JP2008159378A - 電極製造方法、及びプラズマ表示装置 - Google Patents

電極製造方法、及びプラズマ表示装置 Download PDF

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Abstract

【課題】電極製造方法、及びプラズマ表示装置を提供すること。
【解決手段】基板を被覆するように隔壁材料層を形成する工程と、隔壁材料層に線状に複数の溝を形成する工程と、溝内にペースト状の電極材料を充填する工程と、を含み、電極材料の充填は、各溝の一端部から開始され、各溝は、電極材料の充填が開始される端部領域と、当該端部領域以外の細線領域と、により構成され、端部領域の幅αが細線領域の幅βよりも大きい(α>β)ことを特徴とする、プラズマ表示装置の電極製造方法が提供される。
【選択図】図4

Description

本発明は、電極製造方法、及びプラズマ表示装置に関する。
近年、プラズマ表示装置(PDP;Plasma Display Panel)の画素が高精細化するにつれ、PDPを構成する各種の電極も高度に細線化してきている。通常、導電体ペーストを基板に塗布して焼成する方法によりPDPの電極が製造されることが多いが、PDPの高精細化に伴って製造したい電極幅が細くなると、ペーストを塗布する際に途切れや横ブレ等が発生し、均質な電極を形成することが難しくなる。そのため、より繊細な電極を形成することが可能な電極製造技術が求められている。
例えば、下記の特許文献1には、スクリーン印刷法又はディスペンサー法を利用して対向放電構造を有するPDPの電極製造方法が記載されている。より詳細には、隔壁材料に導電性ペースト(電極材料)を充填するための溝を形成した上で、スクリーン印刷法又はディスペンサー法を利用して溝に導電性ペーストを充填して電極を製造する方法が記載されている。
特開2006−236975号公報
しかし、スクリーン印刷法を利用する場合には、隔壁材料に形成される溝幅が狭いために溝から電極材料が溢れたり、溝底部まで電極材料が充填されないといった問題がある。また、ディスペンサー法を利用する場合には、隔壁材料に形成された溝幅が狭いために充填開始時に導電性ペーストが途切れたり、溢れたりするといった問題が生じる。さらに、導電性ペースト及び基板の帯電、又はアライメント不良等によってペーストの横ブレ等の現象が発生し、導電性ペーストの充填不良が発生するという問題がある。
そこで、本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的とするところは、高精細化した場合にも安定して電極を形成可能な、新規かつ改良された電極製造方法、及びプラズマ表示装置を提供することにある。
上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、プラズマ表示装置の電極製造方法が提供される。当該電極製造方法は、基板を被覆するように隔壁材料層を形成する工程と、前記隔壁材料層に線状に複数の溝を形成する工程と、前記溝内にペースト状の電極材料を充填する工程と、を含み、前記電極材料の充填処理は、各溝の一端部から開始され、各溝は、前記電極材料の充填が開始される端部領域と、当該端部領域以外の細線領域と、により構成され、前記端部領域の幅αが前記細線領域の幅βよりも大きい(α>β)ことを特徴とする。
また、上記課題を解決するために、前記基板上には、各電極材料と電気的に接続される複数の端子電極が予め形成されており、各溝の前記端部領域は、それぞれ一の前記端子電極の一部が露出するように形成されることを特徴とする、電極製造方法が提供される。
また、上記の電極製造方法によると、複数の前記溝が所定の方向に沿って並設され、隣接する一方の前記溝の接合領域が他方の前記溝の細線領域に並置されるように前記複数の溝が形成される。
また、前記溝は、前記接合領域の平面形状が略円形、略楕円形、又は略多角形のいずれかであってもよい。
また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、相互に対向配置された第1基板及び第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に複数の放電空間を区画する隔壁と、を有するプラズマ表示装置が提供される。当該プラズマ表示装置は、前記隔壁内に線状に形成され、前記放電空間にプラズマ放電を発生させる複数の電極と、前記隔壁の外部に突設され、前記電極の端部で前記電極と電気的に接合される端子電極と、を備え、前記電極は、前記端子電極に接合する一端部の幅αが前記一端部以外の細線部の幅βよりも大きく(α>β)形成されることを特徴とする。なお、上記の電極は、例えば、直線状に形成されていてもよい。
また、前記電極は、前記第1基板又は前記第2基板を被覆するように形成された隔壁材料層に線状に設けられた複数の溝内に、ペースト状の電極材料が各前記溝の一端部を始点として充填されることによって形成されたものであってもよい。その際、各溝は、前記電極材料の充填の始点となる端部領域と、当該端部領域以外の細線領域と、により構成され、前記端部領域の幅αが前記細線領域の幅βよりも大きい(α>β)ことを特徴とする。
また、前記隔壁の外部に突設され、前記電極の端部で前記電極と電気的に接合される端子電極をさらに備えていてもよい。また、複数の前記電極が所定の方向に沿って並設され、隣接する一方の前記電極の接合部分が他方の前記電極の細線部に並置されていてもよい。
また、前記電極は、前記接合部分の平面形状が略円形、略楕円形、又は略多角形のいずれかであってもよい。
以上説明したように本発明によれば、高精細化した場合にも電極が安定して接合可能になる。
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
<本発明の実施形態>
まず、本発明の一実施形態に係るプラズマ表示装置(PDP)について説明する。本実施形態の特徴は、PDPを構成する走査電極又はアドレス電極等の電極と、当該電極の端子部分を構成する端子電極との接合部分の構造にある。また、この電極構造を形成するために隔壁に形成された溝の形状にも特徴がある。以下で詳細に説明するが、本実施形態に係る電極製造方法は、例えば、ディスペンサー法を利用して隔壁材料層に形成された溝にペースト状の電極材料を充填して電極を製造する方法である。そのため、隔壁材料の表面には、走査電極又はアドレス電極等と端子電極との接合部分に対応する位置に特徴的な構造を有する溝が形成されている。なお、本実施形態の特徴的な構成は、様々な構造を有するPDPに適用可能であるが、ここでは、対向する隔壁間に放電経路を有する対向放電型のPDPを例に挙げて説明する。
[PDP100の構成例]
まず、図1を参照しながら、本実施形態に係るPDP100の構成例について説明する。図1は、PDP100のZ−X断面構造を示す説明図である。なお、図1に示したPDP100は、本実施形態の特徴点を明示すべく模式的に描画した図面であり、各構成要素の幅、高さ、厚さ、又は深さ等のパラメータは、本稿の記載において明確に規定された場合を除き、実際の実施態様に応じて、適宜、変更可能な設計的事項である。従って、以下で説明する本実施形態の技術的特徴を有する構成であれば、本実施形態の技術範囲に属するものと解釈される。なお、図中では、同一のハッチング処理が施された部位を同種の構成要素であるものとし、代表する構成要素にのみ符合を付して説明することによって他の同種の構成要素についても同様に説明したものと看做す。
図1を参照すると、PDP100は、主に、第1基板102と、第2基板112と、第1電極114と、誘電体層116と、隔壁118と、第2電極120と、蛍光体層122と、により構成される。また、符号Pは放電経路を表し、符号Lは第1基板102を通じて放出される可視光を表す。
(第1基板102)
第1基板102は、PDP100の前面に配置され、放電空間内で発生した可視光を透過することが可能な材質により形成されている。例えば、第1基板102には、高歪点ガラスが用いられる。また、第1基板102の表面には、蛍光体層が形成されていてもよい。また、第1基板102は、放電空間内で発生した可視光Lの透過率を高めるためにも、より薄く形成されることが望ましい。
(第2基板112)
第2基板112は、第1基板102に対向して配置される。なお、第2基板112の構成は、上記の第1基板102と同様であり、ここでは詳細な説明を省略する。
(誘電体層116)
誘電体層116は、第2基板112に形成された絶縁層である。周知のように、PDP100は、少なくとも一対の電極間に生じた電位差により、放電セル内の放電ガスを電離して気体放電を発生させる装置である。従って、放電空間に導電性の部材が露出していることは望ましくない。そこで、第2基板112に電極が配置される場合には、こうした電極をカバーする目的で誘電体層116が設けられることもある。また、誘電体層116は、例えば、PbO、B、又はSiO等を主素材とする誘電体により形成されていてもよい。
(隔壁118)
隔壁118は、第1基板102と第2基板112との間に形成され、放電空間を区画するために設けられる。また、隔壁118は、誘電体層116と同様の誘電体を用いて形成されていてもよい。なお、以下で詳述するが、本実施形態に係るPDP100は、一般的な三電極面放電型のPDPとは異なり、内部に第2電極120が形成された隣り合う一対の隔壁118の間でプラズマ放電が発生する。そのため、隔壁118は、イオン粒子の衝突によるスパッタリングから電極を保護する役割も担う。また、隔壁118は、その表面に蛍光体122を塗布して発光面を構成することも可能である。通常、蛍光体は、白色であることが多く、プラズマ放電により発生した紫外線が直接到達した場合はもちろんのこと、紫外線が到達しない場合においても、後述する蛍光体層122から発生した可視光Lを反射することによって輝度の向上が期待できる。
(第1電極114、第2電極120)
第1電極114は、第2基板112に形成されており、誘電体層116により覆われている。第2電極120は、隔壁118の内部に形成されており、対峙する第1電極114との間に電位差を発生させて放電空間内の放電ガスを電離させる。第1電極114は、例えば、一対の第2電極120間で生じる放電ガスの電離プロセスのトリガーとなるように電圧を印加する。つまり、PDP100は、放電経路Pを形成するために対向放電型の電極構造を有している。なお、第2電極120は、後述する端子電極124に接続されており、当該端子電極124から電流が印加される構成を有している。
(蛍光体層122)
蛍光体層122は、紫外線を吸収して特定波長の光(特に可視光L)を放出する紫外線励起蛍光体により形成されており、放電空間内で発生したプラズマ放電に起因して放射される紫外線を受けて蛍光を発する。一般に、蛍光体層122を形成する蛍光物質としては、赤色を発光する(Y、Gd)BO:Eu、又はY:Eu等、緑色を発光するZnSiO:Mn、又はBaAl1219:Mn等、青色を発光するBaMgAl1423:Eu等が用いられる。また、図1の例において、蛍光体層122は、誘電体層116の上面及び隔壁118の側面に形成されている。しかし、蛍光体層122は、放電空間に面した第1基板102に形成されていてもよい。
以上、本実施形態に係るPDP100の構成例について説明した。上記の構成例を採用することにより、放電空間の両側壁面の内部に形成された一対の第2電極120の間に対向放電を発生させることができる。本実施形態は、例えば、このような構成を有するPDP100に適用が可能である。以下では、上記のPDP100を構成する第2電極120の製造工程について説明する。
[電極の製造工程]
次に、図2〜図5を参照しながら、本実施形態に係る第2電極120の製造工程について説明する。図2は、本実施形態に係るPDP100の製造工程を示す説明図である。図3は、上記の製造工程における隔壁118の構造を示す説明図である。図4は、上記の製造工程における隔壁118及び第2電極120の構造を示す説明図である。図5は、上記の製造工程における隔壁118及び第2電極120の構造を示す説明図である。
(第2電極120及び隔壁118の製造工程)
まず、スクリーン印刷法、又はフォトリソグラフィ(Photo Lithography)法等を用いて第1基板102に導電性ペースト(電極材料)を塗布し、焼成することによって端子電極124を形成する(工程(A))。次に、第1基板102及び端子電極124の一部を覆うように隔壁ペーストをコーティングして乾燥させ、隔壁118(隔壁材料層)を形成する。さらに、隔壁118にドライフィルムレジスト(DFR;Dry Film Resist)126をラミネートし、露光及び現像して溝パターンを形成する(工程(B))。この溝パターンは、後段で導電性ペーストを充填するための溝形状を決定する。
次に、工程(B)で形成された溝パターンを有するDFR126をマスクとして利用し、サンドブラスト処理によって隔壁118(隔壁材料層)を選択的に除去する。その後、隔壁118に残ったDFR126を剥離する(工程(C))。次に、ディスペンサーを用いて、工程(C)で形成された隔壁118の溝に導電性ペーストを充填する。さらに、充填された導電性ペーストを乾燥して第2電極120を形成する(工程(D))。
次に、工程(D)で形成された第2電極120及び隔壁118を覆うように隔壁ペーストをコーティングして乾燥させる(工程(E))。次に、工程(E)で形成された隔壁118’にDFR128をラミネートし、露光及び現像して隔壁パターンを形成する(工程(F))。この隔壁パターンは、隔壁118を成形するためのものであり、例えば、図1に示す隔壁118の形状を生成するためのものである。次に、工程(F)で形成された隔壁パターンを有するDFR128をマスクとしてサンドブラスト処理を実行し、隔壁118(隔壁材料)を選択的に除去した後、DFR128を剥離して焼成する(工程(G))。
以上、本実施形態に係る第2電極120の製造工程について説明した。本実施形態に係る電極製造方法は、後述するように、上記の工程(D)における導電性ペーストの充填工程に特徴が含まれている。ここでは、説明の都合上、第2電極120の製造工程を例に挙げて説明したが、これに限定されるものではない。例えば、上記の工程(D)と同様な導電性ペーストの充填工程が含まれていれば、第1電極114の製造工程においても、本実施形態の特徴的構成を適用可能であるし、他の電極構造を有するPDPについても適用可能である。以下、本実施形態に係る電極製造方法について更に説明する。
(工程(C)における隔壁118の構造)
ここで、図3を参照しながら、上記の工程(C)における隔壁118の構造について、より詳細に説明する。上述の通り、本実施形態に係るPDP100の特徴は、端子電極124と第2電極120との接合部分の構造にある。そこで、第2電極120を形成するために導電性ペーストが充填される隔壁118の形状(溝パターン)について説明する。
図3を参照すると、隔壁118には、導電性ペーストを充填するための溝Cが形成されている。溝Cは、端子電極124と接合する部分において幅(X方向の隔壁間の距離)が広く構成されている点に特徴がある。つまり、端子電極124との接合部分における溝Cの幅αは、接合部分を除くその他の部分(PDP100の表示部分に対応;以下、細線部と呼ぶ)における溝Cの幅βよりも大きく形成されている(α>β)。その結果、上記の工程(D)において、端子電極124との接合部分の幅が大きな第2電極120が形成される。なお、導電性ペーストは、端子電極124との接合部分からディスペンサーにより充填される。つまり、第2電極120の一端部に対応する溝の一端部から導電性ペーストの充填が開始される。
その結果、導電性ペーストの充填初期において、ディスペンサーから注入される導電性ペーストの量が好適に調節されず、一時的に多量の導電性ペーストが注入された場合でも、上記の接合部分の溝がペースト溜めの役割を果たし、導電性ペーストの溢れ等を防止することができる。また、端子電極124を確実にカバーするように導電性ペーストが充填されるため、第2電極120と端子電極124とが確実に接合され、端子電極124に対する電気的な接触不良等の問題が生じにくくなる。さらに、上記の接合部分に導電性ペーストを充填してる間にディスペンサーからの注入量等が安定し、細線部に注入される導電性ペーストの量も均質化されることによって充填不良を防止することができる。
以上、第2電極120を形成するための導電性ペーストが充填される隔壁118の構造について説明した。上記の通り、ペーストを充填する初期に生じるディスペンサーの吐出不安定性又は吐出量の制御困難により、導電性ペーストが溝Cから溢れたり、導電性ペーストが途切れたり、又は溝Cに導電性ペーストが十分に充填されない等の不具合を防止することができる。こうした問題は、非常に細い電極をディスペンサー法により製造する際に避けて通れない困難であるが、本実施形態に係る電極製造方法を用いることで、これらの困難を克服することが可能になる。
(工程(D)における第2電極120の構造)
次に、図4及び図5を参照しながら、工程(D)における第2電極120のX−Y平面形状及びY−Z断面構造について説明する。特に、第2電極120と端子電極124との接合部分の形状と当該形状を有する場合の設計的な制限事項について簡単に説明する。
図4を参照すると、第2電極120は、端子電極124との接合部分の幅が細線部の幅よりも大きくなるように構成されている。また、端子電極124は、第1基板102に形成され、その一端が隔壁118の外部に突設されている。また、端子電極124は、その他端が隔壁118の内部に形成された第2電極120の一端部に接合されている。但し、第2電極120を配置する間隔を考慮して接続部分の大きさを設定しなければならない。つまり、第2電極120の配置間隔aに応じて接合部分の幅bがb>0となるように設定しなければならない。さらに、図5を併せて参照すると、端子電極124は、第1基板102に形成され、隔壁118と第2電極120とにより被覆されるように配置されていることが分かる。
ここで、上記の「幅」について更に説明する。図4を参考にすると、Y方向に延設された第2電極120は、前面基板102に平行なX−Y平面で切断した断面形状において、当該第2電極120の短手方向の幅が異なる2つの部分を有している。一方は、短手方向の幅が大きい接合部分であり、他方は、非接合部分に対応し、短手方向の幅が小さい細線部である。接合部分は、上記の通り、第2電極120と端子電極124との接合部分を構成している。一方、細線部は、上記の通り、PDP100の表示領域に対応し、隣接する細線部の間に放電空間の一部が形成される。
以上、本実施形態に係る第2電極120のX−Y平面形状について説明した。上記の通り、接合部分における第2電極120の幅を大きく形成することにより、端子電極124との物理的な接触状態が良好になると共に、電気的な接続不良を防止するという効果も期待できる。
[第1変形例]
次に、図6を参照しながら、本実施形態の第1変形例について説明する。図6は、第1変形例に係る第2電極120のX−Y平面形状を示す説明図である。
図6を参照すると、図4と同様に端子電極124と接合する部分の幅が大きく形成された第2電極120が記載されている。しかし、第1変形例に係る第2電極120は、隣接する他の第2電極120に対して、接合部分が互い違いに並ぶように配置されている。より詳細には、隣接する一対の第2電極120のうち、一方の第2電極120の細線部と他方の第2電極120の接合部分とが隣り合うように配置されている。その結果、同じ大きさの接合部分を形成したとしても、一方の第2電極120の細線部と他方の第2電極120の細線部との間の距離aは、図4に示した距離aよりも短く形成することができる。
このとき、図6に示すように、隣接する端子電極124の長さは相違する。つまり、ある端子電極124は、当該端子電極124が挿設された隔壁118の側壁面(前面基板102又は背面基板112に略垂直な面)から離れた位置で第2電極120に接合するため、当該接合する部分まで延設されていなければならない。つまり、第1変形例に係るPDP100は、長い端子電極124と短い端子電極124とが交互に並置される構造を有する。
以上、本実施形態に係る第1変形例について説明した。上記の電極構成を採用することにより、第2電極120の接合部分の大きさが同じであっても、より高い密度で第2電極120を配置することが可能になる。逆に言えば、ディスペンサーを利用し安定して電極形成するために必要なペースト溜まりの大きさの最小値が決まっているならば、この第1変形例に係る電極構造を採用する事により、より高密度に電極を配置することが可能になる。結果として、例えば、ピクセルのサイズをより小さくすることが可能になり、より高精細なPDP100を製造することができる。
[第2変形例]
次に、図7を参照しながら、本実施形態の第2変形例について説明する。図7は、第2変形例に係る第2電極120のX−Y平面形状を示す説明図である。
図7を参照すると、図6と同様に端子電極124との接合部分の幅が大きく形成され、かつ、隣接する第2電極120の接合部分が互い違いに配置された電極構造が記載されている。しかし、第2変形例に係る第2電極120は、接合部分の平面形状が略円形又は楕円形をしている点が相違する。また、図7には、接合部分の平面形状が楕円形の第2電極120を示したが、本実施形態に係る第2電極120の電極構造は、例えば、接合部分の平面形状が細線部に向かって細くなる三角形であってもよいし、多角形やその他の任意の形状であってもよい。
しかし、上記の通り、本実施形態の目的は、ディスペンサーにより導電性ペーストを充填する際に、その始点にペースト溜まりを形成することでペーストの溢れや途切れを防止する事である。それと同時に、端子電極124と第2電極120との電気的な接続をより確実にすることを目的としている。こうした目的に鑑みると、接合部分の平面形状は、導電性ペーストがまんべんなく充填される構造が好ましく、例えば、図7に示すような楕円形又は略円形の平面構造を適宜選択できる。
以上、本実施形態の第2変形例について説明した。上記の通り、本実施形態に係る電極製造方法及び電極構造は多様な変形が可能である。上記の第1変形例についても同様であるが、より高精細なPDP100を製造するためには、電極の細線化及び高密度化が必要になる。一方で、ディスペンサーを利用して高精細な電極を製造する場合には、導電性ペーストを充填する始点部分に所定のサイズを有するペースト溜まりを形成する必要がある。このとき、上記の接合部分の体積(隔壁118の厚みが同じであれば平面積に比例)を所定の値に保ちながら、隣接する第2電極120の細線部間の距離をいかに小さくするかということが問題となる。このとき、上記の第2変形例のように、接合部分の形状を多様に変形させて、実施態様に応じて高密度の構造を形成することが求められるのである。
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
例えば、上記の実施形態においては、端子電極124が第1基板102に形成されていたが、第1基板102に形成された他の層に形成されてもよい。例えば、ある基板に誘電体層を形成し、その上に電極を形成する場合、当該電極に接合し易いように、当該誘電体層に端子電極を形成することも可能である。また、第1電極114の端子電極を形成する場合にも、上記の電極構造を適用する事ができることは言うまでもない。つまり、第1電極114と端子電極との接合部分を当該第1電極114の細線部よりも大きな幅で形成することも可能である。
本発明の一実施形態に係るPDPの断面構造を示す説明図である。 同実施形態に係るPDPの製造工程を示す説明図である。 同実施形態に係るPDPの隔壁構造を示す説明図である。 同実施形態に係るPDPの隔壁構造及び電極構造を示す説明図である。 同実施形態に係るPDPの電極構造を示す説明図である。 本発明の第1変形例に係るPDPの電極構造を示す説明図である。 本発明の第2変形例に係るPDPの電極構造を示す説明図である。
符号の説明
100 PDP
102 第1基板
112 第2基板
114 第1電極
116 誘電体層
118、118’ 隔壁
120 第2電極
122 蛍光体層
124 端子電極
126、128 DFR
C 接合部分
P 放電経路
L 可視光

Claims (9)

  1. プラズマ表示装置の電極製造方法であって、
    基板を被覆するように隔壁材料層を形成する工程と、
    前記隔壁材料層に線状に複数の溝を形成する工程と、
    各前記溝の一端部を始点として、前記各溝内にペースト状の電極材料を充填する工程と、
    を含み、
    各前記溝は、前記電極材料の充填の始点となる端部領域と、当該端部領域以外の細線領域と、により構成され、前記端部領域の幅αが前記細線領域の幅βよりも大きい(α>β)ことを特徴とする、電極製造方法。
  2. 前記基板には、各前記電極材料と電気的に接続される複数の端子電極が予め形成されており、
    前記各溝の端部領域は、それぞれ一の前記端子電極の一部が露出するように形成されることを特徴とする、電極製造方法。
  3. 複数の前記溝が所定の方向に沿って並設され、隣接する一方の前記溝の接合領域が他方の前記溝の細線領域に並置されることを特徴とする、請求項1に記載の電極製造方法。
  4. 前記溝は、
    前記接合領域の平面形状が略円形、略楕円形、又は略多角形のいずれかであることを特徴とする、請求項1又は2に記載の電極製造方法。
  5. 相互に対向配置された第1基板及び第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に複数の放電空間を区画する隔壁と、を有するプラズマ表示装置であって、
    前記隔壁内に線状に形成され、前記放電空間にプラズマ放電を発生させる複数の電極と、
    を備え、
    前記電極は、その一端部の幅αが当該一端部以外の細線部の幅βよりも大きい(α>β)ことを特徴とする、プラズマ表示装置。
  6. 前記電極は、前記第1基板又は前記第2基板を被覆するように形成された隔壁材料層に線状に設けられた複数の溝内に、ペースト状の電極材料が各前記溝の一端部を始点として充填されることによって形成され、
    各前記溝は、前記電極材料の充填の始点となる端部領域と、当該端部領域以外の細線領域と、により構成され、前記端部領域の幅αが前記細線領域の幅βよりも大きい(α>β)ことを特徴とする、請求項5に記載のプラズマ表示装置。
  7. 前記隔壁の外部に突設され、前記電極の一端部と電気的に接合される端子電極をさらに備えていることを特徴とする、請求項5又は6に記載のプラズマ表示装置。
  8. 複数の前記電極が所定の方向に沿って並設され、隣接する一方の前記電極の接合部分が他方の前記電極の細線部に並置されることを特徴とする、請求項5〜7のいずれかに記載のプラズマ表示装置。
  9. 前記電極は、
    前記接合部分の平面形状が略円形、略楕円形、又は略多角形のいずれかであることを特徴とする、請求項5〜8のいずれかに記載のプラズマ表示装置。
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