JP2008084475A - 磁気記録再生ヘッドの検査方法 - Google Patents

Abstract

【課題】外部負荷に対して劣化が小さい磁気再生部を提供するための検査方法を提供する。
【解決手段】磁気記録部と磁気再生部が近接した磁気記録再生ヘッドの検査方法において、前記磁気記録部に対して、通常の磁気記録動作以上の負荷がかかる磁気記録動作を実行し、前記磁気記録動作後、前記磁気再生部の検査を行うことを特徴とする磁気記録再生ヘッドの検査方法を提供する。
【選択図】図１

Description

本発明は、一般には、検査方法に係り、特に、磁気記録部（又は書き込み素子）と磁気再生部（又は読み取り素子）とを有する磁気記録再生ヘッドの検査方法に関する。本発明は、例えば、ハードディスク装置（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｃ Ｄｒｉｖｅ：ＨＤＤ）に使用される巨大磁気抵抗（ＧＭＲ：Ｇｉａｎｔ Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）ヘッド素子、トンネル磁気抵抗ヘッド素子（Ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）などの高感度な読み取り素子を含む磁気記録再生ヘッドの検査方法に好適である。

近年のインターネット等の普及に伴って画像、映像を含む大容量の情報を安定して記録再生する磁気ディスク装置を安価に提供する需要が増大してきた。大容量化の需要に応えるために面記録密度を増加すると、磁気記録情報の最小単位である１ビットの記録媒体上での面積が縮小し、記録媒体から得られる信号磁界が弱くなる。この微弱な信号磁界を読み取るためには小型で高感度な読み取り素子が必要である。

かかる読み取り素子として、ＧＭＲヘッド素子やＴＭＲヘッド素子が知られている。従来は読み取り素子の読み取り性能試験を電磁変換特性に基づいて行い、読み取り素子をＨＤＤに搭載した後に装置全体の動作試験を行い、動作性能を確認していた。

従来技術としては、例えば、特許文献１がある。
特開２００５−９３０５４号公報

ＨＤＤの出荷前にはＨＤＤの良品・不良品を検査するための環境試験を行い、環境試験では、例えば、ＨＤＤを室温よりも高温下、即ち、外部負荷の下に置きその特性を検査する。しかし、高感度な読み取り素子は微細化が進み、磁界、熱（温度）、電波などの外部負荷によって読み取り特性が劣化しやすい。このため、かかる外部負荷によりＨＤＤの歩留まりが低下するという問題が発生する。特許文献１は、ＨＤＤに読み取り素子を搭載した後で外部負荷試験を行っているが、読み取り素子をＨＤＤに搭載する前に外部負荷に対して所定の耐性を有しない読み取り素子を不良品として除去すればＨＤＤの歩留まりが向上することが予想される。しかし、そのために新たに専用の外部負荷試験装置を設ければＨＤＤのコストアップを招き、ＨＤＤを安価に提供する需要に応えられない。

本発明は、外部負荷に対して劣化が小さい磁気再生部を提供するための検査方法に関する。

本発明の一側面としての検査方法は、磁気記録部と磁気再生部が近接した磁気記録再生ヘッドの検査方法において、前記磁気記録部に対して、通常の磁気記録動作以上の負荷がかかる磁気記録動作を実行し、前記磁気記録動作後、前記磁気再生部の検査を行うことを特徴とする。かかる検査方法は、磁気記録部と磁気再生部が近接していることを利用して磁気記録部が磁気再生部に外部負荷を加える。通常の磁気記録動作以上の負荷がかかる磁気記録動作により、通常の磁気記録動作における動作信頼性を確保する。また、従来からある磁気記録部を利用して外部負荷を加える手段を新たに設ける必要がないので検査コストのアップを防止することができる。「近接」とは、ＧＭＲヘッドやＴＭＲヘッドにみられるように、磁気記録再生ヘッドにおける磁気記録部と磁気再生部の距離が、例えば、５μｍと近いことをいう。但し、本発明は磁気記録部が磁気再生部に外部負荷を印加可能な距離であれば両者の距離を限定するものではない。

前記磁気再生部の検査は、例えば、定電流を前記磁気再生部を流した場合の前記磁気再生部の電圧を検査する。また、前記負荷は、磁気記録部に流す定格電流よりも大きな電流を磁気記録部に流したり、書き込み時の最大周波数で連続して書き込みを行ったり、磁気記録再生ヘッドが記録再生を行う磁気記録媒体の少なくとも１周分以上に相当する連続書き込みを行ってもよい。

本発明の別の側面としての試験方法は、ディスクから情報を読み取るための読み取り素子と前記ディスクに情報を書き込むための書き込み素子とを有するヘッドの前記読み取り素子の試験方法であって、前記ヘッドが記憶装置に搭載される前に、前記書き込み素子による負荷を印加した状態で前記読み取り素子の読み取り特性を検出するステップを有することを特徴とする。かかる試験方法によれば、検出ステップは、読み取り素子の読み取り特性を検出する際に読み取り素子に外部負荷を加える。従来のヘッドの試験機は、外部負荷を印加しないで読み取り素子の読み取り特性を検出する第１の機能と、外部負荷を印加しないで書き込み素子の書き込み特性を検出する第２の機能を有している。第２の機能は、書き込み素子に流す電流、周波数、回数を制御することができる。このため、従来の試験機にとって、第１の機能を発揮する際に第２の機能も同時に発揮することは大幅な変更ではない。外部負荷の印加は、従来から試験機に備わっている第２の機能を転用し、せいぜい従来の試験機のソフトウェアの変更で足り、新しい装置を必要としない。このため、試験コストの大幅なアップを抑えることができる。更に、かかる試験方法は、前記ヘッドが記憶装置に搭載される前に検査を行うために特許文献１よりもＨＤＤの歩留まりを向上させることができる。

本発明の別の側面としての記憶装置の製造方法は、ディスクから情報を読み取るための読み取り素子と前記ディスクに情報を書き込むための書き込み素子とを有するヘッドを備えた記憶装置の製造方法であって、前記ヘッドが前記記憶装置に搭載される前に、前記書き込み素子による負荷を印加した状態で前記読み取り素子の読み取り特性を検出するステップと、前記検出ステップが検出した前記読み取り素子の前記読み取り特性が許容範囲内であるかどうかを判断するステップと、前記判断結果を読み取り素子の前記読み取り特性が許容範囲内のものを前記記憶装置に搭載される候補として選択するステップとを有することを特徴とする。かかる製造方法によれば、判断ステップが所定の読み取り特性を有すると判断した読み取り素子のみを記憶装置に搭載するので記憶装置の歩留まりを向上することができる。また、その際、上述の検出ステップは記憶装置の製造コストの大幅なアップを抑えることができる。

本発明の別の側面としての記憶装置の製造方法は、ディスクから情報を読み取るための読み取り素子と前記ディスクに情報を書き込むための書き込み素子とを有するヘッドを備えた記憶装置の製造方法であって、前記ヘッドが前記記憶装置に搭載される前に、前記書き込み素子による負荷を印加しない状態で前記読み取り素子の読み取り特性を検出する第１の検出ステップと、前記ヘッドが前記記憶装置に搭載される前に、前記書き込み素子による負荷を印加した状態で前記読み取り素子の前記読み取り特性を検出する第２の検出ステップと、前記第１の検出ステップが検出した前記読み取り素子の前記読み取り特性に対する前記第２の検出ステップが検出した前記読み取り素子の前記読み取り特性の劣化が許容範囲内にあるかどうかを判断するステップと、前記読み取り素子の前記読み取り特性の劣化が許容範囲内のものを前記記憶装置に搭載される候補として選択するステップとを有することを特徴とする。かかる製造方法によれば、判断ステップが所定の読み取り特性を有すると判断した読み取り素子のみを記憶装置に搭載するので記憶装置の歩留まりを向上することができる。また、その際、上述の検出ステップは記憶装置の製造コストの大幅なアップを抑えることができる。

前記負荷は、例えば、磁界負荷及び／又は熱負荷である。前記検査ステップは、前記書き込み素子に流す電流、当該電流の周波数、又は、書き込み回数の少なくとも一つを前記ディスクに前記情報を実際に書き込む実使用モードにおける最高値以上に設定すればよい。必要があれば、前記電流の立ち上がりのオーバーシュート、前記電流の極性、前記周波数のパターン（連続パターンかランダムパターンか）も更に制御してもよい。

本発明の別の側面としてのプログラムは、ディスクから情報を読み取るための読み取り素子と前記ディスクに情報を書き込むための書き込み素子とを有するヘッドを備えた記憶装置の製造方法をコンピュータにより実行させるプログラムであって、前記ヘッドが前記記憶装置に搭載される前に、前記書き込み素子による前記負荷の印加前の前記読み取り素子の読み取り特性に対する前記負荷印加後の前記読み取り素子の前記読み取り特性の劣化が許容範囲内にあるかどうかを判断するステップと、前記判断ステップによる判断結果を前記ヘッドに関連付けて出力するステップとを有することを特徴とする。かかるプログラムは前記ヘッドの良品・不良品の選別に貢献する。

本発明の別の側面としての試験機は、ディスクから情報を読み取るための読み取り素子と前記ディスクに情報を書き込むための書き込み素子とを有するヘッドの試験機であって、前記ヘッドが前記記憶装置に搭載される前に、前記書き込み素子による負荷を印加しない状態で前記読み取り素子の読み取り特性を検出する第１のモードと、前記ヘッドが前記記憶装置に搭載される前に、前記書き込み素子の書き込み特性を検出する第２のモードと、前記ヘッドが前記記憶装置に搭載される前に、前記書き込み素子による負荷を印加した状態で前記読み取り素子の前記読み取り特性を検出する第３のモードとを有することを特徴とする。かかる試験機は、従来はなかった第３のモードを備えるが、第３のモードは第１及び第２のモードの変更であり、せいぜいソフトウェアの変更で足りる。このため、従来の試験機の大幅な設計変更を必要としない。

前記ヘッドが前記記憶装置に搭載される前に、前記書き込み素子による前記負荷の印加前の前記読み取り素子の読み取り特性に対する前記負荷印加後の前記読み取り素子の前記読み取り特性の劣化が許容範囲内にあるかどうかを判断する制御部を更に有することが好ましい。更に好ましくは、前記制御部による判断結果を前記ヘッドに関連して出力する出力部とを有する。

本発明の更なる目的又はその他の特徴は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施例によって明らかにされるであろう。

本発明によれば、外部負荷に対して劣化が小さい磁気再生部を提供するための検査方法を提供することができる。

以下、添付図面を参照して、後述するＨＤＤ（記憶装置）１００に使用される磁気ヘッド素子の試験機１について説明する。試験機１は、パーソナルコンピュータ（ＰＣ）１０と、被検物であるヘッドジンバルアッセンブリ（Ｈｅａｄ Ｇｉｍｂａｌ Ａｓｓｅｍｂｌｙ：ＨＧＡ）１１１を搭載する搭載部２０と、ディスク（記録媒体又は記憶媒体）３０と、検出部４０と、電流供給部５０とを有する。ＨＧＡ１１１は、スライダが搭載されたサスペンションアッセンブリであり、ヘッドサスペンションアッセンブリと呼ばれる場合もある。

試験機１は、ＨＧＡ１１１がＨＤＤ１００に搭載される前に、ＨＧＡ１１１の良品及び不良品の検査を行う試験機である。ＨＧＡ１１１は、後述するように、磁気ヘッド部１２０を搭載しており、磁気ヘッド部１２０は後述するディスク１０４に情報を書き込むための書き込み素子（後述するインダクティブヘッド素子１３０）とディスク１０４から情報を読み取るための読み取り素子（後述するＭＲヘッド素子１４０）とを有する。そして、試験機１は、読み取り素子と書き込み素子を試験してそれぞれか良品であるか不良品であるかをそれらと関連付けながら出力する。

ＰＣ１０は、試験機１の動作モードを制御すると共に試験結果を出力及び格納する。本実施例ではＰＣ１０は試験機１の一部であるが、別の実施例では、ＰＣ１０はネットワークを介して試験機１に接続されている。

ＰＣ１０は、ＰＣ本体１２と、キーボードやマウスなどの入力部１４と、ディスプレイなどの出力部１６とを有する。ＰＣ本体１２は、ＣＰＵなどの制御部１２ａと、本実施例の試験方法（又は製造方法）を格納するメモリ１２ｂとを有する。

試験機１の動作モードは第１乃至第３のモードを有する。試験機１の動作モードはＰＣ１０が試験機１の一部であっても、ネットワークを介して試験機１と接続されていても変わるものではない。各モードはソフトウェアプログラムとして具体化されてメモリ１２ｂに格納されており、ユーザは出力部１６を参照しながら入力部１４と制御部１２ａを通じていずれかのモードを選択することができる。

第１のモードにおいては、ＨＧＡ１１１がＨＤＤ１００に搭載される前に、書き込み素子による負荷を印加しない状態で読み取り素子の読み取り特性を検出する。第２のモードにおいては、ＨＧＡ１１１がＨＤＤ１００に搭載される前に、書き込み素子の書き込み特性を検出する。第３のモードにおいては、ＨＧＡ１１１がＨＤＤ１００に搭載される前に、書き込み素子による負荷を印加した状態で読み取り素子の読み取り特性を検出する。

搭載部２０は、ＨＧＡ１１１を搭載する。ＨＧＡ１１１が搭載部２０に搭載されている状態において、ＨＧＡ１１１の読み取り素子は媒体３０から情報を読み取り、それを検出部４０に送信する。検出部４０が検出した情報（読み取り素子の出力電圧値）はＰＣ１０の制御部１２ａに伝達される。また、ＨＧＡ１１１が搭載部２０に搭載されている状態において、ＰＣ１０の制御部１２ａは電流供給部５０を制御して書き取り素子に電流を所定の周波数パターンで供給し、書き取り素子より情報を媒体３０に書き込ませる。

以下、図２乃至図６を参照して、試験機１の動作について説明する。ここで、図２は、本実施例のＨＤＤ１００の製造方法を説明するためのフローチャートである。図３は、図２に示すステップ１０００の詳細を説明するためのフローチャートである。図４は、図３に示すステップ１１００の詳細を説明するためのフローチャートである。図５は、図３に示すステップ１２００の詳細を説明するためのフローチャートである。図６は、図３に示すステップ１３００の詳細を説明するためのフローチャートである。

図２を参照するに、制御部１２ａはＨＧＡ１１１の試験を実行する（ステップ１０００）。そして、制御部１２ａは試験に合格したＨＧＡ１１１をＨＤＤ１００に搭載する候補として選択する（ステップ２０００）。かかる製造方法によれば、ステップ１０００における後述する判断ステップ１３０４において制御部１２ａが外部負荷に対して劣化の少ないと判断した読み取り素子のみをＨＤＤ１００に搭載する。ＨＤＤ１００も装置全体として温度試験などの環境試験を行うが、ＨＤＤ１００に搭載されるＨＧＡ１１１は既にステップ１３００によって環境劣化の少ないものが選択されているために特許文献１よりもＨＤＤ１００の歩留まりを向上させることができる。以下、ステップ１０００の詳細について、図３乃至図６を参照して説明する。

図３を参照するに、まず、書き込み素子による負荷を印加しない状態で読み取り素子の試験を実行する（ステップ１１００）。この結果、試験に合格した読み取り素子のみがステップ１３００で使用される。次に、同様に、負荷を印加しない状態で書き込み素子の試験を実行する（ステップ１２００）。この結果、試験に合格した書き込み素子のみがステップ１３００で使用される。次に、書き込み素子による負荷を印加した状態で読み取り素子の試験を実行する（ステップ１３００）。この結果、試験に合格したＨＧＡ１１１が良品としてその後ＨＤＤ１００に搭載される。本実施例の試験方法は、ステップ１３００を有する点で従来の試験方法とは相違する。

ステップ１１００は、試験機１に従来から備わっている第１のモードにおける動作である。図４を参照するに、ステップ１１００は、まず、書き込み素子による負荷を印加しない状態で読み取り素子の読み取り特性（読み取り素子の出力）を検出する（ステップ１１０２）。次に、制御部１２ａは、読み取り素子の読み取り特性が許容範囲内にあるかどうかを判断する（ステップ１１０４）。許容範囲はメモリ１２ｂに格納されている。本実施例における許容範囲は、読み取り素子の理想出力値の±２０％の範囲であるが、これは単なる例示である。制御部１２ａは、許容範囲内にある読み取り特性を有する読み取り素子を良品（ステップ１１０６）、許容範囲外にある読み取り特性を有する読み取り素子を不良品とし（ステップ１１０８）、読み取り素子の識別子（ＩＤ）と関連付けて試験結果を出力部１６に出力すると共にメモリ１２ｂに格納する。試験に合格した読み取り素子のみがステップ１３００で使用される。この結果、たとえステップ１３００の条件を満足してもステップ１１００の条件を満足しない読み取り素子は除外される。

ステップ１２００は、試験機１に従来から備わっている第２のモードにおける動作である。図５を参照するに、ステップ１２００は、まず、書き込み素子に所定の電流を所定の周波数パターンで供給してその書き込み特性を検出する（ステップ１２０２）。次に、制御部１２ａは、書き込み素子の書き込み特性が許容範囲内にあるかどうかを判断する（ステップ１２０４）。許容範囲はメモリ１２ｂに格納されている。本実施例における許容範囲は、書き込み素子の理想値の±２０％の範囲であるが、これは単なる例示である。制御部１２ａは、許容範囲内にある書き込み特性を有する書き込み素子を良品（ステップ１２０６）、許容範囲外にある書き込み特性を有する書き込み素子を不良品とし（ステップ１２０８）、書き込み素子の識別子（ＩＤ）と関連付けて試験結果を出力部１６に出力すると共にメモリ１２ｂに格納する。試験に合格した書き込み素子のみがステップ１３００で使用される。この結果、たとえステップ１３００においては適正に動作する書き込み素子が使用される。

ステップ１３００は、試験機１に従来から備わっていない第３のモードにおける動作である。図６を参照するに、ステップ１３００は、まず、書き込み素子による負荷を印加した状態で読み取り素子の読み取り特性（読み取り素子の出力）を検出する（ステップ１３０２）。試験機１は、このとき印加される負荷が通常の磁気記録動作以上の負荷となるように、磁気記録動作を実行する。次に、制御部１２ａは、書き込み素子による負荷印加の前後における読み取り素子の読み取り特性の劣化量が許容範囲内にあるかどうかを判断する（ステップ１３０４）。許容範囲はメモリ１２ｂに格納されている。本実施例における許容範囲は、書き込み素子による負荷印加前の読み取り素子の読み取り特性に対する書き込み素子による負荷印加後の読み取り素子の読み取り特性で与えられる比が理想値の±２０％の範囲であるが、これは単なる例示である。理想値は１なので許容範囲は０．８乃至１．２となる。制御部１２ａは、許容範囲内にある読み取り特性を有する読み取り素子を良品（ステップ１３０６）、許容範囲外にある読み取り特性を有する読み取り素子を不良品とし（ステップ１３０８）、読み取り素子の識別子（ＩＤ）と関連付けて試験結果を出力部１６に出力すると共にメモリ１２ｂに格納する。

ステップ１３０２は、読み取り素子の読み取り特性を検出する際に読み取り素子に外部負荷を加える。従来の試験機は、第１及び第２のモードを有し、第２のモードにおいて制御部１２ａは、書き込み素子に流す電流、周波数、回数を制御することができる。試験機１にとって、第１のモード中に第２のモードの動作の一部も同時に発揮させることは大幅な変更ではない。書き込み素子による外部負荷の印加は、従来から試験機に備わっている第１及び第２のモードを転用する。このため、第３のモードの設定はせいぜい従来の試験機の第１及び第２のモードのプログラム（ソフトウェア）の変更で足り、新しい装置を必要としない。このため、第３のモードを設定しても試験コストの大幅なアップを抑えることができる。また、書き込み素子は、読み取り素子に非常に近接して配置されているために、書き込み素子を読み取り素子に対する外部負荷として使用することができる。更に、かかる試験方法は、ＨＧＡ１１１がＨＤＤ１００に搭載される前に検査を行う。ＨＤＤ１００も装置全体として温度試験などの環境試験を行うが、ＨＤＤ１００に搭載されるＨＧＡ１１１は既に環境劣化の少ないものが選択されているために特許文献１よりもＨＤＤ１００の歩留まりを向上させることができる。

外部負荷としては、磁界、熱、電波などがあるが、本実施例で書き込み素子が印加する負荷は、磁界負荷と及び／又は熱負荷である。磁界負荷と熱負荷は読み取り素子に影響を与える外部負荷の中で影響の大きい因子である。磁界負荷及び／又は熱負荷としたのは磁界負荷、熱負荷、磁界負荷及び熱負荷を印加する場合があるからである。例えば、磁界負荷のみを高くした場合に読み取り特性が劣化した場合には後述するシールド膜のプロセス状態を確認するなどのフィードバックが可能になる。

ここでいう磁界負荷又は熱負荷とはＨＤＤ１００を通常使用する場合に読み取り素子が受ける最高値又はそれ以上の負荷である。磁界負荷と熱負荷の制御においては、制御部１２ａは、書き込み素子に流す電流（例えば、定電流）、その電流の周波数、又は、書き込み回数の少なくとも一つをディスクに情報を実際に書き込む実使用モードにおける最高値以上に設定する。例えば、磁気記録部に流す定格電流よりも大きな電流を磁気記録部に流したり、書き込み時の最大周波数で連続して書き込みを行ったり、磁気記録再生ヘッドが記録再生を行う磁気記録媒体の少なくとも１周分以上に相当する連続書き込みを行ったりする。

書き込み回数は媒体３０一回転に対して一回とする。例えば、書き込み電流を高く設定して電流の周波数を低く設定すれば発熱（温度）負荷のみを高めることができる。書き込み電流を低く設定して電流の周波数を低く設定すれば磁界負荷の磁界強度や磁界振幅を高めることができる。書き込み電流、電流の周波数を共に高くすれば磁界負荷も熱負荷も高めることができる。必要があれば、制御部１２ａは、電流の立ち上がりのオーバーシュート、電流の極性、周波数のパターン（連続パターンかランダムパターンか）も更に制御する。これにより、磁界負荷や熱負荷のより細やかな制御を行うことができる。

書き込み電流４０ｍｌ、その電流の周波数５００ＭＨｚ、周波数パターンは連続パターン、書き込み回数１０００回で書き込み素子が外部負荷を読み取り素子に印加した。書き込み電流は、ＨＤＤ１００の実使用では約３０ｍｌであり、３割増しの値である。周波数５００ＭＨｚは現状のＨＤＤ１００における最高周波数である。書き込み回数は通常のＨＤＤ１００では１００回が保証されれば足りる。書き込み電流４０ｍｌと周波数５００ＭＨｚにより読み取り素子の温度は５５度以上となる。５５度はＨＤＤ１００が保証すべき環境温度の上限値である。

負荷印加前の読み取り素子の出力を横軸に、負荷印加後の読み取り素子の出力を縦軸にとり、複数の読み取り素子を試験した結果を図７（ａ）に示す。図７（ａ）においては、傾き１の直線が理想であり、傾き１の直線から±２０％の範囲が許容範囲である。理想楕円で囲った読み取り素子は許容範囲外の読み取り素子であり、制御部１２ａはこれらの読み取り素子を不良品として扱う。良品の読み取り素子を図７（ｂ）に示す。図７（ｂ）に示す読み取り素子をＨＤＤ１００に搭載した。その後、ＨＤＤ１００で装置全体としての環境試験を行った。環境試験では環境温度を５５度にするなどＨＤＤ１００の環境に対する特性を試験した。ＨＤＤ１００が環境試験に合格する比率をみると、図７（ｂ）に示す読み取り素子を使用した方が図７（ａ）に示す楕円領域を含む全ての読み取り素子を使用するよりも１０％から２０％向上した。

以下、図８乃至図１１を参照して、図２に示すステップ２０００においてＨＧＡ１１１が搭載された後のＨＤＤ１００について説明する。ＨＤＤ１００は、図８に示すように、筐体１０２内に、記録媒体（又は記憶媒体）としての一又は複数の磁気ディスク１０４と、スピンドルモータ１０６と、ヘッドスタックアッセンブリ（Ｈｅａｄ Ｓｔａｃｋ Ａｓｓｅｍｂｌｙ：ＨＳＡ）１１０とを収納する。ＨＧＡ１１１はヘッドスタックアッセンブリ１１０の一部を構成する。ここで、図８は、ＨＤＤ１００の内部構造の概略平面図である。

筐体１０２は、例えば、アルミダイカストやステンレスなどから構成され、直方体形状を有し、内部空間を密閉する図示しないカバーが結合される。磁気ディスク１０４は高い面記録密度、例えば、１００Ｇｂ／ｉｎ^２以上を有する。磁気ディスク１０４は、その中央に設けられた孔を介してスピンドルモータ１０６のスピンドル（ハブ）に装着される。

スピンドルモータ１０６は、例えば、図示しないブラシレスＤＣモータとそのロータ部分であるスピンドルを有する。例えば、２枚のディスク１０４を使用する場合、スピンドルには、ディスク、スペーサー、ディスク、クランプリングと順に積まれてスピンドルと締結したボルトによって固定される。

ＨＳＡ１１０は、磁気ヘッド部１２０と、キャリッジ１７０と、ベースプレート１７８と、サスペンション１７９とを有する。また、図１１はＨＧＡ１１１の上面図、側面図及び背面図である。

磁気ヘッド部１２０は、スライダ１２１と、スライダ１２１の空気流出端に接合されて、磁気記録再生ヘッド１２２とを有する。

スライダ１２１は、略直方体に形成されるＡｌ_２Ｏ_３−ＴｉＣ（アルチック）製であり、ヘッド１２２を支持して回転するディスク１０４の表面から浮上する。ヘッド１２２は、ディスク１０４に記録再生を施す。スライダ１２１の磁気ディスク１０４に対向する面は浮上面１２５として機能する。磁気ディスク１０４の回転に基づき生成される気流１２６は浮上面１２５に受け止められる。ここで、図９は、磁気ヘッド部１２０の概略斜視図である。

図１０は、ヘッド１２２の拡大平面図である。ヘッド１２２は、例えば、導電コイルパターン１３１で生起される磁界を利用してディスク１０４に２値情報を書き込む誘導書き込みヘッド素子（以下、「インダクティブヘッド素子」という。）１３０と、磁気ディスク１０４から作用する磁界に応じて変化する抵抗に基づき２値情報を読み取る磁気抵抗効果（以下、「ＭＲ」という。）ヘッド素子１４０とを有するＭＲインダクティブ複合ヘッドである。

ヘッド１２２は、インダクティブヘッド素子１３０とＭＲヘッド素子１４０を有する。

インダクティブヘッド素子１３０は、非磁性ギャップ層１３２と、上部磁極層１３４と、Ａｌ_２Ｏ_３からなる絶縁膜１３６と、上部シールド兼上部電極層１３９とを有する。但し、上部シールド兼上部電極１３９はＭＲヘッド素子１４０の一部も構成する。ＭＲヘッド素子１４０は、上部シールド層１３９と、下部シールド層１４２と、上部ギャップ層１４４と、下部ギャップ層１４６と、磁気抵抗効果膜１５０と、磁気抵抗効果膜１５０の両側に配置された一対のハードバイアス膜１６０とを有する。このように、インダクティブヘッド素子（磁気記録部）１３０とＭＲヘッド素子（磁気再生部）１４０は、例えば、５μｍと近接して配置されている。

磁気抵抗効果膜１５０は、例えば、スピンバルブ膜やＴＭＲ膜から構成される。ＴＭＲ膜の場合、図１０に示す下から順に、フリー（強磁性）層１５２、（非磁性）絶縁層１５４、ピンド（磁性）層１５６、反強磁性層１５８を有する。ＴＭＲ膜は、絶縁層１５４を２つの強磁性層で挟んだ構造を持つ強磁性トンネル接合を有し、２つの強磁性層間に電圧を印加した場合に−側の強磁性層中の電子が絶縁層をくぐり抜けて＋側の強磁性層にトンネルする現象を利用する。絶縁層１５４には、例えば、Ａｌ_２Ｏ_３膜を使用する。スピンバルブ膜の場合、ＭＲ素子はＣＰＰ−ＧＭＲ素子となる。この場合のスピンバルブ膜は、図１０に示す下から順に、フリー層１５２と、非磁性中間層１５４と、ピンド磁性層１５６と、交換結合層（反強磁性層）１５８とを有する。但し、通常、交換結合層の上部とフリー層の下部にはそれぞれ保護層とＴａ等の非磁性下地層が追加される。本実施例のＭＲヘッド素子１４０は、矢印ＣＦで示すように、磁気抵抗効果膜１５０の積層面に垂直に又は積層方向に平行にセンス電流を印加するＣＰＰ構造を有するが、本発明はＭＲ素子がＣＩＰ−ＧＭＲ素子であることをさまたげない。

再び図１に戻って、キャリッジ１７０は、磁気ヘッド部１２０を図１に示す矢印方向に回動又は揺動する機能を有し、図示しないボイスコイルモータと、支軸１７４と、フレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）１７５と、アーム１７６とを有する。

ボイスコイルモータは、一対のヨークに挟まれたフラットコイルを有する。フラットコイルは筐体１０２に設けられた図示しない磁気回路に対向して設けられており、フラットコイルに流される電流の値に応じてキャリッジ１７０が支軸１７４回りに揺動する。磁気回路は、例えば、筐体１０２内に固定された鉄板に固定された永久磁石と、キャリッジ１７０に固定された可動磁石を有する。

支軸１７４は、キャリッジ１７０に設けられた円筒中空孔に嵌合し、筐体１０２内に図１の紙面に垂直に配置される。ＦＰＣ１７５は、配線部に制御信号及びディスク１０４に記録されるべき信号並びに電力を供給すると共にディスク１０４から再生された信号を受信する。

アーム１７６は、アルミニウム製の剛体であり、その先端には貫通孔が設けられる。この貫通孔とベースプレート１７８を介してサスペンション１７９がアーム１７６に取り付けられる。

ベースプレート１７８は、サスペンション１７９をアーム１７６に取り付ける機能を有し、被溶接部と、ハブ１７８ａとを有する。被溶接部は、サスペンション１７９にレーザー溶接され、窪みは、アーム１７６にカシメ締結される。

サスペンション１７９は、磁気ヘッド部１２０を支持すると共に磁気ヘッド部１２０に対してディスク１０４に抗して弾性力を加える機能を有し、例えば、ステンレス製のサスペンションである。サスペンション１７９は磁気ヘッド部１２０を片持ち支持するフレキシャー１７９ａとベースプレート１７８に接続されるロードビーム１７９ｂとを有する。ロードビーム１７９ｂはＺ方向に十分な押付力を印加するようにバネ部を中央に有している。浮上面１２５がディスク１０４の反りやうねりに追従して常にディスク面と平行になるように、ディンプル（ピボットその他の名称で呼ばれる場合もある）という突起を介してロードビーム１７９ｂとフレキシャー１７９ａは接触している。磁気ヘッド部１２０はディンプルを中心に柔らかくピッチングとローリングができるように設計されている。また、サスペンション１７９は磁気ヘッド部１２０にリード線などを介して接続される配線部も支持する。

また、サスペンション１７９は、図１１に示すように、磁気ヘッド部１２０に電気的に接続されるサスペンション基板１８０も搭載する。サスペンション基板１８０は、ヘッド１２２とメインＦＰＣ１７５に電気的に接続され、センス電流（読み出し電流）、書き込み情報及び読み出し情報を送信する。サスペンション基板１８０は、サスペンション１７９の磁気ヘッド部１２０が搭載された面の溶接部１７９ｃにおいてサスペンション１７９に溶接（固定）される。

サスペンション基板１８０は、基部１８１と、折れ曲がり部１８２と、ロングテール１８３と、ロングテール１８３の先端の接合端子部１８４と、接合端子部１８４及びメインＦＰＣ１７５と接続されるメイン端子部１８５とを有する。

基部１８１は、一端が磁気ヘッド部１２０に接続された図示しない配線部であり、他端がサスペンション１７９とベースプレート１７８との境界部近傍にある。基部１８１は磁気ヘッド部１２０からサスペンション１７９の中央を長手方向に沿って延びる。長手方向はベースプレート１７８の長手方向に平行である。

折れ曲がり部１８２は、基部１８１の端部からアームの外側に向かって（即ち、長手方向Ｌに垂直な水平方向に沿って）９０度折れ曲がる。折れ曲がり部１８２のもう一つの端部は更にアーム１７６の側面で約９０度折れ曲がる。

ロングテール１８３は、折れ曲がり部１８２の他端から開始し、接合端子部１８４を介してメインＦＰＣ１７５との接続部又はメイン端子部１８５で終了し、アーム１７６の側面に沿って延びる。ロングテール１８３を含むサスペンション基板１８０はＳＵＳなどの剛性の高い又は実質的に剛性の基板にポリイミドなどの絶縁層を介して配線パターンが形成されている。

このように、本実施例はロングテール１８３を有するロングテールサスペンションを使用する。ロングテールサスペンションは、ヘッドに電気的に接続されてサスペンションの表面に取り付けられたサスペンション基板をキャリッジ上に設けられたプリアンプ用のメインフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）に到達するまで延長したものである。ロングテールサスペンションは、メインＦＰＣとサスペンション基板を接続していた従来の中継ＦＰＣをサスペンション基板と一体化させてインピーダンスマッチングを図ったものである。

端子部１８４及び１８５は、ロングテール１８３の長手方向の周りに９０度折り曲げられてメインＦＰＣ１７５に半田付けで接続される。端子部１８５は、ヘッド１２２の２つの記録用端子と、２つの再生用端子を有する。別の実施例では、２つの浮上量制御用端子を更に有してもよい。

ＨＤＤ１００の動作において、スピンドルモータ１０６はディスク１０４を回転させる。ディスク１０４の回転に伴う空気流をスライダ１２１とディスク１０４との間に巻き込み微小な空気膜を形成する。かかる空気膜により、スライダ１２１にはディスク面から浮上する浮力が作用する。サスペンション１７９はスライダの浮力と対向する方向に弾性押付力をスライダに加える。この結果、浮力と弾性力の釣り合いが形成される。

上述の釣り合いにより、磁気ヘッド部１２０とディスク１０４との間が一定距離だけ離間する。次に、キャリッジ１７０を支軸１７４回りに回動させ、ヘッドをディスク１０４の目的のトラック上にシークさせる。書き込み時には、インターフェースを介して図示しないＰＣなどの上位装置から得たデータを受信し、これを変調してインダクティブヘッド素子１３０に供給し、インダクティブヘッド素子１３０を介して目的のトラックにデータを書き込む。読み出し時には、ＭＲヘッド素子１４０に所定のセンス電流が供給され、ＭＲヘッド素子１４０はディスク１０４の所望のトラックから所望の情報を読み出す。本実施例は、外部負荷に対して耐性の高いＭＲヘッド素子１４０を選別しているのでＨＤＤ１００の読み出し動作も安定する。

以上、本発明の実施の形態を説明したが、本発明はこれらの実施の形態に限定されず、その要旨の範囲内で様々な変形及び変更が可能である。例えば、本発明は、磁気ヘッドのみならず磁気センサ（例えば、変位や角度を検出する磁気ポテンショメータ、磁気カードの読み取りや磁気インクで印刷された紙幣の認識など）にも適用可能である。

本発明は更に以下の事項を開示する。

（付記１） 磁気記録部と磁気再生部が近接した磁気記録再生ヘッドの検査方法において、前記磁気記録部に対して、通常の磁気記録動作以上の負荷がかかる磁気記録動作を実行し、前記磁気記録動作後、前記磁気再生部の検査を行うことを特徴とする磁気記録再生ヘッドの検査方法。（１）
（付記２） 前記磁気再生部の検査は、定電流を前記磁気再生部を流した場合の前記磁気再生部の電圧を検査することを特徴とする付記１記載の磁気記録再生ヘッドの検査方法。（２）
（付記３） 前記負荷は、磁気記録部に流す定格電流よりも大きな電流を磁気記録部に流すことを特徴とする付記１記載の磁気記録再生ヘッドの検査方法。（３）
（付記４） 前記負荷は、書き込み時の最大周波数で連続して書き込みを行うことを特徴とする付記１記載の磁気記録再生ヘッドの検査方法。（４）
（付記５） 前記負荷は、磁気記録再生ヘッドが記録再生を行う磁気記録媒体の少なくとも１周分以上に相当する連続書き込みを行うことを特徴とする付記１記載の磁気記録再生ヘッドの検査方法。（５）
（付記６） ディスクから情報を読み取るための読み取り素子と前記ディスクに情報を書き込むための書き込み素子とを有するヘッドの前記読み取り素子の試験方法であって、
前記ヘッドが記憶装置に搭載される前に、前記書き込み素子による負荷を印加した状態で前記読み取り素子の読み取り特性を検出するステップを有することを特徴とする試験方法。

（付記７） ディスクから情報を読み取るための読み取り素子と前記ディスクに情報を書き込むための書き込み素子とを有するヘッドを備えた記憶装置の製造方法であって、
前記ヘッドが前記記憶装置に搭載される前に、前記書き込み素子による負荷を印加した状態で前記読み取り素子の読み取り特性を検出するステップと、
前記検出ステップが検出した前記読み取り素子の前記読み取り特性が許容範囲内であるかどうかを判断するステップと、
前記判断結果を読み取り素子の前記読み取り特性が許容範囲内のものを前記記憶装置に搭載される候補として選択するステップとを有することを特徴とする製造方法。

（付記８） ディスクから情報を読み取るための読み取り素子と前記ディスクに情報を書き込むための書き込み素子とを有するヘッドを備えた記憶装置の製造方法であって、
前記ヘッドが前記記憶装置に搭載される前に、前記書き込み素子による負荷を印加しない状態で前記読み取り素子の読み取り特性を検出する第１の検出ステップと、
前記ヘッドが前記記憶装置に搭載される前に、前記書き込み素子による負荷を印加した状態で前記読み取り素子の前記読み取り特性を検出する第２の検出ステップと、
前記第１の検出ステップが検出した前記読み取り素子の前記読み取り特性に対する前記第２の検出ステップが検出した前記読み取り素子の前記読み取り特性の劣化が許容範囲内にあるかどうかを判断するステップと、
前記読み取り素子の前記読み取り特性の劣化が許容範囲内のものを前記記憶装置に搭載される候補として選択するステップとを有することを特徴とする製造方法。

（付記９） 前記負荷は、磁界負荷又は熱負荷であることを特徴とする付記７又は８記載の製造方法。

（付記１０） 前記検査ステップは、前記書き込み素子に流す電流、当該電流の周波数、又は、書き込み回数の少なくとも一つを前記ディスクに前記情報を実際に書き込む実使用モードにおける最高値以上に設定することを特徴とする付記７又は８記載の製造方法。

（付記１１） ディスクから情報を読み取るための読み取り素子と前記ディスクに情報を書き込むための書き込み素子とを有するヘッドを備えた記憶装置の製造方法をコンピュータにより実行させるプログラムであって、
前記ヘッドが前記記憶装置に搭載される前に、前記書き込み素子による前記負荷の印加前の前記読み取り素子の読み取り特性に対する前記負荷印加後の前記読み取り素子の前記読み取り特性の劣化が許容範囲内にあるかどうかを判断するステップと、
前記判断ステップによる判断結果を前記ヘッドに関連付けて出力するステップとを有することを特徴とするプログラム。

（付記１２） ディスクから情報を読み取るための読み取り素子と前記ディスクに情報を書き込むための書き込み素子とを有するヘッドの試験機であって、
前記ヘッドが前記記憶装置に搭載される前に、前記書き込み素子による負荷を印加しない状態で前記読み取り素子の読み取り特性を検出する第１のモードと、
前記ヘッドが前記記憶装置に搭載される前に、前記書き込み素子の書き込み特性を検出する第２のモードと、
前記ヘッドが前記記憶装置に搭載される前に、前記書き込み素子による負荷を印加した状態で前記読み取り素子の前記読み取り特性を検出する第３のモードとを有することを特徴とする試験機。

（付記１３） 前記ヘッドが前記記憶装置に搭載される前に、前記書き込み素子による前記負荷の印加前の前記読み取り素子の読み取り特性に対する前記負荷印加後の前記読み取り素子の前記読み取り特性の劣化が許容範囲内にあるかどうかを判断する制御部を更に有することを特徴とする付記１２記載の試験機。

本発明の一実施例としての試験機の平面図である。 本発明の一実施例の製造方法を説明するためのフローチャートである。 図２に示すステップ１０００の詳細を説明するためのフローチャートである。 図３に示すステップ１１００の詳細を説明するためのフローチャートである。 図３に示すステップ１２００の詳細を説明するためのフローチャートである。 図３に示すステップ１３００の詳細を説明するためのフローチャートである。 図７（ａ）は、図３に示すステップ１０００の結果を示すグラフであり、図７（ｂ）は、図３に示すステップ１０００の試験を合格した読み取り素子のグラフである。 図１に示すヘッドジンバルアッセンブリが搭載されるＨＤＤの平面図である。 図８に示す磁気ヘッド部の詳細を示す斜視図、部分拡大平面図、ヘッドの概略断面図である。 図９に示す磁気ヘッド部の概略拡大平面図である。 図１に示すヘッドジンバルアッセンブリの上面図、側面図および背面図である。

符号の説明

１ 試験機
１０ パーソナルコンピュータ（ＰＣ）
１２ａ 制御部
１００ ハードディスク装置（ＨＤＤ）
１１１ ヘッドジンバルアッセンブリ
１２０ 磁気ヘッド部
１４０ ＭＲヘッド素子（読み取り素子）

Claims (5)

1. 磁気記録部と磁気再生部が近接した磁気記録再生ヘッドの検査方法において、
   前記磁気記録部に対して、通常の磁気記録動作以上の負荷がかかる磁気記録動作を実行し、
   前記磁気記録動作後、前記磁気再生部の検査を行うことを特徴とする磁気記録再生ヘッドの検査方法。
2. 前記磁気再生部の検査は、定電流を前記磁気再生部を流した場合の前記磁気再生部の電圧を検査することを特徴とする請求項１記載の磁気記録再生ヘッドの検査方法。
3. 前記負荷は、磁気記録部に流す定格電流よりも大きな電流を磁気記録部に流すことを特徴とする請求項１記載の磁気記録再生ヘッドの検査方法。
4. 前記負荷は、書き込み時の最大周波数で連続して書き込みを行うことを特徴とする請求項１記載の磁気記録再生ヘッドの検査方法。
5. 前記負荷は、磁気記録再生ヘッドが記録再生を行う磁気記録媒体の少なくとも１周分以上に相当する連続書き込みを行うことを特徴とする請求項１記載の磁気記録再生ヘッドの検査方法。