JP2008053698A5 - - Google Patents
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Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007187768A JP5314857B2 (ja) | 2006-07-28 | 2007-07-19 | 半導体装置の作製方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006206505 | 2006-07-28 | ||
| JP2006206505 | 2006-07-28 | ||
| JP2007187768A JP5314857B2 (ja) | 2006-07-28 | 2007-07-19 | 半導体装置の作製方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2008053698A JP2008053698A (ja) | 2008-03-06 |
| JP2008053698A5 true JP2008053698A5 (enrdf_load_stackoverflow) | 2010-07-22 |
| JP5314857B2 JP5314857B2 (ja) | 2013-10-16 |
Family
ID=39237394
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007187768A Expired - Fee Related JP5314857B2 (ja) | 2006-07-28 | 2007-07-19 | 半導体装置の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5314857B2 (enrdf_load_stackoverflow) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5367415B2 (ja) * | 2008-03-06 | 2013-12-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法及び成膜用基板 |
| JP5238544B2 (ja) | 2008-03-07 | 2013-07-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 成膜方法及び発光装置の作製方法 |
| JP5079722B2 (ja) * | 2008-03-07 | 2012-11-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
| US8409672B2 (en) | 2008-04-24 | 2013-04-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing evaporation donor substrate and method of manufacturing light-emitting device |
| JP2009280909A (ja) * | 2008-04-25 | 2009-12-03 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 成膜方法および発光装置の作製方法 |
| US8405909B2 (en) | 2008-05-09 | 2013-03-26 | Semiconductor Energy Laboratories Co., Ltd. | Deposition donor substrate and deposition method using the same |
| US8652859B2 (en) * | 2011-01-31 | 2014-02-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing light-emitting device and manufacturing apparatus of light-emitting device |
| TWI636896B (zh) | 2013-10-30 | 2018-10-01 | 荷蘭Ｔｎｏ自然科學組織公司 | 用以在基材上形成圖案化結構之方法與系統 |
| CN107045237B (zh) | 2017-02-04 | 2022-02-15 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 阵列基板及其制造方法 |
| KR20210023375A (ko) * | 2019-08-23 | 2021-03-04 | 삼성전자주식회사 | 레이저 전사 장치 및 이를 이용한 전사 방법 |
| CN115312634B (zh) * | 2022-07-26 | 2025-07-11 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 微发光二极管的分散转移方法 |
| CN116742299B (zh) * | 2023-05-04 | 2023-12-26 | 西安电子科技大学 | 一种铁电薄膜移相器、晶圆级相控阵芯片系统 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3606891B2 (ja) * | 1992-11-06 | 2005-01-05 | 富士写真フイルム株式会社 | 熱転写シート及び画像形成方法 |
| JP3720441B2 (ja) * | 1995-12-19 | 2005-11-30 | 富士写真フイルム株式会社 | 熱転写材料 |
| JPH11243209A (ja) * | 1998-02-25 | 1999-09-07 | Seiko Epson Corp | 薄膜デバイスの転写方法、薄膜デバイス、薄膜集積回路装置、アクティブマトリクス基板、液晶表示装置および電子機器 |
| JP2000031013A (ja) * | 1998-07-10 | 2000-01-28 | Omron Corp | 回路パターンの修復方法及び装置、並びに、回路パターン修復用転写板 |
| JP2000031624A (ja) * | 1998-07-10 | 2000-01-28 | Omron Corp | 導電性パターンを形成するための方法及び装置、並びに、導電性パターン形成用転写板 |
| JP2001156017A (ja) * | 1999-11-29 | 2001-06-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | レーザー装置及びレーザー光を用いた熱処理方法並びに半導体装置の作製方法 |
| JP4347545B2 (ja) * | 2002-06-28 | 2009-10-21 | 株式会社 液晶先端技術開発センター | 結晶化装置および結晶化方法 |
| JP2005285827A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-10-13 | Advanced Lcd Technologies Development Center Co Ltd | 半導体薄膜の結晶化方法並びに結晶化装置、薄膜トランジスタ、およびこの薄膜トランジスタを使用した表示装置 |
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2007
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