JP2008060042A - 高周波モジュール - Google Patents
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Abstract
【課題】 導体シャーシと誘電体基板との熱膨張率の差異によるコネクタとストリップラインとの間の接続部のストレスの集中を回避するとともに簡単な構造で伝送線路の反射特性を改善する高周波モジュールを提供する。
【解決手段】 同軸コネクタ5の内導体6と高周波回路のマイクロストリップ線路などの導体パターン2とを接続する導体接続部8を備え、この導体接続部8を、内導体6の先端部分の周表面に接触し、先端部分の先端面を開放する構成とした。
【選択図】 図1
【解決手段】 同軸コネクタ5の内導体6と高周波回路のマイクロストリップ線路などの導体パターン2とを接続する導体接続部8を備え、この導体接続部8を、内導体6の先端部分の周表面に接触し、先端部分の先端面を開放する構成とした。
【選択図】 図1
Description
この発明は、高周波を伝送する高周波モジュールに関するものであり、特にプリント配線板のストリップ線路と高周波を入出力するコネクタとの接続に関する。
導体シャーシ(筐体)に固定された同軸コネクタの内導体と誘電体基板(絶縁性基板)に形成された伝送線路とを接続する高周波モジュールでは筐体と絶縁性基板との熱膨張率の差異による歪(ストレス)を軽減するため、はんだ付け等による直接接続を行うのではなく柔軟性のある薄膜の金属リボンやワイヤによる熱圧着法やワイヤボンディング法が用いられる。
例えば、特開昭63−6903号公報図1(特許文献1参照)には、マッチング回路のストリップライン端部24と同軸コネクタ2のコネクタ内導体6とは金リボン3で接続した高周波回路装置が開示されている。
また、実開昭61−77567号公報図1(特許文献2参照)には、同軸コネクタの導体と回路基板の導体パターンとをフッ素樹脂シートを介在させて金リボンで電気接続したものがある。
しかしながら、特許文献1に記載のものは、柔軟性のある金リボン3を介しているので比較的簡易な構造でストレスを回避しているもののコネクタ内導体6からストリップライン端部24に向けて金リボン3を信号の伝送方向に垂らすことから反射特性が劣化し、特に出力回路側では出力電力が十分に出力できないという問題点があった。
特許文献2に記載のものは、同軸コネクタ4の導体5の周りに金リボン7を巻いた構造なので広帯域で反射特性の劣化は少ないものの、金リボン7を導体5に巻きつける作業に加えてボンディング作業が必要であるため、工作上の利便性が損なわれるという問題点があった。
この発明は上記のような課題を解消するためになされたものであり、導体シャーシ(筐体)と誘電体基板(絶縁性基板)との熱膨張率の差異によるコネクタとストリップラインとの間の接続部のストレス集中を回避するとともに簡単な構造で伝送線路の反射特性を改善する高周波モジュールを提供することを目的とする。
請求項1の発明に係る高周波モジュールは、同軸コネクタの内導体と高周波回路の導体パターンとを接続する導体接続部を備え、この導体接続部を、前記内導体の先端部分の周表面に接触し、前記先端部分の先端面を開放する構成としたものである。
請求項2の発明に係る高周波モジュールは、前記導体接続部は、前記内導体の先端部分を挿着する凹部を設けた導体ブロックである請求項1に記載のものである。
請求項3の発明に係る高周波モジュールは、前記導体接続部は、前記内導体の先端部分を挿入する弾性部材である請求項1に記載のものである。
以上のようにこの発明に係る高周波モジュールによれば、導体接続部は内導体の先端部分の周表面に接触し、内導体の先端部分の先端面は開放される構造となっているので筐体と絶縁性基板との熱膨張率の差異によるコネクタとストリップラインとの間のストレスの集中を接続部がスライドすることにより回避することが可能である。
また、接続部はブロック構造としているので、接続部の不要な空間(隙間)が少ないのでバランスが保たれた伝送線路となり、結果、反射電力特性を改善できる効果を有する。
実施例1.
以下、この発明の実施例1について図1を用いて説明する。図1は、高周波モジュールの入出力端子部周辺の側面図である。図1において、1は誘電体基板(絶縁性基板)、2は絶縁性基板1にパターン形成されたストリップ線路(マイクロストリップライン)、3は絶縁性基板1のストリップ線路2の対向面に全面印刷パターンで形成した地導体、4は絶縁性基板1を載置するとともに地導体3と電気的に接続する導体シャーシ(筐体)、5は筐体4に固定されたコネクタ(同軸コネクタ)、5aは同軸コネクタ5の変換部、6は同軸コネクタ5の芯線(内導体)であり、先端部分は円柱状で円形の先端面を有する。
以下、この発明の実施例1について図1を用いて説明する。図1は、高周波モジュールの入出力端子部周辺の側面図である。図1において、1は誘電体基板(絶縁性基板)、2は絶縁性基板1にパターン形成されたストリップ線路(マイクロストリップライン)、3は絶縁性基板1のストリップ線路2の対向面に全面印刷パターンで形成した地導体、4は絶縁性基板1を載置するとともに地導体3と電気的に接続する導体シャーシ(筐体)、5は筐体4に固定されたコネクタ(同軸コネクタ)、5aは同軸コネクタ5の変換部、6は同軸コネクタ5の芯線(内導体)であり、先端部分は円柱状で円形の先端面を有する。
7は同軸コネクタ5の外導体であり、筐体4と電気接続される。8はストリップ線路2の高周波伝送方向と直交するストリップ線路の幅方向の領域内に設置され、内部に空洞を設けた導体ブロック(導体接続部とも呼ぶ)であり、8aは内部に円形状の穴を設けた場合の導体ブロックを示し、8bは略U字形状の溝を設けた場合の凹部を有する導体ブロックを示す。
図2は、高周波モジュールの入出力端子部周辺の平面図である。図2において、Sは絶縁性基板1と筐体4との間に設けられた隙間であり、Wはストリップ線路幅を示す。図1及び図2中、同一符号は同一又は相当部分を示す。
図3は、筐体4に載置された絶縁性基板1に導体ブロック8aを設置した場合の部分側面図であり、コネクタ5の内導体6が導体ブロック8aの空洞部に挿入された状態を示す。また、図4は、筐体4に載置された絶縁性基板1に導体ブロック8bを設置した場合のコネクタ5側から見た部分側面図であり、コネクタ5の内導体6が導体ブロック8bの空洞部に嵌合された状態を示す。図3及び図4中、図1と同一符号は同一又は相当部分を示す。
図5はストリップ線路2の終端部と同軸コネクタ5の内導体6を導体ブロック8を用いて接続する場合の変換部5a周辺の要部断面斜視図であり、導体ブロック8は内部に略U字形状の溝を設けた導体ブロック8bを設置した場合を示す。図6はストリップ線路2の終端部と同軸コネクタ5の内導体6を導体ブロック8bを用いて接続する場合の変換部5aの同軸コネクタ5の対抗側から見た要部側面図である。図6において、9は導体ブロック8とストリップ線路2を接続するためのはんだ材を示す。図5及び図6中、図1と同一符号は同一又は相当部分を示す。
次に動作について図1及び図2を用いて説明する。マイクロ波帯域の高周波信号は同軸コネクタ5から入力され、導体ブロック8aを経由してストリップ線路2に伝搬する。同軸コネクタ5のインピーダンスは50Ω、その周波数範囲は0〜12.4GHzの市販のコネクタを使用するので絶縁性基板1に安価な汎用の0.3mm厚のBTレジン基板を使用する場合はBTレジンの実効比誘電率(εr)は3.4であり、波長短縮率は0.61であるのでストリップ線路幅(W)は0.68mmとすることで特性インピーダンスの整合が行われる。
また、誘電体損失の少ないフッ素樹脂基板を使用する場合はフッ素樹脂のεrは2.6であり、波長短縮率は0.68となるから汎用の0.6mm厚のフッ素樹脂基板ではストリップ線路幅(W)は1.54mmとすることで特性インピーダンスの整合を行っても良い。
次に導体ブロック8の固定方法について説明する。まず、圧延銅を用いた銅張り積層板を写真製版でもってパターン化し、絶縁性基板1に銅材パターンのストリップ線路2を形成する。次にストリップ線路2の所望領域に金(Au)材料を無電解めっき若しくは電解めっきを施し、銅材露出部の腐食を防止する。ストリップ線路2と導体ブロック8との接続ははんだ材で行う。ストリップ線路2の表面が膜厚0.3μm以下のフラッシュ金の場合には直接クリームはんだを塗布して導体ブロック8を取り付け絶縁性基板1をリフローすることでストリップ線路2と導体ブロック8との固定が可能である。また、人的には手動の手はんだで固定しても良い。ストリップ線路2の表面が比較的厚い場合には金材料で接着することになるのでインジウムはんだ材による手はんだでストリップ線路2と導体ブロック8との接着を強固なものとする。
次にマイクロ波帯域における伝送損失について説明する。図7は導体ブロック8a、8bの代わりに従来の金リボンを使用して同軸コネクタ5の内導体6とストリップ線路2とを接続した試供の高周波モジュールの平面図であり、図8はその側面図である。図7及び図8において9は厚みが25μm、幅が0.5mmの金リボンであり、コネクタ5の内導体6及びストリップ線路2とは熱圧着法で接続した。
図9は図1で示した導体ブロック8を用いてコネクタ5の内導体6とストリップ線路2とを接続した高周波モジュールと、図8で示した金リボン9を用いてコネクタ5の内導体6とストリップ線路2とを接続した高周波モジュールとの各周波数における反射電力を示したものである。反射電力の規格が−20dB以下とした場合には本実施例1では4GHzまでのマイクロ波周波数まで適用できるのに対して金リボンで接続されたものは2GHz程度マイクロ波周波数までしか適用できないことが解かる。
以上から筐体4と絶縁性基板1との熱膨張の差異によるストレスは導体ブロック8に設けられた穴や溝をコネクタ5の内導体6がスライドすることで吸収される。また、伝送損失に関しても図8に示す試供品の高周波モジュールでは円柱状の内導体6の頂点で薄膜シート形状の金リボン9と接続し、金リボン9を空中から垂らしてストリップ線路2と接続するので同軸コネクタ変換部5aにおいて反射電力の不整合が生じるものと推定される。対して実施例1によれば同軸コネクタ5の内導体は6は導体ブロック8で覆われるので同軸コネクタ変換部5aでの反射電力の不整合は改善されていると理解できる。
実施例2.
実施例1では絶縁性基板1のストリップ線路2上に導体ブロック8a又は8bを設置したが、実施例2では導体ブロックをソケット形状にしたものについて述べる。
実施例1では絶縁性基板1のストリップ線路2上に導体ブロック8a又は8bを設置したが、実施例2では導体ブロックをソケット形状にしたものについて述べる。
以下、この発明の実施例2について図10を用いて説明する。図10は高周波モジュールの入出力端子部周辺の平面図である。図10において80は弾性部材である燐青銅薄板材で構成した導体ブロックであり、80aは内導体6の先端部分を挿入することにより、内導体6を包み込むように接続する導体ブロック80の可動部(導体ブロック可動部)、80bは導体ブロック固定部である。また、図11は高周波モジュールの入出力端子部周辺の側面図であり、90は導体ブロック80とストリップ線路2とを溶着させる、はんだ材である。図10及び図11中、図1と同一符号は同一又は相当部分を示す。
図12は導体ブロック80の側面図であり、厚み0.05mmの燐青銅薄板をパンチ加工後、折り曲げてソケット状にした可動部80aとストリップ線路2とはんだ付けで固定する固定部80bとを形成する。ストリップ線路2内に設置した導体ブロック80の可動部80aは弾力性を有し、高周波伝送方向に延びた可動部80aの対向する立壁と立壁上部にも設けた可動部80aの間に同軸コネクタ5の内導体6を挿入することで内導体6とストリップ線路2とはスライド構成で接続される。
また、導体ブロック80の固定部80bは、はんだ材90を用いて実施例1で説明したものと同様の手段でストリップ線路2と接着(固定)する。
図13は図12で示した導体ブロック80を用いてコネクタ5の内導体6とストリップ線路2とを接続した高周波モジュールと、図8で示した金リボン9を用いてコネクタ5の内導体6とストリップ線路2とを接続した試供品の高周波モジュール(試供モジュール)との各周波数における反射電力を示したものである。反射電力の規格が−20dB以下とした場合には本実施例2では2.5GHzまでのマイクロ波周波数まで適用できるのに対して金リボンで接続されたものは2GHz程度マイクロ波周波数までしか適用できないことが解かる。実施例2によれば同軸コネクタ5の内導体6は導体ブロック80の可動部80aで部分的に覆われるので同軸コネクタ変換部5aでの反射電力の整合性は実施例1には及ばないものの試供モジュールに対しては改善されている。
以上から導体ブロック80をソケット状に形成し、内導体6をはめ込むことにより、温度環境に急激な変化があっても実施例1同様に高周波モジュールの内導体6とストリップ線路との接続部のストレスの集中による接続不良を解消することが可能である。また、同軸コネクタ5や絶縁性基板1の運用時のメインテナンスによる部品の着脱などが容易に行える利点もある。
なお、実施例1及び実施例2では入出力端子部のコネクタは同軸コネクタを用いて説明したが探針などの内導体を備えた導波管型の高周波変換部を備えたコネクタであっても相応の効果を奏する。
さらに実施例1及び実施例2では、比較的低いマイクロ波周波数領域までの反射特性について述べたが、ストリップ線路は絶縁性基板1と上部空気層を跨って電界や磁界が生じるので周波数が高くなるにつれて電界はストリップ線路幅(W)のエッジに集中し、結果、特性インピーダンスが高くなる傾向があるためストリップ線路幅を細くすることで対処する。また、周波数が高い場合には絶縁性基板1の厚みを薄くし、高誘電率の基板を用いることで反射電力特性の改善が可能である。
1 絶縁性基板、 2 ストリップ線路、 3 地導体、 4 筐体(導体シャーシ)、 5 コネクタ(同軸コネクタ)、 5a 同軸コネクタ変換部(変換部)、 6 内導体、 7 外導体、 8 導体ブロック、 8a 中空形状導体ブロック、 8b 溝型形状導体ブロック、 9 はんだ材、 10 金リボン、 80 導体ブロック、 80a 可動部(導体ブロック可動部)、 80b 固定部(導体ブロック固定部)、 90 はんだ材。
Claims (3)
- 同軸コネクタの内導体と高周波回路の導体パターンとを接続する導体接続部を備え、この導体接続部を、前記内導体の先端部分の周表面に接触し、前記先端部分の先端面を開放する構成とした高周波モジュール。
- 前記導体接続部は、前記内導体の先端部分を挿着する凹部を設けた導体ブロックである請求項1に記載の高周波モジュール。
- 前記導体接続部は、前記内導体の先端部分を挿入する弾性部材である請求項1に記載の高周波モジュール。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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2006
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