JP2008135756A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】素複数の素子領域と、これら素子領域を個片に分割する領域であるダイシング領域3と、ダイシング領域に形成された凹凸5を含む領域とを含む半導体基板1の、素子領域をマスク層13で覆う工程と、凹凸を含む領域をエッチングして凹凸を除去する工程と、凹凸の除去されたダイシング領域を含む半導体基板全面に導電層を形成する工程と、導電層上全面に絶縁膜を形成し、所定領域を開孔する工程と、絶縁膜の開孔部にバンプ電極を形成する工程と、を含む半導体装置の製造方法。
【選択図】図3
Description
2 素子領域
3 スクライブ領域
4 電気的特性評価用素子
5 電極
6 パターン形成精度測定用マーク
7 表面保護膜
10 金属膜
11 レジスト膜
12 保護膜
13 レジスト膜
15 金属膜
16 低粘度のレジスト膜
17 高粘度のレジスト膜
Claims (3)
- 複数の素子領域と、これら素子領域を個片に分割する領域であるダイシング領域と、前記ダイシング領域に形成された凹凸を含む領域とを含む半導体基板の、前記素子領域をマスク層で覆う工程と、
前記凹凸を含む領域をエッチングして前記凹凸を除去する工程と、
前記凹凸の除去されたダイシング領域を含む前記半導体基板全面に導電層を形成する工程と、
前記導電層上全面に絶縁膜を形成し、所定領域を開孔する工程と、
前記絶縁膜の開孔部にバンプ電極を形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 保護層で覆われた複数の素子領域と、これら素子領域を個片に分割する領域であるダイシング領域と、前記ダイシング領域に形成された凹凸を含む領域とを含む半導体基板の全面をエッチングして前記凹凸の表面をエッチングする工程と、
前記半導体基板全面に導電層を形成する工程と、
前記導電層上全面に絶縁膜を形成し、所定領域を開孔する工程と、
前記絶縁膜の開孔部にバンプ電極を形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 保護層で覆われた複数の素子領域と、これら素子領域を個片に分割する領域であるダイシング領域と、前記ダイシング領域に形成された凹凸を含む領域とを含む半導体基板の表面全面に金属膜を形成する工程と、
前記金属膜の表面全面に低粘度の第1のレジスト膜を形成する工程と、
前記第1のレジスと膜全面上に高粘度の第2のレジスト膜を形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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