JP2008098634A - 方法、アライメントマークおよびハードマスク材料の使用 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】凹所を構成するべく酸化物層および犠牲層が処理される。凹所は充填材で充填される。凹所の充填中、犠牲層上に充填材層が形成される。充填材層は、化学機械研磨によって除去される。凹所の充填および充填材層の除去中、犠牲層によって酸化物層が保護される。次に、エッチングによって犠牲層が除去される。これにより、突起を備えた、傷のない酸化物層が提供される。突起を備えた酸化物層が導電層で覆われ、それにより突起が酸化物層を貫き、関連する突起が形成される。これらの関連する突起によってアライメントマークが形成される。
【選択図】図15
Description
Claims (15)
- 第1の層(1010)を有する第1の側を有する基板(1000)を提供すること、
前記第1の層に犠牲層(1020)を堆積させること、
前記第1の層の中へ少なくとも展開している1つまたは複数の凹所(1030)を前記犠牲層に生成すること、
前記1つまたは複数の凹所に充填材を堆積させ、それにより充填材の第2の層(1040)を前記犠牲層の上に生成すること、
前記第2の層を前記犠牲層から除去すること、および
前記第1の層の傷付きを回避するための第1のプロセスを適用することによって前記犠牲層を除去すること
を特徴とする方法。 - 前記1つまたは複数の凹所の各々が、前記犠牲層の中に展開している第1の部分(1050)を有しており、
前記第2の層(1040)を除去するための第2のプロセスを適用すること、および
前記凹所の前記第1の部分の前記充填材が所定の位置を維持するように、前記犠牲層(1020)、前記充填材、前記第1のプロセスおよび前記第2のプロセスを構成すること
を特徴とする請求項1に記載の方法。 - 前記第1の層(1010)の前記基板(1000)とは反対側の表面(1011)と前記第1の部分の頂部表面(1232)との間で測定した、前記凹所の各々の前記第1の部分(1050)の高さが、2.5nmより高いまたは5nmより高いまたは7.5nmより高いこと
を特徴とする請求項2に記載の方法。 - 前記基板、前記第1の層(1010)および前記犠牲層(1020)からなる第1のグループの少なくとも1つの第1の部材の1つまたは複数のフィーチャ(1060)の整列位置を決定すること、
前記1つまたは複数のフィーチャの前記整列位置から所定の距離を隔てた位置に前記1つまたは複数の凹所(1030)を生成すること、
露出した、傷のない第1の層の上に、前記基板とは反対側に自由表面(1100)を有する第3の不透明層(1070)を堆積させ、それにより、前記凹所の前記第1の部分と関連している位置に対応する関連位置を有する複数の突起(1090)を生成すること
を特徴とする請求項2および3のいずれかに記載の方法。 - 前記第1の層(1010)が電気絶縁体を形成しており、
前記1つまたは複数の凹所(1030)を前記基板(1000)の複数の導電領域(1080)に達するまで前記第1の層を貫通して展開させること、
前記1つまたは複数の凹所に導電性充填材を使用すること、および
露出した、傷のない層および前記充填材の上に、第4の導電層(1070)を堆積させること
を特徴とする請求項2および3のいずれかに記載の方法。 - 前記1つまたは複数の凹所(1030)が、アライメントマーク、オーバレイマーク、集積回路の回路パターン、基板識別コード、基板処理コードおよびバーコードからなる第2のグループの少なくとも1つの第2の部材に対応することを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の方法。
- 前記第1のプロセスがエッチングを含むことを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載の方法。
- 前記第2のプロセスが化学機械研磨を含むことを特徴とする請求項2から7のいずれかに記載の方法。
- 第1の層(1010)を有する第1の側を有する基板(1000)を提供すること、
前記第1の層に犠牲層(1020)を堆積させること、
前記第1の層の中へ少なくとも展開している1つまたは複数の凹所(1030)を前記犠牲層に生成すること、
前記1つまたは複数の凹所に充填材を堆積させ、それにより同じく充填材の第2の層(1040)を前記犠牲層の上に生成すること、
前記第2の層を前記犠牲層から除去すること、および
前記第1の層の傷付きを回避するための第1のプロセスを適用することによって前記犠牲層を除去すること
を含む方法における犠牲材料としてのハードマスク材料の使用。 - 前記ハードマスク材料が、Si3N4、ドープ酸化物、SiON、SiCおよびα−Cからなる材料のグループの少なくとも1つの元素からなることを特徴とする請求項9に記載のハードマスク材料の使用。
- 電気絶縁体を形成するようになされた第1の層(1010)を有する第1の側を有する基板(1000)を提供すること、
前記第1の層に犠牲層(1020)を堆積させること、
前記犠牲層および前記第1の層を貫通して展開する1つまたは複数の凹所(1030)を前記犠牲層にエッチングすること、
前記1つまたは複数の凹所に導電性充填材を堆積させ、それにより充填材の第2の層(1040)を前記犠牲層の上に生成すること、
化学機械研磨によって前記第2の層を前記犠牲層から除去すること、および
エッチングによって前記犠牲層を除去し前記第1の層を露出させること
を特徴とする方法。 - 前記凹所を集積回路の回路パターン層の導電領域(1080)に到達させることを特徴とする請求項11に記載の方法。
- 前記1つまたは複数の凹所の各々が、前記犠牲層の中に展開している第1の部分を有しており、
前記犠牲層が、前記第1の層(1010)の前記基板(1000)とは反対側の表面(1011)と前記第1の部分の頂部表面(1232)との間で測定した第1の高さで堆積され、
前記第2の層(1040)を除去するための第1のプロセス、および前記犠牲層(1020)を除去するための第2のプロセスを適用すること、
前記凹所の前記第1の部分の前記充填材が所定の位置を維持するように、前記第1の高さ、前記第1のプロセスおよび前記第2のプロセスを構成すること、
前記基板、前記第1の層(1010)および前記犠牲層(1020)のうちの少なくとも1つの1つまたは複数のフィーチャ(1060)の整列位置を決定すること、
前記1つまたは複数のフィーチャの前記整列位置から所定の距離を隔てた位置に前記1つまたは複数の凹所(1030)を生成すること、
露出した、傷のない第1の層の上に、前記基板とは反対側に自由表面(1100)を有する第3の不透明層(1070)を堆積させ、それにより、前記凹所の前記第1の部分と関連している位置に対応する関連位置を有する複数の突起(1090)を生成すること
を特徴とする請求項11または12に記載の方法。 - 前記第1の層(1010)が酸化物からなっていること、
前記犠牲材料が、Si3N4、ドープ酸化物、SiON、SiCおよびα−Cのうちの少なくとも1つからなっていること、
前記充填材がタングステン(W)からなっていること、
エッチングを必要とするプロセスによって前記1つまたは複数の凹所(1030)を生成すること、
前記第2の層(1040)を除去するために化学機械研磨を適用すること、および
エッチングによって前記犠牲層(1020)を除去し前記第1の層を露出させること
のうちの少なくとも1つを特徴とする請求項11から13のいずれかに記載の方法。 - 第1の層(1010)を有する第1の側を有する基板(1000)を提供すること、
前記第1の層に犠牲層(1020)を堆積させること、
前記第1の層の中へ少なくとも展開している1つまたは複数の凹所(1030)を前記犠牲層に生成すること、
前記1つまたは複数の凹所に充填材を堆積させ、それにより充填材の第2の層(1040)を前記犠牲層の上に生成すること、
前記第2の層を前記犠牲層から除去すること、および
前記第1の層の傷付きを回避するための第1のプロセスを適用することによって前記犠牲層を除去すること
を含む方法によって生成されたアライメントマーク。
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