JP2008236119A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明にかかる半導体装置は、制御電圧により駆動力が変化する第1のトランジスタを有する保護回路と、前記保護回路と同一の回路構成を有するモニター回路と、前記モニター回路が出力する電圧と、基準電圧との比較結果に基づいて前記制御電圧を生成する制御電圧生成回路とを有する。
【選択図】図1
Description
以下、本発明を適用した具体的な実施の形態1について、図面を参照しながら詳細に説明する。この実施の形態1は、本発明を半導体装置の発振回路に適用したものである。
以下、本発明を適用した具体的な実施の形態2について、図面を参照しながら詳細に説明する。この実施の形態2は、実施の形態1と同様、本発明を半導体装置の発振回路に適用したものである。
101 入力端子
102 出力端子
103、105、113、122 ESD保護回路
104、111 CMOSインバータ
106、116 制御電圧生成回路
107 基準電圧生成回路
108、118 モニター回路
109、121 オペアンプ
110 水晶振動子
123 インピーダンス
124 信号源
C101、C102 コンデンサ
P101、P102、P103、P111、P112、P113、P114 PチャンネルMOSトランジスタ
N101、N102、N103、N104、N105、N111、N113 NチャネルMOSトランジスタ
R101、R102、R103 抵抗
Claims (7)
- 制御電圧により駆動力が変化する第1のトランジスタを有する保護回路と、
前記保護回路と同一の回路構成を有するモニター回路と、
前記モニター回路が出力する電圧と、基準電圧との比較結果に基づいて前記制御電圧を生成する制御電圧生成回路と、
を有する半導体装置。 - 前記保護回路は、前記第1のトランジスタと異なる導電型である第2のトランジスタを有し、
前記第1のトランジスタによって、前記第2のトランジスタのリーク電流を補償することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記保護回路は、前記第1のトランジスタと並列に接続された、前記第1のトランジスタと同じ導電型の第3のトランジスタをさらに有することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体装置。
- 前記第1のトランジスタのゲート幅は、前記第3のトランジスタのゲート幅の10分の1以下であることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。
- 前記基準電圧は、高電位側電源電圧と低電位側電源電圧の中間の電位であることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか一に記載の半導体装置。
- トランジスタと、
制御電圧に応じて、前記トランジスタのリーク電流の通過パスを形成する調整回路と、
を有する保護回路と、
前記保護回路と同一の回路構成を有するモニター回路と、
前記モニター回路が出力する電圧と基準電圧の比較結果に基づいて制御電圧を生成する制御電圧生成回路と、
を有する半導体装置。 - 前記調整回路は、前記トランジスタのゲート幅の10分の1以下であるゲート幅を有する第4のトランジスタであることを特徴とする請求項6に記載の半導体装置。
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