JP2008102144A - 高精度位置測定のための改良された直線型可変差動トランス - Google Patents

Abstract

【課題】雑音を減少させ、感度を増大し、そして直線型可変差動トランス（ＬＶＤＴ）の時間応答を改良する変換器を提供する。
【解決手段】本装置は、従来型ＬＶＤＴの一次コイルおよび高透磁率強磁性コアを、非強磁性可動コア１４の周囲に巻いた一次巻線１５で置き換える。バルクハウゼン雑音を軽減または除去することに加えて、このアプローチは、コアの過度の渦電流加熱、高透磁率材料と関連する非線形性、および磁束回路の長さスケールを含む、従来型ＬＶＤＴの他の好ましくない効果を軽減または除去した。これらの改良は、改良型ＬＶＤＴの信号調整回路に連結される。本装置はアクチュエータでもあり、それを用いて差動電圧を力に変換することができる。これらの改良点を伴う装置は、分子力測定、原子間力顕微鏡、および操作技術、リソグラフィ製造、ナノメータースケールの表面形状測定、およびナノテクノロジーの他の局面を含め、多くの用途を有する。
【選択図】図２

Description

本発明は、雑音を減少させ、感度を増大し、そして直線型可変差動トランス（ＬＶＤＴ）の時間応答を改良する変換器に関する。また、サブナノメーターレベルほどの極めて小さな機械的変位を差動電圧へ変換し、その逆にも変換する装置に関する。本装置は、従来型ＬＶＤＴの一次コイルおよび高透磁率強磁性コアを、非強磁性可動コアの周囲に巻いた一次巻線で置き換える。バルクハウゼン雑音を軽減または除去することに加えて、このアプローチは、コアの過度の渦電流加熱、高透磁率材料と関連する非線形性、および磁束回路の長さスケールを含む、従来型ＬＶＤＴの他の好ましくない効果を軽減または除去した。これらの改良は、改良型ＬＶＤＴの信号調整回路に連結される。本装置はアクチュエータでもあり、それを用いて差動電圧を力に変換することができる。これらの改良点を伴う装置は、分子力測定、原子間力顕微鏡、および操作技術、リソグラフィ製造、ナノメータースケールの表面形状測定、およびナノテクノロジーの他の局面を含め、多くの用途を有する。

関連文献としては、下記のものがある。

前世紀初頭以来、機械的変位を差動電圧へ変換するとともに、その逆にも変換するために利用されている位置センサーの一つは、直線型可変差動トランス（ＬＶＤＴ）である。図１に示す市販の従来型ＬＶＤＴ（ペンシルバニア州ノースヒルズ所在のＳｅｎｔｅｃｈ Ｉｎｃ．の部品番号５０−００−００５ＸＡ）では、可動の強磁性コア１が、一次コイル２から２個の二次コイル３および４への磁束を差動結合する。電流は発振器５により一次コイルを通じて流れる。コアの位置が二次コイルに対して変化すると、２個の二次コイルと結合する磁束が変化する。これらの電圧は差動増幅器６により増幅され、信号調整電子回路７によって、コア変位に比例する電圧へ変換される。小さな変位に対して信号は線形である。可動コアは、シャフト８を介して対象物へ機械的に接続される。コイルは、磁気シールド９として動作させることの多いシェルに格納される。コア１は磁気的に軟磁性体であるので、多くの場合、外部磁界からシールドすることが望ましい。市販で入手できる最高のＬＶＤＴでも、１００Ｈｚ帯域幅、±５００ｎｍレンジで動作して、２．５ｎｍの空間分解能が限界である（ミネソタ州セントポール所在のＬｉｏｎ ＰｒｅｃｉｓｉｏｎのＬｉｏｎ Ｐｒｅｃｉｓｉｏｎ Ｍｏｄｅｌ ＡＢ−１）。

機械的変位を差動電圧に変換できる別の位置センサーは容量技術を用いる。市販のＬＶＤＴと同様な状況で動作する市販の容量型センサーは、ＬＶＤＴに採用するタイプと同じ信号調整電子回路に依存するものの、ほとんどワンオーダーの振幅分、ＬＶＤＴの性能を凌いでいる（例えば、Ｐｈｙｓｉｋ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｅの２００１年版カタログを参照）。従って、これらを使って作業するのが難しく、実質的にコストがかさんでも（製造要件がより過酷なので）、容量型センサーは、最高の測定分解能と帯域幅を必要とする用途では選択肢であることが多い。

その単純さと低コストゆえ、ＬＶＤＴの分解能限界の根本原因、そしてこれら限界を克服する方法を確定することに多大な関心が寄せられている。以下詳述するように、本発明者が結論づけたのは、従来のＬＶＤＴ分解能の分解能限界は、強磁性コア内のバルクハウゼン雑音であるということである。バルクハウゼン雑音は、強磁性材料の磁気状態における急激なジャンプに与えられた名称である（Ｂｏｚｏｒｔｈ）。強磁性材中で、欠陥は、領域の壁が優先的に固定される特殊部位になり得る。そして、この領域の壁は、熱エネルギーまたは外部磁界によって解放される。この開放が発生すると、領域の壁は別の準安定固定部位へジャンプし、材料の磁気状態全体にわたる急激な変化を引き起こす。一般に、ＬＶＤＴコアを強磁性材料で成形した場合、バルクハウゼン雑音による磁束変化は、２個の二次コイルの差動測定で打ち消されることはない。この打ち消されない雑音は直ちに、コア位置信号における雑音となる。その上、コアの磁気状態の急激な変化はセンサーの感度を変えて、同様に位置雑音を発生する。

従来型ＬＶＤＴのバルクハウゼン雑音（および電気雑音）を低減する多くの方式があり、一次コイル駆動電流を増大させたり、コアにアモルファス磁性材料を使用することが含まれる（Ｍｅｙｄｅｎ，Ｔ．他；Ｈｒｉｓｔｏｆｏｒｏｕ，Ｅ．他；およびＭｉｄｇｌｅｙ，Ｇ．Ｗ．他）。駆動電流を増大させると、従来の電子回路では信号対雑音比を高めるが、バルクハウゼン雑音を扱う場合は有効ではない。なぜなら、固定領域の壁をより容易に順次に除去できる更に大きな振動磁界が生じ、これが位置雑音の増大を招くからである。アモルファス磁性材料を用いてバルクハウゼン雑音を小レベルまで低減させることが示されているが、最終的に効果はない。というのは、バルクハウゼン雑音は強磁性材料の基本的特性だからである。

バルクハウゼン雑音問題の理解がなくとも、従来型ＬＶＤＴ設計によっては、従来型ＬＶＤＴの強磁性コアを空気コアで置き換えることにより、その影響を排除しているものもある。こうしたセンサーには、ＥｌｌｉｓおよびＷａｌｓｔｒｏｍが説明している、非常に高い磁界中での使用のために設計されたセンサー（米国特許第４，０３０，０８５号）、Ｋｉｍｕｒａが説明しているピンボールマシン（米国特許第４，６３４，１２６号）、およびＮｅｆｆ（米国特許第２，３６４，２３７号および第２，４５２，８６２号）ならびにＳｎｏｗ（米国特許第２，５０３，８５１号）が説明している各種機械的測定用途が含まれる。Ｓｎｏｗが記載する測定装置は、１個ではなく２個の一次コイルが励振される励振方式を用いている。一方のコイルは他方から１８０°で駆動され、その結果、２個の一次コイルからは、互いに打ち消しあう性向を持つ振動磁界が生じる。中心にある単一の空気コアが検知器として用いられる。これは、本発明者他の励振方式とは異なる。基本的に、一次および二次コイルの役割が逆になっている。可逆定理（例えば、Ｂｅｒｔｒａｍ，Ｈ．Ｍ．磁気記録の理論、Ｃａｍｂｒｉｄｇｅ Ｐｒｅｓｓ，１９９４年、を参照）から２つの状況の電磁気作用が同一であると考えられよう。しかし、信号調整に関連する雑音性能には幾つかの必然的な違いもある。一般に、従来技術における空気コアＬＶＤＴに基づくセンサーの応答は、本明細書に記載の改良型センサーより著しく感度が低く、本発明者が達成した、サブナノメータの高速位置決め性能には適さないであろう。更に、上記従来技術で説明したセンサーは、本発明者が自身の励起および信号調整電子回路に取り入れたいずれの改良も使っていない。これらの空気コアＬＶＤＴで主張されている最高性能は、現在の市販ＬＶＤＴに匹敵する。

最後に、従来型ＬＶＤＴは外部磁界の存在下では厳しい制約も受ける。外部磁界が増大するとコアが飽和して、ＬＶＤＴが効果を失う。この制約は従来型ではない設計により取り組まれて、ＬＶＤＴは全体にわたって非強磁性材料で製作され、一次および二次コイルの共振点近くで動作する（米国特許第４，０３０，０８５号）。しかし、この設計は、長さスケールが大きい従来型ＬＶＤＴの他の制約を共有していて、この点およびその他の理由により、その感度は従来設計より低い。

現在および将来のナノテクノロジーは、小さな対象物とツールを高速かつ精確に位置決めする能力に頼っている。多くの製造技術における現在の長さスケールは１００ｎｍの範囲内にあって、縮小しつつある。例えば、市販のハードディスクドライブの記録ヘッドは１００ｎｍ未満の書き込みギャップをごく普通に有し、数１０ナノメータに管理されたポールチップ凹部を有する。現世代の半導体集積回路は１８０ｎｍ幅の配線を用いており、これは２年以内に１３０ｎｍ、５年以内に１００ｎｍになると予想されている（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｒｏａｄｍａｐ，１９９９年版）。ディスクドライブやＩＣ製造に用いられるリソグラフィ処理を制御し検証するために使用されている現在のセンサーは、かねてから、重要な寸法測定に対してかろうじて満足できる分解能を提供しているにすぎない。

最近の実験作業は、これらの比較的長いサブミクロンスケールを超えている。その例として、分子クラスタ（Ｐｉｎｅｒ他）および個々の原子までも（例えばＣｒｏｍｍｉｅ他を参照）が、制御下で操作される。ナノテクノロジーの一つの目標は、分子機械を製作することである（Ｄｒｅｘｌｅｒ，Ｋ．Ｅ．）。かかる装置を構築する場合は、個々の原子や分子を精確に位置決めする必要に迫られよう。これは、サブÅ精度の三次元位置決め情報を必要とするとともに、生物組織における簡単な分子機械でさえ数千の原子を含むことから、高速応答を必要とするであろう。

本発明の一つの目的は、他の高分解能位置センサーの精密機械加工、または従来型ＬＶＤＴコアに用いる磁気材料の注意深い選択、機械加工、または処理を必要としない、単純で低コストの高分解能センサーを提供することである。

第２の目的は、バルクハウゼン雑音を蒙らない高ゲインＬＶＤＴを提供することである。

別の目的は、温度変化の影響を受けず、また、それ自身が高透磁率コアの渦電流加熱による温度変動を起こさない高分解能センサーを提供することである。

別の目的は、表面形状測定装置（profilometer）、および、原子間力顕微鏡ならびに分子力プローブなどの走査プローブ顕微鏡を含め、かかる分解能を必要とする、または利益を受ける測定装置への組み込みに好適な、極めて高い分解能のセンサーを提供することである。

これらの目的および他の目的は、（ｉ）高透磁率コアを、バルクハウゼン雑音を減少させるか、または除去する低透磁率コアで置き換え、（ｉｉ）ＬＶＤＴセンサーの長さスケールを縮小して空間感度を増幅し、そして（ｉｉｉ）信号調整回路を改良することによって達成される。

図２は、本発明の改良型ＬＶＤＴ位置センサーを示す。このＬＶＤＴは非強磁性コイル巻枠１４を備え、その周囲には可動一次コイル１５が巻かれ、そして２個の固定二次コイル３および４が非強磁性コイル巻枠１０の周囲に巻かれている。一次コイル巻枠１４はシャフト８を介して対象物（不図示）へ機械的に結合されている。シャフト８は、数ミクロン以下のオーダーで対象物の変位を伝達できる。両コイル巻枠は、限定はされないが、強磁性含有物も常磁性材料も含まないプラスチック、セラミック、および複合材料を含め、任意の非強磁性材料で製作することができる。代替として、コイル巻枠は、非強磁性の接着剤および巻線で構成できよう。以下詳細に説明する励起電子回路１１は、一次コイルを駆動する電流を生成する。一次コイル１５の位置が二次コイル３および４に対して変化し、それにより、シャフト８に取り付けられた対象物の位置が変化すると、２個の二次コイルに結合された磁束が変化する。これらの電圧は差動増幅器６により増幅され、以下詳細に説明する信号調整電子回路１２により、コア変位に比例する電圧に変換される。このＬＶＤＴの編成では、センサーの能動部分から強磁性材料が排除されている。以下検討するように、本改良は、高透磁率磁性材料により与えられる感度ゲインを低下させるが、バルクハウゼン雑音を排除する。バルクハウゼン雑音を除去すると、励起電圧１１のレベルを上げることができ、対応する出力雑音の上昇を起こさない。従ってＬＶＤＴの感度が増大する。注目すべきは、センサーの能動部分から強磁性材料をなくすことにより副次的な利点が得られる。ＬＶＤＴを囲むシェル（不図示）の選定材料については、もはや何ら制約がない。コアには強磁性材料がないので、好ましい実施の形態のＬＶＤＴの感度および雑音は、シェル材料から発生するものを含めて、外部磁界に対し無感応である。

図３および図４は、本発明の改良型ＬＶＤＴ位置センサーの励起および信号調整電子回路を示す。両回路は、精確に定義された振幅および周波数で出力を与える矩形波発振器２３が基本である。励起電子回路は、ＬＶＤＴの一次コイル１５を純正弦波で駆動する。このために、基本波を超える矩形波の高調波をすべて効果的に除去する低域通過フィルタ２４を用いる。このフィルタは、温度変動に対して安定するように最適化される。次に、得られた高純度の低ひずみ正弦波は、ＬＶＤＴの一次コイル１５を駆動する電流バッファ２５により増幅される。回路のこの部分は、最終的には、周波数および振幅の安定度が極めて高い正弦波発振器であった。

図３は、本発明の改良型ＬＶＤＴ位置センサーの信号調整電子回路の一つのバージョンを示す。二次コイル３および４のそれぞれの一端は接地され、高精度で低雑音の差動増幅器６に接続される。この差動増幅器は、低インピーダンス入力ソース（例えば、コイル）に接続されたときに低雑音を生じるように設計される。差動増幅器６の出力は、低雑音アナログ乗算回路２７に入力される。フィルタ２４の出力は、低雑音で高精度の移相回路２８を通過して、乗算回路２７の他方の入力として送信される。最後に、乗算回路２７の出力は、別の、高精度で低雑音の安定した低域通過フィルタ２９によりフィルタリングされて、乗算器出力の、周波数が２倍の成分が除去される。このフィルタ出力は、可動一次コイル１５の位置に比例する同期信号を与える。乗算器２７への参照信号を移相させる代替として、一次の駆動電流バッファ２５へ入っていく信号を移相させることができる。重要な点は、一次駆動と乗算器の参照との相対位相が調整可能であるということである。

図４は、本発明の改良型ＬＶＤＴ位置センサーの信号調整電子回路の別バージョンを示す。この電子回路は、差動増幅器６の出力までは図３と同様である。図４の回路では、差動増幅器２６の出力が、バッファ増幅器３１および反転バッファ増幅器３２へ入る。バッファ増幅器３１の出力は、アナログスイッチ３３の常時閉の入力へ送られる一方、反転バッファ増幅器３２の出力はスイッチの常時開の入力へ送られる。この編成は、機能低下もなく逆にすることができるだろう。アナログスイッチ３３の動作は、矩形波発振器２３を起源としてアナログスイッチ３３へ入力される前に、低雑音で高精度の移相回路３０により移相される矩形波によって制御され、それにより、スイッチの２部分は、一方部分が閉じる時に他方部分が開くように設定される。スイッチ３３の２部分の開閉は、増幅器２６からの出力信号と９０°の位相ずれが起きることが好ましい。アナログスイッチ３３の出力は、安定した低雑音の低域通過フィルタ３４へ送られる。他のバージョンと同じように、このフィルタの出力は、可動一次コイル１５の位置に比例する同期信号を提供する。

いずれのＬＶＤＴも、その背後にある基本的なアイディアは、可動一次コイルと２個の二次コイルとの間の相互インダクタンスが位置の関数として変化する、ということである。図５の上側のコマには、コア位置の関数として、従来型ＬＶＤＴおよび上記ＬＶＤＴの各二次コイル出力での誘導電圧を示す。どちらの場合も、二次コイルは、誘導電圧の勾配が最も大きい部分で出力が打ち消されるように配置した。これにより、減算された電圧の感度は、コアまたは可動一次コイルの位置変化に対して可能な限り大きく確保できる。破線は、従来型ＬＶＤＴの二次コイルの応答を示す。実線は、本発明の改良型ＬＶＤＴの二次コイルの応答を示す。ＬＶＤＴの感度は、２個の二次コイルの出力を単純に減算することにより計算できる。これを、図５の下側のコマで両方の場合について示す。中心点周辺のコアの小さな行程に対する感度は、中心周辺に線を合わせることにより測定できる。従来型ＬＶＤＴの場合、そのままの感度（すなわち、ゼロ点近くの減算された曲線の勾配）は、３．１６Ｖ／ｍｍであり、改良型ＬＶＤＴでは、０．２６Ｖ／ｍｍであった。これは、強磁性コア使用の注目すべき利点である。コアの透磁率は、実質的にゲインを高めて、ＬＶＤＴ信号の感度を高める。

ＬＶＤＴ分解能の限界を識別することは有益である。少なくとも一社のメーカーは、自社の従来型ＬＶＤＴが「無限の分解能」を持っていること、そして完璧さからの隔たりは、信号調整または表示の足りなさに由来するものである、と主張している（ミネソタ州セントポール所在のＬｉｏｎ ＰｒｅｃｉｓｉｏｎのＬｉｏｎ Ｐｒｅｃｉｓｉｏｎ Ｍｏｄｅｌ ＡＢ−０１）。この主張は、少なくとも２つの理由から大げさと言える。第１に、線材を巻いたコイルは、ジョンソン雑音（Ｈｅｒｃｅｇ，Ｅｄｗａｒｄ
Ｅ．，ＬＶＤＴプライマ，センサー，ｐ２７〜３０ １９９７年６月 雑音 にさらされる。その結果、ジョンソン雑音は、従来型ＬＶＤＴおよび本明細書記載のＬＶＤＴの両方に存在する。ジョンソン雑音は、信号調整電子回路の出力部で、センサーの実際の動きと区別できない電気信号へ変換されることになる。第２に、従来型ＬＶＤＴにとって多分最も重要である理由は、強磁性材料の使用が、バルクハウゼン雑音として周知の現象を招くことである。もし、強磁性コアが完全であれば、透磁率が一定で、磁化は完全に線形で滑らかに変化することを意味するので、この現象は無視できるであろう。しかしながら、強磁性材料は決して完全ではない。バルクハウゼン雑音は、強磁性材料の磁気状態の急激なジャンプに与えられた名称である。強磁性材料の欠陥は、領域の壁を優先的に固定する特殊部位になり得る。次いで、この領域の壁は、熱エネルギーまたは外部磁界により解放される。この解放が起こると、領域の壁は別の準安定固定部位へジャンプし、材料の磁気状態全体にわたる急激な変化を引き起こすのである。

本発明者は、ＬＶＤＴセンサーの分解能に関する現在の限界が、信号調整あるいは表示誤差ではなく、むしろ強磁性コア内のバルクハウゼン雑音であるという結論に達した。バルクハウゼン雑音は小体積の磁性材料のスイッチングに由来することが多いので、２個の二次コイルのそれぞれにおける磁束変化は、差動測定では打ち消されないことになる。そして、これがコアの位置信号内の雑音となる。図６および図７は、従来型ＬＶＤＴの強磁性コア内のバルクハウゼンジャンプがどのように位置雑音を引き起こすかを示す。図６および図７は両方とも、図１のコア１を、多数の欠陥を有しかつ領域の壁を固定する能力を有する粒界を有する多結晶材料として書き換えたことを除いて、従来型ＬＶＤＴの図１と同一の構成要素を示す。そのうちの一方は、図６に符号１０ａで示され、他方は、図７に１０ｂで示される。図６で、小体積の材料１０ａにおけるバルクハウゼンジャンプは、右側二次コイル３より左側二次コイル４へ多くの磁束を結合させる。その結果、左側二次コイルに誘起した、符号１１ａで表わした電圧スパイクは、右側二次コイルに誘起し符号１２ａで表わしたスパイクより大きくなる。これら２つの電圧スパイクが差動増幅器６と信号調整電子回路７を通過する場合、それらは１３ａで表す位置雑音を引き起こす。除去が困難になるバルクハウゼン雑音の別の局面を図７に示す。図７では、２個の二次コイル３および４間のたまたま等距離に位置する粒子１０ｂにバルクハウゼンジャンプが発生している。２個の二次コイルから等距離でジャンプが発生したので、符号１１ｂおよび１２ｂで表す誘起電圧のスパイクは等しい。両スパイクが、差動増幅器６と信号調整電子回路７を通る場合、両方ともキャンセルされて、符号１３ｂで表す位置雑音とならない。

本発明者は、バルクハウゼン雑音が、ＬＶＤＴにおける高感度位置測定に限界を与える雑音源であるという仮説を試験した。このために、以下の位置雑音を測定した。すなわち、（ｉ）市販のＬＶＤＴであって、出荷状態の一次コイルおよび強磁性コアを用いたもの（図１）、（ｉｉ）市販のＬＶＤＴであって、本発明者が、弱い（〜１０エルステッド）外部磁界を強磁性コアへ印加することにより強磁性コアの磁気状態を変えたもの、および、（ｉｉｉ）市販のＬＶＤＴであって、強磁性コアを取り外して、非強磁性コイル巻枠に置き換え、その周囲に新たな可動一次コイルを巻き、結果として、機能的には本明細書に記載のＬＶＤＴと等価になったもの。

図８は、これらの異なるＬＶＤＴの雑音を特徴付けるために用いた機械装置を示す。何種類かの従来型ＬＶＤＴコア（図１）の何れであろうが、可動一次コイルを巻いた非強磁性コイル巻枠であろうが、この機械装置は、可動ＬＶＤＴコア１８へ取り付けた機械的可撓体１７を含む機械的フレーム１６から成る。ＬＶＤＴ二次コイル３および４を機械的フレーム１６に結合して、これを基準として動作させた。ピエゾスタック１９を、可撓アセンブリ上に押し付け、それを機械的基準に対して移動させる。図８で行うすべての測定において、ピエゾを−１５Ｖから＋１５０，０．１Ｈｚの三角波で駆動し、図３と同じ励起および信号調整電子回路を用いた。信号調整電子回路のゲインを調整して、測定毎に１．３μｍ／Ｖの公称の位置感度を与えた。この感度は、本発明者の１６ビットデータ収集システム上の最下位ビット（ＬＳＢ）が０．０２ｎｍに相当したことを意味する。

温度安定化したＨｅＮｅレーザー干渉計２０、および原子間力顕微鏡で共通に用いられる種類のＮＩＳＴトレース式較正回折格子（較正標準，ＮＴ−ＭＤＴ，モスクワ，ロシア）を用いて、異なるＬＶＤＴの感度および線形性を較正した。レーザー干渉計からのビーム２１は、可動コア１８を離れるように反射されるが、その目的のために可動コアには再帰反射器２２が取り付けられている。ＬＶＤＴの応答を干渉計の応答に合わせることにより、異なるＬＶＤＴを較正した。図９は、この合わせの結果、つまり、本発明の改良型ＬＶＤＴと機能的に等価な上記ＬＶＤＴ（ｉｉｉ）と、光学干渉計とで測定したピエゾヒステリシス曲線を示す。ＬＶＤＴデータ（実線）は、干渉計データ（円）と可能な限り一致するように、縮尺を変えてオフセットさせた。この合わせ処理は、目的通りに、１．３０μｍ／ＶのＬＶＤＴ感度を産出した。ＬＶＤＴの感度を一旦測定すると、位置雑音を測定することができる。例えば、時間関数としてピエゾスタックの小さな動きに対するＬＶＤＴの応答を測定できる。

それらの起源は強磁性材料の固定部位の顕微鏡的分布であるので、バルクハウゼンジャンプの細部は、コアが同一材料で構成される場合であっても、コア間で異なる（バルクハウゼン雑音に関するＵｒｂａｃｈの欠陥に関する論文）。更に、強磁性コアは、代表的な第１のＬＶＤＴ測定に対しては残留磁気状態に近いので、バルクハウゼン雑音は、個々のコアの磁気履歴の細部に依存することになる。図１０は、強磁性コアと非強磁性コアのＬＶＤＴ応答の残差の振幅スペクトルを周波数の関数として示す。これらのスペクトルは、静止中の当該ＬＶＤＴから生じる雑音を測定し、フーリエ技法で測定値を解析することにより導かれる。図１０に示すように、強磁性コアＬＶＤＴの振幅スペクトルは、バルクハウゼン雑音の測定と呼応して周波数の関数として減少する一方、非強磁性コアＬＶＤＴは、大きく低下した、より平坦な曲線を示す。これは、バルクハウゼン雑音は存在しないが、信号調整電子回路の帰還抵抗を起源とするジョンソン雑音が存在することに呼応する。０．１Ｈｚから１ｋＨｚまでの積分されたｒｍｓ雑音は、非強磁性コアＬＶＤＴでは０．１９ｎｍであり、強磁性コアＬＶＤＴでは２．１ｎｍであった。

強磁性体は、準安定微細磁気状態にあることが多い。これらの準安定状態は、基底状態から比較的離れているのが普通である。強磁性体が基底状態へ向かって緩和するパスは数多くある。この結果、磁気状態が、典型的には数時間から数日、数週間、そして数ヶ月のこともある長時間スケールで次第に変化するゆっくりとした緩和現象が起きる（例えば、Ｂｏｚｏｒｔｈを参照）。磁化がさらに安定な状態へ向かって緩和するにつれて、外部磁界による強磁性体の安定性も変化する。一般に、領域の壁は、バルクハウゼンジャンプがもっと少なくなる更に安定な構成へ向けて次第に緩和する。図１１は、３個の従来型強磁性コアＬＶＤＴと、３個の空気コアＬＶＤＴとについて、時間の関数として測定した雑音を示す。３個すべての従来型強磁性コアＬＶＤＴの雑音は、時間の関数として滑らかではないが減少し、コア毎の雑音レベルにはかなりの変動がある。両観察ともに、バルクハウゼン雑音を示す。同じ時間の間、３個の空気コアＬＶＤＴの雑音は約０．１９ｎｍで、ほとんど一定値に留まり、３個の異なる空気コア間の偏差はほとんどなかった。これは、雑音が別の場所、例えば励起または信号調整電子回路で発生することを示している。

信号対雑音比を高める一つの方法は、駆動電流を単に増加させることである。雑音が或る一定値である場合、駆動電流を増加させると、信号対雑音比は単純に増加する。図１２は、３個の従来型強磁性コアＬＶＤＴおよび３個の空気コアＬＶＤＴについての雑音対励起電流曲線を示す。空気コアの雑音は、一次電流の振幅にほぼ反比例する。この応答は、励起および信号調整電子回路により制限される感度に呼応している。強磁性コアＬＶＤＴの雑音対駆動電流曲線はすべて、反対の傾向を有する。駆動電流が増大するとともに、雑音も増加する。これはバルクハウゼン雑音であることを示す。一次コイル駆動電流が増大するとき、固定領域の壁を解放できるもっと大きな振動磁界が生み出され、次いで、位置雑音の増大につながる。加えて、図１２および図１１の両方の強磁性コアＬＶＤＴは、雑音性能の非常に大きな変動を示している。これも雑音の起源がコア毎の顕微鏡的磁気変動、つまりバルクハウゼン雑音であることを示している。

注目すべきは、記載のＬＶＤＴは動きを電圧に変換できるだけではなく、逆の方法で電圧を動きに変換することもできることである。上記ＬＶＤＴの以下の用途は、一方または両方のこれら特性を利用するものである。

精確な力測定
図１３は、局部的な力を測定するために使用する、そして、かかる測定をするために上記ＬＶＤＴを取り入れた分子力プローブ測定装置を表す。この測定装置は、鋭いチップ３７を有する可撓性カンチレバーが試料上で押したり引いたりするときのたわみを測定することにより力を計測する。高感度たわみ測定装置と、可撓性カンチレバー端の非常に鋭いチップとが、単体分子の域にまで下がった測定を可能にする。押込力測定も、表面にカンチレバーチップを押し付けることにより行われる。図１３で、カンチレバー３７は、コヒーレンス性が低い光源３５により照射される。この光源からの光は、調整可能な焦点レンズ３６によりカンチレバー３７上に焦点を当てられる。カンチレバーから反射する光は、調整可能なミラー３８により集められ、位置センサー３９上に導かれる。位置センサーは、測定装置（不図示）用コントローラへ、カンチレバーのたわみに比例する電圧を与える。光学検知システム全体は、剛性のある安定したカプセル４０に収納される。カプセルは、可撓性カプリング、すなわち可撓体４１および４２を介して測定装置４４のフレームに取り付けられる。これらのカプリングは、カプセル４０を測定装置４４のフレームに対して垂直方向に移動することを許容する。ピエゾスタック４３を用いてその移動を与え、そして移動カプセルに取り付けられた可動一次コイル１５と、測定装置の固定フレームに取り付けられた固定二次コイル３および４とにより、本発明の改良型ＬＶＤＴセンサーは位置情報を提供する。

図１４は、力測定を行う際のＬＶＤＴセンサーの重要性を示す。両コマともに、空気中のマイカ面上のＳｉカンチレバー（ナノセンサーＭＥＳＰ）を用いて得た力曲線である。図１４のコマＡは、カンチレバーたわみ対ピエゾ印加電圧のプロットである。明線４５は接近曲線を、暗線４６は後退曲線を示す。チップと試料間が密着していることは、後退曲線が、ほぼ５．５Ｖで「スナップオフ」点４７となるので明らかである。接近ならびに後退曲線の接触部分および同一勾配を持たないことが分かる。これはチップまたは試料、もしくはその両方の、ある種の粘弾性挙動として説明できる。しかし、ピエゾヒステリシスの所産として説明することもでき、本発明者にとって解釈は不確実なままである。図１４のコマに、今度は本発明の改良型ＬＶＤＴ出力の関数としてプロットした同一のたわみデータを示す。このコマでは、接近および後退曲線４７の接触部分は、今度は同一勾配を持ち、チップと試料の相互作用における何らかの粘弾性効果があるとは考えられない。更に、本発明の改良型ＬＶＤＴセンサーの使用は、力曲線におけるピエゾヒステリシスの所産であるとの可能性も考えられない。本発明のセンサーを使用する第２の利点は、それがｘ軸上の変位（例えば、ミクロン単位（図示）、またはナノメータ単位）の直接測定を可能にする点である。

表面形状測定
従来型ＬＶＤＴセンサーは、多数の市販測定装置を含め、各種の表面形状測定装置で用いられており（例えば、ニューヨーク州プレインビュー所在のＶｅｅｃｏ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔ Ｄｅｋｔａｋ８）、図１５は、かかる測定装置の一つを示す。この図は、米国特許第４，６６９，３００号の図１を基にしている。この測定装置で、可動スタイラス４９に取り付けられた鋭いチップ４８はジュエル機構５０周りに枢着されている。チップは、測定装置５３のフレームに対して走査されるステージ５２上に載置された試料５１に接触している。スタイラスアセンブリの動きが、コイルアセンブリ５４と、スタイラスアセンブリとともに動く高透磁率の強磁性コア５５とで構成されたＬＶＤＴセンサーで測定される。チップ４８と試料５１間の力は、測定装置５３のフレームに取り付けられた磁気アクチュエータコイル５７を用いるスタイラスアセンブリに取り付けた磁気スラグ５６へ磁界を印加することにより、変えることができる。この設計における一つの主要な配慮は、一次コイル５５を、磁気アクチュエータコイル５７およびスラグ５６から放射される磁界からシールドすることである。アクチュエータからのいずれの漏洩磁界も高透磁率強磁性コア５５の磁気状態を変え、それにより、感度、および／または、スタイラスアセンブリ４８のチップの見かけ位置を変える原因となろう。

ここで説明したＬＶＤＴの使用により、従来型ＬＶＤＴを採用する測定装置に比べて、大きく改良された形状測定が可能になる。これには高速で、かつ小さな力での表面形状測定が含まれる。その上、本発明の改良型ＬＶＤＴによる位置検出と力の印加とが可能になるので、単純な設計が可能となる一方で、測定装置の大きさを縮小することができ、速度が増大する。図１６は、直流電流５８が、加算増幅器５９を介して振動する一次電流５に加算される、上記ＬＶＤＴの一適用例を示す。直流電流の挿入により、ＬＶＤＴ一次コイル１５の軸に沿って力を加えることが可能になる。この実施の形態では、鋭いチップ６０は、ジュエル機構５０上で動くスタイラス６１に取り付けられる。このアセンブリ全体は、試料面５１と相対移動する。この実施の形態の改変では、ＬＶＤＴ二次コイル３および４を直流電流で駆動して、印加する力を増大している。一次コイル駆動を用いて力を加える場合と同様に、この力の印加と検出を同時に行うことが可能である。なぜなら、力駆動とＬＶＤＴセンサー駆動は周波数が大きく離れているからである。上記ＬＶＤＴのコイル巻枠は非強磁性材料で構成されているので、同時に行う力の印加と検出が、位置測定の感度や雑音に影響を与えることはない。

図１７は、センサーおよびアクチュエータの両方として用いられるＬＶＤＴによる形状測定の別の実施の形態を示す。この実施の形態の構成要素は、スタイラス６１が、可撓性カプリング６２を介して測定装置６３（図１６には不図示）のフレームに取り付けられていることを除き、図１６に示すものと類似である。図１６で説明した駆動と検出の電子回路と同じように、二次コイルも、力をかける直流電流により駆動することができ、その間に高周波のセンサー信号が同時に測定される。

原子間力顕微鏡
図１８は、米国再発行特許第３４，４８９号の図３を基にした原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を示す。このＡＦＭは、試料面上を、可撓性カンチレバー端にある鋭いプローブで走査することにより得られた情報に基づいて、表面トポグラフィ（および他の試料特性）の画像を生成するために用いる装置である。カンチレバーのたわみは試料のトポロジー的フィーチャに一致する。典型的には、チップ−試料位置は、ピエゾ管スキャナの編成によりラスターされ、可撓体により拘束されることもある。図１８で、試料６９は、ピエゾ管スキャナ７０を用いて三次元で位置決めされる。カンチレバーのたわみは、図１３に類似する光学式レバーにより測定される。画像は、カンチレバーのたわみまたは他の機械特性を、試料のｘ−ｙ位置の関数としてプロットすることにより作成される。測定装置は、振動モードを含む多数の異なる画像化モードで動作させることができ、その場合、チップだけが試料面と間欠的に接触している。図１８の更なる詳細な説明は、先の引用特許で見ることができる。

図１９は、ＡＦＭ機能を有する、図１３に記載の分子力プローブを示す。試料６９は、精密ｘ−ｙ位置決めステージ７１に載置されており、ＭＦＰ直下で試料をラスター走査できるようになっている。ＭＦＰは、試料面との間で相互作用するときのカンチレバーのたわみを測定して、多様な画像化モードを用いて画像を生成する。このＡＦＭでは、図１８に記載のＡＦＭとは異なって、ｚ軸に沿う動きがＭＦＰ内のピエゾスタック４３により与えられ、こうしてｘ−ｙ位置をｚ位置から分離する。このＡＦＭは、外部の従来型顕微鏡光学系を測定装置のｚ軸に整合させることもでき、この特徴は、ｘ−ｙ位置決めステージ７１の光学ポート７２を通じてカンチレバーチップと整列した外部対物レンズ７３により表される。この編成で、試料は、ＭＦＰおよび外部光学系の双方に対して走査される。図２０は、上記ＬＶＤＴを使用して精密位置決め情報を提供するｘ−ｙ位置決めステージの一実施の形態の平面断面図を示す。図２０は、ｙステージ７４に載せたｘステージ７７を示す。ｙステージの動きは、ｙ軸一次コイル７６の動きに伴い、ｘステージの動きはｘ軸一次コイル７８の動きに伴う。これらの動きはそれぞれスキャナの非可動フレームに搭載されるｙステージとｘステージの二次コイルアセンブリ７５および７９により、それぞれ検知される。位置決めステージ中央の光学ポート７２は、試料への光学的アクセスを可能とする。

図２１は、ＡＦＭ画像を生成する上記ＬＶＤＴの重要性を示す。両コマは、図２０に示すｘ−ｙ位置決めステージ、つまり、本発明の改良型ＬＶＤＴを用いたステージを備えたＭＦＰ３Ｄにより作成された画像を示す。両画像とも、ＡＦＭの較正に普通に用いられる、５μｍ角の正方ピット、公称１８０ｎｍ深さの規則正しい正方アレイから成る回折格子上のＳｉカンチレバー（ナノセンサーＭＥＳＰ）を用いて作成された。コマＡは、一連の三角波でピエゾスキャナを駆動するだけで作成され、試料の動きの測定として印加された電圧を使用する。コマＡは、回折格子のピットの歪んだ画像を示す。それらは大きさが一様でなく、規則正しいアレイのようにも見えない。パネルＢは、同一の回折格子を示が、今度は、記載のＬＶＤＴセンサーからの信号に基づいて閉ループ位置決めにより画像化した。この画像では、予想通りに、ピットは大きさが一様で、かつ一様な間隔を有して見える。分子力プローブでの使用と同様に、上記ＬＶＤＴセンサーは、ピエゾヒステリシスおよびクリープを測定して補正することにより、試料面の画像を精確に再生することができた。

ミクロン以下の長さスケールを有する装置の研究、開発、および製造が始まり、それは加速している。近年、ＩＢＭは、個々の原子を局部プローブ（この場合、走査トンネル顕微鏡のプローブ）で表面上に位置決めする場合の幾つかの結果を得た。原子の精確な位置決め、分子製造の目標は、局部プローブの三次元でのサブオングストローム位置決めを必要とすることになろう。

本明細書に記載の非強磁性センサーは、これらの新しい技法と装置が必要とする長さスケールの縮小に役立つ。ＬＶＤＴの感度は相互インダクタンスｄＭ／ｄｘの幾何学的感度に比例する。相互インダクタンスは磁気エネルギーに比例し、電流の二乗に反比例する，Ｍ∝（磁気エネルギー／電流^２）。線材の寸法を小さくして巻数の定数を維持する場合は、相互インダクタンスはコイル長ｌと独立である、ということを示すのは容易である。他方、相互インダクタンスの微分は、コイル長に反比例する，（ｄＭ／ｄｘ）∝ｌ^−１。従って、感度は、感度∝（ｄＭ／ｄｘ）∝ｌ^−１、となり、ＬＶＤＴのコイル長が減少すると増大する。この関係が意味することは、ＬＶＤＴ感度は、コイル長が減少する時だけ良好となる、ということである。

センサーや装置の長さスケールが減少するので、磁気センサーは別の利点を有する。磁気力はｌ^−４として縮小、拡大される。これが意味することは、センサーを単に動作させることから生じる力が、ＭＥＭまたはもっと小さいサイズの非強磁性ＬＶＤＴの場合に都合良く拡大されるということである。

本発明の上記の実施の形態は好ましいと考えられるに過ぎず、そして本発明の概念の説明であるに過ぎない。本発明の局面は、かかる実施の形態に制限されるものではない。本発明の精神と局面から逸脱することなく、当該技術に精通する者は多様で多くの他の編成を案出できるであろう。

従来型ＬＶＤＴを示す従来技術。 可動一次コイルを有する低透磁率コアＬＶＤＴの好ましい実施の形態。 アナログ乗算器周辺に配設される励起および同期信号調整電子回路。 同期アナログスイッチ周辺に配設される励起および同期信号調整電子回路。 コア（従来型ＬＶＤＴ）および一次コイル（好ましい実施の形態）位置の関数としての、２個の二次コイルの出力。 従来型ＬＶＤＴの差動バルクハウゼン雑音の起源。 従来型ＬＶＤＴのコモンバルクハウゼン雑音の起源。 センサー雑音および感度の定量化に使用する装置。 感度と線形性の較正を示す光学式干渉計データと一致するＬＶＤＴセンサー出力。 従来型（強磁性コア）および空気コア（好ましい実施の形態）ＬＶＤＴセンサーの雑音パワースペクトル。 時間関数としての、幾つかの従来型および空気コアＬＶＤＴのＲＭＳ雑音測定値。 一次励起振幅の関数としての、幾つかの従来型および空気コアＬＶＤＴのＲＭＳ雑音測定値。 単一分子力の定量測定にピエゾアクチュエータおよびＬＶＤＴセンサーを用いた分子力プローブ。 カンチレバーのたわみ対ピエゾ励起電圧、および対ＬＶＤＴセンサー出力をプロットして作成した、分子力プローブによる硬質面上の力曲線。 ＬＶＤＴセンサーと、負荷荷重を制御する磁気アクチュエータとを備えた表面画像化表面形状測定装置を示す従来技術。 プローブ位置と負荷荷重を制御する力アクチュエータとしても動作する空気コアＬＶＤＴセンサーを備えた表面画像化表面形状測定装置。 上記と同じであるが、プローブはピボット支持ではなく、たわみ支持されている。 原子間力顕微鏡を示す従来技術。 分子力プローブ３Ｄ、ＭＦＰヘッド周囲のＡＦＭ、およびＬＶＤＴセンサー付きｘ−ｙ精密位置決めステージ。 ＬＶＤＴ位置センサーを用いたｘ−ｙ位置決め装置の一実施の形態の更なる詳細図。 回折格子上の２つのＡＦＭ画像。第１（Ａ）は、未修正のＡＦＭ走査を示す。第２（Ｂ）は、ＬＶＤＴセンサーを用いてステージの動きを線形化した場合の画像を示す。

Claims (3)

1. 変位変換器であって、
   共通軸を有する第１および第２の非強磁性コイル巻枠を備え、各巻枠には少なくとも一つの巻線が巻かれており、
   前記第１巻枠が第２巻枠の内側にあって、各巻枠が他方の巻枠と相対的に変位できるように、ひとつ以上の巻線を有する前記第１巻枠の外径は前記第２巻枠の内径より小さく、
   前記コイル巻枠の一方は移動可能であり、他方のコイル巻枠は固定であり、前記可動巻枠上のひとつ以上の巻線は、前記固定巻枠上のひとつ以上の巻線へ、前記巻線を誘導結合する強磁性要素がない限り、磁気結合され、そして、
   ミクロン以下の範囲の、前記コイル巻枠間の相対変位に応じた信号を発生する電子回路を備える変位変換器。
2. 請求項１の前記変換器であって、前記センサーは、２つ以上の巻線が巻かれた前記小さい方の外径を有する前記コイル巻枠、および単一巻線が巻かれた前記他方のコイル巻枠を備える。
3. 請求項１の前記変換器であって、前記センサーが、２つ以上の巻線が巻かれた前記大きい方の内径を有する前記コイル巻枠、および単一巻線が巻かれた前記他方のコイル巻枠を備える。

Images