JP2008047725A - 半導体装置、電子装置及び電子機器 - Google Patents

半導体装置、電子装置及び電子機器 Download PDF

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Abstract

【課題】特性に優れる（特にオンオフ比が大きい）有機半導体装置、かかる有機半導体装置を備え信頼性の高い電子装置および電子機器を提供すること。
【解決手段】薄膜トランジスタ（有機半導体装置）１は、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂと、有機半導体材料で構成された有機半導体層３０と、有機半導体層３０に電界をかけるゲート電極５０と、ゲート電極５０に対してソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂを絶縁するゲート絶縁層４０と、有機半導体層３０のゲート絶縁層４０と反対側に接触して設けられ、ポリエステルを含む樹脂材料で構成された下地層（第２の絶縁層）６０とを有する。
【選択図】図２

Description

本発明は、半導体装置、電子装置及び電子機器に関する。
近年、半導体的な電気伝導を示す有機材料（有機半導体材料）を使用した薄膜トランジスタ（有機半導体装置）の開発が進められている。
この薄膜トランジスタは、薄型軽量化に適すること、可撓性を有すること、材料コストが安価であること等の長所を有しており、フレキシブルディスプレイ等のスイッチング素子として期待されている。
このような薄膜トランジスタにおいて、キャリア移動度の向上を目的として、有機半導体層のゲート絶縁層と反対側に、芳香族化合物および／または芳香環含有ポリマーを含む絶縁層を設けた構成のものが開示されている（例えば、特許文献１参照。）。
しかしながら、この薄膜トランジスタにおいて、他の特性、特にオンオフ比が十分に改善されているとは言い難く、更なる検討の余地が残る。
特開２００５−１０１５５５号公報
本発明の一つの目的は、絶縁層がフォトリソ工程に耐え、かつ特性に優れる（オンオフ比が大きい、Ｖｔｈシフトが小さい、かつオフ電流の小さい）有機半導体装置、かかる有機半導体装置を備え信頼性の高い電子装置および電子機器を提供することにある。
本発明に係る半導体装置は、有機半導体材料で構成された有機半導体層と、前記有機半導体層に電界を印加するためのゲート電極と、前記ゲート電極と前記有機半導体層とを絶縁する第１の絶縁層と、第２の絶縁層と、を含み、前記有機半導体層は、前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層との間に配置され、前記第２の絶縁層は、フルオレン骨格を有する重合体により構成されていることを特徴とする。
これにより、絶縁層がフォトリソに耐え、特性に優れる（オンオフ比が大きい、Ｖｔｈシフトが少ない、かつオフ電流の小さい）有機半導体装置が得られる。
上記の半導体装置において、前記重合体の主鎖は、酸素原子を含むようにしてもよい。
酸素原子を含む重合体として、例えば、ポリエステルあるいはポリエーテルが挙げられる。
上記の半導体装置において、前記重合体は、フルオレン骨格を含む第１の重合性モノマーとエポキシ基、オキセタン基、アクリル酸基、及びメタクリル酸基のうち少なくともいずれか一つを含む第２の重合性モノマーとを共重合することにより得られるようにしてもよい。
上記の半導体装置において、前記第１の重合性モノマーは、下記構造式１に示した構造を有し、前記第２の重合性モノマーは、下記構造式２または３に示した構造を有していてもよい。
Figure 2008047725
Figure 2008047725
Figure 2008047725
ここで、式中のＲ1、Ｒ2及びＲ3の各々は、それぞれ以下のものを示す。
Ｒ1：Ｒ1は全て同一の置換基であり、水素原子あるいは下記式（４）〜（８）のいずれかに示した構造を有している。
Ｒ2：Ｒ2は少なくとも２つは同一の置換基であり、水素原子あるいは下記式（４）〜（８）のいずれかに示した構造を有している。
Ｒ3：Ｒ3は少なくとも３つは同一の置換基であり、水素原子あるいは下記式（４）〜（８）のいずれかに示した構造を有している。
Figure 2008047725
Figure 2008047725
Figure 2008047725
Figure 2008047725
Figure 2008047725
上記の半導体装置において、前記重合体は、ポリエステル骨格を有していてもよい。
上記の半導体装置において、前記重合体は、前記第１の重合性モノマーに由来する第１の構造部分と、前記第２の重合性モノマーに由来する第２の構造部分と、を含み、前記第１の構造部分の２５モル％〜７５モル％であってもよい。
上記の半導体装置において、前記有機半導体材料は、前記有機半導体層において結晶性を有していてもよい。上記の半導体装置において、前記有機半導体層は、前記第２の絶縁層と前記ゲート電極との間に配置されていてもよい。
上記の半導体装置において、前記第２の絶縁層の平均厚さは、０．０１μｍ〜１０μｍであってもよい。
第２の絶縁層の平均厚さを前記範囲とすることにより、基板と有機半導体層とが直接接触することや、有機半導体装置に可撓性を付与する場合には、その可撓性が低下すること等を防止することができる。
本発明に係る電子装置は、上記の半導体装置を備えている。
本発明に係る電子機器は、上記の電子装置を備える。
以下、本発明の有機半導体装置、電子装置および電子機器について、好適な実施形態に基づいて詳細に説明する。
なお、以下では、本発明の有機半導体装置をアクティブマトリクス装置に適用した場合を一例に説明する。
＜アクティブマトリクス装置＞
図１は、本発明の有機半導体装置を適用したアクティブマトリクス装置の構成を示すブロック図、図２は、図１に示すアクティブマトリクス装置が備える有機薄膜トランジスタの構成を示す図（縦断面図および平面図）、図３および図４は、それぞれ、図２に示す有機薄膜トランジスタの製造方法を説明するための図（縦断面図）である。なお、以下の説明では、図２〜図４中上側を「上」、下側を「下」として説明する。
図１に示すアクティブマトリクス装置３００は、基板５００と、いずれも基板５００上に設けられ、互いに直交する複数のデータ線３０１と、複数の走査線３０２と、これらのデータ線３０１と走査線３０２との各交点付近に設けられた有機薄膜トランジスタ１（以下、「薄膜トランジスタ１」と言う。）および画素電極（個別電極）３０３とを有している。
そして、薄膜トランジスタ１が有するゲート電極５０は走査線３０２に、ソース電極２０ａはデータ線３０１に、ドレイン電極２０ｂは画素電極３０３に、それぞれ接続されている。
本実施形態の薄膜トランジスタ１は、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂがゲート電極５０より基板５００側に位置するトップゲート構造（トップゲート型）の薄膜トランジスタである。
具体的には、図２（ａ）に示すように、この薄膜トランジスタ１は、基板５００上に設けられた下地層（第２の絶縁層）６０と、下地層６０上に、互いに分離して設けられたソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂと、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂに接触して設けられた有機半導体層３０と、有機半導体層３０とゲート電極５０との間に位置するゲート絶縁層４０とを有している。
以下、各部の構成について、順次説明する。
基板５００は、薄膜トランジスタ１（アクティブマトリクス装置３００）を構成する各層（各部）を支持するものである。
基板５００には、例えば、ガラス基板、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリカーボネート（ＰＣ）等で構成されるプラスチック基板（樹脂基板）、石英基板、シリコン基板、金属（鉄、ステンレス、アルミニウム、銅等）基板、ガリウム砒素基板等を用いることができる。
薄膜トランジスタ１に可撓性を付与する場合には、基板５００には、プラスチック基板（高分子材料を主材料として構成された基板）、あるいは、薄い（比較的膜厚の小さい）金属基板が選択される。
基板５００上には、後述する有機半導体層３０に接触して、下地層（バッファ層）６０が設けられている。
本発明の一態様では、この下地層６０を、ポリエステルを含む樹脂材料で構成したことに特徴を有する。なお、この点（特徴）については、後に詳述する。
下地層６０上には、所定の間隔離間して、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂが設けられている。
ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂの構成材料としては、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ａｌまたはこれらを含む合金のような金属材料等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
これらの中でも、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂの構成材料としては、それぞれ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔまたはこれらを含む合金を主とするものが好ましい。これらのものは、比較的仕事関数が大きいため、有機半導体層３０がｐ型である場合には、ソース電極２０ａをこれらの材料で構成することにより、有機半導体層３０への正孔（キャリア）の注入効率を向上させることができる。
なお、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂの平均厚さは、特に限定されないが、それぞれ、１０ｎｍ〜２０００ｎｍ程度であるのが好ましく、５０ｎｍ〜１０００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
ソース電極２０ａとドレイン電極２０ｂとの距離、すなわち、図２（ａ）、（ｂ）に示すチャネル長Ｌは、２μｍ〜３０μｍ程度であるのが好ましく、２μｍ〜２０μｍ程度であるのがより好ましい。このような範囲にチャネル長Ｌの値を設定することにより、薄膜トランジスタ１の特性の向上（特に、ＯＮ電流値の上昇）を図ることができる。
また、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂの長さ、すなわち、図２（ｂ）に示すチャネル幅Ｗは、０．１ｍｍ〜５ｍｍ程度であるのが好ましく、０．３ｍｍ〜３ｍｍ程度であるのがより好ましい。このような範囲にチャネル幅Ｗの値を設定することにより、寄生容量を低減させることができ、薄膜トランジスタ１の特性の劣化を防止することができる。また、薄膜トランジスタ１の大型化を防止することもできる。
ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂに接触するように、有機半導体層３０が設けられている。
有機半導体層３０の構成材料としては、例えば、ポリ（３−アルキルチオフェン）、ポリ（３−ヘキシルチオフェン）（Ｐ３ＨＴ）、ポリ（３−オクチルチオフェン）、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）（ＰＴＶ）、ポリ（パラ−フェニレンビニレン）（ＰＰＶ）、ポリ（２−メトキシ−５−（２'−エチルヘキソキシ）−パラ−フェニレンビニレン）（ＭＥＨ−ＰＰＶ）、ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン）（ＰＦＯ）、ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン−コ−ビス−Ｎ，Ｎ'−（４−メトキシフェニル）−ビス−Ｎ，Ｎ'−フェニル−１，４−フェニレンジアミン）（ＰＦＭＯ）、ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン−コ−ベンゾチアジアゾール）（ＢＴ）、フルオレン−トリアリールアミン共重合体、トリアリールアミン系ポリマー、フルオレン−ビチオフェン共重合体（Ｆ８Ｔ２）のような高分子の有機半導体材料、フラーレン、銅フタロシアニンのような金属フタロシアニンまたはその誘導体、アントラセン、テトラセン、ペンタセン、ヘキサセン等のアセン分子材料、クォーターチオフェン（４Ｔ）、セキシチオフェン（６Ｔ）、オクチチオフェン（８Ｔ）、ジヘキシルクォーターチオフェン（ＤＨ４Ｔ）、ジヘキシルセキシチオフェン（ＤＨ６Ｔ）等のα−オリゴチオフェン類のような低分子の有機半導体材料等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。なお、これらの有機半導体材料は、いずれも、結晶性を有するものであり、特に半導体特性に優れるものである。
これらの中でも、特に、一般に高いキャリア輸送能を有する高分子の有機半導体材料を主成分とするものを用いるのが好ましい。
また、高分子の有機半導体材料を主材料として構成される有機半導体層３０は、薄型化・軽量化が可能であり、可撓性にも優れるため、フレキシブルディスプレイのスイッチング素子等として用いられる薄膜トランジスタ１への適用に適している。
この有機半導体層３０の平均厚さは、特に限定されないが、０．１ｎｍ〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、１ｎｍ〜５００ｎｍ程度であるのがより好ましく、１ｎｍ〜１００ｎｍ程度であるのがさらに好ましい。
なお、有機半導体層３０は、ソース電極２０ａとドレイン電極２０ｂとの間の領域（チャネル領域）に選択的に設けられた構成のものであってもよく、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂのほぼ全体を覆うように設けられた構成のものであってもよい。
有機半導体層３０と接触し、かつ、有機半導体層３０、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂを覆うように、ゲート絶縁層４０が設けられている。
このゲート絶縁層４０は、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂに対して、後述するゲート電極５０を絶縁するものである。
ゲート絶縁層４０の平均厚さは、特に限定されないが、１０ｎｍ〜５０００ｎｍ程度であるのが好ましく、１００ｎｍ〜２０００ｎｍ程度であるのがより好ましい。ゲート絶縁層４０の厚さを前記範囲とすることにより、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂとゲート電極５０とを確実に絶縁しつつ、薄膜トランジスタ１の動作電圧を低くすることができる。
ゲート絶縁層４０上の所定の位置、すなわち、ソース電極２０ａとドレイン電極２０ｂとの間の領域に対応する位置には、有機半導体層３０に電界を印加するゲート電極５０が設けられている。
このゲート電極５０の構成材料としては、例えば、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｃｕまたはこれらを含む合金等の金属材料、カーボンブラック、カーボンナノチューブ、フラーレン等の炭素材料、ポリアセチレン、ポリピロール、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）のようなポリチオフェン、ポリアニリン、ポリ（ｐ−フェニレン）、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポリフルオレン、ポリカルバゾール、ポリシランまたはこれらの誘導体、およびこれらを含む混合物等の導電性高分子材料等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。なお、混合物系の導電性高分子材料としては、例えば、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＳＳ）等が挙げられる。
ゲート電極５０の平均厚さは、特に限定されないが、０．１ｎｍ〜２０００ｎｍ程度であるのが好ましく、１ｎｍ〜１０００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
このような薄膜トランジスタ１では、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂの間に電圧を印加した状態で、ゲート電極５０にゲート電圧を印加すると、有機半導体層３０のゲート絶縁層４０との界面付近にチャネルが形成され、チャネル領域をキャリア（正孔）が移動することで、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂの間に電流が流れる。
すなわち、ゲート電極５０に電圧が印加されていないＯＦＦ状態では、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂとの間に電圧を印加しても、有機半導体層３０中にほとんどキャリアが存在しないため、微少な電流しか流れない。
一方、ゲート電極５０に電圧が印加されているＯＮ状態では、有機半導体層３０のゲート絶縁層４０に面した部分に電荷が誘起され、チャネル（キャリアの流路）が形成される。この状態でソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂの間に電圧を印加すると、チャネル領域を通って電流が流れる。
次に、下地層６０について説明する。
下地層６０は、ポリエステルを含む樹脂材料（好ましくはポリエステルを主成分とする樹脂材料）で構成され、有機半導体層３０のゲート絶縁層４０と反対側に接触して設けられている。
ここで、本発明者の得た知見によれば、有機半導体層３０は、これに接触する層（部材）の構成材料に影響を受け、その特性が変化することが判った。
例えば、通常のポリエチレンやポリスチレン等の高分子材料より構成される、または金属材料（特に、ステンレス）で構成すると、オンオフ比等のトランジスタの特性の低下を生じることが判った。
これに対して、基板５００と有機半導体層３０との間に、有機半導体層３０に接触する下地層６０を設けることによりオンオフ比等のトランジスタの特性が向上した。
その結果、各種材料の中でもハードセグメント、かつ有機半導体層のキャリア輸送を円滑化させるためのフルオレン骨格を有し、かつ大気中からの不純物キャリアをトラップするエーテル（−Ｏ−）基を有する構造式Iのモノマーユニット、及びソフトセグメント、大気中からの不純物キャリアをトラップするエーテル（−Ｏ−）基を有し、かつ重合により立体架橋する事で耐溶剤性に優れる多官能（３ないし６官能のいずれか）モノマーである構造式ＩＩのモノマーユニットを有するポリエーテルまたはポリエステル樹脂材料で下地層６０を構成することにより、有機半導体層３０（薄膜トランジスタ１）の特性（オンオフ比の上昇、Ｖｔｈシフト低減、オフ電流値の抑制）を向上させ得ることを見出し、本発明を完成するに至った。
換言すれば、本発明は、基板５００が高分子材料が主材料、または金属材料であるトップゲート構造の薄膜トランジスタ１へ適用するのが好ましい。また、本発明者の検討によれば、有機半導体層３０が、特に、結晶性を有する有機半導体材料で構成される場合に、前記効果がより顕著に発揮されることも判った。
また、下地層６０を設けることにより、基板５００の構成材料に如何なるものをも用いることができる。すなわち、高価な基板５００を用いることを要さないため、薄膜トランジスタ１の製造コストの削減を図ることができる。
本発明において使用可能なポリエーテルまたはポリエステルとしては、各種のものが挙げられるが、分子末端に２個の重合性官能基を有し、かつ重合性官能基部位を除く分子内に−Ｏ−基と部分骨格としてフルオレン骨格を併せ持つ事を特徴とする第１の重合性モノマー構造、及び分子末端に少なくとも３個以上の重合性官能基を有し、かつ重合性官能基部位を除く分子内に−Ｏ−基を併せ持つ事を特徴とする第２の重合性モノマー構造を有するものであるのが好ましい。第１の重合性モノマー構造、及び第２の重合性モノマー構造の有する重合性官能基は、何れもエポキシ基、オキセタン基、アクリル酸基、またはメタクリル酸基の何れかである。
さらに下記構造式Iから選ばれる第１の重合性モノマー化合物群のうち少なくとも１種のモノマー構造と、下記構造式II−１またはII−２から選ばれる第２の重合性モノマー化合物群のうち少なくとも１種のモノマー構造とを有するものであるのがより好ましい。
Figure 2008047725
Figure 2008047725
Figure 2008047725
ここで、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3は各々III−１〜III−５のいずれかである。ただし、Ｒ1は異なる基であってはならない。０個または１個のＲ2は水素原子であって良いが、他のＲ2は同じ基である。また、０個、１個、または２個のＲ3は水素原子であって良いが、他のＲ3は同じ基である。
Figure 2008047725
Figure 2008047725
Figure 2008047725
Figure 2008047725
Figure 2008047725
また、下記構造式IVから選ばれる第１の重合性モノマー化合物群のうち少なくとも１種のモノマー構造と、下記構造式V−１またはV−２から選ばれる第２の重合性モノマー化合物群のうち少なくとも１種のモノマー構造とを有するものであるのが特に好ましい。
Figure 2008047725
Figure 2008047725
Figure 2008047725
ここで、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3は各々VI−１またはVI−２のいずれかである。ただし、Ｒ1は異なる基であってはならない。０個または１個のＲ2は水素原子であって良いが、他のＲ2は同じ基である。また、０個、１個、または２個のＲ3は水素原子であって良いが、他のＲ3は同じ基である。
Figure 2008047725
Figure 2008047725
第１の重合性モノマーは２０モル％から８０モル％であり、第２の重合性モノマーは２０モル％から８０モル％であるのが好ましい。第１の重合性モノマーが２５モル％より小さな場合には、重合して得られる下地層が柔らかくなり好ましくない。また７５モル％より大きい場合には、重合して得られる下地層が脆くなり好ましくない。
第１の重合性モノマーは２５モル％から８０モル％が重合して得られた下地層の耐溶剤性、硬さ、および特性（オンオフ比の向上、Ｖｔｈシフト低下および、オフ電流値抑制）の点で、より好ましい。さらに第１の重合性モノマーは３５モル％から８０モル％が重合して得られた下地層の耐溶剤性、硬さ、および特性（オンオフ比の向上、Ｖｔｈシフト低下および、オフ電流値抑制）の点で、特に好ましい。
これらのポリエーテルまたはポリエステルは、薄膜トランジスタ１の特性を向上させる効果が特に高いことから好ましい。
構造式Iの化合物は、例えば、大阪ガスケミカル株式会社から入手可能である。
また、構造式IIの化合物は、例えば新中村化学工業株式会社、または東亜合成株式会社から入手可能である。
また、構造式I、及び構造式IIの化合物は、例えば、Houben-Wyle,Methods of Organic Chemistry,Georg Thieme Verlag,Stuttgart、Organic Synthesis,John Wiley & Sons Inc.、Organic Reactions,John Wiley & Sons Inc.、Comprehensive Organic Synthesis,Pergamon Press、新実験化学講座；丸善、等に記載されている一般的な有機化学的手法を適宜組み合わせることにより、容易に製造（合成）することができる。
この下地層（第２の絶縁層）６０の平均厚さは、０．０１μｍ〜１０μｍ程度であるのが好ましく、０．１μｍ〜５μｍ程度であるのがより好ましい。下地層６０の平均厚さを前記範囲とすることにより、基板５００と有機半導体層３０とが直接接触することや、アクティブマトリクス装置３００に可撓性を付与する場合には、その可撓性が低下すること等を防止することができる。
次に、アクティブマトリクス装置３００の製造方法について説明する。
なお、以下では、薄膜トランジスタ１の製造方法を中心に説明する。
［１］下地層形成工程（図３（ａ）参照）
まず、基板５００を用意し、基板５００上に下地層６０を形成する。
下地層６０は、例えば、前述した構造式I及び構造式IIのモノマー、並びに適当量の光ラジカル重合開始剤、または光カチオン重合開始剤を溶媒に溶解した溶液を、基板５００上に供給した後、ＵＶ照射により仮重合を行なった後、加熱により本重合、並びに脱溶媒する事により重合を終結させることにより形成することができる。
これらモノマー並びに光ラジカル重合開始剤、または光カチオン重合開始剤は溶媒に溶解しても良いし、溶媒に溶解しなくても良い。
溶液の調製に用いる溶媒としては、例えば、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、アセトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、メチルイソプロピルケトン（ＭＩＰＫ）、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、メタノール、エタノール、イソプロパノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール（ＤＥＧ）、グリセリン等のアルコール系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、１，２−ジメトキシエタン（ＤＭＥ）、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、テトラヒドロピラン（ＴＨＰ）、アニソール、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ジグリム）、ジエチレングリコールエチルエーテル（カルビトール）等のエーテル系溶媒、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ギ酸エチル等のエステル系溶媒、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、フェニルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒、ヘキサン、ペンタン、ヘプタン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、ピリジン、ピラジン、フラン、ピロール、チオフェン、メチルピロリドン等の芳香族複素環化合物系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）等のアミド系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン化合物系溶媒、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、スルホラン等の硫黄化合物系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル、アクリロニトリル等のニトリル系溶媒、ギ酸、酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸系溶媒のような各種有機溶媒、あるいはこれらの混合溶媒等が挙げられる。
また、溶液を基板５００上に供給する方法としては、例えば、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット法、マイクロコンタクトプリンティング法等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
［２］ソース電極およびドレイン電極形成工程（図３（ｂ）参照）
次に、下地層６０上に、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂを所定距離離間して形成する。
まず、下地層６０上に金属膜（金属層）を形成する。これは、例えば、プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤ、レーザーＣＶＤのような化学蒸着法（ＣＶＤ）、真空蒸着、スパッタリング（低温スパッタリング）、イオンプレーティング等の乾式メッキ法、電解メッキ、浸漬メッキ、無電解メッキ等の湿式メッキ法、溶射法、ゾル・ゲル法、ＭＯＤ法、金属箔の接合等により形成することができる。
この金属膜上に、レジスト材料を塗布した後に硬化させ、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂの形状に対応する形状のレジスト層を形成する。このレジスト層をマスクとして用いて、金属膜の不要部分を除去する。この金属膜の除去には、例えば、プラズマエッチング、リアクティブイオンエッチング、ビームエッチング、光アシストエッチング等の物理的エッチング法、ウェットエッチング等の化学的エッチング法等のうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
その後、レジスト層を除去することにより、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂが得られる。
なお、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂは、例えば、導電性粒子を含む導電性材料を下地層６０上に供給して液状被膜を形成した後、必要に応じて、この液状被膜に対して後処理（例えば加熱、赤外線の照射、超音波の付与等）を施すことにより形成することもできる。
なお、この導電性材料を供給する方法には、前記工程［１］で挙げた方法を用いることができる。
また、このとき、データ線３０１および画素電極３０３も形成する。
［３］有機半導体層形成工程（図３（ｃ）参照）
次に、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂとに接触するように、有機半導体層３０を形成する。
有機半導体層３０は、例えば、有機半導体材料またはその前駆体を含む溶液を、下地層６０上の、ソース電極２０ａとドレイン電極２０ｂとの間の領域を含む所定の領域に供給して液状被膜を形成した後、必要に応じて、この液状被膜に対して後処理（例えば加熱、赤外線の照射、超音波の付与等）を施すことにより形成することができる。
なお、この溶液を供給する方法には、前記工程［１］で挙げた方法を用いることができる。
［４］ゲート絶縁層形成工程（図３（ｄ）参照）
次に、ソース電極２０ａ、ドレイン電極２０ｂおよび有機半導体層３０を覆うように、ゲート絶縁層４０を形成する。
ゲート絶縁層４０は、前記下地層６０と同様にして、液相プロセスにより形成することができる。
液相プロセスを用いることにより、有機半導体層３０に不要な熱が加わるのを防止して、有機半導体層３０の特性、ひいては、薄膜トランジスタ１の特性の低下を好適に防止することができる。
この場合、溶液の調製に用いる溶媒には、有機半導体層３０に溶解や膨潤を生じさせないものが選択される。かかる溶媒としては、前記工程［１］で挙げたものの中でも、特に、ケトン系溶媒、エステル系溶媒およびエーテル系溶媒のうちの少なくとも一方を主成分とするものが好適である。
［５］ゲート電極形成工程（図３（ｅ）参照）
次に、ゲート絶縁層４０上に、ソース電極２０ａとドレイン電極２０ｂとの間の領域に対応するように、ゲート電極５０を形成する。
ゲート電極５０は、前記ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂと同様にして形成することができる。
中でも、ゲート電極５０は、電極形成用材料（導電性材料）として、例えば、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（導電性高分子）の分散液や、銀コロイド、銅コロイドのような金属粒子を含む分散液等を用いた液相プロセスにより形成するのが好ましい。
かかる液相プロセスにおいて、例えば、電極形成用材料を、ゲート絶縁層４０上にインクジェト法により供給することにより、寸法精度の高いゲート電極５０を簡便に形成することができる。
また、このとき、走査線３０２を形成する。
なお、本実施形態では、走査線３０２は、ゲート電極５０とは別途形成されるが、隣接する薄膜トランジスタ１のゲート電極５０を連続して形成することにより走査線３０２としてもよい。
次に、薄膜トランジスタ１の他の構成例について説明する。
図４〜図６は、それぞれ、図１に示すアクティブマトリクス装置が備える有機薄膜トランジスタの他の構成例を示す図（縦断面図および平面図）である。
以下、図４〜図６に示す薄膜トランジスタ１について、図２に示す薄膜トランジスタ１との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
図４に示す薄膜トランジスタ１は、有機半導体層３０の位置が異なり、それ以外は、図２に示す薄膜トランジスタ１と同様である。
すなわち、図４に示す薄膜トランジスタ１は、有機半導体層３０がソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂより下側（基板５００側）に、下地層６０を覆うように設けられている。
このような図４に示す薄膜トランジスタ１によっても、図２に示す薄膜トランジスタ１と同様の作用・効果が得られる。
図５に示す薄膜トランジスタ１は、全体構成が異なり、それ以外は、図２に示す薄膜トランジスタ１と同様である。
すなわち、図５に示す薄膜トランジスタ１は、ゲート電極５０がゲート絶縁層４０を介して、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂより下側（基板５００側）に位置するボトムゲート型の薄膜トランジスタである。
そして、有機半導体層３０を覆い、かつ有機半導体層３０に接触するように、保護層（第２の絶縁層）７０が設けられ、この保護層７０が、図２および図４に示す下地層６０と同様の構成とされている。
このような図５に示す薄膜トランジスタ１によっても、図２および図４に示す薄膜トランジスタ１と同様の作用・効果が得られる。
図６に示す薄膜トランジスタ１は、有機半導体層３０の位置が異なり、それ以外は、図５に示す薄膜トランジスタ１と同様である。
すなわち、図６に示す薄膜トランジスタ１は、有機半導体層３０がソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂより下側（基板５００側）に、ゲート絶縁層４０を覆うように設けられている。
このような図６に示す薄膜トランジスタ１によっても、図２、図４および図５に示す薄膜トランジスタ１と同様の作用・効果が得られる。
また、図４〜図６に示す薄膜トランジスタ１も、図２に示す薄膜トランジスタ１と同様にして、製造することができる。
＜電子装置＞
次に、本発明の電子装置として、前述したようなアクティブマトリクス装置が組み込まれた電気泳動表示装置を一例に説明する。
図７は、電気泳動表示装置の実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図７中上側を「上」、下側を「下」として説明する。
図７に示す電気泳動表示装置２００は、前述したアクティブマトリクス装置（バックプレーン）３００と、このアクティブマトリクス装置３００上に設けられた電気泳動表示部（フロントプレーン）４００とで構成されている。
この電気泳動表示部（電気泳動表示シート）４００は、透明電極（共通電極）４０３を備える透明基板４０４と、バインダ材４０５により透明電極４０３に固定されたマイクロカプセル４０２とで構成されている。
そして、マイクロカプセル４０２が画素電極３０３に接触するようにして、アクティブマトリクス装置３００と電気泳動表示部４００とが接合されている。
各カプセル４０２内には、それぞれ、特性の異なる複数種の電気泳動粒子、本実施形態では、電荷および色（色相）の異なる２種の電気泳動粒子４２１、４２２を含む電気泳動分散液４２０が封入されている。
このような電気泳動表示装置２００では、１本あるいは複数本の走査線３０２に選択信号（選択電圧）を供給すると、この選択信号（選択電圧）が供給された走査線３０２に接続されている薄膜トランジスタ１がＯＮとなる。
これにより、かかる薄膜トランジスタ１に接続されているデータ線３０１と画素電極３０３とは、実質的に導通する。このとき、データ線３０１に所望のデータ（電圧）を供給した状態であれば、このデータ（電圧）は画素電極３０３に供給される。
これにより、画素電極３０３と透明電極４０３との間に電界が生じ、この電界の方向、強さ、電気泳動粒子４２１、４２２の特性等に応じて、電気泳動粒子４２１、４２２は、いずれかの電極に向かって電気泳動する。
一方、この状態から、走査線３０２への選択信号（選択電圧）の供給を停止すると、薄膜トランジスタ１はＯＦＦとなり、かかる薄膜トランジスタ１に接続されているデータ線３０１と画素電極３０３とは非導通状態となる。
したがって、走査線３０２への選択信号の供給および停止、あるいは、データ線３０１へのデータの供給および停止を適宜組み合わせて行うことにより、電気泳動表示装置２００の表示面側（透明基板４０４側）に、所望の画像（情報）を表示させることができる。
特に、本実施形態の電気泳動表示装置２００では、電気泳動粒子４２１、４２２の色を異ならせていることにより、多階調の画像を表示することが可能となっている。
また、本実施形態の電気泳動表示装置２００は、アクティブマトリクス装置３００を有することにより、特定の走査線３０２に接続された薄膜トランジスタ１を選択的にＯＮ／ＯＦＦすることができるので、クロストークの問題が生じにくく、また、回路動作の高速化が可能であることから、高い品質の画像（情報）を得ることができる。
また、本実施形態の電気泳動表示装置２００は、低い駆動電圧で作動するため、省電力化が可能である。
なお、前述したような薄膜トランジスタ１を備えるアクティブマトリクス装置が組み込まれた表示装置は、このような電気泳動表示装置２００への適用に限定されるものではなく、例えば、液晶表示装置等に適用することもできる。
＜電子機器＞
このような電気泳動表示装置２００は、各種電子機器に組み込むことができる。以下、電気泳動表示装置２００を備える本発明の電子機器について説明する。
＜＜電子ペーパー＞＞
まず、本発明の電子機器を電子ペーパーに適用した場合の実施形態について説明する。
図８は、本発明の電子機器を電子ペーパーに適用した場合の実施形態を示す斜視図である。
この図に示す電子ペーパー６００は、紙と同様の質感および柔軟性を有するリライタブルシートで構成される本体６０１と、表示ユニット６０２とを備えている。
このような電子ペーパー６００では、表示ユニット６０２が、前述したような電気泳動表示装置２００で構成されている。
＜＜ディスプレイ＞＞
次に、本発明の電子機器をディスプレイに適用した場合の実施形態について説明する。
図９は、本発明の電子機器をディスプレイに適用した場合の実施形態を示す図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。
この図に示すディスプレイ８００は、本体部８０１と、この本体部８０１に対して着脱自在に設けられた電子ペーパー６００とを備えている。なお、この電子ペーパー６００は、前述したような構成、すなわち、図８に示す構成と同様のものである。
本体部８０１は、その側部（図中、右側）に電子ペーパー６００を挿入可能な挿入口８０５が形成され、また、内部に二組の搬送ローラ対８０２ａ、８０２ｂが設けられている。電子ペーパー６００を、挿入口８０５を介して本体部８０１内に挿入すると、電子ペーパー６００は、搬送ローラ対８０２ａ、８０２ｂにより挟持された状態で本体部８０１に設置される。
また、本体部８０１の表示面側（下図（ｂ）中、紙面手前側）には、矩形状の孔部８０３が形成され、この孔部８０３には、透明ガラス板８０４が嵌め込まれている。これにより、本体部８０１の外部から、本体部８０１に設置された状態の電子ペーパー６００を視認することができる。すなわち、このディスプレイ８００では、本体部８０１に設置された状態の電子ペーパー６００を、透明ガラス板８０４において視認させることで表示面を構成している。
また、電子ペーパー６００の挿入方向先端部（図中、左側）には、端子部８０６が設けられており、本体部８０１の内部には、電子ペーパー６００を本体部８０１に設置した状態で端子部８０６が接続されるソケット８０７が設けられている。このソケット８０７には、コントローラー８０８と操作部８０９とが電気的に接続されている。
このようなディスプレイ８００では、電子ペーパー６００は、本体部８０１に着脱自在に設置されており、本体部８０１から取り外した状態で携帯して使用することもできる。
また、このようなディスプレイ８００では、電子ペーパー６００が、前述したような電気泳動表示装置２００で構成されている。
なお、本発明の電子機器は、以上のようなものへの適用に限定されず、例えば、テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、電子新聞、ワードプロセッサ、パーソナルコンピュータ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等を挙げることができ、これらの各種電子機器の表示部に、電気泳動表示装置２００を適用することが可能である。
以上、本発明の有機半導体装置、電子装置および電子機器について、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものでない。
まず、以下に示すモノマー組成Ａ〜Ｃを用意した。
モノマー組成Ａ；第１の重合性モノマー：４，４'−（９−フルオレニリデン）ビス（ ２−フェノキシエチルアクリレート）
（大阪ガスケミカル社製）
第２の重合性モノマー：ペンタエリスリトールトリアクリレート
（東亜合成社製、製品名：Ｍ−３０５）
構造式I／構造式II＝２０モル％／８０モル％
光重合開始剤：イルガキュア９０７
（チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製）
（構造式I＋構造式II）／光重合開始剤＝１００ｗｔ％／４ｗｔ％
モノマー組成Ｂ；構造式I：ビスフェノールフルオレンジグリシジルエーテル
（大阪ガスケミカル社製）
構造式II：ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート（新中村化学 工業社製、製品名：ＮＫエステルＡ−ＤＰＨ）
構造式I／構造式II＝５０モル％／５０モル％
光重合開始剤：イルガキュア１８４
（チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製）
（構造式I＋構造式ＩＩ）／光重合開始剤＝１００ｗｔ％／４ｗｔ％
モノマー組成Ｃ；構造式I：４，４'−（９−フルオレニリデン）ビス（２−フェノキシ エチルアクリレート）（大阪ガスケミカル社製）
構造式II：ジペンタエリスリトールペンタアクリレート及びヘキサア クリレート（東亜合成社製、製品名：Ｍ−４０２）
構造式I／構造式II＝８０モル％／２０モル％
光重合開始剤：イルガキュア９０７（チバ・スペシャルティ・ケミカ ルズ社製）／イルガキュア１８４（チバ・スペシャル ティ・ケミカルズ社製）＝５０ｗｔ％：５０ｗｔ％
（構造式I＋構造式II）／光重合開始剤＝１００ｗｔ％／５ｗｔ％
２．薄膜トランジスタの製造
以下に示すようにして、実施例１１〜１３、比較例１１、実施例２１、比較例２１、実施例３１、比較例３１および比較例３２の薄膜トランジスタを、それぞれ、２００個ずつ製造した。
（実施例１１）
＜１＞まず、１５０μｍ厚のＳＵＳ３０４基板を用意し、水を用いて洗浄した後、乾燥した。
＜２＞次に、基板上に、カルビトールアセテートを溶媒とした固形分１０ｗｔ／ｖｏｌ％となるように調製したモノマー組成Ａの溶液を、スピンコート法（１５００ｒｐｍ）により塗布した後、強度７ｍＷ／ｃｍ2の紫外線を、基板面に垂直な方向から１２０秒間照射した。その後、１００℃×１０分間加熱する事により本重合を行ない反応を完結させた。これにより、平均厚さ３μｍの下地層（第２の絶縁層）を得た。
＜３＞次に、下地層上に、蒸着法により金の薄膜を形成した後、フォトリソグラフィー法によりレジスト層を形成し、このレジスト層をマスクとして金の薄膜をエッチングした。
これにより、平均厚さ１００ｎｍのソース電極およびドレイン電極を得た。また、チャネル長Ｌを２０μｍ、チャネル幅Ｗを１ｍｍとした。
＜４＞次に、ソース電極およびドレイン電極を形成した下地層上に、１％ｗｔ／ｖｏｌとなるように調製したポリ（９，９−ジオクチルフルオレン−コ−ビチオフェン）（Ｆ８Ｔ２）のトルエン溶液を、インクジェト法により塗布した後、６０℃×１０分間で乾燥した。
これにより、平均厚さ５０ｎｍの有機半導体層を得た。
＜５＞次に、有機半導体層、ソース電極およびドレイン電極を覆うように、５％ｗｔ／ｖｏｌとなるように調製したポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）の酢酸ブチル溶液を、スピンコート法（２４００ｒｐｍ）により塗布した後、６０℃×１０分間で乾燥した。
これにより、平均厚さ５００ｎｍのゲート絶縁層を得た。
＜６＞次に、ゲート絶縁層上の、ソース電極とドレイン電極との間の領域に対応する領域に、Ａｇ粒子の水分散液を、インクジェット法により塗布した後、８０℃×１０分間で乾燥した。
これにより、平均厚さ１００ｎｍ、平均幅３０μｍのゲート電極を得た。
以上のようにして、図２に示す薄膜トランジスタを得た。
オフ電流値は１．０×１０-13Ａであった。
（実施例１２）
モノマー組成Ａに代えてモノマー組成Ｂを用いた以外は、前記実施例１１と同様にして薄膜トランジスタを製造した。
（実施例１３）
モノマー組成Ａに代えてモノマー組成Ｃを用いた以外は、前記実施例１１と同様にして薄膜トランジスタを製造した。
（実施例２１）
前記工程＜４＞において、ペンタセンを使用し、１．３３×１０-4Ｐａ以下の真空度で上記基板上に５０ｎｍの厚さに真空蒸着して有機半導体層を形成した以外は、前記実施例１１と同様にして薄膜トランジスタを製造した。
（実施例３１）
前記工程＜４＞において、銅フタロシアニンを使用し、１．３３×１０-4Ｐａ以下の真空度で上記基板上に５０ｎｍの厚さに真空蒸着して半導体層を形成した以外は、前記実施例１１と同様にして薄膜トランジスタを製造した。
（比較例１１）
下地層を省略した以外は、前記実施例１１と同様にして薄膜トランジスタを製造した。オフ電流値は５．０×１０-12Ａであった。
（比較例２１）
下地層を省略した以外は、前記実施例２１と同様にして薄膜トランジスタを製造した。
（比較例３１）
下地層を省略した以外は、前記実施例３１と同様にして薄膜トランジスタを製造した。
（比較例３２）
前記工程＜２＞において、基板上に、１０ｗｔ／ｖｏｌ％となるように調製したポリスチレンのクロロホルム溶液を、スピンコート法（２０００ｒｐｍ）により塗布した後、１２０℃×１０分間で乾燥して、下地層を形成した以外は、前記実施例３１と同様にして薄膜トランジスタを製造した。
３．評価
各実施例および各比較例で製造した薄膜トランジスタについて、それぞれ、窒素（Ｎ2）中において伝達特性を測定した。
そして、得られた結果から、それぞれキャリア移動度、オン電流とオフ電流との比率であるオンオフ比、しきい電圧（Ｖｔｈ）を算出した。
その結果を、表１に示す。
なお、表１には、それぞれ、キャリア移動度、オンオフ比、およびしきい電圧（Ｖｔｈ）を示した。
また、表１中の各数値は、いずれも、２００個の薄膜トランジスタで得られたデータの平均値である。
Figure 2008047725
表１に示すように、各実施例の薄膜トランジスタは、いずれも、対応する比較例の薄膜トランジスタに対して、キャリア移動度およびオンオフ比の向上（特に、オンオフ比において著しい向上）が認められ、またしきい電圧が大きくシフトするのを防止し得ることも確認された。
本発明の有機半導体装置を適用したアクティブマトリクス装置の構成を示すブロック図。 図１に示すアクティブマトリクス装置が備える有機薄膜トランジスタの構成を示す図（縦断面図および平面図）。 図２に示す有機薄膜トランジスタの製造方法を説明するための図（縦断面図）。 図１に示すアクティブマトリクス装置が備える有機薄膜トランジスタの他の構成例を示す図（縦断面図）。 図１に示すアクティブマトリクス装置が備える有機薄膜トランジスタの他の構成例を示す図（縦断面図）。 図１に示すアクティブマトリクス装置が備える有機薄膜トランジスタの他の構成例を示す図（縦断面図）。 電気泳動表示装置の実施形態を示す縦断面図。 本発明の電子機器を電子ペーパーに適用した場合の実施形態を示す斜視図。 本発明の電子機器をディスプレイに適用した場合の実施形態を示す図。
符号の説明
１…薄膜トランジスタ、２０ａ…ソース電極、２０ｂ…ドレイン電極、３０…有機半導体層、４０…ゲート絶縁層、５０…ゲート電極、６０…下地層、７０…保護層、２００…電気泳動表示装置、３００…アクティブマトリクス装置、３０１…データ線、３０２…走査線、３０３…画素電極、４００…電気泳動表示部、４０２…マイクロカプセル、４２０…電気泳動分散液、４２１，４２２…電気泳動粒子、４０３…透明電極、４０４…透明基板、４０５…バインダ材、５００…基板、６００…電子ペーパー、６０１…本体、６０２…表示ユニット、８００…ディスプレイ、８０１…本体部、８０２ａ，８０２ｂ…搬送ローラ対、８０３…孔部、８０４…透明ガラス板、８０５…挿入口、８０６…端子部、８０７…ソケット、８０８…コントローラー、８０９…操作部。

Claims (11)

  1. 有機半導体材料で構成された有機半導体層と、
    前記有機半導体層に電界を印加するためのゲート電極と、
    前記ゲート電極と前記有機半導体層とを絶縁する第１の絶縁層と、
    第２の絶縁層と、を含み、
    前記有機半導体層は、前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層との間に配置され、
    前記第２の絶縁層は、フルオレン骨格を有する重合体により構成されていること、
    を特徴とする半導体装置。
  2. 請求項１に記載の半導体装置において、
    前記重合体の主鎖は、酸素原子を含むこと、
    を特徴とする半導体装置。
  3. 請求項１又は２に記載の半導体装置において、
    前記重合体は、フルオレン骨格を含む第１の重合性モノマーとエポキシ基、オキセタン基、アクリル酸基、及びメタクリル酸基のうち少なくともいずれか一つを含む第２の重合性モノマーとを共重合することにより得られること、
    を特徴とする半導体装置。
  4. 請求項３に記載の半導体装置において、
    前記第１の重合性モノマーは、下記構造式１に示した構造を有し、
    前記第２の重合性モノマーは、下記構造式２または３に示した構造を有していること、
    を特徴とする半導体装置。
    Figure 2008047725
    Figure 2008047725
    Figure 2008047725
     （但し、式中のＲ1、Ｒ2及びＲ3の各々は、それぞれ以下のものを示す。Ｒ1：Ｒ1は全て同一の置換基であり、水素原子あるいは下記式（４）〜（８）のいずれかに示した構造を有している。Ｒ2：Ｒ2は少なくとも２つは同一の置換基であり、水素原子あるいは下記式（４）〜（８）のいずれかに示した構造を有している。Ｒ3：Ｒ3は少なくとも３つは同一の置換基であり、水素原子あるいは下記式（４）〜（８）のいずれかに示した構造を有している。）
    Figure 2008047725
    Figure 2008047725
    Figure 2008047725
    Figure 2008047725
    Figure 2008047725
  5. 請求項１乃至４のいずれか一項に記載の半導体装置において、
    前記重合体は、ポリエステル骨格を有していること、
    を特徴とする半導体装置。
  6. 請求項４に記載の半導体装置において、
    前記重合体は、前記第１の重合性モノマーに由来する第１の構造部分と、
    前記第２の重合性モノマーに由来する第２の構造部分と、を含み、
    前記第１の構造部分の２５モル％〜７５モル％であること、
    を特徴とする半導体装置。
  7. 請求項１乃至６のいずれか一項に記載の半導体装置において、
    前記有機半導体材料は、前記有機半導体層において結晶性を有するものであること、
    を特徴とする半導体装置。
  8. 請求項１乃至７のいずれか一項に記載の半導体装置において、
    前記有機半導体層は、前記第２の絶縁層と前記ゲート電極との間に配置されていること、
    を特徴とする半導体装置。
  9. 請求項１乃至８のいずれか一項に記載の半導体装置において、
    前記第２の絶縁層の平均厚さは、０．０１μｍ〜１０μｍであること、
    を特徴とする半導体装置。
  10. 請求項１乃至９のいずれか一項に記載の半導体装置を備えることを特徴とする電子装置。
  11. 請求項１０に記載の電子装置を備えることを特徴とする電子機器。
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