JP2008130591A - レーザ光源装置、並びに照明装置、モニタ装置、及び画像表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】熱による破壊を防止することで長寿命化を実現することができるレーザ光源装置、並びに当該レーザ光源装置を備える照明装置、モニタ装置、及び画像表示装置を提供する。
【解決手段】レーザ光源装置は、アノード電極17及びカソード電極18を介して供給される電流に応じたレーザ光Lを射出するレーザ素子16、及びレーザ素子16を支持するベース12等が設けられた発光部10を備える。この発光部10には、レーザ素子16と導通しているアノード電極17と電気的に導通してレーザ素子16をベース12に固定するための導電性のサブマウント13が設けられている。
【選択図】図1
【解決手段】レーザ光源装置は、アノード電極17及びカソード電極18を介して供給される電流に応じたレーザ光Lを射出するレーザ素子16、及びレーザ素子16を支持するベース12等が設けられた発光部10を備える。この発光部10には、レーザ素子16と導通しているアノード電極17と電気的に導通してレーザ素子16をベース12に固定するための導電性のサブマウント13が設けられている。
【選択図】図1
Description
本発明は、レーザ光源装置、並びに当該レーザ光源装置を備える照明装置、モニタ装置、及び画像表示装置に関する。
従来、プロジェクタに代表される画像表示装置は、光源として高圧水銀ランプ等の放電ランプを備えるのが一般的であった。しかしながら、このような放電ランプは、寿命が比較的短い、瞬時点灯が困難である、色再現性範囲が狭い等の課題がある。そこで、近年においては、放電ランプに代えて単色光を射出するレーザ光源装置を備える画像表示装置が提案されている。
また、近年においては、単色光を射出するというレーザ光源装置の特徴を生かし、光の三原色(赤、緑、青)の波長のレーザ光をそれぞれ射出するレーザ光源装置を備え、各レーザ光源装置から射出されるレーザ光を走査して画像を表示する画像表示装置も提案されている。更に、レーザ光源装置は、以上の画像表示装置のみならず、対象物を照明する照明装置や、レーザ光を対象物に照射するとともに、レーザ光を照射して得られる反射光・散乱光等を受光して対象物をモニタするモニタ装置等の各種装置に用いられている。
以下の特許文献1には、AlN,SiC,GaN又はこれに準ずる熱伝逹係数(熱伝導率)を有する絶縁物質で形成された基板(サブマウント)を用いて半導体レーザを支持することにより、熱放出特性を向上させる技術が開示されている。
特開2004−274057号公報
ところで、上記のサブマウントにAlN等の絶縁物質を用いても、半導体レーザの冷却効率が不足し、半導体レーザの寿命を縮めてしまうという問題がある。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、熱による破壊を防止することで長寿命化を実現することができるレーザ光源装置、並びに当該レーザ光源装置を備える照明装置、モニタ装置、及び画像表示装置を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、本発明のレーザ光源装置は、一対の電極を介して供給される電流に応じたレーザ光を射出する発光素子と、当該発光素子を支持する支持部とを備えるレーザ光源装置において、前記電極の何れか一方と電気的に導通して前記発光素子を前記支持部に固定する導電性のサブマウントを備えることを特徴としている。
この発明によると、発光素子を支持部に固定するために導電性のサブマウントを用いており、従来のAlN、SiC、GaN等の絶縁物質を用いた場合に比較して、熱伝導率が高いような材料を選択できることとなり、発光素子からの放熱効果を向上させることができるため、発光素子の熱による破壊を防止することができ、これにより発光素子の長寿命化を実現することができる。
また、本発明のレーザ光源装置は、前記サブマウント及び前記サブマウントと電気的に導通した電極が、電気的に接地されていることを特徴としている。
この発明によると、サブマウント及びサブマウントと電気的に導通した電極を電気的に接地しているため、外的要因による発光素子の電位の変動を防止することができる。これにより、発光素子から射出されるレーザ光のパワーを安定して一定にすることができる。
また、本発明のレーザ光源装置は、前記サブマウントとともに電気的に接地された電極を、アノード電極であることを特徴としている。
この発明によると、レーザ光の射出面にカソードが配置され、射出面と対向する裏面にアノードが配置される発光素子をサブマウント上に実装する場合に好適である。
また、本発明のレーザ光源装置は、前記発光素子に供給する電流をパルス幅変調して前記発光素子を駆動する電源装置を備えることを特徴としている。
この発明によると、電源装置によりパルス幅変調した電流を発光素子に供給しているため、発光素子に流れる電流を容易に調整することができるとともに、過大電流が発光素子に流れることによる発光素子の破壊を防止することができる。
また、本発明のレーザ光源装置は、前記発光素子が、前記サブマウント上に複数設けられていることを特徴としている。
この発明によると、サブマウント上に複数の発光素子が設けられているため、いくつかの発光素子からレーザ光が射出されなかったとしてもレーザ光を得ることができ、レーザ光源装置としての寿命を延ばすことができる。また、複数のレーザ光を設けることで、レーザ光の射出パワーを上げることができる。
また、本発明のレーザ光源装置は、前記固定部に支持された前記発光素子を、前記固定部を介して冷却する冷却部を備えることを特徴としている。
この発明によると、固定部を介して発光素子を冷却する冷却部を備えているため、発光素子の発熱による熱的破壊を防止することができ、発光素子の長寿命化を実現する上で好適である。
また、本発明のレーザ光源装置は、前記固定部と前記冷却部とを電気的に絶縁する絶縁部を備えることを特徴としている。
或いは、本発明のレーザ光源装置は、前記冷却部を含めて前記支持部を電気的に絶縁する絶縁部を備えることを特徴としている。
これらの発明によると、絶縁部によって固定部と冷却部とを電気的に絶縁し、或いは、絶縁部によって冷却部を含めて支持部を電気的に絶縁しているため、サブマウント及びサブマウントと電気的に導通した電極が接地されていなくとも外的要因による発光素子の電位の変動を防止することができる。これにより、発光素子から射出されるレーザ光のパワーを安定して一定にすることができる。
本発明のレーザ光源装置は、前記発光素子が、ガリウム砒素系半導体からなり、前記サブマウントが、銅とタングステンとの合金、及び、ダイヤモンドと銅との複合材料の何れか一方からなることが好適である。
銅とタングステンとの合金、及び、ダイヤモンドと銅との複合材料は、従来のAlN、SiC、GaN等の絶縁物質に比較して熱伝導率が高く、且つ、従来のAlN、SiC、GaN等に比較して、熱膨張係数がガリウム砒素系半導体に近い。これにより、発光素子の熱による破壊を防止しつつ応力による破壊を低減することができ、より発光素子の長寿命化を実現することができる。
本発明の照明装置は、上記の何れかに記載のレーザ光源装置と、前記レーザ光源装置から射出されたレーザ光を拡散する拡散素子とを備えることを特徴としている。
この発明によると、長寿命化が図られたレーザ光源装置を備えているため、照明装置自体も長寿命化が図られたものとなる。
本発明のモニタ装置は、上記の何れかに記載のレーザ光源装置を備える装置本体と、前記装置本体からのレーザ光を外部に伝送するとともに、前記レーザ光の反射光を含む外部からの光を前記装置本体に伝送する光伝送部とを備えることを特徴としている。
この発明によると、長寿命化が図られたレーザ光源装置を備えているため、モニタ装置自体も長寿命化が図られたものとなる。
本発明の画像表示装置は、上記の何れかに記載のレーザ光源装置と、前記レーザ光源装置から射出されたレーザ光を画像信号に応じて変調する光変調装置と、前記光変調装置により形成された画像を投射する投射装置とを備えることを特徴としている。
この発明によると、長寿命化が図られたレーザ光源装置を備えているため、画像表示装置自体も長寿命化が図られたものとなる。また、一定のパワーを有するレーザ光を射出するレーザ光源装置を備えているため、外的要因による輝度の変動がない安定した画像を表示することができる。
この発明によると、発光素子を支持部に固定するために導電性のサブマウントを用いており、従来のAlN、SiC、GaN等の絶縁物質を用いた場合に比較して、熱伝導率が高いような材料を選択できることとなり、発光素子からの放熱効果を向上させることができるため、発光素子の熱による破壊を防止することができ、これにより発光素子の長寿命化を実現することができる。
また、本発明のレーザ光源装置は、前記サブマウント及び前記サブマウントと電気的に導通した電極が、電気的に接地されていることを特徴としている。
この発明によると、サブマウント及びサブマウントと電気的に導通した電極を電気的に接地しているため、外的要因による発光素子の電位の変動を防止することができる。これにより、発光素子から射出されるレーザ光のパワーを安定して一定にすることができる。
また、本発明のレーザ光源装置は、前記サブマウントとともに電気的に接地された電極を、アノード電極であることを特徴としている。
この発明によると、レーザ光の射出面にカソードが配置され、射出面と対向する裏面にアノードが配置される発光素子をサブマウント上に実装する場合に好適である。
また、本発明のレーザ光源装置は、前記発光素子に供給する電流をパルス幅変調して前記発光素子を駆動する電源装置を備えることを特徴としている。
この発明によると、電源装置によりパルス幅変調した電流を発光素子に供給しているため、発光素子に流れる電流を容易に調整することができるとともに、過大電流が発光素子に流れることによる発光素子の破壊を防止することができる。
また、本発明のレーザ光源装置は、前記発光素子が、前記サブマウント上に複数設けられていることを特徴としている。
この発明によると、サブマウント上に複数の発光素子が設けられているため、いくつかの発光素子からレーザ光が射出されなかったとしてもレーザ光を得ることができ、レーザ光源装置としての寿命を延ばすことができる。また、複数のレーザ光を設けることで、レーザ光の射出パワーを上げることができる。
また、本発明のレーザ光源装置は、前記固定部に支持された前記発光素子を、前記固定部を介して冷却する冷却部を備えることを特徴としている。
この発明によると、固定部を介して発光素子を冷却する冷却部を備えているため、発光素子の発熱による熱的破壊を防止することができ、発光素子の長寿命化を実現する上で好適である。
また、本発明のレーザ光源装置は、前記固定部と前記冷却部とを電気的に絶縁する絶縁部を備えることを特徴としている。
或いは、本発明のレーザ光源装置は、前記冷却部を含めて前記支持部を電気的に絶縁する絶縁部を備えることを特徴としている。
これらの発明によると、絶縁部によって固定部と冷却部とを電気的に絶縁し、或いは、絶縁部によって冷却部を含めて支持部を電気的に絶縁しているため、サブマウント及びサブマウントと電気的に導通した電極が接地されていなくとも外的要因による発光素子の電位の変動を防止することができる。これにより、発光素子から射出されるレーザ光のパワーを安定して一定にすることができる。
本発明のレーザ光源装置は、前記発光素子が、ガリウム砒素系半導体からなり、前記サブマウントが、銅とタングステンとの合金、及び、ダイヤモンドと銅との複合材料の何れか一方からなることが好適である。
銅とタングステンとの合金、及び、ダイヤモンドと銅との複合材料は、従来のAlN、SiC、GaN等の絶縁物質に比較して熱伝導率が高く、且つ、従来のAlN、SiC、GaN等に比較して、熱膨張係数がガリウム砒素系半導体に近い。これにより、発光素子の熱による破壊を防止しつつ応力による破壊を低減することができ、より発光素子の長寿命化を実現することができる。
本発明の照明装置は、上記の何れかに記載のレーザ光源装置と、前記レーザ光源装置から射出されたレーザ光を拡散する拡散素子とを備えることを特徴としている。
この発明によると、長寿命化が図られたレーザ光源装置を備えているため、照明装置自体も長寿命化が図られたものとなる。
本発明のモニタ装置は、上記の何れかに記載のレーザ光源装置を備える装置本体と、前記装置本体からのレーザ光を外部に伝送するとともに、前記レーザ光の反射光を含む外部からの光を前記装置本体に伝送する光伝送部とを備えることを特徴としている。
この発明によると、長寿命化が図られたレーザ光源装置を備えているため、モニタ装置自体も長寿命化が図られたものとなる。
本発明の画像表示装置は、上記の何れかに記載のレーザ光源装置と、前記レーザ光源装置から射出されたレーザ光を画像信号に応じて変調する光変調装置と、前記光変調装置により形成された画像を投射する投射装置とを備えることを特徴としている。
この発明によると、長寿命化が図られたレーザ光源装置を備えているため、画像表示装置自体も長寿命化が図られたものとなる。また、一定のパワーを有するレーザ光を射出するレーザ光源装置を備えているため、外的要因による輝度の変動がない安定した画像を表示することができる。
以下、図面を参照して本発明の実施形態によるレーザ光源装置、並びに照明装置、モニタ装置、及び画像表示装置について詳細に説明する。尚、以下に説明する実施形態は、本発明の一部の態様を示すものであり、本発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下に示す各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
〔レーザ光源装置〕
〈第1実施形態〉
図1は、本発明の第1実施形態によるレーザ光源装置が備える発光部の構成を模式的に示す断面図である。図1に示す通り、本実施形態のレーザ光源装置が備える発光部10は、冷却部11、ベース12(支持部)、サブマウント13、金属層14、ハンダ層15、及びレーザ素子(発光素子)16を備える。冷却部11は、ベース12等を介してレーザ素子16を冷却することで、温度の変動によるレーザ素子16の発振波長の変動を防止するために設けられている。具体的に、冷却部11としては、例えば例えばレーザ素子16を空冷により冷却するファン、水冷により冷却する水冷装置、又はヒートパイプを用いることができる。尚、冷却部11は、例えばレーザ光源装置の筐体(図示省略)に固定される。
〈第1実施形態〉
図1は、本発明の第1実施形態によるレーザ光源装置が備える発光部の構成を模式的に示す断面図である。図1に示す通り、本実施形態のレーザ光源装置が備える発光部10は、冷却部11、ベース12(支持部)、サブマウント13、金属層14、ハンダ層15、及びレーザ素子(発光素子)16を備える。冷却部11は、ベース12等を介してレーザ素子16を冷却することで、温度の変動によるレーザ素子16の発振波長の変動を防止するために設けられている。具体的に、冷却部11としては、例えば例えばレーザ素子16を空冷により冷却するファン、水冷により冷却する水冷装置、又はヒートパイプを用いることができる。尚、冷却部11は、例えばレーザ光源装置の筐体(図示省略)に固定される。
ベース12は、レーザ素子16を支持する部材であり、アルミニウム等の金属で形成されている。尚、ベース12は、冷却部11上に密着した状態で配置されている。このベース12上にはサブマウント13が設けられている。サブマウント13は、導電性を有する部材であって、レーザ素子16をベース12に固定するためのものである。ここで、サブマウント13として導電性を有する部材を用いるのは、レーザチップ16の冷却効率を向上させるためである。
つまり、サブマウント13の熱伝導率が低いと、レーザ素子16で生ずる熱の放熱性が悪くレーザ素子16が破壊されてしまう。このため、熱伝導率が高い導電性の部材をサブマウント13として用いることによりレーザ素子16の熱による破壊を防止している。例えば、サブマウント13として、Cu(銅)とW(タングステン)との合金、又は、ダイヤモンドとCu(銅)との複合材料を用いることができる。
ここで、CuとWとの合金の熱伝導率は230[W/(m・K)]程度であり、ダイヤモンドとCuとの複合材料の熱伝導率は600[W/(m・K)]程度である。一方、従来からサブマウントとして用いられているAlN(窒化アルミニウム)の熱伝導率は200[W/(m・K)]程度である。従来は、サブマントとしては絶縁性を有するものが前提であったため、サブマウントの材料としてAlNが用いられていた。しかしながら、CuとWとの合金もしくはダイヤモンドとCuとの複合材料といったような導電性を有する材料をサブマウントの材料として用いた場合には、AlNを用いたときよりも熱伝導率を高めることができ、レーザ素子16を効率良く冷却出来るので、熱による破壊を防止でき、レーザの長寿命化に繋がる。
また、レーザ素子16がGaAs(ガリウム砒素)系半導体からなる場合には、GaAs系半導体からなるレーザ素子16の熱膨張係数は、5.9×10−6[1/K]である。これに対し、CuとWとの合金の熱膨張係数は6.5×10−6[1/K]であり、ダイヤモンドとCuとの複合材料の熱膨張係数は、6×10−6[1/K]である。サブマウント13としてCuとWとの合金を用いた場合には、GaAs系半導体からなるレーザ素子16との熱膨張係数の差は0.6×10−6[1/K]になり、ダイヤモンドとCuとの複合材料を用いた場合には、GaAs系半導体からなるレーザ素子16との熱膨張係数の差は0.1×10−6[1/K]になる。このように、サブマウント13として導電性を有する部材を用いることにより、レーザ素子16との熱膨張係数の差を0.6×10−6[1/K]以下にすることができる。
これに対し、従来からサブマウントとして一般的に用いられているセラミックスであるAlNの熱膨張係数は、4.5×10−6[1/K]である。かかる材料からなるサブマウントと、GaAs系半導体からなるレーザ素子16との熱膨張係数の差は1.4×10−6[1/K]と大きいことが分かる。以上から、サブマウント13として導電性を有する部材を用いることによりレーザ素子16の熱膨張係数との差を小さくしてレーザ素子16の応力による破壊を低減することもでき、よりレーザ素子16の長寿命化を実現することができる。
サブマウント13上には、金属層14及びハンダ層15が順に形成されており、ハンダ層15上にレーザ素子16が搭載されている。尚、金属層14は、例えばAu(金)で形成されているのが望ましく、ハンダ層15は、環境面から鉛フリーハンダを用いて形成されているのが望ましい。ハンダ層15の上部であって、レーザ素子16が搭載されていない部分にレーザ素子16のアノードと導通しているアノード電極17が形成されており、レーザ素子16の上面の端部にレーザ素子16のカソードと導通しているカソード電極18が形成されている。尚、アノード電極17は、ハンダ層15及び金属層14を介してサブマウント13とも導通している。
レーザ素子16は、例えば面発光レーザであり、アノード電極17及びカソード電極18を介して供給される電流に応じたレーザ光Lを、その上面16aから射出する。尚、ここではレーザ素子16が面発光レーザであるものとして説明するが、端面発光型の半導体レーザであっても良い。ここで、アノード電極17、及びアノード電極17と導通しているサブマウント13は接地されている。これは、レーザ素子16のアノードの電位変動を防止するためである。
つまり、導電性を有する部材をサブマウント13として用いると、レーザ素子16のアノードは、サブマウント13を介してベース12、更には不図示の筐体に固定された冷却部11とも電気的に導通した状態になり、外的要因によってその電位が容易に変動する。レーザ素子16のアノードの電位が外的要因によって変動してしまうと、レーザ素子16のアノードとカソードとの間の電位差も変動してしまい、これによってレーザ光Lの射出パワーが変動するという不具合が生ずる。かかる不具合を防止するために、アノード電極17は接地されている。尚、アノード電極17は、例えばAu又はAl(アルミニウム)の細線を用いたワイヤーボンディングによりレーザ光源装置が備える電源装置のグランド線に電気的に接続されることにより接地されており、カソード電極18は、同様のワイヤーボンディングによりレーザ光源装置が備える電源装置の駆動線に電気的に接続されている。
次に、レーザ素子16を駆動する電源装置について説明する。図2は、本発明の第1実施形態によるレーザ光源装置が備える電源装置の回路構成を示す回路図である。図2に示す通り、電源装置20は、電圧変換部21と駆動部22とを備えている。電圧変換部21は、端子T21,T22間に供給される直流電圧(例えば、12[V])を、発光部10を駆動する所定の電圧(例えば、3[V])に変換する。尚、端子T21,T22間に印加される電圧をVccとし、変換後の電圧(図中の出力端P11,P12間の電圧)をVDCとすると、端子T21にはVcc−VDCの電圧が供給され、端子T22には−VDCの電圧が供給される。尚、出力端P11は接地されている。
電圧変換部21は、コンデンサ31、N型のMOSFET32,33、ゲートドライバ34、コイル35、及び複数のコンデンサ36を備えている。コンデンサ31は、端子T21,T22間に設けられている。MOSFET32は、ドレイン電極が端子21に接続されており、ソース電極がコイル35の一端に接続されている。MOSFET33は、ドレイン電極がMOSFET32のソース電極及びコイル35の一端に接続されており、ソース電極が端子T22に接続されている。複数のコンデンサ36の一方の電極はコイル35の他端に接続されており、他方の電極はMOSFET33のソース電極及び端子T22に接続されている。
ゲートドライバ34は、端子T23から入力される制御信号に基づいて、所定の単位時間内においてMOSFET32,33を開状態又は閉状態とする時間の割合(デューティ比)を可変する。つまり、電圧変換部21は、パルス幅変調(PWM:Pulse Width Modulation)によるスイッチングレギュレータである。かかる電圧変換部21において、デューティ比を高くする(MOSFET32,33を開状態する時間の割合を増加させる)と、図中の出力端P11,P12間の電圧VDCが大きくなり、逆にデューティ比を低くする(MOSFET32,33を閉状態する時間の割合を増加させる)と、図中の出力端P11,P12間の電圧VDCが低くなる。
駆動部22は、抵抗41、ダイオード42、N型のMOSFET43、直流電源44、及びゲートドライバ45を備えている。抵抗41は、その一端が発光部10のカソード電極18に接続されており、他端がMOSFET43のドレイン電極に接続されている。尚、前述したカソード電極18が接続される電源装置20の駆動線は、抵抗41の一端が接続された配線である。ダイオード42は、アノード電極が抵抗41の他端及びMOSFET43のドレイン電極に接続されおり、カソード電極が接地された発光部10のアノード電極17及び電圧変換部21の出力端P11に接続されている。このダイオード42は、発光部10のレーザ素子16に過大な逆バイアスが印加されて破壊されるのを防止するためのものである。
MOSFET43は、ドレイン電極が抵抗41の他端及びダイオード42のアノード電極に接続され、ソース電極が直流電源44の負極に接続されている。ここで、MOSFET43のソース電極及び直流電源44の負極は、電圧変換部21の出力端P12に接続されている。直流電源44は、ゲートドライバ45を駆動するためのものであり、その正極がゲートドライバ4に接続されている。ゲートドライバ45は、端子T24から入力される制御信号に基づいて、発光部10のレーザ素子16をパルス駆動する。具体的には、端子T24から入力される制御信号に基づいて、所定の単位時間内においてMOSFET43を開状態又は閉状態とする時間の割合(デューティ比)を可変することによりパルス幅変調を行って、レーザ素子16に供給する電流量を制御する。
尚、端子T23,T24に供給される制御信号は、電源装置20が備える制御装置(図示省略)から供給される。つまり、不図示の制御装置が端子T23に供給する制御信号によって電圧変換部21の出力端P11,P12間に現れる電圧を制御し、端子T24に供給する制御信号によって発光部10のレーザ素子16に供給する電流量を制御する。尚、かかる制御を行う場合に、発光部10のレーザ素子16から射出されるレーザ光Lのパワーをモニタし、このモニタ結果をフィードバックしてレーザ素子16に供給する電流量を制御するのが望ましい。
上記構成において、端子T21,T22間に直流の電圧Vccが供給され、不図示の制御装置から端子T23に制御信号が供給されると、ゲートドライバ34は、MOSFET32,33をスイッチングする。これにより、MOSFET32,33は間欠的に閉状態又は開状態になるが、コイル35及び複数のコンデンサ36からなる回路の平滑作用により、複数のコンデンサ36に現れる電圧、即ち出力端P11,P12間に現れる電圧は直流電圧になる。これにより、出力端P11,P12間には直流の電圧VDCが現れる。
ここで、出力端P11は接地されており、出力端P12は、駆動部22に設けられたMOSFET43のソース電極に接続されているため、MOSFET43のソース電極の電位は−VDCとなる。尚、直流電源44の負極も出力端P12に接続されているため、直流電源44の負極の電位も−VDCとなる。次に、不図示の制御装置から端子T24に制御信号が供給されると、ゲートドライバ45は、MOSFET43をスイッチングする。これにより、発光部10のレーザ素子16がパルス駆動され、デューティ比に応じた電流がレーザ素子16に流れ、その電流に応じたパワーを有するレーザ光Lが射出される。
以上説明した通り、本発明の第1実施形態によるレーザ光源装置では、レーザ素子16をベース12に固定するために、導電性のサブマウント13を用いているため、熱伝導率が高いような材料を選択でき、放熱性が向上する。これによりレーザ素子16の長寿命化を実現することができる。また、サブマウント13としてレーザ素子16との熱膨張係数の差が小さいものを用いれば、熱応力によるレーザ素子16の破壊を低減することができ、更なるレーザ素子16の長寿命化が期待できる。更に、サブマウント13と導通しているアノード電極を電気的に接地しているため、外的要因によるレーザ素子16のアノードの電位の変動を防止することができ、これによりレーザ素子16から射出されるレーザ光Lのパワーを一定にすることができる。
〈第2実施形態〉
図3は、本発明の第2実施形態によるレーザ光源装置が備える発光部の構成を模式的に示す断面図である。尚、図3においては、図1に示す本発明の第1実施形態によるレーザ光源装置が備える発光部10が備える部材と同一部材には同一符号を付してある。図3に示す第2実施形態によるレーザ光源装置が備える発光部50は、冷却部11とベース12との間に絶縁層51(絶縁部)を備え、アノード電極17が接地されていない点において図1に示す発光部10と異なる。
図3は、本発明の第2実施形態によるレーザ光源装置が備える発光部の構成を模式的に示す断面図である。尚、図3においては、図1に示す本発明の第1実施形態によるレーザ光源装置が備える発光部10が備える部材と同一部材には同一符号を付してある。図3に示す第2実施形態によるレーザ光源装置が備える発光部50は、冷却部11とベース12との間に絶縁層51(絶縁部)を備え、アノード電極17が接地されていない点において図1に示す発光部10と異なる。
絶縁層51は、導電性のサブマウント13を介して導通しているベース12及びレーザ素子16を、冷却部11から絶縁するために設けられている。この絶縁層51を設けることで、レーザ素子16を不図示の筐体に固定された冷却部11から電気的に絶縁することができ、外的要因によるレーザ素子16のアノード電位の変動を防止することができる。この結果として、レーザ素子16から射出されるレーザ光Lのパワーを一定にすることができる。
ここで、絶縁層51は、冷却部11とベース12との間に設けられているため、レーザ素子16を冷却するという観点からは、熱伝導率の高い材料で形成されているのが望ましい。また、図3に示す例では、絶縁層51が冷却部11とベース12との間に設けられている構成を図示しているが、図1に示す発光部10と同様に冷却部11とベース12とを接触させるとともに冷却部11と不図示の筐体との間に絶縁層51を設けた構成とし、冷却部11を含めてベース12及びレーザ素子16を電気的に絶縁しても良い。
次に、レーザ素子16を駆動する電源装置について説明する。図4は、本発明の第2実施形態によるレーザ光源装置が備える電源装置の回路構成を示す回路図である。尚、図4においては、図2に示す本発明の第1実施形態によるレーザ光源装置が備える電源装置20が備える構成と同一の構成には同一符号を付してある。図4に示す通り、本発明の第2実施形態によるレーザ光源装置が備える電源部60は、電圧変換部21と駆動部62とを備えている。電圧変換部21は、図1に示した電源装置20が備える電圧変換部21と同様の構成である。但し、端子T21には直流の電圧Vccが印加され、端子T22には直流の電圧−Vccが印加される点が相違する。
駆動部62は、抵抗71、ダイオード72、及びN型のMOSFET73を備えている。抵抗71は、その一端が発光部50のカソード電極18に接続されており、他端がMOSFET73のドレイン電極に接続されている。ダイオード72は、アノード電極が抵抗71の他端及びMOSFET73のドレイン電極に接続されおり、カソード電極が発光部50のアノード電極17及び電圧変換部21の出力端P11に接続されている。このダイオード72は、発光部50のレーザ素子16に過大な逆バイアスが印加されて破壊されるのを防止するためのものである。ここで、第1実施形態とは異なり、発光部50のアノード電極17、ダイオード72のカソード電極、及び電圧変換部21の出力端P11は接地されていない。
MOSFET73は、ドレイン電極が抵抗71の他端及びダイオード72のアノード電極に接続され、ソース電極が電圧変換部21の出力端P12に接続されている。MOSFET73は、そのゲート電極が端子T24に接続されており、端子T24から入力される制御信号に応じて開状態又は閉状態となって、発光部50のレーザ素子16をパルス駆動する。MOSFET73の単位時間内における開状態又は閉状態となる時間の割合(デューティ比)が変化することにより、レーザ素子16を流れる電流がパルス幅変調され、レーザ素子16に供給される平均的な電流量が制御される。
尚、本実施形態においても、端子T23,T24に供給される制御信号は、電源装置60が備える制御装置(図示省略)から供給される。また、本実施形態においても、発光部50のレーザ素子16から射出されるレーザ光Lのパワーをモニタし、このモニタ結果をフィードバックしてレーザ素子16に供給する電流量を制御するのが望ましい。
上記構成において、端子T21に直流の電圧Vccが供給されるとともに端子T22に直流の電圧−Vccが供給され、不図示の制御装置から端子T23に制御信号が供給されると、ゲートドライバ34は、MOSFET32,33をスイッチングする。これにより、MOSFET32,33は間欠的に閉状態又は開状態になるが、コイル35及び複数のコンデンサ36からなる回路の平滑作用により、複数のコンデンサ36に現れる電圧、即ち出力端P11,P12間に現れる電圧は直流電圧になる。これにより、出力端P11,P12間には直流の電圧が現れる。
出力端P11は発光部50のアノード電極17に接続され、出力端子P12はMOSFET73のソース電極に接続されているため、発光部50のアノード電極17とMOSFET73のソース電極には、出力端P11,P12間に現れる電圧が印加される。次に、不図示の制御装置から端子T24に制御信号が供給されるとMOSFET73がスイッチングされ、これにより、発光部50のレーザ素子16がパルス駆動され、デューティ比に応じた電流がレーザ素子16に流れ、その電流に応じたパワーを有するレーザ光Lが射出される。
以上説明した通り、本発明の第2実施形態によるレーザ光源装置においても、レーザ素子16をベース12に固定するために、導電性のサブマウント13を用いており、熱伝導率が高くなる事でレーザ素子16からベース12への放熱性が向上し、これによりレーザ素子16の長寿命化を実現することができる。また、サブマウント13としてレーザ素子16との熱膨張係数の差が小さいものを用いれば、熱応力によるレーザ素子16の破壊を低減することができる。更に、冷却部11とベース12との間、又は冷却部11と筐体との間に絶縁層51を設けてレーザ素子16を電気的に絶縁しているため、外的要因によるレーザ素子16のアノードの電位の変動を防止することができ、これによりレーザ素子16から射出されるレーザ光Lのパワーを一定にすることができる。
以上、本発明の実施形態によるレーザ光源装置について説明したが、本発明のレーザ光源装置は上記実施形態に制限されず、本発明の範囲内で自由に変更することができる。例えば、前述した第1,第2実施形態では、レーザ素子16のアノードをサブマウント13と導通させる例について説明した。しかしながら、アノードとカソードが逆である構成のレーザ素子を用い、カソードをサブマウント13と導通させても良い。かかるレーザ素子を用いる場合には、前述した第1実施形態においてはカソード電極が接地されることになる。
また、前述した第1,第2実施形態では、発光部10,50がサブマント13上に1つのレーザ素子16を備える場合を例に挙げて説明したが、発光部10,50は、サブマント13上に複数のレーザ素子を備える構成であっても良い。かかる構成においては、例えば複数のレーザ素子を所定の間隔で配置したレーザアレイとしてもよく、更にはこのレーザアレイを複数配置したアレイ構造(即ち、二次元アレイ構造)としても良い。
〔照明装置〕
次に、本発明の一実施形態による照明装置について説明する。図5は、本発明の一実施形態による照明装置の構成を模式的に示す斜視図である。図5に示す通り、本実施形態の照明装置100は、レーザ光源装置110と拡散素子120とを備えている。レーザ光源装置110は、前述した第1,第2実施形態によるレーザ光源装置であり、図1に示す発光部10又は図3に示す発光部50、波長変換素子101、及び波長選択素子102を備えている。尚、図5においては、レーザ光源装置が備える電源装置20,60の図示は省略している。
次に、本発明の一実施形態による照明装置について説明する。図5は、本発明の一実施形態による照明装置の構成を模式的に示す斜視図である。図5に示す通り、本実施形態の照明装置100は、レーザ光源装置110と拡散素子120とを備えている。レーザ光源装置110は、前述した第1,第2実施形態によるレーザ光源装置であり、図1に示す発光部10又は図3に示す発光部50、波長変換素子101、及び波長選択素子102を備えている。尚、図5においては、レーザ光源装置が備える電源装置20,60の図示は省略している。
波長変換素子101は、発光部10,50から射出されたレーザ光Lの波長を変換する。例えば、波長変換素子101は、第2高調波発生(SHG:Second Harmonic Generation)を行い、発光部10,50から射出されたレーザLの波長をほぼ半分の波長に変換する非線形光学素子である。波長選択素子102は、波長変換素子101から射出されるレーザ光のうちの所定の波長の光を選択する素子である。尚、波長選択素子102が外部共振器としての機能も備えている。拡散素子120は、波長選択素子120を通過した光を拡散させる光学素子である。以上の構成の照明装置100によれば、長寿命化が図られたレーザ光源装置110を備えているため、照明装置100自体も長寿命化が図られたものとなる。
〔モニタ装置〕
次に、本発明の一実施形態によるモニタ装置について説明する。図6は、本発明の一実施形態によるモニタ装置の構成を模式的に示す図である。図6に示す通り、本実施形態のモニタ装置200は、装置本体210と光伝送部220とを備えている。装置本体210は、上述した照明装置100と同様に、本発明の第1,第2実施形態によるレーザ光源装置110を備える。
次に、本発明の一実施形態によるモニタ装置について説明する。図6は、本発明の一実施形態によるモニタ装置の構成を模式的に示す図である。図6に示す通り、本実施形態のモニタ装置200は、装置本体210と光伝送部220とを備えている。装置本体210は、上述した照明装置100と同様に、本発明の第1,第2実施形態によるレーザ光源装置110を備える。
光伝送部220は、レーザ光源装置110から射出された光を外部に伝送するライトガイド221と、外部に伝送されたレーザ光の反射光を含む外部からの光を装置本体210に伝送するライトガイド222とを備える。ライトガイド221,222は、多数本の光ファイバを束ねたものであり、光を遠方に伝送することが可能である。ライトガイド221の一端は装置本体210内に位置しており、その端部近傍にはレーザ光源装置110が配設されている。また、ライトガイド221の他端側には拡散板223が配設されている。レーザ光源装置110から射出したレーザ光は、ライトガイド221によって伝送されて光伝送部220の先端に設けられた拡散板223に送られ、拡散板223により拡散されて被写体を照明する。
また、光伝送部220の先端には結像レンズ224も設けられており、被写体からの反射光を含む外部からの光を結像レンズ224で受けることができる。結像レンズ224が受けた光は、ライトガイド222によって伝送されて、装置本体210内に設けられたカメラ211に送られる。これにより、レーザ光源装置110から射出されたレーザ光により被写体を照明したことで得られる反射光に基づく画像をカメラ211で撮像することができる。以上の構成のモニタ装置200によれば、長寿命化が図られたレーザ光源装置110を備えているため、モニタ装置200自体も長寿命化が図られたものとなる。
〔画像表示装置〕
次に、本発明の一実施形態による画像表示装置について説明する。図7は、本発明の一実施形態による画像表示装置(プロジェクタ)の構成を模式的に示す図である。尚、図7中においては、簡略化のため画像表示装置300を構成する筐体は省略している。図7に示す通り、本実施形態の画像表示装置300は、レーザ光源装置110R,110G,110B、均一化光学系310R,310G,310B、液晶ライトバルブ(光変調装置)320R,320G,320B、クロスダイクロイックプリズム330、及び投射レンズ340(投射装置)を備える。
次に、本発明の一実施形態による画像表示装置について説明する。図7は、本発明の一実施形態による画像表示装置(プロジェクタ)の構成を模式的に示す図である。尚、図7中においては、簡略化のため画像表示装置300を構成する筐体は省略している。図7に示す通り、本実施形態の画像表示装置300は、レーザ光源装置110R,110G,110B、均一化光学系310R,310G,310B、液晶ライトバルブ(光変調装置)320R,320G,320B、クロスダイクロイックプリズム330、及び投射レンズ340(投射装置)を備える。
レーザ光源装置110R,110G,110Bは、図5に示す本発明の第1,第2実施形態によるレーザ光源装置110と同様の構成であり、赤色の波長領域のレーザ光、緑色の波長領域のレーザ光、青色の波長領域のレーザ光をそれぞれ射出する。但し、レーザ光源装置110Rは、波長変換素子101が省略されている。均一化光学系310R,310G,310Bは、レーザ光源110R,110G,110Bから射出されたレーザ光の照度分布をそれぞれ均一化する。この均一化光学系310R,310G、310Bは、例えば、ホログラム311及びフィールドレンズ312によって構成される。
液晶ライトバルブ320R,320G,320Bは、レーザ光源装置110R,110G,110Bから射出されて均一化光学系310R,310G,310Bを介したレーザ光をそれぞれ変調する。クロスダイクロイックプリズム330は、液晶ライトバルブ320R,320G,320Bから射出された光を合成して投射レンズ340に導く。具体的に、クロスダイクロイックプリズム330は、4つの直角プリズムを貼り合わせて形成されており、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に配置されている。投射レンズ340は、液晶ライトバルブ320R,320G,320Bによって形成された像を拡大してスクリーン350に投射する。
上記構成において、レーザ光源装置110R,110G,110Bからレーザ光がそれぞれ射出されると、射出されたレーザ光は均一化光学系310R,310G,310Bに入射して照度分布がそれぞれ均一化される。均一化光学系310R,310G,310Bを介した光は、液晶ライトバルブ320R,320G,320Bに入射することにより変調される。各液晶ライトバルブ320R,320G,320Bによって変調された3つの色光はクロスダイクロイックプリズム330に入射し、クロスダイクロイックプリズム330に設けられた誘電体多層膜によって合成され、カラー画像を表す光が形成される。そして、合成された光は投射レンズ340によりスクリーン350上に投射され、拡大された画像が表示される。
以上説明した本実施形態の画像表示装置300は、長寿命化が図られたレーザ光源装置110R,110G,110Bを備えているため、画像表示装置300自体も長寿命化が図られたものとなる。また、一定のパワーを有するレーザ光を射出するレーザ光源装置110R,110G,110Bを備えているため、外的要因による輝度の変動がない安定した画像を表示することができる。尚、上記の画像表示装置300は、光変調装置として透過型の液晶ライトバルブを備えていたが、液晶以外のライトバルブを用いても良いし、反射型のライトバルブを用いても良い。このようなライトバルブとしては、例えば、反射型の液晶ライトバルブや、デジタルマイクロミラーデバイス(Digital Micromirror Device)が挙げられる。投射装置の構成は、使用されるライトバルブの種類によって適宜変更される。尚、本発明のレーザ光源装置は、レーザ光源装置からのレーザ光を走査手段によりスクリーン上で走査することによって、画像を表示するような画像表示装置にも適用することができる。
10…発光部、11…冷却部、12…ベース、13…サブマウント、16…レーザ素子、17…アノード電極、18…カソード電極、20…電源装置、50…発光部、51…絶縁層、60…電源装置、100…照明装置、110…レーザ光源装置、110R,110G,110B…レーザ光源装置、110G…レーザ光源装置、110B…レーザ光源装置、120…拡散素子、200…モニタ装置、210…装置本体、220…光伝送部、300…画像表示装置、320R,320G,320B…液晶ライトバルブ、340…投射レンズ、L…レーザ光
Claims (12)
- 一対の電極を介して供給される電流に応じたレーザ光を射出する発光素子と、当該発光素子を支持する支持部とを備えるレーザ光源装置において、
前記電極の何れか一方と電気的に導通して前記発光素子を前記支持部に固定する導電性のサブマウントを備えることを特徴とするレーザ光源装置。 - 前記サブマウント及び前記サブマウントと電気的に導通した電極は、電気的に接地されていることを特徴とする請求項1記載のレーザ光源装置。
- 前記サブマウントとともに電気的に接地された電極は、アノード電極であることを特徴とする請求項2記載のレーザ光源装置。
- 前記発光素子に供給する電流をパルス幅変調して前記発光素子を駆動する電源装置を備えることを特徴とする請求項1から請求項3の何れか一項に記載のレーザ光源装置。
- 前記発光素子は、前記サブマウント上に複数設けられていることを特徴とする請求項1から請求項4の何れか一項に記載のレーザ光源装置。
- 前記固定部に支持された前記発光素子を、前記固定部を介して冷却する冷却部を備えることを特徴とする請求項1から請求項5の何れか一項に記載のレーザ光源装置。
- 前記固定部と前記冷却部とを電気的に絶縁する絶縁部を備えることを特徴とする請求項6記載のレーザ光源装置。
- 前記冷却部を含めて前記支持部を電気的に絶縁する絶縁部を備えることを特徴とする請求項6記載のレーザ光源装置。
- 前記発光素子は、ガリウム砒素系半導体からなり、
前記サブマウントは、銅とタングステンとの合金、及び、ダイヤモンドと銅との複合材料の何れか一方からなる
ことを特徴とする請求項1から請求項8の何れか一項に記載のレーザ光源装置。 - 請求項1から請求項9の何れか一項に記載のレーザ光源装置と、
前記レーザ光源装置から射出されたレーザ光を拡散する拡散素子と
を備えることを特徴とする照明装置。 - 請求項1から請求項9の何れか一項に記載のレーザ光源装置を備える装置本体と、
前記装置本体からのレーザ光を外部に伝送するとともに、前記レーザ光の反射光を含む外部からの光を前記装置本体に伝送する光伝送部と
を備えることを特徴とするモニタ装置。 - 請求項1から請求項9の何れか一項に記載のレーザ光源装置と、
前記レーザ光源装置から射出されたレーザ光を画像信号に応じて変調する光変調装置と、
前記光変調装置により形成された画像を投射する投射装置と
を備えることを特徴とする画像表示装置。
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20100202 |