JP2008034092A - メモリ回路のための高速化されたシングルエンド・センシング - Google Patents
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Abstract
【解決手段】センシング回路は、少なくとも1つのチャージ・シェアリング回路およびチャージ・シェアリング回路に接続された少なくとも1つのスイッチング回路を含む。スイッチング回路は、そのスイッチング回路に供給される第1制御信号に応じてチャージ・シェアリング回路をビット線の所与の少なくとも1本に選択的に接続させるように動作する。センシング回路は、所与のビット線に接続された少なくとも1つのコンパレータ回路をさらに含む。コンパレータ回路は、所与のビット線に接続されたメモリ・セルの論理状態を示す出力信号を生成するように動作する。チャージ・シェアリング回路は、メモリ・セルの読み出しアクセスに関連して所与のビット線の電圧を低下させるように所与のビット線上のある量の電荷を除去するように動作する。
【選択図】図1
Description
本発明のこれらおよび他の特徴ならびに利点は、添付の図面と共に読まれるであろう本発明の例示的実施形態についての以下の詳細な説明から明らかになるであろう。
Claims (10)
- 複数の論理ビット線および前記論理ビット線に接続された複数のメモリ・セルを含むメモリ回路と共に使用するためのシングルエンド・センシング回路であって、
少なくとも1つのチャージ・シェアリング回路と、
前記少なくとも1つのチャージ・シェアリング回路に接続され、供給される第1制御信号に応じて前記チャージ・シェアリング回路を前記論理ビット線の所与の少なくとも1本に選択的に接続するように動作する少なくとも1つのスイッチング回路と、
前記所与の論理ビット線に接続された少なくとも1つのコンパレータ回路とを備え、
前記コンパレータ回路は、前記所与の論理ビット線に接続されたメモリ・セルの論理状態を示す出力信号を生成するように動作し、前記チャージ・シェアリング回路は、前記メモリ・セルの読み出しアクセスに関連して前記所与の論理ビット線の電圧を低下させるように前記所与の論理ビット線上のある量の電荷を除去するように動作する、シングルエンド・センシング回路。 - 前記少なくとも1つのチャージ・シェアリング回路は、
少なくとも1本のダミー・ビット線と、 前記少なくとも1本のダミー・ビット線に接続され、第2制御信号に応じて前記少なくとも1本のダミー・ビット線を第1の電圧源に選択的に接続するように動作する第2のスイッチング回路と
を備える請求項1に記載のセンシング回路。 - 前記少なくとも1つのチャージ・シェアリング回路は、
キャパシタと、
前記キャパシタに接続され、第2制御信号に応じて前記キャパシタを第1の電圧源に選択的に接続するように動作する第2のスイッチング回路と
を備える請求項1に記載のセンシング回路。 - 前記対応する論理ビット線に接続するように構成され、前記メモリ・セルの読み出しアクセスに先立って前記対応する論理ビット線を前記第1の電圧レベルまで選択的にチャージするように動作するプリチャージ回路をさらに備える請求項1に記載のセンシング回路。
- 前記チャージ・シェアリング回路は、前記メモリ・セルの読み出しアクセスに先立って前記所与の論理ビット線の電圧を低下させるように前記所与の論理ビット線上の所定の量の電荷を除去するように動作する請求項1に記載のセンシング回路。
- 前記チャージ・シェアリング回路は、前記メモリ・セルの読み出しアクセスの間に前記所与の論理ビット線の電圧を低下させるように前記所与の論理ビット線上の所定の量の電荷を除去するように動作する請求項1に記載のセンシング回路。
- 複数の論理ビット線と、
前記論理ビット線に接続された複数のメモリ・セルと、
少なくとも1つのシングルエンド・センシング回路とを備え、
前記少なくとも1つのシングルエンド・センシング回路は、
少なくとも1つのチャージ・シェアリング回路と、
前記少なくとも1つのチャージ・シェアリング回路に接続され、供給される第1制御信号に応じて前記チャージ・シェアリング回路を前記論理ビット線の所与の少なくとも1本に選択的に接続するように動作する少なくとも1つのスイッチング回路と、
前記所与の論理ビット線に接続された少なくとも1つのコンパレータ回路とを備え、
前記コンパレータ回路は、前記対応する論理ビット線に接続されたメモリ・セルの論理状態を示す出力信号を生成するように動作し、前記チャージ・シェアリング回路は、前記メモリ・セルの読み出しアクセスに関連して前記所与の論理ビット線の電圧を低下させるように前記所与の論理ビット線上のある量の電荷を除去するように動作する、メモリ回路。 - 複数のビット線および前記ビット線に接続された複数のメモリ・セルを含むメモリ回路と共に使用するための少なくとも1つのシングルエンド・センシング回路を含む集積回路であって、前記少なくとも1つのセンシング回路は、
チャージ・シェアリング回路構成と、
前記チャージ・シェアリング回路構成に接続され、供給される第1制御信号に応じて前記チャージ・シェアリング回路構成を前記ビット線の所与の少なくとも1本に選択的に接続するように動作するスイッチング回路構成と、
前記所与のビット線に接続された少なくとも1つのコンパレータとを備え、
前記コンパレータは、前記所与のビット線に接続されたメモリ・セルの論理状態を示す出力信号を生成するように動作し、前記チャージ・シェアリング回路構成は、前記メモリ・セルの読み出しアクセスに関連して前記所与のビット線の電圧を低下させるように前記所与のビット線上のある量の電荷を除去するように動作する、集積回路。 - 少なくとも1つのメモリ回路を含む集積回路であって、前記少なくとも1つのメモリ回路は、
複数のビット線と、
前記複数のビット線に接続された複数のメモリ・セルと、
少なくとも1つのシングルエンド・センシング回路とを備え、前記少なくとも1つのシングルエンド・センシング回路は、
チャージ・シェアリング回路構成と、
前記チャージ・シェアリング回路構成に接続され、供給される第1制御信号に応じて前記チャージ・シェアリング回路構成を前記ビット線の所与の少なくとも1本に選択的に接続するように動作するスイッチング回路構成と、
前記所与のビット線に接続された少なくとも1つのコンパレータとを備え、
前記コンパレータは、前記所与のビット線に接続されたメモリ・セルの論理状態を示す出力信号を生成するように動作し、前記チャージ・シェアリング回路構成は、前記メモリ・セルの読み出しアクセスに関連して前記所与のビット線の電圧を低下させるように前記所与のビット線上のある量の電荷を除去するように動作する、集積回路。 - 組み込みメモリを含むシステムであって、前記組み込みメモリは、
複数のビット線と、
前記複数のビット線に接続された複数のメモリ・セルと、
少なくとも1つのシングルエンド・センシング回路とを備え、前記少なくとも1つのシングルエンド・センシング回路は、
少なくとも1つのチャージ・シェアリング回路と、
前記少なくとも1つのチャージ・シェアリング回路に接続され、供給される第1制御信号に応じて前記チャージ・シェアリング回路を前記ビット線の所与の少なくとも1本に選択的に接続するように動作する少なくとも1つのスイッチング回路と、
前記所与のビット線に接続された少なくとも1つのコンパレータ回路とを備え、
前記コンパレータ回路は、前記対応するビット線に接続されたメモリ・セルの論理状態を示す出力信号を生成するように動作し、前記チャージ・シェアリング回路は、前記メモリ・セルの読み出しアクセスに関連して前記所与のビット線の電圧を低下させるように前記所与のビット線上のある量の電荷を除去するように動作する、システム。
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