CN103326101A - 一种宽带高性能同轴-陶瓷介质基片微带转接的装配方法 - Google Patents

一种宽带高性能同轴-陶瓷介质基片微带转接的装配方法 Download PDF

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Abstract

一种宽带高性能同轴-陶瓷介质基片微带转接的装配方法，其中，同轴-陶瓷介质基片微带转接的装配采用金带包裹并热压焊的方式。采用上述方案，使同轴-微带的转接在DC-67GHz宽频带内射频性能优良，而且提高了该转接的可靠性和稳定性，保证其顺利通过各项环境实验，易于生产。

Description

一种宽带高性能同轴-陶瓷介质基片微带转接的装配方法
技术领域
本发明属于微波技术领域，尤其涉及的是一种宽带同轴-陶瓷介质基片微带转接的装配方法。
背景技术
在微波毫米波集成电路、微波毫米波多功能组件中经常应用到陶瓷介质等易碎基片微带到各种同轴转接头的转接，其技术指标对微波毫米波集成电路和微波毫米波多功能组件的性能影响非常大，通过分析国内外参考文献和类似产品，同轴-微带转接处主要采用导电胶直接粘接或锡焊，导电胶粘接接触电阻相对较大，对转接电性能有影响，且易氧化，可靠性差；锡焊对薄膜电路膜层结构及牢固度有特殊要求，维修性差。同时，由于都属于硬连接，环境温度大范围剧烈变化时，由于相互之间温度膨胀系数差异存在可靠性隐患。
因此，现有技术存在缺陷，需要改进。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对现有技术的不足，提供一种宽带同轴-陶瓷介质基片微带转接的装配方法。
本发明的技术方案如下：
一种宽带同轴-陶瓷介质基片微带转接的装配方法，其中，同轴-陶瓷介质基片微带转接的装配采用金带线包裹并热压焊的方式。
所述的宽带同轴-陶瓷介质基片微带转接的装配方法，其中，所述金带线的宽度为0.25mm。
所述的宽带同轴-陶瓷介质基片微带转接的装配方法，其中，所述转接方式为软连接。所述软连接就是同轴内导体和微带间用金带线连接。
所述的宽带同轴-陶瓷介质基片微带转接的装配方法，其中，所述同轴-陶瓷介质基片微带转接在DC-20GHz频段内工作时的装配采用金带线包裹方式。
所述的宽带同轴-陶瓷介质基片微带转接的装配方法，其中，所述包裹为正面包裹。所述正面包裹为金带线仅在正面包裹同轴内导体后与微带线连接。
所述的宽带同轴-陶瓷介质基片微带转接的装配方法，其中，所述同轴-陶瓷介质基片微带转接在20GHz-67GHz频段内工作时的装配采用金带线包裹方式。
所述的宽带同轴-陶瓷介质基片微带转接的装配方法，其中，所述包裹为环形包裹。所述环形包裹为由金带线对同轴内导体进行环形包裹后，再与微带线连接。
采用上述方案，使同轴-微带的转接在DC-67GHz宽频带内射频性能优良，而且提高了该转接的可靠性和稳定性，保证其顺利通过各项环境实验，易于生产。
附图说明
图1为本发明方法中正面包裹侧视图；
图2为本发明方法中正面包裹正视图；
图3为本发明方法中环形包裹侧视图；
图4为本发明方法中环形包裹正视图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例，对本发明进行详细说明。
实施例1
根据同轴和微带片结构的特点，本发明实现技术多在DC-20GHz频段内工作的同轴-陶瓷介质基片微带转接采用0.25mm宽的金带线正包并热压焊；如图1-图2所示，由金带线2仅在正面包裹同轴内导体1后与微带线3连接。多在DC-67GHz频段内工作的同轴-陶瓷介质基片微带转接采用0.25mm宽的金带线环包并热压焊，优选的在20GHz-67GHz频段内工作时采用金带线环包，如图3-图4所示，由金带线2对同轴内导体1进行环形包裹后，再与微带线3连接。采用0.25mm宽的金带线正包并热压焊或采用0.25mm宽的金带线环包并热压焊的方法，可实现DC-67GHz宽频带内同轴-陶瓷介质基片4微带转接，回波损耗在15dB以下，可靠性优良，能顺利通过各项环境实验，易生产。
实施例2
在上述实施例的基础上，如图1-图4所示，本发明提供一种宽带同轴-陶瓷介质基片微带转接的装配方法，其中，同轴-陶瓷介质基片微带转接的装配采用金带线包裹并热压焊的方式。
优选的，所述金带线的宽度为0.25mm。
优选的，所述转接方式为软连接。软连接是同轴的内导体和微带线间用金带线连接的一种方式，采用这种方式，在进行振动、温度变化等环境实验时，可以用金带线进行缓冲，从而保护陶瓷微带片不会破裂。
当同轴-陶瓷介质基片微带转接在DC-20GHz频段内工作时的装配采用金带线正面包裹并热压焊的方式。所述正面包裹为金带线仅在正面包裹同轴内导体后与微带线连接。
当同轴-陶瓷介质基片微带转接在DC-67GHz频段内工作时的装配采用金带线环形包裹并热压焊的方式，优选的在20GHz-67GHz频段内工作时采用金带线环包。所述环形包裹为由金带线对同轴内导体进行环形包裹后，再与微带线连接。
采用上述方案，使同轴-微带的转接在DC-67GHz宽频带内射频性能优良，而且提高了该转接的可靠性和稳定性，保证其顺利通过各项环境实验，易于生产。
应当理解的是，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，而所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种宽带同轴-陶瓷介质基片微带转接的装配方法，其特征在于，同轴-陶瓷介质基片微带转接的装配采用金带线包裹并热压焊的方式。
2.如权利要求1所述的宽带同轴-陶瓷介质基片微带转接的装配方法，其特征在于，所述金带线的宽度为0.25mm。
3.如权利要求2所述的宽带同轴-陶瓷介质基片微带转接的装配方法，其特征在于，所述转接方式为软连接。
4.如权利要求3所述的宽带同轴-陶瓷介质基片微带转接的装配方法，其特征在于，所述软连接为同轴的内导体和微带线间用金带线连接。
5.如权利要求3所述的宽带同轴-陶瓷介质基片微带转接的装配方法，其特征在于，所述同轴-陶瓷介质基片微带转接在DC-20GHz频段内工作时，采用金带线包裹方式。
6.如权利要求5所述的宽带同轴-陶瓷介质基片微带转接的装配方法，其特征在于，所述包裹为正面包裹。
7.如权利要求6所述的宽带同轴-陶瓷介质基片微带转接的装配方法，其特征在于，所述正面包裹为金带线仅在正面包裹同轴内导体后与微带线连接。
8.如权利要求3所述的宽带同轴-陶瓷介质基片微带转接的装配方法，其特征在于，所述同轴-陶瓷介质基片微带转接在20GHz-67GHz频段内工作时采用金带线包裹方式。
9.如权利要求8所述的宽带同轴-陶瓷介质基片微带转接的装配方法，其特征在于，所述包裹为环形包裹。
10.如权利要求9所述的宽带同轴-陶瓷介质基片微带转接的装配方法，其特征在于，所述环形包裹为由金带线对同轴内导体进行环形包裹后，再与微带线连接。
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