RU2013118368A - Способ изготовления магниторезистивного датчика - Google Patents
Способ изготовления магниторезистивного датчика Download PDFInfo
- Publication number
- RU2013118368A RU2013118368A RU2013118368/28A RU2013118368A RU2013118368A RU 2013118368 A RU2013118368 A RU 2013118368A RU 2013118368/28 A RU2013118368/28 A RU 2013118368/28A RU 2013118368 A RU2013118368 A RU 2013118368A RU 2013118368 A RU2013118368 A RU 2013118368A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- followed
- spraying
- photolithographic etching
- conductive layer
- layer
- Prior art date
Links
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
Abstract
Способ изготовления магниторезистивного датчика, заключающийся в формировании на изолирующей подложке моста Уинстона путем вакуумного напыления магниторезистивной структуры с последующим формированием магниторезистивных полосок методом фотолитографического травления и напылении первого проводящего слоя с последующим формированием перемычек, проводников и контактных площадок методом фотолитографического травления, нанесении первого изоляционного слоя из полиимида с последующей его имидизацией в вакууме, напылении второго проводящего слоя и формировании на нем плоской катушки индуктивности «set/reset» методом фотолитографического травления, нанесении второго изоляционного слоя из полиимида с последующей его имидизацией в вакууме, напылении третьего проводящего слоя и формировании на нем плоской катушки индуктивности «offset» методом фотолитографического травления, нанесении конструктивной защиты с последующим вскрытием контактных площадок первого проводящего слоя, отличающийся тем, что проводящие слои получают путем вакуумного напыления структуры Cr-Cu-Cr, которую травят послойно и селективно, а на вскрытых контактных площадках, находящихся на первом проводящем слое, дополнительно формируют пленку Al путем его напыления на датчик с последующим фотолитографическим травлением.
Claims (1)
- Способ изготовления магниторезистивного датчика, заключающийся в формировании на изолирующей подложке моста Уинстона путем вакуумного напыления магниторезистивной структуры с последующим формированием магниторезистивных полосок методом фотолитографического травления и напылении первого проводящего слоя с последующим формированием перемычек, проводников и контактных площадок методом фотолитографического травления, нанесении первого изоляционного слоя из полиимида с последующей его имидизацией в вакууме, напылении второго проводящего слоя и формировании на нем плоской катушки индуктивности «set/reset» методом фотолитографического травления, нанесении второго изоляционного слоя из полиимида с последующей его имидизацией в вакууме, напылении третьего проводящего слоя и формировании на нем плоской катушки индуктивности «offset» методом фотолитографического травления, нанесении конструктивной защиты с последующим вскрытием контактных площадок первого проводящего слоя, отличающийся тем, что проводящие слои получают путем вакуумного напыления структуры Cr-Cu-Cr, которую травят послойно и селективно, а на вскрытых контактных площадках, находящихся на первом проводящем слое, дополнительно формируют пленку Al путем его напыления на датчик с последующим фотолитографическим травлением.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2013118368/28A RU2536317C1 (ru) | 2013-04-19 | 2013-04-19 | Способ изготовления магниторезистивного датчика |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2013118368/28A RU2536317C1 (ru) | 2013-04-19 | 2013-04-19 | Способ изготовления магниторезистивного датчика |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2013118368A true RU2013118368A (ru) | 2014-10-27 |
| RU2536317C1 RU2536317C1 (ru) | 2014-12-20 |
Family
ID=53286329
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2013118368/28A RU2536317C1 (ru) | 2013-04-19 | 2013-04-19 | Способ изготовления магниторезистивного датчика |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2536317C1 (ru) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2601360C1 (ru) * | 2015-07-14 | 2016-11-10 | федеральное государственное бюджетное учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр" МИЭТ | Магниторезистивный элемент |
| RU2617454C1 (ru) * | 2016-02-17 | 2017-04-25 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" | Способ изготовления магниторезистивного датчика |
| RU2659877C1 (ru) * | 2017-08-16 | 2018-07-04 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом") | Способ изготовления магниторезистивного датчика |
| RU2767593C1 (ru) * | 2021-07-19 | 2022-03-17 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом") | Способ изготовления магниторезистивных наноструктур |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5247278A (en) * | 1991-11-26 | 1993-09-21 | Honeywell Inc. | Magnetic field sensing device |
| RU2066504C1 (ru) * | 1994-07-20 | 1996-09-10 | Институт проблем управления РАН | Магниторезистивный датчик |
| US6295718B1 (en) * | 1999-08-16 | 2001-10-02 | Headway Technologies, Inc. | Method for fabricating a non-parallel magnetically biased multiple magnetoresistive (MR) layer magnetoresistive (MR) sensor element |
| RU2320051C1 (ru) * | 2006-10-27 | 2008-03-20 | Государственное учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского государственного института электронной техники" | Способ изготовления магниторезистивных датчиков |
| RU2347302C1 (ru) * | 2007-09-11 | 2009-02-20 | Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова" | Магниторезистивный датчик |
| RU2463688C1 (ru) * | 2011-06-23 | 2012-10-10 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" | Способ изготовления магниторезистивного датчика |
-
2013
- 2013-04-19 RU RU2013118368/28A patent/RU2536317C1/ru active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2536317C1 (ru) | 2014-12-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2012164976A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP2011100982A5 (ru) | ||
| JP2012068627A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP2012033896A5 (ru) | ||
| JP2009003434A5 (ru) | ||
| WO2012143784A8 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| JP2013175718A5 (ru) | ||
| JP2014215485A5 (ru) | ||
| JP2009194322A5 (ru) | ||
| JP2013520844A5 (ru) | ||
| JP2012118545A5 (ru) | ||
| JP2014154800A5 (ru) | ||
| JP2012109566A5 (ru) | ||
| JP2013042180A5 (ru) | ||
| JP2012160742A5 (ru) | ||
| JP2012080096A5 (ru) | ||
| JP2009278072A5 (ru) | ||
| EP2779810A3 (en) | Printed circuit board package structure and manufacturing method thereof | |
| JP2014075377A5 (ru) | ||
| JP2012164945A5 (ru) | ||
| EP2782138A3 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing the same | |
| RU2013118368A (ru) | Способ изготовления магниторезистивного датчика | |
| WO2016100303A3 (en) | Photolithography based fabrication of 3d structures | |
| JP2011242774A5 (ru) | ||
| JP2010283307A5 (ru) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PD4A | Correction of name of patent owner | ||
| PC43 | Official registration of the transfer of the exclusive right without contract for inventions |
Effective date: 20190507 |