JPS58194759A - ガラス管内面を被覆するためのプラズマ法 - Google Patents

ガラス管内面を被覆するためのプラズマ法

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JPS58194759A
JPS58194759A JP58018969A JP1896983A JPS58194759A JP S58194759 A JPS58194759 A JP S58194759A JP 58018969 A JP58018969 A JP 58018969A JP 1896983 A JP1896983 A JP 1896983A JP S58194759 A JPS58194759 A JP S58194759A
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plasma
gas
glass tube
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JP58018969A
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ハンス・ベ−ルバルト
ギユンタ−・ベ−ム
ギユンタ−・グロムスキ−
マンフレツト・ビツトマン
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Schott AG
International Standard Electric Corp
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Jenaer Glaswerk Schott and Gen
International Standard Electric Corp
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/02—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with glass
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
    • C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
    • C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
    • C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
    • C03B37/018—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD] by glass deposition on a glass substrate, e.g. by inside-, modified-, plasma-, or plasma modified- chemical vapour deposition [ICVD, MCVD, PCVD, PMCVD], i.e. by thin layer coating on the inside or outside of a glass tube or on a glass rod
    • C03B37/01807—Reactant delivery systems, e.g. reactant deposition burners
    • C03B37/01815—Reactant deposition burners or deposition heating means
    • C03B37/01823—Plasma deposition burners or heating means
    • C03B37/0183—Plasma deposition burners or heating means for plasma within a tube substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
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    • C03B37/01846—Means for after-treatment or catching of worked reactant gases

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 乃至１　０　０　＜　ＩＪパールの圧力を有するガスか
ら汐応性沈着により被接を形成するプラズマ法に関する
ものでめシ、その方法においてプラズマ領域は管の軸方
向に相対的に移動される。軸方向には明らかに圧力降下
が存在している。
そのような方法は通信システム用の光ファイバの製造の
ために必要である。ドーグさ九た石英ガラスで内壁が被
覆されている石英管は処理きれて棒状にされ、それは次
いでファイ・ぐに線引きされる。
軸方向に移動するプラズマ領域を使用する被接方法は従
来技術として存在している１、例えばＤＥ−Ｏ８２３２
８９３０号、西ドイツ％詐第２４４４１００号、同第２
６４２９４９号、ＤＥ−Ｏ８２７１２９９３号、ＤＥ−
Ｏ８２８０４１２５号、ＤＥ−Ｏ８２９２９１６６号各
明細誉参照。これらの方法は、プラズマ領域の軸方向移
動中にプラズマ状態が変化する欠点がある。電子温度、
イオン化の程度、がス温度および吸収電力はガスの密度
および管に沿った流量率（単位時間にお−ける流量）に
よって変化する。
できるたけ均質の被機を得るためにガスの流量率を低く
保つか度は高いガス密度を選ぶかの伺れかの手段が採ら
れている。この両方の手段は管の始端と終端との間の相
対的圧力差を減少させる結果を生じる。
ガス流量率を低くすることは沈着速度を低くすることを
意味する。筒いガス圧力はガス体中に不所望な粒子の形
成を生じる（　Ｊ、Ｉｒｖｅｎ、＾。
Ｒｏｂｌｎｓｏｎ　；　ｒオノテイ力ルファイノ量−ズ
・）ロデュースド・／ぐイ・プラズマ・オーギュメンテ
ノド・ベーノヤーデポノションＪ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　＆
　Ｃｈｅｍ。
ｏｆ　Ｇｌａｓｓｅｓ、第２１巻、１９８０年参照）。
本発明の目的は軸方向の移動中プラズマ状態を一定に維
持することである１、 本発明はガス流を一定に保持し、プラズマ領域中のガス
密度或はそれに対応する電気的変数を排気速度の制御に
よって一定に保持することを％黴としている。
ガス圧力１ミリ・シール以上、管の半径１ｃｒｎ程度に
おいてはガス圧力（ガス密度）の増加と共に電子密度は
減少し、電子衝突周波数は増加する。両方の効果はプラ
ズマ伝導度の減少、すなわちプラズマインピーダンスの
増加を生じる。
付加的な電気装置の必要をなくすために、プラズマ発生
装置のインピーダンスを排気速度の制御に使用すること
ができる。多くの場合、インピーダンスに対応する電圧
または電流値は制御に対して十分のものである。
本発明により生じる効果は低いガス密度また＋１ は高いガス流量率で管に沿って高い均一性を有Ｊる＠咎
を得ることができることである３１通常の方法と比較し
て、予め定められたガス布置においてガスの流量率およ
び、し、たがって沈着速度は増加させることができる。
本発明の実施例を添附図面によって説明する。
容器１は４：１のモル比の０．と８ＩＣｔ４の混合ガス
を収容［、ており、ガス圧力Ｆｉ２００ミリバールの一
定価に維持されている。混合がスはノズル２を通って被
梼すべき石英管ｓ中に流入する。
ノズル２の最小部の直径は１■である。この実施例にお
いて、石英管３の始端におけるガス圧力は常に２０ミリ
パー＾より低い。それ故、ノズル２によって生じた圧力
の減少によりガス流の流速は４０ミリ・ぐ−ルｌ／ｍで
あり弁４の位置がより開いているかもつと閉じているか
に無関係である。真空ポンダ５の吸引容量は１ｏ　０ｖ
ｒＨである。プラズマ領域６がマイクロ波電力（２，４
５Ｇ　Ｈｚにおいて２ｋＷ）によって発生される。マグ
ネトｏン７、単方向性伝送線８（水を負荷と−するサー
キュレータ）およびプラズマ生成装置９よりなるマイク
ロ波装置全体が毎分４回１ｍの長さの管に沿って往復し
て移動される。サーキュレータ８はその水負荷部にダイ
オード検出器を備えた検出装置を有し、ダイオード検出
器の出力電圧は反射されたマイクロ波電力に片側し、そ
の量は下流の電力（プラズマを発生させる電力）の５乃
至１（ｌである。反射された電力はプラズマのインピー
ダンスに対応している。
電子的な比較器１０によって電磁弁−４が制御され、そ
の結果ダイオード検出器の出力′＊圧が一定に保持され
る１、プラズマ領域が管の始端にある時にｋＪ弁４は広
く開かれるように比較器１０は調節される。プラズマ領
域が管の終端に向つ′Ｃ移動するに従って排出速度は弁
４によつｆ自動的に減少される。プラズマ領域が移動し
て戻る時には弁はｈび開かれる。この実施例にふ−いて
は管の端部における圧力は５乃至７ｉすｉＲ−ルの間で
変化する。５ｉＯ１被棲は１．２　ｒ／分の割合で沈着
される。。
【図面の簡単な説明】
図は本発明の方法の１実施例に使用する＆置をボす、。 １・・・容器、２・・・ノズル、３・・・石英管、４・
・・弁、５・・真空ボン！、６・・・プラズマ領域、７
・・・マグネトロン、８・・・サーキュレータ、９・・
・プラズマ発生装置、１０・・比較器。 出願人代舞人　弁理士　鈴　江　武　彦第１頁の続き ■出　願　人　インターナショナル・スタンダード・エ
レクトリック・コーホ レイション アメリカ合衆国ニューヨーク州 １００２２ニユーヨーク・パーク・ アヴエニュー３２０

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）　　ガラス管の内面に管内を流れる１乃至１００
    ミＩＪ　／？−ルの範囲の圧力を有するガスからプラズ
    マ法による反応性沈着によって被覆を形成し、プラズマ
    領域はガラス管に対して相対的に軸方向に移動されるプ
    ラズマ法によるガラス管内面の被覆方法において、 ガス流が一定に保持され、プラズマ領域中におけるガス
    密度が排気速度の制御によって一定に、保持されること
    を特徴とする方法。
  2. （２）ガス密度を一定に保持するためにガス密度に対応
    する電気変数が排気速度の制御によって一定に保持書れ
    ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の方法。
  3. （３）排気速度はプラズマ発生装置のインピーダンスが
    一定に保持されるように制御されることを特徴とする特
    許請求の範囲第１よまたは第２積配敏の方法。
  4. （４）　　プラズマ発生装置から反射された電力を測定
    して得た信号の大きさおよび／または位相が一定に保持
    されるように排気速度が制御されることを特徴とする特
    許請求の範囲第３項記載の方法。
JP58018969A 1982-02-11 1983-02-09 ガラス管内面を被覆するためのプラズマ法 Granted JPS58194759A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE3204846.7 1982-02-11
DE19823204846 DE3204846A1 (de) 1982-02-11 1982-02-11 Plasmaverfahren zur innenbeschichtung von glasrohren

Publications (2)

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JPS58194759A true JPS58194759A (ja) 1983-11-12
JPS621587B2 JPS621587B2 (ja) 1987-01-14

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US (1) US4473596A (ja)
EP (1) EP0086378B1 (ja)
JP (1) JPS58194759A (ja)
AU (1) AU559415B2 (ja)
DE (2) DE3204846A1 (ja)
ES (1) ES519740A0 (ja)

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