JP2008081622A - 感放射線性樹脂組成物用重合体、感放射線性樹脂組成物、及びレジストパターン形成方法 - Google Patents

Abstract

【課題】波長１９３ｎｍにおける屈折率が１．７２以上であり、かつ、レジスト膜としてパターンニング可能な感放射線性樹脂組成物用重合体を提供する。
【解決手段】下記一般式で表される繰り返し単位を含有する感放射線性樹脂組成物用重合体。

（前記式中、Ｒ^１は水素等を表し、Ｒ^２はそれぞれ互いに独立して、炭素数１〜１０の直鎖状のアルキル基等を表し、Ｘは酸素原子又は硫黄原子で、少なくとも一つが硫黄原子を表す）
【選択図】なし

Description

本発明は、レンズとフォトレジスト膜との間に、波長１９３ｎｍにおける屈折率が空気よりも高い液浸露光用液体を配置し、この液浸露光用液体を介して前記フォトレジスト膜に放射線を照射する液浸露光工程を備えるレジストパターン形成方法によって形成されるレジストパターンを得るための感放射線性樹脂組成物用重合体、感放射線性樹脂組成物、及びレジストパターン形成方法に関する。更に詳しくは、高い屈折率を有し、得られるレジストパターン形状が良好であり、焦点深度に優れ、かつ液浸露光時に接触した水への溶出物の量が少ないフォトレジスト膜を得るための感放射線性樹脂組成物用重合体、感放射線性樹脂組成物、及びレジストパターン形成方法に関する。

集積回路素子の製造に代表される微細加工の分野においては、より高い集積度を得るために、最近では０．１０μｍ以下のレベルでの微細加工が可能なリソグラフィー技術が必要とされている。従来のリソグラフィープロセスでは、一般に放射線としてｉ線等の近紫外線が用いられている。しかし、この近紫外線では、サブクオーターミクロンレベルの微細加工が極めて困難になる傾向がある。そこで、０．２０μｍ以下のレベルでの微細加工を可能とするために、より波長の短い放射線の利用が検討されている。このような短波長の放射線としては、例えば、水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、Ｘ線、電子線等を挙げることができる。これらのうち、特に、ＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）又はＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）が注目されている。

これらのエキシマレーザーの照射に適したレジスト膜として、酸解離性官能基を有する成分と、放射線の照射（以下、「露光」という。）により酸を発生する成分（以下、「酸発生剤」という。）と、による化学増幅効果を利用したレジスト膜（以下、「化学増幅型レジスト」という場合がある）が数多く提案されている。この化学増幅型レジストとしては、例えば、カルボン酸のｔ−ブチルエステル基、又はフェノールのｔ−ブチルカーボナート基を有する樹脂と酸発生剤とを含有するものが提案されている。この化学増幅型レジストは、露光により発生した酸の作用により、樹脂中に存在するｔ−ブチルエステル基又はｔ−ブチルカーボナート基が解離して、上記樹脂がカルボキシル基又はフェノール性水酸基からなる酸性基を有するようになる。その結果、化学増幅型レジストの露光領域がアルカリ現像液に易溶性となるものである。

このようなリソグラフィープロセスにおいては、今後は更に微細なレジストパターン形成（例えば、線幅が９０ｎｍ程度の微細なレジストパターン）が要求される。そして、９０ｎｍより微細な線幅のレジストパターン形成を達成させるためには、前記のように露光装置の光源波長の短波長化や、レンズの開口数（ＮＡ）を増大させることが考えられる。しかしながら、光源波長の短波長化には新たな高額の露光装置が必要となる。また、レンズの高ＮＡ化では、解像度と焦点深度がトレードオフの関係にあるため、解像度を上げても焦点深度が低下するという問題がある。

最近、このような問題を解決可能とするリソグラフィー技術として、液浸露光（リキッドイマージョンリソグラフィー）法という方法が報告されている。この方法は、露光時に、レンズと基板上のレジスト膜（以下「レジスト被膜」という場合がある）との間の少なくともレジスト被膜上に所定の厚さの純水又はフッ素系不活性液体等の液状屈折率媒体（液浸液）を介在させる方法である。この方法では、従来は空気や窒素等の不活性ガスであった露光光路空間を屈折率（ｎ）のより大きい液体、例えば、純水等で置換することにより、同じ露光波長の光源を用いても、より短波長の光源を用いた場合や高ＮＡレンズを用いた場合と同様に、高解像性が達成されると同時に焦点深度の低下もない。このような液浸露光を用いれば、現存の装置に実装されているレンズを用いて、低コストで、より高解像性に優れ、かつ、焦点深度にも優れるレジストパターンの形成を実現できるため、大変注目されている。

ところが、液浸露光プロセスにおいては、液状屈折率媒体（液浸液）の屈折率が、例えば、レジスト被膜の屈折率よりも高いと、スネルの法則により光が液浸液からレジスト被膜へ入射しづらくなる。そのため、感度等の基本性能が劣化してしまう可能性があった。更に屈折率が高い液浸液であると、液浸液とレジスト被膜との屈折率の差が大きくなり、光は液浸液とレジスト被膜との界面で全反射してしまう。従って、光が全くレジスト被膜へ入射しなくなってしまうため、十分な感度が得られなくなり、レジストプロセスのスループットを著しく低下させるという問題点が予想される。

そこで、特に、波長１９３ｎｍにおける屈折率が１．７０以上の液浸液（屈折率が高い液浸液）を使用する場合には、例えば、この液浸液よりも高い屈折率を有するレジスト被膜を用いることが提案されている（非特許文献１、非特許文献２参照）。

ＳＰＩＥ２００６ ６１５３０Ｈ ＳＰＩＥ２００６ ６１５３１Ｌ

しかしながら、非特許文献１及び非特許文献２の材料（感放射線性樹脂組成物）により形成されるレジスト被膜は、波長１９３ｎｍにおける屈折率は高いが、レジストパターン形成ができず、レジスト膜としての機能を有するものではない。そのため、波長１９３ｎｍにおける屈折率が高く（例えば、屈折率１．７０以上）、レジスト膜としてパターンニング可能な感放射線性樹脂組成物が切望されている。

本発明は、このような従来技術の有する問題点に鑑みてなされたものであり、その課題とするところは、波長１９３ｎｍにおける屈折率が１．７２以上であり、かつ、レジスト膜としてパターンニング可能な感放射線性樹脂組成物用重合体、感放射線性樹脂組成物、及びレジストパターン形成方法を提供することにある。

本発明者らは上記課題を達成すべく鋭意検討した結果、所定の繰り返し単位を含有する重合体によって、上記課題を達成することが可能であることを見出し、本発明を完成するに至った。

即ち、本発明によれば、以下に示す感放射線性樹脂組成物用重合体、感放射線性樹脂組成物、及びレジストパターン形成方法が提供される。

［１］ 下記一般式（１）で表される繰り返し単位を含有する感放射線性樹脂組成物用重合体。

（前記一般式（１）中、Ｒ^１は水素、メチル基、又は、トリフルオロメチル基を表し、Ｒ^２はそれぞれ互いに独立して、炭素数１〜１０の直鎖状のアルキル基、炭素数４〜１０の分岐状のアルキル基、炭素数４〜２０の置換若しくは非置換の脂環式炭化水素基、又は、２つのＲ^２が結合して形成した一つの炭素数１〜６のアルキレン基を表し、Ｘは酸素原子又は硫黄原子であって、少なくとも一つが硫黄原子を表す）

［２］ 酸の作用によりアルカリ可溶性となる前記［１］に記載の感放射線性樹脂組成物用重合体。

［３］ 前記［１］又は［２］に記載の感放射線性樹脂組成物用重合体（Ａ）、及び感放射線性酸発生剤（Ｂ）を含有する感放射線性樹脂組成物。

［４］ フォトレジスト膜を形成した場合、形成された前記フォトレジスト膜の波長１９３ｎｍにおける屈折率が、１．７２以上である感放射線性樹脂組成物。

［５］ レンズとフォトレジスト膜との間に、波長１９３ｎｍにおける屈折率が水の屈折率以上である液浸露光用液体を配置し、この液浸露光用液体を介して前記フォトレジスト膜に放射線を照射する液浸露光工程を備えるレジストパターン形成方法であって、前記［３］又は［４］に記載の感放射線性樹脂組成物を用いて、前記フォトレジスト膜を形成するレジストパターン形成方法。

本発明の感放射線性樹脂組成物用重合体は、波長１９３ｎｍにおける屈折率が１．７２以上であり、かつ、レジストとしてパターンニング可能なフォトレジスト膜を形成するための感放射線性樹脂組成物を得ることができるという効果を奏するものである。

また、本発明の感放射線性樹脂組成物は、波長１９３ｎｍにおける屈折率が１．７２以上であり、かつ、レジストとしてパターンニング可能なフォトレジスト膜を形成することができるという効果を奏するものである。

更に、本発明のレジストパターン形成方法は、波長１９３ｎｍにおける屈折率が１．７２以上であり、かつ、レジストとしてパターンニング可能なフォトレジスト膜を形成することができるという効果を奏するものである。

以下、本発明の実施の最良の形態について説明するが、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、当業者の通常の知識に基づいて、以下の実施の形態に対し適宜変更、改良等が加えられたものも本発明の範囲に入ることが理解されるべきである。

［１］感放射線性樹脂組成物用重合体：
本発明の感放射線性樹脂組成物用重合体は、下記一般式（１）で表される繰り返し単位を含有するものである。このような感放射線性樹脂組成物用重合体を含有することによって、波長１９３ｎｍにおける屈折率が１．７２以上であり、かつ、レジスト膜としてパターンニング可能な感放射線性樹脂組成物を得ることができる。以下、その詳細について説明する。

（前記一般式（１）中、Ｒ^１は水素、メチル基、又は、トリフルオロメチル基を表し、Ｒ^２はそれぞれ互いに独立して、炭素数１〜１０の直鎖状のアルキル基、炭素数４〜１０の分岐状のアルキル基、炭素数４〜２０の置換若しくは非置換の脂環式炭化水素基、又は、２つのＲ^２が結合して形成した一つの炭素数１〜６のアルキレン基を表し、Ｘは酸素原子又は硫黄原子であって、少なくとも一つが硫黄原子を表す）

［１−１］繰り返し単位：
本発明の感放射線性樹脂組成物用重合体に含有される繰り返し単位（以下、「繰り返し単位（イ）」という場合がある。）は、上記一般式（１）で表されるものである。

一般式（１）中のＲ^１は水素、メチル基、又は、トリフルオロメチル基であり、これらの中でも、メチル基が好ましい。

一般式（１）中のＲ^２の炭素数１〜１０の直鎖状のアルキル基、炭素数４〜１０の分岐状のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、２−メチルプロピル基、１−メチルプロピル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基等を挙げることができる。これらのアルキル基のうち、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基等が好ましい。

一般式（１）中のＲ^２の炭素数４〜２０の置換または非置換の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン等のシクロアルカン、ノルボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン、アダマンタン等のシクロアルカン類に由来する基；上記シクロアルカン類を、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、２−メチルプロピル基、１−メチルプロピル基、ｔ−ブチル基等の炭素数１〜４の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基のうち少なくとも１種で置換した基、又は上記アルキル基を複数置換した基等を挙げることができる。これらの脂環式炭化水素基のうち、シクロペンタン若しくはシクロヘキサンに由来する基、ノルボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン、アダマンタン、又は、これらを上記アルキル基で置換した基等が好ましい。

また、一般式（１）中のＲ^２の２つのＲ^２が結合して形成した一つの炭素数１〜６のアルキレン基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、１，３−プロピレン基または１，２−プロピレン基などのプロピレン基、ブチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基等を挙げることができる。これらの中でもプロピレン基、ブチレン基、ペンタメチレン基が好ましい。

なお、一般式（１）中のＲ^２としては、例えば、ヒドロキシル基；カルボキシル基；オキソ基（即ち、＝Ｏ基）；ヒドロキシメチル基、１−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシエチル基、１−ヒドロキシプロピル基、２−ヒドロキシプロピル基、３−ヒドロキシプロピル基、１−ヒドロキシブチル基、２−ヒドロキシブチル基、３−ヒドロキシブチル基、４−ヒドロキシブチル基等の炭素数１〜４のヒドロキシアルキル基；メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、２−メチルプロポキシ基、１−メチルプロポキシ基、ｔ−ブトキシ基等の炭素数１〜４のアルコキシル基；シアノ基；シアノメチル基、２−シアノエチル基、３−シアノプロピル基、４−シアノブチル基等の炭素数２〜５のシアノアルキル基等の置換基で置換した上記脂環式炭化水素基の誘導体であってもよい。この脂環式炭化水素基の誘導体は、上記置換基を１種以上有していてもよい。又は、上記置換基を複数有するものであってもよい。これらの置換基の中でも、ヒドロキシル基、カルボキシル基、ヒドロキシメチル基、シアノ基、シアノメチル基等が好ましい。

本発明の感放射線性樹脂組成物用重合体中の繰り返し単位（１）を構成するための単量体としては、具体的には、以下の一般式（１−１）〜（１−８）で表されるものを好適に用いることができる。なお、本発明の感放射線性樹脂組成物用重合体は、２種以上の繰り返し単位（１）を含有してもよい。

（前記一般式（１−１）〜（１−８）中、Ｒは水素、メチル基、又はトリフルオロメチル基を表す）

［１−２］その他の繰り返し単位：
本発明の感放射線性樹脂組成物用重合体は、上記繰り返し単位（１）以外に、更に、下記一般式（２）で表される基（側鎖）を有する繰り返し単位（以下、「繰り返し単位（２）」という場合がある）を含有することが好ましい。

（前記一般式（２）中、Ｒ^３は相互に独立に、炭素数４〜２０の一価の脂環式炭化水素基若しくはその誘導体、又は炭素数１〜４の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基を表し、かつ、Ｒ^３の少なくとも１つが上記脂環式炭化水素基若しくはその誘導体であり、３つのＲ^３のうち何れか２つのＲ^３が相互に結合して、それぞれが結合している炭素原子と共に炭素数４〜２０の２価の脂環式炭化水素基若しくはその誘導体を形成し、残りのＲ^３が炭素数１〜４の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、又は炭素数４〜２０の一価の脂環式炭化水素基若しくはその誘導体を表す）

一般式（２）中のＲ^３の炭素数４〜２０の一価の脂環式炭化水素基またはその誘導体、及び３つのＲ^３のうち何れか２つのＲ^３が相互に結合して形成した炭素数４〜２０の２価の脂環式炭化水素基またはその誘導体としては、上述した一般式（１）中のＲ^２の炭素数４〜２０の置換または非置換の脂環式炭化水素基と同様のものを用いることができる。

一般式（２）中のＲ^３の炭素数１〜４の直鎖状または分岐状のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、２−メチルプロピル基、１−メチルプロピル基、ｔ−ブチル基等を挙げることができる。これらの中でも、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基が好ましい。

上記一般式（２）で表される基としては、具体的には、以下の一般式（ａ）〜（ｄ）で表される基であることが好ましい。

（前記一般式（ａ）〜（ｄ）中、Ｒ^４は相互に独立に、炭素数１〜４の直鎖状または分岐状のアルキル基を表し、ｍは０〜４の整数である。）

一般式（ａ）〜（ｄ）中のＲ^４の炭素数１〜４の直鎖状または分岐状のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、２−メチルプロピル基、１−メチルプロピル基、ｔ−ブチル基等を挙げることができる。これらの中でも、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基が好ましい。

なお、一般式（ａ）で表される基は、２つのＲ^４がともに、メチル基であることが好ましい。一般式（ｂ）で表される基は、Ｒ^４がメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基であることが好ましい。一般式（ｃ）で表される基は、ｍが０でＲ^４がメチル基であるもの、ｍが０でＲ^４がエチル基であるもの、ｍが１でＲ^４がメチル基であるもの、ｍが１でＲ^４がエチル基であるものが好ましい。一般式（ｄ）で表される基は、２つのＲ^４がともにメチル基であることが好ましい。

また、繰り返し単位（２）は、上記一般式（２）で表される基以外に、例えば、ｔ−ブトキシカルボニル基や、下記式（ｅ−１）〜（ｅ−８）で表される基等を有することもできる。

なお、繰り返し単位（２）の主鎖骨格は、特に限定されるものではないが、好ましくは、メタクリル酸エステル、アクリル酸エステル、又はαトリフルオロアクリル酸エステルなどの構造である。なお、本明細書において、「（メタ）アクリル酸エステル」とは、アクリル酸エステル及びメタクリル酸エステルの双方を意味する。

上記繰り返し単位（２）を構成するための単量体としては、例えば、（メタ）アクリル酸２−メチルアダマンチル−２−イルエステル、（メタ）アクリル酸２−メチル−３−ヒドロキシアダマンチル−２−イルエステル、（メタ）アクリル酸２−エチルアダマンチル−２−イルエステル、（メタ）アクリル酸２−エチル−３−ヒドロキシアダマンチル−２−イルエステル、（メタ）アクリル酸２−ｎ−プロピルアダマンチル−２−イルエステル、（メタ）アクリル酸２−イソプロピルアダマンチル−２−イルエステル、（メタ）アクリル酸−２−メチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−イルエステル、（メタ）アクリル酸−２−エチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−イルエステル、（メタ）アクリル酸−８−メチルトリシクロ［５．２．１．０^２，６］デカン−８−イルエステル、（メタ）アクリル酸−８−エチルトリシクロ［５．２．１．０^２，６］デカン−８−イルエステル、（メタ）アクリル酸−４−メチルテトラシクロ［６．２．１^３，６．０^２，７］ドデカン−４−イルエステル、（メタ）アクリル酸−４−エチルテトラシクロ［６．２．１^３，６．０^２，７］ドデカン−４−イルエステル、

（メタ）アクリル酸１−（ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−イル）−１−メチルエチルエステル、（メタ）アクリル酸１−（トリシクロ［５．２．１．０^２，６］デカン−８−イル）−１−メチルエチルエステル、（メタ）アクリル酸１−（テトラシクロ［６．２．１^３，６．０^２，７］ドデカン−４−イル）−１−メチルエチルエステル、（メタ）アクリル酸１−（アダマンタン−１−イル）−１−メチルエチルエステル、（メタ）アクリル酸１−（３−ヒドロキシアダマンタン−１−イル）−１−メチルエチルエステル、（メタ）アクリル酸１，１−ジシクロヘキシルエチルエステイル、（メタ）アクリル酸１，１−ジ（ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−イル）エチルエステル、（メタ）アクリル酸１，１−ジ（トリシクロ［５．２．１．０^２，６］デカン−８−イル）エチルエステル、（メタ）アクリル酸１，１−ジ（テトラシクロ［６．２．１^３，６．０^２，７］ドデカン−４−イル）エチルエステル、（メタ）アクリル酸１，１−ジ（アダマンタン−１−イル）エチルエステル、（メタ）アクリル酸１−メチル−１−シクロペンチルエステル、（メタ）アクリル酸１−エチル−１−シクロペンチルエステル、（メタ）アクリル酸１−メチル−１−シクロヘキシルエステル、（メタ）アクリル酸１−エチル−１−シクロヘキシルエステル等が挙げられる。

これらの中でも、（メタ）アクリル酸２−メチルアダマンチル−２−イルエステル、（メタ）アクリル酸２−エチルアダマンチル−２−イルエステル、（メタ）アクリル酸−２−メチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−イルエステル、（メタ）アクリル酸−２−エチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−イルエステル、（メタ）アクリル酸１−（ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−イル）−１−メチルエチルエステル、（メタ）アクリル酸１−（アダマンタン−１−イル）−１−メチルエチルエステル、（メタ）アクリル酸１−メチル−１−シクロペンチルエステル、（メタ）アクリル酸１−エチル−１−シクロペンチルエステル、（メタ）アクリル酸１−メチル−１−シクロヘキシルエステル、（メタ）アクリル酸１−エチル−１−シクロヘキシルエステルが好ましい。なお、本発明の感放射線性樹脂組成物用重合体は、２種以上の繰り返し単位（２）を含有してもよい。

本発明の感放射線性樹脂組成物用重合体は、上述した繰り返し単位（１）及び繰り返し単位（２）以外の繰り返し単位（以下、「他の繰り返し単位」という場合がある）を含有することができる。

上記他の繰り返し単位としては、例えば、下記一般式（３−１）〜（３−６）で表される基（側鎖）を有する繰り返し単位（以下、「他の繰り返し単位（３）」という場合がある）、一般式（４）で表される繰り返し単位（以下、「他の繰り返し単位（４）」という場合がある）、一般式（５）で表される繰り返し単位（以下、「他の繰り返し単位（５）」という場合がある）、一般式（６）で表される繰り返し単位（以下、「他の繰り返し単位（６）」という場合がある）等を挙げることができる。なお、本発明の感放射線性樹脂組成物用重合体は、上記他の繰り返し単位（３）〜（６）よりなる群から選択される少なくとも１種の繰り返し単位を含有することが好ましい。

（前記一般式（３−１）〜（３−６）中、Ｒ^５は水素原子又は炭素数１〜４の置換若しくは非置換のアルキル基を表し、Ｒ^６は水素原子又はメトキシ基を表す。Ａは単結合又はメチレン基を表し、Ｂは酸素原子又はメチレン基を表す。ｌは１〜３の整数を表し、ｍは０又は１を表す）

なお、他の繰り返し単位（３）の主鎖骨格は、特に限定されるものではないが、好ましくは、メタクリル酸エステル、アクリル酸エステル、又はα−トリフルオロアクリル酸エステルなどの構造である。

他の繰り返し単位（３）を構成するための単量体としては、例えば、（メタ）アクリル酸−５−オキソ−４−オキサ−トリシクロ［４．２．１．０^３，７］ノナ−２−イルエステル、（メタ）アクリル酸−９−メトキシカルボニル−５−オキソ−４−オキサ−トリシクロ［４．２．１．０^３，７］ノナ−２−イルエステル、（メタ）アクリル酸−５−オキソ−４−オキサ−トリシクロ［５．２．１．０^３，８］デカ−２−イルエステル、（メタ）アクリル酸−１０−メトキシカルボニル−５−オキソ−４−オキサ−トリシクロ［５．２．１．０^３，８］ノナ−２−イルエステル、（メタ）アクリル酸−６−オキソ−７−オキサ−ビシクロ［３．２．１］オクタ−２−イルエステル、（メタ）アクリル酸−４−メトキシカルボニル−６−オキソ−７−オキサ−ビシクロ［３．２．１］オクタ−２−イルエステル、（メタ）アクリル酸−７−オキソ−８−オキサ−ビシクロ［３．３．１］オクタ−２−イルエステル、（メタ）アクリル酸−４−メトキシカルボニル−７−オキソ−８−オキサ−ビシクロ［３．３．１］オクタ−２−イルエステル、

（メタ）アクリル酸−２−オキソテトラヒドロピラン−４−イルエステル、（メタ）アクリル酸−４−メチル−２−オキソテトラヒドロピラン−４−イルエステル、（メタ）アクリル酸−４−エチル−２−オキソテトラヒドロピラン−４−イルエステル、（メタ）アクリル酸−４−プロピル−２−オキソテトラヒドロピラン−４−イルエステル、（メタ）アクリル酸−５−オキソテトラヒドロフラン−３−イルエステル、（メタ）アクリル酸−２，２−ジメチル−５−オキソテトラヒドロフラン−３−イルエステル、（メタ）アクリル酸−４，４−ジメチル−５−オキソテトラヒドロフラン−３−イルエステル、（メタ）アクリル酸−２−オキソテトラヒドロフラン−３−イルエステル、（メタ）アクリル酸−４，４−ジメチル−２−オキソテトラヒドロフラン−３−イルエステル、（メタ）アクリル酸−５，５−ジメチル−２−オキソテトラヒドロフラン−３−イルエステル、（メタ）アクリル酸−２−オキソテトラヒドロフラン−３−イルエステル、（メタ）アクリル酸−５−オキソテトラヒドロフラン−２−イルメチルエステル、（メタ）アクリル酸−３，３−ジメチル−５−オキソテトラヒドロフラン−２−イルメチルエステル、（メタ）アクリル酸−４，４−ジメチル−５−オキソテトラヒドロフラン−２−イルメチルエステル等を挙げることができる。

上記他の繰り返し単位（４）は、下記一般式（４）で表される繰り返し単位である。

（前記一般式（４）中、Ｒ^７は水素原子、メチル基、またはトリフルオロメチル基を表し、Ｘは炭素数７〜２０の置換または非置換の多環型脂環式炭化水素基であり、この多環型脂環式炭化水素基が置換基を有する場合、置換基は炭素数１〜４のアルキル基、ヒドロキシル基、シアノ基、炭素数１〜１０のヒドロキシアルキル基である）

他の繰り返し単位（４）のＸの炭素数７〜２０の置換または非置換の多環型脂環式炭化水素基としては、例えば、下記式に示す、ビシクロ［２．２．１］ヘプタン（４ａ）、ビシクロ［２．２．２］オクタン（４ｂ）、トリシクロ［５．２．１．０^２，６］デカン（４３ｃ）、テトラシクロ［６．２．１．１^３，６．０^２，７］ドデカン（４ｄ）、トリシクロ［３．３．１．１^３，７］デカン（４ｅ）等のシクロアルカン類に由来する炭化水素基を挙げることができる。

上記シクロアルカン類に由来する炭化水素基が置換基を有している場合、置換基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、２−メチルプロピル基、１−メチルプロピル基、ｔ−ブチル基等の炭素数１〜４の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基等を挙げることができる。なお、これらのアルキル基によって置換されたものに限定されるものではなく、ヒドロキシル基、シアノ基、炭素数１〜１０のヒドロキシアルキル基、カルボキシル基、酸素で置換されたものであってもよい。また、これらの他の繰り返し単位（４）は２種以上を含有することができる。

他の繰り返し単位（４）を構成するための単量体としては、例えば、（メタ）アクリル酸−ビシクロ［２．２．１］ヘプチルエステル、（メタ）アクリル酸−シクロヘキシルエステル、（メタ）アクリル酸−ビシクロ［４．４．０］デカニルエステル、（メタ）アクリル酸−ビシクロ［２．２．２］オクチルエステル、（メタ）アクリル酸−トリシクロ［５．２．１．０^２，６］デカニルエステル、（メタ）アクリル酸−テトラシクロ［６．２．１．１^３，６．０^２，７］ドデカニルエステル、（メタ）アクリル酸−トリシクロ［３．３．１．１^３，７］デカニルエステル等を挙げることができる。

上記他の繰り返し単位（５）は、下記一般式（５）で表される繰り返し単位である。

（前記一般式（５）中、Ｒ^８は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、トリフルオロメチル基、又はヒドロキシメチル基を表し、Ｒ^９は２価の有機基を表す）

他の繰り返し単位（５）のＲ^８の炭素数１〜４のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、２−メチルプロピル基、１−メチルプロピル基、ｔ−ブチル基等のアルキル基を挙げることができる。

他の繰り返し単位（５）のＲ^９の２価の有機基は、２価の炭化水素基であることが好ましく、２価の炭化水素基の中でも鎖状又は環状の炭化水素基が好ましい。なお、アルキレングリコール基、アルキレンエステル基等であってもよい。

具体的には、メチレン基、エチレン基、１，３−プロピレン基または１，２−プロピレン基などのプロピレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、ヘプタメチレン基、オクタメチレン基、ノナメチレン基、デカメチレン基、ウンデカメチレン基、ドデカメチレン基、トリデカメチレン基、テトラデカメチレン基、ペンタデカメチレン基、ヘキサデカメチレン基、ヘプタデカメチレン基、オクタデカメチレン基、ノナデカメチレン基、インサレン基、１−メチル−１，３−プロピレン基、２−メチル１，３−プロピレン基、２−メチル−１，２−プロピレン基、１−メチル−１，４−ブチレン基、２−メチル−１，４−ブチレン基、メチリデン基、エチリデン基、プロピリデン基、２−プロピリデン基等の飽和鎖状炭化水素基；

１，３−シクロブチレン基などのシクロブチレン基、１，３−シクロペンチレン基などのシクロペンチレン基、１，４−シクロヘキシレン基などのシクロヘキシレン基、１，５−シクロオクチレン基などのシクロオクチレン基等の炭素数３〜１０のシクロアルキレン基などの単環式炭化水素環基；１，４−ノルボルニレン基または２，５−ノルボルニレン基などのノルボルニレン基、１，５−アダマンチレン基、２，６−アダマンチレン基などのアダマンチレン基等の２〜４環式炭素数４〜３０の炭化水素環基などの架橋環式炭化水素環基等を挙げることができる。なお、他の繰り返し単位（５）のＲ^９は、２，５−ノルボルニレン基を含む炭化水素基、１，２−エチレン基、プロピレン基であることが好ましい。

なお、Ｒ^９が２価の脂肪族環状炭化水素基を含む場合には、ビストリフルオロメチル−ヒドロキシ−メチル基（−Ｃ（ＣＦ_３）_３ＯＨ）と、上記２価の脂肪族環状炭化水素基との間にスペーサーとして炭素数１〜４のアルキレン基を配置することが好ましい。

他の繰り返し単位（５）を構成するための単量体としては、例えば、（メタ）アクリル酸（１，１，１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル−２−ヒドロキシ−３−プロピル）エステル、（メタ）アクリル酸（１，１，１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル−２−ヒドロキシ−４−ブチル）エステル、（メタ）アクリル酸（１，１，１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル−２−ヒドロキシ−５−ペンチル）エステル、（メタ）アクリル酸（１，１，１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル−２−ヒドロキシ−４−ペンチル）エステル、（メタ）アクリル酸２−｛［５−（１’，１’，１’−トリフルオロ−２’−トリフルオロメチル−２’−ヒドロキシ）プロピル］ビシクロ［２．２．１］ヘプチル｝エステル、（メタ）アクリル酸３−｛［８−（１’，１’，１’−トリフルオロ−２’−トリフルオロメチル−２’−ヒドロキシ）プロピル］テトラシクロ［６．２．１．１^３，６．０^２，７］ドデシル｝エステル等を挙げることができる。

上記他の繰り返し単位（６）は、下記一般式（６）で表される繰り返し単位である。

（前記一般式（６）中、Ｒ^１０は水素又はメチル基を表し、Ｘは単結合又は炭素数１〜３の２価の有機基を表し、Ｙは相互に独立に、単結合又は炭素数１〜３の２価の有機基を表し、Ｒ^１１は相互に独立に、水素原子、水酸基、シアノ基、又はＣＯＯＲ^１２で表される基を表す。但し、前記Ｒ^１２は水素原子、炭素数１〜４の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、又は炭素数３〜２０の脂環式のアルキル基を表す。なお、３つのＲ^１１のうち少なくとも一つは水素原子でなく、かつ、Ｘが単結合の場合、３つのＹのうち少なくとも一つは炭素数１〜３の２価の有機基を表す）

他の繰り返し単位（６）のＸ及びＹの炭素数１〜３の２価の有機基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基等を挙げることができる。

ＣＯＯＲ^１２で表される基のＲ^１２の炭素数１〜４の直鎖状または分岐状のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、２−メチルプロピル基、１−メチルプロピル基、ｔ−ブチル基等を挙げることができる。

また、Ｒ^１２の炭素数３〜２０の脂環式のアルキル基としては、例えば、−Ｃ_ｎＨ_２ｎ−１（ｎは３〜２０の整数）で表されるシクロアルキル基、多環型脂環式アルキル基等を挙げることができる。上記シクロアルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等を挙げることができる。また、上記多環型脂環式アルキル基としては、例えば、ビシクロ［２．２．１］ヘプチル基、トリシクロ［５．２．１．０^２，６］デシル基、テトラシクロ［６．２．１^３，６．０^２，７］ドデカニル基、アダマンチル基等を挙げることができる。また、上記シクロアルキル基、及び上記多環型脂環式アルキル基は、直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基が置換基として１種以上置換してもよく、この置換基は複数であってもよい。

他の繰り返し単位（６）を構成するための単量体としては、例えば、（メタ）アクリル酸３−ヒドロキシアダマンタン−１−イルメチルエステル、（メタ）アクリル酸３，５−ジヒドロキシアダマンタン−１−イルメチルエステル、（メタ）アクリル酸３−ヒドロキシ−５−メチルアダマンタン−１−イルエステル、（メタ）アクリル酸３，５−ジヒドロキシ−７−メチルアダマンタン−１−イルエステル、（メタ）アクリル酸３−ヒドロキシ−５，７−ジメチルアダマンタン−１−イルエステル、（メタ）アクリル酸３−ヒドロキシ−５，７−ジメチルアダマンタン−１−イルメチルエステル等を挙げることができる。

上記他の繰り返し単位（１）〜（６）以外の繰り返し単位としては、例えば、（メタ）アクリル酸ジシクロペンテニル、（メタ）アクリル酸アダマンチルメチル等の有橋式炭化水素骨格を有する（メタ）アクリル酸エステル類；（メタ）アクリル酸カルボキシノルボルニル、（メタ）アクリル酸カルボキシトリシクロデカニル、（メタ）アクリル酸カルボキシテトラシクロウンデカニル等の不飽和カルボン酸の有橋式炭化水素骨格を有するカルボキシル基含有エステル類；

（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ｎ−プロピル、（メタ）アクリル酸ｎ−ブチル、（メタ）アクリル酸２−メチルプロピル、（メタ）アクリル酸１−メチルプロピル、（メタ）アクリル酸ｔ−ブチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸３−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸シクロプロピル、（メタ）アクリル酸シクロペンチル、（メタ）アクリル酸シクロヘキシル、（メタ）アクリル酸４−メトキシシクロヘキシル、（メタ）アクリル酸２−シクロペンチルオキシカルボニルエチル、（メタ）アクリル酸２−シクロヘキシルオキシカルボニルエチル、（メタ）アクリル酸２−（４−メトキシシクロヘキシル）オキシカルボニルエチル等の有橋式炭化水素骨格をもたない（メタ）アクリル酸エステル類；

α−ヒドロキシメチルアクリル酸メチル、α−ヒドロキシメチルアクリル酸エチル、α−ヒドロキシメチルアクリル酸ｎ−プロピル、α−ヒドロキシメチルアクリル酸ｎ−ブチル等のα−ヒドロキシメチルアクリル酸エステル類；（メタ）アクリロニトリル、α−クロロアクリロニトリル、クロトンニトリル、マレインニトリル、フマロニトリル、メサコンニトリル、シトラコンニトリル、イタコンニトリル等の不飽和ニトリル化合物；（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル（メタ）アクリルアミド、クロトンアミド、マレインアミド、フマルアミド、メサコンアミド、シトラコンアミド、イタコンアミド等の不飽和アミド化合物；Ｎ−（メタ）アクリロイルモルホリン、Ｎ−ビニル−ε−カプロラクタム、Ｎ−ビニルピロリドン、ビニルピリジン、ビニルイミダゾール等の他の含窒素ビニル化合物；（メタ）アクリル酸、クロトン酸、マレイン酸、無水マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、無水イタコン酸、シトラコン酸、無水シトラコン酸、メサコン酸等の不飽和カルボン酸（無水物）類；（メタ）アクリル酸２−カルボキシエチル、（メタ）アクリル酸２−カルボキシプロピル、（メタ）アクリル酸３−カルボキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−カルボキシブチル、（メタ）アクリル酸４−カルボキシシクロヘキシル等の不飽和カルボン酸の有橋式炭化水素骨格をもたないカルボキシル基含有エステル類；

１，２−アダマンタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，３−アダマンタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，４−アダマンタンジオールジ（メタ）アクリレート、トリシクロデカニルジメチロールジ（メタ）アクリレート等の有橋式炭化水素骨格を有する多官能性単量体；

メチレングリコールジ（メタ）アクリレート、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、２，５−ジメチル−２，５−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、１，８−オクタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，９−ノナンジオールジ（メタ）アクリレート、１，４−ビス（２−ヒドロキシプロピル）ベンゼンジ（メタ）アクリレート、１，３−ビス（２−ヒドロキシプロピル）ベンゼンジ（メタ）アクリレート等の有橋式炭化水素骨格をもたない多官能性単量体等の多官能性単量体の重合性不飽和結合が開裂した単位を挙げることができる。

上記他の繰り返し単位（１）〜（６）以外の他の繰り返し単位のうち、有橋式炭化水素骨格を有する（メタ）アクリル酸エステル類の重合性不飽和結合が開裂した繰り返し単位等が好ましい。

本発明の感放射線性樹脂組成物用重合体の繰り返し単位（１）の含有率は、上記重合体の全繰り返し単位に対して、１０〜９０モル％であることが好ましく、１０〜８０モル％であることが更に好ましく、２０〜８０モル％であることが特に好ましい。繰り返し単位（１）の含有率が１０モル％未満であると、波長１９３ｎｍにおいて十分な屈折率を有することができなくなるおそれがある。一方、９０モル％超であると、レジスト膜としての解像性が劣化するおそれがある。

上記繰り返し単位（２）の含有率は、上記重合体の全繰り返し単位に対して、１０〜９０モル％であることが好ましく、１０〜８０モル％であることが更に好ましく、２０〜７０モル％であることが特に好ましい。繰り返し単位（２）の含有率が１０モル％未満であると、レジスト膜としての解像性が劣化するおそれがある。一方、９０モル％超であると、レジスト膜の現像性が劣化するおそれがある。

上記他の繰り返し単位（３）の含有率は、上記重合体の全繰り返し単位に対して、５０モル％以下であることが好ましく、４０モル％以下であることが更に好ましく、３５モル％以下であることが特に好ましい。他の繰り返し単位（３）の含有率が５０モル％超であると、波長１９３ｎｍにおいて十分な屈折率を有することができなくなるおそれがある。

上記他の繰り返し単位（４）の含有率は、上記重合体の全繰り返し単位に対して、３０モル％以下であることが好ましく、２５モル％以下であることが更に好ましい。他の繰り返し単位（４）の含有率が３０モル％超であると、得られるレジスト膜がアルカリ現像液により膨潤しやすくなったり、アルカリ現像液に対する溶解性が低下したりするおそれがある。

上記他の繰り返し単位（５）の含有率は、上記重合体の全繰り返し単位に対して、３０モル％以下であることが好ましく、２５モル％以下であることが更に好ましい。他の繰り返し単位（５）の含有率が３０モル％超であると、レジストパターンのトップロスが生じパターン形状が悪化するおそれがある。

他の繰り返し単位（６）の含有率は、上記重合体の全繰り返し単位に対して、３０モル％以下であることが好ましく、２５モル％以下であることが更に好ましい。他の繰り返し単位（６）の含有率が３０モル％超であると、得られるレジスト膜がアルカリ現像液により膨潤しやすくなったり、アルカリ現像液に対する溶解性が低下したりするおそれがある。

なお、他の繰り返し単位（他の繰り返し単位（３）〜（６）の合計）の含有率は、上記重合体の全繰り返し単位に対して、５０モル％以下であることが好ましく、４０モル％以下であることが更に好ましい。

本発明の感放射線性樹脂組成物用重合体は、例えば、その各繰り返し単位を構成するための重合性不飽和単量体を、ヒドロパーオキシド類、ジアルキルパーオキシド類、ジアシルパーオキシド類、アゾ化合物等のラジカル重合開始剤を使用し、また、必要に応じて連鎖移動剤の存在下、適当な溶媒中で重合させることにより製造することができる。

上記重合に使用される溶媒としては、例えば、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン等のアルカン類；シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、デカリン、ノルボルナン等のシクロアルカン類；ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、クメン等の芳香族炭化水素類；クロロブタン類、ブロモヘキサン類、ジクロロエタン類、ヘキサメチレンジブロミド、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類；酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸ｉ−ブチル、プロピオン酸メチル等の飽和カルボン酸エステル類；アセトン、２−ブタノン、４−メチル−２−ペンタノン、２−ヘプタノン等のケトン類；テトラヒドロフラン、ジメトキシエタン類、ジエトキシエタン類等のエーテル類等を挙げることができる。なお、これらの溶媒は、単独で又は２種以上を混合して使用することができる。また、上記重合における反応温度は、通常、４０〜１５０℃、好ましくは５０〜１２０℃であり、反応時間は、通常、１〜４８時間、好ましくは１〜２４時間である。

本発明の感放射線性樹脂組成物用重合体は、その分子量に特に制限はないが、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算重量平均分子量（以下、「Ｍｗ」という場合がある）が、１０００〜１０００００であることが好ましく、１０００〜３００００であることが更に好ましく、１０００〜２００００であることが特に好ましい。上記重合体のＭｗが１０００未満であると、レジスト膜を形成した場合に、その耐熱性が低下するおそれがある。一方、１０００００超であると、レジスト膜を形成した場合に、その現像性が低下するおそれがある。また、上記重合体のＭｗと、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算数平均分子量（以下、「Ｍｎ」という場合がある）との比（Ｍｗ／Ｍｎ）は、通常、１〜５、好ましくは１〜３である。

更に、本発明の感放射線性樹脂組成物用重合体は、酸の作用によりアルカリ可溶性となるアルカリ不溶性又はアルカリ難溶性ものであることが好ましい。本明細書において、「アルカリ不溶性又はアルカリ難溶性」とは、上記重合体を含有する感放射線性樹脂組成物により形成されたレジスト膜を用いてレジストパターンを形成する際のアルカリ現像条件下で、上記レジスト膜の代わりに上記重合体のみを用いて被膜を形成し、この被膜を現像した場合に、被膜の初期膜厚の５０％以上が現像後に残存する性質を意味する。

また、本発明の感放射線性樹脂組成物用重合体は、この重合体を調製する際に用いられる単量体に由来する低分子量成分を含むものである。この低分子量成分の含有量は、上記重合体（固形分換算）１００質量％に対して、０．１質量％以下であることが好ましく、０．０７質量％以下であることが更に好ましく、０．０５質量％以下であることが特に好ましい。上記含有量が０．１質量％以下である場合には、液浸露光時に接触した液浸液（特に、水）への溶出物の量を少なくすることができる。更に、レジスト保管時にレジスト中に異物が発生することがなく、レジスト塗布時においても塗布ムラが発生することなく、レジストパターン形成時における欠陥の発生を十分に抑制することができる。

上記低分子量成分としては、Ｍｗ５００以下の成分とすることができ、具体的には、モノマー、ダイマー、トリマー、オリゴマーが挙げられる。この低分子量成分（Ｍｗ５００以下の成分）は、例えば、水洗、液々抽出等の化学的精製法や、これらの化学的精製法と限外ろ過、遠心分離等の物理的精製法との組合せ等により除去することができる。また、分析は、高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）により行うことができる。

また、本発明の感放射線性樹脂組成物用重合体は、ハロゲン、金属等の不純物が少ないものであることが好ましく、このような不純物を少なくすることにより、形成するレジスト膜の感度、解像度、プロセス安定性、パターン形状等を更に改善することができる。上記重合体の精製法としては、例えば、水洗、液々抽出等の化学的精製法や、これらの化学的精製法と限外ろ過、遠心分離等の物理的精製法との組合せ等を挙げることができる。なお、本発明の感放射線性樹脂組成物用重合体は、単独で又は２種以上を混合して使用することができる。

［２］感放射線性樹脂組成物：
本発明の感放射線性樹脂組成物は、感放射線性樹脂組成物用重合体（Ａ）、及び感放射線性酸発生剤（Ｂ）を含有するものである。このような感放射線性樹脂組成物により、波長１９３ｎｍにおける屈折率が１．７２以上であり、かつ、レジストとしてパターンニング可能なフォトレジスト膜を形成することができる。

［２−１］感放射線性樹脂組成物用重合体（Ａ）：
本発明の感放射線性樹脂組成物の感放射線性樹脂組成物用重合体（Ａ）（以下、「重合体（Ａ）」という場合がある）は、既に上述した感放射線性樹脂組成物用重合体を用いることができる。

［２−２］感放射線性酸発生剤（Ｂ）：
本発明の感放射線性樹脂組成物に含有される感放射線性酸発生剤（Ｂ）（以下、「酸発生剤（Ｂ）」という場合がある）は、露光により酸を発生するものである。即ち、この酸発生剤（Ｂ）は、露光により発生した酸の作用によって、上記重合体（Ａ）に含有される繰り返し単位（１）の酸解離性基を解離させる（保護基を脱離させる）。そして、酸解離性基を解離させる結果として、レジスト被膜の露光部がアルカリ現像液に易溶性となり、ポジ型のレジストパターンを形成する作用を有するものである。

上記酸発生剤（Ｂ）は、下記一般式（７）で表される化合物（以下、「酸発生剤（１）」という場合がある）を含むものであることが好ましい。

但し、前記一般式（７）中、Ｒ^１３は水素原子、フッ素原子、水酸基、炭素数１〜１０の直鎖状または分岐状のアルキル基、炭素数１〜１０の直鎖状または分岐状のアルコキシル基、炭素数２〜１１の直鎖状または分岐状のアルコキシカルボニル基を表し、Ｒ^１４は炭素数１〜１０の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、炭素数１〜１０の直鎖状若しくは分岐状のアルコキシル基、又は炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状、若しくは環状のアルカンスルホニル基を表す。

また、前記一般式（７）中、Ｒ^１５は相互に独立に、炭素数１〜１０の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、置換若しくは非置換のフェニル基、置換若しくは非置換のナフチル基、又は２個のＲ^１５が互いに結合して形成される炭素数２〜１０の２価の基を表し、この２価の基は置換されていてもよい。ｋは０〜２の整数である。ｒは０〜８の整数である。

更に、前記一般式（７）中、Ｘ⁻は一般式：Ｒ^１６Ｃ_ｎＦ_２ｎＳＯ_３ ⁻（但し、前記一般式中、Ｒ^１６は、フッ素原子、置換又は非置換の炭素数１〜１２の炭化水素基を表し、ｎは１〜１０の整数である）で表されるアニオン、Ｒ^１６ＳＯ_３ ⁻で表されるアニオン、又は下記一般式（８−１）、（８−２）で表されるアニオンを表す。

（前記一般式（８−１）及び（８−２）中、Ｒ^１７は相互に独立に、炭素数１〜１０の直鎖状若しくは分岐状の、フッ素原子を含有するアルキル基、又は２個のＲ^１７が互いに結合して形成される炭素数２〜１０の、フッ素原子を含有する２価の基を表し、この２価の基は置換されていてもよい）

上記一般式（７）中のＲ^１３、Ｒ^１４及びＲ^１５の炭素数１〜１０の直鎖状または分岐状のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、２−メチルプロピル基、１−メチルプロピル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ネオペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基等を挙げることができる。これらのアルキル基のうち、メチル基、エチル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基が好ましい。

上記一般式（７）中のＲ^１３、Ｒ^１４の炭素数１〜１０の直鎖状または分岐状のアルコキシル基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、２−メチルプロポキシ基、１−メチルプロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ｎ−ノニルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基等を挙げることができる。これらのアルコキシル基のうち、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基が好ましい。

上記一般式（７）中のＲ^１３の炭素数２〜１１の直鎖状または分岐状のアルコキシカルボニル基としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、ｉ−プロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、２−メチルプロポキシカルボニル基、１−メチルプロポキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基、ｎ−ペンチルオキシカルボニル基、ネオペンチルオキシカルボニル基、ｎ−ヘキシルオキシカルボニル基、ｎ−ヘプチルオキシカルボニル基、ｎ−オクチルオキシカルボニル基、２−エチルヘキシルオキシカルボニル基、ｎ−ノニルオキシカルボニル基、ｎ−デシルオキシカルボニル基等を挙げることができる。これらのアルコキシカルボニル基のうち、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基が好ましい。

上記一般式（７）中のＲ^１４の炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状、または環状のアルカンスルホニル基としては、例えば、メタンスルホニル基、エタンスルホニル基、ｎ−プロパンスルホニル基、ｎ−ブタンスルホニル基、ｔｅｒｔ−ブタンスルホニル基、ｎ−ペンタンスルホニル基、ネオペンタンスルホニル基、ｎ−ヘキサンスルホニル基、ｎ−ヘプタンスルホニル基、ｎ−オクタンスルホニル基、２−エチルヘキサンスルホニル基ｎ−ノナンスルホニル基、ｎ−デカンスルホニル基、シクロペンタンスルホニル基、シクロヘキサンスルホニル基等を挙げることができる。これらのアルカンスルホニル基のうち、メタンスルホニル基、エタンスルホニル基、ｎ−プロパンスルホニル基、ｎ−ブタンスルホニル基、シクロペンタンスルホニル基、シクロヘキサンスルホニル基が好ましい。

上記一般式（７）中のＲ^１５の置換または非置換のフェニル基としては、例えば、フェニル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、２，３−ジメチルフェニル基、２，４−ジメチルフェニル基、２，５−ジメチルフェニル基、２，６−ジメチルフェニル基、３，４−ジメチルフェニル基、３，５−ジメチルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基、４−エチルフェニル基、４−ｔ−ブチルフェニル基、４−シクロヘキシルフェニル基、４−フルオロフェニル基等のフェニル基；炭素原子数１〜１０の直鎖状、分岐状または環状のアルキル基で置換されたアルキル置換フェニル基；上記フェニル基又は上記アルキル置換フェニル基を、ヒドロキシル基、カルボキシル基、シアノ基、ニトロ基、アルコキシル基、アルコキシアルキル基、アルコキシカルボニル基、アルコキシカルボニルオキシ基等よりなる群から選択される少なくとも１種の基で置換し、かつ、これらの基を１個以上有する基等を挙げることができる。

上記フェニル基及びアルキル置換フェニル基に対する置換基のうち、アルコキシル基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、２−メチルプロポキシ基、１−メチルプロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等の炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状または環状のアルコキシル基を挙げることができる。

また、アルコキシアルキル基としては、例えば、メトキシメチル基、エトキシメチル基、１−メトキシエチル基、２−メトキシエチル基、１−エトキシエチル基、２−エトキシエチル基等の炭素数２〜２１の直鎖状、分岐状または環状のアルコキシアルキル基を挙げることができる。また、アルコキシカルボニル基としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、ｉ−プロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、２−メチルプロポキシカルボニル基、１−メチルプロポキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基、シクロペンチルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル等の炭素数２〜２１の直鎖状、分岐状または環状のアルコキシカルボニル基を挙げることができる。

また、アルコキシカルボニルオキシ基としては、例えば、メトキシカルボニルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ基、ｎ−プロポキシカルボニルオキシ基、ｉ−プロポキシカルボニルオキシ基、ｎ−ブトキシカルボニルオキシ基、ｔ−ブトキシカルボニルオキシ基、シクロペンチルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル等の炭素数２〜２１の直鎖状、分岐状または環状のアルコキシカルボニルオキシ基を挙げることができる。

上記一般式（７）中のＲ^１５の置換または非置換のフェニル基のうち、フェニル基、４−シクロヘキシルフェニル基、４−ｔ−ブチルフェニル基、４−メトキシフェニル基、４−ｔ−ブトキシフェニル基が好ましい。

上記一般式（７）中のＲ^１５の置換または非置換のナフチル基としては、例えば、１−ナフチル基、２−メチル−１−ナフチル基、３−メチル−１−ナフチル基、４−メチル−１−ナフチル基、４−メチル−１−ナフチル基、５−メチル−１−ナフチル基、６−メチル−１−ナフチル基、７−メチル−１−ナフチル基、８−メチル−１−ナフチル基、２，３−ジメチル−１−ナフチル基、２，４−ジメチル−１−ナフチル基、２，５−ジメチル−１−ナフチル基、２，６−ジメチル−１−ナフチル基、２，７−ジメチル−１−ナフチル基、２，８−ジメチル−１−ナフチル基、３，４−ジメチル−１−ナフチル基、３，５−ジメチル−１−ナフチル基、３，６−ジメチル−１−ナフチル基、３，７−ジメチル−１−ナフチル基、３，８−ジメチル−１−ナフチル基、４，５−ジメチル−１−ナフチル基、５，８−ジメチル−１−ナフチル基、４−エチル−１−ナフチル基２−ナフチル基、１−メチル−２−ナフチル基、３−メチル−２−ナフチル基、４−メチル−２−ナフチル基等のナフチル基；

炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基で置換されたアルキル置換ナフチル基；上記ナフチル基又は上記アルキル置換ナフチル基を、ヒドロキシル基、カルボキシル基、シアノ基、ニトロ基、アルコキシル基、アルコキシアルキル基、アルコキシカルボニル基、及びアルコキシカルボニルオキシ基等よりなる群から選択される少なくとも１種の基で置換し、かつ、これらの基を１個以上有する基等を挙げることができる。

上記置換基であるアルコキシル基、アルコキシアルキル基、アルコキシカルボニル基及びアルコキシカルボニルオキシ基としては、例えば、上述したフェニル基及びアルキル置換フェニル基について例示した基を挙げることができる。

上記一般式（７）中のＲ^１５の置換または非置換のナフチル基のうち、１−ナフチル基、１−（４−メトキシナフチル）基、１−（４−エトキシナフチル）基、１−（４−ｎ−プロポキシナフチル）基、１−（４−ｎ−ブトキシナフチル）基、２−（７−メトキシナフチル）基、２−（７−エトキシナフチル）基、２−（７−ｎ−プロポキシナフチル）基、２−（７−ｎ−ブトキシナフチル）基が好ましい。

上記一般式（７）中のＲ^１５の２個のＲ^１５が互いに結合して形成される炭素数２〜１０の２価の基としては、例えば、一般式（７）中の硫黄原子と共に５員又は６員の環、特に好ましくは５員の環（即ち、テトラヒドロチオフェン環）を形成する基が好ましい。また、上記２価の基に対する置換基としては、例えば、上述したフェニル基及びアルキル置換フェニル基に対する置換基として例示したヒドロキシル基、カルボキシル基、シアノ基、ニトロ基、アルコキシル基、アルコキアルキル基、アルコキシカルボニル基、アルコキシカルボニルオキシ基等を挙げることができる。

なお、一般式（７）中のＲ^１５としては、メチル基、エチル基、フェニル基、４−メトキシフェニル基、１−ナフチル基、又は２個のＲ^１５が互いに結合して硫黄原子と共にテトラヒドロチオフェン環構造を形成する２価の基等が好ましい。

上記一般式（７）中のカチオン部位としては、例えば、トリフェニルスルホニウムカチオン、トリ−１−ナフチルスルホニウムカチオン、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルスルホニウムカチオン、４−フルオロフェニル−ジフェニルスルホニウムカチオン、ジ−４−フルオロフェニル−フェニルスルホニウムカチオン、トリ−４−フルオロフェニルスルホニウムカチオン、４−シクロヘキシルフェニル−ジフェニルスルホニウムカチオン、４−メタンスルホニルフェニル−ジフェニルスルホニウムカチオン、４−シクロヘキサンスルホニル−ジフェニルスルホニウムカチオン、１−ナフチルジメチルスルホニウムカチオン、１−ナフチルジエチルスルホニウムカチオン、１−（４−ヒドロキシナフチル）ジメチルスルホニウムカチオン、１−（４−メチルナフチル）ジメチルスルホニウムカチオン、１−（４−メチルナフチル）ジエチルスルホニウムカチオン、１−（４−シアノナフチル）ジメチルスルホニウムカチオン、１−（４−シアノナフチル）ジエチルスルホニウムカチオン、

１−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）テトラヒドロチオフェニウムカチオン、１−（４−メトキシナフチル）テトラヒドロチオフェニウムカチオン、１−（４−エトキシナフチル）テトラヒドロチオフェニウムカチオン、１−（４−ｎ−プロポキシナフチル）テトラヒドロチオフェニウムカチオン、１−（４−ｎ−ブトキシナフチル）テトラヒドロチオフェニウムカチオン、２−（７−メトキシナフチル）テトラヒドロチオフェニウムカチオン、２−（７−エトキシナフチル）テトラヒドロチオフェニウムカチオン、２−（７−ｎ−プロポキシナフチル）テトラヒドロチオフェニウムカチオン、２−（７−ｎ−ブトキシナフチル）テトラヒドロチオフェニウムカチオン等を好適に挙げることができる。

上記一般式（７）中のＸ⁻の一般式：Ｒ^１６Ｃ_ｎＦ_２ｎＳＯ_３ ⁻アニオンにおいて、Ｃ_ｎＦ_２ｎ基は、炭素数ｎのパーフルオロアルキレン基であるが、この基は直鎖状または分岐状であることが好ましい。ここで、ｎは１〜１０の整数であれば特に制限はないが、１、２、４又は８であることが好ましい。

また、上記一般式（７）中のＸ⁻の一般式：Ｒ^１６Ｃ_ｎＦ_２ｎＳＯ_３ ⁻アニオン、及びＲ^１６ＳＯ_３ ⁻アニオン中のＲ^１６の炭素数１〜１２の炭化水素基としては、例えば、炭素数１〜１２のアルキル基、シクロアルキル基、有橋脂環式炭化水素基が好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、２−メチルプロピル基、１−メチルプロピル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ネオペンチル基、ｎ−ヘキシル基、シクロヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ノルボルニル基、ノルボニルメチル基、ヒドロキシノルボルニル基、アダマンチル基等を挙げることができる。

また、上記一般式（８−１）、（８−２）で表されるアニオン中のＲ^１７の相互に独立して炭素数１〜１０の直鎖状または分岐状の、フッ素原子を含有するアルキル基としては、例えば、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロプロピル基、ノナフルオロブチル基、ドデカフルオロペンチル基、パーフルオロオクチル基等を挙げることができる。

更に、上記一般式（８−１）、（８−２）で表されるアニオン中の２個のＲ^１７が互いに結合して形成される炭素数２〜１０の、フッ素原子を含有する２価の基としては、例えば、テトラフルオロエチレン基、ヘキサフルオロプロピレン基、オクタフルオロブチレン基、デカフルオロペンチレン基、ウンデカフルオロヘキシレン基等を挙げることができる。

上記一般式（７）中のアニオン部位（Ｘ⁻）としては、具体的には、トリフルオロメタンスルホネートアニオン、パーフルオロ−ｎ−ブタンスルホネートアニオン、パーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネートアニオン、２−ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２−イル−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホネートアニオン、２−ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２−イル−１，１−ジフルオロエタンスルホネートアニオン、１−アダマンチルスルホネートアニオン、及び下記式（９−１）〜（９−７）で表されるアニオン等が挙げられる。

上記一般式（７）中のｒとしては、０〜８の整数であれば特に制限はないが、０〜２の整数であることが好ましい。

本発明の感放射線性樹脂組成物に含有される酸発生剤（Ｂ）は、既に例示したカチオン及びアニオンの組合せにより与えられるものであるが、その組合せは特に限定されるものではなく、また、１種単独又は２種以上を混合して使用することもできる。

また、本発明の感放射線性樹脂組成物に含有される酸発生剤（Ｂ）としては、上記酸発生剤（１）以外に、例えば、オニウム塩化合物、ハロゲン含有化合物、ジアゾケトン化合物、スルホン化合物、スルホン酸化合物等の感放射線性酸発生剤（以下、「他の酸発生剤」という場合がある）を用いることができる。

オニウム塩化合物としては、例えば、ヨードニウム塩、スルホニウム塩、ホスホニウム塩、ジアゾニウム塩、ピリジニウム塩等を挙げることができる。具体例としては、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、ジフェニルヨードニウム２−ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２−イル−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム２−ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２−イル−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホネート、シクロヘキシル・２−オキソシクロヘキシル・メチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジシクロヘキシル・２−オキソシクロヘキシルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、２−オキソシクロヘキシルジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート等を挙げることができる。

ハロゲン含有化合物としては、例えば、ハロアルキル基含有炭化水素化合物、ハロアルキル基含有複素環式化合物等を挙げることができる。具体例としては、フェニルビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、４−メトキシフェニルビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、１−ナフチルビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン等の（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン誘導体や、１，１−ビス（４−クロロフェニル）−２，２，２−トリクロロエタン等を挙げることができる。

ジアゾケトン化合物としては、例えば、１，３−ジケト−２−ジアゾ化合物、ジアゾベンゾキノン化合物、ジアゾナフトキノン化合物等を挙げることができる。具体例としては、１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホニルクロリド、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニルクロリド、２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノンの１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステル又は１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、１，１，１−トリス（４−ヒドロキシフェニル）エタンの１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステル又は１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル等を挙げることができる。

スルホン化合物としては、例えば、β−ケトスルホン、β−スルホニルスルホンや、これらの化合物のα−ジアゾ化合物等を挙げることができる。具体例としては、４−トリスフェナシルスルホン、メシチルフェナシルスルホン、ビス（フェニルスルホニル）メタン等を挙げることができる。

スルホン酸化合物として、例えば、アルキルスルホン酸エステル、アルキルスルホン酸イミド、ハロアルキルスルホン酸エステル、アリールスルホン酸エステル、イミノスルホネート等を挙げることができる。具体例としては、ベンゾイントシレート、ピロガロールのトリス（トリフルオロメタンスルホネート）、ニトロベンジル−９，１０−ジエトキシアントラセン−２−スルホネート、トリフルオロメタンスルホニルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボジイミド、ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホニルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボジイミド、パーフルオロ−ｎ−オクタンスルホニルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボジイミド、２−ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２−イル−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホニルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボジイミド、

Ｎ−（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（パーフルオロ−ｎ−オクタンスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（２−ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２−イル−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホニルオキシ）スクシンイミド、１，８−ナフタレンジカルボン酸イミドトリフルオロメタンスルホネート、１，８−ナフタレンジカルボン酸イミドノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、１，８−ナフタレンジカルボン酸イミドパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート等を挙げることができる。

これらの他の酸発生剤のうち、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、ジフェニルヨードニウム２−ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２−イル−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム２−ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２−イル−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホネート、

シクロヘキシル・２−オキソシクロヘキシル・メチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジシクロヘキシル・２−オキソシクロヘキシルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、２−オキソシクロヘキシルジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、

トリフルオロメタンスルホニルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボジイミド、ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホニルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボジイミド、パーフルオロ−ｎ−オクタンスルホニルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボジイミド、２−ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２−イル−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホニルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボジイミド、Ｎ−（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（パーフルオロ−ｎ−オクタンスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（２−ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２−イル−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホニルオキシ）スクシンイミド、１，８−ナフタレンジカルボン酸イミドトリフルオロメタンスルホネート等が好ましい。なお、上記他の酸発生剤は、単独で又は２種以上を混合して使用することができる。

上記酸発生剤（Ｂ）の配合量（酸発生剤（１）と他の酸発生剤の合計配合量）は、レジストとしての感度及び現像性を確保する観点から、重合体（Ａ）１００質量部に対して、０．１〜２０質量部が好ましく、０．５〜１０質量部であることが更に好ましい。上記酸発生剤（Ｂ）の配合量が０．１質量部未満であると、感度及び現像性が低下するおそれがある。一方、２０質量部超であると、放射線に対する透明性が低下して、矩形のレジストパターンを得られ難くなるおそれがある。また、上記他の酸発生剤の配合割合は、酸発生剤（１）と他の酸発生剤との合計量に対して、８０質量％以下であることが好ましく、６０質量％以下であることが更に好ましい。

［２−３］窒素含有化合物：
本発明の感放射線性樹脂組成物は、重合体（Ａ）と酸発生剤（Ｂ）以外に、窒素含有化合物を含有することが好ましい。また、上記窒素含有化合物以外に、その他の添加剤を配合することもできる。

上記窒素含有化合物は、露光により酸発生剤（Ｂ）から生じる酸の、レジスト被膜中における拡散現象を制御し、非露光領域における好ましくない化学反応を抑制する酸拡散制御剤として作用する。このような酸拡散制御剤（窒素含有化合物）を含有することにより、感放射線性樹脂組成物の貯蔵安定性が向上する。また、レジスト膜を形成した場合にレジスト膜の解像度が更に向上するとともに、露光から露光後の加熱処理までの引き置き時間（ＰＥＤ）の変動によるレジストパターンの線幅変化を抑えることができる。従って、プロセス安定性に極めて優れた感放射線性樹脂組成物を得ることができる。

上記窒素含有化合物としては、例えば、３級アミン化合物、アミド基含有化合物、４級アンモニウムヒドロキシド化合物、含窒素複素環化合物等を挙げることができる。

上記３級アミン化合物としては、例えば、トリエチルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、トリ−ｎ−ペンチルアミン、トリ−ｎ−ヘキシルアミン、トリ−ｎ−ヘプチルアミン、トリ−ｎ−オクチルアミン、シクロヘキシルジメチルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリシクロヘキシルアミン等のトリ（シクロ）アルキルアミン類；アニリン、Ｎ−メチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、２−メチルアニリン、３−メチルアニリン、４−メチルアニリン、４−ニトロアニリン、２，６−ジメチルアニリン、２，６−ジイソプロピルアニリン等の芳香族アミン類；トリエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジ（ヒドロキシエチル）アニリンなどのアルカノールアミン類；Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（２−ヒドロキシプロピル）エチレンジアミン、１，３−ビス［１−（４−アミノフェニル）−１−メチルエチル］ベンゼンテトラメチレンジアミン、ビス（２−ジメチルアミノエチル）エーテル、ビス（２−ジエチルアミノエチル）エーテル等を挙げることができる。

上記アミド基含有化合物としては、例えば、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニルジ−ｎ−オクチルアミン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニルジ−ｎ−ノニルアミン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニルジ−ｎ−デシルアミン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニルジシクロヘキシルアミン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−１−アダマンチルアミン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−２−アダマンチルアミン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−Ｎ−メチル−１−アダマンチルアミン、（Ｓ）−（−）−１−（ｔ−ブトキシカルボニル）−２−ピロリジンメタノール、（Ｒ）−（＋）−１−（ｔ−ブトキシカルボニル）−２−ピロリジンメタノール、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−４−ヒドロキシピペリジン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニルピロリジン、

Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニルピペラジン、Ｎ，Ｎ−ジ−ｔ−ブトキシカルボニル−１−アダマンチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジ−ｔ−ブトキシカルボニル−Ｎ−メチル−１−アダマンチルアミン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−４，４’−ジアミノジフェニルメタン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブトキシカルボニルヘキサメチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’Ｎ’−テトラ−ｔ−ブトキシカルボニルヘキサメチレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブトキシカルボニル−１，７−ジアミノヘプタン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブトキシカルボニル−１，８−ジアミノオクタン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブトキシカルボニル−１，９−ジアミノノナン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブトキシカルボニル−１，１０−ジアミノデカン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブトキシカルボニル−１，１２−ジアミノドデカン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブトキシカルボニル−４，４’−ジアミノジフェニルメタン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニルベンズイミダゾール、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−２−メチルベンズイミダゾール、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−２−フェニルベンズイミダゾール等のＮ−ｔ−ブトキシカルボニル基含有アミノ化合物等を挙げることができる。

上記４級アンモニウムヒドロキシド化合物としては、例えば、テトラ−ｎ−プロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムヒドロキシド等を挙げることができる。

上記含窒素複素環化合物としては、例えば、ピリジン、２−メチルピリジン、４−メチルピリジン、２−エチルピリジン、４−エチルピリジン、２−フェニルピリジン、４−フェニルピリジン、２−メチル−４−フェニルピリジン、ニコチン、ニコチン酸、ニコチン酸アミド、キノリン、４−ヒドロキシキノリン、８−オキシキノリン、アクリジン等のピリジン類；ピペラジン、１−（２−ヒドロキシエチル）ピペラジン等のピペラジン類のほか、ピラジン、ピラゾール、ピリダジン、キノザリン、プリン、ピロリジン、ピペリジン、３−ピペリジノ−１，２−プロパンジオール、モルホリン、４−メチルモルホリン、１，４−ジメチルピペラジン、１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン、イミダゾール、４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、４−メチル−２−フェニルイミダゾール、ベンズイミダゾール、２−フェニルベンズイミダゾール、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニルベンズイミダゾール、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−２−メチルベンズイミダゾール、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−２−フェニルベンズイミダゾール等を挙げることができる。なお、上記窒素含有化合物は、単独で又は２種以上を混合して使用することができる。

上記窒素含有化合物の配合量は、レジスト膜としての高い感度を確保する観点から、重合体（Ａ）１００質量部に対して、１０質量部未満であることが好ましく、５質量部未満であることが更に好ましい。窒素含有化合物の配合量が１０質量部超であると、レジスト膜としての感度が著しく低下するおそれがある。なお、窒素含有化合物の配合量が０．００１質量部未満であると、プロセス条件によってはレジスト膜としてのパターン形状や寸法忠実度が低下するおそれがある。

上記窒素含有化合物以外のその他の添加剤としては、酸解離性基を有する脂環族添加剤、界面活性剤、増感剤等の各種の添加剤を使用することができる。

上記酸解離性基を有する脂環族添加剤は、ドライエッチング耐性、パターン形状、基板との接着性等を更に改善する作用を示す成分である。このような脂環族添加剤としては、例えば、１−アダマンタンカルボン酸、２−アダマンタノン、１−アダマンタンカルボン酸ｔ−ブチル、１−アダマンタンカルボン酸ｔ−ブトキシカルボニルメチル、１−アダマンタンカルボン酸α−ブチロラクトンエステル、１，３−アダマンタンジカルボン酸ジ−ｔ−ブチル、１−アダマンタン酢酸ｔ−ブチル、１−アダマンタン酢酸ｔ−ブトキシカルボニルメチル、１，３−アダマンタンジ酢酸ジ−ｔ−ブチル、２，５−ジメチル−２，５−ジ（アダマンチルカルボニルオキシ）ヘキサン等のアダマンタン誘導体類；

デオキシコール酸ｔ−ブチル、デオキシコール酸ｔ−ブトキシカルボニルメチル、デオキシコール酸２−エトキシエチル、デオキシコール酸２−シクロヘキシルオキシエチル、デオキシコール酸３−オキソシクロヘキシル、デオキシコール酸テトラヒドロピラニル、デオキシコール酸メバロノラクトンエステル等のデオキシコール酸エステル類；リトコール酸ｔ−ブチル、リトコール酸ｔ−ブトキシカルボニルメチル、リトコール酸２−エトキシエチル、リトコール酸２−シクロヘキシルオキシエチル、リトコール酸３−オキソシクロヘキシル、リトコール酸テトラヒドロピラニル、リトコール酸メバロノラクトンエステル等のリトコール酸エステル類；アジピン酸ジメチル、アジピン酸ジエチル、アジピン酸ジプロピル、アジピン酸ジｎ−ブチル、アジピン酸ジｔ−ブチル等のアルキルカルボン酸エステル類や、３−〔２−ヒドロキシ−２，２−ビス（トリフルオロメチル）エチル〕テトラシクロ［４．４．０．１^２，５．１^７，１０］ドデカン等を挙げることができる。なお、これらの脂環族添加剤は、単独で又は２種以上を混合して使用することができる。

上記界面活性剤は、塗布性、ストリエーション、現像性等を改良する作用を示す成分である。このような界面活性剤としては、例えば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンｎ−オクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンｎ−ノニルフェニルエーテル、ポリエチレングリコールジラウレート、ポリエチレングリコールジステアレート等のノニオン系界面活性剤のほか、以下商品名で、ＫＰ３４１（信越化学工業社製）、ポリフローＮｏ．７５、同Ｎｏ．９５（共栄社化学社製）、エフトップＥＦ３０１、同ＥＦ３０３、同ＥＦ３５２（トーケムプロダクツ社製）、メガファックスＦ１７１、同Ｆ１７３（大日本インキ化学工業社製）、フロラードＦＣ４３０、同ＦＣ４３１（住友スリーエム社製）、アサヒガードＡＧ７１０、サーフロンＳ−３８２、同ＳＣ−１０１、同ＳＣ−１０２、同ＳＣ−１０３、同ＳＣ−１０４、同ＳＣ−１０５、同ＳＣ−１０６（旭硝子社製）等を挙げることができる。なお、これらの界面活性剤は、単独で又は２種以上を混合して使用することができる。

上記増感剤は、放射線のエネルギーを吸収して、そのエネルギーを酸発生剤（Ｂ）に伝達し、それにより酸の生成量を増加する作用を示すもので、感放射線性樹脂組成物のみかけの感度を向上させる効果を有する成分である。このような増感剤としては、カルバゾール類、アセトフェノン類、ベンゾフェノン類、ナフタレン類、フェノール類、ビアセチル、エオシン、ローズベンガル、ピレン類、アントラセン類、フェノチアジン類等を挙げることができる。なお、これらの増感剤は、単独で又は２種以上を混合して使用することができる。

なお、添加剤として、染料又は顔料を配合することにより、露光部の潜像を可視化させて、露光時のハレーションの影響を緩和でき、接着助剤を配合することにより、基板との接着性を改善することができる。更に、前記以外の添加剤としては、アルカリ可溶性樹脂、酸解離性の保護基を有する低分子のアルカリ溶解性制御剤、ハレーション防止剤、保存安定化剤、消泡剤等を挙げることができる。

［２−４］感放射線性樹脂組成物の調製：
本発明の感放射線性樹脂組成物は、例えば、重合体（Ａ）、酸発生剤（Ｂ）、必要に応じて窒素含有化合物及びその他 の添加剤を混合して、全固形分濃度が１〜５０質量％となるように溶剤に溶解して調整する。その後、この感放射線性樹脂組成物は、例えば、孔径０．２μｍ程度のフィルターでろ過することによって、組成物溶液としてとして調製される。なお、感放射線性樹脂組成物の全固形分濃度は、１〜５０質量％であることが好ましく、１〜２５質量％であることが更に好ましい。

上記溶剤としては、例えば、２−ブタノン、２−ペンタノン、３−メチル−２−ブタノン、２−ヘキサノン、４−メチル−２−ペンタノン、３−メチル−２−ペンタノン、３，３−ジメチル−２−ブタノン、２−ヘプタノン、２−オクタノン等の直鎖状または分岐状のケトン類；シクロペンタノン、３−メチルシクロペンタノン、シクロヘキサノン、２−メチルシクロヘキサノン、２，６−ジメチルシクロヘキサノン、イソホロン等の環状のケトン類；プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノ−ｉ−プロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノ−ｉ−ブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノ−ｓｅｃ−ブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノ−ｔ−ブチルエーテルアセテート等のプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類；

２−ヒドロキシプロピオン酸メチル、２−ヒドロキシプロピオン酸エチル、２−ヒドロキシプロピオン酸ｎ−プロピル、２−ヒドロキシプロピオン酸ｉ−プロピル、２−ヒドロキシプロピオン酸ｎ−ブチル、２−ヒドロキシプロピオン酸ｉ−ブチル、２−ヒドロキシプロピオン酸ｓｅｃ−ブチル、２−ヒドロキシプロピオン酸ｔ−ブチル等の２−ヒドロキシプロピオン酸アルキル類；３−メトキシプロピオン酸メチル、３−メトキシプロピオン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチル等の３−アルコキシプロピオン酸アルキル類；

ｎ−プロピルアルコール、ｉ−プロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール、ｉｓｏ−ブタノール、ｔ−ブチルアルコール、４−メチル−２−ペンタノール、シクロヘキサノール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテル、エチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジ−ｎ−プロピルエーテル、ジエチレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテル、

トルエン、キシレン、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸エチル、２−ヒドロキシ−３−メチル酪酸メチル、３−メトキシブチルアセテート、３−メチル−３−メトキシブチルアセテート、３−メチル−３−メトキシブチルプロピオネート、３−メチル−３−メトキシブチルブチレート、酢酸エチル、酢酸ｎ−プロピル、酢酸ｎ−ブチル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ベンジルエチルエーテル、ジ−ｎ−ヘキシルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、カプロン酸、カプリル酸、１−オクタノール、１−ノナノール、ベンジルアルコール、酢酸ベンジル、安息香酸エチル、しゅう酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、γ−ブチロラクトン、炭酸エチレン、炭酸プロピレン等を挙げることができる。

これらの中でも、直鎖状または分岐状のケトン類、環状のケトン類、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、２−ヒドロキシプロピオン酸アルキル類、３−アルコキシプロピオン酸アルキル類、γ−ブチロラクトンが好ましい。なお、上記溶剤は、単独で又は２種以上を混合して使用することができる。

［２−５］屈折率：
また、本発明の感放射線性樹脂組成物は、フォトレジスト膜を形成した場合、形成されたフォトレジスト膜の波長１９３ｎｍにおける屈折率が、１．７２以上となるものである。このような構成とすることにより、液浸露光工程において、波長１９３ｎｍにおける屈折率が１．７０以上の液浸液（屈折率が高い液浸液）を使用する場合であっても、フォトレジスト膜と液浸液との界面で露光光が全反射してしまう等の問題が生じ難く、露光光の全反射等に起因して、感度等の基本性能が劣化することを防止することができる。

上記フォトレジスト膜は、例えば、「ＣＬＥＡＮ ＴＲＡＣＫ ＡＣＴ８」（東京エレクトロン社製）にて、基板上にスピンコートし、５０〜１７０℃で１０〜３００秒間加熱処理（以下、「ＰＢ」という場合がある）を行うことにより、膜厚３０〜３００ｎｍのものを形成することができる。

上記フォトレジスト膜の屈折率は、分光エリプソメーター（例えば、「ＶＵＶ−ＶＡＳＥ」、Ｊ．Ａ．Ｗｏｏｌｌａｍ社製）を用い、フォトレジスト膜の膜厚３０〜３００ｎｍ波長１９３ｎｍにおいて測定した値である。

［３］レジストパターン形成方法：
本発明の感放射線性樹脂組成物は、特に、化学増幅型レジスト膜として有用である。この化学増幅型レジスト膜は、露光により酸発生剤（Ｂ）から発生した酸の作用によって、重合体（Ａ）中の酸解離性基が解離して、カルボキシル基を生じる。その結果、上記レジスト膜の露光部がアルカリ現像液に対して高い溶解性を示すようになり、上記露光部がアルカリ現像液によって溶解、除去される。このようにしてポジ型のレジストパターンが形成される。

本発明の感放射線性樹脂組成物を用いてレジストパターンを形成するには、上述した組成物溶液を、回転塗布、流延塗布、ロール塗布等の適宜の塗布手段によって、例えば、シリコンウエハー、アルミニウムで被覆されたウェハ等の基板上に塗布する。このようにして、レジスト被膜を形成し、場合により予めＰＢを行い、所定のレジストパターンを形成するように、上記レジスト被膜に露光する。

露光の際に使用される放射線としては、使用される酸発生剤（Ｂ）の種類に応じて、可視光線、紫外線、遠紫外線、Ｘ線、荷電粒子線等を適宜選定して使用されるが、ＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）又はＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）によって代表される遠紫外線が好ましい。これらの中でも、ＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）が好ましい。なお、露光量等の露光条件は、感放射線性樹脂組成物の配合組成や添加剤の種類等に応じて適宜選定される。

なお、本発明のレジストパターン形成方法は、上述した感放射線性樹脂組成物を用いて、レジスト膜（フォトレジスト膜）を形成する方法であり、露光の際に、レンズとフォトレジスト膜との間に、波長１９３ｎｍにおける屈折率が水の屈折率以上である液浸露光用液体を配置し、この液浸露光用液体を介して上記フォトレジスト膜に上記放射線を照射する液浸露光工程を備えるものである。

液浸露光工程に用いる波長１９３ｎｍの屈折率が水の屈折率以上である液浸露光用液体は、波長１９３ｎｍの屈折率が、水の屈折率（１．４４）よりも大きいものである限り特に制限はない。

なお、本発明においては、露光後に加熱処理（ＰＢ）を行うことが好ましい。このＰＢにより、重合体（Ａ）中の酸解離性基の解離反応が円滑に進行する。ＰＢの加熱条件は、感放射線性樹脂組成物の配合組成によって変わるが、通常、３０〜２００℃、好ましくは５０〜１７０℃である。

本発明においては、感放射線性樹脂組成物の潜在能力を最大限に引き出すため、例えば、特公平６−１２４５２号公報等に開示されているように、使用される基板上に有機系又は無機系の反射防止膜を形成しておくこともできる。また、環境雰囲気中に含まれる塩基性不純物等の影響を防止するため、例えば、特開平５−１８８５９８号公報等に開示されているように、レジスト被膜上に保護膜を設けることもできる。なお、これらの技術を併用することもできる。

次いで、露光されたレジスト被膜を現像することにより、所定のレジストパターンを得ることができる。現像に使用される現像液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、けい酸ナトリウム、メタけい酸ナトリウム、アンモニア水、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン、ジエチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン、エチルジメチルアミン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、ピロール、ピペリジン、コリン、１，８−ジアザビシクロ−［５．４．０］−７−ウンデセン、１，５−ジアザビシクロ−［４．３．０］−５−ノネン等のアルカリ性化合物から選択される少なくとも１種を溶解したアルカリ性水溶液が好ましい。このアルカリ性水溶液の濃度は、１０質量％以下であることが好ましい。アルカリ性水溶液の濃度が、１０質量％超であると、非露光部も現像液に溶解するおそれがある。

アルカリ性水溶液からなる現像液には、例えば、有機溶媒を添加することもできる。有機溶媒としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルｉ−ブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、３−メチルシクロペンタノン、２，６−ジメチルシクロヘキサノン等のケトン類；メチルアルコール、エチルアルコール、ｎ−プロピルアルコール、ｉ−プロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール、ｔ−ブチルアルコール、シクロペンタノール、シクロヘキサノール、１，４−ヘキサンジオール、１，４−ヘキサンジメチロール等のアルコール類；テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類；酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸ｉ−アミル等のエステル類；トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類や、フェノール、アセトニルアセトン、ジメチルホルムアミド等を挙げることができる。なお、これらの有機溶媒は、単独で又は２種以上を混合して使用することができる。

有機溶媒の配合量は、アルカリ性水溶液に対して、１００容量％以下が好ましい。この場合、有機溶媒の配合量が１００容量％超であると、現像性が低下して、露光部の現像残りが多くなるおそれがある。また、アルカリ性水溶液からなる現像液には、界面活性剤等を適量添加することもできる。なお、上記現像液で現像した後、水で洗浄して乾燥することができる。

以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、実施例、比較例中の「部」及び「％」は、特に断らない限り質量基準である。また、各種物性値の測定方法、及び諸特性の評価方法を以下に示す。

（実施例１）
下記化合物（Ｍ−１）６．０５ｇ（６０モル％）、下記化合物（Ｍ−２）３．９５ｇ（４０モル％）を２−ブタノン２０ｇに溶解し、更にジメチル２，２’−アゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）０．７１ｇを投入した単量体溶液を準備した。一方、２−ブタノン１０ｇを投入した１００ｍｌの三口フラスコを３０分窒素パージした。窒素パージの後、反応釜を攪拌しながら上記三口フラスコを８０℃に加熱し、事前に準備した上記単量体溶液を、滴下漏斗を用いて上記三口フラスコに３時間かけて滴下した。滴下開始時を重合開始時間とし、重合反応を６時間実施した。重合終了後、重合溶液は水冷により３０℃以下に冷却した。冷却後、この重合溶液を４００ｇのｎ−ヘキサンに投入した。その後、析出した白色粘張固体をデカンテーション法により分離し、１００ｇのｎ−ヘキサンにて洗浄した。続いて、５０℃にて１７時間乾燥し、白色固体を得た。得られた白色固体を重合体（感放射線性樹脂組成物用重合体）（Ａ−１）とした（４．６ｇ、収率４６％）。この重合体（Ａ−１）は、Ｍｗが２１００、Ｍｗ／Ｍｎが１．２１、^１３Ｃ−ＮＭＲ分析の結果、下記化合物（Ｍ−１）、及び化合物（Ｍ−２）に由来する各繰り返し単位の含有率が、６２．９：３７．１（モル％）の共重合体であった。Ｍｗ、Ｍｎ、及びＮＭＲ分析は後述する条件で行った。

（実施例２）
下記化合物（Ｍ−１）５．４４ｇ（５５モル％）、下記化合物（Ｍ−２）３．３８ｇ（３５モル％）、下記化合物（Ｍ−３）１．１８ｇ（１０モル％）を２−ブタノン２０ｇに溶解し、更にジメチル２，２’−アゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）０．７０ｇを投入した単量体溶液を準備した。一方、２−ブタノン１０ｇを投入した１００ｍｌの三口フラスコを３０分窒素パージした。窒素パージの後、反応釜を攪拌しながら上記三口フラスコを８０℃に加熱し、事前に準備した上記単量体溶液を、滴下漏斗を用いて上記三口フラスコに３時間かけて滴下した。滴下開始時を重合開始時間とし、重合反応を６時間実施した。重合終了後、重合溶液は水冷により３０℃以下に冷却した。冷却後、この重合溶液を４００ｇのｎ−ヘキサンに投入した。その後、析出した白色粘張固体をデカンテーション法により分離し、１００ｇのｎ−ヘキサンにて洗浄した。続いて、５０℃にて１７時間乾燥し、白色固体を得た。得られた白色固体を重合体（感放射線性樹脂組成物用重合体）（Ａ−２）とした（４．１ｇ、収率４１％）。この重合体（Ａ−２）は、Ｍｗが２１００、Ｍｗ／Ｍｎが１．２１、^１３Ｃ−ＮＭＲ分析の結果、下記化合物（Ｍ−１）、化合物（Ｍ−２）、及び化合物（Ｍ−３）に由来する各繰り返し単位の含有率が、５２．２：３３．６：１４．２（モル％）の共重合体であった。ＭｗとＭｎの測定、及びＮＭＲ分析は後述する条件で行った。

（実施例３）
下記化合物（Ｍ−１）４．３６ｇ（４５モル％）、下記化合物（Ｍ−２）３．３２ｇ（３５モル％）、下記化合物（Ｍ−３）２．３１ｇ（２０モル％）を２−ブタノン２０ｇに溶解し、更にジメチル２，２’−アゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）０．６８ｇを投入した単量体溶液を準備した。一方、２−ブタノン１０ｇを投入した１００ｍｌの三口フラスコを３０分窒素パージした。窒素パージの後、反応釜を攪拌しながら上記三口フラスコを８０℃に加熱し、事前に準備した上記単量体溶液を、滴下漏斗を用いて上記三口フラスコに３時間かけて滴下した。滴下開始時を重合開始時間とし、重合反応を６時間実施した。重合終了後、重合溶液は水冷により３０℃以下に冷却した。冷却後、この重合溶液を４００ｇのｎ−ヘキサンに投入した。その後、析出した白色粘張固体をデカンテーション法により分離し、１００ｇのｎ−ヘキサンにて洗浄した。続いて、５０℃にて１７時間乾燥し、白色固体を得た。得られた白色固体を重合体（感放射線性樹脂組成物用重合体）（Ａ−３）とした（５．２ｇ、収率５２％）。この重合体（Ａ−３）は、Ｍｗが２１００、Ｍｗ／Ｍｎが１．２１、^１３Ｃ−ＮＭＲ分析の結果、下記化合物（Ｍ−１）、化合物（Ｍ−２）、及び化合物（Ｍ−３）に由来する各繰り返し単位の含有率が、３６．８：３３．５：２９．７（モル％）の共重合体であった。

なお、図１には、重合体（Ａ−３）のＮＭＲチャートを示す。図１中、１６８ｐｐｍのピークを化合物（Ｍ−２）及び化合物（Ｍ−３）のアクリルのカルボニル、１７１ｐｐｍのピークを化合物（Ｍ−３）のラクトンのカルボニル、１９６ｐｐｍのピークを化合物（Ｍ−１）のカルボニルと帰属し、組成を解析した。ＭｗとＭｎの測定、及びＮＭＲ分析は後述する条件で行った。

［Ｍｗ及びＭｎ］：
東ソー社製のＧＰＣカラム（Ｇ２０００ＨＸＬ２本、Ｇ３０００ＨＸＬ１本、Ｇ４０００ＨＸＬ１本）を用い、流量１．０ミリリットル／分、溶出溶媒テトラヒドロフラン、カラム温度４０℃の分析条件で、単分散ポリスチレンを標準とするゲルパーミエーションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）により測定した。また、分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、測定結果より算出した。

［^１３Ｃ−ＮＭＲ分析］：
各重合体の^１３Ｃ−ＮＭＲ分析は、日本電子社製「ＪＮＭ−ＥＸ２７０」を用い、測定溶媒としてＣＤＣＬ_３を使用して実施した。

（実施例４）
（感放射線性樹脂組成物（ｉ）の調製）
上記重合体（Ａ−１）１００部、感放射線性酸発生剤（Ｂ）としてトリフェニルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート３．０部、酸拡散抑制剤としてＮ−ｔ−ブトキシカルボニルピロリジン０．１６部、主溶剤としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート１１３０部、及び副溶剤としてシクロヘキサノン４８０部を混合して各成分が均一な溶液とした。その後、この溶液を孔径０．２μｍのメンブランフィルターを用いてろ過することにより、組成物溶液として感放射線性樹脂組成物（ｉ）を調製した（総固形分濃度約６質量％）。

（実施例５，６）
上記重合体（Ａ−１）を、それぞれ、重合体（Ａ−２）または重合体（Ａ−３）にとした以外は、実施例４と同様にして感放射線性樹脂組成物（ｉｉ）、（ｉｉｉ）を調製した（総固形分濃度約６質量％）。

［屈折率測定］：
調製した上記感放射線性樹脂組成物（ｉ）〜（ｉｉｉ）を、それぞれ、東京エレクトロン社製の「ＣＬＥＡＮ ＴＲＡＣＫ ＡＣＴ８」を用いてシリコン基板上に、スピンコートし、１００℃で６０秒間ＰＢを行った。このようにして、膜厚１５０ｎｍのレジスト被膜を形成した。このレジスト被膜の、波長１９３ｎｍにおける屈折率を分光エリプソメーター（「ＶＵＶ−ＶＡＳＥ」、Ｊ．Ａ．Ｗｏｏｌｌａｍ社製）を用いて、測定した。なお、上記感放射線性樹脂組成物（ｉ）〜（ｉｉｉ）により形成したレジスト被膜の１９３ｎｍにおける屈折率は、それぞれ、１．７８、１．７７、１．７６であった。

［特性曲線測定］：
１２インチシリコンウェハ（「ＡＲＣ２９Ａ」、ブルワー・サイエンス社製）を基板として、この基板上に「ＣＬＥＡＮ ＴＲＡＣＫ ＡＣＴ８」（東京エレクトロン社製）を用いて膜厚７７ｎｍの下層反射防止膜を形成した。形成した下層反射防止膜上に、上記感放射線性樹脂組成物（ｉ）を「ＣＬＥＡＮ ＴＲＡＣＫ ＡＣＴ８」（東京エレクトロン社製）にて、スピンコートし、１００℃で６０秒間ＰＢを行い、膜厚１５０ｎｍのレジスト被膜を形成した。このレジスト被膜をＡｒＦエキシマレーザー露光装置（「ＮＳＲ Ｓ３０６Ｃ」、Ｎｉｋｏｎ社製、照明条件；ＮＡ０．７５シグマ０．８５）により露光した。この露光は、パターンのついていないクオーツを通して行った。その後、９０℃で６０秒間ＰＢを行い、２．３８％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液により、２３℃で３０秒間現像した。現像後、水洗し、乾燥して得られたものを特性曲線測定用のウェハとした。次いで、各露光量でのレジスト被膜の膜厚を自動膜厚測定装置（「ＶＭ−２０１０」、大日本スクリーン社製）にて測定し、露光量と膜厚の相関関係を確認した。その結果を図２に示す。

図２の特性曲線測定から明らかなように、露光余裕が良好であり、露光量により残膜量が変化し最終的に全ての膜が現像液に溶解し、コントラストも十分に得られることが確認できた。ここで、「露光余裕」とは、露光量の変化に対する線幅の変動を示す。

［レジストパターン形成］：
１２インチシリコンウェハ（「ＡＲＣ２９Ａ」、ブルワー・サイエンス社製）を基板として、この基板上に「ＣＬＥＡＮ ＴＲＡＣＫ ＡＣＴ８」（東京エレクトロン社製）を用いて膜厚７７ｎｍの下層反射防止膜を形成した。形成した下層反射防止膜上に、上記感放射線性樹脂組成物（ｉ）〜（ｉｉｉ）を、それぞれ「ＣＬＥＡＮ ＴＲＡＣＫ ＡＣＴ８」（東京エレクトロン社製）にて、スピンコートし、１００℃で６０秒間ＰＢを行い、膜厚１５０ｎｍのレジスト被膜を形成した。

形成したレジスト被膜に、ＡｒＦエキシマレーザー露光装置（「ＮＳＲ Ｓ３０６Ｃ」、Ｎｉｋｏｎ製、照明条件；ＮＡ０．７５ シグマ０．９３／０．６９）により、マスクパターンを介して露光した。露光後、９０℃で６０秒間ＰＢを行い、２．３８％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液により、２３℃で３０秒間現像した。現像後、水洗し、乾燥して得られたものをポジ型のレジストパターン形成基板とした。この基板を走査型電子顕微鏡（「Ｓ−９３８０」、日立ハイテクノロジーズ社製）にて観察した。

感放射線性樹脂組成物（ｉ）に関して、２４０ｎｍＬ／Ｓが解像していることが確認できた。図３には、走査型電子顕微鏡写真を示す。図３から明らかなように、感放射線性樹脂組成物（ｉ）により形成したレジスト被膜はレジストパターンを形成することが可能であることが確認された。なお、図３は、レジストパターンを形成した上記レジスト被膜の、観察倍率５万倍における走査型電子顕微鏡写真である。

感放射線性樹脂組成物（ｉｉ）に関して、１３０ｎｍＬ／Ｓが解像していることが確認された。図４には、走査型電子顕微鏡写真を示す。図４から明らかなように、感放射線性樹脂組成物（ｉｉ）により形成されたレジスト被膜はレジストパターンを形成することが可能であることが確認された。なお、図４は、レジストパターンを形成した上記レジスト被膜の、観察倍率７万倍における走査型電子顕微鏡写真である。

感放射線性樹脂組成物（ｉｉｉ）に関して、９０ｎｍＬ／Ｓが解像していることが確認された。図５には、走査型電子顕微鏡写真を示す。図５から明らかなように、感放射線性樹脂組成物（ｉｉｉ）により形成されたレジスト被膜はレジストパターンを形成することが可能であることが確認された。なお、図５は、レジストパターンを形成した上記レジスト被膜の、観察倍率１０万倍における走査型電子顕微鏡写真である。

実施例４〜６の感放射線性樹脂組成物により形成されたレジスト被膜は、波長１９３ｎｍにおける屈折率が１．７６〜１．７８であり、露光量により残膜量が変化し、最終的に全ての膜が現像液に溶解し、コントラストも十分に得られるものである。また、レジストパターンを形成させることが可能であることが確認された。今後、現在量産化が進んでいる水（波長１９３ｎｍにおける屈折率が１．４４）による液浸露光の次世代の液浸液として、１．７１以上の液浸液を用いた場合であっても、本発明の感放射線性樹脂組成物によれば、波長１９３ｎｍにおいて１．７２以上の屈折率を有するため、露光光が十分にレジスト被膜に入射し、レジスト被膜としての高い感度を保持することが可能となる。

本発明の感放射線性樹脂組成物は、液浸露光に用いるレジスト被膜を形成するための塗工液として好適に使用することができる。

実施例１の感放射線性樹脂組成物用重合体のＮＭＲチャートである。 実施例１の感放射線性樹脂組成物により形成したフォトレジスト膜に照射した光の露光量と上記フォトレジスト膜の膜厚の相関関係を示す図である。 実施例１の感放射線性樹脂組成物により形成したフォトレジスト膜上に形成したレジストパターンの、撮影倍率５万倍における走査型電子顕微鏡写真である。 実施例２の感放射線性樹脂組成物により形成したフォトレジスト膜上に形成したレジストパターンの、撮影倍率７万倍における走査型電子顕微鏡写真である。 実施例３の感放射線性樹脂組成物により形成したフォトレジスト膜上に形成したレジストパターンの、撮影倍率１０万倍における走査型電子顕微鏡写真である。

Claims (5)

1. 下記一般式（１）で表される繰り返し単位を含有する感放射線性樹脂組成物用重合体。
   （前記一般式（１）中、Ｒ^１は水素、メチル基、又は、トリフルオロメチル基を表し、Ｒ^２はそれぞれ互いに独立して、炭素数１〜１０の直鎖状のアルキル基、炭素数４〜１０の分岐状のアルキル基、炭素数４〜２０の置換若しくは非置換の脂環式炭化水素基、又は、２つのＲ^２が結合して形成した一つの炭素数１〜６のアルキレン基を表し、Ｘは酸素原子又は硫黄原子であって、少なくとも一つが硫黄原子を表す）
2. 酸の作用によりアルカリ可溶性となる請求項１に記載の感放射線性樹脂組成物用重合体。
3. 請求項１又は２に記載の感放射線性樹脂組成物用重合体（Ａ）、及び
   感放射線性酸発生剤（Ｂ）
   を含有する感放射線性樹脂組成物。
4. フォトレジスト膜を形成した場合、形成された前記フォトレジスト膜の波長１９３ｎｍにおける屈折率が、１．７２以上である感放射線性樹脂組成物。
5. レンズとフォトレジスト膜との間に、波長１９３ｎｍにおける屈折率が水の屈折率以上である液浸露光用液体を配置し、この液浸露光用液体を介して前記フォトレジスト膜に放射線を照射する液浸露光工程を備えるレジストパターン形成方法であって、
   請求項３又は４に記載の感放射線性樹脂組成物を用いて、前記フォトレジスト膜を形成するレジストパターン形成方法。