JP2009158842A - Manufacturing method for surface-blackening copper metal, manufacturing method for base material with conductor-layer pattern, base material with conductor-layer pattern and electromagnetic-wave shielding member using base material - Google Patents

Manufacturing method for surface-blackening copper metal, manufacturing method for base material with conductor-layer pattern, base material with conductor-layer pattern and electromagnetic-wave shielding member using base material Download PDF

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Yoshihito Kikuhara
得仁 菊原
Susumu Naoyuki
進 直之
Toshishige Uehara
寿茂 上原
Minoru Tosaka
実 登坂
Kyosuke Suzuki
恭介 鈴木
Masami Negishi
正実 根岸
Toshiro Okamura
寿郎 岡村
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Hitachi Chemical Co Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method for a surface-blackening copper metal being capable of manufacturing a base material with a conductor-layer pattern with an excellent productivity by using a transfer method and facilitating a manufacture, the manufacturing method for the base material with the conductor-layer pattern, the base material with the conductor-layer pattern and an electromagnetic-wave shielding member using the base material. <P>SOLUTION: A process in which copper metallic layers are formed by depositing copper metals to recessed sections 4 formed in broad widths towards the opening direction to insulating layers 3 formed to the surface of the conductive base material 2 under a first current density and the copper metal is deposited on a copper surface in a black or a brown under a second current density larger than the first current density is conducted in one copper-sulfate plating bath. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、導電性に優れかつ光透過性を有するようにパターニングされた導体層パターン付き基材の製造法、導体層パターン付き基材及びそれを用いた電磁波遮蔽部材に関する。   The present invention relates to a method for producing a substrate with a conductor layer pattern patterned so as to have excellent electrical conductivity and light transmittance, a substrate with a conductor layer pattern, and an electromagnetic wave shielding member using the same.

銅箔は、一般に、不溶性のカソード体と、同じく不溶性のアノード体との間に、これら金属のイオンを含む所定の電解液を供給しながら電解反応を行うことにより目的とする金属をカソード体の表面に所望の厚みだけ電析させて金属導体層を箔として形成し、ついで形成されたその金属導体層をカソード体の表面から剥離することによって製造されている。この場合カソード体としては、ドラム形状のものまたは板状のものが用いられている。
このようにして得られた銅箔は、表面の光沢を消し、また、樹脂への接着性を改良する目的で、その表面を黒化処理されることが知られている。
In general, a copper foil performs an electrolytic reaction while supplying a predetermined electrolytic solution containing these metal ions between an insoluble cathode body and an insoluble anode body, to thereby obtain a target metal of the cathode body. It is manufactured by depositing a metal conductor layer as a foil by electrodepositing a desired thickness on the surface, and then peeling the formed metal conductor layer from the surface of the cathode body. In this case, a drum-shaped or plate-shaped cathode body is used.
It is known that the copper foil thus obtained is blackened on the surface for the purpose of erasing the gloss of the surface and improving the adhesion to the resin.

銅箔としては、銅張積層板の材料となる銅箔のようなべた状の銅箔以外に、電磁波のシールドに用いられるメッシュ状の銅箔などのパターン化された銅箔などがある。   Examples of the copper foil include a patterned copper foil such as a mesh copper foil used for electromagnetic wave shielding, in addition to a solid copper foil such as a copper foil used as a material for a copper clad laminate.

公共施設、ホール、病院、学校、企業ビル、住宅等の壁面、ガラス窓、樹脂パネル、電磁波を発生するディスプレイの表示面等を電磁波遮蔽する方法は、従来種々提案されている。例えば、被遮蔽面上に電磁波遮蔽塗料を全面塗布する方法、被遮蔽面上に金属箔を貼り合わせる方法、金属めっきされた繊維メッシュを樹脂板に熱ラミネートしてなる電磁波遮蔽シートを、被遮蔽面に貼り合わせる方法、導電性繊維をメッシュ状に編んだものを被遮蔽面に貼り合わせる方法等が一般的に行われている。   Various methods have been proposed for shielding electromagnetic waves on the walls of public facilities, halls, hospitals, schools, corporate buildings, houses, etc., glass windows, resin panels, display surfaces of displays that generate electromagnetic waves, and the like. For example, a method of applying an electromagnetic shielding coating over the surface to be shielded, a method of bonding a metal foil on the surface to be shielded, an electromagnetic shielding sheet formed by thermally laminating a metal-plated fiber mesh on a resin plate, In general, a method of bonding to a surface, a method of bonding conductive fibers knitted in a mesh shape to a surface to be shielded, and the like are performed.

これらのうち、透明ガラス面、透明樹脂パネル面、陰極線管(CRT)やプラズマディスプレイパネル(PDP)などのディスプレイの表示面等を電磁波遮蔽する場合においては、電磁波遮蔽用部材がなるべく薄いことが要求されるとともに、光透過性(透明性)と、これに相反する電磁波遮蔽性とをバランスよく両立させることができるものとして、金属メッシュを電磁波シールド層として有する電磁波遮蔽用部材が主流になっている。
電磁波遮蔽用部材として用いられる金属メッシュは、表示面の視認性を向上させる目的で光沢のない暗色が望まれており、そのため黒化処理を必要とされている。
特許文献1には、同一の電解液を使用しつつ二つもしくはそれ以上のアノードを一つのドラム状カソードに対して配置し、めっき浴中にドラム状カソードを半分程度浸漬し、それを回転させつつ第1の電流密度により銅箔を製箔した後、引き続き、第2の電流密度を印加してその表面に微粒子上の銅を析出させることにより、ベタ銅箔のやけめっきを製造する方法が開示されている。しかし、透明性の電磁波シード部材のための導電体からなる幾何学図形について開示されない。
Among these, when shielding the electromagnetic wave on the transparent glass surface, the transparent resin panel surface, the display surface of a display such as a cathode ray tube (CRT) or a plasma display panel (PDP), the electromagnetic shielding member is required to be as thin as possible. In addition, an electromagnetic wave shielding member having a metal mesh as an electromagnetic wave shielding layer has become mainstream as a light balance (transparency) and an electromagnetic wave shielding property opposite to this in a balanced manner. .
The metal mesh used as the electromagnetic wave shielding member is desired to have a dark color with no gloss for the purpose of improving the visibility of the display surface, and therefore needs to be blackened.
In Patent Document 1, two or more anodes are arranged with respect to one drum-like cathode while using the same electrolytic solution, and the drum-like cathode is immersed in the plating bath by about half and rotated. Then, after making a copper foil with the first current density, a method for producing a solid plating of a solid copper foil by subsequently applying a second current density and precipitating copper on the fine particles on the surface. It is disclosed. However, a geometric figure made of a conductor for a transparent electromagnetic wave seed member is not disclosed.

特許文献2にはメッシュ状に金属電着が可能な電着基板上に金属電解液を使用して金属を電着し、接着剤を介して電磁波遮蔽基板に接着転写して電磁波遮蔽板を作製する方法が記載されている。前記の電着基板は、金属板等の導電性基板の上に、電着を阻害する絶縁性膜でメッシュパタ−ンと逆のパターンを形成し、この結果、メッシュ状に金属電着が可能な電着部を露出させるようにして作製される。この電着基板を用いた場合、数回〜数十回程度の繰り返し使用は可能であるが、数百回〜数千回繰り返し使用が出来ず量産レベルにはならないという問題がある。これは、電着基板上のメッシュパターンを形成する絶縁膜が、接着転写により剥離応力を受け、少々の繰り返し使用でめっき用導電性基材から絶縁膜が剥離してしまうためである。   In Patent Document 2, a metal electrolyte is electrodeposited on an electrodeposition substrate capable of metal electrodeposition in a mesh shape, and an electromagnetic wave shielding plate is produced by adhesive transfer to an electromagnetic wave shielding substrate via an adhesive. How to do is described. The above-mentioned electrodeposition substrate is formed on a conductive substrate such as a metal plate with a pattern opposite to the mesh pattern made of an insulating film that inhibits electrodeposition. As a result, metal electrodeposition in a mesh shape is possible. It is produced so that a simple electrodeposition portion is exposed. When this electrodeposition substrate is used, it can be used repeatedly several times to several tens of times, but there is a problem that it cannot be used several hundred times to several thousand times and does not reach a mass production level. This is because the insulating film forming the mesh pattern on the electrodeposition substrate is subjected to peeling stress by adhesion transfer, and the insulating film is peeled off from the electroconductive substrate for plating after a few repeated uses.

前記特許文献2記載の転写法を利用した電磁波遮蔽板を製造する方法において、金属電着を行う工程と黒化処理する工程は別工程である。金属電着を行う工程で使用する溶液と黒化処理する工程で使用する溶液は通常お互いにめっき槽内で混ざり合うことが許されず、同一めっき槽内で行うことができない。そのために十分な水洗、さらには黒化処理の前処理工程が必要となる場合があり、製造に要する時間及びコスト、環境負荷は小さくない。   In the method for producing an electromagnetic wave shielding plate using the transfer method described in Patent Document 2, the step of performing metal electrodeposition and the step of blackening are separate steps. The solution used in the metal electrodeposition step and the solution used in the blackening step are usually not allowed to mix with each other in the plating tank, and cannot be performed in the same plating tank. Therefore, sufficient water washing and further a blackening treatment pretreatment step may be required, and the time, cost, and environmental load required for production are not small.

特表2002−506484号公報Japanese translation of PCT publication No. 2002-506484 特開平11−119675号公報JP 11-119675 A

本発明は、表面が黒化処理されたパターン化銅金属層又はパターン化銅金属を効率よく生産する方法に関する。
本発明は、また、めっき用導電性基材上にパターン化銅金属層を電着析出させる工程と析出させた銅金属層の表面を効率的に黒化処理する工程を行い、黒化処理された導体層パターン付き基材を生産性良く製造する方法を提供することを目的とする。
本発明は、これらの方法において、さらに、電着基板(めっき用導電性基材)が繰返しの使用に耐え、量産性に優れた方法を提供するものである。
本発明は、上記の導体層パターン付き基材の製造法において、さらに、電着析出した金属の転写がより円滑に行われる導体層パターン付き基材の製造方法を提供するものである。
本発明は、また、このような方法により得られる電磁波シールド性及び光透過性が優れる導体層パターン付き基材及びこれを用いた電磁波遮蔽部材を提供するものである。
The present invention relates to a method for efficiently producing a patterned copper metal layer or patterned copper metal having a blackened surface.
The present invention also includes a step of electrodeposition depositing a patterned copper metal layer on a conductive substrate for plating and a step of efficiently blackening the surface of the deposited copper metal layer. Another object is to provide a method for producing a substrate with a conductor layer pattern with good productivity.
In these methods, the present invention further provides a method in which the electrodeposition substrate (conductive substrate for plating) can withstand repeated use and is excellent in mass productivity.
This invention provides the manufacturing method of the base material with a conductor layer pattern in which the transfer of the electrodeposited metal is performed more smoothly in the manufacturing method of the base material with a conductor layer pattern.
The present invention also provides a substrate with a conductor layer pattern, which is obtained by such a method and has excellent electromagnetic shielding properties and light transmission properties, and an electromagnetic shielding member using the same.

本発明は次のものに関する。
1. めっき用導電性基材を用いて、表面が黒化処理されたパターン化銅金属層を製造する方法において、めっき用導電性基材が、導電性基材の表面に絶縁層が形成されており、その絶縁層に開口方向に向かって幅広であってめっきを形成するための凹部のパターンが形成されている導電性基材であり、そのめっき用導電性基材の凹部に第1電流密度の下に銅金属を析出させて銅金属層を形成する導電層形成工程、及び、第1の電流密度よりも大きい第2の電流密度の下に上記銅金属層の表面に、その表面が黒色乃至茶褐色になるように銅金属を析出させる黒化処理工程を一つの硫酸銅めっき浴中にて行うことを特徴とする表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造方法。
2. 導電層形成工程を第1の電流密度を含む第1の電着領域において行い、黒化処理工程を第2の電流密度を含む第2の電着領域において行う項1記載の表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造方法。
3. 黒化処理工程において、明度25の黒色を背景にして、開口率が50%の光透過部の明度が25〜50、又は色度a*及びb*が共に5以下になるように銅金属を析出させる項1又は2記載の表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造方法。
4. 黒化処理工程において、明度25の黒色を背景にして、開口率が40%以上光透過部の色度a*及びb*が共に2.8以下になるように金属を析出させる項1又は2記載の表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造方法。
5. 黒化処理工程において、開口率が40%未満であって、明度25の黒色を背景にした光透過部又は光未透過部の色度a*及びb*が共に5以下になるように金属を析出させる項1又は2記載の表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造方法。
6. 硫酸銅めっき浴が添加剤として界面活性剤を含むめっき浴である項1〜5のいずれかに記載の表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造方法。
7. 第1の電流密度が0.5〜40A/dmである項1〜6のいずれか1項に記載の表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造方法。
8. めっき用導電性基材において、めっきを形成するための凹部が絶縁層に幾何学図形を描くように又はそれ自身幾何学図形を描くように形成されている項1〜7のいずれか1項に記載の表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造方法。
9. めっき用導電性基材において、絶縁層が、ダイヤモンドライクカーボン(DLC)又は無機材料からなる項1〜8のいずれか1項に記載の表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造方法。
10. めっき用導電性基材において、絶縁層が、DLC、Al又はSiOである項9に記載の表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造方法。
11. めっき用導電性基材において、絶縁層が、硬度が10〜40GPaのDLCからなる項10に記載の表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造方法。
12. めっき用導電性基材において、導電性基材と絶縁層の間に、Ti、Cr、W、Siまたはそれらの窒化物又は炭化物のいずれか1以上を含む中間層を介在させている項1〜11のいずれか1項に記載の表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造方法。
13. めっき用導電性基材において、凹部の最小幅が1〜40μm、凹部の最大幅が2〜60μm及び凹部の間隔が50〜1000μmである項1〜12のいずれか1項に記載の表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造方法。
14. めっき用導電性基材において、凹部側面の角度が絶縁層側で基材に対して10度以上90度未満である項1〜13のいずれか1項に記載の表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造方法。
15. めっき用導電性基材において、凹部側面の角度が絶縁層側で基材に対して10度以上80度以下である項1〜14のいずれか1項に記載の表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造方法。
16. めっき用導電性基材において、絶縁層の厚さが、0.5〜20μmである項1〜15のいずれか1項に記載の表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造方法。
17. めっき用導電性基材において、導電性基材の表面が、鋼又はTiからなる項1〜16のいずれか1項に記載の表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造方法。
18. めっき用導電性基材が回転体、または回転体に取り付けられた平板である項1〜17のいずれか1項に記載の表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造方法。
19. 導電性基材として、回転体からなる導電性基材又は回転体に取り付けた導電性基材を使用し、その一部をメッキ液に浸漬させ、回転体を回転させつつ、金属パターン作製工程及び転写工程を行う項1〜17のいずれか1項に記載の表面が黒化処理されたパターン化銅金属の製造方法。
20. 銅金属層形成工程において、銅金属の厚さが0.1〜20μmになるように銅金属を析出させる項1〜19のいずれか1項に記載の表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造方法。
21. 前記第1の電流密度の下に銅金属層を形成する導電層形成工程を行うための第1の陽極と、前記第2の電流密度の下に前記銅金属層の表面にその表面が黒色乃至茶褐色になるように金属を析出させる黒化処理工程を行うための第2の陽極とが、互いに離れて前記めっき液の中に浸漬されており、前記各陽極の間には、絶縁体で構成された遮断部材が設けられていることを特徴とする項1〜20のいずれか1項に記載の表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造方法。
22. 前記第1の電流密度の下に銅金属層を形成する導電層形成工程を行うための第1の陽極と、前記第2の電流密度の下に前記銅金属層の表面にその表面が黒色乃至茶褐色になるように金属を析出させる黒化処理工程を行うための第2の陽極とが兼用されており、前記第1の電流密度の下で前記導電層形成工程の形成後、前記第2の電流密度の下で前記黒化処理工程を行うことを特徴とする項1〜19のいずれかに記載の表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造方法。
23. 項1〜22のいずれかに記載の表面が黒化処理された銅金属層の製造方法を行った後、表面が黒化処理された銅金属層をめっき用導電性基材から剥離することを特徴とする表面が黒化処理されたパターン化銅金属の製造方法。
24. 導電性基材の表面に絶縁層が形成されており、その絶縁層に開口方向に向かって幅広なめっきを形成するための凹部が形成されているめっき用導電性基材のめっき形成部に電気めっきにより銅金属を析出させる金属パターン作製工程及び導電性基材上に析出した銅金属を接着性支持体に転写する転写工程を含む導体層パターン付き基材の製造方法において、
金属パターン作製工程が第1の電流密度の下に銅金属層を形成する導電層形成工程、及び、前記第1の電流密度よりも大きい第2の電流密度の下に前記銅金属層の表面に、その表面が黒色乃至茶褐色になるように金属を析出させる黒化処理工程を、一つの硫酸銅めっき浴中にて行うことを特徴とする導体層パターン付き基材の製造方法。
25. 導電層形成工程を第1の電流密度を含む第2の電着領域において行い、黒化処理工程を第2の電流密度を含む第2の電着領域において行う項24記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
26. 黒化処理工程において、明度25の黒色を背景にして、開口率が50%の光透過部の明度が25〜50、又はa*及びb*が共に5以下になるように銅金属を析出させる項24又は25記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
27. 黒化処理工程において、明度25の黒色を背景にして、開口率が40%以上光透過部の色度a*及びb*が共に2.8以下になるように金属を析出させる項24又は25記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
28. 黒化処理工程において、開口率が40%未満であって、明度25の黒色を背景にした光透過部又は光未透過部の色度a*及びb*が共に5以下になるように金属を析出させる項24又は25記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
29. 硫酸銅めっき浴が添加剤として界面活性剤を含むめっき浴である項24〜28のいずれかに記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
30. 第1の電流密度が0.5〜40A/dmである項24〜29のいずれか1項に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
31. めっきを形成するための凹部が絶縁層に幾何学図形を描くように又はそれ自身幾何学図形を描くように形成されている項24〜30のいずれか1項に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
32. 絶縁層が、ダイヤモンドライクカーボン(DLC)又は無機材料からなる項24〜31のいずれか1項に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
33. 絶縁層が、DLC、Al又はSiOである項32に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
34. 絶縁層が、硬度が10〜40GPaのDLCからなる項33に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
35. 導電性基材と絶縁層の間に、Ti、Cr、W、Siまたはそれらの窒化物又は炭化物のいずれか1以上を含む中間層を介在させている項24〜34のいずれか1項に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
36. 凹部の最小幅が1〜40μm、凹部の最大幅が2〜60μm及び凹部の間隔が50〜1000μmである項24〜35のいずれか1項に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
37. 凹部側面の角度が絶縁層側で基材に対して10度以上90度未満である項24〜36のいずれか1項に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
38. 凹部側面の角度が絶縁層側で基材に対して10度以上80度以下である項37記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
39. 絶縁層の厚さが、0.5〜20μmである項24〜38のいずれか1項に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
40. 導電性基材の表面が、鋼又はTiからなる項24〜39のいずれか1項に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
41. 導電性基材が回転体、または回転体に取り付けられた平板である項24〜40のいずれか1項に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
42. 導電性基材として、回転体からなる導電性基材又は回転体に取り付けた導電性基材を使用し、その一部をめっき液に浸漬させ、回転体を回転させつつ、金属パターン作製工程及び転写工程を行う項24〜41のいずれか1項に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
43. 導電層形成工程において、導電性基材の凸部の上面において金属の厚さが0.1〜20μmになるように金属を析出させる項24〜42のいずれか1項に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
44. 項24〜項43のいずれか1項に記載の導体層パターン付き基材の製造方法において、
前記第1の電流密度の下に銅金属層を形成する導電層形成工程を行うための第1の陽極と、前記第2の電流密度の下に前記銅金属層の表面にその表面が黒色乃至茶褐色になるように金属を析出させる黒化処理工程を行うための第2の陽極とが、互いに離れて前記めっき液の中に浸漬されており、前記各陽極の間には、絶縁体で構成された遮断部材が設けられていることを特徴とする導体層パターン付き基材の製造方法。
45. 項24〜項43のいずれか1項に記載の導体層パターン付き基材の製造方法において、
前記第1の電流密度の下に銅金属層を形成する導電層形成工程を行うための第1の陽極と、前記第2の電流密度の下に前記銅金属層の表面にその表面が黒色乃至茶褐色になるように金属を析出させる黒化処理工程を行うための第2の陽極とが兼用されており、前記第1の電流密度の下で前記導電層形成工程の形成後、前記第2の電流密度の下で前記黒化処理工程を行うことを特徴とする導体層パターン付き基材の製造方法。
46. 項24〜45のいずれか1項に記載の方法により製造された導体層パターン付き基材。
47. 項46記載の導体層パターン付き基材の導体層パターンを有する面を透明基板に貼りあわせてなる透光性電磁波遮蔽部材。
48. 項46に記載の導体層パターン付き基材の導体層パターンを樹脂で被覆してなる透光性電磁波遮蔽部材。
The present invention relates to the following.
1. In the method of manufacturing a patterned copper metal layer whose surface is blackened using a conductive substrate for plating, the conductive substrate for plating has an insulating layer formed on the surface of the conductive substrate. A conductive substrate having a recess pattern for forming a plating that is wide in the opening direction in the insulating layer, and a first current density is formed in the recess of the conductive substrate for plating. A conductive layer forming step of depositing copper metal underneath to form a copper metal layer, and the surface of the copper metal layer under a second current density larger than the first current density, the surface being black or A method for producing a patterned copper metal layer having a blackened surface, wherein a blackening treatment step of depositing copper metal so as to become brownish brown is performed in one copper sulfate plating bath.
2. The surface according to item 1, wherein the conductive layer forming step is performed in the first electrodeposition region including the first current density, and the blackening treatment step is performed in the second electrodeposition region including the second current density. For producing a patterned copper metal layer.
3. In the blackening treatment process, with a background of black having a lightness of 25, copper metal is used so that the light transmission portion having an aperture ratio of 50% has a lightness of 25 to 50, or chromaticity a * and b * are both 5 or less. The manufacturing method of the patterned copper metal layer by which the surface of the term 1 or 2 to deposit was blackened.
4). Item 1 or 2 in which, in the blackening treatment step, metal is deposited so that the aperture ratio is 40% or more and the chromaticity a * and b * of the light transmission part are both 2.8 or less with a black background of 25 lightness. The manufacturing method of the patterned copper metal layer by which the surface of description was blackened.
5. In the blackening treatment step, the metal is applied so that the aperture ratio is less than 40% and the chromaticity a * and b * of the light transmitting portion or the light non-transmitting portion with a lightness of 25 as a background is both 5 or less. The manufacturing method of the patterned copper metal layer by which the surface of the term 1 or 2 to deposit was blackened.
6). Item 6. The method for producing a patterned copper metal layer having a blackened surface according to any one of Items 1 to 5, wherein the copper sulfate plating bath is a plating bath containing a surfactant as an additive.
7). The manufacturing method of the patterned copper metal layer by which the surface of any one of claim | item 1-6 whose 1st current density is 0.5-40 A / dm < 2 > was blackened.
8). In any one of Items 1 to 7, in the conductive substrate for plating, the recess for forming the plating is formed so as to draw a geometric figure on the insulating layer or to draw a geometric figure itself. The manufacturing method of the patterned copper metal layer by which the surface of description was blackened.
9. The manufacturing method of the patterned copper metal layer by which the surface of any one of claim | item 1-8 which an insulating layer consists of diamond-like carbon (DLC) or an inorganic material in the electroconductive base material for plating was blackened .
10. Item 10. The method for producing a patterned copper metal layer, wherein the surface of the conductive substrate for plating is blackened on the surface according to Item 9, wherein the insulating layer is DLC, Al 2 O 3 or SiO 2 .
11. Item 11. The method for producing a patterned copper metal layer, wherein the surface of the conductive substrate for plating is blackened in Item 10, wherein the insulating layer is made of DLC having a hardness of 10 to 40 GPa.
12 Items 1 to 1 in which an intermediate layer containing any one or more of Ti, Cr, W, Si or nitrides or carbides thereof is interposed between the conductive substrate and the insulating layer in the conductive substrate for plating. The manufacturing method of the patterned copper metal layer by which the surface of any one of 11 was blackened.
13. Item 13. The surface according to any one of Items 1 to 12, wherein in the conductive base material for plating, the minimum width of the recess is 1 to 40 μm, the maximum width of the recess is 2 to 60 μm, and the interval between the recesses is 50 to 1000 μm. A method for producing a patterned copper metal layer that has been processed.
14 The pattern by which the surface of any one of claim | item 1-13 whose surface angle of a recessed part is 10 degree or more and less than 90 degree | times with respect to a base material by the side of an insulating layer in the conductive base material for plating was blackened A method for producing a copper chloride metal layer.
15. The pattern by which the surface of any one of claim | item 1-14 whose surface angle of a recessed part is 10 degree or more and 80 degrees or less with respect to a base material by the side of an insulating layer in the electroconductive base material for plating was blackened. A method for producing a copper chloride metal layer.
16. Item 16. The method for producing a patterned copper metal layer having a blackened surface according to any one of Items 1 to 15, wherein the conductive substrate for plating has a thickness of the insulating layer of 0.5 to 20 µm.
17. The manufacturing method of the patterned copper metal layer by which the surface of any one of claim | item 1 -16 whose surface of a conductive base material consists of steel or Ti in the conductive base material for plating was blackened.
18. The manufacturing method of the patterned copper metal layer by which the surface of any one of claim | item 1 -17 whose electroconductive base material for plating is a rotary body or the flat plate attached to the rotary body was blackened.
19. As the conductive substrate, a conductive substrate made of a rotating body or a conductive substrate attached to the rotating body is used, a part of the substrate is immersed in a plating solution, and while rotating the rotating body, a metal pattern manufacturing step and The manufacturing method of the patterned copper metal by which the surface of any one of claim | item 1-17 which performs a transcription | transfer process was blackened.
20. Item 20. The patterned copper metal whose surface according to any one of items 1 to 19, wherein the copper metal is deposited so that the thickness of the copper metal is 0.1 to 20 μm in the copper metal layer forming step. Layer manufacturing method.
21. A first anode for performing a conductive layer forming step of forming a copper metal layer under the first current density; and a surface of the copper metal layer under the second current density is black or black A second anode for performing a blackening treatment step for depositing a metal so as to become brownish brown is immersed in the plating solution apart from each other, and an insulator is provided between the anodes. The manufacturing method of the patterned copper metal layer by which the surface of any one of claim | item 1-20 characterized by the blackening process was provided.
22. A first anode for performing a conductive layer forming step of forming a copper metal layer under the first current density; and a surface of the copper metal layer under the second current density is black or black The second anode for performing the blackening treatment step for depositing the metal so as to become brownish brown is also used, and after the formation of the conductive layer under the first current density, the second anode Item 20. The method for producing a patterned copper metal layer having a blackened surface according to any one of Items 1 to 19, wherein the blackening step is performed under a current density.
23. After performing the manufacturing method of the copper metal layer by which the surface in any one of claim | item 1-22 was blackened, peeling the copper metal layer by which the surface was blackened from the electroconductive base material for plating A method for producing a patterned copper metal having a blackened surface.
24. An insulating layer is formed on the surface of the conductive substrate, and a recess is formed on the insulating layer to form a wide plating in the opening direction. In the method for producing a substrate with a conductor layer pattern, including a metal pattern preparation step of depositing copper metal by plating and a transfer step of transferring the copper metal deposited on the conductive substrate to an adhesive support,
A conductive layer forming step in which a metal pattern forming step forms a copper metal layer under a first current density; and a surface of the copper metal layer under a second current density greater than the first current density. A method for producing a substrate with a conductor layer pattern, wherein a blackening treatment step for depositing a metal so that the surface is black or brown is performed in one copper sulfate plating bath.
25. Item 25. The conductive layer patterned base according to Item 24, wherein the conductive layer forming step is performed in the second electrodeposition region including the first current density, and the blackening treatment step is performed in the second electrodeposition region including the second current density. A method of manufacturing the material.
26. In the blackening treatment step, copper metal is deposited so that the light transmission portion having an aperture ratio of 50% has a lightness of 25 to 50, or both a * and b * are 5 or less against a black background of lightness 25. Item 26. A method for producing a substrate with a conductor layer pattern according to Item 24 or 25.
27. Item 24 or 25 in which the metal is deposited in the blackening treatment step so that the aperture ratio is 40% or more and the chromaticity a * and b * of the light transmission part are both 2.8 or less with a black background of brightness 25 The manufacturing method of the base material with a conductor layer pattern of description.
28. In the blackening treatment step, the metal is applied so that the aperture ratio is less than 40% and the chromaticity a * and b * of the light transmitting portion or the light non-transmitting portion with a lightness of 25 as a background is both 5 or less. Item 26. A method for producing a substrate with a conductor layer pattern according to Item 24 or 25.
29. Item 29. The method for producing a substrate with a conductor layer pattern according to any one of Items 24 to 28, wherein the copper sulfate plating bath is a plating bath containing a surfactant as an additive.
30. Item 30. The method for producing a substrate with a conductor layer pattern according to any one of Items 24 to 29, wherein the first current density is 0.5 to 40 A / dm 2 .
31. Item 31. The substrate with a conductor layer pattern according to any one of Items 24 to 30, wherein the recess for forming the plating is formed so as to draw a geometric figure on the insulating layer or to draw a geometric figure itself. Manufacturing method.
32. Item 32. The method for producing a substrate with a conductor layer pattern according to any one of Items 24 to 31, wherein the insulating layer is made of diamond-like carbon (DLC) or an inorganic material.
33. Item 33. The method for producing a substrate with a conductor layer pattern according to Item 32, wherein the insulating layer is DLC, Al 2 O 3 or SiO 2 .
34. Item 34. The method for producing a substrate with a conductor layer pattern according to Item 33, wherein the insulating layer is made of DLC having a hardness of 10 to 40 GPa.
35. Item 35. The item 24 to 34, wherein an intermediate layer containing any one or more of Ti, Cr, W, Si, nitrides or carbides thereof is interposed between the conductive substrate and the insulating layer. The manufacturing method of the base material with a conductor layer pattern.
36. Item 36. The method for producing a substrate with a conductor layer pattern according to any one of Items 24 to 35, wherein the minimum width of the recesses is 1 to 40 μm, the maximum width of the recesses is 2 to 60 μm, and the interval between the recesses is 50 to 1000 μm.
37. Item 37. The method for producing a substrate with a conductor layer pattern according to any one of Items 24 to 36, wherein an angle of the side surface of the recess is 10 degrees or more and less than 90 degrees with respect to the substrate on the insulating layer side.
38. 40. The method for producing a substrate with a conductor layer pattern according to Item 37, wherein the angle of the side surface of the recess is 10 degrees or more and 80 degrees or less with respect to the substrate on the insulating layer side.
39. 40. The method for producing a substrate with a conductor layer pattern according to any one of Items 24 to 38, wherein the insulating layer has a thickness of 0.5 to 20 μm.
40. Item 40. The method for producing a substrate with a conductor layer pattern according to any one of Items 24 to 39, wherein the surface of the conductive substrate is made of steel or Ti.
41. Item 41. The method for producing a substrate with a conductor layer pattern according to any one of Items 24 to 40, wherein the conductive substrate is a rotating body or a flat plate attached to the rotating body.
42. As the conductive substrate, a conductive substrate made of a rotating body or a conductive substrate attached to the rotating body is used, a part of the substrate is immersed in a plating solution, and the rotating body is rotated, while the metal pattern preparation step and 42. The manufacturing method of the base material with a conductor layer pattern of any one of claim | item 24-41 which performs a transcription | transfer process.
43. Item 43. The conductor layer pattern according to any one of Items 24 to 42, wherein, in the conductive layer forming step, the metal is deposited so that the thickness of the metal is 0.1 to 20 µm on the upper surface of the convex portion of the conductive substrate. A method for producing a substrate.
44. In the method for producing a substrate with a conductor layer pattern according to any one of Items 24 to 43,
A first anode for performing a conductive layer forming step of forming a copper metal layer under the first current density; and a surface of the copper metal layer under the second current density is black or black A second anode for performing a blackening treatment step for depositing a metal so as to become brownish brown is immersed in the plating solution apart from each other, and an insulator is provided between the anodes. The manufacturing method of the base material with a conductor layer pattern characterized by the above-mentioned.
45. In the method for producing a substrate with a conductor layer pattern according to any one of Items 24 to 43,
A first anode for performing a conductive layer forming step of forming a copper metal layer under the first current density; and a surface of the copper metal layer under the second current density is black or black The second anode for performing the blackening treatment step for depositing the metal so as to become brownish brown is also used, and after the formation of the conductive layer under the first current density, the second anode The manufacturing method of the base material with a conductor layer pattern characterized by performing the said blackening process process under an electric current density.
46. Item 46. A substrate with a conductor layer pattern, produced by the method according to any one of Items 24 to 45.
47. Item 49. A light-transmitting electromagnetic wave shielding member obtained by bonding a surface having a conductor layer pattern of a substrate with a conductor layer pattern according to Item 46 to a transparent substrate.
48. Item 49. A translucent electromagnetic wave shielding member obtained by coating the conductor layer pattern of the substrate with a conductor layer pattern according to Item 46 with a resin.

本発明によれば、パターン化された銅金属層の作製とその表面の黒化処理を一つのめっき浴中で行うことが出来るので、パターン化され、表面が黒化処理された銅金属層又は銅金属を生産性良く作製することができる。これにより、また、導体層パターン付き基材を生産性よく作製することができる。   According to the present invention, since the preparation of the patterned copper metal layer and the blackening treatment of the surface thereof can be performed in one plating bath, the patterned copper metal layer or the blackened surface of the copper metal layer or Copper metal can be produced with high productivity. Thereby, a base material with a conductor layer pattern can also be produced with high productivity.

本発明におけるめっき用導電性基材のめっき形成部である凹部が開口方向に向かって幅広となっているため、析出させた銅金属の剥離が容易である。また、そのめっき用導電性基材表面の絶縁層がDLC又は無機材料、特にDLCであるときは、特に、耐久性に優れる。したがって、表面が黒化処理された銅金属層又は銅金属、並びに導体層パターン付き基材の生産効率が優れる。   Since the recessed part which is a plating formation part of the conductive base material for plating in this invention is wide toward the opening direction, peeling of the deposited copper metal is easy. Further, when the insulating layer on the surface of the conductive substrate for plating is DLC or an inorganic material, particularly DLC, the durability is particularly excellent. Therefore, the production efficiency of the copper metal layer or copper metal whose surface has been blackened and the substrate with the conductor layer pattern is excellent.

導電性基材として金属製の回転体、または金属製の回転体に導電性基材を電気的に結合することにより、連続して、パターン化され表面が黒化処理された銅金属層の作製、また、その金属層の接着性支持体への転写を行うことができるため、さらに表面が黒化処理された銅金属層又は銅金属、並びに導体層パターン付き基材の生産効率がよくなる。   Metallic rotating body as conductive substrate, or copper metal layer patterned and blackened by electrically connecting conductive substrate to metallic rotating body Moreover, since the transfer of the metal layer to the adhesive support can be performed, the production efficiency of the copper metal layer or copper metal whose surface is further blackened and the substrate with the conductor layer pattern is improved.

また、本発明において、めっき形成部が凹部であることから、一連の工程で細線部、幅広部を問わず均一に粉落ちのない黒化処理を施すことができる。これにより、導体層形成工程と黒化処理工程を含む金属パターン作製工程を短縮することが可能となる。第2の電着領域において黒色乃至茶褐色金属の析出条件を好適に制御することにより黒色乃至茶褐色金属を粒状あるいは瘤状に析出させることにより粉落ちのない良好な黒化処理を施すことができる。   Moreover, in this invention, since the plating formation part is a recessed part, it can perform the blackening process without a powder fall uniformly regardless of a thin wire | line part and a wide part in a series of processes. Thereby, it becomes possible to shorten the metal pattern production process including the conductor layer forming process and the blackening process. By suitably controlling the deposition conditions of black or brown metal in the second electrodeposition region, the black or brown metal can be deposited in a granular or lumpy shape, whereby a good blackening treatment without powder falling can be performed.

前記の導電層パターンを利用して得られる電磁波遮蔽体は、光透過性に優れている。このためディスプレイの電磁波遮蔽体として使用した場合、その輝度を高めることなく通常の状態とほぼ同様の条件下で鮮明な画像を快適に、電磁波による体への悪影響なく観賞することができる。また、その電磁波遮蔽体は電磁波遮蔽性に優れるため、ディスプレイそのほかの電磁波を発生する装置、あるいは外部からの電磁波から保護される測定装置、測定機器や製造装置の筐体、特に透明性を要求される覗き窓のような部位に設けて使用すると効果が大きい。さらに、本発明における電磁波遮蔽体は前記の導体層パターン付き基材と同様、生産効率よく製造することができる。   The electromagnetic wave shielding body obtained using the conductive layer pattern is excellent in light transmittance. For this reason, when used as an electromagnetic wave shielding body of a display, a clear image can be comfortably viewed without adversely affecting the body due to electromagnetic waves without increasing the luminance. In addition, since the electromagnetic wave shielding body is excellent in electromagnetic wave shielding properties, it is required to be transparent, especially for a display or other device that generates electromagnetic waves, or a measuring device that is protected from external electromagnetic waves, a measuring instrument or a manufacturing device. It is very effective if it is used at a site such as a viewing window. Furthermore, the electromagnetic wave shielding body in the present invention can be produced with high production efficiency as in the case of the substrate with a conductor layer pattern.

前記導体層パターン付き基材の導体層パターンを有する面への透明基板貼合せ、または透明樹脂のコーティングにより、導体層パターンを保護することができる。別の基材の導体層転写面に予め接着剤層を形成していた場合には、この接着剤層への異物の付着の防止効果も有する。また、このとき透明基板の貼り合わせは接着剤層に透明基板を直接又は別の接着剤を介して加圧して貼り合わせることにより行うことができる。この場合適度な圧力により導体層パターンが接着剤層に埋設されるので、透明性や透明基板との密着性を向上させることが可能である。   The conductor layer pattern can be protected by laminating a transparent substrate on the surface having the conductor layer pattern of the substrate with the conductor layer pattern, or by coating with a transparent resin. In the case where an adhesive layer is formed in advance on the conductor layer transfer surface of another base material, it also has an effect of preventing foreign matter from adhering to the adhesive layer. At this time, the transparent substrate can be bonded by pressing the transparent substrate directly or through another adhesive to the adhesive layer. In this case, since the conductor layer pattern is embedded in the adhesive layer with an appropriate pressure, it is possible to improve transparency and adhesion to the transparent substrate.

導体層パターン付き透明基材を利用すれば高い光透過性(特に、導体層パターンの線幅が小さく高精細)と良導電性(高電磁波シールド性)を兼ね備える電磁波遮蔽体を容易に得ることができる。このためPDP等のディスプレイの電磁波遮蔽体として使用した場合、その輝度を高めることなく通常の状態とほぼ同様の条件下で鮮明な画像を快適に鑑賞することができる。また、その電磁波遮蔽体は電磁波遮蔽性に優れているため、ディスプレイその他の電磁波を発生する装置、あるいは電磁波から保護されるべき測定装置、測定機器、製造装置等の内部を覗く窓や筐体、特に透明性を要求される窓やディスプレイ表面のような部位に設けて使用すると効果が大きい。さらに、本発明における電磁波遮蔽体の製造法は、前記の導体層パターンの製造に於けると同様、生産効率が優れる。   By using a transparent substrate with a conductor layer pattern, it is possible to easily obtain an electromagnetic wave shielding body having both high light transmittance (particularly, the line width of the conductor layer pattern is small and high definition) and good conductivity (high electromagnetic shielding properties). it can. For this reason, when used as an electromagnetic wave shield for a display such as a PDP, a clear image can be comfortably viewed under almost the same conditions as in a normal state without increasing the luminance. In addition, since the electromagnetic wave shielding body is excellent in electromagnetic wave shielding properties, a display or other device that generates electromagnetic waves, or a window or housing that looks into the inside of a measuring device, measuring device, manufacturing device, etc. that should be protected from electromagnetic waves, In particular, the effect is great if it is used by being provided in a part such as a window or display surface where transparency is required. Furthermore, the production method of the electromagnetic wave shielding body according to the present invention is excellent in production efficiency as in the production of the conductor layer pattern.

電磁波遮蔽用部材として用いられる金属メッシュは、表示面の視認性を向上させる目的で光沢のない暗色が望まれており、そのため黒化処理を必要とされるのが一般である。黒化処理における黒色度は、望ましくは完全な黒色であるが、電磁波遮蔽部材又はそれを含むフィルター若しくはディスプレイ装置の製造技術および管理技術の高度化により、必ずしも良好な黒色を必要としない。従って、本発明において、黒色とは、表面の光沢を消し、反射を抑えることが可能な暗い色調、即ち茶褐色の色合いでもよい。
本発明におけるめっき用導電性基材は、パターン状のめっき形成部を有する導電性基材であって、導電性基材の表面に絶縁層が形成されており、その絶縁層に開口方向に向かって幅広なめっきを形成するための凹部(めっき形成部)が形成されている。この凹部の底面には導電性材料が露出している。
The metal mesh used as the electromagnetic wave shielding member is desired to have a non-glossy dark color for the purpose of improving the visibility of the display surface. Therefore, it is generally necessary to perform a blackening treatment. The blackness in the blackening process is preferably completely black, but good blackness is not necessarily required due to the advancement of manufacturing technology and management technology of the electromagnetic wave shielding member or the filter or display device including the electromagnetic shielding member. Therefore, in the present invention, the black color may be a dark color tone that can erase the gloss of the surface and suppress reflection, that is, a brownish brown color.
The conductive substrate for plating in the present invention is a conductive substrate having a pattern-shaped plating forming portion, and an insulating layer is formed on the surface of the conductive substrate, and the insulating layer faces the opening direction. And a concave portion (plating forming portion) for forming a wide plating. The conductive material is exposed on the bottom surface of the recess.

本発明において、導電性基材に用いられる導電性材料は、その露出表面に電解めっきで金属を析出させるために十分な導電性を有するものであり、金属であることが特に好ましい。また、その基材は表面に電解めっきにより形成された金属層を接着性支持体に転写させることができるように、その上に形成された金属層との密着力が低く、容易に剥離できるものであることが好ましい。このような導電性基材の材料としてはステンレス鋼、クロムめっきされた鋳鉄、クロムめっきされた鋼、チタン、チタンをライニングした材料、ニッケルなどが特に好ましい。   In the present invention, the conductive material used for the conductive substrate has sufficient conductivity for depositing metal on the exposed surface by electrolytic plating, and is particularly preferably a metal. In addition, the base material has a low adhesion to the metal layer formed on it so that the metal layer formed by electrolytic plating on the surface can be transferred to the adhesive support, and can be easily peeled off. It is preferable that As such a conductive base material, stainless steel, chrome-plated cast iron, chrome-plated steel, titanium, titanium-lined material, nickel and the like are particularly preferable.

前記の導電性基材の形状としては、シート状、プレート状、ロール状、フープ状等がある。ロール状の場合は、シート状、プレート状のものを回転体(ロール)に取り付けたものであってもよい。フープ状の場合は、フープの内側の2箇所から数箇所にロールを設置し、そのロールにフープ状の導電性基材を通すような形態等が考えられる。ロール状、フープ状ともに金属箔を連続的に生産することが可能であるため、シート状、プレート状に比較すると、生産効率が高く、好ましい。導電性基材をロールに巻きつけて使用する場合、ロールとして導電性のものを使用し、ロールと導電性基材が容易に導通するようにしたものが好ましい。   Examples of the shape of the conductive substrate include a sheet shape, a plate shape, a roll shape, and a hoop shape. In the case of a roll, a sheet or plate attached to a rotating body (roll) may be used. In the case of a hoop shape, a configuration in which rolls are installed at two to several locations inside the hoop and a hoop-shaped conductive base material is passed through the roll can be considered. Since it is possible to continuously produce a metal foil in both a roll shape and a hoop shape, the production efficiency is higher than that in a sheet shape or a plate shape, which is preferable. When the conductive substrate is used by being wound around a roll, a conductive roll is preferably used so that the roll and the conductive substrate are easily conducted.

絶縁層の厚さは、凹部の深さに対応する。凹部の深さは、析出するめっきの厚さとも関係するため、目的に応じて適宜決定される。絶縁層の厚さは、0.10μm以上100μm以下の範囲であることが好ましく、0.5μm以上20μm以下の範囲であることがより好ましい。絶縁層の厚さは、1〜10μmであることが特に好ましい。絶縁層が薄すぎると絶縁層にピンホールが発生しやすくなるため、めっきした際に、絶縁層を施した部分にも金属が析出しやすくなる。このような観点からは、特に絶縁層の厚さは、1μm以上が好ましく、特に3μm以上であることが好ましい。   The thickness of the insulating layer corresponds to the depth of the recess. Since the depth of the recess is related to the thickness of the plating to be deposited, it is appropriately determined according to the purpose. The thickness of the insulating layer is preferably in the range of 0.10 μm to 100 μm, and more preferably in the range of 0.5 μm to 20 μm. The thickness of the insulating layer is particularly preferably 1 to 10 μm. If the insulating layer is too thin, pinholes are likely to be generated in the insulating layer, so that when the plating is performed, the metal is likely to be deposited on the portion where the insulating layer is applied. From such a viewpoint, the thickness of the insulating layer is particularly preferably 1 μm or more, and particularly preferably 3 μm or more.

上記の絶縁層は、ダイヤモンドに類似したカーボン薄膜、いわゆるダイヤモンドライクカーボン(以下、DLCとする)薄膜のうち、絶縁性を有するものにて形成することができる。DLC薄膜は、特に、耐久性、耐薬品性に優れているため、特に好ましい。
さらに、絶縁層をAl、SiO等の無機化合物のような無機材料で形成することもできる。
The insulating layer can be formed of a carbon thin film similar to diamond, a so-called diamond-like carbon (hereinafter referred to as DLC) thin film having an insulating property. The DLC thin film is particularly preferable because it is excellent in durability and chemical resistance.
Furthermore, the insulating layer can be formed of an inorganic material such as an inorganic compound such as Al 2 O 3 or SiO 2 .

凹部又は絶縁層の形状は、目的応じて適宜決定されるが、平面形状が、正三角形、二等辺三角形、直角三角形などの三角形、正方形、長方形、ひし形、平行四辺形、台形などの四角形、(正)六角形、(正)八角形、(正)十二角形、(正)二十角形などの(正)n角形(nは3以上の整数)、円、だ円、星型などの幾何学図形があり、これらを適宜組み合わせた模様としてもよい、これらの単位は、単独で又は2種類以上組み合わせて繰り返されることが可能である。一つのめっき用導電性基材において、凹部の形状と絶縁層の形状は、互いに対応した形状となる。
光透過性電磁波遮蔽部材の性能の観点からは溝状の凹部に囲まれる絶縁層を三角形とすることが最も有効であり、可視光透過性の点からは溝状の凹部が同一のライン幅なら、それにより囲まれる絶縁層が(正)n角形のとき、n数が大きいほど導体層パターンの開口率が上がる。
The shape of the recess or the insulating layer is appropriately determined according to the purpose, but the planar shape is a triangle such as a regular triangle, an isosceles triangle, a right triangle, a square, a rectangle, a rhombus, a parallelogram, a trapezoid, or a quadrangle ( (Positive) Hexagons, (Positive) Octagons, (Positive) Dodecagons, (Positive) N-gons (n is an integer of 3 or more), circles, ellipses, stars, etc. There are academic figures, and these units may be appropriately combined. These units can be repeated alone or in combination of two or more. In one conductive substrate for plating, the shape of the concave portion and the shape of the insulating layer are shapes corresponding to each other.
From the viewpoint of the performance of the light-transmitting electromagnetic wave shielding member, it is most effective to make the insulating layer surrounded by the groove-like recesses triangular, and from the viewpoint of visible light transmission, if the groove-like recesses have the same line width When the insulating layer surrounded by it is a (positive) n-gon, the larger the n number, the higher the aperture ratio of the conductor layer pattern.

上記のめっき用導電性基材の一例を図面を用いて説明する。
図1は、本発明のめっき用導電性基材の一例を示す一部斜視図である。図2は、図1のA−A断面図を示す。図2の(a)は凹部の側面が平らな面であるが、(b)は凹部の側面になだらかな凹凸がある場合を示す。めっき用導電性基材1は、導電性基材2の上に絶縁層3が積層されており、絶縁層3に凹部4が形成されており、凹部4の底部は、導電性基材2が露出している。凹部4の底部は、導電性基材に導通している導電性材料からなる導体層であってもよい。
この例においては、絶縁層3は、幾何学図形としては正方形であり、この正方形の周りに凹部4が溝状に形成されている。
導電性基材2と絶縁層3の間には、絶縁層3の接着性の改善等を目的として、導電性又は絶縁性の中間層(図示せず)が積層されていてもよい。または、凹部4は、その幅が、開口方向に向かって全体として幅広になっている。図面のよう勾配αで一定に幅広になっている必要は必ずしもない。めっきにより形成される金属層(導体層パターン)の剥離に問題がなければ、凹部は、開口方向に向かって幅が狭くなっている部分があってもよいが、このような部分がない方が良く、凹部は開口方向に向かって狭まっておらず全体として広がっていることが好ましい。
An example of the conductive substrate for plating will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is a partial perspective view showing an example of a conductive substrate for plating according to the present invention. FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. FIG. 2A shows a case where the side surface of the recess is a flat surface, while FIG. 2B shows a case where the side surface of the recess has gentle irregularities. In the conductive base material 1 for plating, the insulating layer 3 is laminated on the conductive base material 2, and the concave portion 4 is formed in the insulating layer 3. Exposed. The bottom of the recess 4 may be a conductor layer made of a conductive material that is electrically connected to the conductive substrate.
In this example, the insulating layer 3 has a square shape as a geometric figure, and a recess 4 is formed in a groove shape around the square.
A conductive or insulating intermediate layer (not shown) may be laminated between the conductive substrate 2 and the insulating layer 3 for the purpose of improving the adhesiveness of the insulating layer 3 or the like. Alternatively, the recess 4 is wide as a whole in the opening direction. It is not always necessary that the width is constant and wide at the gradient α as shown in the drawing. If there is no problem in peeling of the metal layer (conductor layer pattern) formed by plating, the recess may have a portion whose width becomes narrower in the opening direction, but there is no such portion. It is preferable that the concave portion is not narrowed toward the opening direction but widens as a whole.

凹部の側面は、必ずしも平らな面ではない。この場合には、図2(b)に示すように、前記の勾配αは、凹部の高さh(多くの場合、絶縁層の厚さにより規定される)と凹部の側面の幅s(水平方向で凹部の側面の幅方向)を求め、

Figure 2009158842
によってαを決定する。
αは、角度で10度以上90度未満が好ましく、10度以上80度以下がより好ましく、30度以上60度以下が特に好ましい。この角度が小さいと作製が困難となる傾向があり、30度以上がより好ましく、大きいと凹部にめっきにより形成し得た金属層(導体層パターン)を剥離する際、又は、別の基材に転写する際の抵抗が大きくなる傾向があり、80度以下がより好ましい。 The side surface of the recess is not necessarily a flat surface. In this case, as shown in FIG. 2B, the gradient α is determined by the height h of the recess (in many cases, defined by the thickness of the insulating layer) and the width s (horizontal) of the side surface of the recess. In the direction of the width of the side surface of the recess)
Figure 2009158842
Determines α.
α is preferably 10 degrees or more and less than 90 degrees, more preferably 10 degrees or more and 80 degrees or less, and particularly preferably 30 degrees or more and 60 degrees or less. If this angle is small, the production tends to be difficult, and 30 degrees or more is more preferable. If it is large, the metal layer (conductor layer pattern) that can be formed by plating in the concave portion is peeled off or on another substrate. Resistance at the time of transfer tends to increase, and 80 degrees or less is more preferable.

本発明のめっき用導電性基材における絶縁層の平面形状及びその厚さ若しくは凹部の深さは、本発明のめっき用導電性基材を用いて得られるパターン化金属の用途に応じて適宜決定される。
上記めっき用導電性基材の凹部は、めっきにより生成するパターン化金属の形状に対応するが、同様に導体層パターン付き基材における導体層パターンに対応するように、さらに、その導体層パターンは、最終的に電磁波遮蔽部材を作製したときの電磁波シールド層に対応させることができる。
The planar shape of the insulating layer and the thickness of the insulating layer or the depth of the recess in the conductive substrate for plating of the present invention are appropriately determined according to the use of the patterned metal obtained using the conductive substrate for plating of the present invention. Is done.
The concave portion of the conductive base material for plating corresponds to the shape of the patterned metal generated by plating, and the conductor layer pattern is similarly so as to correspond to the conductor layer pattern in the base material with the conductor layer pattern. Finally, it can correspond to the electromagnetic wave shielding layer when the electromagnetic wave shielding member is produced.

また、絶縁層の厚さは、前記と同様であるが、これに対応するように、本発明のめっき用導電性基材における凹部4の深さは、0.1〜100μmであることが好ましく、0.5〜20μmであることがより好ましく、1〜10μmであることが特に好ましい。   In addition, the thickness of the insulating layer is the same as described above. In order to correspond to this, the depth of the recess 4 in the conductive substrate for plating of the present invention is preferably 0.1 to 100 μm. 0.5 to 20 μm is more preferable, and 1 to 10 μm is particularly preferable.

本発明のめっき用導電性基材を用いて転写法により光透過性電磁波遮蔽部材、透明アンテナ等の光透過性ないし透明性が要求される用途の部材を作製するために使用するときは、図2に示すような凹部4の幅は、開口部の幅dが2〜60μm、底部の幅d′が1〜40μmで有ることが好ましい。また、凹部4の開口部の幅dは4〜15μm、底部の幅d′は3〜10μmであることが特に好ましい。凹部4の中心間隔(ラインピッチ)は50〜1000μmであることが好ましく、特に100〜400μmであることが好ましい。溝の幅及びその間隔は、導体層パターンの開口率を好ましくは50%以上、特に好ましくは80%以上とすることを考慮して決定する。
なお、本発明において、凹部の中心間隔(ラインピッチ)は、凹部によって形成されている絶縁層の図形パターンが複雑な図形であったり、複数の図形の組み合わせであったりして簡単に決定できない場合は、パターンの繰り返し単位を基準としてその面積を正方形の面積に換算し、その一辺の長さであると定義する。
When using the conductive substrate for plating of the present invention to produce a member for applications requiring light transmittance or transparency, such as a light transmissive electromagnetic wave shielding member and a transparent antenna, by a transfer method, The width of the recess 4 as shown in FIG. 2 is preferably such that the width d of the opening is 2 to 60 μm and the width d ′ of the bottom is 1 to 40 μm. The width d of the opening of the recess 4 is particularly preferably 4 to 15 μm, and the width d ′ of the bottom is particularly preferably 3 to 10 μm. The center interval (line pitch) of the recesses 4 is preferably 50 to 1000 μm, and particularly preferably 100 to 400 μm. The width of the groove and the interval between the grooves are determined considering that the opening ratio of the conductor layer pattern is preferably 50% or more, particularly preferably 80% or more.
In the present invention, the center interval (line pitch) of the recesses cannot be easily determined because the figure pattern of the insulating layer formed by the recesses is a complicated figure or a combination of a plurality of figures. Is defined as the length of one side of the pattern by converting the area into a square area based on the repeating unit of the pattern.

ディスプレイ用の電磁波遮蔽材における可視光透過性の点からは、電磁波遮蔽材における上記のような幾何学図形を描く導体層パターン開口率は50%以上であることが必要とされ、導体層パターンの開口率は80%以上であることがさらに好ましい。導体層パターンの開口率は、電磁波遮蔽材などの用途の有効面積(例えば、上記の幾何学図形が描かれている範囲の面積等電磁波遮蔽などの用途において有効に機能する範囲の面積)に対するその有効面積から導電層で覆われている面積を引いた面積の比の百分率である。   From the viewpoint of visible light transmittance in the electromagnetic wave shielding material for display, the conductive layer pattern aperture ratio for drawing the geometric figure as described above in the electromagnetic wave shielding material is required to be 50% or more. The aperture ratio is more preferably 80% or more. The aperture ratio of the conductor layer pattern is the effective area of the electromagnetic wave shielding material or the like (for example, the area of the range in which the geometric figure is drawn, such as the area that functions effectively in the electromagnetic wave shielding or the like). It is the percentage of the ratio of the area obtained by subtracting the area covered with the conductive layer from the effective area.

本発明のめっき用導電性基材を用いて穴明き金属箔を作製するために使用するときは、図2に示すような絶縁層3は、その底面(導電性基材との接触面)の面積が1〜1×10平方ミクロンメートルであることが好ましく、絶縁層の間隔(凸部と凸部の最短距離)が1〜1000μmであることが好ましい。また、絶縁層3は、底面の面積が1×10〜1×10平方ミクロンメートルであることがより好ましく、絶縁層の間隔が10〜100μmであることがより好ましい。絶縁層底面の面積及びその間隔は、導体層パターンの開口率を好ましくは10%以上、特に好ましくは30%以上とすることを考慮して決定する。このような穴明き金属箔は、キャパシタの集電体として有用である。 When used to produce a perforated metal foil using the conductive substrate for plating of the present invention, the insulating layer 3 as shown in FIG. 2 has its bottom surface (contact surface with the conductive substrate). Is preferably 1 to 1 × 10 6 square microns, and the distance between the insulating layers (the shortest distance between the protrusions) is preferably 1 to 1000 μm. The insulating layer 3 preferably has a bottom area of 1 × 10 2 to 1 × 10 4 square microns, more preferably 10 to 100 μm. The area of the bottom surface of the insulating layer and the interval thereof are determined in consideration of the opening ratio of the conductor layer pattern being preferably 10% or more, particularly preferably 30% or more. Such a perforated metal foil is useful as a current collector of a capacitor.

本発明におけるめっき用導電性基材の製造方法は、導電性基材の表面に、導電性基材を露出させている凹部によって幾何学図形が描かれるように絶縁層を形成する工程を含む。
この工程は、
(A)導電性基材の表面に、除去可能な凸状のパターンを形成する工程、
(B)除去可能な凸状のパターンが形成されている導電性基材の表面に、絶縁層を形成する工程
及び
(C)絶縁層が付着している凸状のパターンを除去する工程
を含む。
The manufacturing method of the electroconductive base material for plating in this invention includes the process of forming an insulating layer on the surface of an electroconductive base material so that a geometric figure may be drawn by the recessed part which has exposed the electroconductive base material.
This process
(A) forming a removable convex pattern on the surface of the conductive substrate;
(B) including a step of forming an insulating layer on the surface of the conductive substrate on which a removable convex pattern is formed, and (C) a step of removing the convex pattern to which the insulating layer is attached. .

上記(A)導電性基材の表面に、除去可能な凸状のパターンを形成する工程としては、印刷法やフォトリソグラフ法を利用して、レジストパターンを形成する方法を利用することができる。
フォトリソグラフ法を利用する場合、この方法は、
(a−1)導電性基材の上に感光性レジスト層を形成する工程、
(a−2)感光性レジスト層をめっき形成部となる凹部パターンに対応したマスクを通して露光する工程
及び
(a−3)露光後の感光性レジスト層を現像する工程
を含む(以上の方法「a法」という)。
As the step of forming a removable convex pattern on the surface of the conductive substrate (A), a method of forming a resist pattern using a printing method or a photolithographic method can be used.
When using the photolithographic method, this method is
(A-1) forming a photosensitive resist layer on the conductive substrate;
(A-2) including a step of exposing the photosensitive resist layer through a mask corresponding to a concave pattern serving as a plating formation portion, and (a-3) a step of developing the exposed photosensitive resist layer (the above method “a Law ").

また、上記(A)導電性基材の表面に、除去可能な凸状のパターンを形成する工程は、
(b−1)導電性基材の上に感光性レジスト層を形成する工程、
(b−2)感光性レジスト層にめっき形成部となる凹部パターンに対応した部分にマスクをせずレーザー光を照射する工程
及び
(b−3)レーザー光を照射後の感光性レジスト層を現像する工程(感光性レジストの不要部を除去する工程)
を含む(以上の方法「b法」という)。
Moreover, the step of forming a removable convex pattern on the surface of the conductive substrate (A),
(B-1) a step of forming a photosensitive resist layer on the conductive substrate;
(B-2) a step of irradiating the photosensitive resist layer with a laser beam without masking a portion corresponding to the concave pattern serving as a plating formation portion; and (b-3) developing the photosensitive resist layer after the laser beam irradiation. Step to remove (unnecessary part of photosensitive resist)
(Referred to as “method b” above).

感光性レジストとしては、よく知られたネガ型レジスト(光が照射された部分が硬化する)を使用することができる。また、このとき、マスクもネガ型マスク(凹部に対応する部分は光が通過する)が使用される。また、感光性レジストとしてはポジ型レジストを用いることができる。これらの方式の対応して上記a法及びb法における光照射部分が適宜決定される。   As the photosensitive resist, a well-known negative resist (a portion irradiated with light is cured) can be used. At this time, a negative mask (light passes through a portion corresponding to the concave portion) is also used as the mask. Further, a positive resist can be used as the photosensitive resist. Corresponding to these methods, the light irradiation part in the method a and method b is appropriately determined.

具体的方法として、導電性基材上にドライフィルムレジスト(感光性樹脂層)をラミネートし、マスクを装着して露光することにより、凸状パターンとして残存させる部分を硬化状態に不要部を現像可能状態とし、不要部を現像して除去することにより形成することができる。また、凸状パターンは、導電性基材に液状レジストを塗布した後に溶剤を乾燥するかあるいは仮硬化させた後、マスクを装着して露光することにより、凸状パターンとして残存させる部分を硬化状態に不要部を現像可能状態とし、不要部を現像して除去することにより形成することもできる。液状レジストは、スプレー、ディスペンサー、ディッピング、ロール、スピンコート等により塗布できる。   As a specific method, by laminating a dry film resist (photosensitive resin layer) on a conductive substrate, and wearing a mask to expose it, the part that remains as a convex pattern can be cured and the unnecessary part can be developed. It can be formed by developing and removing unnecessary portions. In addition, the convex pattern is a state in which the portion that remains as the convex pattern is cured by applying a liquid resist to the conductive substrate and then drying or temporarily curing the solvent, and then exposing the mask with a mask. Alternatively, the unnecessary portion can be developed, and the unnecessary portion can be developed and removed. The liquid resist can be applied by spraying, dispenser, dipping, roll, spin coating or the like.

上記において、ドライフィルムレジストをラミネートし、又は液状レジストを塗布した後に、マスクを介して露光する代わりにレーザー光などでマスクを使用せず直接に露光する方法を採用することもできる。光硬化性樹脂にマスクを介して又は介さずして活性エネルギー線を照射することでパターニングできればその態様は問わない。
導電性基材のサイズが大きい場合などはドライフィルムレジストを用いる方法が生産性の観点からは好ましく、導電性基材がめっきドラムなどの場合は、ドライフィルムレジストをラミネートし、又は液状レジストを塗布した後にマスクを介さずにレーザー光などで直接に露光する方法が好ましい。
In the above, after laminating a dry film resist or applying a liquid resist, it is also possible to employ a method of directly exposing without using a mask with a laser beam or the like instead of exposing through a mask. If the patterning can be performed by irradiating the photocurable resin with active energy rays with or without a mask, the mode is not limited.
When the size of the conductive substrate is large, a method using a dry film resist is preferable from the viewpoint of productivity. When the conductive substrate is a plating drum, the dry film resist is laminated or a liquid resist is applied. Then, a method of directly exposing with a laser beam or the like without using a mask is preferable.

前記b法において、感光性レジストの代わりに熱硬化性樹脂を用い、レーザー光の照射により熱硬化性樹脂の不要部を除去する方法によっても行うことができる。   In the method b, a thermosetting resin can be used instead of the photosensitive resist, and an unnecessary portion of the thermosetting resin can be removed by laser light irradiation.

印刷法を用いてレジストパターン(凸状パターン)を形成することができるが、この場合には、レジストパターンの印刷方法としては様々な方法を用いることができる。例えば、スクリーン印刷、凸版印刷、凸版オフセット印刷、凸版反転オフセット印刷、凹版印刷、凹版オフセット印刷、インクジェット印刷、フレキソ印刷などを用いることができる。レジストとしては光硬化性又は熱硬化性の樹脂が使用できる。印刷後、光照射又は熱によりレジストを硬化させる。   Although a resist pattern (convex pattern) can be formed by using a printing method, in this case, various methods can be used as a resist pattern printing method. For example, screen printing, letterpress printing, letterpress offset printing, letterpress reversal offset printing, intaglio printing, letterpress printing, ink jet printing, flexographic printing, and the like can be used. As the resist, a photocurable or thermosetting resin can be used. After printing, the resist is cured by light irradiation or heat.

本発明におけるめっき用導電性基材の製造方法の一例を図面を用いて説明する。
図3は、めっき用導電性基材の製造方法を示す工程の一例を断面図で示したものである。
An example of the manufacturing method of the electroconductive base material for plating in this invention is demonstrated using drawing.
FIG. 3 is a cross-sectional view showing an example of a process showing a method for producing a conductive substrate for plating.

導電性基材2の上に感光性レジスト層(感光性樹脂層)5形成されている(図3(a))。この積層物の感光性レジスト層(感光性樹脂層)5に対し、フォトリソグラフ法を適用して感光性レジスト層5をパターン化する(図3(b))。パターン化は、パターンが形成されたフォトマスクを感光性レジスト層5の上に載置し、露光した後、現像して感光性レジスト層5の不要部を除去して突起部6を残すことにより行われる。突起部6の形状とそれからなる凸状パターンは、導電性基材2上の凹部4とそのパターンに対応するよう考慮される。   A photosensitive resist layer (photosensitive resin layer) 5 is formed on the conductive substrate 2 (FIG. 3A). The photosensitive resist layer 5 is patterned by applying a photolithographic method to the photosensitive resist layer (photosensitive resin layer) 5 of the laminate (FIG. 3B). Patterning is performed by placing a photomask on which a pattern is formed on the photosensitive resist layer 5, exposing it, developing it, removing unnecessary portions of the photosensitive resist layer 5, and leaving protrusions 6. Done. The shape of the protruding portion 6 and the convex pattern formed therefrom are considered to correspond to the concave portion 4 on the conductive substrate 2 and the pattern.

この時、突起部6の断面形状において、その側面は、導電性基材に対して垂直であること、又は、突起部6が導電性基材2に接する端部に対して、突起部6の側面上方の少なくとも一部がその端部に覆い被さるような位置にあることが好ましい。突起部6の幅で言う場合は、凸状パターン幅の最大値dは、凸状パターンと導電性基材2に接する幅dと等しいか大きくすることが好ましい。これは、形成される密着性のよい絶縁層の凹部幅はdによって決定されるからである。ここで、突起部6の断面形状で、突起部6の幅の最大値dが突起部6と導電性基材2に接する幅dと等しいか大きくする方法としては、突起部6の現像時にオーバ現像するか、形状がアンダーカットとなる特性を有するレジストを使用すれば良い。dは突起部の上部で実現されていることが好ましい。
除去可能な凸状のパターンを形成する突起部6の形状は、凹部の形状に対応づけられるが、その作製の容易性から、最大幅1μm以上、間隔が1μm以上、高さが1〜50μmであることが好ましい。めっき用導電性基材を、光透過性電磁波遮蔽部材や透明アンテナなどに使用される導体層パターン等の光透過性ないし透明性が要求される用途で使用するときは、突起部6は、最大幅1〜40μm、間隔が50〜1000μm及び高さ1〜30μmであることがそれぞれ好ましい。特に最大幅3〜10μm、間隔が100〜400μmであることが好ましい。また、めっき用導電性基材を、穴明き金属箔を作製するために使用するときは、前記したような絶縁層3が形成されるように、平面形状が適宜の大きさの円形又は矩形である突起部を適当な間隔に配置する。
At this time, in the cross-sectional shape of the protrusion 6, the side surface is perpendicular to the conductive base material, or the end of the protrusion 6 is in contact with the end where the protrusion 6 contacts the conductive base 2. It is preferable to be in a position where at least a part of the upper side surface covers the end portion. In terms of the width of the protrusion 6, the maximum value d 1 of the convex pattern width is preferably equal to or larger than the width d 0 that contacts the convex pattern and the conductive substrate 2. This is because the concave width of the insulating layer having good adhesion is determined by d 1 . Here, as a method of increasing the width d 0 of the protrusion 6 in contact with the conductive substrate 2 in the cross-sectional shape of the protrusion 6, the maximum width d 1 of the protrusion 6 is equal to or larger than the width d 0. A resist having a characteristic that sometimes over-develops or has an undercut shape may be used. It is preferable that d 1 is realized at the upper part of the protrusion.
The shape of the protrusion 6 that forms the removable convex pattern is associated with the shape of the recess. From the ease of production, the maximum width is 1 μm or more, the interval is 1 μm or more, and the height is 1 to 50 μm. Preferably there is. When the electroconductive substrate for plating is used in an application requiring light transparency or transparency, such as a conductor layer pattern used for a light transmissive electromagnetic wave shielding member or a transparent antenna, the protrusion 6 is It is preferably 1 to 40 μm, the interval is 50 to 1000 μm, and the height is 1 to 30 μm. In particular, it is preferable that the maximum width is 3 to 10 μm and the interval is 100 to 400 μm. Further, when the conductive substrate for plating is used for producing a perforated metal foil, the planar shape is a circular or rectangular shape having an appropriate size so that the insulating layer 3 as described above is formed. Are arranged at appropriate intervals.

前記した(B)除去可能な凸状パターンが形成されている導電性基材の表面に、絶縁層を形成する工程について、説明する。
突起部6からなる凸状パターンを有する導電性基材2(図3(b)参照)の表面に絶縁層7を形成する(図3(c)参照)。
The step (B) of forming an insulating layer on the surface of the conductive substrate on which the removable convex pattern is formed will be described.
An insulating layer 7 is formed on the surface of the conductive substrate 2 (see FIG. 3B) having a convex pattern composed of the protrusions 6 (see FIG. 3C).

絶縁層としてDLC薄膜を形成する方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、アーク放電法、イオン化蒸着法等の物理気相成長法、プラズマCVD法等の化学気相成長法等のドライコーティング法を採用し得るが、成膜温度が室温から制御できる高周波やパルス放電を利用するプラズマCVD法が特に好ましい。   As a method for forming a DLC thin film as an insulating layer, a vacuum deposition method, a sputtering method, an ion plating method, an arc discharge method, a physical vapor deposition method such as an ionization deposition method, a chemical vapor deposition method such as a plasma CVD method, etc. However, the plasma CVD method using a high frequency or pulse discharge in which the film forming temperature can be controlled from room temperature is particularly preferable.

前記DLC薄膜をプラズマCVD法で形成するために、原料となる炭素源として炭化水素系のガスが好んで用いられる。例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン等のアルカン系ガス類、エチレン、プロピレン、ブテン、ペンテン等のアルケン系ガス類、ペンタジエン、ブタジエン等のアルカジエン系ガス類、アセチレン、メチルアセチレン等のアルキン系ガス類、ベンゼン、トルエン、キシレン、インデン、ナフタレン、フェナントレン等の芳香属炭化水素系ガス類、シクロプロパン、シクロヘキサン等のシクロアルカン系ガス類、シクロペンテン、シクロヘキセン等のシクロアルケン系ガス類、メタノール、エタノール等のアルコール系ガス類、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系ガス類、メタナール、エタナール等のアルデヒド系ガス類等が挙げられる。前記ガスは単独で使用しても良いし、二種以上を併用しても良い。また、元素として炭素と水素を含有する原料ガスとして前述した炭素源と水素ガスとの混合物、前述した炭素源と一酸化炭素ガス、二酸化ガス等の炭素と酸素のみからなる化合物のガスとの混合物、一酸化炭素ガス、二酸化炭素ガス等の炭素と酸素のみから構成される化合物のガスと水素ガスとの混合物、一酸化炭素ガス、二酸化炭素ガス等の炭素と酸素のみからなる化合物のガスと酸素ガスまたは水蒸気との混合物等が挙げられる。更に、これらの原料ガスには希ガスが含まれていてもよい。希ガスは、周期律表第0属の元素からなるガスであり、例えば、ヘリウム、アルゴン、ネオン、キセノン等が挙げられる。これらの希ガスは単独で使用しても良いし、二種以上を併用しても良い。   In order to form the DLC thin film by the plasma CVD method, a hydrocarbon-based gas is preferably used as a carbon source as a raw material. For example, alkane gases such as methane, ethane, propane, butane, pentane, hexane, alkene gases such as ethylene, propylene, butene, pentene, alkadiene gases such as pentadiene, butadiene, acetylene, methylacetylene, etc. Alkyne gases, aromatic hydrocarbon gases such as benzene, toluene, xylene, indene, naphthalene and phenanthrene, cycloalkane gases such as cyclopropane and cyclohexane, cycloalkene gases such as cyclopentene and cyclohexene, methanol And alcohol gases such as ethanol, ketone gases such as acetone and methyl ethyl ketone, and aldehyde gases such as methanal and ethanal. The said gas may be used independently and may use 2 or more types together. Also, a mixture of the above-mentioned carbon source and hydrogen gas as a source gas containing carbon and hydrogen as elements, and a mixture of the above-mentioned carbon source and a compound gas consisting only of carbon and oxygen, such as carbon monoxide gas and dioxide gas. , A mixture of a compound gas composed of only carbon and oxygen, such as carbon monoxide gas and carbon dioxide gas, and a hydrogen gas, a compound gas composed of only carbon and oxygen, such as carbon monoxide gas and carbon dioxide gas, and oxygen Examples thereof include a mixture with gas or water vapor. Further, these source gases may contain a rare gas. The rare gas is a gas composed of an element belonging to Group 0 of the periodic table, and examples thereof include helium, argon, neon, and xenon. These rare gases may be used alone or in combination of two or more.

絶縁層は、その全体を、上述した絶縁性のDLC薄膜によって形成してもよいが、当該DLC薄膜の、金属板等の導電性基材に対する密着性を向上させて、絶縁層の耐久性をさらに向上させるためには、この両者の間に、Ti、Cr、W、Siもしくはそれらの窒化物又は炭化物から選ばれる一種以上の成分又はその他よりなる中間層を介挿することが好ましい。   The insulating layer may be formed entirely by the above-described insulating DLC thin film, but it improves the adhesion of the DLC thin film to a conductive substrate such as a metal plate, thereby improving the durability of the insulating layer. In order to further improve, it is preferable to insert an intermediate layer composed of one or more components selected from Ti, Cr, W, Si, nitrides or carbides thereof, or the like, between the two.

前記SiまたはSiCの薄膜は、例えば、ステンレス鋼などの金属との密着性に優れる上、その上に積層する絶縁性のDLC薄膜との界面においてSiCを形成して、当該DLC薄膜の密着性を向上させる効果を有している。   The Si or SiC thin film has excellent adhesion to, for example, a metal such as stainless steel, and also forms SiC at the interface with the insulating DLC thin film laminated thereon to improve the adhesion of the DLC thin film. Has the effect of improving.

中間層は、前述したようなドライコーティング法により形成させることができる。   The intermediate layer can be formed by the dry coating method as described above.

中間層の厚みは、1μm以下であることが好ましく、生産性を考慮すると0.5μm以下であることが更に好ましい。1μm以上コーティングするには、コーティング時間が長くなると共に、コーティング膜の内部応力が大きくなるため適さない。   The thickness of the intermediate layer is preferably 1 μm or less, and more preferably 0.5 μm or less in consideration of productivity. A coating of 1 μm or more is not suitable because the coating time becomes long and the internal stress of the coating film increases.

絶縁層をAl、SiO等の無機化合物のような無機材料で形成する場合にも、スパッタリング法、イオンプレーティング法といった物理的気相成長法やプラズマCVDといった化学気相成長法を用いることができる。例えばスパッタリング法で形成する場合には、ターゲットをSiまたはAlにして反応性ガスとして酸素、窒素などの導入することでSiO、Siなどの酸化物、窒化物を成膜することができる。また、イオンプレーティング法を用いる場合にはSiやAlを原料とし、電子ビームをこれらに照射することで蒸発させ、基板に成膜することができる。その際に、酸素、窒素、アセチレンといった反応性ガスを導入することで酸化物、窒化物、炭化物を成膜することができる。
また、CVD法で成膜する場合には金属塩化物、金属水素化物、有機金属化合物などのような化合物ガスを原料とし、それらの化学反応を利用して成膜することでできる。酸化シリコンのCVDは、例えばTEOS、オゾンを用いたプラズマCVDで行える。窒化シリコンのCVDは、例えばアンモニアとシランを用いたプラズマCVDで行える。
Even when the insulating layer is formed of an inorganic material such as an inorganic compound such as Al 2 O 3 or SiO 2 , a physical vapor deposition method such as a sputtering method or an ion plating method or a chemical vapor deposition method such as plasma CVD may be used. Can be used. For example, in the case of forming by sputtering, an oxide or nitride such as SiO 2 or Si 3 N 4 can be formed by introducing Si or Al as a target and introducing oxygen, nitrogen or the like as a reactive gas. it can. In the case of using the ion plating method, Si or Al can be used as a raw material, and an electron beam can be irradiated to evaporate to form a film on the substrate. At that time, an oxide, nitride, or carbide film can be formed by introducing a reactive gas such as oxygen, nitrogen, or acetylene.
In the case of forming a film by the CVD method, the film can be formed by using a chemical gas such as a metal chloride, a metal hydride, an organometallic compound, etc. as a raw material. The CVD of silicon oxide can be performed by plasma CVD using, for example, TEOS or ozone. The CVD of silicon nitride can be performed by plasma CVD using ammonia and silane, for example.

次に、前記した(C)絶縁層が付着している凸状パターンを除去する工程について説明する。絶縁層7が付いている状態(図3(c)参照)で、凸状パターンを除去する(図3(d)参照)。
絶縁層の付着しているレジストの除去には、市販のレジスト剥離液や無機、有機アルカリ、有機溶剤などを用いることができる。また、パターンを形成するのに使用したレジストに対応する専用の剥離液があれば、それを用いることもできる。
剥離の方法としては、例えば薬液に浸漬することでレジストを膨潤、破壊あるいは溶解させた後これを除去することが可能である。液をレジストに十分含浸させるために超音波、加熱、撹拌等の手法を併用しても良い。また、剥離を促進するためにシャワー、噴流等で液をあてることもできるし、柔らかい布や綿棒などでこすることもできる。
また、絶縁層の耐熱が十分高い場合には高温で焼成してレジストを炭化させて除去することもできるし、レーザーを照射して焼き飛ばす、といった方法も利用できる。
剥離液としては、例えば、3%NaOH溶液を用い、剥離法としてシャワーや浸漬が適用できる。
Next, the step (C) of removing the convex pattern to which the insulating layer is attached will be described. With the insulating layer 7 attached (see FIG. 3C), the convex pattern is removed (see FIG. 3D).
A commercially available resist stripping solution, inorganic, organic alkali, organic solvent, or the like can be used to remove the resist to which the insulating layer is attached. In addition, if there is a dedicated stripping solution corresponding to the resist used to form the pattern, it can be used.
As a peeling method, for example, it is possible to remove the resist after it has been swelled, broken or dissolved by immersion in a chemical solution. In order to sufficiently impregnate the resist with the solution, techniques such as ultrasonic waves, heating, and stirring may be used in combination. In addition, the liquid can be applied with a shower, a jet or the like in order to promote peeling, and can be rubbed with a soft cloth or cotton swab.
In addition, when the heat resistance of the insulating layer is sufficiently high, a method of baking at a high temperature to carbonize the resist and removing it, or irradiating with a laser to burn off can be used.
As the stripping solution, for example, a 3% NaOH solution is used, and showering or dipping can be applied as the stripping method.

導電性基材2上に形成される絶縁層と、突起部6の側面に形成される絶縁層とでは、性質又は特性が異なるようにする。例えば、硬度が、前者の方が後者より大きくする。DLC膜をプラズマCVD法で形成するときは、このようになる。一般に絶縁膜を形成するときに、絶縁材料の移動速度が例えば90度の角度で異なるような場合に、上記のように形成される膜の性質又は特性が異なるようになる。
突起部6を除去するとき、絶縁層は、この境界で分離され、その結果、凹部の側面が、傾斜角αを有するようになる。傾斜角αは、角度で10度以上90度未満が好ましく、10度以上80度以下がより好ましく、30度以上60度以下がさらに好ましく、40度以上60度以下が特に好ましく、DLC膜をプラズマCVDで作製する場合、ほぼ40〜60度に制御することが容易になる。すなわち、凹部4は、開口方向に向かって幅広になるように形成される。傾斜角αの制御方法としては、突起部6の高さを調整する方法が好ましい。突起部6の高さが大きくなるほど、傾斜角αを大きく制御しやすくなる。
The insulating layer formed on the conductive substrate 2 and the insulating layer formed on the side surface of the protruding portion 6 are made to have different properties or characteristics. For example, the hardness of the former is greater than that of the latter. This is the case when the DLC film is formed by plasma CVD. In general, when an insulating film is formed, when the moving speed of the insulating material is different by, for example, an angle of 90 degrees, the properties or characteristics of the film formed as described above are different.
When the protrusion 6 is removed, the insulating layer is separated at this boundary, and as a result, the side surface of the recess has an inclination angle α. The inclination angle α is preferably 10 degrees or more and less than 90 degrees, more preferably 10 degrees or more and 80 degrees or less, further preferably 30 degrees or more and 60 degrees or less, particularly preferably 40 degrees or more and 60 degrees or less, and the DLC film is plasma-treated. In the case of manufacturing by CVD, it becomes easy to control to about 40 to 60 degrees. That is, the concave portion 4 is formed so as to become wider toward the opening direction. As a method of controlling the inclination angle α, a method of adjusting the height of the protrusion 6 is preferable. As the height of the protrusion 6 increases, the inclination angle α can be controlled more greatly.

上記の絶縁層の形成において、導電性基材はレジストの影にならないので、導電性基材上の絶縁層は性質が均一である。これに対し、凸状パターンの側面への絶縁層の形成は、凸状パターンの側面が導電性基材上の膜厚方向に対し角度を有しているため、形成される絶縁層(特にDLC膜)は、導電性基材上の絶縁層と同じ特性(例えば、同じ硬度)の絶縁層が得られない。このような異質な絶縁層の接触面においては、絶縁層の成長に伴い絶縁層の境界面が形成され、しかも、その境界面は絶縁層の成長面であることから、滑らかである。このため、突起部からなる凸状パターンを除去するとき、絶縁層(特にDLC膜)は、この境界で容易に分離される。さらに、この境界面、即ち、凹部側面となる傾斜角αは、導電性基材上の膜厚方向に対し突起部の側面で絶縁層の成長が遅れるため、結果として、境界面の傾斜角は、上記のように制御される。   In the formation of the insulating layer, the conductive base material does not become a shadow of the resist, and therefore the insulating layer on the conductive base material has uniform properties. On the other hand, the insulating layer is formed on the side surface of the convex pattern because the side surface of the convex pattern has an angle with respect to the film thickness direction on the conductive substrate. As for the film, an insulating layer having the same characteristics (for example, the same hardness) as the insulating layer on the conductive substrate cannot be obtained. In such a heterogeneous insulating layer contact surface, a boundary surface of the insulating layer is formed as the insulating layer grows, and the boundary surface is a growth surface of the insulating layer, and is smooth. For this reason, when the convex pattern consisting of the protrusions is removed, the insulating layer (particularly the DLC film) is easily separated at this boundary. Furthermore, the inclination angle α that becomes the boundary surface, that is, the side surface of the concave portion is that the growth of the insulating layer is delayed on the side surface of the protruding portion with respect to the film thickness direction on the conductive substrate. , Controlled as described above.

本発明において導電性基材上に形成された絶縁層の硬度は、10〜40GPaであることが好ましい。硬度が10GPa未満の絶縁層は軟質であり、めっき用導電性基材として繰り返して使用する場合に、耐久性が低くなる。硬度が40GPa以上では、導電性基材を折り曲げ等の加工をした際に基材の変形に追随できなくなり、絶縁層にひびや割れが発生するので好ましくない。より好ましくは12〜30GPaである。
これに対して、突起部側面に形成される絶縁層の硬度は1〜15GPaであることが好ましい。突起部側面に形成される絶縁層は、少なくとも導電性基材上に形成される絶縁層の硬度よりも低くなるように形成しなければならない。そうすることにより両者間に境界面が形成され、後の絶縁層の付着した凸状パターンを剥離する工程を経た後に、幅広な凹部が形成されることになる。突起部側面に形成される絶縁層の硬度は1〜10GPaであることがより好ましい。
In the present invention, the hardness of the insulating layer formed on the conductive substrate is preferably 10 to 40 GPa. An insulating layer having a hardness of less than 10 GPa is soft and has a low durability when repeatedly used as a conductive substrate for plating. A hardness of 40 GPa or more is not preferable because when the conductive substrate is processed such as bending, it cannot follow the deformation of the substrate and cracks and cracks occur in the insulating layer. More preferably, it is 12-30 GPa.
On the other hand, the hardness of the insulating layer formed on the side surface of the protrusion is preferably 1 to 15 GPa. The insulating layer formed on the side surface of the protrusion must be formed so as to be lower than at least the hardness of the insulating layer formed on the conductive substrate. By doing so, a boundary surface is formed between the two, and a wide concave portion is formed after a step of peeling the convex pattern to which the insulating layer is attached later. The hardness of the insulating layer formed on the side surface of the protrusion is more preferably 1 to 10 GPa.

絶縁層の硬度は、ナノインデンテーション法を用いて測定することができる。ナノインデンテーション法とは、先端形状がダイヤモンドチップから成る正三角錐(バーコビッチ型)の圧子を薄膜や材料の表面に押込み,そのときの圧子にかかる荷重と圧子の下の射影面積から硬度を求める。ナノインデンテーション法による測定として、ナノインデンターという装置が市販されている。導電性基材上に形成された膜の硬度はそのまま導電性基材上から圧子を押し込んで測定することができる。また突起部側面に形成される膜の硬度を測定するためには、導電性基材の一部を切り取って樹脂で注型し、断面から突起部側面に形成された絶縁層に圧子を押し込んで測定することができる。通常ナノインデンテーション法では圧子に1〜100mNの微少荷重をかけて硬度測定を行うが、本発明では3mNの荷重で10秒間負荷をかけて測定した値を硬度の値として記載している。
このようにして、めっき用導電性基材1を作製することができる。
The hardness of the insulating layer can be measured using a nanoindentation method. In the nanoindentation method, a regular triangular pyramid (Berkovic) indenter consisting of a diamond tip is pressed into the surface of a thin film or material, and the hardness is obtained from the load applied to the indenter and the projected area under the indenter. As a measurement by the nanoindentation method, a device called a nanoindenter is commercially available. The hardness of the film formed on the conductive substrate can be measured by pressing an indenter from the conductive substrate as it is. In addition, in order to measure the hardness of the film formed on the side surface of the protrusion, a part of the conductive substrate is cut out and cast with a resin, and an indenter is pushed into the insulating layer formed on the side surface of the protrusion from the cross section. Can be measured. Normally, in the nanoindentation method, the hardness is measured by applying a minute load of 1 to 100 mN to the indenter, but in the present invention, the value measured by applying a load of 3 mN for 10 seconds is described as the hardness value.
Thus, the electroconductive base material 1 for plating can be produced.

図4は、中間層を有するめっき用導電性基材とその前駆体の断面図を示す。
突起部6からなる凸状パターンが形成された導電性基材2の表面に、絶縁層7を形成する前に、中間層8を形成することが好ましい(図4(c′))。中間層としては、前記したものが使用でき、その形成方法も前記したとおりである。中間層8を形成した場合、得られるめっき用導電性基材は、凹部4の底部は、導電性基材2が露出しており、それ以外では、中間層8の上に絶縁層7が形成されている(図4(d′))。また、中間層は、凸状パターン6の形成前に、導電性基材2の表面に形成しても良い。この後、その表面に、前記したように導電性基材を露出させている凹部によって幾何学図形が描かれるように絶縁層を形成する工程を行っても良い。この場合、中間層として、電解めっきが十分可能な程度に導電性のものを使用した場合、凹部の底部はその中間層のままでよいが、十分な導電性を有していない場合は、ドライエッチング等の方法により、凹部の底部の中間層を除去し、導電性基材2を露出させる。
FIG. 4 shows a cross-sectional view of a conductive substrate for plating having an intermediate layer and its precursor.
It is preferable to form the intermediate layer 8 on the surface of the conductive substrate 2 on which the convex pattern composed of the protrusions 6 is formed, before forming the insulating layer 7 (FIG. 4 (c ′)). As the intermediate layer, those described above can be used, and the formation method is also as described above. When the intermediate layer 8 is formed, the conductive base material for plating obtained is such that the conductive base material 2 is exposed at the bottom of the recess 4, and otherwise, the insulating layer 7 is formed on the intermediate layer 8. (FIG. 4 (d ′)). The intermediate layer may be formed on the surface of the conductive substrate 2 before the convex pattern 6 is formed. Then, you may perform the process of forming an insulating layer on the surface so that a geometric figure may be drawn by the recessed part which has exposed the electroconductive base material as mentioned above. In this case, when an intermediate layer is used that is sufficiently conductive for electroplating, the bottom of the recess may remain the intermediate layer, but if it does not have sufficient conductivity, The intermediate layer at the bottom of the recess is removed by a method such as etching to expose the conductive substrate 2.

前記のめっき用導電性基材を用いて。そのめっき形成部に電解めっきが施される。
本発明におけるめっき浴としては硫酸銅浴が用いられる。硫酸銅浴は、硫酸銅及び硫酸を含む電解液である。その具体例としては次の配合からなるものがある。
Using the conductive substrate for plating. Electrolytic plating is applied to the plating forming portion.
A copper sulfate bath is used as the plating bath in the present invention. The copper sulfate bath is an electrolytic solution containing copper sulfate and sulfuric acid. Specific examples thereof include those having the following composition.

硫酸銅(五水和物) 50〜400 g/L(銅分として12〜100 g/L)
硫酸 50〜200 g/L
を含み、必要に応じて、塩素イオン、界面活性剤、光沢剤などを溶解・配合した水溶液が用いられる。塩素イオン源としては、塩酸、塩化ナトリウムなどがあり、20〜100mg/L使用することが好ましい。また、界面活性剤は、1〜20mL/L、光沢剤は、0.1〜10mL/L使用することがそれぞれ好ましい。界面活性剤に替わる薬剤として高分子多糖類、低分子膠を用いても対応可能である。好ましくは、界面活性剤は、必須成分とされ、光沢剤を含むことがさらに好ましい。
Copper sulfate (pentahydrate) 50-400 g / L (12-100 g / L as copper content)
Sulfuric acid 50-200 g / L
An aqueous solution in which chlorine ions, surfactants, brighteners and the like are dissolved and blended is used as necessary. Examples of the chlorine ion source include hydrochloric acid and sodium chloride, and it is preferable to use 20 to 100 mg / L. The surfactant is preferably used in an amount of 1 to 20 mL / L, and the brightener is preferably used in an amount of 0.1 to 10 mL / L. It is also possible to use high molecular polysaccharides and low molecular weight glues as chemicals instead of surfactants. Preferably, the surfactant is an essential component, and more preferably includes a brightening agent.

界面活性剤としては、アニオン系、カチオン系、ノニオン系又は両性の界面活性剤を用いることができる。特にノニオン系界面活性剤が好ましい。
ノニオン系界面活性剤としては、高分子界面活性剤を包含する概念であり、例えば、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリビニルアルコール、カルボキシメチルセルロース、ポリアクリルアミド等の高分子界面活性剤を包含する。また、このような高分子界面活性剤には、炭素数1〜20のアルカノール、フェノール、ナフトール、ビスフェノール化合物、炭素数1〜25のアルキルを有するアルキルフェノール、アリールアルキルフェノール、炭素数1〜25のアルキルを有するアルキルナフトール、炭素数1〜25のアルキルを有するアルコキシル化リン酸(塩)、ソルビタンエステル、スチレン化フェノール、ポリアルキレングリコール、炭素数1〜22の脂肪族アミン、炭素数1〜22の脂肪族アミドなどにエチレンオキシド又はプロピレンオキシドをどちらか又は両方併せて2〜300モル付加縮合したものなどがある。
カチオン系界面活性剤の例としては、ラウリルトリメチルアンモニウム塩、ステアリルトリメチルアンモニウム塩、ラウリルジメチルエチルアンモニウム塩、オクタデシルジメチルエチルアンモニウム塩、ジメチルベンジルラウリルアンモニウム塩、セチルジメチルベンジルアンモニウム塩、オクタデシルジメチルベンジルアンモニウム塩、トリメチルベンジルアンモニウム塩、トリエチルベンジルアンモニウム塩、ヘキサデシルピリジニウム塩、ラウリルピリジニウム塩、ドデシルピリジニウム塩、ステアリルアミンアセテート、ラウリルアミンアセテート、オクタデシルアミンアセテートなどが挙げられる。
アニオン系界面活性剤としては、アルキル硫酸塩、ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸塩、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩、アルキルベンゼンスルホン酸塩、(モノ−、ジ−又はトリ−)アルキルナフタレンスルホン酸塩などが挙げられる。アルキル硫酸塩としては、ラウリル硫酸ナトリウム、オレイル硫酸ナトリウムなどが挙げられる。ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸塩としては、ポリオキシエチレンノニルエーテル硫酸ナトリウム、ポリオキシエチレンドデシルエーテル硫酸ナトリウムなどが挙げられる。ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩としては、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル硫酸塩などが挙げられる。アルキルベンゼンスルホン酸塩としては、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウムなどが挙げられる。また、(モノ、ジ、トリ)アルキルナフタレンスルホン酸塩としては、ジブチルナフタレンスルホン酸ナトリウムなどが挙げられる。
両性界面活性剤としては、カルボキシベタイン、イミダゾリンベタイン、スルホベタイン、アミノカルボン酸などが挙げられる。また、エチレンオキシド及び/又はプロピレンオキシドとアルキルアミン又はジアミンとの縮合生成物の硫酸化、或はスルホン酸化付加物も使用できる。
光沢剤としては、有機硫黄化合物などが使用される。
有機硫黄化合物としては、例えば、ビス(3−スルホプロピル)ジスルフィド、ビス(2−スルホプロピル)ジスルフィド、ビス(3−スルホ−2−ヒドロキシプロピル)ジスルフィド、ビス(4−スルホブチル)ジスルフィド、ビス(p−スルホフェニル)ジスルフィド、3-メルカプト-1-プロパンスルホン酸、ジ−n−プロピル−チオエーテル−ジ−3−スルホン酸、3−(ベンゾチアゾリル−2−チオ)プロピルスルホン酸、N,N−ジメチル−ジチオカルバミン酸−(3−スルホプロピル)エステル、O−エチル−ジエチル炭酸−S−(3−スルホプロピル)エステル、チオ尿素及びその誘導体、S−(2−エチルアミド)−チオプロパンスルホン酸、S−(3−プロピルアミド)−チオプロパンスルホン酸、S−(4−ブチルアミド)−チオプロパンスルホン酸、S−(3−ブチルアミド)−チオプロパンスルホン酸、S−(3−プロピルアミド)−チオプロピル−2−ヒドロキシ−3−スルホン酸、S−(3−プロピルアミド)−チオフェニルスルホン酸、S−(N,N−ジメチル−3−プロピルアミド)−チオプロパンスルホン酸、S−(N−フェニル−3−プロピルアミド)−チオプロパンスルホン酸等、これらのナトリウム塩、カリウム塩などの塩がある。
本発明において、表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造(金属パターン作製工程)は、導電層形成工程及び黒化処理工程を含み、同一めっき浴中でこれらの工程が行われる。導電層形成工程において、電解液に浸漬させられた導電性基材(陰極)と陽極の間に印加される第1の電流密度の下に、導電性基材に対し電解めっきが行われ(すなわち、導電性基材の凹部(めっき形成部)に銅を析出させて)、導電性の銅金属層が形成される。
この銅層の体積抵抗率は、10μΩ/cm以下であることが好ましく、5μΩ/cm以下であることがさらに好ましい。この第1の電流密度の範囲としては正常な皮膜を生成する電流密度の上限を示す最大電流密度以下で、なおかつ正常な皮膜を生成するには下限となる臨界電流密度以上の範囲である。第1の電流密度は、具体的には、電解液の組成、添加物の種類、濃度、さらには循環方法や温度、攪拌方法などにより影響を受け、また、凹部のパターンにより影響を受けるので、一概に、規定できないが、好ましくは、0.5A/dm以上60A/dm以下の範囲で適宜決定される。その理由は臨界電流密度を外れると正常な皮膜が得られない。0.5A/dmを下回ると目標厚みまで析出するのに長時間必要とし、結果生産効率が低下し生産コストが下がらない、また60A/dmを超過すると析出銅が正常な皮膜にならずその後の転写などの工程に支障を及ぼす。この観点からは、第1電流密度は40A/dm以下であることが好ましい。
パターン状めっき形成部として凹部のパターンを有する導電性基材を用いるときは、導電層形成工程において、導電層を品質良く形成するためには、電流密度は小さい方が好ましいが、めっき速度をあげるためには電流密度は大きい方が好ましく、このときには、めっき液の流れや温度を調節して良質の導電層が形成されるよう調整することが好ましい。
第1電流密度は、0.5A/dm以上20A/dm以下であることが好ましい。
As the surfactant, an anionic, cationic, nonionic or amphoteric surfactant can be used. Nonionic surfactants are particularly preferable.
The nonionic surfactant is a concept that includes a polymeric surfactant, and includes, for example, polymeric surfactants such as polyethylene glycol, polypropylene glycol, polyvinyl alcohol, carboxymethyl cellulose, and polyacrylamide. In addition, such polymer surfactants include alkanols having 1 to 20 carbon atoms, phenols, naphthols, bisphenol compounds, alkylphenols having 1 to 25 carbons, arylalkylphenols, and alkyls having 1 to 25 carbons. Alkyl naphthol having, alkoxylated phosphoric acid (salt) having alkyl having 1 to 25 carbon atoms, sorbitan ester, styrenated phenol, polyalkylene glycol, aliphatic amine having 1 to 22 carbon atoms, aliphatic having 1 to 22 carbon atoms An amide or the like may be obtained by addition-condensation of 2 to 300 moles of ethylene oxide or propylene oxide, or both.
Examples of cationic surfactants include lauryl trimethyl ammonium salt, stearyl trimethyl ammonium salt, lauryl dimethyl ethyl ammonium salt, octadecyl dimethyl ethyl ammonium salt, dimethyl benzyl lauryl ammonium salt, cetyl dimethyl benzyl ammonium salt, octadecyl dimethyl benzyl ammonium salt, Examples include trimethylbenzylammonium salt, triethylbenzylammonium salt, hexadecylpyridinium salt, laurylpyridinium salt, dodecylpyridinium salt, stearylamine acetate, laurylamine acetate, and octadecylamine acetate.
Anionic surfactants include alkyl sulfates, polyoxyethylene alkyl ether sulfates, polyoxyethylene alkyl phenyl ether sulfates, alkyl benzene sulfonates, (mono-, di- or tri-) alkyl naphthalene sulfonates, etc. Is mentioned. Examples of the alkyl sulfate include sodium lauryl sulfate and sodium oleyl sulfate. Examples of the polyoxyethylene alkyl ether sulfate include sodium polyoxyethylene nonyl ether sulfate and sodium polyoxyethylene dodecyl ether sulfate. Examples of the polyoxyethylene alkylphenyl ether sulfate include polyoxyethylene nonylphenyl ether sulfate. Examples of the alkyl benzene sulfonate include sodium dodecylbenzene sulfonate. Examples of the (mono, di, tri) alkyl naphthalene sulfonate include sodium dibutyl naphthalene sulfonate.
Examples of amphoteric surfactants include carboxybetaine, imidazoline betaine, sulfobetaine, and aminocarboxylic acid. Further, sulfation of a condensation product of ethylene oxide and / or propylene oxide and an alkylamine or diamine, or a sulfonated adduct can also be used.
As the brightener, an organic sulfur compound or the like is used.
Examples of the organic sulfur compound include bis (3-sulfopropyl) disulfide, bis (2-sulfopropyl) disulfide, bis (3-sulfo-2-hydroxypropyl) disulfide, bis (4-sulfobutyl) disulfide, and bis (p -Sulfophenyl) disulfide, 3-mercapto-1-propanesulfonic acid, di-n-propyl-thioether-di-3-sulfonic acid, 3- (benzothiazolyl-2-thio) propylsulfonic acid, N, N-dimethyl- Dithiocarbamic acid- (3-sulfopropyl) ester, O-ethyl-diethyl carbonate-S- (3-sulfopropyl) ester, thiourea and its derivatives, S- (2-ethylamido) -thiopropanesulfonic acid, S- ( 3-propylamide) -thiopropanesulfonic acid, S- (4-butylamino) ) -Thiopropanesulfonic acid, S- (3-butylamido) -thiopropanesulfonic acid, S- (3-propylamido) -thiopropyl-2-hydroxy-3-sulfonic acid, S- (3-propylamido) -thio Phenylsulfonic acid, S- (N, N-dimethyl-3-propylamide) -thiopropanesulfonic acid, S- (N-phenyl-3-propylamide) -thiopropanesulfonic acid, and the like, and their sodium and potassium salts There is salt.
In the present invention, the production of a patterned copper metal layer whose surface has been blackened (metal pattern preparation step) includes a conductive layer forming step and a blackening treatment step, and these steps are performed in the same plating bath. In the conductive layer forming step, electrolytic plating is performed on the conductive substrate under a first current density applied between the conductive substrate (cathode) immersed in the electrolytic solution and the anode (ie, Then, copper is deposited in the concave portion (plating forming portion) of the conductive base material), and a conductive copper metal layer is formed.
The volume resistivity of the copper layer is preferably 10 μΩ / cm or less, more preferably 5 μΩ / cm or less. The range of the first current density is not more than the maximum current density indicating the upper limit of the current density for generating a normal film, and more than the critical current density which is the lower limit for generating a normal film. Specifically, the first current density is affected by the composition of the electrolyte, the type and concentration of the additive, and further by the circulation method, temperature, stirring method, and the like, and also by the pattern of the recesses. In general, it cannot be defined, but is preferably determined as appropriate in the range of 0.5 A / dm 2 or more and 60 A / dm 2 or less. The reason is that a normal film cannot be obtained if the critical current density is exceeded. If it is less than 0.5 A / dm 2 , it takes a long time to deposit to the target thickness. As a result, the production efficiency does not decrease and the production cost does not decrease, and if it exceeds 60 A / dm 2 , the deposited copper does not become a normal film. It interferes with subsequent processes such as transcription. From this viewpoint, the first current density is preferably 40 A / dm 2 or less.
When a conductive substrate having a concave pattern is used as the pattern-like plating forming portion, a smaller current density is preferable in order to form a conductive layer with good quality in the conductive layer forming step, but the plating rate is increased. For this purpose, it is preferable that the current density is large. In this case, it is preferable to adjust the flow and temperature of the plating solution so that a high-quality conductive layer is formed.
The first current density is preferably 0.5 A / dm 2 or more and 20 A / dm 2 or less.

前記の導電層形成工程の後、黒化処理工程が行われる。黒化処理工程において、導電性基材(陰極)と陽極の間に印加される第2の電流密度の下に、導電層形成工程で形成された銅層の表面に、黒化処理が施される。この第2の電流密度の範囲は正常な皮膜を生成する電流密度の上限を示す最大電流密度以上であり、拡散によるイオンの補給が限界に達し、電圧を上げても電流密度が増加しなくなる電流密度の最大値を示す限界電流密度以下であることが好ましい。第2の電流密度は、メッシュ形状や、他のめっき条件によって適正値は変化するので一概にいえないが、黒色度を勘案して適宜決定される。場合により第2の電流密度が1A/dmや10A/dmであっても黒化処理することができ、場合により、もっと高くないと黒化処理できないことがある。一般に、パターンが微細になるとより大きな電流密度が必要になる傾向がある。他の条件が同じなら、第2の電流密度は、一般に、選択した第1電流密度よりは大きい範囲から適宜選択される。第2の電流密度が大きすぎると析出銅は針状析出となり転写不良や粉落ちなどの不具合を生じる傾向がある。このため、第2の電流密度の上限は、100A/dmとすることが好ましい。 After the conductive layer forming process, a blackening process is performed. In the blackening treatment step, the blackening treatment is performed on the surface of the copper layer formed in the conductive layer formation step under the second current density applied between the conductive substrate (cathode) and the anode. The The range of the second current density is equal to or higher than the maximum current density indicating the upper limit of the current density for generating a normal film, and the current replenishment of ions by diffusion reaches the limit, and the current density does not increase even when the voltage is increased. It is preferable that the density is not more than the limit current density indicating the maximum density. The appropriate value of the second current density varies depending on the mesh shape and other plating conditions, and thus cannot be generally specified, but is appropriately determined in consideration of the blackness. In some cases, even when the second current density is 1 A / dm 2 or 10 A / dm 2 , the blackening process can be performed. In general, a finer pattern tends to require a larger current density. If the other conditions are the same, the second current density is generally appropriately selected from a range larger than the selected first current density. If the second current density is too large, the deposited copper tends to form needle-like precipitates and cause defects such as transfer failure and powder falling. For this reason, the upper limit of the second current density is preferably set to 100 A / dm 2 .

第2の電流密度は、一つに限らず、二つもしくはそれ以上を段階的に変化させて黒化皮膜として析出する粒子の大きさを制御するようにしてもよい。   The second current density is not limited to one, and two or more may be changed stepwise to control the size of particles deposited as a blackened film.

黒化処理工程においては、導電層形成工程で形成された銅金属層の表面に微粒子状の銅金属が電解めっきにより析出し、これにより黒色乃至茶褐色を帯びるようになる。この黒色は、微粒子状の銅金属がその下の導電層形成工程で形成された銅金属層上に析出した結果そのように見えるようになったものであり、そのような微粒子が銅金属層上に並んで、場合により重なって黒色乃至茶褐色金属層を形成しているといってよい。   In the blackening treatment process, fine copper metal is deposited by electrolytic plating on the surface of the copper metal layer formed in the conductive layer forming process, and thereby becomes black or brownish. This black color appears as a result of the deposition of finely divided copper metal on the copper metal layer formed in the conductive layer forming step underneath, and such fine particles appear on the copper metal layer. It can be said that a black or brown metal layer is formed by overlapping in some cases.

色の定量的な評価を行うために数値化することが求められ、その方法として国際照明委員会(CIE)ではいくつか規格化されているが、その中の代表的な方法としてL*a*b*表色系がある。これは、L*が明度を表し、a*は赤緑、b*は黄青の色相と彩度を示すものである。L*は完全な黒色(光の全吸収)は0で、反対に完全な白(光の全反射)は100で表される。   In order to quantitatively evaluate colors, numerical values are required, and several methods have been standardized by the International Commission on Illumination (CIE). Among them, L * a * There is a b * color system. In this case, L * represents lightness, a * represents reddish green, and b * represents yellowish blue hue and saturation. L * is 0 for perfect black (total absorption of light) and 100 for perfect white (total reflection of light).

ディスプレイの表示面などに使用される電磁波遮蔽材、透明アンテナ等のための導体層パターン付き基材は良好な光透過性が求められ、そのため導体層パターンによる被覆率をなるべく減少させることが好ましく、さらに外光を反射せず、透過光の輝度を引き立たせ画質を向上させるためには、導体層パターン自体は黒であることが望ましい。しかしながら導体層パターン付き基材は前記の理由からそれ自体が光透過性が高いために微細な形状の導体層パターン自体の色度(明度)を直接測定することは困難である。
そこで、開口率が約50%では、明度25の黒色を背景に、導体層パターン部分の明度を測定する。具体的には、導体層パターンの黒化処理面を上して、導体層パターン付き基材の下に明度25の黒色紙を敷き、明度を測定する。導体層パターンが良好な黒色ならば、明度L*は25乃至50の値となり、また色度a*とb*はともに5以下の値を示す。黒化処理において、このように黒色度を調整することが好ましい。一方、黒化処理の程度が不十分で銅本来の色が残存する場合は、明度L*は60以上の高い値を示し、色度a*、b*ともに赤みまたは黄色を示す5より大きい値となる。
また、開口率が大きくなると、上記の方法による明度では、黒色度を測ることは困難になるため、色度a*とb*により決定する。この方法は、開口率50%でも成り立つ。すなわち、開口率が40%以上では、上記と同様に明度25の黒色を背景に、導体層パターン部分の色度を測定し、色度a*とb*がともに3以下、好ましくは2以下の値を示すときは、導体層パターンが良好な黒色を示す。この場合に、開口率50%以上のメッシュ状導体層パターンであれば、その導体層パターンが良好な黒色を示すと共に、電磁波遮蔽材用途に適したものとなる。電磁波遮蔽材用途ではその光透過部の開口率が80%以上であることがより好ましい。
Electromagnetic wave shielding material used for the display surface of the display, a substrate with a conductor layer pattern for a transparent antenna or the like is required to have good light transmittance, and therefore it is preferable to reduce the coverage by the conductor layer pattern as much as possible, Further, in order to enhance the image quality by reflecting the brightness of transmitted light without reflecting external light, the conductor layer pattern itself is desirably black. However, since the base material with a conductor layer pattern itself has high light transmittance, it is difficult to directly measure the chromaticity (brightness) of the fine conductor layer pattern itself.
Therefore, when the aperture ratio is about 50%, the brightness of the conductor layer pattern portion is measured against a black background of brightness 25. Specifically, the blackened surface of the conductor layer pattern is raised, a black paper with a brightness of 25 is laid under the conductor layer patterned base material, and the brightness is measured. If the conductive layer pattern is good black, the lightness L * is a value of 25 to 50, and the chromaticities a * and b * are both 5 or less. In the blackening process, it is preferable to adjust the blackness in this way. On the other hand, when the degree of blackening is insufficient and the original color of copper remains, the lightness L * indicates a high value of 60 or more, and both the chromaticities a * and b * are values greater than 5 indicating redness or yellow. It becomes.
In addition, when the aperture ratio increases, it is difficult to measure the blackness with the lightness by the above method, and therefore, it is determined by the chromaticity a * and b *. This method is effective even with an aperture ratio of 50%. That is, when the aperture ratio is 40% or more, the chromaticity of the conductor layer pattern portion is measured against a black background having a brightness of 25 as described above, and both the chromaticities a * and b * are 3 or less, preferably 2 or less. When the value is shown, the conductor layer pattern shows a good black color. In this case, if the mesh-like conductor layer pattern has an aperture ratio of 50% or more, the conductor layer pattern exhibits a good black color and is suitable for use as an electromagnetic shielding material. In the electromagnetic wave shielding material application, it is more preferable that the aperture ratio of the light transmission part is 80% or more.

なお、色度は分光測色計CM−508d(コニカミノルタホールディングス)を使用し、反射モードに設定して測定できる。本計測機器の明度及び色度を測定する測色対象部は直径8mmの円形であり、その開口部の平均表色を求めることができる。   The chromaticity can be measured by using a spectrocolorimeter CM-508d (Konica Minolta Holdings) and setting the reflection mode. The colorimetric object part for measuring the brightness and chromaticity of this measuring device is a circle having a diameter of 8 mm, and the average color of the opening can be obtained.

導電層形成工程において、銅金属の厚さが0.1〜20μmになるように銅金属を析出させることが好ましい。十分な導電性を示す(例えば、電磁波シールド性が十分に発現されたり、キャパシタの集電体として十分機能する)ためには、0.1μm以上であることが好ましく、銅金属層にピンホールが形成される(このとき、例えば、電磁波シールド性や導電性が低下する)可能性を小さくするためには、3μm以上の厚さであることがさらに好ましい。また、めっき厚さが大きすぎると、析出した金属は幅方向にも広がるため、転写したラインの幅が広くなり、導体層付きパターン基材の開口率が低下し、透明性、非視認性が低下する。したがって、透明性、非視認性を確保するためには、析出した金属の厚みを20μm以下とすることが好ましく、さらに、めっきの析出時間を短縮し、生産効率をあげるためには、めっきの厚みは10μm以下であることがさらに好ましい。
黒化処理については、前述した明度又は色度を目安として処理される。黒化処理が進みすぎると細線部に粉落ちが発生しやすくなるので、注意を要する。
In the conductive layer forming step, it is preferable to deposit the copper metal so that the thickness of the copper metal is 0.1 to 20 μm. In order to exhibit sufficient conductivity (for example, sufficient electromagnetic shielding properties are exhibited or function sufficiently as a current collector of a capacitor), it is preferably 0.1 μm or more, and pinholes are formed in the copper metal layer. In order to reduce the possibility of being formed (in this case, for example, the electromagnetic wave shielding property or conductivity is lowered), the thickness is more preferably 3 μm or more. Also, if the plating thickness is too large, the deposited metal spreads in the width direction, so the width of the transferred line becomes wider, the aperture ratio of the pattern base material with the conductor layer decreases, and transparency and invisibility are reduced. descend. Therefore, in order to ensure transparency and invisibility, the thickness of the deposited metal is preferably 20 μm or less. Further, in order to shorten the plating deposition time and increase the production efficiency, the thickness of the plating is preferred. Is more preferably 10 μm or less.
The blackening process is performed with the lightness or chromaticity described above as a guide. If the blackening process proceeds too much, powder is likely to fall off in the thin line portion, so care must be taken.

剥離用基材により接着剤または粘着剤を介してめっき皮膜を断線や剥離不良なく良好に剥離するために、めっきは、絶縁層より1μm程度以上高く金属を析出させるように行うことが好ましい。
一方、析出する金属層の厚さに対して相対的に凹部がより深くなることにより、析出する金属層をより形状的に規正することができるという観点から、めっきにより形成される金属の厚さを絶縁層の高さの2倍以下とすることが好ましく、特に1.5倍以下、さらに1.2倍以下とすることが好ましいが、これに制限されるものではない。
めっきの程度を、析出する金属層が凹部内に存在する程度とすることができる。このような場合であっても、凹部形状が開口方向に幅広であるため、さらには、絶縁層により形成される凹部側面の表面を平滑にできるため、導体層パターンの剥離時のアンカー効果は極めて小さくできる。また、析出する金属層の幅に対する高さの割合を高くすることが可能となり、透過率をより向上させることができる。
In order to peel the plating film satisfactorily without disconnection or peeling failure through the adhesive or pressure-sensitive adhesive with the peeling substrate, it is preferable to perform the plating so that the metal is deposited by about 1 μm or more higher than the insulating layer.
On the other hand, the thickness of the metal formed by plating from the viewpoint that the recessed portion becomes deeper relative to the thickness of the deposited metal layer, so that the deposited metal layer can be more shaped. Is preferably not more than twice the height of the insulating layer, particularly preferably not more than 1.5 times, and more preferably not more than 1.2 times, but is not limited thereto.
The degree of plating can be such that the deposited metal layer is present in the recess. Even in such a case, since the concave shape is wide in the opening direction, and furthermore, the surface of the concave side surface formed by the insulating layer can be smoothed, the anchor effect at the time of peeling of the conductor layer pattern is extremely Can be small. Moreover, it becomes possible to make high the ratio of the height with respect to the width | variety of the metal layer to deposit, and to improve the transmittance | permeability more.

本発明のように、銅金属層の生成から黒化処理を連続して行うと、導体層形成工程と黒化処理工程の間に水洗処理、及び導体層の表面処理が不要になるために製造時間の短縮・コストの低減ができ、環境負荷も低減できる。   As in the present invention, when the blackening treatment is continuously performed from the formation of the copper metal layer, the water washing treatment and the surface treatment of the conductor layer are unnecessary between the conductor layer forming step and the blackening treatment step. Time can be reduced, costs can be reduced, and environmental impact can be reduced.

上記のようにしてめっき用導電性基材上に形成された、表面が黒化処理されたパターン化銅金属層を通常の方法で剥離することにより表面が黒化処理されたパターン化銅金属を得ることができる。この場合、剥離用基材として、別の基材に粘着剤層が積層されているものを使用し、表面が黒化処理されたパターン化銅金属層(黒化パターン化銅層という)が形成されているめっき用導電性基材の面に粘着剤を向けて、剥離用基材を圧着後、剥離し、黒化パターン化銅層を剥離用基材に転写してめっき用導電性基材から黒化パターン化銅層を剥離することもできる。黒化パターン化銅層は適宜、この剥離用基材から剥離して取得される。   The patterned copper metal whose surface has been blackened by peeling off the patterned copper metal layer whose surface has been blackened, formed on the conductive substrate for plating as described above, by an ordinary method. Obtainable. In this case, a patterned copper metal layer (referred to as a blackened patterned copper layer) whose surface is blackened is used as the base material for peeling. Direct the adhesive to the surface of the conductive substrate for plating, press the peeling substrate, peel it off, transfer the blackened patterned copper layer to the peeling substrate, and then remove the conductive substrate for plating The blackened patterned copper layer can also be peeled off. The blackened patterned copper layer is appropriately obtained by peeling from the peeling substrate.

本発明のめっき用導電性基材において、表面に形成されている絶縁層が末広がりな凸形状であるが、これは、導電性基材の表面に除去可能な凸状パターンを形成し、絶縁層を形成後に、絶縁層が付着している凸状パターンを除去することにより作製することができるため、その製造が容易で、生産性に富む。同様の理由で、本発明のめっき用導電性基材の製造法によれば、工程数が少なく、特に、絶縁層が末広がりな凸形状を容易に作製することができるため、それを生産効率よく製造できる。   In the conductive base material for plating of the present invention, the insulating layer formed on the surface has a convex shape that spreads out, but this forms a convex pattern that can be removed on the surface of the conductive base material. Since the convex pattern to which the insulating layer is attached can be removed after forming the film, its manufacture is easy and the productivity is high. For the same reason, according to the method for producing a conductive substrate for plating of the present invention, the number of steps is small, and in particular, a convex shape with a diverging insulating layer can be easily produced. Can be manufactured.

本発明におけるパターン化銅金属層は、前記しためっき用導電性基材の形状に対応したものとなり、平面形状として、正三角形、二等辺三角形、直角三角形などの三角形、正方形、長方形、ひし形、平行四辺形、台形などの四角形、(正)六角形、(正)八角形、(正)十二角形、(正)二十角形などの(正)n角形(nは3以上の整数)、円、だ円、星型などの貫通孔がある金属箔、このような形状の凹部がある金属箔、このような形状の個々に分離された金属箔等であり、めっき後にめっき用導電性基材から剥がしやすくするためには、貫通孔がある場合でも連続した箔であることが好ましい。なお、形状は、目的に応じて選択される。このような形状は、組合せて使用できる。また、貫通孔又は凹部の大きさ、分布密度は、目的応じて適宜決定される。   The patterned copper metal layer in the present invention corresponds to the shape of the conductive substrate for plating described above, and as a planar shape, a triangle such as a regular triangle, an isosceles triangle, a right triangle, a square, a rectangle, a rhombus, and a parallel shape. Quadrilaterals, trapezoids, and other quadrangles, (positive) hexagons, (positive) octagons, (positive) dodecagons, (positive) dodecagons, and other (positive) n-gons (n is an integer greater than or equal to 3), circles Metal foils with through-holes such as ellipses and stars, metal foils with recesses of such shapes, individually separated metal foils of such shapes, etc., conductive substrates for plating after plating In order to make it easy to peel off, it is preferable that the foil is a continuous foil even when there are through holes. The shape is selected according to the purpose. Such shapes can be used in combination. Further, the size and distribution density of the through holes or the recesses are appropriately determined according to the purpose.

図5はパターン化銅金属層の一例である穴あき銅箔の一部を示す底面図である。図中、3個の同心円からなる一組の円群が6組描いてあるが、これらは、左右上下方向に適宜の回数千鳥状に繰り返されているものとする。また、図5中のA−A′断面図に相当するものを図6に示すが、図6においては、パターン化銅金属層がめっき用導電性基材上に存在する状態を示す。
パターン化銅金属層9には、穴10が貫通している。穴10の周りには、段差部11及びこの段差部11に続いて小さな幅の傾斜部12が存在する。段差部11及び傾斜部12は、導電性基材2の上の絶縁層3及びこれにより形成される導電性基材2の上の凹部に対応するものであり、傾斜部12は、絶縁層3の末広がりの傾斜部に対応して形成される。すなわち、傾斜部12には図6において、内周(最小径)と外周(最大径)が表現されるが、直径の小さな内周(段差部11の端)から直径の大きな外周に向かって傾斜している。段差部11は、めっきがめっき用導電性基材の凹部から絶縁層3に覆い被さるように形成された部分に対応する。従って、段差部11におけるパターン化銅金属層9の厚さは、絶縁層3に覆い被さるように形成された部分であるため、穴10に近い部分ほど厚さが小さくなり、また、その底面は、めっき形成部である凹部に対応するパターン化銅金属層9の底面より、絶縁層3の厚さの分だけ高くなる。
FIG. 5 is a bottom view showing a part of a perforated copper foil which is an example of a patterned copper metal layer. In the figure, six pairs of circles each composed of three concentric circles are drawn, and these are repeated in a zigzag manner at an appropriate number of times in the horizontal and vertical directions. FIG. 6 shows an AA ′ cross-sectional view in FIG. 5, and FIG. 6 shows a state in which the patterned copper metal layer is present on the conductive substrate for plating.
A hole 10 penetrates the patterned copper metal layer 9. Around the hole 10, there is a stepped portion 11 and an inclined portion 12 having a small width following the stepped portion 11. The step portion 11 and the inclined portion 12 correspond to the insulating layer 3 on the conductive substrate 2 and the concave portion on the conductive substrate 2 formed thereby, and the inclined portion 12 corresponds to the insulating layer 3. It is formed corresponding to the inclined part that spreads toward the end. That is, in FIG. 6, the inclined portion 12 represents the inner circumference (minimum diameter) and the outer circumference (maximum diameter). is doing. The step portion 11 corresponds to a portion formed so that plating covers the insulating layer 3 from the concave portion of the conductive base material for plating. Therefore, since the thickness of the patterned copper metal layer 9 in the step portion 11 is a portion formed so as to cover the insulating layer 3, the portion closer to the hole 10 has a smaller thickness, and its bottom surface is The thickness of the insulating layer 3 is higher than the bottom surface of the patterned copper metal layer 9 corresponding to the concave portion which is the plating forming portion.

図7は、パターン化銅金属層の別の例を示す断面図であり、図6と同様にめっき用導電性基材上に存在する状態を示す。導電性基材2上の凹部に析出しためっきは、絶縁層3の上に乗り上げるように成長して貫通孔はないが、絶縁層3に対応した凹部を有するパターン化銅金属層9となる。上記の絶縁層3を紙面の表裏方向に伸ばし、幅を小さくしたものにすることにより、パターン化銅金属層に微細は溝を形成することができる。この溝を内部が埋まらないように適当な材料で塞ぐことにより、微細な液体又は気体の流路をたやすく形成することができる。従って、ヒートシンク、微量薬物の供給流路等に応用が可能である。なお、上記の適当な材料としては、溝や凹部のない平らな銅箔、上記のパターン化銅金属層自体(溝が対向するよう、又は、溝を通する面が対向するが溝が重ならないように貼り合わせる)などがあり、上記のパターン化銅金属層を複数枚、同一の向きに積層してもよく、最後の露出している溝を含む面は、適当な材料で塞ぐことができる。   FIG. 7 is a cross-sectional view showing another example of the patterned copper metal layer, and shows a state existing on the electroconductive substrate for plating as in FIG. The plating deposited in the recesses on the conductive substrate 2 grows on the insulating layer 3 and has no through-holes, but becomes a patterned copper metal layer 9 having recesses corresponding to the insulating layer 3. By extending the insulating layer 3 in the front and back direction of the paper and reducing the width, fine grooves can be formed in the patterned copper metal layer. By closing the groove with an appropriate material so that the inside is not filled, a fine liquid or gas flow path can be easily formed. Accordingly, the present invention can be applied to a heat sink, a supply channel for a small amount of drug, and the like. In addition, as said appropriate material, flat copper foil without a groove | channel or a recessed part, said patterned copper metal layer itself (The groove | channel is opposed, or the surface which passes a groove | channel is opposed, but a groove | channel does not overlap. A plurality of the patterned copper metal layers may be stacked in the same direction, and the surface including the last exposed groove can be closed with a suitable material. .

本発明において、導体層パターン付き基材は、
(イ)前記のめっき用導電性基材上に表面が黒化処理されたパターン化銅金属層(導体層パターン)を形成する工程
及び
(ロ)上記導電性基材の凹部に析出させた金属を別の基材に転写する工程
を含む方法により製造される。
上記(イ)の工程は前記したとおりである。次に、上記(ロ)の工程について説明する。
In the present invention, the substrate with a conductor layer pattern is
(B) a step of forming a patterned copper metal layer (conductor layer pattern) whose surface is blackened on the conductive substrate for plating; and (b) metal deposited in the recesses of the conductive substrate. Is produced by a method including a step of transferring the material to another substrate.
The step (a) is as described above. Next, the process (b) will be described.

前記した別の基材(導体層パターンが転写される基材)としては、ガラス、プラスチック等からなる板、プラスチックフィルム、プラスチックシートなどがある。ガラスとしては、ソーダガラス、無アルカリガラス、強化ガラス等のガラスを使用することができる。
プラスチックとしては、ポリスチレン樹脂、アクリル樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂などの熱可塑性ポリエステル樹脂、酢酸セルロース樹脂、フッ素樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリメチルペンテン樹脂、ポリウレタン樹脂、フタル酸ジアリル樹脂などの熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂が挙げられる。プラスチックの中では、透明性に優れるポリスチレン樹脂、アクリル樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂が好適に用いられる。別の基材の厚みは、0.5mm〜5mmがディスプレイの保護や強度、取扱い性から好ましい。
Examples of the other base material (the base material on which the conductor layer pattern is transferred) include a plate made of glass or plastic, a plastic film, a plastic sheet, and the like. As the glass, glass such as soda glass, non-alkali glass, and tempered glass can be used.
Plastics include polystyrene resin, acrylic resin, polymethyl methacrylate resin, polycarbonate resin, polyvinyl chloride resin, polyvinylidene chloride resin, polyethylene resin, polypropylene resin, polyamide resin, polyamideimide resin, polyetherimide resin, polyetheretherketone Resin, polyarylate resin, polyacetal resin, polybutylene terephthalate resin, thermoplastic polyester resin such as polyethylene terephthalate resin, cellulose acetate resin, fluororesin, polysulfone resin, polyethersulfone resin, polymethylpentene resin, polyurethane resin, diallyl phthalate Examples thereof include thermoplastic resins such as resins and thermosetting resins. Among plastics, polystyrene resin, acrylic resin, polymethyl methacrylate resin, polycarbonate resin, and polyvinyl chloride resin, which are excellent in transparency, are preferably used. The thickness of another substrate is preferably 0.5 mm to 5 mm from the viewpoint of protection of the display, strength, and handleability.

本発明における別の基材は、プラスチックフィルムが好ましい。このプラスチックフィルムとしては、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレートなどのポリエステル類、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、EVAなどのポリオレフィン類、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデンなどのビニル系樹脂、ポリサルホン、ポリエーテルサルホン、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリイミド、アクリル樹脂などのプラスチックからなるフィルムで全可視光透過率が70%以上のものが好ましい。これらは単層で使うこともできるが、2層以上を組合せた多層フィルムとして使用してもよい。前記プラスチックフィルムのうち透明性、耐熱性、取り扱いやすさ、価格の点からポリエチレンテレフタレートフィルムまたはポリカーボネートフィルムが特に好ましい。
上記プラスチックフィルムの厚さは特に制限はないが、1mm以下のものが好ましく、厚すぎると可視光透過率が低下しやすくなる傾向がある。また、薄く成りすぎると取扱い性が悪くなることを勘案すると、上記プラスチックフィルムの厚さは5〜500μmがより好ましく、50〜200μmとすることがさらに好ましい。
これらのプラスチックフィルム等の基材は、ディスプレイの前面からの電磁波の漏洩を防ぐための電磁波シールドフィルムとして使用するためには、透明であるもの(すなわち、透明基材)が好ましい。
Another substrate in the present invention is preferably a plastic film. The plastic film includes polyesters such as polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate, polyolefins such as polyethylene, polypropylene, polystyrene, and EVA, vinyl resins such as polyvinyl chloride and polyvinylidene chloride, polysulfone, and polyethersulphate. A film made of a plastic such as phon, polycarbonate, polyamide, polyimide, acrylic resin and the like having a total visible light transmittance of 70% or more is preferable. These can be used as a single layer, but may be used as a multilayer film in which two or more layers are combined. Among the plastic films, a polyethylene terephthalate film or a polycarbonate film is particularly preferable from the viewpoints of transparency, heat resistance, ease of handling, and cost.
Although there is no restriction | limiting in particular in the thickness of the said plastic film, The thing of 1 mm or less is preferable, and when it is too thick, there exists a tendency for visible light transmittance | permeability to fall easily. In consideration of the fact that if the film is too thin, the handleability deteriorates, the thickness of the plastic film is more preferably 5 to 500 μm, and further preferably 50 to 200 μm.
These substrates such as plastic films are preferably transparent (that is, transparent substrates) in order to be used as an electromagnetic wave shielding film for preventing leakage of electromagnetic waves from the front surface of the display.

上記の別の基材の導体層パターンが転写される面は、転写する際に粘着性を有していることが必要である。そのためには、基材自体が必要な粘着性を有していてもよいが、転写面に粘着層を積層しておくことが好ましい。
上記の粘着層は、転写時に粘着性を有しているもの又は加熱若しくは加圧下に粘着性を示すものが好ましい。粘着性を有しているものとしては、ガラス転移温度が20℃以下の樹脂が好ましく、ガラス転移温度が0℃以下である樹脂を用いることが最も好ましい。粘着層に用いる材料としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、活性エネルギー線の照射で硬化する樹脂等を使用することができる。加熱時に粘着性を示す場合、そのときの温度が高すぎると、透明基材にうねりやたるみ、カール等の変形が起こることがあるので、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、活性エネルギー線の照射で硬化する樹脂のガラス転移点は80℃以下であることが好ましい。上記熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、活性エネルギー線の照射で硬化する樹脂の重量平均分子量は、500以上のものを使用することが好ましい。分子量が500未満では樹脂の凝集力が低すぎるために金属との密着性が低下するおそれがある。
The surface on which the conductor layer pattern of another substrate is transferred needs to have adhesiveness when transferred. For this purpose, the substrate itself may have the necessary adhesiveness, but it is preferable to laminate an adhesive layer on the transfer surface.
The adhesive layer is preferably one that has adhesiveness at the time of transfer or one that exhibits adhesiveness under heating or pressurization. As the adhesive, a resin having a glass transition temperature of 20 ° C. or lower is preferable, and a resin having a glass transition temperature of 0 ° C. or lower is most preferable. As a material used for the adhesive layer, a thermoplastic resin, a thermosetting resin, a resin that is cured by irradiation with active energy rays, or the like can be used. If it shows adhesiveness when heated, if the temperature at that time is too high, the transparent base material may be deformed such as swell, sag, curl, etc., so irradiation with thermoplastic resin, thermosetting resin, active energy rays It is preferable that the glass transition point of the resin that is cured at 80 ° C. or less. The thermoplastic resin, thermosetting resin, and resin cured by irradiation with active energy rays preferably have a weight average molecular weight of 500 or more. If the molecular weight is less than 500, the cohesive strength of the resin is too low, and the adhesion to the metal may be reduced.

上記の熱可塑性樹脂として代表的なものとして以下のものがあげられる。たとえば天然ゴム、ポリイソプレン、ポリ−1,2−ブタジエン、ポリイソブテン、ポリブテン、ポリ−2−ヘプチル−1,3−ブタジエン、ポリ−2−t−ブチル−1,3−ブタジエン、ポリ−1,3−ブタジエン)などの(ジ)エン類、ポリオキシエチレン、ポリオキシプロピレン、ポリビニルエチルエーテル、ポリビニルヘキシルエーテル、ポリビニルブチルエーテルなどのポリエーテル類、ポリビニルアセテート、ポリビニルプロピオネートなどのポリエステル類、ポリウレタン、エチルセルロース、ポリ塩化ビニル、ポリアクリロニトリル、ポリメタクリロニトリル、ポリスルホン、ポリスルフィド、フェノキシ樹脂、ポリエチルアクリレート、ポリブチルアクリレート、ポリ−2−エチルヘキシルアクリレート、ポリ−t−ブチルアクリレート、ポリ−3−エトキシプロピルアクリレート)、ポリオキシカルボニルテトラメタクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリイソプロピルメタクリレート、ポリドデシルメタクリレート、ポリテトラデシルメタクリレート、ポリ−n−プロピルメタクリレート、ポリ−3,3,5−トリメチルシクロヘキシルメタクリレート、ポリエチルメタクリレート、ポリ−2−ニトロ−2−メチルプロピルメタクリレート、ポリ−1,1−ジエチルプロピルメタクリレート、ポリメチルメタクリレートなどのポリ(メタ)アクリル酸エステルが使用可能である。これらのポリマを構成するモノマーは、必要に応じて、2種以上共重合させて得られるコポリマとして用いてもよいし、以上のポリマ又はコポリマを2種類以上ブレンドして使用することも可能である。   Typical examples of the thermoplastic resin include the following. For example, natural rubber, polyisoprene, poly-1,2-butadiene, polyisobutene, polybutene, poly-2-heptyl-1,3-butadiene, poly-2-t-butyl-1,3-butadiene, poly-1,3 -Dienes such as butadiene), polyethers such as polyoxyethylene, polyoxypropylene, polyvinyl ethyl ether, polyvinyl hexyl ether and polyvinyl butyl ether, polyesters such as polyvinyl acetate and polyvinyl propionate, polyurethane, ethyl cellulose , Polyvinyl chloride, polyacrylonitrile, polymethacrylonitrile, polysulfone, polysulfide, phenoxy resin, polyethyl acrylate, polybutyl acrylate, poly-2-ethylhexyl acrylate, poly-t-butyl Acrylate, poly-3-ethoxypropyl acrylate), polyoxycarbonyl tetramethacrylate, polymethyl acrylate, polyisopropyl methacrylate, polydodecyl methacrylate, polytetradecyl methacrylate, poly-n-propyl methacrylate, poly-3,3,5-trimethyl Poly (meth) acrylic acid esters such as cyclohexyl methacrylate, polyethyl methacrylate, poly-2-nitro-2-methylpropyl methacrylate, poly-1,1-diethylpropyl methacrylate, and polymethyl methacrylate can be used. The monomers constituting these polymers may be used as a copolymer obtained by copolymerization of two or more, if necessary, or may be used by blending two or more of the above polymers or copolymers. .

活性エネルギー線で硬化する樹脂としては、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂等をベースポリマとし、各々にラジカル重合性あるいはカチオン重合性官能基を付与させた材料が例示できる。ラジカル重合性官能基として、アクリル基(アクリロイル基),メタクリル基(メタクリロイル基),ビニル基,アリル基などの炭素−炭素二重結合があり、反応性の良好なアクリル基(アクリロイル基)が好適に用いられる。カチオン重合性官能基としては、エポキシ基(グリシジルエーテル基、グリシジルアミン基)が代表的であり、高反応性の脂環エポキシ基が好適に用いられる。具体的な材料としては、アクリルウレタン、エポキシ(メタ)アクリレート、エポキシ変性ポリブタジエン、エポキシ変性ポリエステル、ポリブタジエン(メタ)アクリレート、アクリル変性ポリエステル等が挙げられる。活性エネルギー線としては、紫外線、電子線等が利用される。
活性エネルギー線が紫外線の場合、紫外線硬化時に添加される光増感剤あるいは光開始剤としては、ベンゾフェノン系、アントラキノン系、ベンゾイン系、スルホニウム塩、ジアゾニウム塩、オニウム塩、ハロニウム塩等の公知の材料を使用することができる。また、上記の材料の他に汎用の熱可塑性樹脂をブレンドしても良い。
Examples of the resin curable with active energy rays include materials in which an acrylic resin, an epoxy resin, a polyester resin, a urethane resin, or the like is used as a base polymer and a radically polymerizable or cationically polymerizable functional group is added to each. As radically polymerizable functional groups, there are carbon-carbon double bonds such as acrylic group (acryloyl group), methacryl group (methacryloyl group), vinyl group, allyl group, etc., and highly reactive acrylic group (acryloyl group) is suitable. Used for. As the cationically polymerizable functional group, an epoxy group (glycidyl ether group or glycidylamine group) is representative, and a highly reactive alicyclic epoxy group is preferably used. Specific materials include acrylic urethane, epoxy (meth) acrylate, epoxy-modified polybutadiene, epoxy-modified polyester, polybutadiene (meth) acrylate, and acrylic-modified polyester. As the active energy rays, ultraviolet rays, electron beams and the like are used.
When the active energy ray is ultraviolet, photosensitizers or photoinitiators added at the time of ultraviolet curing include known materials such as benzophenone, anthraquinone, benzoin, sulfonium salt, diazonium salt, onium salt, and halonium salt. Can be used. In addition to the above materials, a general-purpose thermoplastic resin may be blended.

熱硬化性樹脂としては、天然ゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、ポリイソブチレン、ブチルゴム、ハロゲン化ブチル、アクリロニトリル−ブタジエンゴム、スチレン−ブタジエンゴム、ポリイソブテン、カルボキシゴム、ネオプレン、ポリブタジエン等の樹脂と架橋剤としての硫黄、アニリンホルムアルデヒド樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂、フェノールホルムアルデヒド樹脂、リグリン樹脂、キシレンホルムアルデヒド樹脂、キシレンホルムアルデヒド樹脂、メラミンホルムアルデヒド樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、アニリン樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、ホルマリン樹脂、金属酸化物、金属塩化物、オキシム、アルキルフェノール樹脂等の組み合わせで用いられるものがある。なおこれらには、架橋反応速度を増加する目的で、汎用の加硫促進剤等の添加剤を使用することもできる。   As thermosetting resins, natural rubber, isoprene rubber, chloroprene rubber, polyisobutylene, butyl rubber, halogenated butyl, acrylonitrile-butadiene rubber, styrene-butadiene rubber, polyisobutene, carboxy rubber, neoprene, polybutadiene and the like as crosslinking agents Sulfur, aniline formaldehyde resin, urea formaldehyde resin, phenol formaldehyde resin, ligrin resin, xylene formaldehyde resin, xylene formaldehyde resin, melamine formaldehyde resin, epoxy resin, urea resin, aniline resin, melamine resin, phenol resin, formalin resin, metal oxide Products, metal chlorides, oximes, alkylphenol resins and the like. In addition, for these purposes, additives such as general-purpose vulcanization accelerators can be used for the purpose of increasing the crosslinking reaction rate.

熱硬化性樹脂として、硬化剤を利用するものとしては、カルボキシル基、水酸基、エポキシ基、アミノ基、不飽和炭化水素基等の官能基を有する樹脂とエポキシ基、水酸基、アミノ基、アミド基、カルボキシル基、チオール基等の官能基を有する硬化剤あるいは金属塩化物、イソシアネート、酸無水物、金属酸化物、過酸化物等の硬化剤との組み合わせで用いられるものがある。なお、硬化反応速度を増加する目的で、汎用の触媒等の添加剤を使用することもできる。具体的には、硬化性アクリル樹脂組成物、不飽和ポリエステル樹脂組成物、ジアリルフタレート樹脂、エポキシ樹脂組成物、ポリウレタン樹脂組成物等が例示される。   As a thermosetting resin, those using a curing agent include a resin having a functional group such as a carboxyl group, a hydroxyl group, an epoxy group, an amino group, an unsaturated hydrocarbon group, an epoxy group, a hydroxyl group, an amino group, an amide group, Some are used in combination with a curing agent having a functional group such as a carboxyl group or a thiol group, or a curing agent such as a metal chloride, isocyanate, acid anhydride, metal oxide, or peroxide. In addition, for the purpose of increasing the curing reaction rate, additives such as general-purpose catalysts can be used. Specific examples include curable acrylic resin compositions, unsaturated polyester resin compositions, diallyl phthalate resins, epoxy resin compositions, polyurethane resin compositions, and the like.

さらに、熱硬化性樹脂又は活性エネルギー線で硬化する樹脂としては、アクリル酸又はメタクリル酸の付加物が好ましいものとして例示できる。
アクリル酸又はメタクリル酸の付加物としては、エポキシアクリレート(n=1.48〜1.60)、ウレタンアクリレート(n=1.5〜1.6)、ポリエーテルアクリレート(n=1.48〜1.49)、ポリエステルアクリレート(n=1.48〜1.54)なども使うこともできる。特に接着性の点から、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、ポリエーテルアクリレートが優れており、エポキシアクリレートとしては、1、6−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、アリルアルコールジグリシジルエーテル、レゾルシノールジグリシジルエーテル、アジピン酸ジグリシジルエステル、フタル酸ジグリシジルエステル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、グリセリントリグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールテトラグリシジルエーテル、ソルビトールテトラグリシジルエーテル等の(メタ)アクリル酸付加物が挙げられる。エポキシアクリレートなどのように分子内に水酸基を有するポリマは接着性向上に有効である。これらの共重合樹脂は必要に応じて、2種以上併用することができる。
Furthermore, as a thermosetting resin or a resin curable with an active energy ray, an adduct of acrylic acid or methacrylic acid can be exemplified as a preferable one.
As an adduct of acrylic acid or methacrylic acid, epoxy acrylate (n = 1.48 to 1.60), urethane acrylate (n = 1.5 to 1.6), polyether acrylate (n = 1.48 to 1) .49), polyester acrylate (n = 1.48 to 1.54), and the like can also be used. In particular, urethane acrylate, epoxy acrylate, and polyether acrylate are excellent from the viewpoint of adhesiveness. Examples of epoxy acrylate include 1,6-hexanediol diglycidyl ether, neopentyl glycol diglycidyl ether, allyl alcohol diglycidyl ether, and resorcinol. (Meth) acrylic such as diglycidyl ether, diglycidyl adipate, diglycidyl phthalate, polyethylene glycol diglycidyl ether, trimethylolpropane triglycidyl ether, glycerin triglycidyl ether, pentaerythritol tetraglycidyl ether, sorbitol tetraglycidyl ether An acid adduct is mentioned. A polymer having a hydroxyl group in the molecule, such as epoxy acrylate, is effective in improving adhesion. These copolymer resins can be used in combination of two or more as required.

本発明で粘着性を有しているもの又は粘着性を示すもの(以下、これらを、「粘着剤」という)には、必要に応じて、架橋剤、硬化剤、希釈剤、可塑剤、酸化防止剤、充填剤、着色剤、紫外線吸収剤や粘着付与剤などの添加剤を配合してもよい。   In the present invention, those having adhesiveness or those exhibiting adhesiveness (hereinafter referred to as “adhesive”) are optionally cross-linking agent, curing agent, diluent, plasticizer, oxidation You may mix | blend additives, such as an inhibitor, a filler, a coloring agent, a ultraviolet absorber, and a tackifier.

粘着層の厚さは、薄すぎると十分な強度を得られないため、めっきで形成された金属層を転写する際に、金属が粘着層に密着せず、転写不良が発生することがある。したがって、粘着層の厚みは、1μm以上であることが好ましく、量産時の転写信頼性を確保するためには3μm以上であることが更に好ましい。また、粘着層の厚さが厚いと、粘着層の製造コストが高くなるとともに、ラミネートした際に、粘着層の変形量が多くなるため、粘着層の厚みは30μm以下が好ましく、15μm以下がさらに好ましい。
別の基材に粘着剤を塗布して形成した粘着層を有するフィルムを、金属層が形成されている面に貼り合わせる際には、粘着剤の特性に応じて、必要ならば加熱される。
If the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is too thin, sufficient strength cannot be obtained. Therefore, when transferring a metal layer formed by plating, the metal does not adhere to the pressure-sensitive adhesive layer, and transfer failure may occur. Accordingly, the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is preferably 1 μm or more, and more preferably 3 μm or more in order to ensure transfer reliability during mass production. Further, if the thickness of the adhesive layer is large, the manufacturing cost of the adhesive layer increases, and the amount of deformation of the adhesive layer increases when laminated, so the thickness of the adhesive layer is preferably 30 μm or less, and more preferably 15 μm or less. preferable.
When a film having a pressure-sensitive adhesive layer formed by applying a pressure-sensitive adhesive to another substrate is bonded to the surface on which the metal layer is formed, the film is heated if necessary according to the characteristics of the pressure-sensitive adhesive.

本発明おける導体層パターン付き基材の導体層パターン(本発明では、片面は少なくとも黒化処理されている)をディスプレイ前面の電磁波遮蔽層や、透明アンテナ等として利用するときは、そのライン幅は、40μm以下、ライン間隔は50μm以上の範囲とすることが好ましい。また、導体層パターンの非視認性の観点からはライン幅は25μm以下、可視光透過率の点からライン間隔は120μm以上がさらに好ましい。ライン幅は、あまりに小さく細くなると表面抵抗が大きくなりすぎて遮蔽効果に劣るので1μm以上が好ましい。ライン間隔は、大きいほど開口率は向上し、可視光透過率は向上する。本発明によって得られる導体層パターンをディスプレイ前面に使用する場合、開口率は50%以上が必要であるが、60%以上がさらに好ましく、特に80%以上が好ましい。ライン間隔が大きくなり過ぎると、電磁波遮蔽性が低下するため、ライン間隔は1000μm(1mm)以下とするのが好ましい。なお、ライン間隔は、幾何学図形等の組合せで複雑となる場合、繰り返し単位を基準として、その面積を正方形の面積に換算してその一辺の長さをライン間隔とする。可視光透過率の点からライン間隔は、50μm以上が好ましく、100μm以上がより好ましく、120μm以上が特に好ましい。ライン間隔は、大きいほど開口率は向上し、可視光透過率は向上する。   When the conductor layer pattern of the substrate with a conductor layer pattern according to the present invention (in the present invention, at least one side is blackened) is used as an electromagnetic wave shielding layer on the front surface of the display, a transparent antenna or the like, the line width is 40 μm or less, and the line interval is preferably 50 μm or more. Further, the line width is more preferably 25 μm or less from the viewpoint of non-visibility of the conductor layer pattern, and the line interval is more preferably 120 μm or more from the viewpoint of visible light transmittance. If the line width is too small and thin, the surface resistance becomes too large and the shielding effect is inferior, so 1 μm or more is preferable. The larger the line spacing, the better the aperture ratio and the visible light transmittance. When the conductor layer pattern obtained by the present invention is used on the front surface of the display, the aperture ratio needs to be 50% or more, more preferably 60% or more, and particularly preferably 80% or more. If the line interval becomes too large, the electromagnetic wave shielding property is deteriorated. Therefore, the line interval is preferably set to 1000 μm (1 mm) or less. When the line interval is complicated by a combination of geometric figures or the like, the area is converted into a square area with the repetition unit as a reference, and the length of one side is set as the line interval. From the viewpoint of visible light transmittance, the line interval is preferably 50 μm or more, more preferably 100 μm or more, and particularly preferably 120 μm or more. The larger the line spacing, the better the aperture ratio and the visible light transmittance.

また、導体層パターン(本発明では、少なくとも片面は黒化処理されている)の厚みは100μm以下が好ましい。ディスプレイ前面の電磁波遮蔽シートとして適用した場合、厚みが薄いほどディスプレイの視野角が広がり電磁波遮蔽材料として好ましく、また、金属層をめっきにより形成させるのにかかる時間を短縮することにもなるので40μm以下とすることがより好ましく、18μm以下であることがさらに好ましい。あまりに厚みが薄いと表面抵抗が大きくなりすぎて電磁波遮蔽効果に劣るようになり、また、導体層パターンの強度が劣り、転写時の導電性基材からの剥離が困難になるため0.5μm以上が好ましく、さらに1μm以上がさらに好ましい。   The thickness of the conductor layer pattern (in the present invention, at least one surface is blackened) is preferably 100 μm or less. When applied as an electromagnetic shielding sheet on the front surface of the display, the thinner the thickness, the wider the viewing angle of the display, which is preferable as an electromagnetic shielding material. In addition, the time required to form the metal layer by plating is shortened, so 40 μm or less. More preferably, it is 18 μm or less. If the thickness is too thin, the surface resistance becomes too high and the electromagnetic wave shielding effect becomes inferior. Also, the strength of the conductor layer pattern is inferior, and peeling from the conductive substrate during transfer becomes difficult. And more preferably 1 μm or more.

上記のめっき用導電性基材を用いた導体層パターン付き基材の作製例を次に示す。
図8は、導体層パターン付き基材の作製例の前半を示す断面図である。また、図9はその後半を示す断面図である。
上記のめっき用導電性基材1上に、前記しためっき工程により、凹部4内にめっきを施し、導体層パターン13を形成する(図8(e))。ついで、別個に準備された転写用基材14、これは、別の基材(透明基材)15に粘着剤層16が積層されている。導体層パターン13が形成されためっき用導電性基材1に転写用基材14を粘着剤層16を向けて圧着する準備を行う(図8(f))。
ついで、導体層パターンが形成されためっき用導電性基材1に転写用基材13を粘着剤層16を向けて圧着する(図9(g))。このとき、粘着剤層16が絶縁層7に接触してもよい。
ついで、転写用基材14を引きはがすと導体層パターン13は、その粘着剤層16に接着してめっき用導電性基材1の凹部4から剥離され、この結果、導体層パターン付き基材17が得られる(図9(h))。
The example of preparation of the base material with a conductor layer pattern using said electroconductive base material for plating is shown next.
FIG. 8 is a cross-sectional view showing the first half of a production example of a base material with a conductor layer pattern. FIG. 9 is a cross-sectional view showing the latter half.
On the conductive base material 1 for plating, plating is performed in the recesses 4 by the above-described plating step, thereby forming a conductor layer pattern 13 (FIG. 8E). Subsequently, the transfer substrate 14 prepared separately, which is a substrate (transparent substrate) 15, is laminated with an adhesive layer 16. Preparation is made for pressure-bonding the transfer substrate 14 with the adhesive layer 16 facing the conductive substrate 1 for plating on which the conductor layer pattern 13 is formed (FIG. 8F).
Next, the transfer base material 13 is pressure-bonded to the electroconductive base material 1 for plating on which the conductor layer pattern is formed with the adhesive layer 16 facing (FIG. 9G). At this time, the pressure-sensitive adhesive layer 16 may contact the insulating layer 7.
Next, when the transfer base material 14 is peeled off, the conductor layer pattern 13 adheres to the pressure-sensitive adhesive layer 16 and is peeled from the recess 4 of the plating conductive base material 1. Is obtained (FIG. 9 (h)).

図10は、めっき用導電性基材の凹部内にめっきにより導体層パターンを形成した状態を示す断面図、図11は、その凹部内の導体層パターンを転写して得られた導体層パターン付き基材の断面図を示す。
めっき用導電性基材にめっきした際、めっきは等方的に生長するため、導電性基材の露出部分から始まっためっきの析出は、それが進むと凹部からあふれて絶縁層に覆い被さるように突出して析出する。転写用基材への貼着の観点から、突出するようにめっきを析出させることが好ましい。しかし、このとき、めっきの析出を凹部4内に収まる程度に施しても良い。この状態を図10に示す。この場合でも、図11に示すように、転写用基材を圧着することにより、導体層パターン13を粘着剤層16を介して別の基材(透明基材)15に転写して、めっき用導電性基材1から導体層パターン13を剥離して、導体層パターン付き基材17を作製することができる。
FIG. 10 is a cross-sectional view showing a state in which a conductor layer pattern is formed by plating in the recesses of the conductive base material for plating, and FIG. 11 is with a conductor layer pattern obtained by transferring the conductor layer pattern in the recesses. Sectional drawing of a base material is shown.
Since plating grows isotropically when plating on a conductive substrate for plating, the deposition of plating that started from the exposed portion of the conductive substrate overflows from the recess and covers the insulating layer as it progresses. To protrude and precipitate. From the viewpoint of sticking to the transfer substrate, it is preferable to deposit the plating so as to protrude. However, at this time, the plating may be deposited so as to be contained in the recess 4. This state is shown in FIG. Even in this case, as shown in FIG. 11, the conductor layer pattern 13 is transferred to another substrate (transparent substrate) 15 through the pressure-sensitive adhesive layer 16 by pressure bonding the substrate for transfer, and for plating. The conductor layer pattern 13 can be peeled from the conductive substrate 1 to produce a substrate 17 with a conductor layer pattern.

本発明により得られる導体層パターン付き基材の導体層パターンを、さらに、黒化処理して、両面が黒化処理された導体層パターンを有する導体層パターン付き基材とすることができる。このためには、上記図9(h)又は図11に示すような導体層パターン付き基材17の導体層パターン13を黒化処理する方法がある。
黒化処理された導体層パターンを有する導体層パターン付き基材を電磁波遮蔽部材としてディスプレイの前面において利用するときは、一般に、黒色層を設けた方の面がディスプレイの視聴者側に向くようにして用いられるが、両面が黒化処理された導体層パターンを有する導体層パターン付き基材であれば、そのどちらの面であっても黒化処理された面が視聴者側に向くようになるので、電磁波遮蔽部材としての製品設計の幅が広がる。
The conductor layer pattern of the substrate with a conductor layer pattern obtained by the present invention can be further blackened to obtain a substrate with a conductor layer pattern having a conductor layer pattern with both sides blackened. For this purpose, there is a method of blackening the conductor layer pattern 13 of the substrate 17 with the conductor layer pattern as shown in FIG. 9 (h) or FIG.
When a substrate with a conductor layer pattern having a blackened conductor layer pattern is used on the front of the display as an electromagnetic wave shielding member, generally, the surface on which the black layer is provided faces the viewer side of the display. However, if the substrate has a conductor layer pattern that has a conductor layer pattern that has been blackened on both sides, the blackened surface will face the viewer side on either side. Therefore, the range of product design as an electromagnetic wave shielding member is expanded.

上記の黒化処理の方法は、金属パターンに黒色層を形成する手法であるが、このためには、金属層にめっきや酸化処理、印刷などの様々な手法を用いることができる。   The above blackening treatment method is a method of forming a black layer on a metal pattern. For this purpose, various methods such as plating, oxidation treatment, and printing can be used for the metal layer.

別の基材に転写した後に黒化処理工程を行うときの黒化処理としては、黒色ニッケルめっきなどの黒色めっきを行うことが望ましい。   As the blackening treatment when the blackening treatment step is performed after transferring to another substrate, it is desirable to perform black plating such as black nickel plating.

黒色ニッケルめっきは硫化ニッケルを主成分とする黒色合金を被めっき体表面に電着で形成するめっき法であるが、VIII族元素の鉄、コバルトもいずれも硫化物としたとき黒色を呈すので用いることができる。同じVIII族元素の中でも硫化ニッケルは目的にかなった黒色を呈し、さらに下地金属とも良好な密着性を有する。VIII族元素以外の硫化物では銀、水銀、銅、鉛などを、用いることが可能である。またスズとニッケル、スズとコバルトなどの合金めっきや黒色クロムめっきを用いても粉落ちが無く、金属層のみに良好な密着性を有する黒化処理層(黒色層)を形成することができる。   Black nickel plating is a plating method in which a black alloy containing nickel sulfide as a main component is formed by electrodeposition on the surface of the object to be plated, but it is used because both the Group VIII elements iron and cobalt exhibit a black color. be able to. Among the same Group VIII elements, nickel sulfide exhibits a suitable black color and has good adhesion to the underlying metal. For sulfides other than Group VIII elements, silver, mercury, copper, lead and the like can be used. Further, even if alloy plating such as tin and nickel, tin and cobalt, or black chrome plating is used, there is no powder fall and a blackening treatment layer (black layer) having good adhesion can be formed only on the metal layer.

黒色ニッケルめっき層を形成するに際しては、硫酸ニッケル60〜100g/L、硫酸ニッケルアンモニウム30〜50g/L、硫酸亜鉛20〜40g/L、チオシアン酸ナトリウム10〜20g/Lを含有するめっき液を用いることができる。このめっき浴を用い、pH:4〜7、温度:45〜55°C、電流密度0.5〜3.0A/dmの条件で、ステンレスアノード又はニッケルアノード、攪拌には循環ポンプ並びにエアー攪拌を使用することにより、プラズマディスプレイパネル用として好適な黒色ニッケルめっき層を形成することができる。黒色ニッケルめっきの前処理としては下地となる金属層との密着性を高めるために適切なアルカリ脱脂、酸洗浄を行うことがより好ましい。各成分の濃度範囲を超えたところでめっきを行うとめっき液が分解しやすく、良好な黒色を得ることが困難になる。また、温度に関しても55℃を超える温度でめっきを行うとめっき液が分解しやすくなる。逆に45℃未満では1.0A/dm以上のめっきを行うと、製品にざらつきが生じて粉落ちしやすくなり、やはりめっき液寿命が短くなる。45℃未満で1.0A/dm以下の電流密度でめっきを行うことは可能であるが、望む黒色を得るのに長時間のめっきが必要となり、生産性を低下させてしまう。それゆえ、上の濃度組成のめっき液を使用して短時間で黒色ニッケルめっきを行う際の温度範囲は45〜55℃が最適である。また、電流密度に関しては温度範囲内で0.5A/dm以下でも可能であるが、望む黒色を得るのに長時間のめっきが必要となる。3.0A/dm以上でめっきを行うとめっき液が分解しやすく、粉落ちしやすい黒色皮膜が形成される。黒色ニッケルめっきではステンレスアノードを使用した場合、めっき液寿命が短くなるので、通常ニッケルアノードを使用するのが望ましい。 When forming the black nickel plating layer, a plating solution containing nickel sulfate 60 to 100 g / L, nickel ammonium sulfate 30 to 50 g / L, zinc sulfate 20 to 40 g / L, and sodium thiocyanate 10 to 20 g / L is used. be able to. Using this plating bath, under conditions of pH: 4-7, temperature: 45-55 ° C, current density 0.5-3.0 A / dm 2 , stainless steel anode or nickel anode, circulation pump and air stirring for stirring By using this, a black nickel plating layer suitable for a plasma display panel can be formed. As a pretreatment for black nickel plating, it is more preferable to perform appropriate alkali degreasing and acid cleaning in order to improve the adhesion to the metal layer as the base. When plating is performed at a concentration exceeding the concentration range of each component, the plating solution is easily decomposed and it becomes difficult to obtain a good black color. Further, when plating is performed at a temperature exceeding 55 ° C., the plating solution is easily decomposed. On the other hand, when the plating is performed at a temperature of less than 45 ° C., 1.0 A / dm 2 or more, the product becomes rough and easily powdered, and the life of the plating solution is shortened. Although it is possible to perform plating at a current density of less than 45 ° C. and a current density of 1.0 A / dm 2 or less, long-time plating is required to obtain a desired black color, and productivity is lowered. Therefore, the temperature range when performing black nickel plating in a short time using the plating solution having the above concentration composition is optimally 45 to 55 ° C. The current density can be 0.5 A / dm 2 or less within the temperature range, but a long plating time is required to obtain the desired black color. When plating is performed at 3.0 A / dm 2 or more, a black coating is formed which is easy to decompose the plating solution and easily fall off. In black nickel plating, when a stainless steel anode is used, the life of the plating solution is shortened. Therefore, it is usually desirable to use a nickel anode.

本発明における導体層パターン付き基材を電磁波遮蔽体として用いる場合は、そのまま、ディスプレイ画面に適宜別の接着剤を介して又は介さないで貼着して使用することができるが、他の基材に貼着してからディスプレイに適用してもよい。他の基材は、ディスプレイの前面からの電磁波を遮断するために使用するには透明であることが必要である。   When the base material with a conductor layer pattern in the present invention is used as an electromagnetic wave shielding body, it can be used as it is by being attached to a display screen with or without another adhesive as appropriate. You may apply to a display after sticking to. Other substrates need to be transparent for use to block electromagnetic waves from the front of the display.

図12に導体層パターン付き基材が他の基材に貼着されて得られた電磁波遮蔽部材の断面図を示す。図12において、基材(別の基材)15に積層されている粘着剤層16上に銅からなる導体層パターン13が貼り付けられ、この上に他の基材18が積層されており、導体層パターン13は、粘着剤層16に埋設されている。これは、導体層パターン付き基材の導体層パターン13側を他の基材18に加熱又は非加熱下に加圧することにより作製することができる。この場合、粘着剤層16が十分な流動性を有するものであるか十分な流動性を有するうちに、適度な圧力を加えることにより導体層パターンを粘着剤層16に埋設する。基材(別の基材)15及び基材(他の基材)18として、透明性を有し、しかもその表面の平滑性が優れるものを使用することにより、透明性が高い電磁波遮蔽部材を得ることができる。
図13に導体層パターン付き基材が保護樹脂で覆われた電磁波遮蔽部材の断面図を示す。基材(別の基材)15に積層されている粘着剤層16上に金属からなる導体層パターン13が貼り付けられており、これらは、透明な保護樹脂19によって被覆されている。
FIG. 12 shows a cross-sectional view of an electromagnetic wave shielding member obtained by sticking a base material with a conductor layer pattern to another base material. In FIG. 12, a conductor layer pattern 13 made of copper is pasted on an adhesive layer 16 laminated on a base material (another base material) 15, and another base material 18 is laminated thereon. The conductor layer pattern 13 is embedded in the pressure-sensitive adhesive layer 16. This can be produced by pressing the conductor layer pattern 13 side of the substrate with the conductor layer pattern to the other substrate 18 under heating or non-heating. In this case, the conductor layer pattern is embedded in the pressure-sensitive adhesive layer 16 by applying an appropriate pressure while the pressure-sensitive adhesive layer 16 has sufficient fluidity or has sufficient fluidity. As the base material (another base material) 15 and the base material (another base material) 18, an electromagnetic wave shielding member having high transparency can be obtained by using a material having transparency and excellent surface smoothness. Obtainable.
FIG. 13 shows a cross-sectional view of an electromagnetic wave shielding member in which a substrate with a conductor layer pattern is covered with a protective resin. A conductive layer pattern 13 made of metal is attached on an adhesive layer 16 laminated on a base material (another base material) 15, and these are covered with a transparent protective resin 19.

図14は、別の態様の電磁波遮蔽体の断面図を示す。この電磁波遮蔽体は、図13の電磁波遮蔽部材が、基材15の導体層パターン13がある面とは反対の面で、接着剤層20を介して他の基材21が貼り合わされたものである。
図15は、さらに、別の態様の電磁波遮蔽体の断面図を示す。図14において、基材(別の基材)15に粘着剤層16を介して金属からなる導体層パターン13が接着されており、その上を透明樹脂からなる接着剤又は粘着剤22により被覆され、さらにその上に保護フィルム23が積層されている。基材15のもう一方の面には接着剤層20を介してガラス板等の他の基材21が貼着されている。この電磁波遮蔽部材では、基材(別の基材)15に粘着剤16を介して接着されている導体層パターン13を有する導体層パターン付き基材の導体層パターン13が存在する面を、透明な接着剤または粘着材22によりコーティングし、さらに保護フィルム23を積層し、ついで、得られた積層物の基材15のもう一方の面(何も積層されていない面)に接着剤を塗布して接着剤層16を形成し、これを他の基材21に押しつけて接着することにより作製することができる。上記の透明樹脂22としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂のほかに活性エネルギー線で硬化する樹脂をを主成分とする接着剤または粘着剤を用いることもできる。活性エネルギー線で硬化する樹脂を用いることは、それが瞬時に又は短時間に硬化することから、生産性が高くなるので好ましい。
FIG. 14 shows a cross-sectional view of an electromagnetic wave shielding body according to another embodiment. In this electromagnetic wave shielding body, the electromagnetic wave shielding member in FIG. 13 is a surface opposite to the surface on which the conductor layer pattern 13 of the base material 15 is provided, and another base material 21 is bonded through the adhesive layer 20. is there.
FIG. 15 further shows a cross-sectional view of an electromagnetic wave shielding body according to another aspect. In FIG. 14, a conductor layer pattern 13 made of metal is bonded to a base material (another base material) 15 via an adhesive layer 16, and is coated with an adhesive or an adhesive 22 made of a transparent resin. Further, a protective film 23 is laminated thereon. Another substrate 21 such as a glass plate is attached to the other surface of the substrate 15 via an adhesive layer 20. In this electromagnetic wave shielding member, the surface on which the conductor layer pattern 13 of the substrate with the conductor layer pattern having the conductor layer pattern 13 adhered to the substrate (another substrate) 15 via the adhesive 16 is transparent. Then, the protective film 23 is further laminated, and the adhesive is then applied to the other surface (the surface on which nothing is laminated) of the substrate 15 of the obtained laminate. Then, the adhesive layer 16 can be formed and pressed against another substrate 21 to be bonded. As said transparent resin 22, the adhesive agent or adhesive which has as a main component the resin hardened | cured with an active energy ray other than a thermoplastic resin and a thermosetting resin can also be used. It is preferable to use a resin that cures with an active energy ray because it cures instantaneously or in a short period of time, resulting in an increase in productivity.

本発明における導体層パターン付き基材において、導体層パターンの開口率を高くすることができ、これにより透光性を優良にできる。本発明における導体層パターン付き基材は、透光性電磁波遮蔽部材として使用することができる。   In the base material with a conductor layer pattern in the present invention, the aperture ratio of the conductor layer pattern can be increased, thereby making it possible to improve the translucency. The base material with a conductor layer pattern in the present invention can be used as a translucent electromagnetic wave shielding member.

また、本発明における導体層パターン付き基材を電磁波遮蔽部材として、ディスプレイ等の前面に用いる場合には、反射防止等を含む視認性確保を図るために導電層パターンは、表面が黒化処理されたものであることが好ましい。電磁波遮蔽部材はその前面が黒色から茶褐色の暗色であることがハイコントラストの実現及びディスプレイの電源切断時に画面が黒いこと等の要求を満たすことから好ましいとされている。   In addition, when the substrate with a conductor layer pattern in the present invention is used as an electromagnetic wave shielding member on the front surface of a display or the like, the surface of the conductive layer pattern is blackened to ensure visibility including antireflection and the like. It is preferable that The front surface of the electromagnetic wave shielding member is preferably black to dark brown from the viewpoint of achieving high contrast and satisfying requirements such as a black screen when the display is turned off.

表面が黒化処理された導体層パターンの防錆処理としては公知の手段としてクロメート処理、ベンゾトリアゾールなどを使用することができる。また、市販されている防錆剤を使用することもできる。また、表面が黒化処理された導電層を別の基材に転写した後に再度黒化処理を施す場合に、防錆処理を行うことが望ましい。防錆処理としては公知の手段としてクロメート処理、ベンゾトリアゾールなどを使用することができる。また、市販されている防錆剤を使用することもできる。また、黒化処理層つき導体層パターンを別の基材に転写した後に再度同じ方法で黒化処理層を形成する場合も同様に防錆処理を行うことが望ましい。   As a rust preventive treatment for the conductor layer pattern whose surface has been blackened, chromate treatment, benzotriazole, or the like can be used as a known means. Commercially available rust preventives can also be used. In addition, it is desirable to perform a rust prevention treatment when the blackening treatment is performed again after the conductive layer whose surface has been blackened is transferred to another substrate. As the antirust treatment, chromate treatment, benzotriazole or the like can be used as a known means. Commercially available rust preventives can also be used. Further, when the blackened layer is formed again by the same method after transferring the conductive layer pattern with the blackened layer to another substrate, it is desirable to perform the rust prevention treatment in the same manner.

回転体を用いることにより電解めっきにより形成されたパターンを連続的に剥離しながら、構造体を巻物として得ることができる。すなわち、図16において電解浴槽101内の電解液(メッキ液)102が陽極103とドラム電極などの回転体104の間のスペースに配管105とポンプ106により供給されるようにする。陽極103と回転体104の間に電圧をかけ、回転体104を一定速度で回転させると回転体104の表面に導体層が電解析出し、さらに、陽極103とは別の陽極107と回転体104の間に陽極103と回転体104の間よりも大きな電圧をかけることにより、析出した導体層パターンの上に黒色乃至茶褐色の皮膜を析出させることができる。陽極107は一つに限らず、二つもしくはそれ以上取り付け、段階的に電圧を変化させて黒化皮膜として析出する粒子の大きさを制御してもよい。   By using the rotating body, the structure can be obtained as a scroll while continuously peeling the pattern formed by electrolytic plating. That is, in FIG. 16, the electrolytic solution (plating solution) 102 in the electrolytic bath 101 is supplied to the space between the anode 103 and the rotating body 104 such as the drum electrode by the pipe 105 and the pump 106. When a voltage is applied between the anode 103 and the rotator 104 and the rotator 104 is rotated at a constant speed, a conductor layer is electrolytically deposited on the surface of the rotator 104. By applying a voltage higher than that between the anode 103 and the rotating body 104 during this period, a black or brown film can be deposited on the deposited conductor layer pattern. The number of anodes 107 is not limited to one, and two or more anodes may be attached, and the size of particles deposited as a blackened film may be controlled by changing the voltage stepwise.

なお、図16に示す状態では、第1の電流密度の下に導電性金属層を形成する導電層形成工程を行うための陽極103と、第2の電流密度の下に導電性金属層の表面にその表面が黒色乃至茶褐色になるように金属を析出させる黒化処理工程を行うための陽極107とが、互いに離れてめっき液の中に浸漬されているが、さらに、各陽極(電極)103、107の間に、絶縁体で構成された遮断部材151を設けてもよい。遮断部材151を設けることにより、第1の電流密度と第2の電流密度とを維持しやすくなる。   In the state shown in FIG. 16, the anode 103 for performing the conductive layer forming step for forming the conductive metal layer under the first current density, and the surface of the conductive metal layer under the second current density. Further, the anode 107 for performing the blackening treatment step for depositing the metal so that the surface thereof becomes black or brown is immersed in the plating solution apart from each other. , 107 may be provided with a blocking member 151 made of an insulator. By providing the blocking member 151, it becomes easy to maintain the first current density and the second current density.

導電性基材が回転体からなる電性基材又は回転体に取り付けた導電性基材である場合、遮断部材151は板状に形成されて各電極103、107の間に設けられており、遮断部材151の基端部側は、電解浴槽101の内壁に一体的に固定されており、遮断部材151の先端部側は、導電性基材(回転体104)の近傍に位置している。したがって、導電性基材104と遮断部材151の先端部との間では、めっき液が通じている。   When the conductive substrate is an electric substrate made of a rotating body or a conductive substrate attached to the rotating body, the blocking member 151 is formed in a plate shape and provided between the electrodes 103 and 107. The base end side of the blocking member 151 is integrally fixed to the inner wall of the electrolytic bath 101, and the distal end side of the blocking member 151 is located in the vicinity of the conductive base material (rotating body 104). Therefore, the plating solution communicates between the conductive substrate 104 and the tip of the blocking member 151.

また、陽極103、107の材質はチタニウム金属を基体とした表面に白金族金属又はその酸化物の薄膜を構成した不溶性陽極などであることが好ましい。さらにその形状としては特に限定されるわけではないが、平板状、棒状、多孔質状、メッシュ状等が挙げられる。   The material of the anodes 103 and 107 is preferably an insoluble anode in which a thin film of a platinum group metal or its oxide is formed on the surface of a titanium metal base. Further, the shape is not particularly limited, and examples thereof include a flat plate shape, a rod shape, a porous shape, and a mesh shape.

すなわち、たとえば、図17に示すように、長手方向に垂直な断面が長方形状である複数の陽極103a(陽極103に対応する陽極)と、長手方向に垂直な断面が長方形状である単数もしくは複数の陽極107b(陽極107に対応する陽極)とを、回転体104の回転中心軸CL1の円周上に配置した構成であってもよい。   That is, for example, as shown in FIG. 17, a plurality of anodes 103a (anode corresponding to the anode 103) whose cross section perpendicular to the longitudinal direction is rectangular, and one or a plurality of anodes whose cross section perpendicular to the longitudinal direction is rectangular. The anode 107b (the anode corresponding to the anode 107) may be arranged on the circumference of the rotation center axis CL1 of the rotating body 104.

黒化処理された導体層パターンは、電解液102の外で、形成された導体層パターン108に接着性支持体109を圧接ロール110によって圧接させながら、連続的に回転体104から剥離しつつ接着性支持体109に転写させ、導体層パターン付き接着支持体111をロールに巻き取ることができ、このようにして導体層パターンを製造することができる。なお、回転中の回転体から導体層パターンが剥離された後に、電解液に再び浸漬される前に回転体又は回転体に固定された導電性基材の表面をブラシロールで清掃するようにしてもよい。図示していないが、陽極の上端には高速で循環している電解液が上方へ噴出するのを防ぐために水きりロールを設置してもよい。水切りロールによってせき止められた電解液は陽極の外部から下の電解液の浴槽へと戻り、ポンプにより循環される。また、図示しないがこの循環の間には消費された金属イオン源や添加剤等を必要に応じて追加する工程、また各成分の分析を行う工程を追加することが望ましい。
上記において、導体層パターンは、導体層パターン付き接着支持体111として、得られるようになっているが、接着性支持体109を使用することなく、導体層パターンを回転体から剥離して回収するようにしても良い。
The conductor layer pattern that has been blackened is adhered to the formed conductor layer pattern 108 while being peeled from the rotating body 104 continuously while the adhesive support 109 is pressed against the formed conductor layer pattern 108 by the pressure contact roll 110. The adhesive support body with a conductive layer pattern 111 can be wound up on a roll, and the conductive layer pattern can be produced in this manner. After the conductor layer pattern is peeled from the rotating rotating body, the surface of the rotating body or the conductive substrate fixed to the rotating body is cleaned with a brush roll before being immersed again in the electrolyte. Also good. Although not shown, a draining roll may be installed at the upper end of the anode in order to prevent the electrolyte circulating at high speed from being ejected upward. The electrolyte stopped by the draining roll returns to the bottom electrolyte bath from outside the anode and is circulated by the pump. Although not shown, it is desirable to add a step of adding a consumed metal ion source, an additive or the like as necessary, and a step of analyzing each component during the circulation.
In the above, the conductor layer pattern is obtained as the adhesive support 111 with the conductor layer pattern. However, without using the adhesive support 109, the conductor layer pattern is separated from the rotating body and collected. You may do it.

さらには、前記第1の電流密度の下に導電性金属層を形成する導電層形成工程を行うための第1の陽極と、前記第2の電流密度の下に前記導電性金属層の表面にその表面が黒色乃至茶褐色になるように金属を析出させる黒化処理工程を行うための第2の陽極とを兼用し、前記第1の電流密度の下で前記導電層形成工程の形成後、前記第2の電流密度の下で前記黒化処理工程を行うようにしてもよい。   Further, a first anode for performing a conductive layer forming step of forming a conductive metal layer under the first current density, and a surface of the conductive metal layer under the second current density Also serving as a second anode for performing a blackening treatment step for depositing metal so that the surface is black or brown, after the formation of the conductive layer under the first current density, The blackening process may be performed under a second current density.

以上で詳細に説明しためっき形成部として凹部のパターン有するめっき用導電性基材において、その凹部パターンは、適当な広さで作製される。   In the conductive substrate for plating having a concave pattern as the plating formation portion described in detail above, the concave pattern is produced with an appropriate width.

その領域を領域Aとすると、本発明に係るめっき用導電性基材には、そのまわりに、電磁波遮蔽部材のアース部に対応する領域(領域Bという)を備えることができる。このとき、領域Aと領域Bは同一のパターンでもよい。また、領域Aにおける凹部の面積比率を、領域Bにおける凹部の面積比率と同じ又はそれよりも大きくすることが好ましく、10%以上大きくすることはさらに好ましい。凹部の面積比率は、平面図で見たときに、ただし、各領域の全面積に対する各領域の凸部における露出部分を除いた部分の面積の比率をいう。また、領域Bの凹部比率を0としてもよいが、この場合には、めっき用導電性基材上にめっきによりベタの金属膜が周辺に形成される。ベタの金属膜は転写に際し、割れやすいので、望ましくは、領域Bの凹部の面積率は40%以上とすることが好ましく、また、97%未満であることが好ましい。   When the region is defined as region A, the conductive substrate for plating according to the present invention can be provided with a region (referred to as region B) corresponding to the ground portion of the electromagnetic wave shielding member around it. At this time, the region A and the region B may have the same pattern. Moreover, it is preferable to make the area ratio of the recessed part in the area | region A the same or larger than the area ratio of the recessed part in the area | region B, and it is still more preferable to enlarge 10% or more. The area ratio of the recesses refers to the ratio of the area of the part excluding the exposed part in the convex part of each area to the total area of each area when viewed in a plan view. In addition, in this case, a solid metal film is formed on the periphery of the conductive substrate for plating by plating. Since the solid metal film is easily broken during transfer, the area ratio of the recesses in the region B is preferably 40% or more, and preferably less than 97%.

領域Bにおいて、凹部のパターンによって描かれる幾何学図形状は、前記説明したものが使用できるが、改めて例示すると、
(1)メッシュ状幾何学的模様
(2)所定間隔で規則的に配列された方形状幾何学的模様
(3)所定間隔で規則的に配列された平行四辺形模様
(4)円模様又は楕円模様
(5)三角形模様
(6)五角形以上の多角形模様
(7)星形模様
等がある。
In the region B, the geometric diagram shape drawn by the pattern of the recesses can be the one described above.
(1) Mesh-like geometric pattern (2) Square geometric pattern regularly arranged at predetermined intervals (3) Parallelogram pattern regularly arranged at predetermined intervals (4) Circular pattern or ellipse Pattern (5) Triangular pattern (6) Polygonal pattern of pentagon or more (7) Star pattern etc.

また、領域Bにおける絶縁層及び凹部の形成等は、前述した領域Aと同様に行うことができる。   In addition, the formation of the insulating layer and the recesses in the region B can be performed in the same manner as in the region A described above.

本発明において、透光性の電磁波シールド部の外側をアース部として、使用することが好ましい。このアース部は、透光性の電磁波シールド部と同様のパターンを有していてもよく、異なったパターンを有していてもよい。また、アース部は、前述したようなパターン又は全くベタ状の膜であってもよい。アース部は、その内側の透光性の電磁波シールド部と導通していることが好ましい。   In this invention, it is preferable to use the outer side of a translucent electromagnetic wave shield part as an earth part. This earth part may have the same pattern as the translucent electromagnetic wave shield part, or may have a different pattern. Further, the ground portion may be a pattern as described above or a completely solid film. It is preferable that the ground part is electrically connected to the inner translucent electromagnetic wave shield part.

めっき用導電性基材の少なくとも透光性の電磁波シールド部の導体層パターンに対応した部分が矩形体又は回転体である場合、その外側で、透光性の電磁波シールド部の導体層パターンに対応した部分を囲むように、または、対向する2片にそって、連続した帯状に前記凸部の上面と同じ高さの部分(絶縁層がない)を設けることができる。これにより、導電性基材へのめっき後、導体層パターンの部分に連続した帯状のめっき箔を有する導体層パターン金属層を形成することができる。例えば、そのパターンの平面図を図18に示す。図18(a)中、黒い部分がめっきにより形成された導体層パターンとそれに連続した箔部分である。この箔部分があることにより、箔自体が支持体代わりとなり導体層パターンを導電性基材から剥離しやすくなる。得られた導体層パターンをその後の工程中に両端部分で十分支えることができるため、取扱に優れる。場合により、接着性支持体を用いず剥離することもできる。箔部分は後で不要分を切り落とすことができ、また、箔部分をある程度の幅で残してアース部として利用することもできる。前記のパターンの別の例を図18(b)に示す。これは、導電性基材として回転体を使用した場合、回転体に導電性支持体を取り付けた場合などに作製できる導体層パターン金属層の一部の平面図である。これにより、透光性の電磁波シールド部の四辺にアース部を形成することができる。本発明で得られる導体層パターンにおいては、電磁波遮蔽部材を作製したときに、遮蔽した電磁波を電流としてアースするために網目状の導体層パターンの周囲に帯状の導体層(額縁部分)が導通状態で連続しているパターンがより好ましい。   When the part corresponding to the conductor layer pattern of the light-transmitting electromagnetic wave shield part of the conductive base material for plating is a rectangular body or a rotating body, it corresponds to the conductor layer pattern of the light-transmitting electromagnetic wave shield part on the outside. A portion (without an insulating layer) having the same height as the upper surface of the convex portion can be provided in a continuous band shape so as to surround the above-mentioned portion or along two opposing pieces. Thereby, the conductor layer pattern metal layer which has the strip | belt-shaped plating foil continuous in the part of the conductor layer pattern can be formed after the plating to a conductive base material. For example, a plan view of the pattern is shown in FIG. In FIG. 18 (a), the black portion is a conductor layer pattern formed by plating and a foil portion continuous therewith. By having this foil part, foil itself becomes a support body and becomes easy to peel a conductor layer pattern from an electroconductive base material. Since the obtained conductor layer pattern can be sufficiently supported at both ends during the subsequent steps, it is excellent in handling. In some cases, peeling can be performed without using an adhesive support. Unnecessary portions of the foil portion can be cut off later, and the foil portion can be used as a grounding portion with a certain width. Another example of the pattern is shown in FIG. This is a plan view of a part of the conductor layer pattern metal layer that can be produced when a rotating body is used as the conductive substrate, or when a conductive support is attached to the rotating body. Thereby, a ground part can be formed in the four sides of the translucent electromagnetic wave shield part. In the conductor layer pattern obtained in the present invention, when an electromagnetic wave shielding member is produced, a band-like conductor layer (frame portion) is in a conductive state around the mesh-like conductor layer pattern in order to ground the shielded electromagnetic wave as a current. A continuous pattern is more preferable.

本発明において、めっき用導電性基材上に作製された導体層パターンは、前述したのと同様の転写法により、中間の接着性支持体を使用して導電性支持体から導体層パターンを転写剥離し、さらに、この中間の接着性支持体から最終の接着性支持体に前記転写法と同様にして導体層パターンを転写してもよい。また、転写された導体層パターンを有する中間の接着性支持体と最終の接着性支持体を導体層パターンを挟んで重ねて圧着して電磁波遮蔽体を作製することもできる。この場合の圧着方法としては、常温下又は加熱下にプレス機により加圧する方法、常温下又は加熱下に加圧ロール間を通過させる方法等がある。
本発明における導体層パターン付き基材を遮蔽体として用いる場合には、反射防止層、近赤外線遮蔽層等をさらに積層してもよい。めっき用導電性基材上に析出した金属を転写する基材そのものが反射防止層、近赤外線遮蔽層等の機能層を兼ねていてもよい。さらに、導体層パターン層に樹脂をコーティングする際に用いられるカバーフィルムに、反射防止層、近赤外線遮蔽層等の機能層を兼ねていてもよい。
In the present invention, the conductor layer pattern produced on the conductive substrate for plating is transferred from the conductive support using an intermediate adhesive support by the same transfer method as described above. Further, the conductor layer pattern may be transferred from the intermediate adhesive support to the final adhesive support in the same manner as in the transfer method. In addition, an electromagnetic wave shielding body can be produced by stacking and pressing an intermediate adhesive support having a transferred conductor layer pattern and a final adhesive support with the conductor layer pattern interposed therebetween. Examples of the pressure bonding method in this case include a method of pressurizing with a press machine at room temperature or under heating, a method of passing between pressure rolls at room temperature or under heating, and the like.
When the base material with a conductor layer pattern in the present invention is used as a shield, an antireflection layer, a near infrared shielding layer, or the like may be further laminated. The base material itself that transfers the metal deposited on the electroconductive base for plating may also serve as functional layers such as an antireflection layer and a near infrared shielding layer. Furthermore, the cover film used when the conductor layer pattern layer is coated with a resin may also serve as a functional layer such as an antireflection layer or a near infrared shielding layer.

前記の導体層パターン付き基材は、電磁波遮蔽部材以外にも、タッチパネル部材、太陽電池用電極取り出し若しくは配線、デジタイザー部材、スキミングバリアカード部材、透明アンテナ、透明電極、不透明電極、電子ペーパー部材、調光フィルム部材等として応用が可能である。   In addition to the electromagnetic wave shielding member, the substrate with a conductor layer pattern includes a touch panel member, solar cell electrode extraction or wiring, digitizer member, skimming barrier card member, transparent antenna, transparent electrode, opaque electrode, electronic paper member, adjustment paper, and the like. It can be applied as an optical film member.

(凸部パターンの形成)
レジストフィルム(フォテックRY3315、15μm厚、日立化成工業株式会社製)を150mm角のステンレス板(SUS316L、鏡面研磨仕上げ、厚さ300μm、日新製鋼(株)製)の両面に貼り合わせた(図3(a)に対応する)。貼り合わせの条件は、ロール温度105℃、圧力0.5MPa、ラインスピード1m/minで行った。次いで、光透過部のライン幅が15μm、ラインピッチが300μm、バイアス角度が45°(正四角形のなかに、ラインが正四角形の辺に対して45度の角度になるように配されている)で、格子状にパターンが120mm角のサイズで形成されているネガフィルムを、ステンレス板の片面に静置した。紫外線照射装置を用いて、600mmHg以下の真空下において、ネガフィルムを載置したステンレス板の上下から、紫外線を120mJ/cm照射した。さらに1%炭酸ナトリウム水溶液で現像することで、SUS板の上にライン幅16〜19μm、ラインピッチ300μm、バイアス角度45度のレジスト膜からなる格子状パターンを形成した。突起部の導電性基材との接触部の幅(d)は、この最大幅より0〜約1μm小さかった。また、突起部の最小幅は、最大幅(d)より0〜約2μm小さく、突起部の導電性基材との接触部からわずかに高い箇所の幅である。これらは、倍率3000倍で断面を走査型電子顕微鏡(SEM)観察することにより実測した。測定点は5点以上とした。
なお、凸部パターンが形成された面の反対面は、全面露光されているため、現像されず、全面にレジスト膜が形成されている(図3(b)に対応する)。
(Formation of convex pattern)
A resist film (Photech RY3315, 15 μm thick, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) was bonded to both sides of a 150 mm square stainless steel plate (SUS316L, mirror polished, thickness 300 μm, manufactured by Nisshin Steel Co., Ltd.) (FIG. 3). Corresponding to (a)). The bonding conditions were a roll temperature of 105 ° C., a pressure of 0.5 MPa, and a line speed of 1 m / min. Next, the line width of the light transmission part is 15 μm, the line pitch is 300 μm, and the bias angle is 45 ° (in the regular square, the line is arranged at an angle of 45 degrees with respect to the side of the regular square). Then, the negative film in which the pattern was formed in a lattice shape with a size of 120 mm square was left on one side of the stainless steel plate. Using an ultraviolet irradiation device, ultraviolet rays were irradiated at 120 mJ / cm 2 from above and below the stainless plate on which the negative film was placed under a vacuum of 600 mmHg or less. Further, by developing with a 1% sodium carbonate aqueous solution, a lattice pattern made of a resist film having a line width of 16 to 19 μm, a line pitch of 300 μm, and a bias angle of 45 degrees was formed on the SUS plate. The width (d 0 ) of the contact portion of the protrusion with the conductive substrate was 0 to about 1 μm smaller than this maximum width. Further, the minimum width of the protrusion is 0 to about 2 μm smaller than the maximum width (d 1 ), and is a width at a slightly higher position from the contact portion of the protrusion with the conductive substrate. These were measured by observing the cross section at a magnification of 3000 times with a scanning electron microscope (SEM). The number of measurement points was 5 or more.
In addition, since the entire surface opposite to the surface on which the convex pattern is formed is exposed, it is not developed and a resist film is formed on the entire surface (corresponding to FIG. 3B).

(絶縁層の形成)
PBII/D装置(TypeIII、株式会社栗田製作所製)によりDLC膜を形成する。チャンバー内にレジスト膜が付いたままのステンレス基板を入れ、チャンバー内を真空状態にした後、アルゴンガスで基板表面のクリーニングを行った。次いで、チャンバー内にヘキサメチルジシロキサンを導入し、膜厚0.1μmとなるように中間層を成膜した。次いで、トルエン、メタン、アセチレンガスを導入し、膜厚が2μmとなるように、中間層の上にDLC層を形成した(図3(c)に対応する)。そのときレジスト膜により形成された凸部両側のDLC膜の厚さは、2μmであった。境界面の角度は45〜51度であった。なお、絶縁層の厚さ及び境界面の角度の測定は導電性基材の一部を切り取って樹脂で注型し、倍率は3000倍で断面をSEM観察することにより実測した。測定点は5点で、レジスト膜の両側を測定したので計10点の最大値と最小値を採用した。
(Formation of insulating layer)
A DLC film is formed by a PBII / D apparatus (Type III, manufactured by Kurita Manufacturing Co., Ltd.). A stainless steel substrate with a resist film attached thereto was placed in the chamber, the inside of the chamber was evacuated, and the substrate surface was cleaned with argon gas. Next, hexamethyldisiloxane was introduced into the chamber, and an intermediate layer was formed to a thickness of 0.1 μm. Next, toluene, methane, and acetylene gas were introduced, and a DLC layer was formed on the intermediate layer so as to have a film thickness of 2 μm (corresponding to FIG. 3C). At that time, the thickness of the DLC film on both sides of the convex portion formed by the resist film was 2 μm. The angle of the boundary surface was 45 to 51 degrees. In addition, the thickness of the insulating layer and the angle of the boundary surface were measured by cutting a part of the conductive base material and casting it with resin, and observing the cross section with SEM at a magnification of 3000 times. Since the measurement points were 5 points and both sides of the resist film were measured, a maximum value and a minimum value of 10 points in total were adopted.

(凹部の形成;絶縁層の付着した凸部パターンの除去)
絶縁層が付着したステンレス基板を水酸化ナトリウム水溶液(10%、50℃)に浸漬し、時々揺動を加えながら8時間放置した。凸部パターンを形成するレジスト膜とそれに付着したDLC膜が剥離してきた。一部剥がれにくい部分があったため、布で軽くこすることにより全面剥離し、めっき用導電性基材を得た(図3(d)に対応する)。
凹部の形状は、開口方向に向かって幅広になっており、その凹部側面の傾斜角は、前記境界面の角度と同じであった。凹部の深さは2μmであった。また、凹部の底部での幅は、16〜19μm、開口部での幅(最大幅)は21〜27μmであった。凹部のピッチは300μmであった。
(Concavity formation; removal of convex pattern with insulating layer attached)
The stainless steel substrate with the insulating layer attached was immersed in an aqueous sodium hydroxide solution (10%, 50 ° C.) and left for 8 hours with occasional rocking. The resist film forming the convex pattern and the DLC film adhering thereto have been peeled off. Since there was a part that was difficult to peel off, the entire surface was peeled off by lightly rubbing with a cloth to obtain a conductive substrate for plating (corresponding to FIG. 3D).
The shape of the recess was wider toward the opening direction, and the inclination angle of the side surface of the recess was the same as the angle of the boundary surface. The depth of the recess was 2 μm. Moreover, the width | variety in the bottom part of a recessed part was 16-19 micrometers, and the width | variety (maximum width) in an opening part was 21-27 micrometers. The pitch of the recesses was 300 μm.

(銅めっき)
さらに、上記で得られためっき用導電性基材のパターンが形成されていない面に粘着フィルム(ヒタレックスK−3940B、日立化成工業(株)製)を貼り付けた。この粘着フィルムを貼り付けためっき用導電性基材を陰極として、電解銅めっきを行った。電解銅めっき浴の浴組成及び電解条件は次の通りである。
硫酸銅(五水和物)の濃度:200g/L
硫酸の濃度:100g/L
塩酸(35%)使用量:0.2mL/L
添加剤:マイクロフィルVF-AN(メルテックス製、有機硫黄化合物、ビス(3−スルホプロピル)ジスルフィド塩))0.3mL/L
マイクロフィルVF-BN(メルテックス製、界面活性剤、1〜4級アンモニウム基を含むポリエチレングリコール類)15mL/L
浴温:25℃
陽極:銅板
めっき浴の攪拌はエアレーションを行い液が十分に攪拌するようにした。導電性基材の凹部の金属面上に、析出した金属の厚さが4μmになるまで電流密度10A/dmでめっきした。この段階での析出した金属は、赤色であり、導電度は、0.05Ω/□であった。この後、エアレーションを止めて液攪拌をなくし、電流密度を50A/dmに変更して引き続き5秒間めっきを行い、表面を黒化した。表面が黒化処理された導体パターンがついた導電性基材をめっき浴から取り出し、水洗し、乾燥した。
(Copper plating)
Furthermore, an adhesive film (Hitalex K-3940B, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) was attached to the surface on which the pattern of the conductive substrate for plating obtained above was not formed. Electrolytic copper plating was performed using the conductive substrate for plating with the adhesive film attached as a cathode. The bath composition and electrolysis conditions of the electrolytic copper plating bath are as follows.
Concentration of copper sulfate (pentahydrate): 200 g / L
Concentration of sulfuric acid: 100 g / L
Hydrochloric acid (35%) consumption: 0.2 mL / L
Additive: Microfil VF-AN (Meltex, organic sulfur compound, bis (3-sulfopropyl) disulfide salt)) 0.3 mL / L
Microfil VF-BN (Meltex, surfactant, polyethylene glycols containing 1 to 4 quaternary ammonium groups) 15 mL / L
Bath temperature: 25 ° C
Anode: Copper plate The plating bath was aerated so that the solution was sufficiently stirred. On the metal surface of the concave portion of the conductive substrate, plating was performed at a current density of 10 A / dm 2 until the thickness of the deposited metal reached 4 μm. The deposited metal at this stage was red, and the conductivity was 0.05Ω / □. Thereafter, the aeration was stopped to eliminate the liquid stirring, the current density was changed to 50 A / dm 2, and plating was continued for 5 seconds to blacken the surface. The conductive substrate with the conductive pattern whose surface was blackened was taken out of the plating bath, washed with water, and dried.

(転写用粘着フィルムの作製)
厚さ100μmのポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム(A−4100、東洋紡績株式会社製)の表面にプライマー(HP―1、日立化成工業株式会社製)を厚さ1μm)に、粘着層としてアクリルポリマー(HTR−280、長瀬ケムテック(株)製)を厚さ10μmに順次塗布して転写用粘着フィルムを作製した。
(Preparation of adhesive film for transfer)
On the surface of a polyethylene terephthalate (PET) film (A-4100, manufactured by Toyobo Co., Ltd.) having a thickness of 100 μm, a primer (HP-1, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) is 1 μm in thickness), and an acrylic polymer ( HTR-280 (manufactured by Nagase Chemtech Co., Ltd.) was sequentially applied to a thickness of 10 μm to prepare an adhesive film for transfer.

(転写)
上記転写用粘着フィルムの粘着層の面と、上記めっき用導電性基材の銅めっきを施した面を、ロールラミネータを用いて貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度25℃、圧力0.1MPa、ラインスピード1m/minとした。次いで、めっき転写用版に貼り合わせた粘着フィルムを剥離したところ、上記めっき用導電性基材上に析出した銅が粘着フィルムに転写されていた。これにより、ライン幅20〜25μm、ラインピッチ300±2μm、導体層厚さが平均で5μmの格子状金属パターンからなる導体層パターン付き基材が得られた。導体層の形状は、凹部の形状を反映して、図5(h)に示されるように下部から上部(粘着層)に向かって幅広になっており、さらに凹部からあふれた部分が傘のように広がっていた。
転写後のめっき用導電性基材の表面を観察した結果、絶縁層が剥離している箇所はなかった。ライン幅、導体層厚さの測定は、得られた導体層パターン付き基材を一部切り取って樹脂で注型し、倍率は3000倍で断面をSEM観察することにより実測した。測定点は5点で、凹部の両側を測定したので計10点の値の最大値と最小値を採用した(以下も同様)。ラインピッチの測定は、顕微鏡(デジタルマイクロスコープVHX−500、キーエンス(株)製)を用いて、倍率200倍で観察して測定し、測定は、無作為の5点で行った(以下も同様)。
(Transcription)
The surface of the pressure-sensitive adhesive layer of the transfer pressure-sensitive adhesive film and the copper-plated surface of the conductive substrate for plating were bonded together using a roll laminator. Lamination conditions were a roll temperature of 25 ° C., a pressure of 0.1 MPa, and a line speed of 1 m / min. Subsequently, when the adhesive film bonded to the plating transfer plate was peeled off, the copper deposited on the conductive substrate for plating was transferred to the adhesive film. Thereby, the base material with a conductor layer pattern which consists of a grid | lattice-like metal pattern whose line width is 20-25 micrometers, line pitch 300 +/- 2micrometer, and conductor layer thickness is 5 micrometers on average was obtained. The shape of the conductor layer reflects the shape of the concave portion, and as shown in FIG. 5 (h), the width is wide from the lower portion to the upper portion (adhesive layer), and the portion overflowing from the concave portion is like an umbrella. It has spread to.
As a result of observing the surface of the conductive substrate for plating after the transfer, there was no place where the insulating layer was peeled off. The line width and conductor layer thickness were measured by partially cutting out the obtained base material with a conductor layer pattern and casting it with a resin, and observing the cross section with a magnification of 3000 times by SEM. Since the measurement points were 5 and both sides of the recess were measured, the maximum and minimum values of 10 points in total were adopted (the same applies below). The line pitch was measured using a microscope (digital microscope VHX-500, manufactured by Keyence Corporation) at a magnification of 200 times, and the measurement was performed at five random points (the same applies to the following). ).

(保護膜の形成)
上記で得られた導体層パターン付き基材の導体層パターンが存在する面に、UV硬化型樹脂ヒタロイド7983AA3(日立化成工業(株)製)をコーティングし、ポリカーボネートフィルム(マクロホールDE、バイエル株式会社製、75μm)でラミネートして導体層パターンをUV硬化型樹脂中に埋没させた後、紫外線ランプを用いて1J/cmの紫外線を照射してUV硬化型樹脂を硬化させて、保護膜を有する導体層パターン付き基材を得た。
(Formation of protective film)
The surface of the substrate with the conductor layer pattern obtained above, on which the conductor layer pattern is present, is coated with UV curable resin HITAROID 7983AA3 (manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.), and a polycarbonate film (macro hole DE, Bayer Co., Ltd.). And the conductor layer pattern is embedded in the UV curable resin and then irradiated with 1 J / cm 2 of ultraviolet rays using an ultraviolet lamp to cure the UV curable resin to form a protective film. The base material with a conductor layer pattern was obtained.

(繰り返し使用)
次いで、上記のめっき用導電性基材を用いて、銅めっき転写の工程を上記と同様にして500回繰り返した結果、銅めっきの転写性に変化が無く、絶縁層の剥離箇所も観測されなかった。
(Repeated use)
Next, using the conductive substrate for plating described above, the copper plating transfer process was repeated 500 times in the same manner as described above. As a result, there was no change in the transfer property of the copper plating, and no peeling of the insulating layer was observed. It was.

(明度及び色度の測定)
得られた導体層パターン付き基材の明度及び色度を分光測色計CM−508d(コニカミノルタホールディングス(株)製)を用いて測定した。測定は基材の下側に明度L*が25の黒色紙を敷いて反射モードで行った。
測定対象は、表面が黒化処理された導体層パターンとし、開口面積は約77%であった。測定したところ、明度L*は43であり好適な値の範囲内であった。また、色度はa*は2.8、b*は2.2であり、いずれも色相の低い値が得られた。
(Measurement of brightness and chromaticity)
The brightness and chromaticity of the obtained substrate with a conductor layer pattern were measured using a spectrocolorimeter CM-508d (manufactured by Konica Minolta Holdings, Inc.). The measurement was performed in a reflection mode by placing black paper having a lightness L * of 25 on the lower side of the substrate.
The measurement target was a conductor layer pattern whose surface was blackened, and the opening area was about 77%. As a result of the measurement, the lightness L * was 43, which was within a preferable value range. Further, the chromaticity was a * of 2.8 and b * of 2.2, both of which were low in hue.

実施例1の凸部パターンの形成時に使用したレジストフィルムとして、フォテックRY3415(15μm厚、日立化成工業株式会社製)を、導電性基材として、チタン板(#400研磨仕上げ、厚さ0.5mm、ミクロン工業(株)製)を使用した以外はすべて実施例1と同様にして導体層パターン付き基材を製造した。得られた導体層パターン付き基材に、実施例1と同様にして赤色、続いて黒色の電解めっきを施し、実施例1と同様にして転写用粘着フィルムに転写後、保護膜を形成した。   As a resist film used in forming the convex pattern of Example 1, Photec RY3415 (15 μm thickness, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) was used as a conductive substrate, and a titanium plate (# 400 polished finish, thickness 0.5 mm). A substrate with a conductor layer pattern was produced in the same manner as in Example 1 except that Micron Industry Co., Ltd. was used. The obtained base material with a conductor layer pattern was subjected to red and black electroplating in the same manner as in Example 1, and after transfer to the transfer adhesive film in the same manner as in Example 1, a protective film was formed.

得られた導体層パターンの明度と色度を実施例1と同様に測定した。測定対象は、表面が黒化処理された導体層パターンとし、開口面積は約80%であった。測定したところ、明度L*は47であり好適な値の範囲内であった。また、色度はa*は1.4、b*は1.7であり、いずれも色相の低い値が得られた。   The brightness and chromaticity of the obtained conductor layer pattern were measured in the same manner as in Example 1. The measurement target was a conductor layer pattern whose surface was blackened, and the opening area was about 80%. As a result of the measurement, the lightness L * was 47, which was within a preferable range. The chromaticity was 1.4 for a * and 1.7 for b *, both of which were low in hue.

電解銅めっき浴の浴組成を次の通りにして、他は実施例2と同様にして導体層パターン付き基材を製造した。
硫酸銅(五水和物)の濃度:60g/L
硫酸の濃度:170g/L
塩酸(35%)使用量:0.2mL/L
添加剤:カパラシドGS(アトテック製、有機硫黄化合物)0.1mL/L
カパラシドHL(アトテック製、界面活性剤)20mL/L
浴温:25℃
陽極:チタン基材白金コーティング板
A substrate with a conductor layer pattern was produced in the same manner as in Example 2 except that the bath composition of the electrolytic copper plating bath was as follows.
Concentration of copper sulfate (pentahydrate): 60 g / L
Concentration of sulfuric acid: 170 g / L
Hydrochloric acid (35%) consumption: 0.2 mL / L
Additive: Kaparaside GS (Atotech, organic sulfur compound) 0.1mL / L
Kaparaside HL (manufactured by Atotech, surfactant) 20mL / L
Bath temperature: 25 ° C
Anode: Titanium-based platinum coating plate

得られた導体層パターンの明度と色度を実施例1と同様に測定した。測定対象は、表面が黒化処理された導体層パターンとし、開口面積は約80%であった。測定したところ、明度L*は48であり好適な値の範囲内であった。また、色度はa*は1.9、b*は-1.0であり、いずれも色相の低い値が得られた。   The brightness and chromaticity of the obtained conductor layer pattern were measured in the same manner as in Example 1. The measurement target was a conductor layer pattern whose surface was blackened, and the opening area was about 80%. As a result of the measurement, the lightness L * was 48, which was within a preferable range. Further, the chromaticity was a * of 1.9 and b * of -1.0, and a low hue value was obtained.

本発明のめっき用導電性基材の一例を示す斜視図。The perspective view which shows an example of the electroconductive base material for plating of this invention. 図1のA−A断面図。AA sectional drawing of FIG. めっき用導電性基材の製造方法を示す工程の一例を断面図。Sectional drawing which shows an example of the process which shows the manufacturing method of the electroconductive base material for plating. 中間層を有するめっき用導電性基材とその前駆体の断面図を示す。Sectional drawing of the electroconductive base material for plating which has an intermediate | middle layer, and its precursor is shown. パターン化銅金属層の一例である穴あき銅箔の一部を示す底面図。The bottom view which shows a part of perforated copper foil which is an example of a patterned copper metal layer. 図5中のA−A′断面図(ただし、めっき用導電性基材上に存在する状態)。FIG. 6 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ in FIG. 5 (however, it is present on a conductive substrate for plating). パターン化銅金属層の別の例を示す断面図(ただし、めっき用導電性基材上に存在する状態)。Sectional drawing which shows another example of a patterned copper metal layer (however, the state which exists on the electroconductive base material for plating). 導体層パターン付き基材の作製例の前半を示す断面図。Sectional drawing which shows the first half of the example of preparation of the base material with a conductor layer pattern. 導体層パターン付き基材の作製例の後半を示す断面図。Sectional drawing which shows the second half of the preparation examples of the base material with a conductor layer pattern. めっき用導電性基材の凹部内にめっきにより導体層パターンを形成した状態を示す断面図。Sectional drawing which shows the state which formed the conductor layer pattern by plating in the recessed part of the electroconductive base material for plating. 図10に示す凹部内の導体層パターンを転写して得られた導体層パターン付き基材の断面図。Sectional drawing of the base material with a conductor layer pattern obtained by transferring the conductor layer pattern in the recessed part shown in FIG. 導体層パターン付基材が他の基材に貼着された電磁波遮蔽部材の一例を示す断面図。Sectional drawing which shows an example of the electromagnetic wave shielding member by which the base material with a conductor layer pattern was affixed on the other base material. 導体層パターン付基材が他の基材に貼着された電磁波遮蔽部材の一例を示す断面図。Sectional drawing which shows an example of the electromagnetic wave shielding member by which the base material with a conductor layer pattern was affixed on the other base material. 導体層パターン付基材が他の基材に貼着された電磁波遮蔽部材の一例を示す断面図。Sectional drawing which shows an example of the electromagnetic wave shielding member by which the base material with a conductor layer pattern was affixed on the other base material. 導体層パターン付基材が他の基材に貼着された電磁波遮蔽部材の一例を示す断面図。Sectional drawing which shows an example of the electromagnetic wave shielding member by which the base material with a conductor layer pattern was affixed on the other base material. 回転体を用いて導体層パターン付き基材を連続的に作製するための装置の概念断面図。The conceptual sectional drawing of the apparatus for producing continuously the base material with a conductor layer pattern using a rotary body. 回転体を用いて導体層パターン付き基材を連続的に作製するための装置の変形例の概念断面図。The conceptual sectional drawing of the modification of the apparatus for producing the base material with a conductor layer pattern continuously using a rotary body. 導体層パターンの平面図。The top view of a conductor layer pattern.

符号の説明Explanation of symbols

1:めっき用導電性基材
2:導電性基材
3:絶縁層
4:凹部
5:感光性レジスト層(感光性樹脂層)
6:突起部
7:DLC膜
8:中間層
9:パターン化銅金属
10:穴(貫通孔)
11:段差部
12:傾斜部
13:導体層パターン
14:転写用基材
15:別の基材
16:粘着剤層
18:他の基材
19:保護樹脂
20:接着剤
21:他の基材
22:接着剤又は粘着剤
23:保護フィルム
101:電解浴槽
102:電解液
103:陽極
104:回転体
105:配管
106:ポンプ
107:陽極
108:導体層パターン
109:接着性支持体
110:圧接ロール
111:導体層パターン付き接着支持体
151:遮断部材
1: Conductive substrate for plating 2: Conductive substrate 3: Insulating layer 4: Recessed portion 5: Photosensitive resist layer (photosensitive resin layer)
6: Protrusion 7: DLC film 8: Intermediate layer 9: Patterned copper metal 10: Hole (through hole)
11: Stepped portion 12: Inclined portion 13: Conductive layer pattern 14: Transfer base material 15: Another base material 16: Adhesive layer 18: Other base material 19: Protective resin 20: Adhesive 21: Other base material 22: Adhesive or adhesive 23: Protective film 101: Electrolytic bath 102: Electrolytic solution 103: Anode 104: Rotating body 105: Piping 106: Pump 107: Anode 108: Conductive layer pattern 109: Adhesive support 110: Pressure contact roll 111: Adhesive support with conductor layer pattern 151: Blocking member

Claims (48)

めっき用導電性基材を用いて、表面が黒化処理されたパターン化銅金属層を製造する方法において、めっき用導電性基材が、導電性基材の表面に絶縁層が形成されており、その絶縁層に開口方向に向かって幅広であってめっきを形成するための凹部のパターンが形成されているめっき用導電性基材であり、そのめっき用導電性基材の凹部に第1電流密度の下に銅金属を析出させて銅金属層を形成する導電層形成工程、及び、第1の電流密度よりも大きい第2の電流密度の下に上記銅金属層の表面に、その表面が黒色乃至茶褐色になるように銅金属を析出させる黒化処理工程を、一つの硫酸銅めっき浴中にて行うことを特徴とする表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造方法。   In the method of manufacturing a patterned copper metal layer whose surface is blackened using a conductive substrate for plating, the conductive substrate for plating has an insulating layer formed on the surface of the conductive substrate. A conductive substrate for plating in which the insulating layer is wide in the opening direction and has a recess pattern for forming a plating, and a first current is formed in the recess of the conductive substrate for plating. A conductive layer forming step of depositing copper metal under a density to form a copper metal layer, and a surface of the copper metal layer under a second current density larger than the first current density, A method for producing a patterned copper metal layer having a blackened surface, wherein a blackening treatment step of depositing copper metal so as to be black or brown is performed in one copper sulfate plating bath. 導電層形成工程を第1の電流密度を含む第1の電着領域において行い、黒化処理工程を第2の電流密度を含む第2の電着領域において行う請求項1記載の表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造方法。   2. The surface according to claim 1, wherein the conductive layer forming step is performed in a first electrodeposition region including a first current density, and the blackening treatment step is performed in a second electrodeposition region including a second current density. A method for producing a treated patterned copper metal layer. 黒化処理工程において、明度25の黒色を背景にして、開口率が50%の光透過部の明度が25〜50、又は色度a*及びb*が共に5以下になるように銅金属を析出させる請求項1又は2記載の表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造方法。   In the blackening treatment process, with a background of black having a lightness of 25, copper metal is used so that the light transmission portion having an aperture ratio of 50% has a lightness of 25 to 50, or chromaticity a * and b * are both 5 or less. The manufacturing method of the patterned copper metal layer by which the surface of Claim 1 or 2 made to deposit was blackened. 黒化処理工程において、明度25の黒色を背景にして、開口率が40%以上光透過部の色度a*及びb*が共に2.8以下になるように金属を析出させる請求項1又は2記載の表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造方法。   2. The metal is deposited in the blackening treatment step so that the aperture ratio is 40% or more and the chromaticity a * and b * of the light transmission part are both 2.8 or less with a black background having a brightness of 25 as a background. The manufacturing method of the patterned copper metal layer by which the surface of 2 description was blackened. 黒化処理工程において、開口率が40%未満であって、明度25の黒色を背景にした光透過部又は光未透過部の色度a*及びb*が共に5以下になるように金属を析出させる請求項1又は2記載の表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造方法。   In the blackening treatment step, the metal is applied so that the aperture ratio is less than 40% and the chromaticity a * and b * of the light transmitting portion or the light non-transmitting portion with a lightness of 25 as a background is both 5 or less. The manufacturing method of the patterned copper metal layer by which the surface of Claim 1 or 2 made to deposit was blackened. 硫酸銅めっき浴が添加剤として界面活性剤を含む硫酸銅めっき浴である請求項1〜5のいずれかに記載の表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造方法。   The method for producing a patterned copper metal layer whose surface is blackened according to claim 1, wherein the copper sulfate plating bath is a copper sulfate plating bath containing a surfactant as an additive. 第1の電流密度が0.5〜40A/dmである請求項1〜6のいずれか1項に記載の表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造方法。 1st current density is 0.5-40 A / dm < 2 >, The manufacturing method of the patterned copper metal layer by which the surface of any one of Claims 1-6 was blackened. めっき用導電性基材において、めっきを形成するための凹部が絶縁層に幾何学図形を描くように又はそれ自身幾何学図形を描くように形成されている請求項1〜7のいずれか1項に記載の表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造方法。   The electroconductive substrate for plating, wherein the concave portion for forming the plating is formed so as to draw a geometric figure on the insulating layer or to draw a geometric figure itself. The manufacturing method of the patterned copper metal layer by which the surface as described in 1 was blackened. めっき用導電性基材において、絶縁層が、ダイヤモンドライクカーボン(DLC)又は無機材料からなる請求項1〜8のいずれか1項に記載の表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造方法。   The electroconductive substrate for plating, wherein the insulating layer is made of diamond-like carbon (DLC) or an inorganic material. The production of a patterned copper metal layer whose surface is blackened according to any one of claims 1 to 8. Method. めっき用導電性基材において、絶縁層が、DLC、Al又はSiOである請求項9に記載の表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造方法。 The method for producing a patterned copper metal layer having a blackened surface according to claim 9, wherein the insulating layer is DLC, Al 2 O 3 or SiO 2 in the conductive substrate for plating. めっき用導電性基材において、絶縁層が、硬度が10〜40GPaのDLCからなる請求項10に記載の表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造方法。   The method for producing a patterned copper metal layer having a blackened surface according to claim 10, wherein the insulating layer is made of DLC having a hardness of 10 to 40 GPa in the conductive base material for plating. めっき用導電性基材において、導電性基材と絶縁層の間に、Ti、Cr、W、Siまたはそれらの窒化物又は炭化物のいずれか1以上を含む中間層を介在させている請求項1〜11のいずれか1項に記載の表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造方法。   2. An electroconductive substrate for plating, wherein an intermediate layer containing at least one of Ti, Cr, W, Si, or a nitride or carbide thereof is interposed between the conductive substrate and the insulating layer. The manufacturing method of the patterned copper metal layer by which the surface of any one of -11 was blackened. めっき用導電性基材において、凹部の最小幅が1〜40μm、凹部の最大幅が2〜60μm及び凹部の間隔が50〜1000μmである請求項1〜12のいずれか1項に記載の表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造方法。   In the electroconductive base material for plating, the minimum width of a recessed part is 1-40 micrometers, the maximum width of a recessed part is 2-60 micrometers, and the space | interval of a recessed part is 50-1000 micrometers, The surface of any one of Claims 1-12. A method for producing a blackened patterned copper metal layer. めっき用導電性基材において、凹部側面の角度が絶縁層側で基材に対して10度以上90度未満である請求項1〜13のいずれか1項に記載の表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造方法。   In the electroconductive base material for plating, the angle of a recessed part side surface is 10 to 90 degree with respect to a base material by the side of an insulating layer, The surface of any one of Claims 1-13 was blackened A method for producing a patterned copper metal layer. めっき用導電性基材において、凹部側面の角度が絶縁層側で基材に対して10度以上80度以下である請求項1〜14のいずれか1項に記載の表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造方法。   In the electroconductive base material for plating, the angle of a recessed part side surface is 10 to 80 degree | times with respect to a base material by the side of an insulating layer, The surface of any one of Claims 1-14 was blackened. A method for producing a patterned copper metal layer. めっき用導電性基材において、絶縁層の厚さが、0.5〜20μmである請求項1〜15のいずれか1項に記載の表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造方法。   In the electroconductive base material for plating, the thickness of an insulating layer is 0.5-20 micrometers, The manufacturing method of the patterned copper metal layer by which the surface of any one of Claims 1-15 was blackened . めっき用導電性基材において、導電性基材の表面が、鋼又はTiからなる請求項1〜16のいずれか1項に記載の表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造方法。   The method for producing a patterned copper metal layer according to any one of claims 1 to 16, wherein the surface of the conductive substrate is made of steel or Ti in the conductive substrate for plating. めっき用導電性基材が回転体、または回転体に取り付けられた平板である請求項1〜17のいずれか1項に記載の表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造方法。   The method for producing a patterned copper metal layer having a blackened surface according to any one of claims 1 to 17, wherein the conductive substrate for plating is a rotating body or a flat plate attached to the rotating body. 導電性基材として、回転体からなる導電性基材又は回転体に取り付けた導電性基材を使用し、その一部をめっき液に浸漬させ、回転体を回転させつつ、金属パターン作製工程及び転写工程を行う請求項1〜17のいずれか1項に記載の表面が黒化処理されたパターン化銅金属の製造方法。   As the conductive substrate, a conductive substrate made of a rotating body or a conductive substrate attached to the rotating body is used. A part of the substrate is immersed in a plating solution, and the rotating body is rotated. The manufacturing method of the patterned copper metal by which the surface of any one of Claims 1-17 which performs a transcription | transfer process was blackened. 銅金属層形成工程において、銅金属の厚さが0.1〜20μmになるように銅金属を析出させる請求項1〜19のいずれか1項に記載の表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造方法。   The patterned copper whose surface according to any one of claims 1 to 19, wherein the copper metal is deposited so that the thickness of the copper metal is 0.1 to 20 µm in the copper metal layer forming step. A method for producing a metal layer. 前記第1の電流密度の下に銅金属層を形成する導電層形成工程を行うための第1の陽極と、前記第2の電流密度の下に前記銅金属層の表面にその表面が黒色乃至茶褐色になるように金属を析出させる黒化処理工程を行うための第2の陽極とが、互いに離れて前記めっき液の中に浸漬されており、前記各陽極の間には、絶縁体で構成された遮断部材が設けられていることを特徴とする請求項1〜20のいずれか1項に記載の表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造方法。   A first anode for performing a conductive layer forming step of forming a copper metal layer under the first current density; and a surface of the copper metal layer under the second current density is black or black A second anode for performing a blackening treatment step for depositing a metal so as to become brownish brown is immersed in the plating solution apart from each other, and an insulator is provided between the anodes. 21. The method for producing a patterned copper metal layer having a blackened surface according to any one of claims 1 to 20, wherein a blocked member is provided. 前記第1の電流密度の下に銅金属層を形成する導電層形成工程を行うための第1の陽極と、前記第2の電流密度の下に前記銅金属層の表面にその表面が黒色乃至茶褐色になるように金属を析出させる黒化処理工程を行うための第2の陽極とが兼用されており、前記第1の電流密度の下で前記導電層形成工程の形成後、前記第2の電流密度の下で前記黒化処理工程を行うことを特徴とする請求項1〜19のいずれかに記載の表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造方法。   A first anode for performing a conductive layer forming step of forming a copper metal layer under the first current density; and a surface of the copper metal layer under the second current density is black or black The second anode for performing the blackening treatment step for depositing the metal so as to be brownish brown is also used, and after the formation of the conductive layer formation step under the first current density, the second anode The method for producing a patterned copper metal layer whose surface is blackened according to any one of claims 1 to 19, wherein the blackening treatment step is performed under a current density. 請求項1〜22のいずれかに記載の表面が黒化処理されたパターン化銅金属層の製造方法を行った後、表面が黒化処理された銅金属層をめっき用導電性基材から剥離することを特徴とする表面が黒化処理されたパターン化銅金属の製造方法。   After performing the manufacturing method of the patterned copper metal layer by which the surface was blackened in any one of Claims 1-22, the copper metal layer by which the surface was blackened is peeled from the electroconductive base material for plating A method for producing a patterned copper metal whose surface is blackened. 導電性基材の表面に絶縁層が形成されており、その絶縁層に開口方向に向かって幅広なめっきを形成するための凹部が形成されているめっき用導電性基材のめっき形成部に電気めっきにより銅金属を析出させる金属パターン作製工程及びめっき用導電性基材上に析出した銅金属を接着性支持体に転写する転写工程を含む導体層パターン付き基材の製造方法であって、
金属パターン作製工程が第1の電流密度の下に銅金属層を形成する導電層形成工程、及び、前記第1の電流密度よりも大きい第2の電流密度の下に前記銅金属層の表面に、その表面が黒色乃至茶褐色になるように金属を析出させる黒化処理工程を、一つの硫酸銅めっき浴中にて行うことを特徴とする導体層パターン付き基材の製造方法。
An insulating layer is formed on the surface of the conductive substrate, and a recess is formed on the insulating layer to form a wide plating in the opening direction. A method for producing a substrate with a conductor layer pattern, comprising a metal pattern preparation step of depositing copper metal by plating and a transfer step of transferring the copper metal deposited on the conductive substrate for plating to an adhesive support,
A conductive layer forming step in which a metal pattern forming step forms a copper metal layer under a first current density; and a surface of the copper metal layer under a second current density greater than the first current density. A method for producing a substrate with a conductor layer pattern, wherein a blackening treatment step for depositing a metal so that the surface is black or brown is performed in one copper sulfate plating bath.
導電層形成工程を第1の電流密度を含む第2の電着領域において行い、黒化処理工程を第2の電流密度を含む第2の電着領域において行う請求項24記載の導体層パターン付き基材の製造方法。   25. With a conductor layer pattern according to claim 24, wherein the conductive layer forming step is performed in the second electrodeposition region including the first current density, and the blackening treatment step is performed in the second electrodeposition region including the second current density. A method for producing a substrate. 黒化処理工程において、明度25の黒色を背景にして、開口率が50%の光透過部の明度が25〜50、又はa*及びb*が共に5以下になるように銅金属を析出させる請求項24又は25記載の導体層パターン付き基材の製造方法。   In the blackening treatment step, copper metal is deposited so that the light transmission portion having an aperture ratio of 50% has a lightness of 25 to 50, or both a * and b * are 5 or less against a black background of lightness 25. The manufacturing method of the base material with a conductor layer pattern of Claim 24 or 25. 黒化処理工程において、明度25の黒色を背景にして、開口率が40%以上光透過部の色度a*及びb*が共に2.8以下になるように金属を析出させる請求項24又は25記載の導体層パターン付き基材の製造方法。   25. The blackening treatment step, wherein the metal is deposited so that the aperture ratio is 40% or more and the chromaticity a * and b * of the light transmission part are both 2.8 or less with a black background of 25 lightness as a background. 25. A process for producing a substrate with a conductor layer pattern according to 25. 黒化処理工程において、開口率が40%未満であって、明度25の黒色を背景にした光透過部又は光未透過部の色度a*及びb*が共に5以下になるように金属を析出させる請求項24又は25記載の導体層パターン付き基材の製造方法。   In the blackening treatment step, the metal is applied so that the aperture ratio is less than 40% and the chromaticity a * and b * of the light transmitting portion or the light non-transmitting portion with a lightness of 25 as a background is both 5 or less. The manufacturing method of the base material with a conductor layer pattern of Claim 24 or 25 made to deposit. 硫酸銅めっき浴が添加剤として界面活性剤を含むめっき浴である請求項24〜28のいずれかに記載の導体層パターン付き基材の製造方法。   The method for producing a substrate with a conductor layer pattern according to any one of claims 24 to 28, wherein the copper sulfate plating bath is a plating bath containing a surfactant as an additive. 第1の電流密度が0.5〜40A/dmである請求項24〜29のいずれか1項に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。 Method for producing a conductive layer patterned substrate according to any one of claims 24 to 29 the first current density is 0.5~40A / dm 2. めっきを形成するための凹部が絶縁層に幾何学図形を描くように又はそれ自身幾何学図形を描くように形成されている請求項24〜30のいずれか1項に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。   The base with a conductor layer pattern according to any one of claims 24 to 30, wherein the concave portion for forming the plating is formed so as to draw a geometric figure on the insulating layer or to draw a geometric figure itself. A method of manufacturing the material. 絶縁層が、ダイヤモンドライクカーボン(DLC)又は無機材料からなる請求項24〜31のいずれか1項に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。   The method for producing a substrate with a conductor layer pattern according to any one of claims 24 to 31, wherein the insulating layer is made of diamond-like carbon (DLC) or an inorganic material. 絶縁層が、DLC、Al又はSiOである請求項32に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。 Insulating layer, DLC, Al 2 O 3 or the manufacturing method of the conductive layer patterned substrate according to claim 32 is a SiO 2. 絶縁層が、硬度が10〜40GPaのDLCからなる請求項33に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。   The method for producing a substrate with a conductor layer pattern according to claim 33, wherein the insulating layer is made of DLC having a hardness of 10 to 40 GPa. 導電性基材と絶縁層の間に、Ti、Cr、W、Siまたはそれらの窒化物又は炭化物のいずれか1以上を含む中間層を介在させている請求項24〜34のいずれか1項に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。   The intermediate layer containing any one or more of Ti, Cr, W, Si, or nitrides or carbides thereof is interposed between the conductive substrate and the insulating layer. The manufacturing method of the base material with a conductor layer pattern of description. 凹部の最小幅が1〜40μm、凹部の最大幅が2〜60μm及び凹部の間隔が50〜1000μmである請求項24〜35のいずれか1項に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。   36. The method for producing a substrate with a conductor layer pattern according to any one of claims 24 to 35, wherein the minimum width of the recesses is 1 to 40 [mu] m, the maximum width of the recesses is 2 to 60 [mu] m, and the interval between the recesses is 50 to 1000 [mu] m. 凹部側面の角度が絶縁層側で基材に対して10度以上90度未満である請求項24〜36のいずれか1項に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。   37. The method for producing a substrate with a conductor layer pattern according to any one of claims 24 to 36, wherein an angle of the side surface of the recess is 10 degrees or more and less than 90 degrees with respect to the substrate on the insulating layer side. 凹部側面の角度が絶縁層側で基材に対して30度以上80度以下である請求項37記載の導体層パターン付き基材の製造方法。   The method for producing a base material with a conductor layer pattern according to claim 37, wherein the angle of the side surface of the concave portion is 30 degrees or more and 80 degrees or less with respect to the base material on the insulating layer side. 絶縁層の厚さが、0.5〜20μmである請求項24〜38のいずれか1項に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。   The thickness of an insulating layer is 0.5-20 micrometers, The manufacturing method of the base material with a conductor layer pattern of any one of Claims 24-38. 導電性基材の表面が、鋼又はTiからなる請求項24〜39のいずれか1項に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。   The method for producing a substrate with a conductor layer pattern according to any one of claims 24 to 39, wherein the surface of the conductive substrate is made of steel or Ti. 導電性基材が回転体、または回転体に取り付けられた平板である請求項24〜40のいずれか1項に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。   The method for producing a substrate with a conductor layer pattern according to any one of claims 24 to 40, wherein the conductive substrate is a rotating body or a flat plate attached to the rotating body. 導電性基材として、回転体からなる導電性基材又は回転体に取り付けた導電性基材を使用し、その一部をめっき液に浸漬させ、回転体を回転させつつ、金属パターン作製工程及び転写工程を行う請求項24〜41のいずれか1項に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。   As the conductive substrate, a conductive substrate made of a rotating body or a conductive substrate attached to the rotating body is used. A part of the substrate is immersed in a plating solution, and the rotating body is rotated. The manufacturing method of the base material with a conductor layer pattern of any one of Claims 24-41 which performs a transcription | transfer process. 導電層形成工程において、導電性基材の凸部の上面において金属の厚さが0.1〜20μmになるように金属を析出させる請求項24〜42のいずれか1項に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。   The conductive layer pattern according to any one of claims 24 to 42, wherein, in the conductive layer forming step, the metal is deposited so that the thickness of the metal is 0.1 to 20 µm on the upper surface of the convex portion of the conductive base material. A manufacturing method of a substrate with a mark. 請求項24〜請求項43のいずれか1項に記載の導体層パターン付き基材の製造方法において、
前記第1の電流密度の下に銅金属層を形成する導電層形成工程を行うための第1の陽極と、前記第2の電流密度の下に前記銅金属層の表面にその表面が黒色乃至茶褐色になるように金属を析出させる黒化処理工程を行うための第2の陽極とが、互いに離れて前記メッキ液の中に浸漬されており、前記各陽極の間には、絶縁体で構成された遮断部材が設けられていることを特徴とする導体層パターン付き基材の製造方法。
In the manufacturing method of the base material with a conductor layer pattern of any one of Claims 24-43,
A first anode for performing a conductive layer forming step of forming a copper metal layer under the first current density; and a surface of the copper metal layer under the second current density is black or black A second anode for performing a blackening treatment process for depositing a metal so as to be brownish brown is immersed in the plating solution apart from each other, and an insulator is provided between the anodes. The manufacturing method of the base material with a conductor layer pattern characterized by the above-mentioned.
請求項24〜請求項43のいずれか1項に記載の導体層パターン付き基材の製造方法において、
前記第1の電流密度の下に銅金属層を形成する導電層形成工程を行うための第1の陽極と、前記第2の電流密度の下に前記銅金属層の表面にその表面が黒色乃至茶褐色になるように金属を析出させる黒化処理工程を行うための第2の陽極とが兼用されており、前記第1の電流密度の下で前記導電層形成工程の形成後、前記第2の電流密度の下で前記黒化処理工程を行うことを特徴とする導体層パターン付き基材の製造方法。
In the manufacturing method of the base material with a conductor layer pattern of any one of Claims 24-43,
A first anode for performing a conductive layer forming step of forming a copper metal layer under the first current density; and a surface of the copper metal layer under the second current density is black or black The second anode for performing the blackening treatment step for depositing the metal so as to become brownish brown is also used, and after the formation of the conductive layer under the first current density, the second anode The manufacturing method of the base material with a conductor layer pattern characterized by performing the said blackening process process under an electric current density.
請求項24〜45のいずれか1項に記載の方法により製造された導体層パターン付き基材。   The base material with a conductor layer pattern manufactured by the method of any one of Claims 24-45. 請求項46記載の導体層パターン付き基材の導体層パターンを有する面を透明基板に貼りあわせてなる透光性電磁波遮蔽部材。   The translucent electromagnetic wave shielding member formed by bonding the surface which has the conductor layer pattern of the base material with a conductor layer pattern of Claim 46 on a transparent substrate. 請求項46に記載の導体層パターン付き基材の導体層パターンを樹脂で被覆してなる透光性電磁波遮蔽部材。   The translucent electromagnetic wave shielding member formed by coat | covering the conductor layer pattern of the base material with a conductor layer pattern of Claim 46 with resin.
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