JP2007196326A - Slitting confirmation method of cutting blade - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To confirm whether a cutting blade has accurately cut into a workpiece. <P>SOLUTION: In this slitting confirmation method of the cutting blade, in cutting a workpiece 20 to form a cutting groove 110 while cutting water 120 is supplied, it is confirmed whether the cutting blade has vertically cut into the workpiece 10. The method includes: a cutting groove imaging process of imaging a cutting groove 110; and a determination process of determining whether reflected light of cutting water 120 dipped in the cutting groove 110 is located in the center of the width of the cutting groove 110 based upon the picked-up image, wherein in the determination process, when the reflected light of the cutting water 120 is located in the center of the width of the cutting groove 110, the cutting blade is determined to vertically cut into the workpiece, and when the reflected light of the cutting water 120 is not located in the center of the width of the cutting groove 110, the cutting blade is determined not to vertically cut into the workpiece 10. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、切削装置によって半導体ウエーハ等の被加工物を切削する際に、切削ブレードが被加工物に対して垂直に切り込まれているか否かを確認する切削ブレードの切り込み確認方法に関する。   The present invention relates to a cutting blade cutting confirmation method for checking whether or not a cutting blade is cut perpendicular to a workpiece when a workpiece such as a semiconductor wafer is cut by a cutting device.

半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスを形成する。そして、半導体ウエーハをストリートに沿って切断することによりデバイスが形成された領域を分割して個々の半導体チップを製造している。また、サファイヤ基板の表面に窒化ガリウム系化合物半導体等が積層された光デバイスウエーハもストリートに沿って切断することにより個々の発光ダイオード、レーザーダイオード等の光デバイスに分割され、電気機器に広く利用されている。   In the semiconductor device manufacturing process, a plurality of regions are partitioned by dividing lines called streets arranged in a lattice pattern on the surface of a substantially wafer-shaped semiconductor wafer, and devices such as ICs, LSIs, etc. are partitioned in the partitioned regions. Form. Then, the semiconductor wafer is cut along the streets to divide the region in which the device is formed to manufacture individual semiconductor chips. In addition, optical device wafers with gallium nitride compound semiconductors laminated on the surface of a sapphire substrate are also divided into individual optical devices such as light emitting diodes and laser diodes by cutting along the streets, and are widely used in electrical equipment. ing.

上述した半導体ウエーハや光デバイスウエーハ等のストリートに沿った切断は、通常、ダイサーと呼ばれる切削装置によって行われている。この切削装置は、半導体ウエーハ等の被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物を切削するための切削手段と、チャックテーブルと切削手段とを相対的に移動せしめる切削送り手段とを具備している。切削手段は、回転スピンドルと該スピンドルに装着された切削ブレードおよび回転スピンドルを回転駆動する駆動機構を備えたスピンドルユニットを含んでいる。切削ブレードは、ダイヤモンド砥粒をニッケルメッキで固めて厚さが１５〜３０μmに形成された極薄砥石ブレードからなっている。このように形成された切削ブレードをウエーハに形成された幅が３０〜５０μmストリートの中心に位置付け、所定量の切り込み送りして回転しつつ切削送りすることにより、ウエーハをストリートに沿って高精度に切断する。（例えば、特許文献１参照。）
特開平２００１−７７０５５号公報 Cutting along the streets of the above-described semiconductor wafer, optical device wafer or the like is usually performed by a cutting device called a dicer. This cutting apparatus moves a chuck table for holding a workpiece such as a semiconductor wafer, a cutting means for cutting the workpiece held on the chuck table, and the chuck table and the cutting means relative to each other. Cutting feed means. The cutting means includes a spindle unit having a rotary spindle, a cutting blade mounted on the spindle, and a drive mechanism for driving the rotary spindle to rotate. The cutting blade is composed of an ultra-thin whetstone blade in which diamond abrasive grains are solidified by nickel plating to a thickness of 15 to 30 μm. The cutting blade formed in this way is positioned at the center of the 30-50 μm width formed on the wafer, and cuts and feeds the wafer along the street with high accuracy by cutting and feeding a predetermined amount. Disconnect. (For example, refer to Patent Document 1.)
JP 2001-77055 A

而して、切削ブレードを形成するダイヤモンド砥粒の突出状態が切削ブレードの一方の面と他方の面とで異なっている場合や目詰まりが生じている場合には、切削ブレードをウエーハに対して切り込んだ際に、切削ブレードは切削抵抗が小さい方向に逃げる傾向がある。その結果、切削ブレードがウエーハに対して垂直に位置付けられていても、ウエーハを斜めに切削してしまい、デバイスの品質を低下させるという問題がある。また、切削ブレードがウエーハを斜めに切削しても、この斜め切断は１枚のウエーハの切削が完了してデバイスの切断面を顕微鏡等で確認して初めて判明することであり、ウエーハの切削作業の途中で切削ブレードがウエーハを斜めに切削していることを確認できず、歩留まりの低下を招くという問題がある。   Therefore, when the protruding state of the diamond abrasive grains forming the cutting blade is different between one surface and the other surface of the cutting blade or when clogging occurs, the cutting blade is When cut, the cutting blade tends to escape in the direction of lower cutting resistance. As a result, even if the cutting blade is positioned perpendicular to the wafer, there is a problem in that the wafer is cut obliquely and the quality of the device is degraded. Even if the cutting blade cuts the wafer diagonally, this diagonal cutting is only found after the cutting of one wafer is completed and the cut surface of the device is confirmed with a microscope or the like. There is a problem that it is not possible to confirm that the cutting blade is cutting the wafer at an angle during the process, leading to a decrease in yield.

本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、被加工物の切削作業の途中であっても切削ブレードが被加工物に対して正確に切り込まれているか否かを確認することができる切削ブレードの切り込み確認方法を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above facts, and the main technical problem thereof is whether or not the cutting blade is accurately cut into the workpiece even during the cutting operation of the workpiece. It is an object of the present invention to provide a cutting blade incision confirmation method capable of confirming the above.

上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物を切削する切削ブレードを備えた切削手段と、該切削ブレードによる切削部に切削水を供給する切削水供給手段と、該チャックテーブルに保持された被加工物の表面を撮像する撮像手段とを具備する切削装置を用い、該切削ブレードによる切削部に切削水を供給しつつ被加工物を切削して切削溝を形成した際に該切削ブレードが被加工物に対して垂直に切り込まれたか否かを確認するための切削ブレードの切り込み確認方法であって、
被加工物に形成された該切削溝を該撮像手段の直下に位置付け、該切削溝を撮像する切削溝撮像工程と、
該切削溝撮像工程において撮像された画像に基いて、該切削溝に浸漬された切削水の反射光が該切削溝の幅の中心に位置しているか否かを判定する判定工程と、を含み、
該判定工程は、切削水の反射光が該切削溝の幅の中心に位置している場合には該切削ブレードが被加工物に対して垂直に切り込まれたと判定し、切削水の反射光が該切削溝の幅の中心に位置していない場合には該切削ブレードが被加工物に対して垂直に切り込まれていないと判定する、
ことを特徴とする切削ブレードの切り込み確認方法が提供される。 In order to solve the main technical problem, according to the present invention, a chuck table for holding a workpiece, a cutting means having a cutting blade for cutting the workpiece held on the chuck table, and the cutting blade A cutting device comprising a cutting water supply means for supplying cutting water to a cutting portion by means of an image and an imaging means for picking up an image of the surface of a workpiece held on the chuck table is used. A cutting blade cutting confirmation method for checking whether or not the cutting blade is cut perpendicularly to the workpiece when the workpiece is cut to form a cutting groove while supplying ,
A cutting groove imaging step of positioning the cutting groove formed in the work piece directly below the imaging means and imaging the cutting groove;
Determining whether or not the reflected light of the cutting water immersed in the cutting groove is positioned at the center of the width of the cutting groove based on the image picked up in the cutting groove imaging step. ,
The determination step determines that the cutting blade is cut perpendicular to the workpiece when the reflected light of the cutting water is located at the center of the width of the cutting groove, and the reflected light of the cutting water Is determined that the cutting blade is not cut perpendicularly to the workpiece when the cutting groove is not located in the center of the width of the cutting groove,
There is provided a cutting blade cutting confirmation method characterized by the above.

上記切削溝撮像工程を実施する前に、被加工物に形成された切削溝にエアーを吹き付けて切削溝に浸漬された切削水の上部を吹き飛ばし、切削溝に浸漬された切削水の表面を表面張力の作用で凹状にするエアーブロー工程を実施することが望ましい。   Before carrying out the above-mentioned cutting groove imaging step, air is blown onto the cutting groove formed on the workpiece to blow off the upper part of the cutting water immersed in the cutting groove, and the surface of the cutting water immersed in the cutting groove is surfaced. It is desirable to carry out an air blowing process that makes the concave shape under the action of tension.

本発明による切削ブレードの切り込み確認方法においては、切削ブレードによって被加工物に形成された切削溝を撮像し、撮像された画像に基いて切削溝に浸漬された切削水の反射光が切削溝の幅の中心に位置しているか否かを判定して、切削ブレードが被加工物に対して正確に切り込まれているか否かを確認するので、被加工物の切削作業の途中であっても切削ブレードの切り込み確認を実施することができる。   In the cutting blade incision checking method according to the present invention, the cutting groove formed in the workpiece is imaged by the cutting blade, and the reflected light of the cutting water immersed in the cutting groove based on the captured image is reflected in the cutting groove. Since it is determined whether or not the cutting blade is accurately cut into the work piece by determining whether or not it is located at the center of the width, even during the work of cutting the work piece The cutting blade can be checked for cutting.

以下、本発明による切削ブレードの切り込み確認方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して、更に詳細に説明する。   Hereinafter, a preferred embodiment of a cutting blade cutting confirmation method according to the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

図１には、本発明による切削ブレードの切り込み確認方法を実施するための切削装置の斜視図が示されている。図示の実施形態における切削装置は、略直方体状の装置ハウジング２を具備している。この装置ハウジング２内には、被加工物を保持するチャックテーブル３が切削送り方向である矢印Ｘで示す方向に移動可能に配設されている。チャックテーブル３は、吸着チャック支持台３１と、該吸着チャック支持台３１上に配設された吸着チャック３２を具備しており、該吸着チャック３２の上面である保持面上に被加工物を図示しない吸引手段を作動することによって吸引保持するようになっている。また、チャックテーブル３は、図示しない回転機構によって回転可能に構成されている。なお、チャックテーブル３１には、被加工物として後述する半導体ウエーハを保護テープを介して支持する支持フレームを固定するためのクランプ３３が配設されている。このように構成されたチャックテーブル３は、図示しない切削送り手段によって、矢印Ｘで示す切削送り方向に移動せしめられるようになっている。   FIG. 1 shows a perspective view of a cutting apparatus for carrying out the cutting blade cutting confirmation method according to the present invention. The cutting device in the illustrated embodiment includes a device housing 2 having a substantially rectangular parallelepiped shape. In the apparatus housing 2, a chuck table 3 for holding a workpiece is disposed so as to be movable in a direction indicated by an arrow X that is a cutting feed direction. The chuck table 3 includes a suction chuck support 31 and a suction chuck 32 disposed on the suction chuck support 31. A workpiece is illustrated on a holding surface which is the upper surface of the suction chuck 32. Suction holding is performed by operating a suction means that does not. The chuck table 3 is configured to be rotatable by a rotation mechanism (not shown). The chuck table 31 is provided with a clamp 33 for fixing a support frame for supporting a semiconductor wafer, which will be described later, as a workpiece through a protective tape. The chuck table 3 configured as described above can be moved in a cutting feed direction indicated by an arrow X by a cutting feed means (not shown).

図示の実施形態における切削装置は、切削手段としてのスピンドルユニット４を具備している。スピンドルユニット４は、図示しない移動基台に装着され割り出し方向である矢印Ｙで示す方向および切り込み方向である矢印Ｚで示す方向に移動調整されるスピンドルハウジング４１と、該スピンドルハウジング４１に回転自在に支持された回転スピンドル４２と、該回転スピンドル４２の前端部に装着された切削ブレード４３とを具備している。切削ブレード４３は、ダイヤモンド砥粒をニッケルメッキで固めて厚さが１５〜３０μmに形成された極薄砥石ブレードからなっている。上記スピンドルハウジング４１の前端部には、切削ブレード４３の上半部を覆うブレードカバー４４が取り付けられている。このブレードカバー４４には、切削ブレード４３の両側に配設され切削水供給手段を構成する切削水供給ノズル４５が装着されている。このように構成された切削手段としてのスピンドルユニット４は、図示しない割り出し送り手段によって図１において矢印Yで示す割り出し送り方向に移動せしめられるとともに、図示しない切り込み送り手段によって図１において矢印Ｚで示す切り込み送り方向に移動せしめられるようになっている。   The cutting apparatus in the illustrated embodiment includes a spindle unit 4 as cutting means. The spindle unit 4 is mounted on a moving base (not shown) and is adjusted to move in a direction indicated by an arrow Y that is an indexing direction and a direction indicated by an arrow Z that is a cutting direction. The rotary spindle 42 is supported, and a cutting blade 43 attached to the front end of the rotary spindle 42 is provided. The cutting blade 43 is composed of an ultra-thin grindstone blade in which diamond abrasive grains are solidified by nickel plating and have a thickness of 15 to 30 μm. A blade cover 44 that covers the upper half of the cutting blade 43 is attached to the front end of the spindle housing 41. The blade cover 44 is provided with cutting water supply nozzles 45 disposed on both sides of the cutting blade 43 and constituting cutting water supply means. The spindle unit 4 as the cutting means constructed as described above is moved in the index feed direction indicated by the arrow Y in FIG. 1 by the index feed means (not shown) and is indicated by the arrow Z in FIG. 1 by the notch feed means (not shown). It can be moved in the cutting feed direction.

図示の実施形態における切削装置は、上記チャックテーブル３上に保持された被加工物の表面を撮像し、上記切削ブレード４３によって切削すべき領域を検出するとともに切削ブレード４３によって切削された切削溝を撮像するための撮像手段５を具備している。この撮像手段５は、顕微鏡やＣＣＤカメラ等の光学手段からなっている。また、切削装置は、撮像手段５によって撮像された画像を表示する表示手段６を具備している。更に、図示の実施形態における切削装置は、上記チャックテーブル３上に保持され切削加工された被加工物にエアーを吹き付けるエアーブロー手段７を備えている。   The cutting apparatus in the illustrated embodiment images the surface of the workpiece held on the chuck table 3, detects a region to be cut by the cutting blade 43, and forms a cutting groove cut by the cutting blade 43. Imaging means 5 for imaging is provided. The imaging means 5 is composed of optical means such as a microscope and a CCD camera. In addition, the cutting apparatus includes a display unit 6 that displays an image captured by the imaging unit 5. Further, the cutting apparatus in the illustrated embodiment includes an air blowing means 7 that blows air onto a workpiece held on the chuck table 3 and cut.

上記装置ハウジング２におけるカセット載置領域８aには、被加工物を収容するカセットを載置するカセット載置テーブル８が配設されている。このカセット載置テーブル８は、図示しない昇降手段によって上下方向に移動可能に構成されている。カセット載置テーブル８上には、被加工物としての半導体ウエーハ１０を収容するカセット９が載置される。カセット９に収容される半導体ウエーハ１０は、表面に格子状のストリートが形成されており、この格子状のストリートによって区画された複数の矩形領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスが形成されている。このように形成された半導体ウエーハ１０は、環状の支持フレーム１１に装着された保護テープ１２の表面に裏面が貼着された状態でカセット９に収容される。   In the cassette mounting area 8a of the apparatus housing 2, a cassette mounting table 8 for mounting a cassette for storing a workpiece is disposed. The cassette mounting table 8 is configured to be movable in the vertical direction by a lifting means (not shown). On the cassette mounting table 8, a cassette 9 for storing a semiconductor wafer 10 as a workpiece is placed. The semiconductor wafer 10 accommodated in the cassette 9 has a grid-like street formed on the surface thereof, and devices such as IC and LSI are formed in a plurality of rectangular areas partitioned by the grid-like street. The semiconductor wafer 10 thus formed is accommodated in the cassette 9 with the back surface adhered to the front surface of the protective tape 12 mounted on the annular support frame 11.

また、図示の実施形態における切削装置は、カセット載置テーブル８上に載置されたカセット９に収容されている半導体ウエーハ１０（環状のフレーム１１に保護テープ１２を介して支持されている状態）を仮置きテーブル１３に搬出する搬出手段１４と、仮置きテーブル１３に搬出された半導体ウエーハ１０を上記チャックテーブル３上に搬送する搬送手段１５と、チャックテーブル３上で切削加工された半導体ウエーハ１０を洗浄する洗浄手段１６と、チャックテーブル３上で切削加工された半導体ウエーハ１０を洗浄手段１６へ搬送する洗浄搬送手段１７を具備している。   Further, the cutting device in the illustrated embodiment is a semiconductor wafer 10 accommodated in a cassette 9 placed on a cassette placement table 8 (a state in which the wafer is supported on an annular frame 11 via a protective tape 12). The unloading means 14 for unloading the semiconductor wafer 10 onto the temporary table 13, the transporting means 15 for transporting the semiconductor wafer 10 unloaded onto the temporary table 13 onto the chuck table 3, and the semiconductor wafer 10 cut on the chuck table 3. Cleaning means 16 for cleaning the semiconductor wafer 10 and cleaning transport means 17 for transporting the semiconductor wafer 10 cut on the chuck table 3 to the cleaning means 16.

以上のように構成された切削装置を用いて半導体ウエーハ１０を所定のストリートに沿って切断する切削手順について、簡単に説明する。
カセット載置テーブル８上に載置されたカセット９の所定位置に収容されている半導体ウエーハ１０（環状のフレーム１１に保護テープ１２を介して支持されている状態）は、図示しない昇降手段によってカセット載置テーブル８が上下動することにより搬出位置に位置付けられる。次に、搬出手段１４が進退作動して搬出位置に位置付けられた半導体ウエーハ１０を仮置きテーブル１３上に搬出する。仮置きテーブル１３に搬出された半導体ウエーハ１０は、搬送手段１５の旋回動作によって上記チャックテーブル３上に搬送される。チャックテーブル３上に半導体ウエーハ１０が載置されたならば、図示しない吸引手段が作動して半導体ウエーハ１０をチャックテーブル３上に吸引保持する。また、半導体ウエーハ１０を保護テープ１２を介して支持する支持フレーム１１は、上記クランプ３３によって固定される。このようにして半導体ウエーハ１０を保持したチャックテーブル３は、撮像手段５の直下まで移動せしめられる。チャックテーブル３が撮像手段５の直下に位置付けられると、撮像手段５によって半導体ウエーハ１０に形成されているストリートが検出され、スピンドルユニット４を割り出し方向である矢印Ｙ方向に移動調節してストリートと切削ブレード４３との精密位置合わせ作業が行われる。 A cutting procedure for cutting the semiconductor wafer 10 along a predetermined street using the cutting apparatus configured as described above will be briefly described.
The semiconductor wafer 10 (supported by the annular frame 11 via the protective tape 12) accommodated in a predetermined position of the cassette 9 placed on the cassette placement table 8 is moved by an elevator means (not shown). The mounting table 8 is moved to the carry-out position by moving up and down. Next, the unloading means 14 moves forward and backward, and the semiconductor wafer 10 positioned at the unloading position is unloaded onto the temporary placement table 13. The semiconductor wafer 10 carried out to the temporary placement table 13 is transferred onto the chuck table 3 by the turning operation of the transfer means 15. When the semiconductor wafer 10 is placed on the chuck table 3, suction means (not shown) is operated to suck and hold the semiconductor wafer 10 on the chuck table 3. The support frame 11 that supports the semiconductor wafer 10 via the protective tape 12 is fixed by the clamp 33. In this way, the chuck table 3 holding the semiconductor wafer 10 is moved to a position immediately below the imaging means 5. When the chuck table 3 is positioned immediately below the image pickup means 5, the street formed on the semiconductor wafer 10 is detected by the image pickup means 5, and the spindle unit 4 is moved and adjusted in the arrow Y direction as an indexing direction to cut the street and the cutting. A precision alignment operation with the blade 43 is performed.

その後、切削ブレード４３を矢印Ｚで示す方向に所定量切り込み送りし所定の方向に回転させつつ、半導体ウエーハ１０を吸引保持したチャックテーブル３を切削送り方向である矢印Ｘで示す方向（切削ブレード４３の回転軸と直交する方向）に所定の切削送り速度で移動することにより、チャックテーブル３上に保持された半導体ウエーハ１０は切削ブレード４３により所定のストリートに沿って切断される（切削工程）。この切削工程においては、切削水供給ノズル４５から切削ブレード４３による切削部に切削水が供給される。このようにして、半導体ウエーハ１０を所定のストリートに沿って切断したら、チャックテーブル３を矢印Ｙで示す方向にストリートの間隔だけ割り出し送りし、上記切削工程を実施する。そして、半導体ウエーハ１０の所定方向に延在するストリートの全てに沿って切削工程を実施したならば、チャックテーブル３を９０度回転させて、半導体ウエーハ１０の所定方向と直交する方向に延在するストリートに沿って切削工程を実行することにより、半導体ウエーハ１０に格子状に形成された全てのストリートが切削されて個々のチップに分割される。なお、分割されたチップは、保護テープ１２の作用によってバラバラにはならず、フレーム１１に支持されたウエーハの状態が維持されている。   Thereafter, the cutting blade 43 is cut and fed by a predetermined amount in the direction indicated by the arrow Z and rotated in the predetermined direction, while the chuck table 3 holding the semiconductor wafer 10 is sucked and held in the direction indicated by the arrow X (cutting blade 43). The semiconductor wafer 10 held on the chuck table 3 is cut along a predetermined street by the cutting blade 43 (cutting process). In this cutting process, cutting water is supplied from the cutting water supply nozzle 45 to the cutting portion by the cutting blade 43. When the semiconductor wafer 10 is cut along a predetermined street in this way, the chuck table 3 is indexed and fed in the direction indicated by the arrow Y by the street interval, and the above-described cutting process is performed. When the cutting process is performed along all the streets extending in the predetermined direction of the semiconductor wafer 10, the chuck table 3 is rotated 90 degrees to extend in a direction orthogonal to the predetermined direction of the semiconductor wafer 10. By executing the cutting process along the streets, all the streets formed in a lattice shape on the semiconductor wafer 10 are cut and divided into individual chips. Note that the divided chips do not fall apart due to the action of the protective tape 12, and the state of the wafer supported by the frame 11 is maintained.

上述したように半導体ウエーハ１０のストリートに沿って切削工程が終了したら、半導体ウエーハ１０を保持したチャックテーブル３は最初に半導体ウエーハ１０を吸引保持した位置に戻される。そして、半導体ウエーハ１０の吸引保持を解除する。次に、半導体ウエーハ１０は洗浄搬送手段１７によって洗浄手段１６に搬送される。洗浄手段１６に搬送された半導体ウエーハ１０は、ここで洗浄および乾燥される。このようにして洗浄および乾燥された半導体ウエーハ１０は、搬送手段１５によって仮置きテーブル１３に搬送される。そして、半導体ウエーハ１０は、搬出手段１４によってカセット９の所定位置に収納される。従って、搬出手段１４は、加工後の半導体ウエーハ１０をカセット９に搬入する搬入手段としての機能も備えている。   As described above, when the cutting process is completed along the street of the semiconductor wafer 10, the chuck table 3 holding the semiconductor wafer 10 is first returned to the position where the semiconductor wafer 10 is sucked and held. Then, the suction holding of the semiconductor wafer 10 is released. Next, the semiconductor wafer 10 is transferred to the cleaning unit 16 by the cleaning transfer unit 17. The semiconductor wafer 10 conveyed to the cleaning means 16 is cleaned and dried here. The semiconductor wafer 10 thus cleaned and dried is transported to the temporary placement table 13 by the transport means 15. Then, the semiconductor wafer 10 is stored in a predetermined position of the cassette 9 by the unloading means 14. Accordingly, the carry-out means 14 also has a function as a carry-in means for carrying the processed semiconductor wafer 10 into the cassette 9.

上述した切削工程においては、半導体ウエーハ１０を切削する切削ブレード４３は、図２に示すように半導体ウエーハ１０に対して垂直に切り込まれるように設定されている。しかるに、切削ブレード４３を形成するダイヤモンド砥粒の突出状態が一方の面と他方の面とで異なっている場合や切削ブレード４３に目詰まりが生じている場合には、上述したように切削ブレード４３が半導体ウエーハ１０に切り込んだ際に、切削ブレード４３は切削抵抗が小さい方向に逃げる傾向があり、切削ブレード４３が図２において２点鎖線で示すように斜めに切り込まれる。   In the cutting process described above, the cutting blade 43 for cutting the semiconductor wafer 10 is set to be cut perpendicular to the semiconductor wafer 10 as shown in FIG. However, when the protruding state of the diamond abrasive grains forming the cutting blade 43 is different between one surface and the other surface, or when the cutting blade 43 is clogged, the cutting blade 43 as described above. When cutting into the semiconductor wafer 10, the cutting blade 43 tends to escape in a direction in which the cutting resistance is small, and the cutting blade 43 is cut obliquely as shown by a two-dot chain line in FIG.

上述したように、切削ブレード４３が半導体ウエーハ１０に対して垂直に切り込まれたか否かを確認する方法について、図３および図４を参照して説明する。
先ず、最初の切削工程を実施したならば、チャックテーブル３を撮像手段５に向けて移動し、撮像手段５の直下に位置付ける。このときエアーブロー手段７を作動してチャックテーブル３に保持されている半導体ウエーハ１０に形成された切削溝にエアーを吹き付ける（エアーブロー工程）。このエアーブロー工程を実施するのは、半導体ウエーハ１０に形成された切削溝に浸漬された切削水が切削溝の上縁より多いと、その表面が表面張力によって凸状になり反射光を正確に検出することができないため、切削溝に浸漬された切削水の表面が凹状となるように切削水の上部を吹き飛ばす。即ち、半導体ウエーハ１０に形成された切削溝に浸漬された切削水の上部が吹き飛ばされ、切削水の表面が切削溝の上縁より下がるとその表面が表面張力によって凹状となる。 As described above, a method for confirming whether or not the cutting blade 43 has been cut perpendicular to the semiconductor wafer 10 will be described with reference to FIGS. 3 and 4.
First, when the first cutting process is performed, the chuck table 3 is moved toward the image pickup means 5 and positioned immediately below the image pickup means 5. At this time, the air blowing means 7 is operated to blow air into the cutting grooves formed in the semiconductor wafer 10 held on the chuck table 3 (air blowing step). This air blowing process is performed when the cutting water immersed in the cutting groove formed in the semiconductor wafer 10 is larger than the upper edge of the cutting groove, the surface becomes convex due to surface tension and the reflected light is accurately reflected. Since it cannot detect, the upper part of cutting water is blown off so that the surface of the cutting water immersed in the cutting groove may become concave. That is, when the upper part of the cutting water immersed in the cutting groove formed in the semiconductor wafer 10 is blown away and the surface of the cutting water falls below the upper edge of the cutting groove, the surface becomes concave due to surface tension.

チャックテーブル３が撮像手段５の直下に位置付けられたならば、撮像手段５によって半導体ウエーハ１０に形成された切削溝を撮像する（切削溝撮像工程）。撮像手段５によって撮像された画像は、表示手段６に表示される。図３の(a)は表示手段６に表示された画像であり、この画像は図３の(b)に示すように半導体ウエーハ１０に形成された切削溝１１０が半導体ウエーハ１０に対して垂直に形成された状態を示している。図３の(b)に示すように切削溝１１０に浸漬された切削水は、表面張力により表面が凹状となる。そして、図３の(b)に示すように半導体ウエーハ１０に形成された切削溝１１０が半導体ウエーハ１０に対して垂直に形成されている場合には、切削溝１１０に浸漬された切削水１２０の凹状の表面は、その最下位置１２０aが切削溝１１０の幅の中心となる。この場合、撮像手段５によって撮像された画像には、図３の(a)に示すように切削溝１１０の幅の中心に反射光１３０が現れる。従って、表示手段６に表示された画像に基いて、切削溝１１０の中心に反射光１３０が位置している場合には、切削ブレード４３が半導体ウエーハ１０に対して垂直に切り込まれていると判定する（判定工程）。   If the chuck table 3 is positioned immediately below the image pickup means 5, the cutting groove formed in the semiconductor wafer 10 is imaged by the image pickup means 5 (cutting groove imaging step). The image picked up by the image pickup means 5 is displayed on the display means 6. FIG. 3A shows an image displayed on the display means 6. This image shows that the cutting groove 110 formed in the semiconductor wafer 10 is perpendicular to the semiconductor wafer 10 as shown in FIG. The formed state is shown. As shown in FIG. 3B, the surface of the cutting water immersed in the cutting groove 110 becomes concave due to surface tension. 3B, when the cutting groove 110 formed in the semiconductor wafer 10 is formed perpendicular to the semiconductor wafer 10, the cutting water 120 immersed in the cutting groove 110 is removed. The bottom surface 120 a of the concave surface is the center of the width of the cutting groove 110. In this case, the reflected light 130 appears in the center of the width of the cutting groove 110 in the image picked up by the image pickup means 5 as shown in FIG. Therefore, based on the image displayed on the display means 6, when the reflected light 130 is located at the center of the cutting groove 110, the cutting blade 43 is cut perpendicularly to the semiconductor wafer 10. Determine (determination step).

次に、図４の(a)に示す画像は、切削ブレード４３が半導体ウエーハ１０に対して垂直に切り込まれず図４の(b)に示すように半導体ウエーハ１０に形成された切削溝１１０が半導体ウエーハ１０に対して斜めに形成された状態を示すものである。切削溝１１０が半導体ウエーハ１０に対して斜めに形成されると、図４の(b)に示すように切削溝１１０に浸漬された切削水の表面は、最下位置１２０aが切削溝１１０の幅の中心から変位した位置となる。この場合、撮像手段５によって撮像された画像には、図４の(a)に示すように切削溝１１０の幅の中心から変位した位置に反射光１３０が現れる。従って、表示手段６に表示された画像に基いて、反射光１３０が切削溝１１０の中心から変位している場合には、切削ブレード４３が半導体ウエーハ１０に対して垂直に切り込まれていないと判定する（判定工程）。   Next, in the image shown in FIG. 4A, the cutting blade 43 is not cut perpendicular to the semiconductor wafer 10, and the cutting groove 110 formed in the semiconductor wafer 10 as shown in FIG. 2 shows a state where the semiconductor wafer 10 is formed obliquely. When the cutting groove 110 is formed obliquely with respect to the semiconductor wafer 10, as shown in FIG. 4B, the surface of the cutting water immersed in the cutting groove 110 has the lowest position 120 a at the width of the cutting groove 110. The position is displaced from the center. In this case, reflected light 130 appears in the image picked up by the image pickup means 5 at a position displaced from the center of the width of the cutting groove 110 as shown in FIG. Therefore, when the reflected light 130 is displaced from the center of the cutting groove 110 based on the image displayed on the display means 6, the cutting blade 43 is not cut perpendicularly to the semiconductor wafer 10. Determine (determination step).

上述した切削溝撮像工程および判定工程を実施した結果、半導体ウエーハ１０に形成された切削溝１１０が半導体ウエーハ１０に対して垂直に形成されていない、即ち切削ブレード４３が半導体ウエーハ１０に対して垂直に切り込まれていないと判定した場合には、切削ブレードを交換するか、切削ブレードをドレッシングする。   As a result of performing the above-described cutting groove imaging step and determination step, the cutting groove 110 formed in the semiconductor wafer 10 is not formed perpendicular to the semiconductor wafer 10, that is, the cutting blade 43 is perpendicular to the semiconductor wafer 10. If it is determined that the cutting blade is not cut, replace the cutting blade or dress the cutting blade.

上述した切削溝撮像工程および判定工程を上記切削工程を所定回数行う毎に実施することにより、半導体ウエーハ１０をストリートに沿って高精度に切断することができる。従って、デバイスの品質が保証され歩留まりの低下を招くことはない。   The semiconductor wafer 10 can be cut along the street with high accuracy by performing the above-described cutting groove imaging step and determination step each time the cutting step is performed a predetermined number of times. Therefore, the quality of the device is guaranteed and the yield is not reduced.

本発明による切削ブレードの切り込み確認方法を実施するための切削装置の斜視図。The perspective view of the cutting device for enforcing the cutting confirmation method of the cutting blade by this invention. 図１に示す切削装置に装備される切削ブレードが被加工物である半導体ウエーハを切削している状態を示す説明図。Explanatory drawing which shows the state which is cutting the semiconductor wafer which is a workpiece by the cutting blade with which the cutting apparatus shown in FIG. 1 is equipped. 本発明による切削ブレードの切り込み確認方法において半導体ウエーハに形成された切削溝が半導体ウエーハに対して垂直に形成されている場合の撮像画像と切削溝の状態を示す説明図。Explanatory drawing which shows the state of the picked-up image and cutting groove in case the cutting groove formed in the semiconductor wafer is formed perpendicularly | vertically with respect to the semiconductor wafer in the cutting confirmation method of the cutting blade by this invention. 本発明による切削ブレードの切り込み確認方法において半導体ウエーハに形成された切削溝が半導体ウエーハに対して垂直に形成されていない場合の撮像画像と切削溝の状態を示す説明図。グ方法を示す断面図。Explanatory drawing which shows the state of the picked-up image and cutting groove in case the cutting groove formed in the semiconductor wafer is not formed perpendicularly | vertically with respect to the semiconductor wafer in the cutting confirmation method of the cutting blade by this invention. Sectional drawing which shows a scanning method.

符号の説明Explanation of symbols

２：装置ハウジング
３：チャックテーブ
４：スピンドルユニット
４３：切削ブレード
５：撮像手段
６：表示手段
７：エアーブロー手段
８：カセット載置テーブル
９：カセット
１０：半導体ウエーハ（被加工物）
１１０：切削溝
１２０：切削水
１３０：反射光
１１：環状の支持フレーム
１２：保護テープ
１３：仮置きテーブル
１４：搬出手段
１５：搬送手段
１６：洗浄手段
１７：洗浄搬送手段 2: Device housing 3: Chuck table 4: Spindle unit 43: Cutting blade 5: Imaging means 6: Display means 7: Air blow means 8: Cassette mounting table 9: Cassette 10: Semiconductor wafer (workpiece)
110: Cutting groove 120: Cutting water 130: Reflected light 11: Annular support frame 12: Protection tape 13: Temporary table 14: Unloading means 15: Conveying means 16: Cleaning means 17: Cleaning and conveying means

Claims (2)

被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物を切削する切削ブレードを備えた切削手段と、該切削ブレードによる切削部に切削水を供給する切削水供給手段と、該チャックテーブルに保持された被加工物の表面を撮像する撮像手段とを具備する切削装置を用い、該切削ブレードによる切削部に切削水を供給しつつ被加工物を切削して切削溝を形成した際に該切削ブレードが被加工物に対して垂直に切り込まれたか否かを確認するための切削ブレードの切り込み確認方法であって、
被加工物に形成された該切削溝を該撮像手段の直下に位置付け、該切削溝を撮像する切削溝撮像工程と、
該切削溝撮像工程において撮像された画像に基いて、該切削溝に浸漬された切削水の反射光が該切削溝の幅の中心に位置しているか否かを判定する判定工程と、を含み、
該判定工程は、切削水の反射光が該切削溝の幅の中心に位置している場合には該切削ブレードが被加工物に対して垂直に切り込まれたと判定し、切削水の反射光が該切削溝の幅の中心に位置していない場合には該切削ブレードが被加工物に対して垂直に切り込まれていないと判定する、
ことを特徴とする切削ブレードの切り込み確認方法。 A chuck table for holding a workpiece, a cutting means having a cutting blade for cutting the workpiece held on the chuck table, a cutting water supply means for supplying cutting water to a cutting portion by the cutting blade, Using a cutting device having an imaging means for imaging the surface of the workpiece held on the chuck table, the workpiece is cut while forming cutting grooves while supplying cutting water to the cutting portion by the cutting blade. A cutting blade cutting confirmation method for confirming whether or not the cutting blade was cut perpendicularly to the workpiece when
A cutting groove imaging step of positioning the cutting groove formed in the work piece directly below the imaging means and imaging the cutting groove;
Determining whether or not the reflected light of the cutting water immersed in the cutting groove is positioned at the center of the width of the cutting groove based on the image picked up in the cutting groove imaging step. ,
The determination step determines that the cutting blade is cut perpendicular to the workpiece when the reflected light of the cutting water is located at the center of the width of the cutting groove, and the reflected light of the cutting water Is determined that the cutting blade is not cut perpendicularly to the workpiece when the cutting groove is not located in the center of the width of the cutting groove,
A cutting blade cutting confirmation method characterized by the above. 該切削溝撮像工程を実施する前に、被加工物に形成された該切削溝にエアーを吹き付けて該切削溝に浸漬された切削水の上部を吹き飛ばし、該切削溝に浸漬された切削水の表面を表面張力の作用で凹状にするエアーブロー工程を実施する、請求項１記載の切削ブレードの切り込み確認方法。   Prior to performing the cutting groove imaging step, air is blown onto the cutting groove formed in the workpiece to blow off the upper portion of the cutting water immersed in the cutting groove, and the cutting water immersed in the cutting groove is blown off. The cutting blade incision checking method according to claim 1, wherein an air blowing step of making the surface concave by the action of surface tension is performed.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101633215A (en) * 2008-07-23 2010-01-27 株式会社迪思科 Cutting device
JP2010034515A (en) * 2008-06-23 2010-02-12 Canon Inc Dicing method, program of the dicing method, and storage medium
JP2018082116A (en) * 2016-11-18 2018-05-24 株式会社ディスコ Method for manufacturing device chip package
JP2020109816A (en) * 2019-01-07 2020-07-16 株式会社ディスコ Diagnostic method
CN112297258A (en) * 2019-07-26 2021-02-02 株式会社迪思科 Processing method

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6556066B2 (en) * 2016-02-09 2019-08-07 株式会社ディスコ Cutting equipment

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04267106A (en) * 1991-02-22 1992-09-22 Tokyo Seimitsu Co Ltd Dicing device and method
JP2000252240A (en) * 1999-03-03 2000-09-14 Disco Abrasive Syst Ltd Cutter
US6464563B1 (en) * 2001-05-18 2002-10-15 Advanced Microdevices, Inc. Method and apparatus for detecting dishing in a polished layer
JP2003075294A (en) * 2001-09-05 2003-03-12 Toray Ind Inc Method for inspecting substrate
JP2004241626A (en) * 2003-02-06 2004-08-26 Kulicke & Soffa Ltd Dicing apparatus and dicing method

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04267106A (en) * 1991-02-22 1992-09-22 Tokyo Seimitsu Co Ltd Dicing device and method
JP2000252240A (en) * 1999-03-03 2000-09-14 Disco Abrasive Syst Ltd Cutter
US6464563B1 (en) * 2001-05-18 2002-10-15 Advanced Microdevices, Inc. Method and apparatus for detecting dishing in a polished layer
JP2003075294A (en) * 2001-09-05 2003-03-12 Toray Ind Inc Method for inspecting substrate
JP2004241626A (en) * 2003-02-06 2004-08-26 Kulicke & Soffa Ltd Dicing apparatus and dicing method

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010034515A (en) * 2008-06-23 2010-02-12 Canon Inc Dicing method, program of the dicing method, and storage medium
CN101633215A (en) * 2008-07-23 2010-01-27 株式会社迪思科 Cutting device
JP2018082116A (en) * 2016-11-18 2018-05-24 株式会社ディスコ Method for manufacturing device chip package
KR20180056381A (en) * 2016-11-18 2018-05-28 가부시기가이샤 디스코 Method of manufacturing device chip package
KR102240785B1 (en) 2016-11-18 2021-04-14 가부시기가이샤 디스코 Method of manufacturing device chip package
JP2020109816A (en) * 2019-01-07 2020-07-16 株式会社ディスコ Diagnostic method
JP7271181B2 (en) 2019-01-07 2023-05-11 株式会社ディスコ diagnostic method
CN112297258A (en) * 2019-07-26 2021-02-02 株式会社迪思科 Processing method
JP2021022657A (en) * 2019-07-26 2021-02-18 株式会社ディスコ Processing method
JP7362334B2 (en) 2019-07-26 2023-10-17 株式会社ディスコ Processing method

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