JP2008034648A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】パーティクルおよびミストの基板への付着を防止することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】塗布装置１００は、箱形の処理チャンバ１を備える。この処理チャンバ１の４つの側面には、スリット１ａがそれぞれ設けられている。処理チャンバ１を取り囲むように箱形のハウジング２が設けられている。処理チャンバ１とハウジング２との間に空間ＳＰが形成される。ハウジング２の上部には、空間ＳＰ内にダウンフローを形成するためのファンフィルタユニットＦＦＵが設けられている。ファンフィルタユニットＦＦＵに供給された空気は、当該ファンフィルタユニットＦＦＵにより清浄化され、空間ＳＰに供給される。空間ＳＰに供給された空気は、処理チャンバ１の各スリット１ａを介して当該処理チャンバ１内に供給される。これにより、処理チャンバ１内に竜巻状の気流が発生される。
【選択図】図１

Description

本発明は、基板に処理を行う基板処理装置に関する。

半導体デバイス、液晶ディスプレイ等の製造工程におけるフォトリソグラフィー工程では、最初に、基板上にレジスト膜が形成される。そして、基板上に形成されたレジスト膜が所定のパターンで露光される。次に、上記のように露光処理が施された基板に現像処理を行うことにより、基板上にレジストパターンが形成される。

一般的に、基板上にレジスト膜を形成する方法として、スピンコート法が広く用いられている。

スピンコート法による成膜を行う装置（以下、塗布装置と呼ぶ）は、主として、基板の周囲を囲うように配置された処理カップと、当該処理カップを囲うように配置された処理ユニットとを備える（例えば、特許文献１参照）。

このような塗布装置では、処理ユニットの上部からファン等により温度および湿度が制御された清浄な空気を導入することによって基板の周囲の雰囲気を制御するとともに、底部から強制的に排気を行うことにより基板の周囲の雰囲気を強制的に排気する。
特開２０００−２４５７５号公報

上記塗布装置において処理を行うのに適した温度および湿度を維持するために、基板の上方から当該基板に向けて、空気制御ユニット（ＡＣＵ）により十分な量の空気を供給する。

しかしながら、供給された空気が基板の中央部から周縁部に流れ、処理カップの底部から排気される際に、基板の周縁部において上記空気の流れと基板の回転による気流との摩擦によって乱流が発生する。

その結果、発生した乱流により処理カップの内面等に付着しているパーティクル（粉塵）および処理カップ内に浮遊しているレジスト液のミスト（微小液滴）が散乱する。これにより、散乱したパーティクルが基板に付着する場合がある。その結果、基板の処理不良が発生する。

本発明の目的は、パーティクルおよびミストの基板への付着を防止することが可能な基板処理装置を提供することである。

（１）本発明に係る基板処理装置は、基板に処理を行う基板処理装置であって、基板を保持しつつ回転させる基板保持手段と、基板保持手段により保持された基板上に処理液を供給する処理液供給手段と、基板保持手段により回転される基板の接線方向または当該接線方向と平行な方向に気体を噴出する３つ以上の噴出口を有する気体噴出手段と、基板保持手段、処理液供給手段および気体噴出手段を収容する筐体とを備えたものである。

本発明に係る基板処理装置においては、基板は基板保持手段により保持されつつ回転される。基板保持手段により保持された基板上に処理液が処理液供給手段により供給される。

また、気体噴出手段の３つ以上の噴出口によって、基板保持手段により回転される基板の接線方向または当該接線方向と平行な方向に気体が噴出される。基板保持手段、処理液供給手段および気体噴出手段は筐体内に収容される。

このように、基板に処理が行われる際に、基板保持手段により回転される基板の接線方向または当該接線方向と平行な方向に気体が噴出されることによって、筐体内の基板の上方に竜巻状の気流を発生させることが可能となる。それにより、基板の周辺における雰囲気と基板の回転により生じる気流との摩擦によって発生する乱流を当該竜巻状の気流により吸収することが可能となる。これにより、乱流が除去される。

このような構成により、筐体内に設けられた各種部材に付着しているパーティクル（粉塵）および当該筐体内に浮遊するミスト（微小液滴）が乱流により散乱することが防止される。したがって、パーティクルが基板に付着することが防止される。

また、従来までは、上記乱流の影響を考慮して、基板を高速で回転させることは困難であったが、本発明に係る基板処理装置を用いることによって、基板を高速で回転させた場合でも、竜巻状の気流を発生させることにより乱流を除去することが可能となる。

したがって、基板の高速回転によるレジスト液の塗布処理の短時間化を図ることができるとともに、形成すべきレジスト膜の膜厚調整を目的とした基板の回転数の許容範囲を大きくすることができる。

処理液が塗布液であってもよい。この場合、基板上に塗布膜を形成する場合に、上記乱流の影響により基板上の塗布膜の周縁部において斑（風きり斑）が発生すること、および当該塗布膜の周縁部の膜厚が厚くなってしまうことが防止される。これにより、基板上に均一な膜厚を有する塗布膜が形成される。

処理液が現像液、リンス液または洗浄液であってもよい。この場合、基板の現像処理、現像処理後のリンス処理または洗浄処理を行う場合においても、基板保持手段により回転される基板の接線方向または当該接線方向と平行な方向に気体が噴出されることによって、筐体内の基板の上方に竜巻状の気流を発生させることが可能となる。それにより、基板の周辺における雰囲気と基板の回転により生じる気流との摩擦によって発生する乱流を当該竜巻状の気流により吸収することが可能となる。これにより、乱流が除去される。

このような構成により、筐体内に設けられた各種部材に付着しているパーティクルおよび当該筐体内に浮遊するミストが乱流により散乱することが防止される。したがって、パーティクルが基板に付着することが防止されることによって、現像処理、リンス処理または洗浄処理が良好に実施される。

（２）基板処理装置は、基板保持手段を取り囲むように設けられかつ上部開口を有し、基板上に供給された処理液が外方に飛散することを防止するための飛散防止部材をさらに備え、気体噴出手段の噴出口は、飛散防止部材の上部開口の上方に螺旋状の気流が発生するように配置されてもよい。

この場合、基板上に供給された処理液が外方に飛散することを防止するための飛散防止部材が基板保持手段を取り囲むように設けられる。気体噴出手段の噴出口は、飛散防止部材の上部開口の上方に螺旋状の気流が発生するように配置される。それにより、基板の上方における雰囲気と基板の回転により生じる気流との摩擦によって発生する乱流を上記螺旋状の気流により吸収することが可能となる。これにより、乱流が除去される。

このような構成により、飛散防止部材の内壁等に付着しているパーティクルおよび当該飛散防止部材で取り囲まれた空間内に浮遊するミストが乱流により散乱することが防止される。したがって、パーティクルが基板に付着することが防止される。

（３）気体噴出手段は、筐体内に気体を供給する気体供給手段と、飛散防止部材の上部開口の上方の空間を取り囲むように設けられた気流形成室とを含み、気流形成室は、３つ以上の噴出口を有してもよい。

この場合、気体供給手段により筐体内に気体が供給される。また、飛散防止部材の上部開口の上方の空間を取り囲むように気体形成室が設けられる。そして、気体形成室は３つ以上の噴出口を有している。これにより、筐体内に供給された気体は、気体形成室の３つ以上の噴出口から基板の上方に導入される。このような構成により、基板の上方に良好な竜巻状の気流を発生させることが可能となる。

（４）気体供給手段は、気体の温度および湿度を制御する気体制御手段と、気体制御手段により温度および湿度が制御された気体を清浄化する気体清浄化手段とを含んでもよい。

この場合、気体制御手段により温度および湿度が制御された気体が気体清浄化手段により清浄化される。これにより、基板の処理の種類に応じた所望の温度および湿度を有し、清浄化された気体が、筐体内および気体形成室内に供給される。

（５）気体噴出手段は、飛散防止部材の上部開口の上方の空間の周囲に配置された３つ以上の噴出部材を含み、３つ以上の噴出部材の各々は、噴出口を有してもよい。

この場合、３つ以上の噴出部材が飛散防止部材の上部開口の上方の空間の周囲に配置される。また、３つ以上の噴出部材の各々は、噴出口を有している。これにより、３つ以上の噴出部材の各噴出口から気体が基板の上方に供給される。このような構成により、基板の上方に良好な竜巻状の気流を発生させることが可能となる。

（６）噴出口の各々は、上下方向に延びるスリット状に形成されてもよい。このように、噴出口の各々が上下方向に延びるスリット状に形成されていることにより、噴出口の各々から噴出される気体の旋回力が増し、良好な竜巻状の気流を発生させることが可能となる。

（７）噴出口の各々は、上下方向に並ぶ複数の孔を含んでもよい。この場合、上下方向に並ぶ複数の孔から気体が噴出される。また、上下方向に複数の孔を並べることにより、上下方向に延びるスリット状の上述の噴出口に類似した噴出口を形成できる。このような構成により、旋回力が増した良好な竜巻状の気流を発生させることができる。

（８）３つ以上の噴出口は、基板保持手段により回転される基板の回転中心に関して等角度間隔で配置されてもよい。

このような構成により、さらに旋回力が増した信頼性の高い竜巻上の気流を発生させることが可能となる。

（９）基板処理装置は、基板保持手段の下方から筐体の外部に気体を排出する排気手段をさらに備えてもよい。

この場合、筐体内に設けられた各種部材に付着しているパーティクルおよび当該筐体内に浮遊するミストが乱流により散乱した場合でも、竜巻状の気流によりパーティクルおよびミストを吸収することができる。そして、パーティクルおよびミストを吸収した竜巻状の気流を排気手段により筐体の外部に排出することができる。これにより、パーティクルおよびミストの除去装置が不要となる。

本発明に係る基板処理装置によれば、パーティクルおよびミストの基板への付着を防止することが可能となる。

以下、本発明に係る基板処理装置の一例として塗布装置について図面を参照しながら説明する。

以下の説明において、基板とは、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等をいう。

（１）第１の実施の形態
（１−１）塗布装置の全体構成
最初に、第１の実施の形態に係る塗布装置の構成について図面を参照しながら説明する。

図１は、第１の実施の形態に係る塗布装置の全体構成を示す断面図である。

図１に示すように、塗布装置１００は、箱形の処理チャンバ１を備える。この処理チャンバ１の４つの側面には、例えば長さ２６０ｍｍおよび幅４ｍｍのスリット１ａがそれぞれ設けられている。なお、図１においては、断面図の関係上、他の３つのスリット１ａは図示されていない。

また、処理チャンバ１を取り囲むように箱形のハウジング２が設けられている。処理チャンバ１と上記ハウジング２との間に空間ＳＰが形成される。

ハウジング２の上部には、上記空間ＳＰ内にダウンフロー（下降流）を形成するためのファンフィルタユニットＦＦＵが設けられている。ファンフィルタユニットＦＦＵは、ファンおよびフィルタから構成される。

ファンフィルタユニットＦＦＵには、ダクト３の一端が接続され、当該ダクト３の他端は空気制御装置（ＡＣＵ）４に接続されている。このような構成により、空気制御装置４において所定の温度および湿度に制御された空気が、ダクト３を介してファンフィルタユニットＦＦＵに供給される。そして、ファンフィルタユニットＦＦＵに供給された空気は、当該ファンフィルタユニットＦＦＵにより清浄化され、空間ＳＰに供給される。

空間ＳＰに供給された空気は、処理チャンバ１の各スリット１ａを介して当該処理チャンバ１内に供給される。なお、処理チャンバ１内に供給された空気の作用および効果については後述する。

処理チャンバ１内には、処理対象である基板Ｗを水平に保持するとともに基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸の周りで回転させるための吸着式のスピンチャック２１が設けられている。

このスピンチャック２１は、チャック回転駆動機構２２によって回転される回転軸２３の上端に固定されている。また、スピンチャック２１は、上部および下部が開口された処理カップ２４内に収容されている。

なお、本実施の形態では、吸着式のスピンチャック２１を用いているが、基板Ｗの周縁部を保持する端縁保持式のスピンチャックを用いてもよい。

また、処理チャンバ１内には、各種レジスト液を基板Ｗ上に供給するレジスト液供給ノズル５０，５１，５２が設けられている。

本実施の形態では、スピンチャック２１により回転される基板Ｗ上にレジスト液供給ノズル５０，５１，５２のいずれかによりレジスト液が供給される（以下、塗布処理と呼ぶ）。それにより、基板Ｗ上にレジスト膜が形成される。

ハウジング２の一側面の略中央部には、開口部２５が形成されている。この開口部２５には、搬入搬出用シャッタ２６が取り付けられている。図示しない駆動部により搬入搬出用シャッタ２６を駆動することにより開口部２５の開閉が行われる。

同様に、処理チャンバ１の一側面の略中央部において上記開口部２５に対応する位置には、開口部２７が形成されている。この開口部２７には、搬入搬出用シャッタ２８が取り付けられている。図示しない駆動部により搬入搬出用シャッタ２８を駆動することにより開口部２７の開閉が行われる。

このような構成において、搬入搬出用シャッタ２６，２８により開口部２５，２７が開状態にされることによって、基板Ｗが処理チャンバ１内に搬入および当該処理チャンバ１内から搬出される。

ここで、レジスト液の塗布処理の際には、上述したように、ファンフィルタユニットＦＦＵからの空気が、空間ＳＰを介して処理チャンバ１の各スリット１ａ（本実施の形態では、４つ）から当該処理チャンバ１内に供給される。それにより、基板Ｗの上方に、当該基板Ｗの回転方向と同方向に旋回する竜巻状の気流を発生させることが可能となる。ここで、竜巻状の気流とは、螺旋状に旋回する気流をいう。

このように発生された竜巻状の気流は、基板Ｗの上方から処理カップ２４の下方へと進行し、処理チャンバ１の下部に設けられた排気管２９を介してハウジング２の外部へ排出される。

（１−２）処理チャンバにおける各スリットの位置
次に、処理チャンバ１における各スリット１ａの位置について図面を参照しながら説明する。

図２は、処理チャンバ１における各スリット１ａの位置について示す説明図である。なお、図２（ａ）は、処理チャンバ１における各スリット１ａの位置を示す斜視図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）におけるＰ面断面図である。

図２（ａ）に示すように、スリット１ａは、処理チャンバ１の４つの側面の所定の位置にそれぞれ設けられる。なお、各スリット１ａの上記所定の位置については後述する。

図２（ｂ）に示すように、処理チャンバ１の４つの側面にスリット１ａをそれぞれ設けることによって、各スリット１ａから処理チャンバ１内に導入された空気が竜巻状の気流を形成する。

図３は、処理チャンバ１における各スリット１ａの位置の好ましい例を示す説明図である。

図３に示すように、処理チャンバ１の４つの側面において各スリット１ａは、以下のように設けられる。すなわち、各スリット１ａは、基板Ｗの接線の延長線が処理チャンバ１の内壁に垂直に交差する位置にそれぞれ設けられる。このような構成により、基板Ｗの回転方向と同方向に旋回する良好な竜巻状の気流を処理チャンバ１内に発生させることが可能となる。

（１−３）第１の実施の形態における効果
このように、ハウジング２内に処理チャンバ１を配置した２重構造を採用するとともに、当該処理チャンバ１に４つのスリット１ａを設けた塗布装置１００を用いることによって、以下のような効果が奏される。

塗布装置１００においてレジスト液の塗布処理を行う際に、処理チャンバ１内に竜巻状の気流を発生させることによって、ファンフィルタユニットＦＦＵから供給された空気と基板Ｗの回転による気流との摩擦によって発生する乱流を当該竜巻状の気流により吸収することが可能となる。それにより、乱流が除去される。

これにより、処理カップ２４の内面等に付着しているパーティクル（粉塵）および処理カップ２４内に浮遊するミスト（微小液滴）が乱流により散乱することが防止される。したがって、パーティクルが基板Ｗに付着することが防止される。

また、上記のような構成により、上記乱流の影響により基板Ｗ上のレジスト膜の周縁部において斑（風きり斑）が発生すること、および当該レジスト膜の周縁部の膜厚が厚くなってしまうことが防止される。これにより、基板Ｗ上に均一な膜厚を有するレジスト膜が形成される。

さらに、従来までは、上記乱流の影響を考慮して、基板Ｗを高速で回転させることは困難であったが、本実施の形態に係る塗布装置１００を用いることによって、基板Ｗを高速で回転させた場合でも、竜巻状の気流を発生させることにより乱流を除去することが可能となる。

したがって、基板Ｗの高速回転による塗布処理の短時間化を図ることができるとともに、形成すべきレジスト膜の膜厚調整を目的とした基板Ｗの回転数の許容範囲を大きくすることができる。

（２）第２の実施の形態
（２−１）塗布装置の全体構成
次に、第２の実施の形態に係る塗布装置の構成について図面を参照しながら説明する。

図４は、第２の実施の形態に係る塗布装置の全体構成を示す断面図である。

図４に示すように、第２の実施の形態に係る塗布装置１０１の構成が上述の第１の実施の形態に係る塗布装置１００の構成と異なる点は以下の点である。

塗布装置１０１においては、ハウジング２内に処理チャンバ１は設けられていない。すなわち、本実施の形態に係る塗布装置１０１は２重構造を有していないとともに、スリット１ａも有していない。

また、処理カップ２４上に複数（本実施の形態では、４本（後述））の空気噴出バー３０が設けられている。

（２−２）空気噴出バーの構成
次いで、処理カップ２４上に設けられる複数の空気噴出バー３０の構成およびその配置について説明する。

図５は、空気噴出バー３０の構成およびその配置を示す模式図である。なお、図５（ａ）は空気噴出バー３０を示す斜視図であり、図５（ｂ）は図５（ａ）の上面図である。

図５（ａ）に示すように、処理カップ２４は、断面円形の本体部２４ａと、当該本体部２４ａ上に設けられた断面円形の開口部２４ｂとを備える。本体部２４ａの直径は開口部２４ｂの直径よりも大きくなっている。これにより、本体部２４ａ上に環状の上面部２４ｃが形成されている。

この上面部２４ｃ上に４つの空気噴出バー３０が起立した状態でそれぞれ設けられている。各空気噴出バー３０には、複数の噴出孔３０ａが当該空気噴出バー３０の長さ方向に沿ってほぼ等間隔で並ぶようにそれぞれ設けられている。

ここで、図５（ｂ）に示すように、各空気噴出バー３０は、処理カップ２４の上面部２４ｃ上に基板Ｗの回転中心に関してほぼ９０°間隔で設けられることが好ましい。

そして、各空気噴出バー３０の各噴出孔３０ａは、基板Ｗの接線と平行な方向にそれぞれ開口されている。また、各空気噴出バー３０の各噴出孔３０ａは、図示しない空気供給源にそれぞれ接続されている。これにより、各空気噴出バー３０によって基板Ｗの接線と平行な方向に空気をそれぞれ噴出することができる。例えば、４つの空気噴出バー３０による空気の噴出量は、処理カップ２４の下方から排出される排気量と等しい量、または当該排気量以上の量となる。

このような構成により、基板Ｗの回転方向と同方向に旋回する良好な竜巻状の気流を基板Ｗの上方に発生させることが可能となる。

（２−３）第２の実施の形態における効果
このように、処理カップ２４上に４つの空気噴出バー３０を設けた塗布装置１０１を用いることによって、以下のような効果が奏される。

第１に、塗布装置１０１において基板Ｗにレジスト液の塗布処理を行う際に、処理カップ２４の上方に竜巻状の気流を発生させることによって、ファンフィルタユニットＦＦＵから供給された空気と基板Ｗの回転による気流との摩擦によって発生する乱流を当該竜巻状の気流により吸収することが可能となる。それにより、乱流が除去される。

これにより、処理カップ２４の内面等に付着しているパーティクル（粉塵）が乱流により散乱することが防止される。したがって、パーティクルが基板Ｗに付着することが防止される。

また、上記のような構成により、上記乱流の影響により基板Ｗ上のレジスト膜の周縁部において斑（風きり斑）が発生すること、および当該レジスト膜の膜厚が厚くなってしまうことが防止される。これにより、基板Ｗ上に均一な膜厚を有するレジスト膜が形成される。

さらに、従来までは、上記乱流の影響を考慮して、基板Ｗを高速で回転させることは困難であったが、本実施の形態に係る塗布装置１０１を用いることによって、基板Ｗを高速で回転させた場合でも、竜巻状の気流を発生させることにより乱流を除去することが可能となる。

したがって、基板Ｗの高速回転による塗布処理の短時間化を図ることができるとともに、形成すべきレジスト膜の膜厚調整を目的とした基板Ｗの回転数の許容範囲を大きくすることができる。

（３）他の実施の形態
図６は、第１の実施の形態に係る塗布装置１００における処理チャンバ１の他の例を示す断面図である。

第１の実施の形態における箱形の処理チャンバ１の代わりに、図６に示すように、円筒形の処理チャンバ１１を用いてもよい。

本例の処理チャンバ１１の側面には、４つのスリット１１ａが基板Ｗの回転中心に関してほぼ９０°間隔で設けられる。そして、各スリット１１ａには処理チャンバ１１の内周面から内方へ向くように供給管１１ｂが接続されている。

各供給管１１ｂの先端部は、基板Ｗの接線の方向と同じ方向にそれぞれ屈曲し、空気が一定の方向（時計周りまたは反時計周り）にそれぞれ供給されるような方向に開口されている。

なお、図６においては、処理チャンバ１１の側面上にほぼ９０°間隔で４つのスリット１１ａとこれらに対応する４つの供給管１１ｂとをそれぞれ設けることとしたが、これに限定されるものではなく、処理チャンバ１１の側面上に例えば１２０°間隔で３つのスリット１１ａとこれらに対応する３つの供給管１１ｂとをそれぞれ設けてもよく、あるいは５つ以上のスリット１１ａおよび供給管１１ｂをそれぞれ設けてもよい。

このような構成により、基板Ｗの回転方向と同方向に旋回する良好な竜巻状の気流を基板Ｗの上方に発生させることが可能となる。

また、上記第２の実施の形態においては、処理カップ２４の上面部２４ｃ上にほぼ９０°間隔で４つの空気噴出バー３０をそれぞれ設けることとしたが、これに限定されるものではなく、上記上面部２４ｃ上に例えば１２０°間隔で３つの空気噴出バー３０をそれぞれ設けてもよく、あるいは５つ以上の空気噴出バー３０を設けてもよい。

また、上記第１および第２の実施の形態においては、塗布処理として基板Ｗ上にレジスト膜を形成する場合について説明したが、これに限定されるものではなく、例えば反射防止膜等の他の成膜時においても塗布装置１００，１０１を用いることが可能である。

また、上記第１および第２の実施の形態においては、ファンフィルタユニットＦＦＵにより空気を供給することとしたが、これに限定されるものではなく、例えば窒素ガス等の不活性ガスを供給してもよい。

また、上記第１の実施の形態における各スリット１ａの代わりに上下方向に配置された複数の孔を設けてもよい。

さらに、上記第２の実施の形態における各空気噴出バー３０の複数の噴出孔３０ａの代わりに上下方向に延びるスリットを設けてもよい。

（４）他の基板処理装置への適用例
本発明は、塗布装置に限らず、以下に示すように、種々の基板処理装置に適用可能である。

（４−１）現像装置
現像装置では、図１または図４のレジスト液供給ノズル５０，５１，５２の代わりに現像液供給ノズルおよびリンス液供給ノズルが設けられる。

現像装置では、回転される基板Ｗ上に現像液供給ノズルにより現像液が供給される（以下、現像処理と呼ぶ）。その後、基板Ｗが静止状態で一定時間保持される。それにより、別工程による露光後の基板Ｗ上のレジスト膜の現像処理が行われる。

そして、リンス液供給ノズルにより回転される基板上にリンス液が供給され、現像の進行が停止される。最後に、基板が高速で回転されることにより基板が乾燥される。

現像装置においても、基板Ｗの現像処理またはリンス処理を行う際に、処理チャンバ１内に竜巻状の気流を発生させることによって、ファンフィルタユニットＦＦＵから供給された空気と基板Ｗの回転による気流との摩擦によって発生する乱流を当該竜巻状の気流により除去することが可能となる。

これにより、処理カップ２４の内面等に付着しているパーティクルおよび処理カップ２４内に浮遊するミスト（微小液滴）が乱流により散乱することが防止される。それにより、パーティクルおよび処理カップ２４内に浮遊するミスト（微小液滴）が基板Ｗに付着することが防止される。したがって、基板Ｗの現像処理およびリンス処理を良好に実施することが可能となる。

（４−２）洗浄装置
洗浄装置では、図１または図４のレジスト液供給ノズル５０，５１，５２の代わりに洗浄液供給ノズルおよびリンス液供給ノズルが設けられる。

洗浄装置では、回転される基板Ｗ上に洗浄液供給ノズルにより洗浄液が供給される（以下、洗浄処理と呼ぶ）。それにより、基板Ｗの洗浄処理が行われる。

その後、リンス液供給ノズルにより回転される基板上にリンス液が供給され、洗浄液が洗い流される。最後に、基板が高速で回転されることにより基板が乾燥される。

洗浄装置においても、基板Ｗの洗浄処理を行う際に、処理チャンバ１内に竜巻状の気流を発生させることによって、ファンフィルタユニットＦＦＵから供給された空気と基板Ｗの回転による気流との摩擦によって発生する乱流を当該竜巻状の気流により除去することが可能となる。

これにより、処理カップ２４の内面等に付着しているパーティクルおよび処理カップ２４内に浮遊するミスト（微小液滴）が乱流により散乱することが防止される。それにより、パーティクルおよび処理カップ２４内に浮遊するミスト（微小液滴）が基板Ｗに付着することが防止される。したがって、基板Ｗの洗浄処理を良好に実施することが可能となる。

（５）請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。

上記実施の形態においては、スピンチャック２１が基板保持手段に相当し、レジスト液供給ノズル５０，５１，５２が処理液供給手段に相当し、スリット１ａ，１１ａおよび空気噴出バー３０が気体噴出手段に相当し、ハウジング２が筐体に相当し、処理カップ２４が飛散防止部材に相当し、スリット１ａ，１１ａおよび噴出孔３０ａが噴出口に相当し、ファンフィルタユニットＦＦＵ、ダクト３および空気制御装置４が気体供給手段に相当し、処理チャンバ１，１１が気流形成室に相当し、空気制御装置４が気体制御手段に相当し、ファンフィルタユニットＦＦＵが気体清浄化手段に相当し、空気噴出バー３０が噴出部材に相当し、排気管２９が排気手段に相当する。

本発明に係る塗布装置は、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、ＰＤＰ用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等の種々の基板に所定の処理を行うため等に利用することができる。

第１の実施の形態に係る塗布装置の全体構成を示す断面図である。 処理チャンバにおける各スリットの位置について示す説明図である。 処理チャンバにおける各スリットの位置の好ましい例を示す説明図である。 第２の実施の形態に係る塗布装置の全体構成を示す断面図である。 空気噴出バーの構成およびその配置を示す模式図である。 第１の実施の形態に係る塗布装置における処理チャンバの他の例を示す断面図である。

符号の説明

１，１１ 処理チャンバ
１ａ，１１ａ スリット
２ ハウジング
３ ダクト
４ 空気制御装置（ＡＣＵ）
１１ｂ 供給管
２１ スピンチャック
２２ チャック回転駆動機構
２４ 処理カップ
２４ａ 本体部
２４ｂ 開口部
２４ｃ 上面部
２９ 排気管
３０ 空気噴出バー
３０ａ 噴出孔
５０，５１，５２ レジスト液供給ノズル
１００，１０１ 塗布装置
ＦＦＵ ファンフィルタユニット
ＳＰ 空間
Ｗ 基板

Claims (9)

1. 基板に処理を行う基板処理装置であって、
   基板を保持しつつ回転させる基板保持手段と、
   前記基板保持手段により保持された基板上に処理液を供給する処理液供給手段と、
   前記基板保持手段により回転される基板の接線方向または当該接線方向と平行な方向に気体を噴出する３つ以上の噴出口を有する気体噴出手段と、
   前記基板保持手段、前記処理液供給手段および気体噴出手段を収容する筐体とを備えたことを特徴とする基板処理装置。
2. 前記基板保持手段を取り囲むように設けられかつ上部開口を有し、基板上に供給された処理液が外方に飛散することを防止するための飛散防止部材をさらに備え、
   前記気体噴出手段の噴出口は、前記飛散防止部材の上部開口の上方に螺旋状の気流が発生するように配置されることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
3. 前記気体噴出手段は、
   前記筐体内に気体を供給する気体供給手段と、
   前記飛散防止部材の前記上部開口の上方の空間を取り囲むように設けられた気流形成室とを含み、
   前記気流形成室は、前記３つ以上の噴出口を有することを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
4. 前記気体供給手段は、
   気体の温度および湿度を制御する気体制御手段と、前記気体制御手段により温度および湿度が制御された気体を清浄化する気体清浄化手段とを含むことを特徴とする請求項３記載の基板処理装置。
5. 前記気体噴出手段は、
   前記飛散防止部材の前記上部開口の上方の空間の周囲に配置された３つ以上の噴出部材を含み、
   前記３つ以上の噴出部材の各々は、前記噴出口を有することを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
6. 前記噴出口の各々は、上下方向に延びるスリット状に形成されたことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の基板処理装置。
7. 前記噴出口の各々は、上下方向に並ぶ複数の孔を含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の基板処理装置。
8. 前記３つ以上の噴出口は、前記基板保持手段により回転される基板の回転中心に関して等角度間隔で配置されたことを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の基板処理装置。
9. 前記基板保持手段の下方から前記筐体の外部に気体を排出する排気手段をさらに備えたことを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の基板処理装置。

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