JP2008060415A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体基板上の第一の層間絶縁層100内に形成されたタングステンプラグ101aと、タングステンプラグ101a上に形成された導電性かつ薄膜のコバルト含有キャップ膜103と、第一の層間絶縁層100の上層層間絶縁層である第二の層間絶縁層104内において、タングステンプラグ101a上にキャップ膜103を介して形成された銅配線105aを備える。
【選択図】図1
Description
以下に、図5を参照して、実施例2の変形例に係る半導体装置の構成を説明する。図5は、実施例2の変形例に係る半導体装置の要部の構成を示している。
101:第一の配線導電体
101a:プラグ
101b:配線
102:酸化防止膜
103:キャップ膜
104:第二の層間絶縁層
105:第二の配線導電体
105a:配線
105b:プラグ
106:バリア膜
107:ホール
108:配線溝
109:CuMn合金層
110:凹部
111:窒素含有金属シリサイド膜
Claims (5)
- 第一の配線導電体と、
前記第一の配線導電体上に形成された導電性のコバルト含有キャップ膜と、
前記第一の配線導電体上に前記キャップ膜を介して形成された第二の配線導電体と、
を備え、
前記第一及び前記第二の配線導電体の一方のみが、銅を主成分とすることを特徴とする半導体装置。 - 前記第一の配線導電体は表面に凹部を有し、少なくとも前記凹部の内壁表面に、前記第一の配線導電体表面の金属(M)を構成成分とする窒素含有金属(M)シリサイド膜が形成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記第一の配線導電体表面には、前記第一の配線導電体表面の金属(M)を構成成分とする窒素含有金属(M)シリサイド膜が形成され、前記キャップ膜は前記窒素含有金属(M)シリサイド膜が形成された前記第一の配線導電体上部表面上に形成されていることを特徴とする請求項1又は2記載の半導体装置。
- 前記第一の配線導電体はプラグであり、前記第二の配線導電体は銅配線であることを特徴とする請求項1乃至3記載の半導体装置。
- 前記銅配線は、Mn、Nb、Zr、Cr、V、Y、Tc、Reのうち少なくとも一つの金属元素とOを含む膜を介して層間絶縁層と隣接していることを特徴とする請求項4記載の半導体装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2006236810A JP4740071B2 (ja) | 2006-08-31 | 2006-08-31 | 半導体装置 |
US11/848,978 US20080054466A1 (en) | 2006-08-31 | 2007-08-31 | Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2006236810A JP4740071B2 (ja) | 2006-08-31 | 2006-08-31 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2008060415A true JP2008060415A (ja) | 2008-03-13 |
JP4740071B2 JP4740071B2 (ja) | 2011-08-03 |
Family
ID=39242789
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2006236810A Expired - Fee Related JP4740071B2 (ja) | 2006-08-31 | 2006-08-31 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP4740071B2 (ja) |
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