CN111539179B - 高灵敏度lvdt的计算及设计绕线方法 - Google Patents

高灵敏度lvdt的计算及设计绕线方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111539179B
CN111539179B CN202010349738.4A CN202010349738A CN111539179B CN 111539179 B CN111539179 B CN 111539179B CN 202010349738 A CN202010349738 A CN 202010349738A CN 111539179 B CN111539179 B CN 111539179B
Authority
CN
China
Prior art keywords
secondary coil
sensitivity
layers
turns
coils
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202010349738.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111539179A (zh
Inventor
周胜仁
孔致鹏
陈玉财
林坤艺
翁新全
许静玲
刘瑞林
柯银鸿
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Xiamen Niell Electronics Co ltd
Original Assignee
Xiamen Niell Electronics Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Xiamen Niell Electronics Co ltd filed Critical Xiamen Niell Electronics Co ltd
Priority to CN202010349738.4A priority Critical patent/CN111539179B/zh
Publication of CN111539179A publication Critical patent/CN111539179A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111539179B publication Critical patent/CN111539179B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F30/00—Computer-aided design [CAD]
    • G06F30/30—Circuit design
    • G06F30/39—Circuit design at the physical level
    • G06F30/392—Floor-planning or layout, e.g. partitioning or placement
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F30/00—Computer-aided design [CAD]
    • G06F30/30—Circuit design
    • G06F30/39—Circuit design at the physical level
    • G06F30/398—Design verification or optimisation, e.g. using design rule check [DRC], layout versus schematics [LVS] or finite element methods [FEM]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
    • H01F41/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets
    • H01F41/04—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets for manufacturing coils
    • H01F41/06—Coil winding

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Evolutionary Computation (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
  • Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)

Abstract

本发明公开了一种高灵敏度LVDT的计算方法及高灵敏度LVDT设计绕线的工艺，将次级线圈1‑2和次级线圈2‑2分别相对次级线圈1‑1和次级线圈2‑1反向绕制，然后根据公式
Figure DDA0002471529300000011
计算次级线圈1‑1、次级线圈1‑2、次级线圈2‑1和次级线圈2‑2的具体层数，再根据每层匝数计算公式，设计出每层的具体匝数。本发明可满足小行程高灵敏度要求。

Description

高灵敏度LVDT的计算及设计绕线方法
技术领域
本发明涉及传感器的技术领域，特别是指一种高灵敏度LVDT的计算方法及高灵敏度LVDT设计绕线的工艺。
背景技术
目前国内微型LVDT要求在很小的行程范围内，输出特定的灵敏度和拥有特定的输入阻抗。微型LVDT由于尺寸小，要求的电气行程也小，国内一般采用次级线圈平绕方式实现微型LVDT特定灵敏度的设计。且次级线圈的次级1-1和次级1-2同向绕制，次级2-1和次级2-2也同向绕制。
虽然当前这种绕线方式能解决微型LVDT在小行程范围内实现小灵敏度的要求。但无法解决小行程实现高灵敏度的要求。例如，当产品总长11mm的LVDT采用当前平绕方式就无法设计出产品在行程+0.8mm处的灵敏度为0.3。因此，很有必要在现有技术的基础之上改进平绕方案使其能实现小行程高灵敏度的要求。
发明内容
本发明的目的之一在于提供一种现有平绕方式的灵敏度的计算方法，实现特定灵敏度的设计。
为解决上述问题，本发明采用的技术方案如下：
一种高灵敏度LVDT的计算方法，设定铁芯长为L，行走的位移为δ，次级线圈1-1和2-1左右对称且均为b层平绕，次级线圈1-2和2-2左右对称且均为c层平绕，次级线圈1-2和次级线圈2-2分别相对次级线圈1-1和次级线圈2-1同向绕制，根据以下公式：
Figure GDA0003817300250000021
得到灵敏度的绝对值|w|最大不超过
Figure GDA0003817300250000022
通过上述计算公式，可得出当前国内的平绕方案能实现的最大灵敏度为
Figure GDA0003817300250000023
本发明的主要目的在于克服现有技术的不足，提供一种可以满足小行程高灵敏度要求的高灵敏度LVDT的计算方法及设计绕线的工艺。
为了达成上述目的，本发明的解决方案是：
一种高灵敏度LVDT的计算方法，设定铁芯长为L，行走的位移为δ，次级线圈1-1和2-1左右对称且层数均为b，次级线圈1-2和2-2左右对称且层数均为c，且b＞c，次级线圈1-2和次级线圈2-2分别相对次级线圈1-1和次级线圈2-1反向绕制，按照以下公式：
Figure GDA0003817300250000024
得出平绕方式的灵敏度的绝对值|w|为大于
Figure GDA0003817300250000025
的任意值。
采用上述方法后，通过公式可知，新的平绕方式可设计出任意大于
Figure GDA0003817300250000026
的高灵敏度方案，设计时，由于最大行程的灵敏度w、铁芯长度L、铁芯移动位移δ均是确定的，故可以根据上述公式得出具体的次级线圈1-1、次级线圈2-1、次级线圈1-2和次级线圈2-2的层数，可以满足小行程高灵敏度要求。
本发明的另一目的在于提供一种可以满足小行程高灵敏度要求的高灵敏度LVDT设计绕线的工艺。
为了达成上述目的，本发明的解决方案是：
一种高灵敏度LVDT设计绕线的工艺，其包括以下步骤：
步骤一：设定铁芯长为L，行走的位移为δ，次级线圈1-1和2-1左右对称且均为b层平绕，次级线圈1-2和2-2左右对称且均为c层平绕；
步骤二：将次级线圈1-2和次级线圈2-2分别相对次级线圈1-1和次级线圈2-1反向绕制，且b＞c，建立灵敏度w的计算公式：
Figure GDA0003817300250000031
得出灵敏度的绝对值
Figure GDA0003817300250000032
步骤三：设定铁芯长度为L＝L0，w＝w0，铁芯运动的位移δ＝δ0，整个骨架有效绕线长度为S，则根据公式(2)可以得出b和c的关系，即得出次级线圈1-1或次级线圈2-1与次级线圈1-2或次级线圈2-2的层数比，结果如下：
Figure GDA0003817300250000033
当产品只规定激励电压，没规定输出电压及外形限制尺寸时，c可以取任意大于0的正数，这样，b值也就确定了；
步骤四：设定次级线圈1-2和次级线圈2-2的总匝数均为
Figure GDA0003817300250000034
d为漆包线直径，层数按如下方式计算：
c为正数，则任意c可以用c＝n+k表示，n为大于或等于0的整数，k为大于等于0且小于1的小数；
则次级线圈1-2和次级线圈2-2的层数为n+1层，且前n层的每层的匝数为
Figure GDA0003817300250000035
第n+1层匝数为
Figure GDA0003817300250000036
步骤五：当c＝c0，则
Figure GDA0003817300250000037
次级线圈1-1和次级线圈2-1的总匝数均为
Figure GDA0003817300250000038
同理，b也可用b＝m+t表示，m为大于或等于0的整数，t为大于等于0且小于1的小数。
则次级线圈1-1和次级线圈2-1的层数为m+1层，且前m层的每层的匝数为
Figure GDA0003817300250000041
第m+1层匝数为
Figure GDA0003817300250000042
通过上述步骤，可以设计出满足小行程高灵敏度要求的LVDT。
本发明的再一目的在于提供一种可设计出任意灵敏度要求的LVDT设计绕线的工艺。
为了达成上述目的，本发明采用的技术方案是：
一种高灵敏度LVDT设计绕线的工艺，其包括以下步骤：
步骤一：设定铁芯长为L，行走的位移为δ，次级线圈1-1和次级线圈2-1左右对称且层数均为b，次级线圈1-2和次级线圈2-2左右对称且层数均为c层；
步骤二：当次级线圈1-2和次级线圈2-2分别相对次级线圈1-1和次级线圈2-1同向绕制，建立灵敏度w的计算公式：
Figure GDA0003817300250000043
由公式可知，当前平绕方式能设计出的最大灵敏度不超过
Figure GDA0003817300250000044
步骤三：当次级线圈1-2和次级线圈2-2分别相对次级线圈1-1和次级线圈2-1反向绕制，且b＞c，建立灵敏度w的计算公式：
Figure GDA0003817300250000045
得出灵敏度的绝对值
Figure GDA0003817300250000046
故新的平绕方式可设计出任意大于
Figure GDA0003817300250000047
的高灵敏度方案；
步骤四：设定铁芯长度为L＝L0，w＝w0，铁芯运动的位移δ＝δ0，整个骨架有效绕线长度为S，则根据公式(2)可以得出b和c的关系，即得出次级线圈1-1或次级线圈2-1与次级线圈1-2或次级线圈2-2的层数比，结果如下：
Figure GDA0003817300250000051
当产品只规定激励电压，没规定输出电压及外形限制尺寸时，c可以取任意大于0的正数，这样，b值也就确定了；
步骤五：设定次级线圈1-2和次级线圈2-2的总匝数均为
Figure GDA0003817300250000052
d为漆包线直径，层数按如下方式计算：
c为正数，则任意c可以用c＝n+k表示，n为大于或等于0的整数，k为大于等于0且小于1的小数；
则次级线圈1-2和次级线圈2-2的层数为n+1层，且前n层的每层的匝数为
Figure GDA0003817300250000053
第n+1层匝数为
Figure GDA0003817300250000054
步骤六：当c＝c0，则
Figure GDA0003817300250000055
次级线圈1-1和次级线圈2-1的总匝数均为
Figure GDA0003817300250000056
同理，b也可用b＝m+t表示，m为大于或等于0的整数，t为大于等于0且小于1的小数。
则次级线圈1-1和次级线圈2-1的层数为m+1层，且前m层的每层的匝数为
Figure GDA0003817300250000057
第m+1层匝数为
Figure GDA0003817300250000058
采用上述步骤一至步骤六可设计出任意灵敏度要求的LVDT。
附图说明
图1为现有线圈平绕的绕线示意图。
图2为本发明线圈平绕的绕线示意图。
具体实施方式
为了进一步解释本发明的技术方案，下面通过具体实施例来对本发明进行详细阐述。
本发明的设计理念为：根据国内当前的平绕方案建立了现有平绕方案的灵敏度理论计算公式：假设次级线圈1-1和2-1是b层平绕(如图1所示)；次级线圈1-2和2-2是c层平绕，且次级1-2和2-2的绕线方向均分别与次级1-1和2-1同向。推导出传感器的灵敏度w与次级1-1或2-1层数b、次级1-2或2-1层数c、位移δ、铁芯长度L之间的关系：w＝2δ*(b-c)/L/(b+c)。通过当前公式可知，当前国内的平绕方案能实现的最大灵敏度在理论上也只有
Figure GDA0003817300250000061
若将次级1-2和2-2的绕线方向均分别与次级1-1和2-1反向，则新设计的灵敏度为：w＝2δ*(b+c)/L/(b-c)。通过公式可知，该新的平绕方式最大灵敏度w可为大于
Figure GDA0003817300250000062
的任意值。设计时，由于最大行程的灵敏度w、铁芯长度L、铁芯移动位移δ均是确定的，故可根据公式得出具体的次级1-1、次级2-1、次级1-2和次级2-2的层数。再根据每层匝数计算公式，计算出每层的具体匝数。
若要设计处一种满足所有灵敏度要求的LVDT，可以采用以下方案实现：
一种高灵敏度LVDT设计绕线的工艺，其包括以下步骤：
步骤一：设定铁芯长为L，行走的位移为δ，次级线圈1-1和次级线圈2-1左右对称且层数均为b，次级线圈1-2和次级线圈2-2左右对称且层数均为c层；
步骤二：当次级线圈1-2和次级线圈2-2分别相对次级线圈1-1和次级线圈2-1同向绕制，建立灵敏度w的计算公式：
Figure GDA0003817300250000063
由公式可知，当前平绕方式能设计出的最大灵敏度不超过
Figure GDA0003817300250000064
步骤三：当次级线圈1-2和次级线圈2-2分别相对次级线圈1-1和次级线圈2-1反向绕制，且b＞c，建立灵敏度w的计算公式：
Figure GDA0003817300250000071
得出灵敏度的绝对值
Figure GDA0003817300250000072
故新的平绕方式可设计出任意大于
Figure GDA0003817300250000073
的高灵敏度方案；
步骤四：设定铁芯长度为L＝L0，w＝w0，铁芯运动的位移δ＝δ0，整个骨架有效绕线长度为S，则根据公式(2)可以得出b和c的关系，即得出次级线圈1-1或次级线圈2-1与次级线圈1-2或次级线圈2-2的层数比，结果如下：
Figure GDA0003817300250000074
当产品只规定激励电压，没规定输出电压及外形限制尺寸时，c可以取任意大于0的正数，这样，b值也就确定了；
步骤五：设定次级线圈1-2和次级线圈2-2的总匝数均为
Figure GDA0003817300250000075
d为漆包线直径，层数按如下方式计算：
c为正数，则任意c可以用c＝n+k表示，n为大于或等于0的整数，k为大于等于0且小于1的小数；
则次级线圈1-2和次级线圈2-2的层数为n+1层，且前n层的每层的匝数为
Figure GDA0003817300250000076
第n+1层匝数为
Figure GDA0003817300250000077
步骤六：当c＝c0，则
Figure GDA0003817300250000078
次级线圈1-1和次级线圈2-1的总匝数均为
Figure GDA0003817300250000079
同理，b也可用b＝m+t表示，m为大于或等于0的整数，t为大于等于0且小于1的小数。
则次级线圈1-1和次级线圈2-1的层数为m+1层，且前m层的每层的匝数为
Figure GDA00038173002500000710
第m+1层匝数为
Figure GDA00038173002500000711
根据以上工艺，如图2所示，为本发明的其中一种具体实施方式：
假定铁芯长度L＝8mm，骨架有效绕线长度S为11mm，铁芯运动的位移δ为0.8mm，铁芯移动0.8mm时的灵敏度w为0.3。产品初次级线圈的漆包线线径均为0.098mm(含绝缘皮)。当初级线圈层数a为6层，匝数为673匝时，次级线圈绕线方式设计和计算如下：
根据公式(2)得b＝5c(c值可以取任意正数)。
假设当c取1.5，则b取7.5。则次级线圈1-2和次级线圈2-2均以0.098mm的间隙密绕1层，匝数为56匝；再稀绕一层，匝数为28匝。同理，次级线圈1-1和次级线圈2-1先以0.098mm的间隙密绕7层，每层匝数为56匝；再稀绕一层，匝数为28匝。
上述实施例和图式并非限定本发明的产品形态和式样，本发明所涉及到的计算公式和由公式推导出的绕线工艺均落入本发明的保护范畴，任何所属技术领域的普通技术人员对其所做的适当变化或修饰，皆应视为不脱离本发明的专利范畴。

Claims (2)

1.一种高灵敏度LVDT设计绕线的方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一：设定铁芯长为L，行走的位移为δ，次级线圈1-1和2-1为次级线圈的第一层级，次级线圈2-2和次级线圈1-2为次级线圈的第二层级，次级线圈1-1和次级线圈2-2同侧且位于次级线圈的一侧，次级线圈2-1和次级线圈1-2同侧且位于次级线圈的另一侧；次级线圈1-1和2-1左右对称且均为b层平绕，次级线圈1-2和2-2左右对称且均为c层平绕；
步骤二：将次级线圈1-2和次级线圈2-2分别相对次级线圈1-1和次级线圈2-1反向绕制，且b＞c，建立灵敏度w的计算公式：
Figure FDA0003817300240000011
得出灵敏度的绝对值
Figure FDA0003817300240000012
步骤三：设定铁芯长度为L＝L0，w＝w0，铁芯运动的位移δ＝δ0，整个骨架有效绕线长度为S，根据公式(2)得出b和c的关系，得出次级线圈1-1或次级线圈2-1与次级线圈1-2或次级线圈2-2的层数比，结果如下：
Figure FDA0003817300240000013
当产品只规定激励电压，没规定输出电压及外形限制尺寸时，c取正数；
步骤四：设定次级线圈1-2和次级线圈2-2的总匝数均为
Figure FDA0003817300240000014
d为漆包线直径，层数按如下方式计算：
c为正数，c用c＝n+k表示，n为大于或等于0的整数，k为大于等于0且小于1的小数；
次级线圈1-2和次级线圈2-2的层数为n+1层，且前n层的每层的匝数为
Figure FDA0003817300240000015
第n+1层匝数为
Figure FDA0003817300240000021
步骤五：当c＝c0，
Figure FDA0003817300240000022
次级线圈1-1和次级线圈2-1的总匝数均为
Figure FDA0003817300240000023
b也用b＝m+t表示，m为大于或等于0的整数，t为大于等于0且小于1的小数；
次级线圈1-1和次级线圈2-1的层数为m+1层，且前m层的每层的匝数为
Figure FDA0003817300240000024
第m+1层匝数为
Figure FDA0003817300240000025
通过上述步骤，设计出满足小行程高灵敏度要求的LVDT。
2.如权利要求1所述的一种高灵敏度LVDT设计绕线的方法，其特征在于：在所述步骤一之后还包括：
步骤二：当次级线圈1-2和次级线圈2-2分别相对次级线圈1-1和次级线圈2-1同向绕制，建立灵敏度w的计算公式：
Figure FDA0003817300240000026
由公式得出，当前平绕方式能设计出的最大灵敏度不超过
Figure FDA0003817300240000027
CN202010349738.4A 2020-04-28 2020-04-28 高灵敏度lvdt的计算及设计绕线方法 Active CN111539179B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010349738.4A CN111539179B (zh) 2020-04-28 2020-04-28 高灵敏度lvdt的计算及设计绕线方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010349738.4A CN111539179B (zh) 2020-04-28 2020-04-28 高灵敏度lvdt的计算及设计绕线方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111539179A CN111539179A (zh) 2020-08-14
CN111539179B true CN111539179B (zh) 2022-10-18

Family

ID=71967717

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010349738.4A Active CN111539179B (zh) 2020-04-28 2020-04-28 高灵敏度lvdt的计算及设计绕线方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111539179B (zh)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1483136A (zh) * 2000-11-30 2004-03-17 阿赛勒姆研究股份有限公司 用于高精度位置测量的改进线性变量差接变压器
CN102175128A (zh) * 2011-01-24 2011-09-07 西安旭彤电子科技有限公司 一种差动变压器式线位移传感器及其制造使用方法
CN102403120A (zh) * 2011-10-31 2012-04-04 深圳市大富科技股份有限公司 一种变压器及变压器绕线方法
CN105931816A (zh) * 2016-04-25 2016-09-07 安徽感航电子科技有限公司 一种高灵敏度lvdt设计方法及应用该方法的绕线工艺
CN109616313A (zh) * 2018-12-20 2019-04-12 安徽感航电子科技有限公司 小行程比例输出lvdt补偿线圈工艺

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10332675B2 (en) * 2017-01-09 2019-06-25 Honeywell International Inc. Linear variable displacement transformer (LVDT) with improved sensitivity and linearity using fractional winding technique

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1483136A (zh) * 2000-11-30 2004-03-17 阿赛勒姆研究股份有限公司 用于高精度位置测量的改进线性变量差接变压器
CN102175128A (zh) * 2011-01-24 2011-09-07 西安旭彤电子科技有限公司 一种差动变压器式线位移传感器及其制造使用方法
CN102403120A (zh) * 2011-10-31 2012-04-04 深圳市大富科技股份有限公司 一种变压器及变压器绕线方法
CN105931816A (zh) * 2016-04-25 2016-09-07 安徽感航电子科技有限公司 一种高灵敏度lvdt设计方法及应用该方法的绕线工艺
CN109616313A (zh) * 2018-12-20 2019-04-12 安徽感航电子科技有限公司 小行程比例输出lvdt补偿线圈工艺

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
High-Sensitivity Inductive Pressure Sensor;Ezzat G. Bakhoum et al;《IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement》;20110314;第60卷(第8期);全文 *
Research on the influence of winding mode in LVDT;Han Chao et al;《CSAA/IET International Conference on Aircraft Utility Systems (AUS 2018)》;20181015;全文 *
多通道LVDT传感器信号调理电路的设计;张云青 等;《工程与试验》;20120615;第52卷(第2期);全文 *
比例阀差动变压器式位移传感器参数化仿真与实验分析;刘钊;《中国优秀博硕士学位论文全文数据库(电子期刊) 信息科技辑》;20130513;全文 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN111539179A (zh) 2020-08-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6563089B2 (ja) コモンモードフィルタ
CN104700983B (zh) 共模扼流线圈及其制造方法
CN204167063U (zh) 一种低共模噪声的变压器及充电器
CN104465044A (zh) 线性可变差动变压器及其绕制方法
CN204089558U (zh) 磁阻式旋转变压器的定子及磁阻式旋转变压器
CN111539179B (zh) 高灵敏度lvdt的计算及设计绕线方法
CN111785510B (zh) 一种制备高准确级双级钳形电流互感器的方法
CN111584229A (zh) 一种8根导线并绕连续式绕组的换位方法
CN207116212U (zh) 一种多变比的电流互感器
CN111415810A (zh) 一种差共模一体扼流圈
CN111554508B (zh) 一种6根导线并绕的连续式绕组变压器线圈的制造方法
CN210863860U (zh) 一种罗氏线圈传感器
CN212209112U (zh) 双绕组耦合电感
CN208706439U (zh) 一种采用分数匝整数绕法的内屏连续式线圈
CN2413353Y (zh) 零序电流互感器
CN109741936A (zh) 实现完全换位的四根导线并绕连续式绕组换位法
CN104183385A (zh) 变压器绕线组的绕线方法
CN104078216A (zh) 一种可替代变压器端空绝缘的梳状绝缘纸及其使用方法
RU26682U1 (ru) Обмотка трансформатора
CN115276289B (zh) 一种机械电移位式双三相容错绕组结构及低谐波控制方法
CN116933696B (zh) 变压器多股多根导线并联结构的电流分布计算方法
US20220302805A1 (en) Reducible parallel conversion
CN206697256U (zh) 一种轴向并列自粘四复合导线
CN202443818U (zh) 一种磁性线圈的磁芯
US20200328020A1 (en) Common mode filter for reducing differential mode signal converting to common mode signal

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant