JP2008025025A - Method of manufacturing copper metal having blackened surface, method of manufacturing base material with conductive layer pattern, base material with conductive layer pattern and light transmissive electromagnetic wave shielding member using the same - Google Patents

Method of manufacturing copper metal having blackened surface, method of manufacturing base material with conductive layer pattern, base material with conductive layer pattern and light transmissive electromagnetic wave shielding member using the same Download PDF

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JP2008025025A JP2007162511A JP2007162511A JP2008025025A JP 2008025025 A JP2008025025 A JP 2008025025A JP 2007162511 A JP2007162511 A JP 2007162511A JP 2007162511 A JP2007162511 A JP 2007162511A JP 2008025025 A JP2008025025 A JP 2008025025A
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Tokujin Kikuhara
得仁 菊原
Nobuyuki Yoshida
信之 吉田
Toshishige Uehara
寿茂 上原
Susumu Naoyuki
進 直之
Minoru Tosaka
実 登坂
Kyosuke Suzuki
恭介 鈴木
Yasuhiro Iwasaki
康弘 岩崎
Toshiro Okamura
寿郎 岡村
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Showa Denko Materials Co Ltd
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Hitachi Chemical Co Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing a copper metal layer having a blackened surface. <P>SOLUTION: In the method of manufacturing the copper metal having the blackened surface by depositing copper metal on a conductive base material for plating by plating to blacken the surface, a copper metal layer forming step for depositing copper metal in layer at a first current density and a blackening step for depositing copper metal to have the blackened surface on the surface of the copper metal layer at a second current density larger than the first current density are carried out in one copper pyrophosphate plating bath. The conductive base material for plating can be a conductive base material having a pattern like plated part. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、表面が黒化処理された銅金属の製造法、導電性を有しかつ光透過性を有するようにパターニングされた導体層パターン付き基材の製造法、導体層パターン付き基材及びそれを用いた透光性電磁波遮蔽部材に関する。   The present invention relates to a method for producing a copper metal whose surface is blackened, a method for producing a substrate with a conductor layer pattern patterned so as to have conductivity and light transmittance, a substrate with a conductor layer pattern, and The present invention relates to a translucent electromagnetic wave shielding member using the same.

銅箔は、一般に、不溶性のカソード体と、同じく不溶性のアノード体との間に、これら金属のイオンを含む所定の電解液を供給しながら電解反応を行うことにより目的とする金属をカソード体の表面に所望の厚みだけ電析させて金属導体層を箔として形成し、ついで形成されたその金属導体層をカソード体の表面から剥離することによって製造されている。この場合カソード体としては、ドラム形状のものまたは板状のものが用いられている。
このようにして得られた銅箔は、表面の光沢を消し、また、樹脂への接着性を改良する目的で、その表面を黒化処理されることが知られている。
上記のような銅箔の製造方法を応用して特許文献1に示されるように同一の電解液を使用しつつ二つもしくはそれ以上のアノードを一つのドラム状カソードに対して配置し、めっき浴中にドラム状カソードを半分程度浸漬し、それを回転させつつ第1の電流密度により銅箔を製箔した後、引き続き、第2の電流密度を印加してその表面に微粒子上の銅を析出させることにより、つや消し表面のある銅箔を製造する方法が知られている。しかし、本発明者らの知見によれば、特許文献1の方法により、表面を黒化することは困難である。
In general, a copper foil performs an electrolytic reaction while supplying a predetermined electrolytic solution containing these metal ions between an insoluble cathode body and an insoluble anode body, to thereby obtain a target metal of the cathode body. It is manufactured by depositing a metal conductor layer as a foil by electrodepositing a desired thickness on the surface, and then peeling the formed metal conductor layer from the surface of the cathode body. In this case, a drum-shaped or plate-shaped cathode body is used.
It is known that the copper foil thus obtained is blackened on the surface for the purpose of erasing the gloss of the surface and improving the adhesion to the resin.
A plating bath in which two or more anodes are arranged with respect to one drum-like cathode while using the same electrolytic solution as shown in Patent Document 1 by applying the copper foil manufacturing method as described above. After immersing the drum-shaped cathode in half, and rotating it to form a copper foil with the first current density, the second current density is applied to deposit copper on the fine particles on the surface. By doing so, a method for manufacturing a copper foil having a matte surface is known. However, according to the knowledge of the present inventors, it is difficult to blacken the surface by the method of Patent Document 1.

銅箔としては、銅張積層板の材料となる銅箔のようなべた状の銅箔以外に、電磁波のシールドに用いられるメッシュ状の銅箔などのパターン化された銅箔などがある。   Examples of the copper foil include a patterned copper foil such as a mesh copper foil used for electromagnetic wave shielding, in addition to a solid copper foil such as a copper foil used as a material for a copper clad laminate.

公共施設、ホール、病院、学校、企業ビル、住宅等の壁面、ガラス窓、樹脂パネル、電磁波を発生するディスプレイの表示面等を電磁波遮蔽する方法は、従来種々提案されている。例えば、被遮蔽面上に電磁波遮蔽塗料を全面塗布する方法、被遮蔽面上に金属箔を貼り合わせる方法、金属めっきされた繊維メッシュを樹脂板に熱ラミネートしてなる電磁波遮蔽シートを、被遮蔽面に貼り合わせる方法、導電性繊維をメッシュ状に編んだものを被遮蔽面に貼り合わせる方法等が一般的に行われている。   Various methods have been proposed for shielding electromagnetic waves on the walls of public facilities, halls, hospitals, schools, corporate buildings, houses, etc., glass windows, resin panels, display surfaces of displays that generate electromagnetic waves, and the like. For example, a method of applying an electromagnetic shielding coating over the surface to be shielded, a method of bonding a metal foil on the surface to be shielded, an electromagnetic shielding sheet formed by thermally laminating a metal-plated fiber mesh on a resin plate, In general, a method of bonding to a surface, a method of bonding conductive fibers knitted in a mesh shape to a surface to be shielded, and the like are performed.

これらのうち、透明ガラス面、透明樹脂パネル面、陰極線管(CRT)やプラズマディスプレイパネル(PDP)などのディスプレイの表示面等を電磁波遮蔽する場合においては、電磁波遮蔽用部材がなるべく薄いことが要求されるとともに、光透過性(透明性)と、これに相反する電磁波遮蔽性とをバランスよく両立させることができるものとして、金属メッシュを電磁波シールド層として有する電磁波遮蔽用部材が主流になっている。   Among these, when shielding the electromagnetic wave on the transparent glass surface, the transparent resin panel surface, the display surface of a display such as a cathode ray tube (CRT) or a plasma display panel (PDP), the electromagnetic shielding member is required to be as thin as possible. In addition, an electromagnetic wave shielding member having a metal mesh as an electromagnetic wave shielding layer has become mainstream as a light balance (transparency) and an electromagnetic wave shielding property opposite to this in a balanced manner. .

特許文献2にはメッシュ状に金属電着が可能な電着基板上に金属電解液を使用して金属を電着し、接着剤を介して電磁波遮蔽基板に接着転写して電磁波遮蔽板を作製する方法が記載されている。前記の電着基板は、金属板等の導電性基板の上に、電着を阻害する絶縁性膜でメッシュパタ−ンと逆のパターンを形成し、この結果、メッシュ状に金属電着が可能な電着部を露出させるようにして作製される。この電着基板を用いた場合、数回〜数十回程度の繰り返し使用は可能であるが、数百回〜数千回繰り返し使用が出来ず量産レベルにはならないという問題がある。これは、電着基板上のメッシュパターンを形成する絶縁膜が、接着転写により剥離応力を受け、少々の繰り返し使用でめっき用導電性基材から絶縁膜が剥離してしまうためである。   In Patent Document 2, a metal electrolyte is electrodeposited on an electrodeposition substrate capable of metal electrodeposition in a mesh shape, and an electromagnetic wave shielding plate is produced by adhesive transfer to an electromagnetic wave shielding substrate via an adhesive. How to do is described. The above-mentioned electrodeposition substrate is formed on a conductive substrate such as a metal plate with a pattern opposite to the mesh pattern made of an insulating film that inhibits electrodeposition. As a result, metal electrodeposition in a mesh shape is possible. It is produced so that a simple electrodeposition portion is exposed. When this electrodeposition substrate is used, it can be used repeatedly several times to several tens of times, but there is a problem that it cannot be used several hundred times to several thousand times and does not reach a mass production level. This is because the insulating film forming the mesh pattern on the electrodeposition substrate is subjected to peeling stress by adhesion transfer, and the insulating film is peeled off from the electroconductive substrate for plating after a few repeated uses.

前記特許文献2記載の転写法において、金属電着を行う工程と黒化処理する工程は別工程である。金属電着を行う工程で使用する溶液と黒化処理する工程で使用する溶液は通常お互いにめっき槽内で混ざり合うことが許されず、同一工程で行うことができない。そのために十分な水洗、さらには黒化処理の前処理工程が必要となる場合があり、製造に要する時間及びコスト、環境負荷は小さくない。   In the transfer method described in Patent Document 2, the step of metal electrodeposition and the step of blackening are separate steps. The solution used in the metal electrodeposition process and the solution used in the blackening process are usually not allowed to mix with each other in the plating tank, and cannot be performed in the same process. Therefore, sufficient water washing and further a blackening treatment pretreatment step may be required, and the time, cost, and environmental load required for production are not small.

特表2002−506484号公報Japanese translation of PCT publication No. 2002-506484 特開平11−119675号公報JP 11-119675 A

本発明は、表面が黒化された銅金属層又は銅金属を効率よく生産する方法を提供することを目的とする。
本発明は、また、めっき用導電性基材上にパターン上の金属を電着析出させる工程と析出させた金属の表面を効率的に黒化処理する工程を行い、黒化処理された導体層パターン付き基材を生産性良く製造する方法を提供することを目的とする。
本発明は、これらの方法において、さらに、電着基板(めっき用導電性基材)が繰返しの使用に耐え、量産性に優れた方法を提供するものである。
本発明は、上記の導体層パターン付き基材の製造法において、さらに、電着析出した金属の転写がより円滑に行われる導体層パターン付き基材の製造方法を提供するものである。
本発明は、また、このような方法により得られる電磁波シールド性及び光透過性が優れる導体層パターン付き基材及びこれを用いた電磁波遮蔽部材を提供するものである。
An object of the present invention is to provide a method for efficiently producing a copper metal layer or copper metal having a blackened surface.
The present invention also includes a step of electrodepositing and depositing a metal on a pattern on a conductive substrate for plating, and a step of efficiently blackening the surface of the deposited metal, thereby conducting a blackened conductor layer It aims at providing the method of manufacturing a substrate with a pattern with sufficient productivity.
In these methods, the present invention further provides a method in which the electrodeposition substrate (conductive substrate for plating) can withstand repeated use and is excellent in mass productivity.
This invention provides the manufacturing method of the base material with a conductor layer pattern in which the transfer of the electrodeposited metal is performed more smoothly in the manufacturing method of the base material with a conductor layer pattern.
The present invention also provides a substrate with a conductor layer pattern, which is obtained by such a method and has excellent electromagnetic shielding properties and light transmission properties, and an electromagnetic shielding member using the same.

本発明は次のものに関する。
1. めっき用導電性基材上にめっきにより銅金属を析出させ、その表面を黒化処理する表面が黒化処理された銅金属の製造方法において、第1電流密度の下に層状に銅金属を析出させる銅金属層形成工程、及び、第1の電流密度よりも大きい第2の電流密度の下に上記銅金属層の表面に、その表面が黒色になるように銅金属を析出させる黒化処理工程を、一つのピロリン酸銅めっき浴中にて行うことを特徴とする表面が黒化処理された銅金属層の製造方法。
2. 銅金属層形成工程を第1の電流密度を含む第1の電着領域において行い、黒化処理工程を第2の電流密度を含む第2の電着領域において行う表面が黒化処理された銅金属層の製造方法。
3. 黒化処理工程において、明度25の黒色を背景にして、開口率が50%の光透過部の明度が25〜50、又はa*及びb*が共に5以下になるように銅金属を析出させる項1又は2記載の表面が黒化処理された銅金属層の製造方法。
4. 黒化処理工程において、明度25の黒色を背景にして、開口率が40%以上の光透過部の色度a*及びb*が共に2.8以下になるように金属を析出させる項1又は2記載の表面が黒化処理された銅金属層の製造方法。
5. 黒化処理工程において、開口率が40%未満であって、明度25の黒色を背景にした光透過部又は光未透過部の色度a*及びb*が共に5以下になるように金属を析出させる項1又は2記載の表面が黒化処理された銅金属層の製造方法。
6. ピロリン酸銅メッキ浴が添加剤としてモリブデン等VI族元素、及びコバルト、ニッケル等VIII族元素のうち一つ又はそれ以上を含む合金めっき浴である項1〜5のいずれかに記載の表面が黒化処理された銅金属層の製造方法。
7. 第1の電流密度が0.5〜40A/dmである項1〜6のいずれか1項に記載の表面が黒化処理された銅金属層の製造方法。
8. めっき用導電性基材が、パターン状のめっき部を有する導電性基材である項1〜7のいずれか1項に記載の表面が黒化処理された銅金属層の製造方法。
9. めっき用導電性基材が、パターン状のめっき部として凸部のパターンを有する導電性基材である項8記載の表面が黒化処理された銅金属層の製造方法。
10. めっき用導電性基材が、凸部のパターンによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材であって、その凸部の先端部分に銅金属を析出させる項9記載の表面が黒化処理された銅金属層の製造方法。
11. めっき用導電性基材は、その凹部が絶縁層で被覆されているが凸部の先端部分は露出しており、その露出部分の幅が1μm〜40μmであって、凹部に絶縁層を施した後の凸部の高さが、10μm以上である項10に記載の表面が黒化処理された銅金属層の製造方法。
12. めっき用導電性基材の凹部に絶縁層を施した後の凸部の高さが、10μm以上である項11記載の表面が黒化処理された銅金属層の製造方法。
13. めっき用導電性基材の絶縁層の厚さが凸部側面におけるその端付近では10μm以下である項11又は12に記載の表面が黒化処理された銅金属層の製造方法。
14. めっき用導電性基材の凸部の間隔が100μm〜1000μmである項7〜10のいずれか1項に記載の表面が黒化処理された銅金属層の製造方法。
めっき用導電性基材の凸部の上端から0.5〜5μm低い位置よりも低い位置の凹部表面に絶縁層が形成されている項9〜13のいずれか1項に記載の表面が黒化処理された銅金属層の製造方法。
15. めっき用導電性基材が、パターン状のめっき部として凹部のパターンを有する導電性基材である項8記載の表面が黒化処理された銅金属層の製造方法。
16. めっき用導電性基材が回転体、または回転体に取り付けられた平板である項1〜15のいずれか1項に記載の表面が黒化処理された銅金属層の製造方法。
17. 導電性基材として、回転体からなる導電性基材又は回転体に取り付けた導電性基材を使用し、その一部をメッキ液に浸漬させ、回転体を回転させつつ、金属パターン作製工程及び転写工程を行う項1〜15のいずれか1項に記載の表面が黒化処理された銅金属の製造方法。
18. 銅金属層形成工程において、導電性基材のめっき部において銅金属の厚さが0.1〜20μmになるように銅金属を析出させる項1〜17のいずれか1項に記載の表面が黒化処理された銅金属層の製造方法。
19. 前記第1の電流密度の下に銅金属層を形成する銅金属層形成工程を行うための第1の陽極と、前記第2の電流密度の下に前記導電性金属層の表面にその表面が黒色になるように金属を析出させる黒化処理工程を行うための第2の陽極とが、互いに離れて前記メッキ液の中に浸漬されており、前記各陽極の間には、絶縁体で構成された遮断部材が設けられていることを特徴とする項1〜18のいずれかに1項に記載の表面が黒化処理された銅金属層の製造方法。
20. 前記第1の電流密度の下に銅金属層を形成する銅金属層形成工程を行うための第1の陽極と、前記第2の電流密度の下に前記銅金属層の表面にその表面が黒色になるように金属を析出させる黒化処理工程を行うための第2の陽極とが兼用されており、前記第1の電流密度の下で前記導電層形成工程の形成後、前記第2の電流密度の下で前記黒化処理工程を行うことを特徴とする項1〜18のいずれか1項に記載の表面が黒化処理された銅金属層の製造方法。
21. 項1〜20のいずれか1項に記載の表面が黒化処理された銅金属層の製造方法を行った後、表面が黒化処理された銅金属層をめっき用導電性基材から剥離することを特徴とする表面が黒化処理された銅金属の製造方法。
22. パターン状のめっき部を有するめっき用導電性基材のめっき部に電気めっきにより銅金属を析出させる金属パターン作製工程及び導電性基材上に析出した銅金属を接着性支持体に転写する転写工程を含む導体層パターン付き基材の製造方法において、
金属パターン作製工程が第1の電流密度の下に銅金属層を形成する導電層形成工程、及び、前記第1の電流密度よりも大きい第2の電流密度の下に前記銅金属層の表面に、その表面が黒色になるように金属を析出させる黒化処理工程を、一つのピロリン酸銅メッキ浴中にて行うことを特徴とする導体層パターン付き基材の製造方法。
23. 導電層形成工程を第1の電流密度を含む第2の電着領域において行い、黒化処理工程を第2の電流密度を含む第2の電着領域において行う項22記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
24. 黒化処理工程において、明度25の黒色を背景にして、開口率が50%の光透過部の明度が25〜50、又は色度a*及びb*が共に5以下になるように金属を析出させる項22又は23記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
25. 黒化処理工程において、明度25の黒色を背景にして、開口率が40%以上光透過部の色度a*及びb*が共に2.8以下になるように金属を析出させる項22又は23記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
26. 黒化処理工程において、開口率が40%未満であって、明度25の黒色を背景にした光透過部又は光未透過部の色度a*及びb*が共に5以下になるように金属を析出させる項22又は23記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
27. ピロリン酸銅メッキ浴が添加剤としてモリブデン等VI族元素、及びコバルト、ニッケル等VIII族元素のうち一つ又はそれ以上を含む合金めっき浴である項22〜26のいずれかに記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
28. 第1の電流密度が0.5〜40A/dmである項22〜27のいずれか1項に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
29. めっき用導電性金属が、パターン状のめっき部として凸部のパターンを有するものである項22〜28のいずれかに記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
30. めっき用導電性金属が、凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材であって、その凸部の先端部分に銅金属を析出させる項29記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
31. めっき用導電性基材の凹部が絶縁層で被覆されているが凸部の先端部分は露出しており、その露出部分の幅が1μm〜40μmであって、凹部に絶縁層を施した後の凸部の高さが、10μm以上である項29又は30のいずれかに記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
32. めっき用導電性基材の凹部に絶縁層を施した後の凸部の高さが、10μm以上である項31記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
33. めっき用導電性基材の絶縁層の厚さが凸部側面におけるその端付近では10μm以下である項31又は32に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
34. めっき用導電性基材の凸部の間隔が100μm〜1000μmである項29〜33のいずれか1項に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
35. めっき用導電性基材の凸部の上端から0.5〜5μm低い位置よりも低い位置の凹部表面に絶縁層が形成されている項29〜34のいずれか1項に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
36. めっき用導電性基材が、パターン状のめっき部として凹部のパターンを有する導電性基材である項22〜28のいずれか1項に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
37. 凹部の幅が1〜60μm及び凹部の間隔が50〜1000μmである項36記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
38. 導電性基材が回転体、または回転体に取り付けられた平板である項22〜37のいずれか1項に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
39. 導電性基材として、回転体からなる導電性基材又は回転体に取り付けた導電性基材を使用し、その一部をメッキ液に浸漬させ、回転体を回転させつつ、金属パターン作製工程及び転写工程を行う項22〜38のいずれか1項に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
40. 導電層形成工程において、導電性基材のめっき部において金属の厚さが0.1〜20μmになるように金属を析出させる項22〜39のいずれか1項に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
41. めっきに用いる金属が、20℃における体積抵抗率で20μΩ/cm以下の金属を少なくとも1種類以上含むものである項22〜40のいずれか1項に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
42. 項22〜項41のいずれか1項に記載の導体層パターン付き基材の製造方法において、
前記第1の電流密度の下に導電性金属層を形成する導電層形成工程を行うための第1の陽極と、前記第2の電流密度の下に前記導電性金属層の表面にその表面が黒色になるように金属を析出させる黒化処理工程を行うための第2の陽極とが、互いに離れて前記メッキ液の中に浸漬されており、前記各陽極の間には、絶縁体で構成された遮断部材が設けられていることを特徴とする導体層パターン付き基材の製造方法。
43. 項22〜項41のいずれか1項に記載の導体層パターン付き基材の製造方法において、
前記第1の電流密度の下に導電性金属層を形成する導電層形成工程を行うための第1の陽極と、前記第2の電流密度の下に前記導電性金属層の表面にその表面が黒色になるように金属を析出させる黒化処理工程を行うための第2の陽極とが兼用されており、前記第1の電流密度の下で前記導電層形成工程の形成後、前記第2の電流密度の下で前記黒化処理工程を行うことを特徴とする導体層パターン付き基材の製造方法。
44. 項22〜43のいずれか1項に記載の方法により製造された導体層パターン付き基材。
45. 項44記載の導体層パターン付き基材の導体層パターンを有する面を透明基板に貼りあわせてなる透光性電磁波遮蔽部材。
46. 項44に記載の導体層パターン付き基材の導体層パターンを樹脂で被覆してなる透光性電磁波遮蔽部材。
The present invention relates to the following.
1. In the copper metal manufacturing method in which copper metal is deposited by plating on a conductive base material for plating and the surface of which is blackened, and the surface is blackened, the copper metal is deposited in layers under the first current density And a blackening treatment step of depositing copper metal on the surface of the copper metal layer under a second current density higher than the first current density so that the surface is black. Is performed in one copper pyrophosphate plating bath, a method for producing a copper metal layer having a blackened surface.
2. The copper metal layer forming step is performed in the first electrodeposition region including the first current density, and the blackening treatment step is performed in the second electrodeposition region including the second current density. A method for producing a metal layer.
3. In the blackening treatment step, copper metal is deposited so that the light transmission portion having an aperture ratio of 50% has a lightness of 25 to 50, or both a * and b * are 5 or less against a black background of lightness 25. Item 3. A method for producing a copper metal layer, wherein the surface according to item 1 or 2 is blackened.
4). In the blackening treatment step, the metal is deposited so that the chromaticity a * and b * of the light transmission part having an aperture ratio of 40% or more are both 2.8 or less against a black background of brightness 25 2. A method for producing a copper metal layer whose surface is blackened.
5. In the blackening treatment step, the metal is applied so that the aperture ratio is less than 40% and the chromaticity a * and b * of the light transmitting portion or the light non-transmitting portion with a lightness of 25 as a background is both 5 or less. The manufacturing method of the copper metal layer by which the surface of claim | item 1 or 2 to be deposited was blackened.
6). Item 6. The surface according to any one of Items 1 to 5, wherein the copper pyrophosphate plating bath is an alloy plating bath containing one or more of Group VI elements such as molybdenum and Group VIII elements such as cobalt and nickel as additives. Method for manufacturing a copper metal layer subjected to chemical treatment.
7). The manufacturing method of the copper metal layer by which the surface of any one of claim | item 1-6 whose 1st current density is 0.5-40 A / dm < 2 > was blackened.
8). The manufacturing method of the copper metal layer by which the surface of any one of claim | item 1-7 whose electroconductive base material for plating is a conductive base material which has a pattern-shaped plating part was blackened.
9. The manufacturing method of the copper metal layer by which the surface of the claim | item 8 whose electroconductive base material for plating is a conductive base material which has a pattern of a convex part as a pattern-shaped plating part was blackened.
10. The conductive base material for plating is a conductive base material having a geometrical figure-shaped concave portion drawn by a pattern of convex portions, and the surface according to item 9 for depositing copper metal on the tip portion of the convex portion is black. Method for manufacturing a copper metal layer subjected to chemical treatment.
11. The conductive base material for plating is covered with an insulating layer in the concave portion, but the tip portion of the convex portion is exposed, the width of the exposed portion is 1 μm to 40 μm, and an insulating layer is applied to the concave portion. Item 11. The method for producing a copper metal layer having a blackened surface according to Item 10, wherein the height of the subsequent convex portion is 10 μm or more.
12 The manufacturing method of the copper metal layer by which the surface of the claim | item 11 whose surface of the convex part after giving an insulating layer to the recessed part of the electroconductive base material for plating was 10 micrometers or more was blackened.
13. Item 13. The method for producing a copper metal layer having a blackened surface according to Item 11 or 12, wherein the thickness of the insulating layer of the conductive base material for plating is 10 μm or less near the end of the convex side surface.
14 The manufacturing method of the copper metal layer by which the surface of any one of claim | item 7-10 whose space | interval of the convex part of the electroconductive base material for plating is 100 micrometers-1000 micrometers was blackened.
Item 14. The surface according to any one of Items 9 to 13, wherein the insulating layer is formed on the concave surface at a position lower than the position lower by 0.5 to 5 μm than the upper end of the convex portion of the conductive substrate for plating. A method for producing a treated copper metal layer.
15. The manufacturing method of the copper metal layer by which the surface of the claim | item 8 whose electroconductive base material for plating is a conductive base material which has a pattern of a recessed part as a pattern-shaped plating part was blackened.
16. Item 16. The method for producing a copper metal layer having a blackened surface according to any one of Items 1 to 15, wherein the electroconductive substrate for plating is a rotating body or a flat plate attached to the rotating body.
17. As the conductive substrate, a conductive substrate made of a rotating body or a conductive substrate attached to the rotating body is used, a part of the substrate is immersed in a plating solution, and while rotating the rotating body, a metal pattern manufacturing step and Item 16. The method for producing a copper metal having a blackened surface according to any one of Items 1 to 15, wherein the transfer step is performed.
18. The copper metal layer forming step, wherein the copper metal is deposited so that the thickness of the copper metal is 0.1 to 20 μm in the plated portion of the conductive base material, the surface according to any one of items 1 to 17 is black. Method for manufacturing a copper metal layer subjected to chemical treatment.
19. A first anode for performing a copper metal layer forming step of forming a copper metal layer under the first current density; and a surface of the conductive metal layer under the second current density. A second anode for performing a blackening treatment step for depositing metal so as to be black is immersed in the plating solution apart from each other, and an insulator is provided between the anodes. The manufacturing method of the copper metal layer by which the surface as described in any one of claim | item 1-18 characterized by the blackened surface is provided.
20. A first anode for performing a copper metal layer forming step of forming a copper metal layer under the first current density; and a black surface on the surface of the copper metal layer under the second current density And the second anode for performing the blackening treatment step for depositing the metal so that the second current flows after the formation of the conductive layer under the first current density. The method for producing a copper metal layer having a blackened surface according to any one of Items 1 to 18, wherein the blackening treatment step is performed under a density.
21. After performing the manufacturing method of the copper metal layer by which the surface of any one of claim | item 1 -20 was blackened, the copper metal layer by which the surface was blackened is peeled from the electroconductive substrate for plating. A method for producing a copper metal whose surface is blackened.
22. Metal pattern preparation step for depositing copper metal by electroplating on the plating portion of the conductive substrate for plating having a patterned plating portion, and a transfer step for transferring the copper metal deposited on the conductive substrate to the adhesive support In a method for producing a substrate with a conductor layer pattern comprising:
A conductive layer forming step in which a metal pattern forming step forms a copper metal layer under a first current density; and a surface of the copper metal layer under a second current density greater than the first current density. A method for producing a substrate with a conductor layer pattern, wherein the blackening treatment step of depositing metal so that the surface is black is performed in one copper pyrophosphate plating bath.
23. Item 23. The conductive layer patterned base according to Item 22, wherein the conductive layer forming step is performed in the second electrodeposition region including the first current density, and the blackening treatment step is performed in the second electrodeposition region including the second current density. A method of manufacturing the material.
24. In the blackening treatment process, the metal is deposited so that the light transmission part having an aperture ratio of 50% has a lightness of 25 to 50, or the chromaticities a * and b * are both 5 or less, with a black background of 25 Item 24. The method for producing a substrate with a conductor layer pattern according to Item 22 or 23.
25. Item 22 or 23 in which, in the blackening treatment step, metal is deposited so that the aperture ratio is 40% or more and the chromaticity a * and b * of the light transmission part are both 2.8 or less against a black background of brightness 25 The manufacturing method of the base material with a conductor layer pattern of description.
26. In the blackening treatment step, the metal is applied so that the aperture ratio is less than 40% and the chromaticity a * and b * of the light transmitting portion or the light non-transmitting portion with a lightness of 25 as a background is both 5 or less. Item 24. A method for producing a substrate with a conductor layer pattern according to Item 22 or 23.
27. Item 27. The conductor layer pattern according to any one of Items 22 to 26, wherein the copper pyrophosphate plating bath is an alloy plating bath containing one or more of Group VI elements such as molybdenum and Group VIII elements such as cobalt and nickel as additives. A manufacturing method of a substrate with a mark.
28. The manufacturing method of the base material with a conductor layer pattern of any one of claim | item 22-27 whose 1st current density is 0.5-40 A / dm < 2 >.
29. Item 29. The method for producing a substrate with a conductor layer pattern according to any one of Items 22 to 28, wherein the electroconductive metal for plating has a pattern of convex portions as a patterned plating portion.
30. Item 29. The conductive layer according to Item 29, wherein the conductive metal for plating is a conductive base material having a convex pattern and a concave portion having a geometrical shape drawn by the convex pattern, and deposits copper metal on a tip portion of the convex portion. A method for producing a patterned substrate.
31. Although the concave portion of the conductive substrate for plating is covered with an insulating layer, the tip portion of the convex portion is exposed, the width of the exposed portion is 1 μm to 40 μm, and the insulating layer is applied to the concave portion. Item 31. The method for producing a substrate with a conductor layer pattern according to Item 29 or 30, wherein the height of the convex portion is 10 μm or more.
32. Item 32. The method for producing a substrate with a conductor layer pattern according to Item 31, wherein the height of the convex portion after applying the insulating layer to the concave portion of the conductive base material for plating is 10 μm or more.
33. Item 33. The method for producing a substrate with a conductor layer pattern according to Item 31 or 32, wherein the thickness of the insulating layer of the conductive substrate for plating is 10 μm or less near the end of the side surface of the convex portion.
34. Item 34. The method for producing a substrate with a conductor layer pattern according to any one of Items 29 to 33, wherein the interval between the convex portions of the conductive substrate for plating is 100 µm to 1000 µm.
35. Item 35. The conductor layer pattern according to any one of items 29 to 34, wherein an insulating layer is formed on the concave surface at a position lower than a position lower by 0.5 to 5 μm than the upper end of the convex portion of the conductive base material for plating. A method for producing a substrate.
36. Item 29. The method for producing a substrate with a conductor layer pattern according to any one of Items 22 to 28, wherein the conductive substrate for plating is a conductive substrate having a concave pattern as a patterned plating portion.
37. Item 37. The method for producing a substrate with a conductor layer pattern according to Item 36, wherein the width of the recess is 1 to 60 µm and the interval between the recesses is 50 to 1000 µm.
38. Item 38. The method for producing a substrate with a conductor layer pattern according to any one of Items 22 to 37, wherein the conductive substrate is a rotating body or a flat plate attached to the rotating body.
39. As the conductive substrate, a conductive substrate made of a rotating body or a conductive substrate attached to the rotating body is used, a part of the substrate is immersed in a plating solution, and while rotating the rotating body, a metal pattern manufacturing step and 40. The method for producing a substrate with a conductor layer pattern according to any one of Items 22 to 38, wherein the transfer step is performed.
40. 40. The substrate with a conductor layer pattern according to any one of Items 22 to 39, wherein, in the conductive layer forming step, the metal is deposited so that the thickness of the metal is 0.1 to 20 μm in the plated portion of the conductive substrate. Manufacturing method.
41. Item 41. The method for producing a substrate with a conductor layer pattern according to any one of Items 22 to 40, wherein the metal used for plating contains at least one metal having a volume resistivity of 20 μΩ / cm or less at 20 ° C.
42. In the method for producing a substrate with a conductor layer pattern according to any one of Items 22 to 41,
A first anode for performing a conductive layer forming step of forming a conductive metal layer under the first current density; and a surface of the conductive metal layer under the second current density. A second anode for performing a blackening treatment step for depositing metal so as to be black is immersed in the plating solution apart from each other, and an insulator is provided between the anodes. The manufacturing method of the base material with a conductor layer pattern characterized by the above-mentioned.
43. In the method for producing a substrate with a conductor layer pattern according to any one of Items 22 to 41,
A first anode for performing a conductive layer forming step of forming a conductive metal layer under the first current density; and a surface of the conductive metal layer under the second current density. A second anode for performing a blackening treatment step for depositing metal so as to be black is also used, and after the formation of the conductive layer under the first current density, the second anode The manufacturing method of the base material with a conductor layer pattern characterized by performing the said blackening process process under an electric current density.
44. Item 44. A substrate with a conductor layer pattern, produced by the method according to any one of Items 22 to 43.
45. Item 45. A translucent electromagnetic wave shielding member obtained by bonding a surface having a conductor layer pattern of a substrate with a conductor layer pattern according to Item 44 to a transparent substrate.
46. Item 45. A translucent electromagnetic wave shielding member obtained by coating the conductor layer pattern of the substrate with a conductor layer pattern according to Item 44 with a resin.

本発明によれば、銅金属層の作製とその表面の黒化処理を一つのめっき浴中で行うことができるので、表面が黒化された銅金属層又は銅金属を生産性良く作製することができる。これにより、また、導体層パターン付き基材を生産性よく作製することができる。   According to the present invention, the copper metal layer and the surface blackening treatment can be performed in one plating bath, so that the surface blackened copper metal layer or copper metal can be produced with high productivity. Can do. Thereby, a base material with a conductor layer pattern can also be produced with high productivity.

めっき部がパターン化された凸部であるめっき用導電性基材を使用し、その凸部に対応した凹部に絶縁層を有する場合は、不要な金属めっきがなく、上記の方法において、さらに生産速度を向上させることができ、また、導体層パターン付き基材の製造における転写に際し、析出した金属の剥離も効率よく行われる。これらの製造に使用される導電性基材は、一度作製すれば繰返し使用できるため、製造工程が全体として減少し、生産効率がよくなる。   When using a conductive substrate for plating whose plating is a patterned convex part and having an insulating layer in the concave part corresponding to the convex part, there is no unnecessary metal plating, and further production in the above method The speed can be improved, and the deposited metal is efficiently peeled off during the transfer in the production of the substrate with the conductor layer pattern. Since the electroconductive base material used for these manufacture can be repeatedly used once produced, a manufacturing process reduces as a whole and production efficiency improves.

導電性基材として金属製の回転体、または金属製の回転体に導電性基材を電気的に結合することにより、連続して表面が黒化処理された銅金属層の作製、また、その金属層の接着性支持体への転写を行うことができるため、さらに生産効率がよくなる。   A metal rotating body as a conductive substrate, or a copper metal layer whose surface is continuously blackened by electrically coupling the conductive substrate to a metal rotating body, and its Since the transfer of the metal layer to the adhesive support can be performed, the production efficiency is further improved.

また、本発明において導電性基材の凸部の先端部分に析出した金属の表面に金属析出工程と一連の工程で細線部、幅広部を問わず均一に粉落ちのない黒化処理を施すことができる。これにより、導体層形成工程と黒化処理工程を含む金属パターン作製工程を短縮することが可能となる。第2の電着領域において黒色金属の析出条件を好適に制御することにより黒色金属を粒状あるいは瘤状に析出させることにより粉落ちのない良好な黒化処理を施すことができる。   Further, in the present invention, the metal surface deposited on the tip of the convex portion of the conductive base material is subjected to a blackening process that does not cause powder falling uniformly regardless of the thin wire portion and the wide portion in the metal deposition step and a series of steps. Can do. Thereby, it becomes possible to shorten the metal pattern production process including the conductor layer forming process and the blackening process. By suitably controlling the black metal deposition conditions in the second electrodeposition region, the black metal can be deposited in the form of particles or lumps, whereby a good blackening treatment without powder falling can be performed.

前記の導電層パターンを利用して得られる電磁波遮蔽体は、光透過性に優れている。このためディスプレイの電磁波遮蔽体として使用した場合、その輝度を高めることなく通常の状態とほぼ同様の条件下で鮮明な画像を快適に、電磁波による体への悪影響なく観賞することができる。また、その電磁波遮蔽体は電磁波遮蔽性に優れるため、ディスプレイそのほかの電磁波を発生する装置、あるいは外部からの電磁波から保護される測定装置、測定機器や製造装置の筐体、特に透明性を要求される覗き窓のような部位に設けて使用すると効果が大きい。さらに、本発明における電磁波遮蔽体は前記の導体層パターン付き基材と同様、生産効率よく製造することができる。   The electromagnetic wave shielding body obtained using the conductive layer pattern is excellent in light transmittance. For this reason, when used as an electromagnetic wave shielding body of a display, a clear image can be comfortably viewed without adversely affecting the body due to electromagnetic waves without increasing the luminance. In addition, since the electromagnetic wave shielding body is excellent in electromagnetic wave shielding properties, it is required to be transparent, especially for a display or other device that generates electromagnetic waves, or a measuring device that is protected from external electromagnetic waves, a measuring instrument or a manufacturing device. It is very effective if it is used at a site such as a viewing window. Furthermore, the electromagnetic wave shielding body in the present invention can be produced with high production efficiency as in the case of the substrate with a conductor layer pattern.

前記導体層パターン付き基材の導体層パターンを有する面への透明基板貼合せ、または透明樹脂のコーティングにより、導体層パターンを保護することができる。別の基材の導体層転写面に予め接着剤層を形成していた場合には、この接着剤層への異物の付着の防止効果も有する。また、このとき透明基板の貼り合わせは接着剤層に透明基板を直接又は別の接着剤を介して加圧して貼り合わせることにより行うことができる。この場合適度な圧力により導体層パターンが接着剤層に埋設されるので、透明性や透明基板との密着性を向上させることが可能である。   The conductor layer pattern can be protected by laminating a transparent substrate on the surface having the conductor layer pattern of the substrate with the conductor layer pattern, or by coating with a transparent resin. In the case where an adhesive layer is formed in advance on the conductor layer transfer surface of another base material, it also has an effect of preventing foreign matter from adhering to the adhesive layer. At this time, the transparent substrate can be bonded by pressing the transparent substrate directly or through another adhesive to the adhesive layer. In this case, since the conductor layer pattern is embedded in the adhesive layer with an appropriate pressure, it is possible to improve transparency and adhesion to the transparent substrate.

導体層パターン付き透明基材を利用すれば高い光透過性(特に、導体層パターンの線幅が小さく高精細)と良導電性(高電磁波シールド性)を兼ね備える電磁波遮蔽体を容易に得ることができる。このためPDP等のディスプレイの電磁波遮蔽体として使用した場合、その輝度を高めることなく通常の状態とほぼ同様の条件下で鮮明な画像を快適に鑑賞することができる。また、その電磁波遮蔽体は電磁波遮蔽性に優れているため、ディスプレイその他の電磁波を発生する装置、あるいは電磁波から保護されるべき測定装置、測定機器、製造装置等の内部を覗く窓や筐体、特に透明性を要求される窓やディスプレイ表面のような部位に設けて使用すると効果が大きい。さらに、本発明における電磁波遮蔽体の製造法は、前記の導体層パターンの製造に於けると同様、生産効率が優れる。   By using a transparent substrate with a conductor layer pattern, it is possible to easily obtain an electromagnetic wave shielding body having both high light transmittance (particularly, the line width of the conductor layer pattern is small and high definition) and good conductivity (high electromagnetic shielding properties). it can. For this reason, when used as an electromagnetic wave shield for a display such as a PDP, a clear image can be comfortably viewed under almost the same conditions as in a normal state without increasing the luminance. In addition, since the electromagnetic wave shielding body is excellent in electromagnetic wave shielding properties, a display or other device that generates electromagnetic waves, or a window or housing that looks into the inside of a measuring device, measuring device, manufacturing device, etc. that should be protected from electromagnetic waves, In particular, the effect is great if it is used by being provided in a part such as a window or display surface where transparency is required. Furthermore, the production method of the electromagnetic wave shielding body according to the present invention is excellent in production efficiency as in the production of the conductor layer pattern.

本発明において、導電性基材に用いられる導電性材料は、その表面に電気めっきで金属を析出させるために十分な導電性を有するものであり、金属であることが特に好ましい。また、その基材は表面に電気めっきにより形成された金属層を接着性支持体に転写させることができるように、その上に形成された金属層との密着力が低く、容易に剥離できるものであることが好ましい。このような導電性基材の材料としてはステンレス鋼、クロムめっきされた鋳鉄、クロムめっきされた鋼、チタン、チタンをライニングした材料、ニッケルなどが特に好ましい。   In this invention, the electroconductive material used for an electroconductive base material has sufficient electroconductivity in order to deposit a metal on the surface by electroplating, and it is especially preferable that it is a metal. In addition, the base material has low adhesion to the metal layer formed on the surface so that the metal layer formed by electroplating on the surface can be transferred to the adhesive support, and can be easily peeled off. It is preferable that As such a conductive base material, stainless steel, chrome-plated cast iron, chrome-plated steel, titanium, titanium-lined material, nickel and the like are particularly preferable.

前記の導電性基材の形状としては、シート状、プレート状、ロール状、フープ状等がある。ロール状の場合は、シート状、プレート状のものを回転体(ロール)に取り付けたものであってもよい。フープ状の場合は、フープの内側の2箇所から数箇所にロールを設置し、そのロールにフープ状の導電性基材を通すような形態等が考えられる。ロール状、フープ状ともに金属箔を連続的に生産することが可能であるため、シート状、プレート状に比較すると、生産効率が高く、好ましい。導電性基材をロールに巻きつけて使用する場合、ロールとして導電性のものを使用し、ロールと導電性基材が容易に導通するようにしたものが好ましい。   Examples of the shape of the conductive substrate include a sheet shape, a plate shape, a roll shape, and a hoop shape. In the case of a roll, a sheet or plate attached to a rotating body (roll) may be used. In the case of a hoop shape, a configuration in which rolls are installed at two to several locations inside the hoop and a hoop-shaped conductive base material is passed through the roll can be considered. Since it is possible to continuously produce a metal foil in both a roll shape and a hoop shape, the production efficiency is higher than that in a sheet shape or a plate shape, which is preferable. When the conductive substrate is used by being wound around a roll, a conductive roll is preferably used so that the roll and the conductive substrate are easily conducted.

本発明におけるめっき用導電性基材は、ベタ状の銅箔が作製できるように前記した導電性基材上にめっき部を滑らかな面で有するものであってもよい。
また、本発明におけるめっき用導電性基材は、パターン状のめっき部を有する導電性基材であってもよい。この場合、めっき部以外は、絶縁層で被覆されていることが好ましい。このめっき用導電性基材を用いることにより、表面が黒化処理されたパターン化銅金属を作製することができる。
The conductive substrate for plating in the present invention may have a plated portion on a smooth surface on the above-described conductive substrate so that a solid copper foil can be produced.
Moreover, the conductive base material for plating in the present invention may be a conductive base material having a patterned plating portion. In this case, it is preferable that the portion other than the plated portion is covered with an insulating layer. By using this conductive substrate for plating, a patterned copper metal whose surface is blackened can be produced.

パターン状のめっき部を有する導電性基材としては、パターン状のめっき部として凹部のパターンを有する導電性基材を用いることができる。少なくとも凹部の底面では、電気メッキが可能なように、導電性基材又は導電性基材と導通している導電性材料が露出している。
導電性基材に凹部のパターンからなるパターン状のめっき部を作製する方法としては、導電性基材上にパターン化されたレジスト膜を形成する方法がある。
すなわち、フォトリソグラフ法又は印刷法によって、導電性基材に光硬化性樹脂あるいは熱硬化性樹脂により幾何学図形状のパターン(レジストパターン)を形成する方法である。残存しているレジスト膜が絶縁層として機能し、不要なレジストが除去された箇所は、導電性基材が露出しており、この部分がめっき部となる。
さらに詳しく説明すると
(イ)導電性基材の上に感光性レジスト層を形成する工程、
(ロ)感光性レジスト層を凹部のパターンに対応したマスクを通して露光する工程
及び
(ハ)露光後の感光性レジスト層を現像する工程
により、パターン状のめっき部として凹部のパターンを有する導電性基材を作製することができる。
また、
(イ′)導電性基材の上に感光性レジスト層を形成する工程、
(ロ′)感光性レジスト層に凹部のパターンに対応した部分にレーザー光を照射する工程
及び
(ハ′)レーザー光を照射後の感光性レジスト層を現像する工程
によりパターン状のめっき部として凹部のパターンを有する導電性基材を作製することができる。この方法において、感光性レジストの代わりに熱硬化性樹脂を用い、レーザー光の照射により、不要部を除去する方法を採用することもできる。
上記の感光性レジストとしては、よく知られたネガ型レジスト(光が照射された部分が硬化する)を使用することができる。また、このとき、マスクとしてはネガ型マスク(凹部に対応する部分は光が通過する)が使用される。また、感光性レジストとしてはポジ型レジストを用いることができる。感光性レジストの種類に応じて、光が照射される部分が適宜選択される。
As the conductive substrate having a pattern-shaped plating portion, a conductive substrate having a concave pattern as the pattern-shaped plating portion can be used. At least on the bottom surface of the concave portion, the conductive base material or the conductive material conducting to the conductive base material is exposed so that electroplating is possible.
As a method for producing a patterned plating portion having a concave pattern on a conductive substrate, there is a method of forming a patterned resist film on the conductive substrate.
That is, a geometrical pattern (resist pattern) is formed on a conductive substrate by a photolithographic method or a printing method from a photocurable resin or a thermosetting resin. The remaining resist film functions as an insulating layer, and the conductive substrate is exposed at a portion where unnecessary resist is removed, and this portion becomes a plated portion.
More specifically, (a) a step of forming a photosensitive resist layer on a conductive substrate,
(B) a conductive group having a concave pattern as a patterned plating portion by exposing the photosensitive resist layer through a mask corresponding to the concave pattern and (c) developing the photosensitive resist layer after exposure. A material can be produced.
Also,
(A ′) a step of forming a photosensitive resist layer on a conductive substrate;
(B ') A concave portion is formed as a patterned plating portion by irradiating a portion of the photosensitive resist layer corresponding to the pattern of the concave portion with laser light and (iii) a step of developing the photosensitive resist layer after irradiation with the laser light. A conductive substrate having the pattern can be produced. In this method, a method in which a thermosetting resin is used in place of the photosensitive resist and unnecessary portions are removed by laser light irradiation may be employed.
As the photosensitive resist, a well-known negative resist (a portion irradiated with light is cured) can be used. At this time, a negative mask (light passes through a portion corresponding to the recess) is used as the mask. Further, a positive resist can be used as the photosensitive resist. The portion irradiated with light is appropriately selected according to the type of the photosensitive resist.

絶縁層の厚さは、0.5μm以上であることが好ましい。絶縁層が薄すぎると絶縁層にピンホールが発生しやすくなるため、めっきした際に、絶縁層を施した部分にも金属が析出しやすくなる。絶縁層の厚さは、1μm以上であることが特に好ましい。絶縁層の厚さは、作製するめっきの厚さに関係し、目的に応じて適宜決定される。電磁波遮蔽材用の透過性メッシュを作製する場合には、10μm以下で十分である。絶縁層が厚くなるとそれを形成する時間が長くなる傾向がある。   The thickness of the insulating layer is preferably 0.5 μm or more. If the insulating layer is too thin, pinholes are likely to be generated in the insulating layer, so that when the plating is performed, the metal is likely to be deposited on the portion where the insulating layer is applied. The thickness of the insulating layer is particularly preferably 1 μm or more. The thickness of the insulating layer relates to the thickness of the plating to be produced, and is appropriately determined according to the purpose. In the case of producing a permeable mesh for an electromagnetic wave shielding material, 10 μm or less is sufficient. When the insulating layer is thick, the time for forming it tends to be long.

上記の絶縁層の材質としては、光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂以外に、ダイヤモンドに類似したカーボン薄膜、いわゆるダイヤモンドライクカーボン(以下、DLCとする)薄膜のうち、絶縁性を有するものにて形成させることもできる。DLC薄膜は、特に耐薬品性にも優れているため、特に好ましい。
さらに、絶縁層をAl、SiOのような無機材料で形成することもできる。
これらの絶縁層の形成方法は後記するのと同様である。
As the material of the insulating layer, in addition to the photocurable resin and the thermosetting resin, a carbon thin film similar to diamond, a so-called diamond-like carbon (hereinafter referred to as DLC) thin film having an insulating property. It can also be formed. The DLC thin film is particularly preferable because it is particularly excellent in chemical resistance.
Furthermore, the insulating layer can be formed of an inorganic material such as Al 2 O 3 or SiO 2 .
The method for forming these insulating layers is the same as described later.

凹部の平面形状又は絶縁層の平面形状は、目的応じて適宜決定されるが、正三角形、二等辺三角形、直角三角形などの三角形、正方形、長方形、ひし形、平行四辺形、台形などの四角形、(正)六角形、(正)八角形、(正)十二角形、(正)二十角形などの(正)n角形(nは3以上の整数)、円、だ円、星型などの幾何学図形があり、これらを適宜組み合わせた模様としてもよい、これらの単位は、単独で又は2種類以上組み合わせて繰り返されることが可能である。一つのめっき用導電性基材において、凹部の形状と絶縁層の形状は、互いに対応した形状となる。
光透過性電磁波遮蔽部材の性能の観点からは溝状の凹部に囲まれる絶縁層を三角形とすることが最も有効であり、可視光透過性の点からは同一のライン幅なら(正)n角形のn数が大きいほど導体層パターンの開口率が上がる。
The planar shape of the recess or the planar shape of the insulating layer is appropriately determined according to the purpose, but is a triangle such as a regular triangle, an isosceles triangle, a right triangle, a square such as a square, a rectangle, a rhombus, a parallelogram, a trapezoid, (Positive) Hexagons, (Positive) Octagons, (Positive) Dodecagons, (Positive) N-gons (n is an integer of 3 or more), circles, ellipses, stars, etc. There are academic figures, and these units may be appropriately combined. These units can be repeated alone or in combination of two or more. In one conductive substrate for plating, the shape of the concave portion and the shape of the insulating layer are shapes corresponding to each other.
From the viewpoint of the performance of the light-transmitting electromagnetic wave shielding member, it is most effective to make the insulating layer surrounded by the groove-like recesses triangular, and from the viewpoint of visible light transmission, if the line width is the same (positive) n-square The larger the n number, the higher the aperture ratio of the conductor layer pattern.

本発明において、めっき用導電性基材として、パターン状のめっき部として凸部のパターンを有する導電性基材を用いることができる。
前記導電性基材の凸部は、表面が黒化処理されたパターン化銅金属の銅金属部分に対応するが、同様に導体層パターン付き基材における導体層パターンに対応するものであり、その導体層パターンは、最終的に電磁波遮蔽材を作製したときの電磁波シールド層に対応するものである。この凸部の平面形状又はこれに対する凹部の平面形状は、としては、正三角形、二等辺三角形、直角三角形などの三角形、正方形、長方形、ひし形、平行四辺形、台形などの四角形、(正)六角形、(正)八角形、(正)十二角形、(正)二十角形などの(正)n角形(nは3以上の整数)、円、だ円、星型などの幾何学図形があり、これらを適宜組み合せた模様でもよく、これらの単位は、単独で又は2種類以上組み合せて繰り返されることが可能である。
In this invention, the electroconductive base material which has a pattern of a convex part as a pattern-shaped plating part can be used as a conductive base material for plating.
The convex portion of the conductive base material corresponds to the copper metal portion of the patterned copper metal whose surface has been blackened, and similarly corresponds to the conductive layer pattern in the base material with the conductive layer pattern, The conductor layer pattern corresponds to the electromagnetic wave shielding layer when the electromagnetic wave shielding material is finally produced. The planar shape of the convex portion or the concave portion corresponding to the convex shape is a triangle such as a regular triangle, an isosceles triangle or a right triangle, a square such as a square, a rectangle, a rhombus, a parallelogram, a trapezoid, or a (positive) six. Geometric figures such as square, (positive) octagon, (positive) dodecagon, (positive) n-gon (n is an integer greater than or equal to 3), circle, ellipse, star, etc. There may be a pattern in which these are appropriately combined, and these units can be repeated alone or in combination of two or more.

電磁波遮蔽性の観点からは三角形が最も有効であり、可視光透過性の点からは同一のライン幅なら(正)n角形のn数が大きいほど導体層パターンの開口率が上がる。可視光透過性の点から開口率は50%以上が必要とされ、導体層パターンの開口率は60%以上であることがさらに好ましい。導体層パターンの開口率は、電磁波遮蔽材の有効面積(例えば、前記の幾何学図形が描かれている範囲の面積等電磁波遮蔽に有効に機能する範囲の面積)に対するその有効面積から導電層で覆われている面積を引いた面積の比の百分率である。   From the viewpoint of electromagnetic wave shielding, the triangle is most effective. From the viewpoint of visible light transmission, if the number of (positive) n-gons is larger, the aperture ratio of the conductor layer pattern increases with the same line width. From the viewpoint of visible light transmission, the aperture ratio is required to be 50% or more, and the aperture ratio of the conductor layer pattern is more preferably 60% or more. The aperture ratio of the conductor layer pattern is determined from the effective area of the electromagnetic shielding material to the conductive layer from the effective area with respect to the effective area of the electromagnetic shielding material (for example, the area of the range that functions effectively for electromagnetic shielding such as the area where the geometric figure is drawn). It is the percentage of the area ratio minus the area covered.

図1は、凸部に対する凹部の幾何学図形が形成されている導電性基材の一例を示す斜視図である。図1で例示しているのは凹部2の幾何学図形としては正方形であり、導電性基材1に凹部2の幾何学図形が正方形になるように凸部3が格子状に形成されている。   FIG. 1 is a perspective view showing an example of a conductive base material on which a geometric figure of a concave portion with respect to a convex portion is formed. The example illustrated in FIG. 1 is a square as a geometrical figure of the concave part 2, and the convex part 3 is formed in a lattice shape on the conductive substrate 1 so that the geometrical figure of the concave part 2 becomes a square. .

図2及び図3は、図1のA−A断面を示し、図2では(a)〜(d)の4種、図3では(e)の1種を示す。凹部2及び凸部3の断面形状は適宜決定され、凸部3の側面5が、斜面((a)、(b)の場合)、曲面((c)の場合)、段階的斜面((d)の場合)等任意である。また、凹部2の底面も種々の形状がある。これらは、すべて、凸部の側面が少なくとも先端部分で傾斜角を有する。この傾斜角は、図中のαで、30°〜80°に相当することが好ましく、50°以上であることがより好ましい。   2 and 3 show the AA cross section of FIG. 1, FIG. 2 shows four types (a) to (d), and FIG. 3 shows one type (e). The cross-sectional shapes of the concave portion 2 and the convex portion 3 are appropriately determined, and the side surface 5 of the convex portion 3 is a slope (in the case of (a), (b)), a curved surface (in the case of (c)), a stepped slope ((d ))) Etc. are arbitrary. Also, the bottom surface of the recess 2 has various shapes. In all of these, the side surface of the convex portion has an inclination angle at least at the tip portion. This inclination angle is α in the figure, and preferably corresponds to 30 ° to 80 °, more preferably 50 ° or more.

凸部3の上面4は必ずしも平面でなくてもよく、上面全体又は上面の一部が平面から変形した形状であっても良いが、この場合、できるだけなめらかに湾曲していることが好ましい。ここで、凸部の先端部分とは、凸部の最先端から0μmの位置又は5μmまでの低い位置での凸部の表面を意味する。   The upper surface 4 of the convex portion 3 does not necessarily have to be a flat surface, and the entire upper surface or a part of the upper surface may be deformed from the flat surface. In this case, it is preferable that the upper surface 4 is curved as smoothly as possible. Here, the tip portion of the convex portion means the surface of the convex portion at a position of 0 μm or a low position up to 5 μm from the forefront of the convex portion.

角度αの基準面は、凸部の上面又は水平面若しくは垂直面である。元の導電性基材として(ほぼ)均一な厚さのもの使用し、この一面に凸部パターンを施した場合には、他面を基準面とすることもできる。また、断面観察の試料を水平面又は垂直面に載置又は固定し、これを観察することもできる。水平面又は垂直面は、適当な台などを使用して設定できる。   The reference surface of the angle α is the upper surface of the convex portion, the horizontal surface or the vertical surface. When an original conductive substrate having a (substantially) uniform thickness is used and a convex pattern is applied to this one surface, the other surface can be used as a reference surface. It is also possible to place or fix a sample for cross-sectional observation on a horizontal plane or a vertical plane and observe it. The horizontal plane or the vertical plane can be set using an appropriate table or the like.

また、凸部を有する導電性基材の上にたわまない平板をのせてこの平板の面を基準面とすることもできる。また、導電性基材が円筒である場合は、その円筒より大きな断面が真円の円筒(基準円筒)を用意し、基準円筒を横にして、基準円筒の中に導電性基材を通してこれらの円筒を重ね、基準円筒の各断面円の頂点が水平になるようにし、この円筒の頂点に接する接面を基準面とすることもできる。   Further, a flat plate that does not bend can be placed on the conductive base material having the convex portion, and the surface of the flat plate can be used as a reference plane. If the conductive base material is a cylinder, prepare a cylinder (reference cylinder) whose cross section is larger than that of the cylinder, place the reference cylinder sideways, and pass these through the conductive base material into the reference cylinder. It is also possible to overlap the cylinders so that the vertices of the cross-sectional circles of the reference cylinder are horizontal, and the tangent surface in contact with the vertices of the cylinder can be used as the reference surface.

具体的には、導電性基材の断面の観察は、顕微鏡の倍率を適当にして、凸部の上面が観察できるようにし、導電性基材の他面(表面)が観察できるようにし、あるいは、基準となる物体が観察できるようにして基準面を確認し、適宜写真撮影後倍率を高くして詳細な断面(場合により倍率を低くして断面)を観察し、写真撮影することにより行い、角度αに関する測定を行うことができる。基準面の確認に際しては、定規等の基準になるものを同時に写し込むとよい。   Specifically, the observation of the cross-section of the conductive substrate can be performed with an appropriate magnification of the microscope so that the upper surface of the convex portion can be observed, the other surface (surface) of the conductive substrate can be observed, or , By checking the reference plane so that the reference object can be observed, appropriately increasing the magnification after photography, observing a detailed cross section (cross section with a lower magnification in some cases), and taking a photograph, Measurements regarding the angle α can be made. When checking the reference plane, it is recommended to copy the ruler and other standards at the same time.

以上で説明した基準面は、厚さ、高さ及び幅の測定の基準面にすることもできる。また、別の基材の表面は多くの場合変形することがなく、基準面として採用しやすい。   The reference plane described above can also be used as a reference plane for measuring thickness, height and width. Further, in many cases, the surface of another base material is not deformed and is easily adopted as a reference surface.

これに対し、図3に(e)として示すように凸部の側面5が垂直面の場合もあり得る。   On the other hand, as shown in FIG. 3E, the side surface 5 of the convex portion may be a vertical surface.

導電性基材に形成した凸部の先端部分の幅及びその間隔は、導体層パターンの開口率を50%以上とするために、凸部の先端部分の幅が1μm〜40μm、凸部の先端部分の中心間隔(ラインピッチ)が100μm〜1000μmであることが好ましい。   The width of the tip portion of the convex portion formed on the conductive base material and the interval between the tip portion of the convex portion are 1 μm to 40 μm in order to make the opening ratio of the conductor layer pattern 50% or more. It is preferable that the center interval (line pitch) of the portions is 100 μm to 1000 μm.

本発明おいて、凸部の先端部分の中心間隔(ラインピッチ)は、パターンが複雑な図形であったり、複数の図形の組み合わせであったりして簡単に決定できない場合は、パターンの繰り返し単位を基準としてその面積を正方形の面積に換算し、その一辺の長さであると定義する。   In the present invention, when the center interval (line pitch) of the tip portion of the convex portion cannot be easily determined because the pattern is a complicated figure or a combination of a plurality of figures, the repeating unit of the pattern is used. As a reference, the area is converted into a square area and defined as the length of one side.

導電性基材に形成した凸部3の高さを、凹部2の最も窪んだ部分から凸部3の先端までの高さと規定する。凸部3の高さは、11μm以上が好ましい。それは、凹部に絶縁層を形成しても凹部が十分な深さを有するためである。また、凸部3の高さの上限は、110μmが好ましい。凸部の高さを大きくしていくと、アスペクト比が大きくなるため、加工が難しくなり、加工費も高くなる。このことから、凸部の高さは60μm以下であることが特に好ましい。   The height of the convex portion 3 formed on the conductive substrate is defined as the height from the most depressed portion of the concave portion 2 to the tip of the convex portion 3. As for the height of the convex part 3, 11 micrometers or more are preferable. This is because the recess has a sufficient depth even if an insulating layer is formed in the recess. Further, the upper limit of the height of the convex portion 3 is preferably 110 μm. As the height of the convex portion is increased, the aspect ratio increases, so that the processing becomes difficult and the processing cost increases. Therefore, the height of the convex portion is particularly preferably 60 μm or less.

導電性基材上に凸部を形成させる方法としては、次のような方法をあげることができる。   Examples of the method for forming the convex portion on the conductive substrate include the following methods.

(1)導電性基材の凹部を形成すべき部分(導体層パターン付き基材の導体層パターンの開口部に対応する部分)に、直接レーザ光を照射し、凹部を形成し、導電層パターンに対応した凸部を形成する方法、
(2)フォトリソグラフ法又は印刷法によって、導電性基材に光硬化性樹脂あるいは熱硬化性樹脂により幾何学図形状のパターン(レジストパターン)を形成する工程を行なった後、導電性基材をエッチングする方法、
(3)彫刻により導電性基材の凹部を形成すべき部分(導体層パターン付き基材の導体層パターンの開口部に対応する部分)を掘削する方法などがある。
(1) A portion of the conductive base material where the concave portion should be formed (a portion corresponding to the opening of the conductive layer pattern of the base material with the conductive layer pattern) is directly irradiated with laser light to form a concave portion, and the conductive layer pattern A method of forming a convex portion corresponding to
(2) After conducting a step of forming a geometrical pattern (resist pattern) with a photo-curable resin or a thermosetting resin on a conductive substrate by a photolithographic method or a printing method, Etching method,
(3) There is a method of excavating a portion (a portion corresponding to the opening portion of the conductor layer pattern of the substrate with the conductor layer pattern) where the concave portion of the conductive substrate is to be formed by engraving.

導電性基材の材質が硬い場合、直接加工するには前記(1)方法(レーザ加工法)または(2)の方法(エッチング法)などを用いることが好ましいが、銅などの柔らかく加工性に優れた材料を用いる場合は、前記(3)の方法(彫刻法)により容易に加工することもでき、このとき、加工後に、クロム等の硬質のめっきを表面に施して、強度を上げることができる。   When the material of the conductive substrate is hard, it is preferable to use the method (1) (laser processing method) or the method (2) (etching method) or the like for direct processing. When an excellent material is used, it can be easily processed by the method (3) (engraving method). At this time, after processing, a hard plating such as chrome is applied to the surface to increase the strength. it can.

前記(2)の方法において、印刷法を用いる場合には、レジストパターンの印刷方法としては様々な方法を用いることができる。例えば、スクリーン印刷、凸版印刷、凸版オフセット印刷、凸版反転オフセット印刷、凹版印刷、凹版オフセット印刷、インクジェット印刷、フレキソ印刷などを用いることができる。レジストとしては光硬化性又は熱硬化性の樹脂が使用できる。   In the method (2), when a printing method is used, various methods can be used as a resist pattern printing method. For example, screen printing, letterpress printing, letterpress offset printing, letterpress reversal offset printing, intaglio printing, letterpress printing, ink jet printing, flexographic printing, and the like can be used. As the resist, a photocurable or thermosetting resin can be used.

また、フォトリソグラフ法を用いる場合には、ドライフィルムレジストなどをラミネートし、マスクを装着して露光し、現像した後にレジストフィルムのエッチング工程を経ることも出来るし、液状レジストを塗布した後に溶剤を乾燥あるいは仮硬化させた後、マスクを装着して露光し、現像した後にレジストフィルムのエッチング工程を経ることも出来る。光硬化性の樹脂にマスクを介して活性エネルギー線を照射することでパターニングできればその態様は問わない。枚葉で版のサイズが大きい場合、あるいはロール・トゥ・ロール(Roll−to−Roll)で作製する場合などはドライフィルムレジストをラミネートしてマスクを介して露光する方法が生産性の観点からは好ましく、めっきドラムなどに直接加工する場合にはドライフィルムレジストを貼り合わせるあるいは液状レジストを塗布した後にマスクを介さずにレーザなどでダイレクトに露光する方法が好ましい。   In addition, when using the photolithographic method, a dry film resist or the like is laminated, a mask is attached, exposed, developed, and then a resist film etching process can be performed. After drying or pre-curing, the resist film can be subjected to an etching process after a mask is attached, exposed and developed. If the patterning can be performed by irradiating the photocurable resin with active energy rays through a mask, the mode is not limited. From the viewpoint of productivity, the method of laminating a dry film resist and exposing it through a mask when the size of the plate is large or when it is produced by roll-to-roll (Roll-to-Roll) Preferably, when processing directly on a plating drum or the like, a method in which a dry film resist is bonded or a liquid resist is applied and then directly exposed with a laser or the like without using a mask is preferable.

また、前記(2)の方法における導電性基材のエッチングは、エッチング液を用いて行うことができる。エッチング液としては導電性金属の材質によって様々な種類があり、それぞれの金属に対してエッチング液が市販されているのでそれらを使用することができる。例えば、導電性金属がステンレスであれば、塩化第二鉄を用いることが一般的であり、チタンであればフッ酸系のエッチング液がよく用いられる。ステンレスのエッチングに関しては、塩化第二鉄の比重が40°Be(ボーメ)〜60°Be(ボーメ)の範囲の液が好んで用いられる。比重が低いとエッチングスピードは速いが、サイドエッチングが大きくなるため、凹部が浅くなる傾向にあり、逆に比重が高いと、エッチングスピードは遅いが、サイドエッチングが少なく、凹部が深くなる傾向にある。したがって、エッチング液の比重は、45°Be(ボーメ)〜50°Beであることがさらに好ましい。また、エッチング温度は、低いとエッチンスピードが低下し生産性が低下するため、40℃以上であることが好ましい。さらに、エッチング温度が60℃を超えると、エッチング液の腐食性が大きくなるため、エッチング槽をチタン製にする等設備投資が大きくなるため、60℃以下であることが好ましい。   The etching of the conductive substrate in the method (2) can be performed using an etching solution. There are various types of etching liquids depending on the material of the conductive metal, and since etching liquids are commercially available for the respective metals, they can be used. For example, if the conductive metal is stainless steel, it is common to use ferric chloride, and if it is titanium, a hydrofluoric acid-based etching solution is often used. Regarding the etching of stainless steel, a liquid having a specific gravity of ferric chloride in the range of 40 ° Be (Baume) to 60 ° Be (Baume) is preferably used. If the specific gravity is low, the etching speed is fast, but the side etching becomes large, so the concave portion tends to become shallow. Conversely, if the specific gravity is high, the etching speed is slow, but the side etching is small, and the concave portion tends to be deep. . Therefore, the specific gravity of the etching solution is more preferably 45 ° Be (Baume) to 50 ° Be. Moreover, since etching speed will fall and productivity will fall when etching temperature is low, it is preferable that it is 40 degreeC or more. Furthermore, if the etching temperature exceeds 60 ° C., the corrosiveness of the etching solution increases, so that the equipment investment such as making the etching tank made of titanium increases. Therefore, the etching temperature is preferably 60 ° C. or less.

残存するレジストは、導電性基材のエッチング後に、剥離液等を使用して剥離することができる。   The remaining resist can be stripped using a stripping solution or the like after the conductive substrate is etched.

凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材の凹部への絶縁層の形成は、導電性基材の全表面に絶縁層を形成した後、バフロールや研磨紙、ベルトサンダ等を使用した一般的な機械研磨等により凸部の先端部分に形成された絶縁層を除去し、凸部先端部分の金属面を露出させる方法により行うことができる。   The formation of the insulating layer in the concave portion of the conductive base material having the convex pattern and the concave portion of the geometrical drawing shape drawn thereby is performed by forming the insulating layer on the entire surface of the conductive base material, The insulating layer formed on the tip portion of the convex portion is removed by general mechanical polishing using a belt sander or the like, and the metal surface of the tip portion of the convex portion is exposed.

図4は、凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材において、その凹部に絶縁層を形成した状態の導電性基材の断面図を示す。図4では、図2の(c)で示す断面形状を有する導電性基材を使用している。図4(a)では、絶縁層6は、上面4を有する凸部3のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部2を有する導電性基材1の凹部2に均一に形成されている。但し、絶縁層6は凸部3の上面4の端から上面4と面一になるように形成されている。このように、導電性基材を水平にしたとき絶縁層6が上面4より上に出ていないことが特に好ましい。図4(b)に示すように、絶縁層6が、凹部2の底部の部分が側面5の部分より厚く形成されてもよく、さらに、図4(c)に示すように、凸部3の上面4の端近くにおいて徐々に絶縁層6の厚さが小さくなり、上面4と同一平面の方向で絶縁層6の厚みが0となっていてもよい。   FIG. 4 is a cross-sectional view of a conductive base material having a convex pattern and a geometrically shaped concave portion drawn thereby, with an insulating layer formed in the concave portion. In FIG. 4, the electroconductive base material which has the cross-sectional shape shown in (c) of FIG. 2 is used. In FIG. 4A, the insulating layer 6 is uniformly formed in the concave portion 2 of the conductive substrate 1 having the pattern of the convex portion 3 having the upper surface 4 and the concave portion 2 of the geometrical diagram shape drawn thereby. . However, the insulating layer 6 is formed so as to be flush with the upper surface 4 from the end of the upper surface 4 of the convex portion 3. Thus, it is particularly preferable that the insulating layer 6 does not protrude above the upper surface 4 when the conductive substrate is leveled. As shown in FIG. 4B, the insulating layer 6 may be formed such that the bottom portion of the concave portion 2 is thicker than the side surface portion 5. Further, as shown in FIG. The thickness of the insulating layer 6 may gradually decrease near the end of the upper surface 4, and the thickness of the insulating layer 6 may be zero in the same plane direction as the upper surface 4.

また、凸部パターンの寿命を長くするためには、凸部の露出部分に析出した金属を別の基材に転写する際に、その別の基材の接着面と導電性基材の凹部に形成されている絶縁層の接触を低減させることが好ましい。したがって、絶縁層を施した後の凸部の高さが、十分であることが好ましい。絶縁層の厚さは、1μm以上10μm以下の範囲であることが好ましい。絶縁層が厚すぎると、絶縁層を形成する時間が長くなるため作業効率が低下する。また、絶縁層が薄すぎると絶縁層と導電性基材の密着性が低下すると共に、ピンホールが発生しやすくなるため、めっきした際に、絶縁層を施した部分にも金属が析出しやすくなる。   In addition, in order to extend the life of the convex pattern, when transferring the metal deposited on the exposed portion of the convex part to another base material, the adhesive surface of the other base material and the concave part of the conductive base material are transferred. It is preferable to reduce contact of the formed insulating layer. Therefore, it is preferable that the height of the convex portion after applying the insulating layer is sufficient. The thickness of the insulating layer is preferably in the range of 1 μm to 10 μm. When the insulating layer is too thick, the time for forming the insulating layer becomes long, so that the working efficiency is lowered. In addition, if the insulating layer is too thin, the adhesion between the insulating layer and the conductive substrate is reduced, and pinholes are likely to be generated. Become.

本発明におけるパターン状のめっき部として凸部のパターンを有するめっき用導電性基材は、凸部の先端部分を除き、その凹部が絶縁層で被覆されていることが好ましい。   It is preferable that the electroconductive base material for plating which has a pattern of a convex part as a pattern-shaped plating part in this invention except that the front-end | tip part of a convex part is coat | covered with the insulating layer.

めっき用導電性基材にめっきした際、めっきは等方的に生長するため、凸部露出部分の近傍の絶縁層に覆い被さるように析出する。絶縁層に覆い被さっためっきは、剥離転写する度に毎回、絶縁層に応力がかかる原因となる。従って、凹部全面に絶縁層が形成されている場合、転写時に絶縁層にかかる応力は、凸部露出部分の近傍が最も大きいので、凸部の先端部分を露出させることで、剥離の際に絶縁層にかかる応力を低下させることができ、結果的に凹部が絶縁層で被覆されているめっき用導電性基材の寿命を向上させることができる。凸部の先端部分の露出が小さすぎると、寿命向上の効果が小さく、大きすぎると側面に深くめっきが析出し、転写不良が発生することがあるので、露出している凸部の先端部分は、凸部最先端から、0μmの位置又は5μmまでの低い位置までであることが好ましく、凸部最先端から、0.5〜5μm低い位置までであることがさらに好ましく、0.5〜3μm低い位置までであることが特に好ましい。   When plating is performed on the conductive substrate for plating, the plating grows isotropically, and therefore deposits so as to cover the insulating layer in the vicinity of the exposed portion of the convex portion. Plating that covers the insulating layer causes stress to be applied to the insulating layer every time it is peeled and transferred. Therefore, when an insulating layer is formed on the entire surface of the concave portion, the stress applied to the insulating layer during transfer is greatest in the vicinity of the exposed portion of the convex portion. The stress applied to the layer can be reduced, and as a result, the lifetime of the electroconductive substrate for plating in which the concave portion is covered with the insulating layer can be improved. If the tip of the convex part is exposed too little, the effect of improving the life is small, and if it is too large, plating may be deposited deeply on the side surface and transfer defects may occur. It is preferable that it is from the leading edge of the convex part to a position of 0 μm or as low as 5 μm, more preferably from the leading edge of the convex part to a position 0.5 to 5 μm lower, and 0.5 to 3 μm lower. It is particularly preferable that it is up to the position.

絶縁層を有するめっき用導電性基材の構造を、図面を用いて説明する。図5は、本発明における凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材の一例を示す断面図である。ただし、凹部の形状は、図2(c)で記載されているもので説明する。図5において、(a)、(b)及び(c)の3形態を示すが、いずれにおいても、導電性基材1は、凸部3に対し凹部2を有する。凹部2には絶縁層6が形成されており、凸部の側面5に沿って絶縁層6が形成されているが、凸部3の先端部分には形成されておらず、従って、凸部の先端部分は露出している。   The structure of the conductive substrate for plating having an insulating layer will be described with reference to the drawings. FIG. 5 is a cross-sectional view showing an example of a conductive substrate having a pattern of convex portions and a concave portion of a geometric diagram drawn by the pattern in the present invention. However, the shape of the recess will be described with reference to FIG. In FIG. 5, three forms of (a), (b), and (c) are shown. In any case, the conductive substrate 1 has a concave portion 2 with respect to the convex portion 3. An insulating layer 6 is formed in the concave portion 2, and the insulating layer 6 is formed along the side surface 5 of the convex portion, but is not formed at the tip portion of the convex portion 3, and therefore, the convex portion The tip is exposed.

図中h′は、前述した凸部の高さである。hは凹部に絶縁層を施した後の凸部の高さ(以下、「絶縁高さ」という)である。tは絶縁層の厚さを示す。凸部の高さh′は、11μm〜110μmが好ましく、60μm以下であることがさらに好ましい。絶縁高さhは、10〜100μmであることが好ましく、tは、h′がhより小さくなるように決定されるが、10μm以下が好ましく、特に、凸部3の側面5において、少なくとも絶縁層の端の部分では厚さが1〜10μmであることが好ましい。さらに、凸部の先端部分は、露出させる。凸部の先端部分の露出の程度は、幅dが1〜40μmであることが好ましく、凸部の最先端からの距離(高さ方向)sは、0.5〜5μmであることが好ましく、0.5〜3μmであることが更に好ましい。この距離sのために、剥離の際に絶縁層にかかる応力を低減することができる。以上のh′、d及びt数値範囲は、sが0μm又は0.5μm未満の場合にも同様に満足することが好ましい。   In the figure, h ′ is the height of the convex portion described above. h is the height of the convex portion after applying the insulating layer to the concave portion (hereinafter referred to as “insulating height”). t indicates the thickness of the insulating layer. The height h ′ of the convex part is preferably 11 μm to 110 μm, and more preferably 60 μm or less. The insulation height h is preferably 10 to 100 μm, and t is determined such that h ′ is smaller than h, but is preferably 10 μm or less. It is preferable that the thickness is 1 to 10 μm at the end portion. Further, the tip portion of the convex portion is exposed. As for the degree of exposure of the tip portion of the convex portion, the width d is preferably 1 to 40 μm, and the distance (height direction) s from the tip of the convex portion is preferably 0.5 to 5 μm, More preferably, it is 0.5-3 micrometers. Because of this distance s, the stress applied to the insulating layer at the time of peeling can be reduced. The above h ′, d, and t numerical ranges are preferably satisfied in the same manner when s is 0 μm or less than 0.5 μm.

絶縁層は、薄膜絶縁層であることが好ましく、強度の不均一性をなくすために均一な厚さであることが好ましい。   The insulating layer is preferably a thin film insulating layer, and preferably has a uniform thickness in order to eliminate non-uniformity in strength.

図6は、本発明における凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材の一例を示す断面図である。   FIG. 6 is a cross-sectional view showing an example of a conductive substrate having a pattern of convex portions and a concave portion of a geometric diagram drawn by the pattern in the present invention.

図6に示すように、凸部の側面が垂直面の場合も前記の態様で凹部に絶縁層が施され、しかも、凸部の先端部分が露出しているのであれば、好ましい態様として使用できる。   As shown in FIG. 6, even when the side surface of the convex portion is a vertical surface, the insulating layer is applied to the concave portion in the above-described manner, and if the tip portion of the convex portion is exposed, it can be used as a preferred mode. .

絶縁高さhが低すぎると、転写の際に転写用基材が導電性基材に接触して転写用基材を傷つけたり、転写用基材の接着面が導電性基材に設けた絶縁層に接触しやすくなって絶縁層に剥離応力がかかるため、繰り返し使用した際に絶縁層が剥離することがある。   If the insulation height h is too low, the transfer substrate contacts the conductive substrate during transfer and damages the transfer substrate, or the transfer substrate is provided with an adhesive surface on the conductive substrate. Since it becomes easy to come into contact with the layer and a peeling stress is applied to the insulating layer, the insulating layer may peel off when repeatedly used.

図7は、本発明における導電性基材の凸部の先端部分の近辺の一例を示す断面図である。図7中、凸部3の先端部分は露出しており、それよりしたの側面5は絶縁層6で覆われている。凸部3の少なくとも露出部分は先端方向に進むにつれて幅が広がっておらず、全体として凸部の下部よりも上部で幅が小さくなっているのが好ましい。凸部の露出部分は、絶縁層の端付近、例えば、凸部の側面の絶縁層の端(第1の位置)とそれより凸部の露出幅の10%に相当する分だけ幅方向に内側における凸部表面の位置(第2の位置)との高さ方向の距離にh10対する第1の位置と第2の位置との幅方向の距離d10との関係(図7で示すところの高さh10に対する幅d10の関係)d10/h10が、角度で30°〜80°に相当することが好ましく、50°以上であることがより好ましい。 FIG. 7 is a cross-sectional view showing an example of the vicinity of the tip portion of the convex portion of the conductive substrate in the present invention. In FIG. 7, the tip portion of the convex portion 3 is exposed, and the side surface 5 is covered with an insulating layer 6. It is preferable that at least the exposed portion of the convex portion 3 does not increase in width as it advances in the tip direction, and as a whole, the width is smaller at the upper portion than at the lower portion of the convex portion. The exposed portion of the convex portion is near the end of the insulating layer, for example, the end of the insulating layer on the side surface of the convex portion (first position) and the inner side in the width direction by an amount corresponding to 10% of the exposed width of the convex portion. The relationship between the distance d 10 in the width direction between the first position and the second position with respect to h 10 in the height direction distance from the position of the convex surface (second position) in FIG. relationship) d 10 / h 10 width d 10 to the height h 10 is preferably equivalent to 30 ° to 80 ° at an angle, and more preferably 50 ° or more.

また、d10は、

Figure 2008025025
D 10 is
Figure 2008025025

であることが好ましく、d10は0.839×h10以上であることがより好ましい。 It is preferable that d 10 is 0.839 × h 10 or more.

図7(a)では、導電性基材の凸部3として、断面が台形上のものとして模式的に図示したが、(b)に示すように凸部3の表面が凸凹であってもよい。また、絶縁層の表面は、(a)では平面の組み合わせとして模式的に図示されているが、これも(b)に示すように凹凸のある面の組み合わせであってもよい。なお、図7では、上下方向を強調して引き延ばし気味に図示してある。   In FIG. 7A, the convex portion 3 of the conductive base material is schematically illustrated as having a trapezoidal cross section, but the surface of the convex portion 3 may be uneven as shown in FIG. 7B. . Moreover, although the surface of the insulating layer is schematically illustrated as a combination of planes in (a), it may be a combination of uneven surfaces as shown in (b). In FIG. 7, the vertical direction is emphasized and is shown to be stretched.

また、図7中、前記第2の位置は、先端部分の側面に位置するように図示されているが、場合により、第2の位置が凸部の上面に位置していてもよい。   In FIG. 7, the second position is illustrated so as to be positioned on the side surface of the distal end portion. However, the second position may be positioned on the upper surface of the convex portion depending on circumstances.

前記のように凸部の側面が傾斜を有していると、そうでないときよりも、めっき用導電性基材の凸部の露出部分に電気めっきにより析出しためっき(金属)をより容易に、剥離でき、転写が円滑に行われる。   When the side surface of the convex portion has an inclination as described above, plating (metal) deposited by electroplating on the exposed portion of the convex portion of the conductive base material for plating is easier than when it is not, It can be peeled off and transfer can be performed smoothly.

また、導電性基材にめっきを施すと、めっきが等方的に生長するため、導電性基材の凸部側面も露出しているとそこにもめっきが析出するが、転写の際に、転写用基材の接着面をめっきに接触させた後転写用基材を剥離すると、めっき層には、斜め方向の応力がかかった場合には、凸部の角度が80°を超えると、剥離(転写)の際に抵抗が大きくなりすぎて、転写不良が発生することがありうる。このことから、凸部の角度は30°〜80°の範囲であることが好ましく、50°〜80°であることがさらに好ましい。   In addition, when plating is performed on the conductive substrate, the plating grows isotropically, so that the plating also deposits when the convex side surface of the conductive substrate is exposed, but during the transfer, When the transfer substrate is peeled after bringing the adhesive surface of the transfer substrate into contact with the plating, if the stress is applied to the plating layer in an oblique direction, the peel will occur if the angle of the convex portion exceeds 80 °. During (transfer), the resistance becomes too large, and transfer failure may occur. From this, the angle of the convex portion is preferably in the range of 30 ° to 80 °, more preferably 50 ° to 80 °.

本発明で用いられる絶縁層のための絶縁材料は、金属との密着性が高く、耐薬品性が強い材料が好んで用いられる。電気めっきもしくは無電解めっきの工程では、めっき液に浸漬されるため、耐酸性と耐アルカリ性双方に強い材料がさらに好ましい。このような樹脂の中では、たとえば、熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、尿素樹脂、アニリン樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、ホルマリン樹脂、金属酸化物、金属塩化物、オキシム、アルキルフェノール樹脂等が用いられ、これらは自己硬化性のものである(硬化触媒を使用してもよい)。   As the insulating material for the insulating layer used in the present invention, a material having high adhesion to metal and strong chemical resistance is preferably used. In the step of electroplating or electroless plating, a material strong in both acid resistance and alkali resistance is more preferable because it is immersed in a plating solution. Among such resins, for example, epoxy resins, urea resins, aniline resins, melamine resins, phenol resins, formalin resins, metal oxides, metal chlorides, oximes, alkylphenol resins, etc. are used as thermosetting resins. These are self-curing (a curing catalyst may be used).

熱硬化性樹脂として、硬化剤を利用するものが使用できる。このようなものとしては、カルボキシル基、水酸基、エポキシ基、アミノ基、不飽和炭化水素基等の官能基を有する樹脂とエポキシ基、水酸基、アミノ基、アミド基、カルボキシル基、チオール基等の官能基を有する硬化剤あるいは金属塩化物、イソシアネート、酸無水物、金属酸化物、過酸化物等の硬化剤との組み合わせで用いられるものがある。なお、硬化反応速度を増加する目的で、汎用の触媒等の添加剤を使用することもできる。具体的には、硬化性アクリル樹脂組成物、不飽和ポリエステル樹脂組成物、ジアリルフタレート樹脂、エポキシ樹脂組成物、ポリウレタン樹脂組成物等が例示される。薄膜絶縁層の形成方法としては、例えば、前記樹脂又は組成物を刷毛塗り、スプレー塗装、ディッピング等により塗布した後にスキージやブレード等で樹脂を掻き取った後に乾燥させるなどの方法が挙げられる。   As the thermosetting resin, one using a curing agent can be used. Examples of such a resin include a resin having a functional group such as a carboxyl group, a hydroxyl group, an epoxy group, an amino group, and an unsaturated hydrocarbon group, and a functional group such as an epoxy group, a hydroxyl group, an amino group, an amide group, a carboxyl group, and a thiol group. Some are used in combination with a curing agent having a group or a curing agent such as a metal chloride, isocyanate, acid anhydride, metal oxide, or peroxide. In addition, for the purpose of increasing the curing reaction rate, additives such as general-purpose catalysts can be used. Specific examples include curable acrylic resin compositions, unsaturated polyester resin compositions, diallyl phthalate resins, epoxy resin compositions, polyurethane resin compositions, and the like. Examples of the method for forming the thin film insulating layer include a method in which the resin or composition is applied by brush coating, spray coating, dipping, etc., and then the resin is scraped off with a squeegee or blade and then dried.

また、絶縁層として、金属導体との密着性に優れ、かつ絶縁性、酸・アルカリに対する耐食性に優れたダイヤモンド・ライク・カーボン(DLC)やグラファイト・ライク・カーボン(GLC)、窒化チタンや窒化チタンアルミニウム、窒化クロム、窒化チタンクロム、炭窒化チタン、炭化チタン等を下地処理として塗布した後にガラスコーティングして形成した層を用いてもよい。   In addition, as an insulating layer, diamond-like carbon (DLC), graphite-like carbon (GLC), titanium nitride and titanium nitride have excellent adhesion to metal conductors, and have excellent insulation and acid / alkali corrosion resistance. A layer formed by applying aluminum, chromium nitride, titanium nitride chromium, titanium carbonitride, titanium carbide, or the like as a base treatment and then glass coating may be used.

さらに、絶縁材料としては、皮膜の均一性や、形成の簡便さ、さらに環境に対する負荷が少ないことから、電着塗料を用いてもよい。   Furthermore, as the insulating material, an electrodeposition paint may be used because of the uniformity of the film, the ease of formation, and the low environmental burden.

電着塗料は、それ自体既知のカチオン型及びアニオン型のいずれでも使用でき、ここでは、使用できる電着塗料の一例を示す。   The electrodeposition paint can be used in any known cationic type or anionic type, and here, an example of the electrodeposition paint that can be used is shown.

カチオン型電着塗料には、塩基性アミノ基をもつ樹脂のペーストを作製し、これを酸で中和、水溶化(水分散化)してなる陰極析出型の熱硬化性電着塗料が包含される。カチオン型電着塗料は前記導電性基材(被塗物)を陰極にして塗装される。   Cationic electrodeposition coatings include cathodic deposition type thermosetting electrodeposition coatings prepared by preparing pastes of resins with basic amino groups, neutralizing them with acids, and then making them water-soluble (dispersed in water). Is done. The cationic electrodeposition coating is applied using the conductive substrate (object to be coated) as a cathode.

塩基性アミノ基をもつ樹脂は、例えば、ビスフエノール型エポキシ樹脂、エポキシ基(またはグリシジル基)含有アクリル樹脂、アルキレングリコールのグリシジルエーテル、エポキシ化ポリブタジエンならびにノボラツクフエノール樹脂のエポキシ化物などのエポキシ基含有樹脂のエポキシ基(オキシラン環)にアミン化合物を付加したもの、塩基性アミノ基をもつ不飽和化合物(例えば、メタクリル酸ジメチルアミノエチル、N−ビニルピラゾール、N−ジエチルアミノエチルアクリレートなど)を重合させたもの、第3級アミノ基含有グリコール(例えば、N−メチルジエタノールアミン)をグリコールの一成分とするグリコール成分とポリイソシアネート化合物との反応物、さらに、酸無水物とジアミン化合物との反応でイミノアミンが生成することによって、樹脂へアミノ基を導入したものなどがある。ここで、前述したアミン化合物としては、塩基性アミン化合物であって、脂肪族、脂環式もしくは芳香脂肪族系の第1級もしくは第2級アミン、アルカノールアミン、第3級アミン、第4級アンモニウム塩等のアミン化合物が挙げられる。   Resins having basic amino groups include epoxy groups such as bisphenol type epoxy resins, epoxy group (or glycidyl group) -containing acrylic resins, glycidyl ethers of alkylene glycols, epoxidized polybutadiene, and epoxidized products of novolak phenol resins. Polymers obtained by adding an amine compound to the epoxy group (oxirane ring) of the resin or an unsaturated compound having a basic amino group (for example, dimethylaminoethyl methacrylate, N-vinylpyrazole, N-diethylaminoethyl acrylate, etc.) A reaction product of a glycol component containing a tertiary amino group-containing glycol (for example, N-methyldiethanolamine) as a component of a glycol with a polyisocyanate compound, and further a reaction between an acid anhydride and a diamine compound. There By producing include those obtained by introducing an amino group to the resin. Here, the amine compound described above is a basic amine compound, which is an aliphatic, alicyclic or araliphatic primary or secondary amine, alkanolamine, tertiary amine, quaternary. Examples include amine compounds such as ammonium salts.

また、カチオン電着塗料には、架橋剤を配合することができる。架橋剤としては、ブロツク化したポリイソシアネート化合物がよく知られているが、塗膜を加熱(約140℃以上)するとブロツク剤が解離して、イソシアネート基が再生し、前記の如きカチオン性樹脂中の水酸基などのイソシアネート基と反応性の基に対し架橋反応し硬化する。   Moreover, a crosslinking agent can be mix | blended with a cationic electrodeposition coating material. As the crosslinking agent, a blocked polyisocyanate compound is well known. However, when the coating film is heated (about 140 ° C. or higher), the blocking agent is dissociated and the isocyanate group is regenerated, and the above-described cationic resin is contained in the cationic resin. It is cured by crosslinking reaction with a reactive group with an isocyanate group such as a hydroxyl group.

さらに、カチオン型電着塗料には、顔料(着色顔料、体質顔料、防錆顔料など。顔料の配合量は樹脂固形分100重量部あたり40重量部以下が好ましい)、親水性溶剤、水、添加剤などを必要に応じて配合することができる。   In addition, for cationic electrodeposition paints, pigments (colored pigments, extender pigments, rust preventive pigments, etc. The amount of pigment is preferably 40 parts by weight or less per 100 parts by weight of resin solids), hydrophilic solvent, water, added An agent etc. can be mix | blended as needed.

カチオン型電着塗料は、その固形分濃度を約5〜40重量%となるように脱イオン水などで希釈し、pHを5.5〜8.0の範囲内に調整することが好ましい。このようにして調製されたカチオン型電着塗料を用いてのカチオン電着塗料は、通常、浴温15〜35℃、負荷電圧100〜400Vの条件で被塗物を陰極として行うことができる。塗膜の焼付硬化温度は一般に100〜200℃の範囲が適している。   The cationic electrodeposition paint is preferably diluted with deionized water or the like so that the solid content concentration is about 5 to 40% by weight, and the pH is preferably adjusted within the range of 5.5 to 8.0. Cationic electrodeposition paints using the cation type electrodeposition paint thus prepared can usually be carried out using the substrate as a cathode under conditions of a bath temperature of 15 to 35 ° C. and a load voltage of 100 to 400V. In general, the baking temperature of the coating film is suitably in the range of 100 to 200 ° C.

アニオン型電着塗料は、カルボキシル基を持つ樹脂をベースとし、これを塩基性化合物で中和、水溶化(水分散化)してなる陽極析出型の電着塗料が好ましく、前記導電性基材(被塗物)を陽極として塗装される。   The anionic electrodeposition paint is preferably an anodic deposition electrodeposition paint based on a resin having a carboxyl group, neutralized with a basic compound, and water-solubilized (water-dispersed). Painted with the (coating object) as the anode.

カルボキシル基を持つ樹脂としては、乾性油(あまに油、脱水ひまし油、桐油など)に無水マレイン酸を付加したマレイン化油樹脂、ポリブタジエン(1,2−型、1,4−型など)に無水マレイン酸を付加したマレイン化ポリブタジエン、エポキシ樹脂の不飽和脂肪酸エステルに無水マレイン酸を付加した樹脂、高分子量多価アルコール(分子量約1000以上で、エポキシ樹脂の部分エステルおよびスチレン−アリルアルコール共重合体なども含まれる)に多塩基酸(無水トリメリツト酸、マレイン化脂肪酸、マレイン化油など)を付加して得られる樹脂、カルボキシル基含有ポリエステル樹脂(脂肪酸変性したものも含む)、カルボキシル基含有アクリル樹脂、グリシジル基もしくは水酸基を含有する重合性不飽和モノマーと不飽和脂肪酸との反応生成物を用いて形成された重合体もしくは共重合体に無水マレイン酸などを付加せしめた樹脂などがあげられ、カルボキシル基の含有量が、一般に、酸価で約30〜200の範囲のものが適している。   As resins having carboxyl groups, maleated oil resins obtained by adding maleic anhydride to drying oils (such as linseed oil, dehydrated castor oil, tung oil), and anhydrous in polybutadiene (1,2-type, 1,4-type, etc.) Maleated polybutadiene added with maleic acid, resin obtained by adding maleic anhydride to unsaturated fatty acid ester of epoxy resin, high molecular weight polyhydric alcohol (molecular weight of about 1000 or more, epoxy resin partial ester and styrene-allyl alcohol copolymer) And the like), resins obtained by adding polybasic acids (trimellitic anhydride, maleated fatty acids, maleated oils, etc.), carboxyl group-containing polyester resins (including those modified with fatty acids), carboxyl group-containing acrylic resins , Polymerizable unsaturated monomers containing glycidyl groups or hydroxyl groups and unsaturated fats Examples thereof include resins obtained by adding maleic anhydride or the like to a polymer or copolymer formed using a reaction product with an acid, and the carboxyl group content is generally about 30 to 200 in terms of acid value. A range is suitable.

また、アニオン型電着塗料には、架橋剤を配合することができる。架橋剤としては、ヘキサキスメトキシメチルメラミン、ブトキシ化メチルメラミン、エトキシ化メチルメラミンなどの低分子量メラミン樹脂を必要に応じて使用することができる。さらに、アニオン型電着塗料には顔料(着色顔料、体質顔料、防錆顔料など。顔料の配合量は樹脂固形分100重量部あたり40重量部以下とすることが好ましい)、親水性溶剤、水、添加剤などを必要に応じて配合することができる。   Moreover, a crosslinking agent can be mix | blended with an anion type electrodeposition coating material. As a crosslinking agent, low molecular weight melamine resins, such as hexakis methoxymethyl melamine, butoxylated methyl melamine, and ethoxylated methyl melamine, can be used as needed. Furthermore, anionic electrodeposition paints include pigments (colored pigments, extender pigments, rust preventive pigments, etc. The amount of pigment is preferably 40 parts by weight or less per 100 parts by weight of resin solids), hydrophilic solvents, water Additives can be blended as necessary.

アニオン型電着塗料には、固形分濃度を約5〜40重量%に脱イオン水などで調整し、pH7〜9の範囲に保ってアニオン電着塗装に供することが好ましい。アニオン電着塗装は常法に従って行うことができ、例えば、浴温15〜35℃、負荷電圧100〜350Vの条件で、被塗物を陽極として実施することができる。アニオン電着塗膜は原則として100〜200℃、好ましくは140〜200℃の範囲に加熱して硬化せしめられるが、空気乾燥性の不飽和脂肪酸で変性した樹脂を用いた場合には室温で乾燥させることもできる。   For the anionic electrodeposition coating, it is preferable to adjust the solid content concentration to about 5 to 40% by weight with deionized water or the like, and maintain the pH in the range of 7 to 9 for use in anion electrodeposition coating. Anionic electrodeposition coating can be carried out according to a conventional method, and for example, it can be carried out with the object to be coated as an anode under conditions of a bath temperature of 15 to 35 ° C. and a load voltage of 100 to 350 V. The anion electrodeposition coating film can be cured by heating in the range of 100 to 200 ° C., preferably 140 to 200 ° C. in principle. However, when an air-dried unsaturated fatty acid-modified resin is used, it is dried at room temperature. It can also be made.

さらに、本発明で用いられる絶縁層として、絶縁層が炭素を主成分とする材料、たとえば、ダイヤモンドに類似したカーボン薄膜、いわゆるダイヤモンドライクカーボン(以下、DLC薄膜とする)のうち、絶縁性を有するものにて形成させることもできる。DLC薄膜は、酸素プラズマでエッチングすることが可能であり、さらに、耐薬品性にも優れているため、特に好ましい。   Furthermore, as the insulating layer used in the present invention, the insulating layer has an insulating property among materials mainly composed of carbon, for example, a carbon thin film similar to diamond, so-called diamond-like carbon (hereinafter referred to as a DLC thin film). It can also be made of a material. The DLC thin film is particularly preferable because it can be etched with oxygen plasma and has excellent chemical resistance.

DLC薄膜を形成する方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理気相成長法、プラズマCVD法等の化学気相成長法等のドライコーティング法を採用し得るが、成膜温度が室温から制御できる高周波によるプラズマCVD法が特に好ましい。   As a method for forming the DLC thin film, a dry coating method such as a physical vapor deposition method such as a vacuum deposition method, a sputtering method, or an ion plating method, or a chemical vapor deposition method such as a plasma CVD method can be adopted. A plasma CVD method using a high frequency capable of controlling the film temperature from room temperature is particularly preferable.

前記DLC薄膜をプラズマCVD法で形成するために、原料となる炭素源として炭化水素系のガスが好んで用いられる。例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン等のアルカン系ガス類、エチレン、プロピレン、ブテン、ペンテン等のアルケン系ガス類、ペンタジエン、ブタジエン等のアルカジエン系ガス類、アセチレン、メチルアセチレン等のアルキン系ガス類、ベンゼン、トルエン、キシレン、インデン、ナフタレン、フェナントレン等の芳香属炭化水素系ガス類、シクロプロパン、シクロヘキサン等のシクロアルカン系ガス類、シクロペンテン、シクロヘキセン等のシクロアルケン系ガス類、メタノール、エタノール等のアルコール系ガス類、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系ガス類、メタナール、エタナール等のアルデヒド系ガス類等が挙げられる。前記ガスは単独で使用しても良いし、二種以上を併用しても良い。また、元素として炭素と水素を含有する原料ガスとして前述した炭素源と水素ガスとの混合物、前述した炭素源と一酸化炭素ガス、二酸化ガス等の炭素と酸素のみからなる化合物のガスとの混合物、一酸化炭素ガス、二酸化炭素ガス等の炭素と酸素のみから構成される化合物のガスと水素ガスとの混合物、一酸化炭素ガス、二酸化炭素ガス等の炭素と酸素のみからなる化合物のガスと酸素ガスまたは水蒸気との混合物等が挙げられる。更に、これらの原料ガスには希ガスが含まれていてもよい。希ガスは、周期律表第0属の元素からなるガスであり、例えば、ヘリウム、アルゴン、ネオン、キセノン等が挙げられる。これらの希ガスは単独で使用しても良いし、二種以上を併用しても良い。   In order to form the DLC thin film by the plasma CVD method, a hydrocarbon-based gas is preferably used as a carbon source as a raw material. For example, alkane gases such as methane, ethane, propane, butane, pentane, hexane, alkene gases such as ethylene, propylene, butene, pentene, alkadiene gases such as pentadiene, butadiene, acetylene, methylacetylene, etc. Alkyne gases, aromatic hydrocarbon gases such as benzene, toluene, xylene, indene, naphthalene and phenanthrene, cycloalkane gases such as cyclopropane and cyclohexane, cycloalkene gases such as cyclopentene and cyclohexene, methanol And alcohol gases such as ethanol, ketone gases such as acetone and methyl ethyl ketone, and aldehyde gases such as methanal and ethanal. The said gas may be used independently and may use 2 or more types together. Also, a mixture of the above-mentioned carbon source and hydrogen gas as a source gas containing carbon and hydrogen as elements, and a mixture of the above-mentioned carbon source and a compound gas consisting only of carbon and oxygen, such as carbon monoxide gas and dioxide gas. , A mixture of a compound gas composed of only carbon and oxygen, such as carbon monoxide gas and carbon dioxide gas, and a hydrogen gas, a compound gas composed of only carbon and oxygen, such as carbon monoxide gas and carbon dioxide gas, and oxygen Examples thereof include a mixture with gas or water vapor. Further, these source gases may contain a rare gas. The rare gas is a gas composed of an element belonging to Group 0 of the periodic table, and examples thereof include helium, argon, neon, and xenon. These rare gases may be used alone or in combination of two or more.

絶縁層は、その全体を、上述した絶縁性のDLC薄膜によって形成してもよいが、当該DLC薄膜の、金属板等の導電性基材に対する密着性を向上させて、絶縁層の耐久性をさらに向上させるためには、この両者の間に、Ti、Cr、W、Siもしくはそれらの窒化物又は炭化物から選ばれる一種以上の成分又はその他よりなる中間層を介挿することが好ましい。   The insulating layer may be formed entirely by the above-described insulating DLC thin film, but it improves the adhesion of the DLC thin film to a conductive substrate such as a metal plate, thereby improving the durability of the insulating layer. In order to further improve, it is preferable to insert an intermediate layer composed of one or more components selected from Ti, Cr, W, Si, nitrides or carbides thereof, or the like, between the two.

前記SiまたはSiCの薄膜は、例えば、ステンレス鋼などの金属との密着性に優れる上、その上に積層する絶縁性のDLC薄膜との界面においてSiCを形成して、当該DLC薄膜の密着性を向上させる効果を有している。   The Si or SiC thin film has excellent adhesion to, for example, a metal such as stainless steel, and also forms SiC at the interface with the insulating DLC thin film laminated thereon to improve the adhesion of the DLC thin film. Has the effect of improving.

中間層は、前述したようなドライコーティング法により形成させることができる。   The intermediate layer can be formed by the dry coating method as described above.

中間層の厚みは、1μm以下であることが好ましく、生産性を考慮すると0.5μm以下であることが更に好ましい。1μm以上コーティングするには、コーティング時間が長くなると共に、コーティング膜の内部応力が大きくなるため適さない。   The thickness of the intermediate layer is preferably 1 μm or less, and more preferably 0.5 μm or less in consideration of productivity. A coating of 1 μm or more is not suitable because the coating time becomes long and the internal stress of the coating film increases.

パターン状のめっき部として凸部のパターンを有するめっき用導電性基材の製造法を図面を用いて説明する。   The manufacturing method of the electroconductive base material for plating which has a pattern of a convex part as a pattern-shaped plating part is demonstrated using drawing.

図8〜図10は、パターン状のめっき部として凸部のパターンを有するめっき用導電性基材の作製方法を示す工程の一例を断面図で示したものである。これらにおいて、図2(c)で示す断面形状を有する導電性基材を用いて例示する。   8 to 10 are cross-sectional views showing an example of a process showing a method for producing a conductive substrate for plating having a pattern of convex portions as a patterned plating portion. In these, it illustrates using the electroconductive base material which has the cross-sectional shape shown in FIG.2 (c).

まず、導電性基材1の両面に光硬化性樹脂層7を形成する(図8(a))。フォトリソグラフ法を用いて導電性基材1の一方の表面の光硬化性樹脂層7をパターン化する(図8(b))。パターン化された光硬化性樹脂層7をエッチングレジストとして導電性基材をエッチングすることにより、図に示すエッチングされた導電性基材が得られる(図8(c))。このとき、凸部3の側面5の傾斜角を調整することができる(少なくとも凸部の先端部分において)。傾斜角の調整は、エッチング液である塩化第二鉄溶液の比重とエッチング温度を最適化することなどにより行うことができる。次いで、水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウム等のアルカリ性の水溶液に浸漬して、エッチングレジストを剥離する(図8(d))。   First, the photocurable resin layer 7 is formed on both surfaces of the conductive substrate 1 (FIG. 8A). The photocurable resin layer 7 on one surface of the conductive substrate 1 is patterned using a photolithographic method (FIG. 8B). By etching the conductive substrate using the patterned photocurable resin layer 7 as an etching resist, the etched conductive substrate shown in the figure is obtained (FIG. 8C). At this time, the inclination angle of the side surface 5 of the convex portion 3 can be adjusted (at least at the tip portion of the convex portion). The inclination angle can be adjusted by optimizing the specific gravity of the ferric chloride solution, which is an etching solution, and the etching temperature. Next, the etching resist is removed by dipping in an alkaline aqueous solution such as sodium hydroxide or sodium carbonate (FIG. 8D).

次いで、この導電性基材1の一方の面を剥離可能な粘着フィルム9を貼り合わせて保護し、エッチングした面の全面に絶縁層8を被覆する(図9(e))。しかる後に、プラズマエッチングに対するマスク層10を絶縁層の上に形成する(図9(f))。   Next, an adhesive film 9 capable of peeling off one surface of the conductive substrate 1 is bonded and protected, and the entire surface of the etched surface is covered with an insulating layer 8 (FIG. 9E). Thereafter, a mask layer 10 for plasma etching is formed on the insulating layer (FIG. 9F).

マスク層が形成されている箇所では、絶縁層がエッチングされないため、導電性基材1の凸部3の先端部分に形成された絶縁層8の上のマスク層10を除去する(図9(g))。   Since the insulating layer is not etched at the portion where the mask layer is formed, the mask layer 10 on the insulating layer 8 formed at the tip of the convex portion 3 of the conductive substrate 1 is removed (FIG. 9G )).

マスク層10のこの部分的な除去は凸部3の露出させる先端部分の幅を勘案して除去される。凸部に平面的な又はほぼ平面的な上面がある場合、露出する絶縁層の幅が、上面の幅よりも広くなるようにすることが好ましい(図9(g))。これにより、次の絶縁層8の部分的な除去において、凸部3の上面付近の側面部の絶縁層の除去が行いやすくなる。
特に、研磨によるマスク層10の除去を行うと図9(g)に示すようになる。
This partial removal of the mask layer 10 is removed in consideration of the width of the tip portion exposed by the protrusion 3. When the convex portion has a planar or substantially planar upper surface, it is preferable that the width of the exposed insulating layer be larger than the width of the upper surface (FIG. 9G). Thereby, in the next partial removal of the insulating layer 8, it becomes easy to remove the insulating layer on the side surface portion near the upper surface of the convex portion 3.
In particular, when the mask layer 10 is removed by polishing, the result is as shown in FIG.

次いで、絶縁層にドライエッチングを施すことにより、凸部3の先端部分に形成された絶縁層8を除去することができ、これにより凸部3の先端部分を露出させることができる(図10(h))。   Next, by performing dry etching on the insulating layer, the insulating layer 8 formed at the tip portion of the convex portion 3 can be removed, thereby exposing the tip portion of the convex portion 3 (FIG. 10 ( h)).

特に、酸素ガスでプラズマエッチングを行った場合などには、導電性基材がストッパー層となる。凸部に平面的な又はほぼ平面的な上面がある場合、凸部3の上面の幅を超えた部分の絶縁層を露出させておけば(図9(g))、絶縁層のドライエッチングによる除去が、凸部の側面部にまで及び、その結果、凸部の側面まで露出させることができる((図10(h))。側面部の絶縁層の除去の制御は、ドライエッチングの時間、出力によって行うことができる。   In particular, when plasma etching is performed with oxygen gas, the conductive base material becomes a stopper layer. When the convex portion has a planar or substantially planar upper surface, if the insulating layer in the portion exceeding the width of the upper surface of the convex portion 3 is exposed (FIG. 9G), the insulating layer is dry-etched. The removal extends to the side surface of the convex portion, and as a result, it can be exposed to the side surface of the convex portion ((FIG. 10 (h)). Can be done by output.

次いで、凹部2の絶縁層8上に形成されているマスク層10は、薬液浸漬等により除去される。このようにして本発明に係るめっき用導電性基材の一例を作製することができる(図10(i))。   Next, the mask layer 10 formed on the insulating layer 8 in the recess 2 is removed by chemical solution immersion or the like. Thus, an example of the electroconductive base material for plating which concerns on this invention can be produced (FIG.10 (i)).

さらに、DLCからなる絶縁層と導電性基材の間に中間層を設けた場合、中間層が例えば有機材料である場合には、前記の酸素プラズマで、DLCからなる絶縁層の除去に引き続いて中間層の除去が行え、図10(h)に示すのと同様の構造のめっき用導電性基材とすることができる。中間層が炭素を主成分とする材料でない場合には、酸素プラズマによる中間層のエッチングが困難となるが、この場合には、絶縁層及び中間層の材料に合わせて、ガスを変更するかもしくは、中間層の厚みが0.5μm以下程度であれば、弱い力で機械研磨することにより凸部の先端部分の露出幅を太らせることなく、凸部の先端部分に形成された中間層を除去することが可能である。   Further, when an intermediate layer is provided between the insulating layer made of DLC and the conductive base material, when the intermediate layer is made of an organic material, for example, following the removal of the insulating layer made of DLC with the oxygen plasma described above. The intermediate layer can be removed, and a conductive substrate for plating having a structure similar to that shown in FIG. When the intermediate layer is not a material mainly composed of carbon, it is difficult to etch the intermediate layer by oxygen plasma. In this case, the gas is changed according to the material of the insulating layer and the intermediate layer, or If the thickness of the intermediate layer is about 0.5 μm or less, the intermediate layer formed at the tip of the convex portion is removed without increasing the exposed width of the tip of the convex portion by mechanical polishing with a weak force. Is possible.

DLC薄膜をドライエッチングした際に、中間層が酸素プラズマでエッチングされない場合には、ガスを変更して中間層をドライエッチングするか、もしくは、機械研磨で除去することができる。中間層は薄い皮膜であるため、ラインを太らせること無く、軽い研磨で除去することができる。なお、中間層が導電性である場合には、通電して析出させためっきが中間層から容易に剥離させることができるなら、必ずしも中間層を除去する必要はなく、凸部の露出部分において、それ自体を導電性基材の一部とすることができる。   When the intermediate layer is not etched by oxygen plasma when the DLC thin film is dry etched, the intermediate layer can be dry etched by changing the gas or removed by mechanical polishing. Since the intermediate layer is a thin film, it can be removed by light polishing without thickening the line. In addition, when the intermediate layer is conductive, if the plating deposited by energization can be easily peeled off from the intermediate layer, it is not always necessary to remove the intermediate layer. As such, it can be part of a conductive substrate.

本発明におけるマスク層は、無機系のマスク層と有機系のマスク層に大別できる。   The mask layer in the present invention can be roughly classified into an inorganic mask layer and an organic mask layer.

無機系のマスク層としては、アルミニウム(Al)、クロム(Cr)、ニッケル(Ni)、コバルト(Co)、金(Au)、チタン(Ti)等の金属が、特に酸素プラズマに対する耐性が強く好ましく用いられる。これらの膜は、スパッタ法、真空蒸着法、イオンビーム蒸着法、CVD法、イオンプレーティング法、電着法、無電解めっき法などの薄膜形成方法により形成される。これらの材料の中では、酸素プラズマに対する耐性が高く、廉価であり、蒸着が容易で、酸性物質に対しても塩基性物質に対しても可溶であることから、アルミニウム(Al)が好んで用いられる。アルミニウムは導電性であるため、ドライエッチング後に残しておくと導電性基材の全面にめっきが析出するので、除去する必要がある。アルミニウムのエッチング剤としては、塩基性物質としては水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、リン酸三ナトリウム、リン酸二ナトリウム、リン酸三カリウム、リン酸二カリウム等、また酸性物質としては硫酸、過硫酸、リン酸、塩酸及びその塩等であるが、絶縁層の耐性を考慮して、適宜選択する。
さらに、酸素プラズマに対する耐性を持つ無機材料としては、ウェットコーティング法を用いる場合にはアルカリ金属、オルガノポリ金属、オルガノアルコキシ金属、アルコキシ金属、変性アセチルアセトネート金属等からなる金属酸化物系ポリマーや、無機フィラーを含有した塗料、さらに、セラミックコーティングと呼ばれるケイ素化合物フリット類による塗料を、アルコールや水などの溶剤を加えた状態でスプレー、ディスペンサー、ディッピング、ロール、スピンコート等により塗布できる。また、金属のフッ化物錯体を用いて液層析出法(LPD法)などにより絶縁層の上にマスク層として形成させることもできる。また、ドライコーティング法で各種金属の酸化物を形成させることも可能である。
コーティングする方法としては、蒸着、スパッタリング、イオンプレーティングといったPVD法や、プラズマCVD,熱CVDといったCVD法の他、溶射などの方法を用いて作製することができる。具体的には、Al、Cr、Fe、MgO、SiO、SiO、SnO、TaO、TiO、WO、Y、ZnO、ZnO、ZrO等の皮膜が好ましく用いられる。
As the inorganic mask layer, metals such as aluminum (Al), chromium (Cr), nickel (Ni), cobalt (Co), gold (Au), and titanium (Ti) are particularly preferable because of their high resistance to oxygen plasma. Used. These films are formed by thin film forming methods such as sputtering, vacuum deposition, ion beam deposition, CVD, ion plating, electrodeposition, and electroless plating. Among these materials, aluminum (Al) is preferred because it is highly resistant to oxygen plasma, inexpensive, easy to deposit, and soluble in both acidic and basic substances. Used. Since aluminum is conductive, if it is left after dry etching, plating will be deposited on the entire surface of the conductive substrate, so it must be removed. Etching agents for aluminum include sodium hydroxide, potassium hydroxide, trisodium phosphate, disodium phosphate, tripotassium phosphate, dipotassium phosphate, etc. as basic substances, and sulfuric acid, persulfuric acid as acidic substances , Phosphoric acid, hydrochloric acid and salts thereof, etc., which are appropriately selected in consideration of the resistance of the insulating layer.
Further, as an inorganic material having resistance to oxygen plasma, when a wet coating method is used, a metal oxide polymer composed of alkali metal, organopolymetal, organoalkoxy metal, alkoxy metal, modified acetylacetonate metal, etc., inorganic A paint containing a filler and a paint made of silicon compound frit called a ceramic coating can be applied by spraying, dispenser, dipping, roll, spin coating or the like with a solvent such as alcohol or water added. Alternatively, a metal fluoride complex can be used as a mask layer on the insulating layer by a liquid layer deposition method (LPD method) or the like. It is also possible to form various metal oxides by dry coating.
As a coating method, it can be produced using a PVD method such as vapor deposition, sputtering or ion plating, a CVD method such as plasma CVD or thermal CVD, or a method such as thermal spraying. Specifically, Al 2 O 3 , Cr 2 O 3 , Fe 2 O 3 , MgO, SiO, SiO 2 , SnO 2 , TaO 5 , TiO 2 , WO 3 , Y 2 O 3 , ZnO, ZnO 2 , ZrO A film such as 2 is preferably used.

また、有機系のマスク層としては、ドライエッチングに対する耐性があるもので、公知のものが使用できるが、特に酸素プラズマを用いる場合には、一般的にシリコンを含有するレジスト膜が酸素プラズマに対する耐性があるため、好んで用いられる。シリコンを含有するレジスト膜には、感光性があっても、なくてもよい。凸部の上面にあるマスク層を除去する方法として、凸部の上面にあるマスク層を現像して除去してから、現像した箇所をドライエッチングする場合には、レジスト膜が感光性を有していることが好ましいが、凸部の上面にあるマスク層を機械研磨で除去する場合には、必ずしも感光性は必要でない。用いるレジスト膜は、ネガ型でもポジ型でもよく、液状でもフィルム状でもよい。液状の場合は、スプレー、ディスペンサー、ディッピング、ロール、スピンコート等により塗布でき、フィルムの場合は、加熱ラミネートして、凹部にレジストを追随させながら埋め込むことができる。   In addition, the organic mask layer is resistant to dry etching, and a known one can be used. In particular, when oxygen plasma is used, a resist film containing silicon is generally resistant to oxygen plasma. Therefore, it is used favorably. The resist film containing silicon may or may not be photosensitive. As a method of removing the mask layer on the upper surface of the convex portion, when the mask layer on the upper surface of the convex portion is developed and removed and then the developed portion is dry-etched, the resist film has photosensitivity. However, when the mask layer on the upper surface of the convex portion is removed by mechanical polishing, the photosensitivity is not necessarily required. The resist film to be used may be negative or positive, and may be liquid or film. In the case of a liquid, it can be applied by spraying, dispenser, dipping, roll, spin coating or the like, and in the case of a film, it can be heated and laminated so that the resist is embedded in the recess.

前述したシリコンを含有するレジスト膜について説明する。シリコンを含有するレジスト膜に使用されるシリコン含有感光性組成物としては、公知のものが使用できるが、好適なシリコン含有感光性組成物の代表例としては、主鎖にシリコン原子を有し、アセタール構造、3級エステル構造、t−ブチルオキシカルボニル構造等の酸分解性基を含有するシロキサンポリマーを用いた化学増幅型のシリコン含有感光性組成物、ノボラック樹脂とナフトキノンジアジドからなるレジスト組成物に、主鎖にシリコン原子を有し、分子内にシラノール構造を有するアルカリ可溶性ラダー型ポリシロキサンをブレンドした紫外線露光用のシリコン含有感光性組成物等が挙げられる。側鎖にシリコン原子を有し、かつ側鎖にアセタール構造、3級エステル構造、t−ブチルオキシカルボニル構造、又は、β−シリルエチルエステル構造等の酸分解性基を含有するビニルポリマーと光酸発生剤からなる化学増幅型の遠紫外線露光用のシリコン含有感光性組成物、さらに、メチルメタクリレートのシリコン誘導体を含有する単量体の重合によって形成される構造、アクリル酸エステルポリマーのエステル部にシリコンを含有する構造、トリメチルシリル基を2つ有するアクリル系モノマーから得られるポリマー、シリコン含有モノマー、無水マレイン酸、t−ブチルアクリレートからなるポリマーを有するレジスト組成物等が挙げられる。   The above-described resist film containing silicon will be described. As the silicon-containing photosensitive composition used for the resist film containing silicon, known ones can be used, but as a typical example of a suitable silicon-containing photosensitive composition, the main chain has silicon atoms, A chemically amplified silicon-containing photosensitive composition using a siloxane polymer containing an acid-decomposable group such as an acetal structure, a tertiary ester structure, or a t-butyloxycarbonyl structure, and a resist composition comprising a novolak resin and naphthoquinone diazide And a silicon-containing photosensitive composition for ultraviolet exposure in which an alkali-soluble ladder type polysiloxane having a silicon atom in the main chain and a silanol structure in the molecule is blended. Vinyl polymers and photoacids having a silicon atom in the side chain and an acid-decomposable group such as an acetal structure, tertiary ester structure, t-butyloxycarbonyl structure, or β-silylethyl ester structure in the side chain A chemically amplified silicon-containing photosensitive composition for far-ultraviolet light exposure comprising a generator, a structure formed by polymerization of a monomer containing a silicon derivative of methyl methacrylate, and silicon in the ester part of an acrylate polymer. And a resist composition having a polymer comprising an acrylic monomer having two trimethylsilyl groups, a silicon-containing monomer, maleic anhydride, and a polymer comprising t-butyl acrylate.

マスク層を部分的に除去する方法は、(イ)感光性を有するマスク層を用いて、フォトリソグラフプロセスで凸部の上面に形成されたマスク層を現像、除去する方法、(ロ)マスク層の除去部を機械研磨する方法などがある。前記(イ)の方法では、感光性を有するマスク層は、ポジ型であってもネガ型であってもよく、現像液は、後述するマスク層の剥離液と同様の液を用いることができる。また、前記(ロ)のマスク層を研磨して除去する方法としては、例えば、バフロールを回転させながら研磨する方法がある。バフは市販されている不織布、セラミックバフ、ダイヤモンドバフ等を用いることができる。   The method of partially removing the mask layer includes (a) a method of developing and removing the mask layer formed on the upper surface of the convex portion by a photolithographic process using a photosensitive mask layer, and (b) a mask layer. For example, there is a method of mechanically polishing the removed portion. In the method (a), the photosensitive mask layer may be either a positive type or a negative type, and the developer may be the same liquid as a mask layer peeling liquid described later. . In addition, as a method of polishing and removing the mask layer (b), for example, there is a method of polishing while rotating the baffle. As the buff, a commercially available non-woven fabric, ceramic buff, diamond buff or the like can be used.

本発明で用いられるドライエッチングとは、真空容器内にガスを導入し、ガスを高周波、マイクロ波などにより励起し、プラズマを発生させラジカル、イオンを生成させた後、プラズマにより生成されたラジカル、イオンと被エッチング物(絶縁層、中間層)と反応させ、反応生成物を揮発性ガスにし真空排気系により外部に排気することにより行われるエッチングのことである。ドライエッチングは被エッチング物を載置した電極に高周波電力を印加し、発生した負の自己バイアス電圧により、プラズマから生成されたイオンを加速して被エッチング物に衝撃させる反応性イオンエッチングとエッチング物にバイアスを印加せずにプラズマより生成したラジカルにより被エッチング物をエッチングするプラズマエッチングに大別される。反応性イオンエッチングには平行平板型、マグネトロン型、2周波型、ECR型、ヘリコン型、ICP型などがあり、使用する圧力は低圧であることが多く得られるエッチング形状は等方性である。また、プラズマエッチング装置にはバレル型、平行平板型、ダウンフロー型などがあり、使用する圧力は高圧であることが多く、得られるエッチング形状は等方性である。本発明では、前記のどちらの方式を用いてもよい。   The dry etching used in the present invention is a method of introducing a gas into a vacuum vessel, exciting the gas with a high frequency, microwave, etc., generating plasma, generating radicals, ions, radicals generated by plasma, This is etching performed by reacting ions with an object to be etched (insulating layer, intermediate layer), converting the reaction product into a volatile gas, and exhausting the reaction product to the outside through a vacuum exhaust system. In dry etching, reactive ion etching and etching are performed in which high-frequency power is applied to the electrode on which the object is to be etched, and the ions generated from the plasma are accelerated by the negative self-bias voltage to impact the object to be etched. In general, plasma etching is used to etch an object to be etched by radicals generated from plasma without applying a bias. Reactive ion etching includes parallel plate type, magnetron type, dual frequency type, ECR type, helicon type, ICP type, etc., and the etching shape that is often obtained at a low pressure is isotropic. Plasma etching apparatuses include a barrel type, a parallel plate type, and a down flow type, and the pressure used is often high, and the etching shape obtained is isotropic. In the present invention, any of the above methods may be used.

また、ドライエッチングにおけるガス組成としては、形成された絶縁層をエッチングできるとともに導電性基材をエッチングしずらいガスを適宜選択するが、代表的なガス組成としては、F原子含有プラズマを発生させる、F、CF−O、C−O、C−O、SF−O、SiF−O、NF、ClF、さらに、不飽和種含有プラズマを発生させる、CF、C、CHF、CF−H、CH、さらに、Cl・Br原子を含有するプラズマを発生させる、Cl、CCl、CFCl、Cl−CCl、Br、さらに酸素プラズマを発生させる、O、O−Ar等が用いられる。地球温暖化作用を有さず、腐食性もないことから、酸素プラズマを発生させるガス組成が好ましく、絶縁層も酸素プラズマでエッチングできる、炭素を主成分とする材料を選定することが好ましい。 In addition, as a gas composition in dry etching, a gas that can etch the formed insulating layer and is difficult to etch the conductive substrate is appropriately selected. As a typical gas composition, an F atom-containing plasma is generated. , F 2 , CF 4 -O 2 , C 2 F 6 -O 2 , C 3 F 8 -O 2 , SF 6 -O 2 , SiF 4 -O 2 , NF 3 , ClF 3 , and unsaturated species Generate plasma, CF 4 , C 2 F 6 , CHF 3 , CF 4 -H 2 , CH 4 , and further generate plasma containing Cl · Br atoms, Cl 2 , CCl 4 , CF 3 Cl, Cl 2- CCl 4 , Br 2 , O 2 , O 2 —Ar, etc. that generate oxygen plasma are used. Since it does not have a global warming action and is not corrosive, a gas composition that generates oxygen plasma is preferable, and it is preferable to select a carbon-based material that can etch an insulating layer with oxygen plasma.

絶縁層のドライエッチングに対するマスク層は、ドライエッチングにおけるエッチングレートが絶縁層のエッチングレートと同程度かもしくは、それ以下であるものが好ましい。ドライエッチングにおける絶縁層のエッチングレートよりもマスク層のエッチングレートが大きい場合には、絶縁層が厚くなると、マスク層も厚くしなければならないので非効率的であり、さらに、厚みのばらつきがあった場合にマスク層の下の絶縁層を、エッチングしてしまう可能性がある。したがって、マスク層のエッチングレートは、絶縁層のエッチングレートの1/2以下であることが特に好ましい。   The mask layer for dry etching of the insulating layer is preferably one having an etching rate in dry etching that is similar to or lower than that of the insulating layer. When the etching rate of the mask layer is higher than the etching rate of the insulating layer in the dry etching, the mask layer must be thickened when the insulating layer is thick, and the thickness varies. In some cases, the insulating layer under the mask layer may be etched. Therefore, it is particularly preferable that the etching rate of the mask layer is 1/2 or less of the etching rate of the insulating layer.

前記有機系のマスク層の剥離液として、従来公知のアルカリ性水溶液が使用できる。例えば、ケイ酸ナトリウム、同カリウム、第3リン酸ナトリウム、同カリウム、同アンモニウム、第2リン酸ナトリウム、同カリウム、同アンモニウム、炭酸ナトリウム、同カリウム、同アンモニウム、炭酸水素ナトリウム、同カリウム、同アンモニウム、ほう酸ナトリウム、同カリウム、同アンモニウム、水酸化ナトリウム、同アンモニウム、同カリウム及び同リチウム等の無機アルカリ塩が挙げられる。   A conventionally known alkaline aqueous solution can be used as the stripping solution for the organic mask layer. For example, sodium silicate, potassium, tribasic sodium phosphate, potassium, ammonium, dibasic sodium phosphate, potassium, ammonium, sodium carbonate, potassium, ammonium, sodium bicarbonate, potassium, Examples include inorganic alkali salts such as ammonium, sodium borate, potassium, ammonium, sodium hydroxide, ammonium, potassium, and lithium.

また、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、2−(2−アミノエトキシ)エタノール、N,N−ジメチルエタノールアミン、N,N−ジエチルエタノールアミン、N,N−ジブチルエタノールアミン、N−メチルエタノールアミン、N−エチルエタノールアミン、N−ブチルエタノールアミン、N−メチルジエタノールアミン、モノイソプロパノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン等のアルカノールアミン類;ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、プロピレンジアミン、N,N−ジエチルエチレンジアミン、1,4−ブタンジアミン、N−エチル−エチレンジアミン、1,2−プロパンジアミン、1,3−プロパンジアミン、1,6−ヘキサンジアミン等のポリアルキレンポリアミン類;2−エチル−ヘキシルアミン、ジオクチルアミン、トリブチルアミン、トリプロピルアミン、トリアリルアミン、ヘプチルアミン、シクロヘキシルアミン等の脂肪族アミン;ベンジルアミン、ジフェニルアミン等の芳香族アミン類;ピペラジン、N−メチル−ピペラジン、メチル−ピペ−メチル−ピペラジン、メチル−ピペラジン、ヒドロキシエチルピペラジン等の環状アミン類等の水溶性アミンも好ましく用いられる。   Monoethanolamine, diethanolamine, triethanolamine, 2- (2-aminoethoxy) ethanol, N, N-dimethylethanolamine, N, N-diethylethanolamine, N, N-dibutylethanolamine, N-methylethanol Alkanolamines such as amine, N-ethylethanolamine, N-butylethanolamine, N-methyldiethanolamine, monoisopropanolamine, diisopropanolamine, triisopropanolamine; diethylenetriamine, triethylenetetramine, propylenediamine, N, N-diethyl Polyethylene, 1,4-butanediamine, N-ethyl-ethylenediamine, 1,2-propanediamine, 1,3-propanediamine, 1,6-hexanediamine, etc. Alkylene polyamines; aliphatic amines such as 2-ethyl-hexylamine, dioctylamine, tributylamine, tripropylamine, triallylamine, heptylamine and cyclohexylamine; aromatic amines such as benzylamine and diphenylamine; piperazine, N- Water-soluble amines such as cyclic amines such as methyl-piperazine, methyl-piper-methyl-piperazine, methyl-piperazine, and hydroxyethylpiperazine are also preferably used.

マスク層の剥離液として、第4級アンモニウム水酸化物も好ましく用いられる。具体的には、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド〔=TMAH〕、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、メチルトリプロピルアンモニウムヒドロキシド、メチルトリブチルアンモニウムヒドロキシド、トリメチルエチルアンモニウムヒドロキシド、(2−ヒドロキシエチル)トリメチルアンモニウムヒドロキシド〔=コリン〕、(2−ヒドロキシエチル)トリエチルアンモニウムヒドロキシド、(2−ヒドロキシエチル)トリプロピルアンモニウムヒドロキシド、(1−ヒドロキシプロピル)トリメチルアンモニウムヒドロキシド等が例示される。中でもテトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド、メチルトリブチルアンモニウムヒドロキシド、メチルトリプロピルアンモニウムヒドロキシド、コリン等が好ましい。
第4級アンモニウム水酸化物は1種または2種以上を用いることができる。
A quaternary ammonium hydroxide is also preferably used as the mask layer stripping solution. Specifically, tetramethylammonium hydroxide [= TMAH], tetraethylammonium hydroxide, tetrapropylammonium hydroxide, tetrabutylammonium hydroxide, methyltripropylammonium hydroxide, methyltributylammonium hydroxide, trimethylethylammonium hydroxide (2-hydroxyethyl) trimethylammonium hydroxide [= choline], (2-hydroxyethyl) triethylammonium hydroxide, (2-hydroxyethyl) tripropylammonium hydroxide, (1-hydroxypropyl) trimethylammonium hydroxide, etc. Is exemplified. Of these, tetramethylammonium hydroxide, tetrabutylammonium hydroxide, tetrapropylammonium hydroxide, methyltributylammonium hydroxide, methyltripropylammonium hydroxide, choline and the like are preferable.
One or more quaternary ammonium hydroxides can be used.

マスク層の剥離液として、有機アルカリ剤や、第4級アンモニウム水酸化物を用いる場合には、通常、レジスト膜の剥離性を向上させるために、水溶性有機溶媒と混合して用いることが多い。水溶性有機溶媒としては、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド類;ジメチルスルホン、ジエチルスルホン、ビス(2−ヒドロキシエチル)スルホン、テトラメチレンスルホン〔=スルホラン〕等のスルホン類;N,N−ジメチルホルムアミド、N−メチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチルアセトアミド、N,N−ジエチルアセトアミド等のアミド類;N−メチル−2−ピロリドン、N−エチル−2−ピロリドン、N−プロピル−2−ピロリドン、N−ヒドロキシメチル−2−ピロリドン、N−ヒドロキシエチル−2−ピロリドン等のラクタム類;1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン、1,3−ジエチル−2−イミダゾリジノン、1,3−ジイソプロピル−2−イミダゾリジノン等のイミダゾリジノン類;エチレングリコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル等の多価アルコール類およびその誘導体などが挙げられる。中でも、ジメチルスルホキシド、ジメチルイミダゾリジノン、N−メチル−2−ピロリドン、およびジエチレングリコールモノブチルエーテル、スルホラン、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミド等が好ましく用いられる。水溶性有機溶媒は1種または2種以上を用いることができる。   When an organic alkali agent or a quaternary ammonium hydroxide is used as a mask layer stripping solution, it is usually used in a mixture with a water-soluble organic solvent in order to improve the stripping property of the resist film. . Examples of the water-soluble organic solvent include sulfoxides such as dimethylsulfoxide; sulfones such as dimethylsulfone, diethylsulfone, bis (2-hydroxyethyl) sulfone, tetramethylenesulfone [= sulfolane]; N, N-dimethylformamide, N- Amides such as methylformamide, N, N-dimethylacetamide, N-methylacetamide, N, N-diethylacetamide; N-methyl-2-pyrrolidone, N-ethyl-2-pyrrolidone, N-propyl-2-pyrrolidone, Lactams such as N-hydroxymethyl-2-pyrrolidone and N-hydroxyethyl-2-pyrrolidone; 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone, 1,3-diethyl-2-imidazolidinone, 1,3- Imidazolidinones such as diisopropyl-2-imidazolidinone; Tylene glycol, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monomethyl And polyhydric alcohols such as ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, propylene glycol monobutyl ether, and derivatives thereof. Among them, dimethyl sulfoxide, dimethyl imidazolidinone, N-methyl-2-pyrrolidone, diethylene glycol monobutyl ether, sulfolane, N, N-dimethylacetamide, N, N-dimethylformamide and the like are preferably used. One or two or more water-soluble organic solvents can be used.

前記図8の(c)において、導電性基材1のエッチングは、凸部3の上面4の幅がレジストパターンの幅と同様にした場合を例示したが、図11の(a)に示すように、凸部3の上面4の幅がレジストパターンの幅よりも小さくなるようにオーバーエッチングしてもよい。この場合、オーバーエッチングを十分行って、引き続いて絶縁層を形成し、図11の(b)に示すようにし、続いてレジストパターンを剥離して図11の(c)のように絶縁層を有する導電性基材を作製してもよい。以上において、レジストパターンの形成法、エッチング法、絶縁層の形成法、残存レジストの剥離法等は前述したのと同様である。   In FIG. 8C, the conductive base material 1 is etched in the case where the width of the upper surface 4 of the convex portion 3 is the same as the width of the resist pattern, but as shown in FIG. In addition, overetching may be performed so that the width of the upper surface 4 of the protrusion 3 is smaller than the width of the resist pattern. In this case, sufficient over-etching is performed to continuously form an insulating layer, as shown in FIG. 11B, and then the resist pattern is peeled to have an insulating layer as shown in FIG. 11C. A conductive substrate may be produced. In the above, the resist pattern forming method, etching method, insulating layer forming method, residual resist peeling method and the like are the same as described above.

この後、凸部上面に絶縁層がないことを除けば、図9の(f)以降と同様にして目的の図10の(i)に示すようなめっき用導電性基材を作製することができる。   Thereafter, except for the fact that there is no insulating layer on the upper surface of the convex portion, the target conductive substrate for plating as shown in FIG. 10 (i) can be produced in the same manner as in FIG. 9 (f) and thereafter. it can.

前述しためっき用導電性基材は、必ずしも絶縁層を有していなくてもよい。凸部の先端部分に析出した金属を選択的に転写することができればよい。このようなものとして、凸部の先端部分の表面粗さを小さくし、その他の部分(前述した絶縁層が形成されている部分に相当する)の表面粗さを大きくすることで、めっき用導電性基材の先端部分に析出した金属を選択的に転写することができる。凸部の先端部分の表面粗さが低く、その他の部分の表面粗さが粗いことは、先端部分以外の部分(凹部内)に出現する金属が粒状となり、非連続的に析出する傾向があるため、別の基材により凸部の先端部分に形成された金属層のみを選択的に転写することが可能である。具体的には、凸部の先端部分の表面粗さは、十点平均粗さRz(JIS B 0601−1994に準拠して測定する)で2.0μm以下であることが好ましく、Rzが1.0μm以下であることがさらに好ましい。また、凹部内の表面粗さは、Rzが2.0μmを超えることが好ましく、Rzが3.0μm以上であることがさらに好ましい。   The conductive substrate for plating described above does not necessarily have an insulating layer. It is sufficient if the metal deposited on the tip portion of the convex portion can be selectively transferred. As such, by reducing the surface roughness of the tip of the convex part and increasing the surface roughness of the other part (corresponding to the part where the insulating layer described above is formed), the plating conductive The metal deposited on the tip portion of the conductive substrate can be selectively transferred. If the surface roughness of the tip of the convex part is low and the surface roughness of the other part is rough, the metal appearing in the part other than the tip part (in the recess) becomes granular and tends to deposit discontinuously. Therefore, it is possible to selectively transfer only the metal layer formed on the tip portion of the convex portion by another base material. Specifically, the surface roughness of the tip portion of the convex part is preferably 2.0 μm or less in terms of ten-point average roughness Rz (measured in accordance with JIS B 0601-1994), and Rz is 1. More preferably, it is 0 μm or less. Moreover, as for the surface roughness in a recessed part, it is preferable that Rz exceeds 2.0 micrometers, and it is more preferable that Rz is 3.0 micrometers or more.

本発明で用いられる導電性基材として回転体を用いることができるが、この基材としては導通可能である金属でできたロール状の回転体が望ましい。さらに回転体としてはドラム式電解析出法に用いるドラム電極などを用いることが好ましい。もちろん前記に示した凸部に対して幾何学図形上の凹部が形成されている導電性基材が平板であっても、それを電気的に導通するようにドラムに固定して用いることができる。導電性基材が平板の場合、一枚の導体層のパターンの製品を枚葉方式で作製することもできるが、回転体を用いると連続的に作製し、巻物として製品を得ることができるため、生産性に優れる。   Although a rotating body can be used as the conductive substrate used in the present invention, a roll-shaped rotating body made of a metal that can conduct electricity is desirable as the substrate. Further, it is preferable to use a drum electrode or the like used in the drum type electrolytic deposition method as the rotating body. Of course, even if the conductive base material in which the geometrical concave portion is formed with respect to the convex portion shown above is a flat plate, it can be used by being fixed to the drum so as to electrically conduct it. . When the conductive base material is a flat plate, a single conductor layer pattern product can be produced by a single wafer method. However, when a rotating body is used, the product can be obtained continuously as a scroll. Excellent in productivity.

本発明における電気めっきに使用するめっき浴としてはピロリン酸銅浴が用いられる。ピロリン酸銅浴は、ピロリン酸銅及びピロリン酸塩を含む電解液である。その具体例としては次の配合からなるものがある。   As a plating bath used for electroplating in the present invention, a copper pyrophosphate bath is used. The copper pyrophosphate bath is an electrolytic solution containing copper pyrophosphate and pyrophosphate. Specific examples thereof include those having the following composition.

ピロリン酸銅 63〜105 g/L(銅分として23〜38 g/L)
ピロリン酸カリウム 200〜470 g/L
を含み、必要に応じて、
アンモニア水(比重0.88)1〜6 mL/L
硝酸カリウム 8〜16 g/L
光沢剤(メルカプトチアゾール、メルカプトチアゾール系添加物など) 適量
を溶解・配合した水溶液が用いられる。その他、ピロリン酸ナトリウムや、市販のピロリン酸銅めっき用添加剤を用いることもできる。さらに、モリブデン等VI族元素、及びコバルト、ニッケル等VIII族元素のうち一つ又はそれ以上の成分をめっき浴に添加すると、より安定して黒化処理を施すことができる。
Copper pyrophosphate 63-105 g / L (23-38 g / L as copper content)
Potassium pyrophosphate 200-470 g / L
Including, if necessary,
Ammonia water (specific gravity 0.88) 1-6 mL / L
Potassium nitrate 8-16 g / L
Brightener (mercaptothiazole, mercaptothiazole-based additive, etc.) An aqueous solution in which an appropriate amount is dissolved and blended is used. In addition, sodium pyrophosphate and a commercially available additive for copper pyrophosphate plating can also be used. Furthermore, when one or more components of Group VI elements such as molybdenum and Group VIII elements such as cobalt and nickel are added to the plating bath, the blackening treatment can be performed more stably.

本発明において、めっき工程(金属パターンを作製する場合は、金属パターン層形成工程という)は、導電層形成工程及び黒化処理工程を含み、同一めっき浴中でこれらの工程が行われる。導電層形成工程において、導電性基材(陰極)と陽極の間に印加される第1の電流密度の下に、導電性基材に対し電気めっきが行われ(すなわち、導電性基材の凸部正面に銅を析出させて)、導電性の銅層が形成される。
導電性金属層導体層の体積抵抗率は、10μΩ/cm以下であることが好ましく、5μΩ/cm以下であることがさらに好ましい。この第1の電流密度の範囲としては正常な皮膜を生成する電流密度の上限を示す最大電流密度以下で、なおかつ正常な皮膜を生成するには下限となる臨界電流密度以上の範囲である。第1の電流密度は、具体的には、電解液の組成、添加物の種類、濃度、さらには循環方法や温度、攪拌方法などにより影響を受け、また、めっき用導電性基材の形状(凸部又は凹部のパターン)により影響を受けるので、一概に、規定できないが、好ましくは、0.5A/dm以上40A/dm以下の範囲で適宜決定される。その理由は臨界電流密度を外れると正常な皮膜が得られない。0.5A/dmを下回ると目標厚みまで析出するのに長時間必要とし、結果生産効率が低下し生産コストが下がらない、また40A/dmを超過すると析出銅が正常な皮膜にならずその後の転写などの工程に支障を及ぼす。この観点からは、第1電流密度は35A/dm以下であることが好ましい。
パターン状めっき部として凹部のパターンを有する導電性基材やパターン状めっき部がなく、大面積又は全面にめっきされる導電性基材を用いるときは、導電層形成工程において、導電層を品質良く形成するためには、電流密度は小さい方が好ましいが、めっき速度をあげるためには電流密度は大きい方が好ましく、このときには、めっき液の流れや温度を調節して良質の導電層が形成されるよう調整することが好ましい。これらの場合、第1の電流密度は、例えば0.5A/dm以上10A/dm以下が好ましい。パターン状めっき部として凹部のパターンを有する導電性基材を用いた場合も、第1の電流密度が大きくなると、析出銅が正常な皮膜になりにくくなる。
In the present invention, the plating step (referred to as a metal pattern layer forming step when producing a metal pattern) includes a conductive layer forming step and a blackening treatment step, and these steps are performed in the same plating bath. In the conductive layer forming step, electroplating is performed on the conductive substrate under the first current density applied between the conductive substrate (cathode) and the anode (that is, the convexity of the conductive substrate). Copper is deposited on the front of the part) to form a conductive copper layer.
The volume resistivity of the conductive metal layer conductor layer is preferably 10 μΩ / cm or less, and more preferably 5 μΩ / cm or less. The range of the first current density is not more than the maximum current density indicating the upper limit of the current density for generating a normal film, and more than the critical current density which is the lower limit for generating a normal film. Specifically, the first current density is affected by the composition of the electrolytic solution, the type and concentration of the additive, the circulation method, the temperature, the stirring method, and the like, and the shape of the conductive substrate for plating ( However, it is preferably determined in the range of 0.5 A / dm 2 or more and 40 A / dm 2 or less. The reason is that a normal film cannot be obtained if the critical current density is exceeded. If it is less than 0.5 A / dm 2 , it will take a long time to deposit to the target thickness, resulting in a decrease in production efficiency and production cost, and if it exceeds 40 A / dm 2 , the deposited copper will not become a normal film. It interferes with subsequent processes such as transcription. From this point of view, the first current density is preferably 35 A / dm 2 or less.
When there is no conductive base material having a concave pattern or pattern-shaped plating part as the pattern-like plating part, and a conductive base material that is plated over a large area or the entire surface is used, the conductive layer is of good quality in the conductive layer forming step. A low current density is preferable for forming, but a high current density is preferable for increasing the plating speed. In this case, a high-quality conductive layer is formed by adjusting the flow and temperature of the plating solution. It is preferable to adjust so that. In these cases, the first current density is preferably 0.5 A / dm 2 or more and 10 A / dm 2 or less, for example. Even when a conductive substrate having a concave pattern is used as the pattern-like plating portion, the deposited copper is less likely to be a normal film when the first current density is increased.

導電層形成工程の後、黒化処理工程が行われる。黒化処理工程において、導電性基材(陰極)と陽極の間に印加される第2の電流密度の下に、導電層形成工程で形成された銅層の表面に、黒化処理が施される。この第2の電流密度の範囲は正常な皮膜を生成する電流密度の上限を示す最大電流密度以上であり、拡散によるイオンの補給が限界に達し、電圧を上げても電流密度が増加しなくなる電流密度の最大値を示す限界電流密度以下であることが好ましい。第2の電流密度は、メッシュ形状や、他のめっき条件によって適正値は変化するので一概にいえないが、黒色度を勘案して適宜決定される。場合により第2の電流密度が10A/dmであっても黒化処理することができ、場合により、もっと高くないと黒化処理できないことがある。一般に、パターンが微細になるとより大きな電流密度が必要になる傾向がある。他の条件が同じなら、第2の電流密度は、一般に、選択した第1電流密度よりは大きい範囲から適宜選択される。第2の電流密度が大きすぎると析出銅は針状析出となり転写不良や粉落ちなどの不具合を生じる傾向がある。このため、第2の電流密度の上限は、100A/dmとすることが好ましい。 After the conductive layer forming process, a blackening process is performed. In the blackening treatment step, the blackening treatment is performed on the surface of the copper layer formed in the conductive layer formation step under the second current density applied between the conductive substrate (cathode) and the anode. The The range of the second current density is equal to or higher than the maximum current density indicating the upper limit of the current density for generating a normal film, and the current replenishment of ions by diffusion reaches the limit, and the current density does not increase even when the voltage is increased. It is preferable that the density is not more than the limit current density indicating the maximum value of the density. The appropriate value of the second current density varies depending on the mesh shape and other plating conditions, and thus cannot be generally specified, but is appropriately determined in consideration of the blackness. In some cases, the blackening process can be performed even when the second current density is 10 A / dm 2 , and in some cases, the blacking process cannot be performed unless the current density is higher. In general, a finer pattern tends to require a larger current density. If the other conditions are the same, the second current density is generally appropriately selected from a range larger than the selected first current density. If the second current density is too large, the deposited copper tends to form needle-like precipitates and cause defects such as transfer failure and powder falling. For this reason, the upper limit of the second current density is preferably set to 100 A / dm 2 .

第2の電流密度は、一つに限らず、二つもしくはそれ以上を段階的を変化させて黒化皮膜として析出する粒子の大きさを制御するようにしてもよい。   The second current density is not limited to one, and two or more current densities may be changed stepwise to control the size of particles deposited as a blackened film.

黒化処理工程においては、導電層形成工程で形成された銅層の表面に微粒子状の銅金属が電気めっきにより析出し、これにより黒色を帯びるようになる。この黒色は、微粒子状の銅金属がその下の導電層形成工程で形成された導電層上に析出した結果そのように見えるようになったものであり、そのような微粒子が導電層上に並んで、場合により重なって黒色金属層を形成しているといってよい。   In the blackening process, finely divided copper metal is deposited on the surface of the copper layer formed in the conductive layer forming process by electroplating, thereby becoming black. This black color appears as a result of the deposition of finely divided copper metal on the conductive layer formed in the underlying conductive layer forming step, and such fine particles are arranged on the conductive layer. Therefore, it can be said that the black metal layer is formed by overlapping depending on the case.

色の定量的な評価を行うために数値化することが求められ、その方法として国際照明委員会(CIE)ではいくつか規格化されているが、その中の代表的な方法としてL*a*b*表色系がある。これは、L*が明度を表し、a*は赤緑、b*は黄青の色相と彩度を示すものである。L*は完全な黒色(光の全吸収)は0で、反対に完全な白(光の全反射)は100で表される。   In order to quantitatively evaluate colors, numerical values are required, and several methods have been standardized by the International Commission on Illumination (CIE), but L * a * is a representative method. There is a b * color system. In this case, L * represents lightness, a * represents reddish green, and b * represents yellowish blue hue and saturation. L * is 0 for perfect black (total absorption of light), and 100 for perfect white (total reflection of light).

ディスプレイの表示面などを電磁波遮蔽する導体層パターン付き基材は良好な光透過性が求められ、そのため電磁波遮蔽用の導体層パターンによる被覆率をなるべく減少させることが好ましく、さらに外光を反射せず、透過光の輝度を引き立たせ画質を向上させるためには、導体層パターン自体は黒であることが望ましい。しかしながら導体層パターン付き基材は前記の理由からそれ自体が光透過性が高いために微細な形状の導体層パターン自体の色度(明度)を直接測定することは困難である。
そこで、開口率が約50%では、明度25の黒色を背景に、導体層パターン部分の明度を測定する。具体的には、導体層パターンの黒色面を上して、導体層パターン付き基材の下に明度25の黒色紙を敷き、明度を測定する。導体層パターンが良好な黒色ならば、明度L*は25乃至50の値となり、また色度a*とb*はともに5以下の値を示す。黒化処理において、このように黒色度を調整することが好ましい。一方、黒色の程度が不十分で銅本来の色が残存する場合は、明度L*は60以上の高い値を示し、色度a*、b*ともに赤みまたは黄色を示す5より大きい値となる。
また、開口率が大きくなると、上記の方法による明度では、黒色度を測ることは困難になるため、色度a*とb*により決定する。この方法は、開口率50%でも成り立つ。すなわち、開口率が40%以上では、上記と同様に明度25の黒色を背景に、導体層パターン部分の色度を測定し、色度a*とb*がともに2.8以下、好ましくは2.6以下の値を示すときは、導体層パターンが良好な黒色を示す。この場合に、開口率50%以上のメッシュ状導体層パターンであれば、その導体層パターンが良好な黒色を示すと共に、電磁波遮蔽材用途に適したものとなる。電磁波遮蔽材用途ではその光透過部の開口率が80%以上であることがより好ましい。
開口率が40%未満(開口率0%、すなわち、べた銅箔も含む)では、上記と同様に明度25の黒色を背景に導体層パターン部分、又は、ベタ銅箔の色度を測定し、色度a*とb*がともに5以下であるとき良好な黒色を示し、特に2.8以下であるときさらに良好な黒色を示す。
Substrates with a conductor layer pattern that shields the display surface of the display from electromagnetic waves are required to have good light transmittance. Therefore, it is preferable to reduce the coverage by the conductor layer pattern for shielding electromagnetic waves as much as possible, and to reflect external light. In order to enhance the brightness of transmitted light and improve the image quality, it is desirable that the conductor layer pattern itself be black. However, since the base material with a conductor layer pattern itself has high light transmittance, it is difficult to directly measure the chromaticity (brightness) of the fine conductor layer pattern itself.
Therefore, when the aperture ratio is about 50%, the brightness of the conductor layer pattern portion is measured against a black background of brightness 25. Specifically, the black surface of the conductor layer pattern is raised, a black paper with a brightness of 25 is laid under the substrate with the conductor layer pattern, and the brightness is measured. If the conductive layer pattern is good black, the lightness L * is a value of 25 to 50, and the chromaticities a * and b * are both 5 or less. In the blackening process, it is preferable to adjust the blackness in this way. On the other hand, when the degree of black is insufficient and the original color of copper remains, the lightness L * shows a high value of 60 or more, and both the chromaticities a * and b * are larger than 5 indicating redness or yellow. .
In addition, when the aperture ratio increases, it is difficult to measure the blackness with the lightness by the above method, and therefore, it is determined by the chromaticity a * and b *. This method is effective even with an aperture ratio of 50%. That is, when the aperture ratio is 40% or more, the chromaticity of the conductor layer pattern portion is measured against a black background having a brightness of 25 as described above, and both the chromaticities a * and b * are 2.8 or less, preferably 2 When the value is .6 or less, the conductor layer pattern shows a good black color. In this case, if the mesh-like conductor layer pattern has an aperture ratio of 50% or more, the conductor layer pattern exhibits a good black color and is suitable for use as an electromagnetic shielding material. In the electromagnetic wave shielding material application, it is more preferable that the aperture ratio of the light transmission part is 80% or more.
When the aperture ratio is less than 40% (including an aperture ratio of 0%, that is, including a solid copper foil), the chromaticity of the conductor layer pattern portion or the solid copper foil is measured against a black background having a brightness of 25 as described above. When the chromaticities a * and b * are both 5 or less, a good black color is exhibited, and particularly when the chromaticity a * and b * is 2.8 or less, a better black color is exhibited.

なお、色度は分光測色計CM−508d(コニカミノルタホールディングス)を使用し、反射モードに設定して測定できる。本計測機器の明度及び色度を測定する測色対象部は直径10mmの円形であり、その開口部の平均表色を求めることができる。   The chromaticity can be measured by using a spectrocolorimeter CM-508d (Konica Minolta Holdings) and setting the reflection mode. The colorimetric object part for measuring the brightness and chromaticity of the measuring instrument is a circle having a diameter of 10 mm, and the average color of the opening can be obtained.

本発明のように、銅金属層(銅箔)の生成から黒化処理を連続して行うと、導体層形成工程と黒化処理工程の間に水洗処理、及び導体層の表面処理が不要になるために製造時間の短縮・コストの低減ができ、環境負荷も低減できる。   If the blackening treatment is continuously performed from the generation of the copper metal layer (copper foil) as in the present invention, the water washing treatment and the surface treatment of the conductor layer are unnecessary between the conductor layer forming step and the blackening treatment step. Therefore, the manufacturing time can be shortened and the cost can be reduced, and the environmental load can be reduced.

前記の導電層形成工程及び黒化処理工程において、析出する金属層の厚さに対して相対的に凹部がより深くなることにより、析出する金属層をより形状的に規正することができるという観点から、めっきにより形成される金属箔の厚さを絶縁層の高さの2倍以下とすることが好ましく、特に1.5倍以下、さらに1.2倍以下とすることが好ましいが、これに制限されるものではない。
めっきの程度を、析出する金属層が凹部内に存在する程度とすることができる。このような場合であっても、凹部形状が開口方向に幅広であるため、さらには、絶縁層により形成される凹部側面の表面を平滑にできるため、金属箔パターンの剥離時のアンカー効果は極めて小さくできる。また、析出する金属層の幅に対する高さの割合を高くすることが可能となり、透過率をより向上させることができる。
In the conductive layer forming step and the blackening treatment step, the concave portion becomes deeper relative to the thickness of the deposited metal layer, so that the deposited metal layer can be more accurately regulated. Therefore, the thickness of the metal foil formed by plating is preferably 2 times or less the height of the insulating layer, particularly preferably 1.5 times or less, and more preferably 1.2 times or less. It is not limited.
The degree of plating can be such that the deposited metal layer is present in the recess. Even in such a case, since the concave shape is wide in the opening direction, and furthermore, the surface of the concave side surface formed by the insulating layer can be smoothed, the anchor effect when peeling the metal foil pattern is extremely Can be small. Moreover, it becomes possible to make high the ratio of the height with respect to the width | variety of the metal layer to deposit, and to improve the transmittance | permeability more.

また、上記のめっき用導電性基材を用いて、めっきした後、その基材上に形成された銅箔又はパターン化銅箔(パターン化銅金属)を通常の方法により、剥離することにより、銅箔又はパターン化銅箔を取得することができる。この場合、剥離用基材として、別の基材に粘着剤層が積層されているものを使用し、パターン化銅箔が形成されているめっき用導電性基材の銅箔面に粘着剤を向けて、剥離用基材を圧着後、剥離し、パターン化銅箔を剥離用基材に転写してめっき用導電性基材からパターン化銅箔を剥離することもできる。パターン化銅箔は適宜、この剥離用基材から剥離して取得される。   Moreover, after plating using the conductive base material for plating, by peeling the copper foil or patterned copper foil (patterned copper metal) formed on the base material by a normal method, Copper foil or patterned copper foil can be obtained. In this case, as the substrate for peeling, a substrate in which an adhesive layer is laminated on another substrate is used, and the adhesive is applied to the copper foil surface of the conductive substrate for plating on which the patterned copper foil is formed. Alternatively, the substrate for peeling can be peeled and then peeled, and the patterned copper foil can be transferred to the substrate for peeling to peel the patterned copper foil from the conductive substrate for plating. The patterned copper foil is appropriately obtained by peeling from the peeling substrate.

本発明におけるパターン化銅箔は、前記しためっき用導電性基材の形状に対応したものとなり、平面形状として、正三角形、二等辺三角形、直角三角形などの三角形、正方形、長方形、ひし形、平行四辺形、台形などの四角形、(正)六角形、(正)八角形、(正)十二角形、(正)二十角形などの(正)n角形(nは3以上の整数)、円、だ円、星型などの貫通孔がある金属箔、このような形状の凹部がある金属箔、このような形状の個々に分離された金属箔等であり、めっき後にめっき用導電性基材から剥がしやすくするためには、貫通孔がある場合でも連続した箔であることが好ましい。なお、形状は、目的に応じて選択される。このような形状は、組合せて使用できる。また、貫通孔又は凹部の大きさ、分布密度は、目的応じて適宜決定される。
以上説明した方法により、電磁波シールド性を有する銅金属メッシュ、キャパシタ用の穴あき銅箔などを作製することができる。
The patterned copper foil in the present invention corresponds to the shape of the conductive substrate for plating described above, and as a planar shape, a triangle such as a regular triangle, an isosceles triangle, a right triangle, a square, a rectangle, a rhombus, and a parallelogram Shapes, trapezoids and other quadrangles, (positive) hexagons, (positive) octagons, (positive) dodecagons, (positive) n-decagons (n is an integer of 3 or more), circles, These are metal foils with through-holes such as ellipses and stars, metal foils with recesses of this shape, individually separated metal foils of such shape, etc. In order to facilitate peeling, a continuous foil is preferable even when there are through holes. The shape is selected according to the purpose. Such shapes can be used in combination. Further, the size and distribution density of the through holes or the recesses are appropriately determined according to the purpose.
By the method described above, a copper metal mesh having electromagnetic wave shielding properties, a perforated copper foil for capacitors, and the like can be produced.

前述した凹部に絶縁層を有する導電性基材の凸部の先端部分にめっきにより析出させる金属の厚さ(めっき厚さ)は、十分な導電性を示す(このとき電磁波シールド性が十分に発現する)ためには、0.5μm以上であることが好ましく、導体層にピンホールが形成される(このとき、電磁波シールド性が低下する)可能性を小さくするためには、3μm以上の厚さであることがさらに好ましい。また、めっき厚さが大きすぎると、析出した金属は幅方向にも広がるため、転写したラインの幅が広くなり、導体層付きパターン基材の開口率が低下し、透明性、非視認性が低下する。したがって、透明性、非視認性を確保するためには、析出した金属の厚みを20μm以下とすることが好ましく、さらに、めっきの析出時間を短縮し、生産効率をあげるためには、めっきの厚みは10μm以下であることがさらに好ましい。黒化処理については、前述した明度を目安として処理される。
黒化処理が進みすぎると細線部に粉落ちが発生しやすくなるので、注意を要する。
The thickness of the metal deposited by plating on the tip of the convex portion of the conductive substrate having the insulating layer in the concave portion described above (plating thickness) exhibits sufficient conductivity (at this time, sufficient electromagnetic shielding properties are exhibited) In order to reduce the possibility of pinholes being formed in the conductor layer (in this case, the electromagnetic wave shielding property is reduced), the thickness is 3 μm or more. More preferably. Also, if the plating thickness is too large, the deposited metal spreads in the width direction, so the width of the transferred line becomes wider, the aperture ratio of the pattern base material with the conductor layer decreases, and transparency and invisibility are reduced. descend. Therefore, in order to ensure transparency and invisibility, the thickness of the deposited metal is preferably 20 μm or less. Further, in order to shorten the plating deposition time and increase the production efficiency, the thickness of the plating is preferred. Is more preferably 10 μm or less. The blackening process is performed using the lightness described above as a guide.
If the blackening process proceeds too much, powder is likely to fall off in the thin line portion, so care must be taken.

本発明において、パターン状のめっき部を有するめっき用導電性基材を用いる導体層パターン付き基材の製造法は、
(イ)めっき用導電性基材のめっき部にめっきにより表面が黒化された銅金属を析出させて導体層パターンを生成させる工程、
(ロ)上記めっき用導電性基材のめっき部に析出させた銅金属を別の基材に転写する工程を含む。
(イ)の工程は、前記に説明したとおりである。以下、(ロ)の工程について説明する。
In the present invention, a method for producing a base material with a conductor layer pattern using a conductive base material for plating having a patterned plating portion,
(A) a step of depositing a copper metal whose surface is blackened by plating on the plating part of the conductive base material for plating to generate a conductor layer pattern;
(B) including a step of transferring the copper metal deposited on the plating portion of the conductive substrate for plating to another substrate.
The process (a) is as described above. Hereinafter, the process (b) will be described.

導体層パターンが転写される基材としては、ガラス、プラスチック等からなる板、プラスチックフィルム、プラスチックシートなどがある。ガラスとしては、ソーダガラス、無アルカリガラス、強化ガラス等のガラスを使用することができる。プラスチックとしては、ポリスチレン樹脂、アクリル樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂などの熱可塑性ポリエステル樹脂、酢酸セルロース樹脂、フッ素樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリメチルペンテン樹脂、ポリウレタン樹脂、フタル酸ジアリル樹脂などの熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂が挙げられる。プラスチックの中では、透明性に優れるポリスチレン樹脂、アクリル樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂が好適に用いられる。導体層パターンが転写される基材の厚みは、0.5mm〜5mmがディスプレイの保護や強度、取扱い性から好ましい。   Examples of the substrate onto which the conductor layer pattern is transferred include a plate made of glass, plastic, etc., a plastic film, a plastic sheet, and the like. As the glass, glass such as soda glass, non-alkali glass, and tempered glass can be used. Plastics include polystyrene resin, acrylic resin, polymethyl methacrylate resin, polycarbonate resin, polyvinyl chloride resin, polyvinylidene chloride resin, polyethylene resin, polypropylene resin, polyamide resin, polyamideimide resin, polyetherimide resin, polyetheretherketone Resin, polyarylate resin, polyacetal resin, polybutylene terephthalate resin, thermoplastic polyester resin such as polyethylene terephthalate resin, cellulose acetate resin, fluororesin, polysulfone resin, polyethersulfone resin, polymethylpentene resin, polyurethane resin, diallyl phthalate Examples thereof include thermoplastic resins such as resins and thermosetting resins. Among plastics, polystyrene resin, acrylic resin, polymethyl methacrylate resin, polycarbonate resin, and polyvinyl chloride resin, which are excellent in transparency, are preferably used. The thickness of the substrate to which the conductor layer pattern is transferred is preferably 0.5 mm to 5 mm from the viewpoint of protection of the display, strength, and handleability.

本発明における導体層パターンが転写される基材は、プラスチックフィルムが好ましい。このプラスチックフィルムとしては、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレートなどのポリエステル類、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、EVAなどのポリオレフィン類、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデンなどのビニル系樹脂、ポリサルホン、ポリエーテルサルホン、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリイミド、アクリル樹脂などのプラスチックからなるフィルムで全可視光透過率が70%以上のものが好ましい。これらは単層で使うこともできるが、2層以上を組み合せた多層フィルムとして使用してもよい。前記プラスチックフィルムのうち透明性、耐熱性、取り扱いやすさ、価格の点からポリエチレンテレフタレートフィルムまたはポリカーボネートフィルムが特に好ましい。   The substrate to which the conductor layer pattern is transferred in the present invention is preferably a plastic film. The plastic film includes polyesters such as polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate, polyolefins such as polyethylene, polypropylene, polystyrene, and EVA, vinyl resins such as polyvinyl chloride and polyvinylidene chloride, polysulfone, and polyethersulphate. A film made of plastic such as phon, polycarbonate, polyamide, polyimide, acrylic resin, etc., having a total visible light transmittance of 70% or more is preferable. These can be used as a single layer, but may be used as a multilayer film in which two or more layers are combined. Among the plastic films, a polyethylene terephthalate film or a polycarbonate film is particularly preferable from the viewpoints of transparency, heat resistance, ease of handling, and cost.

前記プラスチックフィルムの厚さは特に制限はないが、1mm以下のものが好ましく、厚すぎると可視光透過率が低下しやすくなる傾向がある。また、薄く成りすぎると取扱い性が悪くなることを勘案すると、前記プラスチックフィルムの厚さは5〜500μmがより好ましく、50〜200μmとすることがさらに好ましい。   Although there is no restriction | limiting in particular in the thickness of the said plastic film, The thing of 1 mm or less is preferable, and when it is too thick, there exists a tendency for visible light transmittance | permeability to fall easily. Further, considering that the handleability is deteriorated if the film is too thin, the thickness of the plastic film is more preferably 5 to 500 μm, and further preferably 50 to 200 μm.

これらのプラスチックフィルム等の基材は、ディスプレイの前面からの電磁波の漏洩を防ぐための電磁波シールドフィルムとして使用するためには、透明であるもの(すなわち、透明基材)が好ましい。   These substrates such as plastic films are preferably transparent (that is, transparent substrates) in order to be used as an electromagnetic wave shielding film for preventing leakage of electromagnetic waves from the front surface of the display.

前記の導体層パターンが転写される基材の導体層パターンが転写される面は、転写する際に粘着性を有していることが必要である。そのためには、基材自体が必要な粘着性を有していてもよいが、転写面に粘着層を積層しておくことが好ましい。   The surface on which the conductor layer pattern of the substrate onto which the conductor layer pattern is transferred needs to have adhesiveness when transferred. For this purpose, the substrate itself may have the necessary adhesiveness, but it is preferable to laminate an adhesive layer on the transfer surface.

前記の粘着層は、転写時に粘着性を有しているもの又は加熱若しくは加圧下に粘着性を示すものが好ましい。粘着性を有している物としては、ガラス転移温度が20℃以下の樹脂が好ましく、ガラス転移温度が0℃以下である樹脂を用いることが最も好ましい。粘着層に用いる材料としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、活性エネルギー線の照射で硬化する樹脂等を使用することができる。加熱時に粘着性を示す場合、そのときの温度が高すぎると、透明基材にうねりやたるみ、カール等の変形が起こることがあるので、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、活性エネルギー線の照射で硬化する樹脂のガラス転移点は80℃以下であることが好ましい。前記熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、活性エネルギー線の照射で硬化する樹脂の重量平均分子量は、500以上のものを使用することが好ましい。分子量が500未満では樹脂の凝集力が低すぎるために金属との密着性が低下するおそれがある。   The adhesive layer preferably has adhesiveness at the time of transfer or exhibits adhesiveness under heating or pressurization. As the material having adhesiveness, a resin having a glass transition temperature of 20 ° C. or lower is preferable, and a resin having a glass transition temperature of 0 ° C. or lower is most preferable. As a material used for the adhesive layer, a thermoplastic resin, a thermosetting resin, a resin that is cured by irradiation with active energy rays, or the like can be used. If it shows adhesiveness when heated, if the temperature at that time is too high, the transparent base material may be deformed such as swell, sag, curl, etc., so irradiation with thermoplastic resin, thermosetting resin, active energy rays It is preferable that the glass transition point of the resin that is cured at 80 ° C. or less. It is preferable to use a thermoplastic resin, a thermosetting resin, or a resin having a weight average molecular weight of 500 or more that is cured by irradiation with active energy rays. If the molecular weight is less than 500, the cohesive strength of the resin is too low, and the adhesion to the metal may be reduced.

前記の熱可塑性樹脂として代表的なものとして以下のものがあげられる。たとえば天然ゴム、ポリイソプレン、ポリ−1,2−ブタジエン、ポリイソブテン、ポリブテン、ポリ−2−ヘプチル−1,3−ブタジエン、ポリ−2−t−ブチル−1,3−ブタジエン、ポリ−1,3−ブタジエン)などの(ジ)エン類、ポリオキシエチレン、ポリオキシプロピレン、ポリビニルエチルエーテル、ポリビニルヘキシルエーテル、ポリビニルブチルエーテルなどのポリエーテル類、ポリビニルアセテート、ポリビニルプロピオネートなどのポリエステル類、ポリウレタン、エチルセルロース、ポリ塩化ビニル、ポリアクリロニトリル、ポリメタクリロニトリル、ポリスルホン、ポリスルフィド、フェノキシ樹脂、ポリエチルアクリレート、ポリブチルアクリレート、ポリ−2−エチルヘキシルアクリレート、ポリ−t−ブチルアクリレート、ポリ−3−エトキシプロピルアクリレート)、ポリオキシカルボニルテトラメタクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリイソプロピルメタクリレート、ポリドデシルメタクリレート、ポリテトラデシルメタクリレート、ポリ−n−プロピルメタクリレート、ポリ−3,3,5−トリメチルシクロヘキシルメタクリレート、ポリエチルメタクリレート、ポリ−2−ニトロ−2−メチルプロピルメタクリレート、ポリ−1,1−ジエチルプロピルメタクリレート、ポリメチルメタクリレートなどのポリ(メタ)アクリル酸エステルが使用可能である。これらのポリマーを構成するモノマーは、必要に応じて、2種以上共重合させて得られるコポリマーとして用いてもよいし、以上のポリマー又はコポリマーを2種類以上ブレンドして使用することも可能である。   Typical examples of the thermoplastic resin include the following. For example, natural rubber, polyisoprene, poly-1,2-butadiene, polyisobutene, polybutene, poly-2-heptyl-1,3-butadiene, poly-2-t-butyl-1,3-butadiene, poly-1,3 -Dienes such as butadiene), polyethers such as polyoxyethylene, polyoxypropylene, polyvinyl ethyl ether, polyvinyl hexyl ether and polyvinyl butyl ether, polyesters such as polyvinyl acetate and polyvinyl propionate, polyurethane, ethyl cellulose , Polyvinyl chloride, polyacrylonitrile, polymethacrylonitrile, polysulfone, polysulfide, phenoxy resin, polyethyl acrylate, polybutyl acrylate, poly-2-ethylhexyl acrylate, poly-t-butyl Acrylate, poly-3-ethoxypropyl acrylate), polyoxycarbonyl tetramethacrylate, polymethyl acrylate, polyisopropyl methacrylate, polydodecyl methacrylate, polytetradecyl methacrylate, poly-n-propyl methacrylate, poly-3,3,5-trimethyl Poly (meth) acrylic acid esters such as cyclohexyl methacrylate, polyethyl methacrylate, poly-2-nitro-2-methylpropyl methacrylate, poly-1,1-diethylpropyl methacrylate, and polymethyl methacrylate can be used. The monomers constituting these polymers may be used as a copolymer obtained by copolymerization of two or more, if necessary, or may be used by blending two or more of the above polymers or copolymers. .

活性エネルギー線で硬化する樹脂としては、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂等をベースポリマとし、各々にラジカル重合性あるいはカチオン重合性官能基を付与させた材料が例示できる。ラジカル重合性官能基として、アクリル基(アクリロイル基),メタクリル基(メタクリロイル基),ビニル基,アリル基などの炭素−炭素二重結合があり、反応性の良好なアクリル基(アクリロイル基)が好適に用いられる。カチオン重合性官能基としては、エポキシ基(グリシジルエーテル基、グリシジルアミン基)が代表的であり、高反応性の脂環エポキシ基が好適に用いられる。具体的な材料としては、アクリルウレタン、エポキシ(メタ)アクリレート、エポキシ変性ポリブタジエン、エポキシ変性ポリエステル、ポリブタジエン(メタ)アクリレート、アクリル変性ポリエステル等が挙げられる。活性エネルギー線としては、紫外線、電子線等が利用される。   Examples of the resin curable with active energy rays include materials in which an acrylic resin, an epoxy resin, a polyester resin, a urethane resin, or the like is used as a base polymer and a radically polymerizable or cationically polymerizable functional group is added to each. As radically polymerizable functional groups, there are carbon-carbon double bonds such as acrylic group (acryloyl group), methacryl group (methacryloyl group), vinyl group, allyl group, etc., and highly reactive acrylic group (acryloyl group) is suitable. Used for. As the cationically polymerizable functional group, an epoxy group (glycidyl ether group, glycidylamine group) is representative, and a highly reactive alicyclic epoxy group is preferably used. Specific materials include acrylic urethane, epoxy (meth) acrylate, epoxy-modified polybutadiene, epoxy-modified polyester, polybutadiene (meth) acrylate, and acrylic-modified polyester. As the active energy rays, ultraviolet rays, electron beams and the like are used.

活性エネルギー線が紫外線の場合、紫外線硬化時に添加される光増感剤あるいは光開始剤としては、ベンゾフェノン系、アントラキノン系、ベンゾイン系、スルホニウム塩、ジアゾニウム塩、オニウム塩、ハロニウム塩等の公知の材料を使用することができる。また、前記の材料の他に汎用の熱可塑性樹脂をブレンドしても良い。   When the active energy ray is ultraviolet, photosensitizers or photoinitiators added at the time of ultraviolet curing include known materials such as benzophenone, anthraquinone, benzoin, sulfonium salt, diazonium salt, onium salt, and halonium salt. Can be used. In addition to the above materials, a general-purpose thermoplastic resin may be blended.

熱硬化性樹脂としては、天然ゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、ポリイソブチレン、ブチルゴム、ハロゲン化ブチル、アクリロニトリル−ブタジエンゴム、スチレン−ブタジエンゴム、ポリイソブテン、カルボキシゴム、ネオプレン、ポリブタジエン等の樹脂と架橋剤としての硫黄、アニリンホルムアルデヒド樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂、フェノールホルムアルデヒド樹脂、リグリン樹脂、キシレンホルムアルデヒド樹脂、キシレンホルムアルデヒド樹脂、メラミンホルムアルデヒド樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、アニリン樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、ホルマリン樹脂、金属酸化物、金属塩化物、オキシム、アルキルフェノール樹脂等の組み合わせで用いられるものがある。なおこれらには、架橋反応速度を増加する目的で、汎用の加硫促進剤等の添加剤を使用することもできる。   As thermosetting resins, natural rubber, isoprene rubber, chloroprene rubber, polyisobutylene, butyl rubber, halogenated butyl, acrylonitrile-butadiene rubber, styrene-butadiene rubber, polyisobutene, carboxy rubber, neoprene, polybutadiene and the like as crosslinking agents Sulfur, aniline formaldehyde resin, urea formaldehyde resin, phenol formaldehyde resin, ligrin resin, xylene formaldehyde resin, xylene formaldehyde resin, melamine formaldehyde resin, epoxy resin, urea resin, aniline resin, melamine resin, phenol resin, formalin resin, metal oxide Products, metal chlorides, oximes, alkylphenol resins and the like. In addition, for these purposes, additives such as general-purpose vulcanization accelerators can be used for the purpose of increasing the crosslinking reaction rate.

熱硬化性樹脂として、硬化剤を利用するものとしては、カルボキシル基、水酸基、エポキシ基、アミノ基、不飽和炭化水素基等の官能基を有する樹脂とエポキシ基、水酸基、アミノ基、アミド基、カルボキシル基、チオール基等の官能基を有する硬化剤あるいは金属塩化物、イソシアネート、酸無水物、金属酸化物、過酸化物等の硬化剤との組み合わせで用いられるものがある。なお、硬化反応速度を増加する目的で、汎用の触媒等の添加剤を使用することもできる。具体的には、硬化性アクリル樹脂組成物、不飽和ポリエステル樹脂組成物、ジアリルフタレート樹脂、エポキシ樹脂組成物、ポリウレタン樹脂組成物等が例示される。   As a thermosetting resin, those using a curing agent include a resin having a functional group such as a carboxyl group, a hydroxyl group, an epoxy group, an amino group, an unsaturated hydrocarbon group, an epoxy group, a hydroxyl group, an amino group, an amide group, Some are used in combination with a curing agent having a functional group such as a carboxyl group or a thiol group, or a curing agent such as a metal chloride, isocyanate, acid anhydride, metal oxide, or peroxide. In addition, for the purpose of increasing the curing reaction rate, additives such as general-purpose catalysts can be used. Specific examples include curable acrylic resin compositions, unsaturated polyester resin compositions, diallyl phthalate resins, epoxy resin compositions, polyurethane resin compositions, and the like.

さらに、熱硬化性樹脂又は活性エネルギー線で硬化する樹脂としては、アクリル酸又はメタクリル酸の付加物が好ましいものとして例示できる。   Furthermore, as a thermosetting resin or a resin curable with an active energy ray, an adduct of acrylic acid or methacrylic acid can be exemplified as a preferable one.

アクリル酸又はメタクリル酸の付加物としては、エポキシアクリレート(n=1.48〜1.60)、ウレタンアクリレート(n=1.5〜1.6)、ポリエーテルアクリレート(n=1.48〜1.49)、ポリエステルアクリレート(n=1.48〜1.54)なども使うこともできる。特に接着性の点から、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、ポリエーテルアクリレートが優れており、エポキシアクリレートとしては、1、6−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、アリルアルコールジグリシジルエーテル、レゾルシノールジグリシジルエーテル、アジピン酸ジグリシジルエステル、フタル酸ジグリシジルエステル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、グリセリントリグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールテトラグリシジルエーテル、ソルビトールテトラグリシジルエーテル等の(メタ)アクリル酸付加物が挙げられる。エポキシアクリレートなどのように分子内に水酸基を有するポリマーは接着性向上に有効である。これらの共重合樹脂は必要に応じて、2種以上併用することができる。   As an adduct of acrylic acid or methacrylic acid, epoxy acrylate (n = 1.48 to 1.60), urethane acrylate (n = 1.5 to 1.6), polyether acrylate (n = 1.48 to 1) .49), polyester acrylate (n = 1.48 to 1.54), and the like can also be used. In particular, urethane acrylate, epoxy acrylate, and polyether acrylate are excellent from the viewpoint of adhesiveness. As the epoxy acrylate, 1,6-hexanediol diglycidyl ether, neopentyl glycol diglycidyl ether, allyl alcohol diglycidyl ether, resorcinol (Meth) acrylic such as diglycidyl ether, diglycidyl adipate, diglycidyl phthalate, polyethylene glycol diglycidyl ether, trimethylolpropane triglycidyl ether, glycerin triglycidyl ether, pentaerythritol tetraglycidyl ether, sorbitol tetraglycidyl ether An acid adduct is mentioned. A polymer having a hydroxyl group in the molecule such as epoxy acrylate is effective for improving the adhesion. These copolymer resins can be used in combination of two or more as required.

本発明で粘着剤として使用する樹脂には必要に応じて、架橋剤、硬化剤、希釈剤、可塑剤、酸化防止剤、充填剤、着色剤、紫外線吸収剤や粘着付与剤などの添加剤を配合してもよい。   The resin used as the pressure-sensitive adhesive in the present invention may contain additives such as a crosslinking agent, a curing agent, a diluent, a plasticizer, an antioxidant, a filler, a colorant, an ultraviolet absorber, and a tackifier, as necessary. You may mix | blend.

粘着層の厚さは、薄すぎると十分な強度を得られないため、めっきで析出した金属を転写する際に、金属が粘着層に密着せず、転写不良が発生することがある。したがって、粘着層の厚みは、1μm以上であることが好ましく、量産時の転写信頼性を確保するためには3μm以上であることが更に好ましい。また、粘着層の厚さが厚いと、粘着層の製造コストが高くなるとともに、ラミネートした際に粘着層の変形量が多くなり、薄膜絶縁層に接触する機会が増えるため、粘着層の厚みは30μm以下が好ましく、薄膜絶縁層と粘着層が接触する機会を低減させることから10μm以下がさらに好ましい。   If the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is too thin, sufficient strength cannot be obtained. Therefore, when transferring the metal deposited by plating, the metal does not adhere to the pressure-sensitive adhesive layer, and transfer failure may occur. Therefore, the thickness of the adhesive layer is preferably 1 μm or more, and more preferably 3 μm or more in order to ensure transfer reliability during mass production. In addition, if the thickness of the adhesive layer is large, the manufacturing cost of the adhesive layer increases, and the amount of deformation of the adhesive layer increases when laminated, increasing the chance of contacting the thin film insulating layer. It is preferably 30 μm or less, and more preferably 10 μm or less because it reduces the chance of contact between the thin film insulating layer and the adhesive layer.

別の基材に粘着剤を塗布して形成した粘着層を有するフィルムを、金属が析出している面に貼り合わせる際には、粘着剤の特性に応じて、必要であれば加熱される。   When a film having a pressure-sensitive adhesive layer formed by applying a pressure-sensitive adhesive to another substrate is bonded to the surface on which the metal is deposited, the film is heated if necessary according to the characteristics of the pressure-sensitive adhesive.

電磁波遮蔽材に応用する場合、最終的に得られる導体層パターン付き基材の導体層パターンのライン幅は、40μm以下、ライン間隔は100μm以上の範囲とすることが好ましい。また、導体層パターン(幾何学図形)の非視認性の観点からライン幅は25μm以下、可視光透過率の点からライン間隔は120μm以上がさらに好ましい。ライン幅は、あまりに小さく細くなると表面抵抗が大きくなりすぎて遮蔽効果に劣るので1μm以上が好ましい。ライン間隔は、大きいほど開口率は向上し、可視光透過率は向上する。本発明によって得られる導体層パターンをディスプレイ前面に使用する場合、開口率は50%以上が必要であるが、60%以上がさらに好ましい。ライン間隔が大きくなり過ぎると、電磁波遮蔽性が低下するため、ライン間隔は1000μm(1mm)以下とするのが好ましい。なお、ライン間隔は、幾何学図形等の組み合せで複雑となる場合、繰り返し単位を基準として、その面積を正方形の面積に換算してその一辺の長さをライン間隔とする。   When applied to an electromagnetic wave shielding material, it is preferable that the line width of the conductor layer pattern of the substrate with the conductor layer pattern finally obtained is 40 μm or less and the line interval is 100 μm or more. Further, the line width is more preferably 25 μm or less from the viewpoint of invisibility of the conductor layer pattern (geometrical figure), and the line interval is more preferably 120 μm or more from the viewpoint of visible light transmittance. If the line width is too small and thin, the surface resistance becomes too large and the shielding effect is poor, so that the line width is preferably 1 μm or more. The larger the line spacing, the better the aperture ratio and the visible light transmittance. When the conductor layer pattern obtained by the present invention is used on the front surface of the display, the aperture ratio needs to be 50% or more, and more preferably 60% or more. When the line interval becomes too large, the electromagnetic wave shielding property is lowered. Therefore, the line interval is preferably set to 1000 μm (1 mm) or less. When the line interval is complicated by a combination of geometric figures and the like, the area is converted into a square area with the repetition unit as a reference, and the length of one side is set as the line interval.

また、電磁波遮蔽材に応用する場合、導体層パターンのラインの厚みは100μm以下が好ましく、ディスプレイ前面の電磁波遮蔽シートとして適用した場合、厚みが薄いほどディスプレイの視野角が広がり電磁波遮蔽材料として好ましく、また、金属を電気めっきにより析出させるのにかかる時間を短縮することにもなるので40μm以下とすることがより好ましく、18μm以下であることがさらに好ましい。あまりに厚みが薄いと表面抵抗が大きくなりすぎて電磁波遮蔽効果に劣るようになり、また、導体層パターンの強度が劣り、転写時の導電性基材からの剥離が困難になるため0.5μm以上が好ましく、さらに1μm以上がさらに好ましい。   In addition, when applied to an electromagnetic shielding material, the thickness of the line of the conductor layer pattern is preferably 100 μm or less, and when applied as an electromagnetic shielding sheet on the front surface of the display, the thinner the thickness, the wider the viewing angle of the display, which is preferable as an electromagnetic shielding material. Moreover, since it also shortens the time taken to deposit the metal by electroplating, it is more preferably 40 μm or less, and even more preferably 18 μm or less. If the thickness is too thin, the surface resistance becomes too high and the electromagnetic wave shielding effect becomes inferior. Also, the strength of the conductor layer pattern is inferior, and peeling from the conductive substrate during transfer becomes difficult. And more preferably 1 μm or more.

本発明における導体層パターン付き基材において、導体層パターンの開口率を高くすることができ、これにより透光性を優良にできる。本発明における導体層パターン付き基材は、透光性電磁波遮蔽部材として使用することができる。   In the base material with a conductor layer pattern in the present invention, the aperture ratio of the conductor layer pattern can be increased, thereby making it possible to improve the translucency. The base material with a conductor layer pattern in the present invention can be used as a translucent electromagnetic wave shielding member.

また、本発明における導体層パターン付き基材を電磁波遮蔽部材として、ディスプレイ等の前面に用いる場合には、反射防止等を含む視認性確保を図るために導電層パターンは、表面が黒化処理されたものであることが好ましい。電磁波遮蔽部材はその前面が黒色であることがハイコントラストの実現及びディスプレイの電源切断時に画面が黒いこと等の要求を満たすことから好ましいとされている。本発明においては黒化処理する工程は、導電性基材の凸部上面に金属を析出させた後で、別の基材に転写する前に導体層形成と同一めっき浴を用いることによって行うことができる。また、別の基材に転写した後に行うこともできる。   In addition, when the substrate with a conductor layer pattern in the present invention is used as an electromagnetic wave shielding member on the front surface of a display or the like, the surface of the conductive layer pattern is blackened to ensure visibility including antireflection and the like. It is preferable that The front surface of the electromagnetic wave shielding member is preferably black because it satisfies requirements such as high contrast and a black screen when the display is turned off. In the present invention, the step of blackening is performed by depositing a metal on the upper surface of the convex portion of the conductive substrate and then using the same plating bath as that for forming the conductor layer before transferring it to another substrate. Can do. It can also be performed after transferring to another substrate.

別の基材に転写した後に黒化処理工程を行う場合は、例えば黒色ニッケルめっきなどの黒色めっきを行うことが望ましい。   When the blackening treatment step is performed after transfer to another substrate, it is desirable to perform black plating such as black nickel plating.

黒色ニッケルめっきは硫化ニッケルを主成分とする黒色合金を被めっき体表面に電着で形成するめっき法であるが、VIII族元素の鉄、コバルトもいずれも硫化物としたとき黒色を呈すので用いることができる。同じVIII族元素の中でも硫化ニッケルは目的にかなった黒色を呈し、さらに下地金属とも良好な密着性を有する。VIII族元素以外の硫化物では銀、水銀、銅、鉛などを、用いることが可能である。またスズとニッケル、スズとコバルトなどの合金めっきや黒色クロムめっきを用いても粉落ちが無く、金属層のみに良好な密着性を有する黒化処理層(黒色層)を形成することができる。これら黒化処理層を形成する工程は、導電性基材の凸部上面に金属を析出させる前後で、また別の基材に転写する前に行うこともできるし、別の基材に転写した後に行うこともできる。   Black nickel plating is a plating method in which a black alloy containing nickel sulfide as a main component is formed by electrodeposition on the surface of the object to be plated, but it is used because both the Group VIII elements iron and cobalt exhibit a black color. be able to. Among the same Group VIII elements, nickel sulfide exhibits a suitable black color and has good adhesion to the underlying metal. For sulfides other than Group VIII elements, silver, mercury, copper, lead and the like can be used. Further, even if alloy plating such as tin and nickel, tin and cobalt, or black chrome plating is used, there is no powder fall and a blackening treatment layer (black layer) having good adhesion can be formed only on the metal layer. The step of forming these blackening treatment layers can be performed before or after the metal is deposited on the upper surface of the convex portion of the conductive base material, and before transferring to another base material, or transferred to another base material. It can be done later.

黒色ニッケルめっき層を形成するに際しては、硫酸ニッケル60〜100g/L、硫酸ニッケルアンモニウム30〜50g/L、硫酸亜鉛20〜40g/L、チオシアン酸ナトリウム10〜20g/Lを含有するめっき液を用いることができる。このめっき浴を用い、pH:4〜7、温度:45〜55°C、電流密度0.5〜3.0A/dmの条件で、ステンレスアノード又はニッケルアノード、攪拌には循環ポンプ並びにエアー攪拌を使用することにより、プラズマディスプレイパネル用として好適な黒色ニッケルめっき層を形成することができる。黒色ニッケルめっきの前処理としては下地となる金属層との密着性を高めるために適切なアルカリ脱脂、酸洗浄を行うことがより好ましい。各成分の濃度範囲を超えたところでめっきを行うとめっき液が分解しやすく、良好な黒色を得ることが困難になる。また、温度に関しても55℃を超える温度でめっきを行うとめっき液が分解しやすくなる。逆に45℃未満では1.0A/dm以上のめっきを行うと、製品にざらつきが生じて粉落ちしやすくなり、やはりめっき液寿命が短くなる。45℃未満で1.0A/dm以下の電流密度でめっきを行うことは可能であるが、望む黒色を得るのに長時間のめっきが必要となり、生産性を低下させてしまう。それゆえ、上の濃度組成のめっき液を使用して短時間で黒色ニッケルめっきを行う際の温度範囲は45〜55℃が最適である。また、電流密度に関しては温度範囲内で0.5A/dm以下でも可能であるが、望む黒色を得るのに長時間のめっきが必要となる。3.0A/dm以上でめっきを行うとめっき液が分解しやすく、粉落ちしやすい黒色皮膜が形成される。黒色ニッケルめっきではステンレスアノードを使用した場合、めっき液寿命が短くなるので、通常ニッケルアノードを使用するのが望ましい。 When forming the black nickel plating layer, a plating solution containing nickel sulfate 60 to 100 g / L, nickel ammonium sulfate 30 to 50 g / L, zinc sulfate 20 to 40 g / L, and sodium thiocyanate 10 to 20 g / L is used. be able to. Using this plating bath, under conditions of pH: 4-7, temperature: 45-55 ° C, current density 0.5-3.0 A / dm 2 , stainless steel anode or nickel anode, circulation pump and air stirring for stirring By using this, a black nickel plating layer suitable for a plasma display panel can be formed. As a pretreatment for black nickel plating, it is more preferable to perform appropriate alkali degreasing and acid cleaning in order to improve the adhesion to the metal layer as the base. When plating is performed at a concentration exceeding the concentration range of each component, the plating solution is easily decomposed and it becomes difficult to obtain a good black color. Further, when plating is performed at a temperature exceeding 55 ° C., the plating solution is easily decomposed. On the other hand, when the plating is performed at a temperature of less than 45 ° C., 1.0 A / dm 2 or more, the product becomes rough and easily powdered, and the life of the plating solution is shortened. Although it is possible to perform plating at a current density of less than 45 ° C. and a current density of 1.0 A / dm 2 or less, long-time plating is required to obtain a desired black color, and productivity is lowered. Therefore, the temperature range when performing black nickel plating in a short time using the plating solution having the above concentration composition is optimally 45 to 55 ° C. The current density can be 0.5 A / dm 2 or less within the temperature range, but a long plating time is required to obtain the desired black color. When plating is performed at 3.0 A / dm 2 or more, a black coating is formed which is easy to decompose the plating solution and easily fall off. In black nickel plating, when a stainless steel anode is used, the life of the plating solution is shortened. Therefore, it is usually desirable to use a nickel anode.

表面が黒化処理された導体層パターンの防錆処理としては公知の手段としてクロメート処理、ベンゾトリアゾールなどを使用することができる。また、市販されている防錆剤を使用することもできる。また、表面が黒化処理された導電層を別の基材に転写した後に再度黒化処理を施す場合に、防錆処理を行うことが望ましい。防錆処理としては公知の手段としてクロメート処理、ベンゾトリアゾールなどを使用することができる。また、市販されている防錆剤を使用することもできる。また、黒化処理層つき導体層パターンを別の基材に転写した後に再度同じ方法で黒化処理層を形成する場合も同様に防錆処理を行うことが望ましい。   As a rust preventive treatment for the conductor layer pattern whose surface has been blackened, chromate treatment, benzotriazole, or the like can be used as a known means. Commercially available rust preventives can also be used. In addition, it is desirable to perform a rust prevention treatment when the blackening treatment is performed again after the conductive layer whose surface has been blackened is transferred to another substrate. As the antirust treatment, chromate treatment, benzotriazole or the like can be used as a known means. Commercially available rust preventives can also be used. Further, when the blackened layer is formed again by the same method after transferring the conductive layer pattern with the blackened layer to another substrate, it is desirable to perform the rust prevention treatment in the same manner.

導電層パターン付き基材の作製方法の一例を、導電性基材に、断面形状が台形である凸部3(図2(b)参照)を形成した場合を例に、図12を用いて説明する。   An example of a method for producing a substrate with a conductive layer pattern will be described with reference to FIG. 12, taking as an example the case where convex portions 3 (see FIG. 2B) having a trapezoidal cross section are formed on a conductive substrate. To do.

まず、図12(a)は、上面4を有する凸部3のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材1の凸部を有する面の全面に絶縁層6を形成した状態を示す断面図である。絶縁層6は、前述したようにウェット塗布(電着塗装を含む)や、DLC、GLC、スパッタや蒸着などドライコートにより形成できる。前記の絶縁層6のうち、凸部3の上面のものを凸部3の上面4が露出するまで研磨する。図12(b)は、この状態の断面図を示す。   First, in FIG. 12A, the insulating layer 6 is formed on the entire surface of the conductive substrate 1 having the convex portion 3 pattern having the upper surface 4 and the concave portion of the geometric drawing drawn thereby. It is sectional drawing which shows the state which carried out. As described above, the insulating layer 6 can be formed by wet coating (including electrodeposition coating), dry coating such as DLC, GLC, sputtering or vapor deposition. Of the insulating layer 6, the upper surface of the convex portion 3 is polished until the upper surface 4 of the convex portion 3 is exposed. FIG. 12B shows a cross-sectional view of this state.

次に、このように凹部に絶縁層を有し、凸部3の上面4が露出している導電性基材1にめっきを施して、凸部3の上面4に金属11を析出させる。図12(c)は、この状態の断面図を示す。次に、金属11の表面を黒化処理し、金属11を黒化処理された金属11′とする。図12(d)は、この状態の断面図を示す。   Next, the conductive base material 1 having the insulating layer in the concave portion and having the upper surface 4 of the convex portion 3 exposed is plated to deposit the metal 11 on the upper surface 4 of the convex portion 3. FIG. 12C shows a cross-sectional view of this state. Next, the surface of the metal 11 is blackened, and the metal 11 is changed to a blackened metal 11 ′. FIG. 12D shows a cross-sectional view of this state.

次いで、別の基材12に粘着層13を塗布したフィルムを、導電性基材1の黒化処理された金属11′が存在している面に貼り合わせる。図12(e)はこの状態の断面図を示す。透明基材12に粘着剤を塗布して形成した粘着層13を有するフィルムを、黒化処理された金属11′が存在している面に貼り合わせる際には、粘着剤の特性に応じて、必要なら加熱される。   Next, a film in which the adhesive layer 13 is applied to another substrate 12 is bonded to the surface of the conductive substrate 1 on which the blackened metal 11 ′ is present. FIG. 12E shows a cross-sectional view of this state. When the film having the pressure-sensitive adhesive layer 13 formed by applying a pressure-sensitive adhesive to the transparent substrate 12 is bonded to the surface on which the blackened metal 11 ′ is present, depending on the characteristics of the pressure-sensitive adhesive, Heated if necessary.

そして、前記の別の基材12に粘着層13を塗布したフィルムを剥離することにより、黒化処理された金属11′が粘着層13に貼り付いて導電性基材1から剥離し、すなわち、別の基材に転写され、導体層パターン付き基材14を得ることとなる。この状態の断面図を図12(f)に示す。   And by peeling the film which apply | coated the adhesion layer 13 to the said another base material 12, the metal 11 'by which the blackening process was carried out adheres to the adhesion layer 13, and peels from the electroconductive base material 1, namely, It transfers to another base material and the base material 14 with a conductor layer pattern will be obtained. A cross-sectional view of this state is shown in FIG.

前記で得られた導体層パターン付き基材の導体層パターンを黒化処理して、黒化処理された導体層パターンを有する導体層パターン付き基材とすることができる。図13は、これの断面図を示す。図13において、別の基材12に粘着層13を介して、表面が黒化処理されて黒色層15となった導体層パターン11(すなわち、表面が黒化処理された導体層パターン)が貼り合わされている。   The conductor layer pattern of the base material with a conductor layer pattern obtained above is blackened to obtain a base material with a conductor layer pattern having a blackened conductor layer pattern. FIG. 13 shows a cross-sectional view of this. In FIG. 13, a conductor layer pattern 11 whose surface has been blackened to become a black layer 15 (that is, a conductor layer pattern whose surface has been blackened) is attached to another substrate 12 via an adhesive layer 13. Are combined.

また、図14において、別の基材12に粘着層13を介して、黒色層16を有する導体層パターン11が貼り合わされているが、これは、図13に示す導体層パターン付き基材の黒化処理導体層パターンの未黒化処理面を黒化処理したものである。   Further, in FIG. 14, the conductor layer pattern 11 having the black layer 16 is bonded to another substrate 12 through the adhesive layer 13, which is the black color of the substrate with the conductor layer pattern shown in FIG. 13. The non-blackened surface of the blackened conductor layer pattern is blackened.

以上の黒化処理された導体層パターンを有する導体層パターン付き基材を電磁波遮蔽部材としてディスプレイの前面において利用するときは、黒色層を設けた方の面がディスプレイの視聴者側に向くようにして用いられる。   When using a substrate with a conductor layer pattern having the above-described blackened conductor layer pattern as an electromagnetic wave shielding member on the front surface of the display, make sure that the surface on which the black layer is provided faces the viewer side of the display. Used.

本発明における導体層パターン付き基材を電磁波遮蔽体として用いる場合は、そのまま、ディスプレイ画面に適宜別の接着剤を介して又は介さないで貼着して使用することができるが、他の基材に貼着してからディスプレイに適用してもよい。他の基材は、ディスプレイの前面からの電磁波を遮断するために使用するには透明であることが必要である。   When the base material with a conductor layer pattern in the present invention is used as an electromagnetic wave shielding body, it can be used as it is by being attached to a display screen with or without another adhesive as appropriate. You may apply to a display after sticking to. Other substrates need to be transparent for use to block electromagnetic waves from the front of the display.

図15に導体層パターン付き基材が他の基材に貼着されて得られた電磁波遮蔽体の断面図を示す。図15において、基材12に積層されている粘着剤13に黒化処理された導体層パターン11′が埋設し、粘着層及び導体層パターンが他の基材17により覆われている。これは、基材12に粘着剤13を介して黒化処理された導体層パターン11′を転写して得られた導体層パターン付き基材の黒化処理された導体層パターン11′が存在する面を、適度な圧力で他の基材17に圧着する方法により作製することができる。この場合、粘着層13が十分な流動性を有するものであるか十分な流動性を有するうちに、適度な圧力を加えることにより黒化処理された導体層パターン11′を粘着剤13に埋設する。
この電磁波遮蔽体では、粘着層13と他の基材17が直接接触し、良好な密着性が得られる。また、基材17や基材12は、透明性を有し、しかもその表面の平滑性が優れるものを使用することにより、透明性も高い電磁波遮蔽体を得ることができる。
FIG. 15 shows a cross-sectional view of an electromagnetic wave shielding body obtained by sticking a base material with a conductor layer pattern to another base material. In FIG. 15, a blackened conductor layer pattern 11 ′ is embedded in the adhesive 13 laminated on the substrate 12, and the adhesive layer and the conductor layer pattern are covered with another substrate 17. This is because there is a blackened conductor layer pattern 11 ′ of a base material with a conductor layer pattern obtained by transferring the blackened conductor layer pattern 11 ′ to the base material 12 via the adhesive 13. The surface can be produced by a method in which the surface is pressure-bonded to another substrate 17 with an appropriate pressure. In this case, the conductive layer pattern 11 ′ that has been blackened by embedding an appropriate pressure while the adhesive layer 13 has sufficient fluidity or has sufficient fluidity is embedded in the adhesive 13. .
In this electromagnetic wave shielding body, the adhesive layer 13 and the other base material 17 are in direct contact with each other, and good adhesion can be obtained. Moreover, the base material 17 and the base material 12 can obtain an electromagnetic wave shielding body with high transparency by using a material having transparency and excellent surface smoothness.

図16においては、基材12に粘着層13を介して黒化処理された導体層パターン11′が接着された導体層パターン付き基材の上が透明樹脂18により被覆されている。   In FIG. 16, the transparent resin 18 covers the top of the substrate with the conductor layer pattern in which the conductor layer pattern 11 ′ that has been blackened through the adhesive layer 13 is bonded to the substrate 12.

図17は、別の態様の電磁波遮蔽体の断面図を示す。この電磁波遮蔽体は、図16の電磁波遮蔽部材が、基材12の導体層パターンがある面とは反対の面で、接着剤19を介して他の基材20が貼り合わされたものである。   FIG. 17 shows a cross-sectional view of an electromagnetic wave shielding body according to another aspect. In this electromagnetic wave shielding body, the electromagnetic wave shielding member shown in FIG. 16 is a surface opposite to the surface on which the conductor layer pattern of the base material 12 is provided, and another base material 20 is bonded via an adhesive 19.

図18は、さらに、別の態様の電磁波遮蔽体の断面図を示す。図18において、基材(別の基材)12に粘着層13を介して黒化処理された金属11′からなる導体層パターンが接着されており、その上を透明樹脂からなる接着剤又は粘着剤21により被覆され、さらにその上に保護フィルム22が積層されている。基材12のもう一方の面には接着層19を介してガラス板等の他の基材20が貼着されている。この電磁波遮蔽部材では、基材(別の基材)12に粘着剤13を介して接着されている導体層パターンを有する導体層パターン付き基材の導体層パターンが存在する面を、透明樹脂21によりコーティングし、さらに保護フィルム22を積層し、ついで、得られた積層物の基材12のもう一方の面(何も積層されていない面)に接着剤を塗布して接着層19を形成し、これを他の基材20に押しつけて接着することにより作製することができる。前記の透明樹脂21としては、前記熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂のほかに活性エネルギー線で硬化する樹脂を用いることもできる。活性エネルギー線で硬化する樹脂を用いることは、それが瞬時に又は短時間に硬化することから、生産性が高くなるので好ましい。   FIG. 18 further shows a cross-sectional view of another embodiment of the electromagnetic wave shielding body. In FIG. 18, a conductive layer pattern made of a metal 11 'blackened through a pressure-sensitive adhesive layer 13 is bonded to a base material (another base material) 12, on which an adhesive or pressure-sensitive adhesive made of a transparent resin It is covered with an agent 21 and a protective film 22 is further laminated thereon. Another base material 20 such as a glass plate is attached to the other surface of the base material 12 via an adhesive layer 19. In this electromagnetic wave shielding member, the surface on which the conductor layer pattern of the substrate with the conductor layer pattern having the conductor layer pattern adhered to the substrate (another substrate) 12 via the pressure-sensitive adhesive 13 exists is transparent resin 21. Then, a protective film 22 is further laminated, and then an adhesive is applied to the other surface (the surface where nothing is laminated) of the base material 12 of the obtained laminate to form an adhesive layer 19. It can be manufactured by pressing this against another substrate 20 and bonding. As the transparent resin 21, in addition to the thermoplastic resin and the thermosetting resin, a resin curable with active energy rays can be used. It is preferable to use a resin that cures with an active energy ray because it cures instantaneously or in a short period of time, resulting in an increase in productivity.

回転体を用いることにより電気めっきにより形成されたパターンを連続的に剥離しながら、構造体を巻物として得ることができる。すなわち、図19において電解浴槽101内の電解液(メッキ液)102が陽極103とドラム電極などの回転体104の間のスペースに配管105とポンプ106により供給されるようにする。陽極103と回転体104の間に電圧をかけ、回転体104を一定速度で回転させると回転体104の表面に導体層が電解析出し、さらに、陽極103とは別の陽極107と回転体104の間に陽極103と回転体104の間よりも大きな電圧をかけることにより、析出した導体層パターンの上に黒色の皮膜を析出させることができる。陽極107は一つに限らず、二つもしくはそれ以上取り付け、段階的に電圧を変化させて黒化皮膜として析出する粒子の大きさを制御してもよい。   By using the rotating body, the structure can be obtained as a scroll while continuously peeling the pattern formed by electroplating. That is, in FIG. 19, the electrolytic solution (plating solution) 102 in the electrolytic bath 101 is supplied to the space between the anode 103 and the rotating body 104 such as the drum electrode by the pipe 105 and the pump 106. When a voltage is applied between the anode 103 and the rotator 104 and the rotator 104 is rotated at a constant speed, a conductor layer is electrolytically deposited on the surface of the rotator 104. A black film can be deposited on the deposited conductor layer pattern by applying a voltage higher than that between the anode 103 and the rotating body 104 during this period. The number of anodes 107 is not limited to one, and two or more anodes may be attached, and the size of particles deposited as a blackened film may be controlled by changing the voltage stepwise.

なお、図19に示す状態では、第1の電流密度の下に導電性金属層を形成する導電層形成工程を行うための陽極103と、第2の電流密度の下に導電性金属層の表面にその表面が黒色になるように金属を析出させる黒化処理工程を行うための陽極107とが、互いに離れてメッキ液の中に浸漬されているが、さらに、各陽極(電極)103、107の間に、絶縁体で構成された遮断部材151が設けてもよい。遮断部材151を設けることにより、第1の電流密度と第2の電流密度とを維持しやすくなる。   In the state shown in FIG. 19, the anode 103 for performing a conductive layer forming step for forming a conductive metal layer under the first current density, and the surface of the conductive metal layer under the second current density. Further, the anode 107 for performing a blackening treatment step for depositing a metal so that the surface thereof becomes black is immersed in the plating solution apart from each other. In between, the interruption | blocking member 151 comprised with the insulator may be provided. By providing the blocking member 151, it becomes easy to maintain the first current density and the second current density.

導電性基材が回転体からなる電性基材又は回転体に取り付けた導電性基材である場合、遮断部材151は板状に形成されて各電極103、107の間に設けられており、遮断部材151の基端部側は、電解浴槽101の内壁に一体的に固定されており、遮断部材151の先端部側は、導電性基材(回転体104)の近傍に位置している。したがって、導電性基材104と遮断部材151の先端部との間では、メッキ液が通じている。   When the conductive substrate is an electric substrate made of a rotating body or a conductive substrate attached to the rotating body, the blocking member 151 is formed in a plate shape and provided between the electrodes 103 and 107. The base end side of the blocking member 151 is integrally fixed to the inner wall of the electrolytic bath 101, and the distal end side of the blocking member 151 is located in the vicinity of the conductive base material (rotating body 104). Therefore, the plating solution is communicated between the conductive substrate 104 and the tip of the blocking member 151.

また、陽極103、107の材質はチタニウム金属を基体とした表面に白金族金属又はその酸化物の薄膜を構成した不溶性陽極などであることが好ましい。さらにその形状としては特に限定されるわけではないが、平板状、棒状、多孔質状、メッシュ状等が挙げられる。   The material of the anodes 103 and 107 is preferably an insoluble anode in which a thin film of a platinum group metal or its oxide is formed on the surface of a titanium metal base. Further, the shape is not particularly limited, and examples thereof include a flat plate shape, a rod shape, a porous shape, and a mesh shape.

すなわち、たとえば、図21に示すように、長手方向に垂直な断面が長方形状である複数の陽極103a(陽極103に対応する陽極)と、長手方向に垂直な断面が長方形状である単数もしくは複数の陽極107b(陽極107に対応する陽極)とを、回転体104の回転中心軸CL1の円周上に配置した構成であってもよい。   That is, for example, as shown in FIG. 21, a plurality of anodes 103a (anode corresponding to the anode 103) whose cross section perpendicular to the longitudinal direction is rectangular and one or a plurality of anodes whose cross section perpendicular to the longitudinal direction is rectangular The anode 107b (the anode corresponding to the anode 107) may be arranged on the circumference of the rotation center axis CL1 of the rotating body 104.

黒化処理された導体層パターンは、電解液102の外で、形成された導体層パターン108に接着性支持体109を圧接ロール110によって圧接させながら、連続的に回転体104から剥離しつつ接着性支持体109に転写させ、導体層パターン付き接着支持体111をロールに巻き取ることができ、このようにして導体層パターンを製造することができる。なお、回転中の回転体から導体層パターンが剥離された後に、電解液に再び浸漬される前に回転体又は回転体に固定された導電性基材の表面をブラシロールで清掃するようにしてもよい。図示していないが、陽極の上端には高速で循環している電解液が上方へ噴出するのを防ぐために水きりロールを設置してもよい。水切りロールによってせき止められた電解液は陽極の外部から下の電解液の浴槽へと戻り、ポンプにより循環される。また、図示しないがこの循環の間には消費された金属イオン源や添加剤等を必要に応じて追加する工程、また各成分の分析を行う工程を追加することが望ましい。   The conductor layer pattern that has been blackened is adhered to the formed conductor layer pattern 108 while being peeled from the rotating body 104 continuously while the adhesive support 109 is pressed against the formed conductor layer pattern 108 by the pressure contact roll 110. The adhesive support body with a conductive layer pattern 111 can be wound up on a roll, and the conductive layer pattern can be produced in this manner. After the conductor layer pattern is peeled from the rotating rotating body, the surface of the rotating body or the conductive substrate fixed to the rotating body is cleaned with a brush roll before being immersed again in the electrolyte. Also good. Although not shown, a draining roll may be installed at the upper end of the anode in order to prevent the electrolyte circulating at high speed from being ejected upward. The electrolyte stopped by the draining roll returns to the bottom electrolyte bath from outside the anode and is circulated by the pump. Although not shown, it is desirable to add a step of adding a consumed metal ion source, an additive or the like as necessary, and a step of analyzing each component during the circulation.

さらには、前記第1の電流密度の下に導電性金属層を形成する導電層形成工程を行うための第1の陽極と、前記第2の電流密度の下に前記導電性金属層の表面にその表面が黒色になるように金属を析出させる黒化処理工程を行うための第2の陽極とを兼用し、前記第1の電流密度の下で前記導電層形成工程の形成後、前記第2の電流密度の下で前記黒化処理工程を行うようにしてもよい。   Further, a first anode for performing a conductive layer forming step of forming a conductive metal layer under the first current density, and a surface of the conductive metal layer under the second current density It also serves as a second anode for performing a blackening treatment step for depositing metal so that its surface is black, and after the formation of the conductive layer under the first current density, the second anode The blackening treatment step may be performed under a current density of.

以上で詳細に説明した凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有し、凹部に絶縁層を有するめっき用導電性基材は、凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の絶縁層を有する凹部は、適当な広さで作製される。   The conductive substrate for plating having the convex pattern described in detail above and the concave portion of the geometric drawing drawn by the convex pattern and having the insulating layer in the concave portion has the convex pattern and the geometric drawn thereby. The concave portion having the illustrated insulating layer is formed with an appropriate width.

その領域を領域Aとすると、本発明に係るめっき用導電性基材には、そのまわりに、電磁波遮蔽部材のアース部に対応する領域(領域Bという)を備えることができる。このとき、領域Aと領域Bは同一のパターンでもよい。また、領域Aにおける凹部の面積比率を、領域Bにおける凹部の面積比率と同じ又はそれよりも大きくすることが好ましく、10%以上大きくすることはさらに好ましい。凹部の面積比率は、平面図で見たときに、ただし、各領域の全面積に対する各領域の凸部における露出部分を除いた部分の面積の比率をいう。また、領域Bの凹部比率を0としてもよいが、この場合には、めっき用導電性基材上にめっきによりベタの金属膜が周辺に形成される。ベタの金属膜は転写に際し、割れやすいので、望ましくは、領域Bの凹部の面積率は40%以上とすることが好ましく、また、97%未満であることが好ましい。   When the region is defined as region A, the conductive substrate for plating according to the present invention can be provided with a region (referred to as region B) corresponding to the ground portion of the electromagnetic wave shielding member around it. At this time, the region A and the region B may have the same pattern. Moreover, it is preferable to make the area ratio of the recessed part in the area | region A the same or larger than the area ratio of the recessed part in the area | region B, and it is still more preferable to enlarge 10% or more. The area ratio of the recesses refers to the ratio of the area of the part excluding the exposed part in the convex part of each area to the total area of each area when viewed in a plan view. In addition, in this case, a solid metal film is formed on the periphery of the conductive substrate for plating by plating. Since the solid metal film is easily broken during transfer, the area ratio of the recesses in the region B is preferably 40% or more, and preferably less than 97%.

領域Bにおいて、凸部のパターンによって描かれる幾何学図形状は、前記説明したものが使用できるが、改めて例示すると、
(1)メッシュ状幾何学的模様
(2)所定間隔で規則的に配列された方形状幾何学的模様
(3)所定間隔で規則的に配列された平行四辺形模様
(4)円模様又は楕円模様
(5)三角形模様
(6)五角形以上の多角形模様
(7)星形模様
等がある。
In the region B, the geometric diagram shape drawn by the pattern of the convex portions can be the one described above.
(1) Mesh-like geometric pattern (2) Rectangular geometric pattern regularly arranged at predetermined intervals (3) Parallelogram pattern regularly arranged at predetermined intervals (4) Circular pattern or ellipse Pattern (5) Triangular pattern (6) Polygonal pattern of pentagon or more (7) Star pattern etc.

また、領域Bにおける凸部の形成、絶縁層の形成等は、前述した領域Aと同様に行うことができる。さらに、凸部の露出部分の高さ、露出部分が先端方向に進むにつれて幅が広がっておらず、全体として下部よりも上部で幅が小さくなるようにされること、d10/h10の関係等も領域Aと同様にされることが好ましい。 In addition, the formation of the protrusions in the region B, the formation of the insulating layer, and the like can be performed in the same manner as the region A described above. Further, the height of the exposed portion of the convex portion, the width does not increase as the exposed portion proceeds in the tip direction, and the width is made smaller at the upper portion than at the lower portion as a whole, and the relationship d 10 / h 10 Etc. are preferably the same as those in the region A.

本発明において、透光性の電磁波シールド部の外側をアース部として、使用することが好ましい。このアース部は、透光性の電磁波シールド部と同様のパターンを有していてもよく、異なったパターンを有していてもよい。また、アース部は、前述したようなパターン又は全くベタ状の膜であってもよい。アース部は、その内側の透光性の電磁波シールド部と導通していることが好ましい。   In this invention, it is preferable to use the outer side of a translucent electromagnetic wave shield part as an earth part. This earth part may have the same pattern as the translucent electromagnetic wave shield part, or may have a different pattern. Further, the ground portion may be a pattern as described above or a completely solid film. It is preferable that the ground part is electrically connected to the inner translucent electromagnetic wave shield part.

めっき用導電性基材の少なくとも透光性の電磁波シールド部の導体層パターンに対応した部分が矩形体又は回転体である場合、その外側で、透光性の電磁波シールド部の導体層パターンに対応した部分を囲むように、または、対向する2片にそって、連続した帯状に前記凸部の上面と同じ高さの部分(絶縁層がない)を設けることができる。これにより、導電性基材へのめっき後、導体層パターンの部分に連続した帯状のめっき箔を有する導体層パターン金属層を形成することができる。例えば、そのパターンの平面図を図20に示す。図20(a)中、黒い部分がめっきにより形成された導体層パターンとそれに連続した箔部分である。この箔部分があることにより、箔自体が支持体代わりとなり導体層パターンを導電性基材から剥離しやすくなる。得られた導体層パターンをその後の工程中に両端部分で十分支えることができるため、取扱に優れる。場合により、接着性支持体を用いず剥離することもできる。箔部分は後で不要分を切り落とすことができ、また、箔部分をある程度の幅で残してアース部として利用することもできる。前記のパターンの別の例を図20(b)に示す。これは、導電性基材として回転体を使用した場合、回転体に導電性支持体を取り付けた場合などに作製できる導体層パターン金属層の一部の平面図である。
これにより、透光性の電磁波シールド部の四辺にアース部を形成することができる。本発明で得られる導体層パターンにおいては、電磁波遮蔽部材を作製したときに、遮蔽した電磁波を電流としてアースするために網目状の導体層パターンの周囲に帯状の導体層(額縁部分)が導通状態で連続しているパターンがより好ましい。
When the part corresponding to the conductor layer pattern of the light-transmitting electromagnetic wave shield part of the conductive base material for plating is a rectangular body or a rotating body, it corresponds to the conductor layer pattern of the light-transmitting electromagnetic wave shield part on the outside. A portion (without an insulating layer) having the same height as the upper surface of the convex portion can be provided in a continuous band shape so as to surround the above-mentioned portion or along two opposing pieces. Thereby, the conductor layer pattern metal layer which has the strip | belt-shaped plating foil continuous in the part of the conductor layer pattern can be formed after the plating to a conductive base material. For example, a plan view of the pattern is shown in FIG. In FIG. 20A, the black portion is a conductor layer pattern formed by plating and a foil portion continuous therewith. By having this foil part, foil itself becomes a support body and becomes easy to peel a conductor layer pattern from an electroconductive base material. Since the obtained conductor layer pattern can be sufficiently supported at both ends during the subsequent steps, it is excellent in handling. In some cases, peeling can be performed without using an adhesive support. Unnecessary portions of the foil portion can be cut off later, and the foil portion can be used as a grounding portion with a certain width. Another example of the pattern is shown in FIG. This is a plan view of a part of the conductor layer pattern metal layer that can be produced when a rotating body is used as the conductive substrate, or when a conductive support is attached to the rotating body.
Thereby, a ground part can be formed in the four sides of the translucent electromagnetic wave shield part. In the conductor layer pattern obtained in the present invention, when an electromagnetic wave shielding member is produced, a band-like conductor layer (frame portion) is in a conductive state around the mesh-like conductor layer pattern in order to ground the shielded electromagnetic wave as a current. A continuous pattern is more preferable.

本発明において、めっき用導電性基材上に作製された導体層パターンは、前述したのと同様の転写法により、中間の接着性支持体を使用して導電性支持体から導体層パターンを転写剥離し、さらに、この中間の接着性支持体から最終の接着性支持体に前記転写法と同様にして導体層パターンを転写してもよい。また、転写された導体層パターンを有する中間の接着性支持体と最終の接着性支持体を導体層パターンを挟んで重ねて圧着して電磁波遮蔽体を作製することもできる。この場合の圧着方法としては、常温下又は加熱下にプレス機により加圧する方法、常温下又は加熱下に加圧ロール間を通過させる方法等がある。   In the present invention, the conductor layer pattern produced on the conductive substrate for plating is transferred from the conductive support using an intermediate adhesive support by the same transfer method as described above. Further, the conductor layer pattern may be transferred from the intermediate adhesive support to the final adhesive support in the same manner as in the transfer method. In addition, an electromagnetic wave shielding body can be produced by stacking and pressing an intermediate adhesive support having a transferred conductor layer pattern and a final adhesive support with the conductor layer pattern interposed therebetween. Examples of the pressure bonding method in this case include a method of pressurizing with a press machine at room temperature or under heating, a method of passing between pressure rolls at room temperature or under heating, and the like.

本発明における導体層パターン付き基材を遮蔽体として用いる場合には、反射防止層、近赤外線遮蔽層等をさらに積層してもよい。めっき用導電性基材上に析出した金属を転写する基材そのものが反射防止層、近赤外線遮蔽層等の機能層を兼ねていてもよい。さらに、導体層パターン層に樹脂をコーティングする際に用いられるカバーフィルムに、反射防止層、近赤外線遮蔽層等の機能層を兼ねていてもよい。本発明における導体層パターン付き基材は、透明導電膜としての利用が可能で、ITO導電膜などと同様の用途にも利用可能である。   When the base material with a conductor layer pattern in the present invention is used as a shield, an antireflection layer, a near infrared shielding layer, or the like may be further laminated. The base material itself that transfers the metal deposited on the electroconductive base for plating may also serve as functional layers such as an antireflection layer and a near infrared shielding layer. Furthermore, the cover film used when the conductor layer pattern layer is coated with a resin may also serve as a functional layer such as an antireflection layer or a near infrared shielding layer. The base material with a conductor layer pattern in the present invention can be used as a transparent conductive film, and can also be used for applications similar to ITO conductive films.

(凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材の作製)
レジストフィルム(フォテックH−Y920、日立化成工業(株) 製)を750×1100mmのステンレス(SUS304、仕上げ3/4H、厚さ100μm、日新製鋼(株)製)板に貼り合わせた。貼り合わせの条件は、ロール温度105℃、圧力0.5MPa、ラインスピード1m/minで行った。次いで、光透過部のライン幅が30μm、ラインピッチが300μm、バイアス角度が45°で、格子状に形成したネガフィルムを、レジストフィルムを貼り合わせたステンレス板の上に静置した。紫外線照射装置を用いて、600mmHg以下の真空下において、ネガフィルムの上から、紫外線を120mJ/cm照射した。さらに。1%炭酸ナトリウム水溶液で現像することで、SUS板の上にライン幅30μm、ラインピッチ300μm、バイアス角度45°のレジストマスクを形成した。さらに、40℃に加温した塩化第二鉄水溶液(45°B、鶴見曹達(株)製)を用いて、SUS板をエッチングした。エッチングは、SUS板のライン幅が20μmになるまで行った。次いで、5%水酸化ナトリウム溶液を用いて、SUS板の上に形成されたレジストフィルムを剥離して、格子模様状のパターン(ライン幅、すなわち、凸部上面の幅20μm、ピッチ300μm、凸部の高さ15μm、凸部の断面形状は曲面(図2−cと同様))を形成し、上面を有する凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有するめっき用導電性基材を作製した。
(Preparation of a conductive substrate having a convex pattern and a geometrical figure-shaped concave portion drawn thereby)
A resist film (Photech H-Y920, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) was bonded to a 750 × 1100 mm stainless steel plate (SUS304, finish 3 / 4H, thickness 100 μm, manufactured by Nisshin Steel Co., Ltd.). The bonding conditions were a roll temperature of 105 ° C., a pressure of 0.5 MPa, and a line speed of 1 m / min. Next, a negative film formed in a lattice shape with a line width of the light transmission portion of 30 μm, a line pitch of 300 μm, and a bias angle of 45 ° was left on a stainless steel plate to which a resist film was bonded. Using an ultraviolet irradiation device, ultraviolet rays were irradiated at 120 mJ / cm 2 from above the negative film under a vacuum of 600 mmHg or less. further. By developing with a 1% aqueous sodium carbonate solution, a resist mask having a line width of 30 μm, a line pitch of 300 μm, and a bias angle of 45 ° was formed on the SUS plate. Furthermore, the SUS plate was etched using a ferric chloride aqueous solution (45 ° B, manufactured by Tsurumi Soda Co., Ltd.) heated to 40 ° C. Etching was performed until the line width of the SUS plate became 20 μm. Next, using a 5% sodium hydroxide solution, the resist film formed on the SUS plate is peeled off to form a lattice pattern (line width, ie, the width of the upper surface of the convex portion is 20 μm, the pitch is 300 μm, the convex portion 15 μm in height, the cross-sectional shape of the convex part is a curved surface (similar to FIG. 2 c), the pattern of the convex part having the upper surface, and the conductive base for plating having the concave part of the geometrical figure shape drawn thereby A material was prepared.

なお、めっき用導電性基材の外周部40mmに凸部上面の幅80μm、ピッチ300μm、凸部の高さ15μmで凸部の網目状パターンのアース対応部(領域B)を形成した。   In addition, the ground corresponding | compatible part (area | region B) of the mesh-like pattern of a convex part was formed in the outer peripheral part 40mm of the electroconductive base material for plating with the width | variety 80 micrometers of a convex part upper surface, the pitch of 300 micrometers, and the height of a convex part.

(絶縁膜を有する導電性基材の作製)
次いで、前記の導電性基材を陰極にして、陽極をチタン板として、カチオン型電着塗料(Insuleed3020、日本ペイント(株)製)中で、15V10秒、の条件で、格子模様状にエッチングされたステンレス板に電着塗装した。水洗後100℃10分間乾燥した後、190℃25分の条件で焼付けした。電着塗料の塗布厚は、2.5μmであった。
(Preparation of a conductive substrate having an insulating film)
Next, the conductive base material is used as a cathode, and the anode is used as a titanium plate. In a cationic electrodeposition paint (Insulated 3020, manufactured by Nippon Paint Co., Ltd.), it is etched in a lattice pattern under the condition of 15 V for 10 seconds. A stainless steel plate was electrodeposited. After washing with water and drying at 100 ° C. for 10 minutes, baking was performed at 190 ° C. for 25 minutes. The coating thickness of the electrodeposition paint was 2.5 μm.

さらに、電着塗装したステンレス板を、研磨粉(アルミナ液B0.05μm、リファインテック(株)製)と研磨布(CONSUMABLES、BUEHLER社製)を用いて凸部の上面部分を研磨し、SUS面を露出させ、絶縁膜を有する導電性基材を作製した。この導電性基材の凸部上面端部における電着塗膜の厚さは2.5μm、凹部における電着塗膜の厚さは2.5μmであった。この導電性基材は、凸部上面以外は絶縁膜で覆われたものであった。   Further, the electrodeposited stainless steel plate was polished with an abrasive powder (alumina solution B 0.05 μm, manufactured by Refinetech Co., Ltd.) and a polishing cloth (CONSUMABLES, manufactured by BUEHLER), and the upper surface portion of the convex portion was polished. Was exposed to produce a conductive substrate having an insulating film. The thickness of the electrodeposition coating film on the upper end portion of the convex portion of the conductive substrate was 2.5 μm, and the thickness of the electrodeposition coating film on the concave portion was 2.5 μm. This conductive substrate was covered with an insulating film except for the upper surface of the convex portion.

(銅めっき)
次いで、絶縁膜を有する導電性基材を陰極となる回転ドラム電極にテフロン(登録商標)テープを使用して固定し、電解銅めっきを行った。電解銅めっき浴の浴組成及び電解条件は次の通りである。
(Copper plating)
Subsequently, the electroconductive base material which has an insulating film was fixed to the rotating drum electrode used as a cathode using a Teflon (trademark) tape, and electrolytic copper plating was performed. The bath composition and electrolysis conditions of the electrolytic copper plating bath are as follows.

ピロリン酸銅の濃度:100g/L
ピロリン酸カリウムの濃度:250g/L
アンモニア水(30%)使用量:2mL/L
pH:8〜9
浴温:30℃
陽極:銅板
めっき浴の攪拌は穏やかな液循環のみとした。導電性基材の凸部の上面に、析出した金属の厚さが5μmになるまで電流密度20A/dmでめっきした。この段階での析出した金属は、赤色であり、導電度は、0.1Ω/□であった。この後、電流密度を50A/dmに変更して引き続き5秒間めっきを行い、表面を黒化した。表面が黒化処理された導体パターンがついた導電性基材をめっき浴から取り出し、水洗し、乾燥した。
Concentration of copper pyrophosphate: 100 g / L
Concentration of potassium pyrophosphate: 250 g / L
Ammonia water (30%) consumption: 2 mL / L
pH: 8-9
Bath temperature: 30 ° C
Anode: Copper plate The plating bath was stirred only by gentle liquid circulation. The top surface of the convex portion of the conductive substrate was plated at a current density of 20 A / dm 2 until the deposited metal thickness was 5 μm. The metal deposited at this stage was red, and the conductivity was 0.1Ω / □. Thereafter, the current density was changed to 50 A / dm 2 and plating was continued for 5 seconds to blacken the surface. The conductive substrate with the conductive pattern whose surface was blackened was taken out of the plating bath, washed with water, and dried.

(粘着フィルムの作製)
厚さ100μmのポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム(A−4100、東洋紡績(株)製)の表面にプライマー(HP―1、日立化成工業(株) 製)を厚さ1μm)に、粘着層としてアクリルポリマー(HTR−280、ナガセケムテックス(株)製)を厚さ10μmに順次塗布して粘着フィルムを作製した。
(Preparation of adhesive film)
A primer (HP-1, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) on the surface of a polyethylene terephthalate (PET) film (A-4100, manufactured by Toyobo Co., Ltd.) having a thickness of 100 μm and a thickness of 1 μm as an adhesive layer. Polymers (HTR-280, manufactured by Nagase ChemteX Corporation) were sequentially applied to a thickness of 10 μm to prepare an adhesive film.

(転写)
この粘着フィルムの粘着剤面と、前記導電性基材の表面が黒化処理された銅めっきを有する面を、ロールラミネータを用いて貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度25℃、圧力0.1MPaとした。次いで、導電性基材に貼り合わせた粘着フィルムを剥離したところ、前記導電性基材の凸部の上面に析出した銅が粘着フィルムに転写されていた。
これにより、ライン幅28μm、ラインピッチ300μm、導体厚さ5μmの金属パターンからなる導体層パターン付き基材が得られた。転写後の導電性基材を観察した結果、絶縁膜が剥離している箇所はなかった。
(Transcription)
The pressure-sensitive adhesive surface of this pressure-sensitive adhesive film and the surface having the copper plating in which the surface of the conductive base material was blackened were bonded together using a roll laminator. Lamination conditions were a roll temperature of 25 ° C. and a pressure of 0.1 MPa. Subsequently, when the adhesive film bonded to the conductive substrate was peeled off, copper deposited on the upper surface of the convex portion of the conductive substrate was transferred to the adhesive film.
Thereby, the base material with a conductor layer pattern which consists of a metal pattern with a line width of 28 μm, a line pitch of 300 μm, and a conductor thickness of 5 μm was obtained. As a result of observing the conductive substrate after the transfer, there was no portion where the insulating film was peeled off.

(保護膜の形成)
前記で得られた表面が黒化処理された導体層パターン付き基材の導体層パターンが存在する面に、UV硬化型樹脂ヒタロイド7983AA3(日立化成工業(株)製)をコーティングし、ポリカーボネートフィルム(マクロホールDE、バイエル株式会社製、75μm)でラミネートして導体層パターンをUV硬化型樹脂中に埋没させた後、紫外線ランプを用いて1J/cmの紫外線を照射してUV硬化型樹脂を硬化させて、保護膜を有する導体層パターン付き基材を得た。
(Formation of protective film)
The surface of the base material with the conductor layer pattern obtained by the above blackening treatment is coated with UV curable resin Hitaroid 7983AA3 (manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) and a polycarbonate film ( Macro hole DE, manufactured by Bayer Co., Ltd., 75 μm), the conductor layer pattern was buried in the UV curable resin, and then irradiated with 1 J / cm 2 of ultraviolet rays using an ultraviolet lamp to give the UV curable resin. It was cured to obtain a substrate with a conductor layer pattern having a protective film.

(明度及び色度の測定)
得られた導体層パターン付き基材の明度及び色度を分光測色計CM−508d(コニカミノルタホールディングス(株)製)を用いて測定した。測定は基材の下部に明度L*=25の黒色紙を敷いて反射モードで行った。
(Measurement of brightness and chromaticity)
The brightness and chromaticity of the obtained substrate with a conductor layer pattern were measured using a spectrocolorimeter CM-508d (manufactured by Konica Minolta Holdings, Inc.). The measurement was performed in the reflection mode by placing black paper with a lightness L * = 25 on the bottom of the substrate.

測定対象は、表面が黒化処理された導体層パターンの外側に形成したアース部とし、アース部の開口面積が約50%である。測定したところ、明度L*は34であり好適な値の範囲内であった。また、色度はa*は0.4、b*は0.9であり、いずれも色相の低い値が得られた。   The object to be measured is an earth part formed outside the conductor layer pattern whose surface is blackened, and the opening area of the earth part is about 50%. As a result of the measurement, the lightness L * was 34, which was within a preferable range. The chromaticity was 0.4 for a * and 0.9 for b *, both of which were low in hue.

(凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材の作製)
SUS板に形成される凸部の上面の幅が7μmになるまでエッチングしたこと以外は、実施例1と同様にして、SUS板上に格子模様状のパターン(上面の幅7μm、ピッチ300μm、凸部の高さ30μm、凸部の断面形状は曲面(図2−(c)と同様))を形成して、凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材を得た。
(Preparation of a conductive substrate having a convex pattern and a geometrical figure-shaped concave portion drawn thereby)
A lattice-like pattern (upper surface width 7 μm, pitch 300 μm, convex) is formed on the SUS plate in the same manner as in Example 1 except that etching is performed until the width of the upper surface of the convex portion formed on the SUS plate is 7 μm. A conductive substrate having a height of 30 μm and a convex section having a curved surface (similar to FIG. 2 (c)) and having a convex pattern and a concave portion of the geometrical shape drawn thereby. Got.

(絶縁膜を有する導電性基材の作製)
次いで、前記の導電性基材を陽極にして、陰極をチタン板として、アニオン型電着塗料(AMG−5E/5W、(株)シミズ製)中で、10V60秒の条件で、前記導電性基材に電着塗装した。水洗後100℃10分間乾燥した後、180℃30分の条件で焼付けした。電着塗料の塗布厚は、2.6μmであった。さらに電着塗装した導電性基材を、研磨粉(Type0.1R、Baikalox社製)と研磨布(CONSUMABLES、BUEHLER社製)を用いて凸部の上面部分を研磨し、SUS面を露出させ、絶縁膜を有する導電性基材を作製した。この導電性基材の凸部上面端部における電着塗膜の厚さは0.2μm、凹部にける電着塗膜の厚さは2.6μmであった。この導電性基材は、凸部上面以外は絶縁膜で覆われたものであった。この導電性基材は、凸部上面以外は絶縁膜で覆われたものであった。
(Preparation of a conductive substrate having an insulating film)
Next, the conductive group is used in an anionic electrodeposition coating (AMG-5E / 5W, manufactured by Shimizu Co., Ltd.) with the conductive substrate as an anode and a cathode as a titanium plate under the condition of 10 V 60 seconds. The material was electrodeposited. After washing with water and drying at 100 ° C. for 10 minutes, baking was performed at 180 ° C. for 30 minutes. The coating thickness of the electrodeposition paint was 2.6 μm. Further, the electrodeposited conductive base material is polished with an abrasive powder (Type 0.1R, manufactured by Baikalox) and a polishing cloth (CONSUMABLES, manufactured by BUEHLER) to expose the upper surface portion of the convex portion, and the SUS surface is exposed. A conductive substrate having an insulating film was produced. The thickness of the electrodeposition coating film on the upper end portion of the convex portion of this conductive substrate was 0.2 μm, and the thickness of the electrodeposition coating film on the concave portion was 2.6 μm. This conductive substrate was covered with an insulating film except for the upper surface of the convex portion. This conductive substrate was covered with an insulating film except for the upper surface of the convex portion.

(銅めっき)
次いで、絶縁膜を有する導電性基材を陰極となる回転ドラム電極にテフロン(登録商標)テープを使用して固定し、電解銅めっきを行った。電解銅めっき浴の浴組成及び電解条件は次の通りである。
(Copper plating)
Subsequently, the electroconductive base material which has an insulating film was fixed to the rotating drum electrode used as a cathode using a Teflon (trademark) tape, and electrolytic copper plating was performed. The bath composition and electrolysis conditions of the electrolytic copper plating bath are as follows.

ピロリン酸銅の濃度:100g/L
ピロリン酸カリウムの濃度:250g/L
アンモニア水(30%)の使用量:2mL/L
pH:8〜9
浴温:30℃
陽極:銅板
めっき浴の攪拌は穏やかな液循環のみとした。導電性基材の凸部の上面に、析出した金属の厚さが3μmになるまで電流密度20A/dmでめっきした。この段階での析出した金属は、赤色であり、導電度は、0.1Ω/□であった。この後、電流密度を50A/dmに変更して、引き続き5秒間めっきを行い、表面を黒化した。表面が黒化処理された導体パターンがついた導電性基材を取り出し、水洗し、乾燥した。
Concentration of copper pyrophosphate: 100 g / L
Concentration of potassium pyrophosphate: 250 g / L
Amount of ammonia water (30%) used: 2 mL / L
pH: 8-9
Bath temperature: 30 ° C
Anode: The copper plate plating bath was stirred only by gentle liquid circulation. The top surface of the convex portion of the conductive substrate was plated at a current density of 20 A / dm 2 until the deposited metal thickness was 3 μm. The metal deposited at this stage was red, and the conductivity was 0.1Ω / □. Thereafter, the current density was changed to 50 A / dm 2 and plating was continued for 5 seconds to blacken the surface. The conductive substrate with the conductive pattern whose surface was blackened was taken out, washed with water, and dried.

(接着フィルムの作製)
次いで、厚さ125μmのPETフィルム(A−4100、東洋紡株式会社製)に下記樹脂組成物1を乾燥塗布厚が5μmとなるように塗布して、接着フィルムを作製した。
(Preparation of adhesive film)
Subsequently, the following resin composition 1 was apply | coated to 125-micrometer-thick PET film (A-4100, the Toyobo Co., Ltd. make) so that dry application | coating thickness might be 5 micrometers, and the adhesive film was produced.

樹脂組成物1の組成
バイロンUR−1350 (東洋紡績(株)製、ポリエステル樹脂)
100重量部 コロネートL (日本ポリウレタン(株)製、イソシアネート化合物)
3重量部。
Composition of Resin Composition 1 Byron UR-1350 (manufactured by Toyobo Co., Ltd., polyester resin)
100 parts by weight Coronate L (made by Nippon Polyurethane Co., Ltd., isocyanate compound)
3 parts by weight.

(転写)
次いで、前記で得た接着フィルムの接着剤面と、前記導電性基材の表面が黒化処理された銅めっきを有する面を、ロールラミネータを用いて貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度100℃、圧力0.1MPa、ラインスピード0.3m/minとした。接着剤のガラス転移点(Tg)を超える温度でラミネートされたため、接着剤表面にタック性が発現した。次いで、導電性基材から接着フィルムを剥離すると、前記導電性基材の凸部の上面に析出した銅が接着剤表面に転写された。このようにして、ライン幅11μm、ラインピッチ300μm、導体厚3μmで、さらに表面が黒化処理された金属パターンが接着フィルム上に転写され、本発明の導体層パターン付き基材を得た。
(Transcription)
Subsequently, the adhesive agent surface of the adhesive film obtained above and the surface having copper plating in which the surface of the conductive base material was blackened were bonded together using a roll laminator. Lamination conditions were a roll temperature of 100 ° C., a pressure of 0.1 MPa, and a line speed of 0.3 m / min. Since lamination was performed at a temperature exceeding the glass transition point (Tg) of the adhesive, tackiness was developed on the adhesive surface. Next, when the adhesive film was peeled from the conductive substrate, copper deposited on the upper surface of the convex portion of the conductive substrate was transferred to the adhesive surface. In this way, a metal pattern having a line width of 11 μm, a line pitch of 300 μm, and a conductor thickness of 3 μm and a blackened surface was transferred onto the adhesive film to obtain a substrate with a conductor layer pattern of the present invention.

(保護膜の形成)
前記で得られた導体層パターン付き基材の導体層パターンが存在する面に、実施例1と同様にしてUV硬化型樹脂ヒタロイド7983AA3(日立化成工業(株)製)をコーティングした後、PETフィルム(A−4100、東洋紡(株)製、75μm)の易接着処理を施していない面を、UV硬化型樹脂とでラミネートして導体層パターンをUV硬化型樹脂中に埋没させた。さらに、紫外線ランプを用いて1J/cmの紫外線を照射してUV硬化型樹脂を硬化させた後、PETフィルム(A−4100、東洋紡(株)製、75μm)を剥離して、保護膜を有する導体層パターン付き基材を得た。
(Formation of protective film)
After coating the surface of the substrate with the conductor layer pattern obtained above on which the conductor layer pattern exists in the same manner as in Example 1, UV curable resin Hitaroid 7983AA3 (manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) was coated, and then a PET film (A-4100, manufactured by Toyobo Co., Ltd., 75 μm) was laminated with a UV curable resin, and the conductor layer pattern was embedded in the UV curable resin. Furthermore, after UV rays of 1 J / cm 2 were irradiated using an ultraviolet lamp to cure the UV curable resin, the PET film (A-4100, manufactured by Toyobo Co., Ltd., 75 μm) was peeled off to form a protective film. The base material with a conductor layer pattern was obtained.

(明度及び色度の測定)
得られた導体層パターン付き基材の明度及び色度を、測定対象を含み実施例1に記載の方法にて測定した。明度L*は38であり好適な値の範囲内であった。また、色度はa*は0.5、b*は0.8であり、いずれも色相の低い値が得られた。
(Measurement of brightness and chromaticity)
The brightness and chromaticity of the obtained base material with a conductor layer pattern were measured by the method described in Example 1 including the measurement target. The lightness L * was 38, which was within a preferable range. The chromaticity was 0.5 for a * and 0.8 for b *, both of which were low in hue.

(上面を有する凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材の作製)
ステンレス(SUS316L 仕上げ2B 日新製鋼(株)製、厚さ300μm)を用いて、凸部のライン幅が15μmとなるまでエッチングした以外は、実施例1と同様の条件で行い、格子模様状のパターン(ライン幅15μm、ピッチ300μm、凸部の高さ20μm)、凸部の断面形状は曲面(図2−cと同様))を形成して、上面を有する凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材を得た。
(Preparation of a conductive substrate having a convex pattern having an upper surface and a geometrical figure-shaped concave portion drawn thereby)
Using stainless steel (SUS316L finish 2B Nisshin Steel Co., Ltd., thickness 300 μm), except that etching was performed until the line width of the convex portion became 15 μm, the same conditions as in Example 1 were performed. A pattern (line width 15 μm, pitch 300 μm, convex height 20 μm), convex sectional shape is a curved surface (similar to FIG. 2 c), and a convex pattern having an upper surface and drawn thereby A conductive substrate having a geometrical figure-shaped recess was obtained.

(絶縁膜を有する導電性基材の作製)
次いで、実施例2と同様に前記の導電性基材を陽極にして、陰極をチタン板として、アニオン型電着塗料(AMG−5E/5W、(株)シミズ製)中で、10V60秒の条件で、前記導電性基材に電着塗装した。水洗後100℃10分間乾燥した後、180℃30分の条件で焼付けした。電着塗料の塗布厚は、2.8μmであった。さらに電着塗装した導電性基材を、研磨粉(Type0.1R、Baikalox社製)と研磨布(CONSUMABLES、BUEHLER社製)を用いて凸部の上面部分を研磨し、SUS面を露出させ、絶縁膜を有する導電性基材を作製した。この導電性基材の凸部上面端部における電着塗膜の厚さは0.2μm、凹部にける電着塗膜の厚さは2.8μmであった。この導電性基材は、凸部上面以外は絶縁膜で覆われたものであった。
(Preparation of a conductive substrate having an insulating film)
Next, in the same manner as in Example 2, the conductive substrate was used as an anode, the cathode was used as a titanium plate, and an anion-type electrodeposition paint (AMG-5E / 5W, manufactured by Shimizu Co., Ltd.) under conditions of 10 V 60 seconds. Then, the conductive base material was electrodeposited. After washing with water and drying at 100 ° C. for 10 minutes, baking was performed at 180 ° C. for 30 minutes. The coating thickness of the electrodeposition paint was 2.8 μm. Further, the electrodeposited conductive base material is polished with an abrasive powder (Type 0.1R, manufactured by Baikalox) and a polishing cloth (CONSUMABLES, manufactured by BUEHLER) to expose the upper surface portion of the convex portion, and the SUS surface is exposed. A conductive substrate having an insulating film was produced. The thickness of the electrodeposition coating film on the upper end portion of the convex portion of the conductive substrate was 0.2 μm, and the thickness of the electrodeposition coating film on the concave portion was 2.8 μm. This conductive substrate was covered with an insulating film except for the upper surface of the convex portion.

(銅めっき)
次いで、絶縁膜を有する導電性基材を陰極となる回転ドラム電極にテフロン(登録商標)テープを使用して固定し、電解銅めっきを行った。電解銅めっき浴の浴組成及び電解条件は次の通りである。
(Copper plating)
Subsequently, the electroconductive base material which has an insulating film was fixed to the rotating drum electrode used as a cathode using a Teflon (trademark) tape, and electrolytic copper plating was performed. The bath composition and electrolysis conditions of the electrolytic copper plating bath are as follows.

ピロリン酸銅の濃度:100g/L
ピロリン酸カリウムの濃度:250g/L
アンモニア水(30%)の使用量:2mL/L
pH:8〜9
浴温:30℃
陽極:銅板
めっき浴の攪拌は穏やかな液循環のみとした。導電性基材の凸部の上面に、析出した金属の厚さが7μmになるまで電流密度20A/dmでめっきした。この段階での析出した金属は、赤色であり、導電度は、0.1Ω/□であった。この後、電流密度を50A/dmに変更して引き続き5秒間めっきを行い、表面を黒化した。表面が黒化処理された導体パターンがついた導電性基材は引続き水洗し、乾燥した。
Concentration of copper pyrophosphate: 100 g / L
Concentration of potassium pyrophosphate: 250 g / L
Amount of ammonia water (30%) used: 2 mL / L
pH: 8-9
Bath temperature: 30 ° C
Anode: Copper plate The plating bath was stirred only by gentle liquid circulation. The top surface of the convex portion of the conductive substrate was plated at a current density of 20 A / dm 2 until the thickness of the deposited metal reached 7 μm. The metal deposited at this stage was red, and the conductivity was 0.1Ω / □. Thereafter, the current density was changed to 50 A / dm 2 and plating was continued for 5 seconds to blacken the surface. The conductive substrate with the conductive pattern whose surface was blackened was subsequently washed with water and dried.

(粘着フィルムの作製)
次いで、厚さ100μmのPETフィルム(A−4100、東洋紡績株式会社製)の易接着面に下記の樹脂組成物2を乾燥塗布厚が15μmとなるように塗布して粘着フィルムを作製した。
(Preparation of adhesive film)
Subsequently, the following resin composition 2 was apply | coated to the easily bonding surface of 100-micrometer-thick PET film (A-4100, Toyobo Co., Ltd. product) so that dry application | coating thickness might be 15 micrometers, and the adhesive film was produced.

樹脂組成物2の組成
AS−406(一方社油脂工業(株)製、アクリルポリマー)
100重量部
テトラドX (三菱瓦斯化学(株)製、硬化剤) 2重量部。
Composition of resin composition 2 AS-406 (manufactured by Yushi Kogyo Co., Ltd., acrylic polymer)
100 parts by weight Tetrad X (manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Inc., curing agent) 2 parts by weight.

(転写)
前記で得られた粘着フィルムの粘着剤面と、前記導電性基材の表面が黒化処理された銅めっきを有する面とを、ロールラミネータを用いて貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度25℃、圧力0.1MPa、ラインスピード1m/minとした。次いで、導電性基材から粘着フィルムを剥離したところ、前記導電性基材の凸部の先端(露出部分)に析出した銅(黒化処理されたもの)が粘着フィルムの接着剤表面に転写されていた。このようにしてライン幅17μm、ラインピッチ300μm、導体厚7μmでさらに黒化処理された金属パターンが接着フィルム上に選択的に転写され、本発明の導体層付き基材を製造した。
(Transcription)
The pressure-sensitive adhesive surface of the pressure-sensitive adhesive film obtained above and the surface having copper plating on which the surface of the conductive base material was blackened were bonded using a roll laminator. Lamination conditions were a roll temperature of 25 ° C., a pressure of 0.1 MPa, and a line speed of 1 m / min. Next, when the adhesive film was peeled from the conductive substrate, the copper (blackened) deposited on the tip (exposed portion) of the convex portion of the conductive substrate was transferred to the adhesive surface of the adhesive film. It was. In this way, the metal pattern further blackened with a line width of 17 μm, a line pitch of 300 μm, and a conductor thickness of 7 μm was selectively transferred onto the adhesive film to produce a substrate with a conductor layer of the present invention.

(電磁波遮蔽体の製造)
前記で得られた導体層パターン付き基材の粘着剤面(導体層パターンを有する面)を厚さ2mmのガラスに当ててラミネートして貼り合わせた。ラミネート条件は、温度25℃、圧力0.5MPa、ラインスピード0.5m/minとした。ロールラミネートによって、厚さ1μmの導体層パターンは粘着剤に埋設され、透明性の高い電磁波遮蔽体が得られた。
(Manufacture of electromagnetic shielding material)
The adhesive surface (surface having a conductor layer pattern) of the substrate with a conductor layer pattern obtained above was applied to a glass sheet having a thickness of 2 mm and laminated. Lamination conditions were a temperature of 25 ° C., a pressure of 0.5 MPa, and a line speed of 0.5 m / min. By the roll laminating, the conductor layer pattern having a thickness of 1 μm was embedded in the pressure-sensitive adhesive, and a highly transparent electromagnetic wave shielding body was obtained.

(明度及び色度の測定)
得られた導体層パターン付き基材の明度及び色度を、測定対象を含み実施例1に記載の方法にて測定した。明度L*は38であり好適な値の範囲内であった。また、色度はa*は0.5、b*は0.8であり、いずれも色相の低い値が得られた。
(Measurement of brightness and chromaticity)
The brightness and chromaticity of the obtained base material with a conductor layer pattern were measured by the method described in Example 1 including the measurement target. The lightness L * was 38, which was within a preferable range. The chromaticity was 0.5 for a * and 0.8 for b *, both of which were low in hue.

(凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材の作製)
ステンレスとして、SUS316L〔仕上げ2B 日新製鋼(株)製、厚さ300μm、サイズは250mm×350mm(ドラムに巻きつけるため、ドラム外周と同じサイズ)〕及びネガフィルムとして、中央部に光透過部のライン幅が30μm、ラインピッチが300μm、バイアス角度が45°で格子状のパターンを配し、その外周部(幅20mm)に光透過部のライン幅が100μm、ラインピッチが300μm、バイアス角度が45°で格子状のパターンを配したネガフィルムを使用し、他は実施例1と同様の条件で行い、上面を有する凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材を作製した。この導電性基材の中央部は、凸部上面の幅15μm、凸部のピッチ300μm及び凸部の高さ20μm格子模様状のパターン(凸部の断面形状は図2−cと同様)であり、その外周部(幅20mm)は、凸部上面の幅80μm、ピッチ300μm、凸部の高さ15μmで上面を有する凸部の網目状パターン(凸部の断面形状は図2−cと同様)であった。この外周部は電磁波遮蔽部材のアース部に対応するものである。
(Preparation of a conductive substrate having a convex pattern and a geometrical figure-shaped concave portion drawn thereby)
As stainless steel, SUS316L (finish 2B made by Nisshin Steel Co., Ltd., thickness 300 μm, size 250 mm × 350 mm (the same size as the outer periphery of the drum so that it can be wound around the drum)) A grid-like pattern is arranged with a line width of 30 μm, a line pitch of 300 μm, a bias angle of 45 °, and a line width of a light transmitting portion of 100 μm, a line pitch of 300 μm, and a bias angle of 45 on the outer periphery (width 20 mm). A negative film having a lattice pattern at 0 ° is used, and the rest is performed under the same conditions as in Example 1, and a conductive pattern having a convex pattern having an upper surface and a geometrical figure-shaped concave portion drawn thereby. A material was prepared. The central portion of the conductive base material is a lattice pattern having a width of 15 μm on the upper surface of the convex portion, a pitch of the convex portion of 300 μm, and a height of the convex portion of 20 μm (the sectional shape of the convex portion is the same as in FIG. 2C). The outer peripheral part (width 20 mm) is a convex-like mesh pattern with a width of 80 μm on the upper surface of the convex part, a pitch of 300 μm, and a height of the convex part of 15 μm (the cross-sectional shape of the convex part is the same as in FIG. Met. This outer peripheral part corresponds to the earth part of the electromagnetic wave shielding member.

(絶縁膜を有するめっき用導電性基材の作製)
次いで、実施例2と同様に上記の導電性基材を陽極にして、陰極をチタン板として、アニオン型電着塗料(AMG−5E/5W、(株)シミズ製)中で、10V60秒の条件で、上記導電性基材に電着塗装した。水洗後100℃10分間乾燥した後、180℃30分の条件で焼付けした。電着塗料の塗布厚は、2.8μmであった。さらに電着塗装した導電性基材を、研磨粉(Type0.1R、Baikowski Chimie SA社製)と研磨布(CONSUMABLES、Buehler GMBH社製)を用いて凸部の上面部分を研磨し、SUS面を露出させ、絶縁膜を有するめっき用導電性基材を作製した。このめっき用導電性基材の凸部上面端部における電着塗膜の厚さは0.2μm、凹部における電着塗膜の厚さは2.8μmであった。このめっき用導電性基材は、凸部上面以外は絶縁膜で覆われたものであった。
(Preparation of conductive substrate for plating with insulating film)
Next, in the same manner as in Example 2, the above conductive base material was used as an anode, the cathode was used as a titanium plate, and an anionic electrodeposition paint (AMG-5E / 5W, manufactured by Shimizu Corporation) under conditions of 10 V 60 seconds. Then, the conductive substrate was electrodeposited. After washing with water and drying at 100 ° C. for 10 minutes, baking was performed at 180 ° C. for 30 minutes. The coating thickness of the electrodeposition paint was 2.8 μm. Further, the electrodeposited conductive base material is polished on the upper surface portion of the convex portion using polishing powder (Type 0.1R, manufactured by Baikowski Chimie SA) and a polishing cloth (CONSUMABLES, manufactured by Bühler GMBH), and the SUS surface is polished. An electroconductive substrate for plating having an insulating film was exposed. The thickness of the electrodeposition coating film on the upper end portion of the convex portion of the conductive substrate for plating was 0.2 μm, and the thickness of the electrodeposition coating film on the concave portion was 2.8 μm. This electroconductive substrate for plating was covered with an insulating film except for the upper surface of the convex portion.

(銅めっき)
次いで、絶縁膜を有するめっき用導電性基材を陰極となる回転ドラム電極にテフロン(登録商標)テープを使用して固定し、電解銅めっきを行った。
(Copper plating)
Next, the conductive substrate for plating having an insulating film was fixed to a rotating drum electrode serving as a cathode using a Teflon (registered trademark) tape, and electrolytic copper plating was performed.

回転ドラム電極の主な仕様は次の通りである。   The main specifications of the rotating drum electrode are as follows.

ドラム直径 :110mm
ドラム幅 :250mm
めっき槽 :直径250mm、高さ:300mm、液容量:8L
陽極 :銅板
ドラム回転数:10rpm
電解銅めっき浴の浴組成及び電解条件は次の通りである。
Drum diameter: 110 mm
Drum width: 250mm
Plating tank: diameter 250mm, height: 300mm, liquid capacity: 8L
Anode: Copper plate Drum rotation speed: 10rpm
The bath composition and electrolysis conditions of the electrolytic copper plating bath are as follows.

<浴組成>
ピロリン酸銅の濃度 :100g/L
ピロリン酸カリウムの濃度 :250g/L
アンモニア水(30%)の使用量:2mL/L
<電解条件>
pH:8〜9
浴温:30℃
ドラムに巻き付けられためっき用導電性基材の凸部の上面に、析出した金属の厚さが3μmになるまで電流密度10A/dmでめっきした。この段階での析出した金属は、赤色であり、導電度は、0.1Ω/□であった。この後、電流密度を30A/dmに変更して引き続き5秒間めっきを行い、表面を黒化した。表面が黒化処理された導体層パターンがついためっき用導電性基材は引続き水洗し、乾燥した。
<Bath composition>
Concentration of copper pyrophosphate: 100 g / L
Concentration of potassium pyrophosphate: 250 g / L
Amount of ammonia water (30%) used: 2 mL / L
<Electrolysis conditions>
pH: 8-9
Bath temperature: 30 ° C
The upper surface of the convex portion of the conductive substrate for plating wound around the drum was plated at a current density of 10 A / dm 2 until the thickness of the deposited metal became 3 μm. The metal deposited at this stage was red, and the conductivity was 0.1Ω / □. Thereafter, the current density was changed to 30 A / dm 2 and plating was continued for 5 seconds to blacken the surface. The conductive substrate for plating with the conductive layer pattern whose surface was blackened was subsequently washed with water and dried.

(粘着フィルムの作製)
次いで、厚さ100μmのPETフィルム(A−4100、東洋紡績株式会社製)の易接着面に下記の樹脂組成物2を乾燥塗布厚が15μmとなるように塗布して粘着フィルムを作製した。
(Preparation of adhesive film)
Subsequently, the following resin composition 2 was apply | coated to the easily bonding surface of 100-micrometer-thick PET film (A-4100, Toyobo Co., Ltd. product) so that dry application | coating thickness might be 15 micrometers, and the adhesive film was produced.

<樹脂組成物2の組成>
AS−406(一方社油脂工業(株)製、アクリルポリマー)
100重量部
テトラドX (三菱瓦斯化学(株)製、硬化剤) 2重量部。
<Composition of Resin Composition 2>
AS-406 (manufactured by Yushi Co., Ltd., acrylic polymer)
100 parts by weight Tetrad X (manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Inc., curing agent) 2 parts by weight.

(転写)
上記で得られた粘着フィルムを、その粘着剤面と上記のドラムに巻き付けられためっき用導電性基材上の黒化処理された銅めっきとが接するように、ロールラミネータを用いて黒化処理された銅めっきに貼り合わせた。
(Transcription)
Blackening treatment of the adhesive film obtained above using a roll laminator so that the adhesive surface and the blackened copper plating on the conductive substrate for plating wound around the drum are in contact with each other Bonded to the copper plating.

ラミネート条件は、ロールラミネータのロール温度25℃、圧力0.1MPa、ラインスピード0.5m/minとした。次いで、めっき用導電性基材から粘着フィルムを剥離したところ、上記導電性基材の凸部の上面に析出した銅(黒色金属層を有するもの)が粘着フィルムの接着剤表面に転写されていた。このようにしてライン幅20μm、ラインピッチ300μm、導体厚3μmでさらに黒化処理された導体層パターンが接着フィルム上に選択的に転写され、本発明の導体層パターン付き基材を製造した。   Lamination conditions were a roll laminator roll temperature of 25 ° C., a pressure of 0.1 MPa, and a line speed of 0.5 m / min. Next, when the adhesive film was peeled off from the conductive substrate for plating, copper (having a black metal layer) deposited on the upper surface of the convex portion of the conductive substrate was transferred to the adhesive surface of the adhesive film. . In this way, the conductor layer pattern further blackened with a line width of 20 μm, a line pitch of 300 μm, and a conductor thickness of 3 μm was selectively transferred onto the adhesive film to produce a substrate with a conductor layer pattern of the present invention.

(電磁波遮蔽体の製造)
上記で得られた導体層パターン付き基材の粘着剤面(導体層パターンを有する面)を厚さ2mmのガラスに当ててラミネートして貼り合わせた。ラミネート条件は、温度25℃、圧力0.5MPa、ラインスピード0.5m/minとした。ロールラミネートによって、厚さ3μmの導体層パターンは粘着剤に埋設され、透明性の高い電磁波遮蔽体が得られた。
(Manufacture of electromagnetic shielding material)
The adhesive surface (surface having a conductor layer pattern) of the substrate with a conductor layer pattern obtained above was applied to a glass having a thickness of 2 mm and laminated. Lamination conditions were a temperature of 25 ° C., a pressure of 0.5 MPa, and a line speed of 0.5 m / min. By the roll lamination, the conductor layer pattern having a thickness of 3 μm was embedded in the pressure-sensitive adhesive, and a highly transparent electromagnetic wave shielding body was obtained.

(明度及び色度の測定)
得られた導体層パターン付き基材の明度及び色度を、測定対象を含み実施例1に記載の方法にて測定した。明度L*は38であり好適な値の範囲内であった。また、色度はa*は0.5、b*は0.8であり、いずれも色相の低い値が得られた。
(Measurement of brightness and chromaticity)
The brightness and chromaticity of the obtained base material with a conductor layer pattern were measured by the method described in Example 1 including the measurement target. The lightness L * was 38, which was within a preferable range. The chromaticity was 0.5 for a * and 0.8 for b *, both of which were low in hue.

(凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材の作製)
ステンレスとして、SUS316L〔仕上げ2B 日新製鋼(株)製、厚さ300μm、サイズは750mm×1100mm〕及びネガフィルムとして、中央部に光透過部のライン幅が30μm、ラインピッチが300μm、バイアス角度が45°で格子状のパターンを配し、その外周部(幅20mm)に光透過部のライン幅が100μm、ラインピッチが300μm、バイアス角度が45°で格子状のパターンを配したネガフィルムを使用し、他は実施例1と同様の条件で行い、上面を有する凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材を作製した。この導電性基材の中央部は、凸部上面の幅15μm、凸部のピッチ300μm及び凸部の高さ20μm格子模様状のパターン(凸部の断面形状は図2−cと同様)であり、その外周部(幅20mm)は、凸部上面の幅80μm、ピッチ300μm、凸部の高さ15μmで上面を有する凸部の網目状パターン(凸部の断面形状は図2−cと同様)であった。この外周部は電磁波遮蔽部材のアース部に対応するものである。
(Preparation of a conductive substrate having a convex pattern and a geometrical figure-shaped concave portion drawn thereby)
As stainless steel, SUS316L (finish 2B made by Nisshin Steel Co., Ltd., thickness 300 μm, size is 750 mm × 1100 mm) and negative film, the light transmitting part has a line width of 30 μm, the line pitch is 300 μm, and the bias angle is 300 μm. Uses a negative film in which a lattice pattern is arranged at 45 °, and the outer periphery (width 20 mm) has a light transmission portion line width of 100 μm, a line pitch of 300 μm, a bias angle of 45 °, and a lattice pattern. The rest was carried out under the same conditions as in Example 1, and a conductive substrate having a convex pattern having an upper surface and a geometrical figure-shaped concave portion drawn thereby was produced. The central portion of the conductive base material is a lattice pattern having a width of 15 μm on the upper surface of the convex portion, a pitch of the convex portion of 300 μm, and a height of the convex portion of 20 μm (the sectional shape of the convex portion is the same as in FIG. 2C). The outer peripheral part (width 20 mm) is a convex-like mesh pattern with a width of 80 μm on the upper surface of the convex part, a pitch of 300 μm, and a height of the convex part of 15 μm (the cross-sectional shape of the convex part is the same as in FIG. 2-c). Met. This outer peripheral part corresponds to the earth part of the electromagnetic wave shielding member.

(絶縁膜を有するめっき用導電性基材の作製)
次いで、実施例2と同様に上記の導電性基材を陽極にして、陰極をチタン板として、アニオン型電着塗料(AMG−5E/5W、(株)シミズ製)中で、10V60秒の条件で、上記導電性基材に電着塗装した。水洗後100℃10分間乾燥した後、180℃30分の条件で焼付けした。電着塗料の塗布厚は、2.8μmであった。さらに電着塗装した導電性基材を、研磨粉(Type0.1R、Baikowski Chimie SA社製)と研磨布(CONSUMABLES、Buehler GMBH社製)を用いて凸部の上面部分を研磨し、SUS面を露出させ、絶縁膜を有するめっき用導電性基材を作製した。このめっき用導電性基材の凸部上面端部における電着塗膜の厚さは0.2μm、凹部における電着塗膜の厚さは2.8μmであった。このめっき用導電性基材は、凸部上面以外は絶縁膜で覆われたものであった。
(Preparation of conductive substrate for plating with insulating film)
Next, in the same manner as in Example 2, the above conductive base material was used as an anode, the cathode was used as a titanium plate, and an anionic electrodeposition paint (AMG-5E / 5W, manufactured by Shimizu Corporation) under conditions of 10 V 60 seconds. Then, the conductive substrate was electrodeposited. After washing with water and drying at 100 ° C. for 10 minutes, baking was performed at 180 ° C. for 30 minutes. The coating thickness of the electrodeposition paint was 2.8 μm. Further, the electrodeposited conductive base material is polished on the upper surface portion of the convex portion using polishing powder (Type 0.1R, manufactured by Baikowski Chimie SA) and a polishing cloth (CONSUMABLES, manufactured by Bühler GMBH), and the SUS surface is polished. An electroconductive substrate for plating having an insulating film was exposed. The thickness of the electrodeposition coating film on the upper end portion of the convex portion of the conductive substrate for plating was 0.2 μm, and the thickness of the electrodeposition coating film on the concave portion was 2.8 μm. This electroconductive substrate for plating was covered with an insulating film except for the upper surface of the convex portion.

(銅めっき)
次いで、絶縁膜を有するめっき用導電性基材を陰極となる回転ドラム電極にテフロン(登録商標)テープを使用して固定し、電解銅めっきを行った。
(Copper plating)
Next, the conductive substrate for plating having an insulating film was fixed to a rotating drum electrode serving as a cathode using a Teflon (registered trademark) tape, and electrolytic copper plating was performed.

回転ドラム電極の主な仕様は次の通りである。   The main specifications of the rotating drum electrode are as follows.

ドラム直径 :425mm
ドラム幅 :900mm
めっき槽 :直径600mm、液容量:80L
陽極 :不溶性電極板
ドラム回転数:0.4rpm
電解銅めっき浴の浴組成及び電解条件は次の通りである。
Drum diameter: 425mm
Drum width: 900mm
Plating tank: diameter 600mm, liquid capacity: 80L
Anode: Insoluble electrode plate Drum rotation speed: 0.4 rpm
The bath composition and electrolysis conditions of the electrolytic copper plating bath are as follows.

<浴組成>
ピロリン酸銅の濃度 :100g/L
ピロリン酸カリウムの濃度 :250g/L
アンモニア水(30%)の使用量:2mL/L
<電解条件>
pH:8〜9
浴温:30℃
ドラムに巻き付けられためっき用導電性基材の凸部の上面に、析出した金属の厚さが5μmになるまで電流密度10A/dmでめっきした。この段階での析出した金属は、赤色であり、導電度は、0.08Ω/□であった。この後、電流密度を30A/dmに変更して引き続き5秒間めっきを行い、表面を黒化した。表面が黒化処理された導体層パターンがついためっき用導電性基材は引続き水洗し、乾燥した。
<Bath composition>
Concentration of copper pyrophosphate: 100 g / L
Concentration of potassium pyrophosphate: 250 g / L
Amount of ammonia water (30%) used: 2 mL / L
<Electrolysis conditions>
pH: 8-9
Bath temperature: 30 ° C
The upper surface of the convex portion of the conductive substrate for plating wound around the drum was plated at a current density of 10 A / dm 2 until the thickness of the deposited metal became 5 μm. The metal deposited at this stage was red and the conductivity was 0.08Ω / □. Thereafter, the current density was changed to 30 A / dm 2 and plating was continued for 5 seconds to blacken the surface. The conductive substrate for plating with the conductive layer pattern whose surface was blackened was subsequently washed with water and dried.

(粘着フィルムの作製)
次いで、厚さ125μmのPETフィルム(A−4100、東洋紡績株式会社製)の易接着面に下記の樹脂組成物2を乾燥塗布厚が15μmとなるように塗布して粘着フィルムを作製した。
(Preparation of adhesive film)
Subsequently, the following resin composition 2 was apply | coated to the easily bonding surface of 125-micrometer-thick PET film (A-4100, Toyobo Co., Ltd. product) so that dry application | coating thickness might be set to 15 micrometers, and the adhesive film was produced.

<樹脂組成物2の組成>
AS−406(一方社油脂工業(株)製、アクリルポリマー)
100重量部
テトラドX (三菱瓦斯化学(株)製、硬化剤) 2重量部。
<Composition of Resin Composition 2>
AS-406 (manufactured by Yushi Co., Ltd., acrylic polymer)
100 parts by weight Tetrad X (manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Inc., curing agent) 2 parts by weight.

(転写)
上記で得られた粘着フィルムを、その粘着剤面と上記のドラムに巻き付けられためっき用導電性基材上の黒化処理された銅めっきとが接するように、ロールラミネータを用いて黒化処理された銅めっきに貼り合わせた。
(Transcription)
Blackening treatment of the adhesive film obtained above using a roll laminator so that the adhesive surface and the blackened copper plating on the conductive substrate for plating wound around the drum are in contact with each other Bonded to the copper plating.

ラミネート条件は、ロールラミネータのロール温度25℃、圧力0.1MPa、ラインスピード0.5m/minとした。次いで、めっき用導電性基材から粘着フィルムを剥離したところ、上記導電性基材の凸部の上面に析出した銅(黒色金属層を有するもの)が粘着フィルムの接着剤表面に転写されていた。このようにしてライン幅25μm、ラインピッチ300μm、導体厚5μmでさらに黒化処理された導体層パターンが接着フィルム上に選択的に転写され、本発明の導体層パターン付き基材を製造した。   Lamination conditions were a roll laminator roll temperature of 25 ° C., a pressure of 0.1 MPa, and a line speed of 0.5 m / min. Next, when the adhesive film was peeled off from the conductive substrate for plating, copper (having a black metal layer) deposited on the upper surface of the convex portion of the conductive substrate was transferred to the adhesive surface of the adhesive film. . In this way, the conductor layer pattern further blackened with a line width of 25 μm, a line pitch of 300 μm, and a conductor thickness of 5 μm was selectively transferred onto the adhesive film to produce a substrate with a conductor layer pattern of the present invention.

(電磁波遮蔽体の製造)
上記で得られた導体層パターン付き基材の粘着剤面(導体層パターンを有する面)を厚さ2mmのガラスに当ててラミネートして貼り合わせた。ラミネート条件は、温度25℃、圧力0.5MPa、ラインスピード0.5m/minとした。ロールラミネートによって、厚さ5μmの導体層パターンは粘着剤に埋設され、透明性の高い電磁波遮蔽体が得られた。
(Manufacture of electromagnetic shielding material)
The adhesive surface (surface having a conductor layer pattern) of the substrate with a conductor layer pattern obtained above was applied to a glass having a thickness of 2 mm and laminated. Lamination conditions were a temperature of 25 ° C., a pressure of 0.5 MPa, and a line speed of 0.5 m / min. By the roll lamination, the conductor layer pattern having a thickness of 5 μm was embedded in the pressure-sensitive adhesive, and a highly transparent electromagnetic wave shielding body was obtained.

(明度及び色度の測定)
得られた導体層パターン付き基材の明度及び色度について、測定対象は、開口面積が約80%である表面が黒化処理された導体層パターンとし、それ以外は実施例1と同様にして測定した。明度L*は40.9であり好適な値の範囲内であった。また、色度はa*は2.2、b*は1.75であり、いずれも色相の低い値が得られた。
(Measurement of brightness and chromaticity)
About the brightness and chromaticity of the obtained base material with a conductor layer pattern, the measurement object is a conductor layer pattern in which the surface having an opening area of about 80% is blackened, and otherwise the same as in Example 1. It was measured. The lightness L * was 40.9, which was within a preferable range. Further, the chromaticity was 2.2 for a * and 1.75 for b *, and both values were low in hue.

(比較例1)
前記実施例1の(銅めっき)において、導体層パターン付き基材を、以下の組成、条件の硫酸銅めっき液中で電解銅めっきを行った。
(Comparative Example 1)
In (copper plating) of Example 1, the substrate with a conductor layer pattern was subjected to electrolytic copper plating in a copper sulfate plating solution having the following composition and conditions.

(電解銅めっき液の組成)
硫酸銅・五水和物の濃度:220g/L、
硫酸の濃度:50g/L
塩酸の濃度:50ppm
pH:1〜3
浴温:30℃
陽極:銅板
めっき浴の攪拌は実施例1と同様に穏やかな循環のみとした。導電性基材の凸部の上面に、析出した金属の厚さが5μmになるまで電流密度20A/dmでめっきした。この後、電流密度を50A/dmに変更して引き続き5秒間めっきを行つたが、析出した導体層を黒化することはできなかった。
(Composition of electrolytic copper plating solution)
Concentration of copper sulfate pentahydrate: 220 g / L,
Concentration of sulfuric acid: 50 g / L
Concentration of hydrochloric acid: 50ppm
pH: 1-3
Bath temperature: 30 ° C
Anode: Copper plate As in Example 1, stirring of the plating bath was only gentle circulation. The top surface of the convex portion of the conductive substrate was plated at a current density of 20 A / dm 2 until the deposited metal thickness was 5 μm. Thereafter, the current density was changed to 50 A / dm 2 and plating was continued for 5 seconds. However, the deposited conductor layer could not be blackened.

(パターンなしの銅箔の製造)
750×1100mmのステンレス(SUS304、仕上げ3/4H、厚さ100μm、日新製鋼(株)製)板に、実施例1と同様に以下の組成、条件の銅めっき液中で電解銅めっきを行った。
(Manufacture of copper foil without pattern)
Electrolytic copper plating was performed on a 750 × 1100 mm stainless steel plate (SUS304, finish 3 / 4H, thickness 100 μm, manufactured by Nisshin Steel Co., Ltd.) in a copper plating solution having the following composition and conditions as in Example 1. It was.

(電解銅めっき液の組成)
ピロリン酸銅の濃度:100g/L
ピロリン酸カリウムの濃度:200g/L
アンモニア水(30%)の使用量:5mL/L
pH:8〜9
浴温:30℃
陽極:銅板
(Composition of electrolytic copper plating solution)
Concentration of copper pyrophosphate: 100 g / L
Concentration of potassium pyrophosphate: 200 g / L
Amount of ammonia water (30%) used: 5 mL / L
pH: 8-9
Bath temperature: 30 ° C
Anode: Copper plate

導電性基材の凹部に、析出した金属の厚さが5μmになるまで電流密度2A/dmで銅めっきを行った。この段階での析出した金属は、赤色の連続膜であった。次いで、電流密度を4A/dmに変更し、引き続いて5秒間めっきを行った。その結果、表面が黒色である厚さ5μmの金属銅箔を得た。得られた銅箔の明度及び色度を実施例1記載の分光測色計で反射モードに設定して測定したところ、明度L*は33、色度a*は0.5、b*は−0.1であった。 Copper plating was performed at a current density of 2 A / dm 2 until the thickness of the deposited metal reached 5 μm in the recesses of the conductive substrate. The deposited metal at this stage was a red continuous film. Next, the current density was changed to 4 A / dm 2 , followed by plating for 5 seconds. As a result, a metal copper foil having a thickness of 5 μm and a black surface was obtained. When the brightness and chromaticity of the obtained copper foil were measured with the spectrocolorimeter described in Example 1 set to the reflection mode, the brightness L * was 33, the chromaticity a * was 0.5, and the b * was −. 0.1.

(めっき用導電性基材の作製)
150mm角のSUS304(表面#600研磨)板の一方の表面にネガ型フォトレジスト(SU−8、日本化薬(株)製)をスピンコーターにより膜厚5μmとなるように塗布し、65℃で3分間、さらに95℃で7分間ホットプレートで加熱し、乾燥させて、フォトレジスト膜を有する基板(導電性基材)を得た。
次いで、この基板のフォトレジスト膜表面にライン幅30μm、ピッチ300μmの格子状マスクを密着させ、300mJ/cmの条件で露光し、さらに、95℃で15分間オーブンで加熱した。露光後のフォトレジスト膜を有する基板を、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート中で90秒間揺動させてフォトレジスト膜を現像し、その後、2−プロパノールで洗浄した。このようにして、導電性基材が底面として露出している格子状の凹部を有するレジストパターン付き導電性基材を得た。次いで、レジストパターン付き導電性基材を150℃30分間、次いで200℃15分間、加熱して焼き付け、めっき用導電性基材を得た。
得られためっき用導電性基材のライン幅(凹部の幅)は23.5μm、ピッチ(凹部のピッチ)は300μmであった。
(銅めっき)
上記のめっき用導電性基材を用いて、以下の組成、条件のピロリン酸銅めっき液中で電解銅めっきを行った。
(電解銅めっき液の組成)
ピロリン酸銅の濃度:100g/L
ピロリン酸カリウムの濃度:250g/L
アンモニア水(30%)の使用量:2mL/L
pH:8〜9
浴温:30℃
陽極:銅板
めっき浴の攪拌は穏やかな循環のみとした。導電性基材の凹部に、析出した金属の厚さが8μmになるまで電流密度5A/dmでめっきした。この段階での析出した金属は、赤色の連続膜であり、導電度は、0.03Ω/□であった。この後、電流密度を50A/dmに変更して引き続き5秒間めっきを行い、表面を黒化した。表面が黒化処理された導体層パターンがついためっき用導電性基材は引続き水洗し、乾燥した。めっき用導電性基材から表面が黒化処理された導体層パターンを剥離して、表面が黒化されている格子状の銅メッシュを得た。なお、導電性基材上に形成されていたレジストマスクもこのとき剥離した。
得られた導体層パターンの明度及び色度を、測定対象は、剥離した導体層パターンとし、それ以外は実施例1に記載の方法にて測定した。明度L*は47.3、色度a*は0.75、b*は2.54でありいずれの色相も低い値が得られた。
(Preparation of conductive substrate for plating)
A negative photoresist (SU-8, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) was applied to one surface of a 150 mm square SUS304 (surface # 600 polished) plate with a spin coater to a film thickness of 5 μm at 65 ° C. The substrate was heated for 3 minutes at 95 ° C. for 7 minutes on a hot plate and dried to obtain a substrate (conductive substrate) having a photoresist film.
Next, a lattice mask having a line width of 30 μm and a pitch of 300 μm was brought into close contact with the surface of the photoresist film of the substrate, exposed at 300 mJ / cm 2 , and further heated in an oven at 95 ° C. for 15 minutes. The substrate having the exposed photoresist film was rocked in propylene glycol monomethyl ether acetate for 90 seconds to develop the photoresist film, and then washed with 2-propanol. In this way, a conductive substrate with a resist pattern having a lattice-shaped recess in which the conductive substrate was exposed as a bottom surface was obtained. Next, the conductive substrate with a resist pattern was baked by heating at 150 ° C. for 30 minutes and then at 200 ° C. for 15 minutes to obtain a conductive substrate for plating.
The obtained conductive substrate for plating had a line width (width of recesses) of 23.5 μm and a pitch (pitch of recesses) of 300 μm.
(Copper plating)
Using the conductive substrate for plating, electrolytic copper plating was performed in a copper pyrophosphate plating solution having the following composition and conditions.
(Composition of electrolytic copper plating solution)
Concentration of copper pyrophosphate: 100 g / L
Concentration of potassium pyrophosphate: 250 g / L
Amount of ammonia water (30%) used: 2 mL / L
pH: 8-9
Bath temperature: 30 ° C
Anode: Copper plate The plating bath was stirred only by gentle circulation. The concave portions of the conductive substrate were plated at a current density of 5 A / dm 2 until the deposited metal thickness was 8 μm. The deposited metal at this stage was a red continuous film, and the conductivity was 0.03Ω / □. Thereafter, the current density was changed to 50 A / dm 2 and plating was continued for 5 seconds to blacken the surface. The conductive substrate for plating with the conductive layer pattern whose surface was blackened was subsequently washed with water and dried. The conductive layer pattern whose surface was blackened was peeled off from the electroconductive substrate for plating to obtain a grid-like copper mesh whose surface was blackened. Note that the resist mask formed on the conductive substrate was also peeled off at this time.
The lightness and chromaticity of the obtained conductor layer pattern were measured by the method described in Example 1 except that the object to be measured was a peeled conductor layer pattern. The lightness L * was 47.3, the chromaticity a * was 0.75, and the b * was 2.54, and a low value was obtained for each hue.

なお、ライン幅、ピッチ、開口率は顕微鏡写真を元に実測した。ライン厚み及び銅箔部厚みは得られた金属箔付き導体層パターンを一部切り取って樹脂で注型し、断面を顕微鏡観察することにより実測した。可視光透過率はダブルビーム分光光度計(200−10型、株式会社日立製作所製)を用いて、400〜700nmの透過率を測定し、その平均値を用いた。パターン異常の有無は拡大鏡を用いて肉眼にて確認した。電磁波遮蔽性はアドバンテスト法を用い、周波数300MHzで測定した。導電性基材の耐久性はめっき及び剥離を繰り返した後の導電性基材を直接拡大鏡で観察して確認した。色むらは導体層パターン付き基材の黒色処理面の色むらを目視で確認した。   The line width, pitch, and aperture ratio were measured based on micrographs. The thickness of the line and the thickness of the copper foil were measured by partially cutting the obtained conductive layer pattern with metal foil, casting it with a resin, and observing the cross section under a microscope. The visible light transmittance was measured using a double beam spectrophotometer (200-10 type, manufactured by Hitachi, Ltd.), and the transmittance was measured at 400 to 700 nm, and the average value was used. The presence or absence of pattern abnormality was confirmed with the naked eye using a magnifier. The electromagnetic wave shielding property was measured at a frequency of 300 MHz using the Advantest method. The durability of the conductive substrate was confirmed by directly observing the conductive substrate with a magnifier after plating and peeling. The color unevenness of the black treated surface of the substrate with the conductor layer pattern was visually confirmed.

凸部に対する凹部の幾何学図形が形成されている導電性基材の一例を示す斜視図。The perspective view which shows an example of the electroconductive base material in which the geometric figure of the recessed part with respect to a convex part is formed. 図1のA−A断面図の一部。A part of AA sectional drawing of FIG. 図1のA−A断面図の一部であって図2とは別の例。FIG. 3 is a part of a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材において、その表面に絶縁層を形成した状態の導電性基材の断面図。Sectional drawing of the electroconductive base material of the state which formed the insulating layer on the surface in the electroconductive base material which has the pattern of a convex part and the geometrical drawing shape recessed part drawn by it. 凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材において、その表面に絶縁層を形成した状態の導電性基材の他の例を示す断面図。Sectional drawing which shows the other example of the electroconductive base material of the state which formed the insulating layer in the surface in the electroconductive base material which has the recessed part of the pattern of a convex part and the geometric drawing shape drawn by it. 凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材において、その表面に絶縁層を形成した状態の導電性基材の他の例を示す断面図。Sectional drawing which shows the other example of the electroconductive base material of the state which formed the insulating layer in the surface in the electroconductive base material which has the recessed part of the pattern of a convex part and the geometric drawing shape drawn by it. 本発明における導電性基材の凸部のパターン及び凸部側面の絶縁層の構造の一例を示す断面図。Sectional drawing which shows an example of the structure of the pattern of the convex part of the electroconductive base material in this invention, and the insulating layer of a convex part side surface. めっき用導電性基材の作製方法を示す工程の一例を断面図。Sectional drawing which shows an example of the process which shows the preparation methods of the electroconductive base material for plating. めっき用導電性基材の作製方法を示す工程の一例を断面図。Sectional drawing which shows an example of the process which shows the preparation methods of the electroconductive base material for plating. めっき用導電性基材の作製方法を示す工程の一例を断面図。Sectional drawing which shows an example of the process which shows the preparation methods of the electroconductive base material for plating. めっき用導電性基材の作製方法を示す工程の一例を断面図。Sectional drawing which shows an example of the process which shows the preparation methods of the electroconductive base material for plating. 作製しためっき転写用版を用いた導体層パターン付き基材の作製方法の一例を示す断面図。Sectional drawing which shows an example of the preparation methods of the base material with a conductor layer pattern using the produced plate for plating transcription | transfer. 導体層パターンが黒化処理された金属パターンからなる導体層パターン付基材の断面図。Sectional drawing of the base material with a conductor layer pattern which consists of a metal pattern by which the conductor layer pattern was blackened. 導体層パターンが黒化処理された金属パターンからなる導体層パターン付基材の断面図。Sectional drawing of the base material with a conductor layer pattern which consists of a metal pattern by which the conductor layer pattern was blackened. 導体層パターン付基材が他の基材に貼着された電磁波遮蔽部材の一例を示す断面図。Sectional drawing which shows an example of the electromagnetic wave shielding member by which the base material with a conductor layer pattern was affixed on the other base material. 導体層パターン付基材が他の基材に貼着された電磁波遮蔽部材の一例を示す断面図。Sectional drawing which shows an example of the electromagnetic wave shielding member by which the base material with a conductor layer pattern was affixed on the other base material. 導体層パターン付基材が他の基材に貼着された電磁波遮蔽部材の一例を示す断面図。Sectional drawing which shows an example of the electromagnetic wave shielding member by which the base material with a conductor layer pattern was affixed on the other base material. 導体層パターン付基材が他の基材に貼着された電磁波遮蔽部材の一例を示す断面図。Sectional drawing which shows an example of the electromagnetic wave shielding member by which the base material with a conductor layer pattern was affixed on the other base material. 回転体を用いて導体層パターン付き基材を連続的に作製するための装置の概念断面図。The conceptual sectional drawing of the apparatus for producing continuously the base material with a conductor layer pattern using a rotary body. 導体層パターンの平面図。The top view of a conductor layer pattern. 回転体を用いて導体層パターン付き基材を連続的に作製するための装置の変形例の概念断面図。The conceptual sectional drawing of the modification of the apparatus for producing the base material with a conductor layer pattern continuously using a rotary body.

符号の説明Explanation of symbols

1:めっき用導電性基材
2:凹部
3:凸部
4:凸部の上面
5:凸部の側面
6:絶縁層
7:光硬化性樹脂層
8:絶縁層
9:粘着フィルム
10:マスク層
11:金属、導体層パターン
11´:黒色化処理された導体層パターン
12、14、17、20:基材
13:粘着層
15、16:黒色層
18:透明樹脂
19:接着層
21:粘着剤
22:保護フィルム
101:電解浴槽
102:電解液
103:陽極
104:回転体
105:配管
106:ポンプ
107:陽極
108:導体層パターン
109:接着性支持体
110:圧接ロール
111:導体層パターン付き接着支持体
151:遮断部材
1: conductive substrate for plating 2: concave portion 3: convex portion 4: upper surface of convex portion 5: side surface of convex portion 6: insulating layer 7: photocurable resin layer 8: insulating layer 9: adhesive film 10: mask layer 11: Metal, conductor layer pattern 11 ': Blackened conductor layer pattern 12, 14, 17, 20: Base material 13: Adhesive layer 15, 16: Black layer 18: Transparent resin 19: Adhesive layer 21: Adhesive 22: Protective film 101: Electrolytic bath 102: Electrolytic solution 103: Anode 104: Rotating body 105: Piping 106: Pump 107: Anode 108: Conductive layer pattern 109: Adhesive support 110: Pressure contact roll 111: Adhesion with conductive layer pattern Support 151: Blocking member

Claims (46)

めっき用導電性基材上にめっきにより銅金属を析出させ、その表面を黒化処理する表面が黒化処理された銅金属の製造方法において、第1電流密度の下に層状に銅金属を析出させる銅金属層形成工程、及び、第1の電流密度よりも大きい第2の電流密度の下に上記銅金属層の表面に、その表面が黒色になるように銅金属を析出させる黒化処理工程を、一つのピロリン酸銅めっき浴中にて行うことを特徴とする表面が黒化処理された銅金属層の製造方法。   In the copper metal manufacturing method in which copper metal is deposited by plating on a conductive base material for plating and the surface of which is blackened, and the surface is blackened, the copper metal is deposited in layers under the first current density And a blackening treatment step of depositing copper metal on the surface of the copper metal layer under a second current density higher than the first current density so that the surface is black. Is performed in one copper pyrophosphate plating bath, a method for producing a copper metal layer having a blackened surface. 銅金属層形成工程を第1の電流密度を含む第1の電着領域において行い、黒化処理工程を第2の電流密度を含む第2の電着領域において行う表面が黒化処理された銅金属層の製造方法。   The copper metal layer forming step is performed in the first electrodeposition region including the first current density, and the blackening treatment step is performed in the second electrodeposition region including the second current density. A method for producing a metal layer. 黒化処理工程において、明度25の黒色を背景にして、開口率が50%の光透過部の明度が25〜50、又はa*及びb*が共に5以下になるように銅金属を析出させる請求項1又は2記載の表面が黒化処理された銅金属層の製造方法。   In the blackening treatment step, copper metal is deposited so that the light transmission portion having an aperture ratio of 50% has a lightness of 25 to 50, or both a * and b * are 5 or less against a black background of lightness 25. The manufacturing method of the copper metal layer by which the surface of Claim 1 or 2 was blackened. 黒化処理工程において、明度25の黒色を背景にして、開口率が40%以上の光透過部の色度a*及びb*が共に2.8以下になるように金属を析出させる請求項1又は2記載の表面が黒化処理された銅金属層の製造方法。   2. In the blackening treatment step, the metal is deposited so that the chromaticity a * and b * of the light transmission part having an aperture ratio of 40% or more are both 2.8 or less against a black background of brightness 25. Or the manufacturing method of the copper metal layer by which the surface of 2 description was blackened. 黒化処理工程において、開口率が40%未満であって、明度25の黒色を背景にした光透過部又は光未透過部の色度a*及びb*が共に5以下になるように金属を析出させる請求項1又は2記載の表面が黒化処理された銅金属層の製造方法。   In the blackening treatment step, the metal is applied so that the aperture ratio is less than 40% and the chromaticity a * and b * of the light transmitting portion or the light non-transmitting portion with a lightness of 25 as a background is both 5 or less. The manufacturing method of the copper metal layer by which the surface of Claim 1 or 2 made to deposit was blackened. ピロリン酸銅メッキ浴が添加剤としてモリブデン等VI族元素、及びコバルト、ニッケル等VIII族元素のうち一つ又はそれ以上を含む合金めっき浴である請求項1〜5のいずれかに記載の表面が黒化処理された銅金属層の製造方法。   The surface according to any one of claims 1 to 5, wherein the copper pyrophosphate plating bath is an alloy plating bath containing one or more of group VI elements such as molybdenum and group VIII elements such as cobalt and nickel as additives. A method for producing a blackened copper metal layer. 第1の電流密度が0.5〜40A/dmである請求項1〜6のいずれか1項に記載の表面が黒化処理された銅金属層の製造方法。 1st current density is 0.5-40 A / dm < 2 >, The manufacturing method of the copper metal layer by which the surface of any one of Claims 1-6 was blackened. めっき用導電性基材が、パターン状のめっき部を有する導電性基材である請求項1〜7のいずれか1項に記載の表面が黒化処理された銅金属層の製造方法。   The method for producing a copper metal layer whose surface has been blackened according to any one of claims 1 to 7, wherein the conductive substrate for plating is a conductive substrate having a patterned plating portion. めっき用導電性基材が、パターン状のめっき部として凸部のパターンを有する導電性基材である請求項8記載の表面が黒化処理された銅金属層の製造方法。   The method for producing a copper metal layer having a blackened surface according to claim 8, wherein the conductive substrate for plating is a conductive substrate having a pattern of convex portions as a patterned plating portion. めっき用導電性基材が、凸部のパターンによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材であって、その凸部の先端部分に銅金属を析出させる請求項9記載の表面が黒化処理された銅金属層の製造方法。   The surface according to claim 9, wherein the conductive substrate for plating is a conductive substrate having a geometrical figure-shaped concave portion drawn by a pattern of convex portions, and copper metal is deposited on a tip portion of the convex portion. A method for producing a blackened copper metal layer. めっき用導電性基材は、その凹部が絶縁層で被覆されているが凸部の先端部分は露出しており、その露出部分の幅が1μm〜40μmであって、凹部に絶縁層を施した後の凸部の高さが、10μm以上である請求項10に記載の表面が黒化処理された銅金属層の製造方法。   The conductive base material for plating is covered with an insulating layer in the concave portion, but the tip portion of the convex portion is exposed, the width of the exposed portion is 1 μm to 40 μm, and an insulating layer is applied to the concave portion. The method for producing a copper metal layer whose surface has been blackened according to claim 10, wherein the height of the subsequent convex portion is 10 μm or more. めっき用導電性基材の凹部に絶縁層を施した後の凸部の高さが、10μm以上である請求項11記載の表面が黒化処理された銅金属層の製造方法。   The method for producing a copper metal layer having a blackened surface according to claim 11, wherein the height of the convex portion after applying the insulating layer to the concave portion of the conductive substrate for plating is 10 μm or more. めっき用導電性基材の絶縁層の厚さが凸部側面におけるその端付近では10μm以下である請求項11又は12に記載の表面が黒化処理された銅金属層の製造方法。   The method for producing a copper metal layer having a blackened surface according to claim 11 or 12, wherein the thickness of the insulating layer of the conductive substrate for plating is 10 µm or less near the end of the side surface of the convex portion. めっき用導電性基材の凸部の間隔が100μm〜1000μmである請求項7〜10のいずれか1項に記載の表面が黒化処理された銅金属層の製造方法。
めっき用導電性基材の凸部の上端から0.5〜5μm低い位置よりも低い位置の凹部表面に絶縁層が形成されている請求項9〜13のいずれか1項に記載の表面が黒化処理された銅金属層の製造方法。
The method for producing a copper metal layer having a blackened surface according to any one of claims 7 to 10, wherein the interval between the convex portions of the conductive substrate for plating is 100 µm to 1000 µm.
14. The surface according to claim 9, wherein an insulating layer is formed on a concave surface at a position lower than a position lower by 0.5 to 5 μm than an upper end of the convex portion of the conductive base material for plating. Method for manufacturing a copper metal layer subjected to chemical treatment.
めっき用導電性基材が、パターン状のめっき部として凹部のパターンを有する導電性基材である請求項8記載の表面が黒化処理された銅金属層の製造方法。   9. The method for producing a copper metal layer having a blackened surface according to claim 8, wherein the conductive substrate for plating is a conductive substrate having a concave pattern as a patterned plating portion. めっき用導電性基材が回転体、または回転体に取り付けられた平板である請求項1〜15のいずれか1項に記載の表面が黒化処理された銅金属層の製造方法。   The method for producing a copper metal layer having a blackened surface according to any one of claims 1 to 15, wherein the electroconductive substrate for plating is a rotating body or a flat plate attached to the rotating body. 導電性基材として、回転体からなる導電性基材又は回転体に取り付けた導電性基材を使用し、その一部をメッキ液に浸漬させ、回転体を回転させつつ、金属パターン作製工程及び転写工程を行う請求項1〜15のいずれか1項に記載の表面が黒化処理された銅金属の製造方法。   As the conductive substrate, a conductive substrate made of a rotating body or a conductive substrate attached to the rotating body is used, a part of the substrate is immersed in a plating solution, and while rotating the rotating body, a metal pattern manufacturing step and The manufacturing method of the copper metal by which the surface of any one of Claims 1-15 which performs a transfer process was blackened. 銅金属層形成工程において、導電性基材のめっき部において銅金属の厚さが0.1〜20μmになるように銅金属を析出させる請求項1〜17のいずれか1項に記載の表面が黒化処理された銅金属層の製造方法。   The surface according to any one of claims 1 to 17, wherein in the copper metal layer forming step, the copper metal is deposited so that the thickness of the copper metal is 0.1 to 20 µm in the plated portion of the conductive base material. A method for producing a blackened copper metal layer. 前記第1の電流密度の下に銅金属層を形成する銅金属層形成工程を行うための第1の陽極と、前記第2の電流密度の下に前記導電性金属層の表面にその表面が黒色になるように金属を析出させる黒化処理工程を行うための第2の陽極とが、互いに離れて前記メッキ液の中に浸漬されており、前記各陽極の間には、絶縁体で構成された遮断部材が設けられていることを特徴とする請求項1〜18のいずれかに1項に記載の表面が黒化処理された銅金属層の製造方法。   A first anode for performing a copper metal layer forming step of forming a copper metal layer under the first current density; and a surface of the conductive metal layer under the second current density. A second anode for performing a blackening treatment step for depositing metal so as to be black is immersed in the plating solution apart from each other, and an insulator is provided between the anodes. The method for producing a copper metal layer whose surface is blackened according to any one of claims 1 to 18, wherein a blocking member is provided. 前記第1の電流密度の下に銅金属層を形成する銅金属層形成工程を行うための第1の陽極と、前記第2の電流密度の下に前記銅金属層の表面にその表面が黒色になるように金属を析出させる黒化処理工程を行うための第2の陽極とが兼用されており、前記第1の電流密度の下で前記導電層形成工程の形成後、前記第2の電流密度の下で前記黒化処理工程を行うことを特徴とする請求項1〜18のいずれか1項に記載の表面が黒化処理された銅金属層の製造方法。   A first anode for performing a copper metal layer forming step of forming a copper metal layer under the first current density; and a black surface on the surface of the copper metal layer under the second current density And the second anode for performing the blackening treatment step for depositing the metal so that the second current flows after the formation of the conductive layer under the first current density. The method for producing a copper metal layer whose surface is blackened according to claim 1, wherein the blackening treatment step is performed under a density. 請求項1〜20のいずれか1項に記載の表面が黒化処理された銅金属層の製造方法を行った後、表面が黒化処理された銅金属層をめっき用導電性基材から剥離することを特徴とする表面が黒化処理された銅金属の製造方法。   After performing the manufacturing method of the copper metal layer by which the surface of any one of Claims 1-20 was blackened, the copper metal layer by which the surface was blackened is peeled from the electroconductive substrate for plating. A method for producing a copper metal whose surface is blackened. パターン状のめっき部を有するめっき用導電性基材のめっき部に電気めっきにより銅金属を析出させる金属パターン作製工程及び導電性基材上に析出した銅金属を接着性支持体に転写する転写工程を含む導体層パターン付き基材の製造方法において、
金属パターン作製工程が第1の電流密度の下に銅金属層を形成する導電層形成工程、及び、前記第1の電流密度よりも大きい第2の電流密度の下に前記銅金属層の表面に、その表面が黒色になるように金属を析出させる黒化処理工程を、一つのピロリン酸銅メッキ浴中にて行うことを特徴とする導体層パターン付き基材の製造方法。
Metal pattern preparation step for depositing copper metal by electroplating on the plating portion of the conductive substrate for plating having a patterned plating portion, and a transfer step for transferring the copper metal deposited on the conductive substrate to the adhesive support In a method for producing a substrate with a conductor layer pattern comprising:
A conductive layer forming step in which a metal pattern forming step forms a copper metal layer under a first current density; and a surface of the copper metal layer under a second current density greater than the first current density. A method for producing a substrate with a conductor layer pattern, wherein the blackening treatment step of depositing metal so that the surface is black is performed in one copper pyrophosphate plating bath.
導電層形成工程を第1の電流密度を含む第2の電着領域において行い、黒化処理工程を第2の電流密度を含む第2の電着領域において行う請求項22記載の導体層パターン付き基材の製造方法。   23. With a conductor layer pattern according to claim 22, wherein the conductive layer forming step is performed in the second electrodeposition region including the first current density, and the blackening treatment step is performed in the second electrodeposition region including the second current density. A method for producing a substrate. 黒化処理工程において、明度25の黒色を背景にして、開口率が50%の光透過部の明度が25〜50、又は色度a*及びb*が共に5以下になるように金属を析出させる請求項22又は23記載の導体層パターン付き基材の製造方法。   In the blackening treatment process, the metal is deposited so that the light transmission part having an aperture ratio of 50% has a lightness of 25 to 50, or the chromaticities a * and b * are both 5 or less, with a black background of 25 The method for producing a substrate with a conductor layer pattern according to claim 22 or 23. 黒化処理工程において、明度25の黒色を背景にして、開口率が40%以上光透過部の色度a*及びb*が共に2.8以下になるように金属を析出させる請求項22又は23記載の導体層パターン付き基材の製造方法。   23. The blackening treatment step, wherein the metal is deposited so that the aperture ratio is 40% or more and the chromaticity a * and b * of the light transmission part are both 2.8 or less against a black background of brightness 25. 24. A method for producing a substrate with a conductor layer pattern according to 23. 黒化処理工程において、開口率が40%未満であって、明度25の黒色を背景にした光透過部又は光未透過部の色度a*及びb*が共に5以下になるように金属を析出させる請求項22又は23記載の導体層パターン付き基材の製造方法。   In the blackening treatment step, the metal is applied so that the aperture ratio is less than 40% and the chromaticity a * and b * of the light transmitting portion or the light non-transmitting portion with a lightness of 25 as a background is both 5 or less. The manufacturing method of the base material with a conductor layer pattern of Claim 22 or 23 to deposit. ピロリン酸銅メッキ浴が添加剤としてモリブデン等VI族元素、及びコバルト、ニッケル等VIII族元素のうち一つ又はそれ以上を含む合金めっき浴である請求項22〜26のいずれかに記載の導体層パターン付き基材の製造方法。   27. The conductor layer according to any one of claims 22 to 26, wherein the copper pyrophosphate plating bath is an alloy plating bath containing one or more of Group VI elements such as molybdenum and Group VIII elements such as cobalt and nickel as additives. A method for producing a patterned substrate. 第1の電流密度が0.5〜40A/dmである請求項22〜27のいずれか1項に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。 Method for producing a conductive layer patterned substrate according to any one of claims 22 to 27 the first current density is 0.5~40A / dm 2. めっき用導電性金属が、パターン状のめっき部として凸部のパターンを有するものである請求項22〜28のいずれかに記載の導体層パターン付き基材の製造方法。   The method for producing a base material with a conductor layer pattern according to any one of claims 22 to 28, wherein the conductive metal for plating has a pattern of convex portions as a patterned plating portion. めっき用導電性金属が、凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材であって、その凸部の先端部分に銅金属を析出させる請求項29記載の導体層パターン付き基材の製造方法。   30. The conductor according to claim 29, wherein the conductive metal for plating is a conductive base material having a convex pattern and a concave portion having a geometrical shape drawn by the convex pattern, and deposits copper metal on a tip portion of the convex portion. The manufacturing method of a base material with a layer pattern. めっき用導電性基材の凹部が絶縁層で被覆されているが凸部の先端部分は露出しており、その露出部分の幅が1μm〜40μmであって、凹部に絶縁層を施した後の凸部の高さが、10μm以上である請求項29又は30のいずれかに記載の導体層パターン付き基材の製造方法。   Although the concave portion of the conductive substrate for plating is covered with an insulating layer, the tip portion of the convex portion is exposed, the width of the exposed portion is 1 μm to 40 μm, and the insulating layer is applied to the concave portion. The method for producing a base material with a conductor layer pattern according to any one of claims 29 and 30, wherein the height of the convex portion is 10 µm or more. めっき用導電性基材の凹部に絶縁層を施した後の凸部の高さが、10μm以上である請求項31記載の導体層パターン付き基材の製造方法。   The manufacturing method of the base material with a conductor layer pattern of Claim 31 whose height of the convex part after giving an insulating layer to the recessed part of the electroconductive base material for plating is 10 micrometers or more. めっき用導電性基材の絶縁層の厚さが凸部側面におけるその端付近では10μm以下である請求項31又は32に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。   The method for producing a base material with a conductor layer pattern according to claim 31 or 32, wherein the thickness of the insulating layer of the conductive base material for plating is 10 µm or less in the vicinity of the end of the convex side surface. めっき用導電性基材の凸部の間隔が100μm〜1000μmである請求項29〜33のいずれか1項に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。   The manufacturing method of the base material with a conductor layer pattern of any one of Claims 29-33 whose space | interval of the convex part of the electroconductive base material for plating is 100 micrometers-1000 micrometers. めっき用導電性基材の凸部の上端から0.5〜5μm低い位置よりも低い位置の凹部表面に絶縁層が形成されている請求項29〜34のいずれか1項に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。   35. The conductor layer pattern according to any one of claims 29 to 34, wherein an insulating layer is formed on the concave surface at a position lower than a position 0.5 to 5 [mu] m lower than the upper end of the convex portion of the conductive substrate for plating. A manufacturing method of a substrate with a mark. めっき用導電性基材が、パターン状のめっき部として凹部のパターンを有する導電性基材である請求項22〜28のいずれか1項に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。   The method for producing a substrate with a conductor layer pattern according to any one of claims 22 to 28, wherein the conductive substrate for plating is a conductive substrate having a concave pattern as a patterned plating portion. 凹部の幅が1〜60μm及び凹部の間隔が50〜1000μmである請求項36記載の導体層パターン付き基材の製造方法。   The method for producing a substrate with a conductor layer pattern according to claim 36, wherein the width of the recesses is 1 to 60 µm and the interval between the recesses is 50 to 1000 µm. 導電性基材が回転体、または回転体に取り付けられた平板である請求項22〜37のいずれか1項に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。   The method for producing a substrate with a conductor layer pattern according to any one of claims 22 to 37, wherein the conductive substrate is a rotating body or a flat plate attached to the rotating body. 導電性基材として、回転体からなる導電性基材又は回転体に取り付けた導電性基材を使用し、その一部をメッキ液に浸漬させ、回転体を回転させつつ、金属パターン作製工程及び転写工程を行う請求項22〜38のいずれか1項に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。   As the conductive substrate, a conductive substrate made of a rotating body or a conductive substrate attached to the rotating body is used, a part of the substrate is immersed in a plating solution, and while rotating the rotating body, a metal pattern manufacturing step and The manufacturing method of the base material with a conductor layer pattern of any one of Claims 22-38 which performs a transcription | transfer process. 導電層形成工程において、導電性基材のめっき部において金属の厚さが0.1〜20μmになるように金属を析出させる請求項22〜39のいずれか1項に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。   40. The conductor layer patterned base according to any one of claims 22 to 39, wherein in the conductive layer forming step, the metal is deposited so that the thickness of the metal is 0.1 to 20 [mu] m in the plated portion of the conductive base material. A method of manufacturing the material. めっきに用いる金属が、20℃における体積抵抗率で20μΩ/cm以下の金属を少なくとも1種類以上含むものである請求項22〜40のいずれか1項に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。   The method for producing a substrate with a conductor layer pattern according to any one of claims 22 to 40, wherein the metal used for plating contains at least one metal having a volume resistivity at 20 ° C of 20 µΩ / cm or less. 請求項22〜請求項41のいずれか1項に記載の導体層パターン付き基材の製造方法において、
前記第1の電流密度の下に導電性金属層を形成する導電層形成工程を行うための第1の陽極と、前記第2の電流密度の下に前記導電性金属層の表面にその表面が黒色になるように金属を析出させる黒化処理工程を行うための第2の陽極とが、互いに離れて前記メッキ液の中に浸漬されており、前記各陽極の間には、絶縁体で構成された遮断部材が設けられていることを特徴とする導体層パターン付き基材の製造方法。
In the manufacturing method of the base material with a conductor layer pattern of any one of Claims 22-41,
A first anode for performing a conductive layer forming step of forming a conductive metal layer under the first current density; and a surface of the conductive metal layer under the second current density. A second anode for performing a blackening treatment step for depositing metal so as to be black is immersed in the plating solution apart from each other, and an insulator is provided between the anodes. The manufacturing method of the base material with a conductor layer pattern characterized by the above-mentioned.
請求項22〜請求項41のいずれか1項に記載の導体層パターン付き基材の製造方法において、
前記第1の電流密度の下に導電性金属層を形成する導電層形成工程を行うための第1の陽極と、前記第2の電流密度の下に前記導電性金属層の表面にその表面が黒色になるように金属を析出させる黒化処理工程を行うための第2の陽極とが兼用されており、前記第1の電流密度の下で前記導電層形成工程の形成後、前記第2の電流密度の下で前記黒化処理工程を行うことを特徴とする導体層パターン付き基材の製造方法。
In the manufacturing method of the base material with a conductor layer pattern of any one of Claims 22-41,
A first anode for performing a conductive layer forming step of forming a conductive metal layer under the first current density; and a surface of the conductive metal layer under the second current density. A second anode for performing a blackening treatment step for depositing a metal so as to be black is also used, and after the formation of the conductive layer under the first current density, the second anode The manufacturing method of the base material with a conductor layer pattern characterized by performing the said blackening process process under an electric current density.
請求項22〜43のいずれか1項に記載の方法により製造された導体層パターン付き基材。   The base material with a conductor layer pattern manufactured by the method of any one of Claims 22-43. 請求項44記載の導体層パターン付き基材の導体層パターンを有する面を透明基板に貼りあわせてなる透光性電磁波遮蔽部材。   The translucent electromagnetic wave shielding member formed by bonding the surface which has the conductor layer pattern of the base material with a conductor layer pattern of Claim 44 on a transparent substrate. 請求項44に記載の導体層パターン付き基材の導体層パターンを樹脂で被覆してなる透光性電磁波遮蔽部材。   The translucent electromagnetic wave shielding member formed by coat | covering the conductor layer pattern of the base material with a conductor layer pattern of Claim 44 with resin.
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