JP2008124480A5 - - Google Patents

Claims (4)

1. 構造内の欠陥または応力の顕在化を可能とするプロセスであって、
   −分子接着によって、結晶材料を含有した第１部材（１）の面（１４）を、結晶材料を含有した第２部材（２）の面（２１）に対して、前記面どうしが結晶格子に関してオフセットを有するようにして、固定し、これにより、固定界面に隣接した結晶領域に、結晶欠陥および／または応力場からなる格子（３）を形成し；
   −前記両部材のうちの一方の部材（１）の厚さを減少させることにより、前記固定界面（１４／２１）に沿って前記格子構造が形成されるようにして他方の部材（２）に対して接着された薄膜（１６）を形成し、この薄膜（１６）の厚さを、この薄膜（１６）の自由表面（１５）が結晶欠陥格子および／または応力場を顕在化しないようなものとし；
   −イオン打込または拡散を使用した前記薄膜内への化学種の導入によって、前記結晶欠陥格子（１８）および／または前記応力場の顕在化を前記薄膜の前記自由表面にもたらし、前記自由表面の表面トポロジーの変更を生じさせる処理を、前記薄膜（１６）に対して行う；
   ことを特徴とするプロセス。
2. 請求項１記載のプロセスにおいて、
   導入される前記化学種を、応力場の影響によって結晶欠陥上に凝結する種とすることを特徴とするプロセス。
3. 請求項１記載のプロセスにおいて、
   前記薄膜に対する前記処理を、局所的に行うことにより、結晶欠陥格子および／または応力場格子からなる１つまたは複数のゾーンを顕在化させることを特徴とするプロセス。
4. 請求項１記載のプロセスにおいて、
   −複数の接着性薄膜を形成し、
   −それら複数の薄膜の中の１つまたは複数の薄膜に対して厚さを減少させる処理を行う、
   ことを特徴とするプロセス。