CN110480852B - Led晶圆片的切割裂片方法及系统 - Google Patents

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CN110480852B CN201910628281.8A CN201910628281A CN110480852B CN 110480852 B CN110480852 B CN 110480852B CN 201910628281 A CN201910628281 A CN 201910628281A CN 110480852 B CN110480852 B CN 110480852B
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Abstract

本发明提供了一种LED晶圆片的切割裂片方法及系统,所述方法包括:在LED晶圆片上的预设切割位置完成切割作业之后,获取与进行切割作业的切割机的机台标识关联的切割作业文件;对切割作业文件进行解码,获得切割机本次切割作业时的片厚数据;根据片厚数据,确定对LED晶圆片进行裂片作业的裂片机的裂片作业参数;根据裂片作业参数控制裂片机在LED晶圆片的各预设切割位置进行裂片作业。本发明根据切割作业时的片厚数据动态补偿裂片作业时的裂片作业参数,提高了产品良率和外观效果,进而满足更高要求的用户需求。

Description

LED晶圆片的切割裂片方法及系统
技术领域
本发明属于芯片加工领域,更具体地说,是涉及一种LED晶圆片的切割裂片方法及系统。
背景技术
在LED晶圆片的精密加工领域,随着激光加工技术越来越成熟,对如何提升芯片产品的良率和外观效果提出了越来越高的要求。目前LED晶圆片加工工艺中的切割,包括激光切割方式以及传统切割方式(如金刚刀切割、砂轮刀锯切等),由于传统的芯片切割方式效率低,成品率不高,无法满足现代化生产需求,而激光切割正逐渐取代传统切割,成为目前主流切割方式,激光切割又分为表层切割和内部切割,即隐形切割。切割的后道工序为裂片,现有技术中,在通过隐形切割机对LED晶圆片进行切割之后,需要保证在LED晶圆片上切割一定的切割深度,但在LED晶圆片的片厚差异稍大的情况下,由于切割深度已被限定,因此在裂片过程中可能会因为LED晶圆片的片厚差异而出现LED晶圆片的崩边、崩角等现象,也可能会出现无法裂开的现象,进而造成成本损失。
发明内容
本发明的目的在于提供一种LED晶圆片的切割裂片方法及系统,根据切割作业时的片厚数据动态补偿裂片作业时的裂片作业参数,提高了产品良率和外观效果,节约了成本,进而满足更高要求的用户需求。
为实现上述目的,本发明采用的技术方案是:提供一种LED晶圆片的切割裂片方法,包括:
在LED晶圆片上的预设切割位置完成切割作业之后,获取与进行切割作业的切割机的机台标识关联的切割作业文件;
对所述切割作业文件进行解码,获得所述切割机本次切割作业时的片厚数据;
根据所述片厚数据,确定对所述LED晶圆片进行裂片作业的裂片机的裂片作业参数;
根据所述裂片作业参数控制所述裂片机在所述LED晶圆片上的各所述预设切割位置进行裂片作业。
进一步地,所述在LED晶圆片上的预设切割位置完成切割作业之后,获取与进行切割作业的切割机的机台标识关联的切割作业文件之前,包括:
在所述LED晶圆片的水平面上建立直角坐标系,所述直角坐标系的X方向和Y方向是指在所述LED晶圆片的水平面上相互垂直的两个方向;
获取所述LED晶圆片的基准片厚,同时获取用于放置所述LED晶圆片的载台的载台平面度;
获取所述切割机进行切割作业时在所述LED晶圆片上的预设基准点的初始电压值,并获取在所述X方向和所述Y方向上的电压值;
根据所述基准片厚、所述载台平面度、所述初始电压值、所述X方向和所述Y方向上的电压值,获得各所述预设切割位置对应的所述片厚数据;
对各所述预设切割位置对应的所述片厚数据进行编码,生成所述切割作业文件,并将所述切割作业文件与进行切割作业的所述切割机的机台标识进行关联存储。
进一步地,所述切割机包括安装在所述切割机上的测距仪;所述获取所述LED晶圆片的基准片厚,包括:
根据预设的片内测试参数,控制所述测距仪在所述直角坐标系内移动至各片内测试点,并根据所述测距仪在各所述片内测试点测定的片内高度值生成第一测试样本;所述片内测试参数包括预设第一数量的片内测试点、每一个所述片内测试点的坐标值;
根据预设的片外测试参数,控制所述测距仪在所述直角坐标系内移动至各片外测试点,并根据所述测距仪在各所述片外测试点测定的片外高度生成第二测试样本;所述片外取点参数包括预设第二数量的片外测试点、每一个所述片外测试点的坐标值;
将所述第一测试样本与所述第二测试样本输入至预设的滤波模型中,并接收所述滤波模型输出的所述基准片厚。
进一步地,所述根据所述基准片厚、所述载台平面度、所述初始电压值、所述X方向和所述Y方向上的电压值,获得各所述预设切割位置对应的所述片厚数据,包括:
根据预设的划分段数量对所述X方向和所述Y方向上的电压值进行分段,并获取各所述划分段的电压平均值;每一个所述划分段对应一个所述预设切割位置;
将所述基准片厚、所述载台平面度、所述初始电压值以及各所述划分段的所述电压平均值输入至数据转换模型中,接收所述数据转换模型输出的对应于各所述预设切割位置的片厚数据。
进一步地,所述数据转换模型为:
Si=D*(Vi-V0)+J-M
其中,Si为第i个所述划分段的所述片厚数据;D为片厚转换值;Vi为第i个所述划分段的所述电压平均值;V0为在预设基准点的所述初始电压值;J为所述基准片厚;M为所述载台平面度。
进一步地,所述根据所述片厚数据,确定对所述LED晶圆片进行裂片作业的裂片机的裂片作业参数,包括:
将所述片厚数据输入至预设的异常检测模型中,并接收所述异常检测模型输出的检测结果;
在所述检测结果为片厚数据无异常时,自数据库获取标准裂片刀深和标准击锤力度,并将所述标准裂片刀深和所述标准击锤力度记录为所述裂片作业参数。
进一步地,所述将所述片厚数据输入至预设的异常检测模型中,并接收所述异常检测模型输出的检测结果之后,包括:
在在所述检测结果为片厚数据存在异常时,根据所述片厚数据对所述标准裂片刀深进行调整,并将所述标准击锤力度和调整后的所述标准裂片刀深记录为所述裂片作业参数。
进一步地,所述根据所述片厚数据对所述标准裂片刀深进行调整,包括:
将所述片厚数据输入至预设的作业参数调整模型中,接收所述作业参数调整模型输出的调整后的所述标准裂片刀深;所述作业参数调整模型包括:
Figure GDA0002989298610000041
其中,Ls为调整后的所述标准裂片刀深;L0为所述标准裂片刀深;K1为第一调整系数;K2为第二调整系数;θ为误差值;Si为第i个划分段的所述片厚数据;J为所述基准片厚。
本发明还提供一种LED晶圆片的切割裂片系统,所述LED晶圆片的切割裂片系统应用于所述的LED晶圆片的切割裂片方法;所述LED晶圆片的切割裂片系统包括控制器、与所述控制器通信连接的切割机、与所述控制器通信连接的裂片机;所述切割机用于在在所述LED晶圆片上的预设切割位置完成切割作业;所述裂片机用于在所述LED晶圆片上的各所述预设切割位置进行裂片作业;所述控制器包括:
文件获取模型,用于在LED晶圆片上的预设切割位置完成切割作业之后,获取与进行切割作业的切割机的机台标识关联的切割作业文件;
文件解码模块,用于对所述切割作业文件进行解码,获得所述切割机本次切割作业时的片厚数据;
参数检测模块,用于根据所述片厚数据,确定对所述LED晶圆片进行裂片作业的裂片机的裂片作业参数;
裂片作业模块,用于根据所述裂片作业参数控制所述裂片机在所述LED晶圆片上的各所述预设切割位置进行裂片作业。
进一步地,所述切割机包括安装在所述切割机上的测距仪,所述测距仪与所述控制器通信连接;
所述测距仪用于在直角坐标系内,测定每一个片内测试点的片内高度值以及每一个片外测试点的片外高度值。
本发明提供的LED晶圆片的切割裂片方法,在利用切割机对LED晶圆片进行切割作业之后,获取与切割机的机台标识关联的切割作业文件,并对其进行解码获得本次切割作业时的片厚数据,此时,根据片厚数据确定对LED晶圆片进行裂片作业时的裂片作业参数,进而根据裂片作业参数控制裂片机在LED晶圆片上的各预设切割位置进行裂片作业。本发明实现了切割机与裂片机之间数据共享,根据切割作业时的片厚数据动态补偿裂片作业时的裂片作业参数,提高了产品良率和外观效果,节约了成本,进而满足更高要求的用户需求。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明一实施例提供的LED晶圆片的切割裂片方法的流程图;
图2为本发明另一实施例提供的LED晶圆片的切割裂片方法的流程图;
图3为本发明一实施例提供的LED晶圆片的切割裂片方法的所述步骤S60的流程图;
图4为本发明一实施例提供的LED晶圆片的切割裂片方法的所述步骤S30的流程图。
具体实施方式
为了使本发明所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
需要说明的是,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
请参阅图1,现对本发明提供的LED晶圆片的切割裂片方法进行说明,具体包括以下步骤:
S10,在LED晶圆片上的预设切割位置完成切割作业之后,获取与进行切割作业的切割机的机台标识关联的切割作业文件。
在本实施例中,与控制器对应的控制服务器检测到已完成对LED晶圆片的切割作业之后,利用进行切割作业的切割机的机台标识,自数据库中获取与机台标识关联、且与本次切割作业对应的切割作业文件,可以提高数据调用的实时性。作为优选,本次切割作业的机台标识以及对应的切割作业文件已关联存储于数据库中。且作为优选,所述切割机为激光隐形切割机。
在另一实施例中,与控制器对应的控制服务器检测到已完成对LED晶圆片的切割作业之后,利用唯一文件标识,自数据库获取与唯一文件标识关联、且与本次切割作业对应的切割作业文件。作为优选,本次切割作业对应的切割作业文件以及切割作业文件的文件标识已关联存储于数据库中;所述文件标识可以根据进行切割作业的切割机的机台标识以及本次切割作业的序列号自动生成,亦可以由用户进行定义命名。
S20,对所述切割作业文件进行解码,获得所述切割机本次切割作业时的片厚数据。
可理解的,利用与预设编码格式对应的解码格式,对上述步骤S10获得的切割作业文件进行解码,获得切割机进行本次切割作业时的片厚数据。作为优选,所述预设编码格式是指将片厚数据进行数据转换,获得二进制字符之后,再对二进制字符进行异或操作;所述解码格式是指将自切割作业文件中读取到的数据进行异或操作和数据逆转换。
S30,根据所述片厚数据,确定对所述LED晶圆片进行裂片作业的裂片机的裂片作业参数。
在本实施例中,在步骤S20中获得本次切割作业时的片厚数据之后,根据片厚数据自预设的作业参数关系表匹配比对出对应的片厚值范围,以及对应于片厚值范围的裂片作业参数即可。作为优选,所述作业参数关系表已预先存储在数据库中,且所述作业参数关系表中包含连续多个的片厚值范围以及对应于每一个片厚值范围的裂片作业参数;所述裂片作业参数包括但不限于裂片刀深、击锤力度等。可选地,所述作业参数关系表设置有包含基准片厚的片厚值范围,对应于包含基准片厚的片厚值范围设置的标准裂片刀深、标准击锤力度等。
S40,根据所述裂片作业参数控制所述裂片机在所述LED晶圆片上的各所述预设切割位置进行裂片作业。
其中,所述裂片作业参数包括但不限于裂片机进行裂片作业时的裂片刀深和击锤力度等。可理解的,在进行裂片作业时,利用切割作业所得的片厚数据,针对LED晶圆片上的各预设切割位置确定对应的裂片刀深和击锤力度,进而控制裂片机以该裂片刀深和该击锤力度,在LED晶圆片上的各预设切割位置进行切割作业。
在一实施例中,上述步骤S10至所述步骤S40的控制器独立于进行切割作业的切割机以及进行裂片作业的裂片机设置,此时,该控制器与切割机和裂片机分别通信连接。
在另一实施例中,上述步骤S10至所述步骤S40的控制器设置于进行裂片作业的裂片机,且该控制器与切割机进行通信连接,也即裂片机通过网络与切割机进行通信连接。同理,所述控制器也可以设置在所述切割机中。可理解地,所述切割机与所述裂片机可以集成在同一设备中。
综上所述,本实施例提供的LED晶圆片的切割裂片方法,在利用切割机对LED晶圆片进行切割作业之后,获取与切割机的机台标识关联的切割作业文件,并对其进行解码获得本次切割作业时的片厚数据,此时,根据片厚数据确定对LED晶圆片进行裂片作业时的裂片作业参数,进而根据裂片作业参数控制裂片机在LED晶圆片上的各预设切割位置进行裂片作业。本实施例实现了切割机与裂片机之间数据共享,根据切割作业时的片厚数据动态补偿裂片作业时的裂片作业参数,提高了产品良率和外观效果,节约了成本,进而满足更高要求的用户需求。
进一步地,请参阅图2,作为本发明提供的LED晶圆片的切割裂片方法的一种具体实施方式,所述步骤S10之前,包括以下步骤:
S50,在所述LED晶圆片的水平面上建立直角坐标系,所述直角坐标系的X方向和Y方向是指在所述LED晶圆片的水平面上相互垂直的两个方向。
可理解的,所述直角坐标系中包括X方向、Y方向以及预设基准点;所述预设基准点为LED晶圆片的中心位置。
S60,获取所述LED晶圆片的基准片厚,同时获取用于放置所述LED晶圆片的载台的载台平面度。
作为优选,LED晶圆片的基准片厚和用于放置LED晶圆片的载台的载台平面度已预先存储于数据库中。此时,在进行裂片作业时,直接从数据库中调用即可,减少了裂片作业时间,进而提高了整体生产效率。可选地,用于放置LED晶圆片的所述载台可以为玻璃载台。
可理解的,为了避免载台的载台平面度对测定数据的影响,可以在测定LED晶圆片的各预设切割位置的片厚数据之前,利用测距仪测定整体的载台平面度,生成包含X方向和Y方向上的平面度的补偿数据文件,以减少载台平面度带来的误差。
S70,获取所述切割机进行切割作业时在所述LED晶圆片上的预设基准点的初始电压值,并获取在所述X方向和所述Y方向上的电压值。
作为优选,首先控制测距仪移动至直角坐标系的预设基准点,并利用测距仪测定预设基准点的初始电压值;然后控制测距仪沿着直角坐标系的X方向进行移动,并利用测距仪测定X方向上的电压值;最后控制测距仪沿着直角坐标系的Y方向进行移动,并利用测距仪测定Y方向上的电压值。其中,所述X方向上的电压值可以反映LED晶圆片在X方向上的电压值波动趋势;所述Y方向上的电压值可以反映LED晶圆片在Y方向上的电压值波动趋势。
可理解的,测定X方向上的电压值和Y方向上的电压值可以同时进行(此时,在切割机上可以设有多个测距仪,并利用多个测距仪分别测定X方向和Y方向上的电压值),也可以某一方向优先进行。
S80,根据所述基准片厚、所述载台平面度、所述初始电压值、所述X方向和所述Y方向上的电压值,获得各所述预设切割位置对应的所述片厚数据。
作为优选,所述步骤S80包括以下步骤:
首先,根据预设的划分段数量对所述X方向和所述Y方向上的电压值进行分段,并获取各所述划分段的电压平均值;每一个所述划分段对应一个所述预设切割位置。也即,利用测距仪测定出X方向和Y方向的电压值,X方向和Y方向的电压值的数据量可以达到几万个,根据电压值的数据量和/或LED晶圆片的直径长度确定划分段数量,进而根据划分段数量对X方向和Y方向的电压值进行分段(例如,根据划分段数量划分为100段),分别将X方向上每一个划分段的数据从左至右依次排序、Y方向上每一个划分段的数据从上至下依次排序,并分别采用限幅滤波算法过滤掉片外的电压值、中值滤波算法过滤掉片内的异常电压值,进而分段计算出每一个划分段的电压平均值。
在一实施例中,所述利用限幅滤波算法过滤掉片外电压值,具体包括以下步骤:从LED晶圆片的片外(也即膜上)开始测定电压值,也即从LED晶圆片的片外向LED晶圆片的片内进行取值,检测并记录突变值个数,当连续记录的突变值个数大于或等于预设第一阈值时,确定测定的电压值已经处于LED晶圆片的片内,同时开始记录片内的电压值;此时,检测LED晶圆片的片内是否存在突变值,在LED晶圆片的片内存在突变值时,以此前测定的电压值进行替代,并记录突变值个数,当连续记录的突变值个数大于或等于第二预设阈值时结束取值。其中,所述检测突变值,具体包括以下步骤:获取预设的基准值;将测定的电压值与该基准值进行比较,在电压值与基准值之差的绝对值大于限幅值时,确定测定的电压值为突变值;而在电压值与基准值之差的绝对值小于或等于限幅值时,确定测定的电压值不为突变值。
然后,将所述基准片厚、所述载台平面度、所述初始电压值以及各所述划分段的所述电压平均值输入至所述数据转换模型中,接收所述数据转换模型输出的对应于各所述预设切割位置的片厚数据。
作为优选,所述数据转换模型为:
Si=D*(Vi-V0)+J-M
其中,Si为第i个所述划分段的所述片厚数据;D为片厚转换值;Vi为第i个所述划分段的所述电压平均值;V0为在预设基准点的所述初始电压值;J为所述基准片厚;M为所述载台平面度。
在本实施例中,利用所述片厚转换值将电压值转换至片厚值;例如,1V的电压值可转换为10um的片厚值。
S90,对各所述预设切割位置对应的所述片厚数据进行编码,生成所述切割作业文件,并将所述切割作业文件与进行切割作业的所述切割机的机台标识进行关联存储。
作为优选,将每一个划分段的片厚数据按照预设编码格式(参考所述步骤S20)进行编码之后,再保存至预设的空白文件中,进而生成切割作业文件,此时,获取进行切割作业的切割机的机台标识,并将机台标识与本次切割作业对应的切割作业文件关联存储至数据库中即可。
在另一实施例中,在生成切割作业文件之后,根据进行切割作业的切割机的机台标识以及本次切割作业的序列号生成一个唯一文件标识,并将唯一文件标识和切割作业文件关联存储至数据库中,此时,在所述步骤S10中,在LED晶圆片上的预设切割位置完成切割作业之后,根据唯一文件标识获取与本次切割作业对应的切割作业文件即可。其中,所述本次切割作业的序列号可以根据切割作业的日期、切割作业的次数、单个或多个随机码等生成。例如,若切割作业的日期为2019年5月17日和切割作业的次数为102次,且单个随机码为x,则本次切割作业的序列号可以为“20190517102.x”。
综上所述,本实施例提供的LED晶圆片的切割裂片方法,根据LED晶圆片的基准片厚、载台的载台平面度、测定的预设基准点的初始电压值、测定的X方向和Y方向上的电压值,获得预设切割位置对应的片厚数据,此时,利用预设切割位置对应的片厚数据编码生成切割作业文件,并将切割作业文件与切割机的机台标识进行关联存储。本实施例实现了数据实时存储,并保证了切割机与裂片机之间数据共享的准确性、有效性和实时性;同时提高了数据的可追溯性,且便于数据实时更新。
进一步地,请参阅图3,作为本发明提供的LED晶圆片的切割裂片方法的一种具体实施方式,所述切割机包括安装在所述切割机上的测距仪;所述步骤S60中获取所述LED晶圆片的基准片厚,包括以下步骤:
S601,根据预设的片内测试参数,控制所述测距仪在所述直角坐标系内移动至各片内测试点,并根据所述测距仪在各所述片内测试点测定的片内高度值生成第一测试样本;所述片内测试参数包括预设第一数量的片内测试点、每一个所述片内测试点的坐标值。
其中,所述片内测试参数包含但不限于预设第一数量的片内测试点、每一个片内测试点的坐标值。
示例性的,在LED晶圆片中间设置5个片内测试点,可以是在以预设基准点P0(X0,Y0)为圆心、半径为R(如R为0.005mm)的圆上,按照指定方向依次设置P2、P3、P4和P5,则P1(X0+R,Y0+R)、P2(X0+R,Y0-R)、P3(X0-R,Y0-R)、P4(X0-R,Y0+R),此时,控制测距仪在直角坐标系内依次移动至P0、P2、P3、P4和P5,通过测距仪测定对应于各个片内测试点的片内高度值,进而根据对应于各个片内测试点的片内高度值生成第一测试样本。可理解的,在各个片内测试点上进行取值,有利于避免由于LED晶圆片上的异常突起(如灰尘等)造成的误差。
S602,根据预设的片外测试参数,控制所述测距仪在所述直角坐标系内移动至各片外测试点,并根据所述测距仪在各所述片外测试点测定的片外高度生成第二测试样本;所述片外取点参数包括预设第二数量的片外测试点、每一个所述片外测试点的坐标值。
其中,所述片外取点参数包括但不限于预设第二数量的片外测试点、每一个所述片外测试点的坐标值。
示例性的,在膜上(也即,LED晶圆片的片外)设置5个固定的片外测试点,各片外测试点可以距离LED晶圆片的边缘2mm~5mm,此时,控制测距仪按照预设的移动路线在直角坐标系内移动各个片外测试点,通过测距仪测定对应于各个片外测试点的片外高度值,并根据对应于各个片外测试点的片外高度值生成第二测试样本。
S603,将所述第一测试样本与所述第二测试样本输入至预设的滤波模型中,并接收所述滤波模型输出的所述基准片厚。
具体的,利用预设的滤波模型去掉第一测试样本和第二测试样本中的最大值及最小值,再计算去掉最大值和最小值的第一测试样本对应的平均值及第二测试样本对应的平均值,进而将第一测试样本对应的平均值与第二测试样本对应的平均值之差的绝对值作为基准片厚。
综上所述,本实施例提供的LED晶圆片的切割裂片方法,根据测距仪在各片内测试点测定的片内高度值生成第一测试样本,同时根据测试仪在各片外测试点测定的片外高度生成第二测试样本,进而将第一测试样本与第二测试样本输入至预设的滤波模型中,即可接收滤波模型输出的基准片厚。本实施例提高了数据检测效率以及数据准确度。
进一步地,请参阅图4,作为本发明提供的LED晶圆片的切割裂片方法的一种具体实施方式,所述步骤S30包括以下步骤:
S301,将所述片厚数据输入至预设的异常检测模型中,并接收所述异常检测模型输出的检测结果。
作为优选,利用该异常检测模型中包含的基准片厚和片厚误差值来判定切割机进行本次切割作业时的片厚数据是否存在异常。进一步地,若本次切割作业时的片厚数据与异常检测模型中包含的基准片厚之差的绝对值大于片厚误差值时,则令异常检测模型输出片厚数据无异常的检测结果;而若本次切割作业时的片厚数据与异常检测模型中包含的基准片厚之差的绝对值小于或者等于片厚误差值时,则令异常检测模型输出片厚数据存在异常的检测结果。例如,若片厚数据为Si,且异常检测模型中包含的基准片厚为J以及预设误差值为θ,则在|Si-J|>θ时,令异常检测模型输出片厚数据存在异常的检测结果;而在|Si-J|≤θ时,令异常检测模型输出片厚数据无异常的检测结果。
S302,在所述检测结果为片厚数据无异常时,自数据库获取标准裂片刀深和标准击锤力度,并将所述标准裂片刀深和所述标准击锤力度记录为所述裂片作业参数。
可理解的,在检测结果为片厚数据无异常时,自数据库中获取与基准片厚对应的标准裂片刀深和标准击锤力度即可,此时,无需自预设的作业参数关系表匹配与片厚数据匹配的裂片作业参数,提高了数据匹配效率。
在另一实施例中,请参阅图4,作为本发明提供的LED晶圆片的切割裂片方法的一种具体实施方式,所述步骤S30还包括以下步骤:
S303,在所述检测结果为片厚数据存在异常时,根据所述片厚数据对所述标准裂片刀深进行调整,并将所述标准击锤力度和调整后的所述标准裂片刀深记录为所述裂片作业参数。也即,保持标准击锤力度不变,仅需根据片厚数据调整标准裂片刀深即可。
进一步地,所述步骤S303中根据所述片厚数据对所述标准裂片刀深,包括以下步骤:
将所述片厚数据输入至预设的作业参数调整模型中,接收所述作业参数调整模型输出的调整后的所述标准裂片刀深;所述作业参数调整模型包括:
Figure GDA0002989298610000141
其中,Ls为调整后的所述标准裂片刀深;L0为所述标准裂片刀深;K1为第一调整系数;K2为第二调整系数;θ为误差值。可理解的,在Si-J≥-θ或者Si-J≤θ时,无需根据片厚数据调整标准裂片刀深,也即检测结果为片厚数据无异常。
综上所述,本实施例提供的LED晶圆片的切割裂片方法,利用异常检测模型检测片厚数据,获得检测结果,并在检测结果为片厚数据无异常时,获取标准裂片刀深和标准击锤力度作为裂片作业参数;而在检测结果为片厚数据存在异常时,将标准击锤力度以及根据片厚数据调整标准裂片刀深作为裂片作业参数。本实施例提高了数据检测效率,同时针对异常的片厚数据,对与片厚数据对应的LED晶圆片上的预设切割位置所使用的裂片刀深等关键作业参数进行调整,以达到动态补充裂片作业的目的,提高了LED晶圆片的裂片良率,进而提高了LED芯片的制成良率以及外观效果。
进一步地,本发明还提供一种LED晶圆片的切割裂片系统,所述的LED晶圆片的切割裂片系统应用于上述的LED晶圆片的切割裂片方法,所述的LED晶圆片的切割裂片系统包括控制器、与所述控制器通信连接的切割机、与所述控制器通信连接的裂片机;所述切割机用于在在所述LED晶圆片上的预设切割位置完成切割作业;所述裂片机用于在所述LED晶圆片上的各所述预设切割位置进行裂片作业;所述控制器包括以下功能模块,各功能模块详细说明如下:
文件获取模型,用于在LED晶圆片上的预设切割位置完成切割作业之后,获取与进行切割作业的切割机的机台标识关联的切割作业文件。
文件解码模块,用于对所述切割作业文件进行解码,获得所述切割机本次切割作业时的片厚数据。
参数检测模块,用于根据所述片厚数据,确定对所述LED晶圆片进行裂片作业的裂片机的裂片作业参数。
裂片作业模块,用于根据所述裂片作业参数控制所述裂片机在所述LED晶圆片上的各所述预设切割位置进行裂片作业。
进一步地,作为本发明提供的LED晶圆片的切割裂片系统的一种具体实施方式,所述切割机包括安装在所述切割机上的测距仪,所述测距仪与所述控制器通信连接;
所述测距仪用于在直角坐标系内,测定每一个片内测试点的片内高度值以及每一个片外测试点的片外高度值。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种LED晶圆片的切割裂片方法,其特征在于,包括:
在LED晶圆片上的预设切割位置完成切割作业之后,获取与进行切割作业的切割机的机台标识关联的切割作业文件;
对所述切割作业文件进行解码,获得所述切割机本次切割作业时的片厚数据;
根据所述片厚数据,确定对所述LED晶圆片进行裂片作业的裂片机的裂片作业参数;
根据所述裂片作业参数控制所述裂片机在所述LED晶圆片上的各所述预设切割位置进行裂片作业;
所述在LED晶圆片上的预设切割位置完成切割作业之后,获取与进行切割作业的切割机的机台标识关联的切割作业文件之前,包括:
在所述LED晶圆片的水平面上建立直角坐标系,所述直角坐标系的X方向和Y方向是指在所述LED晶圆片的水平面上相互垂直的两个方向;
获取所述LED晶圆片的基准片厚,同时获取用于放置所述LED晶圆片的载台的载台平面度;
获取所述切割机进行切割作业时在所述LED晶圆片上的预设基准点的初始电压值,并获取在所述X方向和所述Y方向上的电压值;
根据所述基准片厚、所述载台平面度、所述初始电压值、所述X方向和所述Y方向上的电压值,获得各所述预设切割位置对应的所述片厚数据;
对各所述预设切割位置对应的所述片厚数据进行编码,生成所述切割作业文件,并将所述切割作业文件与进行切割作业的所述切割机的机台标识进行关联存储。
2.如权利要求1所述的LED晶圆片的切割裂片方法,其特征在于,所述切割机包括安装在所述切割机上的测距仪;
所述获取所述LED晶圆片的基准片厚,包括:
根据预设的片内测试参数,控制所述测距仪在所述直角坐标系内移动至各片内测试点,并根据所述测距仪在各所述片内测试点测定的片内高度值生成第一测试样本;所述片内测试参数包括预设第一数量的片内测试点、每一个所述片内测试点的坐标值;
根据预设的片外测试参数,控制所述测距仪在所述直角坐标系内移动至各片外测试点,并根据所述测距仪在各所述片外测试点测定的片外高度生成第二测试样本;所述片外测试参数包括预设第二数量的片外测试点、每一个所述片外测试点的坐标值;
将所述第一测试样本与所述第二测试样本输入至预设的滤波模型中,并接收所述滤波模型输出的所述基准片厚。
3.如权利要求1所述的LED晶圆片的切割裂片方法,其特征在于,所述根据所述基准片厚、所述载台平面度、所述初始电压值、所述X方向和所述Y方向上的电压值,获得各所述预设切割位置对应的所述片厚数据,包括:
根据预设的划分段数量对所述X方向和所述Y方向上的电压值进行分段,并获取各所述划分段的电压平均值;每一个所述划分段对应一个所述预设切割位置;
将所述基准片厚、所述载台平面度、所述初始电压值以及各所述划分段的所述电压平均值输入至数据转换模型中,接收所述数据转换模型输出的对应于各所述预设切割位置的片厚数据。
4.如权利要求3所述的LED晶圆片的切割裂片方法,其特征在于,所述数据转换模型为:
Si=D*(Vi-V0)+J-M
其中,Si为第i个所述划分段的所述片厚数据;D为片厚转换值;Vi为第i个所述划分段的所述电压平均值;V0为在预设基准点的所述初始电压值;J为所述基准片厚;M为所述载台平面度。
5.如权利要求1所述的LED晶圆片的切割裂片方法,其特征在于,所述根据所述片厚数据,确定对所述LED晶圆片进行裂片作业的裂片机的裂片作业参数,包括:
将所述片厚数据输入至预设的异常检测模型中,并接收所述异常检测模型输出的检测结果;
在所述检测结果为片厚数据无异常时,自数据库获取标准裂片刀深和标准击锤力度,并将所述标准裂片刀深和所述标准击锤力度记录为所述裂片作业参数。
6.如权利要求5所述的LED晶圆片的切割裂片方法,其特征在于,所述将所述片厚数据输入至预设的异常检测模型中,并接收所述异常检测模型输出的检测结果之后,包括:
在所述检测结果为片厚数据存在异常时,根据所述片厚数据对所述标准裂片刀深进行调整,并将所述标准击锤力度和调整后的所述标准裂片刀深记录为所述裂片作业参数。
7.如权利要求6所述的LED晶圆片的切割裂片方法,其特征在于,所述根据所述片厚数据对所述标准裂片刀深进行调整,包括:
将所述片厚数据输入至预设的作业参数调整模型中,接收所述作业参数调整模型输出的调整后的所述标准裂片刀深;所述作业参数调整模型包括:
Figure FDA0003008410320000031
其中,Ls为调整后的所述标准裂片刀深;L0为所述标准裂片刀深;K1为第一调整系数;K2为第二调整系数;θ为误差值;Si为第i个划分段的所述片厚数据;J为所述基准片厚。
8.一种LED晶圆片的切割裂片系统,其特征在于,所述LED晶圆片的切割裂片系统应用于如权利要求1至7任一项所述的LED晶圆片的切割裂片方法;所述LED晶圆片的切割裂片系统包括控制器、与所述控制器通信连接的切割机、与所述控制器通信连接的裂片机;所述切割机用于在在所述LED晶圆片上的预设切割位置完成切割作业;所述裂片机用于在所述LED晶圆片上的各所述预设切割位置进行裂片作业;所述控制器包括:
文件获取模型,用于在LED晶圆片上的预设切割位置完成切割作业之后,获取与进行切割作业的切割机的机台标识关联的切割作业文件;
文件解码模块,用于对所述切割作业文件进行解码,获得所述切割机本次切割作业时的片厚数据;
参数检测模块,用于根据所述片厚数据,确定对所述LED晶圆片进行裂片作业的裂片机的裂片作业参数;
裂片作业模块,用于根据所述裂片作业参数控制所述裂片机在所述LED晶圆片上的各所述预设切割位置进行裂片作业。
9.如权利要求8所述的LED晶圆片的切割裂片系统,其特征在于,所述切割机包括安装在所述切割机上的测距仪,所述测距仪与所述控制器通信连接;
所述测距仪用于在直角坐标系内,测定每一个片内测试点的片内高度值以及每一个片外测试点的片外高度值。
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