JP2008135079A - 半導体レーザ、光学ヘッド及び光情報記録再生装置 - Google Patents

Abstract

【課題】高出力の青色半導体レーザパッケージにおいて、出射または入射するレーザ光によってゴミや埃などがパッケージの窓ガラス部の外表面に付着し、レーザ光が遮られるのを低減することができる半導体レーザパッケージを提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子４１が取り付けられた缶パーケージ４４はその開口を覆うように窓ガラス４５が固着されている。レーザチップ発光端面から外側表面までの距離Ｄ１を１．１ｍｍ以上にする。
【選択図】図２

Description

本発明は、光情報処理又は光通信に用いられ、特に光ヘッド及び光情報記録再生装置内に設けられる半導体レーザに関するものである。

近年、青色半導体レーザを用いたブルーレイディスク（ＢＤ）はデジタル情報をデジタルバーサタイルディスク（ＤＶＤ）に対して約１０倍の記録密度で記録できることから、大容量の光情報媒体として注目されている。大容量を実現する光情報記録再生装置では、装置の外部から装置内にゴミや埃、チリなどが侵入すると、そのゴミや埃、チリなどによって、光学ヘッド内の半導体レーザからのレーザ光や、これらによるディスクからの戻り光が遮られて、ディスクの情報を正しく読み取ることができない。ディスクに情報を書き込むことができない。などの不具合が生じやすくなる。

特に、青色レーザや青紫レーザのような短波長の半導体レーザを用いたＢＤの光学ヘッドでは、レーザ光が光学ヘッド内に浮遊しているゴミや埃、チリなどが活性化されるため、レーザパッケージの窓部、外側表面などのような光密度が高い所に、そのゴミや埃、チリなどが付着されやすく、上記の不具合を生じやすい。

そこで、外部からのゴミや埃、チリなどの侵入を防止するために、光学ヘッドの対物レンズが望む部分以外を機密構造とし、対物レンズが望む窓部分にシャッタを設けて、装置を使用しないときはシャッタが閉じられるようにした光情報記録再生装置が特許文献１で提案されている。
特開２００３−０５９０８７号公報

しかしながら、このような構造にすると、装置の機構が複雑化し、装置のコストアップを来たす。しかも、このような構造にしても、装置使用時、生産時にゴミや埃、チリなどが光学ヘッド内に侵入するのを防止することはできない。また、青色半導体レーザを用いたＢＤの光情報記録再生装置の高倍速化に伴い、青色半導体レーザの出射出力を増加させる必要があり、さらに付着物が増加してしまう。

そこで、この発明は光学ヘッド内に設けられる半導体レーザとして、これに付着したゴミや埃、チリなどを低減でき、出射または入射するレーザ光がゴミや埃、チリなどによって遮られるのを防止することができるようにしたものである。

本発明の半導体レーザは、所定の発振波長のレーザ光を放射する出射端面を有するレーザ素子と、前記レーザ光を透過する透過性物質と、前記出射端面と前記透過性物質とを対向させ、前記透過性物資とを１つの壁面として前記レーザ素子を内包するパッケージとを備え、前記透過性物質を透過し前記レーザ光が出射する当該透過性物質の表面と、前記出射端面とが１．１ｍｍ以上の間隙を有する。

また、上記半導体レーザにおけるレーザ素子は、１００ｍＷ以上のレーザ出射出力で前記レーザ光を発振する。

また、本発明の半導体レーザは、所定の発振波長のレーザ光を放射する出射端面を有す
るレーザ素子と、前記レーザ光を透過する透過性物質と、前記出射端面と前記透過性物質とを対向させ、前記透過性物資とを１つの壁面として前記レーザ素子を内包するパッケージとを備え、前記透過性物質を透過し前記レーザ光が出射する当該透過性物質の表面と、前記出射端面とが１．３５ｍｍ以上の間隙を有する。

また、上記半導体レーザにおけるレーザ素子は、１５０ｍＷ以上のレーザ出射出力で前記レーザ光を発振する。

また、上記何れかの半導体レーザにおいて、レーザ素子が発振したレーザ光の前記透過性物質の前記表面におけるパワー密度が、３７ｍＷ／ｍｍ2以下である。

また、上記何れかの半導体レーザにおけるレーザ素子の発振波長は、４１５ｎｍ以下である。

また、上記何れかの半導体レーザの透過性物質を介して前記出射端面から放射したレーザ光が透過する第２の透過性物質を備え、前記第２の透過性物質を１つの壁面をして前記レーザ素子を内包する第２のパッケージを前記パッケージの外側に備える。

以上のように本発明によれば、光学ヘッド内に設けられる半導体レーザに付着するゴミや埃、チリなどを低減でき、ＢＤの光情報記録再生装置が高倍速化になり高出力の青色半導体レーザが必要になる場合でも、半導体レーザの窓ガラス部に付着するゴミや埃、チリなどを性能保障範囲に抑えることが可能である。

以下、本発明の最良の実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、本発明で言う出射レーザ出力とは、図６に示すように、半導体レーザをパルス信号で変調した際のピークパワー出力である。

以下に、本発明の光情報記録再生装置（以下、光ディスク装置と称す）に関する一実施例を図面を参照して説明する。図１は本実施例における光ディスク装置の構成を説明するブロック図である。図１において、１は半導体レーザ、２はビームスプリッタ、３は光ビーム減衰光学素子、４は回折格子、５は偏光ビームスプリッタ、６はコリメータレンズ、７はミラー、８は対物レンズ、９は光情報記録媒体、１０は第１の集光レンズ、１１は第２の集光レンズ、１２は第１の光検出器、１３は第２の光検出器、１４は第３の光検出器、１５は光量制御回路、１６は光学素子制御回路、１７は１／４波長板である。ここで、集光光学系は、コリメータレンズ６と対物レンズ８より構成されており、光量制御手段は、第１の光検出器１２と光量制御回路１５より構成されており、光学素子制御手段は、第２の光検出器１３と光学素子制御回路１６より構成されており、偏光分離手段は、偏光ビームスプリッタ５と１／４波長板１７より構成されている。１８は、光ディスク装置を制御する指令回路、１９はディスク判別用のコンパレータ回路、２０はディスク判別のための反射率検出手段である。

ここで、半導体レーザ１は、後述のようにレーザ素子の出射端面から当該レーザ素子で出射したレーザ光を透過する透過性物質（以下、窓ガラスと称す）の外表面までの距離Ｄ１が１．２ｍｍの構造を有する。なお、半導体レーザ１は、レーザ素子を缶パッケージで覆い、レーザ素子の出射端面から出射するレーザ光の進行方向に窓ガラスを備える。レーザ素子はＧａＮ系で、光情報記録媒体９の不図示の情報層に対し、記録再生用のコヒーレント光を出力する光源である。ビームスプリッタ２は、９０％の透過率、１０％の反射率
を有する光学素子である。減衰光学素子３は、液晶素子と偏光ホログラムとを含み構成され、外部信号に応じて透過率が変化する光学素子である。回折格子４は、ガラス表面にフォトリソグラフィーを用いて所望のパターンをパターニングした後、エッチングして形成されたグレーティングであり、その特性は０次回折効率がほぼ９０％、±１次回折効率がほぼ１０％である。偏光ビームスプリッタ５は、半導体レーザ１から出射される直線偏光を９０％透過、１０％反射し、半導体レーザ１から出射される直線偏光と直交する方向の直線偏光を１００％反射する光学素子である。コリメータレンズ６は、半導体レーザ１から出射された発散光を平行光に変換するレンズである。ミラー７は、入射する光を反射して光情報記録媒体９の方向に向かわせる光学素子である。対物レンズ８は、光情報記録媒体９の情報層に光を集光するレンズである。第１の集光レンズ１０は、半導体レーザ１から出射され、減衰光学素子３を透過した光の一部を第２の光検出器１３に集光するレンズである。第２の集光レンズ１１は、光情報記録媒体９で反射された光を第３の光検出器１４に集光するレンズである。第１、第２、第３の光検出器１２、１３、１４は、光を受光して光を電気信号に変換する。

このように構成された光ヘッドの動作について、図１を用いて説明する。半導体レーザ１から出射された直線偏光の光は、第１のビームスプリッタ２に入射する。ビームスプリッタ２で反射された光は、第１の光検出器１２に入射され、透過した光は減衰光学素子３に入射する。ここで、第１の光検出器１２に入射された光は電気信号に変換され、半導体レーザ１から出射された光量をモニタする電気信号となり、この信号は光量制御回路１５に入力されて最適な光量を出力するように半導体レーザ１が制御される（光量制御手段により、半導体レーザ１の光量が制御される）。次に、ビームスプリッタ２を透過し、減衰光学素子３に入射された光は、光情報記録媒体９が１層ディスクである場合、その光量が約５０％に減衰され、２層ディスクの場合その光量が減衰されない。減衰光学素子３を透過した光は回折格子４によりほとんどが透過し、一部が回折する。回折格子４を透過した光（透過光と回折光の両方）は、偏光ビームスプリッタ５に入射される。偏光ビームスプリッタ５で反射された光は、集光レンズ１０に入射され、集光レンズ１０により第２の光検出器１３に入射される。また、第２のビームスプリッタ５を透過した光は、コリメータレンズ６に入射される。ここで、第２の光検出器１３から出力される信号は、半導体レーザ１から出射される光の光量が第１の光検出器１２と光量制御回路１５とにより制御されているので、本実施例の減衰光学素子３の透過率をモニタした信号となる。そこで、この信号は光学素子制御回路１６に入力され、光学素子制御回路１６により減衰光学素子３の透過率が最適になるように制御される（光学素子制御手段により減衰光学素子３の透過率が制御される）。コリメータレンズ６に入射された光は、コリメータレンズ６により平行光にされる。コリメータレンズ６を透過した光は１／４波長板１７で円偏光に変換され、ミラー７で反射されその進行方向から９０度曲げられた方向に進み、対物レンズ８により光情報記録媒体９上に集光される。

次に、光情報記録媒体９から反射された光は、対物レンズ８を透過し、ミラー７で反射され、１／４波長板１７で往路とは直交する直線偏光に変換され、コリメータレンズ６を透過し、偏光ビームスプリッタ５により反射され、第２の集光レンズ１１により集光され第３の光検出器１４に入射される。第３の光検出器１４は、光情報記録媒体９上における光の合焦状態を示すフォーカス誤差信号を出力し、また光の照射位置を示すトラッキング誤差信号を出力する。この場合、たとえば、再生専用型光情報記録媒体の場合は位相作法を用い、記録型光情報記録媒体の場合は回折格子４により作成したサブビームを用いた３ビーム法により、トラッキング誤差信号を得る。図示しないフォーカス制御手段は、フォーカス誤差信号に基づき、フォーカス制御手段は常に光が合焦状態で光情報記録媒体９上に集光されるように対物レンズ８の位置をその光軸方向に制御する。また、図示していないトラッキング制御手段は、トラッキング誤差信号に基づき、光を光情報記録媒体９上の所望のトラックに集光されるように対物レンズ８の位置を制御する。また、第３の光検出
器１４からは光情報記録媒体９に記録された情報をも得ている。

図２に、本実施例の半導体レーザ１の構成を示す。半導体レーザ素子４１（レーザチップ）はサブマウント４２の上に形成され、サブマウント４２をステム４７の一面上に取り付け、サブマウント４２及びレーザチップ４１をワイヤ４３を用いて端子ピン４６に接続し、ステム４７の一面側に、開口が形成された缶パッケージ４４を取り付け、缶パッケージ４４に、その開口を覆うように、開口部の直下に固着された窓ガラス４５とからなる。レーザチップ４１から出射されたレーザ光は、窓ガラス４５を透過して、半導体レーザ１の外部に出射する。なお、レーザチップ発光端面から窓ガラス部外表面までの距離をＤ１とする。

近年、ＧａＮ系の青色半導体レーザの高出力化が盛んに報告され、出射レーザ出力が１００ｍＷを越えるものが報告されている。出射レーザ出力が１００ｍＷを越えるようになると、一般的なヘッド光学透過率、すなわち、約２５％程度のレーザ出力効率を有する光ヘッドにおいても、対物レンズからの出射パワーのピーク値として１００ｍＷ×２５％＝２５ｍＷが得られるようになり、いわゆる記録及び／または再生できる層（以下、情報層と称す）が２層存在する２層ディスクの２倍速の記録再生が可能になる。さらに、出射レーザ出力が１５０ｍＷを超える青色半導体レーザを用いれば、２層ディスクの３倍速の記録再生が可能になる。

現在市販されている青色半導体レーザを用いた２層ディスク１倍速記録再生のＢＤ光情報記録再生装置では、出射レーザ出力が５０ｍＷの青色半導体レーザを用いている。この青色半導体レーザは、レーザチップ発光端面から窓ガラス部４５の外側表面までの距離Ｄ１は０．８ｍｍに設定し、青色半導体レーザ窓ガラス部の透過率の減少率の性能保証は、実効的に悪影響の発生しない値として、照射時間１０００時間、０．５％以内と設定している。しかしながら今後、２層ディスクのＢＤ光情報記録再生装置における記録再生の高倍速化をするにあたり、前述したように出射レーザ出力をさらに増加する必要がある。

しかし、２倍速、３倍速の記録再生の高倍速化を実現するために、レーザチップ発光端面から窓ガラス４５外側表面までの距離Ｄ１を、出射レーザ出力が５０ｍＷと同じ０．８ｍｍのままで単に出射レーザ出力を増やしただけでは、青色半導体レーザの窓ガラス４５の透過率の減少率の性能保証、照射時間１０００時間、０．５％以内を実現できないことが、次のことから分かった。

すなわち、上述の事実は、一般的な理論下における実験結果をグラフにした図４、図５を用いて説明できる。図４は、レーザチップの発光端面から窓ガラス４５外側表面までの距離Ｄ１と、窓ガラス面におけるレーザパワー密度（単位面積あたりのレーザ出射出力）との関係を示し、横軸にレーザチップ発光端面から窓ガラス部外表面までの距離、縦軸はレーザパワー密度を示している。ここでレーザパワー密度Ｐは、１／（Ｄ１×Ｄ１×π×ＴＡＮθ１×ＴＡＮθ２×光出力係数）より算出している。但し、θ１は光強度分布（ＦＦＰ）の半値径における水平方向の広がり角を示し、θ２はＦＦＰの半値径における垂直方向の広がり角を示す。それぞれθ１は１１°、θ２は４°と設定した。パワー密度はＦＦＰの半値径以上の出力を平均化したもとする。

曲線１０１は、出射レーザ出力５０ｍＷの青色半導体レーザにおける特性を示し、曲線１０２は、出射レーザ出力１００ｍＷの青色半導体レーザにおける特性を示し、特性１０３は、出射レーザ出力１５０ｍＷの青色半導体レーザにおける特性を示す。曲線１０１、曲線１０２、曲線１０３を見ると明らかなように、レーザチップ発光端面から、窓ガラス４５外側表面までの距離Ｄ１が長くなるに従い、パワー密度が下がる。これは前述のパワー密度の算出式が示すとおり、レーザチップ発光端面から窓ガラス４５外側表面までの距
離が長くなると、青色半導体レーザによって照射される窓ガラス４５へのビーム面積が広くなり、単位面積あたりの光の強度が下がるからである。なお、パワー密度Ｐ１は、前述のパワー密度算出式より、レーザチップ発光端面から窓ガラス４５外側表面までの距離Ｄ１が０．８ｍｍにおいて、出射レーザ出力５０ｍＷでのパワー密度を示し、Ｐ１＝３７となる。また、パワー密度Ｐ２は、前述のパワー密度算出式より、レーザチップ発光端面から窓ガラス４５外側表面までの距離Ｄ１が０．８ｍｍにおいて、出射レーザ出力１００ｍＷでのパワー密度を示し、Ｐ２＝７４となる。また、パワー密度Ｐ３は、前述のパワー密度算出式より、レーザチップ発光端面から窓ガラス４５外側表面までの距離Ｄ１が０．８ｍｍにおいて、出射レーザ出力１５０ｍＷでのパワー密度を示し、Ｐ３＝１１０となる。

図５は、図４のパワー密度Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３における青色半導体レーザの窓ガラス４５への照射時間と、窓ガラス４５の透過率の減少率との関係を示すグラフである。横軸に青色半導体レーザの窓ガラス４５への照射時間、縦軸は窓ガラス４５の透過率の減少率である。

直線１０５は、図４におけるパワー密度Ｐ１の青色半導体レーザの窓ガラス４５への照射時間と窓ガラス４５の透過率の減少率との関係を示し、直線１０６は、図４におけるパワー密度Ｐ２の青色半導体レーザの窓ガラス４５への照射時間と窓ガラス４５の透過率の減少率との関係を示し、直線１０７は、図４におけるパワー密度Ｐ３の青色半導体レーザの窓ガラス４５への照射時間と窓ガラス４５の透過率の減少率との関係を示したものである。直線１０５、直線１０６、直線１０７を見ると明らかなように、青色半導体レーザの窓ガラス４５への照射時間が増えると、窓ガラス４５の透過率が減少することがわかる。これは青色半導体レーザによって、窓ガラス４５が照射されることで、窓ガラス４５へ付着するゴミや埃、チリが時間が増えると共に増加して、窓ガラス４５の透過率を減少させるからである。

図５の直線１０５は、前述した２層ディスク１倍速記録再生のＢＤ光情報記録再生装置において専ら使用されている出射レーザ出力が５０ｍＷの青色半導体レーザを用いた特性であり、性能保証の照射時間が１０００時間における窓ガラス４５の透過率の減少は０．５％となるように設定されている。しかしながら、直線１０６において照射時間１０００時間での窓ガラス４５の透過率の減少率は１．０％、直線１０７において照射時間１０００時間での窓ガラス４５の透過率の減少率は２．０％となり、レーザチップ発光端面から窓ガラス４５外側表面までの距離Ｄ１が０．８ｍｍでは、窓ガラス４５の透過率の減少が１００ｍＷでは１．０％、１５０ｍＷでは２．０％となるため、性能保証範囲外となり実使用上問題となってしまう。よって、５０ｍＷ以上の青色半導体レーザを用いる場合、図４のパワー密度がＰ１＝３７以下にする必要がある。すなわち、出射レーザ出力がどれだけ増加しても、レーザパワー密度Ｐ１＝３７以下を実現できる構成が必要となる。

１００ｍＷ出力の青色半導体レーザにおいては、曲線１０２とパワー密度Ｐ１との交点Ｓ４の結果から、レーザチップ発光端面から窓ガラス４５外側表面までの距離Ｄ１が１．１ｍｍ以上必要であり、１５０ｍＷ出力の青色半導体レーザにおいては、曲線１０３とパワー密度Ｐ１との交点Ｓ５の結果から、レーザチップ発光端面から窓ガラス４５外側表面までの距離Ｄ１が１．３５ｍｍ以上必要となる。

以上のように、レーザチップ発光端面から窓ガラス４５外側表面までの距離Ｄ１を、１００ｍＷを越える出射レーザ出力の半導体レーザにおいて１．１ｍｍ以上、すなわちパワー密度３７以下に、１５０ｍＷを越える出射レーザ出力の半導体レーザにおいて１．３５ｍｍ以上、すなわちパワー密度１１０以下にすることで、青色半導体レーザの性能保証、照射時間１０００時間で、窓ガラス部の透過率の減少率を０．５％以内にすることが可能になる。

次に、本発明の半導体レーザの他の実施例を図面を参照して説明する。図３は、本実施例における半導体レーザの構成図であり、半導体レーザ素子４１（レーザチップ）はサブマウント４２の上に形成され、サブマウント４２をステム４７の一面上に取り付け、サブマウント４２及びレーザチップ４１をワイヤ４３を用いて端子ピン４６に接続し、ステム４７の一面側に、開口が形成された缶パッケージ４４を取り付け、缶パッケージ４４に、その開口を覆うように、開口部の直下に固着された、窓ガラス（すなわち、透過性物質）４５とからなる。レーザチップ４１から出射されたレーザ光は、窓ガラス４５を透過して半導体レーザ１の外部に出射する。本実施例の半導体レーザを、実施例１で説明したように、レーザチップ発光端面から窓ガラス４５外側表面まので距離Ｄ１を１．１ｍｍ以上にするために、第２のパッケージである缶パッケージ５１と、ステム５２と、第２の透過性物質である窓ガラス５３を用いて、２重の構成を形成し、レーザチップ４１から窓ガラス４５の外側表面がＤ１であったものを、窓ガラス５３の外表面がＤ１となり、そのレーザチップ出射端面から窓ガラス部外表面までの距離が１．１ｍｍ以上の構成を形成できる。本実施例の構成によれば、レーザ素子を封閉する特殊なパッケージの半導体レーザを開発しなくても、同様の効果が得られる。

上述の実施例１及び実施例２から明らかなように、本発明の半導体レーザを適用した光学ヘッド、または当該光ヘッドを適用した光ディスク装置は、光ディスクからの情報を読み取ることができない、光ディスクに情報を書き込むことができない、などの不具合を生じるおそれを低減でき、信頼性が高い青色半導体レーザを用いた高密度記録再生が可能にできる。

次に、本発明の第３の実施の形態を図面を参照して説明する。

実施形態３では、本発明の半導体レーザの構成の一例について説明する。図７は、実施形態３の半導体レーザのレーザ光の出射面よりの構成図である。半導体レーザ素子４１、半導体レーザ素子１０１、半導体レーザ素子１０２の３つの異なった波長のレーザ素子が缶パッケージ４４の中に構成されている。ここではレーザ素子４１は４０５ｎｍの波長の青色レーザ素子、レーザ素子１０２は６５０ｎｍの波長の赤色レーザ素子、レーザ素子１０３は７９０ｎｍの赤外レーザ素子である。各レーザチップより出射されたレーザ光は、窓ガラス４５を透過して、半導体レーザ１の外部に出射する。

そして半導体レーザ素子４１は実施例１、実施例２で説明したように、レーザチップ発光端面から窓ガラス部の外表面までの距離Ｄ１を１．１ｍｍ以上の構成を形成したものである。

このような半導体レーザを用いることで３波長に対応した簡素な光学ヘッドが構成できる。

本発明の半導体レーザは、半導体レーザの安定発光を可能にならしめるため、半導体レーザを用いた例えばレーザメス等の分野にも応用することができる。

本発明の光情報記録再生装置における一実施例の構成を示す要部ブロック図 本発明の青色半導体レーザにおける一実施例の構成を示す側面断面図 本発明の青色半導体レーザにおける他の実施例の構成を示す側面断面図 青色半導体レーザのレーザチップ発光端面から窓ガラス外側表面までの距離とパワー密度との関係を示す図 青色半導体レーザの窓ガラスへの照射時間と窓ガラスの透過率の減少率との関係を示す図 出射レーザ出力の説明図 複数の波長のレーザチップを搭載したパッケージの説明図

符号の説明

１ 半導体レーザ
２ ビームスプリッタ
３ 減衰光学素子
４ 回折格子
５ 偏光ビームスプリッタ
６ コリメータレンズ
７ 立ち上ミラー
８ 対物レンズ
９ 光情報記録媒体
１０ 集光レンズ
１１ 集光レンズ
１２ 光検出器
１３ 光検出器
１４ 光検出器
１５ 光量制御回路
１６ 光学素子制御回路
１７ １／４波長板
１８ 指令回路
１９ コンパレータ回路
２８ スピンドルモータ
４１ レーザチップ素子
４２ サブマウント
４３ ワイヤ
４４ 缶パッケージ
４５ 窓ガラス
４６ 端子ピン
４７ ステム
５１ 缶パッケージ
５２ ステム
５３ 窓ガラス

Claims (11)

1. 所定の発振波長のレーザ光を放射する出射端面を有するレーザ素子と、
   前記レーザ光を透過する透過性物質と、
   前記出射端面と前記透過性物質とを対向させ、前記透過性物資とを１つの壁面として前記レーザ素子を内包するパッケージとを備え、
   前記透過性物質を透過し前記レーザ光が出射する当該透過性物質の表面と、前記出射端面とが１．１ｍｍ以上の間隙を有する半導体レーザ。
2. 前記レーザ素子は、１００ｍＷ以上のレーザ出射出力で前記レーザ光を発振する請求項１記載の半導体レーザ。
3. 所定の発振波長のレーザ光を放射する出射端面を有するレーザ素子と、
   前記レーザ光を透過する透過性物質と、
   前記出射端面と前記透過性物質とを対向させ、前記透過性物資とを１つの壁面として前記レーザ素子を内包するパッケージとを備え、
   前記透過性物質を透過し前記レーザ光が出射する当該透過性物質の表面と、前記出射端面とが１．３５ｍｍ以上の間隙を有する半導体レーザ。
4. 前記レーザ素子は、１５０ｍＷ以上のレーザ出射出力で前記レーザ光を発振する請求項３記載の半導体レーザ。
5. 前記レーザ素子が発振したレーザ光の前記透過性物質の前記表面におけるパワー密度が、３７ｍＷ／ｍｍ2以下である請求項１〜４何れかに記載の半導体レーザ。
6. 前記レーザ素子の発振波長は４１５ｎｍ以下である請求項１〜５何れかに記載の半導体レーザ。
7. 前記パッケージ内に、波長の異なる複数の前記レーザ素子を内包する請求項１〜５何れかに記載の半導体レーザ。
8. 前記複数のレーザ素子は、４１５ｎｍ以下の波長のレーザ光を出射するレーザ素子と、６３０〜６８０ｎｍの波長のレーザ光を出射するレーザ素子と、７８０〜８２０ｎｍの波長のレーザ光を出射するレーザ素子とを含む請求項７記載の半導体レーザ
9. 前記透過性物質を介して前記出射端面から放射したレーザ光が透過する第２の透過性物質を備え、前記第２の透過性物質を１つの壁面をして前記レーザ素子を内包する第２のパッケージを前記パッケージの外側に備える請求項１〜８何れかに記載の半導体レーザ。
10. 前記出射端面から放射する前記レーザ光をスポット状に集光する集光光学系と、請求項１〜９のいずれかに記載の半導体レーザとを備える光ヘッド。
11. 情報媒体を駆動する駆動手段と、前記情報媒体が備える情報層に対して情報信号の授受を担う請求項１０記載の光ヘッドと、前記光ヘッドの検出信号を処理する記録再生手段とを備える光情報記録再生装置。

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