JP2008148474A - Dc/dcコンバータ及び液晶表示装置 - Google Patents

Dc/dcコンバータ及び液晶表示装置 Download PDF

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Abstract

【課題】チャージポンプの昇圧特性若しくは降圧特性を向上することができるDC/DCコンバータ及び液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置のDC/DCコンバータにおいて、ガラス基板上に配設され、一方の主電極が出力端子に接続され、制御電極に制御信号が入力され、非単結晶半導体により構成された薄膜トランジスタ215cと、薄膜トランジスタ215cの他方の主電極に一方の電極が接続され、他方の電極に可変電圧が印加されるキャパシタ2132と、薄膜トランジスタ215cの他方の主電極及びキャパシタ2132の一方の電極と電源端子VDDとの間に電気的に直列に接続され、単結晶半導体により構成されたダイオード2131とを有するチャージポンプ214及び215を備える。
【選択図】図1

Description

本発明は、DC/DCコンバータ及び液晶表示装置に関し、特に絶縁基板上に薄膜トランジスタを利用して構築されたDC/DCコンバータ及びそれを備えた液晶表示装置に関する。
液晶表示装置は、透明ガラス基板上に配設された液晶表示部と、この液晶表示部の周囲に配設されたドライバと、このドライバに駆動電圧を供給するDC/DCコンバータとを備えている。液晶表示部においては複数の画素がマトリックス状に配列されている。1つ画素は垂直走査線(ゲート信号線)と水平走査線(映像信号線)との交差部に配置されている。画素は、薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタのソース領域に電気的に直列に接続された画素電極と、画素電極に対向配置された共通画素電極と、画素電極と共通画素電極との間に封入された液晶とを備えて構成されている。画素の薄膜トランジスタのドレイン領域には水平走査線が接続され、ゲート電極には垂直走査線が接続されている。
業務用や家庭用に使用されるテレビジョンとしての大型の液晶表示装置の需要は益々高まる傾向にある。一方、携帯電話機、無線機、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ等に組み込まれる例えば20インチ以下の液晶表示部を有する小型中型の液晶表示装置の需要は大型の液晶表示装置の需要に劣らず高まる傾向にある。
小型中型の液晶表示装置においては、液晶表示部の有効表示面積をできる限り確保しつつ、液晶表示部の周辺回路の占有面積を縮小し、全体として小型化を図る傾向にある。例えば、携帯電話機においては、液晶表示部の大画面化の要求があり、一方、このような液晶表示部を電話機本体の限られたスペース内に収納することが要求されている。
このような要求に対して、液晶表示部の透明ガラス基板上に周辺回路の一部を直接作り込む技術の開発が進められている。周辺回路を構築する一部の素子には液晶表示部の画素の薄膜トランジスタと同様の薄膜トランジスタが使用されている。具体的には、垂直走査線を選択し駆動する垂直ドライバ、水平走査線を選択し駆動する水平ドライバ、DC/DCコンバータはいずれも液晶表示部の画素を構築する素子と同一製造プロセスにより製造された同一断面構造の素子により構成されている。DC/DCコンバータのチャージポンプを構築するトランジスタには薄膜トランジスタが使用されている。
液晶表示装置の製造プロセスにおいて、薄膜トランジスタは高温度熱処理に耐えることが難しい透明ガラス基板上に製造されているので、薄膜トランジスタには低温度プロセスにおいて成膜することができる多結晶シリコン膜(以下、単に「低温ポリシリコン膜」という。)が使用されている。すなわち、薄膜トランジスタのチャネル形成領域、ソース領域及びドレイン領域がこの低温ポリシリコン膜により製作されている。薄膜トランジスタは、これらチャネル形成領域、ソース領域及びドレイン領域に加え、チャネル形成領域の表面上のゲート酸化膜及びこのゲート酸化膜の表面上に形成されたゲート電極を備えている。ゲート酸化膜は例えば化学的気相成長(CVD)法により成膜されている。
なお、DC/DCコンバータのチャージポンプが薄膜トランジスタにより構成される液晶表示装置については、例えば下記特許文献1に記載されている。
米国特許出願番号 第7,072,193 B2
しかしながら、前述のDC/DCコンバータ及びそれを備えた液晶表示装置においては、以下の点について配慮がなされていなかった。小型中型の液晶表示装置においては、商用電源からの電源供給ではなく、電池やバッテリィからの電源供給により駆動することを前提としている場合が多い。低消費電力化を図るために液晶表示装置の駆動電圧は低電圧化の傾向にあり、液晶表示装置の内部においてDC/DCコンバータのチャージポンプにより昇圧並びに降圧された電源電圧や信号が使用されるものの、DC/DCコンバータに供給される電源自体は例えば3Vの低電圧である。この低電圧の電源が供給される昇圧型チャージポンプにおいては、電源端子と昇圧用キャパシタとの間に電流の供給を制御し、スイッチング素子として使用されるpチャネル導電型薄膜トランジスタが挿入されている。ところが、この薄膜トランジスタのチャネル形成領域は前述のように低温ポリシリコン膜により形成され、チャネル形成領域内に存在する結晶粒界の位置や大きさにばらつきが生じるので、薄膜トランジスタの閾値電圧(Vth)にばらつきが発生する。更に、チャネル形成領域は低温ポリシリコン膜により形成されているので、チャネル形成領域上に成膜させるゲート酸化膜の膜質にばらつきが生じ、同様に薄膜トランジスタの閾値電圧にばらつきが発生する。このため、薄膜トランジスタのゲート電圧とソース領域との間の電圧差(Vgs)を十分に確保することができないので、薄膜トランジスタの電流駆動能力が低下する。一方、DC/DCコンバータの降圧型チャージポンプにおいては、接地端子と降圧用キャパシタとの間に電流の供給を制御し、スイッチング素子として使用されるnチャネル導電型薄膜トランジスタが挿入されている。この薄膜トランジスタは前述のpチャネル導電型薄膜トランジスタと同様に低温ポリシリコン膜によりチャネル形成領域が形成されているので、薄膜トランジスタの電流駆動能力が低下する。
これら昇圧型チャージポンプ並びに降圧型チャージポンプは結果的には昇圧特性並びに降圧特性が低下することを意味し、液晶表示装置の液晶表示部における表示動作速度の低下を誘発する。
本発明は上記課題を解決するためなされたものである。従って、本発明の目的は、チャージポンプの昇圧特性若しくは降圧特性を向上することができるDC/DCコンバータを提供することである。
更に、本発明の目的は、DC/DCコンバータのチャージポンプの昇圧特性若しくは降圧特性を向上することができ、液晶表示部の表示動作速度を向上することができる液晶表示装置を提供することである。
本発明の実施の形態に係る第1の特徴は、DC/DCコンバータにおいて、絶縁基板上に配設され、一方の主電極が出力端子に接続され、制御電極に制御信号が入力され、非単結晶半導体により構成された薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタの他方の主電極に一方の電極が接続され、他方の電極に可変電圧が印加されるキャパシタと、薄膜トランジスタの他方の主電極及びキャパシタの一方の電極と電源端子との間に電気的に直列に接続され、単結晶半導体により構成されたダイオードとを有するチャージポンプを備える。
本発明の実施の形態に係る第2の特徴は、液晶表示装置において、絶縁基板上の第1の領域に配設された画素アレイと、画素アレイを駆動するドライバと、絶縁基板上の第1の領域に隣接しかつ異なる第2の領域に配設され、ドライバに駆動電圧を供給するDC/DCコンバータとを備え、DC/DCコンバータには、絶縁基板上の第2の領域に配設され、一方の主電極が出力端子に接続され、制御電極に制御信号が入力され、非単結晶半導体により構成された薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタの他方の主電極に一方の電極が接続され、他方の電極に可変電圧が印加されるキャパシタと、薄膜トランジスタの他方の主電極及びキャパシタの一方の電極と電源端子との間に電気的に直列に接続され、単結晶半導体により構成されたダイオードと、を有するチャージポンプを備える。
本発明の実施の形態に係る第3の特徴は、液晶表示装置において、絶縁基板上の第1の領域に配設された画素アレイと、画素アレイを駆動するドライバと、絶縁基板上の第1の領域に隣接しかつ異なる第2の領域に配設され、ドライバに駆動電圧を供給するDC/DCコンバータと、絶縁基板に連接されたフレキシブルプリント配線基板とを備え、DC/DCコンバータには、絶縁基板上の第2の領域に配設され、一方の主電極が出力端子に接続され、制御電極に制御信号が入力され、非単結晶半導体により構成された薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタの他方の主電極に一方の電極が接続され、他方の電極に可変電圧が印加されるキャパシタとを有するチャージポンプを備え、更にチャージポンプには、フレキシブルプリント配線基板上に配設され、薄膜トランジスタの他方の主電極及びキャパシタの一方の電極と電源端子との間に電気的に直列に接続され、単結晶半導体により構成されたダイオードを備える。
本発明の実施の形態に係る第4の特徴は、液晶表示装置において、絶縁基板上の第1の領域に配設された画素アレイと、画素アレイを駆動するドライバと、絶縁基板上の第1の領域に隣接しかつ異なる第2の領域に配設され、ドライバに駆動電圧を供給するDC/DCコンバータと、画素アレイ、ドライバ及びDC/DCコンバータを制御する電子回路基板とを備え、DC/DCコンバータには、絶縁基板上の第2の領域に配設され、一方の主電極が出力端子に接続され、制御電極に制御信号が入力され、非単結晶半導体により構成された薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタの他方の主電極に一方の電極が接続され、他方の電極に可変電圧が印加されるキャパシタとを有するチャージポンプを備え、更にチャージポンプには、電子回路基板上に配設され、薄膜トランジスタの他方の主電極及びキャパシタの一方の電極と電源端子との間に電気的に直列に接続され、単結晶半導体により構成されたダイオードを備える。
本発明によれば、チャージポンプの昇圧特性若しくは降圧特性を向上することができるDC/DCコンバータを提供することができる。
更に、本発明によれば、DC/DCコンバータのチャージポンプの昇圧特性若しくは降圧特性を向上することができ、液晶表示部の表示動作速度を向上することができる液晶表示装置を提供することができる。
以下、本発明の実施の形態に係るDC/DC(直流/直流)コンバータ及びそれを備えた液晶表示装置特に小型中型の液晶表示装置について、図面を参照して詳細に説明する。
(第1の実施の形態)
[液晶表示装置の液晶表示パネルのシステム構成]
図5に示すように、本発明の第1の実施の形態に係る液晶表示装置1は液晶表示パネル(LCDパネル)20を備えている。このサイズに必ずしも限定されるものではないが、第1の実施の形態において、液晶表示装置1は、例えば20インチ以下のサイズを有する小型中型の液晶表示装置であり、携帯電話機、無線機、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ等に組み込まれる。
液晶表示パネル20は、DC/DCコンバータ21、レベルシフタ(L/S)22、液晶表示ユニット24、ドライバIC26を備えている。この液晶表示パネル20には、その外部から又はドライバIC26から回路動作電圧VDDが供給され、ドライバIC26からタイミング信号、映像信号及び共通画素電圧VCOMが供給される。回路動作電圧VDDは、第1の実施の形態において、電池やバッテリィを供給源とする回路動作電圧である。なお、液晶表示装置1は、バッテリィの充電時に、商用電源からAC/DC電源ユニットを通して回路動作電圧VDDを液晶表示パネル20に供給することができるシステムを備えていてもよい。
液晶表示ユニット24は、複数の画素2411がマトリクス状に配列された画像アレイ241と、画素アレイ241の周縁の一辺(図中上辺)に沿って配設された水平ドライバ243と、画素アレイ241の周縁の他の一辺(図中左側辺)に沿って配設された垂直ドライバ242とを備えている。画素アレイ241には図中左側から右側に垂直走査線(ゲート信号線)2421が延在し、この垂直走査線2421は垂直ドライバ242に接続されている。更に、画素アレイ241には図中上側から下側に水平走査線(映像信号線)2431が延在し、この水平走査線2431は水平ドライバ243に接続されている。1つの画素2411は、スイッチング素子として使用されるnチャネル導電型薄膜トランジスタ(TFT)2412と、画素用キャパシタ2413との直列回路により構成されている。薄膜トランジスタ2412のゲート電極には垂直走査線2421が接続され、ドレイン領域には水平走査線2431が接続されている。
[液晶表示装置のセット構成]
図6に示すように、液晶表示装置1は、図5示す液晶表示パネル20と、この液晶表示パネル20の(絶縁基板61の)一辺に一端が連接されたフレキシブル配線基板30と、フレキシブル配線基板30の他端に連接され液晶表示パネル20の画素アレイ241、垂直ドライバ242、水平ドライバ243及びDC/DCコンバータ21等を制御する電子回路基板40とを備えている。液晶表示パネル20、フレキシブル配線基板30、電子回路基板40は、それぞれ単独の製造メーカ若しくは2社以上の製造メーカにより製造された後、組み立て製造プロセスを経て図6に示すセット構成になる。
液晶表示パネル20は、方形形状を有する絶縁基板61と、この絶縁基板61の表面上に対向して配設され絶縁基板61のサイズよりもひと回り小さいサイズの方形形状を有する対向基板62と、絶縁基板61と対向基板62との間において対向基板62側に配設される図示しないカラーフィルタと、絶縁基板61とカラーフィルタとの間に封入される図示しない液晶とを備えている。ここで、第1の実施の形態に係る液晶表示装置1は透過型であるので、絶縁基板61、対向基板62にはいずれも透明なガラス基板を実用的に使用することができる。
図5に示す画素アレイ241は絶縁基板61と対向基板62との重複部分に配設されている。画素アレイ241の垂直走査線2421、水平走査線2431、薄膜トランジスタ2412、画素用キャパシタ2413の一方の電極(画素電極)はいずれも絶縁基板61の表面上に配設されている。画素用キャパシタ2413の他方の電極(共通電極)は対向基板63に配設されている。
絶縁基板61の対向基板62に重複しない領域において、絶縁基板61の一辺に沿ってDC/DCコンバータ21及びドライバIC26が配設され、この絶縁基板61の一辺にフレキシブル配線基板30の一端が連接されている。DC/DCコンバータ21を構築する素子は、基本的にはその大半が画素アレイ241の画素2411の薄膜トランジスタ2412と同一構造により構成され、かつ液晶表示装置1の液晶表示パネル20の製造プロセスにおいて同一製造工程により製造されている。
電子回路基板40は、例えば携帯電話機内に実装され(組み込まれ)、携帯電話機の動作に必要な表示、例えば電話番号、受信メッセージ、発信メッセージ等の表示を行う液晶表示パネル20の駆動制御を行う。電子回路基板40は、例えばガラスエポキシ樹脂をベースに製造された配線基板に回路(例えばIC)、素子(例えば抵抗、容量)等を実装したものである。
[DC/DCコンバータのシステム全体構成]
DC/DCコンバータ21は、図3に示すように、レベルシフタ211と、タイミングコントローラ212と、チャージポンプ213とを備えている。レベルシフタ211には図5及び図6に示すドライバIC26から出力されるクロック信号CLKが入力される。この入力に基づきレベルシフタ211はクロック信号CLK及びクロック信号CLKBを生成し、この生成されたクロック信号CLK及びクロック信号CLKBをタイミングコントローラ212に出力する。更に、レベルシフタ211はタイミングコントローラ212に振幅を拡大した信号を供給する。
タイミングコントローラ212は、図4に示すように、クロック信号CLKのタイミングを制御するインバータ212a、2入力NAND212b、インバータ212c〜212hと、クロック信号CLKBのタイミングを制御するインバータ212i、2入力NAND212j、インバータ212k〜212pとを備えている。2入力NAND212bはインバータ212a及びインバータ212nからのクロック信号の入力に基づきインバータ212cにクロック信号を出力する。2入力NAND212jはインバータ212i及びインバータ212fからのクロック信号の入力に基づきインバータ212kにクロック信号を出力する。タイミングコントローラ212においては、最終的に、インバータ212gからのクロック信号CLKBB2、インバータ212hからのクロック信号CLKPP2、インバータ212oからのクロック信号CLKPP3及びインバータ212pからのクロック信号CLKBB3が出力される。
チャージポンプ213は、クロック信号CLKPP2が入力されるチャージポンプユニット1(VPP)214と、クロック信号CLKPP3が入力されるチャージポンプユニット2(VPP)215と、クロック信号CLKBB3が入力されるチャージポンプユニット2(VBB)216と、クロック信号CLKBB2が入力されるチャージポンプユニット1(VBB)217とを備えている。チャージポンプユニット1(VPP)214及びチャージポンプユニット2(VPP)215は昇圧型チャージポンプを構成し、チャージポンプユニット2(VBB)216及びチャージポンプユニット1(VBB)217は降圧型チャージポンプを構成する。
チャージポンプユニット1(VPP)214の出力端子213aと回路動作電圧VDDとの間にはダイオードD1が挿入され、出力端子213aとチャージポンプユニット2(VPP)215の出力端子213bとの間にはキャパシタC1が挿入されている。また、チャージポンプユニット2(VPP)215の出力端子213cと回路動作電圧VDDとの間にはダイオードD2が挿入され、出力端子213cと回路接地電圧VSSとの間にはキャパシタC2が挿入されている。ここで、回路動作電圧VDDは電池やバッテリィから供給される電圧例えば3Vであり、回路接地電圧VSSは接地電圧例えば0Vである。
チャージポンプユニット1(VBB)217の出力端子213dと回路接地電圧VSSとの間にはダイオードD3が挿入され、出力端子213dとチャージポンプユニット2(VBB)216の出力端子213eとの間にはキャパシタC3が挿入されている。また、チャージポンプユニット2(VBB)216の出力端子213fと回路接地電圧VSSとの間にはキャパシタC4が挿入されている。
[昇圧型チャージポンプの回路構成及びダイオードの構成]
図1に示すように、チャージポンプ213のチャージポンプユニット1(VPP)214は、タイミングコントローラ212から出力されるクロック信号CLKPP2が入力され直列接続されたインバータ214a及び214bと、同様にクロック信号CLKPP2が入力され直列接続されたインバータ214c及び214dと、インバータ214bの出力が制御電極(ゲート電極)に入力されるpチャネル導電型薄膜トランジスタ214e及びインバータ214dの出力が制御電極に入力されるnチャネル導電型薄膜トランジスタ214fからなる相補型トランジスタとを備えている。この相補型トランジスタはクロック信号CLK1を出力する。ここで、DC/DCコンバータ21を構築する「薄膜トランジスタ」とは、画素アレイ241の画素2411を構築する薄膜トランジスタ2412と同一製造プロセスにおいて製造される薄膜トランジスタという意味において使用される。従って、薄膜トランジスタのチャネル形成領域、ソース領域及びドレイン領域は、非単結晶半導体、具体的には低温ポリシリコン膜により製造されている。更に、「非単結晶半導体」とは、製造プロセス上、絶縁基板61に影響を及ぼさない低温度プロセスにおいて製造(成膜)することができる多結晶シリコン及び非晶質シリコンの双方を含む意味において使用され、単結晶半導体は含まない。なお、本発明において、「薄膜トランジスタ」には、製造プロセス上、低温度プロセスにより成膜する必要があるオーガニック薄膜トランジスタが含まれる。
チャージポンプユニット2(VPP)215は、タイミングコントローラ212から出力されるクロック信号CLKPP3が入力され直列接続されたインバータ215a及び215bと、インバータ215bの出力が制御電極に入力されるpチャネル導電型薄膜トランジスタ215cとを備えている。この薄膜トランジスタ215cの一方の主電極(ソース領域)は出力端子213cに接続され、チャネル形成領域、ソース領域及びドレイン領域は非単結晶半導体により構成されている。
そして、チャージポンプ213は、薄膜トランジスタ215cの他方の主電極(ドレイン領域)に一方の電極が接続され、他方の電極にチャージポンプユニット2(VPP)215からの可変電圧であるクロック信号CLK1が印加される昇圧用キャパシタ2132と、薄膜トランジスタ215cの他方の主電極及び昇圧用キャパシタ2132の一方の電極と回路動作電圧VDD(電源端子)との間に電気的に直列に接続され、単結晶半導体により構成されたダイオード(第1のダイオード)2131とを備えている。ダイオード2131のアノード領域は回路動作電圧VDDに接続され、カソード領域は薄膜トランジスタ215cの他方の主電極に接続されている。ここで、単結晶半導体には例えば単結晶シリコンを実用的に使用することができ、ダイオード2131は例えばp型単結晶シリコン(アノード領域)とその主面部に形成されたn型半導体領域(カソード領域)とにより構成されている。
図7に示すように、薄膜トランジスタ215cは、絶縁基板61の表面上にパッシベーション膜612を介在して形成され、チャネル形成領域612と、一方の主電極613と、他方の主電極614と、ゲート酸化膜615と、制御電極(ゲート電極)616とを備えている。チャネル形成領域612、一方の主電極613及び他方の主電極614は非単結晶半導体により形成されている。薄膜トランジスタ215cの他方の主電極614には配線619の一端が接続され、配線619の他端はファイナルパッシベーション膜620から引き出され若しくはビアホールにより露出され外部接続端子619P1として使用される。回路動作電圧VDDに一端が接続される配線619の他端も同様に外部接続端子619P2として使用される。
ダイオード2131は単結晶半導体(単結晶半導体チップ)をパッケージングした外付け素子2131Dの形態において提供されている。この外付け素子2131Dは接着層2131Bを介在して外部接続端子619P1、619P2のそれぞれに電気的かつ機械的に接続されている。接着層2131Bには、例えば異方性導電フィルム(ACF:anisotropic conductive film)を実用的に使用することができる。
第1の実施の形態において、ダイオード2131(外付け素子2131D)は、前述の図5及び図6に示すように、絶縁基板61の表面上であって対向基板62が配置されていない領域、特にDC/DCコンバータ21近傍の絶縁基板61のコーナ部分のデッドスペースに実装されている。すなわち、ダイオード2131はチップオングラス構造において実装されている。
図8に第1の実施の形態に係るダイオード2131の電流−電圧特性を示す。図8中、横軸は電圧(V)を示し、縦軸は電流(A)を示す。単結晶半導体により構成されたダイオード2131においては、閾値電圧が小さく、かつ閾値電圧のばらつきが小さい。これに対して、薄膜トランジスタにおいては、閾値電圧が高く、かつ閾値電圧のばらつきが大きい。
前述の図1に示すように、薄膜トランジスタ215cの一方の主電極と出力端子213cとの間には、電気的に並列に接続されたキャパシタ2133と、電気的に並列に接続されたカソード領域及び回路動作電圧VDD(電源端子)に電気的に接続されたアノード領域を有するダイオード(第2のダイオード)2134を更に備えている。ダイオード2134は、チャージポンプユニット2(VPP)215の始動初期において昇圧電圧VPPまでの昇圧時間を短縮するために、回路動作電圧VDDから電源を供給する。昇圧電圧VPPは例えば5Vである。ダイオード2134は、閾値電圧のばらつきを小さくすること、或いは電流駆動能力を高くすることが特に要求されていないので、非単結晶半導体により製作されることが好ましいが、ダイオード2131と同様に外付け素子として実装してもよい。
[降圧型チャージポンプの回路構成及びダイオードの構成]
図2に示すように、チャージポンプ213のチャージポンプユニット1(VBB)217は、タイミングコントローラ212から出力されるクロック信号CLKBB2が入力され直列接続されたインバータ217a及び217bと、同様にクロック信号CLKBB2が入力され直列接続されたインバータ217c及び217dと、インバータ217bの出力が制御電極に入力されるpチャネル導電型薄膜トランジスタ217e及びインバータ217dの出力が制御電極に入力されるnチャネル導電型薄膜トランジスタ217fからなる相補型トランジスタとを備えている。この相補型トランジスタはクロック信号CLK1を出力する。
チャージポンプユニット2(VBB)216は、タイミングコントローラ212から出力されるクロック信号CLKBB3が入力され直列接続されたインバータ216a及び216bと、インバータ216bの出力が制御電極に入力されるpチャネル導電型薄膜トランジスタ216cとを備えている。この薄膜トランジスタ216cの一方の主電極(ソース領域)は出力端子213fに接続され、チャネル形成領域、ソース領域及びドレイン領域は非単結晶半導体により構成されている。
そして、チャージポンプ213は、薄膜トランジスタ216cの他方の主電極(ドレイン領域)に一方の電極が接続され、他方の電極にチャージポンプユニット2(VBB)217からの可変電圧であるクロック信号CLK1が印加される降圧用キャパシタ2136と、薄膜トランジスタ216cの他方の主電極及び降圧用キャパシタ2136の一方の電極と回路接地電圧VSS(電源端子)との間に電気的に直列に接続され、単結晶半導体により構成されたダイオード(第1のダイオード)2135とを備えている。ダイオード2135のカソード領域は回路接地電圧VSSに接続され、アノード領域は薄膜トランジスタ216cの他方の主電極に接続されている。ここで、ダイオード2135は、ダイオード2131と同様に単結晶半導体により構成され、外付け素子により構成されている。また、薄膜トランジスタ216cの一方の主電極と出力端子213fとの間には、電気的に並列に接続されたキャパシタ2137が配設されている。
[DC/DCコンバータの回路動作]
次に、DC/DCコンバータ21特に昇圧型チャージポンプの回路動作を説明する。DC/DCコンバータ21のレベルシフタ211にクロック信号CLKが入力されると、レベルシフタ211はクロック信号CLK及びCLKBを生成し、このクロック信号CLK及びCLKBはタイミングコントローラ212に出力される。
図9に示すように、タイミングコントローラ212においては、最終的にチャージポンプ213に供給されるクロック信号CLK1の立ち上がり並びに立ち下がりのタイミングと、クロック信号CLK2の立ち上がり並びに立ち下がりのタイミングとが重ねないタイミングの制御が行われる。具体的には、クロック信号CLKPP2の立ち下りのタイミングに対してクロック信号CLKPP3の立ち下がりのタイミングを遅らせ、クロック信号CLKPP2の立ち上がりのタイミングに対してクロック信号CLKPP3の立ち上がりのタイミングを早める制御が行われる。同様に、クロック信号CLKBB2の立ち上がりのタイミングに対してクロック信号CLKBB3の立ち上がりのタイミングを遅らせ、クロック信号CLKBB2の立ち下がりのタイミングに対してクロック信号CLKBB3の立ち下がりのタイミングを早める制御が行われる。
タイミングコントローラ212において生成されかつタイミングが制御されたクロック信号CLKPP2はチャージポンプユニット1(VPP)214に出力され、チャージポンプユニット1(VPP)214はクロック信号CLKPP2に基づきクロック信号CLK1を生成する。このクロック信号CLK1は昇圧用キャパシタ2132の他方の電極に供給される。一方、タイミングコントローラ212において生成されかつタイミングが制御されたクロック信号CLKPP3はチャージポンプユニット2(VPP)215に出力され、チャージポンプユニット2(VPP)215はクロック信号CLKPP3に基づきクロック信号CLK2を生成する。このクロック信号CLK2はチャージポンプユニット2(VPP)215の薄膜トランジスタ215cの制御電極に供給される。
図10に示すように、まず最初にクロック信号CLK1の立ち上がりにより、昇圧用キャパシタ2132の他方の電極にハイレベルのクロック信号CLK1が供給されると、薄膜トランジスタ215cは既にクロック信号CLK2の立ち上がりによりOFF状態にあるので、前述の図1に示すノードAの電圧(CLK1が立ち上がる前のノードAの電圧は(回路動作電圧VDD−ダイオード2131の閾値電圧Vth)付近にある)は回路動作電圧VDDの電圧分上昇する。このとき、ダイオード2131には逆方向電圧が印加されている状態であるため、ダイオード2131にはそれに接続されている回路動作電圧VDDからの電流は流れない。引き続き、クロック信号CLK1が立ち上がったのを見計らってクロック信号CLK2の立ち下がりにより、薄膜トランジスタ215cの制御電極にロウレベルのクロック信号CLK2が供給されると、薄膜トランジスタ215cはON状態になり、昇圧用キャパシタ2132に充電された電荷が薄膜トランジスタ215cを通して出力端子213cに昇圧電圧VPPとして出力される。この出力に伴い、ノードAの電圧は徐々に降下する。ここで、この電圧降下量をΔVと定義する。
一定時間経過後、クロック信号CLK2が立ち上がり、薄膜トランジスタ215cの制御電極にハイレベルのクロック信号CLK2が供給されるので、薄膜トランジスタ215cはOFF状態になり、出力端子213cへの昇圧電圧VPPの出力が停止される。その後、薄膜トランジスタ215cが十分にOFF状態になったタイミングを見計らってクロック信号CLK1が立ち下がり、ロウレベルのクロック信号CLK1が昇圧用キャパシタ2132の他方の電極に供給される。この動作に基づき、ノードAの電圧が低下し、ノードAの電圧は、回路動作電圧VDDからダイオード2131の閾値電圧Vth及び電圧降下量をΔVを差し引いた値になる。このとき、ダイオード2131には順方向電圧が印加された状態であり、ノードAの電圧が回路動作電圧VDDからダイオード2131の閾値電圧Vthを差し引いた値になるまでダイオード2131はノードAに電流を流す。これらの一連の動作が繰り返し実行される。
以上説明したように、本発明の第1の実施の形態に係るDC/DCコンバータ21においては、チャージポンプ213の回路動作電圧VDDのスイッチング素子に単結晶半導体により構成されたダイオード2131、又は回路接地電圧VSSのスイッチング素子に単結晶半導体により構成されたダイオード2135を備えたので、閾値電圧のばらつきを減少することができ、しかも閾値電圧を小さくすることができるので、十分な昇圧電圧VPP又は降圧電圧VBBを確保することができ、昇圧特性又は降圧特性を向上することができる。
また、ダイオード2131並びに2135の動作には制御信号線を必要としないので、チャージポンプ213の回路構成が簡潔化することができるとともに、クロック信号のタイミングを制御するタイミングコントローラ212の回路構成も簡潔化することができる。また、チャージポンプ213においては、2種類のクロック信号CLK1及びCLK2により制御することができるので、クロック信号CLK1とCLK2との間のデッドタイムを減少することができ、昇圧動作並びに降圧動作の高効率化を実現することができる。
更に、このようなDC/DCコンバータ21を搭載する液晶表示装置1においては、昇圧動作並びに降圧動作の高効率化に加え、低消費電力化を実現することができる。第1の実施の形態に係る液晶表示装置1は小型中型であって電池やバッテリィから回路動作電圧VDDが供給されているので、低消費電力化の実現は液晶表示装置1の長時間駆動を実現することができる。また、低消費電力化の実現は、電池やバッテリィの小型化を図ることができ、液晶表示装置1が実装された例えば携帯電話機、無線機、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ等のデバイスの小型化を実現することができる。
(第2の実施の形態)
本発明の第2の実施の形態は、第1の実施の形態に係る液晶表示装置1において、DC/DCコンバータ21のチャージポンプ213のダイオード2131等の配置位置を変えた例を説明するものである。なお、第2の実施の形態において、前述の第1の実施の形態において説明した構成要素と同一構成要素には同一符号を付し、同一構成要素の説明は重複するので省略する。
図11に示す第2の実施の形態に係る液晶表示装置1においては、DC/DCコンバータ21のチャージポンプ213のダイオード2131(及び2135)がフレキシブル配線基板30上に実装されている。特に、ダイオード2131(及び2135)は、フレキシブル配線基板30のチャージポンプ21に近接した一端側に配設されることが好ましい。
また、図12に示す第2の実施の形態に係る液晶表示装置1においては、ダイオード2131(及び2135)が電子回路基板40上に実装されている。
本発明は、前述の実施の形態に限定されるものではない。例えば、本発明は、製造プロセスにおいて高温度処理が難しい有機エレクトロルミネッセンスデバイスに適用することができる。
本発明の第1の実施の形態に係るDC/DCコンバータの昇圧型チャージポンプの回路図である。 第1の実施の形態に係るDC/DCコンバータの降圧型チャージポンプの回路図である。 第1の実施の形態に係るDC/DCコンバータのシステムブロック図である。 図3に示すタイミングコントローラの回路図である。 第1の実施の形態に係る液晶表示装置のシステムブロック図である。 図5に示す液晶表示装置の組立斜視図である。 図6に示す液晶表示装置の要部拡大断面図である。 図1に示すチャージポンプのダイオードの電流−電圧特性図である。 図3及び図4に示すタイミングコントローラの動作を説明するタイミングチャートである。 図1に示す昇圧型チャージポンプの動作を説明するタイミングチャートである。 本発明の第2の実施の形態に係るDC/DCコンバータ及び液晶表示装置の組立斜視図である。 本発明の第2の実施の形態に係る他のDC/DCコンバータ及び液晶表示装置の組立斜視図である。
符号の説明
1 液晶表示装置
21 DC/DCコンバータ
20 液晶表示パネル
211 レベルシフタ
212 タイミングコントローラ
213 チャージポンプ
214〜217 チャージポンプユニット
213a〜213f 出力端子
214a〜214d、215a、215b、217a〜217d、216a、216b インバータ
214e、214f、215c、217e、217f、216c 薄膜トランジスタ
2131、2134、2135 ダイオード
2131D 外付け素子
24 液晶表示ユニット
241 画素アレイ
2411 画素
2412 薄膜トランジスタ
2413 キャパシタ
242 垂直ドライバ
2421 垂直走査線
243 水平ドライバ
2431 水平走査線
26 ドライバIC
30 フレキシブル配線基板
40 電子回路基板

Claims (20)

  1. 絶縁基板上に配設され、一方の主電極が出力端子に接続され、制御電極に制御信号が入力され、非単結晶半導体により構成された薄膜トランジスタと、
    前記薄膜トランジスタの他方の主電極に一方の電極が接続され、他方の電極に可変電圧が印加されるキャパシタと、
    前記薄膜トランジスタの前記他方の主電極及び前記キャパシタの前記一方の電極と電源端子との間に電気的に直列に接続され、単結晶半導体により構成された第1のダイオードと、
    を有するチャージポンプを備えたことを特徴とするDC/DCコンバータ。
  2. 前記薄膜トランジスタは、多結晶シリコン又は非晶質シリコンにより構成されることを特徴とする請求項1に記載のDC/DCコンバータ。
  3. 前記第1のダイオードは外付け素子であることを特徴とする請求項2に記載のDC/DCコンバータ。
  4. 前記絶縁基板上に配設され、前記薄膜トランジスタの前記他方の主電極及び前記キャパシタの前記一方の電極に電気的に接続された第1の外部接続端子と、
    前記絶縁基板上に配設され、前記電源端子に接続された第2の外部接続端子と、を更に備え、
    前記外付け素子の端子を前記第1の外部接続端子、前記第2の外部接続端子にそれぞれ電気的に接続したことを特徴とする請求項3に記載のDC/DCコンバータ。
  5. 前記外付け素子は、前記絶縁基板上にチップオングラス構造により実装されたことを特徴とする請求項4に記載のDC/DCコンバータ。
  6. 前記電源端子から前記薄膜トランジスタには回路接地電圧が供給され、前記出力端子には前記回路接地電圧を降圧した降圧電圧が出力される降圧型チャージポンプであることを特徴とする請求項1に記載のDC/DCコンバータ。
  7. 前記第1のダイオードは、前記薄膜トランジスタの他方の主電極にアノード領域を電気的に接続し、前記電源端子にカソード領域を電気的に接続したことを特徴とする請求項6に記載のDC/DCコンバータ。
  8. 前記電源端子から前記薄膜トランジスタには回路接地電圧よりも高い回路動作電圧が供給され、前記出力端子には前記回路動作電圧を昇圧した昇圧電圧が出力される昇圧型チャージポンプであることを特徴とする請求項1に記載のDC/DCコンバータ。
  9. 前記第1のダイオードは、前記薄膜トランジスタの他方の主電極にカソード領域を電気的に接続し、前記電源端子にアノード領域を電気的に接続したことを特徴とする請求項8に記載のDC/DCコンバータ。
  10. 前記薄膜トランジスタの一方の主電極と前記出力端子との間に電気的に並列に接続されたカソード領域と、前記電源端子に電気的に接続されたアノード領域とを有する第2のダイオードを前記チャージポンプに更に備えたことを特徴とする請求項8又は請求項9に記載のDC/DCコンバータ。
  11. 前記チャージポンプの前記薄膜トランジスタの前記制御電極に入力される前記制御信号の立ち上がり及び立ち下がりがりのタイミングと、前記キャパシタの他方の電極に印加される前記可変電圧の立ち上がり及び立ち下がりのタイミングとが互いに重ならないクロック信号を生成するタイミングコントローラを更に備えたことを特徴とする請求項1に記載のDC/DCコンバータ。
  12. 前記薄膜トランジスタの前記制御電極に入力される前記制御信号の立ち上がりのタイミングが前記キャパシタの他方の電極に印加される前記可変電圧の立ち上がりのタイミングに対して遅く、前記制御信号の立ち下がりのタイミングが前記可変電圧の立ち下がりのタイミングに対して速く設定されていることを特徴とする請求項11に記載のDC/DCコンバータ。
  13. 前記チャージポンプ、前記タイミングコントローラのそれぞれに振幅を拡大した信号を供給するレベルシフタを更に備えたことを特徴とする請求項1又は請求項11に記載のDC/DCコンバータ。
  14. 前記チャージポンプ、前記タイミングコントローラのそれぞれに昇圧された回路動作電圧が供給されることを特徴とする請求項1又は請求項13に記載のDC/DCコンバータ。
  15. 絶縁基板上の第1の領域に配設された画素アレイと、
    前記画素アレイを駆動するドライバと、
    前記絶縁基板上の前記第1の領域に隣接しかつ異なる第2の領域に配設され、前記ドライバに駆動電圧を供給するDC/DCコンバータと、を備え、
    前記DC/DCコンバータは、前記絶縁基板上の前記第2の領域に配設され、一方の主電極が出力端子に接続され、制御電極に制御信号が入力され、非単結晶半導体により構成された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタの他方の主電極に一方の電極が接続され、他方の電極に可変電圧が印加されるキャパシタと、前記薄膜トランジスタの前記他方の主電極及び前記キャパシタの前記一方の電極と電源端子との間に電気的に直列に接続され、単結晶半導体により構成された第1のダイオードと、を有するチャージポンプを備えたことを特徴とする液晶表示装置。
  16. 前記画素アレイは前記絶縁基板の前記第1の領域とそれに対向する対向基板との間に液晶を封入し構成されており、前記DC/DCコンバータの前記第1のダイオードは前記絶縁基板上の前記第2の領域において前記対向基板が配設されていない領域に配設されていることを特徴とする請求項15に記載の液晶表示装置。
  17. 前記DC/DCコンバータの前記第1のダイオードは外付け素子であることを特徴とする請求項16に記載の液晶表示装置。
  18. 前記絶縁基板上の前記第2の領域に配設され、前記薄膜トランジスタの前記他方の主電極及び前記キャパシタの前記一方の電極に電気的に接続された第1の外部接続端子と、
    前記絶縁基板上の前記第2の領域に配設され、前記電源端子に接続された第2の外部接続端子と、を更に備え、
    前記外付け素子の端子を前記第1の外部接続端子、前記第2の外部接続端子にそれぞれ電気的に接続したことを特徴とする請求項17に記載の液晶表示装置。
  19. 絶縁基板上の第1の領域に配設された画素アレイと、
    前記画素アレイを駆動するドライバと、
    前記絶縁基板上の前記第1の領域に隣接しかつ異なる第2の領域に配設され、前記ドライバに駆動電圧を供給するDC/DCコンバータと、
    前記絶縁基板に連接されたフレキシブルプリント配線基板と、を備え、
    前記DC/DCコンバータには、前記絶縁基板上の前記第2の領域に配設され、一方の主電極が出力端子に接続され、制御電極に制御信号が入力され、非単結晶半導体により構成された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタの他方の主電極に一方の電極が接続され、他方の電極に可変電圧が印加されるキャパシタと、を有するチャージポンプを備え、
    更に前記チャージポンプには、前記フレキシブルプリント配線基板上に配設され、前記薄膜トランジスタの前記他方の主電極及び前記キャパシタの前記一方の電極と電源端子との間に電気的に直列に接続され、単結晶半導体により構成された第1のダイオードを備えたことを特徴とする液晶表示装置。
  20. 絶縁基板上の第1の領域に配設された画素アレイと、
    前記画素アレイを駆動するドライバと、
    前記絶縁基板上の前記第1の領域に隣接しかつ異なる第2の領域に配設され、前記ドライバに駆動電圧を供給するDC/DCコンバータと、
    前記画素アレイ、前記ドライバ及び前記DC/DCコンバータを制御する電子回路基板と、を備え、
    前記DC/DCコンバータには、前記絶縁基板上の第2の領域に配設され、一方の主電極が出力端子に接続され、制御電極に制御信号が入力され、非単結晶半導体により構成された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタの他方の主電極に一方の電極が接続され、他方の電極に可変電圧が印加されるキャパシタと、を有するチャージポンプを備え、
    更に前記チャージポンプには、前記電子回路基板に配設され、前記薄膜トランジスタの前記他方の主電極及び前記キャパシタの前記一方の電極と電源端子との間に電気的に直列に接続され、単結晶半導体により構成された第1のダイオードを備えたことを特徴とする液晶表示装置。
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