JP2008073768A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2008073768A5
JP2008073768A5 JP2007214665A JP2007214665A JP2008073768A5 JP 2008073768 A5 JP2008073768 A5 JP 2008073768A5 JP 2007214665 A JP2007214665 A JP 2007214665A JP 2007214665 A JP2007214665 A JP 2007214665A JP 2008073768 A5 JP2008073768 A5 JP 2008073768A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
forming
insulating layer
light absorption
semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2007214665A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP5147330B2 (ja
JP2008073768A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2007214665A priority Critical patent/JP5147330B2/ja
Priority claimed from JP2007214665A external-priority patent/JP5147330B2/ja
Publication of JP2008073768A publication Critical patent/JP2008073768A/ja
Publication of JP2008073768A5 publication Critical patent/JP2008073768A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5147330B2 publication Critical patent/JP5147330B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2007214665A 2006-08-25 2007-08-21 半導体装置の作製方法 Expired - Fee Related JP5147330B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007214665A JP5147330B2 (ja) 2006-08-25 2007-08-21 半導体装置の作製方法

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006229729 2006-08-25
JP2006229729 2006-08-25
JP2007214665A JP5147330B2 (ja) 2006-08-25 2007-08-21 半導体装置の作製方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2008073768A JP2008073768A (ja) 2008-04-03
JP2008073768A5 true JP2008073768A5 (zh) 2010-08-26
JP5147330B2 JP5147330B2 (ja) 2013-02-20

Family

ID=39346359

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007214665A Expired - Fee Related JP5147330B2 (ja) 2006-08-25 2007-08-21 半導体装置の作製方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5147330B2 (zh)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5094535B2 (ja) * 2008-05-07 2012-12-12 富士フイルム株式会社 凹部形成方法、凹凸製品の製造方法、発光素子の製造方法および光学素子の製造方法
FR2932899B1 (fr) * 2008-06-23 2010-07-30 Commissariat Energie Atomique Procede d'elimination de defaut de gravure d'une couche metallique deposee sur un support souple.
JP5194129B2 (ja) * 2008-10-14 2013-05-08 旭化成株式会社 熱反応型レジスト材料、それを用いた熱リソグラフィ用積層体及びそれらを用いたモールドの製造方法
JP4859145B2 (ja) 2008-12-25 2012-01-25 独立行政法人産業技術総合研究所 エッチングレジスト
JP4973698B2 (ja) * 2009-06-30 2012-07-11 カシオ計算機株式会社 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法
JP2013081957A (ja) * 2011-10-06 2013-05-09 Disco Corp パシベーション膜が積層された基板のアブレーション加工方法
JP2013082564A (ja) * 2011-10-06 2013-05-09 Disco Corp セラミックス基板のアブレーション加工方法
CN103760749A (zh) 2014-01-14 2014-04-30 北京京东方显示技术有限公司 薄膜图案的制造方法、显示基板
CN117219572A (zh) * 2016-12-23 2023-12-12 英特尔公司 高级光刻和自组装装置
US10504733B2 (en) * 2017-01-19 2019-12-10 Texas Instruments Incorporated Etching platinum-containing thin film using protective cap layer
EP4136675A4 (en) * 2020-04-14 2024-01-17 Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. METHOD FOR PRODUCING A THREE-DIMENSIONAL STORAGE DEVICE WITH BACK SOURCE CONTACT

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61147285A (ja) * 1984-12-21 1986-07-04 キヤノン株式会社 表示素子の修復方法
JPS61269995A (ja) * 1985-05-23 1986-11-29 Takatou Seikan Kk レ−ザ光線による彫刻方法
JPH0646639B2 (ja) * 1988-05-25 1994-06-15 株式会社精工舎 逆スタガー型シリコン薄膜トランジスタの製造方法
JPH09113930A (ja) * 1995-10-16 1997-05-02 Sharp Corp アクティブマトリクス型液晶表示装置およびその断線修正方法
JP4584387B2 (ja) * 1999-11-19 2010-11-17 シャープ株式会社 表示装置及びその欠陥修復方法
JP4006994B2 (ja) * 2001-12-18 2007-11-14 株式会社リコー 立体構造体の加工方法、立体形状品の製造方法及び立体構造体

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2008073768A5 (zh)
JP2008177553A5 (zh)
JP2008311633A5 (zh)
JP2008078634A5 (zh)
JP2014202838A5 (zh)
JP2006100808A5 (zh)
JP2009033135A5 (zh)
JP2009081425A5 (zh)
JP2012164976A5 (ja) 半導体装置の作製方法
JP2010166038A5 (zh)
JP2005244197A5 (zh)
JP2013153140A5 (ja) 半導体装置の作製方法
JP2009246348A5 (zh)
JP2005286320A5 (zh)
JP2008135717A5 (zh)
JP2013149963A5 (ja) 半導体装置の作製方法
JP2012033896A5 (zh)
JP2009021568A5 (zh)
JP2008252068A5 (zh)
JP2012178543A5 (zh)
JP2014099602A5 (ja) 半導体装置の作製方法
JP2006100810A5 (zh)
JP2005303283A5 (zh)
JP2006173596A5 (zh)
JP2016126319A5 (zh)