JP2008149386A - ウエハの研磨方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】高い平坦度を有するウエハを得ることを目的とする。
【解決手段】仕上げ研摩工程(ステップ14)において、水晶ウエハをキャリアに保持させ両面ラップ盤の上盤と下盤との間に配置する。そして、水晶ウエハの研磨代の約半分まで、両面をキャリアとともに研摩する(ステップ16)。研磨代の約半分まで研摩したら、研摩を中断して水晶ウエハを洗浄する(ステップ18)。キャリアを反転して水晶ウエハをキャリアに再配置したのち(ステップ20)、水晶ウエハを目標厚みまでキャリアとともに研摩する(ステップ22)。
【選択図】図1

Description

本発明は、水晶等のウエハの研磨方法に係り、特に水晶振動片を形成するための水晶ウエハを研磨するのに好適なウエハ方法に関する。
水晶板からなるAT振動片などの水晶振動片は、共振周波数が振動片の厚み(水晶板の厚み)に依存する。したがって、所定の共振周波数を有する水晶振動片を形成する場合、水晶振動片を形成するための水晶基板(水晶ウエハ)を所望の共振周波数に対応した所定の厚みに調整している。水晶ウエハの厚みの調整は、
水晶ブロックから目標厚みより厚い水晶ウエハを切り出し、これを研磨機で研磨することにより行なっている。そして、1枚の水晶ウエハから同じ共振周波数を有する振動片を複数形成する場合、水晶ウエハの厚みが均一となるように研磨する必要がある。しかも、近年は、水晶振動片の高周波化が図られており、水晶ウエハをより薄く、高い精度の平坦度(厚みの均一性)を有するように研摩する必要がある。
ウエハの薄板化に対する要求は、水晶ウエハばかりだけでなく、半導体ウエハに対しても同様である。このため、特許文献1では、半導体ウエハの両面を交互に粗研磨工程と仕上げ磨工程とを行なって、残留ダメージのない極薄いウエハが得られるようにしている。しかし、特許文献1に記載のように、粗研磨と仕上げ研磨とをウエハの片面ずつ交互に研磨する方法は、研磨に多くの時間を必要とする。しかも、厚みのばらつきが小さい高い精度の平坦度を有するウエハを得ことが困難である。
そこで、研磨時間を短縮するために、両面ラップ盤を用いてウエハの両面を同時に研磨することが考えられる。そして、特許文献2には、研磨対象物をキャリアに保持させ、両面ラップ盤の上盤と下盤との間に配置し、研磨対称物の両面をキャリアとともに研磨する方法が開示してある。これにより、ウエハなどの研磨対称物を容易に薄く研磨することができる。
特開平8−197396号公報 特開平9−239658号公報
特許文献2のように、研磨対称物をキャリアに保持させて両面ラップ盤で両面を研磨する場合、研磨対称物とこれを保持させたキャリアの上下の両面を同じ種類の砥粒で研磨することになる。したがって、研磨対称物は、本来的に、上下の両面が同じようにように研磨され、均一の厚みに形成された高い平坦度を有するように研磨されるはずである。ところが、砥粒は、微小で軽量とはいえ、重力の影響を受けて沈降し、キャリアの上面と下面とで砥粒の量が微妙に異なってくる。しかも、キャリアは、主に下面が下盤に接触して研磨される。このため、ウエハなどの研磨対称物をキャリアに保持させてキャリアとともに上下の両面を研磨すると、上下面における砥粒の量の相違などにより、キャリアの研摩状態が上下面で異なり、高度な平坦度が得られずにキャリアが反ったりする。このため、キャリアに保持させた研摩対象物がキャリアの研摩状態の影響を受け、研磨対称物を高度な平坦度(均一な厚み)を有するように研摩することが困難である。
本発明は、上記従来技術の欠点を解消するためになされたもので、高い平坦度が得られるようにすることを目的としている。
上記の目的を達成するために、本発明係るウエハの研磨方法は、両面研磨機を用いたウエハの研摩方法において、キャリアに前記ウエハを保持させ、前記ウエハを前記キャリアとともに研磨し、研磨の途中において前記キャリアを反転させる、ことを特徴としている。
このようになっている本発明は、研摩途中においてキャリアを反転(上下をひっくり返す)することにより、上面と下面との研摩状態の相違を矯正することができる。このため、キャリアの平坦度が向上し、キャリアの反りなどを防ぐことができる。この結果、キャリアに保持させたウエハを高精度の平坦度を有するように研摩することができる。しかも、キャリアは、ウエハより薄いものを用いる必要がない。したがって、キャリアの剛性が大きくなって研磨中における破損を防げ、キャリアの破損によりウエハの研磨が停止するような事故を防ぐことができる。
また、本発明に係るウエハの研摩方法は、両面研磨機を用いたウエハの研摩方法において、両面研磨機の上盤と下盤との間に、ウエハを配置して前記ウエハを研磨する粗研磨工程と、粗研磨した前記ウエハをキャリアに保持させ、前記ウエハを前記キャリアとともに研磨する仕上げ研磨工程と、を有し、前記仕上げ研磨工程の研摩途中で、前記キャリアを反転させる、ことを特徴としている。
このようになっている本発明は、例えば、水晶ブロックから切断した水晶ウエハを、所望の厚みと高い平坦度とを有する水晶ウエハにすることができる。所望の厚みの水晶ウエハを得る場合、まず、目標厚みより充分厚い薄片(ウエハ)を水晶ブロックから切り出す。そして、水晶ブロックからの切断に伴う傷などがなくなるようにウエハを粗研磨し、厚みが目標厚みより若干厚いウエハにする。その後、傷などのない水晶ウエハをキャリアに保持させてキャリアとともに両面を仕上げ研磨し、所望の厚みを有する水晶ウエハに仕上げる。この仕上げ研磨の際、研磨の途中でキャリアを反転させることにより、キャリアに生じていた研磨に伴う反りなどを矯正することができ、水晶ウエハを高い精度の平坦度を有するものにすることができる。
キャリアの反転時に、ウエハを洗浄するとよい。洗浄は、水洗であってよい。ウエハに付着していた砥粒を洗い流すことにより、上下面に付着した砥粒を洗い流すことにより、上下面における砥粒の量の相違が是正され、研磨の均一化が図れる。
また、キャリアが複数のウエハ保持部を有している場合、複数のウエハのキャリアへの再配置は、ランダムに行なうとよい。一般に、キャリアは、被研磨物(ウエハ)の保持部を複数有し、キャリアの内側に配置したウエハと外側に配置したウエハとでは研摩量が若干異なる。そこで、ウエハを再配置する場合、ランダムに行なうと、ウエハの再配置された位置が元の位置と異なり、結果的に複数のウエハを全体として均一に研磨した効果を生ずる。しかも、再配置する際に、ウエハの表裏に留意する必要がないので作業を簡略化できる。
本発明に係るウエハの研摩方法の好ましい実施の形態を、添付図面に従って詳細に説明する。図1は、本発明の実施の形態に係る水晶振動片を形成するための水晶ウエハの研磨方法を説明するフローチャートである。図1において、まず、図示しない水晶のブロックを所定のカット角で、ワイヤソウなどにより予め定めた厚みの薄板(ウエハ)に切断する(図1ステップ10)。この水晶ブロックから切り出したウエハの厚みは、目標厚みより充分厚くする。この厚みは、水晶ブロックをウエハに切断した時に、ウエハに生ずる切断時の傷の深さなどを考慮して定める。例えば、目標厚み0.04mm(40μm)の水晶ウエハを得ようとする場合、厚みが約190〜340μmの板厚となるように水晶ブロックを切断する。
その後、ステップ12に示したように、水晶ウエハを所定の厚みまで両面ラップ盤を用いてウエハの両面を粗研磨する粗研磨工程を行なう。この粗研磨は、水晶ウエハについている切断時の傷がなくなるまで行なう。例えば、0.04mmの水晶ウエハを得ようとする場合、厚みが190〜340μmに切断した水晶ウエハを、厚みが約0.1mm(100μm)程度になるまで粗研磨を行なう。また、粗研磨工程における粗研摩をする場合、後述するキャリアを用いてもよいし、キャリアを用いなくともよい。
水晶ウエハの粗研磨工程を終了したならば、次にステップ14の仕上げ研磨工程を行なう。ステップ14の仕上げ研磨工程は、図1に示したように、ステップ16、18、20、22の4つの工程からなっている。まず、粗研磨を終了した水晶ウエハを洗浄して粗研磨用の砥粒を洗い落とす。次に、洗浄した水晶ウエハを両面ラップ盤のキャリアに設けたウエハ保持部に配置し、キャリアに保持させる。そして、水晶ウエハを保持したキャリアを両面ラップ盤の上盤と下盤との間に配置する。なお、キャリアは、実施形態の場合、仕上げ研摩する水晶ウエハとほぼ同じ厚みに形成してある。
両面ラップ盤は、周知のように、例えば図2のように構成してある。すなわち、両面ラップ盤30は、遊星歯車機構を構成しており、中央部に太陽歯車32を備えている。太陽歯車32は、下盤34を貫通した駆動軸(図示せず)に取り付けてあり、駆動軸を介して回転駆動させられる。太陽歯車32の周囲には、複数(例えば、4つ)のキャリア36が配置される。キャリア36は、太陽歯車32と噛み合う歯車として形成してある。そして、キャリア36は、太陽歯車32が回転駆動されると、後述するように、太陽歯車32の周囲を回転する遊星歯車となっている。キャリア36の外側には、キャリア36と噛み合っているリング歯車38が配設してある。
各キャリア36は、複数のウエハ保持部40を有する。ウエハ保持部40は、実施形態の場合、キャリア36を厚み方向に貫通した矩形状の貫通穴として形成してある。キャリア36に設けた複数のウエハ保持部40は、キャリア36の周方向に等間隔(例えば、中心に対して90°間隔)で、かつ直径方向に複数(例えば、半径方向に4つ、直径方向に8つ)配設してある(図1では、直径方向に4つの場合が示してある)。なお、ウエハ保持部40の数は、キャリア36の大きさ、水晶ウエハの大きさにより、適宜に定められる。
水晶ウエハの仕上げ研磨工程においては、図3に示したように、水晶ウエハ44をキャリア36のウエハ保持部40に配置して、キャリア36に水晶ウエハ44を保持させる。水晶ウエハ44を保持したキャリア36は、下盤34と上盤42との間に配置する。なお、上盤42には、図示しない砥粒供給口が設けてあり、この砥粒供給口を介してスラリー状の砥粒が上盤42と下盤34との間に供給される。
両面ラップ盤30は、太陽歯車32が例えば図2の矢印46のように、時計方向に回転駆動されたとする。太陽歯車32が図2の時計方向に回転すると、これに噛み合っている各キャリア36が矢印48に示したように、反時計方向に回転(自転)するとともに、矢印50に示したように、太陽歯車32の周囲を時計方向に回転(公転)する。これにより、キャリア36に保持させた水晶ウエハ44は、上盤42と下盤34との間に供給された砥粒により、上下面がキャリア36の上下面とともに研磨される。なお、キャリア36は、仕上げ研摩する水晶ウエハ44より、やや厚くともやや薄くともよい。
両面ラップ盤30による実施形態の仕上げ研磨工程(ステップ14)においては、まず、キャリア36に保持させた水晶ウエハ44の研磨代の約半分をキャリア36とともに研磨する(ステップ16)。例えば、0.1mmのウエハを仕上げ研磨して0.04mmのウエハにする場合、まず、水晶ウエハ44の研磨代0.06mmの約半分の0.03mmを研磨して、水晶ウエハ44の厚みを約0.07mm程度にする。水晶ウエハ44の厚みは、実施形態の場合、周波数によって管理している。すなわち、実施形態においては、キャリア36に保持させた水晶ウエハ44が両面ラップ盤30の周方向のある地点を通過したときに、水晶ウエハ44の上下面に電圧が印加され、共振周波数を得ることができるようにしてある。前記したように、水晶ウエハ44の共振周波数は、厚みに依存しており、周波数を測定することによって、厚みを求めることができる。したがって、実施形態においては、水晶ウエハ44が両面ラップ盤30の周方向の所定位置を通過したときに、水晶ウエハ44の周波数を測定し、水晶ウエハ44の厚みを測定した周波数から逆算して求めるようにしている。
0.1mm程度の厚みを有する水晶ウエハ44を仕上げ研磨して0.04mmの水晶ウエハ44にする場合、水晶ウエハ44の厚みが0.07mm程度になったならば、研磨を一度中断して水晶ウエハ44をキャリア36から取り出す。そして、水晶ウエハ44を洗浄し、水晶ウエハ44に付着している砥粒を洗い落とす(ステップ18)。この洗浄は、水洗であってよい。
その後、キャリア36を反転し(上下をひっくり返す)、洗浄した水晶ウエハ44をキャリア36に再配置する(ステップ20)。なお、キャリア36の反転は、水晶ウエハ44の洗浄の前に行なってもよい。水晶ウエハ44のキャリア36への再配置は、ランダムに行なう。これにより、水晶ウエハ44の裏表や水晶ウエハ44の元の位置を気に掛ける必要がなく、水晶ウエハ44の再配置をスムーズ、迅速に行なうことができる。水晶ウエハ44をキャリア36に再配置したならば、キャリア36を再び上盤42と下盤34との間に配置する。そして、水晶ウエハ44の両面を前記と同様にキャリア36とともに目標の厚みまで研磨し(ステップ22)、仕上げ研磨工程を終了する。
このように、仕上げ研磨の途中において(研磨代の約半分を研磨した段階で)、キャリア36を反転させたことにより、厚みの均一性に優れた高い平坦度を有する薄い水晶ウエハ44を容易に得ることができる。すなわち、キャリア36を反転させることにより、キャリア36の上下面における砥粒量の相違などに基づく、キャリア36の反りなどが矯正される。このため、キャリア36に保持させた水晶ウエハ44の平坦度を向上することができる。しかも、キャリア36の反転時に、複数の水晶ウエハ44をランダムに再配置するため、キャリア36の外周側に配置されていたものが、キャリア36の内周側に配置されたり、裏表が逆にされたものなどが存在する。このため、複数の水晶ウエハ44は、全体として均一な研磨が行なわれ、複数の水晶ウエハ44全体としての品質を向上することができる。また、キャリア36は、水晶ウエハ44よりも薄いものを用いる必要がない。このため、キャリア36の厚みを厚くすることができ、キャリア36の剛性が大きくなって研磨中に破損し、水晶ウエハ44の研磨ができないなどの事故を防ぐことができる。
仕上げ研磨工程を終了した水晶ウエハ44は、キャリア36から取り出して洗浄する(ステップ24)。そして、水晶ウエハ44は、傷の有無の検査や厚みを確認する検査などを経たのち、電極形成工程などの次工程に搬送される(ステップ24)。
なお、前記実施形態は、本発明の一態様であって、前記実施形態に限定されるものではない。例えば、前記実施形態においては、仕上げ研磨工程の途中において、一度だけキャリア36を反転させる場合について説明したが、キャリア36の反転は複数回行なってもよい。ただし、キャリア36の一側面が上のときの研摩量と、下のときの研摩量とをほぼ同じにすることが望ましい。また、前記実施形態においては、水晶ウエハ44の再配置時の洗浄が水洗である場合について説明したが、有機溶媒による洗浄であってもよい。
また、前記実施形態では水晶ウエハの研磨方法について説明したが、本発明は水晶ウエハに限定されるものではなく、リチウムタンタレート、リチウムニオベート、四硼酸リチウム等の圧電ウエハや半導体ウエハ等にも適用できることは言うまでもない。
実施の形態に係る水晶ウエハの研摩方法を説明するフローチャートである。 両面ラップ盤の概略説明図である。 図2のA―A線に沿ったキャリアの一部断面図であって、水晶ウエハを保持したキャリアの断面図である。
符号の説明
30………両面ラップ盤、32………太陽歯車、34………下盤、36………キャリア、40………ウエハ保持部、42………上盤、44………水晶ウエハ。

Claims (3)

  1. 両面研磨機を用いたウエハの研摩方法において、
    キャリアに前記ウエハを保持させ、
    前記ウエハを前記キャリアとともに研磨し、研磨の途中において前記キャリアを反転させる、
    ことを特徴とするウエハの研磨方法。
  2. 両面研磨機を用いたウエハの研摩方法において、
    両面研磨機の上盤と下盤との間に、ウエハを配置して前記ウエハを研磨する粗研磨工程と、
    粗研磨した前記ウエハをキャリアに保持させ、前記ウエハを前記キャリアとともに研磨する仕上げ研磨工程と、を有し、
    前記仕上げ研磨工程の研摩途中で、前記キャリアを反転させる、
    ことを特徴とするウエハの研磨方法。
  3. 請求項1または2に記載のウエハの研磨方法において、
    前記キャリアは、複数のウエハ保持部を有し、
    前記キャリアの反転時に、前記ウエハを洗浄して、前記キャリアに前記ウエハをランダムに再配置する、
    ことを特徴とするウエハの研磨方法。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010064206A (ja) * 2008-09-12 2010-03-25 Fujikoshi Mach Corp 両面研磨装置
JP2012014782A (ja) * 2010-06-30 2012-01-19 Kyocera Kinseki Corp 磁気ディスク用基板の製造方法
JP2012142041A (ja) * 2010-12-28 2012-07-26 Kyocera Crystal Device Corp ディスク装置用スペーサー
CN117549205A (zh) * 2024-01-11 2024-02-13 东晶电子金华有限公司 一种石英晶片的抛光方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010064206A (ja) * 2008-09-12 2010-03-25 Fujikoshi Mach Corp 両面研磨装置
JP2012014782A (ja) * 2010-06-30 2012-01-19 Kyocera Kinseki Corp 磁気ディスク用基板の製造方法
JP2012142041A (ja) * 2010-12-28 2012-07-26 Kyocera Crystal Device Corp ディスク装置用スペーサー
CN117549205A (zh) * 2024-01-11 2024-02-13 东晶电子金华有限公司 一种石英晶片的抛光方法
CN117549205B (zh) * 2024-01-11 2024-04-02 东晶电子金华有限公司 一种石英晶片的抛光方法

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