JP2008086766A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. 磁気共鳴撮像システムの傾斜コイル（３００、４００）であって、
   第１の表面（３１６、４１６）及び第２の表面（３１８、４１８）を有する銅からなる少なくとも１つの層（３０２、４０２）と、
   前記銅層（３０２、４０２）の第１の表面（３１６、４１６）に付着させた第１の半導体層（３１４、４１４）と、
   前記第１の半導体層（３１４、４１４）に付着させた絶縁層（４０４）と、
   を備える傾斜コイル（３００、４００）。
2. 前記銅（３０２、４０２）は、シート、中実丸形導体、中空導体またはワイヤのうちの１つとして形成されている、請求項１に記載の傾斜コイル（３００、４００）。
3. さらに、前記銅（３０２）の第２の表面（３１８）に付着させた第２の半導体層（３１２）を備える請求項１に記載の傾斜コイル（３００、４００）。
4. さらに、前記第２の半導体層（３１２）に付着させた積層物層（３０６）を備える請求項３に記載の傾斜コイル（３００、４００）。
5. 前記絶縁層（４０４）はエポキシ樹脂である、請求項１に記載の傾斜コイル（３００、４００）。
6. 磁気共鳴撮像システムの傾斜コイル（３００、４００）を製作する方法であって、
   銅層（３０２、４０２）の第１の表面（３１６、４１６）に第１の半導体層（３１４、４１４）を付着させる工程（２１０）と、
   前記銅層（３０２、４０２）の第２の表面（３１８、４１８）に第２の半導体層（３１２）を付着させる工程（２１２）と、
   前記第２の半導体層（３１２）に積層物層（３０６）を付着させる工程（２１４）と、
   前記第１の半導体層（３１４、４１４）に絶縁層（４０４）を付着させる工程（２１６）と、
   を含む方法。
7. 銅層（３０２、４０２）の第１の表面（３１６、４１６）に第１の半導体層（３１４、４１４）を付着させる前記工程は、銅層（３０２、４０２）の第１の表面（３１６、４１６）に第１の半導体層（３１４、４１４）を積層させる工程を含む、請求項６に記載の方法。
8. 銅層（３０２、４０２）の第２の表面（３１８、４１８）に第２の半導体層（３１２）を付着させる前記工程は、銅層（３０２、４０２）の第２の表面（３１８、４１８）に第２の半導体層（３１２）を積層させる工程を含む、請求項６に記載の方法。
9. 第２の半導体層（３１２）に積層物層（３０６）を付着させる前記工程は、第２の半導体層（３１２）に積層物層（３０６）を積層させる工程を含む、請求項６に記載の方法。
10. 第１の半導体層（３１４、４１４）に絶縁層（４０４）を付着させる前記工程は、絶縁層（４０４）を真空圧含浸する工程を含む、請求項６に記載の方法。