JP2008032620A - Probe pin - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To sufficiently stabilize a contact resistance between a wafer and a probe pin and reduce it. <P>SOLUTION: A base 40 and two contactors 41, 42 facing each other are formed at the top of end of the probe pin 10. The contactors 41, 42 are connected to the lower end of the base 40 and are formed so that the contactors come close to each other as the top end comes away from the base 40. The contactors 41, 42 bend, when pushed by the wafer, to the inside and move towards a direction to which the contactors approach each other. Thus, an oxide film on an electrode is scrub-removed. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、被検査体に接触して被検査体の電気的特性を検査するためのプローブピンに関する。   The present invention relates to a probe pin for contacting an object to be inspected and inspecting electrical characteristics of the object to be inspected.

例えば半導体ウェハ上に形成されたIC、LSIなどの電子素子の電気的特性の検査は、通常プローブ装置を用いて行われている。プローブ装置は、プローブカードを有し、そのプローブカードの下面側には、多数のプローブピンが支持されている。ウェハの電気的特性の検査は、それらの多数のプローブピンを、電子素子の複数の電極パッドに接触させ、プローブピンと電極パッドの間で電気信号を授受することにより行われている。   For example, inspection of electrical characteristics of electronic elements such as ICs and LSIs formed on a semiconductor wafer is usually performed using a probe device. The probe device has a probe card, and a large number of probe pins are supported on the lower surface side of the probe card. The inspection of the electrical characteristics of the wafer is performed by bringing a large number of probe pins into contact with a plurality of electrode pads of an electronic element and sending and receiving electrical signals between the probe pins and the electrode pads.

通常、検査前の電極パッドの表面には、絶縁性の高い酸化膜が形成されている。このため、検査時には、プローブピンを電極パッドに垂直方向に強く押圧し酸化膜を貫通させたり、プローブピンを水平方向に移動させて酸化膜をスクラブ除去して、プローブピンと電極パッドの電気的な導通を図っている。   Usually, a highly insulating oxide film is formed on the surface of the electrode pad before inspection. For this reason, at the time of inspection, the probe pin is pressed strongly against the electrode pad in the vertical direction to penetrate the oxide film, or the probe pin is moved in the horizontal direction to scrub the oxide film to remove the electrical contact between the probe pin and the electrode pad. Continuity is planned.

ところで、プローブピンの種類には、大別すると上下方向に長い垂直型のプローブピン(特許文献1参照)と、片持ち梁のいわゆるカンチレバー型のプローブピン(特許文献2参照)がある。垂直型のプローブピンの場合には、プローブカードの垂直方向の貫通孔に挿通されるため、水平方向の動きが規制されており、酸化膜のスクラブ除去を行うのは難しい。このため、例えば特許文献1のようにプローブピンの先端に円弧状のブレードを形成し、そのプローブピンを電極パッドに押圧し垂直方向に食い込ませて、プローブピンと電極パッドの通電を図ることが提案されている。   By the way, the types of probe pins are roughly classified into vertical probe pins that are long in the vertical direction (see Patent Document 1) and so-called cantilever type probe pins that are cantilever beams (see Patent Document 2). In the case of the vertical type probe pin, since it is inserted through the vertical through hole of the probe card, the movement in the horizontal direction is restricted, and it is difficult to remove the scrub of the oxide film. For this reason, for example, as proposed in Patent Document 1, an arcuate blade is formed at the tip of the probe pin, and the probe pin is pressed against the electrode pad so as to bite in the vertical direction, thereby energizing the probe pin and the electrode pad. Has been.

特開2001−50979号公報JP 2001-50979 A 特開2006−119024号公報JP 2006-1119024 A

しかしながら、この場合、例えば電極パッドにアルミ酸化膜のように比較的硬い酸化膜が形成されている場合に、プローブピンのブレードが酸化膜内に十分に食い込まず、プローブピンと電極パッドとの接触抵抗が大きくなり、またその接触抵抗の値も安定しなかった。このため、プローブピンと電極パットの電気的な接触が十分かつ安定的に行われていなかった。   However, in this case, for example, when a relatively hard oxide film such as an aluminum oxide film is formed on the electrode pad, the probe pin blade does not sufficiently penetrate into the oxide film, and the contact resistance between the probe pin and the electrode pad The contact resistance value was not stable. For this reason, the electrical contact between the probe pin and the electrode pad has not been sufficiently and stably performed.

ところで、いわゆるカンチレバー型のプローブピンの場合には、プローブピンの先端を水平方向に移動させて酸化膜をスクラブするので、垂直型のプローブピンに比べて酸化膜の除去能力に優れている。しかしながら、プローブピンの接触子の先端や、その先端に対向するウェハの電極パット上に、偶然パーティクルが存在する場合などには、プローブピンと電極パットとの電気的な接触が行われず、電気的な接触の確実性が十分でなかった。   By the way, in the case of a so-called cantilever type probe pin, the tip of the probe pin is moved in the horizontal direction to scrub the oxide film, so that the oxide film removal capability is superior to the vertical type probe pin. However, in the case where particles accidentally exist on the tip of the probe pin contactor or on the electrode pad of the wafer facing the tip, the electrical contact between the probe pin and the electrode pad is not performed. The certainty of contact was not sufficient.

本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、ウェハなどの被検査体とプローブピンとの間の電気的な接触を十分かつ安定して行うことをその目的とする。   The present invention has been made in view of this point, and an object thereof is to sufficiently and stably perform electrical contact between an object to be inspected such as a wafer and probe pins.

上記目的を達成するための本発明は、被検査体と接触して被検査体の電気的特性を検査するためのプローブピンであって、プローブピンの先端部には、互いに対向する複数本の接触子が形成され、前記複数本の接触子は、被検査体に押圧された際に内側に撓んでその先端が互いに近づく方向に移動することを特徴とする。   In order to achieve the above object, the present invention provides a probe pin for inspecting the electrical characteristics of an object to be inspected in contact with the object to be inspected. A contact is formed, and the plurality of contacts are bent inward and moved in directions in which their tips approach each other when pressed by the object to be inspected.

本発明によれば、複数本の接触子が移動して被検査体の表面の酸化膜を削ることができるので、酸化膜を十分に安定してスクラブ除去し、プローブピンと接触子と間の接触抵抗を十分かつ安定的に低下させることができる。また、複数本の接触子を被検査体に接触させて検査を行うので、プローブピンと被検査体との接触の信頼性を格段に向上できる。   According to the present invention, since a plurality of contacts can move and the oxide film on the surface of the object to be inspected can be scraped, the oxide film can be scrubbed sufficiently stably, and the contact between the probe pin and the contact can be achieved. The resistance can be sufficiently and stably reduced. In addition, since the inspection is performed by bringing a plurality of contacts into contact with the object to be inspected, the reliability of the contact between the probe pin and the object to be inspected can be significantly improved.

前記プローブピンの先端部は、基部を有し、前記複数本の接触子は、後端がそれぞれ基部に接続され、先端側が前記基部から離れるにつれて互いに近づくように形成されていてもよい。   The tip of the probe pin may have a base, and the plurality of contacts may be formed such that rear ends thereof are connected to the base, respectively, and the tips end closer to each other as they move away from the base.

前記接触子の内側には、前記複数本の接触子の先端同士の間隔を維持するためのストッパが形成されていてもよい。   A stopper for maintaining the distance between the tips of the plurality of contacts may be formed inside the contact.

前記各接触子の先端の内側には、垂直面が形成され、その垂直面には、凹部が形成されていてもよい。   A vertical surface may be formed inside the tip of each contact, and a recess may be formed on the vertical surface.

前記接触子は二本であってもよい。また、前記プローブピンは、垂直型であってもよい。   Two contacts may be provided. The probe pin may be a vertical type.

本発明によれば、プローブピンと被検査体の接触抵抗が十分かつ安定して低く維持されるので、被検査体の電気的特性の検査を高い精度で安定して行うことができる。   According to the present invention, since the contact resistance between the probe pin and the object to be inspected is sufficiently and stably kept low, the electrical characteristics of the object to be inspected can be inspected stably with high accuracy.

以下、本発明の好ましい実施の形態について説明する。図1は、本発明にかかるプローブピンが使用されたプローブ装置1の構成の概略を示す側面図である。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described. FIG. 1 is a side view showing an outline of the configuration of a probe apparatus 1 in which a probe pin according to the present invention is used.

プローブ装置1には、例えばプローブカード2と、被検査体としてのウェハWを載置する載置台3が設けられている。載置台3は、上下方向と左右方向に移動自在である。   The probe device 1 is provided with, for example, a probe card 2 and a mounting table 3 on which a wafer W as an object to be inspected is mounted. The mounting table 3 is movable in the vertical direction and the horizontal direction.

プローブカード2は、例えば複数のプローブピン10を支持する支持板11と、プローブピン10に対し電気信号を授受する回路基板12を備えている。支持板11は、例えば円盤状に形成され、下方の載置台3に対向している。支持板11には、例えば図2に示すように水平断面が長方形の複数のガイド孔20が形成されている。   The probe card 2 includes, for example, a support plate 11 that supports a plurality of probe pins 10 and a circuit board 12 that sends and receives electrical signals to the probe pins 10. The support plate 11 is formed in a disk shape, for example, and faces the lower mounting table 3. In the support plate 11, for example, as shown in FIG. 2, a plurality of guide holes 20 having a rectangular horizontal cross section are formed.

各ガイド孔20は、図3に示すように支持板11を上下方向に貫通しており、この各ガイド孔20内に、上下方向に長い垂直型のプローブピン10が挿入されている。   As shown in FIG. 3, each guide hole 20 penetrates the support plate 11 in the vertical direction, and a vertical probe pin 10 that is long in the vertical direction is inserted into each guide hole 20.

プローブピン10は、例えば下部の先端部30と、その上部に接続されたばね部31と、その上部の後端部32から構成されている。   The probe pin 10 includes, for example, a lower tip portion 30, a spring portion 31 connected to the upper portion, and a rear end portion 32 of the upper portion.

プローブピン10の後端部32は、ガイド孔20の上端面に配置され、ガイド孔20の径よりも大きく形成されている。後端部32の上面は、平坦に形成され、回路基板12の下面端子12aに接触して回路基板12と電気的に接続されている。後端部32の下面側の周縁部には、段部32aが形成され、この段部32aがガイド孔20の上端面に係止されることにより、プローブピン10が支持板11に支持されている。   The rear end portion 32 of the probe pin 10 is disposed on the upper end surface of the guide hole 20 and is formed larger than the diameter of the guide hole 20. The upper surface of the rear end portion 32 is formed flat and is in contact with the lower surface terminal 12 a of the circuit board 12 and is electrically connected to the circuit board 12. A step portion 32 a is formed on the peripheral portion on the lower surface side of the rear end portion 32, and the step portion 32 a is locked to the upper end surface of the guide hole 20, whereby the probe pin 10 is supported by the support plate 11. Yes.

ばね部31は、例えば上下方向に連続する帯状の波型形状を有し、上下方向に弾性を有している。ばね部31の上端は、後端部32の下面に接続され、ばね部31の下端には、先端部30が接続されている。   The spring portion 31 has, for example, a strip-like corrugated shape that is continuous in the vertical direction, and has elasticity in the vertical direction. The upper end of the spring portion 31 is connected to the lower surface of the rear end portion 32, and the tip portion 30 is connected to the lower end of the spring portion 31.

先端部30は、例えば基部40と、二本の接触子41、42から構成されている。基部40は、略方形の平板形状を有し、基部40の水平方向の幅は、ガイド孔20の径よりも僅かに小さく形成されている。これにより、基部40は、ガイド孔20の内壁に沿って上下動し、ガイド孔20内におけるプローブピン10のガイドとしての機能を果たしている。   The distal end portion 30 is composed of, for example, a base portion 40 and two contacts 41 and 42. The base 40 has a substantially rectangular flat plate shape, and the horizontal width of the base 40 is slightly smaller than the diameter of the guide hole 20. Thereby, the base 40 moves up and down along the inner wall of the guide hole 20, and functions as a guide for the probe pin 10 in the guide hole 20.

二本の接触子41、42は、例えば可撓性のある細長の針状に形成されている。接触子41、42は、基部40の下面に接続されている。接触子41、42は、基部40の下面の両端部から中心側の斜め下方向に向けて形成されている。つまり接触子41、42は、後端が基部40の下面の両端部に接続され、先端側が基部40から離れるにつれて次第に近づくように形成されている。これらの接触子41、42は、ガイド孔20の下方に突出している。   The two contacts 41 and 42 are formed in, for example, a flexible elongated needle shape. The contacts 41 and 42 are connected to the lower surface of the base 40. The contacts 41 and 42 are formed from both end portions of the lower surface of the base portion 40 toward an obliquely downward direction on the center side. That is, the contacts 41 and 42 are formed so that the rear ends thereof are connected to both end portions of the lower surface of the base portion 40, and the tip ends gradually approach as the distance from the base portion 40 increases. These contacts 41 and 42 protrude below the guide hole 20.

図4に示すように接触子41と接触子42の先端は、所定距離離れた状態で互いに対向している。接触子41の先端の内側には、垂直面41aが形成され、その垂直面41aの上部には凹部41bが形成されている。凹部41bの上側には、垂直面41aよりも内側に突出したストッパ41cが形成されている。接触子42の先端も接触子41と同様に垂直面42a、凹部42b及びストッパ42cを備えている。接触子42の垂直面42a、凹部42b、ストッパ42cは、接触子41の垂直面41a、凹部41b、ストッパ41cとそれぞれ対向している。なお、本実施の形態にかかるプローブピン10は、例えばLIGAプロセス(X線リソグラフィー、電鋳、モールドによる微細部品製作プロセス)により成形されている。   As shown in FIG. 4, the tips of the contactor 41 and the contactor 42 face each other with a predetermined distance therebetween. A vertical surface 41a is formed inside the tip of the contact 41, and a concave portion 41b is formed on the top of the vertical surface 41a. A stopper 41c protruding inward from the vertical surface 41a is formed above the recess 41b. The tip of the contact 42 is also provided with a vertical surface 42 a, a recess 42 b, and a stopper 42 c like the contact 41. The vertical surface 42a, the concave portion 42b, and the stopper 42c of the contact 42 are opposed to the vertical surface 41a, the concave portion 41b, and the stopper 41c of the contact 41, respectively. In addition, the probe pin 10 concerning this Embodiment is shape | molded, for example by the LIGA process (X-ray lithography, electroforming, the fine component manufacturing process by a mold).

次に、以上のように構成されたプローブピン10の作用について説明する。プローブ装置1においてウェハWの電気的特性の検査が開始されると、載置台3上のウェハWが上昇され、図5に示すようにウェハW上の各電極パッドPが各プローブピン10の接触子41、42に接触される。   Next, the operation of the probe pin 10 configured as described above will be described. When the inspection of the electrical characteristics of the wafer W is started in the probe device 1, the wafer W on the mounting table 3 is raised, and each electrode pad P on the wafer W contacts each probe pin 10 as shown in FIG. It contacts the children 41, 42.

そして、ウェハWがさらに上昇され、電極パッドPがプローブピン10に押し付けられると、図6に示すように接触子41、42は、内側に撓み、接触子41、42の先端が電極パッドPの表面を擦りながら内側に移動する。このとき、接触子41、42により電極パッドPの表面の酸化膜がスクラブ除去される。そして、接触子41、42の先端同士が近接すると、ストッパ41c、42c同士が当接し、接触子41、42の内側への移動が停止される。このとき、接触子41の垂直部41aと接触子42の垂直部42aの間隔は、例えば10μm以上に維持され、また凹部41b、42b同士の間には、空間Hが形成される。   Then, when the wafer W is further raised and the electrode pad P is pressed against the probe pin 10, the contacts 41 and 42 are bent inward as shown in FIG. Move inward while rubbing the surface. At this time, the oxide film on the surface of the electrode pad P is scrubbed and removed by the contacts 41 and 42. And if the front-end | tips of the contactors 41 and 42 adjoin, stopper 41c, 42c will contact | abut, and the movement to the inner side of the contactors 41 and 42 will be stopped. At this time, the distance between the vertical portion 41a of the contact 41 and the vertical portion 42a of the contact 42 is maintained at, for example, 10 μm or more, and a space H is formed between the recesses 41b and 42b.

その後、プローブカード2の回路基板12から各プローブピン10の二本の接触子41、42を通じてウェハWの電極パッドPに電気信号が送られ、ウェハWの電気特性の検査が行われる。   Thereafter, an electrical signal is sent from the circuit board 12 of the probe card 2 to the electrode pad P of the wafer W through the two contacts 41 and 42 of each probe pin 10, and the electrical characteristics of the wafer W are inspected.

以上の実施の形態によれば、プローブピン10の先端部30に互いに対向する二本の接触子41、42が形成され、その接触子41、42は、ウェハWの電極パッドPに押し付けられた際に内側に撓んで先端が電極パッドPの表面上を内側に移動する。このように、垂直型のプローブピン10でありながら、二本の接触子41、42を用いて電極パッドPの表面の酸化膜をスクラブ除去でき、プローブピン10と電極パッドPとの接触抵抗を十分かつ安定して下げることができる。また、検査時には、各プローブピン10の二本の接触子41、42を通じて電気信号が送られるので、プローブピン10と電極パッドPとの間の電気的な導通の確実性が増し、検査の信頼性を格段に向上できる。   According to the above embodiment, the two contacts 41 and 42 facing each other are formed on the tip portion 30 of the probe pin 10, and the contacts 41 and 42 are pressed against the electrode pad P of the wafer W. In this case, the tip is bent inward and the tip moves inward on the surface of the electrode pad P. As described above, the oxide film on the surface of the electrode pad P can be removed by scrubbing using the two contacts 41 and 42 even though the probe pin 10 is a vertical type, and the contact resistance between the probe pin 10 and the electrode pad P can be reduced. It can be lowered sufficiently and stably. Further, since electrical signals are sent through the two contacts 41 and 42 of each probe pin 10 at the time of inspection, the reliability of electrical continuity between the probe pin 10 and the electrode pad P is increased, and the reliability of the inspection is increased. Sexually can be improved.

接触子41、42の先端の内側にストッパ41c、42cが形成され、接触子41、42の先端同士の間隔が維持されるので、接触子41、42の先端同士の間に、スクラブ時の酸化膜の削りカスが挟み込まれることを防止できる。この結果、例えば接触子41、42に酸化物が付着してプローブピン10の接触抵抗が大きくなることを防止できる。また、ウェハWのパーティクルによる汚染も防止できる。さらに、ストッパ41c、42cによって、スクラブ時に接触子41、42が電極パッドPの表面を移動する距離(ズリ幅)が一定となり、ズリ幅が正確に規定される。それ故、必要以上に接触子41、42のズリ幅が大きくなることがなく、過剰なスクラブを抑制できる。この結果、余分なパーティクルの発生を抑制できる。また接触子41、42の磨耗が少なく、プローブピン10の寿命を延ばすこともできる。なお、酸化膜を十分にスクラブ除去するには、ズリ幅が5μm以上あればよい。   The stoppers 41c and 42c are formed inside the tips of the contacts 41 and 42, and the distance between the tips of the contacts 41 and 42 is maintained. Therefore, oxidation during scrubbing is performed between the tips of the contacts 41 and 42. It is possible to prevent film scraps from being caught. As a result, for example, it is possible to prevent the contact resistance of the probe pin 10 from increasing due to oxides adhering to the contacts 41 and 42. Further, contamination of the wafer W by particles can be prevented. Further, the distances (slip width) by which the contacts 41 and 42 move on the surface of the electrode pad P during scrubbing are fixed by the stoppers 41c and 42c, and the slip width is accurately defined. Therefore, the displacement width of the contacts 41 and 42 is not increased more than necessary, and excessive scrub can be suppressed. As a result, generation of extra particles can be suppressed. Further, the wear of the contacts 41 and 42 is small, and the life of the probe pin 10 can be extended. In order to sufficiently remove the oxide film by scrubbing, it is sufficient that the gap width is 5 μm or more.

また、接触子41、42の先端の内側に凹部41b、42bが形成されたので、接触子41、42の先端同士が近接した際にその間に空間Hが形成され、これによっても接触子41、42の先端同士の間に酸化膜の削りカスが挟み込まれることを防止できる。   Further, since the recesses 41b and 42b are formed inside the tips of the contacts 41 and 42, when the tips of the contacts 41 and 42 come close to each other, a space H is formed between them. It is possible to prevent the scrap of the oxide film from being sandwiched between the tips of 42.

一般的に、垂直型のプローブピンは、いわゆるカンチレバー型のプローブピンに比べて取付けスペースが必要ないので、プローブカード2のおける狭ピッチ化、多ピン化を図ることができる。したがって、本実施の形態の垂直型のプローブピン10によれば、上述したようなプローブピン10と電極パッドPとの間の電気的な接触を十分かつ安定して確保しつつ、さらに多ピン化、狭ピッチ化を図ることができる。   In general, a vertical probe pin does not require a mounting space as compared with a so-called cantilever type probe pin, so that it is possible to reduce the pitch and increase the number of pins in the probe card 2. Therefore, according to the vertical probe pin 10 of the present embodiment, the number of pins is further increased while ensuring sufficient and stable electrical contact between the probe pin 10 and the electrode pad P as described above. The pitch can be reduced.

以上の実施の形態において、本発明を垂直型のプローブピンに適用していたが、本発明は、図7に示すように片持ち梁のいわゆるカンチレバー型のプローブピン10に適用してもよい。この場合においても、二本の接触子41、42によりスクラブ除去を行い、二本の接触子41、42により電気的な導通を図るので、接触子41、42と電極パッドPとの電気的な接触の確実性を上げることができる。また、各接触子41、42のズリ幅を小さくすることができるので、接触子41、42の磨耗が少なくなり、プローブピン10の寿命を長くできる。   In the above embodiment, the present invention is applied to a vertical type probe pin. However, the present invention may be applied to a so-called cantilever type probe pin 10 of a cantilever as shown in FIG. Also in this case, scrub removal is performed by the two contacts 41 and 42 and electrical conduction is achieved by the two contacts 41 and 42. Therefore, the electrical connection between the contacts 41 and 42 and the electrode pad P is achieved. The certainty of contact can be increased. Further, since the gap width of each contact 41, 42 can be reduced, the wear of the contacts 41, 42 is reduced, and the life of the probe pin 10 can be extended.

以上の実施の形態では、プローブピン10の接触子の数が二本であったが、二本に限られず、3本以上であってもよい。この場合、例えば図8に示すようにプローブピンの先端部の基部50が立体形状の例えば円柱形に形成され、その基部50の下面に複数本(図8は三本)の対向する接触子51が形成されるようにしてもよい。   In the above embodiment, the number of contacts of the probe pin 10 is two. However, the number is not limited to two, and may be three or more. In this case, for example, as shown in FIG. 8, the base 50 at the tip of the probe pin is formed in a three-dimensional cylindrical shape, for example, and a plurality (three in FIG. 8) of opposing contacts 51 on the lower surface of the base 50. May be formed.

以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に相到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。例えば以上の実施の形態では、接触子41、42にストッパ41c、42cが形成された例であったが、ストッパ41c、42cがなくてもよい。この場合、例えばスクラブ時に接触子41、42同士が当接してストッパとしての機能を果たすので、接触子41、42のズリ幅が適正な距離に制限され、例えば余分なパーティクルの発生を抑制できる。またプローブピン10の寿命を長くできる。例えばプローブピン10の接触子は、ウェハWに押圧された際に内側に撓み先端が互いに近づく方向にずれるものであれば、他の形状のものであってもよい。また、プローブピン10の接触子以外の部分も他の形状を有するものであってもよい。また、本発明は、被検査体がウェハW以外のFPD(フラットパネルディスプレイ)などの他の基板である場合にも適用できる。   The preferred embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited to such examples. It will be apparent to those skilled in the art that various changes or modifications can be made within the scope of the ideas described in the claims, and these are naturally within the technical scope of the present invention. It is understood that it belongs. For example, in the above embodiment, the stoppers 41c and 42c are formed on the contacts 41 and 42, but the stoppers 41c and 42c may not be provided. In this case, for example, since the contacts 41 and 42 come into contact with each other during scrubbing and serve as a stopper, the gap width of the contacts 41 and 42 is limited to an appropriate distance, and generation of extra particles can be suppressed, for example. Moreover, the lifetime of the probe pin 10 can be lengthened. For example, the contact of the probe pin 10 may have another shape as long as the contact is deflected inward when the wafer W is pressed against the wafer W and the tips are displaced in a direction approaching each other. Moreover, parts other than the contact of the probe pin 10 may have other shapes. The present invention can also be applied to the case where the object to be inspected is another substrate such as an FPD (flat panel display) other than the wafer W.

本発明は、被検査体とプローブピンとの間の接触抵抗を十分になおかつ安定して低下させる際に有用である。   The present invention is useful for sufficiently and stably reducing the contact resistance between an object to be inspected and a probe pin.

プローブ装置の構成の概略を示す側面図である。It is a side view which shows the outline of a structure of a probe apparatus. 支持板の平面図である。It is a top view of a support plate. プローブピンがガイド孔に挿入された様子を示す支持板の縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of the support plate which shows a mode that the probe pin was inserted in the guide hole. プローブピンの先端の拡大図である。It is an enlarged view of the tip of a probe pin. ウェハが接触したときのプローブピンの先端の拡大図である。It is an enlarged view of the front-end | tip of a probe pin when a wafer contacts. ウェハに押圧されたときのプローブピンの先端の拡大図である。It is an enlarged view of the tip of a probe pin when pressed by a wafer. カンチレバー型のプローブピンの側面図である。It is a side view of a cantilever type probe pin. 3つの接触子を備えた場合のプローブピンの先端の斜視図である。It is a perspective view of the tip of a probe pin at the time of providing three contacts.

符号の説明Explanation of symbols

1 プローブ装置
2 プローブカード
10 プローブピン
11 支持板
20 ガイド孔
30 先端部
41、42 接触子
P 電極パッド
W ウェハ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Probe apparatus 2 Probe card 10 Probe pin 11 Support plate 20 Guide hole 30 Tip part 41, 42 Contactor P Electrode pad W Wafer

Claims (6)

被検査体と接触して被検査体の電気的特性を検査するためのプローブピンであって、
プローブピンの先端部には、互いに対向する複数本の接触子が形成され、
前記複数本の接触子は、被検査体に押圧された際に内側に撓んでその先端が互いに近づく方向に移動することを特徴とする、プローブピン。
A probe pin for inspecting the electrical characteristics of the test object in contact with the test object,
A plurality of contacts facing each other are formed at the tip of the probe pin,
The probe pins, wherein the plurality of contacts are bent inward and moved in directions in which the tips approach each other when pressed by the object to be inspected.
前記プローブピンの先端部は、基部を有し、
前記複数本の接触子は、後端がそれぞれ基部に接続され、先端側が前記基部から離れるにつれて互いに近づくように形成されていることを特徴とする、請求項1に記載のプローブピン。
The tip of the probe pin has a base,
2. The probe pin according to claim 1, wherein the plurality of contacts are formed such that rear ends thereof are respectively connected to a base portion, and tip ends thereof are closer to each other as the distance from the base portion is increased.
前記接触子の内側には、前記複数本の接触子の先端同士の間隔を維持するためのストッパが形成されていることを特徴とする、請求項1又は2に記載のプローブピン。 The probe pin according to claim 1 or 2, wherein a stopper for maintaining a distance between the tips of the plurality of contacts is formed inside the contact. 前記各接触子の先端の内側には、垂直面が形成され、その垂直面には、凹部が形成されていることを特徴する、請求項1〜3のいずれかに記載のプローブピン。 The probe pin according to any one of claims 1 to 3, wherein a vertical surface is formed inside a tip of each contact, and a concave portion is formed on the vertical surface. 前記接触子は二本であることを特徴とする、請求項1〜4のいずれかに記載のプローブピン。 The probe pin according to claim 1, wherein there are two contacts. 前記プローブピンは、垂直型であることを特徴とする、請求項1〜5のいずれかに記載のプローブピン。 The probe pin according to claim 1, wherein the probe pin is a vertical type.
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