JP2008144271A - Pcvd堆積プロセスを実施する装置および方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本装置は、1つまたは複数のドープされた、またはドープされていないガラス層をガラス基体チューブの内部上に被覆するものであり、内壁および外壁を有するアプリケータと、アプリケータ中に開口したマイクロ波ガイドとを含み、アプリケータは、円柱軸のまわりに延在して、内壁に隣接する導管を備え、その導管を通ってマイクロ波ガイドを介して供給されるマイクロ波が出射することができ、円柱軸の上に、基体チューブは、配置することができ、一方アプリケータは、円柱軸の上に延在する加熱炉によって、完全に囲繞される。
【選択図】図3
Description
di=内径、層x
CSA=断面面積、層x
PCVDプロセスは、静止加熱炉と、静止基体チューブと、前記基体チューブにわたって反転して移動するアプリケータとを含む従来技術のPCVD装置中で実施され、そのプロセス中、ガラス形成前駆体が基体チューブの内部へ供給された。基体チューブの内部に広く行き渡る条件下で、通常のアプリケータ速度20m/分を使用して、同心のガラス層が堆積された。堆積プロセスが終了した後、そのようにして得られた基体チューブが収縮プロセスを受けて固定ロッドを得た。図1に、軸方向位置の関数として、ロッドのコアの純粋石英に関する屈折率を示す。図2に、軸方向位置の関数として、そのようにして得られたロッドのコアの断面面積(CSA)を示す。図1および2にともに、ガラスロッドの軸方向位置にわたって、不均一性が存在することが示されている。その不均一性は、それから得られる光ファイバの、モードフィールド幅および帯域幅の減衰および均一性など、多くの品質パラメータに悪影響を及ぼす。
比較例1と同じPCVD装置を使用されたが、アプリケータと同様に加熱炉を基体チューブの長さ方向に沿って移動するという違いがあった。そのようにして得られた基体チューブは、比較例1と同じようにして固体ロッドに形成された。
2 ガラス基体チューブ
3 排出側
4 供給側
5 加熱炉
6 アプリケータ
7 マイクロ波ガイド
8、9 位置
10 円柱軸
Claims (9)
- PCVD堆積プロセスを実施するための装置であって、
1つまたは複数のドープされた、またはドープされていないガラス層が、供給側と排出側を有するガラス基体チューブの内部上に堆積され、
装置は、内壁および外壁を有するアプリケータと、マイクロ波を誘導するマイクロ波ガイドとを有し、
マイクロ波ガイドは、アプリケータ中に開口しており、
アプリケータは、円柱軸のまわりに延在し、内壁に隣接して導管を備え、
導管を通って、マイクロ波ガイドを介して供給されるマイクロ波が出射することができ、
円柱軸の上に、ガラス基体チューブは、配置可能であり、
一方、アプリケータは、前記円柱軸の上に延在する加熱炉によって囲繞され、
アプリケータは、供給側に位置付けられた反転点と排出側に位置付けられた反転点の間で前記円柱軸に沿って移動可能である、装置において、
加熱炉は、基体チューブに対してその縦軸に沿って反転して移動可能であることを特徴とする、PCVD堆積プロセスを実施するための装置。 - 基体チューブの供給側に位置付けられた反転点と排出側に位置付けられた反転点の間でアプリケータがその間を移動可能な間隔が、加熱炉がアプリケータを囲繞するようなものであることを特徴とする、請求項1に記載の装置。
- アプリケータが、円筒状で対称的であり、形状が環状であって、円柱軸のまわりに円筒状で対称的に延在し、形状が環状である共振器スペースを含み、
共振器スペースが、円柱軸のまわりに全円の形で延在するスリットを含み、
スリットを通って、マイクロ波ガイドからのマイクロ波エネルギーが伝達されることを特徴とする、請求項1および2のいずれか一項、または両方の項に記載の装置。 - マイクロ波ガイドが、共振器スペース中に開口していることを特徴とする、請求項3に記載の装置。
- 導波管が、円柱軸に実質的に直角に延在する縦軸を有し、
縦軸が、共振器スペースのスリットまたは導管と交差しないことを特徴とする、請求項1から4のいずれか一項、または複数の項に記載の装置。 - 導波管の縦軸が、共振器スペースを2等分しないことを特徴とする、請求項3から5のいずれかに記載の装置。
- 請求項1から6のいずれか一項、または複数の項に定義された装置によって、1つまたは複数のドープされた、またはドープされていないガラス層をガラス基体チューブの内部上に堆積する方法であって、
基体チューブは、円柱軸の上でアプリケータの内壁内に配置され、
前記基体チューブの内部に、ガラス形成前駆体が供給され、
一方、アプリケータは、前記円柱軸の上に延在する加熱炉によって囲繞され、
基体チューブおよびアプリケータは、本質的に同軸であり、
アプリケータは、堆積プロセス中、基体チューブの長さ方向に沿って反転して移動されて、ガラス基体チューブの内面上にガラス層を形成するプラズマ条件を生成する、方法において、
加熱炉は、堆積プロセス中、基体チューブに対してその縦軸に沿って移動されることを特徴とする、堆積する方法。 - 加熱炉が基体チューブの縦軸に沿ってその間を移動される間隔が、アプリケータ中で使用されているマイクロ波の波長の1/4の奇数倍数であることを特徴とする、請求項7に記載の方法。
- 炉のサイクル時間とアプリケータのサイクル時間の比が、もっとも長いサイクル時間をもっとも短いサイクル時間で割った整数に等しくないことを特徴とする、請求項7および8のいずれか一項、または両方の項に記載の方法。
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