JP2008138159A - 樹脂組成物及びこれを用いた半導体装置 - Google Patents
樹脂組成物及びこれを用いた半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008138159A JP2008138159A JP2007079537A JP2007079537A JP2008138159A JP 2008138159 A JP2008138159 A JP 2008138159A JP 2007079537 A JP2007079537 A JP 2007079537A JP 2007079537 A JP2007079537 A JP 2007079537A JP 2008138159 A JP2008138159 A JP 2008138159A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- room temperature
- resin composition
- soluble
- polar solvent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】(A)室温で極性溶媒に可溶な芳香族熱可塑性樹脂、(B)室温で極性溶媒に不溶であるが、加熱することにより可溶な芳香族熱可塑性樹脂、(C)平均粒径が0.1〜6μmでかつ粒径分布が0.01〜15μmであるゴム弾性を有する低弾性フィラー、及び(D)極性溶媒を含有してなる樹脂組成物において、前記(A)室温で極性溶媒に可溶な芳香族熱可塑性樹脂の重量平均分子量が65,000〜100,000であり、かつ前記(B)室温で極性溶媒に不溶であるが、加熱することにより可溶な芳香族熱可塑性樹脂の重量平均分子量が50,000〜100,000である樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置。
【選択図】なし
Description
(合成例1)
温度計、撹拌機、窒素導入管、油水分離機付き冷却管を取り付けた0.5リットルの4つ口フラスコに窒素気流下、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン(以下BAPPとする)45.92g(112ミリモル)を入れ、N−メチル−2−ピロリドン(以下NMPとする)50gを加えて溶解した。次に20℃を超えない様に冷却しながら無水トリメリット酸クロライド(以下TACとする)23.576g(112ミリモル)を加えた。室温で1時間撹拌した後、20℃を超えない様に冷却しながらトリエチルアミン(以下TEAとする)13.5744g(134.4ミリモル)を加えて、室温で3時間反応させてポリアミック酸ワニスを製造した。得られたポリアミック酸ワニスを更に190℃で脱水反応を6時間行い、ポリアミドイミド樹脂のワニスを製造した。このポリアミドイミド樹脂のワニスを水に注いで得られる沈殿物を分離、粉砕、乾燥して、極性溶媒に室温で可溶なポリアミドイミド樹脂粉末(MPAI−1)を得た。得られたポリアミドイミド樹脂(MPAI−1)の重量平均分子量をゲル浸透クロマトグラフィー(以下GPCとする)を使用して標準ポリスチレン換算で測定したところ88,000であった。
温度計、撹拌機、窒素導入管、油水分離機付き冷却管を取り付けた0.5リットルの4つ口フラスコに窒素気流下、BAPP45.92g(112ミリモル)を入れ、NMP50gを加えて溶解した。次に20℃を超えない様に冷却しながらTAC23.576g(112ミリモル)を加えた。室温で1時間撹拌した後、20℃を超えない様に冷却しながらTEA13.5744g(134.4ミリモル)を加えて、室温で3時間反応させてポリアミック酸ワニスを製造した。得られたポリアミック酸ワニスをさらに190℃で脱水反応を3時間行い、ポリアミドイミド樹脂のワニスを製造した。このポリアミドイミド樹脂のワニスを水に注いで得られる沈殿物を分離、粉砕、乾燥して、極性溶媒に室温で可溶なポリアミドイミド樹脂粉末(MPAI−2)を得た。得られたポリアミドイミド樹脂(MPAI−2)の重量平均分子量をGPCを使用して標準ポリスチレン換算で測定したところ68,000であった。
温度計、撹拌機、窒素導入管、油水分離機付き冷却管を取り付けた0.5リットルの4つ口フラスコに窒素気流下、BAPP45.92g(112ミリモル)を入れ、NMP50gを加えて溶解した。次に20℃を超えないように冷却しながらTAC24.048g(114.2ミリモル)を加えた。室温で1時間撹拌した後、20℃を超えないように冷却しながらTEA13.5744g(134.4ミリモル)を加えて、室温で3時間反応させてポリアミック酸ワニスを製造した。得られたポリアミック酸ワニスをさらに190℃で脱水反応を3時間行い、ポリアミドイミド樹脂のワニスを製造した。このポリアミドイミド樹脂のワニスを水に注いで得られる沈殿物を分離、粉砕、乾燥して、極性溶媒に室温で可溶なポリアミドイミド樹脂粉末(MPAI−3)を得た。得られたポリアミドイミド樹脂(MPAI−3)の重量平均分子量をGPCを使用して標準ポリスチレン換算で測定したところ60,000であった。
温度計、撹拌機、窒素導入管、油水分離機付き冷却管を取り付けた0.5リットルの4つ口フラスコに窒素気流下、BAPP45.92g(112ミリモル)を入れ、NMP50gを加えて溶解した。次に20℃を超えないように冷却しながらTAC23.576g(112ミリモル)を加えた。室温で1時間撹拌した後、20℃を超えないように冷却しながらTEA13.5744g(134.4ミリモル)を加えて、室温で3時間反応させてポリアミック酸ワニスを製造した。得られたポリアミック酸ワニスをさらに190℃で脱水反応を8時間行い、ポリアミドイミド樹脂のワニスを製造した。このポリアミドイミド樹脂のワニスを水に注いで得られる沈殿物を分離、粉砕、乾燥して、極性溶媒に室温で可溶なポリアミドイミド樹脂粉末(MPAI−4)を得た。得られたポリアミドイミド樹脂(MPAI−4)の重量平均分子量をGPCを使用して標準ポリスチレン換算で測定したところ120,000であった。
温度計、撹拌機、窒素導入管、油水分離機付き冷却管を取り付けた0.5リットルの4つ口フラスコに窒素気流下、BAPP45.92g(112ミリモル)を入れ、NMP50gを加えて溶解した。次に、20℃を超えないように冷却しながらTAC14.1456g(67.2ミリモル)及び3,4,3’,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸ニ無水物(以下BTDAとする)14.4256g(44.8ミリモル)を加えた。室温で1時間撹拌した後、20℃を超えないように冷却しながらTEA8.145g(80.64ミリモル)を加えて、室温で3時間反応させてポリアミック酸ワニスを製造した。得られたポリアミック酸ワニスをさらに190℃で脱水反応を6時間行い、ポリアミドイミド樹脂のワニスを製造した。このポリアミドイミド樹脂のワニスを水に注いで得られる沈殿物を分離、粉砕、乾燥して、極性溶媒に室温では不溶であるが、加熱することにより可溶な重量平均分子量90,000のポリアミドイミド樹脂粉末(PAI−1)を得た。
温度計、撹拌機、窒素導入管、油水分離機付き冷却管を取り付けた0.5リットルの4つ口フラスコに窒素気流下、BAPP45.92g(112ミリモル)を入れ、NMP50gを加えて溶解した。次に、20℃を超えないように冷却しながらTAC14.1456g(67.2ミリモル)及びBTDA14.4256g(44.8ミリモル)を加えた。室温で1時間撹拌した後、20℃を超えないように冷却しながらTEA8.145g(80.64ミリモル)を加えて、室温で3時間反応させてポリアミック酸ワニスを製造した。得られたポリアミック酸ワニスをさらに190℃で脱水反応を3時間行い、ポリアミドイミド樹脂のワニスを製造した。このポリアミドイミド樹脂のワニスを水に注いで得られる沈殿物を分離、粉砕、乾燥して、極性溶媒に室温では不溶であるが、加熱することにより可溶な重量平均分子量60,000のポリアミドイミド樹脂粉末(PAI−2)を得た。
温度計、撹拌機、窒素導入管、油水分離機付き冷却管を取り付けた0.5リットルの4つ口フラスコに窒素気流下、BAPP45.92g(112ミリモル)を入れ、NMP50gを加えて溶解した。次に、20℃を超えないように冷却しながらTAC14.8529g(70.6ミリモル)及びBTDA15.1469g(47.0ミリモル)を加えた。室温で1時間撹拌した後、20℃を超えないように冷却しながらTEA8.145g(80.64ミリモル)を加えて、室温で3時間反応させてポリアミック酸ワニスを製造した。得られたポリアミック酸ワニスをさらに190℃で脱水反応を3時間行い、ポリアミドイミド樹脂のワニスを製造した。このポリアミドイミド樹脂のワニスを水に注いで得られる沈殿物を分離、粉砕、乾燥して、極性溶媒に室温では不溶であるが、加熱することにより可溶な重量平均分子量42,000のポリアミドイミド樹脂粉末(PAI−3)を得た。
温度計、撹拌機、窒素導入管、油水分離機付き冷却管を取り付けた0.5リットルの4つ口フラスコに窒素気流下、BAPP45.92g(112ミリモル)を入れ、NMP50gを加えて溶解した。次に、20℃を超えないように冷却しながらTAC14.1456g(67.2ミリモル)及びBTDA14.4256g(44.8ミリモル)を加えた。室温で1時間撹拌した後、20℃を超えないように冷却しながらTEA8.145g(80.64ミリモル)を加えて、室温で3時間反応させてポリアミック酸ワニスを製造した。得られたポリアミック酸ワニスをさらに190℃で脱水反応を8時間行い、ポリアミドイミド樹脂のワニスを製造した。このポリアミドイミド樹脂のワニスを水に注いで得られる沈殿物を分離、粉砕、乾燥して、極性溶媒に室温では不溶であるが、加熱することにより可溶な重量平均分子量107,000のポリアミドイミド樹脂粉末(PAI−4)を得た。
(実施例1)
温度計、撹拌機、窒素導入管及び冷却管を取り付けた1リットルの4つ口フラスコに窒素気流下、合成例1で得られた、室温で可溶なポリアミドイミド樹脂粉末(MPAI−1)110g、合成例5で得られた、極性溶媒に室温では不溶であるが、加熱することにより可溶なポリアミドイミド樹脂粉末(PAI−1)33g、γ―ブチロラクトン300g及びトリエチレングリコールジメチルエーテル129gを加えて攪拌しながら130℃まで昇温した。130℃で2時間攪拌後加熱を停止し、攪拌しながら室温まで放冷し、黄色樹脂組成物を得た。得られた黄色樹脂組成物にトレフィルE−601(東レ・ダウコーニング・シリコーン(株)製商品名、シリコーンゴムパウダー、平均粒径:約2μm、粒径分布1〜10μm)61.3g及び1,3−ジメチルテトラヒドロ−2(1H)−ピリミジノン(以下DMPUとする)114.55gを添加してプラネタリミキサで混練、分散した後、これをろ過器KST−47(アドバンテック(株)製)に充填し、シリコンゴム製ピストンを挿入し、3.0kg/cm2の圧力で加圧ろ過して樹脂組成物(P−1)を得た。
◎:埋め込み不良によるボイドの発生無し
○:埋め込み不良によるボイドの発生僅かに有り
△:埋め込み不良によるボイドの発生若干有り
×:埋め込み不良によるボイドの発生ほぼ全面に有り
※…上記の◎及び○を合格とする
〔印刷後の形状保持性〕
◎:スクライブライン形成
○:スクライブライン形成されているが若干の流れ込み有り
△:スクライブライン潰れが一部で発生
×:スクライブライン潰れ(ほぼ全面)
※…上記の◎及び○を合格とする
極性溶媒に室温では不溶であるが、加熱することにより可溶なポリアミドイミド樹脂粉末として、合成例6で得られたポリアミドイミド樹脂粉末(PAI−2)を用いた以外は、実施例1と同様にして、樹脂組成物(P−2)を調製し、その評価を行った。結果を表1に示す。
室温で可溶なポリアミドイミド樹脂粉末として、合成例2で得られたポリアミドイミド樹脂粉末(MPAI−2)を用い、極性溶媒に室温では不溶であるが、加熱することにより可溶なポリアミドイミド樹脂粉末として、合成例6で得られたポリアミドイミド樹脂粉末(PAI−2)を用いた以外は、実施例1と同様にして、樹脂組成物(P−3)を調製し、その評価を行った。結果を表1に示す。
室温で可溶なポリアミドイミド樹脂粉末として、合成例2で得られたポリアミドイミド樹脂粉末(MPAI−2)を用いた以外は、実施例1と同様にして、樹脂組成物(P−4)を調製し、その評価を行った。結果を表1に示す。
極性溶媒に室温では不溶であるが、加熱することにより可溶なポリアミドイミド樹脂粉末として、合成例7で得られたポリアミドイミド樹脂粉末(PAI−3)を用いた以外は、実施例1と同様にして、樹脂組成物(P−5)を調製し、その評価を行った。結果を表1に示す。
室温で可溶なポリアミドイミド樹脂粉末として、合成例2で得られたポリアミドイミド樹脂粉末(MPAI−2)を用い、極性溶媒に室温では不溶であるが、加熱することにより可溶なポリアミドイミド樹脂粉末として、合成例7で得られたポリアミドイミド樹脂粉末(PAI−3)を用いた以外は、実施例1と同様にして、樹脂組成物(P−6)を調製し、その評価を行った。結果を表1に示す。
室温で可溶なポリアミドイミド樹脂粉末として、合成例3で得られたポリアミドイミド樹脂粉末(MPAI−3)を用い、極性溶媒に室温では不溶であるが、加熱することにより可溶なポリアミドイミド樹脂粉末として、合成例7で得られたポリアミドイミド樹脂粉末(PAI−3)を用いた以外は、実施例1と同様にして、樹脂組成物(P−7)を調製し、その評価を行った。結果を表1に示す。
室温で可溶なポリアミドイミド樹脂粉末として、合成例3で得られたポリアミドイミド樹脂粉末(MPAI−3)を用い、極性溶媒に室温では不溶であるが、加熱することにより可溶なポリアミドイミド樹脂粉末として、合成例6で得られたポリアミドイミド樹脂粉末(PAI−2)を用いた以外は、実施例1と同様にして、樹脂組成物(P−8)を調製し、その評価を行った。結果を表1に示す。
室温で可溶なポリアミドイミド樹脂粉末として、合成例3で得られたポリアミドイミド樹脂粉末(MPAI−3)を用いた以外は、実施例1と同様にして、樹脂組成物(P−9)を調製し、その評価を行った。結果を表1に示す。
室温で可溶なポリアミドイミド樹脂粉末として、合成例4で得られたポリアミドイミド樹脂粉末(MPAI−4)を用い、極性溶媒に室温では不溶であるが、加熱することにより可溶なポリアミドイミド樹脂粉末として、合成例8で得られたポリアミドイミド樹脂粉末(PAI−4)を用いた以外は、実施例1と同様にして、樹脂組成物(P−10)を調製し、その評価を行った。結果を表1に示す。
2 スキージ
3 印刷用マスク
4 配線形成部分
5 スクライブライン部
6 シリコンウエハ
11 はんだボール
12 銅ポスト
13 応力緩和層(樹脂組成物)
14 銅配線
15 シリコンウエハ
16 ポリイミド系絶縁膜
Claims (7)
- (A)室温で極性溶媒に可溶な芳香族熱可塑性樹脂、(B)室温で極性溶媒に不溶であるが、加熱することにより可溶な芳香族熱可塑性樹脂、(C)平均粒径が0.1〜6μmでかつ粒径分布が0.01〜15μmであるゴム弾性を有する低弾性フィラー、及び(D)極性溶媒を含有してなる樹脂組成物において、前記(A)室温で極性溶媒に可溶な芳香族熱可塑性樹脂の重量平均分子量が65,000〜100,000であり、かつ前記(B)室温で極性溶媒に不溶であるが、加熱することにより可溶な芳香族熱可塑性樹脂の重量平均分子量が50,000〜100,000である樹脂組成物。
- レオメーターを使用してせん断応力13Paの条件下、周波数5Hz及び50Hzで測定した粘度がそれぞれ400Pa・s未満及び3Pa・s以上であり、かつそれら粘度の比(周波数5Hzでの粘度(Pa・s)/周波数50Hzでの粘度(Pa・s))が2以上である請求項1記載の樹脂組成物。
- レオメーターを使用してせん断応力13Paの条件下、周波数1Hz以上で測定したtanδ(δ=損失弾性率(Pa)/貯蔵弾性率(Pa))の値が、1以上2未満である請求項1又は2記載の樹脂組成物。
- 前記(A)室温で極性溶媒に可溶な芳香族熱可塑性樹脂及び前記(B)室温で極性溶媒に不溶であるが、加熱することにより可溶な芳香族熱可塑性樹脂が、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂又はこれらの前駆体である請求項1〜3のいずれか1項記載の樹脂組成物。
- 前記(C)ゴム弾性を有する低弾性フィラーの表面が化学修飾されている請求項1〜4のいずれか1項記載の樹脂組成物。
- 前記化学修飾がエポキシ基による修飾である請求項5記載の樹脂組成物。
- 請求項1〜6のいずれか1項記載の樹脂組成物を用いた半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007079537A JP2008138159A (ja) | 2006-11-07 | 2007-03-26 | 樹脂組成物及びこれを用いた半導体装置 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006301526 | 2006-11-07 | ||
JP2007079537A JP2008138159A (ja) | 2006-11-07 | 2007-03-26 | 樹脂組成物及びこれを用いた半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008138159A true JP2008138159A (ja) | 2008-06-19 |
Family
ID=39599973
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007079537A Pending JP2008138159A (ja) | 2006-11-07 | 2007-03-26 | 樹脂組成物及びこれを用いた半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008138159A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013027491A1 (ja) * | 2011-08-25 | 2013-02-28 | 日東電工株式会社 | 絶縁フィルム |
CN104081504A (zh) * | 2012-01-06 | 2014-10-01 | 日立化成株式会社 | 钝化膜形成用组合物、带钝化膜的半导体基板及其制造方法、以及太阳能电池元件及其制造方法 |
CN104488088A (zh) * | 2012-07-19 | 2015-04-01 | 日立化成株式会社 | 太阳能电池元件及其制造方法、以及太阳能电池模块 |
JPWO2013103141A1 (ja) * | 2012-01-06 | 2015-05-11 | 日立化成株式会社 | パッシベーション膜付半導体基板及びその製造方法、並びに太陽電池素子及びその製造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001066645A1 (en) * | 2000-03-06 | 2001-09-13 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Resin composition, heat-resistant resin paste and semiconductor device using them and method for manufacture thereof |
JP2005023186A (ja) * | 2003-07-01 | 2005-01-27 | Hitachi Chem Co Ltd | 樹脂組成物及びこれを用いた半導体装置 |
JP2006219621A (ja) * | 2005-02-14 | 2006-08-24 | Hitachi Chem Co Ltd | 樹脂組成物及びこれを用いた半導体装置 |
WO2006115124A1 (ja) * | 2005-04-19 | 2006-11-02 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | 樹脂組成物及びこれを用いた半導体装置 |
-
2007
- 2007-03-26 JP JP2007079537A patent/JP2008138159A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001066645A1 (en) * | 2000-03-06 | 2001-09-13 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Resin composition, heat-resistant resin paste and semiconductor device using them and method for manufacture thereof |
JP2005023186A (ja) * | 2003-07-01 | 2005-01-27 | Hitachi Chem Co Ltd | 樹脂組成物及びこれを用いた半導体装置 |
JP2006219621A (ja) * | 2005-02-14 | 2006-08-24 | Hitachi Chem Co Ltd | 樹脂組成物及びこれを用いた半導体装置 |
WO2006115124A1 (ja) * | 2005-04-19 | 2006-11-02 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | 樹脂組成物及びこれを用いた半導体装置 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013027491A1 (ja) * | 2011-08-25 | 2013-02-28 | 日東電工株式会社 | 絶縁フィルム |
CN104081504A (zh) * | 2012-01-06 | 2014-10-01 | 日立化成株式会社 | 钝化膜形成用组合物、带钝化膜的半导体基板及其制造方法、以及太阳能电池元件及其制造方法 |
JPWO2013103141A1 (ja) * | 2012-01-06 | 2015-05-11 | 日立化成株式会社 | パッシベーション膜付半導体基板及びその製造方法、並びに太陽電池素子及びその製造方法 |
JPWO2013103140A1 (ja) * | 2012-01-06 | 2015-05-11 | 日立化成株式会社 | パッシベーション膜形成用組成物、パッシベーション膜付半導体基板及びその製造方法、並びに太陽電池素子及びその製造方法 |
JP2016066805A (ja) * | 2012-01-06 | 2016-04-28 | 日立化成株式会社 | パッシベーション膜形成用組成物、パッシベーション膜付半導体基板及びその製造方法、並びに太陽電池素子及びその製造方法 |
JP2018082211A (ja) * | 2012-01-06 | 2018-05-24 | 日立化成株式会社 | パッシベーション膜形成用組成物、パッシベーション膜付半導体基板及びその製造方法、並びに太陽電池素子及びその製造方法 |
CN104488088A (zh) * | 2012-07-19 | 2015-04-01 | 日立化成株式会社 | 太阳能电池元件及其制造方法、以及太阳能电池模块 |
TWI569461B (zh) * | 2012-07-19 | 2017-02-01 | 日立化成股份有限公司 | 太陽電池元件及其製造方法及太陽電池模組 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7061081B2 (en) | Resin composition, heat-resistant resin paste and semiconductor device using them and method for manufacture thereof | |
JP5708778B1 (ja) | ポリイミド前駆体組成物の製造方法 | |
JP4748155B2 (ja) | 樹脂組成物及びこれを用いた半導体装置 | |
JP7298480B2 (ja) | ポリアミドイミド樹脂及びポリアミドイミド樹脂組成物、並びにそれらを用いた半導体装置 | |
JP6056512B2 (ja) | ポリイミド成形体の製造方法、液晶配向膜の製造方法、パッシベーション膜の製造方法、電線被覆材の製造方法、及び接着膜の製造方法 | |
JP2016030760A (ja) | ポリイミド前駆体組成物、ポリイミド前駆体の製造方法、ポリイミド成形体、及びポリイミド成形体の製造方法 | |
JP5343562B2 (ja) | 耐熱性樹脂ペースト | |
JP6427904B2 (ja) | ポリイミド前駆体組成物、ポリイミド成形体の製造方法、及びポリイミド成形体 | |
JP2007246897A (ja) | 耐熱性樹脂ペースト、耐熱性樹脂ペーストの製造方法、及び耐熱性樹脂ペーストから得られる絶縁膜又は保護膜を有する半導体装置 | |
JP2008138159A (ja) | 樹脂組成物及びこれを用いた半導体装置 | |
JP4725124B2 (ja) | 樹脂組成物及びこれを用いた半導体装置 | |
JP6496993B2 (ja) | ポリイミド前駆体組成物、ポリイミド前駆体の製造方法、ポリイミド成形体、及びポリイミド成形体の製造方法 | |
WO2013108784A1 (ja) | 樹脂ペースト及び太陽電池の製造方法 | |
JP2987950B2 (ja) | ポリイミド系樹脂ペーストおよびこれを用いたic | |
JP5768926B2 (ja) | ポリイミド前駆体組成物、ポリイミド前駆体組成物の製造方法、ポリイミド成形体の製造方法、ポリイミド成形体、液晶配向膜、パッシベーション膜、電線被覆材、及び接着膜 | |
WO2012133415A1 (ja) | 樹脂ペースト、太陽電池及びその製造方法、樹脂膜並びに半導体装置 | |
JP2010180262A (ja) | 樹脂組成物の製造方法 | |
JP2009224460A (ja) | スクリーン印刷用樹脂組成物 | |
US20090227714A1 (en) | Resin composition and semiconductor device using the same | |
JP2005023184A (ja) | 樹脂組成物及びこれを用いた半導体装置 | |
JP2005239862A (ja) | 樹脂組成物の製造方法及びこれを用いた半導体装置 | |
JP2005023186A (ja) | 樹脂組成物及びこれを用いた半導体装置 | |
JP2008280509A (ja) | 耐熱性樹脂ペースト | |
JP2001323174A (ja) | 樹脂組成物及びこれを用いた半導体装置 | |
JP2005023183A (ja) | 樹脂組成物及びこれを用いた半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100227 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110118 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120113 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120117 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120522 |