JP2012033704A - Electromagnetic wave shield method of electronic component using electromagnetic wave shield film for electronic component - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electromagnetic wave shield method of an electronic component using an electromagnetic wave shield film which is easily connected with a ground pattern, allows visual confirmation of the inside after being stuck and is excellent in shielding property and durability.SOLUTION: The electromagnetic wave shield method of an electronic component is for blocking electromagnetic waves by covering the surface of the electronic component mounted inside an electronic apparatus with an electromagnetic wave shield film. For the electromagnetic wave shield film, a conductor layer having a numerical aperture of 30% or higher is formed on an adhesive resin layer, and the conductor layer is embedded in the resin layer so as to expose the surface of at least a part of the conductor layer. The surface where the conductor layer is formed of the electromagnetic wave shield film is directly stuck to the ground pattern.

Description

本発明は、電子機器の内部に実装した電子部品を被い、電磁波を遮蔽する、透光性、粘着性を有する、電磁波シールドフィルムを用いた電子部品の電磁波シールド方法に関する。   The present invention relates to an electromagnetic wave shielding method for an electronic component using an electromagnetic wave shielding film that covers an electronic component mounted inside an electronic device and shields an electromagnetic wave and has translucency and adhesiveness.

従来より、携帯電話機やデジタルカメラなどの電子機器の内部に実装した特定のLSI(集積回路)等の電子部品を被い、電磁波を遮蔽する電磁波シールドフィルムがある(特許文献1)。該電磁波シールドフィルムは、例えば、樹脂フィルムの表面に金属箔の融着やめっき、金属薄膜の蒸着、等により金属層を形成してなる。そして、該金属層によって電磁波を吸収・反射することにより、電子機器内部の他の部品から発生する電磁波や外部からの電磁波による誤動作を防止することができる。また、逆に、電子機器内部の他の部品に電磁波の影響を与えず、外部への電磁波の漏洩を防止することができる。   Conventionally, there is an electromagnetic wave shielding film that shields electromagnetic waves by covering an electronic component such as a specific LSI (integrated circuit) mounted inside an electronic device such as a mobile phone or a digital camera (Patent Document 1). The electromagnetic wave shielding film is formed, for example, by forming a metal layer on the surface of a resin film by fusion or plating of a metal foil, vapor deposition of a metal thin film, or the like. And by absorbing and reflecting electromagnetic waves by the metal layer, it is possible to prevent malfunctions caused by electromagnetic waves generated from other components inside the electronic device and electromagnetic waves from the outside. On the contrary, leakage of electromagnetic waves to the outside can be prevented without affecting other components inside the electronic device.

特開2003−60387号公報JP 2003-60387 A

電子機器における電子部品の高集積化、コンパクト化に伴い、電子部品から発生する電磁波量も多くなっている。このような状況の中で、電磁波を効率よく遮蔽するためには、グランドパターンに接続する必要がある。電磁波シールド層をグランドパターンに接続するためには、例えば、導電性ペースト材料、導電性テープ、はんだ接続、異方導電性フィルム等が別途必要となり、材料コスト、プロセスコストが高くなってしまう。さらに、導電性フィルム表面に絶縁コーティングをしたり、フィルムを貼り合せる様な構成では、導電性部分を露出させるために、表面の一部分をマスキングしてコーティングしたり、スクリーン印刷等で、位置合わせをして、コーティングされない部分を形成する必要があり材料コスト、プロセスコストがさらに高くなってしまう。   As electronic parts are highly integrated and compact in electronic devices, the amount of electromagnetic waves generated from the electronic parts is also increasing. In such a situation, it is necessary to connect to a ground pattern in order to shield electromagnetic waves efficiently. In order to connect the electromagnetic wave shielding layer to the ground pattern, for example, a conductive paste material, a conductive tape, a solder connection, an anisotropic conductive film, and the like are separately required, resulting in an increase in material cost and process cost. In addition, in the configuration where the surface of the conductive film is insulated or the film is pasted, in order to expose the conductive part, masking a part of the surface, coating, screen printing, etc. Therefore, it is necessary to form a part that is not coated, which further increases the material cost and the process cost.

また、従来の導電性フィルムは、不透明であるため、貼り合わせた後に、フィルム内部を確認することが困難である。したがって、フィルムを貼り合わせた後には、チップ等にマーキングされたロットナンバー(lot No.)等を確認することができないことがある。また、導通検査等で異常があった場合に、異常個所を特定するために、導電性フィルムを剥がさなければならないことがあった。   Moreover, since the conventional conductive film is opaque, it is difficult to confirm the inside of a film after bonding. Therefore, after the films are bonded, the lot number (lot No.) etc. marked on the chip or the like may not be confirmed. In addition, when there is an abnormality in the continuity test or the like, the conductive film may have to be peeled off in order to identify the abnormal part.

本発明は、かかる従来の問題点に鑑みてなされたもので、グランドパターンとの接続が容易で、貼り合わせた後の内部を目視で確認でき、シールド性及び耐久性に優れた、電磁波シールドフィルムを用いた電子部品の電磁波シールド方法を提供するものである。   The present invention has been made in view of such conventional problems, and can be easily connected to a ground pattern. The electromagnetic wave shielding film can be visually confirmed after bonding and has excellent shielding properties and durability. The present invention provides an electromagnetic wave shielding method for an electronic component using the above.

本発明は、次のものに関する。
1. 電子機器内に実装された電子部品の表面を電磁波シールドフィルムで被覆して電磁波を遮蔽する電子部品の電磁波シールド方法であって、該電磁波シールドフィルムが、粘着性を有する樹脂層上に、30%以上の開口率を有する導体層が形成され、その樹脂層に、導体層の少なくとも一部の表面が露出するように導体層が埋設された電磁波シールドフィルムの導体層が形成された面をグランドパターンに貼り合わせることを特徴とする電磁波シールド方法。
2. 粘着性を有する樹脂層に導体層の少なくとも一部の表面が露出するように埋設され形成された導体層の断面形状が、断面形状全体又は断面形状の上部が台形状であって、前記導体層は、少なくとも上面又は前記台形状の一部が樹脂層から露出し、その他の部分が樹脂層に埋設されている上記1に記載の電磁波シールド方法。
3. 上記導体層の断面形状の台形形状部の高さが0.1〜10μm、側面の角度が30°以上、80°以下の範囲である上記1または2に記載の電磁波シールド方法。
4. 導体層の断面形状が、台形形状部の上部とこの部分に連続しこの部分より幅広で下側に湾曲した半円形部を有する下部を有し、導体層は、少なくともその上部表面の一部が樹脂層からは露出し、少なくとも最大幅の部分から下の部分が樹脂層に埋設されている上記1〜3のいずれかに記載の電磁波シールド方法。
5. 導体層の最大幅(L)に対する最大幅より上部の導体層の厚み(T2)の割合(T2/L)が0.01〜2の範囲である上記1〜4のいずれかに記載の電磁波シールド方法。
6. 導体層の厚さが0.1〜100μm、幅が1〜50μmの範囲である上記1〜5のいずれかに記載の電磁波シールド方法。
7. 樹脂層の厚さが0.5〜100μmの範囲である上記1〜6のいずれかに記載の電磁波シールド方法。
8. 上記1〜7のいずれかに記載の電磁波シールド方法において、電磁波シールドフィルムの導体層のパターンが形成された面に、さらに、少なくとも一部パターンが露出するように絶縁材料を形成した電磁波シールド方法。
The present invention relates to the following.
1. An electromagnetic wave shielding method for an electronic component in which the surface of an electronic component mounted in an electronic device is covered with an electromagnetic wave shielding film to shield the electromagnetic wave, and the electromagnetic wave shielding film is 30% on an adhesive resin layer. The conductor layer of the electromagnetic wave shielding film in which the conductor layer having the above opening ratio is formed and the conductor layer is embedded in the resin layer so that at least a part of the surface of the conductor layer is exposed is the ground pattern. An electromagnetic wave shielding method, characterized by being bonded to a substrate.
2. The conductor layer embedded and formed so that at least a part of the surface of the conductor layer is exposed in the adhesive resin layer has an overall cross-sectional shape or a trapezoidal upper part of the cross-sectional shape, and the conductor layer The electromagnetic wave shielding method according to 1 above, wherein at least a part of the upper surface or the trapezoidal shape is exposed from the resin layer, and the other part is embedded in the resin layer.
3. 3. The electromagnetic wave shielding method according to 1 or 2 above, wherein the height of the trapezoidal portion having a cross-sectional shape of the conductor layer is 0.1 to 10 μm and the side surface angle is in the range of 30 ° to 80 °.
4). The cross-sectional shape of the conductor layer has an upper part of the trapezoidal shape part and a lower part having a semicircular part that is continuous with this part and is wider than this part and curved downward, and the conductor layer has at least a part of its upper surface. 4. The electromagnetic wave shielding method according to any one of the above 1 to 3, wherein the electromagnetic wave shielding method is exposed from the resin layer and at least a portion below the maximum width is embedded in the resin layer.
5. The electromagnetic wave shield according to any one of 1 to 4 above, wherein the ratio (T2 / L) of the thickness (T2) of the conductor layer above the maximum width to the maximum width (L) of the conductor layer is in the range of 0.01 to 2. Method.
6). 6. The electromagnetic wave shielding method according to any one of 1 to 5, wherein the conductor layer has a thickness of 0.1 to 100 μm and a width of 1 to 50 μm.
7). 7. The electromagnetic wave shielding method according to any one of 1 to 6, wherein the resin layer has a thickness in the range of 0.5 to 100 μm.
8). 8. The electromagnetic wave shielding method according to any one of 1 to 7, wherein an insulating material is further formed on the surface of the electromagnetic wave shielding film on which the pattern of the conductor layer is formed so that at least a part of the pattern is exposed.

本発明によれば、樹脂層上に、開口率の高い導電層の導電性回路パターンを直接形成することで、導電性回路パターンを形成した面をそのまま、グランドパターンに貼り合わせることができる。したがって、導電性回路パターンは、グランドパターンと接触することで、電気的に接続することが可能であり、また、導電性回路パターンの開口部に露出している樹脂層で、グランドパターンとの密着力を確保することができる。これにより、グランドパターンへの密着と電気的接続を、同時にすることができるため、接続するための他の材料や、それを形成するための工程が不要となる。また、樹脂層が粘着層であれば、室温もしくは100℃以下の温度で、容易に圧着することができる。   According to the present invention, by directly forming the conductive circuit pattern of the conductive layer having a high aperture ratio on the resin layer, the surface on which the conductive circuit pattern is formed can be bonded to the ground pattern as it is. Therefore, the conductive circuit pattern can be electrically connected by being in contact with the ground pattern, and the resin layer exposed at the opening of the conductive circuit pattern is in close contact with the ground pattern. Power can be secured. As a result, the close contact with the ground pattern and the electrical connection can be made at the same time, so that no other material for the connection and a process for forming it are unnecessary. If the resin layer is an adhesive layer, it can be easily pressure-bonded at room temperature or at a temperature of 100 ° C. or lower.

また、本発明による電磁波シールド方法では、30%以上の開口率を有し透明性を有しているため、それを剥がすことなく、例えば、部品にマーキング等で記載されているロットナンバー(lot No.)を確認することが可能である。また、導通検査等で異常が発生した場合に、電磁波シールドフィルムを剥がすことなく、異常個所を確認することができる。   Further, in the electromagnetic wave shielding method according to the present invention, since it has an aperture ratio of 30% or more and has transparency, for example, a lot number (lot No.) described by marking or the like on a part is not removed. .) Can be confirmed. In addition, when an abnormality occurs in a continuity test or the like, the abnormal part can be confirmed without removing the electromagnetic shielding film.

本発明の電子機器内に実装された電子部品の表面を電磁波シールドフィルムの導体層が形成された面を電子部品のグランドパターンに貼り合わせた断面の模式図。The schematic diagram of the cross section which bonded together the surface in which the conductor layer of the electromagnetic wave shielding film was formed on the surface of the electronic component mounted in the electronic device of this invention to the ground pattern of the electronic component. 図1において電磁波シールドフィルムの導体層のパターンが形成された面に、電子部品のグランドパターンの部分が露出するように絶縁材料を形成した電磁波シールドフィルムを用いて、電子部品のグランドパターンに貼り合わせた断面の模式図。In FIG. 1, an electromagnetic wave shielding film in which an insulating material is formed on the surface of the electromagnetic wave shielding film on which the conductor layer pattern is formed is exposed and bonded to the ground pattern of the electronic component. FIG. 導体層パターンの一部を切り取った斜視図。The perspective view which cut off some conductor layer patterns. 図3(b)に示す導体層の幅方向の断面図。Sectional drawing of the width direction of the conductor layer shown in FIG.3 (b). 図3(b)に示す導体層の幅方向の他の例の断面図。Sectional drawing of the other example of the width direction of the conductor layer shown in FIG.3 (b). 導体層の幅方向の断面図。Sectional drawing of the width direction of a conductor layer. 導体層の幅方向の断面図。Sectional drawing of the width direction of a conductor layer. 導体層が樹脂層に埋設されている状態を示す部分断面図。The fragmentary sectional view which shows the state by which the conductor layer is embed | buried under the resin layer. 導体層が樹脂層に埋設されている状態を示す部分断面図。The fragmentary sectional view which shows the state by which the conductor layer is embed | buried under the resin layer. めっき用導電性基材の一例を示す斜視図。The perspective view which shows an example of the electroconductive base material for plating. 図10のA−A断面図。AA sectional drawing of FIG. めっき用導電性基材の製造方法を示す工程の一例を示す断面図。Sectional drawing which shows an example of the process which shows the manufacturing method of the electroconductive base material for plating. 導体層パターン付基材の一例を示す部分切り取り斜視図。The partial cutaway perspective view which shows an example of a base material with a conductor layer pattern. 導体層パターン付基材の作製例の後半を示す断面図。Sectional drawing which shows the second half of the preparation examples of the base material with a conductor layer pattern.

本発明の電磁波シールドフィルムを用いた電子部品の電磁波シールド方法の例を、図1、2に示す。
図1は、粘着性を有する樹脂層上に、30%以上の開口率を有する導体層が形成され、その樹脂層に、導体層の少なくとも一部の表面が露出するように導体層が埋設された電磁波シールドフィルムを用いて、電子機器内に実装された電子部品の表面を電磁波シールドフィルムの導体層が形成された面を電子部品のグランドパターンに貼り合わせた断面の模式図である。図2は、電磁波シールドフィルムの導体層のパターンが形成された面に、電子部品のグランドパターンの部分が露出するように絶縁材料を形成した電磁波シールドフィルムを用いて、電子部品のグランドパターンに貼り合わせた断面の模式図である。
電磁波シールド層で電磁波を吸収する場合は、電磁波シールド層とグランド電位を有する電気部材との接続が必要である。フィルム基材上に粘着層が形成され、粘着層上に開口部を有する導体層の少なくとも一部の表面が露出するように導体層が埋設された導体パターンが形成されている。上記パターンが形成された面をそのまま、電子部品を覆うように貼りあわせ、グランドパターンと接続してもよいし(図1)、グランドパターンと接続する部分だけ導体層を露出させ、それ以外の部分を、樹脂でコーティングしたり、フィルムを貼りあわせたりするなど、絶縁層を形成した後に、同様にしてグランドパターンと接続してもよい(図2)。
An example of an electromagnetic wave shielding method for electronic parts using the electromagnetic wave shielding film of the present invention is shown in FIGS.
In FIG. 1, a conductive layer having an opening ratio of 30% or more is formed on a resin layer having adhesiveness, and the conductive layer is embedded in the resin layer so that at least a part of the surface of the conductive layer is exposed. It is the schematic diagram of the cross section which bonded the surface in which the conductor layer of the electromagnetic wave shielding film was formed on the surface of the electronic component mounted in the electronic device to the ground pattern of the electronic component using the electromagnetic wave shielding film. FIG. 2 shows an electromagnetic wave shielding film in which an insulating material is formed so that the ground pattern portion of the electronic component is exposed on the surface of the electromagnetic wave shielding film on which the conductor layer pattern is formed. It is a schematic diagram of a combined cross section.
When the electromagnetic wave is absorbed by the electromagnetic wave shielding layer, it is necessary to connect the electromagnetic wave shielding layer and an electric member having a ground potential. An adhesive layer is formed on the film substrate, and a conductor pattern in which the conductor layer is embedded is formed so that at least a part of the surface of the conductor layer having an opening is exposed on the adhesive layer. The surface on which the pattern is formed may be bonded as it is so as to cover the electronic component and connected to the ground pattern (FIG. 1), or the conductor layer is exposed only at the portion connected to the ground pattern, and the other portions May be connected to the ground pattern in the same manner after an insulating layer is formed, such as by coating with a resin or attaching a film (FIG. 2).

グランドパターンとの接続は、例えば、グランドパターンと貼り合わされた部分を、ヘッドで圧着するような方式が好ましいが、樹脂層が粘着性を有するので簡単に貼り合わせることができるのでこれに制限するものではない。ヘッドの温度は常温(20℃)から100℃程度が好ましく、常温から50℃程度の範囲であることが特に好ましい。電磁波シールドフィルムは、粘着性を有しているので、ヘッドの温度が常温でも貼り合せることは可能であるが、温度をかけて貼りあわせた方が、初期の密着力が高くなる。また、圧着温度が高すぎると、粘着剤の流動が大きくなり、パターンが断線するおそれがある。   For the connection with the ground pattern, for example, a method in which the portion bonded to the ground pattern is pressure-bonded with a head is preferable, but the resin layer has adhesiveness and can be easily bonded, so this is limited to this. is not. The temperature of the head is preferably from room temperature (20 ° C.) to about 100 ° C., particularly preferably from room temperature to about 50 ° C. Since the electromagnetic wave shielding film has adhesiveness, it can be bonded even when the temperature of the head is normal temperature, but the initial adhesion becomes higher when the film is bonded at a higher temperature. On the other hand, when the pressure bonding temperature is too high, the flow of the pressure-sensitive adhesive increases and the pattern may be disconnected.

本発明に係る電磁波シールドフィルムは、粘着性を有する樹脂層上に、30%以上の開口率を有する導体層が形成された導体層パターン付き基材であり、導体層パターン付き基材は、樹脂層を含む基材及び導体層を含み、基材の表面に導体層がパターン状に配置されている。
図13は、本発明に係る導体層パターン付基材の一例を示す部分切り取り斜視図(模式図)である。導体層パターン付基材50は、支持基材51上に樹脂層52を有する基材53の表面に導体層54が埋設されている。
The electromagnetic wave shielding film according to the present invention is a substrate with a conductor layer pattern in which a conductor layer having an opening ratio of 30% or more is formed on an adhesive resin layer. A substrate including a layer and a conductor layer are included, and the conductor layer is arranged in a pattern on the surface of the substrate.
FIG. 13 is a partially cutaway perspective view (schematic diagram) showing an example of a conductor layer patterned substrate according to the present invention. In the substrate 50 with a conductor layer pattern, a conductor layer 54 is embedded on the surface of a substrate 53 having a resin layer 52 on a support substrate 51.

基材53は、電子部品等への導体層パターン付基材の適用を考慮すると透明のものが好ましい。このとき、本発明に係る導体層パターン付基材(電磁波シールドフィルム)は、特に可視領域で透明性を有することが好ましく、一般に全光線透過率が90%以上のものが好ましい。
上記基材は、その表面のうち導体層を埋設する側に導体層を埋設するための樹脂層を有する。
この樹脂層は、熱可塑性樹脂でもよいが、硬化性樹脂であってもよく、貼付け性のため粘着性を有する。粘着性は、常温では、粘着性がなく温度を上げることにより粘着性を発現するものでもよい。硬化性樹脂は硬化させてあってもそうでなくてもよく、樹脂の硬化は、導体層パターン付基材を使用に供してから行ってもよい。
また、この樹脂層は、支持基材上に積層されていることが好ましいが、樹脂層だけで基材を構成していてもよい。
The substrate 53 is preferably transparent in consideration of application of the substrate with a conductor layer pattern to an electronic component or the like. At this time, the substrate with a conductor layer pattern (electromagnetic wave shielding film) according to the present invention preferably has transparency particularly in the visible region, and generally has a total light transmittance of 90% or more.
The base material has a resin layer for embedding the conductor layer on the side of the surface where the conductor layer is embedded.
The resin layer may be a thermoplastic resin, but may be a curable resin, and has adhesiveness for sticking property. The tackiness may be one that develops tackiness by raising the temperature without tackiness at normal temperature. The curable resin may or may not be cured, and the resin may be cured after using the substrate with a conductor layer pattern.
Moreover, it is preferable that this resin layer is laminated | stacked on the support base material, However, You may comprise the base material only with the resin layer.

支持基材としては、プラスチック等からなる板、プラスチックフィルム、プラスチックシートなどがある。
プラスチックとしては、ポリスチレン樹脂、アクリル樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂などの熱可塑性ポリエステル樹脂、酢酸セルロース樹脂、フッ素樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリメチルペンテン樹脂、ポリウレタン樹脂、フタル酸ジアリル樹脂などの熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂が挙げられる。プラスチックの中では、透明性に優れるポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリル樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂が好適に用いられる。
Examples of the supporting substrate include a plate made of plastic, a plastic film, a plastic sheet, and the like.
Plastics include polystyrene resin, acrylic resin, polymethyl methacrylate resin, polycarbonate resin, polyvinyl chloride resin, polyvinylidene chloride resin, polyethylene resin, polypropylene resin, polyamide resin, polyamideimide resin, polyetherimide resin, polyetheretherketone Resin, polyarylate resin, polyacetal resin, polybutylene terephthalate resin, thermoplastic polyester resin such as polyethylene terephthalate resin, cellulose acetate resin, fluororesin, polysulfone resin, polyethersulfone resin, polymethylpentene resin, polyurethane resin, diallyl phthalate Examples thereof include thermoplastic resins such as resins and thermosetting resins. Among plastics, polyethylene terephthalate resin, polystyrene resin, acrylic resin, polymethyl methacrylate resin, polycarbonate resin, and polyvinyl chloride resin, which are excellent in transparency, are preferably used.

支持基材としては、プラスチックフィルムが好ましい。このプラスチックフィルムとしては、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレートなどのポリエステル類、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、EVAなどのポリオレフィン類、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデンなどのビニル系樹脂、ポリサルホン、ポリエーテルサルホン、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリイミド、アクリル樹脂などのプラスチックからなるフィルムで全可視光透過率が70%以上のものが好ましい。これらは単層で使うこともできるが、2層以上を組合せた多層フィルムとして使用してもよい。前記プラスチックフィルムのうち透明性、耐熱性、取り扱いやすさ、価格の点からポリエチレンテレフタレートフィルムまたはポリカーボネートフィルムが特に好ましい。
上記プラスチックフィルムの厚さは特に制限はないが、1mm以下のものが好ましく、厚すぎると可視光透過率が低下しやすくなる傾向がある。また、薄く成りすぎると取扱い性が悪くなることを勘案すると、上記プラスチックフィルムの厚さは5〜500μmがより好ましく、50〜200μmとすることがさらに好ましい。
これらのプラスチックフィルム等の基材は、電子機器内に実装された電子部品からの電磁波の漏洩を防ぐための電磁波シールドフィルムなどとして使用するためには、透明であるもの(すなわち、透明基材)が好ましい。
As the support substrate, a plastic film is preferable. The plastic film includes polyesters such as polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate, polyolefins such as polyethylene, polypropylene, polystyrene, and EVA, vinyl resins such as polyvinyl chloride and polyvinylidene chloride, polysulfone, and polyethersulfone. A film made of plastic such as phon, polycarbonate, polyamide, polyimide, acrylic resin, etc., having a total visible light transmittance of 70% or more is preferable. These can be used as a single layer, but may be used as a multilayer film in which two or more layers are combined. Among the plastic films, a polyethylene terephthalate film or a polycarbonate film is particularly preferable from the viewpoints of transparency, heat resistance, ease of handling, and cost.
Although there is no restriction | limiting in particular in the thickness of the said plastic film, The thing of 1 mm or less is preferable, and when it is too thick, there exists a tendency for visible light transmittance | permeability to fall easily. In consideration of the fact that if the film is too thin, the handleability deteriorates, the thickness of the plastic film is more preferably 5 to 500 μm, and further preferably 50 to 200 μm.
These base materials such as plastic films are transparent for use as electromagnetic wave shielding films for preventing leakage of electromagnetic waves from electronic components mounted in electronic devices (that is, transparent base materials). Is preferred.

樹脂層を形成するための樹脂としては、前記の通り、熱可塑性樹脂又は硬化性樹脂が使用される。
上記の熱可塑性樹脂として代表的なものとして以下のものがあげられる。たとえば天然ゴム、ポリイソプレン、ポリ−1,2−ブタジエン、ポリイソブテン、ポリブテン、ポリ−2−ヘプチル−1,3−ブタジエン、ポリ−2−t−ブチル−1,3−ブタジエン、ポリ−1,3−ブタジエン)などの(ジ)エン類、ポリオキシエチレン、ポリオキシプロピレン、ポリビニルエチルエーテル、ポリビニルヘキシルエーテル、ポリビニルブチルエーテルなどのポリエーテル類、ポリビニルアセテート、ポリビニルプロピオネートなどのポリエステル類、ポリウレタン、エチルセルロース、ポリ塩化ビニル、ポリアクリロニトリル、ポリメタクリロニトリル、ポリスルホン、ポリスルフィド、フェノキシ樹脂、ポリエチルアクリレート、ポリブチルアクリレート、ポリ−2−エチルヘキシルアクリレート、ポリ−t−ブチルアクリレート、ポリ−3−エトキシプロピルアクリレート)、ポリオキシカルボニルテトラメタクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリイソプロピルメタクリレート、ポリドデシルメタクリレート、ポリテトラデシルメタクリレート、ポリ−n−プロピルメタクリレート、ポリ−3,3,5−トリメチルシクロヘキシルメタクリレート、ポリエチルメタクリレート、ポリ−2−ニトロ−2−メチルプロピルメタクリレート、ポリ−1,1−ジエチルプロピルメタクリレート、ポリメチルメタクリレートなどのポリ(メタ)アクリル酸エステル、熱可塑性ポリエステル樹脂、熱可塑性ポリアミド樹脂などが使用可能である。これらのポリマを構成するモノマーは、必要に応じて、2種以上共重合させて得られるコポリマとして用いてもよいし、以上のポリマ又はコポリマを2種類以上ブレンドして使用することも可能である。
As the resin for forming the resin layer, a thermoplastic resin or a curable resin is used as described above.
Typical examples of the thermoplastic resin include the following. For example, natural rubber, polyisoprene, poly-1,2-butadiene, polyisobutene, polybutene, poly-2-heptyl-1,3-butadiene, poly-2-t-butyl-1,3-butadiene, poly-1,3 -Dienes such as butadiene), polyethers such as polyoxyethylene, polyoxypropylene, polyvinyl ethyl ether, polyvinyl hexyl ether and polyvinyl butyl ether, polyesters such as polyvinyl acetate and polyvinyl propionate, polyurethane, ethyl cellulose , Polyvinyl chloride, polyacrylonitrile, polymethacrylonitrile, polysulfone, polysulfide, phenoxy resin, polyethyl acrylate, polybutyl acrylate, poly-2-ethylhexyl acrylate, poly-t-butyl Acrylate, poly-3-ethoxypropyl acrylate), polyoxycarbonyl tetramethacrylate, polymethyl acrylate, polyisopropyl methacrylate, polydodecyl methacrylate, polytetradecyl methacrylate, poly-n-propyl methacrylate, poly-3,3,5-trimethyl Poly (meth) acrylates such as cyclohexyl methacrylate, polyethyl methacrylate, poly-2-nitro-2-methylpropyl methacrylate, poly-1,1-diethylpropyl methacrylate, polymethyl methacrylate, thermoplastic polyester resins, thermoplastic polyamides Resin etc. can be used. The monomers constituting these polymers may be used as a copolymer obtained by copolymerization of two or more, if necessary, or may be used by blending two or more of the above polymers or copolymers. .

前記硬化性樹脂のうち、活性エネルギー線で硬化する樹脂としては、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂等をベースポリマとし、各々にラジカル重合性あるいはカチオン重合性官能基を付与させた材料が例示できる。ラジカル重合性官能基として、アクリル基(アクリロイル基)、メタクリル基(メタクリロイル基)、ビニル基、アリル基などの炭素−炭素二重結合があり、反応性の良好なアクリル基(アクリロイル基)が好適に用いられる。カチオン重合性官能基としては、エポキシ基(グリシジルエーテル基、グリシジルアミン基)が代表的であり、高反応性の脂環エポキシ基が好適に用いられる。具体的な材料としては、アクリルウレタン、エポキシ(メタ)アクリレート、エポキシ変性ポリブタジエン、エポキシ変性ポリエステル、ポリブタジエン(メタ)アクリレート、アクリル変性ポリエステル等が挙げられる。活性エネルギー線としては、紫外線、電子線等が利用される。
活性エネルギー線が紫外線の場合、紫外線硬化時に添加される光増感剤あるいは光開始剤としては、ベンゾフェノン系、アントラキノン系、ベンゾイン系、スルホニウム塩、ジアゾニウム塩、オニウム塩、ハロニウム塩等の公知の材料を使用することができる。また、上記の材料の他に汎用の熱可塑性樹脂をブレンドしても良い。
Among the curable resins, as a resin curable by active energy rays, a material in which an acrylic resin, an epoxy resin, a polyester resin, a urethane resin, or the like is used as a base polymer and a radically polymerizable or cationically polymerizable functional group is added to each of them is used. Can be illustrated. As the radical polymerizable functional group, there are carbon-carbon double bonds such as an acrylic group (acryloyl group), a methacryl group (methacryloyl group), a vinyl group, and an allyl group, and a highly reactive acrylic group (acryloyl group) is preferable. Used for. As the cationically polymerizable functional group, an epoxy group (glycidyl ether group, glycidylamine group) is representative, and a highly reactive alicyclic epoxy group is preferably used. Specific materials include acrylic urethane, epoxy (meth) acrylate, epoxy-modified polybutadiene, epoxy-modified polyester, polybutadiene (meth) acrylate, and acrylic-modified polyester. As the active energy rays, ultraviolet rays, electron beams and the like are used.
When the active energy ray is ultraviolet, photosensitizers or photoinitiators added at the time of ultraviolet curing include known materials such as benzophenone, anthraquinone, benzoin, sulfonium salt, diazonium salt, onium salt, and halonium salt. Can be used. In addition to the above materials, a general-purpose thermoplastic resin may be blended.

また、前記硬化性樹脂のうち、熱硬化性樹脂としては、天然ゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、ポリイソブチレン、ブチルゴム、ハロゲン化ブチル、アクリロニトリル−ブタジエンゴム、スチレン−ブタジエンゴム、ポリイソブテン、カルボキシゴム、ネオプレン、ポリブタジエン等の樹脂と架橋剤としての硫黄、アニリンホルムアルデヒド樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂、フェノールホルムアルデヒド樹脂、リグリン樹脂、キシレンホルムアルデヒド樹脂、キシレンホルムアルデヒド樹脂、メラミンホルムアルデヒド樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、アニリン樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、ホルマリン樹脂、金属酸化物、金属塩化物、オキシム、アルキルフェノール樹脂等の組み合わせで用いられるものがある。なおこれらには、架橋反応速度を増加する目的で、汎用の加硫促進剤等の添加剤を使用することもできる。   Among the curable resins, thermosetting resins include natural rubber, isoprene rubber, chloroprene rubber, polyisobutylene, butyl rubber, halogenated butyl, acrylonitrile-butadiene rubber, styrene-butadiene rubber, polyisobutene, carboxy rubber, and neoprene. Sulfur, aniline formaldehyde resin, urea formaldehyde resin, phenol formaldehyde resin, ligrin resin, xylene formaldehyde resin, xylene formaldehyde resin, melamine formaldehyde resin, epoxy resin, urea resin, aniline resin, melamine resin , Phenol resins, formalin resins, metal oxides, metal chlorides, oximes, alkylphenol resins, and the like. In addition, for these purposes, additives such as general-purpose vulcanization accelerators can be used for the purpose of increasing the crosslinking reaction rate.

熱硬化性樹脂として、硬化剤を利用するものとしては、カルボキシル基、水酸基、エポキシ基、アミノ基、不飽和炭化水素基等の官能基を有する樹脂とエポキシ基、水酸基、アミノ基、アミド基、カルボキシル基、チオール基等の官能基を有する硬化剤あるいは金属塩化物、イソシアネート、酸無水物、金属酸化物、過酸化物等の硬化剤との組み合わせで用いられるものがある。なお、硬化反応速度を増加する目的で、汎用の触媒等の添加剤を使用することもできる。具体的には、硬化性アクリル樹脂組成物、不飽和ポリエステル樹脂組成物、ジアリルフタレート樹脂、エポキシ樹脂組成物、ポリウレタン樹脂組成物等が例示される。   As a thermosetting resin, those using a curing agent include a resin having a functional group such as a carboxyl group, a hydroxyl group, an epoxy group, an amino group, an unsaturated hydrocarbon group, an epoxy group, a hydroxyl group, an amino group, an amide group, Some are used in combination with a curing agent having a functional group such as a carboxyl group or a thiol group, or a curing agent such as a metal chloride, isocyanate, acid anhydride, metal oxide, or peroxide. In addition, for the purpose of increasing the curing reaction rate, additives such as general-purpose catalysts can be used. Specific examples include curable acrylic resin compositions, unsaturated polyester resin compositions, diallyl phthalate resins, epoxy resin compositions, polyurethane resin compositions, and the like.

さらに、熱硬化性樹脂又は活性エネルギー線で硬化する樹脂としては、アクリル酸又はメタクリル酸の付加物が好ましいものとして例示できる。
アクリル酸又はメタクリル酸の付加物としては、エポキシアクリレート、ウレタンアクリレート、ポリエーテルアクリレート、ポリエステルアクリレートなども使うこともできる。特に接着性の点から、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、ポリエーテルアクリレートが優れており、エポキシアクリレートとしては、1,6−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、アリルアルコールジグリシジルエーテル、レゾルシノールジグリシジルエーテル、アジピン酸ジグリシジルエステル、フタル酸ジグリシジルエステル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、グリセリントリグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールテトラグリシジルエーテル、ソルビトールテトラグリシジルエーテル等の(メタ)アクリル酸付加物が挙げられる。エポキシアクリレートなどのように分子内に水酸基を有するポリマは接着性向上に有効である。これらの共重合樹脂は必要に応じて、2種以上併用することができる。
Furthermore, as a thermosetting resin or a resin curable with active energy rays, an adduct of acrylic acid or methacrylic acid can be exemplified as a preferable one.
As an adduct of acrylic acid or methacrylic acid, epoxy acrylate, urethane acrylate, polyether acrylate, polyester acrylate, or the like can also be used. In particular, urethane acrylate, epoxy acrylate, and polyether acrylate are excellent from the viewpoint of adhesiveness. As the epoxy acrylate, 1,6-hexanediol diglycidyl ether, neopentyl glycol diglycidyl ether, allyl alcohol diglycidyl ether, resorcinol (Meth) acrylic such as diglycidyl ether, adipic acid diglycidyl ester, phthalic acid diglycidyl ester, polyethylene glycol diglycidyl ether, trimethylolpropane triglycidyl ether, glycerin triglycidyl ether, pentaerythritol tetraglycidyl ether, sorbitol tetraglycidyl ether An acid adduct is mentioned. A polymer having a hydroxyl group in the molecule, such as epoxy acrylate, is effective in improving adhesion. These copolymer resins can be used in combination of two or more as required.

なお、熱硬化性樹脂又は活性エネルギー線で硬化する樹脂には、汎用の熱可塑性樹脂がブレンドされていてもよい。
また、樹脂層には、可塑剤、酸化防止剤、充填剤、着色剤、紫外線吸収剤などの添加剤が配合されていてもよい。
前記樹脂層の厚さは、少なくとも、導体層を埋設させる厚さよりも厚いことが必要である。より確実に導体層を樹脂中に埋没させるためには、樹脂層の厚さは、導体層を埋設させる厚さの1.5倍以上であることがさらに好ましい。また、樹脂層の厚さは、0.5μm以上、100μm以下が好ましい。必要以上に厚くしても無駄になるだけある。
Note that a general-purpose thermoplastic resin may be blended with the thermosetting resin or the resin curable with active energy rays.
Moreover, additives, such as a plasticizer, antioxidant, a filler, a coloring agent, and an ultraviolet absorber, may be mix | blended with the resin layer.
The thickness of the resin layer needs to be at least thicker than the thickness in which the conductor layer is embedded. In order to bury the conductor layer in the resin more reliably, the thickness of the resin layer is more preferably 1.5 times or more the thickness of burying the conductor layer. Further, the thickness of the resin layer is preferably 0.5 μm or more and 100 μm or less. It is useless even if it is thicker than necessary.

導体層のパターンとしては、種々のものが可能であるが、具体的な用途により適宜選択される。導体層のパターンとして、導体層自体は線状又は平面的に広がりのある形状であって、導体層自体が、平面形状として、正三角形、二等辺三角形、直角三角形などの三角形、正方形、長方形、ひし形、平行四辺形、台形などの四角形、(正)六角形、(正)八角形、(正)十二角形、(正)二十角形などの(正)n角形(nは3以上の整数)、円、だ円、星型などの幾何学図形のものであっても、また、導体層により、特に、線状その他の形状の導体層により、正三角形、二等辺三角形、直角三角形などの三角形、正方形、長方形、ひし形、平行四辺形、台形などの四角形、(正)六角形、(正)八角形、(正)十二角形、(正)二十角形などの(正)n角形(nは3以上の整数)、円、だ円、星型などの幾何学図形又はこれらを適宜組み合わせた模様を描くようにしてもよい(たとえば、平面上の導体層にこれらの図形の穴を開けたような形状であってもよい)。これらの単位は、単独で又は2種類以上組み合わせて繰り返されることが可能である。また、導体層のパターンは、メッシュ状のパターン、ストライプ状のパターン、櫛状のパターンが好ましい。   Various patterns can be used for the conductor layer, but the pattern is appropriately selected depending on the specific application. As a pattern of the conductor layer, the conductor layer itself has a linear or planar shape, and the conductor layer itself has a planar shape such as a triangle such as an equilateral triangle, an isosceles triangle, a right triangle, a square, a rectangle, Rectangles such as rhombuses, parallelograms, trapezoids, (positive) hexagons, (positive) octagons, (positive) dodecagons, (positive) dodecagons, etc. (positive) n-gons (n is an integer greater than or equal to 3) ), Geometric shapes such as circles, ellipses, stars, etc., and with conductor layers, in particular with linear or other shape conductor layers, equilateral triangles, isosceles triangles, right triangles, etc. Triangles, squares, rectangles, rhombuses, parallelograms, trapezoids, and other quadrangles, (positive) hexagons, (positive) octagons, (positive) dodecagons, (positive) n-gons ( n is an integer greater than or equal to 3), geometric figures such as circles, ellipses, and stars, or any combination of these It may be set to draw a pattern was (e.g., may be shaped as a hole of these shapes to the conductor layer on the plane). These units can be repeated alone or in combination of two or more. Moreover, the pattern of the conductor layer is preferably a mesh pattern, a stripe pattern, or a comb pattern.

導体層のライン間隔は、50μm〜4000μmの範囲とすることが好ましい。ライン間隔が小さ過ぎると開口部の面積が小さくなるため、粘着剤の露出面積が小さくなり、密着性が低下しやすくなる。一方、ライン間隔が大き過ぎると、光透過性は向上するものの、電磁波シールド性が低下する傾向にある。導体層のライン間隔は100μm〜4000μmがより好ましく、200〜2000μmがさらに好ましく、250〜1000μmが特に好ましい。
なお、ライン間隔は、導体層パターンが導体層で囲まれる幾何学図形等の組合せで複雑となる場合には、繰り返し単位を基準として、その面積を正方形の面積に換算してその一辺の長さをライン間隔とする。
The line spacing of the conductor layer is preferably in the range of 50 μm to 4000 μm. If the line interval is too small, the area of the opening is reduced, and therefore the exposed area of the adhesive is reduced, and the adhesiveness is likely to be lowered. On the other hand, when the line interval is too large, the light transmission property is improved, but the electromagnetic wave shielding property tends to be lowered. The line spacing of the conductor layer is more preferably 100 μm to 4000 μm, further preferably 200 to 2000 μm, and particularly preferably 250 to 1000 μm.
When the conductor layer pattern is complicated by a combination of geometric figures surrounded by the conductor layer, the line spacing is converted into a square area based on the repeat unit, and the length of one side Is the line spacing.

本発明における導体層の一例である導体層(A)は、断面形状が台形状のもの又は断面形状が台形状の上部とこれに連続した下部からなる。図面を用いて説明する。図3は、導体層20のパターンの一部を切り取った斜視図である。図3(a)は、断面形状が台形状の導体層パターンであり、図3(b)は、断面形状が上部の台形状部分とこの部分に連続しており、この部分より幅広の部分からなる半円形状部分からなる導体層のパターンである。
図4は、図3(b)に示す導体層20の幅方向の断面図であり、断面が台形状の上部21とこの上部に連続しており、この上部より幅広な半円形状の下部22からなり、台形状部分の底辺と半円形状部分の半円形の弦の一部分で一体となっている。図3(b)及び図4において、下部は断面形状が半円形であるが、これにかぎらない。図3(b)及び図4に示されるような場合には、下部22の半円形状部分の台形状部分の下底から突出したような肩部23は、一つの特徴となりうる。なお、上記の半円形とは、必ずしも真円を切り取った形だけでなく、楕円又は楕円や真円を変形させたような形状を切り取ったものを包含する。例えば、図5(図3(b)に示す導体層の幅方向の断面図の他の例)の(a)、(b)又は(c)であらわされるような形状であってもよい。
また、図3及び図4において、下部の最大幅(したがって導体層パターンの最大幅)は、平面部にそってあるが、肩部より下部に最大幅が存在する形状であってもよい。
さらに、導体層パターンは、その横断面において、前記したような上部に対し連続している下部が、上部の最大幅よりも狭い最大幅を有するものであってもよい。また、下部の断面形状が矩形状であってもよい。
The conductor layer (A), which is an example of the conductor layer in the present invention, has a trapezoidal cross section or an upper part having a trapezoidal cross section and a lower part continuous thereto. This will be described with reference to the drawings. FIG. 3 is a perspective view in which a part of the pattern of the conductor layer 20 is cut out. FIG. 3A shows a conductor layer pattern having a trapezoidal cross-sectional shape, and FIG. 3B shows that the cross-sectional shape is continuous with the upper trapezoidal portion and this portion, and from a portion wider than this portion. It is the pattern of the conductor layer which consists of a semicircle-shaped part which becomes.
FIG. 4 is a cross-sectional view in the width direction of the conductor layer 20 shown in FIG. 3B. The cross section is continuous with the trapezoidal upper part 21 and the upper part, and the semicircular lower part 22 wider than the upper part. The base of the trapezoidal part and the part of the semicircular string of the semicircular part are integrated. In FIGS. 3B and 4, the lower part has a semicircular cross-sectional shape, but this is not restrictive. In the case as shown in FIG. 3B and FIG. 4, the shoulder portion 23 protruding from the lower base of the trapezoidal portion of the semicircular portion of the lower portion 22 can be one feature. In addition, said semicircle does not necessarily include not only the shape which cut off the perfect circle but the thing which cut off the shape which deform | transformed the ellipse or the ellipse or the perfect circle. For example, it may have a shape represented by (a), (b), or (c) in FIG. 5 (another example of a cross-sectional view in the width direction of the conductor layer shown in FIG. 3B).
3 and 4, the maximum width of the lower portion (and hence the maximum width of the conductor layer pattern) is along the plane portion, but it may be a shape having the maximum width below the shoulder portion.
Furthermore, the conductor layer pattern may have a maximum width narrower than the maximum width of the upper portion of the conductor layer pattern. The lower cross-sectional shape may be rectangular.

導体層パターンの寸法として、導体層パターン全体の厚さは0.1〜100μmであることが好ましい。1μm未満では、十分に低い抵抗を得ることが困難となる傾向があり、100μmを超えると、抵抗はほとんど変化しないため、材料費、工程時間が増え、コスト的に不利になる。また、以上を考慮して0.5〜30μmであることがより好ましく、3〜15μmの範囲であることがさらに好ましい。
また、導体層パターンの最大幅は、開口率を30%以上とすることや電磁波遮蔽性を考慮し、1〜50μmであることが好ましい。導体層パターンの幅が狭すぎると電磁波シールド性が低下する傾向があり、広すぎると可視光透過率が低下する。また、以上を考慮して、幅を5〜30μmとすることがさらに好ましい。
As a dimension of the conductor layer pattern, the thickness of the entire conductor layer pattern is preferably 0.1 to 100 μm. If the thickness is less than 1 μm, it tends to be difficult to obtain a sufficiently low resistance. If the thickness exceeds 100 μm, the resistance hardly changes. Therefore, material costs and process time increase, which is disadvantageous in terms of cost. In consideration of the above, it is more preferably 0.5 to 30 μm, and further preferably 3 to 15 μm.
In addition, the maximum width of the conductor layer pattern is preferably 1 to 50 μm in consideration of an aperture ratio of 30% or more and electromagnetic wave shielding properties. If the width of the conductor layer pattern is too narrow, the electromagnetic shielding property tends to be lowered, and if it is too wide, the visible light transmittance is lowered. In consideration of the above, the width is more preferably 5 to 30 μm.

導体層(A)の寸法を、図面を用いてさらに説明する。
図6は、導体層の横断面図を示す。図6(a)は台形状であり、図6(b)は、上部の台形状部分とこの台形状部分より幅広な半円形状部分(下部)が一体となったものである。両者において、上面幅(台形状の上辺の長さ)L1、導体層パターンの断面形状における最大幅Lは、それぞれ次のようにすることが好ましい。
The dimension of a conductor layer (A) is further demonstrated using drawing.
FIG. 6 shows a cross-sectional view of the conductor layer. 6A shows a trapezoidal shape, and FIG. 6B shows an upper trapezoidal part and a semicircular part (lower part) wider than the trapezoidal part. In both cases, it is preferable that the upper surface width (length of the upper side of the trapezoidal shape) L1 and the maximum width L in the cross-sectional shape of the conductor layer pattern are as follows.

導体層の厚さ(T)は、前記の通りである。
図6(b)における形状である場合、台形状部分(上部)の厚さT1と半円形状部分(下部)の厚さT2の合計厚さTが2〜100μmの範囲となっていることが好ましく、T1とT2の値にそれ以上の制限はないが、樹脂層と導体層パターンとの密着性をより高めるためには、T2が0.5μm以上であることが好ましく、1μm以上であることがさらに好ましい。
The thickness (T) of the conductor layer is as described above.
In the case of the shape in FIG. 6B, the total thickness T of the trapezoidal portion (upper part) thickness T1 and the semicircular part (lower part) thickness T2 is in the range of 2 to 100 μm. Preferably, there is no further limitation on the values of T1 and T2, but in order to further improve the adhesion between the resin layer and the conductor layer pattern, T2 is preferably 0.5 μm or more, and is 1 μm or more. Is more preferable.

また、導体層の最大幅Lは、前記した導体層の幅(L)のとおりである。図6(b)における形状である場合、上部台形状部分の上辺の幅L1と下辺の幅L2は、最大幅Lが上記の範囲となり、後述するように、台形状部分の側辺の角度が後記する条件を満たせば、その幅に特に制約はない。下部が完全に埋没し、樹脂層が肩部及び上部の一部を被覆するようになると、導体層と樹脂層の密着性が向上することになるが、この観点からは、最大幅Lと上部の台形状部分の下辺の幅L2の差は、1μm以上であることが好ましい。また、図6の(a)又は(b)における形状である場合、L1は後記する製法上、1μm以上とすることが好ましい。   The maximum width L of the conductor layer is the same as the width (L) of the conductor layer described above. In the case of the shape in FIG. 6 (b), the maximum width L of the upper side width L1 and the lower side width L2 of the upper trapezoidal part is in the above range, and the angle of the side of the trapezoidal part is as described later. If the conditions described later are satisfied, the width is not particularly limited. When the lower part is completely buried and the resin layer covers the shoulder and part of the upper part, the adhesion between the conductor layer and the resin layer is improved. From this point of view, the maximum width L and the upper part are improved. The difference in the width L2 of the lower side of the trapezoidal portion is preferably 1 μm or more. Moreover, when it is the shape in (a) or (b) of FIG. 6, it is preferable that L1 shall be 1 micrometer or more on the manufacturing method mentioned later.

また、導体層の断面形状が台形の部分は、その幅が、上面に向かって全体として狭まっていればよい。上記図面のように勾配αで一定勾配で狭まっている必要は必ずしもなく、上面に向かって広がっておらず全体として狭まっていればよい。特に、側面が上面に対して垂直となっている部分がないようにすることが好ましい。   Moreover, the width | variety of the part whose cross-sectional shape of a conductor layer is trapezoid should just narrow as a whole toward an upper surface. It does not necessarily have to be narrowed at a constant gradient α as in the above-mentioned drawing, and it is sufficient that it does not spread toward the upper surface but narrows as a whole. In particular, it is preferable that there are no portions whose side surfaces are perpendicular to the top surface.

前記の導体層の断面形状が台形状の部分に相当する側面は、必ずしも平面ではない。この場合には、図7にその導体層の横断面図を示すように、前記の勾配αは、台形の高さhと台形の側辺の幅s(水平方向で台形の側辺の幅方向)を求め、式(1)   The side surface corresponding to the trapezoidal section of the conductor layer is not necessarily a flat surface. In this case, as shown in the cross-sectional view of the conductor layer in FIG. 7, the gradient α has a trapezoidal height h and a trapezoid side width s (horizontal direction of the trapezoid side width direction). ) And formula (1)

Figure 2012033704
によってαを決定する。
αは、角度で30度以上、90度未満が好ましく、30度以上、80度以下がより好ましく、30度以上、60度以下がさらに好ましく、40度以上、60度以下が特に好ましい。
Figure 2012033704
Determines α.
α is preferably 30 ° or more and less than 90 °, more preferably 30 ° or more and 80 ° or less, still more preferably 30 ° or more and 60 ° or less, and particularly preferably 40 ° or more and 60 ° or less.

前記図6において、T2とLは、T2/L=0.01〜2であることが好ましい。
これにより、導体層は、幅方向へのめっきの広がりよりも、厚み方向への広がりが大きく、厚み方向に異方的にめっきが生長するので、表面抵抗を上昇させることなく、ライン幅を微細化することができ、このような導体層を有する導体層パターン付き基材は、透明性と低抵抗の両立を高いレベルで実現可能である。特に、ライン幅が30μm以下の微細パターンにおいて、上記効果は顕著である。めっきが厚み方向に異方的に生長すると、等方的に生長した場合に比較して、断面形状が円形状に近づく。したがって、このような導体層を有する導体層付きパターン基材は、ラインを転写する際の応力によるラインの折れが改善され、抵抗の低下や外観の異常をより良く抑制することができる。特に、めっき厚が薄くなるほど、この効果は、顕著となってくる。
In FIG. 6, T2 and L are preferably T2 / L = 0.01-2.
As a result, the conductor layer has a larger spread in the thickness direction than the spread in the width direction, and the plating grows anisotropically in the thickness direction, so that the line width is reduced without increasing the surface resistance. The base material with a conductor layer pattern having such a conductor layer can realize both transparency and low resistance at a high level. In particular, the effect is remarkable in a fine pattern having a line width of 30 μm or less. When the plating grows anisotropically in the thickness direction, the cross-sectional shape approaches a circular shape as compared with the case where the plating grows isotropically. Therefore, the pattern base material with a conductor layer having such a conductor layer can improve the folding of the line due to the stress when transferring the line, and can more effectively suppress the decrease in resistance and the appearance abnormality. In particular, this effect becomes more remarkable as the plating thickness is reduced.

本発明における、導体層は、少なくとも上面が露出した状態で全体又は一部が樹脂層に埋設されていることが好ましい。これにより、アンカー効果が発現するので導体層パターンの樹脂層への密着性が向上する。
図8及び図9に、導体層が樹脂層に埋設されている状態を示す部分断面図を示した。
図8(a)では、断面形状が台形状の導体層20が一部、樹脂層24に埋設されている状態を示し、図8(b)は、上面が樹脂層24からは露出しながら導体層20全体が樹脂層24に埋設されている状態を示す。図9(a)は、断面が上部の台形状部分21とこの上部より幅広な下部の半円形部分22が、台形状部分21の台形状の底辺と半円形部分22の半円形の弦の一部分で一体となっている導体層の下部の半円形部分22全体(深さ方向で)が樹脂層24に埋設されている状態(肩部23が露出している)を示す。図9(b)は、同様の導体層が上部の台形状部分21の上面を含む一部が樹脂層24からは露出した状態で樹脂層24に埋設されている状態を示す。また、図9(c)は、同様の導体層が上部の台形状部分21の上面のみ樹脂層24からは露出した状態で樹脂層24に埋設されている状態を示す。これらの何れの場合も導体層の最大幅の部分は、樹脂層24に埋設されている。
また、図8(b)又は図9(c)の状態において、さらに、樹脂層24が、導体層20又は上部の台形状部分21の上面の一部を被さるようにして被覆していてもよい。
In the present invention, the conductor layer is preferably entirely or partially embedded in the resin layer with at least the upper surface exposed. Thereby, since the anchor effect appears, the adhesiveness to the resin layer of a conductor layer pattern improves.
8 and 9 are partial cross-sectional views showing a state where the conductor layer is embedded in the resin layer.
8A shows a state in which a part of the trapezoidal conductor layer 20 is embedded in the resin layer 24, and FIG. 8B shows the conductor while the upper surface is exposed from the resin layer 24. FIG. The state in which the entire layer 20 is embedded in the resin layer 24 is shown. FIG. 9A shows a trapezoidal portion 21 having an upper cross-section and a lower semicircular portion 22 wider than the upper portion, and a trapezoidal base of the trapezoidal portion 21 and a part of a semicircular chord of the semicircular portion 22. The state where the whole semicircular portion 22 (in the depth direction) of the lower part of the conductor layer integrated with is embedded in the resin layer 24 (the shoulder portion 23 is exposed) is shown. FIG. 9B shows a state in which a similar conductor layer is embedded in the resin layer 24 in a state where a part including the upper surface of the upper trapezoidal portion 21 is exposed from the resin layer 24. FIG. 9C shows a state in which a similar conductor layer is embedded in the resin layer 24 in a state where only the upper surface of the upper trapezoidal portion 21 is exposed from the resin layer 24. In any of these cases, the maximum width portion of the conductor layer is embedded in the resin layer 24.
Further, in the state of FIG. 8B or FIG. 9C, the resin layer 24 may be further covered so as to cover a part of the upper surface of the conductor layer 20 or the upper trapezoidal portion 21. .

本発明で用いる導体層パターン付き基材の製造法について、以下に説明する。
本発明に係る導体層パターン付き基材は、(I)めっき用導電性基材上に導体層をめっきにより形成する導体層作製工程を行い、(II)その後、めっき用導電性基材上に形成された導体層を樹脂層を含む適当な基材に転写する転写工程、及び(III)場合により、さらに、該基材を別の基材に交換する工程を含む方法により作製される。樹脂層に導体層を埋設する工程は、前記の転写工程において行われるか又は転写工程の後に行われる。
The manufacturing method of the base material with a conductor layer pattern used by this invention is demonstrated below.
The base material with a conductor layer pattern according to the present invention performs (I) a conductor layer preparation step in which a conductor layer is formed by plating on a conductive base material for plating, and (II) then, on the conductive base material for plating. It is produced by a method including a transfer step of transferring the formed conductor layer to a suitable base material including a resin layer, and (III), in some cases, a step of replacing the base material with another base material. The step of embedding the conductor layer in the resin layer is performed in the transfer step or after the transfer step.

めっき用導電性基材は(図10参照)、パターン状のめっき形成部を有する導電性基材であって、導電性基材の表面に絶縁層が形成されており、その絶縁層に開口方向に向かって幅広なめっきを形成するための凹部(めっき形成部)が形成されている。この凹部の底面には導電性材料が露出している。このめっき用導電性基材は、繰り返し使用することができるめっきのための版である。   The conductive substrate for plating (see FIG. 10) is a conductive substrate having a pattern-shaped plating forming portion, and an insulating layer is formed on the surface of the conductive substrate, and the opening direction is formed in the insulating layer. A concave portion (plating forming portion) for forming a wide plating toward is formed. The conductive material is exposed on the bottom surface of the recess. This conductive substrate for plating is a plate for plating that can be used repeatedly.

本発明において、導電性基材に用いられる導電性材料は、その露出表面に電解めっきで金属を析出させるために十分な導電性を有するものであり、金属であることが特に好ましい。また、その基材は表面に電解めっきにより形成された金属層を接着性支持体に転写させることができるように、その上に形成された金属層との密着力が低く、容易に剥離できるものであることが好ましい。このような導電性基材の材料としてはステンレス鋼、クロムめっきされた鋳鉄、クロムめっきされた鋼、チタン、チタンをライニングした材料、ニッケルなどが特に好ましい。   In the present invention, the conductive material used for the conductive substrate has sufficient conductivity for depositing metal on the exposed surface by electrolytic plating, and is particularly preferably a metal. In addition, the base material has a low adhesion to the metal layer formed on it so that the metal layer formed by electrolytic plating on the surface can be transferred to the adhesive support, and can be easily peeled off. It is preferable that As such a conductive base material, stainless steel, chrome-plated cast iron, chrome-plated steel, titanium, titanium-lined material, nickel and the like are particularly preferable.

前記の導電性基材の形状としては、シート状、プレート状、ロール状、フープ状等がある。ロール状の場合は、シート状、プレート状のものを回転体(ロール)に取り付けたものであってもよい。フープ状の場合は、フープの内側の2箇所から数箇所にロールを設置し、そのロールにフープ状の導電性基材を通すような形態等が考えられる。ロール状、フープ状ともに金属箔を連続的に生産することが可能であるため、シート状、プレート状に比較すると、生産効率が高く、好ましい。導電性基材をロールに巻きつけて使用する場合、ロールとして導電性のものを使用し、ロールと導電性基材が容易に導通するようにしたものが好ましい。   Examples of the shape of the conductive substrate include a sheet shape, a plate shape, a roll shape, and a hoop shape. In the case of a roll, a sheet or plate attached to a rotating body (roll) may be used. In the case of a hoop shape, a configuration in which rolls are installed at two to several locations inside the hoop and a hoop-shaped conductive base material is passed through the roll can be considered. Since it is possible to continuously produce a metal foil in both a roll shape and a hoop shape, the production efficiency is higher than that in a sheet shape or a plate shape, which is preferable. When the conductive substrate is used by being wound around a roll, a conductive roll is preferably used so that the roll and the conductive substrate are easily conducted.

上記の絶縁層は、ダイヤモンドに類似したカーボン薄膜、いわゆるダイヤモンドライクカーボン(以下、DLCとする)薄膜のうち、絶縁性を有するものにて形成することができる。DLC薄膜は、特に、耐久性、耐薬品性に優れているため、特に好ましい。
さらに、絶縁層をAl、SiOのような無機材料で形成することもできる。
The insulating layer can be formed of a carbon thin film similar to diamond, a so-called diamond-like carbon (hereinafter referred to as DLC) thin film having an insulating property. The DLC thin film is particularly preferable because it is excellent in durability and chemical resistance.
Furthermore, the insulating layer can be formed of an inorganic material such as Al 2 O 3 or SiO 2 .

導電性基材の例を、図面を用いて説明する。
図10は、めっき用導電性基材の一例を示す一部斜視図である。図11は、図10のA−A断面図を示す。図11の(a)は凹部の側面が平面的であるが、(b)は凹部の側面になだらかな凹凸がある場合を示す。めっき用導電性基材31は、導電性基材32の上に絶縁層33が積層されており、絶縁層33に凹部34が形成されており、凹部34の底部は、導電性基材32が露出している。凹部34の底部は、導電性基材に導通している導体層であってもよい。
この例においては、絶縁層33は、幾何学図形としては正方形であり、この正方形の周りに凹部34が溝状に形成されている。
導電性基材32と絶縁層33の間には、絶縁層33の接着性の改善等を目的として、導電性又は絶縁性の中間層(図示せず)が積層されていてもよい。または、凹部34は、その幅が、開口方向に向かって全体として幅広になっている。図面のよう勾配αで一定に幅広になっている必要は必ずしもない。めっきにより形成される導体層パターンの剥離に問題がなければ、凹部は、開口方向に向かって幅が狭くなっている部分があってもよいが、このような部分がない方が良く、凹部は開口方向に向かって狭まっておらず全体として広がっていることが好ましい。特に、凹部の一側面がその対面と共に、底面に対して垂直となっている部分が高さ方向で1μm以上続く部分がないようにすることが好ましい。このようなめっき用導電性基材であれば、それを用いてめっきを行った後、析出した金属層をめっき用導電性基材から剥離するに際し、金属層と絶縁層との間の摩擦又は抵抗を小さくすることができ、その剥離がより容易になる。
An example of the conductive substrate will be described with reference to the drawings.
FIG. 10 is a partial perspective view showing an example of a conductive substrate for plating. FIG. 11 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. FIG. 11A shows a case where the side surface of the concave portion is planar, while FIG. 11B shows a case where the side surface of the concave portion has gentle irregularities. In the conductive base material 31 for plating, an insulating layer 33 is laminated on a conductive base material 32, and a concave portion 34 is formed in the insulating layer 33, and the conductive base material 32 is formed at the bottom of the concave portion 34. Exposed. The bottom of the recess 34 may be a conductor layer that is electrically connected to the conductive substrate.
In this example, the insulating layer 33 is a square as a geometric figure, and a recess 34 is formed in a groove shape around the square.
A conductive or insulating intermediate layer (not shown) may be laminated between the conductive substrate 32 and the insulating layer 33 for the purpose of improving the adhesiveness of the insulating layer 33 or the like. Or the recessed part 34 is wide as a whole toward the opening direction. It is not always necessary that the width is constant and wide at the gradient α as in the drawing. If there is no problem in peeling off the conductor layer pattern formed by plating, the recess may have a portion whose width becomes narrower in the opening direction, but it is better not to have such a portion, It is preferable that it is not narrowed toward the opening direction but spreads as a whole. In particular, it is preferable that one side surface of the concave portion together with the opposite surface thereof has no portion that is perpendicular to the bottom surface and continues in the height direction by 1 μm or more. If it is such a conductive substrate for plating, after plating using it, when peeling the deposited metal layer from the conductive substrate for plating, friction between the metal layer and the insulating layer or The resistance can be reduced, and the peeling becomes easier.

上記のめっき用導電性基材によれば、めっきにより金属層が形成される凹部が開口方向に向かった幅広となっているため、めっきにより得られる導体層パターンの剥離が容易である。また、絶縁層をDLC又は無機材料からなるため導電性基材への密着性が優れ、その耐剥離性が優れる。その絶縁層は、中間層により導電性基材と絶縁層の間の密着性を向上させることができ、これにより、めっき用導電性基材の寿命を、さらに長くすることができる。開口方向に向かって幅広の凹部を持つめっき用導電性基材は、導電性基材上に凸状のパターンを形成し、絶縁層を形成後に、絶縁層が付着している凸状のパターンを除去することにより凹部を作製することができるため、その製造が容易で、生産性に富む。   According to the conductive base material for plating described above, since the concave portion in which the metal layer is formed by plating is wide in the opening direction, the conductor layer pattern obtained by plating can be easily peeled off. Moreover, since an insulating layer consists of DLC or an inorganic material, the adhesiveness to an electroconductive base material is excellent, and the peeling resistance is excellent. The insulating layer can improve the adhesion between the conductive base material and the insulating layer by the intermediate layer, thereby further extending the life of the conductive base material for plating. The conductive substrate for plating having a concave portion that is wide toward the opening direction forms a convex pattern on the conductive substrate, and after the insulating layer is formed, the convex pattern to which the insulating layer is attached is formed. Since the concave portion can be produced by removing, the manufacturing is easy and the productivity is high.

めっき用導電性基材の製造方法としては、導電性基材の表面に、導電性基材を露出させている凹部によって幾何学図形が描かれるように絶縁層を形成する工程を含む。
この工程は、(A)導電性基材の表面に、除去可能な凸状のパターンを形成する工程、(B)除去可能な凸状のパターンが形成されている導電性基材の表面に、絶縁層を形成する工程及び(C)絶縁層が付着している凸状のパターンを除去する工程を含む。
The method for producing a conductive substrate for plating includes a step of forming an insulating layer on the surface of the conductive substrate so that a geometric figure is drawn by the recesses exposing the conductive substrate.
This step includes (A) a step of forming a removable convex pattern on the surface of the conductive substrate, (B) a surface of the conductive substrate on which the removable convex pattern is formed, A step of forming an insulating layer; and (C) a step of removing the convex pattern to which the insulating layer is attached.

上記(A)導電性基材の表面に、除去可能な凸状のパターンを形成する工程は、フォトリソグラフ法を利用して、レジストパターンを形成する方法を利用することができる。この方法(a法)は、(a−1)導電性基材の上に感光性レジスト層を形成する工程、(a−2)感光性レジスト層を導体層パターンに対応したマスクを通して露光する工程及び(a−3)露光後の感光性レジスト層を現像する工程を含む。   For the step (A) of forming a removable convex pattern on the surface of the conductive substrate, a method of forming a resist pattern using a photolithographic method can be used. This method (method a) includes (a-1) a step of forming a photosensitive resist layer on a conductive substrate, and (a-2) a step of exposing the photosensitive resist layer through a mask corresponding to the conductor layer pattern. And (a-3) a step of developing the photosensitive resist layer after exposure.

また、上記(A)導電性基材の表面に、除去可能な凸状のパターンを形成する工程は、レーザ光を利用する方法を適用することができる。この方法(b法)は、(b−1)導電性基材の上に感光性レジスト層を形成する工程、(b−2)感光性レジスト層に導体層パターンに対応した部分にマスクをせずレーザー光を照射する工程及び(b−3)レーザー光を照射後の感光性レジスト層を現像する工程を含む。   In addition, a method using laser light can be applied to the step (A) of forming a removable convex pattern on the surface of the conductive substrate. In this method (method b), (b-1) a step of forming a photosensitive resist layer on a conductive substrate, and (b-2) a portion of the photosensitive resist layer corresponding to the conductor layer pattern is masked. And (b-3) a step of developing the photosensitive resist layer after irradiation with the laser beam.

感光性レジストとしては、よく知られたネガ型レジスト(光が照射された部分が硬化する)を使用することができる。また、このとき、マスクもネガ型マスク(凹部に対応する部分は光が通過する)が使用される。また、感光性レジストとしてはポジ型レジストを用いることができる。これらの方式に対応して上記a法及びb法における光照射部分が適宜決定される。   As the photosensitive resist, a well-known negative resist (a portion irradiated with light is cured) can be used. At this time, a negative mask (light passes through a portion corresponding to the concave portion) is also used as the mask. Further, a positive resist can be used as the photosensitive resist. Corresponding to these methods, the light irradiation part in the method a and method b is appropriately determined.

具体的方法として、導電性基材上にドライフィルムレジスト(感光性樹脂層)をラミネートし、マスクを装着して露光することにより、凸状パターンとして残存させる部分を硬化状態に不要部を現像可能状態とし、不要部を現像して除去することにより形成することができる。また、凸状パターンは、導電性基材に液状レジストを塗布した後に溶剤を乾燥するかあるいは仮硬化させた後、マスクを装着して露光することにより、凸状パターンとして残存させる部分を硬化状態に不要部を現像可能状態とし、不要部を現像して除去することにより形成することもできる。液状レジストは、スプレー、ディスペンサー、ディッピング、ロール、スピンコート等により塗布できる。   As a specific method, by laminating a dry film resist (photosensitive resin layer) on a conductive substrate, and wearing a mask to expose it, the part that remains as a convex pattern can be cured and the unnecessary part can be developed. It can be formed by developing and removing unnecessary portions. In addition, the convex pattern is a state in which the portion that remains as the convex pattern is cured by applying a liquid resist to the conductive substrate and then drying or temporarily curing the solvent, and then exposing the mask with a mask. Alternatively, the unnecessary portion can be developed, and the unnecessary portion can be developed and removed. The liquid resist can be applied by spraying, dispenser, dipping, roll, spin coating or the like.

上記において、ドライフィルムレジストをラミネートし、又は液状レジストを塗布した後に、マスクを介して露光する代わりにレーザー光などでマスクを使用せず直接に露光する方法を採用することもできる。光硬化性樹脂にマスクを介して又は介さずして活性エネルギー線を照射することでパターニングできればその態様は問わない。
導電性基材のサイズが大きい場合などはドライフィルムレジストを用いる方法が生産性の観点からは好ましく、導電性基材がめっきドラムなどの場合は、ドライフィルムレジストをラミネートし、又は液状レジストを塗布した後にマスクを介さずにレーザー光などで直接に露光する方法が好ましい。
In the above, after laminating a dry film resist or applying a liquid resist, it is also possible to employ a method of directly exposing without using a mask with a laser beam or the like instead of exposing through a mask. If the patterning can be performed by irradiating the photocurable resin with active energy rays with or without a mask, the mode is not limited.
When the size of the conductive substrate is large, a method using a dry film resist is preferable from the viewpoint of productivity. When the conductive substrate is a plating drum, the dry film resist is laminated or a liquid resist is applied. Then, a method of directly exposing with a laser beam or the like without using a mask is preferable.

前記において、感光性レジストの代わりに光硬化性樹脂を用い、レーザー光の照射により光硬化性樹脂の不要部を除去する方法によっても行うことができる。   In the above, it can carry out also by the method of using a photocurable resin instead of a photosensitive resist, and removing the unnecessary part of a photocurable resin by irradiation of a laser beam.

印刷法を用いてレジストパターン(凸状パターン)を形成することができるが、この場合には、レジストパターンの印刷方法としては様々な方法を用いることができる。例えば、スクリーン印刷、凸版印刷、凸版オフセット印刷、凸版反転オフセット印刷、凹版印刷、凹版オフセット印刷、インクジェット印刷、フレキソ印刷などを用いることができる。レジストとしては光硬化性又は熱硬化性の樹脂が使用できる。印刷後、光照射又は熱によりレジストを硬化させる。   Although a resist pattern (convex pattern) can be formed by using a printing method, in this case, various methods can be used as a resist pattern printing method. For example, screen printing, letterpress printing, letterpress offset printing, letterpress reversal offset printing, intaglio printing, letterpress printing, ink jet printing, flexographic printing, and the like can be used. As the resist, a photocurable or thermosetting resin can be used. After printing, the resist is cured by light irradiation or heat.

めっき用導電性基材の製造方法の一例を、図面を用いて説明する。
図12は、めっき用導電性基材の製造方法を示す工程の一例を断面図で示したものである。
An example of the manufacturing method of the electroconductive base material for plating is demonstrated using drawing.
FIG. 12 is a cross-sectional view showing an example of a process showing a method for producing a conductive substrate for plating.

導電性基材32の上に感光性レジスト層(感光性樹脂層)35が形成されている(図12(a))。この積層物の感光性レジスト層(感光性樹脂層)35に対し、フォトリソグラフ法を適用して感光性レジスト層35をパターン化する(図12(b))。パターン化は、パターンが形成されたフォトマスクを感光性レジスト層35の上に載置し、露光した後、現像して感光性レジスト層35の不要部を除去して突起部36を残すことにより行われる。突起部36の形状とそれからなる凸状パターンは、導電性基材32上の凹部34とそのパターンに対応するよう考慮される。   A photosensitive resist layer (photosensitive resin layer) 35 is formed on the conductive substrate 32 (FIG. 12A). The photosensitive resist layer 35 is patterned by applying a photolithographic method to the photosensitive resist layer (photosensitive resin layer) 35 of the laminate (FIG. 12B). Patterning is performed by placing a photomask on which a pattern has been formed on the photosensitive resist layer 35, exposing it, developing it, removing unnecessary portions of the photosensitive resist layer 35, and leaving protrusions 36. Done. The shape of the protrusion 36 and the convex pattern formed therefrom are considered to correspond to the concave 34 on the conductive substrate 32 and the pattern.

この時、突起部36の断面形状において、その側面は、導電性基材に対して垂直であること、又は、突起部36が導電性基材32に接する端部に対して、突起部36の側面上方の少なくとも一部がその端部に覆い被さるような位置にあることが好ましい。突起部36の幅で言う場合は、凸状パターン幅の最大値dは、凸状パターンと導電性基材32に接する幅dと等しいか大きくすることが好ましい。これは、形成される密着性のよい絶縁層の凹部幅はdによって決定されるからである。ここで、突起部36の断面形状で、突起部36の幅の最大値dが突起部36と導電性基材32に接する幅d’と等しいか大きくする方法としては、突起部36の現像時にオーバ現像するか、形状がアンダーカットとなる特性を有するレジストを使用すれば良い。dは凸部の上部で実現されていることが好ましい。
除去可能な凸部のパターンを形成する突起部36の形状は、凹部の形状に対応づけられるが、その作製の容易性から、最大幅1μm以上、間隔が1μm以上、高さが1〜50μmであることが好ましい。めっき用導電性基材を、光透過性電磁波遮蔽部材用の導体層パターンを作製するために使用するときは、突起部36は、最大幅1〜40μm、間隔が50〜1000μm及び高さ1〜30μmであることがそれぞれ好ましい。特に最大幅3〜10μm、間隔が100〜400μmであることが好ましい。
At this time, in the cross-sectional shape of the protrusion 36, the side surface is perpendicular to the conductive base material, or the end of the protrusion 36 is in contact with the end where the protrusion 36 contacts the conductive base material 32. It is preferable to be in a position where at least a part of the upper side surface covers the end portion. In terms of the width of the protrusions 36, the maximum value d of the convex pattern width is preferably equal to or larger than the width d in contact with the convex pattern and the conductive substrate 32. This is because the concave width of the insulating layer having good adhesion is determined by d. Here, as a method of increasing the width d ′ of the protrusion 36 in the cross-sectional shape of the protrusion 36 equal to or larger than the width d ′ in contact with the protrusion 36 and the conductive base material 32, the protrusion 36 is developed. A resist having a characteristic of over-developing or having an undercut shape may be used. It is preferable that d is realized at the upper part of the convex portion.
The shape of the protrusion 36 that forms the pattern of the removable convex portion is associated with the shape of the concave portion. From the ease of manufacture, the maximum width is 1 μm or more, the interval is 1 μm or more, and the height is 1 to 50 μm. Preferably there is. When the conductive substrate for plating is used for producing a conductor layer pattern for a light-transmitting electromagnetic wave shielding member, the protrusion 36 has a maximum width of 1 to 40 μm, a distance of 50 to 1000 μm, and a height of 1 to 1. Each of 30 μm is preferable. In particular, it is preferable that the maximum width is 3 to 10 μm and the interval is 100 to 400 μm.

前記した(B)除去可能な凸状パターンが形成されている導電性基材の表面に、絶縁層を形成する工程について、説明する。
突起部36からなる凸状パターンを有する導電性基材32の表面に絶縁層37を形成する(図12(c))。
The step (B) of forming an insulating layer on the surface of the conductive substrate on which the removable convex pattern is formed will be described.
An insulating layer 37 is formed on the surface of the conductive substrate 32 having a convex pattern composed of the protrusions 36 (FIG. 12C).

絶縁層としてDLC薄膜を形成する方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、アーク放電法、イオン化蒸着法等の物理気相成長法、プラズマCVD法等の化学気相成長法等のドライコーティング法を採用し得るが、成膜温度が室温(25℃)から制御できる高周波やパルス放電を利用するプラズマCVD法が特に好ましい。   As a method for forming a DLC thin film as an insulating layer, a vacuum deposition method, a sputtering method, an ion plating method, an arc discharge method, a physical vapor deposition method such as an ionization deposition method, a chemical vapor deposition method such as a plasma CVD method, etc. The dry CVD method can be employed, but the plasma CVD method using a high frequency or pulse discharge in which the film forming temperature can be controlled from room temperature (25 ° C.) is particularly preferable.

上記DLC薄膜をプラズマCVD法で形成するために、原料となる炭素源として炭化水素系のガスが好んで用いられる。例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン等のアルカン系ガス類、エチレン、プロピレン、ブテン、ペンテン等のアルケン系ガス類、ペンタジエン、ブタジエン等のアルカジエン系ガス類、アセチレン、メチルアセチレン等のアルキン系ガス類、ベンゼン、トルエン、キシレン、インデン、ナフタレン、フェナントレン等の芳香族炭化水素系ガス類、シクロプロパン、シクロヘキサン等のシクロアルカン系ガス類、シクロペンテン、シクロヘキセン等のシクロアルケン系ガス類、メタノール、エタノール等のアルコール系ガス類、アセトン、メルエチルケトン等のケトン系ガス類、メタナール、エタナール等のアルデヒド系ガス類等が挙げられる。上記ガスは単独で使用しても良いし、二種以上を併用しても良い。また、元素として炭素と水素を含有する原料ガスとして上記した炭素源と水素ガスとの混合物、上記した炭素源と一酸化炭素ガス、二酸化炭素ガス等の炭素と酸素のみからなる化合物のガスとの混合物、一酸化炭素ガス、二酸化炭素ガス等の炭素と酸素のみから構成される化合物のガスと水素ガスとの混合物、一酸化炭素ガス、二酸化炭素ガス等の炭素と酸素のみからなる化合物のガスと酸素ガスまたは水蒸気との混合物等が挙げられる。更に、これらの原料ガスには希ガスが含まれていてもよい。希ガスは、周期律表第0属の元素からなるガスであり、例えば、ヘリウム、アルゴン、ネオン、キセノン等が挙げられる。これらの希ガスは単独で使用しても良いし、二種以上を併用しても良い。   In order to form the DLC thin film by the plasma CVD method, a hydrocarbon-based gas is preferably used as a carbon source as a raw material. For example, alkane gases such as methane, ethane, propane, butane, pentane, hexane, alkene gases such as ethylene, propylene, butene, pentene, alkadiene gases such as pentadiene, butadiene, acetylene, methylacetylene, etc. Alkyne gases, aromatic hydrocarbon gases such as benzene, toluene, xylene, indene, naphthalene and phenanthrene, cycloalkane gases such as cyclopropane and cyclohexane, cycloalkene gases such as cyclopentene and cyclohexene, methanol And alcohol gases such as ethanol, ketone gases such as acetone and melethyl ketone, and aldehyde gases such as methanal and ethanal. The said gas may be used independently and may use 2 or more types together. Further, a mixture of the above-described carbon source and hydrogen gas as a raw material gas containing carbon and hydrogen as elements, and the above-described carbon source and a gas of a compound composed only of carbon and oxygen such as carbon monoxide gas and carbon dioxide gas. A mixture of a compound gas composed of only carbon and oxygen, such as a mixture, carbon monoxide gas, carbon dioxide gas, and hydrogen gas; a compound gas composed of only carbon and oxygen, such as carbon monoxide gas, carbon dioxide gas; Examples thereof include a mixture with oxygen gas or water vapor. Further, these source gases may contain a rare gas. The rare gas is a gas composed of an element belonging to Group 0 of the periodic table, and examples thereof include helium, argon, neon, and xenon. These rare gases may be used alone or in combination of two or more.

次に、前記した(C)絶縁層が付着している凸状パターンを除去する工程について説明する。絶縁層37が付いている状態(図12(c)参照)で、突起部36からなる凸状パターンを除去する(図12(d)参照)。 絶縁層の付着しているレジストの除去には、市販のレジスト剥離液や無機、有機アルカリ、有機溶剤などを用いることができる。また、パターンを形成するのに使用したレジストに対応する専用の剥離液があれば、それを用いることもできる。剥離の方法としては、例えば薬液に浸漬することでレジストを膨潤、破壊あるいは溶解させた後これを除去することが可能である。液をレジストに十分含浸させるために超音波、加熱、撹拌等の手法を併用しても良い。また、剥離を促進するためにシャワー、噴流等で液をあてることもできるし、柔らかい布や綿棒などでこすることもできる。
また、絶縁層の耐熱が十分高い場合には高温で焼成してレジストを炭化させて除去することもできるし、レーザーを照射して焼き飛ばす、といった方法も利用できる。剥離液としては、例えば、3質量%NaOH溶液を用い、剥離法としてシャワーや浸漬が適用できる。
Next, the step (C) of removing the convex pattern to which the insulating layer is attached will be described. In a state where the insulating layer 37 is attached (see FIG. 12C), the convex pattern formed of the protrusions 36 is removed (see FIG. 12D). A commercially available resist stripping solution, inorganic, organic alkali, organic solvent, or the like can be used to remove the resist to which the insulating layer is attached. In addition, if there is a dedicated stripping solution corresponding to the resist used to form the pattern, it can be used. As a peeling method, for example, it is possible to remove the resist after it has been swelled, broken or dissolved by immersion in a chemical solution. In order to sufficiently impregnate the resist with the solution, techniques such as ultrasonic waves, heating, and stirring may be used in combination. In addition, the liquid can be applied with a shower, a jet or the like in order to promote peeling, and can be rubbed with a soft cloth or cotton swab.
In addition, when the heat resistance of the insulating layer is sufficiently high, a method of baking at a high temperature to carbonize the resist and removing it, or irradiating with a laser to burn off can be used. As the stripping solution, for example, a 3% by mass NaOH solution is used, and showering or dipping can be applied as the stripping method.

めっき法は公知の方法を採用することができる。めっき法としては、電解めっき法を適用することができる。
電解めっきについてさらに説明する。例えば、電解銅めっきであれば、めっき用の電解浴には硫酸銅浴、ほうふっ化銅浴、ピロリン酸銅浴、または、シアン化銅浴などを用いることができる。このときに、めっき浴中に有機物等による応力緩和剤(光沢剤としての効果も有する)を添加すれば、より電着応力のばらつきを低下させることができることが知られている。また、電解ニッケルめっきであれば、ワット浴、スルファミン酸浴などを使用することができる。これらの浴にニッケル箔の柔軟性を調整するため、必要に応じてサッカリン、パラトルエンスルホンアミド、ベンゼンスルホン酸ナトリウム、ナフタリントリスルホン酸ナトリウムのような添加剤、及びその調合剤である市販の添加剤を添加してもよい。さらに、電解金めっきの場合は、シアン化金カリウムを用いた合金めっきや、クエン酸アンモニウム浴やクエン酸カリウム浴を用いた純金めっきなどが用いられる。合金めっきの場合は、金−銅、金−銀、金−コバルトの2元合金や、金−銅−銀の3元合金が用いられる。他の金属に関しても同様に公知の方法を用いることができる。電解めっき法としては、例えば、「現場技術者のための実用めっき」(日本プレーティング協会編、1986年槇書店発行)第87〜504頁を参照することができる。
A known method can be adopted as the plating method. As the plating method, an electrolytic plating method can be applied.
The electrolytic plating will be further described. For example, in the case of electrolytic copper plating, a copper sulfate bath, a copper borofluoride bath, a copper pyrophosphate bath, a copper cyanide bath, or the like can be used as an electrolytic bath for plating. At this time, it is known that the dispersion of electrodeposition stress can be further reduced by adding a stress relieving agent (also having an effect as a brightener) due to organic matter or the like to the plating bath. For electrolytic nickel plating, a Watt bath, a sulfamic acid bath, or the like can be used. In order to adjust the flexibility of the nickel foil in these baths, additives such as saccharin, paratoluenesulfonamide, sodium benzenesulfonate, sodium naphthalene trisulfonate, and commercial additions that are preparations as necessary An agent may be added. Furthermore, in the case of electrolytic gold plating, alloy plating using potassium gold cyanide, pure gold plating using an ammonium citrate bath or a potassium citrate bath, or the like is used. In the case of alloy plating, a gold-copper, gold-silver, gold-cobalt binary alloy or a gold-copper-silver ternary alloy is used. Similarly, other known methods can be used for other metals. As the electrolytic plating method, for example, “Practical Plating for On-Site Engineers” (edited by the Japan Plating Association, published by Sakai Shoten in 1986), pages 87 to 504 can be referred to.

めっきによって出現又は析出する金属としては、銀、銅、金、アルミニウム、タングステン、ニッケル、鉄、クロム等の導電性を有するものが使用されるが、20℃での体積抵抗率(比抵抗)が20μΩ・cm以下の金属を少なくとも1種類以上含むことが望ましい。本発明で用いる電磁波シールドフィルムとして用いる場合には電磁波を電流としてアースするためにこれを構成する金属は導電性が高い方が電磁波遮蔽性に優れるためである。このような金属としては、銀(1.62μΩ・cm)、銅(1.72μΩ・cm)、金(2.4μΩ・cm)、アルミニウム(2.75μΩ・cm)、タングステン(5.5μΩ・cm)、ニッケル(7.24μΩ・cm)、鉄(9.8μΩ・cm)、クロム(17μΩ・cm、全て20℃での値)などがあるが特にこれらに制限するものではない。できれば体積抵抗率が10μΩ・cm以下であることがより好ましく、5μΩ・cm以下であることがさらに好ましい。金属の価格や入手の容易さを考慮すると銅を用いることが最も好ましい。これらの金属は単体で用いてもよく、さらに機能性を付与するために他の金属との合金でも構わないし、金属の酸化物であってもよい。ただし、体積抵抗率が20μΩ・cm以下である金属が成分として最も多く含まれていることが導電性の観点から好ましい。   As a metal that appears or precipitates by plating, conductive metals such as silver, copper, gold, aluminum, tungsten, nickel, iron, and chromium are used, but the volume resistivity (specific resistance) at 20 ° C. is used. It is desirable to include at least one kind of metal of 20 μΩ · cm or less. When used as an electromagnetic wave shielding film used in the present invention, in order to ground an electromagnetic wave as an electric current, the metal constituting this is superior in electromagnetic wave shielding properties when having higher conductivity. Such metals include silver (1.62 μΩ · cm), copper (1.72 μΩ · cm), gold (2.4 μΩ · cm), aluminum (2.75 μΩ · cm), tungsten (5.5 μΩ · cm). ), Nickel (7.24 μΩ · cm), iron (9.8 μΩ · cm), chromium (17 μΩ · cm, all values at 20 ° C.), etc., but are not particularly limited thereto. If possible, the volume resistivity is more preferably 10 μΩ · cm or less, and further preferably 5 μΩ · cm or less. In view of the price of metal and availability, copper is most preferably used. These metals may be used alone, or may be an alloy with another metal or a metal oxide for imparting functionality. However, from the viewpoint of conductivity, it is preferable that a metal having a volume resistivity of 20 μΩ · cm or less is contained in the largest amount as a component.

ついで、導体層パターン付き基材の製造工程における次の工程、すなわち、(II)めっき用導電性基材上に形成された導体層(上記めっき用導電性基材の凹部に析出させた金属)を樹脂層を含む適当な基材に転写する転写工程、について説明する。   Next, the next step in the manufacturing process of the substrate with the conductor layer pattern, that is, (II) a conductor layer formed on the conductive substrate for plating (metal deposited in the concave portion of the conductive substrate for plating) A transfer process for transferring the film to a suitable base material including a resin layer will be described.

上記の適当な基材(樹脂層又は支持基材及びその上の樹脂層を含む)は、転写工程においては、その樹脂層は、粘着性を有しているもの又は粘着性を示すもの(これらを、「粘着剤」又は「粘着樹脂」という)からなる。この粘着剤には、必要に応じて、架橋剤、硬化剤、希釈剤、可塑剤、酸化防止剤、充填剤、着色剤、紫外線吸収剤や粘着付与剤などの添加剤を配合していてもよい。なお、上記「粘着性」とは、「接着性」を包含する。
転写用基材の支持基材としては、生産性を考えると、プラスチックフィルムが、好ましい。また、場合により、転写用基材は粘着剤層のみからなっていてもよい。
In the transfer process, the appropriate base material (including the resin layer or the support base material and the resin layer thereon) is a resin layer having adhesiveness or exhibiting adhesiveness (these Is made of “adhesive” or “adhesive resin”. This pressure-sensitive adhesive may contain additives such as a crosslinking agent, a curing agent, a diluent, a plasticizer, an antioxidant, a filler, a colorant, an ultraviolet absorber and a tackifier, as necessary. Good. The “adhesiveness” includes “adhesiveness”.
As a support substrate for the transfer substrate, a plastic film is preferable in view of productivity. In some cases, the transfer substrate may be composed only of an adhesive layer.

粘着剤層(樹脂層)の厚さは、薄すぎると十分な強度が得られないため、めっきで形成された導体層を転写する際に、導体層が粘着剤層に密着せず、転写不良が発生することがある。したがって、粘着剤層の厚みは、0.5μm以上であることが好ましく、1μm以上であることがより好ましく、量産時の転写信頼性を確保するためには3μm以上であることがさらに好ましい。また、粘着剤層の厚さが厚すぎると、粘着剤層の製造コストが高くなるとともに、ラミネートした際に、粘着剤層の変形量が多くなるため、粘着剤層の厚みは100μm以下が好ましく、90μm以下がより好ましく、70μm以下がさらに好ましい。   If the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer (resin layer) is too thin, sufficient strength cannot be obtained. Therefore, when transferring a conductive layer formed by plating, the conductive layer does not adhere to the pressure-sensitive adhesive layer, resulting in poor transfer. May occur. Accordingly, the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is preferably 0.5 μm or more, more preferably 1 μm or more, and further preferably 3 μm or more in order to ensure transfer reliability during mass production. Further, if the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is too thick, the production cost of the pressure-sensitive adhesive layer increases, and the amount of deformation of the pressure-sensitive adhesive layer increases when laminated, so the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is preferably 100 μm or less. 90 μm or less is more preferable, and 70 μm or less is more preferable.

転写工程において、転写用基材40の粘着剤層に、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂等の硬化性樹脂を含む粘着剤を使用した場合、その硬化は、転写用基材40をめっき用導電性基材31から剥離する前に行っても、剥離した後で行ってもよく、剥離前に半硬化させ、剥離後に完全硬化させてもよい。 特に、硬化性樹脂を含む粘着剤の硬化又は完全硬化を、転写用基材40をめっき用導電性基材31から剥離した後に行う場合、カバーレイフィルム、剥離性支持体を積層して、粘着剤層に貼り合わせると同時に行ってもよい。これにより、導体層を保護した導体層ターン付き基材とすることができる。
一般に、前記の導体層パターン付き基材の導体層パターン側を、カバーレフィルム、剥離性支持体等を、場合により樹脂層を介して、貼り合わせることにより、また、樹脂層を塗布などして被覆することにより、導体層を保護した導体層パターン付き基材とすることができる。
In the transfer step, when a pressure-sensitive adhesive containing a curable resin such as a thermosetting resin or a photo-curable resin is used for the pressure-sensitive adhesive layer of the transfer base material 40, the curing is performed by plating the transfer base material 40. It may be performed before peeling from the conductive substrate 31, may be performed after peeling, may be semi-cured before peeling, and may be completely cured after peeling. In particular, when curing or complete curing of the pressure-sensitive adhesive containing the curable resin is performed after the transfer substrate 40 is peeled from the conductive substrate 31 for plating, a cover lay film and a peelable support are laminated and adhered. You may carry out simultaneously with bonding to an agent layer. Thereby, it can be set as the base material with a conductor layer turn which protected the conductor layer.
Generally, the conductor layer pattern side of the substrate with the conductor layer pattern is bonded to the cover film, peelable support, etc., optionally via a resin layer, and the resin layer is applied. By coating, it can be set as the base material with a conductor layer pattern which protected the conductor layer.

導体層の樹脂層への埋設方法について、さらに説明するが、これに制限するものではない。
めっき用導電性基材の凹部に析出しためっきを樹脂層を含む基材に転写した直後においては、導体層の少なくとも最大幅となる部分以下が既に樹脂層に埋没していてもよいし、埋没していなくてもよい。転写した直後において導体層の少なくとも最大幅となる部分以下を既に埋没させるためには、転写時における基材の樹脂層の流動性を高くする必要がある。それには、例えば、ラミネート温度を高くする方法、樹脂層の組成として反応性の低分子量物を添加しておく方法、樹脂層として液状樹脂を使用する方法等がある。また、この場合、基材がめっき用導電性基材に接触している状態で、樹脂層を硬化反応又は固化させてから、透明基材を剥離することが好ましい。硬化反応は、加熱、紫外線等の活性エネルギー線の照射などによるものであるが、瞬時に硬化させた方が生産性が向上するので、紫外線等の活性エネルギー線の照射による硬化が好ましい。
また、導体層を基材に転写した直後において、未だ導体層の最大幅となる部分が樹脂層に埋没していない場合(全く又はほとんど埋設されていない場合を含む)には、別工程で導体層を樹脂層中に少なくとも導体層の最大幅となる部分以下(その他の部分)を樹脂層に埋没させる必要がある。そのためには、導体層を基材に転写後、導体層の付いている基材をロールラミネータやプレスなどで、必要に応じて加熱又は活性エネルギー線を照射しながら、加圧して少なくとも導体層の少なくとも最大幅の部分以下を樹脂中に埋没させる。このとき、必要に応じて加熱又はエネルギー線を照射して硬化反応を同時に行ってもよく、加熱は流動性を高めるために行ってもよい。また、この場合、表面を保護したり、加圧工程又は後工程で樹脂を紫外線硬化する場合の酸素遮断を目的に、別途フィルムその他の剥離可能な基材を導体層の付いている基材の導体層の上から積層しても良い。樹脂層に硬化性樹脂を使用した場合は、加圧と同時に硬化させない場合は、上記の加圧後に加熱又は活性エネルギー線を照射するなどして樹脂層を硬化させることが好ましい。
また、樹脂層に硬化性樹脂を用いた場合には、基材を上記の転写に供する前、転写後の埋設工程に供する前に、樹脂層の流動性を調整するために、部分的に硬化反応を行っても良いが、転写前に行うときには、転写に必要な粘着性を損なわない程度に行われる。
The method for embedding the conductor layer in the resin layer will be further described, but the method is not limited thereto.
Immediately after transferring the plating deposited in the recesses of the conductive base material for plating to the base material including the resin layer, at least the portion of the conductor layer that is the maximum width may be already embedded in the resin layer, You don't have to. In order to embed at least the portion having the maximum width of the conductor layer immediately after the transfer, it is necessary to increase the fluidity of the resin layer of the base material at the time of transfer. For example, there are a method of increasing the laminating temperature, a method of adding a reactive low molecular weight material as the composition of the resin layer, and a method of using a liquid resin as the resin layer. In this case, it is preferable to peel the transparent substrate after the resin layer is cured or solidified while the substrate is in contact with the plating conductive substrate. The curing reaction is due to heating, irradiation with active energy rays such as ultraviolet rays, etc., but since the productivity is improved by instantaneous curing, curing by irradiation with active energy rays such as ultraviolet rays is preferable.
In addition, immediately after the conductor layer is transferred to the base material, if the portion having the maximum width of the conductor layer is not yet buried in the resin layer (including the case where it is not buried at all or almost), the conductor is formed in a separate process. It is necessary to bury the layer in the resin layer at least the portion (the other portion) having the maximum width of the conductor layer in the resin layer. For this purpose, after transferring the conductor layer to the base material, the base material with the conductor layer is pressed with a roll laminator or a press, while applying heat or irradiating active energy rays as necessary, at least of the conductor layer. At least the portion of the maximum width is buried in the resin. At this time, if necessary, the curing reaction may be performed simultaneously by heating or irradiation with energy rays, and the heating may be performed in order to enhance fluidity. Also, in this case, a separate film or other removable substrate is used for the substrate with the conductor layer for the purpose of protecting the surface or blocking oxygen when the resin is UV-cured in the pressurizing step or in the subsequent step. You may laminate | stack from a conductor layer. When a curable resin is used for the resin layer, in the case where the resin layer is not cured simultaneously with the pressurization, it is preferable to cure the resin layer by heating or irradiating active energy rays after the pressurization.
In addition, when a curable resin is used for the resin layer, it is partially cured before the substrate is subjected to the above transfer and before the embedding process after the transfer, in order to adjust the fluidity of the resin layer. The reaction may be performed, but when it is performed before transfer, it is performed to such an extent that the adhesiveness required for transfer is not impaired.

また、めっき用導電性基材として、回転体(ロール)を用いることができることは前記したが、さらに、この詳細を説明する。回転体(ロール)は金属製が好ましい。さらに、回転体としてはドラム式電解析出法に用いるドラム電極などを用いることが好ましい。ドラム電極の表面を形成する物質としては上述のようにステンレス鋼、クロムめっきされた鋳鉄、クロムめっきされた鋼、チタン、チタンをライニングした材料などのめっき付着性が比較的低い材料を用いることが好ましい。導電性基材として回転体を用いることにより連続的に作製して巻物として導体層パターン付き基材を得ることが可能となるため、この場合、生産性が飛躍的に大きくなる。
回転体を用いて、電解めっきにより形成されたパターンを連続的に剥離しながら、導体層パターン付き基材を巻物として得る工程及び導電性基材としてドラム電極を用いた場合に、ドラム電極を回転させつつ、金属を電解めっきにより連続的に析出させ、また、析出した金属を連続的に剥離する装置は、国際公開第08/081904号パンフレットに記載される方法及び装置を利用することができる。
In addition, as described above, a rotating body (roll) can be used as the conductive base material for plating. This will be described in detail. The rotating body (roll) is preferably made of metal. Furthermore, it is preferable to use a drum electrode or the like used in the drum-type electrolytic deposition method as the rotating body. As described above, the material that forms the surface of the drum electrode may be a material with relatively low plating adhesion, such as stainless steel, chrome-plated cast iron, chrome-plated steel, titanium, or titanium-lined material. preferable. By using a rotating body as the conductive base material, it is possible to obtain a base material with a conductor layer pattern as a roll, and in this case, productivity is greatly increased.
Using a rotating body, while continuously peeling the pattern formed by electrolytic plating, rotating the drum electrode when using the drum electrode as the conductive substrate and the process of obtaining the substrate with the conductor layer pattern as a scroll In addition, a method and an apparatus described in International Publication No. 08/081904 can be used as an apparatus for continuously depositing metal by electrolytic plating while continuously peeling the deposited metal.

(実施例1)
<めっき用導電基材の作製>
まず、めっき用導電基材を作製した。
(パターン仕様)
以下の仕様で、パターン形成用のネガフィルムを作製した。光透過部のライン幅が15μm、ラインピッチが300μm、バイアス角度が45°(正四角形のなかに、ラインが正四角形の辺に対して45度の角度になるように配されている、開口率90%)で、格子状にパターンを120mm角のサイズで形成した。
Example 1
<Preparation of conductive substrate for plating>
First, a conductive substrate for plating was produced.
(Pattern specification)
A negative film for pattern formation was produced with the following specifications. The aperture width of the light transmission part is 15 μm, the line pitch is 300 μm, and the bias angle is 45 ° (in the regular square, the line is arranged at an angle of 45 degrees with respect to the side of the regular square. 90%), a pattern was formed in a lattice shape with a size of 120 mm square.

(凸状パターンの形成)
レジストフィルム(フォテックRY3315、日立化成工業株式会社製)を150mm角のステンレス板(SUS316L、#400研磨仕上げ、厚さ500μm、日新製鋼株式会社製)の両面に貼り合わせた(図12(a)に対応するが同一ではない)。貼り合わせの条件は、ロール温度105℃、圧力0.5MPa、ラインスピード1m/minで行った。次いで、パターン仕様のネガフィルムを、ステンレス板の片面に静置した。紫外線照射装置を用いて、600mmHg以下の真空下において、ネガフィルムを載置したステンレス板の上下から、紫外線を250mJ/cm照射した。さらに、1質量%炭酸ナトリウム水溶液で現像することで、SUS板の上にライン幅9〜11μm、ラインピッチ300μm、バイアス角度45度の突起部レジスト膜(突起部;高さ15μm)を得た。なお、パターンが形成された面の反対面は、全面露光されているため、現像されず、全面にレジスト膜が形成されている(図12(b)に対応するが同一ではない)。
(Formation of convex pattern)
A resist film (Photech RY3315, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) was bonded to both sides of a 150 mm square stainless steel plate (SUS316L, # 400 polished finish, thickness 500 μm, manufactured by Nisshin Steel Co., Ltd.) (FIG. 12A). Is not the same). The bonding conditions were a roll temperature of 105 ° C., a pressure of 0.5 MPa, and a line speed of 1 m / min. Subsequently, the negative film of the pattern specification was left still on one side of the stainless steel plate. Using an ultraviolet irradiation device, ultraviolet rays were irradiated at 250 mJ / cm 2 from above and below the stainless plate on which the negative film was placed under a vacuum of 600 mmHg or less. Further, by developing with a 1% by mass sodium carbonate aqueous solution, a protrusion resist film (protrusion; height 15 μm) having a line width of 9 to 11 μm, a line pitch of 300 μm, and a bias angle of 45 degrees was obtained on the SUS plate. Since the entire surface opposite to the surface on which the pattern is formed is exposed, it is not developed and a resist film is formed on the entire surface (corresponding to FIG. 12B but not the same).

(絶縁層の形成)
PBII/D装置(TypeIII、株式会社栗田製作所製)によりDLC膜を形成する。チャンバー内にレジスト膜が付いたままのステンレス基板を入れ、チャンバー内を真空状態にした後、アルゴンガスで基板表面のクリーニングを行った。次いで、チャンバー内にヘキサメチルジシロキサンを導入し、膜厚0.1μmとなるように中間層を成膜した。次いで、トルエン、メタン、アセチレンガスを導入し、膜厚が2〜3μmとなるように、中間層の上にDLC層を形成した(図12(c)に対応するが同一ではない)。
(Formation of insulating layer)
A DLC film is formed by a PBII / D apparatus (Type III, manufactured by Kurita Manufacturing Co., Ltd.). A stainless steel substrate with a resist film attached thereto was placed in the chamber, the inside of the chamber was evacuated, and the substrate surface was cleaned with argon gas. Next, hexamethyldisiloxane was introduced into the chamber, and an intermediate layer was formed to a thickness of 0.1 μm. Next, toluene, methane, and acetylene gas were introduced, and a DLC layer was formed on the intermediate layer so as to have a film thickness of 2 to 3 μm (corresponding to FIG. 12C, but not the same).

(凹部の形成;絶縁層の付着した凸状パターンの除去)
絶縁層が付着したステンレス基板を水酸化ナトリウム水溶液(10質量%、50℃)に浸漬し、時々揺動を加えながら8時間放置した。凸状パターンを形成するレジスト膜とそれに付着したDLC膜が剥離してきた。一部剥がれにくい部分があったため、布で軽くこすることにより全面剥離し、めっき用導電性基材を得た(図12(d)に対応するが同一ではない)。
凹部の形状は、開口方向に向かって幅広になっており、その凹部側面の傾斜角は、前記境界面の角度と同じであった。凹部の深さは2〜3μmであった。また、凹部の底部での幅は、9〜11μm、開口部での幅(最大幅)は13〜16μm、であった。凹部のラインピッチは300μmであった。
(Concavity formation; removal of convex pattern with insulating layer attached)
The stainless steel substrate with the insulating layer attached was immersed in an aqueous sodium hydroxide solution (10 mass%, 50 ° C.) and left for 8 hours with occasional rocking. The resist film forming the convex pattern and the DLC film adhering thereto have been peeled off. Since there was a portion that was difficult to peel off, the entire surface was peeled off by lightly rubbing with a cloth to obtain a conductive substrate for plating (corresponding to FIG. 12 (d), but not the same).
The shape of the recess was wider toward the opening direction, and the inclination angle of the side surface of the recess was the same as the angle of the boundary surface. The depth of the recess was 2 to 3 μm. Moreover, the width | variety in the bottom part of a recessed part was 9-11 micrometers, and the width | variety (maximum width) in an opening part was 13-16 micrometers. The line pitch of the recesses was 300 μm.

<導体層のパターンの形成>
(銅めっき)
さらに、上記で得られためっき用導電性基材のパターンが形成されていない面(裏面)に粘着フィルム(ヒタレックスK−3940B、日立化成工業株式会社製)を貼り付けた。この粘着フィルムを貼り付けためっき用導電性基材を陰極として、また、含燐銅を陽極として電解銅めっき用の電解浴(硫酸銅(5水塩)250g/L、硫酸70g/L、キューブライトAR(荏原ユージライト株式会社製、添加剤)4ml/Lの水溶液、30℃)中に浸し、両極に電圧をかけて電流密度を10A/dmとして、めっき用導電性基材の凹部に析出した金属の厚さがほぼ6μmになるまでめっきした。めっき用導電性基材の凹部の中とそれからあふれるようにめっきが形成された。
<Formation of conductor layer pattern>
(Copper plating)
Furthermore, an adhesive film (Hitalex K-3940B, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) was attached to the surface (back surface) where the pattern of the conductive substrate for plating obtained above was not formed. Electrolytic bath for electrolytic copper plating (copper sulfate (pentahydrate) 250 g / L, sulfuric acid 70 g / L, sulfuric acid 70 g / L, cube) using the electroconductive substrate for plating with the adhesive film attached as a cathode and phosphorus-containing copper as an anode Immerse it in 4 ml / L aqueous solution (30 ° C.) with light AR (supplied by Ebara Eugene Light Co., Ltd.), apply voltage to both electrodes to set the current density to 10 A / dm 2 , and place it on the concave portion of the conductive substrate for plating. Plating was performed until the deposited metal thickness was approximately 6 μm. The plating was formed so as to overflow in and out of the recess of the conductive substrate for plating.

<転写用基材の作製>
PETフィルムHPE−25(帝人デュポン株式会社製)に感圧型の粘着剤層厚みが25μmである粘着フィルム(ヒタレックスDA3025、日立化成工業株式会社製)の片面のセパレータを剥離し、粘着剤面に貼りあわせた。
<Preparation of transfer substrate>
A separator on one side of a pressure-sensitive adhesive layer (Hitalex DA3025, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) having a thickness of 25 μm is peeled off on a PET film HPE-25 (manufactured by Teijin DuPont Co., Ltd.) and attached to the adhesive surface Combined.

<導体層のパターンの転写>
次いで、上記転写用基材の粘着剤層の面と、上記めっき用導電性基材の銅めっきを施した面を、ロールラミネータを用いて貼り合わせた(図14(g)に対応)。ラミネート条件は、ロール温度30℃、圧力0.3MPa、ラインスピード1.0m/minとした。次いで、めっき用導電性基材に貼り合わせた転写用基材を剥離したところ、上記めっき用導電性基材上に析出した銅が転写用基材の粘着剤層に転写されていた(図14(h)に対応)。
<Transfer of conductor layer pattern>
Next, the surface of the pressure-sensitive adhesive layer of the transfer substrate and the surface of the conductive substrate for plating that had been subjected to copper plating were bonded using a roll laminator (corresponding to FIG. 14G). Lamination conditions were a roll temperature of 30 ° C., a pressure of 0.3 MPa, and a line speed of 1.0 m / min. Subsequently, when the transfer substrate bonded to the conductive substrate for plating was peeled off, the copper deposited on the conductive substrate for plating was transferred to the adhesive layer of the transfer substrate (FIG. 14). Corresponding to (h)).

得られた導体層パターン付き基材を一部分切り取り、その断面を、走査型電子顕微鏡写真(倍率2000倍)に撮って、観察した。任意に五カ所選択し、導体層パターンの断面形状は、図5(a)のような形状であり、下部層の厚みT2は3〜4μm、上部層の厚みT1は2〜3μm、全体の厚みTは6μm、最大幅Lは17〜20μm、下部の上底の幅L1は9〜11μm、下底の幅L2は13〜16μm、下部層の断面両端には曲率の比較的大きな彎曲があり、上部層の断面中央部の彎曲の曲率は非常に小さく、ほぼ平坦であり、角度αは45°であった。導体層パターンのラインピッチ300μmであった。このような導体層の格子状金属パターンからなる導体層パターン付き基材が得られていることを確認した。また、導体層の上部層の断面中央部の表面も両端部の湾曲部の一部の表面も露出していた。導体層パターンが樹脂層に埋設している部分の最大厚み(f)は3〜4μmであり、導体層パターンの最大幅の部分は埋没していた。このfの導体層パターン全体の厚み(T)に対する割合(f/T)は0.33〜0.50であった。また、下部層の厚みT2の導体層パターンの最大幅Lに対する割合(T2/L)は0.15〜0.23であった。   A part of the obtained base material with a conductor layer pattern was cut out, and the cross section was taken on a scanning electron micrograph (magnification 2000 times) and observed. 5 points are selected arbitrarily, and the cross-sectional shape of the conductor layer pattern is as shown in FIG. 5A, the thickness T2 of the lower layer is 3 to 4 μm, the thickness T1 of the upper layer is 2 to 3 μm, and the total thickness T is 6 μm, maximum width L is 17 to 20 μm, lower upper base width L1 is 9 to 11 μm, lower base width L2 is 13 to 16 μm, and there is a relatively large curvature at both ends of the lower layer cross section, The curvature of the curvature at the center of the cross section of the upper layer was very small, almost flat, and the angle α was 45 °. The line pitch of the conductor layer pattern was 300 μm. It confirmed that the base material with a conductor layer pattern which consists of a grid-like metal pattern of such a conductor layer was obtained. In addition, the surface of the central portion of the cross section of the upper layer of the conductor layer and the surfaces of the curved portions at both ends were exposed. The maximum thickness (f) of the portion where the conductor layer pattern was embedded in the resin layer was 3 to 4 μm, and the maximum width portion of the conductor layer pattern was embedded. The ratio (f / T) to the thickness (T) of the entire conductor layer pattern of f was 0.33 to 0.50. Further, the ratio (T2 / L) of the thickness T2 of the lower layer to the maximum width L of the conductor layer pattern was 0.15 to 0.23.

得られた導体層パターン付き基材の表面抵抗は、0.1Ω/□であった。表面抵抗は、四探針法表面抵抗測定装置ロレスターGP MCP−T600(三菱化学株式会社)製を用いて、サンプルサイズ50mm角で測定した。
上記のようにして得られた導体層パターン付き基材を図1に示したように、電子機器内に実装された電子部品の表面を電磁波シールドフィルムの導体層が形成された面を電子部品のグランドパターンに常温で貼り合わせた。この電子部品の電磁波シールド方法では、グランドパターンとの接続が容易で、貼り合わせた後の内部を目視で確認できた。
The surface resistance of the obtained base material with a conductor layer pattern was 0.1Ω / □. The surface resistance was measured with a sample size of 50 mm square using a four-probe method surface resistance measuring device Lorester GP MCP-T600 (Mitsubishi Chemical Corporation).
As shown in FIG. 1, the surface of the electronic component mounted in the electronic device is the surface on which the conductive layer of the electromagnetic wave shielding film is formed. Bonded to the ground pattern at room temperature. In this electromagnetic wave shielding method for electronic parts, the connection with the ground pattern was easy, and the inside after bonding could be visually confirmed.

20.導体層
21.上部(台形状部分)
22.下部(半円形部分)
23.肩部
24.樹脂層
31.めっき用導電性基材
32.導電性基材
33.絶縁層
34.凹部
35.感光性レジスト層(感光性樹脂層)
36.突起部
37.絶縁層(DLC膜)
39.導体層パターン
40.転写用基材
42.粘着剤層
43.保護樹脂
50.導体層パターン付基材
51.支持基材
52.樹脂層
53.基材
54.導体層
20. Conductor layer 21. Upper part (trapezoidal part)
22. Lower part (semi-circular part)
23. Shoulder 24. Resin layer 31. Conductive substrate for plating 32. Conductive substrate 33. Insulating layer 34. Concave part 35. Photosensitive resist layer (photosensitive resin layer)
36. Projection 37. Insulating layer (DLC film)
39. Conductor layer pattern 40. Substrate for transfer 42. Pressure-sensitive adhesive layer 43. Protective resin 50. Substrate with conductor layer pattern 51. Support base material 52. Resin layer 53. Base material 54. Conductor layer

Claims (8)

電子機器内に実装された電子部品の表面を電磁波シールドフィルムで被覆して電磁波を遮蔽する電子部品の電磁波シールド方法であって、該電磁波シールドフィルムが、粘着性を有する樹脂層上に、30%以上の開口率を有する導体層が形成され、その樹脂層に、導体層の少なくとも一部の表面が露出するように導体層が埋設された電磁波シールドフィルムの導体層が形成された面をグランドパターンに貼り合わせることを特徴とする電磁波シールド方法。   An electromagnetic wave shielding method for an electronic component in which the surface of an electronic component mounted in an electronic device is covered with an electromagnetic wave shielding film to shield the electromagnetic wave, and the electromagnetic wave shielding film is 30% on an adhesive resin layer. The conductor layer of the electromagnetic wave shielding film in which the conductor layer having the above opening ratio is formed and the conductor layer is embedded in the resin layer so that at least a part of the surface of the conductor layer is exposed is the ground pattern. An electromagnetic wave shielding method, characterized by being bonded to a substrate. 粘着性を有する樹脂層に導体層の少なくとも一部の表面が露出するように埋設され形成された導体層の断面形状が、断面形状全体又は断面形状の上部が台形状であって、前記導体層は、少なくとも上面又は前記台形状の一部が樹脂層から露出し、その他の部分が樹脂層に埋設されている請求項1に記載の電磁波シールド方法。   The conductor layer embedded and formed so that at least a part of the surface of the conductor layer is exposed in the adhesive resin layer has an overall cross-sectional shape or a trapezoidal upper part of the cross-sectional shape, and the conductor layer The electromagnetic wave shielding method according to claim 1, wherein at least a part of the upper surface or the trapezoidal shape is exposed from the resin layer, and the other part is embedded in the resin layer. 上記導体層の断面形状の台形形状部の高さが0.1〜10μm、側面の角度が30°以上、80°以下の範囲である請求項1または請求項2に記載の電磁波シールド方法。   The electromagnetic wave shielding method according to claim 1 or 2, wherein the height of the trapezoidal portion of the cross-sectional shape of the conductor layer is in the range of 0.1 to 10 µm and the angle of the side surface is 30 ° or more and 80 ° or less. 導体層の断面形状が、台形形状部の上部とこの部分に連続しこの部分より幅広で下側に湾曲した半円形部を有する下部を有し、導体層は、少なくともその上部表面の一部が樹脂層からは露出し、少なくとも最大幅の部分から下の部分が樹脂層に埋設されている請求項1〜3のいずれかに記載の電磁波シールド方法。   The cross-sectional shape of the conductor layer has an upper part of the trapezoidal shape part and a lower part having a semicircular part that is continuous with this part and is wider than this part and curved downward, and the conductor layer has at least a part of its upper surface. The electromagnetic wave shielding method according to any one of claims 1 to 3, wherein the electromagnetic wave shielding method according to any one of claims 1 to 3, wherein the electromagnetic wave is exposed from the resin layer, and at least a portion below the maximum width is embedded in the resin layer. 導体層の最大幅(L)に対する最大幅より上部の導体層の厚み(T2)の割合(T2/L)が0.01〜2の範囲である請求項1〜4のいずれかに記載の電磁波シールド方法。   The electromagnetic wave according to any one of claims 1 to 4, wherein a ratio (T2 / L) of the thickness (T2) of the conductor layer above the maximum width to the maximum width (L) of the conductor layer is in a range of 0.01-2. Shield method. 導体層の厚さが0.1〜100μm、幅が1〜50μmの範囲である請求項1〜5のいずれかに記載の電磁波シールド方法。   The electromagnetic wave shielding method according to claim 1, wherein the conductor layer has a thickness of 0.1 to 100 μm and a width of 1 to 50 μm. 樹脂層の厚さが0.5〜100μmの範囲である請求項1〜6のいずれかに記載の電磁波シールド方法。   The electromagnetic wave shielding method according to claim 1, wherein the resin layer has a thickness in the range of 0.5 to 100 μm. 請求項1〜7のいずれかに記載の電磁波シールド方法において、電磁波シールドフィルムの導体層のパターンが形成された面に、さらに、少なくとも一部パターンが露出するように絶縁材料を形成した電磁波シールド方法。   The electromagnetic wave shielding method according to any one of claims 1 to 7, wherein an insulating material is further formed so that at least a part of the pattern is exposed on the surface of the electromagnetic wave shielding film on which the conductor layer pattern is formed. .
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