JP2008112134A - 電極パターンの形成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板上に導電膜を備えてなる積層板の導電膜上に、(a)フェノール樹脂のフェノール性水酸基に多塩基酸無水物を反応させて得られる化合物と、(b)キノンジアジド化合物とを含有する感光性樹脂組成物を含む感光層を形成する工程と、感光層の所定部分を露光する工程と、感光層を現像液で現像してレジストパターンを形成すると共に、導電膜の一部を露出する工程と、露出した導電膜をエッチングして電極パターンを形成する工程とを備える、電極パターンの形成方法を提供する。
【選択図】なし
Description
上記(a)成分は、フェノール樹脂のフェノール性水酸基に多塩基酸無水物を反応させて得られる化合物であるが、分子内に上記一般式(A)で表される2価の基を少なくとも1つ有することが好ましい。
上記(b)成分は、キノンジアジド化合物であるが、水酸基及び/又はアミノ基を有する有機化合物と、スルホ基及び/又はスルホニルクロリド基を有するキノンジアジド化合物とを反応させて得られる化合物であることが好ましい。
[式(1)〜(3)中、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11及びR12は、それぞれ独立に水素原子、置換若しくは無置換の炭素数1〜5のアルキル基、又は置換若しくは無置換の炭素数1〜5のアルコキシ基を示し、Xは単結合、酸素原子、又はフェニレン基を示す。]
上記感光性樹脂組成物の中には、上記(a)成分と共に、カルボキシル基を有しないフェノール樹脂を含有させてもよい。この場合、耐アルカリ性に優れるという利点がある。カルボキシル基を有しないフェノール樹脂としては公知のものが使用でき、ノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ビスフェノール樹脂;ジビニルベンゼン、ジシクロペンタジエン等のジオレフィン化合物とフェノール化合物との付加反応により得られるポリフェノール化合物;アラルキルハライド、アラルキルアルコール又はこれらの誘導体とフェノール化合物との反応により得られるポリフェノール化合物;トリアジンフェノールノボラック樹脂等が挙げられる。これらは1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。
図2は、感光性エレメントの好適な一実施形態を示す模式断面図である。図2に示した感光性エレメント1は、支持体10上に感光層14が積層された構造を有する。感光層14は、感光性樹脂組成物を含む層である。
レジストパターンの形成方法は、基材上に、感光性エレメント1を、感光層14が密着するようにして積層し、活性光線を画像状に照射して露光部分を現像により除去するものである。活性光線が照射されていない部分は、キノンジアジド化合物がフェノール樹脂と相互作用を起こして溶解禁止剤として働いているためアルカリに溶けないが、活性光線が照射された部分では、キノンジアジド化合物が光分解して、溶解禁止効果を失っているため、露光部分がアルカリ可溶となる。上記の感光性樹脂組成物は、上述したようにカルボキシル基を有しているので、弱アルカリや希薄なアルカリ水溶液で速やかに現像できる。
m−クレゾール(フェノール化合物)とp−クレゾール(フェノール化合物)とを質量比40:60の割合で混合し、この混合液216質量部にホルマリン(アルデヒド)54質量部を加え、シュウ酸(触媒)2.2質量部をさらに加えて常法により縮合反応を行い、重量平均分子量10000のノボラック型フェノール樹脂を得た。その後、このノボラック型フェノール樹脂85質量部と、無水コハク酸(多塩基酸無水物)12質量部と、トリエチルアミン(触媒)0.9質量部とを混合し、100℃で反応させ(酸価80mgKOH/g)、ノボラック型フェノール樹脂Aを得た。
m−クレゾール(フェノール化合物)とp−クレゾール(フェノール化合物)とを質量比50:50の割合で混合し、この混合液216質量部にホルマリン(アルデヒド)54質量部を加え、シュウ酸(触媒)2.2質量部を更に加えて常法により縮合反応を行い、重量平均分子量10000のノボラック型フェノール樹脂を得た。その後、このノボラック型フェノール樹脂85質量部と、テトラヒドロ無水フタル酸(多塩基酸無水物)23質量部と、トリエチルアミン(触媒)0.9質量部とを混合し、100℃で反応させ(酸価100mgKOH/g)、ノボラック型フェノール樹脂Bを得た。
m−クレゾール(フェノール化合物)とp−クレゾール(フェノール化合物)とを質量比40:60の割合で混合し、この混合液216質量部にホルマリン(アルデヒド)54質量部を加え、シュウ酸(触媒)2.2質量部を更に加えて常法により縮合反応を行い、重量平均分子量10000のノボラック型フェノール樹脂を得た。その後、このノボラック型フェノール樹脂85質量部と、ヘキサヒドロ無水フタル酸(多塩基酸無水物)28質量部と、トリエチルアミン(触媒)0.9質量部とを混合し、100℃で反応させ(酸価120mgKOH/g)、ノボラック型フェノール樹脂Cを得た。
m−クレゾール(フェノール化合物)とp−クレゾール(フェノール化合物)とを質量比50:50の割合で混合し、この混合液216質量部にホルマリン(アルデヒド)54質量部を加え、シュウ酸(触媒)2.2質量部をさらに加えて常法により縮合反応を行い、重量平均分子量10000のノボラック型フェノール樹脂を得た。以下、この樹脂をノボラック型フェノール樹脂Dと呼ぶ。
酸変性フェノールノボラック型エポキシアクリレートオリゴマー(PCR−1150)を日本化薬株式会社から購入した。以下、この樹脂をノボラック型エポキシ樹脂Eと呼ぶ。
ノボラック型フェノール樹脂A85質量部(不揮発分)と、上記化学式(5)で表される化合物1モルに対して1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−5−スルホニルクロリド3モルを反応させた1,2−キノンジアジド化合物15質量部とを、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート200質量部に溶解して調製した感光性樹脂組成物の溶液を用い、以下の手順に従って感光性エレメントを作製した。
実施例1で使用したノボラック型フェノール樹脂Aをノボラック型フェノール樹脂Bに代え、実施例1と同じ操作でエッチングを行い、レジスト剥離後にZnO膜のパターンを観察した。
実施例1で使用したノボラック型フェノール樹脂Aをノボラック型フェノール樹脂Cに代え、実施例1と同じ操作でエッチングを行い、レジスト剥離後にZnO膜のパターンを観察した。
実施例1で使用したZnO成膜ガラス板を、AZO膜(ZnOにAlをドープした膜)をスパッタリングで形成したガラス板に代えた以外は実施例1と同じ操作でエッチングを行い、レジスト剥離後にAZO膜のパターンを観察した。
実施例1で使用したZnO成膜ガラス板を、GZO膜(ZnOにGaをドープした膜)をイオンプレーティングして形成したガラス板に代えた以外は実施例1と同じ操作でエッチングを行い、レジスト剥離後にGZO膜のパターンを観察した。
実施例1で使用したノボラック型フェノール樹脂Aをノボラック型フェノール樹脂Dに代え、現像液を1質量%の炭酸ナトリウム水溶液から2.38質量%テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液に代えた以外は実施例1と同じ操作でレジストパターンを形成させた。
(比較例2)
実施例1で使用したノボラック型フェノール樹脂Aをノボラック型エポキシ樹脂Eに代え、実施例1と同じ操作でエッチングを行い、レジスト剥離後にZnO膜のパターンを観察した。
Claims (7)
- 基板上に導電膜を備えてなる積層板の前記導電膜上に、
(a)フェノール樹脂のフェノール性水酸基に多塩基酸無水物を反応させて得られる化合物と、(b)キノンジアジド化合物と、を含有する感光性樹脂組成物を含む感光層を形成する工程と、
前記感光層の所定部分を露光する工程と、
前記感光層を現像液で現像してレジストパターンを形成すると共に、前記導電膜の一部を露出する工程と、
露出した前記導電膜をエッチングして電極パターンを形成する工程と、
を備える、電極パターンの形成方法。 - 前記導電膜は、ZnO又はZnOに添加物として金属を含有させたものである、請求項1記載の電極パターンの形成方法。
- 前記金属は、Al又はGaである、請求項2記載の電極パターンの形成方法。
- 前記導電膜の膜厚は、0.05〜0.5μmである、請求項1〜3のいずれか一項記載の電極パターンの形成方法。
- 前記(b)成分は、水酸基及び/又はアミノ基を有する有機化合物と、スルホ基及び/又はスルホニルクロリド基を有する1,2−キノンジアジド化合物とを反応させて得られる化合物である、請求項1〜5のいずれか一項記載の電極パターンの形成方法。
- 前記(a)成分と前記(b)成分とを含有し、請求項1〜6のいずれか一項記載の電極パターンの形成方法に用いる、感光性樹脂組成物。
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