JP5370752B2 - SUBSTRATE WITH CONDUCTIVE LAYER PATTERN, ITS MANUFACTURING METHOD, AND ELECTROMAGNETIC SHIELDING MEMBER USING THE SAME - Google Patents

SUBSTRATE WITH CONDUCTIVE LAYER PATTERN, ITS MANUFACTURING METHOD, AND ELECTROMAGNETIC SHIELDING MEMBER USING THE SAME Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a base with a conductor layer pattern which has high adhesiveness of the conductor layer pattern and is highly reliable. <P>SOLUTION: The base with the conductor layer pattern has the conductor layer pattern laminated on a base including a resin layer, and the whole or an upper portion of the conductor layer pattern is sectioned in a trapezoidal shape, wherein at least an upper surface or a portion of the trapezoidal shape is exposed from the resin layer and at least a portion below a portion of maximum width is embedded in the resin layer of the base. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&amp;INPIT

Description

本発明は、導体層パターン付き基材、その製造法及びそれを用いた電磁波遮蔽部材に関する。   The present invention relates to a substrate with a conductor layer pattern, a method for producing the same, and an electromagnetic wave shielding member using the same.

金属メッシュ等の導体層パターンを有する基材(導体層パターン付き基材)は、その導体層パターンを変更することにより、また、基材を種々選択することにより種々の用途に利用可能である。
金属メッシュからなる導体層パターンを有する導体層パターンを有する基材は、電磁波遮蔽部材として有用である。
特定のスロットを有する金属メッシュ等の導電性パターンを有する導体層パターン付き基材は、光透過性が高く、アンテナの利得も高いため、自動車のフロントガラスに貼り合せて用いられるフィルムアンテナとして利用することができる。
太陽電池においては、光電変換層において発生した電子を集電するために透明導電膜が光電変換層に積層されているが、この集電をさらに効率よくするために、透明導電膜への導体層パターン(金属配線層又は銀ペーストによる配線)が施されているが、この金属配線層の施設に導体層パターン付き基材が利用可能である。
また、タッチパネルの透明電極として導体層パターン付き基材の利用が可能である。
A base material having a conductor layer pattern such as a metal mesh (base material with a conductor layer pattern) can be used for various applications by changing the conductor layer pattern and by selecting various base materials.
A base material having a conductor layer pattern having a conductor layer pattern made of a metal mesh is useful as an electromagnetic wave shielding member.
A base material with a conductive layer pattern having a conductive pattern such as a metal mesh having a specific slot has high light transmittance and high antenna gain, and is used as a film antenna that is attached to a windshield of an automobile. be able to.
In a solar cell, a transparent conductive film is laminated on the photoelectric conversion layer to collect electrons generated in the photoelectric conversion layer. In order to make this current collection more efficient, a conductor layer to the transparent conductive film. Although a pattern (wiring with a metal wiring layer or silver paste) is applied, a base material with a conductor layer pattern can be used for the facility of this metal wiring layer.
Moreover, a base material with a conductor layer pattern can be used as a transparent electrode of a touch panel.

上記の導体層パターン付き基材は、例えば、次のようにして形成されている。
金属メッシュ等の導体層パターンを有する基材の製造方法として最も一般的なのは、フォトリソ法である。金属箔と基材を粘着剤を介して貼り合せる工程、感光性レジストを金属箔上に形成する工程、マスクを用いてパターン状に露光する工程、現像工程、金属箔を腐食する液を用いたエッチング工程、感光性レジストを剥離する工程からなる(特許文献1参照)。
The substrate with a conductor layer pattern is formed as follows, for example.
The most common method for producing a substrate having a conductor layer pattern such as a metal mesh is a photolithography method. The process of bonding the metal foil and the substrate through an adhesive, the process of forming a photosensitive resist on the metal foil, the process of exposing in a pattern using a mask, the developing process, and the liquid that corrodes the metal foil It consists of an etching process and a process of removing the photosensitive resist (see Patent Document 1).

また、導電性ペーストを、スクリーン印刷、オフセット印刷、グラビア印刷等の印刷法で基材に直接パターンを形成する方法もある。さらに、パラジウム化合物等の無電解めっき用触媒を樹脂に分散させ、それを上記印刷法で基材上にパターンを形成し、その後、無電解めっきを施し、導体層パターンを有する基材を得ることができる。
これらの方法では、必要に応じて、さらに電解めっきを施し、導電性を向上させることができる。
There is also a method in which a pattern is formed directly on a base material by a printing method such as screen printing, offset printing, and gravure printing. Furthermore, a catalyst for electroless plating such as a palladium compound is dispersed in a resin, and a pattern is formed on the substrate by the above printing method, and then electroless plating is performed to obtain a substrate having a conductor layer pattern. Can do.
In these methods, if necessary, electrolytic plating can be further performed to improve conductivity.

また、特許文献2では、銀塩写真法によって、ハロゲン化銀粒子を化学現像することによって、金属銀のパターンが得られることが記載されている。該現像銀は、化学現像によって得られるものであり、フィラメント状の金属銀の集合体、または、フィラメント状の金属銀が互いに結合・融着した金属銀の集合体である。
現像銀を得る方法は、一般によく知られている銀塩写真の原理・手法を利用でき、上記公報に記載の方法などを利用することができる。
現像銀は、電解メッキのカソードとして用いるのに十分な導電性とすることが可能であるため、現像銀を形成した後に、電解めっきを施して、導電性を向上させることもできる。
Patent Document 2 describes that a silver metal pattern can be obtained by chemically developing silver halide grains by silver salt photography. The developed silver is obtained by chemical development and is an aggregate of filamentous metallic silver or an aggregate of metallic silver in which filamentous metallic silver is bonded and fused together.
As a method for obtaining developed silver, generally well-known principles and methods of silver salt photography can be used, and the method described in the above publication can be used.
Since developed silver can be made sufficiently conductive to be used as a cathode for electrolytic plating, it is possible to improve the conductivity by forming electrolytic silver after forming developed silver.

さらに、導体層パターン付き基材の製造法として、特許文献3には、メッシュ状に金属電着が可能な電着基板上に金属電解液を使用して金属を電着し、粘着剤を介して電磁波遮蔽基板に接着転写して電磁波遮蔽板を作製する方法(以下、転写法という)が記載されている。上記の電着基板は、金属板等の導電性基板の上に、電着を阻害する絶縁性膜でメッシュパタ−ンと逆パターンを形成し、メッシュ状に金属電着が可能な電着部を露出させるようにして作製される。また、特許文献1には、絶縁層支持体上に凸状の導電性メッシュ層を形成した電着基板を用いる方法が記載されている。   Furthermore, as a method for producing a substrate with a conductor layer pattern, Patent Document 3 discloses that a metal electrolyte is used for electrodeposition on an electrodeposition substrate capable of metal electrodeposition in a mesh shape, and an adhesive is used. A method for producing an electromagnetic wave shielding plate by adhesion and transfer to an electromagnetic wave shielding substrate (hereinafter referred to as a transfer method) is described. The above electrodeposition substrate has an electrodeposited portion on which a metal pattern can be deposited in a mesh pattern by forming a reverse pattern to the mesh pattern with an insulating film that inhibits electrodeposition on a conductive substrate such as a metal plate. It is produced so as to be exposed. Patent Document 1 describes a method using an electrodeposition substrate in which a convex conductive mesh layer is formed on an insulating layer support.

特許文献3には、電子部品の回路パターンやセラミックコンデンサの電極パターンを作製するための金属層転写用ベースシートが開示されている。金属層転写用ベースシートは、ベース金属層および電気絶縁層を備え、ベース金属層の表面には、転写金属層を電解めっきにより形成するための凸状パターンが形成されており、電気絶縁層は、ベース金属層の表面における前記凸状パターンが形成されていない部分に、形成されているものである。金属層転写用ベースシートの製造法として、ベース金属層の表面に、ドライフィルムレジストなどを用いてエッチングレジストを凸状パターンと同一パターンで形成し、エッチングレジストで覆われず露出しているベース金属層の表面をエッチングして凹部を形成し、この後、エッチングレジストを除去し、エッチングされたベース金属層の全表面に電気絶縁層を形成し、次いで、凸状パターンが露出するまで電気絶縁層を研磨する方法が開示されている。このとき、電気絶縁層の表面とベース金属層の凸状パターンの表面は同一平面上に配置され面一となる。また、その作製方法の他の例として、めっきレジストからなる電気絶縁層を、ベース金属層の表面に、ドライフィルムレジストなどを用いて凸状パターンと逆パターン(反転パターン)で形成し、電気絶縁層の間から露出するベース金属層の表面に、電解めっき金属層を凸状パターンで形成するが、このとき、電解めっき金属層の厚みを、電気絶縁層よりも厚くする方法が記載されている。電解めっき金属層の表面を、電気絶縁層の表面よりも高く形成することによって、凸状パターン上に電気めっきにより形成された転写金属層を粘着シートに転写するときに、上記電気絶縁層がこの粘着シートに損傷を与えることを防止することができる旨記載されている。   Patent Document 3 discloses a metal layer transfer base sheet for producing a circuit pattern of an electronic component or an electrode pattern of a ceramic capacitor. The base sheet for metal layer transfer includes a base metal layer and an electrical insulating layer, and a convex pattern for forming the transfer metal layer by electrolytic plating is formed on the surface of the base metal layer. The surface of the base metal layer is formed on the portion where the convex pattern is not formed. As a method of manufacturing a base sheet for transferring a metal layer, an etching resist is formed in the same pattern as a convex pattern on the surface of the base metal layer using a dry film resist or the like, and is exposed without being covered with the etching resist. The surface of the layer is etched to form a recess, after which the etching resist is removed, an electrical insulation layer is formed on the entire surface of the etched base metal layer, and then the electrical insulation layer until the convex pattern is exposed A method of polishing the surface is disclosed. At this time, the surface of the electrical insulating layer and the surface of the convex pattern of the base metal layer are arranged on the same plane and are flush with each other. As another example of the manufacturing method, an electrical insulating layer made of a plating resist is formed on the surface of the base metal layer in a reverse pattern (inverted pattern) using a dry film resist or the like to electrically insulate. An electroplated metal layer is formed in a convex pattern on the surface of the base metal layer exposed from between the layers. At this time, a method is described in which the thickness of the electroplated metal layer is made thicker than the electrical insulating layer. . By forming the surface of the electroplated metal layer higher than the surface of the electrical insulation layer, the electrical insulation layer is transferred to the adhesive sheet when the transfer metal layer formed by electroplating on the convex pattern is transferred to the adhesive sheet. It is described that the adhesive sheet can be prevented from being damaged.

特開平10−41682号公報Japanese Patent Laid-Open No. 10-41682 特開2004−221564号公報JP 2004-221564 A 特開平11−26980号公報JP-A-11-26980 特開2004−186416号公報JP 2004-186416 A

導体層パターン付き基材では、多くの場合、接着層等の樹脂を介して特定の基材に導体層が積層されている。
従来の導体層パターン付き基材では、接着層とパターン面の接触面積が小さいために、樹脂とパターンの密着性は低く、パターンが剥離しやすい。また、ラインの断面が粘着剤層から突出しているため、横方向のせん断力に対しては特に密着性が低い。例えば、電磁波シールド用途では、視認される面では、一般的に樹脂層で被覆されるので、特に問題とはならないが、アース接続部では、導体が露出していなければならないので、高い密着性が要求される。アース接続部では、筐体とのアース接続にガスケットを用いるが、筐体を輸送するときにガスケットとアース接続部が振動により、こすれあい、横方向のせん断力が加わるので、それによりパターンが倒れたり、剥離するなど、アースの接続不良が発生することがある。
その他、フィルムアンテナ、太陽電池、タッチパネル等のように、厳しい環境における用途に導体層パターン付き基材を応用する場合に、導体層パターンの高い密着性が要求され、これが、その製品としての信頼性を向上させることになる。
In a base material with a conductor layer pattern, in many cases, a conductor layer is laminated on a specific base material via a resin such as an adhesive layer.
In the conventional base material with a conductor layer pattern, since the contact area between the adhesive layer and the pattern surface is small, the adhesion between the resin and the pattern is low, and the pattern is easy to peel off. Moreover, since the cross section of the line protrudes from the pressure-sensitive adhesive layer, the adhesion is particularly low with respect to the shearing force in the lateral direction. For example, in electromagnetic wave shielding applications, the surface to be visually recognized is generally coated with a resin layer, so there is no particular problem. However, since the conductor must be exposed at the ground connection portion, high adhesion is achieved. Required. In the ground connection part, a gasket is used for ground connection with the chassis. However, when the chassis is transported, the gasket and the ground connection part are rubbed by vibration and a shear force is applied in the lateral direction, which causes the pattern to collapse. In some cases, ground connection failure may occur.
In addition, when applying a substrate with a conductor layer pattern for applications in harsh environments such as film antennas, solar cells, touch panels, etc., high adhesion of the conductor layer pattern is required, which is the reliability of the product. Will be improved.

しかし、前記した導体層パターン付き基材又は導体層のいずれの製造法においても、このような要求を十分に満足する導体層パターン付き基材又は導体層を作製できるものではなかったり、いずれも工程数が多いことなどの理由で生産性よくそのようなものを製造できるものではなかった。   However, in any of the above-described methods for producing a substrate with a conductor layer pattern or a conductor layer, it is not possible to produce a substrate with a conductor layer pattern or a conductor layer that sufficiently satisfies such requirements. Such a thing was not able to be manufactured with high productivity for reasons such as a large number.

本発明は、このような問題点に鑑み、密着性が高く、信頼性に優れる導体層パターン付き基材、その製造法及びそれを用いた電磁波遮蔽部材を提供するものである。   In view of such problems, the present invention provides a substrate with a conductor layer pattern having high adhesion and excellent reliability, a method for producing the same, and an electromagnetic wave shielding member using the same.

本発明は、次のものに関する。
1. 樹脂層を含む基材に導体層のパターンが積層されている導体層パターン付き基材であって、上記導体層の断面形状が、台形状の部分(台形形状部)とこの部分に連続しており、この部分より広い幅の部分(最大幅の部分)からなる導体層のパターンであって、上記導体層は、少なくとも上記台形状の上面又は上記台形状の一部が樹脂層からは露出し、少なくとも台形状の部分に連続した台形状の部分より広い幅の部分(最大幅の部分から下の部分が上記基材の樹脂層に埋設されてなる導体層パターン付き基材。
2. 導体層が、断面形状の台形形状部の一部が露出している項1に記載の導体層パターン付き基材。
3. 導体層が、断面形状の台形形状部の側面の全部及び上面の一部までが樹脂層に被覆されている項1に記載の導体層パターン付き基材。
4. 上記導体層の断面形状の台形形状部の側面の角度が30°以上80°以下の範囲である項1〜3のいずれかに記載の導体層パターン付き基材。
5. 上記導体層の厚さが0.1〜30μmの範囲である項1〜4のいずれかに記載の導体層パターン付き基材。
6.導体層のパターンの台形形状の上辺の幅が、0.1〜40μmの範囲である項1〜5のいずれかに記載の導体層パターン付き基材。
7. 樹脂層を含む基材が、耐熱性透明基材上に樹脂層を積層してなるものである項1〜6のいずれかに記載の導体層パターン付き基材。
8. 耐熱性透明基材がガラス板である項7に記載の導体層パターン付き基材。
9. 樹脂層を含む基材が、透明プラスチックフィルム上に樹脂層を積層してなるものである項1〜6のいずれかに記載の導体層パターン付き基材。
10. 項1〜9のいずれかに記載の導体層パターン付き基材の導体層が露出している面に表面保護用の基材又は樹脂を積層してなる表面保護された導体層パターン付き基材。
11. (A)導電性基材の表面に絶縁層が形成されており、その絶縁層に開口方向に向かって幅広となった、めっきを形成するための凹部のパターンが形成されているめっき用導電性基材に、その凹部からはみ出るようにめっきして断面形状が台形状の部分とこの部分に連続しており、この部分より広い幅の部分(最大幅の部分)からなる導体層のパターンを形成する導体層作製工程
及び
(B)上記導電性基材の凹部に析出した導体層のパターンを、表面に樹脂層を有する基材に転写する転写工程
を含み、上記の転写工程において又は転写工程後で、上記導体層の少なくとも上記断面形状が台形状の上面の一部又は上記断面形状の台形状の一部を樹脂層からは露出させながら、上記導体層の少なくとも台形状の部分に連続した台形状の部分より広い幅の部分(最大幅の部分から下の部分を上記基材の樹脂層に埋設させることを特徴とする導体層パターン付き基材の製造法。
12. 樹脂層の樹脂が硬化性樹脂であり、導体層パターンを表面に樹脂層を有する基材に転写した後、表面に樹脂層を有する基材の樹脂層に導体層が少なくともその断面形状の台形状の一部が埋設されている状態で樹脂層の少なくとも表面を硬化させる項11に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
13. (A)導電性基材の表面に絶縁層が形成されており、その絶縁層に開口方向に向かって幅広となった、めっきを形成するための凹部のパターンが形成されているめっき用導電性基材に、その凹部からはみ出るようにめっきして断面形状が台形状の部分とこの部分に連続しており、この部分より広い幅の部分からなる導体層パターンを形成する導体層作製工程、
(B)上記導電性基材の凹部に析出した導体層パターンを表面に粘着樹脂層を有する基材(I)に転写する工程
及び
(C)得られた導体層パターン付き基材の導体層が露出している面に基材(II)を積層する工程を含み、
上記の転写の工程において又は転写工程後で、上記導体層パターンの少なくとも上記断面形状が台形状の上面の一部又は上記断面形状の台形状の一部を粘着樹脂層からは露出させながら、上記導体層パターンの少なくとも台形状の部分に連続した台形状の部分より広い幅の部分(最大幅の部分から下の部分を上記基材(I)の粘着樹脂層に埋設させることを特徴とする表面保護された導体層パターン付き基材の製造法。
14. 項13記載の表面保護された導体層パターン付き基材の製造法の工程を全て行った後、得られた表面保護された導体層パターン付き基材の基材(I)を剥離しながら若しくは剥離した後、露出させた粘着樹脂層に基材(III)を積層する工程を含む表面保護された導体層パターン付き基材の製造法。
15. 基材(III)が耐熱透明性基材である項14記載の導体層パターン付き基材の製造法。
16. 耐熱透明性基材が、ガラス板である項15記載の導体層パターン付き基材の製造法。
17. 項1〜10のいずれかに記載の導体層パターン付き基材からなる電磁波遮蔽部材。
18. 項17記載の電磁波遮蔽部材を透明基板に貼りあわせてなる電磁波遮蔽板。
The present invention relates to the following.
1. A substrate with a conductor layer pattern in which a pattern of a conductor layer is laminated on a substrate including a resin layer, and the cross-sectional shape of the conductor layer is continuous with a trapezoidal portion (trapezoidal shape portion) and this portion. A pattern of a conductor layer comprising a portion wider than this portion (maximum width portion) , wherein at least the trapezoidal upper surface or part of the trapezoidal shape is exposed from the resin layer. A base material with a conductor layer pattern, wherein at least a lower part from a part ( maximum width part ) wider than a trapezoidal part continuous to a trapezoidal part is embedded in the resin layer of the base material.
2. Item 2. The substrate with a conductor layer pattern according to Item 1, wherein the conductor layer is partially exposed in a trapezoidal shape having a cross-sectional shape.
3. Item 2. The substrate with a conductor layer pattern according to Item 1, wherein the conductor layer is coated with the resin layer on all of the side surfaces and part of the upper surface of the trapezoidal shape section having a cross-sectional shape.
4). Item 4. The substrate with a conductor layer pattern according to any one of Items 1 to 3, wherein an angle of a side surface of the trapezoidal shape portion having a cross-sectional shape of the conductor layer is in a range of 30 ° to 80 °.
5. Item 5. The substrate with a conductor layer pattern according to any one of Items 1 to 4, wherein the conductor layer has a thickness in the range of 0.1 to 30 μm.
6). Item 6. The substrate with a conductor layer pattern according to any one of Items 1 to 5, wherein the width of the upper side of the trapezoidal shape of the conductor layer pattern is in the range of 0.1 to 40 μm.
7). Item 7. The substrate with a conductor layer pattern according to any one of Items 1 to 6, wherein the substrate including the resin layer is formed by laminating a resin layer on a heat-resistant transparent substrate.
8). Item 8. The substrate with a conductor layer pattern according to Item 7, wherein the heat-resistant transparent substrate is a glass plate.
9. Item 7. The substrate with a conductor layer pattern according to any one of Items 1 to 6, wherein the substrate including the resin layer is formed by laminating a resin layer on a transparent plastic film.
10. Item 10. A substrate with a surface-protected conductor layer pattern obtained by laminating a surface-protecting substrate or a resin on a surface of the substrate with a conductor layer pattern according to any one of Items 1 to 9, wherein the conductor layer is exposed.
11. (A) An insulating layer is formed on the surface of the conductive base material, and a conductive pattern for plating in which a concave pattern for forming plating is formed on the insulating layer and becomes wider in the opening direction. the substrate, by plating so as to extend to the outside of the concave portion of that is continuous to the portion and the portion of the cross-sectional shape trapezoidal, the conductor layer comprising a portion of the width greater than the portion (portion of the maximum width) pattern And (B) a transfer step of transferring the pattern of the conductor layer deposited on the concave portion of the conductive base material to a base material having a resin layer on the surface. After the step, at least the cross- sectional shape of the conductor layer is continuous to at least the trapezoidal portion of the conductor layer while exposing a part of the trapezoidal upper surface or a part of the trapezoidal shape of the cross-sectional shape from the resin layer. Wider than trapezoidal part Portions preparation of conductive layers patterned substrate, wherein the portion of the bottom (the largest part of the width) be embedded in the resin layer of the substrate.
12 Resin of the resin layer is a curable resin, the conductive layer pattern, after transferring the substrate having a resin layer on the surface, the conductor layer on the resin layer of the substrate having a resin layer on the surface of at least a cross-sectional shape base Item 12. The method for producing a substrate with a conductor layer pattern according to Item 11, wherein at least the surface of the resin layer is cured in a state where a part of the shape is embedded.
13. (A) An insulating layer is formed on the surface of the conductive base material, and a conductive pattern for plating in which a concave pattern for forming plating is formed on the insulating layer and becomes wider in the opening direction. the substrate, by plating so as to extend to the outside of the concave portion of that is continuous to the portion and the portion of the cross-sectional shape trapezoidal, conductive layer fabrication process for forming a conductor layer pattern composed of a part of the width wider than the portion ,
(B) a step of transferring the conductor layer pattern deposited on the concave portion of the conductive substrate to the substrate (I) having an adhesive resin layer on the surface, and (C) the conductor layer of the obtained substrate with the conductor layer pattern Laminating the substrate (II) on the exposed surface,
In the above transfer step or after the transfer step, at least the cross-sectional shape of the conductor layer pattern is part of the trapezoidal top surface or part of the cross-sectional shape trapezoidal shape is exposed from the adhesive resin layer. A lower portion from a portion ( maximum width portion ) having a width wider than a trapezoidal portion continuous to at least the trapezoidal portion of the conductor layer pattern is embedded in the adhesive resin layer of the substrate (I). A method for producing a surface-protected substrate with a conductor layer pattern.
14 After carrying out all the steps of the method for producing the surface-protected conductor layer-patterned substrate according to Item 13, the substrate (I) of the obtained surface-protected conductor layer-patterned substrate is peeled or peeled off Then, the manufacturing method of the base material with a surface-protected conductor layer pattern including the process of laminating | stacking base material (III) on the exposed adhesive resin layer.
15. Item 15. The method for producing a substrate with a conductor layer pattern according to Item 14, wherein the substrate (III) is a heat-resistant transparent substrate.
16. Item 16. The method for producing a substrate with a conductor layer pattern according to Item 15, wherein the heat-resistant transparent substrate is a glass plate.
17. Item 11. An electromagnetic wave shielding member comprising a substrate with a conductor layer pattern according to any one of Items 1 to 10.
18. Item 18. An electromagnetic wave shielding plate obtained by bonding the electromagnetic wave shielding member according to Item 17 to a transparent substrate.

本発明における導体層パターン付き基材では、パターンの最大幅となる部分が、基材上に形成した樹脂層に埋没しているため、樹脂とパターンの接触面積が増え、密着性が向上する。さらに、樹脂層にパターンが埋没しているため、パターンの横方向のせん断密着力が向上する。したがって、例えば、導体層パターンと他の電気配線との接続部の振動試験などの振動衝撃の後のパターン異常がなく、導体層パターンを接続した構造体の輸送後の特性の低下がない。また、加熱加湿試験等の信頼性試験や、耐水試験を行った後の密着力の低下がなく、良好である。   In the base material with a conductor layer pattern in the present invention, since the portion which becomes the maximum width of the pattern is buried in the resin layer formed on the base material, the contact area between the resin and the pattern is increased, and the adhesion is improved. Furthermore, since the pattern is buried in the resin layer, the shear adhesive strength in the lateral direction of the pattern is improved. Therefore, for example, there is no pattern abnormality after vibration impact such as a vibration test of the connection portion between the conductor layer pattern and other electrical wiring, and there is no deterioration in characteristics after transportation of the structure to which the conductor layer pattern is connected. In addition, there is no decrease in adhesion after a reliability test such as a heat humidification test or a water resistance test, which is good.

特に、本発明における導体層パターン付き基材では、導体層が露出している表面のなめらかが高いため、特には、導体層がその上面のみ又はほぼ上面のみを樹脂層からは露出しているときには)樹脂をコーティングしたり、粘接着フィルムを貼り合せた場合に、気泡の発生が抑制され、特に導電性部材への導体層の密着性を良好に、しかも気泡の巻き込みなくすことができるため、導体層パターン付き基材を適用した用途での信頼性が優れている。   In particular, in the base material with a conductor layer pattern in the present invention, since the smoothness of the surface where the conductor layer is exposed is high, particularly when the conductor layer exposes only the upper surface or almost the upper surface from the resin layer. ) When the resin is coated or the adhesive film is pasted together, the generation of bubbles is suppressed, and particularly the adhesion of the conductor layer to the conductive member can be satisfactorily prevented, and the bubbles can be prevented from being involved. Excellent reliability in applications using a substrate with a conductor layer pattern.

本発明における導体層パターン付き基材では、上部層である台形形状部の側部の一部または全部(上部層の上面が露出している)、あるいは、場合により上面の一部が樹脂層に被覆されることで、上記した効果がさらに向上する。   In the base material with a conductor layer pattern in the present invention, a part or all of the side part of the trapezoidal shape part which is the upper layer (the upper surface of the upper layer is exposed), or in some cases, a part of the upper surface becomes the resin layer. By coating, the above-described effects are further improved.

本発明の導体層パターン付き基材の製造法によれば、めっきにより得られる導体層パターンの剥離が容易であるため、導体層パターン付き基材が容易に製造でき、また、電磁波シールド性又は導電性に優れた導体層パターン付き基材を容易に製造できる。さらに、また、このような導体層パターン付き基材を生産効率よく製造できる。また、透明性に優れた導体層パターン付き基材を容易に作製することができる。   According to the method for producing a substrate with a conductor layer pattern of the present invention, since the conductor layer pattern obtained by plating is easy to peel off, the substrate with a conductor layer pattern can be easily produced, and also has an electromagnetic shielding property or conductivity. A substrate with a conductor layer pattern having excellent properties can be easily produced. Furthermore, such a substrate with a conductor layer pattern can be produced with high production efficiency. Moreover, the base material with a conductor layer pattern excellent in transparency can be produced easily.

本発明における導体層パターン付き基材の製造法によれば、めっき用導電性基材に析出しためっき上に基材を貼り合わせる工程やめっきを基材に転写後にカバーフィルム、剥離性フィルム等を貼り合わせる工程によって、必要に応じて加熱加圧することで、導体層を樹脂中に調整して埋没させることができ、導体層の密着性に優れ、また、信頼性に優れる導体層パターン付き基材を容易に得ることができる。これとともに、特に、転写後に導体層が存在する面に貼り合わせるカバーフィルムの濁度を2.0以下とすることで、高透明の導体層パターン付き基材を得ることができる。   According to the method for producing a substrate with a conductor layer pattern in the present invention, a step of bonding the substrate onto the plating deposited on the conductive substrate for plating or a cover film, a peelable film, etc. after transferring the plating to the substrate. By applying heat and pressure as needed in the bonding process, the conductor layer can be adjusted and embedded in the resin, and the conductor layer patterned substrate is excellent in the adhesion of the conductor layer and excellent in reliability. Can be easily obtained. At the same time, in particular, by setting the turbidity of the cover film to be bonded to the surface on which the conductor layer exists after transfer to 2.0 or less, a highly transparent substrate with a conductor layer pattern can be obtained.

本発明における電磁波遮蔽部材及び電磁波遮蔽板は、特定の導体層パターンを使用することにより、導電性、導体層の密着性、信頼性に優れ、また、生産効率よく製造できる。優れた光透過性も付与できる。   By using a specific conductor layer pattern, the electromagnetic wave shielding member and the electromagnetic wave shielding plate in the present invention are excellent in conductivity, adhesion of the conductor layer, and reliability, and can be produced with high production efficiency. Excellent light transmittance can also be imparted.

本発明に係る導体層パターン付き基材の一例を示す部分切り取り斜視図。The partial cutaway perspective view which shows an example of the base material with a conductor layer pattern which concerns on this invention. 導体層の一部を切り取った斜視図。The perspective view which cut off some conductor layers. 図2(b)に示す導体層の幅方向の断面図。Sectional drawing of the width direction of the conductor layer shown in FIG.2 (b). 図2(b)に示す導体層の幅方向の他の例の断面図Sectional drawing of the other example of the width direction of the conductor layer shown in FIG.2 (b) 導体層の横断面図。The cross-sectional view of a conductor layer. 導体層の横断面図。The cross-sectional view of a conductor layer. 導体層が樹脂層に埋設されている状態を示す部分断面図。The fragmentary sectional view which shows the state by which the conductor layer is embed | buried under the resin layer. 導体層が樹脂層に埋設されている状態を示す部分断面図。The fragmentary sectional view which shows the state by which the conductor layer is embed | buried under the resin layer. 本発明のめっき用導電性基材の一例を示す斜視図。The perspective view which shows an example of the electroconductive base material for plating of this invention. 図9のA−A断面図。AA sectional drawing of FIG. めっき用導電性基材の製造方法を示す工程の一例を断面図。Sectional drawing which shows an example of the process which shows the manufacturing method of the electroconductive base material for plating. 中間層を有するめっき用導電性基材とその前駆体の断面図を示す。Sectional drawing of the electroconductive base material for plating which has an intermediate | middle layer, and its precursor is shown. 導体層パターン付き基材の作製例の前半を示す断面図。Sectional drawing which shows the first half of the example of preparation of the base material with a conductor layer pattern. 導体層パターン付き基材の作製例の後半を示す断面図。Sectional drawing which shows the second half of the preparation examples of the base material with a conductor layer pattern. めっき用導電性基材の凹部内にめっきにより導体層パターンを形成した状態を示す断面図。Sectional drawing which shows the state which formed the conductor layer pattern by plating in the recessed part of the electroconductive base material for plating. 図15に示す凹部内の導体層パターンを転写して得られた導体層パターン付き基材の断面図。Sectional drawing of the base material with a conductor layer pattern obtained by transferring the conductor layer pattern in the recessed part shown in FIG. 導体層が保護されている導体層パターン付き基材の例を示す断面図。Sectional drawing which shows the example of the base material with a conductor layer pattern in which the conductor layer is protected. 導体層パターン付き基材の一例を示す断面図。Sectional drawing which shows an example of a base material with a conductor layer pattern. 導体層付き樹脂層の例を示す断面図。Sectional drawing which shows the example of the resin layer with a conductor layer. 透明導電膜を有する導体層パターン付き基材の例を示す断面図。Sectional drawing which shows the example of the base material with a conductor layer pattern which has a transparent conductive film. 支持基材の交換工程の一例を示す断面図Sectional drawing which shows an example of the exchange process of a support base material 新しい支持基材として、粘着剤層を有するものを使用して得られた導体層パターン付き基材の断面図。Sectional drawing of the base material with a conductor layer pattern obtained using what has an adhesive layer as a new support base material. 本発明における導体層パターン付き基材を利用した積層物の断面図。Sectional drawing of the laminated body using the base material with a conductor layer pattern in this invention. 別の態様を示す積層物の断面図。Sectional drawing of the laminated body which shows another aspect. 本発明に係る導体層パターン付き基材を利用した太陽電池の構成を示す断面図。Sectional drawing which shows the structure of the solar cell using the base material with a conductor layer pattern which concerns on this invention. 本発明に係る導体層パターン付き基材を利用した太陽電池の別の構成を示す断面図。Sectional drawing which shows another structure of the solar cell using the base material with a conductor layer pattern which concerns on this invention. 太陽電池要素の断面図。Sectional drawing of a solar cell element. 別の太陽電池要素の断面図。Sectional drawing of another solar cell element. 別の太陽電池要素の断面図。Sectional drawing of another solar cell element. 別の太陽電池要素の断面図。Sectional drawing of another solar cell element. 太陽電池の一例を示す断面図。Sectional drawing which shows an example of a solar cell. 太陽電池の他の例を示す断面図。Sectional drawing which shows the other example of a solar cell. 太陽電池の他の例を示す断面図。Sectional drawing which shows the other example of a solar cell. 太陽電池の他の例を示す断面図。Sectional drawing which shows the other example of a solar cell. 回転体を用いて導体層パターン付き基材を連続的に作製するための装置の概念断面図。The conceptual sectional drawing of the apparatus for producing continuously the base material with a conductor layer pattern using a rotary body. フープ状のめっき用導電性基材を用いて導体層パターン付き基材を連続的に作製するための装置の概念断面図。The conceptual sectional drawing of the apparatus for producing continuously the base material with a conductor layer pattern using the hoop-shaped electroconductive base material for plating.

本発明に係る導体層パターン付き基材は、樹脂層を含む基材及び導体層を含み、基材の表面に導体層がパターン状に配置されている。
図1は、本発明に係る導体層パターン付き基材の一例を示す部分切り取り斜視図(模式図)である。導体層パターン付き基材1は、支持基材2上に樹脂層3を有する基材4の表面に導体層5が埋設されている。
The base material with a conductor layer pattern according to the present invention includes a base material including a resin layer and a conductor layer, and the conductor layers are arranged in a pattern on the surface of the base material.
FIG. 1 is a partially cutaway perspective view (schematic diagram) showing an example of a substrate with a conductor layer pattern according to the present invention. In the substrate 1 with a conductor layer pattern, a conductor layer 5 is embedded on the surface of a substrate 4 having a resin layer 3 on a support substrate 2.

基材4は、従って、それを構成する樹脂層及び支持基材は、用途により選択することができる。ディスプレイ用電磁波遮蔽材、フィルムアンテナ、液晶パネル、タッチパネル、無機ELを使った平面光源、太陽電池(表面側への応用)等への導体層パターン付き基材の応用を考慮すると透明のものが好ましい。このとき、本発明に係る導体層パターン付き基材は、特に可視領域で光透過性を有することが好ましく、一般に全光線透過率が90%以上のものが好ましい。
上記基材は、その表面のうち導体層を埋設する側に導体層を埋設するための樹脂層を有する。
この樹脂層は、熱可塑性樹脂でもよいが、硬化性樹脂であってもよい。硬化性樹脂は硬化させてあってもそうでなくてもよく、樹脂の硬化は、導体層パターン付き基材を使用に供してから行ってもよい。
また、この樹脂層は、支持基材上に積層されていることが好ましいが、樹脂層だけで基材を構成していてもよい。
Therefore, the resin layer and the support base material which comprise the base material 4 can be selected with a use. In consideration of the application of the substrate with the conductor layer pattern to a display electromagnetic wave shielding material, a film antenna, a liquid crystal panel, a touch panel, a planar light source using inorganic EL, a solar cell (application to the surface side), and the like are preferable. . At this time, the base material with a conductor layer pattern according to the present invention preferably has light transmittance particularly in the visible region, and generally has a total light transmittance of 90% or more.
The base material has a resin layer for embedding the conductor layer on the side of the surface where the conductor layer is embedded.
The resin layer may be a thermoplastic resin or a curable resin. The curable resin may or may not be cured, and the resin may be cured after the substrate with the conductor layer pattern is used.
Moreover, it is preferable that this resin layer is laminated | stacked on the support base material, However, You may comprise the base material only with the resin layer.

支持基材としては、ガラス、プラスチック等からなる板、プラスチックフィルム、プラスチックシートなどがある。ガラスとしては、ソーダガラス、無アルカリガラス、強化ガラス等のガラスを使用することができる。
プラスチックとしては、ポリスチレン樹脂、アクリル樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂などの熱可塑性ポリエステル樹脂、酢酸セルロース樹脂、フッ素樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリメチルペンテン樹脂、ポリウレタン樹脂、フタル酸ジアリル樹脂などの熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂が挙げられる。プラスチックの中では、透明性に優れるポリスチレン樹脂、アクリル樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂が好適に用いられる。別の基材の厚みは、0.5mm〜5mmがディスプレイの保護や強度、取扱い性から好ましい。
Examples of the supporting substrate include a plate made of glass, plastic, and the like, a plastic film, and a plastic sheet. As the glass, glass such as soda glass, non-alkali glass, and tempered glass can be used.
Plastics include polystyrene resin, acrylic resin, polymethyl methacrylate resin, polycarbonate resin, polyvinyl chloride resin, polyvinylidene chloride resin, polyethylene resin, polypropylene resin, polyamide resin, polyamideimide resin, polyetherimide resin, polyetheretherketone Resin, polyarylate resin, polyacetal resin, polybutylene terephthalate resin, thermoplastic polyester resin such as polyethylene terephthalate resin, cellulose acetate resin, fluororesin, polysulfone resin, polyethersulfone resin, polymethylpentene resin, polyurethane resin, diallyl phthalate Examples thereof include thermoplastic resins such as resins and thermosetting resins. Among plastics, polystyrene resin, acrylic resin, polymethyl methacrylate resin, polycarbonate resin, and polyvinyl chloride resin, which are excellent in transparency, are preferably used. The thickness of another substrate is preferably 0.5 mm to 5 mm from the viewpoint of protection of the display, strength, and handleability.

このプラスチックフィルムとしては、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレートなどのポリエステル類、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、EVAなどのポリオレフィン類、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデンなどのビニル系樹脂、ポリサルホン、ポリエーテルサルホン、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリイミド、アクリル樹脂などのプラスチックからなるフィルムで全可視光透過率が70%以上のものが好ましい。これらは単層で使うこともできるが、2層以上を組合せた多層フィルムとして使用してもよい。前記プラスチックフィルムのうち透明性、耐熱性、取り扱いやすさ、価格の点からポリエチレンテレフタレートフィルムまたはポリカーボネートフィルムが特に好ましい。
上記プラスチックフィルムの厚さは特に制限はないが、1mm以下のものが好ましく、厚すぎると可視光透過率が低下しやすくなる傾向がある。また、薄く成りすぎると取扱い性が悪くなることを勘案すると、上記プラスチックフィルムの厚さは5〜500μmがより好ましく、50〜200μmとすることがさらに好ましい。
これらのプラスチックフィルム等の基材は、ガラス板、プラスチック板に比較して、より柔軟であり、それを利用してディスプレイの前面からの電磁波の漏洩を防ぐための電磁波シールドフィルム、フィルムアンテナなどに好適である。
The plastic film includes polyesters such as polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate, polyolefins such as polyethylene, polypropylene, polystyrene, and EVA, vinyl resins such as polyvinyl chloride and polyvinylidene chloride, polysulfone, and polyethersulfone. A film made of plastic such as phon, polycarbonate, polyamide, polyimide, acrylic resin, etc., having a total visible light transmittance of 70% or more is preferable. These can be used as a single layer, but may be used as a multilayer film in which two or more layers are combined. Among the plastic films, a polyethylene terephthalate film or a polycarbonate film is particularly preferable from the viewpoints of transparency, heat resistance, ease of handling, and cost.
Although there is no restriction | limiting in particular in the thickness of the said plastic film, The thing of 1 mm or less is preferable, and when it is too thick, there exists a tendency for visible light transmittance | permeability to fall easily. In consideration of the fact that if the film is too thin, the handleability deteriorates, the thickness of the plastic film is more preferably 5 to 500 μm, and further preferably 50 to 200 μm.
Substrates such as plastic films are more flexible than glass plates and plastic plates, and can be used for electromagnetic wave shielding films and film antennas to prevent leakage of electromagnetic waves from the front of the display. Is preferred.

樹脂層を形成するための樹脂としては、前記の通り、熱可塑性樹脂又は硬化性樹脂が使用される。
上記の熱可塑性樹脂として代表的なものとして以下のものがあげられる。たとえば天然ゴム、ポリイソプレン、ポリ−1,2−ブタジエン、ポリイソブテン、ポリブテン、ポリ−2−ヘプチル−1,3−ブタジエン、ポリ−2−t−ブチル−1,3−ブタジエン、ポリ−1,3−ブタジエン)などの(ジ)エン類、ポリオキシエチレン、ポリオキシプロピレン、ポリビニルエチルエーテル、ポリビニルヘキシルエーテル、ポリビニルブチルエーテルなどのポリエーテル類、ポリビニルアセテート、ポリビニルプロピオネートなどのポリエステル類、ポリウレタン、エチルセルロース、ポリ塩化ビニル、ポリアクリロニトリル、ポリメタクリロニトリル、ポリスルホン、ポリスルフィド、フェノキシ樹脂、ポリエチルアクリレート、ポリブチルアクリレート、ポリ−2−エチルヘキシルアクリレート、ポリ−t−ブチルアクリレート、ポリ−3−エトキシプロピルアクリレート)、ポリオキシカルボニルテトラメタクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリイソプロピルメタクリレート、ポリドデシルメタクリレート、ポリテトラデシルメタクリレート、ポリ−n−プロピルメタクリレート、ポリ−3,3,5−トリメチルシクロヘキシルメタクリレート、ポリエチルメタクリレート、ポリ−2−ニトロ−2−メチルプロピルメタクリレート、ポリ−1,1−ジエチルプロピルメタクリレート、ポリメチルメタクリレートなどのポリ(メタ)アクリル酸エステル、熱可塑性ポリエステル樹脂、熱可塑性ポリアミド樹脂などが使用可能である。これらのポリマを構成するモノマーは、必要に応じて、2種以上共重合させて得られるコポリマとして用いてもよいし、以上のポリマ又はコポリマを2種類以上ブレンドして使用することも可能である。
As the resin for forming the resin layer, a thermoplastic resin or a curable resin is used as described above.
Typical examples of the thermoplastic resin include the following. For example, natural rubber, polyisoprene, poly-1,2-butadiene, polyisobutene, polybutene, poly-2-heptyl-1,3-butadiene, poly-2-t-butyl-1,3-butadiene, poly-1,3 -Dienes such as butadiene), polyethers such as polyoxyethylene, polyoxypropylene, polyvinyl ethyl ether, polyvinyl hexyl ether and polyvinyl butyl ether, polyesters such as polyvinyl acetate and polyvinyl propionate, polyurethane, ethyl cellulose , Polyvinyl chloride, polyacrylonitrile, polymethacrylonitrile, polysulfone, polysulfide, phenoxy resin, polyethyl acrylate, polybutyl acrylate, poly-2-ethylhexyl acrylate, poly-t-butyl Acrylate, poly-3-ethoxypropyl acrylate), polyoxycarbonyl tetramethacrylate, polymethyl acrylate, polyisopropyl methacrylate, polydodecyl methacrylate, polytetradecyl methacrylate, poly-n-propyl methacrylate, poly-3,3,5-trimethyl Poly (meth) acrylates such as cyclohexyl methacrylate, polyethyl methacrylate, poly-2-nitro-2-methylpropyl methacrylate, poly-1,1-diethylpropyl methacrylate, polymethyl methacrylate, thermoplastic polyester resins, thermoplastic polyamides Resin etc. can be used. The monomers constituting these polymers may be used as a copolymer obtained by copolymerization of two or more, if necessary, or may be used by blending two or more of the above polymers or copolymers. .

前記硬化性樹脂のうち、活性エネルギー線で硬化する樹脂としては、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂等をベースポリマとし、各々にラジカル重合性あるいはカチオン重合性官能基を付与させた材料が例示できる。ラジカル重合性官能基として、アクリル基(アクリロイル基)、メタクリル基(メタクリロイル基)、ビニル基、アリル基などの炭素−炭素二重結合があり、反応性の良好なアクリル基(アクリロイル基)が好適に用いられる。カチオン重合性官能基としては、エポキシ基(グリシジルエーテル基、グリシジルアミン基)が代表的であり、高反応性の脂環エポキシ基が好適に用いられる。具体的な材料としては、アクリルウレタン、エポキシ(メタ)アクリレート、エポキシ変性ポリブタジエン、エポキシ変性ポリエステル、ポリブタジエン(メタ)アクリレート、アクリル変性ポリエステル等が挙げられる。活性エネルギー線としては、紫外線、電子線等が利用される。
活性エネルギー線が紫外線の場合、紫外線硬化時に添加される光増感剤あるいは光開始剤としては、ベンゾフェノン系、アントラキノン系、ベンゾイン系、スルホニウム塩、ジアゾニウム塩、オニウム塩、ハロニウム塩等の公知の材料を使用することができる。また、上記の材料の他に汎用の熱可塑性樹脂をブレンドしても良い。
Among the curable resins, as a resin curable by active energy rays, a material in which an acrylic resin, an epoxy resin, a polyester resin, a urethane resin, or the like is used as a base polymer and a radically polymerizable or cationically polymerizable functional group is added to each of them is used. Can be illustrated. As the radical polymerizable functional group, there are carbon-carbon double bonds such as an acrylic group (acryloyl group), a methacryl group (methacryloyl group), a vinyl group, and an allyl group, and a highly reactive acrylic group (acryloyl group) is preferable. Used for. As the cationically polymerizable functional group, an epoxy group (glycidyl ether group, glycidylamine group) is representative, and a highly reactive alicyclic epoxy group is preferably used. Specific materials include acrylic urethane, epoxy (meth) acrylate, epoxy-modified polybutadiene, epoxy-modified polyester, polybutadiene (meth) acrylate, and acrylic-modified polyester. As the active energy rays, ultraviolet rays, electron beams and the like are used.
When the active energy ray is ultraviolet light, the photosensitizer or photoinitiator added at the time of ultraviolet curing includes known materials such as benzophenone, anthraquinone, benzoin, sulfonium salt, diazonium salt, onium salt, and halonium salt. Can be used. In addition to the above materials, a general-purpose thermoplastic resin may be blended.

また、前記硬化性樹脂のうち、熱硬化性樹脂としては、天然ゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、ポリイソブチ
レン、ブチルゴム、ハロゲン化ブチル、アクリロニトリル−ブタジエンゴム、スチレン−ブタジエンゴム、ポリイソブテン、カルボキシゴム、ネオプレン、ポリブタジエン等の樹脂と架橋剤としての硫黄、アニリンホルムアルデヒド樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂、フェノールホルムアルデヒド樹脂、リグリン樹脂、キシレンホルムアルデヒド樹脂、キシレンホルムアルデヒド樹脂、メラミンホルムアルデヒド樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、アニリン樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、ホルマリン樹脂、金属酸化物、金属塩化物、オキシム、アルキルフェノール樹脂等の組み合わせで用いられるものがある。なおこれらには、架橋反応速度を増加する目的で、汎用の加硫促進剤等の添加剤を使用することもできる。
Among the curable resins, thermosetting resins include natural rubber, isoprene rubber, chloroprene rubber, polyisobutylene, butyl rubber, halogenated butyl, acrylonitrile-butadiene rubber, styrene-butadiene rubber, polyisobutene, carboxy rubber, and neoprene. Sulfur, aniline formaldehyde resin, urea formaldehyde resin, phenol formaldehyde resin, ligrin resin, xylene formaldehyde resin, xylene formaldehyde resin, melamine formaldehyde resin, epoxy resin, urea resin, aniline resin, melamine resin , Phenol resins, formalin resins, metal oxides, metal chlorides, oximes, alkylphenol resins, and the like. In addition, for these purposes, additives such as general-purpose vulcanization accelerators can be used for the purpose of increasing the crosslinking reaction rate.

熱硬化性樹脂として、硬化剤を利用するものとしては、カルボキシル基、水酸基、エポキシ基、アミノ基、不飽和炭化水素基等の官能基を有する樹脂とエポキシ基、水酸基、アミノ基、アミド基、カルボキシル基、チオール基等の官能基を有する硬化剤あるいは金属塩化物、イソシアネート、酸無水物、金属酸化物、過酸化物等の硬化剤との組み合わせで用いられるものがある。なお、硬化反応速度を増加する目的で、汎用の触媒等の添加剤を使用することもできる。具体的には、硬化性アクリル樹脂組成物、不飽和ポリエステル樹脂組成物、ジアリルフタレート樹脂、エポキシ樹脂組成物、ポリウレタン樹脂組成物等が例示される。   As a thermosetting resin, those using a curing agent include a resin having a functional group such as a carboxyl group, a hydroxyl group, an epoxy group, an amino group, an unsaturated hydrocarbon group, an epoxy group, a hydroxyl group, an amino group, an amide group, Some are used in combination with a curing agent having a functional group such as a carboxyl group or a thiol group, or a curing agent such as a metal chloride, isocyanate, acid anhydride, metal oxide, or peroxide. In addition, for the purpose of increasing the curing reaction rate, additives such as general-purpose catalysts can be used. Specific examples include curable acrylic resin compositions, unsaturated polyester resin compositions, diallyl phthalate resins, epoxy resin compositions, polyurethane resin compositions, and the like.

さらに、熱硬化性樹脂又は活性エネルギー線で硬化する樹脂としては、アクリル酸又はメタクリル酸の付加物が好ましいものとして例示できる。
アクリル酸又はメタクリル酸の付加物としては、エポキシアクリレート(n=1.48〜1.60)、ウレタンアクリレート(n=1.5〜1.6)、ポリエーテルアクリレート(n=1.48〜1.49)、ポリエステルアクリレート(n=1.48〜1.54)なども使うこともできる。特に接着性の点から、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、ポリエーテルアクリレートが優れており、エポキシアクリレートとしては、1、6−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、アリルアルコールジグリシジルエーテル、レゾルシノールジグリシジルエーテル、アジピン酸ジグリシジルエステル、フタル酸ジグリシジルエステル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、グリセリントリグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールテトラグリシジルエーテル、ソルビトールテトラグリシジルエーテル等の(メタ)アクリル酸付加物が挙げられる。エポキシアクリレートなどのように分子内に水酸基を有するポリマは接着性向上に有効である。これらの共重合樹脂は必要に応じて、2種以上併用することができる。
Furthermore, as a thermosetting resin or a resin curable with an active energy ray, an adduct of acrylic acid or methacrylic acid can be exemplified as a preferable one.
As an adduct of acrylic acid or methacrylic acid, epoxy acrylate (n = 1.48 to 1.60), urethane acrylate (n = 1.5 to 1.6), polyether acrylate (n = 1.48 to 1) .49), polyester acrylate (n = 1.48 to 1.54), and the like can also be used. In particular, urethane acrylate, epoxy acrylate, and polyether acrylate are excellent from the viewpoint of adhesiveness. Examples of epoxy acrylate include 1,6-hexanediol diglycidyl ether, neopentyl glycol diglycidyl ether, allyl alcohol diglycidyl ether, and resorcinol. (Meth) acrylic such as diglycidyl ether, diglycidyl adipate, diglycidyl phthalate, polyethylene glycol diglycidyl ether, trimethylolpropane triglycidyl ether, glycerin triglycidyl ether, pentaerythritol tetraglycidyl ether, sorbitol tetraglycidyl ether An acid adduct is mentioned. A polymer having a hydroxyl group in the molecule, such as epoxy acrylate, is effective in improving adhesion. These copolymer resins can be used in combination of two or more as required.

なお、熱硬化性樹脂又は活性エネルギー線で硬化する樹脂には、汎用の熱可塑性樹脂がブレンドされていてもよい。
また、樹脂層には、可塑剤、酸化防止剤、充填剤、着色剤、紫外線吸収剤などの添加剤が配合されていてもよい。
前記樹脂層の厚さは、少なくとも、導体層を埋設させる厚さよりも厚いことが必要である。より確実に導体層を樹脂中に埋没させるためには、樹脂層の厚さは、導体層を埋設させる厚さの1.5倍以上であることがさらに好ましい。また、樹脂層の厚さは、100μm以下が好ましい。必要以上に厚くしてもコストが嵩むことになる。
Note that a general-purpose thermoplastic resin may be blended with the thermosetting resin or the resin curable with active energy rays.
Moreover, additives, such as a plasticizer, antioxidant, a filler, a coloring agent, and an ultraviolet absorber, may be mix | blended with the resin layer.
The thickness of the resin layer needs to be at least thicker than the thickness for embedding the conductor layer. In order to more reliably embed the conductor layer in the resin, the thickness of the resin layer is more preferably 1.5 times or more the thickness of the conductor layer embedded. The thickness of the resin layer is preferably 100 μm or less. Even if it is thicker than necessary, the cost increases.

本発明における導体層は、断面形状が台形状のもの又は断面形状が台形状の上部とこれに連続した下部からなる。
図面を用いて説明する。図2は、導体層5のパターンの一部を切り取った斜視図である。図2(a)は、断面形状が台形状の導体層パターンであり、図2(b)は、断面形状が台形状の上部とこの上部より幅広の下部からなる導体層5のパターンである。図3は、図2(b)に示す導体層5の幅方向の断面図であり、断面が台形状の上部6とこの上部に連続しており、この上部より幅広な摧円形状の下部7からなり、上部6の台形状の底辺と下部7の摧円形の弦の部分で一体となっている。図2(b)及び図3において、下部は断面形状が摧円形であるが、これにかぎらない。図2(b)及び図3に示されるような場合には、下部7の上部底辺から突出したような肩部8は、一つの特徴となりうる。なお、上記の摧円形とは、必ずしも真円を切り取った形だけでなく、楕円又は楕円や真円を変形させたような形状を切り取ったものを包含する。例えば、図4(図2(b)に示す導体層の幅方向の断面図の他の例)の(a)、(b)又は(c)であらわされるような形状であってもよい。
また、図2及び図3において、下部の最大幅(したがって導体層パターンの最大幅)は、平面部にそってあるが、肩部より下部に最大幅が存在する形状であってもよい。
さらに、導体層パターンは、その横断面において、前記したような上部に対し連続している下部が、上部の最大幅よりも狭い最大幅を有するものであってもよい。また、下部の断面形状が矩形状であってもよい。
The conductor layer in the present invention comprises a trapezoidal cross section or an upper part having a trapezoidal cross section and a lower part continuous thereto.
This will be described with reference to the drawings. FIG. 2 is a perspective view in which a part of the pattern of the conductor layer 5 is cut off. FIG. 2A shows a conductor layer pattern having a trapezoidal cross section, and FIG. 2B shows a pattern of the conductor layer 5 having a trapezoidal upper section and a lower width wider than the upper part. FIG. 3 is a cross-sectional view in the width direction of the conductor layer 5 shown in FIG. 2 (b). The cross section is continuous with the trapezoidal upper portion 6 and the upper portion, and the ellipse-shaped lower portion 7 is wider than the upper portion. The upper base 6 has a trapezoidal base and the lower part 7 has an oval string part. In FIG. 2B and FIG. 3, the lower part has an oval cross-sectional shape, but this is not restrictive. In the case shown in FIGS. 2B and 3, the shoulder portion 8 protruding from the upper base of the lower portion 7 can be a feature. The above elliptical shape is not necessarily limited to a shape obtained by cutting a perfect circle, but includes a shape obtained by cutting an ellipse or a shape obtained by deforming an ellipse or a perfect circle. For example, the shape as shown in (a), (b), or (c) of FIG. 4 (another example of the cross-sectional view in the width direction of the conductor layer shown in FIG. 2B) may be used.
2 and 3, the maximum width of the lower portion (and hence the maximum width of the conductor layer pattern) is along the plane portion, but may have a shape in which the maximum width exists below the shoulder portion.
Furthermore, the conductor layer pattern may have a maximum width narrower than the maximum width of the upper portion of the conductor layer pattern. The lower cross-sectional shape may be rectangular.

導体層の寸法として、導体層全体の厚さは0.1〜30μmであることが好ましい。0.1μm未満では、十分に低い抵抗を得ることが困難となる傾向があり、30μmを越えると、抵抗はほとんど変化しないため、材料費、工程時間が増え、コスト的に不利になる。また、以上を考慮して0.5〜20μmであることがより好ましく、3〜15μmの範囲であることがさらに好ましい。
また、導体層の最大幅は適宜決定されるが、光透過性を良くするためには、1〜50μmであることが好ましい。導体層の幅が狭すぎると電磁波シールド性が低下する傾向があり、広すぎると可視光透過率が低下する。また、以上を考慮して、幅を5〜30μmとすることがさらに好ましい。光透過性が問題にならない場合には、幅を大きくしてもよい。
As a dimension of the conductor layer, the thickness of the entire conductor layer is preferably 0.1 to 30 μm. If the thickness is less than 0.1 μm, it tends to be difficult to obtain a sufficiently low resistance. If the thickness exceeds 30 μm, the resistance hardly changes. Therefore, material costs and process time increase, which is disadvantageous in terms of cost. In consideration of the above, the thickness is more preferably 0.5 to 20 μm, and further preferably 3 to 15 μm.
Moreover, although the maximum width of a conductor layer is determined suitably, in order to improve light transmittance, it is preferable that it is 1-50 micrometers. If the width of the conductor layer is too narrow, the electromagnetic shielding property tends to be lowered, and if it is too wide, the visible light transmittance is lowered. In consideration of the above, the width is more preferably 5 to 30 μm. If light transmission does not matter, the width may be increased.

導体層の寸法を図面を用いてさらに説明する。
図5は、導体層の横断面図を示す。図5(a)は台形状であり、図5(b)は、台形状の上部とこの上部より幅広な摧円形状の下部が一体となったものである。両者において、上面幅(台形状の上辺の長さ)L1、導体層の断面形状における最大幅Lは、それぞれ次のようにすることが好ましい。
The dimensions of the conductor layer will be further described with reference to the drawings.
FIG. 5 shows a cross-sectional view of the conductor layer. FIG. 5A shows a trapezoidal shape, and FIG. 5B shows an integrated trapezoidal upper part and an ellipse-shaped lower part wider than the upper part. In both cases, the upper surface width (length of the upper side of the trapezoidal shape) L1 and the maximum width L in the cross-sectional shape of the conductor layer are preferably as follows.

導体層の厚さTは、前記の通り、0.1〜30μmであることが好ましく、0.5〜20μmであることがより好ましく、3〜15μmの範囲であることがさらに好ましい。
図5(b)における形状である場合、台形形状の上部の厚さT1と下部の厚さT2の合計厚さTが0.1〜30μmの範囲となっていれば、T1とT2の値に制限はないが、樹脂層と導体層パターンとの密着性をより高めるためには、T2が0.5μm以上であることが好ましく、1μm以上であることがさらに好ましい。
As described above, the thickness T of the conductor layer is preferably 0.1 to 30 μm, more preferably 0.5 to 20 μm, and still more preferably 3 to 15 μm.
In the case of the shape in FIG. 5B, if the total thickness T of the trapezoidal upper part thickness T1 and the lower part thickness T2 is in the range of 0.1 to 30 μm, the value of T1 and T2 is obtained. Although there is no restriction, in order to further improve the adhesion between the resin layer and the conductor layer pattern, T2 is preferably 0.5 μm or more, and more preferably 1 μm or more.

また、導体層の最大幅Lは、前記したとおり1〜50μmであることが好ましく、5〜30μmとすることがさらに好ましい。   Moreover, as described above, the maximum width L of the conductor layer is preferably 1 to 50 μm, and more preferably 5 to 30 μm.

図5(b)における形状である場合、上部台形形状の上底の幅L1と下底の幅L2は、所望の最大幅Lが確保され、後述するように、台形形状の側辺の角度が後記する条件を満たせば、その幅に特に制約はない。下部が完全に埋没し、樹脂層が肩部及び上部の一部を被覆するようになると、導体層と樹脂層の密着性が向上することになるが、この観点からは、最大幅Lと上部台形形状の下底の幅L2の差は、1.0μm以上であることが好ましい。導体層の最大幅(T)や上部台形形状の上底の幅L1に特に制限はなく、その大きさは、例えば、5mmであってもよい。   In the case of the shape shown in FIG. 5B, the upper trapezoidal shape upper base width L1 and lower base width L2 have a desired maximum width L. As will be described later, the angle of the side of the trapezoidal shape is If the conditions described later are satisfied, the width is not particularly limited. When the lower part is completely buried and the resin layer covers the shoulder and part of the upper part, the adhesion between the conductor layer and the resin layer is improved. From this point of view, the maximum width L and the upper part are improved. The difference in the width L2 of the lower base of the trapezoidal shape is preferably 1.0 μm or more. There is no particular limitation on the maximum width (T) of the conductor layer and the width L1 of the upper base of the upper trapezoidal shape, and the size may be, for example, 5 mm.

図5の(a)又は(b)における形状である場合、光透過性を重要視する場合、L1は後記する製法上、1〜40μmとすることが好ましい。   In the case of the shape shown in (a) or (b) of FIG. 5, when importance is attached to light transmittance, L1 is preferably 1 to 40 μm in view of the manufacturing method described later.

図6の(a)及び(b)において、台形状であることは、条件としてその側辺が内側に傾きを持つということであるが、台形状の側辺の傾きは、左右のぞれぞれの内角αが30°以上90°未満が好ましく、30度以上80度以下がより好ましく、30度以上60度以下がさらに好ましく、40度以上60度以下が特に好ましい。台形形状の角度が小さいと、台形形状の高さに対して幅が広くなるため、透明性を阻害しやすくなる。また、角度が大きくなるほど、製法上、透明導電膜によって側面が覆われにくくなり、電解質液におかされて腐食されやすくなる。台形状の側辺の傾きは、左右のぞれぞれの内角は、等しくなくてもよい。   In FIGS. 6A and 6B, the trapezoidal shape means that the side edge has an inward inclination as a condition, but the inclination of the trapezoidal side edge is in each of the left and right sides. The inner angle α is preferably 30 ° or more and less than 90 °, more preferably 30 ° or more and 80 ° or less, further preferably 30 ° or more and 60 ° or less, and particularly preferably 40 ° or more and 60 ° or less. If the angle of the trapezoidal shape is small, the width becomes wider with respect to the height of the trapezoidal shape, so that transparency is easily hindered. In addition, as the angle increases, the side surface is less likely to be covered by the transparent conductive film due to the manufacturing method, and is more likely to be corroded by the electrolyte solution. As for the inclination of the trapezoidal side, the inner angles of the left and right sides do not have to be equal.

また、導体層の断面形状が台形の部分は、その幅が、上面に向かって全体として狭まっていればよい。上記図面のように勾配αで一定勾配で狭まっている必要は必ずしもなく、上面に向かって広がっておらず全体として狭まっていればよい。特に、側面が上面に対して垂直となっている部分がないようにすることが好ましい。   Moreover, the width | variety of the part whose cross-sectional shape of a conductor layer is trapezoid should just narrow as a whole toward an upper surface. It does not necessarily have to be narrowed at a constant gradient α as in the above-mentioned drawing, and it is sufficient that it does not spread toward the upper surface but narrows as a whole. In particular, it is preferable that there are no portions whose side surfaces are perpendicular to the top surface.

前記の導体層の断面形状が台形状の部分に相当する側面は、必ずしも平面ではない。この場合には、図6にその導体層の横断面図を示すように、前記の勾配αは、台形の高さhと台形の側辺の幅s(水平方向で台形の側辺の幅方向)を求め、式(1)

Figure 0005370752
・・・・・(1)
によってαを決定する。
αは、角度で30度以上90度未満が好ましく、30度以上80度以下がより好ましく、30度以上60度以下がさらに好ましく、40度以上60度以下が特に好ましい。 The side surface corresponding to the trapezoidal section of the conductor layer is not necessarily a flat surface. In this case, as shown in the cross-sectional view of the conductor layer in FIG. 6, the gradient α has the trapezoidal height h and the trapezoid side width s (horizontal direction of the trapezoidal side width direction). ) And formula (1)
Figure 0005370752
(1)
Determines α.
α is preferably from 30 ° to less than 90 °, more preferably from 30 ° to 80 °, even more preferably from 30 ° to 60 °, and particularly preferably from 40 ° to 60 °.

前記図5において、L3とT1は、

Figure 0005370752
の関係にあることが好ましい。また、
Figure 0005370752
の関係にあることがより好ましい。
これにより、導体層は、幅方向へのめっきの広がりよりも、厚み方向への広がりが大きく、厚み方向に異方的にめっきが生長するので、表面抵抗を上昇させることなく、ライン幅を微細化することができ、このような導体層を有する導体層パターン付き基材は、透明性と低抵抗の両立を高いレベルで実現可能である。特に、ライン幅が30μm以下の微細パターンにおいて、上記効果は顕著である。めっきが厚み方向に異方的に生長すると、等方的に生長した場合に比較して、断面形状が円形状に近づく。したがって、このような導体層を有する導体層付きパターン基材は、ラインを転写する際の応力によるラインの折れが改善され、抵抗の低下や外観の異常をより良く抑制することができる。特に、めっき厚が薄くなるほど、この効果は、顕著となってくる。 In FIG. 5, L3 and T1 are
Figure 0005370752
It is preferable that the relationship is Also,
Figure 0005370752
It is more preferable that the relationship is
As a result, the conductor layer has a larger spread in the thickness direction than the spread in the width direction, and the plating grows anisotropically in the thickness direction, so that the line width is reduced without increasing the surface resistance. The base material with a conductor layer pattern having such a conductor layer can realize both transparency and low resistance at a high level. In particular, the effect is remarkable in a fine pattern having a line width of 30 μm or less. When the plating grows anisotropically in the thickness direction, the cross-sectional shape approaches a circular shape as compared with the case where the plating grows isotropically. Therefore, the pattern base material with a conductor layer having such a conductor layer can improve the folding of the line due to the stress when transferring the line, and can more effectively suppress the decrease in resistance and the appearance abnormality. In particular, this effect becomes more remarkable as the plating thickness is reduced.

導体層のライン間隔は50μm以上の範囲とすることが好ましい。ライン間隔は、大きいほど開口率は向上し、可視光透過率は向上する。本発明における導体層パターンの開口率は50%以上が好ましく、60%以上がさらに好ましく、特に好ましくは80%以上が好ましい。ライン間隔が大きくなり過ぎると、表抵抗の低下効果が低下するため、ライン間隔は2000μm(mm)以下とするのが好ましく、特に100〜1000μmであることが好ましい。なお、ライン間隔は、導体層パターンで囲まれる幾何学図形等の組合せで複雑となる場合、繰り返し単位を基準として、その面積を正方形の面積に換算してその一辺の長さをライン間隔とする。 The line spacing of the conductor layer is preferably in the range of 50 μm or more. The larger the line spacing, the better the aperture ratio and the visible light transmittance. The aperture ratio of the conductor layer pattern in the present invention is preferably 50% or more, more preferably 60% or more, and particularly preferably 80% or more. If the line spacing is too large, the effect of lowering the front surface resistance decreases, the line spacing is preferably a 2000 .mu.m (2 mm) or less, particularly preferably 100 to 1000 [mu] m. When the line interval is complicated by a combination of geometric figures surrounded by the conductor layer pattern, the area is converted into a square area with the repetition unit as a reference, and the length of one side is set as the line interval. .

本発明における、導体層は、少なくとも上面が露出した状態で全体又は一部が樹脂層に埋設されていることが好ましい。これにより、アンカー効果が発現するので導体層パターンの基材への密着性が向上する。導体層は、断面形状において、少なくともその最大幅の部分以下が樹脂層に埋設していることが密着性を向上させる上、重要である。
図7及び図8に、導体層が樹脂層に埋設されている状態を示す部分断面図である。
図7(a)では、断面形状が台形の導体層5が一部、樹脂層3に埋設されている状態を示し、図7(b)は、上面が樹脂層3からは露出しながら導体層5全体が樹脂層3に埋設されている状態を示す。図8(a)は、断面が台形状の上部6とこの上部より幅広な下部7が、上部6の台形状の底辺と下部7の摧円形の弦の部分で一体となっている導体層の下部7全体(深さ方向で)が樹脂層3に埋設されている状態(肩部8が露出している)を示す。図8(b)は、同様の導体層が上部6の上面を含む一部が樹脂層3からは露出した状態で樹脂層3に埋設されている状態を示す。また、図8(c)は、同様の導体層が上部6の上面のみ樹脂層3からは露出した状態で樹脂層3に埋設されている状態を示す。図7及び8に示す何れの場合も導体層の最大幅の部分は、樹脂層12に埋設されている。
また、図7(b)又は図8(c)の状態において、さらに、樹脂層3が、導体層5又は上部6の上面の一部を被さるようにして被覆していてもよい。
In the present invention, the conductor layer is preferably entirely or partially embedded in the resin layer with at least the upper surface exposed. Thereby, since the anchor effect appears, the adhesiveness to the base material of a conductor layer pattern improves. It is important for improving the adhesion that the conductor layer has at least a portion having the maximum width in the cross-sectional shape embedded in the resin layer.
7 and 8 are partial cross-sectional views showing a state in which the conductor layer is embedded in the resin layer.
7A shows a state in which the conductor layer 5 having a trapezoidal cross-sectional shape is partially embedded in the resin layer 3, and FIG. 7B shows the conductor layer while the upper surface is exposed from the resin layer 3. 5 shows a state where the entirety of 5 is embedded in the resin layer 3. FIG. 8A shows a conductor layer in which a trapezoidal upper section 6 and a lower section 7 wider than the upper section are integrated at a trapezoidal base of the upper section 6 and an oval string portion of the lower section 7. A state in which the entire lower part 7 (in the depth direction) is embedded in the resin layer 3 (the shoulder 8 is exposed) is shown. FIG. 8B shows a state in which a similar conductor layer including the upper surface of the upper portion 6 is embedded in the resin layer 3 with a part thereof exposed from the resin layer 3. FIG. 8C shows a state in which a similar conductor layer is embedded in the resin layer 3 with only the upper surface of the upper part 6 exposed from the resin layer 3. 7 and 8, the maximum width portion of the conductor layer is embedded in the resin layer 12.
Further, in the state of FIG. 7B or FIG. 8C, the resin layer 3 may be further covered so as to cover a part of the upper surface of the conductor layer 5 or the upper portion 6.

導体層のパターンとしては、種々のものが可能であるが、用途により適宜選択される。
導体層のパターンとして、導体層自体は線状又は平面的に広がりのある形状であって、導体層自体が、平面形状として、正三角形、二等辺三角形、直角三角形などの三角形、正方形、長方形、ひし形、平行四辺形、台形などの四角形、(正)六角形、(正)八角形、(正)十二角形、(正)二十角形などの(正)n角形(nは3以上の整数)、円、だ円、星型などの幾何学図形のものであっても、また、導体層により、特に、線状その他の形状の導体層により、正三角形、二等辺三角形、直角三角形などの三角形、正方形、長方形、ひし形、平行四辺形、台形などの四角形、(正)六角形、(正)八角形、(正)十二角形、(正)二十角形などの(正)n角形(nは3以上の整数)、円、だ円、星型などの幾何学図形又はこれらを適宜組み合わせた模様を描くようにしてもよい(たとえば、平面上の導体層にこれらの図形の穴を開けたような形状であってもよい)。これらの単位は、単独で又は2種類以上組み合わせて繰り返されることが可能である。
Various patterns can be used for the conductor layer, but the pattern is appropriately selected depending on the application.
As a pattern of the conductor layer, the conductor layer itself has a linear or planar shape, and the conductor layer itself has a planar shape such as a triangle such as an equilateral triangle, an isosceles triangle, a right triangle, a square, a rectangle, Rectangles such as rhombuses, parallelograms, trapezoids, (positive) hexagons, (positive) octagons, (positive) dodecagons, (positive) dodecagons, etc. (positive) n-gons (n is an integer greater than or equal to 3) ), Geometric shapes such as circles, ellipses, stars, etc., and with conductor layers, in particular with linear or other shape conductor layers, equilateral triangles, isosceles triangles, right triangles, etc. Triangles, squares, rectangles, rhombuses, parallelograms, trapezoids, and other quadrangles, (positive) hexagons, (positive) octagons, (positive) dodecagons, (positive) n-gons ( n is an integer greater than or equal to 3), geometric figures such as circles, ellipses, and stars, or any combination of these It may be set to draw a pattern was (e.g., may be shaped as a hole of these shapes to the conductor layer on the plane). These units can be repeated alone or in combination of two or more.

ディスプレイ前面に用いられる光透過性電磁波遮蔽部材、住宅または自動車の窓に用いられるフィルムアンテナ等の用途では、視界を妨げないように十分大きな開口率を有する導体層パターンが好ましい。特に、メッシュ状のパターンは、作製上も性能上も好ましい。
また、太陽電池用電極基材としては、メッシュ状のパターン、ストライプ状のパターン、櫛状のパターンが好ましい。
半導体装置搭載用基板の配線(ヒートシンク等)は、直線状など必要配線に適合した配線パターンが好ましい。これらの用途において、導体層は導通していることが好ましい。
Light transmissive electromagnetic wave shielding member used in front of the display, housing or in applications of the film antenna or the like used for a window of an automobile, the conductive layer pattern having a sufficiently large aperture ratio so as not to interfere with visibility preferred. In particular, the mesh pattern is preferable in terms of production and performance.
Moreover, as a solar cell electrode base material, a mesh pattern, a stripe pattern, and a comb pattern are preferable.
The wiring (heat sink or the like) of the semiconductor device mounting substrate is preferably a wiring pattern that is suitable for necessary wiring such as a straight line. In these applications, the conductor layer is preferably conductive.

本発明に係る導体層パターン付き基材の製造法について、説明する。
本発明に係る導体層パターン付き基材は、
(I)まず、めっき用導電性基材上に導体層パターンをめっきにより形成する導体層作製工程を行い、
(II)その後、めっき用導電性基材上に形成された導体層を樹脂層を含む適当な基材に転写する転写工程、
及び
(III)上記の基材が支持基材を含む場合には、場合により、さらに、該支持基材を別の支持基材に交換する工程
を含む方法により作製される。樹脂層に導体層を埋設する工程は、前記の転写工程において行われるか又は転写工程の後に行われる。
The manufacturing method of the base material with a conductor layer pattern which concerns on this invention is demonstrated.
The substrate with a conductor layer pattern according to the present invention is
(I) First, a conductor layer preparation step is performed in which a conductor layer pattern is formed on a conductive substrate for plating by plating.
(II) Thereafter, a transfer step of transferring the conductor layer formed on the conductive substrate for plating to an appropriate substrate including a resin layer,
And (III) When said base material contains a support base material, it is produced by the method further including the process of replacing | exchanging this support base material to another support base material by the case. The step of embedding the conductor layer in the resin layer is performed in the transfer step or after the transfer step.

本発明によるめっき用導電性基材は、パターン状のめっき形成部を有する導電性基材であって、導電性基材の表面に絶縁層が形成されており、その絶縁層に開口方向に向かって幅広なめっきを形成するための凹部(めっき形成部)が形成されている。この凹部の底面には導電性材料が露出している。   The conductive substrate for plating according to the present invention is a conductive substrate having a patterned plating forming portion, and an insulating layer is formed on the surface of the conductive substrate, and the insulating layer faces the opening direction. And a concave portion (plating forming portion) for forming a wide plating. The conductive material is exposed on the bottom surface of the recess.

本発明において、導電性基材に用いられる導電性材料は、その露出表面に電解めっきで金属を析出させるために十分な導電性を有するものであり、金属であることが特に好ましい。また、その基材は表面に電解めっきにより形成された金属層を接着性支持体に転写させることができるように、その上に形成された金属層との密着力が低く、容易に剥離できるものであることが好ましい。このような導電性基材の材料としてはステンレス鋼、クロムめっきされた鋳鉄、クロムめっきされた鋼、チタン、チタンをライニングした材料、ニッケルなどが特に好ましい。   In the present invention, the conductive material used for the conductive substrate has sufficient conductivity for depositing metal on the exposed surface by electrolytic plating, and is particularly preferably a metal. In addition, the base material has a low adhesion to the metal layer formed on it so that the metal layer formed by electrolytic plating on the surface can be transferred to the adhesive support, and can be easily peeled off. It is preferable that As such a conductive base material, stainless steel, chrome-plated cast iron, chrome-plated steel, titanium, titanium-lined material, nickel and the like are particularly preferable.

前記の導電性基材の形状としては、シート状、プレート状、ロール状、フープ状等がある。ロール状の場合は、シート状、プレート状のものを回転体(ロール)に取り付けたものであってもよい。フープ状の場合は、フープの内側の2箇所から数箇所にロールを設置し、そのロールにフープ状の導電性基材を通すような形態等が考えられる。ロール状、フープ状ともに金属箔を連続的に生産することが可能であるため、シート状、プレート状に比較すると、生産効率が高く、好ましい。導電性基材をロールに巻きつけて使用する場合、ロールとして導電性のものを使用し、ロールと導電性基材が容易に導通するようにしたものが好ましい。   Examples of the shape of the conductive substrate include a sheet shape, a plate shape, a roll shape, and a hoop shape. In the case of a roll, a sheet or plate attached to a rotating body (roll) may be used. In the case of a hoop shape, a configuration in which rolls are installed at two to several locations inside the hoop and a hoop-shaped conductive base material is passed through the roll can be considered. Since it is possible to continuously produce a metal foil in both a roll shape and a hoop shape, the production efficiency is higher than that in a sheet shape or a plate shape, which is preferable. When the conductive substrate is used by being wound around a roll, a conductive roll is preferably used so that the roll and the conductive substrate are easily conducted.

絶縁層の厚さは、凹部の深さに対応する。凹部の深さは、析出するめっきの厚さとも関係するため、目的に応じて適宜決定される。絶縁層の厚さは、0.10μm以上100μm以下の範囲であることが好ましく、0.5μm以上10μm以下の範囲であることがより好ましい。絶縁層が薄すぎると絶縁層にピンホールが発生しやすくなるため、めっきした際に、絶縁層を施した部分にも金属が析出しやすくなる。絶縁層の厚さは、1〜5μmであることが特に好ましい。   The thickness of the insulating layer corresponds to the depth of the recess. Since the depth of the recess is related to the thickness of the plating to be deposited, it is appropriately determined according to the purpose. The thickness of the insulating layer is preferably in the range of 0.10 μm to 100 μm, and more preferably in the range of 0.5 μm to 10 μm. If the insulating layer is too thin, pinholes are likely to be generated in the insulating layer, so that when the plating is performed, the metal is likely to be deposited on the portion where the insulating layer is applied. The thickness of the insulating layer is particularly preferably 1 to 5 μm.

上記の絶縁層は、ダイヤモンドに類似したカーボン薄膜、いわゆるダイヤモンドライクカーボン(以下、DLCとする)薄膜のうち、絶縁性を有するものにて形成することができる。DLC薄膜は、特に、耐久性、耐薬品性に優れているため、特に好ましい。
さらに、絶縁層をAl、SiOのような無機材料で形成することもできる。
The insulating layer can be formed of a carbon thin film similar to diamond, a so-called diamond-like carbon (hereinafter referred to as DLC) thin film having an insulating property. The DLC thin film is particularly preferable because it is excellent in durability and chemical resistance.
Furthermore, the insulating layer can be formed of an inorganic material such as Al 2 O 3 or SiO 2 .

凹部又は絶縁層の形状は、前記した導体層のパターンに応じて適宜決定される。凹部には導体層が形成されるので、この形状により、導体層のパターン形状はほぼ決定される。一つのめっき用導電性基材において、凹部の形状と絶縁層の形状は、互いに対応した形状となる。凹部又は絶縁層の形状は、平面形状が、正三角形、二等辺三角形、直角三角形などの三角形、正方形、長方形、ひし形、平行四辺形、台形などの四角形、(正)六角形、(正)八角形、(正)十二角形、(正)二十角形などの(正)n角形(nは3以上の整数)、円、だ円、星型、直線などの幾何学図形があり、これらを適宜組み合わせた模様としてもよい、これらの単位は、単独で又は2種類以上組み合わせて繰り返されることが可能である。   The shape of the recess or the insulating layer is appropriately determined according to the pattern of the conductor layer described above. Since the conductor layer is formed in the recess, the pattern shape of the conductor layer is substantially determined by this shape. In one conductive substrate for plating, the shape of the concave portion and the shape of the insulating layer are shapes corresponding to each other. As for the shape of the recess or the insulating layer, the planar shape is a triangle such as a regular triangle, an isosceles triangle, a right triangle, a square, a rectangle, a rhombus, a parallelogram, a trapezoid, or a quadrangle, (positive) hexagon, (positive) eight There are geometric shapes such as squares, (positive) dodecagons, (positive) n-gons such as (positive) dodecagons (n is an integer of 3 or more), circles, ellipses, stars, straight lines, etc. These units, which may be combined as appropriate, can be repeated alone or in combination of two or more.

本発明の一例を図面を用いて説明する。
図9は、本発明のめっき用導電性基材の一例を示す一部斜視図である。図10は、図9のA−A断面図を示す。図10の(a)は凹部の側面が平面的であるが、(b)は凹部の側面になだらかな凹凸がある場合を示す。めっき用導電性基材11は、導電性基材12の上に絶縁層13が積層されており、絶縁層13に凹部14が形成されており、凹部14の底部は、導電性基材12が露出している。凹部14の底部は、導電性基材に導通している導体層であってもよい。
この例においては、絶縁層13は、幾何学図形としては正方形であり、この正方形の周りに凹部14が溝状に形成されている。
導電性基材12と絶縁層13の間には、絶縁層13の接着性の改善等を目的として、導電性又は絶縁性の中間層(図示せず)が積層されていてもよい。または、凹部14は、その幅が、開口方向に向かって全体として幅広になっている。図面のよう勾配αで一定に幅広になっている必要は必ずしもない。めっきにより形成される導体層パターンの剥離に問題がなければ、凹部は、開口方向に向かって幅が狭くなっている部分があってもよいが、このような部分がない方が良く、凹部は開口方向に向かって狭まっておらず全体として広がっていることが好ましい。特に、凹部の一側面がその対面と共に、底面に対して垂直となっている部分が高さ方向で1μm以上続く部分がないようにすることが好ましい。このようなめっき用導電性基材であれば、それを用いてめっきを行った後、析出した金属層をめっき用導電性基材から剥離するに際し、金属層と絶縁層との間の摩擦又は抵抗を小さくすることができ、その剥離がより容易になる。
An example of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 9 is a partial perspective view showing an example of the conductive substrate for plating according to the present invention. FIG. 10 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. FIG. 10A shows a case where the side surface of the recess is planar, while FIG. 10B shows a case where the side surface of the recess has gentle irregularities. In the conductive base material 11 for plating, the insulating layer 13 is laminated on the conductive base material 12, the concave portion 14 is formed in the insulating layer 13, and the conductive base material 12 is formed at the bottom of the concave portion 14. Exposed. The bottom of the recess 14 may be a conductor layer that is electrically connected to the conductive substrate.
In this example, the insulating layer 13 has a square shape as a geometric figure, and a recess 14 is formed in a groove shape around the square.
A conductive or insulating intermediate layer (not shown) may be laminated between the conductive substrate 12 and the insulating layer 13 for the purpose of improving the adhesiveness of the insulating layer 13 or the like. Or the recessed part 14 is wide as a whole toward the opening direction. It is not always necessary that the width is constant and wide at the gradient α as shown in the drawing. If there is no problem in peeling off the conductor layer pattern formed by plating, the recess may have a portion whose width becomes narrower in the opening direction, but it is better not to have such a portion, It is preferable that it is not narrowed toward the opening direction but spreads as a whole. In particular, it is preferable that one side surface of the concave portion together with the opposite surface thereof has no portion that is perpendicular to the bottom surface and continues in the height direction by 1 μm or more. If it is such a conductive substrate for plating, after plating using it, when peeling the deposited metal layer from the conductive substrate for plating, friction between the metal layer and the insulating layer or The resistance can be reduced, and the peeling becomes easier.

凹部の側面は、必ずしも平面ではない。この場合には、図10(b)に示すように、前記の勾配αは、凹部の高さh(これは、すなわち、絶縁層の厚さとなる)と凹部の側面の幅s(水平方向で凹部の側面の幅方向)を求め、

Figure 0005370752
によってαを決定する。
αは、角度で30度以上90度未満が好ましく、30度以上80度以下がより好ましく、40度以上60度以下が特に好ましい。この角度が小さいと作製が困難となる傾向があり、大きいと凹部にめっきにより形成し得た金属層(導体層パターン)を剥離する際、又は、別の基材に転写する際の抵抗が大きくなる傾向がある。 The side surface of the recess is not necessarily a flat surface. In this case, as shown in FIG. 10 (b), the gradient α is such that the height h of the concave portion (that is, the thickness of the insulating layer) and the width s of the side surface of the concave portion (in the horizontal direction). The width direction of the side surface of the recess)
Figure 0005370752
Determines α.
α is preferably 30 degrees or more and less than 90 degrees, more preferably 30 degrees or more and 80 degrees or less, and particularly preferably 40 degrees or more and 60 degrees or less. If this angle is small, the production tends to be difficult, and if it is large, the resistance when peeling the metal layer (conductor layer pattern) that can be formed by plating in the recess or transferring to another substrate is large. Tend to be.

本発明のめっき用導電性基材における絶縁層の平面形状及びその厚さ若しくは凹部の深さは、本発明のめっき用導電性基材を用いて得られるパターン化金属の用途に応じて適宜決定される。
上記めっき用導電性基材の凹部は、めっきにより生成するパターン化金属の形状に対応するが、同様に導体層パターン付き基材における導体層パターンに対応するものであり、その導体層パターンは、最終的に電磁波遮蔽部材を作製したときの電磁波シールド層に対応するものである。
The planar shape of the insulating layer and the thickness of the insulating layer or the depth of the recess in the conductive substrate for plating of the present invention are appropriately determined according to the use of the patterned metal obtained using the conductive substrate for plating of the present invention. Is done.
The concave portion of the conductive base material for plating corresponds to the shape of the patterned metal generated by plating, but also corresponds to the conductive layer pattern in the base material with a conductive layer pattern, and the conductive layer pattern is This corresponds to the electromagnetic wave shielding layer when the electromagnetic wave shielding member is finally produced.

また、絶縁層の厚さは、前記と同様であるが、これに対応するように、本発明のめっき用導電性基材における凹部4の深さは、0.1〜100μmであることが好ましく、0.1〜20μmであることがより好ましく、0.5〜10μmであることがさらに好ましく、1〜5μmであることが特に好ましい。   In addition, the thickness of the insulating layer is the same as described above. In order to correspond to this, the depth of the recess 4 in the conductive substrate for plating of the present invention is preferably 0.1 to 100 μm. 0.1 to 20 μm is more preferable, 0.5 to 10 μm is further preferable, and 1 to 5 μm is particularly preferable.

本発明のめっき用導電性基材を用いて転写法により光透過性電磁波遮蔽部材等光透過性が要求される部材又は製品を作製するために使用するときは、図10に示すような凹部14の幅は、開口部の幅dが2〜60μm、底部の幅d′が1〜40μmで有ることが好ましい。また、凹部14の開口部の幅dは4〜15μm、底部の幅d′は3〜10μmであることが特に好ましい。凹部14の中心間隔(ラインピッチ)は50〜2000μmであることが好ましく、特に100〜1000μmであることが好ましい。溝の幅及びその間隔は、導体層パターンの開口率を好ましくは50%以上、より好ましくは60%以上、特に好ましくは80%以上とすることを考慮して決定する。
凹部の幅その他の寸法は、前記した導体層の形状に対応して決定される。
なお、本発明において、凹部の中心間隔(ラインピッチ)は、凹部によって形成されている絶縁層の図形パターンが複雑な図形であったり、複数の図形の組み合わせであったりして簡単に決定できない場合は、パターンの繰り返し単位を基準としてその面積を正方形の面積に換算し、その一辺の長さであると定義する。
When the conductive substrate for plating of the present invention is used to produce a member or product that requires light transmission, such as a light transmissive electromagnetic wave shielding member, by a transfer method, the recess 14 as shown in FIG. The width d of the opening is preferably 2 to 60 μm and the width d ′ of the bottom is 1 to 40 μm. The width d of the opening of the recess 14 is particularly preferably 4 to 15 μm, and the width d ′ of the bottom is particularly preferably 3 to 10 μm. The center interval (line pitch) of the recesses 14 is preferably 50 to 2000 μm, and particularly preferably 100 to 1000 μm. The width of the groove and the interval between the grooves are determined considering that the opening ratio of the conductor layer pattern is preferably 50% or more, more preferably 60% or more, and particularly preferably 80% or more.
The width and other dimensions of the recess are determined in accordance with the shape of the conductor layer described above.
In the present invention, the center interval (line pitch) of the recesses cannot be easily determined because the figure pattern of the insulating layer formed by the recesses is a complicated figure or a combination of a plurality of figures. Is defined as the length of one side of the pattern by converting the area into a square area based on the repeating unit of the pattern.

ディスプレイ用の電磁波遮蔽材における可視光透過性の点からは、電磁波遮蔽材における上記のような幾何学図形を描く導体層パターン開口率は50%以上であることが必要とされ、導体層パターンの開口率は80%以上であることがさらに好ましい。導体層パターンの開口率は、電磁波遮蔽材の有効面積(例えば、上記の幾何学図形が描かれている範囲
の面積等電磁波遮蔽に有効に機能する範囲の面積)に対するその有効面積から導電層で覆われている面積を引いた面積の比の百分率である。
From the viewpoint of visible light transmittance in the electromagnetic wave shielding material for display, the conductive layer pattern aperture ratio for drawing the geometric figure as described above in the electromagnetic wave shielding material is required to be 50% or more. The aperture ratio is more preferably 80% or more. The aperture ratio of the conductor layer pattern is determined from the effective area of the electromagnetic shielding material to the conductive layer from the effective area with respect to the effective area of the electromagnetic shielding material (for example, the area that functions effectively for electromagnetic shielding such as the area in which the geometric figure is drawn). It is the percentage of the area ratio minus the area covered.

上記のめっき用導電性基材によれば、めっきにより金属層が形成される凹部が開口方向に向かった幅広となっているため、めっきにより得られる導体層パターンの剥離が容易である。また、絶縁層をDLC又は無機材料からなるため導電性基材への密着性が優れ、その耐剥離性が優れる。その絶縁層は、中間層により導電性基材と絶縁層の間の密着性を向上させることができ、これにより、めっき用導電性基材の寿命を、さらに長くすることができる。本発明の開口方向に向かって幅広の凹部を持つめっき用導電性基材は、導電性基材上に凸状のパターンを形成し、絶縁層を形成後に、絶縁層が付着している凸状のパターンを除去することにより凹部を作製することができるため、その製造が容易で、生産性に富む。   According to the conductive base material for plating described above, since the concave portion in which the metal layer is formed by plating is wide in the opening direction, the conductor layer pattern obtained by plating can be easily peeled off. Moreover, since an insulating layer consists of DLC or an inorganic material, the adhesiveness to an electroconductive base material is excellent, and the peeling resistance is excellent. The insulating layer can improve the adhesion between the conductive base material and the insulating layer by the intermediate layer, thereby further extending the life of the conductive base material for plating. The conductive substrate for plating having a wide concave portion toward the opening direction of the present invention is a convex shape in which a convex pattern is formed on the conductive substrate and the insulating layer is adhered after the insulating layer is formed. Since the concave portion can be produced by removing the pattern, the manufacture is easy and the productivity is high.

本発明におけるめっき用導電性基材の製造方法としては、導電性基材の表面に、導電性基材を露出させている凹部によって幾何学図形が描かれるように絶縁層を形成する工程を含む。
この工程は、(A)導電性基材の表面に、除去可能な凸状のパターンを形成する工程、(B)除去可能な凸状のパターンが形成されている導電性基材の表面に、絶縁層を形成す
る工程及び
(C)絶縁層が付着している凸状のパターンを除去する工程を含む。
The method for producing a conductive substrate for plating according to the present invention includes a step of forming an insulating layer on the surface of the conductive substrate so that a geometric figure is drawn by the recesses exposing the conductive substrate. .
This step includes (A) a step of forming a removable convex pattern on the surface of the conductive substrate, (B) a surface of the conductive substrate on which the removable convex pattern is formed, A step of forming an insulating layer; and (C) a step of removing the convex pattern to which the insulating layer is attached.

上記(A)導電性基材の表面に、除去可能な凸状のパターンを形成する工程は、フォトリソグラフ法を利用して、レジストパターンを形成する方法を利用することができる。
この方法(a法)は、
(a−1)導電性基材の上に感光性レジスト層を形成する工程、
(a−2)感光性レジスト層を導体層パターンに対応したマスクを通して露光する工程及び
(a−3)露光後の感光性レジスト層を現像する工程
を含む。
For the step (A) of forming a removable convex pattern on the surface of the conductive substrate, a method of forming a resist pattern using a photolithographic method can be used.
This method (Method a)
(A-1) forming a photosensitive resist layer on the conductive substrate;
(A-2) a step of exposing the photosensitive resist layer through a mask corresponding to the conductor layer pattern, and (a-3) a step of developing the exposed photosensitive resist layer.

また、上記(A)導電性基材の表面に、除去可能な凸状のパターンを形成する工程は、レーザ光を利用する方法を適用することができる。この方法(b法)は、
(b−1)導電性基材の上に感光性レジスト層を形成する工程、
(b−2)感光性レジスト層に導体層パターンに対応した部分にマスクをせずレーザー光を照射する工程及び(b−3)レーザー光を照射後の感光性レジスト層を現像する工程を含む。
In addition, a method using laser light can be applied to the step (A) of forming a removable convex pattern on the surface of the conductive substrate. This method (method b)
(B-1) a step of forming a photosensitive resist layer on the conductive substrate;
(B-2) including a step of irradiating the photosensitive resist layer with a laser beam without masking a portion corresponding to the conductor layer pattern; and (b-3) a step of developing the photosensitive resist layer after the laser beam irradiation. .

感光性レジストとしては、よく知られたネガ型レジスト(光が照射された部分が硬化する)を使用することができる。また、このとき、マスクもネガ型マスク(凹部に対応する部分は光が通過する)が使用される。また、感光性レジストとしてはポジ型レジストを用いることができる。これらの方式に対応して上記a法及びb法における光照射部分が適宜決定される。   As the photosensitive resist, a well-known negative resist (a portion irradiated with light is cured) can be used. At this time, a negative mask (light passes through a portion corresponding to the concave portion) is also used as the mask. Further, a positive resist can be used as the photosensitive resist. Corresponding to these methods, the light irradiation part in the method a and method b is appropriately determined.

具体的方法として、導電性基材上にドライフィルムレジスト(感光性樹脂層)をラミネートし、マスクを装着して露光することにより、凸状パターンとして残存させる部分を硬化状態に不要部を現像可能状態とし、不要部を現像して除去することにより形成することができる。また、凸状パターンは、導電性基材に液状レジストを塗布した後に溶剤を乾燥するかあるいは仮硬化させた後、マスクを装着して露光することにより、凸状パターンとして残存させる部分を硬化状態に不要部を現像可能状態とし、不要部を現像して除去することにより形成することもできる。液状レジストは、スプレー、ディスペンサー、ディッピング、ロール、スピンコート等により塗布できる。   As a specific method, by laminating a dry film resist (photosensitive resin layer) on a conductive substrate, and wearing a mask to expose it, the part that remains as a convex pattern can be cured and the unnecessary part can be developed. It can be formed by developing and removing unnecessary portions. In addition, the convex pattern is a state in which the portion that remains as the convex pattern is cured by applying a liquid resist to the conductive substrate and then drying or temporarily curing the solvent, and then exposing the mask with a mask. Alternatively, the unnecessary portion can be developed, and the unnecessary portion can be developed and removed. The liquid resist can be applied by spraying, dispenser, dipping, roll, spin coating or the like.

上記において、ドライフィルムレジストをラミネートし、又は液状レジストを塗布した後に、マスクを介して露光する代わりにレーザー光などでマスクを使用せず直接に露光する方法を採用することもできる。光硬化性樹脂にマスクを介して又は介さずして活性エネルギー線を照射することでパターニングできればその態様は問わない。
導電性基材のサイズが大きい場合などはドライフィルムレジストを用いる方法が生産性の観点からは好ましく、導電性基材がめっきドラムなどの場合は、ドライフィルムレジストをラミネートし、又は液状レジストを塗布した後にマスクを介さずにレーザー光などで直接に露光する方法が好ましい。
In the above, after laminating a dry film resist or applying a liquid resist, it is also possible to employ a method of directly exposing without using a mask with a laser beam or the like instead of exposing through a mask. If the patterning can be performed by irradiating the photocurable resin with active energy rays with or without a mask, the mode is not limited.
When the size of the conductive substrate is large, a method using a dry film resist is preferable from the viewpoint of productivity. When the conductive substrate is a plating drum, the dry film resist is laminated or a liquid resist is applied. Then, a method of directly exposing with a laser beam or the like without using a mask is preferable.

前記において、感光性レジストの代わりに熱硬化性樹脂を用い、レーザー光の照射により熱硬化性樹脂の不要部を除去する方法によっても行うことができる。   In the above, it can carry out also by the method of using a thermosetting resin instead of a photosensitive resist, and removing the unnecessary part of a thermosetting resin by irradiation of a laser beam.

印刷法を用いてレジストパターン(凸状パターン)を形成することができるが、この場合には、レジストパターンの印刷方法としては様々な方法を用いることができる。例えば、スクリーン印刷、凸版印刷、凸版オフセット印刷、凸版反転オフセット印刷、凹版印刷、凹版オフセット印刷、インクジェット印刷、フレキソ印刷などを用いることができる。レジストとしては光硬化性又は熱硬化性の樹脂が使用できる。印刷後、光照射又は熱によりレジストを硬化させる。   Although a resist pattern (convex pattern) can be formed by using a printing method, in this case, various methods can be used as a resist pattern printing method. For example, screen printing, letterpress printing, letterpress offset printing, letterpress reversal offset printing, intaglio printing, letterpress printing, ink jet printing, flexographic printing, and the like can be used. As the resist, a photocurable or thermosetting resin can be used. After printing, the resist is cured by light irradiation or heat.

本発明におけるめっき用導電性基材の製造方法の一例を図面を用いて説明する。
図11は、めっき用導電性基材の製造方法を示す工程の一例を断面図で示したものである。
An example of the manufacturing method of the electroconductive base material for plating in this invention is demonstrated using drawing.
FIG. 11 is a cross-sectional view showing an example of a process showing a method for producing a conductive substrate for plating.

導電性基材12の上に感光性レジスト層(感光性樹脂層)15形成されている(図11(a))。この積層物の感光性レジスト層(感光性樹脂層)15に対し、フォトリソグラフ法を適用して感光性レジスト層15をパターン化する(図11(b))。パターン化は、パターンが形成されたフォトマスクを感光性レジスト層15の上に載置し、露光した後、現像して感光性レジスト層15の不要部を除去して突起部16を残すことにより行われる。突起部16の形状とそれからなる凸状パターンは、導電性基材12上の凹部14とそのパターンに対応するよう考慮される。   A photosensitive resist layer (photosensitive resin layer) 15 is formed on the conductive substrate 12 (FIG. 11A). The photosensitive resist layer 15 is patterned by applying a photolithographic method to the photosensitive resist layer (photosensitive resin layer) 15 of the laminate (FIG. 11B). Patterning is performed by placing a photomask on which a pattern is formed on the photosensitive resist layer 15, exposing it, developing it, removing unnecessary portions of the photosensitive resist layer 15, and leaving protrusions 16. Done. The shape of the protrusion 16 and the convex pattern formed therefrom are considered to correspond to the recess 14 and the pattern on the conductive substrate 12.

この時、突起部16の断面形状において、その側面は、導電性基材に対して垂直であること、又は、突起部16が導電性基材12に接する端部に対して、突起部16の側面上方の少なくとも一部がその端部に覆い被さるような位置にあることが好ましい。突起部16の幅で言う場合は、凸状パターン幅の最大値dは、凸状パターンと導電性基材12に接する幅dと等しいか大きくすることが好ましい。これは、形成される密着性のよい絶縁層の凹部幅はdによって決定されるからである。ここで、突起部16の断面形状で、突起部16の幅の最大値dが突起部16と導電性基12に接する幅dと等しいか大きくする方法としては、突起部16の現像時にオーバ現像するか、形状がアンダーカットとなる特性を有するレジストを使用すれば良い。dは凸部の上部で実現されていることが好ましい。
除去可能な凸部のパターンを形成する突起部16の形状は、凹部の形状に対応づけられるが、その作製の容易性から、最大幅1μm以上、間隔が1μm以上、高さが1〜50μmであることが好ましい。めっき用導電性基材を、光透過性電磁波遮蔽部材用の導体層パターンを作製するために使用するときは、突起部16は、最大幅1〜40μm、間隔が50〜1000μm及び高さ1〜30μmであることがそれぞれ好ましい。特に最大幅3〜10μm、間隔が100〜400μmであることが好ましい。また、めっき用導電性基材を、穴明き金属箔を作製するために使用するときは、前記したような絶縁層13が形成されるように、平面形状が適宜の大きさの円形又は矩形である突起部を適当な間隔に配置する。
At this time, in the cross-sectional shape of the protrusion 16, the side surface is perpendicular to the conductive base material, or the end of the protrusion 16 is in contact with the end where the protrusion 16 contacts the conductive base material 12. It is preferable to be in a position where at least a part of the upper side surface covers the end portion. In terms of the width of the protrusion 16, the maximum value d 1 of the convex pattern width is preferably equal to or larger than the width d 0 in contact with the convex pattern and the conductive substrate 12. This is because the concave width of the insulating layer having good adhesion is determined by d 1 . Here, as a method of increasing the width d 0 of the protrusion 16 in contact with the conductive group 12 in the sectional shape of the protrusion 16, the maximum width d 1 of the protrusion 16 is equal to or larger than the width d 0 when the protrusion 16 is developed. A resist having a characteristic of over-developing or having an undercut shape may be used. d 1 is preferably is realized at the top of the convex portion.
The shape of the protrusion 16 that forms the pattern of the removable convex portion is associated with the shape of the concave portion. From the ease of production, the maximum width is 1 μm or more, the interval is 1 μm or more, and the height is 1 to 50 μm Preferably there is. When the conductive substrate for plating is used for producing a conductor layer pattern for a light-transmitting electromagnetic wave shielding member, the protrusion 16 has a maximum width of 1 to 40 μm, a distance of 50 to 1000 μm, and a height of 1 to 1. Each of 30 μm is preferable. In particular, it is preferable that the maximum width is 3 to 10 μm and the interval is 100 to 400 μm. Further, when the conductive substrate for plating is used for producing a perforated metal foil, the planar shape is a circular or rectangular shape having an appropriate size so that the insulating layer 13 as described above is formed. Are arranged at appropriate intervals.

前記した(B)除去可能な凸状パターンが形成されている導電性基材の表面に、絶縁層を形成する工程について、説明する。
突起部16からなる凸状パターンを有する導電性基材12の表面に絶縁層17を形成する(図11(c))。
The step (B) of forming an insulating layer on the surface of the conductive substrate on which the removable convex pattern is formed will be described.
An insulating layer 17 is formed on the surface of the conductive substrate 12 having a convex pattern composed of the protrusions 16 (FIG. 11C).

絶縁層としてDLC薄膜を形成する方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、アーク放電法、イオン化蒸着法等の物理気相成長法、プラズマCVD法等の化学気相成長法等のドライコーティング法を採用し得るが、成膜温度が室温から制御できる高周波やパルス放電を利用するプラズマCVD法が特に好ましい。   As a method for forming a DLC thin film as an insulating layer, a vacuum deposition method, a sputtering method, an ion plating method, an arc discharge method, a physical vapor deposition method such as an ionization deposition method, a chemical vapor deposition method such as a plasma CVD method, etc. However, the plasma CVD method using a high frequency or pulse discharge in which the film forming temperature can be controlled from room temperature is particularly preferable.

上記DLC薄膜をプラズマCVD法で形成するために、原料となる炭素源として炭化水素系のガスが好んで用いられる。例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン等のアルカン系ガス類、エチレン、プロピレン、ブテン、ペンテン等のアルケン系ガス類、ペンタジエン、ブタジエン等のアルカジエン系ガス類、アセチレン、メチルアセチレン等のアルキン系ガス類、ベンゼン、トルエン、キシレン、インデン、ナフタレン、フェナントレン等の芳香族炭化水素系ガス類、シクロプロパン、シクロヘキサン等のシクロアルカン系ガス類、シクロペンテン、シクロヘキセン等のシクロアルケン系ガス類、メタノール、エタノール等のアルコール系ガス類、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系ガス類、メタナール、エタナール等のアルデヒド系ガス類等が挙げられる。上記
ガスは単独で使用しても良いし、二種以上を併用しても良い。また、元素として炭素と水素を含有する原料ガスとして上記した炭素源と水素ガスとの混合物、上記した炭素源と一酸化炭素ガス、二酸化炭素ガス等の炭素と酸素のみからなる化合物のガスとの混合物、一酸化炭素ガス、二酸化炭素ガス等の炭素と酸素のみから構成される化合物のガスと水素ガスとの混合物、一酸化炭素ガス、二酸化炭素ガス等の炭素と酸素のみからなる化合物のガスと酸素ガスまたは水蒸気との混合物等が挙げられる。更に、これらの原料ガスには希ガスが含まれていてもよい。希ガスは、周期律表第0属の元素からなるガスであり、例えば、ヘリウム、アルゴン、ネオン、キセノン等が挙げられる。これらの希ガスは単独で使用しても良いし、二種以上を併用しても良い。
In order to form the DLC thin film by the plasma CVD method, a hydrocarbon-based gas is preferably used as a carbon source as a raw material. For example, alkane gases such as methane, ethane, propane, butane, pentane, hexane, alkene gases such as ethylene, propylene, butene, pentene, alkadiene gases such as pentadiene, butadiene, acetylene, methylacetylene, etc. Alkyne gases, aromatic hydrocarbon gases such as benzene, toluene, xylene, indene, naphthalene and phenanthrene, cycloalkane gases such as cyclopropane and cyclohexane, cycloalkene gases such as cyclopentene and cyclohexene, methanol And alcohol gases such as ethanol, ketone gases such as acetone and methyl ethyl ketone, and aldehyde gases such as methanal and ethanal. The said gas may be used independently and may use 2 or more types together. Further, a mixture of the above-described carbon source and hydrogen gas as a raw material gas containing carbon and hydrogen as elements, and the above-described carbon source and a gas of a compound composed only of carbon and oxygen such as carbon monoxide gas and carbon dioxide gas. A mixture of a compound gas composed of only carbon and oxygen, such as a mixture, carbon monoxide gas, carbon dioxide gas, and hydrogen gas; a compound gas composed of only carbon and oxygen, such as carbon monoxide gas, carbon dioxide gas; Examples thereof include a mixture with oxygen gas or water vapor. Further, these source gases may contain a rare gas. The rare gas is a gas composed of an element belonging to Group 0 of the periodic table, and examples thereof include helium, argon, neon, and xenon. These rare gases may be used alone or in combination of two or more.

絶縁層は、その全体を、上述した絶縁性のDLC薄膜によって形成してもよいが、当該DLC薄膜の、金属板等の導電性基材に対する密着性を向上させて、絶縁層の耐久性をさらに向上させるためには、この両者の間に、Ti、Cr、W、Siもしくはそれらの窒化物又は炭化物から選ばれる一種以上の成分又はその他よりなる中間層を介挿することが好ましい。
上記SiまたはSiCの薄膜は、例えば、ステンレス鋼などの金属との密着性に優れる上、その上に積層する絶縁性のDLC薄膜との界面においてSiCを形成して、当該DLC薄膜の密着性を向上させる効果を有している。
中間層は、前記したようなドライコーティング法により形成させることができる。
中間層の厚みは、1μm以下であることが好ましく、生産性を考慮すると0.5μm以下であることが更に好ましい。1μm以上コーティングするには、コーティング時間が長くなると共に、コーティング膜の内部応力が大きくなるため適さない。
The insulating layer may be formed entirely by the above-described insulating DLC thin film, but it improves the adhesion of the DLC thin film to a conductive substrate such as a metal plate, thereby improving the durability of the insulating layer. In order to further improve, it is preferable to insert an intermediate layer composed of one or more components selected from Ti, Cr, W, Si, nitrides or carbides thereof, or the like, between the two.
The Si or SiC thin film has excellent adhesion to, for example, a metal such as stainless steel, and also forms SiC at the interface with the insulating DLC thin film laminated thereon to improve the adhesion of the DLC thin film. Has the effect of improving.
The intermediate layer can be formed by the dry coating method as described above.
The thickness of the intermediate layer is preferably 1 μm or less, and more preferably 0.5 μm or less in consideration of productivity. A coating of 1 μm or more is not suitable because the coating time becomes long and the internal stress of the coating film increases.

絶縁層をAl、SiOのような無機材料で形成する場合にも、スパッタリング法、イオンプレーティング法といった物理的気相成長法やプラズマCVDといった化学気相成長法を用いることができる。例えばスパッタリング法で形成する場合には、ターゲットをSiまたはAlにして反応性ガスとして酸素、窒素などの導入することでSiO、Siなどの酸化物、窒化物を成膜することができる。また、イオンプレーティング
法を用いる場合にはSiやAlを原料とし、電子ビームをこれらに照射することで蒸発させ、基板に成膜することができる。その際に、酸素、窒素、アセチレンといった反応性ガスを導入することで酸化物、窒化物、炭化物を成膜することができる。
また、CVD法で成膜する場合には金属塩化物、金属水素化物、有機金属化合物などのような化合物ガスを原料とし、それらの化学反応を利用して成膜することでできる。酸化シリコンのCVDは、例えばTEOS、オゾンを用いたプラズマCVDで行える。窒化シリコンのCVDは、例えばアンモニアとシランを用いたプラズマCVDで行える。
Even when the insulating layer is formed of an inorganic material such as Al 2 O 3 or SiO 2 , a physical vapor deposition method such as a sputtering method or an ion plating method or a chemical vapor deposition method such as plasma CVD can be used. . For example, in the case of forming by sputtering, an oxide or nitride such as SiO 2 or Si 3 N 4 can be formed by introducing Si or Al as a target and introducing oxygen, nitrogen or the like as a reactive gas. it can. In the case of using the ion plating method, Si or Al can be used as a raw material, and an electron beam can be irradiated to evaporate to form a film on the substrate. At that time, an oxide, nitride, or carbide film can be formed by introducing a reactive gas such as oxygen, nitrogen, or acetylene.
In the case of forming a film by the CVD method, the film can be formed by using a chemical gas such as a metal chloride, a metal hydride, an organometallic compound, etc. as a raw material. The CVD of silicon oxide can be performed by plasma CVD using, for example, TEOS or ozone. The CVD of silicon nitride can be performed by plasma CVD using ammonia and silane, for example.

次に、前記した(C)絶縁層が付着している凸状パターンを除去する工程について説明する。絶縁層17が付いている状態(図11(c)参照)で、突起部16からなる凸状パターンを除去する(図11(d)参照)。
絶縁層の付着しているレジストの除去には、市販のレジスト剥離液や無機、有機アルカリ、有機溶剤などを用いることができる。また、パターンを形成するのに使用したレジストに対応する専用の剥離液があれば、それを用いることもできる。
剥離の方法としては、例えば薬液に浸漬することでレジストを膨潤、破壊あるいは溶解させた後これを除去することが可能である。液をレジストに十分含浸させるために超音波、加熱、撹拌等の手法を併用しても良い。また、剥離を促進するためにシャワー、噴流等で液をあてることもできるし、柔らかい布や綿棒などでこすることもできる。
また、絶縁層の耐熱が十分高い場合には高温で焼成してレジストを炭化させて除去することもできるし、レーザーを照射して焼き飛ばす、といった方法も利用できる。
剥離液としては、例えば、3%NaOH溶液を用い、剥離法としてシャワーや浸漬が適用できる。
Next, the step (C) of removing the convex pattern to which the insulating layer is attached will be described. In the state where the insulating layer 17 is attached (see FIG. 11C), the convex pattern formed of the protrusions 16 is removed (see FIG. 11D).
A commercially available resist stripping solution, inorganic, organic alkali, organic solvent, or the like can be used to remove the resist to which the insulating layer is attached. In addition, if there is a dedicated stripping solution corresponding to the resist used to form the pattern, it can be used.
As a peeling method, for example, it is possible to remove the resist after it has been swelled, broken or dissolved by immersion in a chemical solution. In order to sufficiently impregnate the resist with the solution, techniques such as ultrasonic waves, heating, and stirring may be used in combination. In addition, the liquid can be applied with a shower, a jet or the like in order to promote peeling, and can be rubbed with a soft cloth or cotton swab.
In addition, when the heat resistance of the insulating layer is sufficiently high, a method of baking at a high temperature to carbonize the resist and removing it, or irradiating with a laser to burn off can be used.
As the stripping solution, for example, a 3% NaOH solution is used, and showering or dipping can be applied as the stripping method.

導電性基材12上に形成される絶縁層と、突起部16の側面に形成される絶縁層とでは、性質又は特性が異なるようにする。すなわち、硬度が、前者の方が後者より大きい。DLC膜をプラズマCVD法で形成するときは、このようになる。一般に絶縁膜を形成するときに、絶縁材料の移動速度が例えば90度の角度で異なるような場合に、上記のように形成される膜の性質又は特性が異なるようになる。
突起部16を除去するとき、絶縁層は、この境界で分離され、その結果、凹部の側面が、傾斜角αを有するようになる。傾斜角αは、角度で30度以上90度未満が好ましく、30度以上80度以下がより好ましく、30度以上60度以下がさらに好ましく40度以上60度以下が特に好ましく、DLC膜をプラズマCVDで作製する場合、ほぼ40〜60度に制御することが容易になる。すなわち、凹部14は、開口方向に向かって幅広になるように形成される。傾斜角αの制御方法としては、突起部16の高さを調整する方法が好ましい。突起部16の高さが大きくなるほど、傾斜角αを大きく制御しやすくなる。
The insulating layer formed on the conductive substrate 12 and the insulating layer formed on the side surface of the protruding portion 16 are made to have different properties or characteristics. That is, the hardness of the former is greater than the latter. This is the case when the DLC film is formed by plasma CVD. In general, when an insulating film is formed, when the moving speed of the insulating material is different by, for example, an angle of 90 degrees, the properties or characteristics of the film formed as described above are different.
When the protrusion 16 is removed, the insulating layer is separated at this boundary, and as a result, the side surface of the recess has an inclination angle α. The angle of inclination α is preferably 30 degrees or more and less than 90 degrees, more preferably 30 degrees or more and 80 degrees or less, more preferably 30 degrees or more and 60 degrees or less, and particularly preferably 40 degrees or more and 60 degrees or less, and the DLC film is formed by plasma CVD. In the case of manufacturing by, it becomes easy to control to approximately 40 to 60 degrees. That is, the concave portion 14 is formed so as to become wider toward the opening direction. As a method of controlling the inclination angle α, a method of adjusting the height of the protrusion 16 is preferable. As the height of the protrusion 16 is increased, the inclination angle α is easily controlled.

上記の絶縁層の形成において、導電性基材はレジストの影にならないので、導電性基材上の絶縁層は性質が均一である。これに対し、凸状パターンの側面への絶縁層の形成は、凸状パターンの側面が導電性基材上の膜厚方向に対し角度を有しているため、形成される絶縁層(特にDLC膜)は、導電性基材上の絶縁層と同じ特性(例えば、同じ硬度)の絶縁層が得られない。このような異質な絶縁層の接触面においては、絶縁層の成長に伴い絶縁層の境界面が形成され、しかも、その境界面は絶縁層の成長面であることから、滑らかである。このため、突起部からなる凸状パターンを除去するとき、絶縁層(特にDLC膜)は、この境界で容易に分離される。さらに、この境界面、即ち、凹部側面となる傾斜角αは、導電性基材上の膜厚方向に対し突起部の側面で絶縁層の成長が遅れるため、結果として、境界面の傾斜角は、上記のように制御される。   In the formation of the insulating layer, the conductive base material does not become a shadow of the resist, and therefore the insulating layer on the conductive base material has uniform properties. On the other hand, the insulating layer is formed on the side surface of the convex pattern because the side surface of the convex pattern has an angle with respect to the film thickness direction on the conductive substrate. As for the film, an insulating layer having the same characteristics (for example, the same hardness) as the insulating layer on the conductive substrate cannot be obtained. In such a heterogeneous insulating layer contact surface, a boundary surface of the insulating layer is formed as the insulating layer grows, and the boundary surface is a growth surface of the insulating layer, and is smooth. For this reason, when the convex pattern consisting of the protrusions is removed, the insulating layer (particularly the DLC film) is easily separated at this boundary. Furthermore, the inclination angle α that becomes the boundary surface, that is, the side surface of the concave portion is that the growth of the insulating layer is delayed on the side surface of the protruding portion with respect to the film thickness direction on the conductive substrate. , Controlled as described above.

本発明において導電性基材上に形成された絶縁層の硬度は、10〜40GPaであることが好ましい。硬度が10GPa未満の絶縁層は軟質であり、本導電性基材をめっき用版として用いる際に、繰り返し使用における耐久性が低くなる。硬度が40GPa以上では、導電性基材を折り曲げ等の加工をした際に基材の変形に追随できなくなり、絶縁層にひびや割れが発生しやすくなる。導電性基材上に形成される絶縁層の硬度は、より好ましくは12〜30GPaである。
これに対して、凸部側面に形成される絶縁層の硬度は1〜15GPaであることが好ましい。凸部側面に形成される絶縁層は、少なくとも導電性基材上に形成される絶縁層の硬度よりも低くなるように形成しなければならない。そうすることにより両者間に境界面が形成され、後の絶縁層の付着した突起部からなる凸状パターンを剥離する工程を経た後に、幅広な凹部が形成されることになる。突起部側面に形成される絶縁層の硬度は1〜10GPaであることがより好ましい。
In the present invention, the hardness of the insulating layer formed on the conductive substrate is preferably 10 to 40 GPa. The insulating layer having a hardness of less than 10 GPa is soft, and when the conductive substrate is used as a plating plate, durability in repeated use is reduced. When the hardness is 40 GPa or more, it becomes impossible to follow the deformation of the base material when the conductive base material is processed such as bending, and the insulating layer is likely to be cracked or cracked. The hardness of the insulating layer formed on the conductive substrate is more preferably 12 to 30 GPa.
On the other hand, the hardness of the insulating layer formed on the side surface of the convex portion is preferably 1 to 15 GPa. The insulating layer formed on the side surface of the convex portion must be formed so as to be at least lower than the hardness of the insulating layer formed on the conductive substrate. By doing so, a boundary surface is formed between the two, and a wide concave portion is formed after a step of peeling the convex pattern composed of the protruding portion to which the insulating layer adheres later. The hardness of the insulating layer formed on the side surface of the protrusion is more preferably 1 to 10 GPa.

絶縁層の硬度は、ナノインデンテーション法を用いて測定することができる。ナノインデンテーション法とは、先端形状がダイヤモンドチップから成る正三角錐(バーコビッチ型)の圧子を薄膜や材料の表面に押込み、そのときの圧子にかかる荷重と圧子の下の射影面積から硬度を求める。ナノインデンテーション法による測定として、ナノインデンターという装置が市販されている。導電性基材上に形成された膜の硬度はそのまま導電性基材上から圧子を押し込んで測定することができる。また、凸部側面に形成される膜の硬度を測定するためには、導電性基材の一部を切り取って樹脂で注型し、断面から凸部側面に形成された絶縁層に圧子を押し込んで測定することができる。通常ナノインデンテーション法では圧子に1〜100mNの微少荷重をかけて硬度測定を行うが、本発明では3mNの荷重で10秒間負荷をかけて測定した値を硬度の値として記載している。
このようにして、めっき用導電性基材11を作製することができる。
The hardness of the insulating layer can be measured using a nanoindentation method. In the nanoindentation method, a regular triangular pyramid (Berkovic) indenter with a diamond tip is pressed into the surface of a thin film or material, and the hardness is obtained from the load applied to the indenter and the projected area under the indenter. As a measurement by the nanoindentation method, a device called a nanoindenter is commercially available. The hardness of the film formed on the conductive substrate can be measured by pressing an indenter from the conductive substrate as it is. In addition, in order to measure the hardness of the film formed on the side surface of the convex part, a part of the conductive substrate is cut out and cast with resin, and the indenter is pushed into the insulating layer formed on the side surface of the convex part from the cross section. Can be measured. Normally, in the nanoindentation method, the hardness is measured by applying a minute load of 1 to 100 mN to the indenter, but in the present invention, the value measured by applying a load of 3 mN for 10 seconds is described as the hardness value.
Thus, the electroconductive base material 11 for plating can be produced.

図12は、中間層を有するめっき用導電性基材とその前駆体の断面図を示す。
突起部16からなる凸状パターンが形成された導電性基材12の表面に、絶縁層17を形成する前に、中間層18を形成することが好ましい(図12(c′))。中間層としては、前記したものが使用でき、その形成方法も前記したとおりである。中間層18を形成した場合、得られるめっき用導電性基材は、凹部14の底部は、導電性基材12が露出しており、それ以外では、中間層18の上に絶縁層17が形成されている(図12(d′))。また、中間層は、凸状パターン16の形成前に、導電性基材12の表面に形成しても良い。この後、その表面に、前記したように導電性基材を露出させている凹部によって幾何学図形が描かれるように絶縁層を形成する工程を行っても良い。この場合、中間層として、電界めっきが十分可能な程度に導電性のものを使用した場合、凹部の底部はその中間層のままでよいが、十分な導電性を有していない場合は、ドライエッチング等の方法により、凹部の底部の中間層を除去し、導電性基材12を露出させる。
FIG. 12 shows a cross-sectional view of a conductive substrate for plating having an intermediate layer and its precursor.
Before forming the insulating layer 17 on the surface of the conductive base material 12 on which the convex pattern composed of the protrusions 16 is formed, it is preferable to form the intermediate layer 18 (FIG. 12 (c ′)). As the intermediate layer, those described above can be used, and the formation method is also as described above. When the intermediate layer 18 is formed, the conductive base material for plating obtained is such that the conductive base material 12 is exposed at the bottom of the recess 14, and otherwise, the insulating layer 17 is formed on the intermediate layer 18. (FIG. 12 (d ′)). The intermediate layer may be formed on the surface of the conductive substrate 12 before the convex pattern 16 is formed. Then, you may perform the process of forming an insulating layer on the surface so that a geometric figure may be drawn by the recessed part which has exposed the electroconductive base material as mentioned above. In this case, if an intermediate layer is used that is sufficiently conductive to allow electroplating, the bottom of the recess may remain the intermediate layer, but if the intermediate layer does not have sufficient conductivity, dry The intermediate layer at the bottom of the recess is removed by a method such as etching to expose the conductive substrate 12.

本発明におけるめっき法は公知の方法を採用することができる。めっき法としては、電解めっき法、無電解めっき法その他のめっき法を適用することができる。
電解めっきについてさらに説明する。例えば、電解銅めっきであれば、めっき用の電解浴には硫酸銅浴、ほうふっ化銅浴、ピロリン酸銅浴、または、シアン化銅浴などを用いることができる。このときに、めっき浴中に有機物等による応力緩和剤(光沢剤としての効果も有する)を添加すれば、より電着応力のばらつきを低下させることができることが知られている。また、電解ニッケルめっきであれば、ワット浴、スルファミン酸浴などを使用することができる。これらの浴にニッケル箔の柔軟性を調整するため、必要に応じてサッカリン、パラトルエンスルホンアミド、ベンゼンスルホン酸ナトリウム、ナフタリントリスルホン酸ナトリウムのような添加剤、及びその調合剤である市販の添加剤を添加して
もよい。さらに、電解金めっきの場合は、シアン化金カリウムを用いた合金めっきや、クエン酸アンモニウム浴やクエン酸カリウム浴を用いた純金めっきなどが用いられる。合金めっきの場合は、金−銅、金−銀、金−コバルトの2元合金や、金−銅−銀の3元合金が用いられる。他の金属に関しても同様に公知の方法を用いることができる。電界めっき法としては、例えば、「現場技術者のための実用めっき」(日本プレーティング協会編、1986年槇書店発行)第87〜504頁を参照することができる。
A well-known method can be employ | adopted for the plating method in this invention. As the plating method, an electrolytic plating method, an electroless plating method, or other plating methods can be applied.
The electrolytic plating will be further described. For example, in the case of electrolytic copper plating, a copper sulfate bath, a copper borofluoride bath, a copper pyrophosphate bath, a copper cyanide bath, or the like can be used as an electrolytic bath for plating. At this time, it is known that the dispersion of electrodeposition stress can be further reduced by adding a stress relieving agent (also having an effect as a brightener) due to organic matter or the like to the plating bath. For electrolytic nickel plating, a Watt bath, a sulfamic acid bath, or the like can be used. In order to adjust the flexibility of the nickel foil in these baths, additives such as saccharin, paratoluenesulfonamide, sodium benzenesulfonate, sodium naphthalene trisulfonate, and commercial additions that are preparations as necessary An agent may be added. Furthermore, in the case of electrolytic gold plating, alloy plating using potassium gold cyanide, pure gold plating using an ammonium citrate bath or a potassium citrate bath, or the like is used. In the case of alloy plating, a gold-copper, gold-silver, gold-cobalt binary alloy or a gold-copper-silver ternary alloy is used. Similarly, other known methods can be used for other metals. As the electroplating method, for example, “Practical plating for field engineers” (edited by the Japan Plating Association, published by Sakai Shoten in 1986), pages 87 to 504 can be referred to.

次に、無電解めっきについてさらに説明する。無電解めっき法としては、銅めっき、ニッケルめっき、代表的であるが、その他、すずめっき、金めっき、銀めっき、コバルトめっき、鉄めっき等が挙げられる。工業的に利用されている無電解めっきのプロセスでは、還元剤をめっき液に添加し、その酸化反応によって生ずる電子を金属の析出反応に利用するのであり、めっき液は、金属塩、錯化剤、還元剤、pH調整剤、pH緩衝材、安定剤等から成り立っている。無電解銅めっきの場合は、金属塩として硫酸銅、還元剤としてホルマリン、錯化剤としてロッセル塩やエチレンジアミン四酢酸(EDTA)が好んで用いられる。また、pHは主として水酸化ナトリウムによって調整されるが、水酸化カリウムや水酸化リチウムなども使用でき、緩衝剤としては、炭酸塩やリン酸塩が用いられ、安定化剤としては、1価の銅と優先的に錯形成するシアン化物、チオ尿素、ビピリジル、O−フェナントロリン、ネオクプロイン等が用いられる。また、無電解ニッケルめっきの場合は、金属塩として硫酸ニッケル、還元剤には、次亜りん酸ナトリウムやヒドラジン、水素化ホウ素化合物等が好んで用いられる。次亜りん酸ナトリウムを用いた場合には、めっき皮膜中にりんが含有され、耐食性や耐摩耗性が優れている。また、緩衝剤としては、モノカルボン酸またはそのアルカリ金属塩を使用する場合が多い。錯化剤は、めっき液中でニッケルイオンと安定な可溶性錯体を形成するものが使用され、酢酸、乳酸、酒石酸、りんご酸、クエン酸、グリシン、アラニン、EDTA等が用いられ、安定化剤としては、硫黄化合物や鉛イオンが添加される。無電解めっき法については上記非特許文献1の第505〜
545頁を参照することができる。
さらに、還元剤の還元作用を得るためには、金属表面の触媒活性化が必要になることがある。素地が鉄、鋼、ニッケルなどの金属の場合には、それらの金属が触媒活性を持つため、無電解めっき液に浸漬するだけで析出するが、銅、銀あるいはそれらの合金、ステンレスが素地となる場合には、触媒活性化を付与するために、塩化パラジウムの塩酸酸性溶液中に被めっき物を浸漬し、イオン置換によって、表面にパラジウムを析出させる方法が用いられる。
Next, the electroless plating will be further described. Typical examples of the electroless plating method include copper plating, nickel plating, tin plating, gold plating, silver plating, cobalt plating, iron plating, and the like. In the process of electroless plating used industrially, a reducing agent is added to a plating solution, and electrons generated by the oxidation reaction are used for metal precipitation reaction. , Reducing agent, pH adjusting agent, pH buffering material, stabilizer and the like. In the case of electroless copper plating, copper sulfate is preferably used as the metal salt, formalin as the reducing agent, and Rossel salt or ethylenediaminetetraacetic acid (EDTA) as the complexing agent. Moreover, although pH is mainly adjusted with sodium hydroxide, potassium hydroxide, lithium hydroxide, etc. can be used, carbonate and phosphate are used as a buffer, and monovalent as a stabilizer. Cyanide, thiourea, bipyridyl, O-phenanthroline, neocuproine, etc. that complex preferentially with copper are used. In the case of electroless nickel plating, nickel sulfate is preferably used as the metal salt, and sodium hypophosphite, hydrazine, a borohydride compound, or the like is preferably used as the reducing agent. When sodium hypophosphite is used, phosphorus is contained in the plating film, and the corrosion resistance and wear resistance are excellent. Moreover, as a buffering agent, a monocarboxylic acid or its alkali metal salt is often used. As the complexing agent, one that forms a stable soluble complex with nickel ions in the plating solution is used, and acetic acid, lactic acid, tartaric acid, malic acid, citric acid, glycine, alanine, EDTA, etc. are used. In this case, sulfur compounds and lead ions are added. Regarding the electroless plating method, the above-mentioned Non-Patent Document 1 No. 505-505.
See page 545.
Furthermore, in order to obtain the reducing action of the reducing agent, it may be necessary to activate the catalyst on the metal surface. When the substrate is a metal such as iron, steel, nickel, etc., these metals have catalytic activity, so they are deposited just by immersing them in the electroless plating solution, but copper, silver or their alloys, and stainless steel In this case, in order to impart catalyst activation, a method is used in which the object to be plated is immersed in an acidic hydrochloric acid solution of palladium chloride and palladium is deposited on the surface by ion substitution.

本発明で利用できる無電解めっきは、例えば、めっき用導電性基材の凹部に、必要に応じてパラジウム触媒を付着させたあと、温度60〜90℃程度とした無電解銅めっき液に浸漬して、銅めっきを施す方法である。
無電解めっきでは、基材は必ずしも導電性である必要はない。しかし、基材を陽極酸化処理するような場合は、基材は導電性である必要がある。
特に、導電性基材の材質がNiである場合、無電解めっきするには、凹部を陽極酸化した後、無電解銅めっき液に浸漬して、銅を析出させる方法がある。
The electroless plating that can be used in the present invention is, for example, immersed in an electroless copper plating solution at a temperature of about 60 to 90 ° C. after a palladium catalyst is attached to the recesses of the conductive base material for plating, if necessary. This is a method of performing copper plating.
In electroless plating, the substrate is not necessarily conductive. However, when anodizing the substrate, the substrate needs to be conductive.
In particular, when the material of the conductive substrate is Ni, electroless plating includes a method in which the recesses are anodized and then immersed in an electroless copper plating solution to deposit copper.

めっきによって出現又は析出する金属としては、銀、銅、金、アルミニウム、タングステン、ニッケル、鉄、クロム等の導電性を有するものが使用されるが、20℃での体積抵抗率(比抵抗)が20μΩ/cm以下の金属を少なくとも1種類以上含むことが望ましい。本発明により得られる構造体を電磁波遮蔽シートとして用いる場合には電磁波を電流としてアースするためにこれを構成する金属は導電性が高い方が電磁波遮蔽性に優れるためである。このような金属としては、銀(1.62μΩ/cm)、銅(1.72μΩ/cm)、金(2.4μΩ/cm)、アルミニウム(2.75μΩ/cm)、タングステン(5.5μΩ/cm)、ニッケル(7.24μΩ/cm)、鉄(9.0μΩ/cm)、クロム(17μΩ/cm、全て20℃での値)などがあるが特にこれらに限定するものではない。できれば体積抵抗率が10μΩ/cmであることがより好ましく、5μΩ/cmであることがさらに好ましい。金属の価格や入手の容易さを考慮すると銅を用いることが最も好ましい。これらの金属は単体で用いてもよく、さらに機能性を付与するために他の金属との合金でも構わないし、金属の酸化物であってもよい。ただし、体積抵抗率が20μΩ/cmである金属が成分として最も多く含まれていることが導電性の観点から好ましい。   As a metal that appears or precipitates by plating, conductive metals such as silver, copper, gold, aluminum, tungsten, nickel, iron, and chromium are used, but the volume resistivity (specific resistance) at 20 ° C. is used. It is desirable to include at least one kind of metal of 20 μΩ / cm or less. This is because when the structure obtained according to the present invention is used as an electromagnetic wave shielding sheet, the metal constituting it is grounded as an electromagnetic wave as a current, and the higher the conductivity, the better the electromagnetic wave shielding property. Such metals include silver (1.62 μΩ / cm), copper (1.72 μΩ / cm), gold (2.4 μΩ / cm), aluminum (2.75 μΩ / cm), tungsten (5.5 μΩ / cm). ), Nickel (7.24 [mu] [Omega] / cm), iron (9.0 [mu] [Omega] / cm), chromium (17 [mu] [Omega] / cm, all values at 20 [deg.] C.), etc., but are not particularly limited thereto. If possible, the volume resistivity is more preferably 10 μΩ / cm, and further preferably 5 μΩ / cm. In view of the price of metal and availability, copper is most preferably used. These metals may be used alone, or may be an alloy with another metal or a metal oxide for imparting functionality. However, it is preferable from the viewpoint of conductivity that a metal having a volume resistivity of 20 μΩ / cm is contained in the largest amount as a component.

前記した導電性基材の凹部にめっきにより形成される金属層の厚さ(めっき厚さ)は、目的に応じて適宜決定される。めっき厚さは、十分な導電性を示す(このとき電磁波シールド性が十分に発現する)ためには、0.5μm以上であることが好ましく、導体層にピンホールが形成される(このとき、例えば、電磁波シールド性が低下する)可能性を小さくするためには、3μm以上の厚さであることがさらに好ましい。また、めっき厚さが大きすぎると、形成された金属層は幅方向にも広がる。これも目的に応じて、適宜調整される。このように、めっき厚さが大きすぎるとラインの幅が広くなり、得られる金属層を電磁波シールド層に利用するとき、その開口率が低下し、電磁波遮蔽部材の透明性、非視認性を低下させる傾向がある。したがって、電磁波遮蔽部材として、十分な透明性、非視認性を確保するためには、形成された金属層の厚みを20μm以下とすることが好ましく、さらに、めっきの時間を短縮し、生産効率をあげるためには、めっきの厚みは10μm以下であることがさらに好ましい。   The thickness (plating thickness) of the metal layer formed by plating in the concave portion of the conductive substrate is appropriately determined according to the purpose. The plating thickness is preferably 0.5 μm or more in order to exhibit sufficient conductivity (at this time, sufficient electromagnetic shielding properties are exhibited), and pinholes are formed in the conductor layer (at this time, For example, the thickness is more preferably 3 μm or more in order to reduce the possibility that the electromagnetic wave shielding property is reduced). If the plating thickness is too large, the formed metal layer also spreads in the width direction. This is also adjusted appropriately according to the purpose. Thus, when the plating thickness is too large, the line width becomes wide, and when the resulting metal layer is used for the electromagnetic wave shielding layer, the aperture ratio is lowered, and the transparency and invisibility of the electromagnetic wave shielding member are lowered. There is a tendency to make it. Therefore, in order to ensure sufficient transparency and invisibility as an electromagnetic wave shielding member, the thickness of the formed metal layer is preferably 20 μm or less, and further, the plating time is shortened and the production efficiency is improved. In order to increase the thickness, the thickness of the plating is more preferably 10 μm or less.

最終的に得られる導体層パターン付き基材の導体層パターン(金属パターンを黒化処理したときは黒化処理された導体層パターンを意味する)のライン幅は、40μm以下、ライン間隔は50μm以上の範囲とすることが好ましい。また、導体層パターン(幾何学図形)の非視認性の観点からライン幅は25μm以下、可視光透過率の点からライン間隔は120μm以上がさらに好ましい。ライン幅は、あまりに小さく細くなると表面抵抗が大きくなりすぎて遮蔽効果に劣るので1μm以上が好ましい。ライン間隔は、大きいほど開口率は向上し、可視光透過率は向上する。本発明によって得られる導体層パターンをディスプレイ前面に使用する場合、開口率は50%以上が必要であるが、60%以上がさらに好ましい。ライン間隔が大きくなり過ぎると、電磁波遮蔽性が低下するため、ライン間隔は1000μm(1mm)以下とするのが好ましい。なお、ライン間隔は、幾何学図形等の組合せで複雑となる場合、繰り返し単位を基準として、その面積を正方形の面積に換算してその一辺の長さをライン間隔とする。   The line width of the conductor layer pattern of the finally obtained base material with a conductor layer pattern (meaning the conductor layer pattern that has been blackened when the metal pattern is blackened) is 40 μm or less, and the line interval is 50 μm or more. It is preferable to set it as the range. Further, the line width is more preferably 25 μm or less from the viewpoint of invisibility of the conductor layer pattern (geometrical figure), and the line interval is more preferably 120 μm or more from the viewpoint of visible light transmittance. If the line width is too small and thin, the surface resistance becomes too large and the shielding effect is inferior, so 1 μm or more is preferable. The larger the line spacing, the better the aperture ratio and the visible light transmittance. When the conductor layer pattern obtained by the present invention is used on the front surface of the display, the aperture ratio needs to be 50% or more, more preferably 60% or more. If the line interval becomes too large, the electromagnetic wave shielding property is deteriorated. Therefore, the line interval is preferably set to 1000 μm (1 mm) or less. When the line interval is complicated by a combination of geometric figures or the like, the area is converted into a square area with the repetition unit as a reference, and the length of one side is set as the line interval.

また、本発明によって得られる導体層パターン付き基材をディスプレイ前面用途に使用する場合、可視光透過率の点から、電磁波シールド機能を担わせる部分の開口率は50%以上が必要であるが、60%以上が好ましく、特に80%以上が好ましい。開口率が大きすぎるとライン幅が小さくなりすぎるため、開口率は97%以下であることが好ましい。ライン間隔という観点からは、ライン間隔は1000μm(1mm)以下とするのが好ましい。ライン間隔が大きくなり過ぎると、電磁波遮蔽性が低下する傾向がある。なお、ライン間隔は、幾何学図形等の組合せで複雑となる場合、繰り返し単位を基準として、その面積を正方形の面積に換算してその一辺の長さをライン間隔とする。可視光透過率の点からライン間隔は、50μm以上が好ましく、100μm以上がより好ましく、120μm以上が特に好ましい。ライン間隔は、大きいほど開口率は向上し、可視光透過率は向上する。   In addition, when the substrate with a conductor layer pattern obtained by the present invention is used for a display front application, the aperture ratio of the portion that bears the electromagnetic wave shielding function is required to be 50% or more from the viewpoint of visible light transmittance. 60% or more is preferable, and 80% or more is particularly preferable. If the aperture ratio is too large, the line width becomes too small. Therefore, the aperture ratio is preferably 97% or less. From the viewpoint of the line interval, the line interval is preferably 1000 μm (1 mm) or less. If the line spacing becomes too large, the electromagnetic wave shielding property tends to decrease. When the line interval is complicated by a combination of geometric figures or the like, the area is converted into a square area with the repetition unit as a reference, and the length of one side is set as the line interval. From the viewpoint of visible light transmittance, the line interval is preferably 50 μm or more, more preferably 100 μm or more, and particularly preferably 120 μm or more. The larger the line spacing, the better the aperture ratio and the visible light transmittance.

また、導体層パターンの厚みは100μm以下が好ましく、ディスプレイ前面の電磁波遮蔽シートとして適用した場合、厚みが薄いほどディスプレイの視野角が広がり電磁波遮蔽材料として好ましく、また、金属層をめっきにより形成させるのにかかる時間を短縮することにもなるので40μm以下とすることがより好ましく、18μm以下であることがさらに好ましい。あまりに厚みが薄いと表面抵抗が大きくなりすぎて電磁波遮蔽効果に劣るようになり、また、導体層パターンの強度が劣り、転写時の導電性基材からの剥離が困難になるため0.5μm以上が好ましく、さらに1μm以上がさらに好ましい。   Further, the thickness of the conductor layer pattern is preferably 100 μm or less, and when applied as an electromagnetic wave shielding sheet on the front surface of the display, the thinner the thickness, the wider the viewing angle of the display and the more preferable as an electromagnetic wave shielding material. Therefore, it is more preferably 40 μm or less, and further preferably 18 μm or less. If the thickness is too thin, the surface resistance becomes too high and the electromagnetic wave shielding effect becomes inferior. Also, the strength of the conductor layer pattern is inferior, and peeling from the conductive substrate during transfer becomes difficult. And more preferably 1 μm or more.

析出する金属層の厚さに対して相対的に凹部がより深くなることにより、析出する金属層をより形状的に規正することができるという観点から、めっきにより形成される金属箔の厚さを絶縁層の高さの2倍以下とすることが好ましく、特に1.5倍以下、さらに1.2倍以下とすることが好ましいが、これに制限されるものではない。
めっきの程度を、析出する金属層が凹部内に存在する程度とすることができる。このような場合であっても、凹部形状が開口方向に幅広であるため、さらには、絶縁層により形成される凹部側面の表面を平滑にできるため、金属箔パターンの剥離時のアンカー効果を小さくできる。また、析出する金属層の幅に対する高さの割合を高くすることが可能となり、透過率をより向上させることができる。
The thickness of the metal foil formed by plating is reduced from the viewpoint that the metal layer to be deposited can be more shaped by making the recess deeper relative to the thickness of the deposited metal layer. The height of the insulating layer is preferably 2 times or less, particularly preferably 1.5 times or less, and further preferably 1.2 times or less, but is not limited thereto.
The degree of plating can be such that the deposited metal layer is present in the recess. Even in such a case, since the concave shape is wide in the opening direction, and further, the surface of the concave side surface formed by the insulating layer can be smoothed, so that the anchor effect at the time of peeling of the metal foil pattern is reduced. it can. Moreover, it becomes possible to make high the ratio of the height with respect to the width | variety of the metal layer to deposit, and to improve the transmittance | permeability more.

本発明における導体層は、前記しためっき用導電性基材の表面形状に対応した形状となる。その形状及び寸法については前記したとおりである。   The conductor layer in the present invention has a shape corresponding to the surface shape of the conductive substrate for plating described above. The shape and dimensions are as described above.

前記した導体層のL3とT1の関係が式(2)〔より好ましくは式(3)〕の関係になるようにするためには、例えば、めっき液として、硫酸銅浴を使用する場合、次の配合からなるものが好ましい。   In order to make the relationship between L3 and T1 of the above-described conductor layer the relationship of the formula (2) [more preferably, the formula (3)], for example, when using a copper sulfate bath as the plating solution, What consists of these is preferable.

硫酸銅(五水和物) 50〜400 g/L(銅分として12〜100 g/L)
硫酸 50〜200 g/L
を含み、必要に応じて、
塩素イオン(塩酸または塩化ナトリウム) 20〜100 mg/L
光沢剤(3−メルカプト−1−プロパンスルホン酸塩など) 適量
界面活性剤(ポリエチレングリコール類など) 適量
を溶解・配合した水溶液が用いられる。
光沢剤及び界面活性剤に替わる薬剤として
高分子多糖類
低分子膠
を用いても対応可能である。
Copper sulfate (pentahydrate) 50-400 g / L (12-100 g / L as copper content)
Sulfuric acid 50-200 g / L
Including, if necessary,
Chlorine ion (hydrochloric acid or sodium chloride) 20-100 mg / L
Brightener (3-mercapto-1-propanesulfonate, etc.) Appropriate amount Surfactant (polyethylene glycol, etc.) An aqueous solution in which an appropriate amount is dissolved and blended is used.
It is also possible to use high molecular weight polysaccharides and low molecular weight glue as an alternative to brighteners and surfactants.

ついで、導体層パターン付き基材の製造工程における次の工程、すなわち、(II)めっき用導電性基材上に形成された導体層(上記めっき用導電性基材の凹部に析出させた金属)を樹脂層を含む適当な基材に転写する転写工程、について説明する。   Next, the next step in the manufacturing process of the substrate with the conductor layer pattern, that is, (II) a conductor layer formed on the conductive substrate for plating (metal deposited in the concave portion of the conductive substrate for plating) A transfer process for transferring the film to a suitable base material including a resin layer will be described.

上記の適当な基材(樹脂層又は支持基材及びその上の樹脂層を含む)については前記したとおりであるが、転写工程においては、その樹脂層は、粘着性を有しているもの又は粘着性を示すもの(これらを、「粘着剤」又は「粘着樹脂」という)からなる。この粘着剤には、必要に応じて、架橋剤、硬化剤、希釈剤、可塑剤、酸化防止剤、充填剤、着色剤、紫外線吸収剤や粘着付与剤などの添加剤を配合していてもよい。なお、上記「粘着性」とは、「接着性」を包含する。   The above-mentioned appropriate base material (including the resin layer or the supporting base material and the resin layer thereon) is as described above, but in the transfer step, the resin layer has adhesiveness or It consists of what shows adhesiveness (these are called "adhesive" or "adhesive resin"). This pressure-sensitive adhesive may contain additives such as a crosslinking agent, a curing agent, a diluent, a plasticizer, an antioxidant, a filler, a colorant, an ultraviolet absorber and a tackifier, as necessary. Good. The “adhesiveness” includes “adhesiveness”.

粘着剤層(樹脂層)の厚さは、薄すぎると十分な強度が得られないため、めっきで形成された導体層を転写する際に、導体層が粘着剤層に密着せず、転写不良が発生することがある。したがって、粘着剤層の厚みは、1μm以上であることが好ましく、量産時の転写信頼性を確保するためには3μm以上であることが更に好ましい。また、粘着剤層の厚さが厚すぎると、粘着剤層の製造コストが高くなるとともに、ラミネートした際に、粘着剤層の変形量が多くなるため、粘着剤層の厚みは100μm以下が好ましく、50μm以下がさらに好ましい。
基材を、めっき用導電性基材の導体層が形成されている面に貼り合わせる際には、粘着剤層の特性に応じて、特に、粘着剤層が適度な流動性又は粘着性を発揮するために、必要ならば加熱される。基材が粘着剤層を保持する支持基材を有する場合、支持基材は、このような加熱に際しても形状を維持する程度に十分な耐熱性を有することが好ましい。
If the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer (resin layer) is too thin, sufficient strength cannot be obtained. Therefore, when transferring a conductive layer formed by plating, the conductive layer does not adhere to the pressure-sensitive adhesive layer, resulting in poor transfer. May occur. Therefore, the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is preferably 1 μm or more, and more preferably 3 μm or more in order to ensure transfer reliability during mass production. Further, if the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is too thick, the production cost of the pressure-sensitive adhesive layer increases, and the amount of deformation of the pressure-sensitive adhesive layer increases when laminated, so the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is preferably 100 μm or less. 50 μm or less is more preferable.
When the substrate is bonded to the surface of the conductive substrate for plating, on which the conductor layer is formed, the adhesive layer exhibits appropriate fluidity or adhesiveness, depending on the properties of the adhesive layer. In order to do so, it is heated if necessary. When the substrate has a supporting substrate that holds the pressure-sensitive adhesive layer, it is preferable that the supporting substrate has sufficient heat resistance to maintain the shape even during such heating.

上記の転写工程を経て導体層パターン付き基材を作製する例を次に示す。
図13は、導体層パターン付き基材の作製例の前半を示す断面図である。また、図14はその後半を示す断面図である。
前記のめっき用導電性基材11上に、前記しためっき工程により、凹部14内にめっきを施し、導体層19のパターンを形成する(図13(e))。ついで、別個に準備された転写用基材20、これは、支持基材(透明基材)21に粘着剤層22が積層されている。導体層19のパターンが形成されためっき用導電性基材11に転写用基材20を粘着剤層22を向けて圧着する準備を行う(図13(f))。このとき、支持基材21として、表面に粘着剤層22とは異なった粘着剤を有していてもよい。これよって、例えば、後で、支持基材21を粘着剤層22から剥離しやすくすることができる。
The example which produces a base material with a conductor layer pattern through said transfer process is shown next.
FIG. 13: is sectional drawing which shows the first half of the preparation examples of the base material with a conductor layer pattern. FIG. 14 is a cross-sectional view showing the latter half.
On the conductive base material 11 for plating, plating is performed in the recesses 14 by the above-described plating step, thereby forming a pattern of the conductor layer 19 (FIG. 13E). Next, the transfer substrate 20 prepared separately, which is a support substrate (transparent substrate) 21, is laminated with an adhesive layer 22. Preparation is made to pressure-bond the transfer base material 20 with the adhesive layer 22 facing the conductive base material 11 for plating on which the pattern of the conductor layer 19 is formed (FIG. 13F). At this time, the support substrate 21 may have an adhesive different from the adhesive layer 22 on the surface. Accordingly, for example, the support base material 21 can be easily peeled from the pressure-sensitive adhesive layer 22 later.

ついで、導体層パターンが形成されためっき用導電性基材11に転写用基材20を粘着剤層22を向けて圧着する(図14(g))。このとき、粘着剤層22が絶縁層17に接触してもよい。圧着の程度により、導体層の粘着剤層22への埋設厚さを調整することができる。このとき、粘着剤層22は、圧力に対して流動性を示すことが好ましく、場合により、粘着剤層22を流動させるために、加熱される。   Next, the transfer substrate 20 is pressure-bonded to the plating conductive substrate 11 on which the conductor layer pattern is formed with the adhesive layer 22 facing (FIG. 14G). At this time, the pressure-sensitive adhesive layer 22 may contact the insulating layer 17. The thickness of the conductor layer embedded in the pressure-sensitive adhesive layer 22 can be adjusted by the degree of pressure bonding. At this time, the pressure-sensitive adhesive layer 22 preferably exhibits fluidity with respect to pressure, and in some cases, is heated to flow the pressure-sensitive adhesive layer 22.

導体層パターンが形成されためっき用導電性基材11に転写用基材20を粘着剤層22を向けて圧着する(図14(g))のと同様の状態は、次のようにしても実現することができる。すなわち、導体層パターンが形成されためっき用導電性基材11の上に、液状の粘着剤を一定の厚さに塗布するか、シート状の粘着剤を載置し、さらにその上に支持基材21を載置し、適宜圧力をかけて接着する。このとき、粘着剤としては、活性エネルギー線の照射により硬化する光硬化性樹脂又は熱硬化性樹脂を使用するときは、適宜、活性エネルギー線を照射するか加熱して硬化を進める。硬化の程度は、粘着剤に粘着性を残存させる程度などにより適宜決定される。粘着剤として熱可塑性樹脂を用いた場合には、支持基材の載置後に相対的に冷却して固化させることが好ましい。上記において、支持基材として(又は支持基材の代わり)剥離性基材を用いて、粘着剤層を硬化又は固化させた後剥離するようにしてもよい。このとき、樹脂層を含む基材は支持基材を含まないものになる。   The same state as the case where the transfer base material 20 is pressure-bonded with the adhesive layer 22 facing the conductive base material 11 for plating on which the conductor layer pattern is formed (FIG. 14 (g)) is as follows. Can be realized. That is, on the conductive substrate 11 for plating on which the conductor layer pattern is formed, a liquid pressure-sensitive adhesive is applied to a certain thickness or a sheet-like pressure-sensitive adhesive is placed, and a support base is further formed thereon. The material 21 is placed and bonded with appropriate pressure. At this time, as a pressure-sensitive adhesive, when using a photocurable resin or a thermosetting resin that is cured by irradiation with active energy rays, curing is performed by appropriately irradiating with active energy rays or heating. The degree of curing is appropriately determined depending on the degree of adhesion remaining in the adhesive. When a thermoplastic resin is used as the adhesive, it is preferable to relatively cool and solidify after placing the support base material. In the above, a peelable substrate may be used as the support substrate (or instead of the support substrate), and the pressure-sensitive adhesive layer may be peeled off after being cured or solidified. At this time, the base material including the resin layer does not include the support base material.

ついで、転写用基材20を引きはがすと導体層19のパターンは、その粘着剤層22に接着してめっき用導電性基材12から剥離され、この結果、導体層パターン付き基材23が得られる(図14(h))。得られた導体層パターン付き基材23の上からフィルム(剥離性フィルムが好ましい)を介して圧着ロール等で圧着して導体層の粘着剤層22への埋設させている厚さを調整することができる。このとき、粘着剤層22は、圧力に対して流動性を示すことが好ましく、場合により、粘着剤層22を流動させるために、加熱される。 Next, when the transfer substrate 20 is peeled off, the pattern of the conductor layer 19 is adhered to the adhesive layer 22 and peeled off from the conductive substrate 12 for plating. As a result, a substrate 23 with a conductor layer pattern is obtained. (FIG. 14 (h)). Adjusting the thickness of the conductor layer embedded in the pressure-sensitive adhesive layer 22 by pressing with a pressing roll or the like through a film (preferably a peelable film) from above the obtained substrate 23 with a conductor layer pattern Can do. At this time, the pressure-sensitive adhesive layer 22 preferably exhibits fluidity with respect to pressure, and in some cases, is heated to flow the pressure-sensitive adhesive layer 22.

図15は、めっき用導電性基材の凹部内にめっきにより導体層パターンを形成した状態を示す断面図、図16は、その凹部内の導体層パターンを転写して得られた導体層パターン付き基材23の断面図を示す。
めっき用導電性基材にめっきした際、めっきは等方的に生長するため、導電性基材の露出部分から始まっためっきの析出は、それが進むと凹部からあふれて絶縁層に覆い被さるように突出して析出する。転写用基材への貼着の観点から、突出するようにめっきを析出させることが好ましい。しかし、このとき、めっきの析出を凹部14内に収まる程度に施しても良い。この状態を図15に示す。この場合でも、図16に示すように、転写用基材を圧着することにより、導体層19のパターンを粘着剤層22に転着して、めっき用導電性基材11から導体層19のパターンを剥離して、導体層パターン付き基材23を作製することができる。この場合には、導体層は粘着剤層22に完全には埋設されていないので、得られた導体層パターン付き基材23の上からフィルム(剥離性フィルムが好ましい)を介して圧着ロール等で圧着して適当な厚さだけ導体層を粘着剤層22に埋設させる。このとき、粘着剤層22は、圧力に対して流動性を示すことが好ましく、場合により、粘着剤層22を流動させるために、加熱される。なお、この場合の転写工程においても、前記したように、導体層19のパターンを有するめっき用導電性基材11の上に、液状の粘着剤を一定の厚さに塗布するか、シート状の粘着剤を載置し、さらにその上に支持基材21を載置し、適宜圧力をかけて接着する方法を採用することができる。
FIG. 15 is a cross-sectional view showing a state in which a conductor layer pattern is formed by plating in a concave portion of a conductive base material for plating, and FIG. 16 shows a conductor layer pattern obtained by transferring the conductor layer pattern in the concave portion. A cross-sectional view of the substrate 23 is shown.
Since plating grows isotropically when plating on a conductive substrate for plating, the deposition of plating that started from the exposed portion of the conductive substrate overflows from the recess and covers the insulating layer as it progresses. To protrude and precipitate. From the viewpoint of sticking to the transfer substrate, it is preferable to deposit the plating so as to protrude. However, at this time, the plating may be deposited so as to be contained in the recess 14. This state is shown in FIG. Even in this case, as shown in FIG. 16, the pattern of the conductor layer 19 is transferred to the pressure-sensitive adhesive layer 22 by pressing the transfer substrate, and the pattern of the conductor layer 19 from the conductive substrate 11 for plating. Can be peeled off to produce a substrate 23 with a conductor layer pattern. In this case, since the conductor layer is not completely embedded in the pressure-sensitive adhesive layer 22, it is applied with a pressure roll or the like through a film (preferably a peelable film) from above the obtained substrate 23 with a conductor layer pattern. The conductor layer is embedded in the pressure-sensitive adhesive layer 22 by an appropriate thickness by pressure bonding. At this time, the pressure-sensitive adhesive layer 22 preferably exhibits fluidity with respect to pressure, and in some cases, is heated to flow the pressure-sensitive adhesive layer 22. Even in the transfer step in this case, as described above, a liquid adhesive is applied to the plating conductive substrate 11 having the pattern of the conductor layer 19 to a certain thickness or a sheet-like shape. It is possible to employ a method in which an adhesive is placed, and the support base material 21 is placed thereon, and an appropriate pressure is applied thereto for adhesion.

転写工程において、転写用基材20の粘着剤層22に、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂等の硬化性樹脂を含む粘着剤を使用した場合、その硬化は、転写用基材20をめっき用導電性基材11から剥離する前に行っても、剥離した後で行ってもよく、剥離前に半硬化させ、剥離後に完全硬化させてもよい。
特に、硬化性樹脂を含む粘着剤の硬化又は完全硬化を、転写用基材20をめっき用導電性基材11から剥離した後に行う場合、カバーレイフィルム、剥離性支持体を積層して、粘着剤層に貼り合わせると同時に行ってもよい。これにより、導体層を保護した導体層パターン付き基材とすることができる。
一般に、前記の導体層パターン付き基材の導体層パターン側を、カバーレフィルム、剥離性支持体等を、場合により樹脂層を介して、貼り合わせることにより、また、樹脂層を塗布などして被覆することにより、導体層を保護した導体層パターン付き基材とすることができる。このような導体層パターン付き基材は、電磁波遮蔽部材、フィルムアンテナ等に使用することができる。
In the transfer step, when an adhesive containing a curable resin such as a thermosetting resin or a photocurable resin is used for the adhesive layer 22 of the transfer substrate 20, the curing is performed by plating the transfer substrate 20. It may be performed before peeling from the conductive base material 11 or after peeling, may be semi-cured before peeling, and may be completely cured after peeling.
In particular, when curing or complete curing of the pressure-sensitive adhesive containing the curable resin is performed after the transfer substrate 20 is peeled off from the plating conductive substrate 11, the coverlay film and the peelable support are laminated and adhered. You may carry out simultaneously with bonding to an agent layer. Thereby, it can be set as the base material with a conductor layer pattern which protected the conductor layer.
Generally, the conductor layer pattern side of the substrate with the conductor layer pattern is bonded to the cover film, peelable support, etc., optionally via a resin layer, and the resin layer is applied. By coating, it can be set as the base material with a conductor layer pattern which protected the conductor layer. Such a base material with a conductor layer pattern can be used for an electromagnetic wave shielding member, a film antenna, or the like.

前記の導体層パターン付き基材23(図14(h)又は図16)は、適宜、導体層19の粘着剤層22への埋設厚さを調整した後、使用に供することができる。このとき、粘着剤層22とそれに埋設された導体層19の上面が面一になるようにすることが特に好ましい。なお。導体層パターン付き基材が支持基材を含むとき、この支持基材を基材(I)ということがある。上記の導体層パターン付き基材23の支持基材21は、基材(I)に当たる。   The base material 23 with the conductor layer pattern (FIG. 14 (h) or FIG. 16) can be used after adjusting the thickness of the conductor layer 19 embedded in the adhesive layer 22 as appropriate. At this time, it is particularly preferable that the pressure-sensitive adhesive layer 22 and the upper surface of the conductor layer 19 embedded therein are flush with each other. Note that. When a base material with a conductor layer pattern contains a support base material, this support base material may be called base material (I). The support base material 21 of the base material 23 with the conductor layer pattern corresponds to the base material (I).

図17は、保護基材で、なお、導体層が保護されている導体層パターン付き基材の例を示す断面図である。この保護基材を基材(II)ということがある。
図17は、導体層パターン付き基材23の導体層側に、保護基材〔基材(II)〕を積層したもの、すなわち、表面保護された導体層パターン付き基材25を示す。すなわち、支持基材21上の樹脂層22に導体層19が埋設されており、その上に保護基材24が積層されている。方法としては、導体層パターン付き基材23に、その導体層19の上からフィルム(剥離性フィルムが好ましい)等の保護基材24〔基材(II)〕を圧着ロール等で圧着して適当な厚さだけ導体層を粘着剤層22に埋設させるが、図17では、粘着剤層22とそれに埋設された導体層19の上面が面一になっている。このとき、粘着剤層22は、圧力に対して流動性を示すことが好ましく、場合により、粘着剤層22を流動させるために、加熱される。上記保護基材24には、樹脂層22及び導体層19への貼着面に、粘着剤が積層されていてもよい。なお、基材(II)は、導体層を保護する機能を有していれば、同時に他の機能を有していてもよい。基材(II)は、前記した支持基材と同様のものから適宜選択して使用することができる。
表面保護された導体層パターン付き基材25は、前記した電磁波遮蔽部材、フィルムアンテナ等として使用できる。
FIG. 17 is a cross-sectional view showing an example of a base material with a conductor layer pattern in which the conductor layer is protected by the protective base material. This protective substrate is sometimes referred to as substrate (II).
FIG. 17 shows a substrate 25 with a conductor layer pattern in which a protective substrate [substrate (II)] is laminated on the conductor layer side of the substrate 23 with a conductor layer pattern, that is, the surface is protected. That is, the conductor layer 19 is embedded in the resin layer 22 on the support substrate 21, and the protective substrate 24 is laminated thereon. As a method, a protective base material 24 [base material (II)] such as a film (preferably a peelable film) is applied to the base material 23 with the conductor layer pattern from above the conductor layer 19 by using a press roll or the like. The conductor layer is embedded in the pressure-sensitive adhesive layer 22 by an appropriate thickness, but in FIG. 17, the pressure-sensitive adhesive layer 22 and the upper surface of the conductor layer 19 embedded in the same are flush with each other. At this time, the pressure-sensitive adhesive layer 22 preferably exhibits fluidity with respect to pressure, and in some cases, is heated to flow the pressure-sensitive adhesive layer 22. In the protective substrate 24, a pressure-sensitive adhesive may be laminated on the adhesive surface to the resin layer 22 and the conductor layer 19. In addition, if the base material (II) has the function to protect a conductor layer, it may have another function simultaneously. The substrate (II) can be appropriately selected from those similar to the above-mentioned support substrate.
The substrate 25 with a conductor layer pattern whose surface is protected can be used as an electromagnetic wave shielding member, a film antenna, or the like.

図18導体層パターン付き基材の一例を示す断面図であり、図18に示す導体層パターン付き基材26は、図17の表面保護された導体層パターン付き基材25から保護基材24を剥離したものであり、支持基材21上の樹脂層22に導体層19が埋設されて、樹脂層22の表面(導体層19がない部分)と導体層19の上面が面一になっている。
導体層パターン付き基材26は、電磁波遮蔽部材、フィルムアンテナ等として使用できるが、また、太陽電池用電極基材としても使用することができる。導体層パターン付き基材26を太陽電池用電極基材としても使用するには、露出した樹脂層(粘着剤層)22の導体層19の上面が露出してる面を太陽電池要素に接触させるようにして使用する。このような太陽電池用基材としての使用には、裏面電極用基材又はインターコネクター用基材としての使用も包含される。
18 is a cross-sectional view showing an example of a substrate with a conductor layer pattern, and the substrate 26 with a conductor layer pattern shown in FIG. 18 is a protective substrate 24 from the substrate 25 with a conductor layer pattern of FIG. The conductor layer 19 is embedded in the resin layer 22 on the support base material 21 so that the surface of the resin layer 22 (the portion without the conductor layer 19) and the upper surface of the conductor layer 19 are flush with each other. Yes.
Although the base material 26 with a conductor layer pattern can be used as an electromagnetic wave shielding member, a film antenna, etc., it can also be used as an electrode base material for solar cells. In order to use the substrate 26 with a conductor layer pattern also as an electrode substrate for a solar cell, the exposed surface of the conductor layer 19 of the resin layer (adhesive layer) 22 is brought into contact with the solar cell element. To use. Use as such a solar cell substrate includes use as a back electrode substrate or an interconnector substrate.

導体層パターン付き基材23は、導体層19の粘着剤層22への埋設厚さを調整した後又は調整しないで、導体層19を有する表面に、ITO等の透明電極を蒸着法等により製膜して、太陽電池用基材とすることができる。この太陽電池用基材は、透明導電膜上に太陽電池要素を作製し、結晶系シリコン太陽電池、シリコン薄膜型太陽電池、CIGS薄膜太陽電池、色素増感型太陽電池とすることができる。   The base material 23 with a conductor layer pattern is manufactured by adjusting the thickness of the conductor layer 19 embedded in the pressure-sensitive adhesive layer 22 without adjusting the thickness of the conductor layer 19 on the surface having the conductor layer 19 by vapor deposition or the like. It can be used as a solar cell substrate. This solar cell substrate can be made into a crystalline silicon solar cell, a silicon thin film solar cell, a CIGS thin film solar cell, and a dye-sensitized solar cell by producing a solar cell element on a transparent conductive film.

導体層パターン付き基材23((図14(h)又は図16))又は導体層パターン付き基材26(図18)は、また、支持基材21を剥離して、樹脂層(粘着剤層)22に導体層19が埋設されている導体層付き樹脂層(粘着剤層)27を作製し、これを使用に供することができる。図19は、この断面図を示す。このとき、導体層19の埋設厚さは前記したように予め調整しておくことが好ましく、粘着剤層22はもはや粘着性が残存していなくてもよい。   The substrate 23 with a conductor layer pattern ((FIG. 14 (h) or FIG. 16)) or the substrate 26 with a conductor layer pattern (FIG. 18) is also peeled off from the support substrate 21 to form a resin layer (adhesive layer). ) A conductor layer-attached resin layer (adhesive layer) 27 in which the conductor layer 19 is embedded in 22 can be prepared and used. FIG. 19 shows this cross-sectional view. At this time, the embedded thickness of the conductor layer 19 is preferably adjusted in advance as described above, and the pressure-sensitive adhesive layer 22 may no longer remain adhesive.

図20は、透明導電膜を有する導体層パターン付き基材の例を示す断面図である。図20の透明導電膜を有する導体層パターン付き基材29は、図18の導体層パターン付き基材26の導体層19が露出している面にITO等の透明電極28を蒸着法等により製膜したものである。   FIG. 20 is a cross-sectional view showing an example of a base material with a conductor layer pattern having a transparent conductive film. The substrate 29 with a conductor layer pattern having the transparent conductive film of FIG. 20 is manufactured by forming a transparent electrode 28 such as ITO on the surface where the conductor layer 19 of the substrate 26 with the conductor layer pattern of FIG. It is a film.

導体層パターン付き基材の製造工程における第3の工程、すなわち、(III)上記の基材が支持基材を含む場合には、場合により、さらに、該支持基材〔基材(I)〕を別の支持基材〔これを基材(III)ともいう〕に交換する工程について説明する。この工程は、適宜行われ、場合により行わなくてもよい。
この工程に関連して、種々の積層構造物を派生して作製することができる。
Third step in the production process of the base material with a conductor layer pattern, that is, (III) When the base material includes a support base material, the support base material [base material (I)] Will be described with respect to a process for exchanging the substrate with another support substrate (this is also referred to as a substrate (III)). This step is appropriately performed and may not be performed depending on circumstances.
In connection with this process, various laminated structures can be derived.

前記した(II)の転写工程において、めっき用導電性基材上に形成されためっきを樹脂層を含む基材に転写することにより導体層パターン付き基材が得られる。従って、これによって得られる導体層パターン付き基材を以後使用するようにすると、導体層パターン付き基材の製造法としては、工程数が少なくてすむので、好ましいが、量産性を考えると、基材として、柔軟な樹脂フィルムを使用する場合などはよいが、ガラス板等の硬い材料を基材材料として使用する場合は、ロールトゥロール方式等の連続的な製造方法を選択できない等、生産方式に制約がある。
そこで、めっき用導電性基材上に形成されためっきを、樹脂層を含む適当な基材にロールトゥロール方式により転写し、ロール状の導電層担持基材を得た後に、ガラス板等の硬い基材に導電層を貼り合わせて硬い基材に導電層を形成することで、量産性を損なわずに導電層パターン付きの硬い基材を製造でき、かつ簡便にガラス基材等の硬い基材上に導電層を形成できる。
上記(III)の工程はこのような場合に、便利であり、また、適宜支持基材を交換できるので便利である。
In the transfer step (II) described above, a substrate with a conductor layer pattern is obtained by transferring the plating formed on the conductive substrate for plating to a substrate including a resin layer. Therefore, if the substrate with a conductor layer pattern obtained in this way is used thereafter, the method for producing a substrate with a conductor layer pattern is preferable because the number of steps is small, but considering mass productivity, If a flexible resin film is used as the material, it is good, but if a hard material such as a glass plate is used as the base material, a continuous production method such as a roll-to-roll method cannot be selected. There are restrictions.
Therefore, after the plating formed on the conductive substrate for plating is transferred to an appropriate substrate including a resin layer by a roll-to-roll method to obtain a roll-shaped conductive layer-supporting substrate, By bonding a conductive layer to a hard substrate and forming the conductive layer on a hard substrate, a hard substrate with a conductive layer pattern can be produced without losing mass productivity, and a hard substrate such as a glass substrate can be easily produced. A conductive layer can be formed on the material.
The above step (III) is convenient in such a case, and is convenient because the support base material can be appropriately replaced.

(III)の工程を行う場合、前記(II)の工程における適当な基材は、支持基材及びその上の樹脂層を含むものであって、既に上述した基材と同様であるが、支持基材としては、プラスチックフィルムが好ましい。また、樹脂層は、粘着性を有する粘着剤層が好ましい。
また、交換する新たな支持基材としては、ガラス板、プラスチック板等のリジッドなものが、上記の方法に特に適合しているが、これらに限られるものではない。
上記の工程中又は工程の後、導体層は少なくともその最大幅の部分から下部を樹脂層に埋設される。転写時または転写後における導体層の埋設厚さの調整は、前記したのと同様に行うことができる。
When performing the step (III), the appropriate base material in the step (II) includes a support base material and a resin layer thereon, and is the same as the base material already described above. As the substrate, a plastic film is preferable. The resin layer is preferably a pressure-sensitive adhesive layer.
Moreover, as a new support base material to be replaced, a rigid material such as a glass plate or a plastic plate is particularly suitable for the above method, but is not limited thereto.
During or after the above steps, the conductor layer is embedded in the resin layer at least from the maximum width portion. Adjustment of the embedded thickness of the conductor layer at the time of transfer or after transfer can be performed in the same manner as described above.

上記(II)の工程において、導体層の上を、樹脂層を介してカバーレイフィルム、剥離性支持体等を積層することにより、また、樹脂を塗布するなどして被覆することにより、基材(II)を積層して表面保護された導体層パターン付き基材とすることができ、これを、次の支持基材の交換工程に供することが好ましい。
上記の積層には、ラミネータ、プレス、ホットプレス、真空加圧ラミネータ等を用いて行うことができる。
In the step (II), the conductor layer is covered by laminating a cover lay film, a peelable support or the like via a resin layer, or by coating a resin or the like. (II) can be laminated to form a surface-protected substrate with a conductor layer pattern, which is preferably subjected to the next support substrate replacement step.
The lamination can be performed using a laminator, a press, a hot press, a vacuum pressure laminator, or the like.

上記(III)の工程において、交換する新しい支持基材〔基材(III)〕は、前記した支持基材が使用できるが、その表面に、粘着剤層を有していてもよい。
古い支持基材〔基材(I)〕と新しい支持基材〔基材(III)〕の交換方法としては、前者を剥離しつつ若しくは剥離した後、その剥離面に後者(新しい支持基材)をラミネートする方法などがある。
In the step (III), as the new support base material [base material (III)] to be replaced, the above-mentioned support base material can be used, but the surface thereof may have an adhesive layer.
As an exchange method between the old support base [base (I)] and the new support base [III (III)], the former is peeled off or after the release (the new support base) There is a method of laminating.

上記(III)の工程(交換工程)を図面を用いて説明する。
この工程中、種々の中間的な積層物が得られるが、これらも適宜、特定の用途のための使用に供することができる。
図21は、支持基材の交換工程の一例を示す断面図である。
図21(a)は、図17に示す表面保護された導体層パターン付き基材25の支持基材21〔基材(I)〕を剥離するところを示す断面図である。
The step (III) (exchange step) will be described with reference to the drawings.
During this process, various intermediate laminates are obtained, which can also be used for specific applications as appropriate.
FIG. 21 is a cross-sectional view showing an example of a support substrate replacement step.
FIG. 21A is a cross-sectional view showing a state where the support base material 21 [base material (I)] of the surface-protected base material 25 with conductor layer pattern shown in FIG. 17 is peeled off.

図21(b)は、表面保護された導体層パターン付き基材25の支持基材21が完全に剥離された導体層パターン付き基材30の断面図である。導体層パターン付き基材30は、この状態で、電磁波シールドフィルム、フィルムアンテナ、その他の用途に使用することできる。樹脂層22に粘着性が残存しているときは、その粘着性を利用して、また、樹脂層22に粘着性が無いときには、別個に粘着剤を塗布又は積層して目的物に貼着することができる。   FIG. 21B is a cross-sectional view of the base material 30 with a conductor layer pattern from which the support base material 21 of the base material 25 with a conductor layer pattern whose surface is protected is completely peeled off. In this state, the base material 30 with a conductor layer pattern can be used for electromagnetic wave shielding films, film antennas, and other applications. When adhesiveness remains in the resin layer 22, the adhesiveness is utilized, and when the resin layer 22 does not have adhesiveness, an adhesive is separately applied or laminated and adhered to the object. be able to.

支持基材21が剥離された表面保護された導体層パターン付き基材30には、新しい支持基材が貼着される。図21(c)は、新しい支持基材が貼着され、表面が保護されている導体層パターン付き基材の断面図である。図21(c)は、新しい支持基材31〔基材(III)〕上に樹脂層22、それに埋設されているが、上面は樹脂層22からは露出している導体層19及びこれを保護するために積層されている保護基材24〔基材(II)〕からなる導体層パターン付き基材32を示す。   A new support substrate is adhered to the surface-protected substrate 30 with the conductor layer pattern from which the support substrate 21 has been peeled off. FIG. 21C is a cross-sectional view of a base material with a conductor layer pattern in which a new support base material is attached and the surface is protected. FIG. 21C shows the resin layer 22 on the new support base 31 [base (III)], and the conductor layer 19 that is embedded in the resin layer 22 but is exposed from the resin layer 22 and protects it. The base material 32 with a conductor layer pattern which consists of the protective base material 24 [base material (II)] laminated | stacked in order to do is shown.

図21(a)に示すように、支持基材21〔基材(I)〕を剥離するためには、樹脂層22と支持基材21との接着力よりも樹脂層22と保護基材24〔基材(II)〕との接着力のほうが高くならなくてはならない。しかし、上記(II)の工程において、図14(h)に示すように転写用基材23はめっき用導電性基材12から導体層19を剥離しなければならない。そのために、導体層19とめっき用導電性基材12との接着力より導体層19と樹脂層22との接着力のほうが高くなくてはならない。また、樹脂層22とめっき用導電性基材12との接着力よりも樹脂層22と支持基材21との接着力のほうが高くならなくてはならない。この接着力の関係は、
樹脂層22とめっき用導電性基材12との接着力、
樹脂層22と支持基材21との接着力
及び
樹脂層22と保護基材24との接着力
の順に大きく(以上「関係1」という)、
また、
導体層19とめっき用導電性基材12との接着力
及び
導体層19と樹脂層22との接着力
の順に大きい(以上「関係2」という)関係となる。
具体的には、樹脂層22とめっき用導電性基材12との接着力は低いため、例えば、支持基材21に中剥離セパレータあるいは重剥離セパレータを用い、保護基材24にポリエチレンテレフタレートを用いることで、「関係1」を満たすことができる。また、めっき条件等により導体層19とめっき用導電性基材12との接着力を低くすることにより、「関係2」を満たすことができる。
As shown in FIG. 21A, in order to peel off the support base material 21 [base material (I)], the resin layer 22 and the protective base material 24 are used rather than the adhesive force between the resin layer 22 and the support base material 21. The adhesive strength with [Substrate (II)] must be higher. However, in the step (II), as shown in FIG. 14 (h), the transfer base material 23 must peel the conductor layer 19 from the plating conductive base material 12. Therefore, the adhesive force between the conductor layer 19 and the resin layer 22 must be higher than the adhesive force between the conductor layer 19 and the conductive substrate 12 for plating. In addition, the adhesive force between the resin layer 22 and the support substrate 21 must be higher than the adhesive force between the resin layer 22 and the plating conductive substrate 12. This relationship of adhesive strength is
The adhesive force between the resin layer 22 and the conductive substrate 12 for plating;
The adhesive strength between the resin layer 22 and the supporting base material 21 and the adhesive strength between the resin layer 22 and the protective base material 24 increase in the order (hereinafter referred to as “Relationship 1”).
Also,
The adhesive strength between the conductor layer 19 and the electroconductive substrate 12 for plating and the adhesive strength between the conductor layer 19 and the resin layer 22 increase in this order (hereinafter referred to as “Relationship 2”).
Specifically, since the adhesive force between the resin layer 22 and the electroconductive substrate 12 for plating is low, for example, an intermediate release separator or a heavy release separator is used for the support base 21 and polyethylene terephthalate is used for the protective base 24. Thus, “Relationship 1” can be satisfied. Further, “Relationship 2” can be satisfied by lowering the adhesive force between the conductor layer 19 and the conductive substrate 12 for plating depending on the plating conditions and the like.

図21(c)の保護基材を有する新しい導体層パターン付き基材32は、そのまま、電磁波シールドフィルム、フィルムアンテナ、その他の用途の使用に供されてもよいが、表面の保護基材24〔基材(II)〕を剥離して、太陽電池用電極基材等の使用に供してもよい。図21(d)は、保護基材を剥離し、導体層の上面が露出した導体層パターン付き基材の断面図である。図21(d)は、新しい支持基材31上に樹脂層22、それに埋設されているが、上面は樹脂層22から露出している導体層19が積層された導体層パターン付き基材33を示す。樹脂層22は、粘着性が残存しているときは、その粘着性を利用して、また、樹脂層22に粘着性が無いときには、別個に粘着剤を塗布又は積層して目的物に貼着することができる。   Although the new base material 32 with a conductor layer pattern having the protective base material of FIG. 21 (c) may be used as it is for an electromagnetic wave shielding film, a film antenna, and other uses, the protective base material 24 [ Substrate (II)] may be peeled off and used for the use of an electrode substrate for solar cells or the like. FIG. 21D is a cross-sectional view of the substrate with a conductor layer pattern in which the protective substrate is peeled off and the upper surface of the conductor layer is exposed. FIG. 21D shows a substrate 33 with a conductor layer pattern in which a resin layer 22 is embedded on a new support substrate 31 and the conductor layer 19 exposed from the resin layer 22 is laminated on the upper surface. Show. When the adhesive property remains, the resin layer 22 utilizes the adhesive property. When the resin layer 22 does not have adhesive property, the adhesive is applied or laminated separately and adhered to the object. can do.

図21(d)に示すように、保護基材24〔基材(II)〕を剥離するためには、樹脂層22と保護基材24との接着力よりも樹脂層22と新しい支持基材31〔基材(III)〕との接着力のほうが高くならなくてはならない。この接着力の関係は、
樹脂層22とめっき用導電性基材12との接着力、
樹脂層22と支持基材21との接着力、
樹脂層22と保護基材24との接着力
及び
樹脂層22と新しい支持基材31との接着力の順に大きい(以下「関係3」という)の関係となる。
樹脂層22とめっき用導電性基材12との接着力は低いため、例えば、支持基材21に中剥離セパレータあるいは重剥離セパレータを用い、保護基材24にポリエチレンテレフタレートを用い、新しい支持基材31にガラスを用いることで、「関係3」を満たすことができる。また、熱処理等により被着体への密着性を向上させて、樹脂層22と新しい支持基材31との接着力を向上させることで、「関係3」を満たすこともできる。あるいは、熱処理や活性光線の照射等により樹脂層22中に官能基等を発生させて、樹脂層22と新しい支持基材31との接着力を向上させることで、「関係3」を満たすこともできる。
As shown in FIG. 21 (d), in order to peel off the protective base material 24 [base material (II)], the resin layer 22 and the new support base material are used rather than the adhesive force between the resin layer 22 and the protective base material 24. The adhesive strength with 31 [base (III)] must be higher. This relationship of adhesive strength is
The adhesive force between the resin layer 22 and the conductive substrate 12 for plating;
The adhesive force between the resin layer 22 and the support substrate 21;
The relationship is such that the adhesive strength between the resin layer 22 and the protective base material 24 and the adhesive strength between the resin layer 22 and the new support base material 31 are larger in order (hereinafter referred to as “Relationship 3”).
Since the adhesive force between the resin layer 22 and the electroconductive substrate 12 for plating is low, for example, an intermediate release separator or a heavy release separator is used for the support base material 21 and polyethylene terephthalate is used for the protective base material 24. By using glass for 31, “Relation 3” can be satisfied. Further, the relationship 3 can be satisfied by improving the adhesion between the resin layer 22 and the new support base 31 by improving the adhesion to the adherend by heat treatment or the like. Alternatively, it is possible to satisfy “Relationship 3” by generating a functional group or the like in the resin layer 22 by heat treatment or irradiation with actinic rays to improve the adhesive force between the resin layer 22 and the new support substrate 31. it can.

導体層パターン付き基材33を太陽電池用基材として使用するときには、樹脂層22及び導体層19の表面が太陽電池要素に積層される。例えば、新しい支持基材31にエチレン−ビニルアセテート共重合体を用いた場合、導電層パターン付き基材33と太陽電池要素とを積層するプロセスとエチレン−ビニルアセテート共重合体による太陽電池要素の封止プロセスとを同じくすることもできる。   When using the base material 33 with a conductor layer pattern as a base material for solar cells, the surface of the resin layer 22 and the conductor layer 19 is laminated | stacked on a solar cell element. For example, when an ethylene-vinyl acetate copolymer is used for the new support substrate 31, the process of laminating the substrate 33 with the conductive layer pattern and the solar cell element and the sealing of the solar cell element with the ethylene-vinyl acetate copolymer are performed. The stopping process can be the same.

図22は、図21(d)の導体層パターン付き基材33と同様のものであるが、新しい支持基材として、粘着剤層を有するものを使用して得られた導体層パターン付き基材の断面図である。すなわち、図22は、新しい支持基材31上に粘着剤層34を介して樹脂層22、それに埋設されているが上面は樹脂層22からは露出している導体層19が積層されている導体層パターン付き基材35を示す。これにより樹脂層22と新しい支持基材31との接着力が低く、「関係3」が成立しない場合でも、実現することができる。この場合の接着力の関係は、
樹脂層22とめっき用導電性基材12との接着力、
樹脂層22と支持基材21との接着力、
樹脂層22と保護基材24との接着力
及び
樹脂層22と粘着剤層34との接着力
の順に大きく(以下「関係4」という)、
また、
樹脂層22と保護基材24との接着力
及び
粘着剤層34と新しい支持基材31との接着力
の順に大きい(以下「関係5」という)関係
となる。具体的には、粘着剤層34に高い接着力の粘着剤を用いれば、「関係4」および「関係5」は満たすことができる。
FIG. 22 is the same as the base material 33 with the conductor layer pattern of FIG. 21 (d), but the base material with the conductor layer pattern obtained using a new support base material having an adhesive layer. FIG. That is, FIG. 22 shows a conductor in which a resin layer 22 is embedded on a new support base 31 via an adhesive layer 34, and a conductor layer 19 is embedded in the upper surface but exposed from the resin layer 22. The base material 35 with a layer pattern is shown. Thereby, even if the adhesive force between the resin layer 22 and the new support base material 31 is low and “Relationship 3” is not established, this can be realized. In this case, the relationship of adhesive strength is
The adhesive force between the resin layer 22 and the conductive substrate 12 for plating;
The adhesive force between the resin layer 22 and the support substrate 21;
The adhesive strength between the resin layer 22 and the protective substrate 24 and the adhesive strength between the resin layer 22 and the pressure-sensitive adhesive layer 34 are increased in this order (hereinafter referred to as “Relationship 4”).
Also,
The adhesive strength between the resin layer 22 and the protective base material 24 and the adhesive strength between the pressure-sensitive adhesive layer 34 and the new support base material 31 become larger in order (hereinafter referred to as “Relationship 5”). Specifically, if a pressure-sensitive adhesive with high adhesive strength is used for the pressure-sensitive adhesive layer 34, “Relationship 4” and “Relationship 5” can be satisfied.

本発明における導体層の樹脂層への埋設方法について、さらに説明するが、これに限るものではない。
めっき用導電性基材の凹部に析出しためっきを樹脂層を含む基材に転写した直後においては、導体層の少なくとも最大幅となる部分以下が既に樹脂層に埋没していてもよいし、埋没していなくてもよい。転写した直後において導体層の少なくとも最大幅となる部分以下を既に埋没させるためには、転写時における基材の樹脂層の流動性を高くする必要がある。それには、例えば、ラミネート温度を高くする方法、樹脂層の組成として反応性の低分子量物を添加しておく方法、樹脂層として液状樹脂を使用する方法等がある。また、この場合、基材がめっき用導電性基材に接触している状態で、樹脂層を硬化反応又は固化させてから、透明基材を剥離することが好ましい。硬化反応は、加熱、紫外線等の活性エネルギー線の照射などによるものであるが、瞬時に硬化させた方が生産性が向上するので、紫外線等の活性エネルギー線の照射による硬化が好ましい。
また、導体層を基材に転写した直後において、未だ導体層の最大幅となる部分が樹脂層に埋没していない場合(全く又はほとんど埋設されていない場合を含む)には、別工程で導体層を樹脂層中に少なくとも導体層の最大幅となる部分以下を樹脂層に埋没させる必要がある。そのためには、導体層を基材に転写後、導体層の付いている基材をロールラミネータやプレスなどで、必要に応じて加熱又は活性エネルギー線を照射しながら、加圧して少なくとも導体層の少なくとも最大幅の部分以下を樹脂中に埋没させる。このとき、必要に応じて加熱又はエネルギー線を照射して硬化反応を同時に行ってもよく、加熱は流動性を高めるために行ってもよい。また、この場合、表面を保護したり、加圧工程又は後工程で樹脂を紫外線硬化する場合の酸素遮断を目的に、別途フィルムその他の剥離可能な基材を導体層の付いている基材の導体層の上から積層しても良い。樹脂層に硬化性樹脂を使用した場合は、加圧と同時に硬化させない場合は、上記の加圧後に加熱又は活性エネルギー線を照射するなどして樹脂層を硬化させることが好ましい。
また、樹脂層に硬化性樹脂を用いた場合には、基材を上記の転写に供する前、転写後の埋設工程に供する前に、樹脂層の流動性を調整するために、部分的に硬化反応を行っても良いが、転写前に行うときには、転写に必要な粘着性を損なわない程度に行われる。
The method for embedding the conductor layer in the resin layer in the present invention will be further described, but is not limited thereto.
Immediately after transferring the plating deposited in the recesses of the conductive base material for plating to the base material including the resin layer, at least the portion of the conductor layer that is the maximum width may be already embedded in the resin layer, You don't have to. In order to embed at least the portion having the maximum width of the conductor layer immediately after the transfer, it is necessary to increase the fluidity of the resin layer of the base material at the time of transfer. For example, there are a method of increasing the laminating temperature, a method of adding a reactive low molecular weight material as the composition of the resin layer, and a method of using a liquid resin as the resin layer. In this case, it is preferable to peel the transparent substrate after the resin layer is cured or solidified while the substrate is in contact with the plating conductive substrate. The curing reaction is due to heating, irradiation with active energy rays such as ultraviolet rays, etc., but since the productivity is improved by instantaneous curing, curing by irradiation with active energy rays such as ultraviolet rays is preferable.
In addition, immediately after the conductor layer is transferred to the base material, if the portion having the maximum width of the conductor layer is not yet buried in the resin layer (including the case where it is not buried at all or almost), the conductor is formed in a separate process. It is necessary to embed at least the portion of the resin layer in which the maximum width of the conductor layer is embedded in the resin layer. For this purpose, after transferring the conductor layer to the base material, the base material with the conductor layer is pressed with a roll laminator or a press, while applying heat or irradiating active energy rays as necessary, at least of the conductor layer. At least the portion of the maximum width is buried in the resin. At this time, if necessary, the curing reaction may be performed simultaneously by heating or irradiation with energy rays, and the heating may be performed in order to enhance fluidity. Also, in this case, a separate film or other removable substrate is used for the substrate with the conductor layer for the purpose of protecting the surface or blocking oxygen when the resin is UV-cured in the pressurizing step or in the subsequent step. You may laminate | stack from a conductor layer. When a curable resin is used for the resin layer, in the case where the resin layer is not cured simultaneously with the pressurization, it is preferable to cure the resin layer by heating or irradiating active energy rays after the pressurization.
In addition, when a curable resin is used for the resin layer, it is partially cured before the substrate is subjected to the above transfer and before the embedding process after the transfer, in order to adjust the fluidity of the resin layer. The reaction may be performed, but when it is performed before transfer, it is performed to such an extent that the adhesiveness required for transfer is not impaired.

基材の樹脂層は、転写の際にめっき用導電性基材の絶縁層に接触するため、樹脂厚が厚くなると密着性が高くなり、引き剥がしが困難になったり、引き剥がし時にハンチングが発生しめっき折れが発生することがあるので、厚さとしては、100μm以下が好ましく、50μm以下がさらに好ましい。樹脂層が硬化性樹脂であるなら、基材を転写に供する前に密着性又は流動性を調整するために部分硬化させてもよい。
また、図7(a)、(b)、図8の(b)、(c)において、金属配線層の上部の台形形状の全部(上面を除く)又はその一部までが樹脂層に覆われれている。これは転写時又は転写後の埋設工程で、加圧して(さらに、必要に応じて加熱して)樹脂を流動させることにより行うことができる。このためには、樹脂が金属配線層の形状に沿って回り込むように流動することが必要である。従って、金属配線層が図5(a)のような形状をしている場合の厚さT、また、金属配線層が図5(b)のような形状をしている場合の上部の厚さT1が厚いと、樹脂の流動量が大きくなるため、完全に被覆することが困難であったり、あるいは、加熱加圧工程の時間が長くなり生産性が低下することがあるが、これを回避するためには、上記のT又はT1は、10μm以下であることが好ましく、5μm以下であることがさらに好ましい。また、金属配線層が図5(b)のような形状をしている場合、T1が薄いと、下部の上方に存在する樹脂厚が薄くなり、密着性向上効果が小さくなるため、T1の厚みは1.0μm以上が好ましい。
Since the resin layer of the base material contacts the insulating layer of the conductive base material for plating during transfer, the adhesiveness increases as the resin thickness increases, making it difficult to peel off or causing hunting during peeling. Since plating breakage may occur, the thickness is preferably 100 μm or less, and more preferably 50 μm or less. If the resin layer is a curable resin, it may be partially cured in order to adjust adhesion or fluidity before subjecting the substrate to transfer.
7A, 7B, 8B, and 8C, the entire trapezoidal shape (excluding the upper surface) of the upper part of the metal wiring layer or a part thereof is covered with the resin layer. ing. This can be done by applying pressure (and heating as necessary) to flow the resin during or after the transfer. For this purpose, it is necessary for the resin to flow around the shape of the metal wiring layer. Therefore, the thickness T when the metal wiring layer has a shape as shown in FIG. 5A, and the upper thickness when the metal wiring layer has a shape as shown in FIG. 5B. If T1 is thick, the flow rate of the resin becomes large, so that it is difficult to completely coat, or the time of the heating and pressurizing process becomes long and the productivity may be reduced, but this is avoided. Therefore, T or T1 is preferably 10 μm or less, and more preferably 5 μm or less. In addition, when the metal wiring layer has a shape as shown in FIG. 5B, if T1 is thin, the thickness of the resin existing above the lower portion is reduced, and the effect of improving the adhesion is reduced. Is preferably 1.0 μm or more.

本発明により得られる導体層パターン付き基材の導体層を黒化処理して、黒化処理された導体層パターンを有する導体層パターン付き基材とすることができる。このためには、上記図14(h)又は図16に示すような導体層パターン付き基材23又はこれらの導体層パターン付き基材で導体層の埋設厚さを調整したものの導体層19を黒化処理する方法、めっき用導電性基材11の凹部14に形成された導体層19をそれが剥離・転写される前に黒化処理する方法及びこれらの両方の黒化処理を行う方法がある。
このように黒化処理された導体層パターンを有する導体層パターン付き基材を電磁波遮蔽部材としてディスプレイの前面において利用するときは、一般に、黒色層を設けた方の面がディスプレイの視聴者側に向くようにして用いられる。
The conductor layer of the substrate with a conductor layer pattern obtained by the present invention can be blackened to obtain a substrate with a conductor layer pattern having a conductor layer pattern that has been blackened. For this purpose, the base 23 with a conductor layer pattern as shown in FIG. 14 (h) or FIG. 16 or the conductor layer 19 of these bases with a conductor layer pattern, the conductor layer 19 having a buried thickness adjusted, is blackened. There are a method of performing a blackening treatment, a method of blackening the conductor layer 19 formed in the concave portion 14 of the conductive base material 11 for plating before it is peeled and transferred, and a method of performing both blackening treatments. .
When a substrate with a conductor layer pattern having a conductor layer pattern thus blackened is used as an electromagnetic wave shielding member on the front surface of the display, generally, the surface on which the black layer is provided is on the viewer side of the display. Used to face.

上記の黒化処理の方法は、金属パターンに黒色層を形成する手法であるが、このためには、金属層にめっきや酸化処理、印刷などの様々な手法を用いることができる。   The above blackening treatment method is a method of forming a black layer on a metal pattern. For this purpose, various methods such as plating, oxidation treatment, and printing can be used for the metal layer.

図23は、本発明における導体層パターン付き基材を利用した積層物の断面図を示す。この積層物は、例えば、図17に示す表面保護された導体層パターン付き基材25が、基材21の導体層パターン19がある面とは反対の面で、粘着剤36を介して他の基材37が貼り合わされたものである。他の基材37としては、近赤外線フィルム、偏光フィルム等の機能性フィルム、ガラス板、プラスチック板等の支持基材がある。この積層物は、電磁波遮蔽材その他の用途に使用できる。
図24は、さらに、別の態様の積層物の断面図を示す。この積層物は、図23における積層物において、保護基材24を剥離し、代わりに粘着剤38を介して基材39が積層されたものである。また、前記した図18に示す導体層パターン付き基材26の導体層19が存在する面に粘着剤38を介して基材39を積層し、さらに、反対面を粘着剤36を介して他の基材37を貼り合わせて作製される。基材39としては、他の基材37として使用できるのと同様のものから選択して使用できる。この積層物も、電磁波遮蔽材その他の用途に使用できる。
透明な粘着剤36,38は、コーティング又はフィルム上のものを積層して施すことができ、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂のほかに活性エネルギー線で硬化する樹脂を主成分とする粘着剤を用いることもできる。活性エネルギー線で硬化する樹脂を用いることは、それが瞬時に又は短時間に硬化することから、生産性が高くなるので好ましい。
FIG. 23 shows a cross-sectional view of a laminate using the substrate with a conductor layer pattern in the present invention. For example, the surface-protected base material 25 with the conductor layer pattern shown in FIG. The base material 37 is bonded. Other base materials 37 include functional films such as near-infrared films and polarizing films, and support base materials such as glass plates and plastic plates. This laminate can be used for electromagnetic shielding materials and other applications.
FIG. 24 further shows a cross-sectional view of a laminate according to another embodiment. This laminate is a laminate in which the protective substrate 24 is peeled off and the substrate 39 is laminated via an adhesive 38 instead of the laminate in FIG. Further, the base material 39 is laminated on the surface where the conductor layer 19 of the base material 26 with the conductor layer pattern shown in FIG. 18 exists via an adhesive 38, and the other surface is connected to another surface via an adhesive 36. The base material 37 is bonded together. As the base material 39, it can select from the thing similar to what can be used as another base material 37, and can be used. This laminate can also be used for electromagnetic shielding materials and other applications.
The transparent pressure-sensitive adhesives 36 and 38 can be applied by laminating coatings or films, and a pressure-sensitive adhesive mainly composed of a resin curable with active energy rays in addition to a thermoplastic resin and a thermosetting resin. It can also be used. It is preferable to use a resin that cures with an active energy ray because it cures instantaneously or in a short period of time, resulting in an increase in productivity.

本発明における導体層パターン付き基材を電磁波遮蔽体として用いる場合は、そのまま、ディスプレイ画面に適宜別の粘着剤を介して又は介さないで貼着して使用することができるが、他の基材に貼着してからディスプレイに適用してもよい。他の基材は、ディスプレイの前面からの電磁波を遮断するために使用するには透明であることが必要である。   When the substrate with a conductor layer pattern in the present invention is used as an electromagnetic wave shielding body, it can be used as it is by sticking it to the display screen as appropriate with or without another adhesive. You may apply to a display after sticking to. Other substrates need to be transparent for use to block electromagnetic waves from the front of the display.

本発明に係る導体層パターン付き基材の太陽電池への利用を説明する。
図25は、本発明に係る導体層パターン付き基材を利用した太陽電池の構成を示す断面図である。太陽電池要素40が、露出した面を有する導体層19のパターンを埋設して担持している樹脂層22からなる導体層パターン付き基材2個により挟まれて積層されている〔図25(a)〕。また、導体層パターン付き基材の導体層が露出している面とは反対の面に、支持基材21が積層されていてもよい(〔図25(b)〕。太陽電池要素40には、導体層パターン付き基材の露出した導体層19のパターンが接触するように積層される。
The utilization to the solar cell of the base material with a conductor layer pattern which concerns on this invention is demonstrated.
FIG. 25 is a cross-sectional view showing a configuration of a solar cell using a substrate with a conductor layer pattern according to the present invention. A solar cell element 40 is sandwiched and laminated between two base materials with a conductor layer pattern composed of a resin layer 22 that embeds and carries a pattern of the conductor layer 19 having an exposed surface [FIG. ]]]. Moreover, the support base material 21 may be laminated | stacked on the surface on the opposite side to the surface where the conductor layer of the base material with a conductor layer pattern is exposed (FIG.25 (b)). Then, the conductive layer 19 is laminated so that the exposed pattern of the conductive layer 19 of the substrate with the conductive layer pattern comes into contact therewith.

以上の構成の太陽電池は、複数個を、ガラス板及びバックシートの間に透明なエチレン−ビニルアセテート共重合体により担持させることにより太陽電池モジュールとすることができる。その際に、導電層パターンは太陽電池要素を接続する配線の役割を果たす。例えば、太陽電池要素の片面にある導電層パターンの一部が太陽電池要素の端部からはみ出している場合、そのはみ出している部分の導体層パターンと、隣にある太陽電池の反対面に形成された配線と接続することで、太陽電池要素同士の接続を形成することができる。導体層パターンと裏面の配線との接続は、どのような方法でもよく、導電性接着剤を用いた接続、導電性粒子を介しての接続、あるいは樹脂層22の粘着性による裏面の配線との貼り合せ接続でも良い。   The solar cell of the above structure can be made into a solar cell module by carrying a plurality by a transparent ethylene-vinyl acetate copolymer between a glass plate and a back sheet. In that case, a conductive layer pattern plays the role of the wiring which connects a solar cell element. For example, when a part of the conductive layer pattern on one side of the solar cell element protrudes from the end of the solar cell element, the conductive layer pattern of the protruding part is formed on the opposite surface of the adjacent solar cell. The connection between the solar cell elements can be formed by connecting to the wiring. The conductor layer pattern and the back surface wiring may be connected by any method, such as a connection using a conductive adhesive, a connection through conductive particles, or a back surface wiring due to the adhesiveness of the resin layer 22. Bonded connection may be used.

図26は、本発明に係る導体層パターン付き基材を利用した太陽電池の別の構成を示す断面図である。太陽電池要素40が、露出した面を有する導体層19のパターンを埋設して担持している樹脂層22からなる導体層パターン付き基材の上に形成されている〔図26(b)〕。また、導体層パターン付き基材の導体層が露出している面とは反対の面に、支持基材21が積層されていてもよい(〔図26(b)〕。太陽電池要素40には、導体層パターン付き基材の露出した導体層19のパターンが接触するように積層される。 FIG. 26 is a cross-sectional view showing another configuration of a solar cell using the substrate with a conductor layer pattern according to the present invention. The solar cell element 40 is formed on a base material with a conductor layer pattern formed of a resin layer 22 that embeds and carries the pattern of the conductor layer 19 having an exposed surface [FIG. 26 (b)]. Moreover, the support base material 21 may be laminated | stacked on the surface opposite to the surface where the conductor layer of the base material with a conductor layer pattern is exposed ([FIG.26 (b)]. Then, the conductive layer 19 is laminated so that the exposed pattern of the conductive layer 19 of the substrate with the conductive layer pattern comes into contact therewith.

前記した図25の太陽電池要素40について説明する。
このような太陽電池要素40としては、図27に示すものがある。図27は、太陽電池要素の断面図である。単結晶n型シリコン41の両面にCVD法等にてi型アモルファスシリコン42が積層され、その一方の面をCVD法等にてp型アモルファスシリコン43、そのもう一方の面をCVD法等にてn型アモルファスシリコン44、さらに、それらの上にスパッタ法等にてITO等の透明導電膜45が積層された構造を有する。透明導電膜45の両方に、前記した導体層パターン付き基材がその導体層19を接触するように、樹脂層22によって貼着される。
以上の構成の太陽電池は、複数個を、ガラス板及びバックシートの間に透明なエチレン−ビニルアセテート共重合体により担持させることにより太陽電池モジュールとすることができる。
The solar cell element 40 shown in FIG. 25 will be described.
As such a solar cell element 40, there is one shown in FIG. FIG. 27 is a cross-sectional view of a solar cell element. The i-type amorphous silicon 42 is laminated on both surfaces of the single crystal n-type silicon 41 by the CVD method or the like, one surface thereof is the p-type amorphous silicon 43 by the CVD method or the like, and the other surface is formed by the CVD method or the like. The n-type amorphous silicon 44 has a structure in which a transparent conductive film 45 such as ITO is laminated thereon by sputtering or the like. The above-mentioned base material with a conductor layer pattern is adhered to both of the transparent conductive films 45 by the resin layer 22 so that the conductor layer 19 is in contact therewith.
The solar cell of the above structure can be made into a solar cell module by carrying a plurality by a transparent ethylene-vinyl acetate copolymer between a glass plate and a back sheet.

前記した図26の太陽電池要素40について説明する。
このような太陽電池要素40としては、図28に示すものがある。図28は、別の太陽電池要素の断面図である。単結晶n型シリコン41の両面にCVD法等にてi型アモルファスシリコン42が積層され、その一方の面にCVD法等にてp型アモルファスシリコン43及びスパッタ法等にて透明導電膜45が順次積層され、もう一方の面にCVD法等にてn型アモルファスシリコン44及びスパッタ法や印刷法にてAlやAg等の金属膜47が順次積層されている構造を有する太陽電池要素48である。透明導電膜45に、前記した導体層パターン付き基材がその導体層19を接触するように、樹脂層22によって貼着される。
また、図26の太陽電池要素40としては、図29に示すものがある。図29は、別の太陽電池要素の断面図である。単結晶n型シリコン41の両面にCVD法等にてi型アモルファスシリコン42が積層され、その一方の面にCVD法等にてp型アモルファスシリコン43及びスパッタ法等にて透明導電膜45が順次積層され、もう一方の面にスパッタ法や印刷法にてAlやAg等の金属膜47が積層されている構造を有する太陽電池要素49である。透明導電膜45に、前記した導体層パターン付き基材がその導体層19を接触するように、樹脂層22によって貼着される。
また、図26の太陽電池要素40としては、図30に示すものがある。図30は、別の太陽電池要素の断面図である。単結晶n型シリコン41の一方の面にCVD法等にてi型アモルファスシリコン42、CVD法等にてp型アモルファスシリコン43及びスパッタ法等にて透明導電膜45が順次積層され、もう一方の面にスパッタ法や印刷法にてAlやAg等の金属膜47が積層されている構造を有する太陽電池要素50である。透明導電膜45に、前記した導体層パターン付き基材がその導体層19を接触するように、樹脂層22によって貼着される。
The solar cell element 40 shown in FIG. 26 will be described.
An example of such a solar cell element 40 is shown in FIG. FIG. 28 is a cross-sectional view of another solar cell element. The i-type amorphous silicon 42 is laminated on both surfaces of the single crystal n-type silicon 41 by the CVD method or the like, and the p-type amorphous silicon 43 and the transparent conductive film 45 are sequentially formed on the one surface by the CVD method or the like. The solar cell element 48 has a structure in which an n-type amorphous silicon 44 and a metal film 47 such as Al or Ag are sequentially laminated on the other surface by a CVD method or the like by a sputtering method or a printing method. The above-mentioned base material with a conductor layer pattern is adhered to the transparent conductive film 45 by the resin layer 22 so that the conductor layer 19 is in contact therewith.
Moreover, as the solar cell element 40 of FIG. 26, there is one shown in FIG. FIG. 29 is a cross-sectional view of another solar cell element. The i-type amorphous silicon 42 is laminated on both surfaces of the single crystal n-type silicon 41 by the CVD method or the like, and the p-type amorphous silicon 43 and the transparent conductive film 45 are sequentially formed on the one surface by the CVD method or the like. The solar cell element 49 has a structure in which a metal film 47 such as Al or Ag is laminated on the other surface by sputtering or printing. The above-mentioned base material with a conductor layer pattern is adhered to the transparent conductive film 45 by the resin layer 22 so that the conductor layer 19 is in contact therewith.
Moreover, as the solar cell element 40 of FIG. 26, there is one shown in FIG. FIG. 30 is a cross-sectional view of another solar cell element. An i-type amorphous silicon 42 is formed on one surface of the single crystal n-type silicon 41 by a CVD method or the like, a p-type amorphous silicon 43 is formed by a CVD method or the like, and a transparent conductive film 45 is sequentially laminated by a sputtering method or the like. The solar cell element 50 has a structure in which a metal film 47 such as Al or Ag is laminated on the surface by sputtering or printing. The above-mentioned base material with a conductor layer pattern is adhered to the transparent conductive film 45 by the resin layer 22 so that the conductor layer 19 is in contact therewith.

太陽電池の他の態様を説明する。
図31は、太陽電池の一例を示す断面図である。
支持基材21(ガラス板等の透明耐熱性基材)上に積層されている樹脂層22に導体層19が露出するように埋設されている。以上の構成は、本発明に係る導体層パターン付き基材の一例である。導体層19が露出してる面に、ITO等の透明導電膜がスパッタ法等により形成され、レーザー、硬質材料の針の機械的研磨などを用いる適当なエッチングにより、溝が形成されて一定のパターンが形成される。透明導電膜の上には、p型アモルファスシリコン43が特定のパターンにより積層される。そして、この上に重なるようにi型アモルファスシリコン42及びn型アモルファスシリコン44CVD法により積層され、レーザー、硬質材料の針の機械的研磨を用いる等の適当なエッチングにより、溝が形成されて一定のパターンが形成される。さらにその上にMo等の金属膜47をスパッタ法等により積層し、レーザー、硬質材料の針の機械的研磨等を用いる適当なエッチングにより、溝が形成されて一定のパターンが形成される。この金属膜47は、一方の隣の透明導電膜47と導通するように、p型アモルファスシリコン43、i型アモルファスシリコン42及びn型アモルファスシリコン44の側面を通じて形成される。これにより、太陽電池51が構成されている。
図32は、太陽電池の他の例を示す断面図である。図31に示す太陽電池51の金属膜47側を透明なエチレン−ビニルアセテート共重合体52で封止し、バックシート53を貼り合わせている構造の太陽電池54である。
Another embodiment of the solar cell will be described.
FIG. 31 is a cross-sectional view illustrating an example of a solar cell.
The conductor layer 19 is embedded in the resin layer 22 laminated on the support substrate 21 (transparent heat-resistant substrate such as a glass plate). The above structure is an example of the base material with a conductor layer pattern according to the present invention. A transparent conductive film such as ITO is formed on the exposed surface of the conductor layer 19 by sputtering or the like, and grooves are formed by appropriate etching using laser, mechanical polishing of a hard material needle, etc. Is formed. On the transparent conductive film, p-type amorphous silicon 43 is laminated in a specific pattern. Then, an i-type amorphous silicon 42 and an n-type amorphous silicon 44 are laminated so as to overlap with each other, and a groove is formed by appropriate etching such as laser, mechanical polishing of a hard material needle, etc. A pattern is formed. Further, a metal film 47 of Mo or the like is laminated thereon by a sputtering method or the like, and grooves are formed by appropriate etching using a laser, mechanical polishing of a hard material needle or the like to form a certain pattern. The metal film 47 is formed through the side surfaces of the p-type amorphous silicon 43, the i-type amorphous silicon 42, and the n-type amorphous silicon 44 so as to be electrically connected to one adjacent transparent conductive film 47. Thereby, the solar cell 51 is configured.
FIG. 32 is a cross-sectional view showing another example of a solar cell. 31 is a solar cell 54 having a structure in which the metal film 47 side of the solar cell 51 shown in FIG. 31 is sealed with a transparent ethylene-vinyl acetate copolymer 52 and a back sheet 53 is bonded.

図33は、太陽電池の他の例を示す断面図である。
支持基材21((エチレン−ビニルアセテート共重合体シート、またはエチレンテトラフロオロエチレン等))上に積層されている樹脂層22に導体層19が露出するように埋設されている。以上の構成は、本発明に係る導体層パターン付き基材の一例である。導体層19の一部は取出電極55として利用される。
上記の導体層19が露出している面に、一定のパターンを繰り返すように一定の層構造が形成されている。この一定の層構造は、透明導電膜45、p型アモルファスシリコン43、i型アモルファスシリコン42及びn型アモルファスシリコン44が積層され、さらに、p型アモルファスシリコンゲルマニウム56、i型アモルファスシリコンゲルマニウム57及びn型アモルファスシリコンゲルマニウム58が積層され、さらに、金属膜47(裏面電極)が積層されているが、透明導電膜45〜金属膜47は、一定の繰り返しパターンで、ポリイミドフィルム59の上に形成されていると言える。ポリイミドのもう一方の面には、特定のパターンで、背面電極60が形成されており、ポリイミドフィルム59から透明導電膜に至るスルホール61及びポリイミドフィルム59から金属膜47に至るスルホール62内には、それぞれ、透明導電膜45又は金属膜47と背面電極60とが導通するように、金属が蒸着されている。このようにして構成されている太陽電池63は、上記の透明導電膜以下の層構造体に、本発明に係る導体層パターン付き基材を圧着して貼着して得られる。このとき、導体層パターン付き基材の樹脂層22を層構造体を封止するように流動させる。
以上の構成の太陽電池を、エチレンテトラフロオロエチレン(ETFE)とETFEあるいはガルバリウム鋼板の間にエチレン−ビニルアセテート共重合体により担持させることにより太陽電池モジュールとすることができる。
FIG. 33 is a cross-sectional view showing another example of a solar cell.
The conductor layer 19 is embedded in the resin layer 22 laminated on the support substrate 21 ((ethylene-vinyl acetate copolymer sheet or ethylene tetrafluoroethylene, etc.)). The above structure is an example of the base material with a conductor layer pattern according to the present invention. A part of the conductor layer 19 is used as the extraction electrode 55.
A certain layer structure is formed on the surface where the conductor layer 19 is exposed so as to repeat a certain pattern. In this constant layer structure, a transparent conductive film 45, a p-type amorphous silicon 43, an i-type amorphous silicon 42, and an n-type amorphous silicon 44 are laminated, and a p-type amorphous silicon germanium 56, an i-type amorphous silicon germanium 57, and an n-type amorphous silicon 44 are stacked. A type amorphous silicon germanium 58 is laminated, and further a metal film 47 (back electrode) is laminated. The transparent conductive film 45 to the metal film 47 are formed on the polyimide film 59 in a certain repeating pattern. I can say that. On the other surface of the polyimide, a back electrode 60 is formed in a specific pattern. In the through hole 61 from the polyimide film 59 to the transparent conductive film and the through hole 62 from the polyimide film 59 to the metal film 47, Metal is deposited so that the transparent conductive film 45 or the metal film 47 and the back electrode 60 are electrically connected to each other. The solar cell 63 configured in this manner is obtained by pressure-bonding and pasting the substrate with a conductor layer pattern according to the present invention to the layer structure below the transparent conductive film. At this time, the resin layer 22 of the base material with the conductor layer pattern is caused to flow so as to seal the layer structure.
A solar cell module can be obtained by supporting the solar cell having the above structure between ethylene tetrafluoroethylene (ETFE) and ETFE or a galvalume steel plate with an ethylene-vinyl acetate copolymer.

図34は、太陽電池の他の例を示す断面図である。
支持基材21(ガラス板等の透明耐熱性基材あるいはエチレン−ビニルアセテート共重合体シート)上に積層されている樹脂層22に導体層19が露出するように埋設されている。以上の構成は、本発明に係る導体層パターン付き基材の一例である。導体層19の一部は取出電極55として利用される。
上記の導体層19が露出している面に、一定のパターンを繰り返すように一定の層構造が形成されている。この一定の層構造は、透明導電膜45、バッファ64及びCu、In、Ga、Seからなる半導体のCIGS光吸収層65が積層され、さらに、パターン化されたモリブデン裏面電極66が積層されている。導体層19の一部は取出電極55及び取出電極67となる。バッファ64はCds、ZnOやInS等のn型層であり、スパッタ法やケミカル・バス・デポジション等にて形成される。CIGS光吸収層65はCu、In、Gaをスパッタ法や蒸着等にて積層してプリカーサを形成し、HSe雰囲気中でプリカーサをアニールし、セレン化することで得られる。モリブデン裏面電極66の他の面には、ガラス板68が積層されていると言える。このようにして構成されている太陽電池69は、上記の透明導電膜以下の層構造体に、本発明に係る導体層パターン付き基材を圧着して貼着して得られる。このとき、導体層パターン付き基材の樹脂層22が層構造体を封止するように流動させる。層構造体は、ガラス板の上に上記したのと反対にモリブデン裏面電極66から透明導電膜45までを積層形成して形成される。なお、透明導電膜47は、CdSバッファ64及びCIGS光吸収層65の側面を通って隣のモリブデン裏面電極66と導通している。
支持基材21がガラス板等の透明耐熱性基材でない場合、以上の構成の太陽電池は、支持基材21側に、透明なエチレン−ビニルアセテート共重合体で封止するように最外層となるガラス板とをそれぞれ積層することにより太陽電池モジュールとすることができる。
FIG. 34 is a cross-sectional view showing another example of a solar cell.
The conductor layer 19 is embedded in the resin layer 22 laminated on the support substrate 21 (a transparent heat-resistant substrate such as a glass plate or an ethylene-vinyl acetate copolymer sheet). The above structure is an example of the base material with a conductor layer pattern according to the present invention. A part of the conductor layer 19 is used as the extraction electrode 55.
A certain layer structure is formed on the surface where the conductor layer 19 is exposed so as to repeat a certain pattern. In this constant layer structure, a transparent conductive film 45, a buffer 64, a semiconductor CIGS light absorption layer 65 made of Cu, In, Ga, and Se are stacked, and a patterned molybdenum back electrode 66 is stacked. . Part of the conductor layer 19 becomes the extraction electrode 55 and the extraction electrode 67. The buffer 64 is an n-type layer such as Cds, ZnO, or InS, and is formed by sputtering, chemical bath deposition, or the like. The CIGS light absorption layer 65 is obtained by forming a precursor by laminating Cu, In, and Ga by a sputtering method, vapor deposition, or the like, annealing the precursor in an H 2 Se atmosphere, and selenizing. It can be said that a glass plate 68 is laminated on the other surface of the molybdenum back electrode 66. The solar cell 69 configured as described above is obtained by pressure-bonding and pasting the substrate with a conductor layer pattern according to the present invention to the layer structure below the transparent conductive film. At this time, the resin layer 22 of the base material with a conductor layer pattern is caused to flow so as to seal the layer structure. The layer structure is formed by laminating the molybdenum back electrode 66 to the transparent conductive film 45 on the glass plate in the opposite manner as described above. The transparent conductive film 47 is electrically connected to the adjacent molybdenum back electrode 66 through the side surfaces of the CdS buffer 64 and the CIGS light absorption layer 65.
When the support base material 21 is not a transparent heat resistant base material such as a glass plate, the solar cell having the above-described configuration has an outermost layer and is sealed on the support base material 21 side with a transparent ethylene-vinyl acetate copolymer. A solar cell module can be obtained by laminating the glass plates.

本発明では、導電性パターン付き基材の導電性パターンを表面に電極(金属電極あるいは透明電極)を有する機能素子に接続することで、機能素子の電気的特性を向上させることができる。例えば、表面に透明電極を有する太陽電池の場合、透明電極に導電性パターンを接続することで、導電性パターンの低い抵抗率のために、太陽電池の発生電力を電力損失を低く抑えて集電することができる。そのため、結晶系Si太陽電池に集電極として通常用いられるAg電極を省略することができる。また、薄膜Si太陽電池やCIGS薄膜太陽電池ではモジュールサイズで顕著になる電力損失を低く抑えるために効率の向上を図ることができる。さらに、導電性パターンは配線機能も有するために、新たな配線材料を必要としない。例えば、結晶Si太陽電池に配線として通常用いられるタブ線を省略することができ、薄膜Si太陽電池やCIGS薄膜太陽電池では取り出し電極の形成を省略することが出来る。このように導電性パターンが太陽電池の集電極および配線に利用されるためにそれらの材料コスト低減につながる。さらに本発明では導電性パターンの形成方法は主として太陽電池等の機能素子に貼り付けるだけであるために、例えば太陽電池の集電極および配線の形成コストも大幅に低減できる。   In this invention, the electrical property of a functional element can be improved by connecting the conductive pattern of the base material with a conductive pattern to the functional element which has an electrode (metal electrode or transparent electrode) on the surface. For example, in the case of a solar cell having a transparent electrode on the surface, by connecting a conductive pattern to the transparent electrode, the power generated by the solar cell can be collected with low power loss due to the low resistivity of the conductive pattern. can do. Therefore, it is possible to omit an Ag electrode that is normally used as a collector electrode for a crystalline Si solar cell. Moreover, in a thin film Si solar cell or a CIGS thin film solar cell, the efficiency can be improved in order to suppress the power loss that becomes remarkable in the module size. Furthermore, since the conductive pattern also has a wiring function, no new wiring material is required. For example, a tab wire that is normally used as a wiring for a crystalline Si solar cell can be omitted, and the formation of an extraction electrode can be omitted in a thin film Si solar cell or a CIGS thin film solar cell. As described above, since the conductive pattern is used for the collector electrode and wiring of the solar cell, the material cost is reduced. Furthermore, in the present invention, since the conductive pattern is formed only on a functional element such as a solar cell, the cost for forming the collector electrode and wiring of the solar cell can be significantly reduced.

導電性パターンを機能素子表面の電極に接続し続けるためには、導電性パターンと機能素子表面の電極との機械的接触を維持する必要があり、そのためには導電性パターンが機能素子表面の電極に押し付けられる方向に力が加わり続けなければならない。例えば、太陽電池においてはその出力は長期間安定していなければならず、信頼性試験としては85℃85%RHの高温高湿下で1000時間経過後も出力電力の低下が5%以内であることが望まれる。本発明では、導電性パターン付き基材の導電性パターンと太陽電池セルの表面電極を接続した場合に、集電極及び配線としての機能を示し、さらに数百時間の安定性も示す。   In order to keep the conductive pattern connected to the electrode on the functional element surface, it is necessary to maintain the mechanical contact between the conductive pattern and the electrode on the functional element surface. Force must continue to be applied in the direction in which it is pressed against. For example, the output of a solar cell must be stable for a long time, and as a reliability test, the decrease in output power is within 5% even after 1000 hours under high temperature and high humidity of 85 ° C. and 85% RH. It is desirable. In this invention, when the electroconductive pattern of the base material with an electroconductive pattern and the surface electrode of a photovoltaic cell are connected, the function as a collector electrode and wiring is shown, and also stability for several hundred hours is also shown.

また、本発明で用いられるめっき用導電性基材として、回転体(ロール)を用いることができることは前記したが、さらに、この詳細を説明する。回転体(ロール)は金属製が好ましい。さらに、回転体としてはドラム式電解析出法に用いるドラム電極などを用いることが好ましい。ドラム電極の表面を形成する物質としては上述のようにステンレス鋼、クロムめっきされた鋳鉄、クロムめっきされた鋼、チタン、チタンをライニングした材料などのめっき付着性が比較的低い材料を用いることが好ましい。導電性基材として回転体を用いることにより連続的に作製して巻物として導体層パターン付き基材を得ることが可能となるため、この場合、生産性が飛躍的に大きくなる。   In addition, as described above, a rotating body (roll) can be used as the conductive base material for plating used in the present invention. The rotating body (roll) is preferably made of metal. Furthermore, it is preferable to use a drum electrode or the like used in the drum-type electrolytic deposition method as the rotating body. As described above, the material that forms the surface of the drum electrode may be a material with relatively low plating adhesion, such as stainless steel, chrome-plated cast iron, chrome-plated steel, titanium, or titanium-lined material. preferable. By using a rotating body as the conductive base material, it is possible to obtain a base material with a conductor layer pattern as a roll, and in this case, productivity is greatly increased.

回転体を用いて、電界めっきにより形成されたパターンを連続的に剥離しながら、構造体を巻物として得る工程を、図35を用いて説明する。図35は、導電性基材としてドラム電極を用いた場合に、ドラム電極を回転させつつ、金属を電界めっきにより連続的に析出させ、また、析出した金属を連続的に剥離する装置の概念を示す断面図(一部正面図)である。   A process of obtaining a structure as a scroll while continuously peeling a pattern formed by electroplating using a rotating body will be described with reference to FIG. FIG. 35 shows a concept of an apparatus for continuously depositing metal by electric field plating while continuously rotating the drum electrode when a drum electrode is used as the conductive substrate, and continuously stripping the deposited metal. It is sectional drawing (partial front view) shown.

すなわち、電解浴100内の電解液101が陽極102とドラム電極などの回転体103の間のスペースに配管104とポンプ105により供給されるようになっている。陽極102と回転体103の間に電圧をかけ、回転体103を一定速度で回転させると、回転体103の表面に金属が電解析出し、電解液101の外で、回転体103表面の導電性の凹部に析出した金属106に、粘着剤層を形成したフィルム107の粘着剤層を圧着ロール108で圧着し、連続的に回転体103から金属106を剥離しつつ粘着剤層を形成したフィルム107にその金属106を転写し、導体層パターン付き基材109とする。これはロール(図示せず)に巻き取ることができる。このようにして導体層パターン付き基材109を製造することができる。なお、上記の回転体103の表面には、凹部とそれにより描かれている幾何学図形状の絶縁層が形成されている。また、回転中の回転体103から、凹部に析出した金属106が剥離させられた後で、電解液101に浸かる前に、回転体103表面をエッチング洗浄したり(図示せず)してもよい。なお、図示していないが陽極102の上端には高速で循環している電解液が上方へ噴出するのを防ぐために水切りロールを設置しても良く、水切りロールによってせき止められた電解液は陽極102の外部から下の電解液の浴槽へと戻り、ポンプにより循環される。また、図示しないがこの循環の間に消費された銅イオン源や添加剤等を必要に応じて追加する態様を加えることが好ましい。   That is, the electrolytic solution 101 in the electrolytic bath 100 is supplied to the space between the anode 102 and the rotating body 103 such as a drum electrode by the pipe 104 and the pump 105. When a voltage is applied between the anode 102 and the rotator 103 and the rotator 103 is rotated at a constant speed, metal is electrolytically deposited on the surface of the rotator 103, and the conductivity of the surface of the rotator 103 is outside the electrolytic solution 101. The film 107 in which the pressure-sensitive adhesive layer of the film 107 on which the pressure-sensitive adhesive layer is formed is pressure-bonded to the metal 106 deposited in the concave portions of the film 107 by the pressure-bonding roll 108, and the metal 106 is continuously peeled off from the rotating body 103 to form the pressure-sensitive adhesive layer. The metal 106 is transferred to a base material 109 with a conductor layer pattern. This can be wound up on a roll (not shown). Thus, the base material 109 with a conductor layer pattern can be manufactured. In addition, a concave portion and an insulating layer having a geometrical shape drawn thereby are formed on the surface of the rotating body 103. Further, the surface of the rotating body 103 may be etched and cleaned (not shown) after the metal 106 deposited in the concave portion is peeled off from the rotating rotating body 103 and before being immersed in the electrolytic solution 101. . Although not shown, a draining roll may be installed at the upper end of the anode 102 in order to prevent the electrolyte circulating at high speed from being ejected upward. The electrolyte stopped by the draining roll is the anode 102. Return to the bottom electrolyte bath from outside and circulated by the pump. Further, although not shown, it is preferable to add a mode in which a copper ion source and additives consumed during the circulation are added as necessary.

さらに、本発明で用いられるめっき用導電性基材として、フープ状のめっき用導電性基材を用いることができることは前記したが、さらに、この詳細を説明する。
フープ状のめっき用導電性基材は、帯状の導電性基材の表面に絶縁層と凹部を形成した後、端部をつなぎ合わせるなどして作製できる。導電性基材の表面を形成する物質としては上述のようにステンレス鋼、クロムめっきされた鋳鉄、クロムめっきされた鋼、チタン、チタンをライニングした材料などのめっき付着性が比較的小さい材料を用いることが好ましい。フープ状の導電性基材を用いた場合には、黒化処理、防錆処理、転写等の工程を、1つの連続した工程で処理可能となるため導電性パターン付き基材の生産性が高く、また、導電性パターン付き基材を連続的に作製して巻物として製品とすることができる。フープ状の導電性基材の厚さは適宜決定すればよいが、100〜1000μmであることが好ましい。
Furthermore, as described above, the hoop-like conductive substrate for plating can be used as the conductive substrate for plating used in the present invention. This will be described in detail.
The hoop-shaped conductive substrate for plating can be produced by forming an insulating layer and a recess on the surface of the strip-shaped conductive substrate and then joining the end portions together. As described above, the material forming the surface of the conductive substrate is made of a material with relatively low plating adhesion, such as stainless steel, chrome-plated cast iron, chrome-plated steel, titanium, or titanium-lined material. It is preferable. When a hoop-like conductive substrate is used, the blackening treatment, rust prevention treatment, transfer and other processes can be performed in one continuous process, so the productivity of the substrate with a conductive pattern is high. Moreover, the base material with an electroconductive pattern can be produced continuously, and it can be set as a product as a scroll. The thickness of the hoop-like conductive substrate may be determined as appropriate, but is preferably 100 to 1000 μm.

フープ状の導電性基材を用いて、電界めっきにより形成された導体層パターンを連続的に剥離しながら、構造体を巻物として得る工程を、図36を用いて説明する。図36は、導電性基材としてフープ状導電性基材を用いた場合に、連続的に導体層パターンを電界めっきにより析出させながら剥離する装置の概念図である。   A process of obtaining a structure as a scroll while continuously peeling a conductor layer pattern formed by electroplating using a hoop-like conductive substrate will be described with reference to FIG. FIG. 36 is a conceptual diagram of an apparatus that peels while continuously depositing a conductor layer pattern by electroplating when a hoop-like conductive substrate is used as the conductive substrate.

フープ状の導電性基材110を、搬送ロール111〜128を用い、前処理槽129、めっき槽130、水洗槽131、黒化処理槽132、水洗槽133、防錆処理槽134、水洗槽135を順次とおり、周回運動するように設置する。前処理槽129で導電性基材110の脱脂もしくは酸処理等の前処理を行う。その後、めっき槽130で、導電性基材110上に金属を析出させる。この後に、水洗槽131、黒化処理槽132、水洗槽133、防錆処理槽134、水洗槽135を順次通して、それぞれで、導電性基材110上に析出した金属の表面を黒化し、さらに防錆処理する。各処理工程後にある水洗槽は、1槽しか図示していないが、必要に応じて複数の槽を用いたり、各処理工程の前に他の前処理槽等があってもよい。次いで、接着層を積層したプラスチックフィルム基材136を導電性基材110の導電性の凹部に析出した金属が転写されるように搬送ロール128上の導電性基材110と圧着ロール137の間を通し、上記金属をプラスチックフィルム基材136に転写して、導体層パターン付き基材138を連続的に製造することができる。得られる導体層パターン付き基材138は、ロール状に巻き取ることができる。必要に応じて、圧着ロール137を加熱することもできるし、図示はしないが、プラスチックフィルム基材136を、圧着ロールを通過させる前にプレヒート槽を通して予備加熱してもよい。また、転写したフィルムの巻取りには、必要に応じて、離型PET等を挿入してもよい。さらに、金属が転写された後、フープ状導電性基材は、上記の工程を繰り返すこととなる。このようにして、連続的に、高い生産性で導体層パターン付き基材を製造することができる。   The hoop-shaped conductive substrate 110 is pre-treated tank 129, plating tank 130, washing tank 131, blackening tank 132, washing tank 133, rust prevention tank 134, washing tank 135 using transport rolls 111 to 128. Set up to move around in order. In the pretreatment tank 129, pretreatment such as degreasing or acid treatment of the conductive substrate 110 is performed. Thereafter, a metal is deposited on the conductive substrate 110 in the plating tank 130. After this, the water washing tank 131, the blackening treatment tank 132, the water washing tank 133, the rust prevention treatment tank 134, and the water washing tank 135 are sequentially passed, and the surface of the metal deposited on the conductive substrate 110 is blackened. Further rust prevention treatment. Although only one tank is shown in the figure after each treatment process, a plurality of tanks may be used as needed, or other pretreatment tanks may be provided before each treatment process. Next, the plastic film substrate 136 laminated with the adhesive layer is moved between the conductive substrate 110 and the pressure roll 137 on the transport roll 128 so that the metal deposited on the conductive recesses of the conductive substrate 110 is transferred. Then, the metal can be transferred to the plastic film substrate 136 to continuously manufacture the substrate 138 with a conductor layer pattern. The obtained base material 138 with a conductor layer pattern can be wound into a roll. If necessary, the pressure-bonding roll 137 can be heated, and although not shown, the plastic film substrate 136 may be preheated through a preheating tank before passing through the pressure-bonding roll. In addition, release PET or the like may be inserted as needed for winding the transferred film. Furthermore, after the metal is transferred, the hoop-like conductive base material repeats the above steps. Thus, the base material with a conductor layer pattern can be manufactured continuously with high productivity.

上記のようにして得られる導体層パターン付き基材を電磁波遮蔽部材として用いる場合には、反射防止層、近赤外線遮蔽層等をさらに積層してもよい。導電性基材に析出した金属を転写する基材そのものが反射防止層、近赤外線遮蔽層等の機能層を兼ねていてもよい。さらに、導体層パターンに保護層を形成する際に用いられるカバーフィルムが、反射防止層、近赤外線遮蔽層等の機能層を兼ねていてもよい。   When the substrate with a conductor layer pattern obtained as described above is used as an electromagnetic wave shielding member, an antireflection layer, a near infrared shielding layer, or the like may be further laminated. The base material itself that transfers the metal deposited on the conductive base material may also serve as a functional layer such as an antireflection layer or a near infrared shielding layer. Furthermore, the cover film used when forming the protective layer on the conductor layer pattern may also serve as a functional layer such as an antireflection layer or a near infrared shielding layer.

また、本発明における導体層パターン付き基材は、上記のような回転ロールやフープを利用した連続的なめっき方法に限らず枚葉で作製することも可能である。枚葉で行った場合、めっき用導電性基材の作製時の取扱が容易であり、同一のめっき用導電性基材を繰り返し使用した後に一箇所だけ絶縁層が剥離した、といった場合でもドラム状やフープ状の基材であると特定部分だけの抜き取りあるいは交換は困難であるが、枚葉であれば不良が発生しためっき用導電性基材のみを抜き取りあるいは交換することが可能である。このように枚葉で作製することにより、めっき用導電性基材に不具合が発生したときの対応が容易である。枚葉状の導電性基材の厚みは適宜決定すればよいが、めっき槽内で液の攪拌等に左右されない十分な強度を持たせることを考慮すると厚みは20μm以上が好ましい。厚すぎると重量が増え取扱が困難であるため10cm以下の厚みであることが好ましい。   Moreover, the base material with a conductor layer pattern in the present invention is not limited to a continuous plating method using a rotating roll or a hoop as described above, and can be manufactured as a single wafer. When performed in a single wafer, it is easy to handle when preparing a conductive substrate for plating, and even when the same insulating layer is peeled off after repeated use of the same conductive substrate for plating, it is drum-shaped. In the case of a hoop-shaped substrate, it is difficult to extract or replace only a specific portion. However, if it is a sheet, it is possible to extract or replace only the conductive substrate for plating in which a defect has occurred. In this way, by making a single wafer, it is easy to handle when a problem occurs in the conductive substrate for plating. The thickness of the sheet-like conductive base material may be determined as appropriate, but the thickness is preferably 20 μm or more in consideration of giving sufficient strength not depending on the stirring of the liquid in the plating tank. If it is too thick, the weight increases and it is difficult to handle, so a thickness of 10 cm or less is preferable.

また、上記のようにして得られる導体層パターン付き基材は、樹脂層の粘着性を残したまま使用に供することができ、さらに、導体層パターンが存在する面に粘着剤層を積層して使用に供することができる。   Moreover, the base material with a conductor layer pattern obtained as described above can be used for use while leaving the adhesiveness of the resin layer, and further, the adhesive layer is laminated on the surface where the conductor layer pattern exists. Can be used for use.

(パターン仕様1)
以下の仕様で、パターン形成用のネガフィルムを作製した。光透過部のライン幅が12μm、ラインピッチが300μm、バイアス角度が45°(正四角形のなかに、ラインが正四角形の辺に対して45度の角度になるように配されている)で、格子状にパターンを120mm角のサイズで形成した。
(Pattern specification 1)
A negative film for pattern formation was produced with the following specifications. The line width of the light transmission part is 12 μm, the line pitch is 300 μm, the bias angle is 45 ° (in the regular square, the line is arranged at an angle of 45 degrees with respect to the side of the regular square), A pattern was formed in a grid shape with a size of 120 mm square.

(凸状パターンの形成)
レジストフィルム(フォテックRY3315、日立化成工業株式会社製)を150mm角のステンレス板(SUS316L、#400研磨仕上げ、厚さ500μm、日新製鋼(株)製)の両面に貼り合わせた(図11(a)に対応するが同一ではない)。貼り合わせの条件は、ロール温度105℃、圧力0.5MPa、ラインスピード1m/minで行った。次いで、パターン仕様1のネガフィルムを、ステンレス板の片面に静置した。紫外線照射装置を用いて、600mmHg以下の真空下において、ネガフィルムを載置したステンレス板の上下から、紫外線を250mJ/cm照射した。さらに、1%炭酸ナトリウム水溶液で現像することで、SUS板の上にライン幅15〜17μm、ラインピッチ300μm、バイアス角度45度の突起部レジスト膜(突起部;高さ15μm)を得た。なお、パターンが形成された面の反対面は、全面露光されているため、現像されず、全面にレジスト膜が形成されている(図11(b)に対応するが同一ではない)。
(Formation of convex pattern)
A resist film (Photech RY3315, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) was bonded to both sides of a 150 mm square stainless steel plate (SUS316L, # 400 polished finish, thickness 500 μm, manufactured by Nisshin Steel Co., Ltd.) (FIG. 11 (a ) But not the same). The bonding conditions were a roll temperature of 105 ° C., a pressure of 0.5 MPa, and a line speed of 1 m / min. Subsequently, the negative film of the pattern specification 1 was left still on the single side | surface of a stainless steel plate. Using an ultraviolet irradiation device, ultraviolet rays were irradiated at 250 mJ / cm 2 from above and below the stainless plate on which the negative film was placed under a vacuum of 600 mmHg or less. Further, by developing with a 1% aqueous sodium carbonate solution, a protrusion resist film (protrusion; height 15 μm) having a line width of 15 to 17 μm, a line pitch of 300 μm, and a bias angle of 45 degrees was obtained on a SUS plate. Note that the entire surface opposite to the surface on which the pattern is formed is exposed and is not developed, and a resist film is formed on the entire surface (corresponding to FIG. 11B but not the same).

(絶縁層の形成)
PBII/D装置(TypeIII、株式会社栗田製作所製)によりDLC膜を形成す
る。チャンバー内にレジスト膜が付いたままのステンレス基板を入れ、チャンバー内を真
空状態にした後、アルゴンガスで基板表面のクリーニングを行った。次いで、チャンバー
内にヘキサメチルジシロキサンを導入し、膜厚0.1μmとなるように中間層を成膜した
。次いで、トルエン、メタン、アセチレンガスを導入し、膜厚が2〜3μmとなるように
、中間層の上にDLC層を形成した(図11(c)に対応するが同一ではない)。
(Formation of insulating layer)
A DLC film is formed by a PBII / D apparatus (Type III, manufactured by Kurita Manufacturing Co., Ltd.). A stainless steel substrate with a resist film attached thereto was placed in the chamber, the inside of the chamber was evacuated, and the substrate surface was cleaned with argon gas. Next, hexamethyldisiloxane was introduced into the chamber, and an intermediate layer was formed to a thickness of 0.1 μm. Next, toluene, methane, and acetylene gas were introduced, and a DLC layer was formed on the intermediate layer so as to have a film thickness of 2 to 3 μm (corresponding to FIG. 11C, but not the same).

(凹部の形成;絶縁層の付着した凸状パターンの除去)
絶縁層が付着したステンレス基板を水酸化ナトリウム水溶液(10%、50℃)に浸漬し、時々揺動を加えながら8時間放置した。凸状パターンを形成するレジスト膜とそれに付着したDLC膜が剥離してきた。一部剥がれにくい部分があったため、布で軽くこすることにより全面剥離し、めっき用導電性基材を得た(図11(d)に対応するが同一ではない)。
凹部の形状は、開口方向に向かって幅広になっており、その凹部側面の傾斜角は、前記境界面の角度と同じであった。凹部の深さは2〜3μmであった。また、凹部の底部での幅は、15〜17μm、開口部での幅(最大幅)は19〜23μmであった。凹部のピッチはピッチ300μmであった。
(Concavity formation; removal of convex pattern with insulating layer attached)
The stainless steel substrate with the insulating layer attached was immersed in an aqueous sodium hydroxide solution (10%, 50 ° C.) and left for 8 hours with occasional rocking. The resist film forming the convex pattern and the DLC film adhering thereto have been peeled off. Since there was a part that was difficult to peel off, the entire surface was peeled off by lightly rubbing with a cloth to obtain a conductive substrate for plating (corresponding to FIG. 11 (d), but not the same).
The shape of the recess was wider toward the opening direction, and the inclination angle of the side surface of the recess was the same as the angle of the boundary surface. The depth of the recess was 2 to 3 μm. Moreover, the width | variety in the bottom part of a recessed part was 15-17 micrometers, and the width | variety (maximum width) in an opening part was 19-23 micrometers. The pitch of the recesses was 300 μm.

(銅めっき)
さらに、上記で得られためっき用導電性基材のパターンが形成されていない面(裏面)
に粘着フィルム(ヒタレックスK−3940B、日立化成工業(株)製)を貼り付けた。
この粘着フィルムを貼り付けためっき用導電性基材を陰極として、また、含燐銅を陽極と
して電解銅めっき用の電解浴(硫酸銅(5水塩)250g/L、硫酸70g/L、キュー
ブライトAR(荏原ユージライト株式会社製、添加剤)4ml/Lの水溶液、30℃)中
に浸し、両極に電圧をかけて電流密度を10A/dmとして、めっき用導電性基材の凹
部に析出した金属の厚さがほぼ6μmになるまでめっきした。めっき用導電性基材の凹部
の中とそれからあふれるようにめっきが形成された。
(Copper plating)
Furthermore, the surface (back surface) where the pattern of the conductive base material for plating obtained above is not formed
An adhesive film (Hitalex K-3940B, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) was attached to the substrate.
Electrolytic bath for electrolytic copper plating (copper sulfate (pentahydrate) 250 g / L, sulfuric acid 70 g / L, sulfuric acid 70 g / L, cube) using the electroconductive substrate for plating with the adhesive film attached as a cathode and phosphorus-containing copper as an anode light AR (Ebara-Udylite Co., additive) solution of 4 ml / L, immersed in 30 ° C.), a current density over voltage as 10A / dm 2 in both electrodes, the recess of the plating conductive substrate Plating was performed until the deposited metal thickness was approximately 6 μm. The plating was formed so as to overflow in and out of the recess of the conductive substrate for plating.

(透明基材の作製)
厚さ100μm、120mm角の支持基材であるポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム(A−4100、東洋紡績株式会社製)の表面に粘着剤であるバイロンUR−1400(東洋紡(株)製、熱可塑性樹脂であるポリエステルポリウレタン樹脂がトルエンとメチルエチルケトンの混合溶媒で希釈されている。樹脂のガラス転移点は80℃であった。)を塗布し、100℃乾燥後の膜厚が25μmになるように塗布して支持基材上に粘着剤層を形成して透明基材を作製した。乾燥条件は100℃10分間であった。
(Preparation of transparent substrate)
Byron UR-1400 (manufactured by Toyobo Co., Ltd.), a thermoplastic resin, on the surface of a polyethylene terephthalate (PET) film (A-4100, manufactured by Toyobo Co., Ltd.), which is a support substrate having a thickness of 100 μm and a 120 mm square. The polyester polyurethane resin is diluted with a mixed solvent of toluene and methyl ethyl ketone.The resin has a glass transition point of 80 ° C.), and is applied so that the film thickness after drying at 100 ° C. is 25 μm. Then, a pressure-sensitive adhesive layer was formed on the support substrate to produce a transparent substrate. The drying condition was 100 ° C. for 10 minutes.

(転写及び埋設)
上記透明基材を、100℃5分間プレヒートしてから、粘着剤層の面と、上記めっき用導電性基材の銅めっきを施した面を、ロールラミネータを用いて貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度150℃、圧力0.5MPa、ラインスピード0.1m/minとした。次いで、めっき用導電性基材に貼り合わせた透明基材を剥離したところ、上記めっき用導電性基材上に析出した銅がに転写されていた。
銅が転写された透明基材を一部分切り取り、その断面を、走査型電子顕微鏡写真(倍率2000倍)にとって、観察した。任意に五カ所選択し、導体層パターンの断面形状が図5(b)のような形状であり、上部の上底の幅L1は15〜17μm、下底の幅L2は17〜19μm、角度αは45°、最大幅Lは21〜24μm、LとL2の差は2〜3μmで、上部層の厚みT1は2〜3μm、下部層の厚みT2は3〜4μm、全体の厚みは5〜6μm、ラインピッチ300μmの格子状金属パターンからなる導体層パターン付き基材が得られていることを確認した。また、同時に図8(c)に示すように、導体層パターンの全部が、その上面が樹脂層から露出した状態で樹脂層に埋設されていることを確認した。
得られた導体層パターン付き基材の表面抵抗は、0.075Ω/□であった。表面抵抗は、四探針法表面抵抗測定装置ロレスターGP MCP−T600(三菱化学)製を用いて、サンプルサイズ50mm角で測定した。また、ガスケットをパターン面に静置し、500gの荷重をかけながら移動させた場合に、パターン面の異常はなかった。さらに、碁盤目試験を行った結果、パターンが剥離する箇所はなかった。
65℃95%RHの加熱加湿試験1000時間後、上記2つの試験を行っても、パターン面に異常及び剥離箇所はなかった。
(Transcription and embedding)
After the said transparent base material was pre-heated at 100 degreeC for 5 minute (s), the surface of the adhesive layer and the surface which gave the copper plating of the said electroconductive base material for plating were bonded together using the roll laminator. Lamination conditions were a roll temperature of 150 ° C., a pressure of 0.5 MPa, and a line speed of 0.1 m / min. Subsequently, when the transparent base material bonded to the electroconductive substrate for plating was peeled off, the copper deposited on the electroconductive substrate for plating was transferred to.
A part of the transparent substrate to which copper was transferred was cut out, and the cross section was observed on a scanning electron micrograph (magnification 2000 times). 5 points are selected arbitrarily, and the cross-sectional shape of the conductor layer pattern is as shown in FIG. 5B, the upper upper base width L1 is 15 to 17 μm, the lower base width L2 is 17 to 19 μm, and the angle α Is 45 °, the maximum width L is 21 to 24 μm, the difference between L and L2 is 2 to 3 μm, the upper layer thickness T1 is 2 to 3 μm, the lower layer thickness T2 is 3 to 4 μm, and the overall thickness is 5 to 6 μm It was confirmed that a base material with a conductor layer pattern composed of a grid-like metal pattern having a line pitch of 300 μm was obtained. At the same time, as shown in FIG. 8C, it was confirmed that the entire conductor layer pattern was embedded in the resin layer with its upper surface exposed from the resin layer.
The surface resistance of the obtained base material with a conductor layer pattern was 0.075Ω / □. The surface resistance was measured at a sample size of 50 mm square using a four-probe method surface resistance measuring device Lorester GP MCP-T600 (Mitsubishi Chemical). Further, when the gasket was left on the pattern surface and moved while applying a load of 500 g, there was no abnormality in the pattern surface. Furthermore, as a result of the cross cut test, there was no part where the pattern peeled off.
Even after the above two tests were conducted after 1000 hours at 65 ° C. and 95% RH in the heating and humidification test, there were no abnormalities or peeling portions on the pattern surface.

(保護膜の形成)
上記で得られた導体層パターン付き基材の導体層パターンが存在する面に、UV硬化型樹脂ヒタロイド7983AA3(日立化成工業(株)製)をコーティングし、ポリカーボネートフィルム(マクロホールDE、バイエル株式会社製、75μm)でラミネートして導体層パターンをUV硬化型樹脂中に埋没させた後、紫外線ランプを用いて1J/cmの紫外線を照射してUV硬化型樹脂を硬化させて、保護膜を有する導体層パターン付き基材を得た。得られた基材の透過率は78%、濁度は2.5であった。
(Formation of protective film)
The surface of the substrate with the conductor layer pattern obtained above, on which the conductor layer pattern is present, is coated with UV curable resin HITAROID 7983AA3 (manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.), and a polycarbonate film (macro hole DE, Bayer Co., Ltd.). And the conductor layer pattern is embedded in the UV curable resin and then irradiated with 1 J / cm 2 of ultraviolet rays using an ultraviolet lamp to cure the UV curable resin to form a protective film. The base material with a conductor layer pattern was obtained. The obtained base material had a transmittance of 78% and a turbidity of 2.5.

実施例1のめっき用導電性基材に、実施例1と同様にめっき用導電性基材上に銅めっきを施した。
<透明基材の作製>
(配合組成物1)
2−エチルヘキシルメタクリレート 70重量部
ブチルアクリレート 15重量部
2−ヒドロキシエチルメタクリレート 10重量部
アクリル酸 5重量部
アゾビスイソブチロニトリル 0.1重量部
トルエン 60重量部
酢酸エチル 60重量部

温度計、冷却管、窒素導入管を備えた500cm3の三つ口フラスコに、上記した配合組成物1を投入し、穏やかに撹拌しながら、60℃に加熱して重合を開始させ、窒素でバブリングさせながら、60℃で8時間、還流中で攪拌を行い、側鎖にヒドロキシル基を有するアクリル樹脂を得た。その後、カレンズ MOI(2−イソシアナトエチルメタクリレート;昭和電工(株)製)5重量部を添加し、穏やかに撹拌しながら50℃で反応させ、側鎖に光重合性官能基を有する反応性ポリマーの溶液1を得た。
得られた反応性ポリマー1は、側鎖にメタクリロイル基を有しており、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにて測定したポリスチレン換算の重量平均分子量は800,000であった。反応性ポリマーの溶液1を100重量部(固形分)に光重合開始剤として2−メチル−1[4−メチルチオ]フェニル]−2−モルフォリノプロパン−1−オン(商品名イルガキュア907、チバガイギー(株))を1重量部、イソシアネート系架橋剤(商品名コロネートL−38ET、日本ポリウレタン(株)製)を3重量部、トルエンを50重量部添加し、樹脂組成物1とした。
得られた樹脂組成物を、ポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム(A−4100、東洋紡績株式会社製)の表面に、100℃乾燥後の膜厚が20μmになるように塗布して、支持基材上にUV硬化性を有する粘着剤層を形成して、透明基材を作製した。乾燥条件は、100℃10分間であった。
(転写及び埋設)
実施例1と同様のめっき用版を用いて、実施例1と同様にめっき用導電性基材上に銅めっきを施した。
次いで、上記透明基材のUV硬化性を有する粘着剤層の面と、上記めっき用導電性基材の銅めっきを施した面を、ロールラミネータを用いて貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度30℃、圧力0.3MPa、ラインスピード1.0m/minとした。次いで、めっき用導電性基材に貼り合わせた透明基材を剥離したところ、上記めっき用導電性基材上に析出した銅が透明基材に転写されていた。
銅が転写されている透明基材の一部を切り取り、その断面を、走査型電子顕微鏡写真(倍率2000倍)にとり、観察し、導体層パターンが図5(b)の様な断面形状であること確かめ、また、任意に五カ所選択し、上部層の厚みT1は2〜3μm、下部の厚みT2は3〜4μmであり、下部がその下側の1〜2μmだけ樹脂層に埋没していることを確認した。
さらに、上記で得た銅が転写されている透明基材の銅の上から厚さ50μmのカバーフィルム(A−4100、東洋紡績株式会社製)の易接着層とは反対面をロールラミネートで貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度80℃、圧力0.3MPa、ラインスピード0.5m/minとした。この後、導体層パターンが形成された面とは反対の面から、照射量1J/cmとなるように、紫外線を照射して、カバーフィルムを剥離して、導体層パターン付き基材を得た。
この導体層パターン付き基材の一部を切り取り、その断面を、走査型電子顕微鏡写真(倍率2000倍)にとり、観察し、図8(c)に示すように、導体層パターンの全部が、その上面が樹脂層から露出した状態で樹脂層に埋設されていることを確認し、また、任意に五カ所選択して、導体層パターンの上部層の上底の幅L1は15〜17μm、下底の幅L2は17〜19μm、角度は45°、最大幅Lは21〜24μm、LとL2の差は2〜3μmで、上部層の厚みT1は2〜3μm、下部層の厚みT2は3〜4μm、全体の厚みは5〜6μm、ラインピッチ300μmの格子状金属パターンからなる導体層パターン付き基材が得られたことを確認した。導体層パターンの開口率は84.0%であった。
得られた導体層パターン付き基材の表面抵抗は、0.075Ω/□であった。
また、ガスケットをパターン面に静置し、500gの荷重をかけながら移動させた場合に、パターン面の異常はなかった。さらに、碁盤目試験を行った結果、パターンが剥離する箇所はなかった。
65℃95%RHの加熱加湿試験1000時間後、上記2つの試験を行っても、パターン面に異常及び剥離箇所はなかった。得られた基材の透過率は78%、濁度は2.8であった。
In the same manner as in Example 1, copper plating was applied to the conductive substrate for plating of Example 1 in the same manner as in Example 1.
<Preparation of transparent substrate>
(Composition composition 1)
2-ethylhexyl methacrylate 70 parts by weight Butyl acrylate 15 parts by weight 2-hydroxyethyl methacrylate 10 parts by weight Acrylic acid 5 parts by weight Azobisisobutyronitrile 0.1 part by weight Toluene 60 parts by weight Ethyl acetate 60 parts by weight

Into a 500 cm3 three-necked flask equipped with a thermometer, a cooling pipe, and a nitrogen introduction pipe, the above-mentioned composition 1 is charged, heated to 60 ° C. with gentle stirring, to initiate polymerization, and then bubbled with nitrogen The mixture was stirred at 60 ° C. for 8 hours under reflux to obtain an acrylic resin having a hydroxyl group in the side chain. Thereafter, 5 parts by weight of Karenz MOI (2-isocyanatoethyl methacrylate; manufactured by Showa Denko KK) is added and reacted at 50 ° C. with gentle stirring, and a reactive polymer having a photopolymerizable functional group in the side chain. Solution 1 was obtained.
The obtained reactive polymer 1 had a methacryloyl group in the side chain, and the weight average molecular weight in terms of polystyrene measured by gel permeation chromatography was 800,000. Reactive polymer solution 1 was added to 100 parts by weight (solid content) of 2-methyl-1 [4-methylthio] phenyl] -2-morpholinopropan-1-one (trade names: Irgacure 907, Ciba Geigy ( 1 part by weight, 3 parts by weight of an isocyanate-based crosslinking agent (trade name Coronate L-38ET, manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.) and 50 parts by weight of toluene were added to obtain Resin Composition 1.
The obtained resin composition was applied to the surface of a polyethylene terephthalate (PET) film (A-4100, manufactured by Toyobo Co., Ltd.) so that the film thickness after drying at 100 ° C. was 20 μm, and on the support substrate A pressure-sensitive adhesive layer having UV curability was formed on the transparent substrate. The drying condition was 100 ° C. for 10 minutes.
(Transcription and embedding)
Using the same plating plate as in Example 1, copper plating was applied on the conductive substrate for plating in the same manner as in Example 1.
Next, the surface of the pressure-sensitive adhesive layer having UV curability of the transparent substrate and the surface of the conductive substrate for plating subjected to copper plating were bonded using a roll laminator. Lamination conditions were a roll temperature of 30 ° C., a pressure of 0.3 MPa, and a line speed of 1.0 m / min. Subsequently, when the transparent base material bonded to the electroconductive substrate for plating was peeled off, copper deposited on the electroconductive substrate for plating was transferred to the transparent base material.
A part of the transparent substrate to which copper is transferred is cut out and the cross section is taken and observed in a scanning electron micrograph (magnification 2000 times), and the conductor layer pattern has a cross-sectional shape as shown in FIG. It is confirmed that five locations are arbitrarily selected. The thickness T1 of the upper layer is 2 to 3 μm, the thickness T2 of the lower layer is 3 to 4 μm, and the lower portion is buried in the resin layer by 1 to 2 μm on the lower side. It was confirmed.
Furthermore, the surface opposite to the easy adhesion layer of the cover film (A-4100, manufactured by Toyobo Co., Ltd.) having a thickness of 50 μm is stuck on the transparent base copper onto which the copper obtained above is transferred with a roll laminate. Combined. Lamination conditions were a roll temperature of 80 ° C., a pressure of 0.3 MPa, and a line speed of 0.5 m / min. Thereafter, from the surface opposite to the surface on which the conductor layer pattern is formed, the cover film is peeled off by irradiating with ultraviolet rays so that the irradiation amount is 1 J / cm 2 to obtain a substrate with a conductor layer pattern. It was.
A part of the substrate with the conductor layer pattern was cut out, and the cross section was taken and observed in a scanning electron micrograph (magnification 2000 times). As shown in FIG. Confirm that the upper surface is exposed from the resin layer and is buried in the resin layer, and arbitrarily select five locations. The upper layer width L1 of the upper layer of the conductor layer pattern is 15 to 17 μm. The width L2 is 17 to 19 μm, the angle is 45 °, the maximum width L is 21 to 24 μm, the difference between L and L2 is 2 to 3 μm, the upper layer thickness T1 is 2 to 3 μm, and the lower layer thickness T2 is 3 to 3 μm. It was confirmed that a substrate with a conductor layer pattern composed of a grid-like metal pattern having a thickness of 4 μm, an overall thickness of 5 to 6 μm, and a line pitch of 300 μm was obtained. The aperture ratio of the conductor layer pattern was 84.0%.
The surface resistance of the obtained base material with a conductor layer pattern was 0.075Ω / □.
Further, when the gasket was left on the pattern surface and moved while applying a load of 500 g, there was no abnormality in the pattern surface. Furthermore, as a result of the cross cut test, there was no part where the pattern peeled off.
Even after the above two tests were conducted after 1000 hours at 65 ° C. and 95% RH in the heating and humidification test, there were no abnormalities or peeling portions on the pattern surface. The obtained base material had a transmittance of 78% and a turbidity of 2.8.

(転写及び埋設)
実施例1のめっき用導電性基材に、実施例1と同様にめっき用導電性基材上に銅めっきを施した。導電性基材の銅めっきを施した面に、液状の無溶剤型UV硬化型樹脂(商品名:アデカオプトマーKRX−400、旭電化(株)製)を、100mmの幅で10ml滴下した。次いで、厚さ100μmの支持基材であるポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム(A−4100、東洋紡績株式会社製)を樹脂上に接触させ、ロールラミネートした。ラミネート条件は、ロール温度30℃、圧力0.1MPa、ラインスピード2.0m/minとした。これにより、樹脂が一様に広がり、導電性基材と基材フィルムの間に、15μmの液状のUV硬化型樹脂層を形成した。その後、支持基材側から、照射量1J/cmとなるように、紫外線を照射して粘着剤層を硬化した後、透明基材を剥離して、導体層パターン付き基材を得た。
この導体層パターン付き基材の一部を切り取り、その断面を、走査型電子顕微鏡写真(倍率2000倍)にとり、観察し、図5(b)に示すように、導体層パターンの断面が台形形状である上部が、樹脂層から露出した状態で導体層パターンが樹脂層に埋設されていることを確認し、また、樹脂層の厚さが25μmであることを確認し、さらに、任意に五カ所選択して、導体層パターンの上部の上底の幅L1は15〜17μm、下底の幅L2は17〜19μm、角度は45°であった。また、最大幅Lは21〜24μm、LとL2の差は2〜3μmであった。上部層の厚みT1は2〜3μm、下部層の厚みT2は3〜4μm、全体の厚みは5〜6μm、ラインピッチ300μmであることを確認した。得られた導体層パターン付き基材の表面抵抗は、0.075Ω/□であった。また、ガスケットをパターン面に静置し、500gの荷重をかけながら移動させた場合に、パターン面の異常はなかった。さらに、碁盤目試験を行った結果、パターンが剥離する箇所はなかった。65℃95%RHの加熱加湿試験1000時間後、上記2つの試験を行っても、パターン面に異常及び剥離箇所はなかった。
(Transcription and embedding)
In the same manner as in Example 1, copper plating was applied to the conductive substrate for plating of Example 1 in the same manner as in Example 1. The surface subjected to copper plating of the conductive substrate, liquid Mu溶 dosage form UV-curable resin (trade name: Adekaoptomer KRX-400, Asahi Denka Co., Ltd.) was 10ml dropwise a width of 100mm . Next, a polyethylene terephthalate (PET) film (A-4100, manufactured by Toyobo Co., Ltd.), which is a supporting substrate having a thickness of 100 μm, was brought into contact with the resin and roll-laminated. Lamination conditions were a roll temperature of 30 ° C., a pressure of 0.1 MPa, and a line speed of 2.0 m / min. Thus, the resin spread uniformly, and a 15 μm liquid UV curable resin layer was formed between the conductive substrate and the substrate film. Thereafter, the pressure-sensitive adhesive layer was cured by irradiating with ultraviolet rays so that the irradiation amount was 1 J / cm 2 from the supporting substrate side, and then the transparent substrate was peeled off to obtain a substrate with a conductor layer pattern.
A portion of the substrate with the conductor layer pattern is cut out, and the cross section is taken and observed in a scanning electron micrograph (magnification 2000 times). As shown in FIG. 5B, the cross section of the conductor layer pattern is trapezoidal. Confirm that the conductor layer pattern is embedded in the resin layer with the upper part exposed from the resin layer, and confirm that the thickness of the resin layer is 25 μm. The width L1 of the upper base of the upper part of the conductor layer pattern was 15-17 μm, the width L2 of the lower base was 17-19 μm, and the angle was 45 °. The maximum width L was 21 to 24 μm, and the difference between L and L2 was 2 to 3 μm. It was confirmed that the upper layer thickness T1 was 2-3 μm, the lower layer thickness T2 was 3-4 μm, the overall thickness was 5-6 μm, and the line pitch was 300 μm. The surface resistance of the obtained base material with a conductor layer pattern was 0.075Ω / □. Further, when the gasket was left on the pattern surface and moved while applying a load of 500 g, there was no abnormality in the pattern surface. Furthermore, as a result of the cross cut test, there was no part where the pattern peeled off. Even after the above two tests were conducted after 1000 hours at 65 ° C. and 95% RH in the heating and humidification test, there were no abnormalities or peeling portions on the pattern surface.

(保護膜の形成)
上記で得られた導体層パターン付き基材の導体層パターンが存在する面に、UV硬化型樹脂ヒタロイド7983AA3(日立化成工業(株)製)をコーティングし、ポリカーボネートフィルム(マクロホールDE、バイエル株式会社製、75μm)でラミネートして導体層パターンをUV硬化型樹脂中に埋没させた後、紫外線ランプを用いて1J/cmの紫外線を照射してUV硬化型樹脂を硬化させて、保護膜を有する導体層パターン付き基材を得た。得られた基材の透過率は78%、濁度は2.5であった。
(Formation of protective film)
The surface of the substrate with the conductor layer pattern obtained above, on which the conductor layer pattern is present, is coated with UV curable resin HITAROID 7983AA3 (manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.), and a polycarbonate film (macro hole DE, Bayer Co., Ltd.). And the conductor layer pattern is embedded in the UV curable resin and then irradiated with 1 J / cm 2 of ultraviolet rays using an ultraviolet lamp to cure the UV curable resin to form a protective film. The base material with a conductor layer pattern was obtained. The obtained base material had a transmittance of 78% and a turbidity of 2.5.

実施例1と同様にしてめっき用導電性基材を作製した。   In the same manner as in Example 1, a conductive substrate for plating was produced.

(銅めっき)
さらに、上記で得られためっき用導電性基材のパターンが形成されていない面(裏面)
に粘着フィルム(ヒタレックスK−3940B、日立化成工業(株)製)を貼り付けた。
この粘着フィルムを貼り付けためっき用導電性基材を陰極として、また、含燐銅を陽極と
して電解銅めっき用の電解浴(硫酸銅(5水塩)250g/L、硫酸70g/L、光沢剤(3−メルカプト−1−プロパンスルホン酸塩)3ml/L、界面活性剤(ポリエチレングリコール類)10mL/Lの水溶液、30℃)中に浸し、両極に電圧をかけて電流密度を10A/dmとして、めっき用導電性基材の凹部に析出した金属の厚さがほぼ6μmになるまでめっきした。めっき用導電性基材の凹部の中とそれからあふれるようにめっきが形成された。
(Copper plating)
Furthermore, the surface (back surface) where the pattern of the conductive base material for plating obtained above is not formed
An adhesive film (Hitalex K-3940B, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) was attached to the substrate.
Electrolytic bath for electrolytic copper plating (copper sulfate (pentahydrate) 250 g / L, sulfuric acid 70 g / L, luster 70 g / L) with the conductive substrate for plating with the adhesive film attached as the cathode and phosphorous copper as the anode Soaked in an agent (3-mercapto-1-propanesulfonate) 3 ml / L, surfactant (polyethylene glycol) 10 mL / L in an aqueous solution at 30 ° C. No. 2 was plated until the thickness of the metal deposited in the concave portion of the conductive substrate for plating reached approximately 6 μm. The plating was formed so as to overflow in and out of the recess of the conductive substrate for plating.

実施例1と同様にして透明基材を作製した。   A transparent substrate was produced in the same manner as in Example 1.

(転写及び埋設)
上記で得た透明基材を、100℃5分間プレヒートしてから、粘着剤層の面と、上記めっき用導電性基材の銅めっきを施した面を、ロールラミネータを用いて貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度150℃、圧力0.5MPa、ラインスピード0.1m/minとした。次いで、めっき用導電性基材に貼り合わせた透明基材を剥離したところ、上記めっき用導電性基材上に析出した銅が透明基材の粘着剤層に転写されていた。
銅が転写された透明基材を一部分切り取り、その断面を、走査型電子顕微鏡写真(倍率2000倍)にとって、観察した。任意に五カ所選択し、導体層パターンの断面形状が図(b)のような形状であり、上部の上底の幅L1は15〜17μm、下底の幅L2は17〜19μm、角度αは45°、最大幅Lは19〜22μm、LとL2の差は2〜3μmで、上部層の厚みT1は2〜3μm、下部層の厚みT2は3〜4μm、全体の厚みは6〜7μm、ラインピッチ300μmの格子状金属パターンからなる導体層パターン付き基材が得られていることを確認した。また、肩の部分の幅L3は、1〜2μm、肩の付け根の部分の導体厚T1は2〜3μm、T1/L3は、1.5〜2.0であった。また、同時に図(c)に示すように、導体層パターンの全部が、その上面が樹脂層から露出した状態で樹脂層に埋設されていることを確認した。
得られた導体層パターン付き基材の表面抵抗は、0.075Ω/□であった。表面抵抗は、四探針法表面抵抗測定装置ロレスターGP MCP−T600(三菱化学)製を用いて、サンプルサイズ50mm角で測定した。また、ガスケットをパターン面に静置し、500gの荷重をかけながら移動させた場合に、パターン面の異常はなかった。さらに、碁盤目試験を行った結果、パターンが剥離する箇所はなかった。また、メッシュパターンの開口率は、87%であった。65℃95%RHの加熱加湿試験1000時間後、上記2つの試験を行っても、パターン面に異常及び剥離箇所はなかった。
(Transcription and embedding)
The transparent substrate obtained above was preheated at 100 ° C. for 5 minutes, and then the surface of the pressure-sensitive adhesive layer and the surface subjected to copper plating of the conductive substrate for plating were bonded together using a roll laminator. Lamination conditions were a roll temperature of 150 ° C., a pressure of 0.5 MPa, and a line speed of 0.1 m / min. Subsequently, when the transparent base material bonded to the conductive substrate for plating was peeled off, the copper deposited on the conductive substrate for plating was transferred to the pressure-sensitive adhesive layer of the transparent substrate.
A part of the transparent substrate to which copper was transferred was cut out, and the cross section was observed on a scanning electron micrograph (magnification 2000 times). 5 points are arbitrarily selected, and the cross-sectional shape of the conductor layer pattern is as shown in FIG. 5B, the upper upper base width L1 is 15 to 17 μm, the lower base width L2 is 17 to 19 μm, and the angle α Is 45 °, the maximum width L is 19-22 μm, the difference between L and L2 is 2-3 μm, the upper layer thickness T1 is 2-3 μm, the lower layer thickness T2 is 3-4 μm, and the overall thickness is 6-7 μm. It was confirmed that a base material with a conductor layer pattern composed of a grid-like metal pattern having a line pitch of 300 μm was obtained. Further, the width L3 of the shoulder portion was 1 to 2 μm, the conductor thickness T1 of the shoulder base portion was 2 to 3 μm, and T1 / L3 was 1.5 to 2.0. At the same time as shown in FIG. 8 (c), all of the conductor layer pattern was confirmed that it is embedded in the resin layer with its upper surface is exposed from the resin layer.
The surface resistance of the obtained base material with a conductor layer pattern was 0.075Ω / □. The surface resistance was measured at a sample size of 50 mm square using a four-probe method surface resistance measuring device Lorester GP MCP-T600 (Mitsubishi Chemical). Further, when the gasket was left on the pattern surface and moved while applying a load of 500 g, there was no abnormality in the pattern surface. Furthermore, as a result of the cross cut test, there was no part where the pattern peeled off. Further, the aperture ratio of the mesh pattern was 87%. Even after the above two tests were conducted after 1000 hours at 65 ° C. and 95% RH in the heating and humidification test, there were no abnormalities or peeling portions on the pattern surface.

(保護膜の形成)
上記で得られた導体層パターン付き基材の導体層パターンが存在する面に、UV硬化型
樹脂ヒタロイド7983AA3(日立化成工業(株)製)をコーティングし、ポリカーボ
ネートフィルム(マクロホールDE、バイエル株式会社製、75μm)でラミネートして
導体層パターンをUV硬化型樹脂中に埋没させた後、紫外線ランプを用いて1J/cm
の紫外線を照射してUV硬化型樹脂を硬化させて、保護膜を有する導体層パターン付き基
材を得た。得られた基材の透過率は81%、濁度は2.0であった。
(Formation of protective film)
The surface of the substrate with the conductor layer pattern obtained above, on which the conductor layer pattern is present, is coated with UV curable resin HITAROID 7983AA3 (manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.), and a polycarbonate film (macro hole DE, Bayer Co., Ltd.). Manufactured, 75 μm), and the conductor layer pattern was embedded in a UV curable resin, and then 1 J / cm 2 using an ultraviolet lamp.
The substrate was provided with a conductor layer pattern having a protective film by curing the UV curable resin by irradiation with UV rays. The obtained base material had a transmittance of 81% and a turbidity of 2.0.

実施例2と同様にして透明基材を作製した。   A transparent substrate was produced in the same manner as in Example 2.

(めっき、転写及び埋設)
実施例4と同様のめっき用導電性基材を用いて、実施例4と同様にめっき用導電性基材上に銅めっきを施した。
次いで、上記透明基材のUV硬化性を有する粘着剤層の面と、上記めっき用導電性基材の銅めっきを施した面を、ロールラミネータを用いて貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度30℃、圧力0.3MPa、ラインスピード1.0m/minとした。次いで、めっき用導電性基材に貼り合わせた透明基材を剥離したところ、上記めっき用導電性基材上に析出した銅が透明基材に転写されていた。
銅が転写されている透明基材の一部を切り取り、その断面を、走査型電子顕微鏡写真(倍率2000倍)にとり、観察し、導体層パターンが図(b)の様な断面形状であること確かめ、また、任意に五カ所選択し、上部層の厚みT1は2〜3μm、下部の厚みT2は3〜4μmであり、下部がその下側の1〜2μmだけ樹脂層に埋没していることを確認した。
さらに、上記で得た銅が転写されている透明基材の銅の上から厚さ50μmのカバーフィルム(A−4100、東洋紡績株式会社製)の易接着層とは反対面をロールラミネートで貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度80℃、圧力0.3MPa、ラインスピード0.5m/minとした。この後、導体層パターンが形成された面とは反対の面から、照射量1J/cmとなるように、紫外線を照射して、カバーフィルムを剥離して、導体層パターン付き基材を得た。
この導体層パターン付き基材の一部を切り取り、その断面を、走査型電子顕微鏡写真(倍率2000倍)にとり、観察し、図(c)に示すように、導体層パターンの全部が、その上面が樹脂層から露出した状態で樹脂層に埋設されていることを確認し、また、任意に五カ所選択して、導体層パターンの上部層の上底の幅L1は15〜17μm、下底の幅L2は17〜19μm、角度は45°、最大幅Lは19〜22μm、LとL2の差は2〜3μmで、上部層の厚みT1は2〜3μm、下部層の厚みT2は3〜4μm、全体の厚みは6〜7μm、ラインピッチ300μmの格子状金属パターンからなる導体層パターン付き基材が得られたことを確認した。また、また、肩の部分の幅L3は、1〜2μm、肩の付け根の部分の導体厚T1は2〜3μm、T1/L3は、1.5〜2.0であった。導体層パターンの開口率は87.0%であった。
得られた導体層パターン付き基材の表面抵抗は、0.075Ω/□であった。また、碁盤目試験を行った結果、パターンが剥離する箇所はなかった。
65℃95%RHの加熱加湿試験1000時間後、上記2つの試験を行っても、パターン面に異常及び剥離箇所はなかった。得られた基材の透過率は81%、濁度は1.9であった。
(Plating, transfer and embedding)
Using the same conductive substrate for plating as in Example 4, copper plating was applied on the conductive substrate for plating in the same manner as in Example 4.
Next, the surface of the pressure-sensitive adhesive layer having UV curability of the transparent substrate and the surface of the conductive substrate for plating subjected to copper plating were bonded using a roll laminator. Lamination conditions were a roll temperature of 30 ° C., a pressure of 0.3 MPa, and a line speed of 1.0 m / min. Subsequently, when the transparent base material bonded to the electroconductive substrate for plating was peeled off, copper deposited on the electroconductive substrate for plating was transferred to the transparent base material.
Cut a portion of the transparent substrate copper is transferred, its cross-section, taken scanning electron micrograph (magnification 2,000 times) was observed, the conductive layer pattern is in such cross-sectional shape shown in FIG. 5 (b) sure, also optionally select five positions, the thickness T1 of the upper layer is 2 to 3 [mu] m, the lower portion of the thickness T2 is 3 to 4 [mu] m, buried only the resin layer 1~2μm lower its lower I confirmed.
Furthermore, the surface opposite to the easy adhesion layer of the cover film (A-4100, manufactured by Toyobo Co., Ltd.) having a thickness of 50 μm is stuck on the transparent base copper onto which the copper obtained above is transferred with a roll laminate. Combined. Lamination conditions were a roll temperature of 80 ° C., a pressure of 0.3 MPa, and a line speed of 0.5 m / min. Thereafter, from the surface opposite to the surface on which the conductor layer pattern is formed, the cover film is peeled off by irradiating with ultraviolet rays so that the irradiation amount is 1 J / cm 2 to obtain a substrate with a conductor layer pattern. It was.
Cut a portion of the conductive layer patterned substrate, the cross-section, taken scanning electron micrograph (magnification 2,000 times) was observed, as shown in FIG. 8 (c), the whole of the conductive layer pattern, the Confirm that the upper surface is exposed from the resin layer and is buried in the resin layer, and arbitrarily select five locations. The upper layer width L1 of the upper layer of the conductor layer pattern is 15 to 17 μm. The width L2 is 17 to 19 μm, the angle is 45 °, the maximum width L is 19 to 22 μm, the difference between L and L2 is 2 to 3 μm, the upper layer thickness T1 is 2 to 3 μm, and the lower layer thickness T2 is 3 to 3 μm. It was confirmed that a substrate with a conductor layer pattern consisting of a grid-like metal pattern having a thickness of 4 μm, an overall thickness of 6 to 7 μm, and a line pitch of 300 μm was obtained. Further, the width L3 of the shoulder portion was 1 to 2 μm, the conductor thickness T1 of the shoulder base portion was 2 to 3 μm, and T1 / L3 was 1.5 to 2.0. The aperture ratio of the conductor layer pattern was 87.0%.
The surface resistance of the obtained base material with a conductor layer pattern was 0.075Ω / □. Further, as a result of the cross-cut test, there was no place where the pattern peeled off.
Even after the above two tests were conducted after 1000 hours at 65 ° C. and 95% RH in the heating and humidification test, there were no abnormalities or peeling portions on the pattern surface. The obtained base material had a transmittance of 81% and a turbidity of 1.9.

実施例4のめっき用導電性基材に、実施例4と同様にめっき用導電性基材上に銅めっきを施した。   Copper plating was performed on the conductive substrate for plating of Example 4 in the same manner as in Example 4.

<基材(I)の作製>
粘着フィルム〔基材(I)〕を作製した。
すなわち、まず、主モノマーとして2−エチルヘキシルアクリレート70重量%とアクリル酸エチル20重量%を用い、官能基モノマーとしてヒドロキシエチルメタクリレート6重量%およびアクリル酸4重量部を溶液重合法で重合させてアクリル共重合体を合成した。この合成したアクリル共重合体の重量平均分子量は30万、ガラス転移点は−35℃であった。
<Preparation of substrate (I)>
An adhesive film [base material (I)] was produced.
That is, first, 70% by weight of 2-ethylhexyl acrylate and 20% by weight of ethyl acrylate are used as main monomers, and 6% by weight of hydroxyethyl methacrylate and 4 parts by weight of acrylic acid are polymerized as a functional group monomer by a solution polymerization method. A polymer was synthesized. The synthesized acrylic copolymer had a weight average molecular weight of 300,000 and a glass transition point of -35 ° C.

このアクリル共重合体100重量部に対し、多官能イソシアネート架橋剤(日本ポリウレタン工業(株)製、コロネートL)を10重量部配合し、トルエンで濃度30重量%になるように希釈して得た粘着剤溶液を、厚さ50μmの易接着層付PETフィルム(東洋紡績(株)製、コスモシャインA4100)に、乾燥時の粘着剤層厚さが10μmになるように前記粘着剤溶液を塗工し、100℃で30分間乾燥し、基材(I)を得た。基材(I)は、粘着剤層付き基材であるが、図14の支持基材21に対応する。 Obtained by blending 10 parts by weight of a polyfunctional isocyanate crosslinking agent (manufactured by Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd., Coronate L) with respect to 100 parts by weight of this acrylic copolymer and diluting with toluene to a concentration of 30% by weight. Apply the pressure-sensitive adhesive solution to a PET film with an easy-adhesion layer having a thickness of 50 μm (manufactured by Toyobo Co., Ltd., Cosmo Shine A4100) so that the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer when dried is 10 μm. And dried at 100 ° C. for 30 minutes to obtain a substrate (I). Substrate (I) is a pressure-sensitive adhesive layer-carrying substrate, which corresponds to the supporting substrate 21 in FIG. 14.

<保持用樹脂層付基材兼転写用基材の作製>
まず、主モノマーとしてアクリル酸ブチル85重量%とアクリル酸エチル10重量%を用い、官能基モノマーとしてアクリル酸−2−ヒドロキシエチル5重量部を用い、開始剤として過酸化水素を用い、乳化剤としてノニオン系界面活性剤を用い75℃で3時間乳化重合した後、水洗、乾燥し重量平均分子量80万、ガラス転移点−47℃のアクリル共重合体を得た。次いで、これをトルエンに20重量%になるように溶解し、この溶液の固形分100重量部に対し多官能イソシアネート架橋剤(日本ポリウレタン工業(株)製、コロネートL)を10重量部添加して粘着剤溶液を調整した。これをシリコーン系剥離剤が塗布されたポリエステルフィルムセパレータ(東洋紡績(株)製、商品名E−7002、厚み25μm)に、乾燥後の膜厚が25μmになるように塗布し、100℃で10分間乾燥して保持用樹脂層付きセパレータを得た。
次いで、基材(I)の粘着層と保持用樹脂層付きセパレータの保持用樹脂層が接着するように基材(I)と保持用樹脂層付きセパレータとを貼り合せ、ポリエステルフィルムセパレータのみを剥離して、保持用樹脂層付基材兼転写用基材(図13の基材20に対応)を作製した。なお、保持用樹脂層は、図13の基材22に対応する。
<Preparation of substrate with holding resin layer and substrate for transfer>
First, 85% by weight of butyl acrylate and 10% by weight of ethyl acrylate are used as main monomers, 5 parts by weight of 2-hydroxyethyl acrylate is used as a functional group monomer, hydrogen peroxide is used as an initiator, and nonion is used as an emulsifier. After emulsion polymerization at 75 ° C. for 3 hours using a surfactant, an acrylic copolymer having a weight average molecular weight of 800,000 and a glass transition point of −47 ° C. was obtained. Next, this was dissolved in toluene so as to be 20% by weight, and 10 parts by weight of a polyfunctional isocyanate crosslinking agent (manufactured by Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd., Coronate L) was added to 100 parts by weight of the solid content of this solution. A pressure-sensitive adhesive solution was prepared. This was applied to a polyester film separator (manufactured by Toyobo Co., Ltd., trade name E-7002, thickness 25 μm) coated with a silicone release agent so that the film thickness after drying was 25 μm. It was dried for a minute to obtain a separator with a retaining resin layer.
Next, the base material (I) and the separator with the retaining resin layer are bonded so that the adhesive layer of the base material (I) and the retaining resin layer of the separator with the retaining resin layer are bonded, and only the polyester film separator is peeled off. Thus, a substrate with a holding resin layer and a substrate for transfer (corresponding to the substrate 20 in FIG. 13) were produced. The holding resin layer corresponds to the base material 22 of FIG.

<めっき用導電性基材からの金属配線層の転写>
上記で金属配線層を形成しためっき用導電性基材上に保持用樹脂層付基材をその保持用樹脂層を向けて圧着した(図14(g)に対応)。次いで、保持用樹脂層付基材を剥離したところ、金属配線層は保持用樹脂層に転写されており、この時点で導体層パターン付き基材(図14(h)の導体層パターン付き基材23に対応)が得られた。金属配線層は、図14(h)の導体層19に対応する。
<Transfer of metal wiring layer from conductive substrate for plating>
The substrate with a holding resin layer was pressure-bonded onto the conductive substrate for plating on which the metal wiring layer was formed as described above (corresponding to FIG. 14G). Next, when the substrate with the holding resin layer was peeled off, the metal wiring layer was transferred to the holding resin layer. At this point, the substrate with the conductor layer pattern (the substrate with the conductor layer pattern of FIG. 23). The metal wiring layer corresponds to the conductor layer 19 in FIG.

<基材(II)の貼合>
金属配線層を形成した保持用樹脂層付基材の金属配線層および保持用樹脂層に基材(II)であるポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム(図17の24に対応)を貼り合せ、表面が保護された導体層パターン付き基材(図17の25に対応)を得た。
<基材(I)の剥離とガラス板〔基材(III)〕への貼合>
保持用樹脂層から基材(I)を剥離し、(図21(a)に対応)、得られた積層物((図21(b)に対応))の保持用樹脂層面にガラス板〔基材(III)〕に貼り合せた(図21(c)に対応)。貼り合せは、ロールラミネータを用い、ロール温度150℃、圧力0.5MPa、ラインスピード0.1m/minにて行った。ガラス板は、図21(c)の31に対応する。
<Lamination of substrate (II)>
A polyethylene terephthalate (PET) film (corresponding to 24 in FIG. 17) as a base material (II) is bonded to the metal wiring layer and the holding resin layer of the holding resin layer-formed base material on which the metal wiring layer is formed. A protected substrate with a conductor layer pattern (corresponding to 25 in FIG. 17) was obtained.
<Peeling of base material (I) and bonding to glass plate [base material (III)]>
The base material (I) is peeled from the holding resin layer (corresponding to FIG. 21 (a)), and a glass plate [base on the holding resin layer surface of the obtained laminate ((corresponding to FIG. 21 (b))). Material (III)] (corresponding to FIG. 21C). Bonding was performed using a roll laminator at a roll temperature of 150 ° C., a pressure of 0.5 MPa, and a line speed of 0.1 m / min. The glass plate corresponds to 31 in FIG.

<基材(II)の剥離>
ガラス上の保持用樹脂層から基材(II)を剥離した。金属配線層が保持用樹脂層により保持された金属配線層付ガラスを得た(図21(d)に対応)。
<金属配線層の埋設状態>
金属配線層付ガラスの断面を走査型電子顕微鏡写真(倍率2000倍)にて観察した。
任意に五カ所選択し、金属配線層の断面形状が図(b)のような形状であり、上部の上底の幅L1は15〜17μm、下底の幅L2は17〜19μm、角度αは45°、最大幅Lは19〜22μm、LとL2の差は2〜3μmで、上部層の厚みT1は2〜3μm、下部層の厚みT2は3〜4μm、全体の厚みは6〜7μm、ラインピッチ300μmの格子状金属パターンからなる金属配線層付き基材が得られていることを確認した。また、同時に図(c)に示すように、金属配線層は上部の上底の幅L1は15〜17μmだけ露出し、金属配線層の全部が保持用樹脂層に埋設されていることを確認した。
<Peeling of substrate (II)>
The substrate (II) was peeled from the holding resin layer on the glass. A glass with a metal wiring layer in which the metal wiring layer was held by the holding resin layer was obtained (corresponding to FIG. 21D).
<Embedded state of metal wiring layer>
The cross section of the glass with a metal wiring layer was observed with a scanning electron micrograph (magnification 2000 times).
5 points are selected arbitrarily, and the cross-sectional shape of the metal wiring layer is as shown in FIG. 5B. The upper upper base width L1 is 15 to 17 μm, the lower base width L2 is 17 to 19 μm, and the angle α Is 45 °, the maximum width L is 19-22 μm, the difference between L and L2 is 2-3 μm, the upper layer thickness T1 is 2-3 μm, the lower layer thickness T2 is 3-4 μm, and the overall thickness is 6-7 μm. It was confirmed that a substrate with a metal wiring layer composed of a grid-like metal pattern with a line pitch of 300 μm was obtained. At the same time as shown in FIG. 8 (c), the metal wiring layer is confirmed that the width L1 of the upper portion of the upper base is exposed only 15~17Myuemu, all of the metal wiring layer is embedded in the retaining resin layer did.

金属配線層の開口率は、84.0%であった。また、剥離転写時のめっき折れは発生しなかった。   The aperture ratio of the metal wiring layer was 84.0%. Also, no plating breakage occurred during peeling transfer.

得られた金属配線層付き基材の表面抵抗は、0.075Ω/□であった。表面抵抗は、四探針法表面抵抗測定装置ロレスターGP MCP−T600(三菱化学)製を用いて、サンプルサイズ50mm角で測定した。   The surface resistance of the obtained base material with a metal wiring layer was 0.075Ω / □. The surface resistance was measured at a sample size of 50 mm square using a four-probe method surface resistance measuring device Lorester GP MCP-T600 (Mitsubishi Chemical).

実施例4のめっき用導電性基材に、実施例4と同様にめっき用導電性基材上に銅めっきを施した。   Copper plating was performed on the conductive substrate for plating of Example 4 in the same manner as in Example 4.

<透明基材(転写用基材)の作製>
粘着剤層厚みが25μmである両面粘着フィルム(ヒタレックスDA3025、日立化成工業株式会社製)の片面からセパレータフィルムを剥離し、ガラスに貼り合せた。ラミネート条件はロール温度100℃、圧力0.3MPa、ラインスピード1.0m/minとした。その後、ガラス上に形成された粘着剤層のもう一方の面からセパレータフィルムを剥離し、粘着剤層を露出した。
<Preparation of transparent substrate (transfer substrate)>
The separator film was peeled from one side of a double-sided pressure-sensitive adhesive film (Hitalex DA3025, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) having a pressure-sensitive adhesive layer thickness of 25 μm and bonded to glass. Lamination conditions were a roll temperature of 100 ° C., a pressure of 0.3 MPa, and a line speed of 1.0 m / min. Thereafter, the separator film was peeled off from the other surface of the pressure-sensitive adhesive layer formed on the glass to expose the pressure-sensitive adhesive layer.

<転写及び埋設>
上記透明基材の粘着剤層の面と、上記めっき用導電性基材の銅めっきを施した面を、ロールラミネータを用いて貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度30℃、圧力0.3MPa、ラインスピード0.1m/minとした。次いで、透明基材に貼り合わせためっき用導電性基材を剥離したところ、上記めっき用導電性基材上に析出した銅(導体層パターン)が転写されていた。
<Transfer and embed>
The surface of the pressure-sensitive adhesive layer of the transparent substrate and the surface of the conductive substrate for plating subjected to copper plating were bonded using a roll laminator. Lamination conditions were a roll temperature of 30 ° C., a pressure of 0.3 MPa, and a line speed of 0.1 m / min. Subsequently, when the electroconductive substrate for plating bonded to the transparent substrate was peeled off, copper (conductor layer pattern) deposited on the electroconductive substrate for plating was transferred.

銅が転写された透明基材を一部分切り取り、その断面を、走査型電子顕微鏡写真(倍率2000倍)にとって、観察した。任意に五カ所選択し、導体層パターンの断面形状が図5(b)のような形状であり、上部の上底の幅L1は15〜17μm、下底の幅L2は17〜19μm、角度αは45°、最大幅Lは19〜22μm、LとL2の差は2〜3μmで、上部層の厚みT1は2〜3μm、下部層の厚みT2は3〜4μm、全体の厚みは6〜7μm、ラインピッチ300μmの格子状金属パターンからなる導体層パターン付き基材が得られていることを確認した。また、同時に図8(c)に示すように、導体層パターンの全部が、その上面が樹脂層から露出した状態で樹脂層に埋設されていることを確認した。   A part of the transparent substrate to which copper was transferred was cut out, and the cross section was observed on a scanning electron micrograph (magnification 2000 times). 5 points are selected arbitrarily, and the cross-sectional shape of the conductor layer pattern is as shown in FIG. 5B, the upper upper base width L1 is 15 to 17 μm, the lower base width L2 is 17 to 19 μm, and the angle α Is 45 °, the maximum width L is 19-22 μm, the difference between L and L2 is 2-3 μm, the upper layer thickness T1 is 2-3 μm, the lower layer thickness T2 is 3-4 μm, and the overall thickness is 6-7 μm. It was confirmed that a base material with a conductor layer pattern composed of a grid-like metal pattern having a line pitch of 300 μm was obtained. At the same time, as shown in FIG. 8C, it was confirmed that the entire conductor layer pattern was embedded in the resin layer with its upper surface exposed from the resin layer.

得られた導体層パターン付き基材の表面抵抗は、0.075Ω/□であった。表面抵抗は、四探針法表面抵抗測定装置ロレスターGP MCP−T600(三菱化学)製を用いて、サンプルサイズ50mm角で測定した。   The surface resistance of the obtained base material with a conductor layer pattern was 0.075Ω / □. The surface resistance was measured at a sample size of 50 mm square using a four-probe method surface resistance measuring device Lorester GP MCP-T600 (Mitsubishi Chemical).

65℃95%RHの加熱加湿試験1000時間後、上記2つの試験を行っても、パターン面に異常及び剥離箇所はなかった。   Even after the above two tests were conducted after 1000 hours at 65 ° C. and 95% RH in the heating and humidification test, there were no abnormalities or peeling portions on the pattern surface.

実施例4のめっき用導電性基材に、めっき厚がほぼ12μmになるまでめっきしたこと以外は実施例4と同様にめっき用導電性基材上に銅めっきを施した。   Copper plating was performed on the electroconductive substrate for plating in the same manner as in Example 4 except that the electroconductive substrate for plating of Example 4 was plated until the plating thickness became approximately 12 μm.

<透明基材の作製>
粘着剤層厚みが25μmである両面粘着フィルム(ヒタレックスDA3025、日立化成工業株式会社製)の片面からセパレータフィルムを剥離し、PETフィルム(125μm厚、A−4100、東洋紡績株式会社製)に貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度100℃、圧力0.3MPa、ラインスピード1.0m/minとした。その後、PETフィルム上に形成された粘着剤層のもう一方の面からセパレータフィルムを剥離し、粘着剤層を露出した。
<Preparation of transparent substrate>
The separator film is peeled off from one side of a double-sided adhesive film (Hitalex DA3025, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) having an adhesive layer thickness of 25 μm, and bonded to a PET film (125 μm thickness, A-4100, manufactured by Toyobo Co., Ltd.). It was. Lamination conditions were a roll temperature of 100 ° C., a pressure of 0.3 MPa, and a line speed of 1.0 m / min. Thereafter, the separator film was peeled off from the other surface of the pressure-sensitive adhesive layer formed on the PET film to expose the pressure-sensitive adhesive layer.

<転写及び埋設>
上記透明基材の粘着剤層の面と、上記めっき用導電性基材の銅めっきを施した面を、ロールラミネータを用いて貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度30℃、圧力0.3MPa、ラインスピード0.1m/minとした。次いで、めっき用導電性基材に貼り合わせた透明基材を剥離したところ、上記めっき用導電性基材上に析出した銅が透明基材の粘着剤層に転写されていた。
<Transfer and embed>
The surface of the pressure-sensitive adhesive layer of the transparent substrate and the surface of the conductive substrate for plating subjected to copper plating were bonded using a roll laminator. Lamination conditions were a roll temperature of 30 ° C., a pressure of 0.3 MPa, and a line speed of 0.1 m / min. Subsequently, when the transparent base material bonded to the conductive substrate for plating was peeled off, the copper deposited on the conductive substrate for plating was transferred to the pressure-sensitive adhesive layer of the transparent substrate.

銅が転写された透明基材を一部分切り取り、その断面を、走査型電子顕微鏡写真(倍率2000倍)にとって、観察した。任意に五カ所選択し、導体層パターンの断面形状が図5(b)のような形状であり、上部の上底の幅L1は15〜17μm、下底の幅L2は17〜19μm、角度αは45°、最大幅Lは24〜28μm、LとL2の差は8〜10μmで、上部層の厚みT1は2〜3μm、下部層の厚みT2は8〜10μm、全体の厚みは11〜13μm、ラインピッチ300μmの格子状金属パターンからなる導体層パターン付き基材が得られていることを確認した。また、同時に図8(c)に示すように、導体層パターンの全部が、その上面が樹脂層から露出した状態で樹脂層に埋設されていることを確認した。   A part of the transparent substrate to which copper was transferred was cut out, and the cross section was observed on a scanning electron micrograph (magnification 2000 times). 5 points are selected arbitrarily, and the cross-sectional shape of the conductor layer pattern is as shown in FIG. 5B, the upper upper base width L1 is 15 to 17 μm, the lower base width L2 is 17 to 19 μm, and the angle α Is 45 °, the maximum width L is 24 to 28 μm, the difference between L and L2 is 8 to 10 μm, the upper layer thickness T1 is 2 to 3 μm, the lower layer thickness T2 is 8 to 10 μm, and the total thickness is 11 to 13 μm. It was confirmed that a base material with a conductor layer pattern composed of a grid-like metal pattern having a line pitch of 300 μm was obtained. At the same time, as shown in FIG. 8C, it was confirmed that the entire conductor layer pattern was embedded in the resin layer with its upper surface exposed from the resin layer.

得られた導体層パターン付き基材の表面抵抗は、0.04Ω/□であった。表面抵抗は、四探針法表面抵抗測定装置ロレスターGP MCP−T600(三菱化学)製を用いて、サンプルサイズ50mm角で測定した。   The surface resistance of the obtained base material with a conductor layer pattern was 0.04Ω / □. The surface resistance was measured at a sample size of 50 mm square using a four-probe method surface resistance measuring device Lorester GP MCP-T600 (Mitsubishi Chemical).

65℃95%RHの加熱加湿試験1000時間後、上記2つの試験を行っても、パターン面に異常及び剥離箇所はなかった。   Even after the above two tests were conducted after 1000 hours at 65 ° C. and 95% RH in the heating and humidification test, there were no abnormalities or peeling portions on the pattern surface.

<太陽電池モジュールの作製>
太陽電池セル(株式会社アドバンテック製、単結晶Si太陽電池セル)の裏面の2本のバスバーのそれぞれに細いタブ線をはんだごてを用いてはんだ接続し、2本の細いタブ線を1本の太いタブ線(A)によりはんだごてを用いてはんだ接続した。太陽電池セルの表面(受光面)に、上記実施例8で得られた導体層パターン付き基材を導体層パターンが形成された面と太陽電池表面のフィンガー電極及びバスバーを接触させるように貼り合せた。ラミネート条件は、ロール温度100℃、圧力0.1MPa、ラインスピード0.1m/minとした。太陽電池セルに貼り合せた導体層パターン付き基材の導体層パターンに1本の太いタブ線(B)をセル端部から10mm離して貼り合せた。ラミネート条件は、ロール温度100℃、圧力0.1MPa、ラインスピード0.1m/minとした。導体層パターン付き基材の導体層パターンはタブ線(B)と接続してあるが、タブ線(A)とは接続されていない。
厚み3mm、サイズ200mm□の太陽電池用白板熱処理ガラスの上にガラスの同じサイズのエチレン酢酸ビニル共重合樹脂シート(ソーラーエバSC50B、三井化学ファブロ株式会社製)を置き、上記のタブ線が接続した太陽電池セルをセル表面がガラス側に向くように置いた。太陽電池セルの中心とガラスの中心は一致させて置き、太いタブ線(A)と太いタブ線(B)をガラスより外側に出した。太陽電池セルの上にガラスと同じサイズのエチレン酢酸ビニル共重合樹脂シート(ソーラーエバSC50B、三井化学ファブロ株式会社製)を置き、その上にガラスと同じサイズのPETフィルム(125μm厚、A−4100、東洋紡績株式会社製)を置いた。これらを真空加圧ラミネータにより0.1MPa、150℃30分間加熱加圧し、太陽電池モジュールを作製した。
<Production of solar cell module>
A thin tab wire is soldered to each of the two bus bars on the back surface of the solar cell (manufactured by Advantech, Inc., single crystal Si solar cell) using a soldering iron, and the two thin tab wires are connected to one The thick tab wire (A) was used for solder connection using a soldering iron. The substrate with the conductor layer pattern obtained in Example 8 is bonded to the surface (light-receiving surface) of the solar cell so that the surface on which the conductor layer pattern is formed and the finger electrode and bus bar on the surface of the solar cell are in contact with each other. It was. Lamination conditions were a roll temperature of 100 ° C., a pressure of 0.1 MPa, and a line speed of 0.1 m / min. One thick tab line (B) was bonded to the conductive layer pattern of the base material with the conductive layer pattern bonded to the solar battery cell with a distance of 10 mm from the end of the cell. Lamination conditions were a roll temperature of 100 ° C., a pressure of 0.1 MPa, and a line speed of 0.1 m / min. Although the conductor layer pattern of the base material with a conductor layer pattern is connected to the tab line (B), it is not connected to the tab line (A).
An ethylene vinyl acetate copolymer resin sheet (Solar Eva SC50B, manufactured by Mitsui Chemicals Fabro Co., Ltd.) having the same size as the glass was placed on a white plate heat-treated glass for solar cells having a thickness of 3 mm and a size of 200 mm □, and the above tab wires were connected. The solar battery cell was placed so that the cell surface faced the glass side. The center of the solar battery cell and the center of the glass were placed in alignment, and a thick tab line (A) and a thick tab line (B) were drawn outside the glass. An ethylene vinyl acetate copolymer resin sheet (Solar Eva SC50B, manufactured by Mitsui Chemicals Fabro Co., Ltd.) having the same size as the glass is placed on the solar cell, and a PET film (125 μm thick, A-4100 having the same size as the glass) is placed thereon. , Manufactured by Toyobo Co., Ltd.). These were heated and pressurized at 0.1 MPa and 150 ° C. for 30 minutes with a vacuum pressure laminator to produce a solar cell module.

<高温高湿試験>
太陽電池モジュールを85℃85%RHにて保管した。特性を測定する際は、85℃85%RHから取り出したモジュールを25℃60%RHにて6時間保管した後、すぐに(0時間)、さらに、85℃85%RHにて160時間保管後、280時間保管後、360時間保管後及び470時間保管後に直列抵抗の測定を行った。高温高湿試験後の特性として電気抵抗を測定した。直列抵抗の測定には、ADVANTEST製デジタルマルチメータAD7461Aを用いて、太陽電池モジュールのタブ線(A)とタブ線(B)の間の直列抵抗を2端子法で測定した。その結果を表1に示した。


<High temperature and high humidity test>
The solar cell module was stored at 85 ° C. and 85% RH. When measuring the characteristics, the module taken out from 85 ° C. and 85% RH was stored at 25 ° C. and 60% RH for 6 hours, then immediately (0 hour), and then stored at 85 ° C. and 85% RH for 160 hours. The series resistance was measured after 280 hours storage, 360 hours storage and 470 hours storage . The electrical resistance was measured as characteristics after high-temperature and high-humidity test. For the measurement of the series resistance, the series resistance between the tab wire (A) and the tab wire (B) of the solar cell module was measured by a two-terminal method using an ADVANTEST digital multimeter AD7461A. The results are shown in Table 1.


比較例1
<太陽電池モジュールの作製>
太陽電池セル(株式会社アドバンテック製、単結晶Si太陽電池セル)の裏面の2本のバスバーのそれぞれに細いタブ線をはんだごてを用いてはんだ接続し、2本の細いタブ線を1本の太いタブ線(A)によりはんだごてを用いてはんだ接続した。太陽電池セルの表面(受光面)の2本のバスバーのそれぞれに細いタブ線をはんだごてを用いてはんだ接続し、2本の細いタブ線を1本の太いタブ線(B)によりはんだごてを用いてはんだ接続した。
厚み3mm、サイズ200mm□の太陽電池用白板熱処理ガラスの上にガラスの同じサイズのエチレン酢酸ビニル共重合樹脂シート(ソーラーエバSC50B、三井化学ファブロ株式会社製)を置き、上記のタブ線が接続した太陽電池セルをセル表面がガラス側に向くように置いた。太陽電池セルの中心とガラスの中心は一致させて置き、太いタブ線(A)と太いタブ線(B)をガラスより外側に出した。太陽電池セルの上にガラスと同じサイズのエチレン酢酸ビニル共重合樹脂シート(ソーラーエバSC50B、三井化学ファブロ株式会社製)を置き、その上にガラスと同じサイズのPETフィルム(125μm厚、A−4100、東洋紡績株式会社製)を置いた。これらを真空加圧ラミネータにより0.1MPa、150℃30分間加熱加圧し、太陽電池モジュールを作製した。
<高温高湿試験>
実施例9と同様におこなった。その結果を表1に示した。
Comparative Example 1
<Production of solar cell module>
A thin tab wire is soldered to each of the two bus bars on the back surface of the solar cell (manufactured by Advantech, Inc., single crystal Si solar cell) using a soldering iron, and the two thin tab wires are connected to one The thick tab wire (A) was used for solder connection using a soldering iron. A thin tab wire is soldered to each of the two bus bars on the surface (light-receiving surface) of the solar battery cell using a soldering iron, and the two thin tab wires are soldered with one thick tab wire (B). Solder connection was used.
An ethylene vinyl acetate copolymer resin sheet (Solar Eva SC50B, manufactured by Mitsui Chemicals Fabro Co., Ltd.) having the same size as the glass was placed on a white plate heat-treated glass for solar cells having a thickness of 3 mm and a size of 200 mm □, and the above tab wires were connected. The solar battery cell was placed so that the cell surface faced the glass side. The center of the solar battery cell and the center of the glass were placed in alignment, and a thick tab line (A) and a thick tab line (B) were drawn outside the glass. An ethylene vinyl acetate copolymer resin sheet (Solar Eva SC50B, manufactured by Mitsui Chemicals Fabro Co., Ltd.) having the same size as the glass is placed on the solar cell, and a PET film (125 μm thick, A-4100 having the same size as the glass) is placed thereon. , Manufactured by Toyobo Co., Ltd.). These were heated and pressurized at 0.1 MPa and 150 ° C. for 30 minutes with a vacuum pressure laminator to produce a solar cell module.
<High temperature and high humidity test>
The same operation as in Example 9 was performed. The results are shown in Table 1.

実施例9及び比較例1の太陽電池用モジュールの高温高湿試験結果を表1に示す。

Figure 0005370752
各試験時間における比較例1での抵抗値に対する実施例9での抵抗の比(Rt)を求め、0hrにおける比較例1での抵抗値に対する実施例9での抵抗の比(R0)からの変化率(抵抗率の変化率、Rt/R0)も示した。85℃85%RHにて470hr保管しても、保管開始前の直列抵抗と比べて0.4%増加しただけであった。
実施例9において、85℃85%RHにて470hr保管しても、保管開始直後(0時間)の直列抵抗と比べて0.4%増加しただけであった。 Table 1 shows the results of the high-temperature and high-humidity test of the solar cell modules of Example 9 and Comparative Example 1.
Figure 0005370752
The ratio (Rt) of the resistance in Example 9 to the resistance value in Comparative Example 1 at each test time was obtained, and the change from the ratio (R0) of resistance in Example 9 to the resistance value in Comparative Example 1 at 0 hr. The rate (rate of change in resistivity, Rt / R0) is also shown. Even when stored at 85 ° C. and 85% RH for 470 hours, it increased only by 0.4% compared to the series resistance before the start of storage.
In Example 9, even when stored at 85 ° C. and 85% RH for 470 hours, it increased only by 0.4% compared to the series resistance immediately after the start of storage (0 hour).

1:導体層パターン付基材
2:支持基材
3:樹脂層
4:基材
5:導体層
6:上部
7:下部
8:肩部
11:めっき用導電性基材
12:導電性基材
13:絶縁層
14:凹部
15:感光性レジスト層(感光性樹脂層)
16:突起部
17:DLC膜
18:中間層
19:導体層
20:転写用基材
21:支持基材
22:樹脂層(粘着剤層)
23:導体層パターン付き基材
24:保護層(保護基材)
25:表面保護された導体層パターン付き基材
26:導体層パターン付き基材(少なくとも最大幅部分埋設)
27:導体層パターン付き樹脂層
28:透明導電膜
29:表面に透明導電膜を有する導体層パターン付き基材
30:支持基材21が剥離された表面保護された導体層パターン付き基材
31:新しい支持基材
32:保護基材を有する新しい導体層パターン付き基材
33:上面は樹脂層から露出している導体層が積層された導体層パターン付き基材
34:粘着剤層
35:上面は樹脂層22から露出している導体層が積層された導体層パターン付き基材
40:太陽電池要素
41:単結晶n型シリコン
42:i型アモルファスシリコン
43:p型アモルファスシリコン
44:n型アモルファスシリコン
45:透明導電膜
47:金属膜
52:透明なエチレン−ビニルアセテート共重合体
53:バックシート
55:取出電極
56:p型アモルファスシリコンゲルマニウム
57:i型アモルファスシリコンゲルマニウム
58:n型アモルファスシリコンゲルマニウム
59:ポリイミドフィルム
60:背面電極
61、62:スルホール
64:バッファ
65:半導体のCIGS光吸収層
66:パターン化されたモリブデン裏面電極
67:取出電極
68:ガラス板
100:電解浴
101:電解液
102:陽極
103:回転体
104:配管
105:ポンプ
106:金属
107:フィルム
108:圧着ロール
109:導体層パターン付き基材
110:フープ状の導電性基材
111〜128:搬送ロール
129:前処理槽
130:めっき槽(電解浴槽)
131:水洗槽
132:黒化処理槽
133:水洗槽
134:防錆処理槽
135:水洗槽
136:プラスチックフィルム基材(接着フィルム)
137:圧着ロール
138:導体層パターン付き基材
1: Substrate with conductor layer pattern 2: Support base material 3: Resin layer 4: Base material 5: Conductive layer 6: Upper part 7: Lower part 8: Shoulder part 11: Conductive base material for plating 12: Conductive base material 13 : Insulating layer 14: Concave portion 15: Photosensitive resist layer (photosensitive resin layer)
16: Protrusion 17: DLC film 18: Intermediate layer 19: Conductive layer 20: Transfer base material 21: Support base material 22: Resin layer (adhesive layer)
23: Substrate with conductor layer pattern 24: Protective layer (protective substrate)
25: Substrate with a conductor layer pattern whose surface is protected 26: Substrate with a conductor layer pattern (at least part of the maximum width embedded)
27: Resin layer with a conductor layer pattern 28: Transparent conductive film 29: Substrate with a conductor layer pattern having a transparent conductive film on the surface 30: Substrate with a conductor layer pattern with a surface protection from which the support substrate 21 is peeled 31: New support base material 32: Base material with a new conductor layer pattern 33 having a protective base material 33: Upper surface is a base material with a conductor layer pattern in which a conductor layer exposed from the resin layer is laminated 34: Adhesive layer 35: Upper surface is Conductive layer patterned base material on which conductive layers exposed from the resin layer 22 are laminated 40: solar cell element 41: single crystal n-type silicon 42: i-type amorphous silicon 43: p-type amorphous silicon 44: n-type amorphous silicon 45: Transparent conductive film 47: Metal film 52: Transparent ethylene-vinyl acetate copolymer 53: Back sheet 55: Extraction electrode 56: P-type amol Fast silicon germanium 57: i-type amorphous silicon germanium 58: n-type amorphous silicon germanium 59: polyimide film 60: back electrode 61, 62: through hole 64: buffer 65: CIGS light absorption layer of semiconductor 66: patterned molybdenum back electrode 67: Extraction electrode 68: Glass plate 100: Electrolytic bath 101: Electrolytic solution 102: Anode 103: Rotating body 104: Piping 105: Pump 106: Metal 107: Film 108: Crimp roll 109: Substrate with conductor layer pattern 110: Hoop Conductive substrate 111-128: transport roll 129: pretreatment tank 130: plating tank (electrolytic bath)
131: Washing tank 132: Blackening treatment tank 133: Washing tank 134: Rust prevention tank 135: Washing tank 136: Plastic film substrate (adhesive film)
137: Crimp roll 138: Substrate with conductor layer pattern

Claims (18)

樹脂層を含む基材に導体層のパターンが積層されている導体層パターン付き基材であって、上記導体層の断面形状が、台形状の部分(台形形状部)とこの部分に連続しており、この部分より広い幅の部分(最大幅の部分)からなる導体層のパターンであって、上記導体層は、少なくとも上記台形状の上面又は上記台形状の一部が樹脂層からは露出し、少なくとも台形状の部分に連続した台形状の部分より広い幅の部分(最大幅の部分から下の部分が上記基材の樹脂層に埋設されてなる導体層パターン付き基材。 A substrate with a conductor layer pattern in which a pattern of a conductor layer is laminated on a substrate including a resin layer, and the cross-sectional shape of the conductor layer is continuous with a trapezoidal portion (trapezoidal shape portion) and this portion. A pattern of a conductor layer comprising a portion wider than this portion (maximum width portion) , wherein at least the trapezoidal upper surface or part of the trapezoidal shape is exposed from the resin layer. A base material with a conductor layer pattern, wherein at least a lower part from a part ( maximum width part ) wider than a trapezoidal part continuous to a trapezoidal part is embedded in the resin layer of the base material. 導体層が、断面形状の台形形状部の一部が露出している請求項1に記載の導体層パターン付き基材。   The base material with a conductor layer pattern according to claim 1, wherein a part of the trapezoidal portion having a cross-sectional shape is exposed in the conductor layer. 導体層が、断面形状の台形形状部の側面の全部及び上面の一部までが樹脂層に被覆されている請求項1に記載の導体層パターン付き基材。   The base material with a conductor layer pattern according to claim 1, wherein the conductor layer is covered with a resin layer on the entire side surface and part of the upper surface of the trapezoidal shape section having a cross-sectional shape. 上記導体層の断面形状の台形形状部の側面の角度が30°以上80°以下の範囲である請求項1〜3のいずれかに記載の導体層パターン付き基材。   The base material with a conductor layer pattern according to any one of claims 1 to 3, wherein an angle of a side surface of the trapezoidal shape portion having a cross-sectional shape of the conductor layer is in a range of 30 ° to 80 °. 上記導体層の厚さが0.1〜30μmの範囲である請求項1〜4のいずれかに記載の導体層パターン付き基材。   The substrate with a conductor layer pattern according to any one of claims 1 to 4, wherein the conductor layer has a thickness in the range of 0.1 to 30 µm. 導体層のパターンの台形形状の上辺の幅が、0.1〜40μmの範囲である請求項1〜5のいずれかに記載の導体層パターン付き基材。 The base material with a conductor layer pattern according to claim 1, wherein the width of the upper side of the trapezoidal shape of the conductor layer pattern is in the range of 0.1 to 40 μm. 樹脂層を含む基材が、耐熱性透明基材上に樹脂層を積層してなるものである請求項1〜6のいずれかに記載の導体層パターン付き基材。   The substrate with a conductor layer pattern according to any one of claims 1 to 6, wherein the substrate including the resin layer is formed by laminating a resin layer on a heat-resistant transparent substrate. 耐熱性透明基材がガラス板である請求項7に記載の導体層パターン付き基材。   The substrate with a conductor layer pattern according to claim 7, wherein the heat-resistant transparent substrate is a glass plate. 樹脂層を含む基材が、透明プラスチックフィルム上に樹脂層を積層してなるものである請求項1〜6のいずれかに記載の導体層パターン付き基材。   The substrate with a conductor layer pattern according to any one of claims 1 to 6, wherein the substrate including the resin layer is formed by laminating a resin layer on a transparent plastic film. 請求項1〜9のいずれかに記載の導体層パターン付き基材の導体層が露出している面に表面保護用の基材又は樹脂を積層してなる表面保護された導体層パターン付き基材。   A substrate with a surface-protected conductor layer pattern obtained by laminating a substrate for surface protection or a resin on the surface of the substrate with a conductor layer pattern according to any one of claims 1 to 9, wherein the conductor layer is exposed. . (A)導電性基材の表面に絶縁層が形成されており、その絶縁層に開口方向に向かって幅広となった、めっきを形成するための凹部のパターンが形成されているめっき用導電性基材に、その凹部からはみ出るようにめっきして断面形状が台形状の部分とこの部分に連続しており、この部分より広い幅の部分からなる導体層のパターンを形成する導体層作製工程
及び
(B)上記導電性基材の凹部に析出した導体層のパターンを、表面に樹脂層を有する基材に転写する転写工程
を含み、上記の転写工程において又は転写工程後で、上記導体層の少なくとも上記断面形状が台形状の上面の一部又は上記断面形状の台形状の一部を樹脂層からは露出させながら、上記導体層の少なくとも台形状の部分に連続した台形状の部分より広い幅の部分(最大幅の部分から下の部分を上記基材の樹脂層に埋設させることを特徴とする導体層パターン付き基材の製造法。
(A) An insulating layer is formed on the surface of the conductive base material, and a conductive pattern for plating in which a concave pattern for forming plating is formed on the insulating layer and becomes wider in the opening direction. the substrate, by plating so as to extend to the outside of the concave portion of that is continuous to the portion and the portion of the cross-sectional shape trapezoidal conductor layer fabricated to form a pattern of the conductor layer composed of a portion of the width wider than the portion And (B) a transfer step of transferring the pattern of the conductor layer deposited on the concave portion of the conductive base material to a base material having a resin layer on the surface, and in the transfer step or after the transfer step, the conductor From a trapezoidal portion continuous to at least the trapezoidal portion of the conductor layer while exposing at least a part of the upper surface of the trapezoidal shape of the layer or a part of the trapezoidal shape of the sectional shape from the resin layer. wide width of a portion (maximum width Preparation of conductive layers patterned substrate for causing embedded in the resin layer of the base material portion of the bottom portion).
樹脂層の樹脂が硬化性樹脂であり、導体層パターンを表面に樹脂層を有する基材に転写した後、表面に樹脂層を有する基材の樹脂層に導体層が少なくともその断面形状の台形状の一部が埋設されている状態で樹脂層の少なくとも表面を硬化させる請求項11に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。 Resin of the resin layer is a curable resin, the conductive layer pattern, after transferring the substrate having a resin layer on the surface, the conductor layer on the resin layer of the substrate having a resin layer on the surface of at least a cross-sectional shape base The manufacturing method of the base material with a conductor layer pattern of Claim 11 which hardens at least the surface of a resin layer in the state by which a part of shape was embed | buried. (A)導電性基材の表面に絶縁層が形成されており、その絶縁層に開口方向に向かって幅広となった、めっきを形成するための凹部のパターンが形成されているめっき用導電性基材に、その凹部からはみ出るようにめっきして断面形状が台形状の部分とこの部分に連続しており、この部分より広い幅の部分からなる導体層パターンを形成する導体層作製工程、
(B)上記導電性基材の凹部に析出した導体層パターンを表面に粘着樹脂層を有する基材(I)に転写する工程
及び
(C)得られた導体層パターン付き基材の導体層が露出している面に基材(II)を積層する工程を含み、
上記の転写の工程において又は転写工程後で、上記導体層パターンの少なくとも上記断面形状が台形状の上面の一部又は上記断面形状の台形状の一部を粘着樹脂層からは露出させながら、上記導体層パターンの少なくとも台形状の部分に連続した台形状の部分より広い幅の部分(最大幅の部分から下の部分を上記基材(I)の粘着樹脂層に埋設させることを特徴とする表面保護された導体層パターン付き基材の製造法。
(A) An insulating layer is formed on the surface of the conductive base material, and a conductive pattern for plating in which a concave pattern for forming plating is formed on the insulating layer and becomes wider in the opening direction. the substrate, by plating so as to extend to the outside of the concave portion of that is continuous to the portion and the portion of the cross-sectional shape trapezoidal, conductive layer fabrication process for forming a conductor layer pattern composed of a part of the width wider than the portion ,
(B) a step of transferring the conductor layer pattern deposited on the concave portion of the conductive substrate to the substrate (I) having an adhesive resin layer on the surface, and (C) the conductor layer of the obtained substrate with the conductor layer pattern Laminating the substrate (II) on the exposed surface,
In the above transfer step or after the transfer step, at least the cross-sectional shape of the conductor layer pattern is part of the trapezoidal top surface or part of the cross-sectional shape trapezoidal shape is exposed from the adhesive resin layer. A lower portion from a portion ( maximum width portion ) having a width wider than a trapezoidal portion continuous to at least the trapezoidal portion of the conductor layer pattern is embedded in the adhesive resin layer of the substrate (I). A method for producing a surface-protected substrate with a conductor layer pattern.
請求項13記載の表面保護された導体層パターン付き基材の製造法の工程を全て行った後、得られた表面保護された導体層パターン付き基材の基材(I)を剥離しながら若しくは剥離した後、露出させた粘着樹脂層に基材(III)を積層する工程を含む表面保護された導体層パターン付き基材の製造法。   After carrying out all the steps of the method for producing a substrate with a surface-protected conductor layer pattern according to claim 13, while peeling the substrate (I) of the obtained substrate with a surface-protected conductor layer pattern or A method for producing a surface-protected substrate with a conductor layer pattern comprising a step of laminating a substrate (III) on an exposed adhesive resin layer after peeling. 基材(III)が耐熱透明性基材である請求項14記載の導体層パターン付き基材の製造法。   The method for producing a substrate with a conductor layer pattern according to claim 14, wherein the substrate (III) is a heat-resistant transparent substrate. 耐熱透明性基材が、ガラス板である請求項15記載の導体層パターン付き基材の製造法。   The method for producing a substrate with a conductor layer pattern according to claim 15, wherein the heat-resistant transparent substrate is a glass plate. 請求項1〜10のいずれかに記載の導体層パターン付き基材からなる電磁波遮蔽部材。   The electromagnetic wave shielding member which consists of a base material with a conductor layer pattern in any one of Claims 1-10. 請求項17記載の電磁波遮蔽部材を透明基板に貼りあわせてなる電磁波遮蔽板。   An electromagnetic wave shielding plate obtained by bonding the electromagnetic wave shielding member according to claim 17 to a transparent substrate.
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