JP2008163022A - シンコナアルカロイド触媒不斉マンニッヒ反応 - Google Patents
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Abstract
Description
Marques, M. M. B. Angew. Chem., Int. Ed. 2006, 45, 348 Shibasaki, M.; Matsunaga, S. J. Organomet. Chem. 2006, 691, 2089 Cordova, A. Acc. Chem. Res. 2004, 37, 102 Kobayashi, S.; Ueno, M. In Comprehensive Asymmetric Catalysis Supplement I; Jacobsen, E.N., Pfaltz, A., Yamamoto, H., Eds.; Springer: Berlin, 2003 Chapter 29.5 Sasamoto, N.; Dubs, C.; Hamashima, Y.; Sodeoka, M. J. Am. Chem. Soc. 2006, 128, 14010 Trost, B. M.; Jaratjaroonphong, J.; Reutrakul, V. J. Am. Chem. Soc. 2006, 128, 2778 Ihori, Y.; Yamashita, Y.; Ishitani, H.; Kobayashi, S. J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 15528 Harada, S.; Handa, S.; Matsunaga, S.; Shibasaki, M. Angew. Chem. Int. Ed. 2005, 44, 4365 Hamashima, Y.; Sasamoto, N.; Hotta, D.; Somei, H.; Umebayashi, N.; Sodeoka, M. Angew. Chem. Int. Ed. 2005, 44, 1525 Kobayashi, S.; Ueno, M.; Saito, S.; Mizuki, Y.; Ishitani, H.; Yamashita, Y. Proc. Natl. Acad. Sci. USA 2004, 101, 5476 Akiyama, T.; Itoh, J.; Yokota, K.; Fuchibe, K. Angew. Chem. Int. Ed. 2004, 43, 1566 Josephsohn, N. S.; Snapper, M. L.; Hoveyda, A. H. J. Am. Chem. Soc. 2004, 126, 3734 Marigo, M.; Kjaersgaard, A.; Juhl, K.; Gathergood, N.; Jorgensen, K. A. Chem. Eur. J. 2003, 9, 2359 Natsunnga, S.; Kumagai, N.; Harada, S.; Shibasaki, M. J. Am. Chem. Soc. 2003, 125, 4712 Kobayashi, S.; Matsubara, R.; Nakamura, Y.; Kitagawa, H.; Sugiura, M. J. Am. Chem. Soc. 2003, 125, 2507 Bernardi, L; Gothelf, a. Hazell, R. Jorgensen, K. A. J. Org. Chem, 2003, 68, 2583 Trost, B. Terrell, L. R. J. Am. Chem. Soc. 2003, 125, 338 Kobayashi, S.; Hamada, T.; Manabe, K. J. Am. Chem. Soc. 2002, 124, 5640 Zhang, H. L.; Mifsud, M.; Tanaka, F.; Barbas, III, C. F. J. Am. Chem. Soc. 2006, 128, 9630 Song, J.; Wang, Y.; Deng, L. J. Am. Chem. Soc. 2006, 128, 6048 Tillman, A. L.; Ye, J.; Dixon, D.J. Chem. Commun. 2006, 1191 Ting, A.; Lou, S.; Schaus S. E. Org Lett. 2006, 8, 2003 Mitsumori, S.; Zhang H.; Cheong, P. H.; Houk, K. N.; Tanaka, F.; Barbas, C. F., III. J. Am. Chem. Soc. 2006, 128, 1040 Kano, T.; Yamaguchi, Y.; Tokuda, O.; Maruoka, K. J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 16408 Lou, S.; Taoka, B.M.; Ting, A.; Schaus, S. E. J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 11256 Poulsen T. B.; Alemparte, C.; Saaby, S.; Bella, M.; Jorgensen, K. A. Angew. Chem. Int. Ed. 2005, 44, 2896 Uraguchi, D.; Terada, M. J. Am. Chem. Soc. 2004, 126, 5356 Notz, W.; Tanaka, F.; Barbas III, C. F. Acc. Chem. Res. 2004, 37, 5801 Zhuang, W.; Saaby, S.; Jorgensen, K. A. Angew. Chem. Int. Ed. 2004, 43, 4476 Cordova, A. Chem. Eur. J. 2004, 10, 1987 Notz, W.; Watanabe, S.-I.; Chowdari, N. S.; Zhong, G.; Betancort, J. M.; Tanaka, F.; Barbas, III, C. F. Adv. Synth. Catal. 2004, 346, 1131 Hayashi, Y.; Tsuboi, W.; Ashimine, I.; Urushima, T.; Shoji, M.; Sakai, K. Angew. Chem. Int. Ed. 2003, 42, 3677 Wenzel, A. G.; Lalonde, M. P.; Jacobsen, E. N. Synlett 2003, 1919 Wenzel, A. G.; Jacobsen, E. N. J. Am. Chem. Soc. 2002, 124, 12964 List B.; Pojarliev, P.; Biller, W. T.; Martin, H. J. J. Am. Chem. Soc. 2002, 124, 827 List, B. J. Am. Chem. Soc. 2000, 122, 9336 Okada, A.; Shibuguchi, T.; Ohshima, T.; Masu, H.; Yamaguchi, K.; Shibasaki, M. Angew Chem., Int. Ed. 2005, 44, 4564 Palomo, C.; Oiarbide, M.; Laso, A.; Lopez, R. J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 17622 Fini, F.; Sgarzani, V.; Pettersen, D.; Herrera, R. P.; Bernardi, L.; Ricci, A. Angew. Chem., Int. Ed. 2005, 44, 7975 Petrini, M. Chem. Rev. 2005, 105, 3949
ここで、
Rは、水素、アルキル、アリール、アシル、アルキニル、ヘテロアリール、シクロアルキル、シクロアルケニル、アラルキル、ヘテロアラルキル、ヘテロアルキル、アルコキシカルボニル、アリールオキシカルボニル、アルケニルオキシカルボニル、アラルコキシカルボニル、アラルケニルオキシカルボニル、アルキルアミノカルボニル、アリールアミノカルボニル、アラルキルアミノカルボニル、アミノカルボニル、アルケニルアミノカルボニル、アラルケニルアミノカルボニル、アルキルチオカルボニル、アリールチオカルボニル、アリールオキシチオカルボニル、アルコキシチオカルボニル、 アラルコキシチオカルボニル、アリールアミノチオカルボニル、アラルキルアミノチオカルボニル、アルケニルオキシチオカルボニル、アルケニルアミノチオカルボニル、アミノチオカルボニル、アルキルアミノチオカルボニル、アラルケニルオキシチオカルボニル、アラルケニルアミノチオカルボニル、アルキルスルホニル、アリールスルホニル、アラルキルスルホニル、アルケニルスルホリル、アリールホスホリル、アラルキルホスホリル、アルケニルホスホリル、またはアルキルホスホリルを表す。ある実施の形態では、本発明は、Rがアリールアミノチオカルボニルであることを特徴とする、前記方法に関する。ある実施の形態では、本発明は、Rが3,5−ビス(トリフルオロメチル)フェニルアミノチオカルボニルであることを特徴とする、前記方法に関する。
ここで、
前記キラル非ラセミ触媒は、第3級アミン、ホスフィンまたはアルシンであり、
Rは、水素、アルキル、アリール、ヘテロアリール、シクロアルキル、アラルキル、またはヘテロアラルキルを表し、
R1は、アルキル、アリール、ヘテロアリール、シクロアルキル、アラルキル、またはヘテロアラルキルを表し、
RおよびR1は、全体で3〜10の原子を含む骨格で構成される、随意的に置換された環を形成して差し支えなく、前記環は、随意的に1つまたはそれ以上のヘテロ原子を含んでいてもよく、
R1およびR2は、全体で4〜10の原子を含む骨格で構成される、随意的に置換された環を形成して差し支えなく、前記環は、随意的に、R2が結合している窒素のほかに、1つまたはそれ以上のヘテロ原子を含んでいてもよく、
R2は、N−アシル、N−アルコキシカルボニル、N−アリールオキシカルボニル、N−アルケニルオキシカルボニル、N−アラルコキシカルボニル、N−アラルケニルオキシカルボニル、N−アルキルアミノカルボニル、N−アリールアミノカルボニル、N−アラルキルアミノカルボニル、N−アミノカルボニル、N−アルケニルアミノカルボニル、N−アラルケニルアミノカルボニル、N−アルキルチオカルボニル、N−アリールチオカルボニル、N−アリールオキシチオカルボニル、N−アルコキシチオカルボニル、N−アラルコキシチオカルボニル、N−アリールアミノチオカルボニル、N−アラルキルアミノチオカルボニル、N−アルケニルオキシチオカルボニル、N−アルケニルアミノチオカルボニル、N−アミノチオカルボニル、N−アルキルアミノチオカルボニル、N−アラルケニルオキシチオカルボニル、N−アラルケニルアミノチオカルボニル、N−アルキルスルホニル、N−アリールスルホニル、N−アラルキルスルホニル、N−アルケニルスルホリル、 N−アリールホスホリル、N−アラルキルホスホリル、N−アルケニルホスホリル、またはN−アルキルホスホリルを表し、
NuHは、マロネート、ケトエステル、ニトロアルカン、アリールニトロアルカン、シクロアルキルニトロアルカンまたはヘテロサイクリックニトロアルカンを表し、
塩基は、水素化物、カーボネート、ホスフェート、アルコキシド、アミド、水酸化物、または有機塩基を表す。
ここで、
Rは、水素、アルキル、アリール、アシル、アルキニル、ヘテロアリール、シクロアルキル、シクロアルケニル、アラルキル、ヘテロアラルキル、ヘテロアルキル、アルコキシカルボニル、アリールオキシカルボニル、アルケニルオキシカルボニル、アラルコキシカルボニル、アラルケニルオキシカルボニル、アルキルアミノカルボニル、アリールアミノカルボニル、アラルキルアミノカルボニル、アミノカルボニル、アルケニルアミノカルボニル、アラルケニルアミノカルボニル、アルキルチオカルボニル、アリールチオカルボニル、アリールオキシチオカルボニル、アルコキシチオカルボニル、アラルコキシチオカルボニル、アリールアミノチオカルボニル、アラルキルアミノチオカルボニル、アルケニルオキシチオカルボニル、アルケニルアミノチオカルボニル、アミノチオカルボニル、アルキルアミノチオカルボニル、アラルケニルオキシチオカルボニル、アラルケニルアミノチオカルボニル、アルキルスルホニル、アリールスルホニル、アラルキルスルホニル、アルケニルスルホリル、アリールホスホリル、アラルキルホスホリル、アルケニルホスホリル、またはアルキルホスホリルを表す。ある実施の形態では、本発明は、Rがアリールアミノチオカルボニルであることを特徴とする、前記方法に関する。ある実施の形態では、本発明は、Rが3,5−ビス(トリフルオロメチル)フェニルアミノチオカルボニルであることを特徴とする、前記方法に関する。
便宜上、明細書、実施例および添付の特許請求の範囲に用いられる特定の用語をここにまとめる。
%鏡像異性体過剰率A(ee) = (%鏡像異性体A) − (%鏡像異性体B)
ここでAおよびBは、生成した鏡像異性体である。エナンチオ選択性と併せて用いられるさらなる用語として、「光学純度」または「光学活性」が挙げられる。エナンチオ選択的反応では、ゼロよりも大きなeeで生成物が生成される。エナンチオ選択的反応は、20%よりも大きいeeで生成物を生成することが好ましく、50%よりも大きいことがより好ましく、70%よりも大きいことがよりさらに好ましく、80%よりも大きいことが最も好ましい。
ここで、R50、R51、およびR52は、それぞれ独立して、水素、アルキル、アルケニル、−(CH2)m−R61を表し、もしくは、R50およびR51が付加されているN原子と一体となって環構造中に4〜8個の原子を有する複素環を完成し;R61は、アリール、シクロアルキル、シクロアルケニル、複素環または多環を表し;mは0または1〜8の整数を表す。他の実施の形態では、R50およびR51(および随意的にR52)は、それぞれ独立して、水素、アルキル、アルケニル、または−(CH2)m−R61を表す。したがって、「アルキルアミン」という用語には、置換もしくは非置換のアルキルが付加された、すなわち、R50およびR51の少なくとも一方がアルキル基である、先に定義されたアミン基が含まれる。
ここで、R50は先に定義したとおりであり、R54は水素、アルキル、アルケニル、または−(CH2)m−R61を表し、ここでmおよびR61は先に定義したとおりである。
ここで、R50およびR51は先に定義したとおりである。本発明におけるアミドについてのある実施の形態には、不安定なイミドは含まれないであろう。
ここでX50は結合、もしくは酸素または硫黄を表し、R55およびR56は、水素、アルキル、アルケニル、−(CH2)m−R61または医薬品的に容認可能な塩を表し、R56は水素、アルキル、アルケニルまたは−(CH2)m−R61を表し、ここでmおよびR61は先に定義したとおりである。X50が酸素であり、R55またはR56が水素ではない場合、その構造式は「エステル」を表す。X50が酸素であり、R55が先に定義したとおりの場合、その部分は、本明細書では、カルボキシル基と称され、特に、R55が水素のとき、その構造式は「カルボン酸」を表す。X50が酸素であり、R56が水素のとき、その構造式は「ギ酸エステル」を表す。一般に、上記構造式の酸素原子が硫黄で置換されると、その構造式は「チオカルボニル」基を表す。X50が硫黄であり、R55またはR56が水素ではない場合、その構造式は、「チオールエステル」を表す。X50が硫黄であり、R55が水素のとき、その構造式は「チオールカルボン酸」を表す。X50が硫黄であり、R56が水素のとき、その構造式は「チオギ酸エステル(thiolformate)」を表す。一方、X50が結合であり、R55が水素ではない場合、上記構造式は、「ケトン」基を表す。X50が結合であり、R55が水素のとき、上記構造式は「アルデヒド」基を表す。
ここでR75は水素、アルキル、シクロアルキル、アルケニル、アルキニル、アリール、アラルキルまたは−(CH2)m−R61である。RがHのとき、その部分は「オキシム」であり、Rがアルキル、シクロアルキル、アルケニル、アルキニル、アリール、アラルキルまたは−(CH2)m−R61のとき、その部分は「オキシムエーテル」である。
ここでR57は電子対、水素、アルキル、シクロアルキルまたはアリールである。
ここでR57は先に定義した通りである。
ここでR50およびR56は先に定義した通りである。
ここでR50およびR51は先に定義した通りである。
ここでR58は次のうちの1つである:水素、アルキル、アルケニル、アルキニル、シクロアルキル、複素環、アリールまたはヘテロアリール。
ここでR58は先に定義した通りである。
ここでQ50およびR59は、それぞれ独立して、先に定義したとおりであり、Q51はO、SまたはNを表す。Q50がSの場合、ホスホリル部分は「ホスホロチオエート」である。
本発明にかかる不斉反応は、広範な条件下で行って差し支えなく、本明細書中で引用する溶媒および温度範囲は限定的ではないことが理解されよう。
本発明は、溶媒の二層混合物中、乳濁液または懸濁液中、もしくは脂質ベシクルまたは脂質二重層中での反応をも意図している。ある実施の形態では、触媒反応を固相で行うことが、好ましいであろう。
カルバメートで保護されたキラルアルキルアミンの前駆体として、カルバメートで保護されたキラルアルキルイミンは、不斉マンニッヒ反応にとって特に重要な種類のイミン基質を構成する。しかしながら、それらは不安定であるため、触媒不斉マンニッヒ反応への使用を極めて難しくしている。具体的には、2Aaおよび2AbのようなN−Bocアルキルイミンの、対応するエナミンへの自然発生的互変異性化が、典型的には、−20℃でさえも容易に起こる(スキーム1)。さらには、純粋な形態でのN−Cbzアルキルイミン(2B)の調製方法については、報告されていない。
1Hおよび13C NMRスペクトルは、バリアン(Varian)機器で記録された(それぞれ、400MHzおよび100MHz)。1Hスペクトルはテトラメチルシラン信号を内部基準とし、13CスペクトルはCDCl3信号を内部基準とした(δ=77.0ppm)。1H NMRに関するデータは以下のように報告される:化学シフト(δ、ppm)、多重度(s,一重;d,二重;t,三重;q,四重;m,多重)、結合定数(Hz)、積分。13C NMRに関するデータは化学シフト(δ、ppm)に関して報告される。赤外線スペクトルは、パーキン・エルマーFT−IR分光計で記録され、吸収周波数(cm−1)が報告される。新たな化合物全てに関する低分解能質量スペクトルは、70SE CI+で行われ、正確な質量スペクトルは、70−VSE−B高分解能質量分析計で記録した。比旋光度はジャスコ(Jasco)・デジタル旋光計で測定された。
文献の手法に従って、触媒QD−4およびQ−4を調製した。Vakulya, B.; Varga, S.; Csampai, A.; Soos, T. Org Lett. 2005, 7, 1976。
他の試薬はすべて、入手したままの状態で用いた。
0℃で、ジクロロメタン(1.0ml)中のN−Bocα−アミドスルホン1A(0.525mmol、1.05当量)、ジベンジルマロネート5(0.50mmol、1.0当量) およびQD−4またはQ−4(0.025mmol、5モル%)を、冷却した炭酸ナトリウム水溶液に1度に加えた。得られた2相の反応混合物を0℃で20時間、攪拌を保った。次に、反応混合物を水(10ml)で希釈し、エチルエーテル(25ml、3回)で抽出した。有機層を合わせて、食塩水(30ml)で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥させ、減圧濃縮した。粗生成物を、下記に示す溶媒を用いて、シリカゲル・フラッシュ・クロマトグラフィーにより精製した。
本明細書中で引用したすべての米国特許公報および米国特許出願公開公報のすべてを本明細書に援用する。
当業者は、本明細書中に記載された発明の特定の実施形態に関する多くの均等物について、認識し、また単なる所定の実験のみによって確認できるであろう。このような均等物が添付の特許請求の範囲に包含されることが意図されている。
Claims (39)
- キラル非ラセミアミンを生成する方法であって、
求核剤と、塩基と、キラル非ラセミ触媒と、N−アシルイミン、N−アルコキシカルボニルイミン、N−アリールオキシカルボニルイミン、N−アルケニルオキシカルボニルイミン、N−アラルコキシカルボニルイミン、N−アラルケニルオキシカルボニルイミン、N−アルキルアミノカルボニルイミン、N−アリールアミノカルボニルイミン、N−アラルキルアミノカルボニルイミン、N−アミノカルボニルイミン、N−アルケニルアミノカルボニルイミン、N−アラルケニルアミノカルボニルイミン、N−アルキルチオカルボニルイミン、N−アリールチオカルボニルイミン、N−アリールオキシチオカルボニルイミン、N−アルコキシチオカルボニルイミン、N−アラルコキシチオカルボニルイミン、N−アリールアミノチオカルボニルイミン、N−アラルキルアミノチオカルボニルイミン、N−アルケニルオキシチオカルボニルイミン、N−アルケニルアミノチオカルボニルイミン、N−アミノチオカルボニルイミン、N−アルキルアミノチオカルボニルイミン、N−アラルケニルオキシチオカルボニルイミン、N−アラルケニルアミノチオカルボニルイミン、N−アルキルスルホニルイミン、N−アリールスルホニルイミン、N−アラルキルスルホニルイミン、N−アルケニルスルホリルイミン、N−アリールホスホリルイミン、N−アラルキルホスホリルイミン、N−アルケニルホスホリルイミンおよびN−アルキルホスホリルイミンからなる群より選択される基質とを反応させる工程を有してなり、
前記キラル非ラセミ触媒が、第3級アミン、ホスフィン、またはアルシンであり、前記キラル非ラセミ触媒が、前記求核剤の前記基質への付加を触媒して、キラル非ラセミアミンを与えることを特徴とするキラル非ラセミアミンの生成方法。 - 前記基質がN−アルコキシカルボニルイミン、N−アリールオキシカルボニルイミン、N−アルケニルオキシカルボニルイミン、N−アラルコキシカルボニルイミンまたはN−アラルケニルオキシカルボニルイミンであることを特徴とする請求項1記載の方法。
- 前記基質がN−アルコキシカルボニルイミン、N−アルケニルオキシカルボニルイミンまたはN−アラルコキシカルボニルイミンであることを特徴とする請求項1記載の方法。
- 前記基質がN−アリルオキシカルボニルイミン、N−ベンジルオキシカルボニルイミン、N−t−ブトキシカルボニルイミン、N−2,2,2−トリクロロエトキシカルボニルイミン、2−(トリメチルシリル)エトキシカルボニルイミンまたはN−9−フルオレニルメトキシカルボニルイミンであることを特徴とする請求項1記載の方法。
- N−α−ホスホニルアルキルO−アルキルカルバメート、N−α−スルホニルアルキルO−アルキルカルバメート、 N−α−ハロアルキルO−アルキルカルバメート、N−α−ホスホニルアルキルO−アリールカルバメート、N−α−スルホニルアルキルO−アリールカルバメート、N−α−ハロアルキルO−アリールカルバメート、N−α−ホスホニルアルキルO−アルケニルカルバメート、N−α−スルホニルアルキル O−アルケニルカルバメート、 N−α−ハロアルキルO−アルケニルカルバメート、N−α−ホスホニルアルキルO−アラルキルカルバメート、 N−α−スルホニルアルキルO−アラルキルカルバメート、N−α−ハロアルキルO−アラルキルカルバメート、N−α−ホスホニルアルキルO−アラルケニルカルバメート、N−α−スルホニルアルキルO−アラルケニルカルバメート、またはN−α−ハロアルキルO−アラルケニルカルバメートと塩基を反応させて、N−アルコキシカルボニルイミン、N−アリールオキシカルボニルイミン、N−アルケニルオキシカルボニルイミン、N−アラルコキシカルボニルイミン、またはN−アラルケニルオキシカルボニルイミンを生成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項2記載の方法。
- N−α−スルホニルアルキルO−アルキルカルバメート, N−α−スルホニルアルキル O−アリールカルバメート, N−α−スルホニルアルキルO−アルケニルカルバメート、N−α−スルホニルアルキルO−アラルキルカルバメート、またはN−α−スルホニルアルキルO−アラルケニルカルバメートと塩基を反応させて、N−アルコキシカルボニルイミン、N−アリールオキシカルボニルイミン、N−アルケニルオキシカルボニルイミン、N−アラルコキシカルボニルイミン、またはN−アラルケニルオキシカルボニルイミンを生成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項2記載の方法。
- 前記求核剤が、マロネート、ケトエステル、ニトロアルカン、アリールニトロアルカン、シクロアルキルニトロアルカンおよびヘテロサイクリックニトロアルカンからなる群より選択されることを特徴とする請求項1記載の方法。
- 前記求核剤がマロネートであることを特徴とする請求項1記載の方法。
- 前記キラル非ラセミ触媒が第3級アミンであることを特徴とする請求項1記載の方法。
- 前記キラル非ラセミ触媒がシンコナアルカロイドであることを特徴とする請求項1記載の方法。
- 前記キラル非ラセミ触媒が、キニジン、(DHQ)2PHAL、(DHQD)2PHAL、(DHQ)2PYR、(DHQD)2PYR、(DHQ)2AQN、(DHQD)2AQN、DHQ−CLB、DHQD−CLB、DHQ−MEQ、DHQD−MEQ、DHQ−AQN、DHQD−AQN、DHQ−PHN、DHQD−PHN、QD−PH、QD−AN、QD−NT、QD−AC、QD−CH、QD−IP、QD−(−)−MN、QD−AD、Q−PH、Q−AN、Q−NT、Q−CH、Q−AC、Q−IP、Q−(−)−MN、Q−AD、9−チオウレアQ、または9−チオウレアQDであることを特徴とする請求項1記載の方法。
- 前記キラル非ラセミ触媒が9−チオウレアQ、または9−チオウレアQDであることを特徴とする請求項1記載の方法。
- 前記キラル非ラセミ触媒が、QDまたはQ:
ここで、
Rが、水素、アルキル、アリール、アシル、アルキニル、ヘテロアリール、シクロアルキル、シクロアルケニル、アラルキル、ヘテロアラルキル、ヘテロアルキル、アルコキシカルボニル、アリールオキシカルボニル、アルケニルオキシカルボニル、アラルコキシカルボニル、アラルケニルオキシカルボニル、アルキルアミノカルボニル、アリールアミノカルボニル、アラルキルアミノカルボニル、アミノカルボニル、アルケニルアミノカルボニル、アラルケニルアミノカルボニル、アルキルチオカルボニル、アリールチオカルボニル、アリールオキシチオカルボニル、アルコキシチオカルボニル、 アラルコキシチオカルボニル、アリールアミノチオカルボニル、アラルキルアミノチオカルボニル、アルケニルオキシチオカルボニル、アルケニルアミノチオカルボニル、アミノチオカルボニル、アルキルアミノチオカルボニル、アラルケニルオキシチオカルボニル、アラルケニルアミノチオカルボニル、アルキルスルホニル、アリールスルホニル、アラルキルスルホニル、アルケニルスルホリル、アリールホスホリル、アラルキルホスホリル、アルケニルホスホリル、またはアルキルホスホリルを表す、
ことを特徴とする請求項1記載の方法。 - Rがアリールアミノチオカルボニルであることを特徴とする請求項13記載の方法。
- Rが3,5−ビス(トリフルオロメチル)フェニルアミノチオカルボニルであることを特徴とする請求項13記載の方法。
- 前記塩基が水素化物、カーボネート、ホスフェート、アルコキシド、アミド、水酸化物、または有機塩基であることを特徴とする請求項1記載の方法。
- 前記塩基が有機塩基であることを特徴とする請求項16記載の方法。
- 前記有機塩基が、2,6−ルチジン、プロトン・スポンジまたはペンピジンであることを特徴とする請求項17記載の方法。
- 前記塩基が水酸化物であることを特徴とする請求項1記載の方法。
- 前記基質がN−アルコキシカルボニルイミン、N−アルケニルオキシカルボニルイミンまたはN−アラルコキシカルボニルイミンであり、前記求核剤がマロネートであることを特徴とする請求項1記載の方法。
- 前記基質がN−アルコキシカルボニルイミン、N−アルケニルオキシカルボニルイミンまたはN−アラルコキシカルボニルイミンであり、前記求核剤がマロネートであり、前記塩基が水酸化物であることを特徴とする請求項1記載の方法。
- 前記基質がN−アルコキシカルボニルイミン、N−アルケニルオキシカルボニルイミンまたはN−アラルコキシカルボニルイミンであり、前記求核剤がマロネートであり、前記塩基が水酸化物であり、前記キラル非ラセミ触媒がシンコナアルカロイドであることを特徴とする請求項1記載の方法。
- 前記基質がN−アルコキシカルボニルイミン、N−アルケニルオキシカルボニルイミンまたはN−アラルコキシカルボニルイミンであり、前記求核剤がマロネートであり、前記塩基が水酸化物であり、前記キラル非ラセミ触媒がキニジン、(DHQ)2PHAL、(DHQD)2PHAL、(DHQ)2PYR、(DHQD)2PYR、(DHQ)2AQN、(DHQD)2AQN、DHQ−CLB、DHQD−CLB、DHQ−MEQ、DHQD−MEQ、DHQ−AQN、DHQD−AQN、DHQ−PHN、DHQD−PHN、QD−PH、QD−AN、QD−NT、QD−AC、QD−CH、QD−IP、QD−(−)−MN、QD−AD、Q−PH、Q−AN、Q−NT、Q−CH、Q−AC、Q−IP、Q−(−)−MN、Q−AD、9−チオウレアQ、または9−チオウレアQDであることを特徴とする請求項1記載の方法。
- 前記基質がN−アルコキシカルボニルイミン、N−アルケニルオキシカルボニルイミンまたはN−アラルコキシカルボニルイミンであり、前記求核剤がマロネートであり、前記塩基が水酸化物であり、前記キラル非ラセミ触媒が9−チオウレアQまたは9−チオウレアQDであることを特徴とする請求項1記載の方法。
- 前記キラル非ラセミアミンの鏡像異性体過剰率またはジアステレオマー過剰率が、約50%よりも大きいことを特徴とする請求項1記載の方法。
- 前記キラル非ラセミアミンの鏡像異性体過剰率またはジアステレオマー過剰率が、約70%よりも大きいことを特徴とする請求項1記載の方法。
- 前記キラル非ラセミアミンの鏡像異性体過剰率またはジアステレオマー過剰率が、約90%よりも大きいことを特徴とする請求項1記載の方法。
- スキームI:
によって表されるキラル非ラセミアミンの調製方法であって、
ここで、
前記キラル非ラセミ触媒は、第3級アミン、ホスフィンまたはアルシンであり、
Rは、水素、アルキル、アリール、ヘテロアリール、シクロアルキル、アラルキル、またはヘテロアラルキルを表し、
R1は、アルキル、アリール、ヘテロアリール、シクロアルキル、アラルキル、またはヘテロアラルキルを表し、
RおよびR1は、全体で3〜10の原子を含む骨格で構成される、随意的に置換された環を形成して差し支えなく、前記環は、随意的に1つまたはそれ以上のヘテロ原子を含んでいてもよく、
R1およびR2は、全体で4〜10の原子を含む骨格で構成される、随意的に置換された環を形成して差し支えなく、前記環は、随意的に、R2が結合している窒素のほかに、1つまたはそれ以上のヘテロ原子を含んでいてもよく、
R2は、N−アシル、N−アルコキシカルボニル、N−アリールオキシカルボニル、N−アルケニルオキシカルボニル、N−アラルコキシカルボニル、N−アラルケニルオキシカルボニル、N−アルキルアミノカルボニル、N−アリールアミノカルボニル、N−アラルキルアミノカルボニル、N−アミノカルボニル、N−アルケニルアミノカルボニル、N−アラルケニルアミノカルボニル、N−アルキルチオカルボニル、N−アリールチオカルボニル、N−アリールオキシチオカルボニル、N−アルコキシチオカルボニル、N−アラルコキシチオカルボニル、N−アリールアミノチオカルボニル、N−アラルキルアミノチオカルボニル、N−アルケニルオキシチオカルボニル、N−アルケニルアミノチオカルボニル、N−アミノチオカルボニル、N−アルキルアミノチオカルボニル、N−アラルケニルオキシチオカルボニル、N−アラルケニルアミノチオカルボニル、N−アルキルスルホニル、N−アリールスルホニル、N−アラルキルスルホニル、N−アルケニルスルホリル、, N−アリールホスホリル、N−アラルキルホスホリル、N−アルケニルホスホリル、またはN−アルキルホスホリルを表し、
NuHは、マロネート、ケトエステル、ニトロアルカン、アリールニトロアルカン、シクロアルキルニトロアルカンまたはヘテロサイクリックニトロアルカンを表し、
塩基は、水素化物、カーボネート、ホスフェート、アルコキシド、アミド、水酸化物、または有機塩基を表す、
キラル非ラセミアミンの調製方法。 - 前記R2が、アルコキシカルボニル、アルケニルオキシカルボニルまたはアラルコキシカルボニルを表すことを特徴とする請求項28記載の方法。
- 前記NuHがマロネートを表すことを特徴とする請求項28記載の方法。
- 前記塩基が水酸化物を表すことを特徴とする請求項28記載の方法。
- 前記R2が、アルコキシカルボニル、アルケニルオキシカルボニルまたはアラルコキシカルボニルを表し、前記NuHがマロネートを表すことを特徴とする請求項28記載の方法。
- 前記R2が、アルコキシカルボニル、アルケニルオキシカルボニルまたはアラルコキシカルボニルを表し、前記NuHがマロネートを表し、前記塩基が水酸化物を表すことを特徴とする請求項28記載の方法。
- 前記キラル非ラセミ触媒がQDまたはQ:
ここで、
Rが、水素、アルキル、アリール、アシル、アルキニル、ヘテロアリール、シクロアルキル、シクロアルケニル、アラルキル、ヘテロアラルキル、ヘテロアルキル、アルコキシカルボニル、アリールオキシカルボニル、アルケニルオキシカルボニル、アラルコキシカルボニル、アラルケニルオキシカルボニル、アルキルアミノカルボニル、アリールアミノカルボニル、アラルキルアミノカルボニル、アミノカルボニル、アルケニルアミノカルボニル、アラルケニルアミノカルボニル、アルキルチオカルボニル、アリールチオカルボニル、アリールオキシチオカルボニル、アルコキシチオカルボニル、アラルコキシチオカルボニル、アリールアミノチオカルボニル、アラルキルアミノチオカルボニル、アルケニルオキシチオカルボニル、アルケニルアミノチオカルボニル、アミノチオカルボニル、アルキルアミノチオカルボニル、アラルケニルオキシチオカルボニル、アラルケニルアミノチオカルボニル、アルキルスルホニル、アリールスルホニル、アラルキルスルホニル、アルケニルスルホリル、アリールホスホリル、アラルキルホスホリル、アルケニルホスホリル、またはアルキルホスホリルを表す、
ことを特徴とする請求項28記載の方法。 - 前記Rがアリールアミノチオカルボニルであることを特徴とする請求項34記載の方法。
- 前記Rが3,5−ビス(トリフルオロメチル)フェニルアミノチオカルボニルであることを特徴とする請求項34記載の方法。
- 前記キラル非ラセミアミンの鏡像異性体過剰率またはジアステレオマー過剰率が、約50%よりも大きいことを特徴とする請求項28記載の方法。
- 前記キラル非ラセミアミンの鏡像異性体過剰率またはジアステレオマー過剰率が、約70%よりも大きいことを特徴とする請求項28記載の方法。
- 前記キラル非ラセミアミンの鏡像異性体過剰率またはジアステレオマー過剰率が、約90%よりも大きいことを特徴とする請求項28記載の方法。
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