JP2008124620A - マイクロ波半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】温度によって利得が変化するマイクロ波増幅素子の動作を安定化する。抵抗変化型温度センサ素子をフィードバック回路に用いた場合、抵抗変化型温度センサ素子の抵抗値の変化の限界がフィードバック回路の変化領域の限界をもたらす。
【解決手段】予め用意された、フィードバック量がそれぞれ異なる複数のフィードバック回路から、温度に応じて最適なものを選択して、マイクロ波増幅器に切り換え接続する。
【選択図】図５

Description

本発明はマイクロ波半導体装置に関し、特に周辺温度変化に応じてフィードバック量が変化するマイクロ波増幅素子を用いるマイクロ波半導体装置に関する。

マイクロ波増幅器において、その安定動作の為に、フィードバック回路がマイクロ波増幅素子に接続されている。このとき、フィードバック量が大きいと、マイクロ波増幅素子の利得や効率が劣化する。反対に、フィードバック量が小さいと、安定動作が得られない。したがって、フィードバック量の最適化が重要である。
従来、フィードバック量は、定格内で不安定になりやすい温度、一般的には低温でも安定動作が可能であるように最適化されている。そのため、より安定動作しやすい温度、一般的には室温では、効率が低い。そこで、温度の変化に応じて抵抗値が変化する素子をフィードバック回路に用いることで、フィードバック量を自動的に変化させることが可能である。

特許文献１発明の増幅器は、増幅素子と、この増幅素子の負帰還用インピーダンス素子として温度上昇と共にその抵抗値が増加するポジスタとを有することを特徴とする。
図１は、特許文献１発明における、抵抗変化型温度センサ素子を直接具備するフィードバック回路を用いた増幅器の回路図である。

特開平６−２８３９３９号公報

抵抗変化型の温度センサ素子における抵抗値の変化には限界があり、この限界がすなわちフィードバック回路の変化領域の限界となる。このため、フィードバック量の最適化は困難である。

以下に、（発明を実施するための最良の形態）で使用される番号を用いて、課題を解決するための手段を説明する。これらの番号は、（特許請求の範囲）の記載と（発明を実施するための最良の形態）との対応関係を明らかにするために付加されたものである。ただし、それらの番号を、（特許請求の範囲）に記載されている発明の技術的範囲の解釈に用いてはならない。

本発明のマイクロ波増幅装置は、外部からマイクロ波が入力される外部入力端子（１１）と、温度に応じた制御信号を出力する温度センサ回路（４０）と、スイッチ素子（３０）と、それぞれにフィードバック量が異なる複数のフィードバック回路（２１、２２、２３、２４、２５）と、入力端子（１１）から入力されたマイクロ波を増幅するマイクロ波増幅素子（１３）と、マイクロ波増幅素子（１３）が増幅したマイクロ波を外部へ出力する外部出力端子（１２）とを具備する。ここで、スイッチ素子（３０）は、１つの入力端子（３２）と、複数の出力端子（３３、３４、３５）と、制御信号入力部（３６、３７）とを具備し、温度センサ回路（４０）から制御信号入力部（３６、３７）に入力される制御信号に応じて、複数の出力端子（３３、３４、３５）のいずれか１つが選択されて入力端子（３２）に導通される。スイッチ素子（３０）の複数の出力端子（３３、３４、３５）のそれぞれは、複数のフィードバック回路（２１、２２、２３、２４、２５）のそれぞれに接続されており、スイッチ素子（３０）の入力端子（３２）に導通されている出力端子（３３、３４、３５）に接続されているフィードバック回路（２１、２２、２３、２４、２５）は、マイクロ波増幅素子（１３）の出力端子と入力端子とに導通されている。

本発明のマイクロ波増幅装置において、温度センサ回路（４０）は、抵抗変化型温度センサ素子（４４、４５）を具備する。

本発明のマイクロ波増幅装置において、抵抗変化型温度センサ素子（４４、４５）は、サーミスタ（４４、４５）である。

本発明のマイクロ波増幅半導体チップ（５１）は、外部からマイクロ波が入力される外部入力端子（１８）と、外部入力端子（１８）から入力されたマイクロ波を増幅するマイクロ波増幅素子（１３）と、それぞれにフィードバック量が異なる複数のフィードバック回路（２１、２２、２３、２４、２５）と、制御信号を外部から入力される外部制御信号入力部と、マイクロ波増幅素子（１３）が増幅したマイクロ波を外部へ出力する外部出力端子（１９）とを具備し、外部制御信号入力部に外部から入力される制御信号によって、複数のフィードバック回路のいずれか１つが選択されてマイクロ波増幅素子（１３）に接続される。

本発明のマイクロ波増幅半導体チップ（５０）において、外部制御信号入力部は、一方では複数のフィードバック回路（２１，２２，２３，２４、２５）のそれぞれに接続されており、もう一方では外部のスイッチ素子（３０）に接続されて、スイッチ素子（３０）は、１つの入力端子（３２）と、複数の出力端子（３３、３４、３５）と、制御信号入力部（３６、３７）とを具備しており、スイッチ素子（３０）の制御信号入力部（３６、３７）に入力される制御信号に応じて、複数の出力端子（３３、３４、３５）のいずれか１つが選択されて入力端子（３２）に導通される。

本発明のマイクロ波増幅半導体チップ（６１）は、１つの入力端子（３２）と、複数の出力端子（３３、３４、３５）と、制御信号入力部（３６、３７）とを具備し、外部制御信号入力部から制御信号入力部（３６、３７）に入力される制御信号に応じて、複数の出力端子（３３、３４、３５）のいずれか１つが選択されて入力端子（３２）に導通されるスイッチ素子（３０）をさらに具備する。

本発明のマイクロ波増幅半導体チップ（５１、６１）において、スイッチ素子（３０）の制御信号入力部（３６、３７）は、外部の温度センサ回路（４０）に接続されており、外部の温度センサ回路が温度に応じて出力する制御信号を入力される。

本発明のマイクロ波増幅半導体チップ（５１、６１）において、温度センサ回路（４０）は、抵抗変化型温度センサ素子（４４、４５）を具備する。

本発明のマイクロ波増幅半導体チップに（５１、６１）おいて、抵抗変化型温度センサ素子（４４、４５）は、サーミスタ（４４、４５）である。

本発明のマイクロ波増幅方法は、（ａ）マイクロ波増幅装置が、周辺の温度の変化に応じて自動的にそのフィードバック量を切り換えてマイクロ波増幅素子（１３）の動作を安定化させることと、（ｂ）温度センサ回路（４０）が、温度に応じて制御信号を出力することと、（ｃ）スイッチ素子（３０）が、温度センサ回路（４０）から出力される制御信号に応じたフィードバック回路を、複数のフィードバック回路から選択的にマイクロ波増幅素子（１３）に接続することと、（ｄ）マイクロ波増幅素子（１３）が、温度応じたフィードバック量でマイクロ波の増幅を行うこととを具備する。

複数の温度領域のそれぞれについて最適なフィードバック量を持つ複数のフィードバック回路を予め用意しておく。その時の温度に対応するフィードバック回路を、温度によって自動的に選択してマイクロ波増幅素子に接続する。
このようにすることで、抵抗変化型温度センサをフィードバック回路に直接接続するよりも、マイクロ波増幅素子のフィードバック量を広い範囲で最適化できる。

添付図面を参照して、本発明によるマイクロ波半導体装置を実施するための最良の形態を以下に説明する。

（第１の実施形態）
図２は、本発明の第１の実施形態におけるマイクロ波半導体装置の回路図である。本実施形態のマイクロ波半導体装置は、入力端子１１と、出力端子１２と、グラウンド４１と、マイクロ波増幅回路部１０と、フィードバック回路部２０と、スイッチ素子３０と、温度センサ回路部４０とを具備する。
マイクロ波増幅回路部１０は、マイクロ波増幅素子１３と、マイクロ波増幅素子１３の入力端子１８と、同じく出力端子１９と、入力側マッチング回路１４と、出力側マッチング回路１５と、制御回路１６と、増幅素子用電源Ｖｃｃ１７とを具備する。
フィードバック回路部２０は、第１のフィードバック回路と、第２のフィードバック回路とを具備する。第１のフィードバック回路は、容量２１と、容量２２と、抵抗２３とを具備する。第２のフィードバック回路は、容量２１と、容量２２と、抵抗２４とを具備する。ここで、第１のフィードバック回路と第２のフィードバック回路は、容量２１と容量２２とを共有している。
スイッチ素子３０は、共通入力端子３２と、第１の出力端子３３と、第２の出力端子３４と、電源用端子３１と、温度センサ用端子３６とを具備している。
温度センサ回路部４０は、温度センサ用電源Ｖｄｄ４２と、抵抗４３と、サーミスタ４４と、グラウンド４１とを具備している。

マイクロ波増幅回路部１０においては、入力端子１１と、入力側マッチング回路１４と、マイクロ波増幅素子１３の入力端子１８と、マイクロ波増幅素子１３と、マイクロ波増幅素子１３の出力端子１９と、出力側マッチング回路１５と、出力端子１２とが、この順番に直列に接続されている。さらに、マイクロ波増幅素子１３の入力端子１８には制御回路１６が、同じく出力端子１９には増幅素子用電源Ｖｃｃ１７が接続されている。
フィードバック回路部２０においては、まず、容量２１がマイクロ波増幅素子１３の入力端子１８と、スイッチ素子３０の共通入力端子３２との間に接続されている。次に、スイッチ素子３０の第１の出力端子３３および第２の出力端子３４が、第１のフィードバック回路の抵抗２３および第２のフィードバック回路の抵抗２４に、それぞれ接続されている。最後に、容量２２が、第１のフィードバック回路の抵抗２３および第２のフィードバック回路の抵抗２４と、マイクロ波増幅素子１３の出力端子１９との間に接続されている。
温度センサ回路部４０においては、グラウンド４１と、温度センサ用電源Ｖｄｄ４２と、抵抗４３と、サーミスタ４４と、グラウンド４１とが、この順番に直列に接続されている。なお、温度センサ用電源Ｖｄｄ４２の抵抗４３側の端子はスイッチ素子３０の電源用端子３１に接続されており、サーミスタ４４の抵抗４３側の端子は同じくスイッチ素子３０の温度センサ用端子３６に接続されている。

本実施形態において、マイクロ波半導体装置の周辺温度が変化すると、この温度変化に応じて、サーミスタ４４の内部抵抗値が変化する。サーミスタ４４の内部抵抗値の変化に応じて、サーミスタ４４の両端子間の電圧が変化する。サーミスタ４４の両端子間の電圧が変化して、スイッチ素子の閾値電圧を跨ぐと、スイッチ素子３０内部の接続状態が変化する。図３はスイッチ素子の真理値表である。サーミスタ４４の両端子間の電圧がスイッチ素子３０の閾値電圧より低い場合（Ｖｃｏｎｔ＝０）、第２の出力端子３４（Ｏｕｔ Ｂ）が共通入力端子（Ｃｏｍｍｏｎ）に接続される。すると、抵抗２４ならびに容量２１および２２からなる第２フィードバック回路が、マイクロ波増幅素子１３に接続される。反対に、サーミスタの両端子間の電圧がスイッチ素子の閾値電圧より高い場合（Ｖｃｏｎｔ＝１）、第１の出力端子３３（Ｏｕｔ Ａ）が共通入力端子３２（Ｃｏｍｍｏｎ）に接続される。すると、抵抗素子２３ならびに容量２１および２２からなる第１フィードバック回路が、マイクロ波増幅素子１３に接続される。
なお、図３の真理値表は、あくまでも１つの例であって、実際に使用されるスイッチ素子３０に応じて適宜設定変更されるべきである。
このようにして、周辺温度の変化に応じて、複数のフィードバック回路の中から対応するものが自動的に選択されてマイクロ波増幅素子１３に接続される。選択されるフィードバック回路は、予め対応する温度領域において最適化されてあるので、マイクロ波増幅素子１３の動作は安定化される。
図４は、従来技術と本実施形態とにおいて、マイクロ波増幅装置の利得の温度変化を比較した図である。従来技術では、温度が下がれば下がるほどに利得が増え続けるので、マイクロ波増幅装置の動作が不安定になってしまう。本実施形態によれば、温度が約マイナス１５度乃至０度の領域において、フィードバック回路の切り換えが行われるため、約マイナス１５度以下の温度においても利得が低い値に留まり、マイクロ波増幅装置は安定したまま動作できる。

（第２の実施形態）
図５は、本発明の第２の実施形態におけるマイクロ波半導体装置の回路図である。第１の実施形態との相違点は、複数の構成素子が１つのマイクロ波増幅半導体チップ５１として実現されることだけである。マイクロ波増幅半導体チップ５１は、マイクロ波増幅素子１３と、マイクロ波増幅素子１３の入力端子１８と、同じく出力端子１９と、第１のフィードバック回路と、第２のフィードバック回路とを具備する。具体的には、マイクロ波増幅素子１３と、容量２１と、容量２２と、抵抗２４と、抵抗２５とを具備する。また、フィードバック回路部とスイッチ素子３０とを接続するための制御信号入力端子部も具備される。この制御信号端子部は、図５においては特に図示されていない。その他、構成要素、接続関係、動作、などに違いは無い。
その結果、第１の実施例よりも、組立工程が簡略化と低コスト化が実現され、また、マイクロ波半導体装置が小型化される。
図６は、マイクロ波増幅半導体チップ５１を用いたマイクロ波増幅装置の例を示す図である。本実施形態におけるマイクロ波増幅装置は、基板５０と、その上に具備された、マイクロ波増幅半導体チップ５１と、例として３つの素子からなる入力側マッチング回路１４と、例として５つの素子からなる出力側マッチング回路１５と、制御回路１６と、スイッチ素子３０と、抵抗４３と、サーミスタ４４とを具備する。

（第３の実施形態）
図７は、本発明の第３の実施形態におけるマイクロ波半導体装置の回路図である。第２の実施形態との相違点は、１つのマイクロ波増幅半導体チップとして実現される部分に、スイッチ素子３０がさらに含まれることである。すなわち、本実施形態におけるマイクロ波増幅半導体チップ６１は、マイクロ波増幅素子１３と、マイクロ波増幅素子１３の入力端子１８と、同じく出力端子１９と、第１のフィードバック回路と、第２のフィードバック回路と、スイッチ素子３０とを具備する。さらに具体的には、マイクロ波増幅素子１３と、容量２１と、容量２２と、抵抗２４と、抵抗２５と、スイッチ素子３０とを具備する。また、フィードバック回路部とスイッチ素子３０とを接続するための制御信号入力端子部の代わりに、温度センサ回路部とスイッチ素子３０とを接続するための制御信号入力端子部も具備される。この制御信号端子部は、図７においては特に図示されていない。その他、構成要素、接続関係、動作、などに違いは無い。
その結果、第２の実施例よりもさらに、組立工程が簡略化と低コスト化が実現され、また、マイクロ波半導体装置が小型化される。
図８は、マイクロ波増幅半導体チップ６１を用いたマイクロ波増幅装置を示す図である。本実施形態におけるマイクロ波増幅装置は、基板６０と、その上に具備された、マイクロ波増幅半導体チップ６１と、例として３つの素子からなる入力側マッチング回路１４と、例として５つの素子からなる出力側マッチング回路１５と、制御回路１６と、抵抗４３と、サーミスタ４４とを具備する。

（第４の実施形態）
図９は、本発明の第４の実施形態におけるマイクロ波半導体装置の回路図である。第１の実施形態との相違点は、第３のフィードバック回路が追加されていることである。第３のフィードバック回路は、容量２１と、容量２２と、抵抗２５とを具備する。ただし、容量１２と容量２２とは、第１または第２のフィードバック回路と共有されている。さらに、これに関連して、スイッチ素子３０には第３の出力端子３５と第２の温度センサ用端子３７が追加され、温度センサ回路部４０には第２のサーミスタ４５が追加されている。

スイッチ素子３０において、第３の出力端子３５には第３のフィードバック回路の抵抗２５が接続されている。もう一方で、抵抗２５は共有されている容量２２に接続されている。
温度センサ回路部４０において、第２のサーミスタ４５は第１のサーミスタ４４と抵抗４３との間に接続されている。第１のサーミスタ４４と第２のサーミスタ４５とを結ぶ経路は、スイッチ素子３０の第１の温度センサ用端子３６に接続されている。第２のサーミスタ４５と抵抗４３とを結ぶ経路は、スイッチ素子３０の第２の温度センサ３７に接続されている。
なお、第２の実施形態と同様に、本実施形態においても、マイクロ波増幅素子１３と、フィードバック回路部２０の抵抗２３、２４、２５および容量２１、２２とを１つのマイクロ波増幅半導体チップで実現しても良い。また、第３の実施携帯と同様に、マイクロ波増幅半導体チップにスイッチ素子３０をさらに含ませても良い。

本実施形態において、マイクロ波半導体装置の周辺温度が変化すると、この温度変化に応じて、第１のサーミスタ４４および第２のサーミスタ４５の内部抵抗値がそれぞれ変化する。両サーミスタ４４、４５の内部抵抗値の変化に応じて、両サーミスタ４４、４５の両端子間の電圧が変化する。第１のサーミスタ４４の両端子間の電圧が変化して、スイッチ素子の第１の閾値電圧を跨ぐと、スイッチ素子３０内部の接続状態が変化する。同じく、第２のサーミスタ４５の両端子間の電圧が変化して、スイッチ素子の第２の閾値電圧を跨ぐと、やはりスイッチ素子３０内部の接続状態が変化する。ここで、当然のことながら、第１のサーミスタ４４と第２のサーミスタ４５は、それぞれの閾値温度Ｖｃｏｎｔ１およびＶｃｏｎｔ２が異なるように選択されている。以降においては、Ｖｃｏｎｔ１＜Ｖｃｏｎｔ２であるものとして説明を続ける。
図１０はスイッチ素子の真理値表である。第１のサーミスタ４４の両端子間の電圧がスイッチ素子３０の第１の閾値電圧より低く（Ｖｃｏｎｔ１＝０）、かつ、第２のサーミスタ４５の両端子間の電圧もスイッチ素子３０の第２の閾値電圧より低い（Ｖｃｏｎｔ２＝０）場合、第３の出力端子３５（Ｏｕｔ Ｃ）が共通入力端子（Ｃｏｍｍｏｎ）に接続される。すると、抵抗２５ならびに容量２１および２２からなる第３フィードバック回路が、マイクロ波増幅素子１３に接続される。次に、第１のサーミスタ４４の両端子間の電圧がスイッチ素子３０の第１の閾値電圧より低く（Ｖｃｏｎｔ１＝０）、かつ、第２のサーミスタ４５の両端子間の電圧はスイッチ素子３０の第２の閾値電圧より高い（Ｖｃｏｎｔ２＝１）場合、第２の出力端子３４（Ｏｕｔ Ｂ）が共通入力端子（Ｃｏｍｍｏｎ）に接続される。すると、抵抗２４ならびに容量２１および２２からなる第２フィードバック回路が、マイクロ波増幅素子１３に接続される。最後に、第１のサーミスタ４４の両端子間の電圧がスイッチ素子３０の第１の閾値電圧より高い場合（Ｖｃｏｎｔ１＝１）、第１の出力端子３３（Ｏｕｔ Ａ）が共通入力端子３２（Ｃｏｍｍｏｎ）に接続される。なお、この時、前述した通り第２のサーミスタ４５の両端子間の電圧は必然的にスイッチ素子３０の第２の閾値電圧より高い（Ｖｃｏｎｔ２＝１）。すると、抵抗素子２３ならびに容量２１および２２からなる第１のフィードバック回路が、マイクロ波増幅素子１３に接続される。
このようにして、周辺温度の変化に応じて、複数のフィードバック回路の中から対応するものが自動的に選択されてマイクロ波増幅素子１３に接続される。選択されるフィードバック回路は、予め対応する温度領域において最適化されてあるので、マイクロ波増幅素子１３の動作は安定化される。
なお、図１０の真理値表は、あくまでも１つの例であって、実際に使用されるスイッチ素子３０に応じて適宜設定変更されるべきである。

第１乃至第３の実施形態例では２つの、本実施形態例では３つの、フィードバック回路が切り換え可能であるが、フィードバック回路をさらに追加することは容易である。すなわち、スイッチ素子としては、フィードバック回路と同数の出力端子を具備するものを用いる。温度センサ回路部としては、フィードバック回路より１つ少ないサーミスタを直列に接続し、サーミスタまたは抵抗同士を結ぶ経路のそれぞれを、スイッチ素子の温度センサ用端子のそれぞれに接続する。

なお、第１乃至第４の実施形態において、温度センサとしてサーミスタを用いたが、代わりにポジスタなど他の抵抗変化型温度センサ素子を用いても構わない。

図１は、従来技術（特許文献１「特開平６−２８３９３９号公報」）による、温度に応じてフィードバック量が変化する増幅器の回路図である。 図２は、本発明の第１の実施形態におけるマイクロ波増幅装置の回路図である。 図３は、本発明の第１の実施形態におけるスイッチ素子の内部接続状態が従う真理値表である。 図４は、従来技術と本発明の第１の実施形態における、利得の温度変化を比較する図である。 図５は、本発明の第２の実施形態におけるマイクロ波増幅装置の回路図と、マイクロ波増幅半導体チップに含まれる素子を示す図である。 図６は、本発明の第２の実施形態におけるマイクロ波増幅装置を示す図である。 図７は、本発明の第２の実施形態におけるマイクロ波増幅装置の回路図と、マイクロ波増幅半導体チップに含まれる素子を示す図である。 図８は、本発明の第３の実施形態におけるマイクロ波増幅装置を示す図である。 図９は、本発明の第４の実施形態におけるマイクロ波増幅装置の回路図である。 図１０は、本発明の第４の実施形態におけるスイッチ素子の内部接続状態が従う真理値表である。

符号の説明

１ 入力端子
２ ポジスタ
３ 整合用インダクタ
４ 整合用インダクタ
５ 整合用インダクタ
６ トランジスタ
７ 出力端子
１０ マイクロ波増幅回路部
１１ 入力端子
１２ 出力端子
１３ マイクロ波増幅素子
１４ 入力側マッチング回路
１５ 出力側マッチング回路
１６ 制御回路
１７ 増幅素子用電源Ｖｃｃ
１８ マイクロ波増幅素子の入力端子
１９ マイクロ波増幅素子の出力端子
２０ フィードバック回路部
２１ 容量
２２ 容量
２３ 抵抗（第１のフィードバック回路用）
２４ 抵抗（第２のフィードバック回路用）
２５ 抵抗（第３のフィードバック回路用）
３０ スイッチ素子
３１ 電源用端子
３２ 共通入力端子
３３ 第１の出力端子
３４ 第２の出力端子
３５ 第３の出力端子
３６ 第１の温度センサ用端子
３７ 第２の温度センサ用端子
４０ 温度センサ回路部
４１ グラウンド
４２ 温度センサ用電源Ｖｄｄ
４３ 抵抗
４４ 第１のサーミスタ
４５ 第２のサーミスタ
５０ 基板
５１ マイクロ波増幅半導体チップ
６０ 基板
６１ マイクロ波増幅半導体チップ

Claims (10)

1. 外部からマイクロ波が入力される外部入力端子と、
   温度に応じた制御信号を出力する温度センサ回路と、
   １つの入力端子と、複数の出力端子と、制御信号入力部とを具備し、前記温度センサ回路から前記制御信号入力部に入力される制御信号に応じて、前記複数の出力端子のいずれか１つが選択されて前記入力端子に導通されるスイッチ素子と、
   それぞれにフィードバック量が異なる複数のフィードバック回路と、
   前記入力端子から入力されたマイクロ波を増幅するマイクロ波増幅素子と、
   前記マイクロ波増幅素子が増幅したマイクロ波を外部へ出力する外部出力端子と
   を具備し、
   前記スイッチ素子の前記複数の出力端子のそれぞれは、前記複数のフィードバック回路のそれぞれに接続されており、
   前記スイッチ素子の前記入力端子に導通されている出力端子に接続されているフィードバック回路は、前記マイクロ波増幅素子の出力端子と入力端子とに導通されている
   マイクロ波増幅装置。
2. 請求項１記載のマイクロ波増幅装置において、
   前記温度センサ回路は、抵抗変化型温度センサ素子を具備する
   マイクロ波増幅装置。
3. 請求項２記載のマイクロ波増幅装置において、
   前記抵抗変化型温度センサ素子は、サーミスタである
   マイクロ波増幅装置。
4. 外部からマイクロ波が入力される外部入力端子と、
   前記外部入力端子から入力されたマイクロ波を増幅するマイクロ波増幅素子と、
   それぞれにフィードバック量が異なる複数のフィードバック回路と、
   制御信号を外部から入力される外部制御信号入力部と、
   前記マイクロ波増幅素子が増幅したマイクロ波を外部へ出力する外部出力端子と
   を具備し、
   前記外部制御信号入力部に外部から入力される前記制御信号によって、前記複数のフィードバック回路のいずれか１つが選択されて前記マイクロ波増幅素子に接続される
   マイクロ波増幅半導体チップ。
5. 請求項４記載のマイクロ波増幅半導体チップにおいて、
   前記外部制御信号入力部は、一方では前記複数のフィードバック回路のそれぞれに接続されており、もう一方では外部のスイッチ素子に接続されて、
   前記スイッチ素子は、１つの入力端子と、複数の出力端子と、制御信号入力部とを具備しており、
   前記スイッチ素子の前記制御信号入力部に入力される制御信号に応じて、前記複数の出力端子のいずれか１つが選択されて前記入力端子に導通される
   マイクロ波増幅半導体チップ。
6. 請求項４記載のマイクロ波増幅半導体チップにおいて、
   １つの入力端子と、複数の出力端子と、制御信号入力部とを具備し、前記外部制御信号入力部から前記制御信号入力部に入力される制御信号に応じて、前記複数の出力端子のいずれか１つが選択されて前記入力端子に導通されるスイッチ素子
   をさらに具備する
   マイクロ波増幅半導体チップ。
7. 請求項５または６に記載のマイクロ波増幅半導体チップにおいて、
   前記スイッチ素子の前記制御信号入力部は、外部の温度センサ回路に接続されており、前記外部の温度センサ回路が温度に応じて出力する制御信号を入力される
   マイクロ波増幅半導体チップ。
8. 請求項７記載のマイクロ波増幅半導体チップにおいて、
   前記温度センサ回路は、抵抗変化型温度センサ素子を具備する
   マイクロ波増幅半導体チップ。
9. 請求項８記載のマイクロ波増幅半導体チップにおいて、
   前記抵抗変化型温度センサ素子は、サーミスタである
   マイクロ波増幅半導体チップ。
10. （ａ）マイクロ波増幅装置が、周辺の温度の変化に応じて自動的にそのフィードバック量を切り換えてマイクロ波増幅素子の動作を安定化させることと、
    （ｂ）温度センサ回路が、温度に応じて制御信号を出力することと、
    （ｃ）スイッチ素子が、前記温度センサ回路から出力される制御信号に応じたフィードバック回路を、複数のフィードバック回路から選択的にマイクロ波増幅素子に接続することと、
    （ｄ）前記マイクロ波増幅素子が、温度に応じたフィードバック量でマイクロ波の増幅を行うことと
    を具備する、マイクロ波増幅方法。

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