JP2008078637A - 半導体装置の製造装置および半導体装置の作製方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に形成された薄膜に対して、光制御手段、具体的には電気光学装置を介してレーザ光の照射を選択的に行ってアブレーションを生じさせることで薄膜を部分的に除去し、残存させた領域の薄膜を所望の形状とする。電気光学装置は、半導体装置の設計CADデータに基づく電気信号を入力することで可変のマスクとして機能する。
【選択図】図1
Description
本発明の実施形態について、以下に説明する。
本実施の形態では、レーザ発振装置からのレーザビームの光路上に複数の電気光学装置を配置する例を図3に示す。
本実施の形態では、レーザビームの光路にDMDを配置する例を示す。
101:第1材料層
103:レーザ発振装置
104:第1の光学系
105:第2の光学系
106:第3の光学系
107:反射ミラー
108:電気光学装置
109:基板ステージ
114:第2材料層
115:第3材料層
116:制御装置
201:第1材料層
202:第2材料層
208:電気光学装置
209:基板ステージ
210:走査方向
212:レーザビーム
213:島状の第1の材料層
214:島状の第2の材料層
300:基板
301:第1材料層
303:レーザ発振装置
304:第1の光学系
305:第2の光学系
306:第3の光学系
307:反射ミラー
308a:第1の電気光学装置
308b:第2の電気光学装置
308c:第3の電気光学装置
309:基板ステージ
314:第2材料層
315:第3材料層
316:制御装置
Claims (16)
- レーザ光を射出する光源ユニットと、
前記レーザ光を矩形状または線状のレーザビームに成形する光学系と、
前記矩形状または線状のレーザビームを選択的に遮光制御する光制御手段と、
前記光制御手段を通過したレーザビームを被照射体の表面上に走査する走査手段とを有し、
前記光制御手段を通過したレーザビームは、前記被照射体の照射された領域を除去する製造装置。 - 請求項1において、前記光制御手段は、入力された電気信号で前記光制御手段の遮光部分と光透過部分とを切り替える製造装置。
- 請求項1において、前記光制御手段は、入力された電気信号で前記光制御手段の偏向部分と光透過部分とを切り替える製造装置。
- レーザ光を射出する光源ユニットと、
前記レーザ光を矩形状または線状のレーザビームに成形する光学系と、
前記矩形状または線状のレーザビームを選択的に反射制御する光制御手段と、
前記光制御手段を反射したレーザビームを被照射体の表面上に走査する走査手段とを有し、
前記光制御手段を反射したレーザビームは、前記被照射体の照射された領域を除去する製造装置。 - 請求項4において、前記光制御手段は、入力された電気信号で前記光制御手段の反射方向を切り替える製造装置。
- 請求項1乃至5のいずれか一において、さらに前記光源ユニット及び前記光制御手段を制御する制御装置を備えている製造装置。
- 請求項1乃至5のいずれか一において、さらに前記光源ユニット、前記光制御手段、及び前記走査手段を制御する制御装置を備えている製造装置。
- 請求項1乃至7のいずれか一において、前記矩形状または線状のレーザビームの長手方向は、前記走査手段で走査する方向と直交する製造装置。
- 請求項1乃至8のいずれか一において、前記被照射体は、基板上に形成された第1材料層、第2材料層の順に積層された積層であり、レーザビームを照射して前記第1材料層または前記第2材料層をアブレーションさせることで、前記第2材料層の除去、或いは、前記第1材料層及び前記第2材料層の除去を行う製造装置。
- 請求項1乃至8のいずれか一において、前記被照射体は、基板上に形成された第1材料層、第2材料層、第3材料層の順に積層された積層であり、レーザビームを照射して前記第2材料層をアブレーションさせることで、前記第2材料層及び前記第3材料層の除去、或いは、前記第1材料層、前記第2材料層、及び前記第3材料層の除去を行う製造装置。
- 基板上に第1材料層、第2材料層の順に積層し、
矩形状または線状のレーザビームを電気光学装置に通過させ、
前記第1材料層または前記第2材料層に対して選択的にレーザ光の走査を行い、前記第1材料層または前記第2材料層をアブレーションさせることで、前記第2材料層の除去、或いは、前記第1材料層及び前記第2材料層の除去を選択的に行う半導体装置の作製方法。 - 基板上に第1材料層、第2材料層、第3材料層の順に積層し、
矩形状または線状のレーザビームを電気光学装置に通過させ、
前記第1材料層、前記第2材料層、または前記第3材料層に対して選択的にレーザ光の走査を行い、レーザビームを照射して前記第2材料層をアブレーションさせることで、前記第2材料層及び前記第3材料層の除去、或いは、前記第1材料層、前記第2材料層、及び前記第3材料層の除去を行う半導体装置の作製方法。 - 請求項11または請求項12において、前記レーザ光の走査の間、前記電気光学装置における光の通過する位置を複数回変化させる半導体装置の作製方法。
- 基板上に第1材料層、第2材料層の順に積層し、
矩形状または線状のレーザビームをデジタルマイクロミラーデバイスに照射させ、
前記第1材料層または前記第2材料層に対して選択的にレーザ光の走査を行い、前記第1材料層または前記第2材料層をアブレーションさせることで、前記第2材料層の除去、或いは、前記第1材料層及び前記第2材料層の除去を選択的に行う半導体装置の作製方法。 - 基板上に第1材料層、第2材料層、第3材料層の順に積層し、
矩形状または線状のレーザビームをデジタルマイクロミラーデバイスに照射させ、
前記第1材料層、前記第2材料層、または前記第3材料層に対して選択的にレーザ光の走査を行い、レーザビームを照射して前記第2材料層をアブレーションさせることで、前記第2材料層及び前記第3材料層の除去、或いは、前記第1材料層、前記第2材料層、及び前記第3材料層の除去を行う半導体装置の作製方法。 - 請求項14または請求項15において、前記レーザ光の走査の間、前記デジタルマイクロミラーデバイスにおける光の反射する位置を複数回変化させる半導体装置の作製方法。
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JP2004098097A (ja) * | 2002-09-06 | 2004-04-02 | Amada Co Ltd | ワークシュータ金型 |
JP2004098087A (ja) * | 2002-09-05 | 2004-04-02 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | レーザ加工装置およびレーザ加工方法 |
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