JP2008053341A - Wafer processing method - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for processing a wafer that can form a processing trench at a boundary between a device region and an external circumferential extra region without giving any damage on a device region of wafer. <P>SOLUTION: The wafer processing method that can form a separation trench at the boundary of the device region and external circumferential extra region of the wafer 100 includes a wafer placing step for placing the wafer on a chuck table 36, a center displacement detecting step for detecting displacement from coordinates of the rotation center of the chuck table by detecting a plurality of areas at the external circumferential edge of the wafer placed on the chuck table with an imaging means and then obtaining the coordinates of the center of wafer, a center aligning step for aligning the wafer center and chuck table center by relatively moving the chuck table and wafer in accordance with displacement, and a laser processing step to form a seperation trench at the boundary by rotating the chuck table while the boundary is irradiated with a laser beam from a laser beam irradiating means 52. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、表面に複数のデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを有するウエーハのデバイス領域と外周余剰領域の境界部に加工溝を形成するウエーハの加工方法に関する。   The present invention relates to a wafer processing method including a device region having a plurality of devices formed on a surface and a peripheral surplus region surrounding the device region, and forming a processing groove at a boundary between the peripheral surplus region. .

半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にIC、LSI等のデバイスを形成する。そして、半導体ウエーハをストリートに沿って切断することによりデバイスが形成された領域を分割して個々の半導体チップを製造している。また、サファイヤ基板の表面に窒化ガリウム系化合物半導体等が積層された光デバイスウエーハもストリートに沿って切断することにより個々の発光ダイオード、レーザーダイオード等の光デバイスに分割され、電気機器に広く利用されている。   In the semiconductor device manufacturing process, a plurality of regions are partitioned by dividing lines called streets arranged in a lattice pattern on the surface of a substantially wafer-shaped semiconductor wafer, and devices such as ICs, LSIs, etc. are partitioned in the partitioned regions. Form. Then, the semiconductor wafer is cut along the streets to divide the region in which the device is formed to manufacture individual semiconductor chips. In addition, optical device wafers with gallium nitride compound semiconductors laminated on the surface of a sapphire substrate are also divided into individual optical devices such as light emitting diodes and laser diodes by cutting along the streets, and are widely used in electrical equipment. ing.

上述したように分割されるウエーハは、ストリートに沿って切断する前に裏面を研削またはエッチングによって所定の厚さに形成される。近年、電気機器の軽量化、小型化を達成するためにウエーハの厚さを100μm以下に形成することが要求されている。
しかるに、ウエーハの厚さを100μm以下に形成すると破損し易くなり、ウエーハの搬送等の取り扱いが困難になるという問題がある。
As described above, the wafer to be divided is formed to have a predetermined thickness by grinding or etching the back surface before cutting along the street. In recent years, it has been required to form a wafer with a thickness of 100 μm or less in order to reduce the weight and size of electrical equipment.
However, if the thickness of the wafer is formed to be 100 μm or less, the wafer is likely to be damaged, and it is difficult to handle the wafer.

上述した問題を解消するために本出願人は、ウエーハの裏面におけるデバイス領域に対応する領域を研削してデバイス領域の厚さを所定厚さに形成するとともに、ウエーハの裏面における外周部を残存させて環状の補強部を形成することにより、剛性を有するウエーハを形成することができるウエーハの加工方法を特願2005−165395号として提案した。   In order to solve the above-mentioned problem, the present applicant grinds the region corresponding to the device region on the back surface of the wafer to form the thickness of the device region to a predetermined thickness, and leaves the outer peripheral portion on the back surface of the wafer. Japanese Patent Application No. 2005-165395 has proposed a method of processing a wafer capable of forming a rigid wafer by forming an annular reinforcing portion.

ところで、上述したウエーハをストリートに沿って分割する際には、上記環状の補強部が邪魔となり除去する必要がある。この環状の補強部を除去するには、被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物を切削する切削ブレードを備えた切削手段とを具備する切削装置を用いることが考えられる。即ち、チャックテーブルに保持されたウエーハにおけるデバイス領域と外周余剰領域との境界部に回転する切削ブレードを位置付け、切削ブレードに所定の切削送りを与えてチャックテーブルを回転しながら切削する。   By the way, when the wafer described above is divided along the street, the annular reinforcing portion needs to be obstructed and removed. In order to remove the annular reinforcing portion, a cutting device including a chuck table for holding a workpiece and a cutting means having a cutting blade for cutting the workpiece held on the chuck table is used. Can be considered. That is, a rotating cutting blade is positioned at the boundary between the device region and the outer peripheral surplus region of the wafer held on the chuck table, and a predetermined cutting feed is applied to the cutting blade to perform cutting while rotating the chuck table.

而して、上述した切削装置を用いて、ウエーハを保持したチャックテーブルを回転しながら切削すると、切削ブレードは直進性を有するため円弧状に切削すると切削ブレードおよびウエーハに大きな負荷が作用する。このため、切削ブレードが破損するばかりでなく、薄く形成されたウエーハのデバイス領域に損傷を与えるという問題がある。   Thus, when the above-described cutting apparatus is used for cutting while rotating the chuck table holding the wafer, the cutting blade has a straight advance, so that when the cutting blade is cut into an arc, a large load acts on the cutting blade and the wafer. For this reason, there is a problem that not only the cutting blade is broken, but also the device region of the thinly formed wafer is damaged.

本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、ウエーハのデバイス領域を損傷させることなく、デバイス領域と外周余剰領域との境界部に加工溝を形成することができるウエーハの加工方法を提供することである。   The present invention has been made in view of the above facts, and the main technical problem thereof is that a processing groove can be formed at the boundary between the device region and the outer peripheral surplus region without damaging the device region of the wafer. It is to provide a method for processing a wafer.

上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、ウエーハを保持する保持面を備え回転可能に構成されたチャックテーブルと、該チャックテーブルを加工送り方向(X軸方向)に移動せしめる加工送り手段と、該チャックテーブルを加工送り方向(X軸方向)と直交する割り出し送り方向に(Y軸方向)に移動せしめる割り出し送り手段と、該チャックテーブルにウエーハを搬送する搬送手段と、該チャックテーブルに保持されたウエーハにレーザー光線を照射する集光器を備えたレーザー光線照射手段と、該チャックテーブルに保持されたウエーハを撮像する撮像手段とを具備するレーザー加工装置を用い、表面に複数のデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを有するウエーハの該デバイス領域と該外周余剰領域の境界部に分離溝を形成するウエーハの加工方法であって、
該搬送手段によってウエーハを搬送し該チャックテーブルの保持面に載置するウエーハ載置工程と、
該撮像手段により該チャックテーブルの保持面に載置されたウエーハの外周縁の複数箇所を検出してウエーハの中心の座標を求め、該チャックテーブルの回転中心の座標とのズレを検出する中心ズレ検出工程と、
該中心ズレ検出工程によって検出されたウエーハの中心と該チャックテーブルの回転中心とのズレに対応して該チャックテーブルとウエーハを相対的に移動し、ウエーハの中心と該チャックテーブルの中心とを位置合わせする中心位置合わせ工程と、
該チャックテーブルの保持面に載置され該中心位置合わせ工程が実施されたウエーハの該デバイス領域と該外周余剰領域の境界部に該レーザー光線照射手段からレーザー光線を照射しつつ該チャックテーブルを回転することにより、ウエーハの該デバイス領域と該外周余剰領域の境界部に分離溝を形成するレーザー加工工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハのレーザー加工方法が提供される。
In order to solve the main technical problem, according to the present invention, a chuck table having a holding surface for holding a wafer and configured to be rotatable, and a machining feed for moving the chuck table in a machining feed direction (X-axis direction). Means, index feed means for moving the chuck table in the index feed direction (Y-axis direction) orthogonal to the machining feed direction (X-axis direction), transport means for transporting the wafer to the chuck table, and the chuck table A plurality of devices on the surface using a laser processing apparatus comprising a laser beam irradiation means having a condenser for irradiating a laser beam to a wafer held on the wafer and an imaging means for imaging the wafer held on the chuck table. The device region of the wafer having a formed device region and an outer peripheral surplus region surrounding the device region A wafer processing method of forming isolation trenches in the boundary portion of the outer peripheral marginal region,
A wafer mounting step of transporting the wafer by the transport means and placing the wafer on a holding surface of the chuck table;
A center shift for detecting a plurality of positions on the outer peripheral edge of the wafer placed on the holding surface of the chuck table by the imaging means to obtain the coordinates of the center of the wafer and detecting a shift from the coordinates of the rotation center of the chuck table. A detection process;
The chuck table and the wafer are moved relative to each other in accordance with the deviation between the center of the wafer detected by the center deviation detection step and the center of rotation of the chuck table, and the center of the wafer and the center of the chuck table are positioned. A center alignment step to match,
Rotating the chuck table while irradiating a laser beam from the laser beam irradiating means at the boundary between the device region and the outer peripheral surplus region of the wafer placed on the holding surface of the chuck table and subjected to the center alignment step A laser processing step of forming a separation groove at the boundary between the device region of the wafer and the outer peripheral surplus region,
A wafer laser processing method is provided.

上記中心位置合わせ工程は、上記中心ズレ検出工程が実施されたウエーハの直上においてウエーハを保持するウエーハ保持工程と、上記加工送り手段および割り出し送り手段を作動して中心ズレ検出工程によって検出されたウエーハの中心とチャックテーブルの回転中心とのX軸方向およびY軸方向のズレを補正する中心ズレ補正工程と、該中心ズレ補正工程が実施されたチャックテーブルの保持面にウエーハ保持工程において保持されたウエーハを再度載置するウエーハ再載置工程とを含む。
次に加工すべきウエーハをチャックテーブルの保持面に載置するウエーハ載置工程を実施する前に、上記中心ズレ検出工程によって検出されたウエーハの中心とチャックテーブルの回転中心とのズレに基づいて上記中心ズレ補正工程を実施することが望ましい。
ウエーハは、デバイス領域に対応する裏面が研削され、外周余剰領域に対応する裏面に環状の補強部が形成されている。
The center alignment step includes a wafer holding step for holding a wafer immediately above the wafer on which the center shift detection step has been performed, and a wafer detected by the center shift detection step by operating the processing feed means and the index feed means. The center deviation correction step for correcting the deviation in the X axis direction and the Y axis direction between the center of the chuck table and the center of rotation of the chuck table, and the wafer holding step held on the holding surface of the chuck table on which the center deviation correction step was performed. A wafer re-placement step of placing the wafer again.
Based on the deviation between the center of the wafer detected by the center deviation detection step and the center of rotation of the chuck table before the wafer placement step of placing the wafer to be processed next on the holding surface of the chuck table. It is desirable to perform the center misalignment correction step.
In the wafer, the back surface corresponding to the device region is ground, and an annular reinforcing portion is formed on the back surface corresponding to the outer peripheral surplus region.

本発明によれば、ウエーハのデバイス領域と外周余剰領域との境界部にレーザー光線を照射して分離溝を形成するので、切削ブレードにより境界部に沿って切断するようにウエーハに負荷が作用しないため、デバイス領域を損傷させることなく切断することができる。また、本発明によれば、上記中心ズレ検出工程および中心位置合わせ工程を実施することによりチャックテーブルの保持面に保持されたウエーハの中心とチャックテーブルの回転中心が一致しているので、デバイス領域と外周余剰領域との境界部に沿って正確に分離溝を形成することができる。   According to the present invention, since the separation groove is formed by irradiating the boundary between the device region of the wafer and the outer peripheral surplus region, the load is not applied to the wafer so as to be cut along the boundary by the cutting blade. It can be cut without damaging the device area. Further, according to the present invention, the center of the wafer held on the holding surface of the chuck table and the center of rotation of the chuck table coincide with each other by performing the center misalignment detection step and the center alignment step. And the separation groove can be formed accurately along the boundary between the outer peripheral area and the outer peripheral surplus area.

以下、本発明によるウエーハのレーザー加工方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
図1には本発明によるウエーハのレーザー加工方法によって加工されるウエーハとしての半導体ウエーハの斜視図が示されている。図1に示す半導体ウエーハ100は、例えば厚さが350μmのシリコンウエーハからなっており、表面100aに複数のストリート101が格子状に形成されているとともに、該複数のストリート101によって区画された複数の領域にIC、LSI等のデバイス102が形成されている。このように構成された半導体ウエーハ100は、デバイス102が形成されているデバイス領域104と、該デバイス領域104を囲繞する外周余剰領域105を備えている。
DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of a wafer laser processing method according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a perspective view of a semiconductor wafer as a wafer to be processed by the wafer laser processing method according to the present invention. A semiconductor wafer 100 shown in FIG. 1 is made of, for example, a silicon wafer having a thickness of 350 μm. A plurality of streets 101 are formed in a lattice shape on the surface 100a, and a plurality of streets partitioned by the plurality of streets 101 are provided. A device 102 such as an IC or LSI is formed in the region. The semiconductor wafer 100 configured as described above includes a device region 104 in which the device 102 is formed, and an outer peripheral surplus region 105 that surrounds the device region 104.

上記半導体ウエーハ100をストリート101に沿って切断し個々の半導体チップに分割するに際し、半導体ウエーハ100の裏面におけるデバイス領域104に対応する領域を研削してデバイス領域104の厚さを所定厚さに形成するとともに、半導体ウエーハ100の裏面における外周余剰領域105に対応する領域に環状の補強部を形成する。このような加工を施すには、先ず図2に示すように半導体ウエーハ100の表面100aに保護部材110を貼着する(保護部材貼着工程)。従って、半導体ウエーハ100の裏面100bが露出する形態となる。   When the semiconductor wafer 100 is cut along the street 101 and divided into individual semiconductor chips, a region corresponding to the device region 104 on the back surface of the semiconductor wafer 100 is ground to form a thickness of the device region 104. At the same time, an annular reinforcing portion is formed in a region corresponding to the outer peripheral surplus region 105 on the back surface of the semiconductor wafer 100. In order to perform such processing, first, as shown in FIG. 2, the protective member 110 is attached to the surface 100 a of the semiconductor wafer 100 (protective member attaching step). Therefore, the back surface 100b of the semiconductor wafer 100 is exposed.

保護部材貼着工程を実施したならば、半導体ウエーハ100の裏面100bにおけるデバイス領域104に対応する領域を研削してデバイス領域104の厚さを所定厚さに形成するとともに、半導体ウエーハ100の裏面100bにおける外周余剰領域105に対応する領域を残存させて環状の補強部を形成する補強部形成工程を実施する。この補強部形成工程は、図3に示す研削装置によって実施する。   When the protective member attaching step is performed, a region corresponding to the device region 104 on the back surface 100b of the semiconductor wafer 100 is ground to form a thickness of the device region 104 to a predetermined thickness, and the back surface 100b of the semiconductor wafer 100 is formed. The reinforcement part formation process which leaves the area | region corresponding to the outer periphery excess area | region 105 in this, and forms an annular | circular reinforcement part is implemented. This reinforcement part formation process is implemented by the grinding apparatus shown in FIG.

図3に示す研削装置1は、被加工物としてのウエーハを保持するチャックテーブル11と、該チャックテーブル11に保持されたウエーハの加工面を研削する研削手段12を具備している。チャックテーブル11は、上面にウエーハを吸引保持し図3において矢印11aで示す方向に回転せしめられる。研削手段12は、スピンドルハウジング121と、該スピンドルハウジング121に回転自在に支持され図示しない回転駆動機構によって回転せしめられる回転スピンドル122と、該回転スピンドル122の下端に装着されたマウンター123と、該マウンター123の下面に取り付けられた研削ホイール124とを具備している。この研削ホイール124は、円板状の基台125と、該基台125の下面に環状に装着された研削砥石126とからなっており、基台125がマウンター123の下面に取り付けられている。   A grinding apparatus 1 shown in FIG. 3 includes a chuck table 11 that holds a wafer as a workpiece, and a grinding means 12 that grinds the processed surface of the wafer held on the chuck table 11. The chuck table 11 sucks and holds the wafer on the upper surface and is rotated in the direction indicated by the arrow 11a in FIG. The grinding means 12 includes a spindle housing 121, a rotary spindle 122 rotatably supported by the spindle housing 121 and rotated by a rotary drive mechanism (not shown), a mounter 123 attached to the lower end of the rotary spindle 122, and the mounter And a grinding wheel 124 attached to the lower surface of 123. The grinding wheel 124 includes a disk-shaped base 125 and a grinding wheel 126 that is annularly mounted on the lower surface of the base 125, and the base 125 is attached to the lower surface of the mounter 123.

上述した研削装置1を用いて補強部形成工程を実施するには、チャックテーブル11の上面(保持面)に図示しないウエーハ搬入手段によって搬送された上記半導体ウエーハ100の保護部材110側を載置し、半導体ウエーハ100をチャックテーブ11上に吸引保持する。ここで、チャックテーブル11に保持された半導体ウエーハ100と研削ホイール124を構成する環状の研削砥石126の関係について、図4を参照して説明する。チャックテーブル11の回転中心P1と環状の研削砥石126の回転中心P2は偏芯しており、環状の研削砥石126の外径は、半導体ウエーハ100のデバイス領域104と外周余剰領域105との境界線106の直径より小さく境界線106の半径より大きい寸法に設定され、環状の研削砥石126がチャックテーブル11の回転中心P1(半導体ウエーハ100の中心)を通過するようになっている。   In order to perform the reinforcing portion forming step using the grinding apparatus 1 described above, the protective member 110 side of the semiconductor wafer 100 conveyed by the wafer carrying means (not shown) is placed on the upper surface (holding surface) of the chuck table 11. The semiconductor wafer 100 is sucked and held on the chuck table 11. Here, the relationship between the semiconductor wafer 100 held on the chuck table 11 and the annular grinding wheel 126 constituting the grinding wheel 124 will be described with reference to FIG. The rotation center P 1 of the chuck table 11 and the rotation center P 2 of the annular grinding wheel 126 are eccentric, and the outer diameter of the annular grinding wheel 126 is the boundary line between the device region 104 and the outer peripheral surplus region 105 of the semiconductor wafer 100. The diameter is set to be smaller than the diameter of the boundary line 106 and larger than the radius of the boundary line 106, and the annular grinding wheel 126 passes through the rotation center P 1 of the chuck table 11 (the center of the semiconductor wafer 100).

次に、図3および図4に示すようにチャックテーブル11を矢印11aで示す方向に300rpmで回転しつつ、研削ホイール124を矢印124aで示す方向に6000rpmで回転せしめるとともに、研削ホイール124を下方に移動して研削砥石126を半導体ウエーハ100の裏面に接触させる。そして、研削ホイール124を所定の研削送り速度で下方に所定量研削送りする。この結果、半導体ウエーハ100の裏面には、図5に示すようにデバイス領域104に対応する領域が研削除去されて所定厚さ(例え60μm)の円形状の凹部104bに形成されるとともに、外周余剰領域105に対応する領域が図示の実施形態においては厚さ350μm残存されて環状の補強部105bに形成される(環状の補強部形成工程)。   Next, as shown in FIGS. 3 and 4, while rotating the chuck table 11 in the direction indicated by the arrow 11a at 300 rpm, the grinding wheel 124 is rotated in the direction indicated by the arrow 124a at 6000 rpm, and the grinding wheel 124 is moved downward. The grinding wheel 126 is moved and brought into contact with the back surface of the semiconductor wafer 100. Then, the grinding wheel 124 is ground by a predetermined amount at a predetermined grinding feed speed. As a result, on the back surface of the semiconductor wafer 100, as shown in FIG. 5, the region corresponding to the device region 104 is ground and removed to form a circular recess 104b having a predetermined thickness (for example, 60 μm), and the outer peripheral surplus In the illustrated embodiment, a region corresponding to the region 105 remains 350 μm thick and is formed in the annular reinforcing portion 105b (annular reinforcing portion forming step).

上述したように、半導体ウエーハ100の裏面にデバイス領域104に対応する領域を研削除去して所定厚さ(例えば60μm)の凹部104bに形成し、外周余剰領域105に対応する領域を残存させて環状の補強部105bを形成したならば、デバイス領域104に対応する裏面をエッチングしたり、該裏面に金属膜を被覆したり、ビアホールを形成したり等の加工を施した後、デバイス領域104をストリート101に沿って切断し個々の半導体チップに分割するが、環状の補強部105bが邪魔となる。従って、半導体ウエーハ100におけるデバイス領域104と外周余剰領域105との境界部を切断して、環状の補強部105bを除去する必要がある。しかるに、半導体ウエーハ100におけるデバイス領域104と外周余剰領域105との境界部を切削装置の切削ブレードによって切断すると、上述したように切削ブレードは直進性を有するため円弧状に切削すると切削ブレードおよび半導体ウエーハ100に大きな負荷が作用し、切削ブレードが破損するばかりでなく、薄く形成された半導体ウエーハ100のデバイス領域104に損傷を与えるという問題がある。   As described above, the region corresponding to the device region 104 is ground and removed on the back surface of the semiconductor wafer 100 to form the concave portion 104b having a predetermined thickness (for example, 60 μm), and the region corresponding to the outer peripheral surplus region 105 is left to be annular. If the reinforcing portion 105b is formed, the back surface corresponding to the device region 104 is etched, the back surface is coated with a metal film, a via hole is formed, and the like, and then the device region 104 is moved to the street. Although it cut | disconnects along 101 and divides | segments into each semiconductor chip, the cyclic | annular reinforcement part 105b becomes an obstacle. Therefore, it is necessary to cut the boundary between the device region 104 and the outer peripheral surplus region 105 in the semiconductor wafer 100 and remove the annular reinforcing portion 105b. However, when the boundary between the device region 104 and the outer peripheral surplus region 105 in the semiconductor wafer 100 is cut by the cutting blade of the cutting device, the cutting blade and the semiconductor wafer are cut when the cutting blade is cut into an arc shape as described above. There is a problem that a large load is applied to 100 and not only the cutting blade is broken, but also the device region 104 of the thinly formed semiconductor wafer 100 is damaged.

そこで、本発明においては、半導体ウエーハ100におけるデバイス領域104と外周余剰領域105との境界部をレーザー加工によって切断する。
ここで、上記レーザー加工を実施するレーザー加工装置について、図6乃至図8を参照して説明する。
図6に示されたレーザー加工装置2は、略直方体状の装置ハウジング20を具備している。この装置ハウジング20内には、図7に示す静止基台21と、該静止基台21に矢印Xで示す加工送り方向(X軸方向)に移動可能に配設され被加工物を保持するチャックテーブル機構3と、静止基台21に上記矢印Xで示す方向(X軸方向)と直角な矢印Yで示す割り出し送り方向(Y軸方向)に移動可能に配設されたレーザー光線照射ユニット支持機構4と、該レーザー光線ユニット支持機構4に矢印Zで示す方向(Z軸方向)に移動可能に配設されたレーザー光線照射ユニット5が配置されている。
Therefore, in the present invention, the boundary between the device region 104 and the outer peripheral surplus region 105 in the semiconductor wafer 100 is cut by laser processing.
Here, a laser processing apparatus for performing the laser processing will be described with reference to FIGS.
The laser processing apparatus 2 shown in FIG. 6 includes an apparatus housing 20 having a substantially rectangular parallelepiped shape. In the apparatus housing 20, a stationary base 21 shown in FIG. 7 and a chuck for holding a workpiece, which is disposed on the stationary base 21 so as to be movable in a machining feed direction (X-axis direction) indicated by an arrow X. The table mechanism 3 and the laser beam irradiation unit support mechanism 4 disposed on the stationary base 21 so as to be movable in the indexing feed direction (Y-axis direction) indicated by the arrow Y perpendicular to the direction indicated by the arrow X (X-axis direction). The laser beam irradiation unit 5 is arranged on the laser beam unit support mechanism 4 so as to be movable in the direction indicated by the arrow Z (Z-axis direction).

上記チャックテーブル機構3は、静止基台21上に矢印Xで示す加工送り方向(X軸方向)に沿って平行に配設された一対の案内レール31、31と、該案内レール31、31上に矢印Xで示す加工送り方向に移動可能に配設された第一の滑動ブロック32と、該第1の滑動ブロック32上に矢印Xで示す加工送り方向(X軸方向)と直交する矢印Yで示す割り出し送り方向(Y軸方向)に移動可能に配設された第2の滑動ブロック33と、該第2の滑動ブロック33上に円筒部材34によって支持されたカバーテーブル35と、被加工物保持手段としてのチャックテーブル36を具備している。このチャックテーブル36は多孔性材料から形成された被加工物の保持面となる吸着チャック361を具備しており、吸着チャック361上に被加工物である例えば円盤状の半導体ウエーハを図示しない吸引手段によって保持するようになっている。このように構成されたチャックテーブル36は、円筒部材34内に配設された図示しないパルスモータによって回転せしめられる。なお、チャックテーブル36には、後述する環状のフレームを固定するためのクランプ362が配設されている。   The chuck table mechanism 3 includes a pair of guide rails 31, 31 disposed on the stationary base 21 in parallel along the machining feed direction (X-axis direction) indicated by an arrow X, and the guide rails 31, 31. The first sliding block 32 is movably disposed in the machining feed direction indicated by the arrow X, and the arrow Y orthogonal to the machining feed direction (X-axis direction) indicated by the arrow X on the first sliding block 32. A second slide block 33 movably arranged in the indexing feed direction (Y-axis direction) shown in FIG. 2, a cover table 35 supported on the second slide block 33 by a cylindrical member 34, and a workpiece A chuck table 36 as holding means is provided. The chuck table 36 includes a suction chuck 361 that serves as a workpiece holding surface formed of a porous material, and suction means (not shown), for example, a disk-shaped semiconductor wafer as a workpiece on the suction chuck 361. Is supposed to be held by. The chuck table 36 configured as described above is rotated by a pulse motor (not shown) disposed in the cylindrical member 34. The chuck table 36 is provided with a clamp 362 for fixing an annular frame described later.

上記第1の滑動ブロック32は、その下面に上記一対の案内レール31、31と嵌合する一対の被案内溝321、321が設けられているとともに、その上面に矢印Yで示す割り出し送り方向に沿って平行に形成された一対の案内レール322、322が設けられている。このように構成された第1の滑動ブロック32は、被案内溝321、321が一対の案内レール31、31に嵌合することにより、一対の案内レール31、31に沿って矢印Xで示す加工送り方向に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構3は、第1の滑動ブロック32を一対の案内レール31、31に沿って矢印Xで示す加工送り方向に移動させるための加工送り手段37を具備している。加工送り手段37は、上記一対の案内レール31と31の間に平行に配設された雄ネジロッド371と、該雄ネジロッド371を回転駆動するためのパルスモータ372等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド371は、その一端が上記静止基台21に固定された軸受ブロック373に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ372の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド371は、第1の滑動ブロック32の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ372によって雄ネジロッド371を正転および逆転駆動することにより、第一の滑動ブロック32は案内レール31、31に沿って矢印Xで示す加工送り方向に移動せしめられる。   The first sliding block 32 is provided with a pair of guided grooves 321 and 321 fitted to the pair of guide rails 31 and 31 on the lower surface thereof, and in the index feed direction indicated by an arrow Y on the upper surface thereof. A pair of guide rails 322 and 322 formed in parallel with each other are provided. The first sliding block 32 configured in this way is processed by the arrow X along the pair of guide rails 31, 31 when the guided grooves 321, 321 are fitted into the pair of guide rails 31, 31. It is configured to be movable in the feed direction. The chuck table mechanism 3 in the illustrated embodiment includes a machining feed means 37 for moving the first sliding block 32 along the pair of guide rails 31 and 31 in the machining feed direction indicated by the arrow X. The processing feed means 37 includes a male screw rod 371 disposed in parallel between the pair of guide rails 31 and 31, and a drive source such as a pulse motor 372 for rotationally driving the male screw rod 371. One end of the male screw rod 371 is rotatably supported by a bearing block 373 fixed to the stationary base 21, and the other end is connected to the output shaft of the pulse motor 372 by transmission. The male screw rod 371 is screwed into a penetrating female screw hole formed in a female screw block (not shown) provided on the lower surface of the central portion of the first sliding block 32. Therefore, when the male screw rod 371 is driven to rotate forward and backward by the pulse motor 372, the first sliding block 32 is moved along the guide rails 31, 31 in the machining feed direction indicated by the arrow X.

図示の実施形態におけるレーザー加工装置2は、上記チャックテーブル36の加工送り量を検出するための加工送り量検出手段374を備えている。加工送り量検出手段374は、案内レール31に沿って配設されたリニアスケール374aと、第1の滑動ブロック32に配設され第1の滑動ブロック32とともにリニアスケール374aに沿って移動する読み取りヘッド374bとからなっている。この送り量検出手段374の読み取りヘッド374bは、図示に実施形態においては1μm毎に1パルスのパルス信号を後述する制御手段に送る。そして後述する制御手段は、入力したパルス信号をカウントすることにより、チャックテーブル36の加工送り量を検出する。なお、上記加工送り手段37の駆動源としてパルスモータ372を用いた場合には、パルスモータ372に駆動信号を出力する後述する制御手段の駆動パルスをカウントすることにより、チャックテーブル36の加工送り量を検出することもできる。また、上記加工送り手段37の駆動源としてサーボモータを用いた場合には、サーボモータの回転数を検出するロータリーエンコーダが出力するパルス信号を後述する制御手段に送り、制御手段が入力したパルス信号をカウントすることにより、チャックテーブル36の加工送り量を検出することもできる。   The laser processing apparatus 2 in the illustrated embodiment includes a processing feed amount detection means 374 for detecting the processing feed amount of the chuck table 36. The processing feed amount detection means 374 includes a linear scale 374a disposed along the guide rail 31, and a read head disposed along the linear scale 374a along with the first sliding block 32 disposed along the first sliding block 32. 374b. In the illustrated embodiment, the reading head 374b of the feed amount detecting means 374 sends a pulse signal of one pulse every 1 μm to the control means described later. Then, the control means to be described later detects the machining feed amount of the chuck table 36 by counting the input pulse signals. When the pulse motor 372 is used as the drive source of the machining feed means 37, the machining feed amount of the chuck table 36 is counted by counting the drive pulses of the control means to be described later that outputs a drive signal to the pulse motor 372. Can also be detected. When a servo motor is used as a drive source for the machining feed means 37, a pulse signal output from a rotary encoder that detects the rotation speed of the servo motor is sent to a control means described later, and the pulse signal input by the control means. By counting, the machining feed amount of the chuck table 36 can also be detected.

上記第2の滑動ブロック33は、その下面に上記第1の滑動ブロック32の上面に設けられた一対の案内レール322、322と嵌合する一対の被案内溝331、331が設けられており、この被案内溝331、331を一対の案内レール322、322に嵌合することにより、矢印Yで示す割り出し送り方向に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構3は、第2の滑動ブロック33を第1の滑動ブロック32に設けられた一対の案内レール322、322に沿って矢印Yで示す割り出し送り方向に移動させるための第1の割り出し送り手段38を具備している。第1の割り出し送り手段38は、上記一対の案内レール322と322の間に平行に配設された雄ネジロッド381と、該雄ネジロッド381を回転駆動するためのパルスモータ382等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド381は、その一端が上記第1の滑動ブロック32の上面に固定された軸受ブロック383に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ382の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド381は、第2の滑動ブロック33の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ382によって雄ネジロッド381を正転および逆転駆動することにより、第2の滑動ブロック33は案内レール322、322に沿って矢印Yで示す割り出し送り方向に移動せしめられる。   The second sliding block 33 is provided with a pair of guided grooves 331 and 331 which are fitted to a pair of guide rails 322 and 322 provided on the upper surface of the first sliding block 32 on the lower surface thereof. By fitting the guided grooves 331 and 331 to the pair of guide rails 322 and 322, the guided grooves 331 and 331 are configured to be movable in the indexing and feeding direction indicated by the arrow Y. The chuck table mechanism 3 in the illustrated embodiment is for moving the second slide block 33 along the pair of guide rails 322 and 322 provided in the first slide block 32 in the index feed direction indicated by the arrow Y. First index feeding means 38 is provided. The first index feed means 38 includes a male screw rod 381 disposed in parallel between the pair of guide rails 322 and 322, and a drive source such as a pulse motor 382 for rotationally driving the male screw rod 381. It is out. One end of the male screw rod 381 is rotatably supported by a bearing block 383 fixed to the upper surface of the first sliding block 32, and the other end is connected to the output shaft of the pulse motor 382. The male screw rod 381 is screwed into a penetrating female screw hole formed in a female screw block (not shown) provided on the lower surface of the central portion of the second sliding block 33. Therefore, when the male screw rod 381 is driven to rotate forward and reversely by the pulse motor 382, the second slide block 33 is moved along the guide rails 322 and 322 in the index feed direction indicated by the arrow Y.

図示の実施形態におけるレーザー加工装置2は、上記第2の滑動ブロック33の割り出し加工送り量を検出するための割り出し送り量検出手段384を備えている。割り出し送り量検出手段384は、案内レール322に沿って配設されたリニアスケール384aと、第2の滑動ブロック33に配設され第2の滑動ブロック33とともにリニアスケール384aに沿って移動する読み取りヘッド384bとからなっている。この送り量検出手段384の読み取りヘッド384bは、図示に実施形態においては1μm毎に1パルスのパルス信号を後述する制御手段に送る。そして後述する制御手段は、入力したパルス信号をカウントすることにより、チャックテーブル36の割り出し送り量を検出する。なお、上記第1の割り出し送り手段38の駆動源としてパルスモータ382を用いた場合には、パルスモータ382に駆動信号を出力する後述する制御手段の駆動パルスをカウントすることにより、チャックテーブル36の割り出し送り量を検出することもできる。また、上記加工送り手段37の駆動源としてサーボモータを用いた場合には、サーボモータの回転数を検出するロータリーエンコーダが出力するパルス信号を後述する制御手段に送り、制御手段が入力したパルス信号をカウントすることにより、チャックテーブル36の割り出し送り量を検出することもできる。   The laser processing apparatus 2 in the illustrated embodiment includes index feed amount detection means 384 for detecting the index processing feed amount of the second sliding block 33. The index feed amount detecting means 384 includes a linear scale 384a disposed along the guide rail 322 and a read head disposed along the linear scale 384a along with the second sliding block 33 disposed along the second sliding block 33. 384b. In the illustrated embodiment, the reading head 384b of the feed amount detection means 384 sends a pulse signal of one pulse every 1 μm to the control means described later. Then, the control means described later detects the index feed amount of the chuck table 36 by counting the input pulse signals. When the pulse motor 382 is used as the drive source of the first indexing and feeding means 38, the drive table of the chuck table 36 is counted by counting the drive pulses of the control means to be described later that outputs a drive signal to the pulse motor 382. The index feed amount can also be detected. When a servo motor is used as a drive source for the machining feed means 37, a pulse signal output from a rotary encoder that detects the rotation speed of the servo motor is sent to a control means described later, and the pulse signal input by the control means. It is possible to detect the index feed amount of the chuck table 36 by counting.

上記レーザー光線照射ユニット支持機構4は、静止基台21上に矢印Yで示す割り出し送り方向に沿って平行に配設された一対の案内レール41、41と、該案内レール41、41上に矢印Yで示す方向に移動可能に配設された可動支持基台42を具備している。この可動支持基台42は、案内レール41、41上に移動可能に配設された移動支持部421と、該移動支持部421に取り付けられた装着部422とからなっている。装着部422は、一側面に矢印Zで示す方向に延びる一対の案内レール423、423が平行に設けられている。図示の実施形態におけるレーザー光線照射ユニット支持機構4は、可動支持基台42を一対の案内レール41、41に沿って矢印Yで示す割り出し送り方向に移動させるための第2の割り出し送り手段43を具備している。第2の割り出し送り手段43は、上記一対の案内レール41、41の間に平行に配設された雄ネジロッド431と、該雄ねじロッド431を回転駆動するためのパルスモータ432等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド431は、その一端が上記静止基台21に固定された図示しない軸受ブロックに回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ432の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド431は、可動支持基台42を構成する移動支持部421の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された雌ネジ穴に螺合されている。このため、パルスモータ432によって雄ネジロッド431を正転および逆転駆動することにより、可動支持基台42は案内レール41、41に沿って矢印Yで示す割り出し送り方向に移動せしめられる。   The laser beam irradiation unit support mechanism 4 includes a pair of guide rails 41 and 41 arranged in parallel along the indexing feed direction indicated by the arrow Y on the stationary base 21, and the arrow Y on the guide rails 41 and 41. The movable support base 42 is provided so as to be movable in the direction indicated by. The movable support base 42 includes a movement support portion 421 that is movably disposed on the guide rails 41, 41, and a mounting portion 422 that is attached to the movement support portion 421. The mounting portion 422 is provided with a pair of guide rails 423 and 423 extending in the direction indicated by the arrow Z on one side surface in parallel. The laser beam irradiation unit support mechanism 4 in the illustrated embodiment includes a second index feed means 43 for moving the movable support base 42 along the pair of guide rails 41, 41 in the index feed direction indicated by the arrow Y. is doing. The second index feed means 43 includes a male screw rod 431 disposed in parallel between the pair of guide rails 41, 41, and a drive source such as a pulse motor 432 for rotationally driving the male screw rod 431. It is out. One end of the male screw rod 431 is rotatably supported by a bearing block (not shown) fixed to the stationary base 21, and the other end is connected to the output shaft of the pulse motor 432. The male screw rod 431 is screwed into a female screw hole formed in a female screw block (not shown) provided on the lower surface of the central portion of the moving support portion 421 constituting the movable support base 42. For this reason, when the male screw rod 431 is driven to rotate forward and backward by the pulse motor 432, the movable support base 42 is moved along the guide rails 41, 41 in the index feed direction indicated by the arrow Y.

図示の実施形態のおけるレーザー光線照射ユニット5は、ユニットホルダ51と、該ユニットホルダ51に取り付けられたレーザー光線照射手段52を具備している。ユニットホルダ51は、上記装着部422に設けられた一対の案内レール423、423に摺動可能に嵌合する一対の被案内溝511、511が設けられており、この被案内溝511、511を上記案内レール423、423に嵌合することにより、矢印Zで示す方向に移動可能に支持される。   The laser beam irradiation unit 5 in the illustrated embodiment includes a unit holder 51 and laser beam irradiation means 52 attached to the unit holder 51. The unit holder 51 is provided with a pair of guided grooves 511 and 511 that are slidably fitted to a pair of guide rails 423 and 423 provided in the mounting portion 422. By being fitted to the guide rails 423 and 423, the guide rails 423 and 423 are supported so as to be movable in the direction indicated by the arrow Z.

図示の実施形態におけるレーザー光線照射ユニット5は、ユニットホルダ51を一対の案内レール423、423に沿って矢印Zで示す方向(Z軸方向)に移動させるための移動手段53を具備している。移動手段53は、一対の案内レール423、423の間に配設された雄ネジロッド(図示せず)と、該雄ネジロッドを回転駆動するためのパルスモータ532等の駆動源を含んでおり、パルスモータ532によって図示しない雄ネジロッドを正転および逆転駆動することにより、ユニットホルダ51およびレーザビーム照射手段52を案内レール423、423に沿って矢印Zで示す方向(Z軸方向)に移動せしめる。なお、図示の実施形態においてはパルスモータ532を正転駆動することによりレーザー光線照射手段52を上方に移動し、パルスモータ532を逆転駆動することによりレーザー光線照射手段52を下方に移動するようになっている。   The laser beam irradiation unit 5 in the illustrated embodiment includes a moving means 53 for moving the unit holder 51 along the pair of guide rails 423 and 423 in the direction indicated by the arrow Z (Z-axis direction). The moving means 53 includes a male screw rod (not shown) disposed between the pair of guide rails 423 and 423, and a drive source such as a pulse motor 532 for rotationally driving the male screw rod. By driving the male screw rod (not shown) in the forward and reverse directions by the motor 532, the unit holder 51 and the laser beam irradiation means 52 are moved along the guide rails 423 and 423 in the direction indicated by the arrow Z (Z-axis direction). In the illustrated embodiment, the laser beam irradiation means 52 is moved upward by driving the pulse motor 532 forward, and the laser beam irradiation means 52 is moved downward by driving the pulse motor 532 in reverse. Yes.

図示のレーザー光線照射手段52は、実質上水平に配置された円筒形状のケーシング521を含んでいる。また、レーザー光線照射手段52は、図8に示すようにケーシング521内に配設されたパルスレーザー光線発振手段522および伝送光学系523と、ケーシング521の先端に配設されパルスレーザー光線発振手段522によって発振されたパルスレーザー光線を上記チャックテーブル36に保持された被加工物に照射する集光器524を具備している。上記パルスレーザー光線発振手段522は、YAGレーザー発振器或いはYVO4レーザー発振器からなるパルスレーザー光線発振器522aと、これに付設された繰り返し周波数設定手段522bとから構成されている。この繰り返し周波数設定手段522bは、後述する制御手段によって制御される。上記伝送光学系523は、ビームスプリッタの如き適宜の光学要素を含んでいる。   The illustrated laser beam application means 52 includes a cylindrical casing 521 arranged substantially horizontally. The laser beam irradiation means 52 is oscillated by the pulse laser beam oscillation means 522 disposed at the tip of the casing 521 and the pulse laser beam oscillation means 522 and the transmission optical system 523 disposed in the casing 521 as shown in FIG. And a condenser 524 for irradiating the workpiece held on the chuck table 36 with the pulsed laser beam. The pulse laser beam oscillation means 522 is composed of a pulse laser beam oscillator 522a composed of a YAG laser oscillator or a YVO4 laser oscillator, and a repetition frequency setting means 522b attached thereto. This repetition frequency setting means 522b is controlled by the control means described later. The transmission optical system 523 includes an appropriate optical element such as a beam splitter.

図7に戻って説明を続けると、上記レーザー光線照射手段52を構成するケーシング521の先端部には、レーザー光線照射手段52によってレーザー加工すべき加工領域を検出する撮像手段6が配設されている。この撮像手段6は、撮像素子(CCD)等で構成されており、撮像した画像信号を制御手段7に送る。   Returning to FIG. 7 and continuing the description, an imaging means 6 for detecting a processing region to be laser processed by the laser beam irradiation means 52 is disposed at the tip of the casing 521 constituting the laser beam irradiation means 52. The image pickup means 6 is composed of an image pickup device (CCD) or the like, and sends the picked up image signal to the control means 7.

制御手段7はコンピュータによって構成されており、制御プログラムに従って演算処理する中央処理装置(CPU)81と、制御プログラム等を格納するリードオンリメモリ(ROM)72と、後述する被加工物の設計値のデータや演算結果等を格納する読み書き可能なランダムアクセスメモリ(RAM)73と、カウンター74と、入力インターフェース75および出力インターフェース76とを備えている。制御手段7の入力インターフェース75には、上記加工送り量検出手段374、割り出し送り量検出手段384および撮像手段6等からの検出信号が入力される。そして、制御手段8の出力インターフェース76からは、上記パルスモータ372、パルスモータ382、パルスモータ432、パルスモータ532、レーザー光線照射手段52および表示手段8等に制御信号を出力する。なお、上記ランダムアクセスメモリ(RAM)83は、上記チャックテーブル36の中心の座標を記憶する第1の記憶領域73aや他の記憶領域を備えている。   The control means 7 is constituted by a computer, and a central processing unit (CPU) 81 that performs arithmetic processing according to a control program, a read only memory (ROM) 72 that stores a control program and the like, and a design value of a workpiece to be described later. A readable / writable random access memory (RAM) 73 that stores data, calculation results, and the like, a counter 74, an input interface 75, and an output interface 76 are provided. Detection signals from the machining feed amount detection means 374, the index feed amount detection means 384, the imaging means 6 and the like are input to the input interface 75 of the control means 7. A control signal is output from the output interface 76 of the control means 8 to the pulse motor 372, pulse motor 382, pulse motor 432, pulse motor 532, laser beam irradiation means 52, display means 8, and the like. The random access memory (RAM) 83 includes a first storage area 73a for storing the coordinates of the center of the chuck table 36 and other storage areas.

図6に戻って説明を続けると、上記装置ハウジング20におけるカセット載置領域13aには、被加工物を収容するカセットを載置するカセット載置テーブル13が配設されている。このカセット載置テーブル13は、図示しない昇降手段によって上下方向に移動可能に構成されている。カセット載置テーブル13上には、被加工物としての上記半導体ウエーハ100を収容するカセット14が載置される。ここで、カセット14に収容される半導体ウエーハ100について、図9を参照して説明する。上述したように環状の補強部形成工程が実施された半導体ウエーハ100は、裏面100bが環状のフレームFに装着された保護テープTの表面に貼着される。そして、半導体ウエーハ100の表面100aに貼着されている上記保護部材110を剥離する(フレーム支持工程)。このように半導体ウエーハ100は、裏面100bが環状のフレームFに装着された保護テープTの表面に貼着された状態でカセット13に収容される。   Returning to FIG. 6, the description will be continued. In the cassette mounting area 13 a of the apparatus housing 20, a cassette mounting table 13 for mounting a cassette for storing a workpiece is disposed. The cassette mounting table 13 is configured to be movable in the vertical direction by lifting means (not shown). On the cassette mounting table 13, a cassette 14 that houses the semiconductor wafer 100 as a workpiece is placed. Here, the semiconductor wafer 100 accommodated in the cassette 14 will be described with reference to FIG. As described above, the semiconductor wafer 100 that has been subjected to the annular reinforcing portion forming step is adhered to the surface of the protective tape T having the back surface 100b attached to the annular frame F. And the said protection member 110 stuck on the surface 100a of the semiconductor wafer 100 is peeled (frame support process). As described above, the semiconductor wafer 100 is accommodated in the cassette 13 with the back surface 100b attached to the surface of the protective tape T attached to the annular frame F.

図6に戻って説明を続けると、図示の実施形態におけるレーザー加工装置2は、カセット載置テーブル13上に載置されたカセット14に収容されている半導体ウエーハ100(環状のフレームFに保護テープTを介して支持されている状態)を仮置きテーブル15に搬出する搬出手段16と、仮置きテーブル15に搬出された半導体ウエーハ10を上記チャックテーブル33上に搬送する搬送手段17と、チャックテーブル36上でレーザー加工された半導体ウエーハ100を洗浄する洗浄手段18と、チャックテーブル36上でレーザー加工された半導体ウエーハ100を洗浄手段18へ搬送する洗浄搬送手段19を具備している。   Returning to FIG. 6, the description will be continued. The laser processing apparatus 2 in the illustrated embodiment is a semiconductor wafer 100 (protective tape on an annular frame F) housed in a cassette 14 placed on a cassette placement table 13. A transporting means 16 for transporting the semiconductor wafer 10 transported to the temporary table 15 onto the chuck table 33, and a chuck table. A cleaning means 18 for cleaning the semiconductor wafer 100 laser-processed on the semiconductor wafer 36 and a cleaning / conveying means 19 for transporting the semiconductor wafer 100 laser-processed on the chuck table 36 to the cleaning means 18 are provided.

図示の実施形態におけるレーザー加工装置2は以上のように構成されており、以下レーザー加工装置2を用いて上記半導体ウエーハ100におけるデバイス領域104と外周余剰領域105との境界部に分離溝を形成するウエーハの加工方法について、図6、図7、図10乃至図12を参照して説明する。
カセット載置テーブル13上に載置されたカセット14の所定位置に収容されている半導体ウエーハ100(環状のフレームFに保護テープTを介して支持されている状態)は、図示しない昇降手段によってカセット載置テーブル13が上下動することにより搬出位置に位置付けられる。次に、搬出手段16が進退作動して搬出位置に位置付けられた半導体ウエーハ100を仮置きテーブル15上に搬出する。仮置きテーブル15に搬出された半導体ウエーハ100は、搬送手段17の旋回動作によって図6および図7に示す被加工物保持位置に位置付けられているチャックテーブル36の吸着チャック361(保持面)に搬送され載置される(ウエーハ載置工程)。チャックテーブル36の保持面に半導体ウエーハ100が載置されたならば、図10に示すように図示しない吸引手段が作動して半導体ウエーハ100をチャックテーブル36上に吸引保持する。また、半導体ウエーハ100を保護テープTを介して支持する支持フレームFは、上記クランプ362によって固定される。なお、チャックテーブル36の外径は、半導体ウエーハ100の裏面100bに形成された環状の補強部105bの内径より4〜6mm小さく形成されている。従って、環状の補強部105bの内周面とチャックテーブル36の外周面との間には2〜3mmの隙間が形成される。
The laser processing apparatus 2 in the illustrated embodiment is configured as described above, and a separation groove is formed at the boundary between the device region 104 and the outer peripheral surplus region 105 in the semiconductor wafer 100 using the laser processing apparatus 2 hereinafter. The wafer processing method will be described with reference to FIGS. 6, 7, and 10 to 12.
A semiconductor wafer 100 (supported by an annular frame F via a protective tape T) accommodated in a predetermined position of the cassette 14 placed on the cassette placement table 13 is moved by an elevator means (not shown). The placement table 13 is positioned at the carry-out position by moving up and down. Next, the unloading means 16 moves forward and backward, and the semiconductor wafer 100 positioned at the unloading position is unloaded onto the temporary placement table 15. The semiconductor wafer 100 carried out to the temporary placement table 15 is conveyed to the suction chuck 361 (holding surface) of the chuck table 36 positioned at the workpiece holding position shown in FIGS. And placed (wafer placing step). When the semiconductor wafer 100 is placed on the holding surface of the chuck table 36, a suction means (not shown) is operated to suck and hold the semiconductor wafer 100 on the chuck table 36 as shown in FIG. The support frame F that supports the semiconductor wafer 100 via the protective tape T is fixed by the clamp 362. The outer diameter of the chuck table 36 is 4 to 6 mm smaller than the inner diameter of the annular reinforcing portion 105 b formed on the back surface 100 b of the semiconductor wafer 100. Accordingly, a gap of 2 to 3 mm is formed between the inner peripheral surface of the annular reinforcing portion 105 b and the outer peripheral surface of the chuck table 36.

上述したようにチャックテーブル36に保持された半導体ウエーハ100は、その中心がチャックテーブル36の中心と一致している必要がある。環状のフレームFに装着された保護テープTに貼着されている半導体ウエーハ100の中心が環状のフレームFの中心と一致していれば、チャックテーブル36に保持された半導体ウエーハ100の中心は、上記搬送手段16によってチャックテーブル36に搬送されることによりチャックテーブル36の回転中心と一致するように構成されている。しかるに、環状のフレームFに装着された保護テープTに半導体ウエーハ100をテープ貼り機によって貼着する際に、環状のフレームFの中心と半導体ウエーハ100の中心とが僅かにズレる場合がある。従って、チャックテーブル36に半導体ウエーハ100が保持された状態で、半導体ウエーハ100の中心がチャックテーブル36の回転中心と一致しているが否かを確認し、もし半導体ウエーハ100の中心がチャックテーブル36の回転中心と一致していなければ両者の中心を一致される中心位置合わせ作業を実施する必要がある。   As described above, the center of the semiconductor wafer 100 held on the chuck table 36 needs to coincide with the center of the chuck table 36. If the center of the semiconductor wafer 100 attached to the protective tape T attached to the annular frame F coincides with the center of the annular frame F, the center of the semiconductor wafer 100 held on the chuck table 36 is By being conveyed to the chuck table 36 by the conveying means 16, it is configured to coincide with the center of rotation of the chuck table 36. However, when the semiconductor wafer 100 is attached to the protective tape T attached to the annular frame F by a tape applicator, the center of the annular frame F and the center of the semiconductor wafer 100 may slightly shift. Therefore, in a state where the semiconductor wafer 100 is held on the chuck table 36, it is confirmed whether or not the center of the semiconductor wafer 100 coincides with the rotation center of the chuck table 36. If the center of the semiconductor wafer 100 is the chuck table 36. If it does not coincide with the center of rotation, it is necessary to perform a center alignment operation for matching the centers of the two.

次に、チャックテーブル36上に保持された、半導体ウエーハ100の中心とチャックテーブル36の回転中心とを位置合わせする中心位置合わせ工程について説明する。
上述したように被加工物保持位置に位置付けられているチャックテーブル36に半導体ウエーハ100を保持したならば、チャックテーブル36を撮像手段6の直下のアライメント位置まで移動せしめる。チャックテーブル36に保持された半導体ウエーハ100は、図11に示す座標位置となる。そして、撮像手段6によって図11に示すように半導体ウエーハ100の外周縁の3箇所(A,B,C)を撮像し、画像情報を制御手段7に送る。制御手段7は、撮像手段6からの画像情報に基づいて3箇所(A,B,C)の座標をランダムアクセスメモリ(RAM)83に格納する。次に、制御手段7は、3箇所(A,B,C)の座標から直線A―BとB―Cのそれぞれ中点からの垂線が互いに交わる点Pwを求め、この座標を半導体ウエーハ100の中心としてランダムアクセスメモリ(RAM)83に格納する。そして、制御手段7は、ランダムアクセスメモリ(RAM)83の第1の記憶領域73aに格納されているチャックテーブル36の回転中心の座標Pcと上記半導体ウエーハ100の中心座標PwのX軸方向のズレ(x)とY軸方向のズレ(y)を求め(中心ズレ検出工程)、ランダムアクセスメモリ(RAM)83に格納する。
Next, a center alignment process for aligning the center of the semiconductor wafer 100 and the rotation center of the chuck table 36 held on the chuck table 36 will be described.
As described above, when the semiconductor wafer 100 is held on the chuck table 36 positioned at the workpiece holding position, the chuck table 36 is moved to the alignment position directly below the imaging means 6. The semiconductor wafer 100 held on the chuck table 36 is at the coordinate position shown in FIG. Then, as shown in FIG. 11, the imaging means 6 images three locations (A, B, C) on the outer peripheral edge of the semiconductor wafer 100, and sends image information to the control means 7. The control means 7 stores the coordinates of three locations (A, B, C) in a random access memory (RAM) 83 based on the image information from the imaging means 6. Next, the control means 7 obtains a point Pw where the perpendiculars from the midpoints of the straight lines AB and BC intersect each other from the coordinates of the three locations (A, B, C), and these coordinates are obtained from the semiconductor wafer 100. The data is stored in a random access memory (RAM) 83 as the center. Then, the control means 7 shifts the rotational axis coordinate Pc of the chuck table 36 stored in the first storage area 73a of the random access memory (RAM) 83 and the central coordinate Pw of the semiconductor wafer 100 in the X-axis direction. (x) and a deviation (y) in the Y-axis direction are obtained (center deviation detection step) and stored in a random access memory (RAM) 83.

上述したようにチャックテーブル36の回転中心の座標Pcと半導体ウエーハ100の中心座標PwのX軸方向のズレ(x)とY軸方向のズレ(y)を検出したならば、チャックテーブル36を上記被加工物保持位置に移動する。そして、半導体ウエーハ100の吸引保持を解除するとともに、クランプ362による支持フレームFの固定を解除する。次に、搬送手段17を被加工物保持位置に位置付けられているチャックテーブル36の直上に移動し、半導体ウエーハ100を保持する(ウエーハ保持工程)。次に、上記加工送り手段37を作動して、チャックテーブル36を上記X軸方向のズレ(x)分移動するとともに、上記第1の割り出し送り手段38を作動してチャックテーブル36を上記Y軸方向のズレ(y)分移動する(中心ズレ補正工程)。このように中心ズレ補正工程を実施してチャックテーブル36の回転中心Pcと半導体ウエーハ100の中心PwのX軸方向のズレ(x)とY軸方向のズレ(y)を補正したならば、洗浄搬送手段19に保持されている半導体ウエーハ100を再度チャックテーブル36の保持面に載置する(ウエーハ再載置工程)ことにより、半導体ウエーハ100の中心がチャックテーブル36の回転中心に位置付けられる。このようにして、半導体ウエーハ100の中心がチャックテーブル36の回転中心に位置付けられたならば、図示しない吸引手段を作動して半導体ウエーハ100をチャックテーブル36上に吸引保持するとともに、半導体ウエーハ100を保護テープTを介して支持する支持フレームFをクランプ362によって固定する。   As described above, if the deviation (x) in the X-axis direction and the deviation (y) in the Y-axis direction between the coordinate Pc of the rotation center of the chuck table 36 and the center coordinate Pw of the semiconductor wafer 100 are detected, the chuck table 36 is Move to work piece holding position. Then, the suction holding of the semiconductor wafer 100 is released, and the fixing of the support frame F by the clamp 362 is released. Next, the conveying means 17 is moved directly above the chuck table 36 positioned at the workpiece holding position to hold the semiconductor wafer 100 (wafer holding step). Next, the machining feed means 37 is operated to move the chuck table 36 by the deviation (x) in the X-axis direction, and the first index feed means 38 is operated to move the chuck table 36 to the Y-axis. It moves by the deviation (y) in the direction (center deviation correction step). If the center misalignment correction step is performed in this manner to correct the misalignment (x) in the X-axis direction and the misalignment (y) in the Y-axis direction between the rotation center Pc of the chuck table 36 and the center Pw of the semiconductor wafer 100, cleaning is performed. By placing the semiconductor wafer 100 held by the transfer means 19 on the holding surface of the chuck table 36 again (wafer re-placement step), the center of the semiconductor wafer 100 is positioned at the rotation center of the chuck table 36. In this way, when the center of the semiconductor wafer 100 is positioned at the center of rotation of the chuck table 36, a suction means (not shown) is operated to suck and hold the semiconductor wafer 100 on the chuck table 36, and the semiconductor wafer 100 is held. The support frame F supported via the protective tape T is fixed by the clamp 362.

上述したように、チャックテーブル36上に保持された半導体ウエーハ100の中心とチャックテーブル36の回転中心とを位置合わせする中心位置合わせ工程を実施したならば、半導体ウエーハ100のデバイス領域104と外周余剰領域105との境界部に分離溝を形成するレーザー加工工程を実施する。即ち、半導体ウエーハ100を保持したチャックテーブル36を集光器524の直下の加工領域に移動する。そして、図12の(a)に示すように半導体ウエーハ100のデバイス領域104と外周余剰領域105との境界線106を集光器524に直下に位置付ける。次に、レーザー光線照射手段52を作動して集光器524からシリコンウエーハに対して吸収性を有する波長のパルスレーザー光線を照射しつつ、チャックテーブル36を矢印36aで示す方向に所定の回転速度で回転せしめる。この結果、図12の(b)に示すように半導体ウエーハ100にはデバイス領域104と外周余剰領域105との境界線106に沿って分離溝107が形成され、外周余剰領域105(環状の補強部105b)が除去される。このレーザー加工工程においては、切削ブレードにより境界線106に沿って切断するようにデバイス領域104を損傷させることなく切断することはできるとともに、チャックテーブル36上に保持された半導体ウエーハ100の中心とチャックテーブル36の回転中心が上述したように一致しているので、デバイス領域104と外周余剰領域105との境界線106に沿って正確に分離溝107を形成することができる。   As described above, if the center alignment process for aligning the center of the semiconductor wafer 100 held on the chuck table 36 and the center of rotation of the chuck table 36 is performed, the device region 104 of the semiconductor wafer 100 and the outer peripheral surplus A laser processing step for forming a separation groove at the boundary with the region 105 is performed. That is, the chuck table 36 holding the semiconductor wafer 100 is moved to a processing area directly below the condenser 524. Then, as shown in FIG. 12A, the boundary line 106 between the device region 104 and the outer peripheral surplus region 105 of the semiconductor wafer 100 is positioned directly below the condenser 524. Next, the chuck table 36 is rotated at a predetermined rotation speed in the direction indicated by the arrow 36a while the laser beam irradiation means 52 is operated to irradiate a pulsed laser beam having a wavelength that absorbs the silicon wafer from the condenser 524. Let me. As a result, as shown in FIG. 12B, a separation groove 107 is formed in the semiconductor wafer 100 along the boundary line 106 between the device region 104 and the outer peripheral surplus region 105, and the outer peripheral surplus region 105 (annular reinforcing portion) is formed. 105b) is removed. In this laser processing step, the device region 104 can be cut without being damaged so as to be cut along the boundary line 106 with a cutting blade, and the center of the semiconductor wafer 100 held on the chuck table 36 and the chuck can be cut. Since the rotation center of the table 36 coincides as described above, the separation groove 107 can be accurately formed along the boundary line 106 between the device region 104 and the outer peripheral surplus region 105.

なお、上記レーザー加工工程は、例えば以下の加工条件で行われる。
レーザー光線の光源 :YVO4レーザーまたはYAGレーザー
波長 :355nm
繰り返し周波数 :10kHz
平均出力 :6.5W
集光スポット :φ20μm
チャックテーブルの回転速度:120度/秒
In addition, the said laser processing process is performed on the following processing conditions, for example.
Laser light source: YVO4 laser or YAG laser Wavelength: 355 nm
Repetition frequency: 10 kHz
Average output: 6.5W
Condensing spot: φ20μm
Rotation speed of chuck table: 120 degrees / second

上記レーザー加工工程を実施して半導体ウエーハ100のデバイス領域104と外周余剰領域105との境界線106に沿って分離溝107を形成することにより、外周余剰領域105(環状の補強部105b)を除去したならば、半導体ウエーハ100をストリート101に沿って切断することにより個々の半導体チップに分割する切断工程に移行する。この切断工程は、上記レーザー加工装置2によって実施してもよく、また、切削装置等のダイシング装置によって実施してもよい。   The laser processing step is performed to form the separation groove 107 along the boundary line 106 between the device region 104 and the outer peripheral surplus region 105 of the semiconductor wafer 100, thereby removing the outer peripheral surplus region 105 (annular reinforcing portion 105b). Then, the semiconductor wafer 100 is cut along the streets 101 to shift to a cutting process for dividing the semiconductor wafer 100 into individual semiconductor chips. This cutting step may be performed by the laser processing apparatus 2 or may be performed by a dicing apparatus such as a cutting apparatus.

上述したようにレーザー加工工程(および切断工程)を実施したならば、チャックテーブル36を上記被加工物保持位置に移動する。そして、半導体ウエーハ100の吸引保持を解除するとともに、クランプ362による支持フレームFの固定を解除する。次に、洗浄搬送手段19を作動して外周余剰領域105(環状の補強部105b)が除去された半導体ウエーハ100を洗浄手段18に搬送する。洗浄手段18に搬送された半導体ウエーハ100は、ここで洗浄される。洗浄手段18によって洗浄された半導体ウエーハ100は、乾燥後に搬送手段17によって仮置きテーブル15に搬送される。そして、半導体ウエーハ100は、搬出手段16によってカセット14の所定位置に収納される。   If the laser processing step (and the cutting step) is performed as described above, the chuck table 36 is moved to the workpiece holding position. Then, the suction holding of the semiconductor wafer 100 is released, and the fixing of the support frame F by the clamp 362 is released. Next, the cleaning / conveying means 19 is operated to transport the semiconductor wafer 100 from which the outer peripheral surplus area 105 (annular reinforcing portion 105b) has been removed to the cleaning means 18. The semiconductor wafer 100 conveyed to the cleaning means 18 is cleaned here. The semiconductor wafer 100 cleaned by the cleaning means 18 is transported to the temporary table 15 by the transport means 17 after drying. Then, the semiconductor wafer 100 is stored in a predetermined position of the cassette 14 by the unloading means 16.

なお、上述したように被加工物保持位置に戻されたチャックテーブル36は、次に加工する半導体ウエーハが搬送されてくるまでの間に、ランダムアクセスメモリ(RAM)83に格納されているチャックテーブル36の回転中心の座標Pcと半導体ウエーハ100の中心の座標PwのX軸方向のズレ(x)とY軸方向のズレ(y)に基づいて、上記中心ズレ補正工程を実施することが望ましい。このように、中心ズレ補正工程を実施しておくことにより、次に加工する半導体ウエーハ100の中心がチャックテーブル36の回転中心に位置付けられる確立が高くなる。即ち、テープ貼り機によって環状のフレームFに装着された保護テープTに貼着された半導体ウエーハ100は、同一ロットの場合には同様のズレ傾向があるので、中心ズレ補正工程を実施しておくことにより、半導体ウエーハ100の中心がチャックテーブル36の回転中心に位置付けられる確立が高くなる。   Note that the chuck table 36 returned to the workpiece holding position as described above is stored in the random access memory (RAM) 83 until the semiconductor wafer to be processed next is conveyed. It is desirable to carry out the above-described center misalignment correction step based on the X-axis direction misalignment (x) and the Y-axis direction misalignment (y) between the rotation center coordinate Pc of 36 and the center coordinate Pw of the semiconductor wafer 100. As described above, by performing the center misalignment correction step, the probability that the center of the semiconductor wafer 100 to be processed next is positioned as the rotation center of the chuck table 36 is increased. That is, since the semiconductor wafer 100 attached to the protective tape T attached to the annular frame F by the tape applicator has the same deviation tendency in the case of the same lot, the center deviation correction process is performed. This increases the probability that the center of the semiconductor wafer 100 is positioned as the center of rotation of the chuck table 36.

本発明によるウエーハの加工方法によって加工されるウエーハとしての半導体ウエーハの斜視図。The perspective view of the semiconductor wafer as a wafer processed by the processing method of the wafer by this invention. 図1に示す半導体ウエーハの表面に保護部材を貼着した状態を示す斜視図。The perspective view which shows the state which affixed the protection member on the surface of the semiconductor wafer shown in FIG. 図1に示す半導体ウエーハの裏面を研削するための研削装置の斜視図。The perspective view of the grinding device for grinding the back surface of the semiconductor wafer shown in FIG. 図3に示す研削装置によって実施する補強部形成工程の説明図。Explanatory drawing of the reinforcement part formation process implemented with the grinding apparatus shown in FIG. 図5に示す補強部形成工程が実施された半導体ウエーハの断面図。Sectional drawing of the semiconductor wafer in which the reinforcement part formation process shown in FIG. 5 was implemented. 本発明によるウエーハの加工方法におけるレーザー加工工程するためのレーザー加工装置の斜視図。The perspective view of the laser processing apparatus for performing the laser processing process in the processing method of the wafer by this invention. 図6に示すレーザー加工装置の要部斜視図。The principal part perspective view of the laser processing apparatus shown in FIG. 図6に示すレーザー加工装置に装備されるレーザー光線照射手段の構成ブロック図。FIG. 7 is a configuration block diagram of a laser beam irradiation means equipped in the laser processing apparatus shown in FIG. 6. 本発明によるウエーハの加工方法におけるフレーム支持工程の説明図。Explanatory drawing of the frame support process in the processing method of the wafer by this invention. 本発明によるウエーハの加工方法におけるウエーハ載置工程の説明図。Explanatory drawing of the wafer mounting process in the processing method of the wafer by this invention. 本発明によるウエーハの加工方法における中心ズレ検出工程の説明図。Explanatory drawing of the center shift | offset | difference detection process in the processing method of the wafer by this invention. 本発明によるウエーハの加工方法におけるレーザー加工工程の説明図。Explanatory drawing of the laser processing process in the processing method of the wafer by this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1:研削装置
11:研削装置のチャックテーブル
12:研削手段
2:レーザー加工装置
21:静止基台
3:チャックテーブル機構
36:チャックテーブル
37:加工送り手段
38:第1の割り出し送り手段
4:レーザー光線照射ユニット支持機構
43:第2の割り出し送り手段
5:レーザー光線照射ユニット
52:レーザー光線照射手段
524:集光器
6:撮像手段
7:制御手段
8:表示手段
14:カセット
15:搬出手段
17:搬送手段
18:洗浄手段
19:洗浄搬送手段
100:半導体ウエーハ
101:ストリート
102:デバイス
104:デバイス領域
105:外周余剰領域
110:保護部材
F:環状のフレーム
T:保護テープ
1: Grinding device 11: Chuck table of grinding device 12: Grinding means 2: Laser processing device 21: Stationary base 3: Chuck table mechanism 36: Chuck table 37: Processing feed means 38: First indexing feed means 4: Laser beam Irradiation unit support mechanism 43: Second index feeding means 5: Laser beam irradiation unit 52: Laser beam irradiation means 524: Condenser 6: Imaging means 7: Control means 8: Display means 14: Cassette 15: Unloading means 17: Conveyance means 18: Cleaning means 19: Cleaning conveyance means 100: Semiconductor wafer 101: Street 102: Device 104: Device area 105: Peripheral surplus area 110: Protection member F: Ring frame T: Protection tape

Claims (4)

ウエーハを保持する保持面を備え回転可能に構成されたチャックテーブルと、該チャックテーブルを加工送り方向(X軸方向)に移動せしめる加工送り手段と、該チャックテーブルを加工送り方向(X軸方向)と直交する割り出し送り方向に(Y軸方向)に移動せしめる割り出し送り手段と、該チャックテーブルにウエーハを搬送する搬送手段と、該チャックテーブルに保持されたウエーハにレーザー光線を照射する集光器を備えたレーザー光線照射手段と、該チャックテーブルに保持されたウエーハを撮像する撮像手段とを具備するレーザー加工装置を用い、表面に複数のデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを有するウエーハの該デバイス領域と該外周余剰領域の境界部に分離溝を形成するウエーハの加工方法であって、
該搬送手段によってウエーハを搬送し該チャックテーブル保持面に載置するウエーハ載置工程と、
該撮像手段により該チャックテーブル保持面に載置されたウエーハの外周縁の複数箇所を検出してウエーハの中心の座標を求め、該チャックテーブルの回転中心の座標とのズレを検出する中心ズレ検出工程と、
該中心ズレ検出工程によって検出されたウエーハの中心と該チャックテーブルの回転中心とのズレに対応して該チャックテーブルとウエーハを相対的に移動し、ウエーハの中心と該チャックテーブルの中心とを位置合わせする中心位置合わせ工程と、
該チャックテーブルの保持面に載置され該中心位置合わせ工程が実施されたウエーハの該デバイス領域と該外周余剰領域の境界部に該レーザー光線照射手段からレーザー光線を照射しつつ該チャックテーブルを回転することにより、ウエーハの該デバイス領域と該外周余剰領域の境界部に分離溝を形成するレーザー加工工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハのレーザー加工方法。
A chuck table having a holding surface for holding a wafer and configured to be rotatable, a machining feed means for moving the chuck table in the machining feed direction (X-axis direction), and the chuck table in the machining feed direction (X-axis direction) Indexing feeding means for moving in the indexing feeding direction (Y-axis direction) orthogonal to the wafer, transport means for transporting the wafer to the chuck table, and a condenser for irradiating the wafer held by the chuck table with a laser beam A laser processing apparatus including a laser beam irradiation means and an imaging means for imaging a wafer held on the chuck table, and a device area having a plurality of devices formed on a surface thereof and a peripheral excess area surrounding the device area And forming a separation groove at the boundary between the device region of the wafer and the outer peripheral surplus region A processing method,
A wafer mounting step of transporting the wafer by the transport means and placing the wafer on the chuck table holding surface;
Center deviation detection for detecting a plurality of positions on the outer peripheral edge of the wafer placed on the chuck table holding surface by the imaging means to obtain the coordinates of the center of the wafer and detecting a deviation from the coordinates of the rotation center of the chuck table Process,
The chuck table and the wafer are moved relative to each other in accordance with the deviation between the center of the wafer detected by the center deviation detection step and the center of rotation of the chuck table, and the center of the wafer and the center of the chuck table are positioned. A center alignment step to match,
Rotating the chuck table while irradiating a laser beam from the laser beam irradiating means at the boundary between the device region and the outer peripheral surplus region of the wafer placed on the holding surface of the chuck table and subjected to the center alignment step A laser processing step of forming a separation groove at the boundary between the device region of the wafer and the outer peripheral surplus region,
A wafer laser processing method characterized by the above.
該中心位置合わせ工程は、該中心ズレ検出工程が実施されたウエーハの直上においてウエーハを保持するウエーハ保持工程と、該加工送り手段および割り出し送り手段を作動して該中心ズレ検出工程によって検出されたウエーハの中心と該チャックテーブルの回転中心とのX軸方向およびY軸方向のズレを補正する中心ズレ補正工程と、該中心ズレ補正工程が実施された該チャックテーブルの保持面に該ウエーハ保持工程において保持されたウエーハを再度載置するウエーハ再載置工程とを含む、請求項1記載のウエーハのレーザー加工方法。   The center alignment step is detected by the center misalignment detection step by operating the wafer holding step of holding the wafer immediately above the wafer on which the center misalignment detection step has been performed, and operating the processing feed means and the index feed means. Center misalignment correcting step for correcting misalignment between the center of the wafer and the rotation center of the chuck table in the X-axis direction and the Y-axis direction, and the wafer holding step on the holding surface of the chuck table on which the center misalignment correcting step has been performed. A wafer laser processing method according to claim 1, further comprising a wafer re-placement step of placing the wafer held in step 1 again. 次に加工すべきウエーハを該チャックテーブルの保持面に載置するウエーハ載置工程を実施する前に、該中心ズレ検出工程によって検出されたウエーハの中心と該チャックテーブルの回転中心とのズレに基づいて該中心ズレ補正工程を実施する、請求項2記載のウエーハのレーザー加工方法。   Next, before performing the wafer placing step of placing the wafer to be processed on the holding surface of the chuck table, the deviation between the center of the wafer detected by the center deviation detecting step and the rotation center of the chuck table is detected. The wafer laser processing method according to claim 2, wherein the center misalignment correction step is performed based on the method. ウエーハは、該デバイス領域に対応する裏面が研削され、該外周余剰領域に対応する裏面に環状の補強部が形成されている、請求項1から3のいずれかに記載のウエーハのレーザー加工方法。   4. The wafer laser processing method according to claim 1, wherein the wafer has a back surface corresponding to the device region ground and an annular reinforcing portion formed on the back surface corresponding to the outer peripheral surplus region. 5.
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