RU2007142000A - Устройство и способ для выполнения процесса плазменного химического осаждения из паровой фазы - Google Patents
Устройство и способ для выполнения процесса плазменного химического осаждения из паровой фазы Download PDFInfo
- Publication number
- RU2007142000A RU2007142000A RU2007142000/03A RU2007142000A RU2007142000A RU 2007142000 A RU2007142000 A RU 2007142000A RU 2007142000/03 A RU2007142000/03 A RU 2007142000/03A RU 2007142000 A RU2007142000 A RU 2007142000A RU 2007142000 A RU2007142000 A RU 2007142000A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- applicator
- base tube
- furnace
- cylindrical axis
- microwave
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract 8
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 title 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 title 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract 10
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 claims 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 1
- 238000007496 glass forming Methods 0.000 claims 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/018—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD] by glass deposition on a glass substrate, e.g. by inside-, modified-, plasma-, or plasma modified- chemical vapour deposition [ICVD, MCVD, PCVD, PMCVD], i.e. by thin layer coating on the inside or outside of a glass tube or on a glass rod
- C03B37/01807—Reactant delivery systems, e.g. reactant deposition burners
- C03B37/01815—Reactant deposition burners or deposition heating means
- C03B37/01823—Plasma deposition burners or heating means
- C03B37/0183—Plasma deposition burners or heating means for plasma within a tube substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/018—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD] by glass deposition on a glass substrate, e.g. by inside-, modified-, plasma-, or plasma modified- chemical vapour deposition [ICVD, MCVD, PCVD, PMCVD], i.e. by thin layer coating on the inside or outside of a glass tube or on a glass rod
- C03B37/01876—Means for heating tubes or rods during or immediately prior to deposition, e.g. electric resistance heaters
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Abstract
1. Устройство для выполнения процесса плазменного химического осаждения из паровой фазы (ПХОПФ), согласно которому один или более слоев легированного или нелегированного стекла осаждают на внутреннюю поверхность стеклянной трубки-основы, имеющей сторону подвода и сторону отвода; причем упомянутое устройство содержит: аппликатор, имеющий внутреннюю стенку и внешнюю стенку, и микроволновый волновод, направляющий СВЧ-волны; при этом упомянутый микроволновый волновод выходит в аппликатор; аппликатор проходит вокруг цилиндрической оси и имеет прилегающий к внутренней стенке проход, по которому могут выходить направляемые по микроволновому волноводу СВЧ-волны; упомянутая стеклянная трубка-основа выполнена с возможностью ее позиционирования над упомянутой цилиндрической осью, при этом аппликатор окружен печью, расположенной над упомянутой цилиндрической осью; и аппликатор выполнен с возможностью его перемещения по упомянутой цилиндрической оси между точкой изменения направления на обратное на стороне подвода и точкой изменения направления на обратное на стороне отвода; отличающееся тем, что печь выполнена с возможностью ее возвратно-поступательного перемещения по отношению к трубке-основе вдоль ее продольной оси. ! 2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что расстояние, на которое аппликатор перемещается между точкой изменения направления на обратное на стороне подвода и точкой изменения направления на обратное на стороне отвода трубки-основы, является таким, что обеспечивает нахождение аппликатора в окружении печи. ! 3. Устройство по одному или обоим предыдущим пунктам, отличающееся тем, что аппликато�
Claims (10)
1. Устройство для выполнения процесса плазменного химического осаждения из паровой фазы (ПХОПФ), согласно которому один или более слоев легированного или нелегированного стекла осаждают на внутреннюю поверхность стеклянной трубки-основы, имеющей сторону подвода и сторону отвода; причем упомянутое устройство содержит: аппликатор, имеющий внутреннюю стенку и внешнюю стенку, и микроволновый волновод, направляющий СВЧ-волны; при этом упомянутый микроволновый волновод выходит в аппликатор; аппликатор проходит вокруг цилиндрической оси и имеет прилегающий к внутренней стенке проход, по которому могут выходить направляемые по микроволновому волноводу СВЧ-волны; упомянутая стеклянная трубка-основа выполнена с возможностью ее позиционирования над упомянутой цилиндрической осью, при этом аппликатор окружен печью, расположенной над упомянутой цилиндрической осью; и аппликатор выполнен с возможностью его перемещения по упомянутой цилиндрической оси между точкой изменения направления на обратное на стороне подвода и точкой изменения направления на обратное на стороне отвода; отличающееся тем, что печь выполнена с возможностью ее возвратно-поступательного перемещения по отношению к трубке-основе вдоль ее продольной оси.
2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что расстояние, на которое аппликатор перемещается между точкой изменения направления на обратное на стороне подвода и точкой изменения направления на обратное на стороне отвода трубки-основы, является таким, что обеспечивает нахождение аппликатора в окружении печи.
3. Устройство по одному или обоим предыдущим пунктам, отличающееся тем, что аппликатор цилиндрически симметричен и имеет кольцевую форму, и содержит резонаторное пространство, проходящее цилиндрически симметрично вокруг цилиндрической оси и имеющее кольцевую форму; причем упомянутое резонаторное пространство имеет щель в виде полного круга вокруг цилиндрической оси, через которую проходит СВЧ-энергия из микроволнового волновода.
4. Устройство по п.3, отличающееся тем, что микроволновый волновод выходит в резонаторное пространство.
5. Устройство по п.1, отличающееся тем, что продольная ось волновода расположена по существу перпендикулярно к цилиндрической оси, и упомянутая продольная ось не пересекает щель или проход резонаторного пространства.
6. Устройство по п.1, отличающееся тем, что продольная ось волновода не разделяет резонаторное пространство на две равные половины.
7. Способ осаждения одного или более слоев легированного или нелегированного стекла на внутреннюю поверхность стеклянной трубки-основы при помощи устройства по любому из пп.1-6; согласно которому трубку-основу помещают над цилиндрической осью во внутренней стенке аппликатора, на внутреннюю поверхность упомянутой трубки-основы подают формирующие стекло предшественники; при этом аппликатор окружен печью, проходящей над упомянутой цилиндрической осью; причем трубка-основа и аппликатор по существу соосные, аппликатор перемещают возвратно-поступательно по длине трубки-основы во время выполнения процесса осаждения, и аппликатор создает плазменные условия для формирования стеклянных слоев на внутренней поверхности стеклянной трубки-основы; отличающийся тем, что печь перемещают по отношению к трубке-основе по продольной оси во время процесса осаждения.
8. Способ по п.7, отличающийся тем, что расстояние, на которое перемещается печь по продольной оси трубки-основы является нечетным кратным четверти длины волны используемых в аппликаторе СВЧ-волн.
9. Способ по п.7, отличающийся тем, что соотношение времени цикла печи и времени цикла аппликатора не равно целому числу, на которое самый длительный цикл времени делится самым кратким циклом времени.
10. Способ по п.8, отличающийся тем, что соотношение времени цикла печи и времени цикла аппликатора не равно целому числу, на которое самый длительный цикл времени делится самым кратким циклом времени.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL1032867A NL1032867C2 (nl) | 2006-11-14 | 2006-11-14 | Inrichting en een werkwijze voor het uitvoeren van een depositieproces van het type PCVD. |
DK1032867 | 2006-11-14 | ||
NL1032867 | 2006-11-14 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2007142000A true RU2007142000A (ru) | 2009-05-20 |
RU2466943C2 RU2466943C2 (ru) | 2012-11-20 |
Family
ID=37775526
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2007142000/03A RU2466943C2 (ru) | 2006-11-14 | 2007-11-13 | Устройство и способ для выполнения процесса плазменного химического осаждения из паровой фазы |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7981485B2 (ru) |
EP (1) | EP1923360B1 (ru) |
JP (1) | JP5474295B2 (ru) |
CN (1) | CN101182114B (ru) |
BR (1) | BRPI0704186B1 (ru) |
ES (1) | ES2392992T3 (ru) |
NL (1) | NL1032867C2 (ru) |
RU (1) | RU2466943C2 (ru) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL1032867C2 (nl) | 2006-11-14 | 2008-05-15 | Draka Comteq Bv | Inrichting en een werkwijze voor het uitvoeren van een depositieproces van het type PCVD. |
NL2007831C2 (en) | 2011-11-21 | 2013-05-23 | Draka Comteq Bv | Apparatus and method for carrying out a pcvd deposition process. |
NL2007968C2 (en) * | 2011-12-14 | 2013-06-17 | Draka Comteq Bv | An apparatus for performing a plasma chemical vapour deposition process. |
NL2012857B1 (en) | 2014-05-22 | 2016-03-07 | Draka Comteq Bv | Apparatus and method for carrying out a plasma deposition process. |
CN105244251B (zh) * | 2015-11-03 | 2017-11-17 | 长飞光纤光缆股份有限公司 | 一种大功率等离子体微波谐振腔 |
NL2017575B1 (en) | 2016-10-04 | 2018-04-13 | Draka Comteq Bv | A method and an apparatus for performing a plasma chemical vapour deposition process and a method |
CN106094065B (zh) * | 2016-06-07 | 2018-07-10 | 长飞光纤光缆股份有限公司 | 一种梯度折射率石英玻璃透镜的制备方法 |
CN109133608B (zh) * | 2018-11-16 | 2022-02-01 | 长飞光纤光缆股份有限公司 | 一种用于光纤预制棒的掺杂设备 |
CN111517634B (zh) | 2020-04-13 | 2021-05-07 | 烽火通信科技股份有限公司 | 一种提高pcvd原料气体沉积均匀性的系统、方法和应用 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2364186A1 (fr) * | 1976-09-09 | 1978-04-07 | Comp Generale Electricite | Procede et dispositif pour deposer une couche d'un verre sur la paroi interne d'un tube |
DE2929166A1 (de) * | 1979-07-19 | 1981-01-29 | Philips Patentverwaltung | Verfahren zur herstellung von lichtleitfasern |
GB2068359B (en) * | 1980-01-29 | 1983-06-08 | Ass Elect Ind | Manufacture of optical fibre preforms |
DE3204846A1 (de) * | 1982-02-11 | 1983-08-18 | Schott Glaswerke, 6500 Mainz | Plasmaverfahren zur innenbeschichtung von glasrohren |
JPS59130535A (ja) * | 1983-01-17 | 1984-07-27 | Furukawa Electric Co Ltd:The | プラズマcvd法における放電プラズマ発生方法 |
JPS59195546A (ja) * | 1983-04-14 | 1984-11-06 | Furukawa Electric Co Ltd:The | プラズマcvd法におけるプラズマ発生方法 |
DE3528275A1 (de) * | 1985-08-07 | 1987-02-19 | Philips Patentverwaltung | Verfahren und vorrichtung zum innenbeschichten von rohren |
DE3632684A1 (de) * | 1986-09-26 | 1988-03-31 | Philips Patentverwaltung | Verfahren und vorrichtung zum innenbeschichten von rohren |
DE3635034A1 (de) * | 1986-10-15 | 1988-04-21 | Philips Patentverwaltung | Verfahren zur herstellung von lichtleitfasern |
US5211731A (en) * | 1991-06-27 | 1993-05-18 | The United States Of Americas As Represented By The Secretary Of The Navy | Plasma chemical vapor deposition of halide glasses |
JP3275428B2 (ja) * | 1993-03-17 | 2002-04-15 | 住友電気工業株式会社 | ガラス母材の製造方法及び装置 |
UA47454C2 (ru) * | 1996-12-20 | 2002-07-15 | Научний Центр Волоконной Оптікі Прі Інстітутє Общєй Фізікі Россійской Акадєміі Наук | Волоконный конвертор диаметра поля моды, способ локального изменения показателя преломления оптических волноводов и способ изготовления заготовок для оптических волноводов |
US6077572A (en) * | 1997-06-18 | 2000-06-20 | Northeastern University | Method of coating edges with diamond-like carbon |
DE69812434T2 (de) * | 1997-12-31 | 2004-01-15 | Draka Fibre Technology Bv | Pcvd-vorrichtung und verfahren zur herstellung einer optischen faser, eines vorform-stabes und eines mantelrohres und die damit hergestellte optische faser |
NL1018951C2 (nl) * | 2001-09-13 | 2003-03-14 | Draka Fibre Technology Bv | Werkwijze voor het vervaardigen van een staafvormig vormdeel alsmede een werkwijze voor het uit een dergelijk staafvormig vormdeel vervaardigen van optische vezels. |
US6901775B2 (en) | 2001-09-21 | 2005-06-07 | Corning Incorporated | Method and apparatus for providing a uniform coating thickness along an axial direction within a substrate tube |
US20030115909A1 (en) * | 2001-12-21 | 2003-06-26 | House Keith L. | Plasma chemical vapor deposition methods and apparatus |
NL1020358C2 (nl) * | 2002-04-10 | 2003-10-13 | Draka Fibre Technology Bv | Werkwijze en inrichting ter vervaardiging van optische voorvormen, alsmede de daarmee verkregen optische vezels. |
NL1025155C2 (nl) * | 2003-12-30 | 2005-07-04 | Draka Fibre Technology Bv | Inrichting voor het uitvoeren van PCVD, alsmede werkwijze voor het vervaardigen van een voorvorm. |
NL1032867C2 (nl) | 2006-11-14 | 2008-05-15 | Draka Comteq Bv | Inrichting en een werkwijze voor het uitvoeren van een depositieproces van het type PCVD. |
-
2006
- 2006-11-14 NL NL1032867A patent/NL1032867C2/nl active Search and Examination
-
2007
- 2007-11-08 EP EP07021689A patent/EP1923360B1/en active Active
- 2007-11-08 ES ES07021689T patent/ES2392992T3/es active Active
- 2007-11-13 JP JP2007293910A patent/JP5474295B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2007-11-13 RU RU2007142000/03A patent/RU2466943C2/ru active
- 2007-11-14 CN CN200710187827.8A patent/CN101182114B/zh active Active
- 2007-11-14 BR BRPI0704186A patent/BRPI0704186B1/pt active IP Right Grant
- 2007-11-14 US US11/939,931 patent/US7981485B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NL1032867C2 (nl) | 2008-05-15 |
CN101182114A (zh) | 2008-05-21 |
US20090022906A1 (en) | 2009-01-22 |
RU2466943C2 (ru) | 2012-11-20 |
US7981485B2 (en) | 2011-07-19 |
EP1923360B1 (en) | 2012-08-29 |
ES2392992T3 (es) | 2012-12-17 |
BRPI0704186B1 (pt) | 2017-04-11 |
BRPI0704186A (pt) | 2008-07-01 |
JP2008144271A (ja) | 2008-06-26 |
JP5474295B2 (ja) | 2014-04-16 |
EP1923360A1 (en) | 2008-05-21 |
CN101182114B (zh) | 2015-06-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2007142000A (ru) | Устройство и способ для выполнения процесса плазменного химического осаждения из паровой фазы | |
JP5944487B2 (ja) | ガスを処理する方法およびその方法を実施するための装置 | |
CA2067309C (en) | Process and apparatus for plasma cvd coating or plasma treating substrates | |
JP6129522B2 (ja) | Pcvd堆積プロセスを実施する装置および方法 | |
US7737382B2 (en) | Device for processing welding wire | |
JP4989027B2 (ja) | Pcvd装置、及びプリフォームを製造する方法 | |
JP2009504393A5 (ru) | ||
WO2012121132A1 (ja) | プラズマ生成装置、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
JP2012007239A (ja) | プラズマcvd装置及び方法 | |
JP2014524106A (ja) | マイクロ波共鳴空洞 | |
CN1630925B (zh) | 用于将电磁微波辐射施加于等离子体腔室中的装置 | |
CN108349756A (zh) | 用于对流动介质进行uv照射的装置 | |
CN103114278A (zh) | 平面磁控ecr-pecvd等离子源装置 | |
KR101398592B1 (ko) | 라디칼 발생 및 이송 장치 | |
TW200845833A (en) | Plasma generating device | |
RU2013130001A (ru) | Вращающееся устройство для выдачи текучей среды | |
KR102035218B1 (ko) | 가스처리용 마이크로웨이브식 플라즈마 장치 및 이를 위한 스월 발생기 | |
JP4273983B2 (ja) | 表面波励起プラズマcvd装置 | |
RU172602U1 (ru) | Установка для очистки труб | |
KR100358750B1 (ko) | 과불화 화합물 가스의 처리 장치 | |
CN210326075U (zh) | 一种适用于pcvd工艺的分体式易调谐微波谐振腔 | |
RU2140469C1 (ru) | Устройство для непрерывной термической обработки длинномерного материала | |
JP2005340964A (ja) | マイクロ波供給システム | |
JP6133587B2 (ja) | プラズマ化学蒸着方法を実施する装置および方法 | |
RU2718715C1 (ru) | Свч-плазмотрон |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
QB4A | Licence on use of patent |
Free format text: SUB-LICENCE Effective date: 20140717 Free format text: LICENCE Effective date: 20140717 |