JP2008080586A - 型、型製造方法、微細加工品およびその微細加工方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 精密なパターンを転写するための型およびその型製造方法、精密なパターンを有する微細加工品およびその微細加工方法を提供すること。
【解決手段】 直交及び平行するエッジ以外のエッジを少なくとも含むパターンのエッジラフネスが30nm以下になるように電子ビームの形状を変化させて描画して、型を製造する。また、このようにエッジラフネスが30nm以下に形成された型と加工対象物とを押圧し、型のパターンを加工対象物の被成型面に転写することにより微細加工品を形成する。
【選択図】 図1
【解決手段】 直交及び平行するエッジ以外のエッジを少なくとも含むパターンのエッジラフネスが30nm以下になるように電子ビームの形状を変化させて描画して、型を製造する。また、このようにエッジラフネスが30nm以下に形成された型と加工対象物とを押圧し、型のパターンを加工対象物の被成型面に転写することにより微細加工品を形成する。
【選択図】 図1
Description
この発明は、精密なパターンを有する型およびその型製造方法、精密なパターンを有する微細加工品およびその微細加工方法に関するものである。
LSI(大規模集積回路)に代表される微細回路パターンを半導体基板(以下、単に基板と称する)上に形成するには、フォトリソグラフィーと呼ばれる技術が一般に用いられている。しかしながら、この方法では、形成するパターンの微細化にともない、装置の大型化やコストの増大を招いていた。
また、微細な成型物を得るために、加熱されて溶融した樹脂を、この樹脂のガラス転移温度以下に加熱された金型に高速・高圧で流し込み、圧力をコントロールしながら凝固させて成型する射出成型も用いられている。しかしながら、この方法では、供給された樹脂が金型に熱を奪われながら凝固するため、金型の微細なパターンの中に樹脂が侵入し難く、微細な形状を形成することは困難であった。また、金型を加熱し、微細なパターン内に樹脂が侵入するのを待った後、金型を冷却し成型することも考えられる。しかしながら、射出成型では、金型に樹脂を高圧で流し込む必要があるため、高圧に耐えられる大きな金型が必要であり、金型の熱容量が大きくなる結果、加熱・冷却に時間がかかるという問題があった。
近年、上記問題を解決するものとして、超微細なパターンを有する型を、基板やフィルム等の加工対象物上に加圧してパターンを転写するナノインプリンティングリソグラフィー技術が注目されている(例えば、特許文献1参照)。
この方法によれば、高価な電子ビーム光源や光学系を必要とせず、プレス装置を基本とした簡易な構造を用いることができる。
ここで、ナノインプリンティングリソグラフィー技術に用いられる型は、基板状のレジストに電子ビーム等によって所望のパターンを描画した後、エッチング等によりパターンが形成された型を用いるか、あるいは、このように形成された型をマスター型とし、このマスター型から電気鋳造法により製造したものを用いている。
しかしながら従来の方法では、矩形状の電子ビームをON/OFFさせて連ね、所望のパターン400を描画しようとしていたため、図8に示すように、矩形状の電子ビーム411の辺と所望のパターン400の辺400Aが平行である場合には、電子ビーム411の辺を連続的に連ねることにより、エッジ401Aを滑らかな線として描画することができるが、電子ビーム411の辺と所望のパターン400の辺400Bが異なる方向を向いている場合には、電子ビーム411の辺を連続的に連ねることができず、エッジ401Bに大きなエッジラフネスが生じるという問題があった。
また、この方法で製造したマスター型を用いて電気鋳造法により製造した型にも当然このエッジラフネスを有するパターンが転写されることになる。したがって、形成しようとする所望のパターンと実際に型又はマスター型に形成されたパターンとの間には誤差が生じていた。
このような型を用いて樹脂等に型のパターンを転写した際のパターンの高低差を測定した結果をグラフに示す(図10、図11参照)。型のパターンとしては、図9に示すハニカム状(六角形上)のパターンを用いた。また、パターンの高低差の測定には、日本Veeco社製の走査型プローブ顕微鏡を用いた。図10は、図9に示すハニカムパターンのX線上の高低差を示すグラフであり、図11は、図9に示すハニカムパターンのY線上の高低差を示すグラフである。なお、ハニカムパターンの六角形のエッジのうち、エッジ401Aはエッジラフネスが小さく、エッジ401Bはエッジラフネスが大きいものを用いた。
図10、図11のグラフより、エッジラフネスが大きいエッジ401Bの方が、エッジラフネスが小さいエッジ401Aよりも伸びが生じていることがわかる。更にエッジラフネスが大きくなると、摩擦が大きくなるなどが原因となって、転写後のパターンにバリや欠陥が生じ易くなるという問題もある。また、型側にも樹脂等の残渣が残り易くなるという問題がある。
そこで本発明は、精密なパターンを転写するための型およびその型製造方法、精密なパターンを有する微細加工品およびその微細加工方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の型製造方法は、直交及び平行するエッジ以外のエッジを少なくとも含むパターンを電子ビームによって描画し、型を製造する型製造方法であって、前記パターンのエッジラフネスが30nm以下になるように前記電子ビームの形状を変化させて描画することを特徴とする。
また、本発明の別の型製造方法は、直交及び平行するエッジ以外のエッジを少なくとも含むパターンを電子ビームによって描画し、型を製造する型製造方法であって、第1の電子ビームによって粗パターンを描画する工程と、第2の電子ビームによって、前記パターンのエッジラフネスが30nm以下になるように前記粗パターンを補正描画する工程と、を有することを特徴とする。
また、本発明の更に別の型製造方法は、直交及び平行するエッジ以外のエッジを少なくとも含むパターンを電子ビームによって描画することによりマスター型を製造し、このマスター型から電気鋳造法によって型を製造する型製造方法であって、前記パターンのエッジラフネスが30nm以下になるように前記電子ビームの形状を変化させて描画し製造されたマスター型を用いて前記型を製造することを特徴とする。
また、本発明の別の型製造方法は、直交及び平行するエッジ以外のエッジを少なくとも含むパターンを電子ビームによって描画することによりマスター型を製造し、このマスター型から電気鋳造法によって型を製造する型製造方法であって、第1の電子ビームによって粗パターンを描画された後、第2の電子ビームによって、前記パターンのエッジラフネスが30nm以下になるように前記粗パターンを補正描画して製造されたマスター型を用いて前記型を製造することを特徴とする。
また、本発明の型は、直交及び平行するエッジ以外のエッジを少なくとも含むパターンが形成された型であって、前記パターンのエッジラフネスが30nm以下であることを特徴とする。
また、本発明の型は、直交及び平行するエッジ以外のエッジを少なくとも含むパターンが形成された型であって、前記パターンを構成するエッジを直線として近似した基準線に対するエッジラフネスが30nm以下であることを特徴とする。
また、本発明の型は、直交及び平行するエッジ以外のエッジを少なくとも含むパターンが形成された型であって、前記パターンを構成するエッジを円として近似した基準線に対するエッジラフネスが30nm以下であることを特徴とする。
また、本発明の型は、直交及び平行するエッジ以外のエッジを少なくとも含むパターンが形成された型であって、前記パターンを構成するエッジをだ円として近似した基準線に対するエッジラフネスが30nm以下であることを特徴とする。
また、本発明の型は、直交及び平行するエッジ以外のエッジを少なくとも含むパターンが形成された型であって、前記パターンを構成するエッジをインボリュート曲線として近似した基準線に対するエッジラフネスが30nm以下であることを特徴とする。
また、本発明の型は、直交及び平行するエッジ以外のエッジを少なくとも含むパターンが形成された型であって、前記パターンを構成するエッジをサイクロイド曲線として近似した基準線に対するエッジラフネスが30nm以下であることを特徴とする。
また、本発明の型は、直交及び平行するエッジ以外のエッジを少なくとも含むパターンが形成された型であって、前記パターンを構成するエッジをアステロイド曲線として近似した基準線に対するエッジラフネスが30nm以下であることを特徴とする。
また、本発明の型は、直交及び平行するエッジ以外のエッジを少なくとも含むパターンが形成された型であって、前記パターンを構成するエッジを双曲線として近似した基準線に対するエッジラフネスが30nm以下であることを特徴とする。
また、本発明の型は、直交及び平行するエッジ以外のエッジを少なくとも含むパターンが形成された型であって、前記パターンを構成するエッジを放物線として近似した基準線に対するエッジラフネスが30nm以下であることを特徴とする。
また、本発明の型は、直交及び平行する線以外の線を少なくとも含むパターンが形成された型であって、前記パターンを構成する線は、線幅の誤差が60nm以下であることを特徴とする。
また、本発明の微細加工方法は、上述した型と加工対象物とを押圧し、前記型のパターンを前記加工対象物の被成型面に転写することを特徴とする。
また、本発明の微細加工品は、上述した型と加工対象物とを押圧し、前記型のパターンを前記加工対象物の被成型面に転写することにより形成されたものであることを特徴とする。
本発明によれば、型のパターンのエッジラフネスを小さくすることができるので、精密なパターンを転写することができる。
以下に、本発明の実施の形態を図1ないし図11に基づいて詳細に説明する。
本発明の型100は、直交及び平行するエッジ以外のエッジを少なくとも含むパターン100aが形成された型100であって、パターン100aのエッジラフネス(ラインエッジラフネス)が30nm以下、好ましくは20nm以下、更に好ましくは10nm以下に形成されるものである。
ここで、エッジラフネスとは、型100のパターン100aと型100の表面との境界線であるエッジ101が、エッジ101の平均線(後述する基準線102)方向と垂直な方向に不規則に変動している度合いを意味する。そして、このエッジラフネスが大きくなると、樹脂等に型100のパターン100aを転写する際に摩擦が大きくなる等の結果、転写後のパターンにバリや欠陥が生じるという問題や、型100側に樹脂等の残渣が残り易くなるという問題が生じる。本発明においては、エッジラフネス(Rq)として、下記式(1)を用いる。すなわち、エッジラフネス(Rq)は、基準線102からエッジ101までの偏差を二乗し、これらを平均した値の平方根で表したものである(図1、図2参照)。
ここで、Rqはエッジラフネス、Lは基準線102上の長さ、f(x)は基準線102を基準としたエッジ101の位置(基準線102に対するエッジ101の垂直方向の距離)を表す。
ここで、Rqはエッジラフネス、Lは基準線102上の長さ、f(x)は基準線102を基準としたエッジ101の位置(基準線102に対するエッジ101の垂直方向の距離)を表す。
また、基準線102としては、下記式(2)を満たす種々の直線、円、楕円、インボリュート曲線、サイクロイド曲線、アステロイド曲線、双曲線、放物線のいずれかであって、エッジラフネスRqを最小とする線を用いる。
また、Lの値としては、少なくとも100nm以上を用いるのが好ましい。また、パターンを直線の辺が集まった多角形として近似する場合には、その辺の長さをLとしても良い。
また、Lの値としては、少なくとも100nm以上を用いるのが好ましい。また、パターンを直線の辺が集まった多角形として近似する場合には、その辺の長さをLとしても良い。
なお、実際の計算においては、写真等から画像処理等で計算しても良いし、(x,f(x))の座標を何点かサンプリングして、近似的に計算しても良い。
型100の材料は、パターン100aを転写する際に型100の成分が加工対象物200に付着することがなければどのようなものでも良く、例えば「ニッケル等の金属」、「セラミックス」、「ガラス状カーボン等の炭素素材」、「シリコン」などが用いられる。
また、上述したパターン100aが2本のエッジで構成される線状に形成される場合には、パターン100aを構成する線は、線幅(エッジとエッジの間隔)の誤差が60nm以下、好ましくは40nm以下、更に好ましくは20nm以下になるようにエッジラフネスを制御して形成するのが好ましい。
型100をこのように形成することにより、バリや欠陥が生じることがなく、正確なパターン100aを転写することができる。また、型100に樹脂等の残渣が残るのを防止することができる。
なお、パターン100aを線状に形成する場合には、用いられる加工対象物200の種類にもよるが、線幅が1μm以下、100nm以下、10nm以下等種々の大きさに形成される。更に、このパターン100aの深さは、10nm以上、100nm以上、200nm以上、500nm以上、1μm以上、10μm以上、100μm以上等種々の大きさに形成される。また、このパターン100aのアスペクト比としては、0.2以上、0.5以上、1以上、2以上等種々のものがある。更に、このパターン100aが占める領域は、900mm2以上、更に好ましくは2500mm2以上の大きさが良い。なお、この型100は、成型中に加熱・冷却されるため、できる限り薄型化し、その熱容量を小さくする方が好ましい。
次に、このような型100の製造方法について説明する。
本発明の型製造方法は、直交及び平行するエッジ以外のエッジを少なくとも含むパターン100aを電子ビームによって描画し、型100を製造する型製造方法であって、パターン100aのエッジラフネスが30nm以下になるように電子ビームの形状を変化させて描画するものである。
この型製造方法に用いる電子ビーム描画装置300は、図3に示すように、電子銃301、集束レンズ302、縮小レンズ303、対物レンズ304、偏向電極305、第1の成型アパーチャ310、第2の成型アパーチャ320等で主に構成される。
第1のアパーチャ310は、矩形状の開口部を有するものであり、電子銃から放出された電子がこの窓を通過することにより、矩形に成形されると共に余分な領域への照射がカットされる。この矩形状の電子ビーム311(図4参照)は更に第2のアパーチャ320の開口部322によって特定の形状に成形されて、型100の表面に形成されたマスク面上に投影される。
第2のアパーチャ320は、図4に示すように、矩形状の開口部322A、これを45度回転させた開口部322B、菱形の開口部322C、円状の開口部322D等種々の形状をした開口部322を有するものであり、第1のアパーチャ310を通過した投影像との重ね合わせで矩形321Aや三角形321B,321C、扇形321D等の電子ビーム321を形成することができる。更に、重ね合わせる面積を変えるとビームサイズを自在に変えることも可能である。
なお、第2のアパーチャ320の開口部322の形状は、矩形状や円状に限られるものではなく、エッジラフネスを30nm以下に抑えた正確なパターン100aを形成することができるものであれば、楕円、インボリュート曲線、サイクロイド曲線、アステロイド曲線、双曲線、放物線等の他の形状を用いても勿論構わない。
次に、この電子ビーム描画装置300を用いて、直交及び平行するエッジ以外のエッジを少なくとも含む所望のパターン100aを有する型100を形成する方法について図5を用いて説明する。
まず、型用の基板99上にレジストを塗布し、レジスト膜を形成する。
次に、このレジスト膜上に、前述した電子ビーム描画装置300を用いて、形状とサイズを制御した電子ビームを所望のパターン(図5では六角形のパターン)に合わせて偏向しながら照射する。すなわち、第1のアパーチャ310を通過した投影像の辺と平行するエッジ101Aについては、その辺とエッジ101Aを合わせて電子ビーム311を投影(露光)する。また、第1のアパーチャ310を通過した投影像の辺と平行でないエッジ101Bについては、第2のアパーチャ320によって、投影像の辺とエッジの辺が平行又は平行に近くなるように電子ビームの形状を変更し、電子ビーム321を投影(露光)する。また、エッジ101を有さない領域については、電子ビーム311を投影(露光)すれば良い。これにより、第1のアパーチャ310を通過した投影像の辺と平行するエッジ101A以外のエッジ101Bを含むパターン100aであっても、エッジラフネスを30nm以下に抑えた正確なパターン100aをレジスト膜に露光することが可能となる。
なお、第1のアパーチャ310を通過した投影像の辺と平行するエッジ101Aについては、その辺とエッジ101Aを合わせて電子ビーム311を投影(露光)する旨説明したが、エッジ101Aと平行する辺を有する投影像を露光できるのであれば、第2のアパーチャ320によって形状を変化させた電子ビーム321を投影(露光)しても勿論構わない。
その後、レジスト膜をエッチングする等、通常の型の製造方法を用いて、所望のパターン100aが形成された型100を得れば良い。例えば、レジスト膜を現像して感光した部分を除去し、続いて基板99が露出している部分22をエッチングにより除去し、最後に、残っているレジスト膜を除去すれば、所望のパターン100aが形成された型100を得ることができる。なお、この型をマスター型として、表面に電気鋳造(エレクトロフォーミング)法、例えばニッケルメッキ法によって金属メッキを施し、この金属メッキ層を剥離して、凹凸からなるパターンを有する型を形成することも可能である。
また、本発明の別の型製造方法は、直交及び平行するエッジ以外のエッジを少なくとも含むパターン100aを電子ビームによって描画し、型を製造する型製造方法であって、第1の電子ビーム312によって粗パターン100bを描画する工程と、第2の電子ビーム322によって、パターン100aのエッジラフネスが30nm以下になるように粗パターン100bを補正描画する工程と、を有するものである。
例えば、図6(a)に示すように、型用の基板99上に形成されたレジスト膜上に、上述した第1のアパーチャ310と第2のアパーチャ320とによって形成された比較的大きな面積の第1の電子ビーム312によって、形成しようとする所望のパターン100c(図6では六角形のパターン)内に収まる大きさの粗パターン100bを描画する。
次に、第1のアパーチャ310と第2のアパーチャ320とによって第1の電子ビーム312より面積の小さい第2の電子ビーム322を形成し、パターン100aのエッジラフネスが30nm以下になるように上述した粗パターン100bを補正描画する。
その後、レジスト膜をエッチングする等、通常の型の製造方法を用いて、所望のパターンが形成された型を得れば良い。例えば、レジスト膜を現像して感光した部分を除去し、続いて基板99が露出している部分22をエッチングにより除去し、最後に、残っているレジスト膜を除去すれば、所望のパターン100aが形成された型100を得ることができる。なお、この場合にも、この型をマスター型として、表面に電気鋳造(エレクトロフォーミング)法、例えばニッケルメッキ法によって金属メッキを施し、この金属メッキ層を剥離して、凹凸からなるパターンを形成することができる。
次に、本発明の微細加工方法及び微細加工品について説明する。
本発明の微細加工方法は、パターン100aのエッジラフネスが30nm以下、好ましくは20nm以下、更に好ましくは10nm以下に形成される本発明の型100と加工対象物200とを押圧し、型100のパターン100aを加工対象物200の被成型面に転写するものであり、本発明の微細加工品は、上述した本発明の型100と加工対象物200とを押圧し、型100のパターン100aを加工対象物200の被成型面に転写することにより形成されたものである。
まず、本発明の微細加工方法に用いる微細加工装置1の一例について説明する。
微細加工装置1は、図7に示すように、所定のパターン100aを有する本発明の型100と加工対象物200とを押圧して、型100のパターンを加工対象物200に転写する微細加工装置であって、型100を保持する型保持部2と、加工対象物200を保持する加工対象物保持部12と、加工対象物200に対する型100の相対的な位置およびその位置を変化させる変位速度を調節可能な変位手段5と、加工対象物200に対する型100の相対的な位置を検出する位置検出手段7と、型100と加工対象物200との間の圧力を検出する圧力検出手段8と、型100を加熱する型加熱手段3と、型100を冷却する型冷却手段4と、型100の温度を検出する型温度検出手段31と、加工対象物200を加熱する加工対象物加熱手段13と、加工対象物200を冷却する加工対象物冷却手段14と、加工対象物200の温度を検出する加工対象物温度検出手段131と、位置検出手段7、圧力検出手段8、型温度検出手段31および加工対象物温度検出手段131の検出情報に基づいて、変位手段5、型加熱手段3、型冷却手段4、加工対象物加熱手段13および加工対象物冷却手段14の作動を制御する制御手段300と、で主に構成される。
型保持部2は、型100を保持する型保持面2aに、ねじやクランプ金具等の締結具で型100を面接触するように固定可能に形成される。なお、型保持部2の構造は、型100を型保持面2a上に保持するものであればどのようなものでも良く、例えば、型保持面2aに静電吸着や真空吸着により吸着保持する構造とすることも可能である。
また、型保持部2には、型100を加熱するための型加熱手段3、例えば非常に応答性の良いカーボンヒータを備えている。カーボンヒータは、制御手段300によって図示しない電源からの電流供給を制御されており、型100を所定の一定温度に維持することができる。なお、ヒータとしては、例えば、伝熱ヒータやセラミックヒータ、ハロゲンヒータ、IHヒータ等を用いることも可能である。
また、型保持部2には、型100を冷却する型冷却手段4が設けられている。型冷却手段4としては、例えばアルミニウムや銅等の熱伝導性の高い金属で形成された型保持部2の内部に水や油等の冷却液、空気や不活性ガス等の冷却気体を流すことで、型100を冷却することができる冷却流路を用いることができる。
また、型保持部2には、型100の温度を検出する型温度検出手段31、例えば熱電対が設けられている。また、型温度検出手段31は、制御手段300に電気的に接続されており、検出した型100の温度に関する情報を制御手段300に伝達するように形成されている。
加工対象物保持部12は、加工対象物200を略水平状態に保持するものであり、上面に加工対象物保持面12aを有した保持ステージを備えている。
この保持ステージには、加工対象物保持面12aに多数のバキューム孔(図示せず)が形成されており、このバキューム孔に図示しない負圧源から負圧を作用させることで、加工対象物保持面12a上に、加工対象物200を吸着保持できる構成となっている。なお、加工対象物保持部12の構造は、加工対象物200を加工対象物保持面12aに保持するものであればどのようなものでも良く、例えば、クランプ金具等の締結具で加工対象物保持面12aに固定したり、静電吸着で吸着保持したりする構造とすることも勿論可能である。
また、保持ステージの下部には保持した加工対象物200を加熱するための加工対象物加熱手段13、例えば非常に応答性の良いカーボンヒータを備えている。カーボンヒータは、制御手段300によって図示しない電源からの電流供給を制御されており、保持ステージ上の加工対象物200を所定の一定温度に維持することができる。なお、ヒータとしては、例えば、伝熱ヒータやセラミックヒータ、ハロゲンヒータ、IHヒータ等を用いることも可能である。
また、加工対象物保持部12には、加工対象物200を冷却する加工対象物冷却手段14を設けることも可能である。加工対象物冷却手段14としては、例えばアルミニウムや銅等の熱伝導性の高い金属で形成された加工対象物保持部12の内部に水や油等の冷却液、空気や不活性ガス等の冷却気体を流すことで、加工対象物200を冷却することができる冷却流路を用いることができる。
また、加工対象物保持部12には、加工対象物200の温度を検出する加工対象物温度検出手段131、例えば熱電対が設けられている。また、加工対象物温度検出手段131は、制御手段300に電気的に接続されており、検出した加工対象物200の温度に関する情報を制御手段300に伝達するように形成されている。
変位手段5は、例えば、垂直方向に配置されたボールネジ51と、このボールネジ51を回転駆動させる電気モータ52とから構成されている。また、ボールネジ51の下端部と型保持部2の上面は、押圧部53、ベアリング機構54を介して連結されている。そして、ボールネジ51を電気モータ52で回転駆動することで、基台50と上部ベース55との間に設けられた複数例えば4本の支柱56に対し、押圧部53を型100と加工対象物200の接離方向(以下、Z方向と称する)に変位させることができる。なお、電気モータ52としては、直流モータ、交流モータ、ステッピングモータ、サーボモータ等、種々のものを用いることができる。ここで、変位手段5は、加工対象物200に対する型100の位置を、型100のパターンの深さ以下の変位量で調節できる方が好ましい。具体的には、変位量を100μm以下で調節することができるものが良く、好ましくは10μm以下、更に好ましくは1μm以下、更に好ましくは100nm以下、更に好ましくは10nm以下、更に好ましくは1nm以下で調節できるものが好ましい。
また、変位手段5は、加工対象物200に対する型100の変位速度を調節できるものが好ましい。具体的には、100μm/秒以下で調節できるものが良く、好ましくは10μm/秒以下、更に好ましくは1μm/秒以下、更に好ましくは100nm/秒以下、更に好ましくは10nm/秒以下、更に好ましくは1nm/秒以下で調節できるものが良い。なぜなら、制御手段300は、圧力検出手段8が検出した情報に基づいて変位手段5の作動を制御し、型100と加工対象物200との間の圧力を調節しているが、圧力検出手段8が検出した情報を変位手段5にフィードバックするには、多少の時間が掛かる。したがって、変位速度が大き過ぎると圧力検出手段8が検出した情報を変位手段5にフィードバックするのが遅れ、型100と加工対象物200との間の実際の圧力を正確に制御することができなくなるからである。
なお、ここでは、変位手段5を型保持部2側に設ける場合について説明したが、加工対象物保持部12側に設けることも勿論可能である。また、変位手段5としては、型100と加工対象物200との相対的な変位量や変位速度を調節できるものであれば、ボールねじと電気モータにより構成されるものに限られず、例えば、電圧を調節して大きさ(寸法)を変化させることができる圧電素子や磁界を調節して大きさ(寸法)を変化させることができる磁歪素子を用いることもできる。また、ボールねじおよび電気モータと圧電素子又は磁歪素子の両方を用いることも勿論可能である。この場合には、型100と加工対象物200を大きく変位させる際に、ボールねじおよび電気モータを適用し、型100と加工対象物200を微小量変位させる際に、圧電素子又は磁歪素子を用いることができる。更に、油圧式のものや空圧式のもの等を用いることも勿論可能である。
変位手段5をこのように構成することによって、型100を保持する型保持部2を上下し、加工対象物保持部12に保持される加工対象物200に対し、型100のパターン面100aを精密に近接・押圧及び離間することができる。
位置検出手段7は、例えば、型保持部2に配置されたリニアスケールにより形成される。このリニアスケールを用いて、加工対象物200と型保持部2との距離を測定し、その値から加工対象物200に対する型100の相対的な位置や変位速度を計算して検出することができる。また、位置検出手段7は、制御手段300に電気的に接続されており、検出した型100の位置や変位速度に関する情報を伝達するように形成されている。なお、位置検出手段7としては、リニアスケールに限らず種々のものを用いることができ、例えば、型保持部2側に設けられたレーザー測長機を用いて、加工対象物200の位置を測定するか、加工対象物保持部12側に設けられたレーザー測長機を用いて、型100の位置を測定すればよい。また、電気モータに設けられたエンコーダを用いて、変位手段5の変位量から計算により測定するものでもよい。なお、位置検出手段7の分解能は、少なくとも型100のパターンの深さ方向(Z方向)の大きさ以下、あるいは、変位手段5が調節できる変位量以下の値で検出できるものが好ましい。具体的には、100μm以下で検出することができるものが良く、好ましくは10μm以下、更に好ましくは1μm以下、更に好ましくは100nm以下、更に好ましくは10nm以下、更に好ましくは1nm以下で検出することができるものが好ましい。
位置検出手段7をこのように構成することによって、パターンの大きさや型100と加工対象物200との間の圧力に応じて、加工対象物200に対する型100のパターン面100aの位置を精密に調節することができるので、パターンの転写性および離型性を向上することができる。
圧力検出手段8は、型100と加工対象物200との間の圧力を検出するもので、例えば、型100と加工対象物200との間の荷重を測定するロードセルを用いることができる。これにより、荷重を測定し、型100のパターン面100aの面積で割れば型100と加工対象物200との間の圧力を検出することができる。また、圧力検出手段8は、制御手段300に電気的に接続されており、検出した圧力に関する情報を伝達するように形成されている。
制御手段300は、位置検出手段7、圧力検出手段8、型温度検出手段31および加工対象物温度検出手段131の検出情報に基づいて、変位手段5、押圧手段6、型加熱手段3、型冷却手段4、加工対象物加熱手段13および加工対象物冷却手段14の作動を制御するもので、例えばコンピュータを用いることができる。
ここで、調節する変位速度は、加工対象物200の材料や温度等にもよるが、例えば、100μm/秒以下で調節するのが良く、好ましくは10μm/秒以下、更に好ましくは1μm/秒以下、更に好ましくは100nm/秒以下、更に好ましくは10nm/秒以下、更に好ましくは1nm/秒以下で調節するのが良い。これにより、型100と加工対象物200の間の実際の圧力を確実に予め設定した所定値以下に調節することができる。なお、圧力検出手段8の情報に基づいて型加熱手段3および加工対象物加熱手段13の少なくともいずれか一方を制御し、加工対象物200の成型面200aの温度を変化させて、型100と加工対象物200との間の圧力を調節することも可能である。
この微細加工装置1を用いた微細加工方法は以下の通りである。
まず、パターンのエッジラフネスが30nm以下である本発明の型100と加工対象物200は、成型するための所定の温度に加熱される。ここで、加工対象物200が基板等の比較的厚みのあるものの場合には、型100は加工対象物200より高い温度に加熱される方が好ましく、更に好ましくは、型100を加工対象物200が軟化する軟化温度(ガラス転移点や融点の温度)より高い温度に加熱し、加工対象物200はその軟化温度(ガラス転移点や融点の温度)より低い温度に加熱する方が好ましい。これにより、型100と加工対象物200とを押圧した際に、型100から加工対象物200に熱が伝達し、加工対象物200の表面近傍のみを軟化させることができるので、成型時に加工対象物200が潰れる等の問題を回避することができる。一方、加工対象物200がフィルムやシートのように比較的薄いものの場合には、型100と加工対象物200の温度を同じか同程度の温度に加熱する。これは、熱が伝わり易く結局型100と加工対象物200が同じ温度になるためである。加熱する温度は、加工対象物200の材質や型100の材質に寄るが、例えば、加工対象物が軟化する軟化温度(Tg)+20℃以上、軟化温度(Tg)+25℃以上、軟化温度(Tg)+30℃以上等にすれば良い。勿論、この温度に限定されるものではない。
型100と加工対象物200とを所定温度に加熱した後、型100と加工対象物200とを予め設定した圧力で押圧する。この際、型100と加工対象物200との間の圧力は、型100のパターン100aを加工対象物200に転写できる大きさの範囲で、できる限り小さい圧力を用いる方が良い。具体的には、4MPa以下、好ましくは2MPa以下、更に好ましくは1.5MPa以下、更に好ましくは1MPa以下、更に好ましくは、0.5MPa以下、更に好ましくは0.25MPa以下にするのが良い。これにより、従来よりも比較的小さい圧力で押圧するため、型100と加工対象物200との間の密着力を増加させることがなく、型崩れ等を防止して離型を容易にすることができる。
この場合、加工対象物200に対する型100の変位速度は、型100と加工対象物200との間の圧力が予め設定した圧力、例えば4MPaを常に超えないように調節できる速度にする方が良い。なお、更に好ましくは、加工対象物200に対する型100の変位量を制御して押圧する方が好ましい。
また、型100と加工対象物200とを押圧し、型100のパターンを加工対象物に転写する際には、型100と加工対象物200の雰囲気を真空にする方が好ましい。この場合、パターンの転写前に真空雰囲気にすれば良いが、加工対象物200の酸化等を考慮すれば、加工対象物200の加熱前に真空雰囲気にする方が好ましい。真空度としては、例えば40Pa以下にすれば良い。
次に、型100と加工対象物200とを接触させたまま、型100と加工対象物200を冷却し、加工対象物200の温度をガラス転移温度(または軟化温度)以下にする。例えば、冷却温度を軟化温度(Tg)−5℃以下、軟化温度(Tg)−45℃以下、軟化温度(Tg)−90℃以下等にすれば良い。勿論、この温度に限定されるものではない。また、型100と加工対象物200との間の圧力を保持したままで冷却しても良いし、ゼロ近傍まで減圧した後に冷却しても良い。
最後に、型100と加工対象物200とを離型して、微細加工方法のプロセスを終了する。
これにより、精密にパターン形状が制御された微細加工品を、低コストかつ大量生産することができる。
100 型
100a パターン
101 エッジ
311 電子ビーム
312 第1の電子ビーム
321 電子ビーム
322 第2の電子ビーム
100a パターン
101 エッジ
311 電子ビーム
312 第1の電子ビーム
321 電子ビーム
322 第2の電子ビーム
Claims (16)
- 直交及び平行するエッジ以外のエッジを少なくとも含むパターンを電子ビームによって描画し、型を製造する型製造方法であって、
前記パターンのエッジラフネスが30nm以下になるように前記電子ビームの形状を変化させて描画することを特徴とする型製造方法。 - 直交及び平行するエッジ以外のエッジを少なくとも含むパターンを電子ビームによって描画し、型を製造する型製造方法であって、
第1の電子ビームによって粗パターンを描画する工程と、
第2の電子ビームによって、前記パターンのエッジラフネスが30nm以下になるように前記粗パターンを補正描画する工程と、
を有することを特徴とする型製造方法。 - 直交及び平行するエッジ以外のエッジを少なくとも含むパターンを電子ビームによって描画することによりマスター型を製造し、このマスター型から電気鋳造法によって型を製造する型製造方法であって、
前記パターンのエッジラフネスが30nm以下になるように前記電子ビームの形状を変化させて描画し製造されたマスター型を用いて前記型を製造することを特徴とする型製造方法。 - 直交及び平行するエッジ以外のエッジを少なくとも含むパターンを電子ビームによって描画することによりマスター型を製造し、このマスター型から電気鋳造法によって型を製造する型製造方法であって、
第1の電子ビームによって粗パターンを描画された後、第2の電子ビームによって、前記パターンのエッジラフネスが30nm以下になるように前記粗パターンを補正描画して製造されたマスター型を用いて前記型を製造することを特徴とする型製造方法。 - 直交及び平行するエッジ以外のエッジを少なくとも含むパターンが形成された型であって、
前記パターンのエッジラフネスが30nm以下であることを特徴とする型。 - 直交及び平行するエッジ以外のエッジを少なくとも含むパターンが形成された型であって、
前記パターンを構成するエッジを直線として近似した基準線に対するエッジラフネスが30nm以下であることを特徴とする型。 - 直交及び平行するエッジ以外のエッジを少なくとも含むパターンが形成された型であって、
前記パターンを構成するエッジを円として近似した基準線に対するエッジラフネスが30nm以下であることを特徴とする型。 - 直交及び平行するエッジ以外のエッジを少なくとも含むパターンが形成された型であって、
前記パターンを構成するエッジをだ円として近似した基準線に対するエッジラフネスが30nm以下であることを特徴とする型。 - 直交及び平行するエッジ以外のエッジを少なくとも含むパターンが形成された型であって、
前記パターンを構成するエッジをインボリュート曲線として近似した基準線に対するエッジラフネスが30nm以下であることを特徴とする型。 - 直交及び平行するエッジ以外のエッジを少なくとも含むパターンが形成された型であって、
前記パターンを構成するエッジをサイクロイド曲線として近似した基準線に対するエッジラフネスが30nm以下であることを特徴とする型。 - 直交及び平行するエッジ以外のエッジを少なくとも含むパターンが形成された型であって、
前記パターンを構成するエッジをアステロイド曲線として近似した基準線に対するエッジラフネスが30nm以下であることを特徴とする型。 - 直交及び平行するエッジ以外のエッジを少なくとも含むパターンが形成された型であって、
前記パターンを構成するエッジを双曲線として近似した基準線に対するエッジラフネスが30nm以下であることを特徴とする型。 - 直交及び平行するエッジ以外のエッジを少なくとも含むパターンが形成された型であって、
前記パターンを構成するエッジを放物線として近似した基準線に対するエッジラフネスが30nm以下であることを特徴とする型。 - 直交及び平行する線以外の線を少なくとも含むパターンが形成された型であって、
前記パターンを構成する線は、線幅の誤差が60nm以下であることを特徴とする型。 - 請求項5ないし14記載の型と加工対象物とを押圧し、前記型のパターンを前記加工対象物の被成型面に転写することを特徴とする微細加工方法。
- 請求項5ないし14記載の型と加工対象物とを押圧し、前記型のパターンを前記加工対象物の被成型面に転写することにより形成されたものであることを特徴とする微細加工品。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2006261588A JP2008080586A (ja) | 2006-09-26 | 2006-09-26 | 型、型製造方法、微細加工品およびその微細加工方法 |
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- 2006-09-26 JP JP2006261588A patent/JP2008080586A/ja active Pending
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