JP2016187004A - Processing method of wafer - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an economically excellent processing method of a wafer, that is used when processing the wafer thin.SOLUTION: A processing method of a wafer (11) having a device region (13) where a plurality of devices (19) are formed and an outer peripheral surplus region (15) surrounding the device region on the surface (11a) side includes a wafer processing step of forming a circular thinned portion (23) by thinning a part of the wafer corresponding to the device region from the back (11b) side, and forming an annular reinforcement portion (25) by keeping the thickness at a part of the wafer corresponding to the outer peripheral surplus region, a protection film coating step of coating only a region on the surface side of the wafer corresponding to the boundary of the thinned portion and reinforcement portion with a protective film (29), a processing groove formation step of forming a processing groove in the wafer by irradiating a region, coated with the protective film, with a laser beam (L) from the surface side of the wafer, and a reinforcement portion removal step for removing the reinforcement portion from the wafer.SELECTED DRAWING: Figure 3

Description

本発明は、ウェーハを薄く加工する際に用いられるウェーハの加工方法に関する。   The present invention relates to a wafer processing method used when processing a wafer thinly.

近年、小型軽量なデバイスチップを実現するために、シリコン等の材料でなるウェーハを薄く加工することが求められている。ウェーハは、例えば、表面の分割予定ライン（ストリート）で区画される各領域にＩＣ等のデバイスが形成された後、所望の厚みとなるように裏面側を研削される。   In recent years, in order to realize a small and light device chip, it is required to thinly process a wafer made of a material such as silicon. For example, after a device such as an IC is formed in each region defined by division lines (streets) on the front surface, the back surface of the wafer is ground so as to have a desired thickness.

ところで、ウェーハを１００μｍ以下の厚みまで薄くすると、剛性は大幅に低下して後工程での取り扱いが難しくなる。そのため、デバイスが形成されたウェーハの中央部分のみを研削して外周部分の厚みを維持することで、研削後のウェーハに所定の剛性を残す加工方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。   By the way, if the wafer is thinned to a thickness of 100 μm or less, the rigidity is greatly lowered, and handling in a subsequent process becomes difficult. Therefore, a processing method has been proposed in which only the central portion of the wafer on which the device is formed is ground to maintain the thickness of the outer peripheral portion, thereby leaving a predetermined rigidity on the ground wafer (see, for example, Patent Document 1). ).

この加工方法では、例えば、ウェーハより小径の研削ホイールを用いてウェーハの裏面側を研削し、中央部分を薄くする。ウェーハの剛性は、厚みが維持された外周部分（環状の補強部）によって保たれる。なお、この外周部分は、後に、中央部分との境界にレーザー光線を照射することで分離される（例えば、特許文献２参照）。   In this processing method, for example, the back surface side of the wafer is ground using a grinding wheel having a smaller diameter than the wafer, and the central portion is thinned. The rigidity of the wafer is maintained by the outer peripheral portion (annular reinforcing portion) whose thickness is maintained. In addition, this outer peripheral part is isolate | separated later by irradiating a laser beam to the boundary with a center part (for example, refer patent document 2).

特開２００７−１９４６１号公報JP 2007-19461 A 特開２００８−５３３４１号公報JP 2008-53341 A

ところで、レーザー光線を照射してウェーハの外周部分を分離する際には、レーザー光線の照射によって発生するデブリ（溶融物等）がウェーハに付着しないように、ウェーハに保護膜を被覆している。この保護膜は、通常、スピンコート等の技術でウェーハの表面又は裏面の全体に形成される。   By the way, when the outer peripheral portion of the wafer is separated by irradiating the laser beam, the wafer is covered with a protective film so that debris (melt or the like) generated by the irradiation of the laser beam does not adhere to the wafer. This protective film is usually formed on the entire front or back surface of the wafer by a technique such as spin coating.

しかしながら、このような加工方法には、まだ不経済な点がある。本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ウェーハを薄く加工する際に用いられる経済的に優れたウェーハの加工方法を提供することである。   However, such processing methods still have uneconomical points. The present invention has been made in view of such problems, and an object of the present invention is to provide an economical wafer processing method used when processing a wafer thinly.

本発明によれば、複数のデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲む外周余剰領域とを表面側に有するウェーハの加工方法であって、ウェーハの該デバイス領域に相当する部分を裏面側から薄くして円形の薄化部を形成すると共に、ウェーハの該外周余剰領域に相当する部分の厚みを維持して環状の補強部を形成するウェーハ加工工程と、該薄化部と該補強部との境界に相当するウェーハの表面側の領域にのみ保護膜を被覆する保護膜被覆工程と、ウェーハの表面側から該保護膜が被覆された領域にレーザー光線を照射してウェーハに加工溝を形成する加工溝形成工程と、ウェーハから該補強部を除去する補強部除去工程と、を含むことを特徴とするウェーハの加工方法が提供される。   According to the present invention, there is provided a wafer processing method having a device region in which a plurality of devices are formed and an outer peripheral surplus region surrounding the device region on the front surface side, and a portion corresponding to the device region of the wafer is formed on the back surface side. Forming a circular thinned portion and forming a circular reinforcing portion while maintaining the thickness of the portion corresponding to the peripheral excess region of the wafer, and the thinning portion and the reinforcing portion A protective film coating process that covers the protective film only on the surface area of the wafer corresponding to the boundary with the laser, and a processing groove is formed on the wafer by irradiating the area covered with the protective film from the wafer surface side. There is provided a processing method of a wafer, characterized by including a processed groove forming step to be performed and a reinforcing portion removing step to remove the reinforcing portion from the wafer.

また、本発明によれば、複数のデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲む外周余剰領域とを表面側に有するウェーハの加工方法であって、ウェーハの該デバイス領域に相当する部分を裏面側から薄くして円形の薄化部を形成すると共に、ウェーハの該外周余剰領域に相当する部分の厚みを維持して環状の補強部を形成するウェーハ加工工程と、該薄化部と該補強部との境界に相当するウェーハの裏面側の領域にのみ保護膜を被覆する保護膜被覆工程と、ウェーハの裏面側から該保護膜が被覆された領域にレーザー光線を照射してウェーハに加工溝を形成する加工溝形成工程と、ウェーハから該補強部を除去する補強部除去工程と、を含むことを特徴とするウェーハの加工方法が提供される。   Further, according to the present invention, there is provided a wafer processing method having a device region in which a plurality of devices are formed and an outer peripheral surplus region surrounding the device region on the surface side, and a portion corresponding to the device region of the wafer is Thinning from the back side to form a circular thinned portion, maintaining the thickness of the portion corresponding to the peripheral excess area of the wafer to form an annular reinforcing portion, the thinned portion and the thinned portion A protective film coating process for coating the protective film only on the back side area of the wafer corresponding to the boundary with the reinforcing part, and a processing groove on the wafer by irradiating the area covered with the protective film from the back side of the wafer There is provided a processing method of a wafer, characterized by including a processing groove forming step for forming the reinforcing portion and a reinforcing portion removing step for removing the reinforcing portion from the wafer.

本発明において、前記保護膜被覆工程では、粒子状の液状樹脂を噴射手段で噴射することによって前記保護膜を被覆することが好ましい。   In the present invention, in the protective film coating step, it is preferable to coat the protective film by spraying a particulate liquid resin by a spraying means.

また本発明において、前記保護膜は、前記レーザー光線の照射によって発生するデブリが飛散する距離よりも幅の広いリング状に形成されることが好ましい。   In the present invention, it is preferable that the protective film is formed in a ring shape having a width wider than a distance at which debris generated by irradiation with the laser beam is scattered.

本発明に係るウェーハの加工方法では、ウェーハの薄化部と環状の補強部との境界に相当する領域にのみ保護膜を被覆するので、ウェーハの全体に保護膜を被覆する場合と比べて、形成される保護膜に無駄がない。このように、本発明によれば、経済的に優れたウェーハの加工方法を提供できる。   In the wafer processing method according to the present invention, since the protective film is coated only on the area corresponding to the boundary between the thinned portion of the wafer and the annular reinforcing portion, compared with the case where the entire wafer is coated with the protective film, There is no waste in the protective film formed. Thus, according to the present invention, it is possible to provide an economical wafer processing method.

図１（Ａ）は、ウェーハを模式的に示す斜視図であり、図１（Ｂ）は、加工準備工程を模式的に示す斜視図であり、図１（Ｃ）は、加工準備工程を模式的に示す断面図である。1A is a perspective view schematically showing a wafer, FIG. 1B is a perspective view schematically showing a processing preparation step, and FIG. 1C is a schematic view of the processing preparation step. FIG. 図２（Ａ）は、ウェーハ加工工程を模式的に示す斜視図であり、図２（Ｂ）は、ウェーハ加工工程の後のウェーハ等を模式的に示す断面図である。FIG. 2A is a perspective view schematically showing the wafer processing step, and FIG. 2B is a cross-sectional view schematically showing the wafer and the like after the wafer processing step. 図３（Ａ）は、貼り替え工程を模式的に示す断面図であり、図３（Ｂ）は、保護膜被覆工程を模式的に示す一部断面側面図であり、図３（Ｃ）は、加工溝形成工程を模式的に示す一部断面側面図である。FIG. 3A is a cross-sectional view schematically showing the replacement process, FIG. 3B is a partial cross-sectional side view schematically showing the protective film coating process, and FIG. FIG. 4 is a partial cross-sectional side view schematically showing a processing groove forming step. 補強部除去工程を模式的に示す斜視図である。It is a perspective view which shows a reinforcement part removal process typically. 図５（Ａ）は、変形例に係る保護膜被覆工程を模式的に示す一部断面側面図であり、図５（Ｂ）は、変形例に係る加工溝形成工程を模式的に示す一部断面側面図である。FIG. 5A is a partial cross-sectional side view schematically showing a protective film coating process according to a modification, and FIG. 5B is a part schematically showing a machining groove forming process according to the modification. It is a cross-sectional side view.

添付図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。本実施形態に係るウェーハの加工方法は、ウェーハ加工工程（図２（Ａ）及び図２（Ｂ）参照）、保護膜被覆工程（図３（Ｂ）参照）、加工溝形成工程（図３（Ｃ）参照）、及び補強部除去工程（図４参照）を含む。   Embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. The wafer processing method according to this embodiment includes a wafer processing process (see FIGS. 2A and 2B), a protective film coating process (see FIG. 3B), and a processing groove forming process (see FIG. C)), and a reinforcing part removing step (see FIG. 4).

ウェーハ加工工程では、ウェーハのデバイス領域に相当する部分を裏面側から研削して円形の薄化部を形成すると共に、ウェーハの外周余剰領域に相当する部分の厚みを維持して環状の補強部を形成する。保護膜被覆工程では、薄化部と補強部との境界に相当するウェーハの表面側の領域にのみ保護膜を被覆する。   In the wafer processing process, a portion corresponding to the device region of the wafer is ground from the back side to form a circular thinned portion, and the thickness of the portion corresponding to the outer peripheral surplus region of the wafer is maintained to form an annular reinforcing portion. Form. In the protective film coating step, the protective film is coated only on the surface side region of the wafer corresponding to the boundary between the thinned portion and the reinforcing portion.

加工溝形成工程では、ウェーハの表面側から保護膜が被覆された領域にレーザー光線を照射してウェーハに加工溝を形成する。補強部除去工程では、ウェーハから補強部を分離して除去する。以下、本実施形態に係るウェーハの加工方法について詳述する。   In the processing groove forming step, a processing groove is formed in the wafer by irradiating a laser beam to the region covered with the protective film from the front surface side of the wafer. In the reinforcing portion removing step, the reinforcing portion is separated and removed from the wafer. Hereinafter, the wafer processing method according to the present embodiment will be described in detail.

図１（Ａ）は、本実施形態で加工されるウェーハを模式的に示す斜視図である。図１（Ａ）に示すように、ウェーハ１１は、例えば、シリコン、サファイア等の材料でなる円形の板状物であり、表面１１ａは、中央のデバイス領域１３と、デバイス領域１３を囲む外周余剰領域１５とに分けられる。   FIG. 1A is a perspective view schematically showing a wafer processed in this embodiment. As shown in FIG. 1A, the wafer 11 is a circular plate-like material made of, for example, silicon or sapphire, and the surface 11a has a central device region 13 and an outer peripheral surplus surrounding the device region 13. The area 15 is divided.

デバイス領域１３は、格子状に配列された分割予定ライン（ストリート）１７でさらに複数の領域に区画されており、各領域には、ＩＣ、ＬＥＤ等のデバイス１９が形成されている。なお、ウェーハ１１の外周部１１ｃは、面取り加工されている。   The device region 13 is further divided into a plurality of regions by division lines (streets) 17 arranged in a lattice pattern, and devices 19 such as ICs and LEDs are formed in each region. The outer peripheral portion 11c of the wafer 11 is chamfered.

本実施形態に係るウェーハの加工方法では、まず、ウェーハ１１の表面１１ａ側に保護部材を固定する加工準備工程を実施する。図１（Ｂ）は、加工準備工程を模式的に示す斜視図であり、図１（Ｃ）は、加工準備工程を模式的に示す断面図である。   In the wafer processing method according to the present embodiment, first, a processing preparation step of fixing a protective member to the surface 11a side of the wafer 11 is performed. FIG. 1B is a perspective view schematically showing the processing preparation step, and FIG. 1C is a cross-sectional view schematically showing the processing preparation step.

図１（Ｂ）及び図１（Ｃ）に示すように、ウェーハ１１に固定される保護部材２１は、例えば、ウェーハ１１と概ね同形の粘着テープ、樹脂基板、ウェーハ１１と同種又は異種のウェーハ等である。ウェーハ１１の表面１１ａ側には、この保護部材２１の表面２１ａ側が貼着される。   As shown in FIGS. 1B and 1C, the protective member 21 fixed to the wafer 11 is, for example, an adhesive tape, a resin substrate, a wafer of the same type as or different from the wafer 11, etc. It is. The surface 21 a side of the protective member 21 is attached to the surface 11 a side of the wafer 11.

加工準備工程を実施した後には、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側を研削して円形の薄化部と環状の補強部とを形成するウェーハ加工工程を実施する。図２（Ａ）は、ウェーハ加工工程を模式的に示す斜視図であり、図２（Ｂ）は、ウェーハ加工工程の後のウェーハ１１等を模式的に示す断面図である。   After performing the processing preparation step, a wafer processing step is performed in which the back surface 11b side of the wafer 11 is ground to form a circular thinned portion and an annular reinforcing portion. FIG. 2A is a perspective view schematically showing the wafer processing step, and FIG. 2B is a cross-sectional view schematically showing the wafer 11 and the like after the wafer processing step.

ウェーハ加工工程は、例えば、図２（Ａ）に示す研削装置２で実施される。研削装置２は、ウェーハ１１を保持する保持テーブル４を備えている。保持テーブル４は、モータ等の回転機構（不図示）に連結されており、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。また、保持テーブル４の下方には、移動機構（不図示）が設けられており、保持テーブル４は、この移動機構で水平方向に移動する。   The wafer processing step is performed, for example, with a grinding apparatus 2 shown in FIG. The grinding apparatus 2 includes a holding table 4 that holds the wafer 11. The holding table 4 is connected to a rotation mechanism (not shown) such as a motor, and rotates around a rotation axis substantially parallel to the vertical direction. Further, a moving mechanism (not shown) is provided below the holding table 4, and the holding table 4 moves in the horizontal direction by this moving mechanism.

保持テーブル４の上面は、ウェーハ１１を保持する保持面となっている。この保持面には、保持テーブル４の内部に形成された流路（不図示）等を通じて吸引源（不図示）の負圧が作用し、ウェーハ１１を吸引するための吸引力が発生する。   The upper surface of the holding table 4 is a holding surface that holds the wafer 11. A negative pressure of a suction source (not shown) acts on the holding surface through a flow path (not shown) formed inside the holding table 4 to generate a suction force for sucking the wafer 11.

保持テーブル４の上方には、研削ユニット６が配置されている。研削ユニット６は、昇降機構（不図示）に支持されたスピンドルハウジング８を備えている。スピンドルハウジング８の内部には、モータ等の回転機構（不図示）に連結されたスピンドル１０が収容されている。   A grinding unit 6 is disposed above the holding table 4. The grinding unit 6 includes a spindle housing 8 supported by an elevating mechanism (not shown). A spindle 10 connected to a rotation mechanism (not shown) such as a motor is accommodated in the spindle housing 8.

スピンドル１０は、回転機構から伝達される回転力によって鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転し、昇降機構によってスピンドルハウジング８と共に昇降する。また、スピンドル１０の下端部は、スピンドルハウジング８の外部に露出している。   The spindle 10 rotates around a rotation axis substantially parallel to the vertical direction by the rotational force transmitted from the rotation mechanism, and moves up and down together with the spindle housing 8 by the lifting mechanism. Further, the lower end portion of the spindle 10 is exposed to the outside of the spindle housing 8.

このスピンドル１０の下端部には、ウェーハ１１より小径の研削ホイール１２が装着されている。研削ホイール１２は、アルミニウム、ステンレス等の金属材料で形成されたホイール基台１２ａを備えている。ホイール基台１２ａの下面には、複数の研削砥石１２ｂが環状に配列されている。   A grinding wheel 12 having a diameter smaller than that of the wafer 11 is attached to the lower end portion of the spindle 10. The grinding wheel 12 includes a wheel base 12a formed of a metal material such as aluminum or stainless steel. A plurality of grinding wheels 12b are arranged in an annular shape on the lower surface of the wheel base 12a.

ウェーハ加工工程では、まず、ウェーハ１１に固定された保護部材２１の裏面２１ｂを保持テーブル４の保持面に接触させて、吸引源の負圧を作用させる。これにより、ウェーハ１１は、裏面１１ｂ側が上方に露出した状態で保持テーブル４に保持される。   In the wafer processing step, first, the back surface 21b of the protection member 21 fixed to the wafer 11 is brought into contact with the holding surface of the holding table 4 to apply a negative pressure of the suction source. Thereby, the wafer 11 is hold | maintained at the holding table 4 in the state in which the back surface 11b side was exposed upwards.

次に、保持テーブル４を移動させ、デバイス領域１３と外周余剰領域１５との境界に相当する領域に研削砥石１２ｂの外側の縁を位置付ける。この状態で、保持テーブル４と研削ホイール１２とをそれぞれ回転させて、スピンドル１０を下降させる。スピンドル１０の下降量は、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側に研削砥石１２ｂの下面が押し付けられる程度とする。   Next, the holding table 4 is moved, and the outer edge of the grinding wheel 12 b is positioned in an area corresponding to the boundary between the device area 13 and the outer peripheral surplus area 15. In this state, the holding table 4 and the grinding wheel 12 are rotated to lower the spindle 10. The descending amount of the spindle 10 is set such that the lower surface of the grinding wheel 12b is pressed against the back surface 11b side of the wafer 11.

これにより、ウェーハ１１のデバイス領域１３に相当する部分を裏面１１ｂ側から研削して円形の薄化部２３を形成すると共に、ウェーハ１１の外周余剰領域１５に相当する部分の厚みを維持して環状の補強部２５を形成できる。例えば、ウェーハ１１のデバイス領域１３に相当する部分が仕上げ厚みまで薄化されると、この研削ステップは終了する。   As a result, the portion corresponding to the device region 13 of the wafer 11 is ground from the back surface 11b side to form a circular thinned portion 23, and the thickness of the portion corresponding to the outer peripheral surplus region 15 of the wafer 11 is maintained to be annular. The reinforcing portion 25 can be formed. For example, when the portion corresponding to the device region 13 of the wafer 11 is thinned to the finished thickness, the grinding step is finished.

ウェーハ加工工程を実施した後には、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側にダイシングテープを貼着すると共に、ウェーハ１１の表面１１ａ側に固定された保護部材２１を除去する貼り替え工程を実施する。図３（Ａ）は、貼り替え工程を模式的に示す断面図である。   After performing the wafer processing step, a dicing tape is attached to the back surface 11b side of the wafer 11 and a replacement step for removing the protective member 21 fixed to the front surface 11a side of the wafer 11 is performed. FIG. 3A is a cross-sectional view schematically showing the re-seat process.

図３（Ａ）に示すように、貼り替え工程では、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側にウェーハ１１より大径のダイシングテープ３１を貼着し、このダイシングテープ３１の外周部分に環状のフレーム３３を固定する。これにより、ウェーハ１１は、ダイシングテープ３１を介して環状のフレーム３３に支持される。   As shown in FIG. 3A, in the reattaching step, a dicing tape 31 having a diameter larger than that of the wafer 11 is attached to the back surface 11b side of the wafer 11, and an annular frame 33 is fixed to the outer peripheral portion of the dicing tape 31. To do. As a result, the wafer 11 is supported by the annular frame 33 via the dicing tape 31.

また、ウェーハ１１の表面１１ａ側に固定された保護部材２１を剥離して、ウェーハ１１ａの表面１１ａを露出させる。なお、この貼り替え工程では、ダイシングテープ３１をウェーハ１１に貼着する前に保護部材２１を除去しても良いし、ダイシングテープ３１をウェーハ１１に貼着した後に保護部材２１を除去しても良い。   Further, the protective member 21 fixed to the front surface 11a side of the wafer 11 is peeled to expose the front surface 11a of the wafer 11a. In this attaching step, the protective member 21 may be removed before the dicing tape 31 is attached to the wafer 11, or the protective member 21 may be removed after the dicing tape 31 is attached to the wafer 11. good.

貼り替え工程を実施した後には、薄化部２３と補強部２５との境界に相当するウェーハ１１の表面１１ａ側の領域にのみ保護膜を被覆する保護膜被覆工程を実施する。図３（Ｂ）は、保護膜被覆工程を模式的に示す一部断面側面図である。保護膜被覆工程は、例えば、図３（Ｂ）に示す保護膜被覆装置２２で実施される。   After performing the replacement process, a protective film coating process is performed in which the protective film is coated only on a region on the surface 11a side of the wafer 11 corresponding to the boundary between the thinned portion 23 and the reinforcing portion 25. FIG. 3B is a partial cross-sectional side view schematically showing the protective film coating step. The protective film coating step is performed by, for example, the protective film coating apparatus 22 shown in FIG.

保護膜被覆装置２２は、ウェーハ１１を保持する保持テーブル２４を備えている。保持テーブル２４は、モータ等の回転機構（不図示）に連結されており、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。また、保持テーブル２４の下方には、移動機構（不図示）が設けられており、保持テーブル２４は、この移動機構で水平方向に移動する。   The protective film coating apparatus 22 includes a holding table 24 that holds the wafer 11. The holding table 24 is connected to a rotation mechanism (not shown) such as a motor, and rotates around a rotation axis substantially parallel to the vertical direction. Further, a moving mechanism (not shown) is provided below the holding table 24, and the holding table 24 moves in the horizontal direction by this moving mechanism.

保持テーブル２４の上面には、円形の凹部２４ａが形成されており、この凹部２４ａには、凹部２４ａの形状に合致する保持板２６が嵌合している。保持板２６は、例えば、多孔質材料によって形成されており、その上面は、ウェーハ１１を保持する保持面２６ａとなる。   A circular recess 24a is formed on the upper surface of the holding table 24, and a holding plate 26 matching the shape of the recess 24a is fitted into the recess 24a. The holding plate 26 is made of, for example, a porous material, and the upper surface thereof serves as a holding surface 26 a that holds the wafer 11.

凹部２４ａは、保持テーブル２４の内部に形成された流路２４ｂ等を通じて吸引源（不図示）に接続されている。吸引源の負圧を保持板２６に作用させることで、保持面２６ａには、ウェーハ１１を吸引するための吸引力が発生する。   The recess 24 a is connected to a suction source (not shown) through a flow path 24 b formed inside the holding table 24. By applying the negative pressure of the suction source to the holding plate 26, a suction force for sucking the wafer 11 is generated on the holding surface 26a.

保持テーブル２４の周囲には、環状のフレーム３３を固定するためのクランプ２８が設けられている。また、保持テーブル２４の上方には、微細な粒子状の液状樹脂２７を噴射可能なマイクロドットディスペンサー等の噴射ノズル（噴射手段）３０が配置されている。   A clamp 28 for fixing the annular frame 33 is provided around the holding table 24. Further, above the holding table 24, an injection nozzle (injection means) 30 such as a microdot dispenser capable of injecting a fine particulate liquid resin 27 is disposed.

保護膜被覆工程では、まず、ウェーハ１１に貼着されたダイシングテープ３１を保持テーブル２４の保持面２６ａに接触させて、環状のフレーム３３をクランプ２８で固定する。この状態で吸引源の負圧を作用させることで、ウェーハ１１は、表面１１ａ側が上方に露出した状態で保持テーブル２４に保持される。   In the protective film coating step, first, the dicing tape 31 attached to the wafer 11 is brought into contact with the holding surface 26 a of the holding table 24, and the annular frame 33 is fixed by the clamp 28. By applying the negative pressure of the suction source in this state, the wafer 11 is held on the holding table 24 with the surface 11a side exposed upward.

次に、保持テーブル２４を移動させて、噴射ノズル３０を薄化部２３と補強部２５との境界に相当する領域に位置付ける。そして、保持テーブル２４を回転させつつ、噴射ノズル３０から粒子状の液状樹脂２７をウェーハ１１に噴射する。これにより、薄化部２３と補強部２５との境界に相当するウェーハ１１の表面１１ａ側の領域にのみ保護膜２９を被覆できる。   Next, the holding table 24 is moved to position the injection nozzle 30 in a region corresponding to the boundary between the thinned portion 23 and the reinforcing portion 25. Then, the particulate liquid resin 27 is sprayed from the spray nozzle 30 onto the wafer 11 while rotating the holding table 24. Thereby, the protective film 29 can be covered only in the region on the surface 11 a side of the wafer 11 corresponding to the boundary between the thinned portion 23 and the reinforcing portion 25.

液状樹脂２７としては、例えば、水で容易に洗い流せる水溶性の樹脂を用いると良い。また、保護膜２９は、後の加工溝形成工程で発生するデブリ（溶融物等）が飛散する距離よりも幅の広いリング状に形成されることが望ましい。これにより、レーザー光線の照射によって発生するデブリのウェーハ１１への付着を確実に防止できる。   As the liquid resin 27, for example, a water-soluble resin that can be easily washed away with water may be used. Further, it is desirable that the protective film 29 is formed in a ring shape having a width wider than the distance at which debris (melt or the like) generated in the subsequent process groove forming step is scattered. Thereby, adhesion of the debris generated by the laser beam irradiation to the wafer 11 can be reliably prevented.

なお、レーザー光線を通常の照射条件で照射するのであれば、保護膜２９の幅は、１ｍｍ〜３ｍｍ程度で良い。また、保護膜２９は、少なくとも薄化部２３へのデブリの付着を防止できるように形成されれば良い。例えば、保護膜２９は、薄化部２３と補強部２５との境界よりも薄化部２３側に偏った位置に形成されても良い。   If the laser beam is irradiated under normal irradiation conditions, the width of the protective film 29 may be about 1 mm to 3 mm. Moreover, the protective film 29 should just be formed so that adhesion of the debris to the thinning part 23 can be prevented at least. For example, the protective film 29 may be formed at a position that is biased toward the thinned portion 23 side than the boundary between the thinned portion 23 and the reinforcing portion 25.

保護膜被覆工程を実施した後には、ウェーハ１１の表面１１ａ側から保護膜２９が被覆された領域にレーザー光線を照射してウェーハ１１に加工溝を形成する加工溝形成工程を実施する。図３（Ｃ）は、加工溝形成工程を模式的に示す一部断面側面図である。加工溝形成工程は、例えば、図３（Ｃ）に示すレーザー加工装置３２で実施される。   After performing the protective film coating step, a processing groove forming step is performed in which a processing groove is formed in the wafer 11 by irradiating a laser beam to the region covered with the protective film 29 from the surface 11a side of the wafer 11. FIG. 3C is a partial cross-sectional side view schematically showing the machining groove forming step. The processing groove forming step is performed by, for example, a laser processing apparatus 32 shown in FIG.

レーザー加工装置３２は、ウェーハ１１を保持する保持テーブル３４を備えている。保持テーブル３４は、モータ等の回転機構（不図示）に連結されており、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。また、保持テーブル３４の下方には、移動機構（不図示）が設けられており、保持テーブル３４は、この移動機構で水平方向に移動する。   The laser processing apparatus 32 includes a holding table 34 that holds the wafer 11. The holding table 34 is connected to a rotation mechanism (not shown) such as a motor, and rotates around a rotation axis substantially parallel to the vertical direction. A moving mechanism (not shown) is provided below the holding table 34, and the holding table 34 moves in the horizontal direction by this moving mechanism.

保持テーブル３４の上面には、円形の凹部３４ａが形成されており、この凹部３４ａには、凹部３４ａの形状に合致する保持板３６が嵌合している。保持板３６は、例えば、多孔質材料によって形成されており、その上面は、ウェーハ１１を保持する保持面３６ａとなる。   A circular recess 34a is formed on the upper surface of the holding table 34, and a holding plate 36 that matches the shape of the recess 34a is fitted in the recess 34a. The holding plate 36 is made of, for example, a porous material, and the upper surface thereof serves as a holding surface 36 a that holds the wafer 11.

凹部３４ａは、保持テーブル３４の内部に形成された流路３４ｂ等を通じて吸引源（不図示）に接続されている。吸引源の負圧を保持板３６に作用させることで、保持面３６ａには、ウェーハ１１を吸引するための吸引力が発生する。   The recess 34 a is connected to a suction source (not shown) through a flow path 34 b formed inside the holding table 34. By applying a negative pressure of the suction source to the holding plate 36, a suction force for sucking the wafer 11 is generated on the holding surface 36a.

保持テーブル３４の周囲には、環状のフレーム３３を固定するためのクランプ３８が設けられている。また、保持テーブル３４の上方には、レーザー加工ユニット４０が配置されている。   A clamp 38 for fixing the annular frame 33 is provided around the holding table 34. A laser processing unit 40 is disposed above the holding table 34.

レーザー加工ユニット４０は、レーザー発振器（不図示）でパルス発振されたレーザー光線Ｌを集光して、保持テーブル３４上のウェーハ１１に照射する。レーザー発振器は、ウェーハ１１に吸収され易い波長（吸収性を有する波長）のレーザー光線Ｌを発振できるように構成されている。   The laser processing unit 40 collects the laser beam L pulse-oscillated by a laser oscillator (not shown) and irradiates the wafer 11 on the holding table 34. The laser oscillator is configured to be able to oscillate a laser beam L having a wavelength that is easily absorbed by the wafer 11 (wavelength having absorption).

加工溝形成工程では、まず、ウェーハ１１に貼着されたダイシングテープ３１を保持テーブル３４の保持面３６ａに接触させて、環状のフレーム３３をクランプ３８で固定する。この状態で吸引源の負圧を作用させることで、ウェーハ１１は、表面１１ａ側が上方に露出した状態で保持テーブル３４に保持される。   In the process groove forming step, first, the dicing tape 31 adhered to the wafer 11 is brought into contact with the holding surface 36 a of the holding table 34, and the annular frame 33 is fixed by the clamp 38. By applying the negative pressure of the suction source in this state, the wafer 11 is held on the holding table 34 with the surface 11a side exposed upward.

次に、保持テーブル３４を移動させて、レーザー加工ユニット４０を薄化部２３と補強部２５との境界に相当する領域に位置付ける。そして、保持テーブル３４を回転させつつ、レーザー加工ユニット４０からウェーハ１１の表面１１ａに向けてレーザー光線Ｌを照射する。   Next, the holding table 34 is moved to position the laser processing unit 40 in a region corresponding to the boundary between the thinned portion 23 and the reinforcing portion 25. Then, the laser beam L is emitted from the laser processing unit 40 toward the surface 11 a of the wafer 11 while rotating the holding table 34.

これにより、保護膜２９が被覆された薄化部２３と補強部２５との境界に相当する領域にレーザー光線Ｌを照射してウェーハ１１に加工溝を形成できる。なお、この加工溝は、薄化部２３と補強部２５とを分断する深さに形成されることが望ましいが、後に補強部を適切に除去できるようであれば、薄化部２３と補強部２５とを分断しない深さに形成されても良い。   Thereby, the processing groove can be formed in the wafer 11 by irradiating the region corresponding to the boundary between the thinned portion 23 covered with the protective film 29 and the reinforcing portion 25 with the laser beam L. The processed groove is preferably formed at a depth that divides the thinned portion 23 and the reinforcing portion 25. However, if the reinforcing portion can be appropriately removed later, the thinned portion 23 and the reinforcing portion are formed. 25 may be formed to a depth that does not divide 25.

加工溝形成工程を実施した後には、ウェーハ１１から補強部２５を除去する補強部除去工程を実施する。図４は、補強部除去工程を模式的に示す斜視図である。薄化部２３と補強部２５との境界に相当する領域には加工溝が形成されているので、図４に示すように、ウェーハ１１（薄化部２３）から補強部２５を除去できる。なお、図４では、ウェーハ１１（薄化部２３）に貼着されたダイシングテープ３１等が省略されている。   After performing the processing groove forming step, a reinforcing portion removing step for removing the reinforcing portion 25 from the wafer 11 is performed. FIG. 4 is a perspective view schematically showing the reinforcing portion removing step. Since a processed groove is formed in a region corresponding to the boundary between the thinned portion 23 and the reinforcing portion 25, the reinforcing portion 25 can be removed from the wafer 11 (thinned portion 23) as shown in FIG. In FIG. 4, the dicing tape 31 and the like attached to the wafer 11 (thinned portion 23) are omitted.

以上のように、本実施形態に係るウェーハの加工方法では、ウェーハ１１の薄化部２３と環状の補強部２５との境界に相当する領域にのみ保護膜２９を被覆するので、ウェーハの全体に保護膜を被覆する場合と比べて、形成される保護膜に無駄がない。   As described above, in the wafer processing method according to this embodiment, the protective film 29 is covered only in the region corresponding to the boundary between the thinned portion 23 and the annular reinforcing portion 25 of the wafer 11, so that the entire wafer is covered. Compared to the case where the protective film is coated, there is no waste in the formed protective film.

また、本実施形態に係るウェーハの加工方法では、スピンコートのような原料の大半（例えば、約９割）が無駄になる方法を用いずに、噴射ノズル（噴射手段）３０で微細な粒子状の液状樹脂２７を噴射する方法を用いるので、保護膜２９を形成する際の原料の消費を大幅に抑制できる。このように、本実施形態に係るウェーハの加工方法は、従来の加工方法と比べて経済的に優れている。   Further, in the wafer processing method according to the present embodiment, a fine particle shape is formed by the injection nozzle (injection means) 30 without using a method in which most of the raw materials (for example, about 90%) such as spin coating are wasted. Since the method of injecting the liquid resin 27 is used, the consumption of raw materials when forming the protective film 29 can be greatly suppressed. Thus, the wafer processing method according to this embodiment is economically superior to the conventional processing method.

なお、本発明は上記実施形態の記載に限定されず、種々変更して実施可能である。例えば、上記実施形態では、ウェーハ１１の表面１１ａ側に保護膜２９を形成し、表面１１ａ側からレーザー光線Ｌを照射しているが、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側に保護膜２９を形成し、裏面１１ｂ側からレーザー光線Ｌを照射しても良い。   In addition, this invention is not limited to description of the said embodiment, A various change can be implemented. For example, in the above embodiment, the protective film 29 is formed on the front surface 11a side of the wafer 11 and the laser beam L is irradiated from the front surface 11a side. However, the protective film 29 is formed on the back surface 11b side of the wafer 11 and the back surface 11b. The laser beam L may be irradiated from the side.

図５（Ａ）は、変形例に係る保護膜被覆工程を模式的に示す一部断面側面図であり、図５（Ｂ）は、変形例に係る加工溝形成工程を模式的に示す一部断面側面図である。上記実施形態と同様の加工準備工程及びウェーハ加工工程を実施した後には、貼り替え工程を実施することなく保護膜被覆工程を実施する。   FIG. 5A is a partial cross-sectional side view schematically showing a protective film coating process according to a modification, and FIG. 5B is a part schematically showing a machining groove forming process according to the modification. It is a cross-sectional side view. After performing the same processing preparation process and wafer processing process as in the above embodiment, the protective film coating process is performed without performing the replacement process.

変形例に係る保護膜被覆工程は、例えば、図５（Ａ）に示す保護膜被覆装置４２で実施される。保護膜被覆装置４２は、ウェーハ１１を保持する保持テーブル４４を備えている。保持テーブル４４は、例えば、上述した保持テーブル２４と同様に構成される。保持テーブル４４の上方には、微細な粒子状の液状樹脂２７を噴射可能なマイクロドットディスペンサー等の噴射ノズル（噴射手段）４６が配置されている。   The protective film coating process according to the modified example is performed by, for example, a protective film coating apparatus 42 illustrated in FIG. The protective film coating apparatus 42 includes a holding table 44 that holds the wafer 11. The holding table 44 is configured similarly to the holding table 24 described above, for example. Above the holding table 44, an injection nozzle (ejecting means) 46 such as a microdot dispenser capable of injecting the fine particulate liquid resin 27 is disposed.

変形例に係る保護膜被覆工程では、まず、ウェーハ１１に固定された保護部材２１の裏面２１ｂを保持テーブル４４の保持面に接触させて、吸引源の負圧を作用させる。これにより、ウェーハ１１は、裏面１１ｂ側が上方に露出した状態で保持テーブル４４に保持される。   In the protective film coating process according to the modification, first, the back surface 21b of the protective member 21 fixed to the wafer 11 is brought into contact with the holding surface of the holding table 44, and negative pressure of the suction source is applied. As a result, the wafer 11 is held on the holding table 44 with the back surface 11b side exposed upward.

次に、保持テーブル４４を移動させて、噴射ノズル４６を薄化部２３と補強部２５との境界に相当する領域に位置付ける。なお、この変形例に係る保護膜被覆工程では、噴射ノズル４６を、薄化部２３と補強部２５との境界の直上より僅かに内側に位置付けても良い。   Next, the holding table 44 is moved to position the injection nozzle 46 in a region corresponding to the boundary between the thinned portion 23 and the reinforcing portion 25. In the protective film coating step according to this modification, the spray nozzle 46 may be positioned slightly inside the portion directly above the boundary between the thinned portion 23 and the reinforcing portion 25.

そして、保持テーブル４４を回転させつつ、噴射ノズル４６から粒子状の液状樹脂２７をウェーハ１１に噴射する。これにより、薄化部２３と補強部２５との境界に相当するウェーハ１１の裏面１１ｂ側の領域にのみ保護膜２９を被覆できる。   Then, the particulate liquid resin 27 is sprayed from the spray nozzle 46 onto the wafer 11 while rotating the holding table 44. Thereby, the protective film 29 can be covered only in the region on the back surface 11 b side of the wafer 11 corresponding to the boundary between the thinned portion 23 and the reinforcing portion 25.

保護膜被覆工程を実施した後には、加工溝形成工程を実施する。加工溝形成工程は、例えば、図５（Ｂ）に示すレーザー加工装置５２で実施される。レーザー加工装置５２は、ウェーハ１１を保持する保持テーブル５４を備えている。保持テーブル５４は、例えば、上述した保持テーブル３４と同様に構成される。   After performing the protective film coating step, a processed groove forming step is performed. The processing groove forming step is performed by, for example, a laser processing apparatus 52 shown in FIG. The laser processing apparatus 52 includes a holding table 54 that holds the wafer 11. The holding table 54 is configured in the same manner as the holding table 34 described above, for example.

保持テーブル５４の上方には、レーザー加工ユニット５６が配置されている。レーザー加工ユニット５６は、レーザー発振器（不図示）でパルス発振されたレーザー光線Ｌを集光して、保持テーブル５４上のウェーハ１１に照射する。レーザー発振器は、ウェーハ１１に吸収され易い波長（吸収性を有する波長）のレーザー光線Ｌを発振できるように構成されている。   A laser processing unit 56 is disposed above the holding table 54. The laser processing unit 56 condenses the laser beam L pulsated by a laser oscillator (not shown) and irradiates the wafer 11 on the holding table 54. The laser oscillator is configured to be able to oscillate a laser beam L having a wavelength that is easily absorbed by the wafer 11 (wavelength having absorption).

加工溝形成工程では、まず、ウェーハ１１に固定された保護部材２１の裏面２１ｂを保持テーブル５４の保持面に接触させて、吸引源の負圧を作用させる。これにより、ウェーハ１１は、裏面１１ｂ側が上方に露出した状態で保持テーブル５４に保持される。   In the processing groove forming step, first, the back surface 21b of the protection member 21 fixed to the wafer 11 is brought into contact with the holding surface of the holding table 54, and a negative pressure of the suction source is applied. Thus, the wafer 11 is held on the holding table 54 with the back surface 11b side exposed upward.

次に、保持テーブル５４を移動させて、レーザー加工ユニット５６を薄化部２３と補強部２５との境界に相当する領域に位置付ける。そして、保持テーブル５４を回転させつつ、レーザー加工ユニット５６からウェーハ１１の裏面１１ｂに向けてレーザー光線Ｌを照射する。   Next, the holding table 54 is moved to position the laser processing unit 56 in a region corresponding to the boundary between the thinned portion 23 and the reinforcing portion 25. Then, the laser beam L is emitted from the laser processing unit 56 toward the back surface 11 b of the wafer 11 while rotating the holding table 54.

これにより、保護膜２９が被覆された薄化部２３と補強部２５との境界に相当する領域にレーザー光線Ｌを照射してウェーハ１１に加工溝を形成できる。加工溝形成工程を実施した後には、上記実施形態と同様の補強部除去工程を実施すれば良い。   Thereby, the processing groove can be formed in the wafer 11 by irradiating the region corresponding to the boundary between the thinned portion 23 covered with the protective film 29 and the reinforcing portion 25 with the laser beam L. After performing the processed groove forming step, the same reinforcing portion removing step as that in the above embodiment may be performed.

その他、上記実施形態及び変形例に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。   In addition, the structures, methods, and the like according to the above-described embodiments and modifications can be appropriately changed and implemented without departing from the scope of the object of the present invention.

１１ ウェーハ
１１ａ 表面
１１ｂ 裏面
１３ デバイス領域
１５ 外周余剰領域
１７ 分割予定ライン（ストリート）
１９ デバイス
２１ 保護部材
２１ａ 表面
２１ｂ 裏面
２３ 薄化部
２５ 補強部
２７ 液状樹脂
２９ 保護膜
３１ ダイシングテープ
３３ フレーム
Ｌ レーザー光線
２ 研削装置
４ 保持テーブル
６ 研削ユニット
８ スピンドルハウジング
１０ スピンドル
１２ 研削ホイール
１２ａ ホイール基台
１２ｂ 研削砥石
２２ 保護膜被覆装置
２４ 保持テーブル
２４ａ 凹部
２４ｂ 流路
２６ 保持板
２６ａ 保持面
２８ クランプ
３０ 噴射ノズル（噴射手段）
３２ レーザー加工装置
３４ 保持テーブル
３４ａ 凹部
３４ｂ 流路
３６ 保持板
３６ａ 保持面
３８ クランプ
４０ レーザー加工ユニット
４２ 保護膜被覆装置
４４ 保持テーブル
４６ 噴射ノズル（噴射手段）
５２ レーザー加工装置
５４ 保持テーブル
５６ レーザー加工ユニット DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Wafer 11a Front surface 11b Back surface 13 Device area | region 15 Peripheral surplus area | region 17 Divided line (street)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 19 Device 21 Protection member 21a Front surface 21b Back surface 23 Thinning part 25 Reinforcement part 27 Liquid resin 29 Protective film 31 Dicing tape 33 Frame L Laser beam 2 Grinding device 4 Holding table 6 Grinding unit 8 Spindle housing 10 Spindle 12 Grinding wheel 12a Wheel base 12b Grinding wheel 22 Protective film coating device 24 Holding table 24a Recessed portion 24b Flow path 26 Holding plate 26a Holding surface 28 Clamp 30 Injection nozzle (injecting means)
32 Laser processing device 34 Holding table 34a Recess 34b Flow path 36 Holding plate 36a Holding surface 38 Clamp 40 Laser processing unit 42 Protective film coating device 44 Holding table 46 Injection nozzle (injecting means)
52 Laser processing device 54 Holding table 56 Laser processing unit

Claims (4)

複数のデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲む外周余剰領域とを表面側に有するウェーハの加工方法であって、
ウェーハの該デバイス領域に相当する部分を裏面側から薄くして円形の薄化部を形成すると共に、ウェーハの該外周余剰領域に相当する部分の厚みを維持して環状の補強部を形成するウェーハ加工工程と、
該薄化部と該補強部との境界に相当するウェーハの表面側の領域にのみ保護膜を被覆する保護膜被覆工程と、
ウェーハの表面側から該保護膜が被覆された領域にレーザー光線を照射してウェーハに加工溝を形成する加工溝形成工程と、
ウェーハから該補強部を除去する補強部除去工程と、を含むことを特徴とするウェーハの加工方法。 A wafer processing method having a device region in which a plurality of devices are formed and an outer peripheral surplus region surrounding the device region on the surface side,
A wafer in which a portion corresponding to the device region of the wafer is thinned from the back side to form a circular thinned portion, and a thickness corresponding to the outer peripheral surplus region of the wafer is maintained to form an annular reinforcing portion Processing steps,
A protective film coating step for coating the protective film only on the region on the surface side of the wafer corresponding to the boundary between the thinned portion and the reinforcing portion;
A processing groove forming step of forming a processing groove on the wafer by irradiating a laser beam to a region covered with the protective film from the surface side of the wafer;
And a reinforcing portion removing step of removing the reinforcing portion from the wafer. 複数のデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲む外周余剰領域とを表面側に有するウェーハの加工方法であって、
ウェーハの該デバイス領域に相当する部分を裏面側から薄くして円形の薄化部を形成すると共に、ウェーハの該外周余剰領域に相当する部分の厚みを維持して環状の補強部を形成するウェーハ加工工程と、
該薄化部と該補強部との境界に相当するウェーハの裏面側の領域にのみ保護膜を被覆する保護膜被覆工程と、
ウェーハの裏面側から該保護膜が被覆された領域にレーザー光線を照射してウェーハに加工溝を形成する加工溝形成工程と、
ウェーハから該補強部を除去する補強部除去工程と、を含むことを特徴とするウェーハの加工方法。 A wafer processing method having a device region in which a plurality of devices are formed and an outer peripheral surplus region surrounding the device region on the surface side,
A wafer in which a portion corresponding to the device region of the wafer is thinned from the back side to form a circular thinned portion, and a thickness corresponding to the outer peripheral surplus region of the wafer is maintained to form an annular reinforcing portion Processing steps,
A protective film coating step of coating the protective film only on the back surface side region of the wafer corresponding to the boundary between the thinned portion and the reinforcing portion;
A processing groove forming step of forming a processing groove on the wafer by irradiating a laser beam to the region coated with the protective film from the back side of the wafer;
And a reinforcing portion removing step of removing the reinforcing portion from the wafer. 前記保護膜被覆工程では、粒子状の液状樹脂を噴射手段で噴射することによって前記保護膜を被覆することを特徴とする請求項１又は請求項２記載のウェーハの加工方法。   3. The wafer processing method according to claim 1, wherein in the protective film coating step, the protective film is coated by spraying a particulate liquid resin by a spraying means. 4. 前記保護膜は、前記レーザー光線の照射によって発生するデブリが飛散する距離よりも幅の広いリング状に形成されることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載のウェーハの加工方法。   4. The wafer processing method according to claim 1, wherein the protective film is formed in a ring shape having a width wider than a distance at which debris generated by the laser beam irradiation is scattered. .
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