JP2008053684A - ウェーハの洗浄装置及び洗浄方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】槽体210と、槽体210の中に配置されたステージ220と、槽体210の中に設けられ、ステージ220を囲む少なくとも1つの第1の側壁(230又は240)と、槽体210の中で、ステージ220の上方に配置され、ステージ220と第1の側壁との間の第1の範囲を閉じ込める操作可能なプレート265と、ステージ220と第1の側壁との間の第1の範囲と流体連通された排気装置270と、を備える。
【選択図】図2B
Description
H2SO2(l)+NH4OH(aq)→NH4SO4(aq) …(I)
NH4SO4(aq)→NH4SO4(s)+H2O …(II)
110 チャンバ壁
120 ステージ
125 ステージプレート
130 側壁
140 ディスペンサ
145 分注ノズル
150 ウェーハ
160 SPM
160a SPM残渣
170 APM
170a APM残渣
180 NH4SO4
200 ウェット処理装置
210 槽体
215 基板
220 ステージ
225 ステージプレート
230 側壁
230s 肩部
240 側壁
250a ディスペンサ
250b ディスペンサ
255a ノズル
255b ノズル
260 ノズル
265 プレート
270 排気装置
273 バルブ
277 管路
300 ウェット処理装置
310 槽体
315 基板
320 ステージ
325 ステージプレート
330 側壁
330s 肩部
340 側壁
350a ディスペンサ
350b ディスペンサ
355a ノズル
355b ノズル
360 ノズル
365 プレート
370 排気装置
373 バルブ
377 管路
380 化学薬品
383 化学薬品
385 化学薬品
389 化学薬品
391 化学薬品
Claims (15)
- 槽体と、
前記槽体の中に配置されるとともにウェーハを有するステージと、
前記槽体の中に設けられ、前記ステージを囲む少なくとも1つの第1の側壁と、
前記槽体の中で、前記ステージの上方に配置され、前記ステージと前記第1の側壁との間の第1の範囲を閉じ込める操作可能なプレートと、
前記第1の範囲と流体連通された排気装置と、
を備えることを特徴とするウェーハの洗浄装置。 - 前記ステージは、回転可能であることを特徴とする請求項1に記載のウェーハの洗浄装置。
- 前記プレートは回転可能であり、かつ操作により前記第1の側壁の中に前記ステージを密封することを特徴とする請求項1に記載のウェーハの洗浄装置。
- 前記第1の側壁と前記ステージとの間に配置された少なくとも1つの第2の側壁をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載のウェーハの洗浄装置。
- 前記排気装置は、前記第1の側壁と前記第2の側壁との間に配置された第2の範囲と流体連通されていることを特徴とする請求項4に記載のウェーハの洗浄装置。
- 前記槽体の中に配置され、少なくとも1つの化学薬品を分注する少なくとも1つのディスペンサをさらに備えることを特徴とする請求項1に記載のウェーハの洗浄装置。
- 前記第1の側壁及び前記プレートにより密封された範囲内に配置され、当該範囲へ少なくとも1つの化学薬品を導入する少なくとも1つのノズルをさらに備えることを特徴とする請求項1に記載のウェーハの洗浄装置。
- 少なくとも1つの封止された収納容器の中に、ウェーハを有するステージを閉じ込め、前記収納容器を槽体の中に配置する工程と、
前記ウェーハの表面上に、第1のノズルを介して第1の化学薬品を分注する工程と、
前記ウェーハの表面上に、第2のノズルを介して第2の化学薬品を分注する工程と、を含み、
前記第1のノズル及び前記第2のノズルの中で、前記第1の化学薬品と前記第2の化学薬品とが化学反応を起こして生成物が形成されないように防ぐことを特徴とするウェーハの洗浄方法。 - 前記第1の化学薬品は、SPM溶液を含むことを特徴とする請求項8に記載のウェーハの洗浄方法。
- 前記第2の化学薬品は、APM溶液を含むことを特徴とする請求項8に記載のウェーハの洗浄方法。
- 前記第1の化学薬品及び前記第2の化学薬品のうちの少なくとも1つを分注する時に、前記ステージを回転させる工程をさらに含むことを特徴とする請求項8に記載のウェーハの洗浄方法。
- 前記第1の化学薬品及び前記第2の化学薬品のうちの少なくとも1つを分注する時に、プレートを高速回転させ、該プレートにより前記第1の化学薬品又は前記第2の化学薬品を偏向させる工程をさらに含むことを特徴とする請求項8に記載のウェーハの洗浄方法。
- プレート上、前記ステージ上、又は側壁上のうち、少なくとも1つに脱イオン水及び窒素を分注する工程をさらに含むことを特徴とする請求項8に記載のウェーハの洗浄方法。
- 前記ウェーハ上に脱イオン水を分注する工程をさらに含むことを特徴とする請求項8に記載のウェーハの洗浄方法。
- 前記第1の化学薬品及び前記第2の化学薬品のうちの少なくとも1つを分注する時に、プレートを高速回転させ、該プレートにより前記第1の化学薬品及び前記第2の化学薬品を偏向させる工程をさらに含み、
前記第1の化学薬品及び前記第2の化学薬品の分注工程を行う時に、前記第1の化学薬品及び前記第2の化学薬品を前記収納容器から排出させる工程をさらに含むことを特徴とする請求項8に記載のウェーハの洗浄方法。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012156264A (ja) * | 2011-01-25 | 2012-08-16 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置および液処理方法 |
JP2013021182A (ja) * | 2011-07-12 | 2013-01-31 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置および液処理方法 |
JP2017504182A (ja) * | 2013-11-13 | 2017-02-02 | ティーイーエル エフエスアイ,インコーポレイティド | マイクロ電子デバイス及びその前駆体を製作するために酸性化学物質を使用した場合の改善されたチャンバの洗浄 |
US9691602B2 (en) | 2011-07-12 | 2017-06-27 | Tokyo Electron Limited | Liquid process apparatus and liquid process method |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101773917B (zh) * | 2010-03-05 | 2015-01-07 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 硅片清洗装置及方法 |
US8501025B2 (en) | 2010-03-31 | 2013-08-06 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate treatment apparatus and substrate treatment method |
CN102005367B (zh) * | 2010-09-10 | 2016-04-27 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 半导体硅片清洗工艺腔和清洗方法 |
CN102779724A (zh) * | 2011-05-11 | 2012-11-14 | 均豪精密工业股份有限公司 | 单面蚀刻方法及单面蚀刻装置 |
CN104916576B (zh) * | 2014-03-12 | 2019-01-18 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 铝互连层的工艺方法、清洗腔室及等离子体加工设备 |
DE102015101897A1 (de) * | 2015-02-10 | 2016-08-11 | Ev Group E. Thallner Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zum zumindest teilweisen Lösen einer Verbindungsschicht eines temporär verbondeten Substratstapels |
US10155252B2 (en) * | 2015-04-30 | 2018-12-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor apparatus and washing method |
CN107305854B (zh) * | 2016-04-22 | 2021-05-14 | 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 | 一种集成电路基板清洗设备 |
KR102498911B1 (ko) * | 2018-04-11 | 2023-02-10 | 주식회사 디엠에스 | 기판처리장치 |
US11482430B2 (en) * | 2018-11-28 | 2022-10-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Space filling device for wet bench |
CN109698151B (zh) * | 2019-01-11 | 2020-09-08 | 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所) | 易于气流控制的晶圆清洗槽 |
CN110464862B (zh) * | 2019-08-29 | 2020-12-29 | 河南省中医院(河南中医药大学第二附属医院) | 一种新型肿瘤内科护理消毒装置 |
CN112871811B (zh) * | 2019-11-29 | 2023-03-14 | 长鑫存储技术有限公司 | 单片晶圆清洗系统及方法 |
US10998218B1 (en) * | 2019-12-29 | 2021-05-04 | Nanya Technology Corporation | Wet cleaning apparatus and manufacturing method using the same |
CN111495884A (zh) * | 2020-05-13 | 2020-08-07 | 南昌航空大学 | 一种惰性气体辅助清洗的激光清洗装置及方法 |
CN114054421A (zh) * | 2021-11-04 | 2022-02-18 | 至微半导体(上海)有限公司 | 一种用于spm清洗工艺的喷头机构及其使用方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH091035A (ja) * | 1995-06-16 | 1997-01-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JPH09171983A (ja) * | 1995-12-19 | 1997-06-30 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板洗浄装置 |
JP2004288858A (ja) * | 2003-03-20 | 2004-10-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP2004296610A (ja) * | 2003-03-26 | 2004-10-21 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2006012881A (ja) * | 2004-06-22 | 2006-01-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2006013218A (ja) * | 2004-06-28 | 2006-01-12 | Hitachi High-Tech Electronics Engineering Co Ltd | 基板のスピン処理装置、基板の製造方法、及び電子デバイス |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5089084A (en) * | 1990-12-03 | 1992-02-18 | Micron Technology, Inc. | Hydrofluoric acid etcher and cascade rinser |
US6864480B2 (en) * | 2001-12-19 | 2005-03-08 | Sau Lan Tang Staats | Interface members and holders for microfluidic array devices |
JP2004006672A (ja) * | 2002-04-19 | 2004-01-08 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
US7153388B2 (en) * | 2003-03-31 | 2006-12-26 | Lam Research Corporation | Chamber for high-pressure wafer processing and method for making the same |
-
2006
- 2006-08-25 US US11/467,448 patent/US20080047589A1/en not_active Abandoned
-
2007
- 2007-03-22 CN CNB2007100882971A patent/CN100505174C/zh active Active
- 2007-04-20 JP JP2007111344A patent/JP2008053684A/ja active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH091035A (ja) * | 1995-06-16 | 1997-01-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JPH09171983A (ja) * | 1995-12-19 | 1997-06-30 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板洗浄装置 |
JP2004288858A (ja) * | 2003-03-20 | 2004-10-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP2004296610A (ja) * | 2003-03-26 | 2004-10-21 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2006012881A (ja) * | 2004-06-22 | 2006-01-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2006013218A (ja) * | 2004-06-28 | 2006-01-12 | Hitachi High-Tech Electronics Engineering Co Ltd | 基板のスピン処理装置、基板の製造方法、及び電子デバイス |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012156264A (ja) * | 2011-01-25 | 2012-08-16 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置および液処理方法 |
JP2013021182A (ja) * | 2011-07-12 | 2013-01-31 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置および液処理方法 |
US9691602B2 (en) | 2011-07-12 | 2017-06-27 | Tokyo Electron Limited | Liquid process apparatus and liquid process method |
KR101811066B1 (ko) * | 2011-07-12 | 2017-12-20 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 액처리 장치 및 액처리 방법 |
JP2017504182A (ja) * | 2013-11-13 | 2017-02-02 | ティーイーエル エフエスアイ,インコーポレイティド | マイクロ電子デバイス及びその前駆体を製作するために酸性化学物質を使用した場合の改善されたチャンバの洗浄 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
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