JP2008150680A - 直流プラズマ成膜装置 - Google Patents
直流プラズマ成膜装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008150680A JP2008150680A JP2006341251A JP2006341251A JP2008150680A JP 2008150680 A JP2008150680 A JP 2008150680A JP 2006341251 A JP2006341251 A JP 2006341251A JP 2006341251 A JP2006341251 A JP 2006341251A JP 2008150680 A JP2008150680 A JP 2008150680A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cathode
- film
- plasma
- anode
- film forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【解決手段】陰極12と陽極14の平坦とされた両電極面が所定間隔を隔てて互いに平行な向きに対向配置され、金属製の冷却板16に陰極12が熱伝導結合状態に搭載され、陰陽極12,14間の直流電圧印加で陽極の電極面近傍にプラズマを発生させて陽極14の電極面上に接触ないしは非接触に配置した基板30の表面に電界電子放出源としての炭素膜を成膜する直流プラズマ成膜装置において、陰極12の材料にモリブデン材を用いた構成。
【選択図】図1
Description
12 陰極
14 陽極
16 冷却板
18 絶縁膜
20 直流電源
28 プラズマ
30 基板
Claims (2)
- 真空成膜室の内部に陰極と陽極とをその両電極面を平行に対向して配置し、陰極を少なくともその陰極側表面が絶縁膜で被覆された冷却板上に搭載した直流プラズマ成膜装置において、上記陰極の少なくともその電極面をモリブデン材で構成するかまたは該陰極の少なくともその電極面にモリブデン材を被着した、ことを特徴とする直流プラズマ成膜装置。
- 上記陰極の全体をモリブデン材で構成した、ことを特徴とする請求項1に記載の直流プラズマ成膜装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006341251A JP2008150680A (ja) | 2006-12-19 | 2006-12-19 | 直流プラズマ成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006341251A JP2008150680A (ja) | 2006-12-19 | 2006-12-19 | 直流プラズマ成膜装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008150680A true JP2008150680A (ja) | 2008-07-03 |
Family
ID=39653168
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006341251A Pending JP2008150680A (ja) | 2006-12-19 | 2006-12-19 | 直流プラズマ成膜装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008150680A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10497545B2 (en) * | 2014-06-05 | 2019-12-03 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and cleaning method |
-
2006
- 2006-12-19 JP JP2006341251A patent/JP2008150680A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10497545B2 (en) * | 2014-06-05 | 2019-12-03 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and cleaning method |
US11430636B2 (en) | 2014-06-05 | 2022-08-30 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and cleaning method |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8036341B2 (en) | Stationary x-ray target and methods for manufacturing same | |
KR101166570B1 (ko) | 탄소 구조체의 제조장치 및 제조방법 | |
JP2015225720A (ja) | イオン発生装置および熱電子放出部 | |
TW200813413A (en) | Method and apparatus for maintaining emission capabilities of hot cathodes in harsh environments | |
US20100291320A1 (en) | Method for manufacturing a treated surface and vacuum plasma sources | |
JP2008150680A (ja) | 直流プラズマ成膜装置 | |
JP5095524B2 (ja) | プラズマcvd装置及び磁気記録媒体の製造方法 | |
JP5057768B2 (ja) | 直流プラズマ成膜装置 | |
JP2007319761A (ja) | 炭素系ナノ材料生成用触媒組成物、炭素系ナノ材料デバイス、電子放出素子用カソード基板及びその作製方法、並びに電子放出素子デバイス及びその作製方法 | |
JP2008150682A (ja) | 直流プラズマ成膜装置 | |
JP2002220660A (ja) | スパッタリング装置 | |
JP5816500B2 (ja) | プラズマガンおよびそれを用いた成膜装置 | |
US9966234B2 (en) | Film forming device | |
JP4919272B2 (ja) | カーボンナノチューブ形成装置、カーボンナノチューブ形成方法 | |
EP3998467B1 (en) | Ionization vacuum gauge and cartridge | |
JP3287163B2 (ja) | アーク式蒸発源 | |
JP2004353023A (ja) | アーク放電方式のイオンプレーティング装置 | |
JP4876471B2 (ja) | 電界電子放出源及びそれを用いたマグネトロン及びマイクロ波応用装置 | |
JP2008293967A (ja) | 電子源及び電子源の製造方法 | |
JP3930184B2 (ja) | Cvd装置および磁気記録媒体の製造方法 | |
JP4414975B2 (ja) | イオンビームスパッタ装置、イオンビームスパッタ方法及びイオンガン | |
JP5036465B2 (ja) | 中空陰極の製造用治具と製造方法 | |
JP3930181B2 (ja) | Cvd装置および製膜方法ならびに磁気記録媒体の製造方法 | |
JP5272575B2 (ja) | 燃料電池用セパレータの製造方法 | |
JP6563730B2 (ja) | ダイヤモンドライクカーボン粉末およびその作製方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20080731 |
|
A521 | Written amendment |
Effective date: 20080801 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20081127 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20081127 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Effective date: 20090729 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090827 |