JP2008037724A - 単結晶SiC、その製造方法及び単結晶SiCの製造装置 - Google Patents
単結晶SiC、その製造方法及び単結晶SiCの製造装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008037724A JP2008037724A JP2006217609A JP2006217609A JP2008037724A JP 2008037724 A JP2008037724 A JP 2008037724A JP 2006217609 A JP2006217609 A JP 2006217609A JP 2006217609 A JP2006217609 A JP 2006217609A JP 2008037724 A JP2008037724 A JP 2008037724A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- sic
- crucible
- raw material
- crystal sic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/36—Carbides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/12—Substrate holders or susceptors
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
【解決手段】SiC種単結晶4が固定されたサセプタ5及び原料供給管6を坩堝2内に配置する工程、加熱保持されたSiC種単結晶4に、原料供給管6を通して単結晶SiC製造用原料を外部から供給する工程、及び、SiC種単結晶4上に単結晶SiCを成長させる工程を含み、坩堝2が鉛直方向上部に開口部を有する単結晶SiCの製造方法。
【選択図】図1
Description
改良レーリー法では、数100μm/h程度の高速で大口径の単結晶SiCインゴットを得ることができるものの、螺旋状にエピタキシャル成長するため、結晶内に多数のマイクロパイプといわれる結晶を貫通する微小な孔が発生するという問題がある。CVD法では、高純度で低欠陥密度である良質な単結晶SiCが製造できるものの、希薄なガスソースでのエピタキシャル成長のため、成長速度が数10μm/h程度と遅く、長尺の単結晶SiCインゴットを得られないという問題がある。
昇華近接法では、比較的簡単な構成で高純度のSiCエピタキシャル成長が実現できるが、構成上の制約から、長尺の単結晶SiCインゴットを得ることは不可能という問題がある。
この析出する多結晶SiCは厄介である。加熱坩堝内を暖めている輻射が逃げる穴があれば、事実上、そこが加熱坩堝内で最も低温部となっており、その穴部のみが選択的に過飽和状態となってしまうため、その穴部を閉塞するように析出成長してしまうからである。
ところで加熱坩堝に何らかの穴が存在していないと、次々に連続供給されてくる不活性キャリアガスや反応生成一酸化炭素ガスが加熱坩堝内に充満し、やがて固体反応が停止してしまうという問題がある。その理由は明確には分かっていないが、式(1)の平衡反応の右辺の分圧が上がりすぎて、左辺から右辺への化学反応が起こらなくなるためと推定される。
3C + SiO2 ⇔ SiC + 2CO↑ 式(1)
<1> SiC種単結晶が固定されたサセプタ及び原料供給管を坩堝内に配置する工程、及び、加熱状態に保持された前記SiC種単結晶に、前記原料供給管を通して単結晶SiC製造用原料を外部から供給し、単結晶SiCを成長させる工程を含み、前記坩堝が鉛直方向上部に開口部を有することを特徴とする単結晶SiCの製造方法、
<2> 前記サセプタ又は前記原料供給管と坩堝とを空間的に分離することにより前記開口部が設けられている<1>に記載の単結晶SiCの製造方法、
<3> 前記サセプタの略半径をRs、前記原料供給管の略半径をRfとし、前記サセプタ又は前記原料供給管が空間的に分離されながら前記坩堝に挿入される、挿入口の略半径をRhとしたとき、(Rh−Rs)又は(Rh−Rf)が5mm以上25mm以下である<2>に記載の単結晶SiCの製造方法、
<4> 前記開口部の面積が9cm2以上75cm2以下である<1>〜<3>いずれか1つに記載の単結晶SiCの製造方法、
<5> 前記単結晶SiC製造用原料がシリカ粒子及びカーボン粒子である<1>〜<4>いずれか1つに記載の単結晶SiCの製造方法、
<6> <1>〜<5>いずれか1つに記載の方法により製造された単結晶SiC、
<7> 坩堝を設けたチャンバ及び坩堝を加熱する手段、坩堝内にSiC種単結晶を固定するサセプタ、及び、SiC種単結晶に単結晶SiC製造用原料を供給する原料供給管を有し、前記坩堝が鉛直方向上部に開口部を有することを特徴とする単結晶SiCの製造装置。
尚、本発明において、坩堝の有する開口部は、サセプタ又は原料供給管が挿入されるための挿入部を除いた領域に設けられた開口部を意味するものである。即ち、坩堝は、サセプタ及び原料供給管が坩堝内に配置された状態であっても、鉛直方向上部に開口部を有する。
本発明において、坩堝が鉛直方向上部に開口部を有するため、長時間連続して単結晶SiCを成長させても途中で坩堝内部が閉塞することなく、長尺の単結晶SiCを得ることができる。特に、開口部が坩堝の鉛直方向上部に設けられているため、坩堝内部で反応に寄与しなかった原料や、反応生成COガスなどが対流しても、これらの原料やガスを加熱上昇気流に乗って、逐次坩堝外に連続排出させることができるため、高品質の単結晶SiCを連続して製造することができ、長尺の単結晶SiCを連続成長させることができる。
また、前記サセプタの略半径をRs、前記原料供給管の略半径をRfとし、前記サセプタ又は前記原料供給管が空間的に分離されながら前記坩堝に挿入される、挿入口の略半径をRhとしたとき、(Rh−Rs)又は(Rh−Rf)が5mm以上25mm以下であることが好ましい。
ここで、略半径とは、断面積から算出した円相当半径を意味する。すなわち、円相当半径をrとしたとき、rと断面積には、断面積=πr2が成立し、この式から円相当半径が算出できる。
(Rh−Rs)又は(Rh−Rf)が上記範囲内であると、連続して長時間単結晶SiCを製造しても成長が停止することなく、また加熱坩堝内の温度が所望の温度に到達するため、高品質の単結晶SiCを製造することができるので好ましい。
これらの中でも、サセプタが坩堝の鉛直方向上部より挿入されており、サセプタと坩堝が空間的に分離されていることにより開口部が設けられていることが好ましい。
前記開口部の面積が上記範囲内であると、連続して長時間単結晶SiCを製造しても成長が停止することなく、また加熱坩堝内の温度が所望の温度に到達するため、高品質の単結晶SiCを製造することができるので好ましい。
また、上述したように、サセプタが坩堝の鉛直方向上部より挿入されており、サセプタと坩堝が空間的に分離されていることにより開口部が設けられている場合、開口部の面積は9cm2以上75cm2以下であることが好ましく、12cm2以上75cm2以下であることがより好ましい。
本発明に使用するシリカ粒子の種類、粒径、粒子形状等は特に限定されず、例えば火炎加水分解法で得られる高純度シリカなどが好適に利用できる。
本発明に使用するカーボン粒子の種類、粒径、粒子形状等は特に限定されず、例えば市販の高純度カーボンブラックなどが好適に利用できる。
尚、当該単結晶SiC製造用原料の供給時には、酸素混入を防止するため、不活性ガスで置換されたハーメチック構造にしておくことが好ましい。
キャリアガスとしては、不活性キャリアガスが好ましく、例えばヘリウムガスやアルゴンガスが例示できる。これらの中でもアルゴンガスを使用することが好ましく、アルゴンガスは入手が容易であり、さらに取扱いが容易であるので好ましい。
また単結晶SiC中にドーピングをおこなう場合は、上記単結晶SiC製造用原料に固体ソースとして混合してもよいし、単結晶SiC製造装置内の雰囲気中にガスソースとして、該ドーピング成分を混合してもよい。ドーピング成分としては窒素、Al(CH3)3、B2H6が例示できる。
但し、本発明において、単結晶SiCの製造装置は、坩堝を設けたチャンバ及び坩堝を加熱する手段、坩堝内にSiC種単結晶を固定するサセプタ、及び、SiC種単結晶に単結晶SiC製造用原料を供給する原料供給管を有し、前記坩堝が鉛直方向上部に開口部を有することを特徴とする。
装置の雰囲気は酸素混入を防止するため、アルゴンガスなどの不活性ガスで置換されていることが好ましく、密閉構造であることが好ましい。
また単結晶SiC製造温度は特に限定されず、目的とする単結晶SiCのサイズや形状、種類、単結晶SiC製造用原料の種類や量等に応じて適宜設定できる。好ましい製造温度は、1,600〜2,400℃の範囲であり、例えば坩堝外側の温度を指す。本発明に使用する製造装置は、前記温度範囲において、温度制御可能な装置であることが好ましい。
本発明において、加熱方法に特に限定はなく、いかなる加熱方法も使用することができ、高周波誘導加熱や電気抵抗加熱が例示できる。
但し、前記サセプタに回転機構を付与する場合には、回転を阻害しない範囲で坩堝(加熱源)とサセプタとの間を空間的に分離させておく必要がある。
坩堝内を、単結晶SiCの製造に適した所望の温度に保持できる範囲で、開口部の位置、形状等は適宜選択することができる。例えば、サセプタ又は原料供給管の挿入部の同心円状に間隙を設けて開口部とすることが例示できる。
ここでは高周波誘導加熱炉を例に用いている。水冷された密閉チャンバ1、1’内にカーボン製の円筒坩堝2、2’(直径120mm、高さ150mm)が配置され、前記水冷された密閉チャンバの外側に高周波誘導加熱コイル3、3’を配置してある。
図1では、前記円筒坩堝内の上部には、SiC種単結晶4を保持するためのサセプタ5が挿入されており、前記円筒坩堝内の下部には、単結晶SiC製造用原料を連続供給するための原料供給管6が挿入されている。
これとは逆に、図2では、円筒坩堝内の上部に単結晶SiC製造用原料を連続供給するための原料供給管6’が挿入されており、円筒坩堝内の下部にSiC種単結晶4’を保持するためのサセプタ5’が挿入されている。
また、図2では、原料供給管6’と、円筒坩堝2’とが空間的に分離されている。これにより、円筒坩堝2’は、鉛直方向上部に開口部を有している。原料供給管の略半径をRf、前記原料供給管が挿入されている部分の前記円筒坩堝の挿入口の略半径をRhとしたとき、(Rh−Rf)が5mm以上25mm以下に設計されていることが好ましい。
高周波誘導加熱炉は、図示しない真空排気系及び圧力調節系により圧力制御が可能であり、また図示しない不活性ガス置換機構を備えている。
尚、図1、2の実施例では原料供給管とサセプタの位置関係が上下対向方向であったが、本発明の作用が変わらない範囲内で、それぞれ横向きの対向関係に配置することも可能であるし、原料供給管とサセプタが互いに斜めや直角関係になるように配置することも可能である。但し、本発明において、坩堝は鉛直方向上部に開口を有するので、原料供給管及びサセプタの双方が鉛直方向上部から挿入されていない場合であれば、坩堝の鉛直方向上部に独立に開口部を有することはいうまでもない。
図1又は図2に示す高周波誘導加熱炉を用いて以下の条件にて単結晶SiCの製造をおこなった。
前記サセプタの円筒坩堝内に貫通挿入されているサセプタの端部にSiC種単結晶ウエハを固定した。ここで使用したSiC種単結晶ウエハは、レーリー法で製造された略10mm角の不定形単結晶SiCと改良レーリー法で製造された直径2インチの単結晶SiCの両方を使用した。またジャスト面、傾斜面、C面、Si面それぞれを種単結晶として準備、使用した。
次いでSiC種単結晶ウエハが固定された前記サセプタを0〜20rpmの回転速度で回転させた。この状態で前記不活性キャリアガス(高純度アルゴン)を流速0.5〜10l/minの範囲に調整して流し、前記単結晶SiC製造用原料を、前記原料供給管内部を通って、前記密閉坩堝内に配置された前記SiC種単結晶ウエハ表面上に連続して供給させ、単結晶SiCの製造をおこなった。
この時、前記SiC種単結晶ウエハを固定するサセプタの略半径をRs、前記原料供給管の略半径をRfとして、前記サセプタ又は前記原料供給管が空間的に分離されながら前記坩堝内に挿入される、挿入口の略半径をRhとした際のこれらの差(Rh−Rs)が3mm、5mm、10mm、15mm、25mm、30mm、及び(Rh−Rf)が3mm、6.5mm、10mmとなる条件で、各々単結晶SiCの製造をおこなった。
尚、前記(Rh−Rs)が3mm、5mm、10mm、15mm、25mm、30mmそれぞれの際の隙間の略面積はそれぞれ7cm2、12cm2、25cm2、40cm2、75cm2、94cm2であった。また、前記(Rh−Rf)が3mm、6.5mm、10mmそれぞれの際の略面積は、4cm2、9cm2、14cm2であった。
2、2’ 円筒坩堝
3、3’ 高周波誘導加熱コイル
4、4’ 種単結晶ウエハ
5、5’ サセプタ
6、6’ 原料供給管
7、7’、9、9’、 原料貯蔵槽
8、8’、10、10’、 調節弁
A キャリアガス
Rs サセプタの略半径
Rf 原料供給管の略半径
Rh サセプタ、又は原料供給管の挿入口の略半径
Claims (7)
- SiC種単結晶が固定されたサセプタ及び原料供給管を坩堝内に配置する工程、及び、
加熱状態に保持された前記SiC種単結晶に、前記原料供給管を通して単結晶SiC製造用原料を外部から供給し、単結晶SiCを成長させる工程を含み、
前記坩堝が鉛直方向上部に開口部を有することを特徴とする
単結晶SiCの製造方法。 - 前記サセプタ又は前記原料供給管と坩堝とを空間的に分離することにより前記開口部が設けられている請求項1に記載の単結晶SiCの製造方法。
- 前記サセプタの略半径をRs、前記原料供給管の略半径をRfとし、前記サセプタ又は前記原料供給管が空間的に分離されながら前記坩堝に挿入される、挿入口の略半径をRhとしたとき、
(Rh−Rs)又は(Rh−Rf)が5mm以上25mm以下である請求項2に記載の単結晶SiCの製造方法。 - 前記開口部の面積が9cm2以上75cm2以下である請求項1〜3いずれか1つに記載の単結晶SiCの製造方法。
- 前記単結晶SiC製造用原料がシリカ粒子及びカーボン粒子である請求項1〜4いずれか1つに記載の単結晶SiCの製造方法。
- 請求項1〜5いずれか1つに記載の方法により製造された単結晶SiC。
- 坩堝を設けたチャンバ及び坩堝を加熱する手段、
坩堝内にSiC種単結晶を固定するサセプタ、及び、
SiC種単結晶に単結晶SiC製造用原料を供給する原料供給管を有し、
前記坩堝が鉛直方向上部に開口部を有することを特徴とする
単結晶SiCの製造装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006217609A JP4347325B2 (ja) | 2006-08-10 | 2006-08-10 | 単結晶SiC、その製造方法及び単結晶SiCの製造装置 |
TW096118327A TW200817543A (en) | 2006-08-10 | 2007-05-23 | Single crystal SiC, and production method and production device thereof |
KR1020087023690A KR20090037379A (ko) | 2006-08-10 | 2007-07-31 | 단결정 SiC, 그 제조 방법 및 단결정 SiC의 제조 장치 |
PCT/JP2007/064968 WO2008018321A1 (fr) | 2006-08-10 | 2007-07-31 | MONOCRISTAL SiC, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE CELUI-CI ET APPAREIL DE PRODUCTION DE MONOCRISTAL SiC |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006217609A JP4347325B2 (ja) | 2006-08-10 | 2006-08-10 | 単結晶SiC、その製造方法及び単結晶SiCの製造装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008037724A true JP2008037724A (ja) | 2008-02-21 |
JP4347325B2 JP4347325B2 (ja) | 2009-10-21 |
Family
ID=39032855
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006217609A Expired - Fee Related JP4347325B2 (ja) | 2006-08-10 | 2006-08-10 | 単結晶SiC、その製造方法及び単結晶SiCの製造装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4347325B2 (ja) |
KR (1) | KR20090037379A (ja) |
TW (1) | TW200817543A (ja) |
WO (1) | WO2008018321A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112048769B (zh) * | 2020-07-24 | 2021-08-31 | 山东天岳先进科技股份有限公司 | 一种碳化硅晶体微管愈合用装置及应用 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SE9603587D0 (sv) * | 1996-10-01 | 1996-10-01 | Abb Research Ltd | A device for epitaxially growing objects and method for such a growth |
JP3505597B2 (ja) * | 2000-02-23 | 2004-03-08 | 日本ピラー工業株式会社 | 炭化珪素単結晶 |
-
2006
- 2006-08-10 JP JP2006217609A patent/JP4347325B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-05-23 TW TW096118327A patent/TW200817543A/zh unknown
- 2007-07-31 WO PCT/JP2007/064968 patent/WO2008018321A1/ja active Application Filing
- 2007-07-31 KR KR1020087023690A patent/KR20090037379A/ko not_active Application Discontinuation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4347325B2 (ja) | 2009-10-21 |
WO2008018321A1 (fr) | 2008-02-14 |
KR20090037379A (ko) | 2009-04-15 |
TW200817543A (en) | 2008-04-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7361222B2 (en) | Device and method for producing single crystals by vapor deposition | |
JP6606638B2 (ja) | Fe−Ga基合金単結晶の育成方法及び育成装置 | |
JP4706565B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法 | |
JP2008001569A (ja) | 単結晶SiC及びその製造方法並びに単結晶SiCの製造装置 | |
JP2004099340A (ja) | 炭化珪素単結晶育成用種結晶と炭化珪素単結晶インゴット及びその製造方法 | |
JP4604728B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法 | |
JP3505597B2 (ja) | 炭化珪素単結晶 | |
JP4347325B2 (ja) | 単結晶SiC、その製造方法及び単結晶SiCの製造装置 | |
JP2619611B2 (ja) | 単結晶の製造装置および製造方法 | |
JPH05178698A (ja) | 炭化珪素バルク単結晶の製造装置及び製造方法 | |
JP2008050174A (ja) | 単結晶SiC及びその製造方法 | |
JP2008308369A (ja) | 単結晶SiC、その製造方法及びその製造装置 | |
JP2008115045A (ja) | 単結晶SiC及びその製造方法 | |
WO2008018322A1 (fr) | Monocristal de carbure de silicium et son procédé de production | |
JP2009057265A (ja) | 単結晶SiC及びその製造方法 | |
JP2009023846A (ja) | 炭化ケイ素単結晶の製造方法及びその製造装置 | |
JP2009073696A (ja) | 単結晶SiC及びその製造方法 | |
JP2011201756A (ja) | 単結晶炭化珪素の製造方法 | |
JP2011201754A (ja) | 単結晶炭化珪素の製造方法 | |
JP2009029664A (ja) | 単結晶SiC及びその製造方法 | |
JP2008254945A (ja) | 単結晶SiC及びその製造方法 | |
WO2008018319A1 (fr) | MONOCRISTAL SiC, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET MATÉRIEL DE FABRICATION POUR MONOCRISTAL SiC | |
JP2010090015A (ja) | 炭化ケイ素単結晶の製造装置および製造方法 | |
JP5488947B2 (ja) | 超微粒子原料を用いる窒化アルミニウム単結晶の育成法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080724 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090203 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090317 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090519 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090602 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090707 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090715 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120724 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |