JP2008114364A - 電子デバイス用ガラス基板の製造方法及びマスクブランクスの製造方法並びに転写マスクの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】精密研磨を行っても基板表面に微小な凸状の表面欠陥が発生しない電子デバイス用ガラス基板の製造方法を提供する。
【解決手段】研磨パッドを電子デバイス用ガラス基板１に押付け、研磨パッド７とガラス基板との間に研磨砥粒を含む研磨液を供給しながら研磨パッドとガラス基板とを相対的に移動させて、前記基板表面を精密研磨する工程を有する製造方法であって、精密研磨を行う前に、ダミー基板を用いて研磨パッドとダミー基板との間に水又は有機溶媒の溶液を供給しながらダミー基板を研磨加工する工程を有し、この工程において、研磨パッドは、研磨液と研磨パッドに含まれる界面活性剤との反応により前記精密研磨工程における研磨砥粒がガラス基板に付着して微小な凸状の表面欠陥が発生しないように界面活性剤が除去される製造方法。
【選択図】図１
【解決手段】研磨パッドを電子デバイス用ガラス基板１に押付け、研磨パッド７とガラス基板との間に研磨砥粒を含む研磨液を供給しながら研磨パッドとガラス基板とを相対的に移動させて、前記基板表面を精密研磨する工程を有する製造方法であって、精密研磨を行う前に、ダミー基板を用いて研磨パッドとダミー基板との間に水又は有機溶媒の溶液を供給しながらダミー基板を研磨加工する工程を有し、この工程において、研磨パッドは、研磨液と研磨パッドに含まれる界面活性剤との反応により前記精密研磨工程における研磨砥粒がガラス基板に付着して微小な凸状の表面欠陥が発生しないように界面活性剤が除去される製造方法。
【選択図】図１
Description
本発明は、基板表面に微小な凸状の表面欠陥のない電子デバイス用ガラス基板（例えば、マスクブランクス用ガラス基板など）、該基板を用いたマスクブランクスの製造方法、及び転写マスクの製造方法に関する。
近年における超ＬＳＩデバイスの高密度化、高精度化により、マスクブランクス用ガラス基板などの電子デバイス用ガラス基板の平坦度や表面欠陥に対する要求は年々厳しくなる状況にある。ここで、従来のマスクブランクス用ガラス基板の表面粗さを低減するための精密研磨方法としては、例えば、下記特許文献１（特開昭６４−４０２６７号公報）に記載されているものがある。この精密研磨方法は、酸化セリウムを主材とする研磨材を用いて研磨した後、コロイダルシリカを用いて仕上げ研磨するものである。
上記公報によれば、使用する研磨パッドとしては、基布としての不織布にポリウレタン樹脂を含浸、発泡させたもの等を使用することができるとされ、実施例ではスウェードタイプの研磨パッドを使った例が記載されている。
上記公報によれば、使用する研磨パッドとしては、基布としての不織布にポリウレタン樹脂を含浸、発泡させたもの等を使用することができるとされ、実施例ではスウェードタイプの研磨パッドを使った例が記載されている。
上述の研磨パッドは、一般にウレタン樹脂組成物を用いた湿式凝固法によって製造される。この湿式凝固法とは、ウレタン樹脂組成物を調整した後、ウレタン樹脂組成物を支持体に塗布し、次いで、水、ジメチルホルムアミドに、界面活性剤等の分散安定剤、湿式凝固助剤を添加した混合溶液中にて湿式凝固処理を行い、支持体上に発泡層を生成させ、その後乾燥し、最表面をバフして得られる。
また、下記特許文献２（特開２００３−９４３２３号公報）には、研磨パッドに含まれる添加剤（界面活性剤）が発泡層に残存されていることで、被研磨部材の研磨において泡が発生し、被研磨部材の品質低下、製品の歩留まりを悪化させることが記載されている。そのため、湿式発泡層を形成する混合溶液中に含まれる界面活性剤の量を減らすか、研磨パッドの界面活性剤の量を後工程で減じた研磨パッドが記載されている。
特開昭６４−４０２６７号公報
特開２００３−９４３２３号公報
また、下記特許文献２（特開２００３−９４３２３号公報）には、研磨パッドに含まれる添加剤（界面活性剤）が発泡層に残存されていることで、被研磨部材の研磨において泡が発生し、被研磨部材の品質低下、製品の歩留まりを悪化させることが記載されている。そのため、湿式発泡層を形成する混合溶液中に含まれる界面活性剤の量を減らすか、研磨パッドの界面活性剤の量を後工程で減じた研磨パッドが記載されている。
本発明者は、上記研磨パッドとコロイダルシリカを用いて仕上げ研磨を行ったガラス基板の表面が、近年要求されている平坦度や表面欠陥に対する高いレベルの条件を満たすものであるか否かを克明に調べた。その結果、上記の従来方法で仕上げ研磨を行ったガラス基板表面には、高さが数ｎｍ程度、大きさは数十ｎｍ〜２０００ｎｍの凸状の突起が形成される場合があることを突き止めた。これは、従来の目視検査では確認できない小さい高さの凸状の突起で、上記近年要請されるようになった高いレベルの表面欠陥フリーの要請を確認するために開発された欠陥検査装置によってはじめて確認することができたものである。
この凸状の突起上に薄膜を形成し、マスクブランクス、更にマスクを作製した場合、凸状の突起の大きさが拡大化されるため、次世代の基板として要求される０．３μｍ以上の欠陥が無いこと、更には０．１μｍ以上の欠陥が無いこと、また更には０．０５μｍ以上の欠陥が無いことを満たしたとしても、この基板を用いて作製されるマスクブランクス、及びマスクの欠陥検査を行った場合、問題となることがある。
この凸状の突起上に薄膜を形成し、マスクブランクス、更にマスクを作製した場合、凸状の突起の大きさが拡大化されるため、次世代の基板として要求される０．３μｍ以上の欠陥が無いこと、更には０．１μｍ以上の欠陥が無いこと、また更には０．０５μｍ以上の欠陥が無いことを満たしたとしても、この基板を用いて作製されるマスクブランクス、及びマスクの欠陥検査を行った場合、問題となることがある。
また、この数ｎｍ程度の凸状の突起が形成されたガラス基板を使って位相シフトマスクブランクス、及び位相シフトマスクを作製した場合、露光光の波長が短波長になるにしたがって、凸状の突起による位相角変化が大きくなり（凸状突起の高さが５ｎｍの場合、露光波長がＡｒＦ（１９３ｎｍ）では、位相角変化は４．６度、Ｆ２（１５７ｎｍ）では、位相角変化は５．７度となる）、無視できない問題となる。
また、この数ｎｍ程度の凸状の突起が形成されたガラス基板を使って反射型マスクブランクス、及び反射型マスクを作製した場合、マスク面のパターン近傍に凸状突起が存在すると、反射光にはその凸状突起に起因した位相の変化が起こる。この位相の変化は転写されるパターンの位置精度やコントラストを悪化させる原因となる。特に波長が０．２〜１００ｎｍ程度の極端紫外（Extreme UltraViolet、ＥＵＶ）光のような短波長の光を露光光として用いる場合、マスク面上の微細な凹凸に対して位相の変化が非常に敏感となるため、転写像への影響が大きくなり、微細な凹凸に由来する位相の変化は無視できない問題となる。例えば、１３ｎｍ程度のＥＵＶ光を用いる場合、２ｎｍ程度の凸状突起でさえ位相欠陥となりうる。
また、この数ｎｍ程度の凸状の突起が形成されたガラス基板を使って反射型マスクブランクス、及び反射型マスクを作製した場合、マスク面のパターン近傍に凸状突起が存在すると、反射光にはその凸状突起に起因した位相の変化が起こる。この位相の変化は転写されるパターンの位置精度やコントラストを悪化させる原因となる。特に波長が０．２〜１００ｎｍ程度の極端紫外（Extreme UltraViolet、ＥＵＶ）光のような短波長の光を露光光として用いる場合、マスク面上の微細な凹凸に対して位相の変化が非常に敏感となるため、転写像への影響が大きくなり、微細な凹凸に由来する位相の変化は無視できない問題となる。例えば、１３ｎｍ程度のＥＵＶ光を用いる場合、２ｎｍ程度の凸状突起でさえ位相欠陥となりうる。
本発明は、上述の問題点に鑑みてなされたものであり、精密研磨を行っても、基板表面に微小な凸状の表面欠陥が発生しないか又は発生率の低い電子デバイス用ガラス基板、及びマスクブランクスの製造方法を提供することを第一の目的とする。
また、本発明は、基板表面に微小な凸状の表面欠陥が起因するパターン欠陥のない転写マスクの製造方法を提供することを第二の目的とする。
また、本発明は、基板表面に微小な凸状の表面欠陥が起因するパターン欠陥のない転写マスクの製造方法を提供することを第二の目的とする。
本発明者は、本発明者が突き止めた上記課題を解決するため、従来のコロイダルシリカ砥粒を含む研磨液と研磨パッドを使用して研磨すると、何故凸状の突起が形成されるかを考察した。そして、研磨液の粘性と、研磨パッドに含まれる界面活性剤との関係に着目し、凸状の突起が形成される要因を以下のように推測した。
コロイダルシリカ砥粒を含む研磨液は通常、安定性の点からＮａＯＨやＫＯＨ等の無機アルカリや、アミン等の有機アルカリを添加してアルカリ性の研磨液としている。従って、アルカリを添加していない研磨液に比べ研磨液の粘性が高い。
一方、研磨パッドの製造の際に使用する界面活性剤は、一般にある程度の粘性を持っており、研磨パッド中に除去されずに含まれている。
コロイダルシリカ砥粒を含む研磨液は通常、安定性の点からＮａＯＨやＫＯＨ等の無機アルカリや、アミン等の有機アルカリを添加してアルカリ性の研磨液としている。従って、アルカリを添加していない研磨液に比べ研磨液の粘性が高い。
一方、研磨パッドの製造の際に使用する界面活性剤は、一般にある程度の粘性を持っており、研磨パッド中に除去されずに含まれている。
従って、上述のコロイダルシリカ砥粒を含む研磨液と、界面活性剤が含有されている研磨パッドを使用してガラス基板を研磨加工すると、研磨加工中にコロイダルシリカ砥粒が凝集体を形成し、ガラス基板に付着する確率が高くなる。
ガラス基板上のある箇所にコロイダルシリカ砥粒の凝集体が停止もしくは付着した状態で研磨工程、さらにアルカリや酸を使った洗浄工程が進むと、その箇所はコロイダルシリカ砥粒の凝集体で被覆された状態となり、凝集体と基板のエッチング速度の差により、微小な凸状の突起が形成されるものと考えられる。尚、上述のような凸状の突起が形成されるメカニズムは、精密研磨に使用するコロイダルシリカ砥粒の場合に確認されることであるが、広くは研磨砥粒とアルカリを添加したアルカリ性の研磨液についても同様のことが言えるものと考えられる。
本発明は、本発明者が以上の解明事実に基づいて更に鋭意検討した結果なされたものであり、以下の構成を有する。
ガラス基板上のある箇所にコロイダルシリカ砥粒の凝集体が停止もしくは付着した状態で研磨工程、さらにアルカリや酸を使った洗浄工程が進むと、その箇所はコロイダルシリカ砥粒の凝集体で被覆された状態となり、凝集体と基板のエッチング速度の差により、微小な凸状の突起が形成されるものと考えられる。尚、上述のような凸状の突起が形成されるメカニズムは、精密研磨に使用するコロイダルシリカ砥粒の場合に確認されることであるが、広くは研磨砥粒とアルカリを添加したアルカリ性の研磨液についても同様のことが言えるものと考えられる。
本発明は、本発明者が以上の解明事実に基づいて更に鋭意検討した結果なされたものであり、以下の構成を有する。
（構成１）研磨パッドを貼着した研磨定盤を電子デバイス用ガラス基板に押付け、研磨砥粒を含む研磨液を供給しながら前記研磨定盤と前記ガラス基板とを相対的に移動させて、前記基板表面を精密研磨する工程を有する電子デバイス用ガラス基板の製造方法であって、前記研磨パッドは、前記研磨液と前記研磨パッドに含まれる界面活性剤との反応により、前記研磨砥粒がガラス基板に付着し、微小な凸状の表面欠陥が発生しないように、界面活性剤が除去されていることを特徴とする電子デバイス用ガラス基板の製造方法。
（構成２）研磨パッドを貼着した研磨定盤を電子デバイス用ガラス基板に押付け、研磨砥粒を含む研磨液を供給しながら前記研磨定盤と前記ガラス基板とを相対的に移動させて、前記基板表面を精密研磨する工程を有する電子デバイス用ガラス基板の製造方法であって、前記ガラス基板の精密研磨を行う前に、前記研磨パッド中に含まれている界面活性剤を除去することを特徴とする電子デバイス用ガラス基板の製造方法。
（構成３）研磨パッドを貼着した研磨定盤を電子デバイス用ガラス基板に押付け、研磨砥粒を含む研磨液を供給しながら前記研磨定盤と前記ガラス基板とを相対的に移動させて、前記基板表面を精密研磨する工程を有する電子デバイス用ガラス基板の製造方法であって、前記研磨液の粘度が１０ｃｐ以下であることを特徴とする電子デバイス用ガラス基板の製造方法。
（構成２）研磨パッドを貼着した研磨定盤を電子デバイス用ガラス基板に押付け、研磨砥粒を含む研磨液を供給しながら前記研磨定盤と前記ガラス基板とを相対的に移動させて、前記基板表面を精密研磨する工程を有する電子デバイス用ガラス基板の製造方法であって、前記ガラス基板の精密研磨を行う前に、前記研磨パッド中に含まれている界面活性剤を除去することを特徴とする電子デバイス用ガラス基板の製造方法。
（構成３）研磨パッドを貼着した研磨定盤を電子デバイス用ガラス基板に押付け、研磨砥粒を含む研磨液を供給しながら前記研磨定盤と前記ガラス基板とを相対的に移動させて、前記基板表面を精密研磨する工程を有する電子デバイス用ガラス基板の製造方法であって、前記研磨液の粘度が１０ｃｐ以下であることを特徴とする電子デバイス用ガラス基板の製造方法。
（構成４）前記研磨砥粒は、コロイダルシリカを含むことを特徴とする構成１乃至３の何れかに記載の電子デバイス用ガラス基板の製造方法。
（構成５）前記基板は、マスクブランクス用ガラス基板であることを特徴とする構成１乃至４の何れかに記載の電子デバイス用ガラス基板の製造方法。
（構成６）構成５に記載の電子デバイス用ガラス基板の製造方法により製造した電子デバイス用ガラス基板の主表面上に、露光光に対し光学的変化をもたらす薄膜を形成することを特徴とするマスクブランクスの製造方法。
（構成７）構成６に記載のマスクブランクスの製造方法によって得られたマスクブランクスにおける前記薄膜をパターニングして電子デバイス用ガラス基板の主表面上に薄膜パターンを形成することを特徴とする転写マスクの製造方法。
（構成５）前記基板は、マスクブランクス用ガラス基板であることを特徴とする構成１乃至４の何れかに記載の電子デバイス用ガラス基板の製造方法。
（構成６）構成５に記載の電子デバイス用ガラス基板の製造方法により製造した電子デバイス用ガラス基板の主表面上に、露光光に対し光学的変化をもたらす薄膜を形成することを特徴とするマスクブランクスの製造方法。
（構成７）構成６に記載のマスクブランクスの製造方法によって得られたマスクブランクスにおける前記薄膜をパターニングして電子デバイス用ガラス基板の主表面上に薄膜パターンを形成することを特徴とする転写マスクの製造方法。
本発明によれば、ガラス基板表面の精密研磨に用いる研磨パッドを、研磨液と研磨パッドに含まれる界面活性剤との反応により、研磨砥粒がガラス基板に付着し、微小な凸状の表面欠陥が発生しないように、界面活性剤が除去されているものとするが、ガラス基板表面の精密研磨に用いる研磨パッド中に含まれる界面活性剤を、精密研磨を行う前に除去する、或いは予め除去されていることによって、研磨液に含まれる研磨砥粒（特にコロイダルシリカ砥粒）のガラス基板に付着するのを抑制することができるので、微小な凸状の突起の発生を抑えることができる。
また、研磨パッド中に含まれる界面活性剤を除去する方法として、ダミー基板と水等の溶媒を使用してダミー基板を研磨と同じように加工することにより、研磨パッドの主に表層に存在する界面活性剤を除去し、表層以外には影響を与えずに、容易に界面活性剤を除去することが出来る。
また、本発明によれば、使用する研磨液の粘性が低いことによって、研磨加工中に研磨液に含まれる研磨砥粒（特にコロイダルシリカ砥粒）が凝集してガラス基板に付着するのを抑制することができ、微小な凸状の突起の発生を抑えることができる。
また、研磨パッド中に含まれる界面活性剤を除去する方法として、ダミー基板と水等の溶媒を使用してダミー基板を研磨と同じように加工することにより、研磨パッドの主に表層に存在する界面活性剤を除去し、表層以外には影響を与えずに、容易に界面活性剤を除去することが出来る。
また、本発明によれば、使用する研磨液の粘性が低いことによって、研磨加工中に研磨液に含まれる研磨砥粒（特にコロイダルシリカ砥粒）が凝集してガラス基板に付着するのを抑制することができ、微小な凸状の突起の発生を抑えることができる。
また、本発明は、マスクブランクス用ガラス基板の製造に好適であり、中でも位相シフトマスクブランクス用ガラス基板、或いは反射型マスクブランクス用ガラス基板の製造に好適であり、微小な凸状の表面欠陥により発生する位相差変化を抑えることができ、また微小な凸状の表面欠陥により、その上に形成する多層反射膜表面での位相欠陥を抑えることができる。
また、本発明のマスクブランクスの製造方法によれば、本発明によって製造した電子デバイス用ガラス基板の主表面上に、露光光に対し光学的変化をもたらす薄膜を形成することにより、ガラス基板上に形成された微小な凸状の表面欠陥によるマスクブランクスの欠陥（膜下欠陥）を防止することができる。
また、本発明の転写マスクの製造方法によれば、本発明によって得られたマスクブランクスにおける薄膜をパターニングして電子デバイス用ガラス基板の主表面上に薄膜パターンを形成することにより、基板表面に微小な凸状の表面欠陥が起因する薄膜パターンのパターン欠陥のない転写マスクが得られる。
また、本発明のマスクブランクスの製造方法によれば、本発明によって製造した電子デバイス用ガラス基板の主表面上に、露光光に対し光学的変化をもたらす薄膜を形成することにより、ガラス基板上に形成された微小な凸状の表面欠陥によるマスクブランクスの欠陥（膜下欠陥）を防止することができる。
また、本発明の転写マスクの製造方法によれば、本発明によって得られたマスクブランクスにおける薄膜をパターニングして電子デバイス用ガラス基板の主表面上に薄膜パターンを形成することにより、基板表面に微小な凸状の表面欠陥が起因する薄膜パターンのパターン欠陥のない転写マスクが得られる。
以下、本発明を実施するための最良の実施形態にかかる電子デバイス用ガラス基板の製造方法、マスクブランクスの製造方法、及び転写マスクの製造方法を詳細に説明する。
なお、以下の説明において、微小な凸状の表面欠陥（以下、単に突起欠陥ともいう）とは、主成分がＳｉとＯとを含む凸状の突起をいい、その高さは２ｎｍ〜７ｎｍ程度で、大きさは数十ｎｍ〜２０００ｎｍ程度のものをいう。
本発明の実施の形態にかかる電子デバイス用ガラス基板の製造方法は、構成１にあるように、ガラス基板表面の精密研磨に用いる研磨パッドを、研磨液（スラリー）と研磨パッドに含まれる界面活性剤との反応により、研磨砥粒がガラス基板に付着し、微小な凸状の表面欠陥が発生しないように界面活性剤が除去されているものとすることを特徴とする。また、構成２にあるように、電子デバイス用ガラス基板の表面を、研磨砥粒を用いた研磨液（スラリー）による研磨を行う前に、研磨パッド中に含まれている界面活性剤を除去することを特徴とする。
なお、以下の説明において、微小な凸状の表面欠陥（以下、単に突起欠陥ともいう）とは、主成分がＳｉとＯとを含む凸状の突起をいい、その高さは２ｎｍ〜７ｎｍ程度で、大きさは数十ｎｍ〜２０００ｎｍ程度のものをいう。
本発明の実施の形態にかかる電子デバイス用ガラス基板の製造方法は、構成１にあるように、ガラス基板表面の精密研磨に用いる研磨パッドを、研磨液（スラリー）と研磨パッドに含まれる界面活性剤との反応により、研磨砥粒がガラス基板に付着し、微小な凸状の表面欠陥が発生しないように界面活性剤が除去されているものとすることを特徴とする。また、構成２にあるように、電子デバイス用ガラス基板の表面を、研磨砥粒を用いた研磨液（スラリー）による研磨を行う前に、研磨パッド中に含まれている界面活性剤を除去することを特徴とする。
本発明者の検討によると、凸状の突起が形成されるのは、コロイダルシリカ砥粒のような研磨砥粒を含む研磨液と、界面活性剤が含有されている研磨パッドを使用してガラス基板を研磨加工すると、研磨加工中に研磨砥粒が凝集体を形成し、ガラス基板に付着することに起因するものと考えられ、研磨パッド中に含まれる界面活性剤を、精密研磨を行う前に除去することによって、研磨砥粒のガラス基板に付着するのを抑制することができるので、微小な凸状の突起の発生を抑えることができる。
本発明の実施の形態において、研磨パッド中に含まれている界面活性剤は、上記ガラス基板表面の精密研磨を行う前に除去されていればよい。従って、精密研磨を行う前に、研磨パッド中に含まれている界面活性剤を除去してもよいし、或いは、研磨パッドの製造過程において、又は研磨パッドの製造後の処理において研磨パッド中に含まれている（残存している）界面活性剤が除去されたものを使用することができる。
研磨パッド中に含まれている界面活性剤が除去された結果、界面活性剤の含有量は略ゼロであることが望ましいが、本発明の作用効果を損わない限りにおいては、極少量の界面活性剤が残存していても構わない。
本発明の実施の形態において、研磨パッド中に含まれている界面活性剤は、上記ガラス基板表面の精密研磨を行う前に除去されていればよい。従って、精密研磨を行う前に、研磨パッド中に含まれている界面活性剤を除去してもよいし、或いは、研磨パッドの製造過程において、又は研磨パッドの製造後の処理において研磨パッド中に含まれている（残存している）界面活性剤が除去されたものを使用することができる。
研磨パッド中に含まれている界面活性剤が除去された結果、界面活性剤の含有量は略ゼロであることが望ましいが、本発明の作用効果を損わない限りにおいては、極少量の界面活性剤が残存していても構わない。
研磨パッド中に含まれる界面活性剤は、例えば、ＰＬ−２１０（花王株式会社製商品名グリセリンエチレンオキシドポリオキシド化合物）等が使用されている。この界面活性剤を研磨パッドから除去する方法としては、水や有機溶媒などの溶液に浸漬して溶出させて除去する方法や、水や有機溶媒などの溶液を研磨パッドに吹き付けて除去する方法や、ダミー基板を準備し、溶媒を供給しながら研磨パッドにダミー基板を押付け、互いに回転させることで研磨パッド中に含まれている界面活性剤を除去する方法がある。本発明に関与する界面活性剤は、研磨パッドでも微細な開口が形成された表層に存在しているものであること、研磨パッドの表層以外には影響を与えない方が好ましいことなどから、ダミー基板を準備し、溶媒を供給しながら研磨パッドにダミー基板を押付け、互いに回転させることで研磨パッド中に含まれている界面活性剤を除去する方法が好ましい。なおこの方法は、精密研磨を行う前にダミー基板をセットして、水や有機溶媒などの溶液を供給し（掛け捨て）ながら通常の研磨と同じようにダミー基板を研磨加工することにより容易に界面活性剤を研磨パッドから除去することができる。研磨パッド中に含まれる界面活性剤は、ダミー基板の研磨加工中に発生する泡として観察される。従って、この泡が観察されなくなるまで、ダミー基板の研磨加工を行って研磨パッド中に含まれる界面活性剤を除去する。
ダミー基板は、精密研磨で研磨される基板の材料と同じにすることが好ましい。精密研磨で研磨される基板の材料（ガラス）と違う材料にした場合、異物として残り精密研磨工程で傷等の欠陥を引き起こす可能性が高くなるからである。また、研磨パッド中に含まれる界面活性剤の除去効率の観点から、ダミー基板の表面は荒れている方が良いが、荒れすぎると研磨パッドの表層状態を変化、劣化、悪化させることになり、好ましくはダミー基板の表面粗さは、平均表面粗さＲａで０．１〜１ｎｍ、さらに好ましくは、０．２〜０．５ｎｍとすることが望ましい。
また、本発明の実施の形態にかかる電子デバイス用ガラス基板の製造方法は、構成３にあるように、上記研磨砥粒を含む研磨液の粘度が１０ｃｐ以下（但し研磨砥粒と混ぜる溶媒の粘度以上であって）であることを特徴とする。研磨液の粘性が低いことによって、研磨加工中に研磨砥粒（例えばコロイダルシリカ砥粒）が凝集してガラス基板に付着するのを抑制することができ、微小な凸状の突起の発生を抑えることができる。
研磨砥粒がコロイダルシリカ砥粒を含む研磨液である場合には、コロイダルシリカ砥粒を含む粘性の低い研磨液とする方法としては、たとえばアルカリを含まない中性域で使用することができるコロイダルシリカとすることが好ましい。中性域のコロイダルシリカは、蒸留精製が可能な有機珪素化合物を加水分解することで得られ、中性域でしかもＮａやＫ等のアルカリ金属の少ない高純度なコロイダルシリカを得ることが可能である。
なお、以上の粘性の低い研磨液を使用する場合において、研磨パッド中に含まれる界面活性剤の量は出来るだけ少ない方がより望ましい。
尚、以上の実施の形態においては、ガラス基板の材料は特に限定されない。ガラス基板の材料としては、例えば、合成石英ガラス、ホウケイ酸ガラス、アルミノシリケートガラス、アルミノボロシリケートガラス、ソーダライムガラス、無アルカリガラスなどが挙げられる。
また、以上の実施の形態における精密研磨は、両面研磨、片面研磨のどちらでも構わない。
研磨砥粒がコロイダルシリカ砥粒を含む研磨液である場合には、コロイダルシリカ砥粒を含む粘性の低い研磨液とする方法としては、たとえばアルカリを含まない中性域で使用することができるコロイダルシリカとすることが好ましい。中性域のコロイダルシリカは、蒸留精製が可能な有機珪素化合物を加水分解することで得られ、中性域でしかもＮａやＫ等のアルカリ金属の少ない高純度なコロイダルシリカを得ることが可能である。
なお、以上の粘性の低い研磨液を使用する場合において、研磨パッド中に含まれる界面活性剤の量は出来るだけ少ない方がより望ましい。
尚、以上の実施の形態においては、ガラス基板の材料は特に限定されない。ガラス基板の材料としては、例えば、合成石英ガラス、ホウケイ酸ガラス、アルミノシリケートガラス、アルミノボロシリケートガラス、ソーダライムガラス、無アルカリガラスなどが挙げられる。
また、以上の実施の形態における精密研磨は、両面研磨、片面研磨のどちらでも構わない。
また、構成５にあるように、電子デバイス用ガラス基板はマスクブランクス用ガラス基板とする。この場合、マスクブランクスとしては、フォトマスクブランクス、位相シフトマスクブランクス、反射型マスクブランクスなどが挙げられ、用途としてはＬＳＩ（半導体集積回路）用マスクブランクス、ＬＣＤ（液晶表示板）用マスクブランクスなどが挙げられる。
また、構成５にかかる基板は、位相シフトマスクブランクス用ガラス基板か、反射型マスクブランクス用ガラス基板の何れかとすると好適である。上述の通り、本発明の実施の形態にかかる電子デバイス用ガラス基板の製造方法は、微小な凸状の表面欠陥により発生する位相差変化を抑えることができること、微小な凸状の表面欠陥により、その上に形成する多層反射膜表面での位相欠陥を抑えることができることから位相シフトマスクブランクス用ガラス基板、反射型マスクブランクス用ガラス基板に特に効果がある。
また、構成５にかかる基板は、位相シフトマスクブランクス用ガラス基板か、反射型マスクブランクス用ガラス基板の何れかとすると好適である。上述の通り、本発明の実施の形態にかかる電子デバイス用ガラス基板の製造方法は、微小な凸状の表面欠陥により発生する位相差変化を抑えることができること、微小な凸状の表面欠陥により、その上に形成する多層反射膜表面での位相欠陥を抑えることができることから位相シフトマスクブランクス用ガラス基板、反射型マスクブランクス用ガラス基板に特に効果がある。
また、構成６にあるように、構成５にかかる電子デバイス用ガラス基板の製造方法によって製造した電子デバイス用ガラス基板の主表面上に、露光光に対し光学的変化をもたらす薄膜を形成することを特徴とするマスクブランクスの製造方法により、ガラス基板上に形成された微小な凸状の表面欠陥によるマスクブランクスの欠陥（膜下欠陥）を防止することができる。
ここで、露光光に対し光学的変化をもたらす薄膜とは、露光光の位相を変化させる位相シフト膜（多層の場合を含む）、露光光を遮断する遮光膜（多層の場合を含む）、あるいは位相シフト膜と遮光膜とを積層した膜や、位相シフト機能と遮光機能を有するハーフトーン膜（多層の場合を含む）、露光光を反射する反射膜、露光光を吸収する吸収体膜などを指す。従って、本発明でいうマスクブランクスは広義の意味で用い、遮光膜のみが形成されたフォトマスクブランクスのほか、位相シフト膜やハーフトーン膜などが形成された位相シフトマスクブランクス、更には反射膜と吸収体膜などが形成された反射型マスクブランクスが含まれる。
尚、本発明でいうマスクブランクスは、上述の薄膜以外に、薄膜上にレジスト膜等を形成しても構わない。
ここで、露光光に対し光学的変化をもたらす薄膜とは、露光光の位相を変化させる位相シフト膜（多層の場合を含む）、露光光を遮断する遮光膜（多層の場合を含む）、あるいは位相シフト膜と遮光膜とを積層した膜や、位相シフト機能と遮光機能を有するハーフトーン膜（多層の場合を含む）、露光光を反射する反射膜、露光光を吸収する吸収体膜などを指す。従って、本発明でいうマスクブランクスは広義の意味で用い、遮光膜のみが形成されたフォトマスクブランクスのほか、位相シフト膜やハーフトーン膜などが形成された位相シフトマスクブランクス、更には反射膜と吸収体膜などが形成された反射型マスクブランクスが含まれる。
尚、本発明でいうマスクブランクスは、上述の薄膜以外に、薄膜上にレジスト膜等を形成しても構わない。
また、構成７にあるように、構成６にかかるマスクブランクスの製造方法によって得られたマスクブランクスにおける前記薄膜をパターニングして電子デバイス用ガラス基板の主表面上に薄膜パターンを形成することを特徴とする転写マスクの製造方法により、基板表面に微小な凸状の表面欠陥が起因する薄膜パターンのパターン欠陥（位相シフトマスクにおいては、位相角が所望の値から外れる位相角欠陥や、反射型マスクにおいては、多層反射膜表面での位相欠陥）のない転写マスクが得られる。薄膜パターンの形成は、レジスト膜付きマスクブランクスを準備し、フォトリソ工程によりレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして薄膜をエッチングすることにより薄膜パターンを形成することができる。
以下、実施例に基づいて本発明をより具体的に説明する。以下の例では、電子デバイス用ガラス基板として位相シフトマスクブランクス用ガラス基板、ＥＵＶ反射型マスクブランクス用ガラス基板（以下、単にガラス基板と称する）を例に説明する。
まず、以下の実施例において精密研磨で使用する遊星歯車方式の両面研磨装置について図１を用いて説明する。
遊星歯車方式の両面研磨装置は、太陽歯車２と、その外方に同心円状に配置される内歯歯車３と、太陽歯車２及び内歯歯車３に噛み合い、太陽歯車２や内歯歯車３の回転に応じて公転及び自転するキャリア４と、このキャリア４に保持された被研磨加工物１を研磨パッド７が貼着された挟持可能な上定盤５及び下定盤６と、上定盤５と下定盤６との間に研磨液を供給する研磨液供給部（図示せず）とを備えている。
精密研磨加工時には、キャリア４に保持された被研磨加工物１を上定盤５及び下定盤６とで挟持するとともに、上下定盤５，６の研磨パッド７と被研磨加工物１との間に研磨液を供給しながら、太陽歯車２や内歯歯車３の回転に応じて、キャリア４が公転及び自転しながら、被研磨加工物１の上下両面が精密研磨加工される。
まず、以下の実施例において精密研磨で使用する遊星歯車方式の両面研磨装置について図１を用いて説明する。
遊星歯車方式の両面研磨装置は、太陽歯車２と、その外方に同心円状に配置される内歯歯車３と、太陽歯車２及び内歯歯車３に噛み合い、太陽歯車２や内歯歯車３の回転に応じて公転及び自転するキャリア４と、このキャリア４に保持された被研磨加工物１を研磨パッド７が貼着された挟持可能な上定盤５及び下定盤６と、上定盤５と下定盤６との間に研磨液を供給する研磨液供給部（図示せず）とを備えている。
精密研磨加工時には、キャリア４に保持された被研磨加工物１を上定盤５及び下定盤６とで挟持するとともに、上下定盤５，６の研磨パッド７と被研磨加工物１との間に研磨液を供給しながら、太陽歯車２や内歯歯車３の回転に応じて、キャリア４が公転及び自転しながら、被研磨加工物１の上下両面が精密研磨加工される。
本実施例は、実施の形態にかかる電子デバイス用ガラス基板の製造方法の具体例である。
合成石英ガラス基板（１５２ｍｍ×１５２ｍｍ）の端面を面取加工、及び研削加工、更に酸化セリウム砥粒を含む研磨液で粗研磨処理を終えたガラス基板を準備した。
精密研磨で使用する両面研磨装置の上下定盤に新品の研磨パッドを貼着し、電子デバイス用ガラス基板と同じ材料で同じ大きさのダミー基板（平均表面粗さＲａが０．５ｎｍ程度）をキャリアにセットし、以下の条件で研磨パッドに含まれる界面活性剤の除去を行った。研磨パッドは、従来のウレタン樹脂組成物を用いた湿式凝固法によって製造されたものを使用する。
溶媒：水（掛け捨て）
研磨パッド：超軟質ポリシャ（スウェードタイプ）
加工圧力：１００ｇ／ｃｍ２
尚、研磨パッドに含まれる界面活性剤の除去は、目視にて泡が見えなくなるまでダミー基板の加工を行った。
キャリアからダミー基板を取り外し、ジェットスプレーにて研磨パッドの表層に付着した異物を除去した。
合成石英ガラス基板（１５２ｍｍ×１５２ｍｍ）の端面を面取加工、及び研削加工、更に酸化セリウム砥粒を含む研磨液で粗研磨処理を終えたガラス基板を準備した。
精密研磨で使用する両面研磨装置の上下定盤に新品の研磨パッドを貼着し、電子デバイス用ガラス基板と同じ材料で同じ大きさのダミー基板（平均表面粗さＲａが０．５ｎｍ程度）をキャリアにセットし、以下の条件で研磨パッドに含まれる界面活性剤の除去を行った。研磨パッドは、従来のウレタン樹脂組成物を用いた湿式凝固法によって製造されたものを使用する。
溶媒：水（掛け捨て）
研磨パッド：超軟質ポリシャ（スウェードタイプ）
加工圧力：１００ｇ／ｃｍ２
尚、研磨パッドに含まれる界面活性剤の除去は、目視にて泡が見えなくなるまでダミー基板の加工を行った。
キャリアからダミー基板を取り外し、ジェットスプレーにて研磨パッドの表層に付着した異物を除去した。
次に、予め準備しておいた合成石英ガラス基板（１５２ｍｍ×１５２ｍｍ）の端面を面取加工、及び研削加工、更に酸化セリウム砥粒を含む研磨液で粗研磨処理を終えたガラス基板を上述の両面研磨装置のキャリアにセットし、以下の研磨条件で精密研磨を行った。
研磨液：コロイダルシリカ砥粒（平均粒径１００ｎｍ）を含むアルカリ水溶液
加工圧力：５０〜１００ｇ／ｃｍ２
加工時間：３０〜９０ｍｉｎ
精密研磨終了後、ガラス基板に付着した研磨砥粒を除去するため、ガラス基板を、希フッ酸水溶液を含む洗浄液が入った洗浄槽に浸漬（超音波印加）し、洗浄を行った。
上述の精密研磨を複数バッチ行い、精密研磨を施したガラス基板（位相シフトマスクブランクス用ガラス基板）を１０００枚作製した。
研磨液：コロイダルシリカ砥粒（平均粒径１００ｎｍ）を含むアルカリ水溶液
加工圧力：５０〜１００ｇ／ｃｍ２
加工時間：３０〜９０ｍｉｎ
精密研磨終了後、ガラス基板に付着した研磨砥粒を除去するため、ガラス基板を、希フッ酸水溶液を含む洗浄液が入った洗浄槽に浸漬（超音波印加）し、洗浄を行った。
上述の精密研磨を複数バッチ行い、精密研磨を施したガラス基板（位相シフトマスクブランクス用ガラス基板）を１０００枚作製した。
この得られたガラス基板の主表面の表面粗さは、全て二乗平均平方根粗さ（ＲＭＳ）で０．１５ｎｍ以下と良好であった。
また、この得られたガラス基板の主表面をレーザー干渉コンフォーカル光学系による欠陥検査装置を用いて高さ数ｎｍ程度（約２ｎｍ〜７ｎｍ）の微小な凸状の表面欠陥を調べたところ、１０００枚中４枚のガラス基板で確認された。つまり、微小な凸状の表面欠陥の発生率は０．４％であった。
また、この得られたガラス基板の主表面をレーザー干渉コンフォーカル光学系による欠陥検査装置を用いて高さ数ｎｍ程度（約２ｎｍ〜７ｎｍ）の微小な凸状の表面欠陥を調べたところ、１０００枚中４枚のガラス基板で確認された。つまり、微小な凸状の表面欠陥の発生率は０．４％であった。
上述の実施例１において、精密研磨で使用する研磨液を、中性（ｐＨ：７〜７．６）のコロイダルシリカ（平均粒径３０〜２００ｎｍ）を含む水溶液にした以外は、実施例１と同様にしてガラス基板（位相シフトマスクブランクス用ガラス基板）１０００枚を作製した。
この得られたガラス基板の主表面の表面粗さは、全て二乗平均平方根粗さ（ＲＭＳ）で０．１５ｎｍ以下と良好であった。
また、この得られたガラス基板の主表面をレーザー干渉コンフォーカル光学系による欠陥検査装置を用いて高さ数ｎｍ程度（約２ｎｍ〜７ｎｍ）の微小な凸状の表面欠陥を調べたところ、１０００枚中１枚のガラス基板で確認された。つまり、微小な凸状の表面欠陥の発生率は０．１％であった。
この得られたガラス基板の主表面の表面粗さは、全て二乗平均平方根粗さ（ＲＭＳ）で０．１５ｎｍ以下と良好であった。
また、この得られたガラス基板の主表面をレーザー干渉コンフォーカル光学系による欠陥検査装置を用いて高さ数ｎｍ程度（約２ｎｍ〜７ｎｍ）の微小な凸状の表面欠陥を調べたところ、１０００枚中１枚のガラス基板で確認された。つまり、微小な凸状の表面欠陥の発生率は０．１％であった。
上述の実施例１において、精密研磨で使用する研磨液を、コロイダルシリカ砥粒の種類と、アルカリのｐＨを調整して粘度を８ｃｐにして、精密研磨前のダミー基板による研磨パッド中に含まれる界面活性剤の除去は行わなかったこと以外は、実施例１と同様にしてガラス基板（位相シフトマスクブランクス用ガラス基板）１０００枚を作製した。
この得られたガラス基板の主表面の表面粗さは、全て二乗平均平方根粗さ（ＲＭＳ）で０．１５ｎｍ以下と良好であった。
また、この得られたガラス基板の主表面をレーザー干渉コンフォーカル光学系による欠陥検査装置を用いて高さ数ｎｍ程度（約２ｎｍ〜７ｎｍ）の微小な凸状の表面欠陥を調べたところ、１０００枚中３枚のガラス基板で確認された。つまり、微小な凸状の表面欠陥の発生率は０．３％であった。
この得られたガラス基板の主表面の表面粗さは、全て二乗平均平方根粗さ（ＲＭＳ）で０．１５ｎｍ以下と良好であった。
また、この得られたガラス基板の主表面をレーザー干渉コンフォーカル光学系による欠陥検査装置を用いて高さ数ｎｍ程度（約２ｎｍ〜７ｎｍ）の微小な凸状の表面欠陥を調べたところ、１０００枚中３枚のガラス基板で確認された。つまり、微小な凸状の表面欠陥の発生率は０．３％であった。
（比較例１）
上述の実施例１において、精密研磨前のダミー基板による研磨パッド中に含まれる界面活性剤の除去を行わなかった以外は、実施例１と同様にしてガラス基板（位相シフトマスクブランクス用ガラス基板）１０００枚を作製した。
この得られたガラス基板の主表面の表面粗さは、全て二乗平均平方根粗さ（ＲＭＳ）で０．１５ｎｍ以下と良好であったが、レーザー干渉コンフォーカル光学系による欠陥検査装置を用いて高さ数ｎｍ程度（約２ｎｍ〜７ｎｍ）の微小な凸状の表面欠陥を調べたところ、１０００枚中５７枚のガラス基板で確認された。つまり、微小な凸状の表面欠陥の発生率は５．７％と高かった。
上述の実施例１において、精密研磨前のダミー基板による研磨パッド中に含まれる界面活性剤の除去を行わなかった以外は、実施例１と同様にしてガラス基板（位相シフトマスクブランクス用ガラス基板）１０００枚を作製した。
この得られたガラス基板の主表面の表面粗さは、全て二乗平均平方根粗さ（ＲＭＳ）で０．１５ｎｍ以下と良好であったが、レーザー干渉コンフォーカル光学系による欠陥検査装置を用いて高さ数ｎｍ程度（約２ｎｍ〜７ｎｍ）の微小な凸状の表面欠陥を調べたところ、１０００枚中５７枚のガラス基板で確認された。つまり、微小な凸状の表面欠陥の発生率は５．７％と高かった。
上述の実施例１において、ガラス基板の材料をＳｉＯ２−ＴｉＯ２系低熱膨張ガラス基板（１５２ｍｍ×１５２ｍｍ）に変えた以外は、実施例１と同様にしてガラス基板（ＥＵＶ反射型マスクブランクス用ガラス基板）１０００枚を作製した。
この得られたガラス基板の主表面の表面粗さは、全て二乗平均平方根粗さ（ＲＭＳ）で０．１５ｎｍ以下と良好であった。
また、この得られたガラス基板の主表面をレーザー干渉コンフォーカル光学系による欠陥検査装置を用いて高さ数ｎｍ程度（約２ｎｍ〜７ｎｍ）の微小な凸状の表面欠陥を調べたところ、１０００枚中９枚のガラス基板で確認された。つまり、微小な凸状の表面欠陥の発生率は０．９％であった。
この得られたガラス基板の主表面の表面粗さは、全て二乗平均平方根粗さ（ＲＭＳ）で０．１５ｎｍ以下と良好であった。
また、この得られたガラス基板の主表面をレーザー干渉コンフォーカル光学系による欠陥検査装置を用いて高さ数ｎｍ程度（約２ｎｍ〜７ｎｍ）の微小な凸状の表面欠陥を調べたところ、１０００枚中９枚のガラス基板で確認された。つまり、微小な凸状の表面欠陥の発生率は０．９％であった。
（比較例２）
上述の実施例４において、精密研磨前のダミー基板による研磨パッド中に含まれる界面活性剤の除去を行わなかった以外は、実施例１と同様にしてガラス基板（ＥＵＶ反射型マスクブランクス用ガラス基板）１０００枚を作製した。
この得られたガラス基板の主表面の表面粗さは、全て二乗平均平方根粗さ（ＲＭＳ）で０．１５ｎｍ以下と良好であったが、レーザー干渉コンフォーカル光学系による欠陥検査装置を用いて高さ数ｎｍ程度（約２ｎｍ〜７ｎｍ）の微小な凸状の表面欠陥を調べたところ、１０００枚中１１２枚のガラス基板で確認された。つまり、微小な凸状の表面欠陥の発生率は１１．２％と非常に高かった。
尚、上述の実施例１〜４及び比較例１、２で確認された微小な凸状の表面欠陥をＥＰＭＡ（Electron Probe(X-ray)Micro Analyzer）で成分分析を行ったところ、主成分がＳｉ、Ｏを含むものであることが確認された。
上述の実施例４において、精密研磨前のダミー基板による研磨パッド中に含まれる界面活性剤の除去を行わなかった以外は、実施例１と同様にしてガラス基板（ＥＵＶ反射型マスクブランクス用ガラス基板）１０００枚を作製した。
この得られたガラス基板の主表面の表面粗さは、全て二乗平均平方根粗さ（ＲＭＳ）で０．１５ｎｍ以下と良好であったが、レーザー干渉コンフォーカル光学系による欠陥検査装置を用いて高さ数ｎｍ程度（約２ｎｍ〜７ｎｍ）の微小な凸状の表面欠陥を調べたところ、１０００枚中１１２枚のガラス基板で確認された。つまり、微小な凸状の表面欠陥の発生率は１１．２％と非常に高かった。
尚、上述の実施例１〜４及び比較例１、２で確認された微小な凸状の表面欠陥をＥＰＭＡ（Electron Probe(X-ray)Micro Analyzer）で成分分析を行ったところ、主成分がＳｉ、Ｏを含むものであることが確認された。
上述の実施例１〜３にかかる電子デバイス用ガラス基板の製造方法によって製造した微小な凸状の表面欠陥のない位相シフトマスクブランクス用ガラス基板の一主表面上に、モリブデンシリサイド窒化膜からなるハーフトーン膜をスパッタリング法により形成した後、レジスト膜を形成して位相シフトマスクブランクスを作製した。
さらに、レジスト膜を所定の描画、現像によりパターニングしてレジストパターンとした後、このレジストパターンをマスクとしてモリブデンシリサイド窒化膜をドライエッチングによりエッチング除去、レジストパターンを除去して位相シフトマスクを作製した。
（比較例３）
上述の比較例１の製造方法によって製造した微小な凸状の表面欠陥のある位相シフトマスクブランクス用ガラス基板の一主表面上に実施例５と同様にして成膜を行い、位相シフトマスクブランクスを作製し、さらにこのマスクブランクスから位相シフトマスクを作製した。
さらに、レジスト膜を所定の描画、現像によりパターニングしてレジストパターンとした後、このレジストパターンをマスクとしてモリブデンシリサイド窒化膜をドライエッチングによりエッチング除去、レジストパターンを除去して位相シフトマスクを作製した。
（比較例３）
上述の比較例１の製造方法によって製造した微小な凸状の表面欠陥のある位相シフトマスクブランクス用ガラス基板の一主表面上に実施例５と同様にして成膜を行い、位相シフトマスクブランクスを作製し、さらにこのマスクブランクスから位相シフトマスクを作製した。
また、上述の実施例４にかかる電子デバイス用ガラス基板の製造方法によって製造した微小な凸状の表面欠陥のないＥＵＶ反射型マスクブランクス用ガラス基板の一主表面上に、Ｍｏ膜とＳｉ膜の交互積層膜を４０周期にわたり形成して多層反射膜を形成し、さらに、多層反射膜上にＴａＢＮ膜からなる吸収体膜を形成し、レジスト膜を形成してＥＵＶ反射型マスクブランクスを作製した。
さらに、レジスト膜を所定の描画、現像によりパターニングしてレジストパターンとした後、このレジストパターンをマスクにしてＴａＢＮ膜をドライエッチングによりエッチング除去、レジストパターンを除去してＥＵＶ反射型マスクを作製した。
（比較例４）
上述の比較例２の製造方法によって製造した微小な凸状の表面欠陥のあるＥＵＶ反射型マスクブランクス用ガラス基板の一主表面上に実施例６と同様にして成膜を行い、ＥＵＶ反射型マスクブランクスを作製し、さらにこのマスクブランクスからＥＵＶ反射型マスクを作製した。
さらに、レジスト膜を所定の描画、現像によりパターニングしてレジストパターンとした後、このレジストパターンをマスクにしてＴａＢＮ膜をドライエッチングによりエッチング除去、レジストパターンを除去してＥＵＶ反射型マスクを作製した。
（比較例４）
上述の比較例２の製造方法によって製造した微小な凸状の表面欠陥のあるＥＵＶ反射型マスクブランクス用ガラス基板の一主表面上に実施例６と同様にして成膜を行い、ＥＵＶ反射型マスクブランクスを作製し、さらにこのマスクブランクスからＥＵＶ反射型マスクを作製した。
（評価結果）
こうして作製した位相シフトマスクブランクス、位相シフトマスク、ＥＵＶ反射型マスクブランクス、ＥＵＶ反射型マスクの欠陥検査を行ったところ、実施例１〜４にかかる電子デバイス用ガラス基板を用いて製造した位相シフトマスクブランクス、及び位相シフトマスク、並びにＥＵＶ反射型マスクブランクス、及びＥＵＶ反射型マスクには凸状の表面欠陥が認められなかった。これに対し、微小な凸状の表面欠陥が確認された比較例１、２にかかる電子デバイス用ガラス基板を用いて製造した位相シフトマスクブランクス、及び位相シフトマスク、並びにＥＵＶ反射型マスクブランクス、及び反射型マスクには、ガラス基板表面、ハーフトーン膜パターンの境界、多層反射膜表面、吸収体膜パターンの境界に凸状の表面欠陥が確認された。これらの表面欠陥は、マスクを用いてパターン転写を行った際の転写像のパターン精度等にも影響を及ぼす。
こうして作製した位相シフトマスクブランクス、位相シフトマスク、ＥＵＶ反射型マスクブランクス、ＥＵＶ反射型マスクの欠陥検査を行ったところ、実施例１〜４にかかる電子デバイス用ガラス基板を用いて製造した位相シフトマスクブランクス、及び位相シフトマスク、並びにＥＵＶ反射型マスクブランクス、及びＥＵＶ反射型マスクには凸状の表面欠陥が認められなかった。これに対し、微小な凸状の表面欠陥が確認された比較例１、２にかかる電子デバイス用ガラス基板を用いて製造した位相シフトマスクブランクス、及び位相シフトマスク、並びにＥＵＶ反射型マスクブランクス、及び反射型マスクには、ガラス基板表面、ハーフトーン膜パターンの境界、多層反射膜表面、吸収体膜パターンの境界に凸状の表面欠陥が確認された。これらの表面欠陥は、マスクを用いてパターン転写を行った際の転写像のパターン精度等にも影響を及ぼす。
１ 被研磨加工物
２ 太陽歯車
３ 内歯歯車
４ キャリア
５ 上定盤
６ 下定盤
７ 研磨パッド
２ 太陽歯車
３ 内歯歯車
４ キャリア
５ 上定盤
６ 下定盤
７ 研磨パッド
Claims (9)
- 研磨パッドを電子デバイス用ガラス基板に押付け、前記研磨パッドと前記ガラス基板との間に研磨砥粒を含む研磨液を供給しながら前記研磨パッドと前記ガラス基板とを相対的に移動させて、前記基板表面を精密研磨する工程を有する電子デバイス用ガラス基板の製造方法であって、
前記精密研磨を行う前に、ダミー基板を用いて前記研磨パッドと前記ダミー基板との間に水又は有機溶媒の溶液を供給しながら前記ダミー基板を研磨加工する工程を有し、
前記ダミー基板を研磨加工する工程において、前記研磨パッドは、前記研磨液と前記研磨パッドに含まれる界面活性剤との反応により前記精密研磨工程における前記研磨砥粒がガラス基板に付着して微小な凸状の表面欠陥が発生しないように、界面活性剤が除去されることを特徴とする電子デバイス用ガラス基板の製造方法。 - 前記ダミー基板は、ガラスであることを特徴とする請求項１記載の電子デバイス用ガラス基板の製造方法。
- 前記ダミー基板の表面粗さが、平均表面粗さＲａで０．１〜１ｎｍであることを特徴とする請求項１又は２記載の電子デバイス用ガラス基板の製造方法。
- 前記研磨液の粘度が１０ｃｐ以下であることを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載の電子デバイス用ガラス基板の製造方法。
- 前記研磨砥粒は、コロイダルシリカを含むことを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載の電子デバイス用ガラス基板の製造方法。
- 前記基板は、マスクブランクス用ガラス基板であることを特徴とする請求項１乃至５の何れかに記載の電子デバイス用ガラス基板の製造方法。
- 前記表面欠陥は、位相差変化を引き起こす位相欠陥であり、位相欠陥が生じなくなるまで前記ダミー基板を研磨加工することを特徴とする請求項１乃至６の何れかに記載の電子デバイス用ガラス基板の製造方法。
- 請求項６又は７に記載の電子デバイス用ガラス基板の製造方法により製造した電子デバイス用ガラス基板の主表面上に、露光光に対し光学的変化をもたらす薄膜を形成することを特徴とするマスクブランクスの製造方法。
- 請求項８に記載のマスクブランクスの製造方法によって得られたマスクブランクスにおける前記薄膜をパターニングして電子デバイス用ガラス基板の主表面上に薄膜パターンを形成することを特徴とする転写マスクの製造方法。
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| JP2003158107A (ja) * | 2001-11-22 | 2003-05-30 | Nec Electronics Corp | 半導体ウェーハの研磨方法 |
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2007
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