JP2003332422A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】配線層間に誘電率の高い膜種を用いずに、低誘
電率膜に配線溝や接続孔を形成することができ、配線容
量を低減することができる半導体装置およびその製造方
法を提供する。 【解決手段】層間絶縁膜２２，２４を有機ポリマーを主
成分とする低誘電率材料により形成し、層間絶縁膜２３
をシリコンを主成分とする低誘電率材料により形成す
る。エッチング耐性の異なる膜種を交互に積層させるこ
とにより、一方の低誘電率材料からなる層間絶縁膜をエ
ッチングする際に下地の低誘電率材料からなる層間絶縁
膜は、高いエッチング耐性を有し、下地の層間絶縁膜に
対して高いエッチング選択比により層間絶縁膜をエッチ
ングすることができることから、従来のエッチングスト
ッパ層のような誘電率の高い膜は挿入することなく、層
間絶縁膜に配線溝および接続孔を形成することができ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、低誘電率
膜を層間絶縁膜に用いる半導体装置およびその製造方法
に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体装置の微細化に伴って、配
線の微細化、配線ピッチの縮小化が必要となってきてい
る。また、同時に、低消費電力化および高速化などの要
求に伴い、層間絶縁膜の低誘電率化および配線の低抵抗
化が必要になってきている。

【０００３】特にロジック系のデバイスでは、微細配線
による抵抗上昇、配線容量の増加がデバイスのスピード
劣化につながるため、微細な配線でかつ低誘電率膜を層
間絶縁膜とした多層配線が必要となっている。

【０００４】配線幅の微細化、ピッチの縮小化は、配線
自身の縦横比を大きくするだけでなく、配線間のスペー
スのアスペクト比を大きくし、結果として、縦に細長い
微細配線を形成する技術、微細な配線間を層間膜で埋め
込む技術が必要となり、プロセスを複雑にすると同時
に、プロセス数の増大を招いている。

【０００５】接続孔と配線溝をアルミニウム（Ａｌ）や
銅（Ｃｕ）等の金属によりメッキなどで同時に埋め込
み、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing)により表
面の金属を研磨するダマシンプロセスでは、高アスペク
ト比の金属配線をエッチングで形成することも、配線間
の狭隙を層間膜で埋め込む必要もなく、大幅にプロセス
数を減らすことが可能である。このプロセスは、配線ア
スペクト比が高くなるほど、配線総数が増大するほど、
トータルコストの削減に大きく寄与するようになる。

【０００６】一方、層間絶縁膜の低誘電率化は、配線間
の容量を低減するが、０．１８μｍルール以下のデバイ
スに適用される、比誘電率３．０以下の膜は、従来のデ
バイスに用いられている比誘電率４．１の酸化シリコン
膜と膜質が大きく異なり、それら低誘電率膜に対応した
プロセス技術が求められている。

【０００７】具体的には、比誘電率３．０を下回る低誘
電率膜の多くは、カーボンを含むいわゆる有機膜が従来
の層間絶縁膜に代わって採用される。このような低誘電
率膜は、従来用いられてきた酸化シリコン膜に比べてヤ
ング率や硬度等といった膜強度が低く、従来のプロセス
をそのまま使用することが困難となっている。すなわ
ち、膜剥がれや変形などが発生するという問題が生じて
おり、その解決が望まれている。

【０００８】このような欠点を克服するために、エッチ
ングのストッパ層や平坦化研磨のためのストッパ層とい
った誘電率が高く、丈夫な膜を組み合わせたＨｙｂｒｉ
ｄ方式が一般的に用いられるようになりつつある。例え
ば、上記のストッパ層として窒化シリコン等を用いた場
合には、当該窒化シリコン膜は、エッチング等のストッ
パ層としての機能の他、配線溝に埋め込まれた銅の露出
表面を被覆して銅の拡散を防止するための拡散防止層と
しての機能も兼ねることとなる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ストッパ層や拡散防止層といった誘電率の高い膜種が層
間に挿入されると、本来の低誘電率膜の効果が薄れ、実
効的には配線容量が大きな配線構造となってしまう。

【００１０】一方、近年、配線溝に埋め込まれた銅の露
出表面のみに、選択的に銅の拡散を防止するバリアメタ
ルをメッキする技術等が開発されており、銅の拡散を防
止するためには、必ずしも配線層間の全面に窒化シリコ
ン膜等の拡散防止層を挿入する必要はなくなりつつあ
る。

【００１１】しかしながら、上述したように、窒化シリ
コン等の膜は、拡散防止層としての機能の他、エッチン
グのストッパ層としての機能も有しているため、配線層
間においてこのような誘電率の高い膜種を省くことがで
きず、実効誘電率の増加に繋がっていた。

【００１２】以上のように、低誘電率膜の低誘電率特性
を損なうことなく、配線溝や接続孔を形成する技術が望
まれている。

【００１３】本発明は上記の事情に鑑みてなされたもの
であり、その目的は、配線層間に誘電率の高い膜種を用
いずに、低誘電率膜に配線溝や接続孔を形成することが
でき、配線容量を低減することができる半導体装置およ
びその製造方法を提供することにある。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明の半導体装置の製造方法は、低誘電率膜に接
続孔および配線溝が形成され、前記接続孔および前記配
線溝に導電膜が埋め込まれて形成された配線層が基板の
上層に複数積層されている半導体装置であって、各配線
層の前記低誘電率膜が、隣接する前記配線層の前記低誘
電率膜とはエッチング耐性の異なる材料により形成され
ている。ここで、低誘電率膜とは、比誘電率が３．０以
下の絶縁膜のことである。

【００１５】複数の前記配線層は、有機ポリマーを主成
分とする低誘電率材料からなる低誘電率膜を有する第１
配線層と、シリコンを主成分とする低誘電率材料からな
る低誘電率膜を有する第２配線層が交互に積層されて形
成されている。

【００１６】上記の本発明の半導体装置によれば、各配
線層の低誘電率膜が、隣接する配線層の低誘電率膜とは
エッチング耐性の異なる材料により形成されていること
から、一方の低誘電率膜への配線溝および接続孔の形成
のためのエッチングにおいて、下層の配線層の低誘電率
膜は高いエッチング耐性を有し、下層の低誘電率膜に対
して高いエッチング選択比により低誘電率膜がエッチン
グされることから、エッチングストッパ層のような誘電
率の高い膜が挿入されずに、低誘電率膜に配線溝および
接続孔が形成された配線構造が実現される。

【００１７】さらに、上記の目的を達成するため、本発
明の半導体装置の製造方法は、基板の上層に低誘電率膜
を形成する工程と、前記低誘電率膜にエッチングにより
配線溝と接続孔を形成する工程と、前記配線溝と前記接
続孔を埋め込むように前記低誘電率膜上に導電膜を堆積
させる工程と、前記配線溝と前記接続孔に埋め込まれた
前記導電膜を残しながら、前記低誘電率膜上に堆積した
前記導電膜を除去する工程と、を有する配線層の形成工
程を複数有し、前記配線層の形成工程において、下層の
配線層の低誘電率膜とはエッチング耐性の異なる材料に
より低誘電率膜を形成する。ここで、低誘電率膜とは、
比誘電率が３．０以下の絶縁膜のことである。

【００１８】前記配線層の形成工程は、有機ポリマーを
主成分とする低誘電率材料からなる前記低誘電率膜を形
成する工程を有する第１配線層を形成する工程と、シリ
コンを主成分とする低誘電率材料からなる前記低誘電率
膜を形成する工程を有する第２配線層を形成する工程と
を有し、前記第１配線層を形成する工程と前記第２配線
層を形成する工程とを交互に繰り返し有する。

【００１９】上記の本発明の半導体装置の製造方法によ
れば、配線層の形成工程において、下層の配線層の低誘
電率膜とはエッチング耐性の異なる材料により低誘電率
膜を形成することから、配線溝および接続孔を形成する
対象となる低誘電率膜に施すエッチングにおいて、下層
の配線層の低誘電率膜は高いエッチング耐性を有し、下
層の低誘電率膜に対して高いエッチング選択比により対
象となる低誘電率膜がエッチングされることから、エッ
チングストッパ層のような誘電率の高い膜を挿入するこ
となく、低誘電率膜に配線溝および接続孔が形成され
る。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の半導体装置およ
びその製造方法の実施の形態について、図面を参照して
説明する。

【００２１】第１実施形態 図１は、本実施形態に係る半導体装置の一例を示す断面
図である。ＭＯＳトランジスタやその他の半導体素子を
形成した半導体基板１０上に、例えば、酸化シリコンか
らなる第１絶縁膜１１が形成されており、第１絶縁膜１
１には半導体基板１０に達する接続孔１１ａが形成され
ており、タングステン等の導電層１２が埋め込まれて第
１層コンタクトＣ１が形成されている。

【００２２】第１絶縁膜１１および第１層コンタクトＣ
１を被覆して全面に、例えば、酸化シリコンからなる第
２絶縁膜１３が形成されており、当該第２絶縁膜１３に
は、第１層コンタクトＣ１に達する配線溝１３ａが形成
されており、当該配線溝１３ａを被覆してＣｏＷＰ等か
らなるバリアメタル１４が形成され、その内部に例えば
銅等の導電層１５が埋め込まれ、導電層１５の上面にＣ
ｏＷＰ等からなるバリアメタル１６が選択的に形成され
ることにより、導電層１５、バリアメタル１４，１６か
らなる第１層配線Ｗ１が形成されている。

【００２３】このようにして、第１絶縁膜１１および第
２絶縁膜１３からなる第１層間絶縁膜に形成された第１
層コンタクトＣ１および第１層配線Ｗ１により、第１層
目の配線層１が構成されている。

【００２４】第１層目の配線層１を被覆して全面に、後
述する有機ポリマーを主成分とする低誘電率材料からな
る第２層間絶縁膜２２が形成されており、当該第２層間
絶縁膜２２には、配線溝２２ａおよび接続孔２２ｂが一
体的に形成され、当該配線溝２２ａおよび接続孔２２ｂ
を被覆して、ＣｏＷＰ等からなるバリアメタル３２が形
成され、その内部に例えば銅等の導電層４２が埋め込ま
れ、導電層４２の上面にＣｏＷＰ等からなるバリアメタ
ル５２が選択的に形成されている。

【００２５】配線溝２２ａに形成された導電層４２、バ
リアメタル３２，５２により第２層配線Ｗ２が形成さ
れ、接続孔２２ｂに形成された導電層４２およびバリア
メタル３２により第２層コンタクトＣ２が形成されてい
る。このようにして、第２層間絶縁膜２２に形成された
第２層コンタクトＣ２および第２層配線Ｗ２により、第
２層目の配線層２が構成されている。

【００２６】第２層目の配線層２を被覆して全面に、後
述するシリコンを主成分とする低誘電率材料からなる第
３層間絶縁膜２３が形成されており、当該第３層間絶縁
膜２３には、配線溝２３ａおよび接続孔２３ｂが一体的
に形成され、当該配線溝２３ａおよび接続孔２３ｂを被
覆して、ＣｏＷＰ等からなるバリアメタル３３が形成さ
れ、その内部に例えば銅等の導電層４３が埋め込まれ、
導電層４３の上面にＣｏＷＰ等からなるバリアメタル５
３が選択的に形成されている。

【００２７】配線溝２３ａに形成された導電層４３、バ
リアメタル３３，５３により第３層配線Ｗ３が形成さ
れ、接続孔２３ｂに形成された導電層４３およびバリア
メタル３３により第３層コンタクトＣ３が形成されてい
る。このようにして、第３層間絶縁膜２３に形成された
第３層コンタクトＣ３および第３層配線Ｗ３により、第
３層目の配線層３が構成されている。

【００２８】第３層目の配線層３を被覆して全面に、後
述する有機ポリマーを主成分とする低誘電率材料からな
る第４層間絶縁膜２４が形成されており、当該第４層間
絶縁膜２４には、配線溝２４ａおよび接続孔２４ｂが一
体的に形成され、当該配線溝２４ａおよび接続孔２４ｂ
を被覆して、ＣｏＷＰ等からなるバリアメタル３４が形
成され、その内部に例えば銅等の導電層４４が埋め込ま
れ、導電層４４の上面にＣｏＷＰ等からなるバリアメタ
ル５４が選択的に形成されている。

【００２９】配線溝２４ａに形成された導電層４４、バ
リアメタル３４，５４により第４層配線Ｗ４が形成さ
れ、接続孔２４ｂに形成された導電層４４およびバリア
メタル３４により第４層コンタクトＣ４が形成されてい
る。このようにして、第４層間絶縁膜２４に形成された
第４層コンタクトＣ４および第４層配線Ｗ４により、第
４層目の配線層４が構成されている。

【００３０】以上のように、本実施形態では、最下層の
第１絶縁膜１１および第２絶縁膜１３以外の各配線層に
おける層間絶縁膜２２，２３，２４に、誘電率が３．０
以下の低誘電率材料を採用しており、かつ、第２層間絶
縁膜２２は有機ポリマーを主成分とする低誘電率材料に
より形成され、第３層間絶縁膜２３はシリコンを主成分
とする低誘電率材料により形成され、第４層間絶縁膜２
４は有機ポリマーを主成分とする低誘電率材料により形
成されるといったように、層間絶縁膜として、有機ポリ
マーを主成分とする低誘電率材料とシリコンを主成分と
する低誘電率材料とが交互に採用されている。また、本
実施形態では、各層間絶縁膜２２，２３，２４間におい
て、従来のエッチングストッパ層のような誘電率の高い
膜は挿入されていない。なお、最下層の第１絶縁膜１１
および第２絶縁膜１３に、低誘電率材料を用いていない
のは、最下層では、配線容量を下げてもデバイス性能へ
の寄与が少ないためである。

【００３１】本実施形態では、４層配線の場合について
例示しているが、さらなる多層配線の場合には、各配線
層における層間絶縁膜の材料として、有機ポリマーを主
成分とする低誘電率材料と、シリコンを主成分とする低
誘電率材料とが交互に積層されるように形成すればよ
く、その層数に限定されるものではない。

【００３２】有機ポリマーを主成分とする低誘電率材料
としては、例えば、アリールエーテル（ＦＬＡＲＥ、Ｓ
ｉＬＫ）、アリレン（芳香族系ポリマー）、フッ素樹脂
（テフロン（登録商標）、サイトップ環状フッ素樹
脂）、ベンゾミクロブテン、ポリイミド、フッ素化ポリ
イミド、ポリパラキシリレン（パリレン）、フッ素ポリ
マー、シロキサン重合体、アモルファスフッ素化カーボ
ン等が挙げられる。

【００３３】シリコンを主成分とする低誘電率材料とし
ては、キセロゲル（ポーラスシリカ）、シリコン酸化炭
化膜（ＳｉＯＣ（Ｈ））、メチルシリシスキオキサン
（ＭＳＱ）、ハイドロシリシスキオキサン（ＨＳＱ）、
同重合ポリマー（ＨＭＳＱ）等が挙げられる。

【００３４】上記に例示した有機系ポリマーを主成分と
する低誘電率材料と、シリコンを主成分とする低誘電率
材料とでは、エッチング耐性が非常に異なり、有機系ポ
リマーを主成分とする低誘電率材料は、そのエッチング
耐性が従来のレジスト材料に近く、シリコンを主成分と
する低誘電率材料では、そのエッチング耐性が従来の酸
化シリコン膜に近いものであり、一方の膜をエッチング
する際のエッチャントに対して他方の膜は高いエッチン
グ耐性を有する。

【００３５】次に、上記の本実施形態に係る半導体装置
の製造方法について、図２〜図１３を参照して説明す
る。

【００３６】まず、図２（ａ）に示すように、図示しな
いＭＯＳトランジスタやその他の半導体素子を形成した
半導体基板１０上に、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor
Deposition)法により酸化シリコンを堆積させ、第１絶
縁膜１１を形成する。続いて、半導体基板１０に形成さ
れた半導体素子と配線とを接続するために、第１絶縁膜
１１に半導体基板１０に達する接続孔を形成する。続い
て、接続孔内を埋め込んで全面に、例えばＣＶＤ法によ
りタングステン等の導電層１２を成膜し、接続孔以外の
第１絶縁膜１１上に形成された導電層１２をＣＭＰ（Ch
emical Mechanical Polishing)法あるいはエッチバック
により除去することで、接続孔に導電層１２が埋め込ま
れて構成された第１層コンタクトＣ１を形成する。

【００３７】次に、図２（ｂ）に示すように、第１絶縁
膜１１および第１層コンタクトＣ１上に、例えば、ＣＶ
Ｄ法により酸化シリコンを堆積させて第２絶縁膜１３を
形成し、第２絶縁膜１３に配線溝のパターンに開口する
図示しないレジストマスクをリソグラフィ技術により形
成して、当該レジストマスクをエッチングマスクとして
第２絶縁膜１３をエッチングすることにより、第２絶縁
膜１３に第１層コンタクトＣ１に達する配線溝１３ａを
形成する。

【００３８】次に、図２（ｃ）に示すように、配線溝１
３ａの内壁面を被覆して全面に、例えば、無電解メッキ
によりＣｏＷＰ等からなるバリアメタル１４を形成す
る。バリアメタル１４は、配線を構成する材料が銅で、
絶縁膜１１，１３が酸化シリコン等から形成されている
場合には、銅は酸化シリコンへの拡散係数が大きく、酸
化されやすいため、これを防止するために設けられる。

【００３９】次に、図３（ｄ）に示すように、バリアメ
タル１４上に、スパッタリング法、ＣＶＤ法、またはメ
ッキ法によって、配線溝１３ａの内部が埋め込まれるま
で、例えば、銅からなる導電層１５を堆積させる。な
お、メッキにより導電層１５を堆積させる場合には、ス
パッタリング法により、導電層１５と同種の材料で図示
しないシード膜を形成した後に行う。

【００４０】次に、図３（ｅ）に示すように、第２絶縁
膜１３上の余分なバリアメタル１４および導電層１５を
ＣＭＰ法によって除去し平坦化する。

【００４１】次に、図３（ｆ）に示すように、第２絶縁
膜１３の配線溝１３ａから露出する導電層１５の表面上
のみに、選択的に無電解メッキにより、導電層１５を構
成する銅の拡散を防止するためのＣｏＷＰ等からなるバ
リアメタル１６を形成することで、導電層１５、バリア
メタル１４，１６からなる第１層配線Ｗ１が形成され
る。このようにして、第１絶縁膜１１および第２絶縁膜
１３からなる第１層間絶縁膜に形成された第１層コンタ
クトＣ１および第１層配線Ｗ１により、第１層目の配線
層１が形成される。

【００４２】次に、図４（ｇ）に示すように、第１層目
の配線層１上に、上述した有機ポリマーを主成分とする
低誘電率膜を積層することで、第２層間絶縁膜２２を形
成する。製法としては、ギャップフィル特性が良好な方
法、例えば、スピン塗布、スキャン塗布等の方法によ
り、上述した低誘電率膜を塗布することで形成すること
が好ましい。

【００４３】次に、図４（ｈ）に示すように、第２層間
絶縁膜２２上に、例えば、ＣＶＤ法によりシリコン窒化
膜を堆積させてマスク層６０を形成し、当該マスク層６
０上に、リソグラフィー技術により接続孔のパターンに
開口するレジストマスクを形成し、当該レジストマスク
をマスクとしてエッチングをすることで、マスク層６０
に接続孔のパターンとなるように開口６０ａを形成す
る。なお、マスク層６０としては、第２層間絶縁膜２２
を構成する低誘電率材料との充分なエッチング選択比が
とれることが必要で、シリコン窒化膜の他、シリコン炭
化窒化膜（ＳｉＣＮ（Ｈ））、シリコン酸化窒化膜、シ
リコン炭化膜（ＳｉＣ（Ｈ））、シリコン酸化炭化膜
（ＳｉＣＯ（Ｈ））、シリコン酸化炭化窒化膜、（Ｓｉ
ＣＮＯ（Ｈ））を用いることが可能である。また、マス
ク層６０の膜厚は、エッチングでの選択比によるが、例
えば、５０ｎｍから１００ｎｍ程度の膜厚で形成する。

【００４４】次に、図５（ｉ）に示すように、接続孔の
パターンに開口６０ａを有するマスク層６０をエッチン
グマスクとして、第２層間絶縁膜２２をハーフエッチン
グすることにより接続孔２２ｃを部分的に形成する。な
お、このとき、第２層間絶縁膜２２を構成する有機ポリ
マーを主成分とする低誘電率材料は、そのエッチング耐
性がレジスト材料に近いことから、マスク層６０上の図
示しないレジストマスクも同時にエッチング除去され
る。

【００４５】次に、図５（ｊ）に示すように、マスク層
６０上に、リソグラフィー技術により配線溝のパターン
に開口するレジストマスクを形成し、当該レジストマス
クをマスクとしてエッチングをすることで、マスク層６
０に配線溝のパターンに開口６０ｂを形成する。

【００４６】次に、図６（ｋ）に示すように、配線溝の
パターンに開口６０ｂを有するマスク層６０をエッチン
グマスクとして、第２層間絶縁膜２２をさらにエッチン
グすることにより、配線溝２２ａを形成するとともに、
配線溝２２ａの底部に連結し第１層配線Ｗ１を露出させ
る接続孔２２ｂを形成する。ここで、有機系ポリマーを
主成分とする第２層間絶縁膜２２と、酸化シリコン等か
らなる第２絶縁膜１３とでは、そのエッチング耐性が異
なることから、下地の第２絶縁膜１３に対して高いエッ
チング選択比で、第２層間絶縁膜２２をエッチングする
ことができ、たとえ、接続孔２２ｂがずれて形成され、
第２絶縁膜１３を露出させることになっても、第２絶縁
膜１３はエッチングストッパとして機能することから、
第２絶縁膜１３がエッチングされてしまうことはない。

【００４７】次に、図６（ｌ）に示すように、第２層間
絶縁膜２２上の窒化シリコン等からなるマスク層６０を
エッチングにより除去する。

【００４８】次に、図７（ｍ）に示すように、接続孔２
２ｂおよび配線溝２２ａの内壁面を被覆して全面に、例
えば、無電解メッキによりＣｏＷＰ等からなるバリアメ
タル３２を形成する。

【００４９】次に、図７（ｎ）に示すように、バリアメ
タル３２上に、スパッタリング法、ＣＶＤ法、またはメ
ッキ法によって、接続孔２２ｂおよび配線溝２２ａの内
部が埋め込まれるまで、例えば、銅からなる導電層４２
を堆積させる。なお、メッキにより導電層４２を堆積さ
せる場合には、スパッタリング法により、導電層４２と
同種の材料で図示しないシード膜を形成した後に行う。

【００５０】次に、図８（ｏ）に示すように、第２層間
絶縁膜２２上の余分な導電層４２およびバリアメタル３
２を、第２層間絶縁膜２２を研磨ストッパとしてＣＭＰ
法によって研磨除去して平坦化する。

【００５１】次に、図８（ｐ）に示すように、第２層間
絶縁膜２２の配線溝２２ａから露出する導電層４２の表
面上のみに、選択的に無電解メッキにより、ＣｏＷＰ等
からなるバリアメタル５２を形成することで、配線溝２
２ａに形成された導電層４２、バリアメタル３２，５２
により第２層配線Ｗ２が形成され、接続孔２２ｂに形成
された導電層４２およびバリアメタル３２により第２層
コンタクトＣ２が形成される。このようにして、第２層
間絶縁膜２２に形成された第２層コンタクトＣ２および
第２層配線Ｗ２により、第２層目の配線層２が形成され
る。

【００５２】次に、図９（ｑ）に示すように、第２層目
の配線層２上に、上述したシリコンを主成分とする低誘
電率膜を積層することで、第３層間絶縁膜２３を形成す
る。製法としては、ギャップフィル特性が良好な方法、
例えば、スピン塗布、スキャン塗布等の方法により、上
述した低誘電率膜を塗布することで形成することが好ま
しい。例えば、塗布によって、ポーラスシリカ溶液を７
００ｎｍ（ベアＳｉ上換算）スピン塗布し、その後、１
５０℃から３００℃の範囲で窒素雰囲気中でベークし、
その後、３５０℃から４５０℃の範囲で窒素雰囲気中か
真空中でキュアを１時間行う。その他にも、ＣＶＤ法で
成膜する場合は、高密度プラズマＣＶＤ法を用い、基板
にバイアスを印可しながら、成膜する方法が好ましい。

【００５３】次に、図１０（ｒ）に示すように、先の図
４（ｈ）〜図６（ｋ）に示す工程と同様な工程を経るこ
とにより、配線溝２３ａを形成するとともに、配線溝２
３ａの底部に連結し第２層配線Ｗ２を露出させる接続孔
２３ｂを形成する。その後、エッチングマスクとして使
用したマスク層を除去する。ここで、シリコンを主成分
とする第３層間絶縁膜２３と、有機系ポリマーを主成分
とする第２層間絶縁膜２２とでは、そのエッチング耐性
が異なることから、下地の第２層間絶縁膜２２に対して
高いエッチング選択比で、第３層間絶縁膜２３をエッチ
ングすることができ、たとえ、接続孔２３ｂがずれて形
成され、第２層間絶縁膜２２を露出させることになって
も、第２層間絶縁膜２２はエッチングストッパとして機
能することから、第２層間絶縁膜２２がエッチングされ
てしまうことはない。なお、シリコンを主成分とする第
３層間絶縁膜２３は、レジストとはエッチング耐性が異
なることから、マスク層に開口を形成した後に、レジス
トを除去する必要がある。また、有機系ポリマーを主成
分とする第２層間絶縁膜２２と異なり、絶縁膜からなる
マスク層をエッチングマスクとせずに、レジストマスク
をエッチングマスクとしてエッチングすることで、配線
溝２３ａと接続孔２３ｂを形成することもできる。

【００５４】次に、図１１（ｓ）に示すように、先の図
７（ｍ）〜図８（ｐ）に示す工程と同様な工程を経るこ
とにより、バリアメタル３３、導電層４３、およびバリ
アメタル５３を形成することで、配線溝２３ａに形成さ
れた導電層４３、バリアメタル３３，５３により第３層
配線Ｗ３が形成され、接続孔２３ｂに形成された導電層
４３およびバリアメタル３３により第３層コンタクトＣ
３が形成される。このようにして、第３層間絶縁膜２３
に形成された第３層コンタクトＣ３および第３層配線Ｗ
３により、第３層目の配線層３が形成される。

【００５５】なお、４層目以降の配線層を形成する場合
には、引き続き、図４（ｇ）〜図１１（ｓ）の工程を繰
り返し行うことにより、多層配線を形成する。すなわ
ち、４層目の配線層を形成する場合には、図４（ｇ）に
示す工程と同様にして、第３層目の配線層３上に、第２
層間絶縁膜２２と同様に上述した有機ポリマーを主成分
とする低誘電率膜を積層することで、図１２（ｔ）に示
すように、第４層間絶縁膜２４を形成する。

【００５６】次に、図１３（ｕ）に示すように、先の図
４（ｈ）〜図６（ｋ）に示す配線溝および接続孔の形成
工程と同様な工程を経ることにより、配線溝２４ａを形
成するとともに、配線溝２４ａの底部に連結し第３層配
線Ｗ３を露出させる接続孔２４ｂを形成する。この場合
においても、有機系ポリマーを主成分とする第４層間絶
縁膜２４と、シリコンを主成分とする第３層間絶縁膜２
３とでは、そのエッチング耐性が異なることから、下地
の第３層間絶縁膜２３に対して高いエッチング選択比
で、第４層間絶縁膜２４をエッチングすることができ、
たとえ、接続孔２４ｂがずれて形成されても、第３層間
絶縁膜２３はエッチングストッパとして機能する。

【００５７】次に、先の図７（ｍ）〜図８（ｐ）に示す
工程と同様な工程を経ることにより、図１に示すバリア
メタル３４、導電層４４、およびバリアメタル５４を形
成することで、配線溝２４ａに形成された導電層４４、
バリアメタル３４，５４により第４層配線Ｗ４が形成さ
れ、接続孔２４ｂに形成された導電層４４およびバリア
メタル３４により第４層コンタクトＣ４が形成される。
このようにして、第４層間絶縁膜２４に形成された第４
層コンタクトＣ４および第４層配線Ｗ４により、第４層
目の配線層４が形成される。

【００５８】以上のようにして、図１に示す本実施形態
に係る半導体装置が製造される。

【００５９】上記の本実施形態に係る半導体装置の製造
方法では、第２層目の配線層２の第２層間絶縁膜２２を
有機ポリマーを主成分とする低誘電率材料により形成
し、第３層目の配線層３の第３層間絶縁膜２３をシリコ
ンを主成分とする低誘電率材料により形成し、第４層目
の配線層４の第４層間絶縁膜２４を有機ポリマーを主成
分とする低誘電率材料により形成するといったように、
誘電率が３．０以下の低誘電率膜の中でエッチング耐性
の異なる２つの膜種を交互に積層している。

【００６０】このようにエッチング耐性の異なる膜種を
交互に層間絶縁膜として積層させることにより、一方の
低誘電率材料からなる層間絶縁膜をエッチングする際の
エッチャントに対して下地の低誘電率材料からなる層間
絶縁膜は、高いエッチング耐性を有し、下地の層間絶縁
膜に対して高いエッチング選択比により層間絶縁膜をエ
ッチングすることができることから、従来のエッチング
ストッパ層のような誘電率の高い膜は挿入することな
く、層間絶縁膜に配線溝および接続孔を形成することが
できる。従って、従来のエッチングストッパ層を配線層
間に挿入する構造に比して、実効的な配線容量を低減す
ることができる。

【００６１】第２実施形態 図１４は、本実施形態に係る半導体装置の一例を示す断
面図である。本実施形態においては、第１層目の配線層
１の構成は、第１実施形態と同様であり、また、層間絶
縁膜２２，２３，２４には、有機ポリマーを主成分とす
る低誘電率材料と、シリコンを主成分とする低誘電率材
料とが交互に採用されている点については同様である。
また、本実施形態においても、各層間絶縁膜２２，２
３，２４間において、従来のエッチングストッパ層のよ
うな誘電率の高い膜は挿入されていない。

【００６２】本実施形態では、その製造方法の違いか
ら、第１実施形態と異なり、第２層間絶縁膜２２に形成
された配線溝２２ａから一部突出して導電層４２ａ、バ
リアメタル３２ａ，５２ａが形成されており、配線溝２
２ａから一部突出して形成された導電層４２ａ、バリア
メタル３２ａ，５２ａにより第２層配線Ｗ２’が形成さ
れている。このようにして、第２層間絶縁膜２２に形成
された第２層配線Ｗ２’および第２層コンタクトＣ２に
より、第２層目の配線層２ａが構成されている。

【００６３】また、同様にして、第３層間絶縁膜２３に
形成された配線溝２３ａから一部突出して導電層４３
ａ、バリアメタル３３ａ，５３ａが形成されており、配
線溝２３ａから一部突出して形成された導電層４３ａ、
バリアメタル３３ａ，５３ａにより第３層配線Ｗ３’が
形成されている。このようにして、第３層間絶縁膜２３
に形成された第３層配線Ｗ３’および第３層コンタクト
Ｃ３により、第３層目の配線層３ａが構成されている。

【００６４】また、同様にして、第４層間絶縁膜２４に
形成された配線溝２４ａから一部突出して導電層４４
ａ、バリアメタル３４ａ，５４ａが形成されており、配
線溝２４ａから一部突出して形成された導電層４４ａ、
バリアメタル３４ａ，５４ａにより第４層配線Ｗ４’が
形成されている。このようにして、第４層間絶縁膜２４
に形成された第４層配線Ｗ４’および第４層コンタクト
Ｃ４により、第４層目の配線層４ａが構成されている。

【００６５】次に、上記の本実施形態に係る半導体装置
の製造方法について、図１５〜図２４を参照して説明す
る。第１実施形態では、マスク層６０をエッチングマス
クとしてのみ使用しているが、本実施形態では、マスク
層がＣＭＰの研磨ストッパをも兼用するものである。

【００６６】まず、第１実施形態と同様にして、図２
（ａ）〜図６（ｋ）に示す工程を経た後、図６（ｌ）に
示すようにマスク層６０を除去せずに、本実施形態で
は、バリアメタルや導電層を堆積させる。すなわち、図
１５（ｍ）に示すように、接続孔２２ｂおよび配線溝２
２ａの内壁面を被覆して全面に、例えば、無電解メッキ
によりＣｏＷＰ等からなるバリアメタル３２ａを形成す
る。

【００６７】次に、図１６（ｎ）に示すように、バリア
メタル３２ａ上に、スパッタリング法、ＣＶＤ法、また
はメッキ法によって、接続孔２２ｂおよび配線溝２２ａ
の内部が埋め込まれるまで、例えば、銅からなる導電層
４２ａを堆積させる。なお、メッキにより導電層４２ａ
を堆積させる場合には、スパッタリング法により、導電
層４２ａと同種の材料で図示しないシード膜を形成した
後に行う。

【００６８】次に、図１７（ｏ）に示すように、マスク
層６０上の余分な導電層４２ａおよびバリアメタル３２
ａを、マスク層６０を研磨ストッパとしてＣＭＰ法によ
って研磨除去して平坦化する。

【００６９】次に、図１８（ｐ）に示すように、マスク
層６０から露出する導電層４２ａの表面上のみに、選択
的に無電解メッキにより、ＣｏＷＰ等からなるバリアメ
タル５２ａを形成する。

【００７０】次に、図１８（ｑ）に示すように、マスク
層６０をエッチングにより除去することで、配線溝２２
ａから一部突出して形成された導電層４２ａ、バリアメ
タル３２ａ，５２ａにより第２層配線Ｗ２’が形成さ
れ、接続孔２２ｂに形成された導電層４２ａおよびバリ
アメタル３２ａにより第２層コンタクトＣ２が形成され
る。このようにして、第２層間絶縁膜２２に形成された
第２層配線Ｗ２’および第２層コンタクトＣ２により、
第２層目の配線層２ａが形成される。

【００７１】次に、図１９（ｒ）に示すように、第２層
目の配線層２ａ上に、第１実施形態と同様に、上述した
シリコンを主成分とする低誘電率膜を積層することで、
第３層間絶縁膜２３を形成し、さらにその上に窒化シリ
コン等からなるマスク層６１を形成する。

【００７２】次に、図２０（ｓ）に示すように、第１実
施形態における図４（ｈ）〜図６（ｋ）に示す配線溝お
よび接続孔の形成工程と同様な工程を経ることにより、
配線溝２３ａを形成するとともに、配線溝２３ａの底部
に連結し第２層配線Ｗ２’を露出させる接続孔２３ｂを
形成する。この場合においても、第１実施形態と同様
に、下地の有機系ポリマーを主成分とする第２層間絶縁
膜２２に対して高いエッチング選択比で、シリコンを主
成分とする第３層間絶縁膜２３をエッチングすることが
でき、たとえ、接続孔２３ｂがずれて形成されても、第
２層間絶縁膜２２はエッチングストッパとして機能す
る。

【００７３】次に、図２１（ｔ）に示すように、先の図
１５（ｍ）〜図１８（ｐ）に示す工程と同様な工程を経
ることにより、配線溝２３ａ、接続孔２３ｂおよびマス
ク層６１の開口内にバリアメタル３３ａ、導電層４３ａ
を形成し、さらにマスク層６０から露出した導電層４３
ａの上面に、バリアメタル５３ａを形成する。

【００７４】次に、図２２（ｕ）に示すように、マスク
層６１をエッチングにより除去することで、配線溝２３
ａから一部突出して形成された導電層４３ａ、バリアメ
タル３３ａ，５３ａにより第３層配線Ｗ３’が形成さ
れ、接続孔２３ｂに形成された導電層４３ａおよびバリ
アメタル３３ａにより第３層コンタクトＣ３が形成され
る。このようにして、第３層間絶縁膜２３に形成された
第３層配線Ｗ３’および第３層コンタクトＣ３により、
第３層目の配線層３ａが形成される。

【００７５】次に、図２３（ｖ）に示すように、第３層
目の配線層３ａ上に、第１実施形態と同様に、上述した
有機ポリマーを主成分とする低誘電率膜を積層すること
で、第４層間絶縁膜２４を形成し、さらにその上に窒化
シリコン等からなるマスク層６２を形成する。

【００７６】次に、図２４（ｗ）に示すように、第１実
施形態における図４（ｈ）〜図６（ｋ）に示す配線溝お
よび接続孔の形成工程と同様な工程を経ることにより、
配線溝２４ａを形成するとともに、配線溝２４ａの底部
に連結し第３層配線Ｗ３’を露出させる接続孔２４ｂを
形成する。この場合においても、第１実施形態と同様
に、下地のシリコンを主成分とする低誘電率材料からな
る第３層間絶縁膜２３に対して高いエッチング選択比
で、有機ポリマーを主成分とする低誘電率材料からなる
第４層間絶縁膜２４をエッチングすることができ、たと
え、接続孔２４ｂがずれて形成されても、第３層間絶縁
膜２３がエッチングストッパとして機能する。

【００７７】以降の工程としては、先の図１５（ｍ）〜
図１８（ｑ）に示す工程と同様な工程を経ることによ
り、図１４に示す配線溝２４ａから一部突出した導電層
４４ａ、バリアメタル３４ａ，５４ａからなる第４層配
線Ｗ４’が形成され、接続孔２４ｂに埋め込まれた導電
層４４ａおよびバリアメタル３４ａにより第４層コンタ
クトＣ４が形成される。このようにして、第４層間絶縁
膜２４に形成された第４層配線Ｗ４’および第４層コン
タクトＣ４により、第４層目の配線層４ａが形成され
る。

【００７８】以上のようにして、図１４に示す本実施形
態に係る半導体装置が製造される。

【００７９】上記の本実施形態に係る半導体装置の製造
方法によれば、第１実施形態と同様に、誘電率が３．０
以下の低誘電率膜の中でエッチング耐性の異なる膜種を
交互に層間絶縁膜として積層させることにより、従来の
エッチングストッパ層のような誘電率の高い膜は挿入す
ることなく、層間絶縁膜に配線溝および接続孔を形成す
ることができる。

【００８０】さらに、本実施形態では、配線溝および接
続孔を形成した後に、窒化シリコン等からなるマスク層
を残した状態で、バリアメタルおよび導電層を堆積さ
せ、当該マスク層をＣＭＰの研磨ストッパとして用いる
ことにより、例えば、層間絶縁膜に使用する低誘電率材
料の機械的強度が低く研磨ストッパとして用いることが
困難であっても、当該マスク層が平坦化研磨のストッパ
層として機能することから、低誘電率材料からなる層間
絶縁膜へのダメージを低減することができ、層間絶縁膜
へのクラックの発生や、剥離等を防止することができ
る。そして、上記のマスク層は、平坦化研磨後に除去
し、最終的に形成される半導体装置の配線層間には残ら
ないことから、第１実施形態と同様に、実効的な配線容
量を低減することができる。

【００８１】本発明は、上記の実施形態の説明に限定さ
れない。例えば、本実施形態では、シリコンを主成分と
する低誘電率材料と、有機ポリマーを主成分とする低誘
電率材料の一例について説明したが、他の材料を採用す
ることもできる。また、本実施形態では、一例として、
所定パターンの開口を有する絶縁膜からなるマスク層を
用いて配線溝と接続孔を形成するデュアルダマシンプロ
セスについて説明したが、配線溝や接続孔の形成には種
々の方法があるため、例えば、所定パターンのレジスト
膜を２層積層させて配線溝と接続孔を形成する等、種々
の方法を採用することができる。また、本実施形態にお
いて、一例として上げた他の材料等についても限定され
るものでなく、例えば、導電層は銅以外の材料を採用す
ることもでき、また、バリアメタルもＣｏＷＰ以外の材
料を採用することができる。その他、本発明の要旨を逸
脱しない範囲で、種々の変更が可能である。

【００８２】

【発明の効果】本発明によれば、配線層間に誘電率の高
い膜種を用いずに、低誘電率膜に配線溝や接続孔を形成
することができ、配線容量を低減することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１実施形態に係る半導体装置の一例を示す断
面図である。

【図２】第１実施形態に係る半導体装置の製造におい
て、第１層目の配線層におけるバリアメタルの形成後の
断面図である。

【図３】第１実施形態に係る半導体装置の製造におい
て、第１層目の配線層の形成後の断面図である。

【図４】第１実施形態に係る半導体装置の製造におい
て、第２層目の配線層における第２層間絶縁膜の形成後
の断面図である。

【図５】第１実施形態に係る半導体装置の製造におい
て、第２層間絶縁膜への接続孔の形成後の断面図であ
る。

【図６】第１実施形態に係る半導体装置の製造におい
て、第２層間絶縁膜への配線溝および接続孔の形成後の
断面図である。

【図７】第１実施形態に係る半導体装置の製造におい
て、第２層間絶縁膜の配線溝および接続孔へのバリアメ
タルおよび導電層の堆積後の断面図である。

【図８】第１実施形態に係る半導体装置の製造におい
て、第２層目の配線層の形成後の断面図である。

【図９】第１実施形態に係る半導体装置の製造におい
て、第３層目の配線層における第３層間絶縁膜の形成後
の断面図である。

【図１０】第１実施形態に係る半導体装置の製造におい
て、第３層間絶縁膜への配線溝および接続孔の形成後の
断面図である。

【図１１】第１実施形態に係る半導体装置の製造におい
て、第３層目の配線層の形成後の断面図である。

【図１２】第１実施形態に係る半導体装置の製造におい
て、第４層目の配線層における第４層間絶縁膜の形成後
の断面図である。

【図１３】第１実施形態に係る半導体装置の製造におい
て、第４層間絶縁膜への配線溝および接続孔の形成後の
断面図である。

【図１４】第２実施形態に係る半導体装置の一例を示す
断面図である。

【図１５】第２実施形態に係る半導体装置の製造におい
て、第２層間絶縁膜の配線溝および接続孔へのバリアメ
タルの堆積後の断面図である。

【図１６】第２実施形態に係る半導体装置の製造におい
て、第２層間絶縁膜の配線溝および接続孔への導電層の
堆積後の断面図である。

【図１７】第２実施形態に係る半導体装置の製造におい
て、第２層間絶縁膜の配線溝および接続孔へ埋め込まれ
た導電層およびバリアメタルの平坦化研磨後の断面図で
ある。

【図１８】第２実施形態に係る半導体装置の製造におい
て、第２層目の配線層の形成後の断面図である。

【図１９】第２実施形態に係る半導体装置の製造におい
て、第３層目の配線層における第３層間絶縁膜およびマ
スク層の形成後の断面図である。

【図２０】第２実施形態に係る半導体装置の製造におい
て、第３層間絶縁膜への配線溝および接続孔の形成後の
断面図である。

【図２１】第２実施形態に係る半導体装置の製造におい
て、第３層間絶縁膜への導電層およびバリアメタルの形
成後の断面図である。

【図２２】第２実施形態に係る半導体装置の製造におい
て、第３層目の配線層の形成後の断面図である。

【図２３】第２実施形態に係る半導体装置の製造におい
て、第４層目の配線層における第４層間絶縁膜およびマ
スク層の形成後の断面図である。

【図２４】第２実施形態に係る半導体装置の製造におい
て、第４層間絶縁膜への配線溝および接続孔の形成後の
断面図である。

【符号の説明】

１…第１層目の配線層、２，２ａ…第２層目の配線層、
３，３ａ…第３層目の配線層、４，４ａ…第４層目の配
線層、１０…半導体基板、１１…第１絶縁膜、１１ａ…
接続孔、１２…導電層、１３…第２絶縁膜、１３ａ…配
線溝、１４…バリアメタル、１５…導電層、１６…バリ
アメタル、２２…第２層間絶縁膜、２２ａ…配線溝、２
２ｂ，２２ｃ…接続孔、２３…第３層間絶縁膜、２３ａ
…配線溝、２３ｂ…接続孔、２４…第４層間絶縁膜、２
４ａ…配線溝、２４ｂ…接続孔、３２，３２ａ，３３，
３３ａ，３４，３４ａ…バリアメタル、４２，４２ａ，
４３，４３ａ，４４，４４ａ…導電層、５２，５２ａ，
５３，５３ａ，５４，５４ａ…バリアメタル、６０，６
１，６２…マスク層、６０ａ，６０ｂ…開口、Ｃ１，Ｃ
２，Ｃ３，Ｃ４…コンタクト、Ｗ１，Ｗ２，Ｗ２’，Ｗ
３，Ｗ３’，Ｗ４，Ｗ４’…配線。

フロントページの続き Ｆターム(参考） 5F033 HH11 HH15 JJ01 JJ11 JJ15 JJ19 KK01 KK11 KK15 MM01 MM02 MM11 MM12 MM13 NN05 NN07 PP06 PP15 PP27 PP28 QQ09 QQ25 QQ28 QQ31 QQ35 QQ37 QQ48 QQ49 RR01 RR02 RR04 RR05 RR07 RR08 RR21 RR22 RR24 RR25 RR29 SS11 SS21 SS22 XX01 XX14 XX17 XX24 5F058 AA05 AD11 AF04 AH02

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】低誘電率膜に接続孔および配線溝が形成さ
   れ、前記接続孔および前記配線溝に導電膜が埋め込まれ
   て形成された配線層が基板の上層に複数積層されている
   半導体装置であって、 各配線層の前記低誘電率膜が、隣接する前記配線層の前
   記低誘電率膜とはエッチング耐性の異なる材料により形
   成されている半導体装置。
2. 【請求項２】複数の前記配線層は、有機ポリマーを主成
   分とする低誘電率材料からなる低誘電率膜を有する第１
   配線層と、シリコンを主成分とする低誘電率材料からな
   る低誘電率膜を有する第２配線層が交互に積層されて形
   成されている請求項１記載の半導体装置。
3. 【請求項３】前記配線層は、前記低誘電率膜の前記接続
   孔および前記配線溝に前記導電膜として銅膜が埋め込ま
   れて形成されている請求項１記載の半導体装置。
4. 【請求項４】前記配線層の前記低誘電率膜と前記銅膜と
   の間に、銅の拡散を防止するバリアメタルが形成されて
   いる請求項３記載の半導体装置。
5. 【請求項５】基板の上層に低誘電率膜を形成する工程
   と、 前記低誘電率膜にエッチングにより配線溝と接続孔を形
   成する工程と、 前記配線溝と前記接続孔を埋め込むように前記低誘電率
   膜上に導電膜を堆積させる工程と、 前記配線溝と前記接続孔に埋め込まれた前記導電膜を残
   しながら、前記低誘電率膜上に堆積した前記導電膜を除
   去する工程と、を有する配線層の形成工程を複数有し、 前記配線層の形成工程において、下層の配線層の低誘電
   率膜とはエッチング耐性の異なる材料により低誘電率膜
   を形成する半導体装置の製造方法。
6. 【請求項６】前記配線層の形成工程は、 有機ポリマーを主成分とする低誘電率材料からなる前記
   低誘電率膜を形成する工程を有する第１配線層を形成す
   る工程と、 シリコンを主成分とする低誘電率材料からなる前記低誘
   電率膜を形成する工程を有する第２配線層を形成する工
   程とを有し、 前記第１配線層を形成する工程と前記第２配線層を形成
   する工程とを交互に繰り返し有する請求項５記載の半導
   体装置の製造方法。
7. 【請求項７】前記低誘電率膜に前記配線溝と前記接続孔
   を形成する工程において、前記低誘電率膜上に形成した
   マスク層をエッチングマスクとして前記低誘電率膜をエ
   ッチングすることにより前記配線溝と前記接続孔を形成
   する請求項５記載の半導体装置の製造方法。
8. 【請求項８】前記導電膜を堆積させる工程の前に、前記
   マスク層を除去する工程を有し、 前記導電膜を除去する工程において、前記低誘電率膜を
   研磨ストッパとして前記低誘電率膜上に堆積した前記導
   電膜を研磨することにより除去する請求項７記載の半導
   体装置の製造方法。
9. 【請求項９】前記導電膜を堆積させる工程において、前
   記低誘電率膜の前記配線溝と前記接続孔を埋め込むよう
   に、前記マスク層上に前記導電膜を堆積させ、 前記導電膜を除去する工程において、前記マスク層を研
   磨ストッパとして前記マスク層上に堆積した前記導電膜
   を研磨することにより除去する請求項７記載の半導体装
   置の製造方法。
10. 【請求項１０】前記導電膜を堆積させる工程において、
    前記導電膜として銅膜を堆積させる請求項５記載の半導
    体装置の製造方法。
11. 【請求項１１】前記配線溝と前記接続孔を形成する工程
    の後、前記銅膜を堆積させる工程の前に、前記配線溝と
    前記接続孔の内壁面を被覆するように前記低誘電率膜上
    に、銅の拡散を防止するバリアメタルを形成する工程を
    さらに有し、 前記導電膜を除去する工程において、前記配線溝と前記
    接続孔に埋め込まれた前記バリアメタルおよび前記銅膜
    を残しながら、前記低誘電率膜上に堆積した前記バリア
    メタルおよび前記銅膜を除去する請求項１０記載の半導
    体装置の製造方法。
12. 【請求項１２】前記導電膜を除去する工程の後に、前記
    低誘電率膜の前記配線溝において露出した前記銅膜の表
    面に選択的に銅の拡散を防止するバリアメタルを形成す
    る工程をさらに有する請求項１０記載の半導体装置の製
    造方法。