CN117549205B - 一种石英晶片的抛光方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种石英晶片的抛光方法，涉及石英晶片技术领域，本发明包括：步骤一、石英晶片历史信息获取、步骤二、石英晶片抛光质量分析、步骤三、目标石英晶片抛光方法选择、步骤四、目标石英晶片抛光、步骤五、目标石英晶片抛光质量分析和步骤六、目标石英晶片处理，本发明克服了现有技术中对石英晶片的平整性和外观缺陷的分析力度不够深入的缺陷，从而提高了石英晶片的质量分析的精确性，保障了目标石英晶片的抛光方法选择的参考性和价值性，确保后续石英晶片相关器件的性能和可靠性，本发明保障了目标石英晶片抛光方法选择的正确性，从而在一定程度上提高了目标石英晶片的抛光质量，保障目标石英晶片的性能和后续应用。

Description

一种石英晶片的抛光方法
技术领域
本发明涉及石英晶片技术领域，具体涉及一种石英晶片的抛光方法。
背景技术
石英晶片是一种物理性质和化学性质均十分稳定的矿产资源，广泛应用于电子、光学、通信等领域。为了满足不同领域对石英晶片的质量要求，抛光是一个至关重要的工艺步骤，抛光是通过磨削和化学反应等方法，将石英晶片的表面磨平和去除缺陷，以获得光洁的表面。在进行石英晶片抛光时，有多种不同方法可供选择，主要包括机械抛光、化学机械抛光和离子注入抛光等，若石英晶片的抛光方法的选择不适宜，则会影响石英晶片的抛光质量，从而影响石英晶片的性能和后续应用，因此，对石英晶片抛光方法的选择进行分析是极其有必要的。
现有技术中对石英晶片抛光方法的选择在一定程度上可以满足当前要求，但是还存在一定的缺陷，其具体体现在一下几个层面：(1)现有技术中对依据历史数据中石英晶片的质量与抛光方法之间的联系的关注度不高，在抛光目的相同时，历史数据中石英晶片的质量越高，则说明石英晶片的抛光方法的选择越适宜，现有技术中对这一层面的忽视难以保障目标石英晶片抛光方法选择的正确性，从而在一定程度上降低目标石英晶片的抛光质量，影响目标石英晶片的性能和后续应用。
(2)现有技术中对石英晶片的平整性和外观缺陷的分析力度不够深入，石英晶片的平整性和外观缺陷影响石英晶片的质量，现有技术中对这一层面的忽视降低了石英晶片的质量分析的精确性，从而难以为后续目标石英晶片的抛光方法选择时提供强有力的数据支持，进而降低了目标石英晶片的抛光方法选择的参考性和价值性，难以确保后续石英晶片相关器件的性能和可靠性。
发明内容
本发明的目的在于提供的一种石英晶片的抛光方法，解决了背景技术中存在的问题。
为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：本发明提供一种石英晶片的抛光方法，包括：步骤一、石英晶片历史信息获取：从云数据库中获取各石英晶片的初始三维模型、特征信息、抛光方法和抛光后的三维模型，其中特征信息包括硬度、密度和热膨胀系数。
步骤二、石英晶片抛光质量分析：依据各石英晶片的抛光后三维模型分析各石英晶片对应的抛光质量评估系数。
步骤三、目标石英晶片抛光方法选择：从云数据库中获取目标石英晶片的初始三维模型和特征信息，并据此分析目标石英晶片与各石英晶片的外观特性相似评估系数和物理特性相似评估系数，进而分析目标石英晶片与各石英晶片对应的综合匹配指数，并据此筛选目标石英晶片对应的各匹配石英晶片，从而依据各石英晶片对应的抛光质量评估系数获取目标石英晶片对应各匹配石英晶片的抛光质量评估系数，并筛选最大抛光质量评估系数对应的匹配石英晶片作为参照石英晶片，进而依据各石英晶片的抛光方法获取目标石英晶片对应参照石英晶片的抛光方法，从而得到目标石英晶片的目标抛光方法。
步骤四、目标石英晶片抛光：按照目标石英晶片的目标抛光方法对目标石英晶片进行抛光，并对抛光后的目标石英晶片进行三维扫描，从而得到目标石英晶片抛光后的三维模型。
步骤五、目标石英晶片抛光质量分析：依据目标石英晶片抛光后的三维模型分析目标石英晶片对应的抛光质量评估系数。
步骤六、目标石英晶片处理：基于目标石英晶片对应的抛光质量评估系数进行相应预警。
作为一种优选的方案，所述分析各石英晶片对应的抛光质量评估系数，其具体分析方法为：依据各石英晶片的抛光后三维模型获取各布设点对应的色度值，将其标记为各石英晶片实际抛光后对应各布设点的色度值。
从云数据库中提取石英晶片对应抛光后的参考三维模型，并获取各检测点的色度值，将其标记为石英晶片预计抛光后对应各检测点的色度值，从而据此分析各石英晶片对应的色度符合评估系数ηi，其中i表示为各石英晶片的编号，i＝1,2,...,n，其中n为大于2的任意整数。
依据各石英晶片的抛光后三维模型提取各石英晶片对应的厚度Hi、直径Di、体积Vi，并获取各石英晶片对应抛光后的轮廓。
从云数据库中提取石英晶片对应抛光后的标准厚度Hi′、标准直径Di′和标准体积Vi′，依据石英晶片对应抛光后的参考三维模型获取石英晶片对应抛光后的参考轮廓。
将各石英晶片对应抛光后的轮廓与参考轮廓进行重合对比，并据此获取各石英晶片抛光后的轮廓与参考轮廓的重合体积Vi′。
综合分析各石英晶片对应的外观符合评估系数εi。
综合分析各石英晶片对应的抛光质量评估系数其中e为自然常数，λ1、λ2分别表示为预定义的外观符合、色度符合对应的影响权重因子。
作为一种优选的方案，所述综合分析各石英晶片对应的外观符合评估系数εi，其具体分析方法为：基于各石英晶片对应抛光后的三维模型，以各石英晶片的底面为参照面随机选取各测试点，以各石英晶片的参照面中心点为原点建立三维直角坐标系，进而获取各石英晶片所属底面各测试点的z轴坐标值zim，其中m表示为石英晶片所属底面各测试点的编号，m＝1,2,...,l，l为大于2的任意整数。
分析各石英晶片所属底面对应的平整评估系数其中zi(m+1)为第i个石英晶片所属底面第m+1个测试点的z轴坐标值，z′为预定义的z轴坐标允许偏差值。
同理，分析各石英晶片所属顶面对应的平整评估系数σi。
依据各石英晶片的抛光后三维模型提取各石英晶片对应的各灰度值，从而分析各石英晶片对应的外观缺陷评估指数
综合分析各石英晶片对应的外观符合评估系数其中γ1、γ2、γ3、γ4、γ5分别表示为预定义的厚度合理、直径合理、体积合理、平整合理、外观缺陷对应的权重系数。
作为一种优选的方案，所述分析各石英晶片对应的外观缺陷评估指数其具体分析方法为：将各石英晶片对应的各灰度值与云数据库中存储的划痕灰度值范围进行对比，若某石英晶片对应的某灰度值处于划痕灰度值范围内，则将该灰度值标记为划痕灰度值，筛选出各石英晶片对应的各划痕灰度值，并获取各石英晶片所属各划痕灰度值对应的区域，将其标记为各石英晶片对应的各划痕区域，获取其对应的面积SIiv，其中v表示为各划痕区域的编号，v＝1,2,...,u，u为大于2的任意整数。
分析各石英晶片对应的外观缺陷评估指数
作为一种优选的方案，所述分析各石英晶片对应的色度符合评估系数ηi，其具体分析方法为：依据各石英晶片实际抛光后对应各布设点的色度值Dip和石英晶片预计抛光后对应各检测点的色度值D′h，进而构建各石英晶片实际抛光后所属各布设点与各检测点的色度差值CZiph＝|Dip-D′h|，其中p表示为各布设点的编号，p＝1,2,...,q，q为大于2的任意整数，h表示为各检测点的编号，h＝1,2,...,g，g为大于2的任意整数。
分析各石英晶片对应的色度符合评估系数其中q为布设点的数量，g为检测点的数量。
作为一种优选的方案，所述目标石英晶片与各石英晶片的外观特性相似评估系数，其具体分析方法为：依据目标石英晶片的三维模型获取其对应的轮廓，并获取目标石英晶片对应的轮廓体积VI。
依据各石英晶片的初始三维模型获取其对应的轮廓，并将其与目标石英晶片对应的轮廓进行重合对比，进而得到各石英晶片与目标石英晶片对应重合轮廓，从而获取其对应的体积VIi′。
依据目标石英晶片的三维模型获取目标石英晶片所属各目标点的色度值Fj，同理获取各石英晶片所属各指定点的色度值Eif，其中j表示为各目标点的编号，j＝1,2,...,k，k为大于2的任意整数，f表示为各指定点的编号，f＝1,2,...,t，t为大于2的任意整数。
综合分析目标石英晶片与各石英晶片的外观特性相似评估系数其中k为目标点的数量，t为指定点的数量。
作为一种优选的方案，所述目标石英晶片与各石英晶片的物理特性相似评估系数，其具体分析方法为：从各石英晶片的特征信息中提取硬度Yi、密度Mi和热膨胀系数Ri。
从目标石英晶片的特征信息中提取硬度Y′、密度M′和热膨胀系数R′。
综合分析目标石英晶片与各石英晶片的物理特性相似评估系数其中χ1、χ2、χ3分别表示为预定义的硬度相似、密度相似、热膨胀系数相似对应的占比因子。
作为一种优选的方案，所述分析目标石英晶片与各石英晶片对应的综合匹配指数，其具体计算公式为：其中δ1、δ2分别表示为预定义的外观特性相似评估系数、物理特性相似评估系数对应的权值因子。
作为一种优选的方案，所述筛选目标石英晶片对应的各匹配石英晶片，其具体筛选方法为：将目标石英晶片与各石英晶片对应的综合匹配指数与预定义的综合匹配指数阈值进行对比，若目标石英晶片与某石英晶片对应的综合匹配指数大于或等于综合匹配指数阈值，则将该石英晶片标记为匹配石英晶片，从而得到目标石英晶片对应的各匹配石英晶片。
相对于现有技术，本发明的实施例至少具有如下优点或有益效果：(1)本发明在步骤一中获取石英晶片的历史信息，进而为后续石英晶片的抛光质量分析奠定了基础。
(2)本发明在步骤二中通过石英晶片的平整性、颜色和外观缺陷等对石英晶片的抛光质量进行分析，进而克服了现有技术中对石英晶片的平整性和外观缺陷的分析力度不够深入的缺陷，从而提高了石英晶片的质量分析的精确性，为后续目标石英晶片的抛光方法选择时提供强有力的数据支持，保障了目标石英晶片的抛光方法选择的参考性和价值性，确保后续石英晶片相关器件的性能和可靠性。
(3)本发明在目标石英晶片抛光方法选择中首先分析目标石英晶片与历史石英晶片的综合匹配指数，筛选相似的石英晶片，从而依据相似石英晶片的抛光质量和抛光方法筛选目标石英晶片的抛光方法，从而弥补了现有技术中对这一层面忽视的缺陷，保障目标石英晶片抛光方法选择的正确性，进而在一定程度上提高了目标石英晶片的抛光质量，保障目标石英晶片的性能和后续应用。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明的方法实施步骤流程示意图。
图2为石英晶片坐标示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
参照图1所示，本发明提供一种石英晶片的抛光方法，包括：步骤一、石英晶片历史信息获取：从云数据库中获取各石英晶片的初始三维模型、特征信息、抛光方法和抛光后的三维模型，其中特征信息包括硬度、密度和热膨胀系数。
本发明在步骤一中获取石英晶片的历史信息，进而为后续石英晶片的抛光质量分析奠定了基础。
步骤二、石英晶片抛光质量分析：依据各石英晶片的抛光后三维模型分析各石英晶片对应的抛光质量评估系数。
在本发明的具体实施例中，所述分析各石英晶片对应的抛光质量评估系数，其具体分析方法为：依据各石英晶片的抛光后三维模型获取各布设点对应的色度值，将其标记为各石英晶片实际抛光后对应各布设点的色度值。
从云数据库中提取石英晶片对应抛光后的参考三维模型，并获取各检测点的色度值，将其标记为石英晶片预计抛光后对应各检测点的色度值，从而据此分析各石英晶片对应的色度符合评估系数ηi，其中i表示为各石英晶片的编号，i＝1,2,...,n，其中n为大于2的任意整数。
依据各石英晶片的抛光后三维模型提取各石英晶片对应的厚度Hi、直径Di、体积Vi，并获取各石英晶片对应抛光后的轮廓。
从云数据库中提取石英晶片对应抛光后的标准厚度Hi′、标准直径Di′和标准体积Vi′，依据石英晶片对应抛光后的参考三维模型获取石英晶片对应抛光后的参考轮廓。
将各石英晶片对应抛光后的轮廓与参考轮廓进行重合对比，并据此获取各石英晶片抛光后的轮廓与参考轮廓的重合体积Vi′。
综合分析各石英晶片对应的外观符合评估系数εi。
综合分析各石英晶片对应的抛光质量评估系数其中e为自然常数，λ1、λ2分别表示为预定义的外观符合、色度符合对应的影响权重因子。
在本发明的具体实施例中，所述综合分析各石英晶片对应的外观符合评估系数εi，其具体分析方法为：参照图2所示，基于各石英晶片对应抛光后的三维模型，以各石英晶片的底面为参照面随机选取各测试点，以各石英晶片的参照面中心点为原点建立三维直角坐标系，进而获取各石英晶片所属底面各测试点的z轴坐标值zim，其中m表示为石英晶片所属底面各测试点的编号，m＝1,2,...,l，l为大于2的任意整数。
分析各石英晶片所属底面对应的平整评估系数其中zi(m+1)为第i个石英晶片所属底面第m+1个测试点的z轴坐标值，z′为预定义的z轴坐标允许偏差值。
同理，分析各石英晶片所属顶面对应的平整评估系数σi。
依据各石英晶片的抛光后三维模型提取各石英晶片对应的各灰度值，从而分析各石英晶片对应的外观缺陷评估指数
综合分析各石英晶片对应的外观符合评估系数其中γ1、γ2、γ3、γ4、γ5分别表示为预定义的厚度合理、直径合理、体积合理、平整合理、外观缺陷对应的权重系数。
在本发明的具体实施例中，所述分析各石英晶片对应的外观缺陷评估指数其具体分析方法为：将各石英晶片对应的各灰度值与云数据库中存储的划痕灰度值范围进行对比，若某石英晶片对应的某灰度值处于划痕灰度值范围内，则将该灰度值标记为划痕灰度值，筛选出各石英晶片对应的各划痕灰度值，并获取各石英晶片所属各划痕灰度值对应的区域，将其标记为各石英晶片对应的各划痕区域，获取其对应的面积SIiv，其中v表示为各划痕区域的编号，v＝1,2,...,u，u为大于2的任意整数。
分析各石英晶片对应的外观缺陷评估指数
在本发明的具体实施例中，所述分析各石英晶片对应的色度符合评估系数ηi，其具体分析方法为：依据各石英晶片实际抛光后对应各布设点的色度值Dip和石英晶片预计抛光后对应各检测点的色度值D′h，进而构建各石英晶片实际抛光后所属各布设点与各检测点的色度差值CZiph＝|Dip-D′h|，其中p表示为各布设点的编号，p＝1,2,...,q，q为大于2的任意整数，h表示为各检测点的编号，h＝1,2,...,g，g为大于2的任意整数。
分析各石英晶片对应的色度符合评估系数其中q为布设点的数量，g为检测点的数量。
本发明在步骤二中通过石英晶片的平整性、颜色和外观缺陷等对石英晶片的抛光质量进行分析，进而克服了现有技术中对石英晶片的平整性和外观缺陷的分析力度不够深入的缺陷，从而提高了石英晶片的质量分析的精确性，为后续目标石英晶片的抛光方法选择时提供强有力的数据支持，保障了目标石英晶片的抛光方法选择的参考性和价值性，确保后续石英晶片相关器件的性能和可靠性。
步骤三、目标石英晶片抛光方法选择：从云数据库中获取目标石英晶片的初始三维模型和特征信息，并据此分析目标石英晶片与各石英晶片的外观特性相似评估系数和物理特性相似评估系数，进而分析目标石英晶片与各石英晶片对应的综合匹配指数，并据此筛选目标石英晶片对应的各匹配石英晶片，从而依据各石英晶片对应的抛光质量评估系数获取目标石英晶片对应各匹配石英晶片的抛光质量评估系数，并筛选最大抛光质量评估系数对应的匹配石英晶片作为参照石英晶片，进而依据各石英晶片的抛光方法获取目标石英晶片对应参照石英晶片的抛光方法，从而得到目标石英晶片的目标抛光方法。
在本发明的具体实施例中，所述目标石英晶片与各石英晶片的外观特性相似评估系数，其具体分析方法为：依据目标石英晶片的三维模型获取其对应的轮廓，并获取目标石英晶片对应的轮廓体积VI。
依据各石英晶片的初始三维模型获取其对应的轮廓，并将其与目标石英晶片对应的轮廓进行重合对比，进而得到各石英晶片与目标石英晶片对应重合轮廓，从而获取其对应的体积VIi′。
依据目标石英晶片的三维模型获取目标石英晶片所属各目标点的色度值Fj，同理获取各石英晶片所属各指定点的色度值Eif，其中j表示为各目标点的编号，j＝1,2,...,k，k为大于2的任意整数，f表示为各指定点的编号，f＝1,2,...,t，t为大于2的任意整数。
综合分析目标石英晶片与各石英晶片的外观特性相似评估系数其中k为目标点的数量，t为指定点的数量。
在本发明的具体实施例中，所述目标石英晶片与各石英晶片的物理特性相似评估系数，其具体分析方法为：从各石英晶片的特征信息中提取硬度Yi、密度Mi和热膨胀系数Ri。
从目标石英晶片的特征信息中提取硬度Y′、密度M′和热膨胀系数R′。
综合分析目标石英晶片与各石英晶片的物理特性相似评估系数其中χ1、χ2、χ3分别表示为预定义的硬度相似、密度相似、热膨胀系数相似对应的占比因子。
在本发明的具体实施例中，所述分析目标石英晶片与各石英晶片对应的综合匹配指数，其具体计算公式为：其中δ1、δ2分别表示为预定义的外观特性相似评估系数、物理特性相似评估系数对应的权值因子。
在本发明的具体实施例中，所述筛选目标石英晶片对应的各匹配石英晶片，其具体筛选方法为：将目标石英晶片与各石英晶片对应的综合匹配指数与预定义的综合匹配指数阈值进行对比，若目标石英晶片与某石英晶片对应的综合匹配指数大于或等于综合匹配指数阈值，则将该石英晶片标记为匹配石英晶片，从而得到目标石英晶片对应的各匹配石英晶片。
本发明在目标石英晶片抛光方法选择中首先分析目标石英晶片与历史石英晶片的综合匹配指数，筛选相似的石英晶片，从而依据相似石英晶片的抛光质量和抛光方法筛选目标石英晶片的抛光方法，从而弥补了现有技术中对这一层面忽视的缺陷，保障目标石英晶片抛光方法选择的正确性，进而在一定程度上提高了目标石英晶片的抛光质量，保障目标石英晶片的性能和后续应用。
步骤四、目标石英晶片抛光：按照目标石英晶片的目标抛光方法对目标石英晶片进行抛光，并对抛光后的目标石英晶片进行三维扫描，从而得到目标石英晶片抛光后的三维模型。
步骤五、目标石英晶片抛光质量分析：依据目标石英晶片抛光后的三维模型分析目标石英晶片对应的抛光质量评估系数。
需要说明的是，同各石英晶片对应的抛光质量评估系数的分析方法一致，分析目标石英晶片对应的抛光质量评估系数。
步骤六、目标石英晶片处理：基于目标石英晶片对应的抛光质量评估系数进行相应预警。
需要说明的是，所述基于目标石英晶片对应的抛光质量评估系数进行相应预警，其具体方法为：将目标石英晶片对应的抛光质量评估系数与预定义的抛光质量评估系数阈值进行对比，若目标石英晶片对应的抛光质量评估系数小于抛光质量评估系数阈值，则对相关管理人员进行抛光异常预警。
以上内容仅仅是对本发明的构思所作的举例和说明，所属本技术领域的技术人员对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代，只要不偏离发明的构思或者超越本权利要求书所定义的范围，均应属于本发明的保护范围。

Claims (9)

1.一种石英晶片的抛光方法，其特征在于，包括：
步骤一、石英晶片历史信息获取：从云数据库中获取各石英晶片的初始三维模型、特征信息、抛光方法和抛光后的三维模型，其中特征信息包括硬度、密度和热膨胀系数；
步骤二、石英晶片抛光质量分析：依据各石英晶片的抛光后三维模型分析各石英晶片对应的抛光质量评估系数；
步骤三、目标石英晶片抛光方法选择：从云数据库中获取目标石英晶片的初始三维模型和特征信息，并据此分析目标石英晶片与各石英晶片的外观特性相似评估系数和物理特性相似评估系数，进而分析目标石英晶片与各石英晶片对应的综合匹配指数，并据此筛选目标石英晶片对应的各匹配石英晶片，从而依据各石英晶片对应的抛光质量评估系数获取目标石英晶片对应各匹配石英晶片的抛光质量评估系数，并筛选最大抛光质量评估系数对应的匹配石英晶片作为参照石英晶片，进而依据各石英晶片的抛光方法获取目标石英晶片对应参照石英晶片的抛光方法，从而得到目标石英晶片的目标抛光方法；
步骤四、目标石英晶片抛光：按照目标石英晶片的目标抛光方法对目标石英晶片进行抛光，并对抛光后的目标石英晶片进行三维扫描，从而得到目标石英晶片抛光后的三维模型；
步骤五、目标石英晶片抛光质量分析：依据目标石英晶片抛光后的三维模型分析目标石英晶片对应的抛光质量评估系数；
步骤六、目标石英晶片处理：基于目标石英晶片对应的抛光质量评估系数进行相应预警。
2.根据权利要求1所述的一种石英晶片的抛光方法，其特征在于，所述分析各石英晶片对应的抛光质量评估系数，其具体分析方法为：
依据各石英晶片的抛光后三维模型获取各布设点对应的色度值，将其标记为各石英晶片实际抛光后对应各布设点的色度值；
从云数据库中提取石英晶片对应抛光后的参考三维模型，并获取各检测点的色度值，将其标记为石英晶片预计抛光后对应各检测点的色度值，从而据此分析各石英晶片对应的色度符合评估系数ηi，其中i表示为各石英晶片的编号，i＝1,2,...,n，其中n为大于2的任意整数；
依据各石英晶片的抛光后三维模型提取各石英晶片对应的厚度Hi、直径Di、体积Vi，并获取各石英晶片对应抛光后的轮廓；
从云数据库中提取石英晶片对应抛光后的标准厚度Hi′、标准直径Di′和标准体积Vi′，依据石英晶片对应抛光后的参考三维模型获取石英晶片对应抛光后的参考轮廓；
将各石英晶片对应抛光后的轮廓与参考轮廓进行重合对比，并据此获取各石英晶片抛光后的轮廓与参考轮廓的重合体积Vi′；
综合分析各石英晶片对应的外观符合评估系数εi；
综合分析各石英晶片对应的抛光质量评估系数其中e为自然常数，λ1、λ2分别表示为预定义的外观符合、色度符合对应的影响权重因子。
3.根据权利要求2所述的一种石英晶片的抛光方法，其特征在于，所述综合分析各石英晶片对应的外观符合评估系数εi，其具体分析方法为：
基于各石英晶片对应抛光后的三维模型，以各石英晶片的底面为参照面随机选取各测试点，以各石英晶片的参照面中心点为原点建立三维直角坐标系，进而获取各石英晶片所属底面各测试点的z轴坐标值zim，其中m表示为石英晶片所属底面各测试点的编号，m＝1,2,...,l，l为大于2的任意整数；
分析各石英晶片所属底面对应的平整评估系数其中zi(m+1)为第i个石英晶片所属底面第m+1个测试点的z轴坐标值，z′为预定义的z轴坐标允许偏差值；
同理，分析各石英晶片所属顶面对应的平整评估系数σi；
依据各石英晶片的抛光后三维模型提取各石英晶片对应的各灰度值，从而分析各石英晶片对应的外观缺陷评估指数
综合分析各石英晶片对应的外观符合评估系数其中γ1、γ2、γ3、γ4、γ5分别表示为预定义的厚度合理、直径合理、体积合理、平整合理、外观缺陷对应的权重系数。
4.根据权利要求3所述的一种石英晶片的抛光方法，其特征在于，所述分析各石英晶片对应的外观缺陷评估指数其具体分析方法为：
将各石英晶片对应的各灰度值与云数据库中存储的划痕灰度值范围进行对比，若某石英晶片对应的某灰度值处于划痕灰度值范围内，则将该灰度值标记为划痕灰度值，筛选出各石英晶片对应的各划痕灰度值，并获取各石英晶片所属各划痕灰度值对应的区域，将其标记为各石英晶片对应的各划痕区域，获取其对应的面积SIiv，其中v表示为各划痕区域的编号，v＝1,2,...,u，u为大于2的任意整数；
分析各石英晶片对应的外观缺陷评估指数
5.根据权利要求2所述的一种石英晶片的抛光方法，其特征在于，所述分析各石英晶片对应的色度符合评估系数ηi，其具体分析方法为：
依据各石英晶片实际抛光后对应各布设点的色度值Dip和石英晶片预计抛光后对应各检测点的色度值D′h，进而构建各石英晶片实际抛光后所属各布设点与各检测点的色度差值CZiph＝|Dip-D′h|，其中p表示为各布设点的编号，p＝1,2,...,q，q为大于2的任意整数，h表示为各检测点的编号，h＝1,2,...,g，g为大于2的任意整数；
分析各石英晶片对应的色度符合评估系数其中q为布设点的数量，g为检测点的数量。
6.根据权利要求1所述的一种石英晶片的抛光方法，其特征在于，所述目标石英晶片与各石英晶片的外观特性相似评估系数，其具体分析方法为：
依据目标石英晶片的三维模型获取其对应的轮廓，并获取目标石英晶片对应的轮廓体积VI；
依据各石英晶片的初始三维模型获取其对应的轮廓，并将其与目标石英晶片对应的轮廓进行重合对比，进而得到各石英晶片与目标石英晶片对应重合轮廓，从而获取其对应的体积VI′i；
依据目标石英晶片的三维模型获取目标石英晶片所属各目标点的色度值Fj，同理获取各石英晶片所属各指定点的色度值Eif，其中j表示为各目标点的编号，j＝1,2,...,k，k为大于2的任意整数，f表示为各指定点的编号，f＝1,2,...,t，t为大于2的任意整数；
综合分析目标石英晶片与各石英晶片的外观特性相似评估系数其中k为目标点的数量，t为指定点的数量。
7.根据权利要求6所述的一种石英晶片的抛光方法，其特征在于，所述目标石英晶片与各石英晶片的物理特性相似评估系数，其具体分析方法为：
从各石英晶片的特征信息中提取硬度Yi、密度Mi和热膨胀系数Ri；
从目标石英晶片的特征信息中提取硬度Y′、密度M′和热膨胀系数R′；
综合分析目标石英晶片与各石英晶片的物理特性相似评估系数其中χ1、χ2、χ3分别表示为预定义的硬度相似、密度相似、热膨胀系数相似对应的占比因子。
8.根据权利要求7所述的一种石英晶片的抛光方法，其特征在于，所述分析目标石英晶片与各石英晶片对应的综合匹配指数，其具体计算公式为：ψi＝e(ξi*δ1+ζi*δ2)，其中δ1、δ2分别表示为预定义的外观特性相似评估系数、物理特性相似评估系数对应的权值因子。
9.根据权利要求1所述的一种石英晶片的抛光方法，其特征在于，所述筛选目标石英晶片对应的各匹配石英晶片，其具体筛选方法为：将目标石英晶片与各石英晶片对应的综合匹配指数与预定义的综合匹配指数阈值进行对比，若目标石英晶片与某石英晶片对应的综合匹配指数大于或等于综合匹配指数阈值，则将该石英晶片标记为匹配石英晶片，从而得到目标石英晶片对应的各匹配石英晶片。
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