く光学系と、
前記固体撮像装置からの出力信号を処理する信号処理回路とを備え、
前記固体撮像装置は、
半導体基板と、
前記半導体基板に形成された、入射光を信号電荷に変換して蓄える光電変換素子及び前記光電変換素子に蓄えられた信号電荷を電気信号に変換して出力する出力回路を有する単位画素を備え、
前記出力回路は、前記電気信号を出力する前に前記電気信号を増幅する絶縁ゲートトランジスタを有し、
前記絶縁ゲートトランジスタは、
前記半導体基板上に延在するゲートチャネル領域を挟んで形成されたソース用拡散層と第2導電型のドレイン用拡散層と、
前記ゲートチャネル領域の上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極とを有し、
前記ゲート電極の前記ゲートチャネル領域の延在方向と直交する面で切った断面は、前記ゲートチャネル領域に臨む第1の面と、前記第1の面と反対に位置する第2の面とを含んで構成され、
前記第2の面は、前記ゲートチャネル領域から離れる方向に凸状の湾曲面で形成されている、
ことを特徴とする撮像装置。 - 固体撮像装置と、
前記固体撮像装置に被写体像を導く光学系と、
前記固体撮像装置からの出力信号を処理する信号処理回路とを備え、
前記固体撮像装置は、
半導体基板と、
前記半導体基板に形成された、入射光を信号電荷に変換して蓄える複数の光電変換素子と前記光電変換素子に蓄えられた信号電荷を転送する電荷転送部及び前記電荷転送部から転送されてきた信号電荷を電気信号に変換して出力する出力部を備え、
前記電荷転送部は、前記半導体基板に形成された転送レジスタ領域に配列された複数の転送用ゲート電極を有し、
前記転送用ゲート電極の前記転送レジスタ領域の延在方向と直交する面で切った断面は、前記ゲートチャネル領域に臨む第1の面と、前記第1の面と反対に位置する第2の面とを含んで構成され、
前記第2の面は、前記ゲートチャネル領域から離れる方向に凸状の湾曲面で形成されている、
ことを特徴とする撮像装置。
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
JP2006351861A JP2008166361A (ja) | 2006-12-27 | 2006-12-27 | 半導体素子及び固体撮像装置並びに撮像装置 |
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JP2006351861A JP2008166361A (ja) | 2006-12-27 | 2006-12-27 | 半導体素子及び固体撮像装置並びに撮像装置 |
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Publication Number | Publication Date |
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0541362A (ja) * | 1991-08-06 | 1993-02-19 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH07106553A (ja) * | 1993-10-06 | 1995-04-21 | Nec Corp | 固体撮像素子 |
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JP2006086241A (ja) * | 2004-09-15 | 2006-03-30 | Sony Corp | 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法 |
JP2007027714A (ja) * | 2005-07-13 | 2007-02-01 | Samsung Electronics Co Ltd | イメージセンサ及びその製造方法 |
-
2006
- 2006-12-27 JP JP2006351861A patent/JP2008166361A/ja active Pending
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